ES2778753T3 - Método y aparato de colocación de pieza de trabajo - Google Patents

Método y aparato de colocación de pieza de trabajo Download PDF

Info

Publication number
ES2778753T3
ES2778753T3 ES11766998T ES11766998T ES2778753T3 ES 2778753 T3 ES2778753 T3 ES 2778753T3 ES 11766998 T ES11766998 T ES 11766998T ES 11766998 T ES11766998 T ES 11766998T ES 2778753 T3 ES2778753 T3 ES 2778753T3
Authority
ES
Spain
Prior art keywords
integrated circuit
propagation
axis
laser
spiral
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
ES11766998T
Other languages
English (en)
Inventor
Andrew Chugg
Jonathan Ward
James Mcintosh
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
MBDA UK Ltd
Original Assignee
MBDA UK Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Priority claimed from GBGB1017412.6A external-priority patent/GB201017412D0/en
Priority claimed from EP11275045A external-priority patent/EP2503420A1/en
Application filed by MBDA UK Ltd filed Critical MBDA UK Ltd
Application granted granted Critical
Publication of ES2778753T3 publication Critical patent/ES2778753T3/es
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G05—CONTROLLING; REGULATING
    • G05B—CONTROL OR REGULATING SYSTEMS IN GENERAL; FUNCTIONAL ELEMENTS OF SUCH SYSTEMS; MONITORING OR TESTING ARRANGEMENTS FOR SUCH SYSTEMS OR ELEMENTS
    • G05B19/00—Programme-control systems
    • G05B19/02—Programme-control systems electric
    • G05B19/18—Numerical control [NC], i.e. automatically operating machines, in particular machine tools, e.g. in a manufacturing environment, so as to execute positioning, movement or co-ordinated operations by means of programme data in numerical form
    • G05B19/19—Numerical control [NC], i.e. automatically operating machines, in particular machine tools, e.g. in a manufacturing environment, so as to execute positioning, movement or co-ordinated operations by means of programme data in numerical form characterised by positioning or contouring control systems, e.g. to control position from one programmed point to another or to control movement along a programmed continuous path
    • G—PHYSICS
    • G05—CONTROLLING; REGULATING
    • G05B—CONTROL OR REGULATING SYSTEMS IN GENERAL; FUNCTIONAL ELEMENTS OF SUCH SYSTEMS; MONITORING OR TESTING ARRANGEMENTS FOR SUCH SYSTEMS OR ELEMENTS
    • G05B19/00—Programme-control systems
    • G05B19/02—Programme-control systems electric
    • G05B19/18—Numerical control [NC], i.e. automatically operating machines, in particular machine tools, e.g. in a manufacturing environment, so as to execute positioning, movement or co-ordinated operations by means of programme data in numerical form
    • G05B19/41—Numerical control [NC], i.e. automatically operating machines, in particular machine tools, e.g. in a manufacturing environment, so as to execute positioning, movement or co-ordinated operations by means of programme data in numerical form characterised by interpolation, e.g. the computation of intermediate points between programmed end points to define the path to be followed and the rate of travel along that path
    • G—PHYSICS
    • G05—CONTROLLING; REGULATING
    • G05B—CONTROL OR REGULATING SYSTEMS IN GENERAL; FUNCTIONAL ELEMENTS OF SUCH SYSTEMS; MONITORING OR TESTING ARRANGEMENTS FOR SUCH SYSTEMS OR ELEMENTS
    • G05B19/00—Programme-control systems
    • G05B19/02—Programme-control systems electric
    • G05B19/418—Total factory control, i.e. centrally controlling a plurality of machines, e.g. direct or distributed numerical control [DNC], flexible manufacturing systems [FMS], integrated manufacturing systems [IMS] or computer integrated manufacturing [CIM]
    • G05B19/41875—Total factory control, i.e. centrally controlling a plurality of machines, e.g. direct or distributed numerical control [DNC], flexible manufacturing systems [FMS], integrated manufacturing systems [IMS] or computer integrated manufacturing [CIM] characterised by quality surveillance of production
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/36—Removing material
    • B23K26/38—Removing material by boring or cutting
    • B23K26/382—Removing material by boring or cutting by boring
    • B23K26/384—Removing material by boring or cutting by boring of specially shaped holes
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
    • G01N21/84—Systems specially adapted for particular applications
    • G01N21/88—Investigating the presence of flaws or contamination
    • G01N21/95—Investigating the presence of flaws or contamination characterised by the material or shape of the object to be examined
    • G01N21/9501—Semiconductor wafers
    • G—PHYSICS
    • G05—CONTROLLING; REGULATING
    • G05B—CONTROL OR REGULATING SYSTEMS IN GENERAL; FUNCTIONAL ELEMENTS OF SUCH SYSTEMS; MONITORING OR TESTING ARRANGEMENTS FOR SUCH SYSTEMS OR ELEMENTS
    • G05B2219/00—Program-control systems
    • G05B2219/30—Nc systems
    • G05B2219/34—Director, elements to supervisory
    • G05B2219/34146—Helical, spiral interpolation
    • G—PHYSICS
    • G05—CONTROLLING; REGULATING
    • G05B—CONTROL OR REGULATING SYSTEMS IN GENERAL; FUNCTIONAL ELEMENTS OF SUCH SYSTEMS; MONITORING OR TESTING ARRANGEMENTS FOR SUCH SYSTEMS OR ELEMENTS
    • G05B2219/00—Program-control systems
    • G05B2219/30—Nc systems
    • G05B2219/37—Measurements
    • G05B2219/37224—Inspect wafer
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
    • Y02P90/00—Enabling technologies with a potential contribution to greenhouse gas [GHG] emissions mitigation
    • Y02P90/02—Total factory control, e.g. smart factories, flexible manufacturing systems [FMS] or integrated manufacturing systems [IMS]

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Automation & Control Theory (AREA)
  • Human Computer Interaction (AREA)
  • Computing Systems (AREA)
  • Theoretical Computer Science (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • Quality & Reliability (AREA)
  • Laser Beam Processing (AREA)
  • Length Measuring Devices By Optical Means (AREA)

Abstract

Un método para colocar relativamente un circuito integrado y el eje de propagación de un láser u otro haz de energía dirigida durante el mapeo de sensibilidad de SEE de una memoria de microchip, comprendiendo el método efectuar desplazamientos relativos del circuito integrado y el eje de propagación a lo largo de ejes ortogonales de manera que la intersección del eje de propagación con el circuito integrado se mueva a una velocidad sustancialmente constante a lo largo de una trayectoria en espiral, por lo que el eje de propagación es el eje de propagación de un láser pulsado u otro haz de energía dirigida; el cambio en el radio por revolución entre vueltas sucesivas de la trayectoria en espiral es constante; y el método se realiza con respecto al circuito integrado durante al menos dos recorridos de la trayectoria en espiral.

Description

DESCRIPCIÓN
Método y aparato de colocación de pieza de trabajo
La presente invención se refiere a un método y un aparato para colocar relativamente una pieza de trabajo y un eje de referencia. Puede aplicarse especialmente, pero no exclusivamente, a la presentación precisa de un circuito integrado (microchip) a un láser pulsado, para realizar un mapeo de sensibilidad de efecto de evento único (SEE).
La colocación de motores paso a paso convencionales para el escaneo SEE láser impone restricciones en la trayectoria y la reproducibilidad de las rutas de escaneo. En particular, el patrón de escaneo genera aceleraciones y desaceleraciones no deseadas, que tienden a provocar vibraciones en la estructura en la que está montado el microchip. Los documentos US2008/238435A1 y WO01/69205A1 desvelan métodos y sistemas de la técnica anterior para colocar relativamente un rayo láser en un circuito integrado a inspeccionar en busca de defectos, pero no en el marco de un escaneo SEE.
La presente invención, al menos sus realizaciones preferidas, pretende superar o al menos reducir este problema, pero es de aplicación general a la colocación relativa precisa de una pieza de trabajo y un elemento operativo requerido para interactuar con la misma. El elemento operativo puede ser uno que realiza una operación en la pieza de trabajo, o la prueba o inspecciona, o se ensambla con la misma.
En un aspecto, la invención proporciona un método para colocar relativamente un circuito integrado (CI) y el eje de propagación de un láser u otro haz de energía dirigida que comprende efectuar desplazamientos relativos del CI y el eje de propagación a lo largo de ejes ortogonales de manera que una intersección del eje de propagación con el CI se mueva a una velocidad sustancialmente constante a lo largo de una trayectoria en espiral caracterizado por que:
el eje de propagación es el eje de propagación de un láser pulsado u otro haz de energía dirigida;
el cambio en el radio por revolución entre vueltas sucesivas de la trayectoria en espiral es constante; y el método se realiza con respecto al CI durante al menos dos recorridos de la trayectoria en espiral.
Preferentemente, los desplazamientos a lo largo de los ejes son eficazmente continuos.
Debido a que el cambio en el radio por revolución entre vueltas sucesivas de la espiral es constante, la longitud de trayectoria por área en el plano x-y es constante, facilitando de este modo una cobertura de escaneo uniforme. Un cambio constante en el radio puede lograrse cuando los desplazamientos a lo largo de los ejes ortogonales se definen por x = A-\ftCos(^^t) y y = Ayft sen(o>Vt) donde t es tiempo y A y u> son constantes.
El origen de la espiral puede colocarse con respecto al CI para reducir la aceleración radial de la intersección. Por lo tanto, las partes de la espiral más cercanas a su origen pueden omitirse de la trayectoria en espiral con el fin de hacer que la aceleración máxima (que se produce en el radio realizado más bajo desde el origen, si la velocidad de ejecución es constante) sea arbitrariamente baja.
Como se ha señalado anteriormente, la invención puede aplicarse especialmente al mapeo de sensibilidad de SEE con láser.
El láser u otro haz de energía dirigida puede ser un láser pulsado de frecuencia de repetición de pulso constante.
Preferentemente, el espaciamiento a lo largo de la espiral de puntos sucesivos en o sobre la pieza de trabajo iluminada por los pulsos del láser u otro haz de energía dirigida y el espaciamiento radial de las vueltas sucesivas de la espiral alrededor de su origen son tales que producen una matriz de tales puntos que se distribuye uniformemente a una densidad constante por unidad de área escaneada de la pieza de trabajo. Esto puede lograrse haciendo que el espaciamiento de dichos puntos a lo largo de la espiral sea igual al espaciamiento radial de las vueltas sucesivas de la espiral alrededor de su origen.
En particular, pero no exclusivamente, para el mapeo de sensibilidad de SEE con láser, la invención proporciona un método para investigar un circuito integrado (CI) que comprende disponer el CI como la pieza de trabajo en el método expuesto anteriormente, exponer el CI a pulsos láser y determinar el efecto de dichos pulsos sobre el CI.
El método puede comprender investigar la disposición de las celdas de memoria u otros elementos del CI exponiendo dicho elemento en un punto en o sobre el CI a un pulso láser con el fin de cambiar su estado e identificar el elemento del cambio de estado. Por lo tanto, es posible asociar una dirección de memoria lógica con una localización física en el CI.
Un método preferido comprende investigar el CI exponiendo dichos puntos seleccionados a pulsos láser durante al menos dos recorridos de la trayectoria curvilínea, siendo el nivel de potencia láser constante durante cada recorrido y siendo el nivel de potencia durante el segundo y posteriores recorridos diferente (y preferentemente superior) al de un recorrido anterior.
En otro aspecto, la invención proporciona un aparato para colocar relativamente un circuito integrado (CI) y el eje de propagación de un láser u otro haz de energía dirigida, para usar en un método como se ha descrito anteriormente, comprendiendo el aparato un medio de desplazamiento en sentido x y un medio de desplazamiento en sentido y para efectuar desplazamientos relativos del CI y el eje de propagación a lo largo de ejes ortogonales, y un medio de control configurado para operar los medios de desplazamiento,
caracterizado por que:
el medio de control está configurado para operar los medios de desplazamiento, de manera que durante la operación una intersección del eje de propagación con el CI se mueva a velocidad constante a lo largo de una trayectoria en espiral; y
el cambio en el radio por revolución entre vueltas sucesivas de la trayectoria en espiral es constante.
Los medios de desplazamiento pueden comprender un transductor piezoeléctrico.
Puede haber un sensor de galga extensométrica u otros medios de detección de desplazamiento dispuestos para proporcionar retroalimentación del movimiento de dicha intersección al medio de control.
En otro aspecto, la invención proporciona un medio legible por ordenador que tiene grabado en el mismo un programa informático que, cuando se instala y se opera, realiza el método expuesto anteriormente.
A continuación, se describirá una realización de la invención, simplemente a modo de ejemplo y con referencia a los dibujos adjuntos, en los que:
la figura 1 muestra un patrón de escaneo convencional usado en el escaneo de sensibilidad de SEE con láser de un microchip;
la figura 2 muestra el aparato de acuerdo con la invención;
la figura 3 muestra un patrón de escaneo de acuerdo con la invención; y,
la figura 4 ilustra puntos en un CI escaneado usando la invención.
Esta realización de la invención emplea una combinación de colocación piezoeléctrica x-y con un patrón de escaneo curvilíneo para lograr el suministro de matrices de pulsos láser distribuidas uniformemente a un área objetivo tal como un microchip, siendo la velocidad de repetición de pulsos láser constante. La realización pretende simultáneamente minimizar las aceleraciones del sistema de colocación, con el fin de minimizar las vibraciones inducidas en el soporte con el fin de poder reproducir matrices de pulsos láser exactamente superpuestas a diferentes energías de pulso láser. El objetivo general es producir rápidamente mapas de los umbrales de energía de pulso láser para los desajustes/fallos inducidos en el destino (por ejemplo, los bits de memoria en el CI cambiados de 1 a 0 o viceversa).
Los equipos electrónicos digitales en satélites y aeronaves de alto vuelo son vulnerables a la radiación de partículas ionizantes. El impacto de una partícula de alta energía en una celda de un circuito integrado puede producir un cambio temporal o permanente en esa celda, denominado efecto de evento único (SEE) o desajuste de evento único (SEU). El mapeo de la sensibilidad de SEE a nivel de celda en dispositivos de memoria y otros circuitos integrados puede proporcionar una visión importante de la vulnerabilidad del dispositivo a tales efectos. El desequilibrio de una sola celda por un SEE introducirá un error de bit único. En general, esto puede superarse mediante técnicas de corrección de errores, pero es más difícil compensar la corrupción de dos bits en la misma palabra. Esto puede producirse como resultado de un evento de irradiación único si, por ejemplo, las celdas de memoria que almacenan bits de la misma palabra están físicamente adyacentes en la matriz del microchip. Por lo tanto, es útil conocer la localización física de cada celda de memoria en el dispositivo, así como su dirección, de modo que las celdas puedan utilizarse de tal manera que los bits de la misma palabra no se almacenen en celdas que estén relativamente cerca entre sí o de modo que pueda implementarse el nivel adecuado de corrección de errores en el software, si es imposible evitar dicha adyacencia. Como alternativa, los resultados obtenidos con esta invención pueden facilitar la decisión de descartar un diseño de microchip a favor de un diseño más tolerante a SEE con una función equivalente de un proveedor diferente.
El mapeo de sensibilidad de SEE se realiza usando pulsos láser para simular eventos de radiación ionizante incidente en una multiplicidad de puntos del microchip. Convencionalmente, los umbrales de SEE se establecen variando la energía de pulso láser punto por punto. Esto consume mucho tiempo.
En cambio, en esta realización descrita de la invención, una matriz de puntos en el microchip se expone a un escaneo de pulsos láser administrado rápidamente a un nivel de energía fijo. A continuación, el escaneo de los mismos puntos se repite a un nivel de energía fijo algo más alto y, a continuación, nuevamente a niveles de energía sucesivamente aumentados, según sea necesario. Es decir, cada vez que las celdas en alguno de los puntos sufren un SEU, cambian de estado, y su identidad puede establecerse interrogando al chip después de cada pulso láser.
El éxito de la técnica depende de que los pulsos láser se apliquen con suficiente precisión cada vez a los mismos puntos del microchip. Los sistemas de colocación de motores paso a paso empleados convencionalmente en el mapeo de SEE no pueden lograr esto, por lo que se ha ideado una solución alternativa.
Los sistemas de colocación de motores paso a paso están limitados por un tamaño de paso finito y errores de colocación acumulativos. Cada movimiento tiene distintas fases de aceleración seguida de velocidad fija seguida de desaceleración. En general, se usa un patrón de escaneo de trama como el mostrado en la figura 1. Este consiste en filas paralelas extendidas 10 en una dirección (en este caso a lo largo del eje x) con un pequeño escalón ortogonal 12 al final de la fila para indexar la trama en la dirección y. Los puntos en el microchip iluminados por un pulso láser a una velocidad constante se muestran en 14. Debido a las fuertes desaceleraciones y aceleraciones en los extremos de cada fila en sentido x, y la velocidad relativamente baja del desplazamiento en la dirección y, los puntos expuestos a los pulsos láser están densamente agrupados en el extremo de cada fila como en 16.
Las aceleraciones y desaceleraciones tienden a provocar vibraciones en el soporte en el que se coloca el microchip, lo que limita la precisión con la que puede colocarse cada punto láser.
La figura 2 muestra un aparato de acuerdo con la invención. Un microchip (no mostrado) está montado en una plataforma que se coloca aproximadamente en relación con una fuente de láser pulsado (no mostrada) por unos motores paso a paso x e y (no mostrados) como se conoce per se. La plataforma puede colocarse con mayor precisión en relación con los motores paso a paso por unos accionadores piezoeléctricos x e y 22, 24. Estos accionadores son del tipo conocido per se en la colocación de un portaobjetos para microscopía electrónica de barrido.
El sistema está controlado por un ordenador 20 que ejecuta LabVIEW® u otro programa de instrumentación virtual. El ordenador da órdenes a un generador de forma de onda 28 a través de un convertidor digital a analógico 26 para producir las formas de onda respectivas para accionar los accionadores piezoeléctricos de eje x y de eje y 22, 24 a través de unos servocontroladores 30, 32. Las salidas de los servocontroladores son tensiones (analógicas) de CC continuas, que son proporcionales a los desplazamientos requeridos de los accionadores piezoeléctricos. Los sensores de galga extensométrica 34, 36 proporcionan retroalimentación de la posición de plataforma al ordenador 20 a través del convertidor analógico a digital 38.
Debido a que los desplazamientos x e y producidos por los accionadores piezoeléctricos 22, 34 son continuos y proporcionales a sus tensiones de accionamiento, el movimiento curvilíneo de la plataforma y, por lo tanto, el microchip puede producirse haciendo que el ordenador 20 suministre instrucciones de forma de onda adecuadas al generador de forma de onda 20.
Con el fin de lograr la precisión y repetibilidad de colocación requeridas, es deseable minimizar las vibraciones inducidas en el conjunto de sistema de colocación que incorpora la plataforma de montaje de microchip. Puesto que se espera que las frecuencias resonantes naturales para este conjunto sean mucho mayores (del orden de kHz) que las frecuencias de escaneo (<100 Hz) usadas en la distribución de matrices de pulsos, puede anticiparse que la energía de vibración/reverberación pico se induzca durante los picos de aceleración (positivo o negativo) de este conjunto (es decir, no hay excitación directa de las resonancias). Por lo tanto, se ha ideado un patrón de escaneo curvilíneo que proporciona magnitudes bajas para las aceleraciones en forma de trayectoria en espiral. De hecho, la aceleración pico puede hacerse arbitrariamente baja iniciando el patrón de escaneo en un radio mayor desde el centro de la espiral, ya que la aceleración disminuye a medida que aumenta el radio de curvatura. En tal caso, el origen de la espiral puede desplazarse del microchip con el fin de localizarse a cierta distancia más allá de su borde, con el resultado de que solo parte de cada vuelta de la espiral pasa sobre la superficie del chip. La fuente láser puede activarse de manera que solo produzca pulsos cuando pasa sobre el chip.
Otros parámetros que definen la forma exacta de la trayectoria son:
1. La velocidad de desplazamiento del punto láser, que normalmente es constante (es decir, de tal manera la intersección de las localizaciones de pulsos láser está espaciada uniformemente a lo largo de la trayectoria).
2. La separación radial entre cada revolución de la espiral alrededor de su origen se establece igual al espaciamiento de los pulsos láser a lo largo de la trayectoria para lograr una distribución general uniforme de las localizaciones de pulsos.
Por lo tanto, las ecuaciones para los componentes x e y de esta trayectoria pueden definirse en términos del parámetro de tiempo t de la siguiente manera:
x = ^VtCos(wVt) y y = A \[t sen(wVt)
Estos proporcionan una velocidad de trayectoria constante alrededor de la espiral, donde A y w son parámetros de ajuste para escalar la matriz en espiral adecuadamente en una aplicación dada. Como la velocidad v es el producto del radio AVt por la velocidad de cambio (obtenida con respecto al tiempo) del ángulo wVt, podemos escribir:
Figure imgf000005_0001
El cambio en el radio por revolución es A r de tal manera que:
A r = 2kN&
Dado que la distancia entre pulsos a lo largo de la trayectoria debe ser similar a Ar con el fin de dar una distribución de pulsos uniforme, el tiempo A tp entre pulsos viene dado por:
2nA
vAtp = A r= -----w
Al sustituir v,
Figure imgf000005_0002
Por lo tanto, u> se define por la velocidad de pulsación láser. Para definir A en términos del radio máximo de la matriz Rmáx, podemos usar
Figure imgf000005_0003
Por lo tanto:
tmáx = (Rmáx /A)2
Para la matriz a modo de ejemplo mostrada en la figura 3, A = 1 y w = 1 con tmáx= 3000 s y Atp= 10 s.
Puede verse que los puntos láser tienden a estar en un patrón repetitivo de líneas curvas que se extienden hacia fuera, por ejemplo, como en 40, 42, 44. Es necesario leer el conjunto monitorizado de bits de memoria en el chip al menos una vez en el período entre pulsos láser sucesivos. Dado que la frecuencia de repetición de pulsos láser es de aproximadamente 100 Hz, no hay tiempo suficiente para leer todos los bits de memoria de una memoria sustancial (por ejemplo, del orden de Mbits). Sin embargo, podemos reducir esta tarea quizá mil veces fijando un subconjunto de las líneas de direcciones en valores preestablecidos y tratando la memoria como una memoria de menor tamaño correspondiente al tamaño del conjunto restante de líneas de direcciones. Si esto se hiciera al azar, entonces los bits de lectura normalmente se intercalarían con precisión con un conjunto mucho más grande de bits no leídos, lo que sería ineficaz. Sin embargo, si tenemos un mapa de memoria a gran escala disponible para la memoria a prueba (que puede generarse él mismo por láser pulsando el CI de memoria en un conjunto adecuado de localizaciones y examinando las direcciones de los bits desajustados en cada localización), entonces podemos identificar las líneas de direcciones que se conocen para controlar la colocación a gran escala en la matriz de microchip y eligiendo juiciosamente el patrón de estados altos y bajos en los que preestablecemos estas direcciones, podemos seleccionar pequeños parches (normalmente rectangulares) de bits adyacentes. Dentro de estos parches, las líneas de direcciones variables se usan para crear ciclos de lectura que direccionan los bytes de bits solo dentro del parche. Debido a la ausencia de líneas de direcciones externas para apuntar a bits individuales dentro de bytes, normalmente es inevitable que algunos bits de los mismos bytes queden fuera del parche que se está leyendo, pero esto no es una restricción grave del enfoque general. Normalmente, es posible leer la totalidad (o al menos una alta proporción) de los bits dentro de dicho parche.
La figura 4 muestra localizaciones de desajuste de evento único (SEU) observadas experimentalmente para una matriz en espiral suministrada de pulsos láser trazados en la trayectoria de escaneo con las direcciones y datos correspondientes que se enumeran en la tabla 1 a continuación. Los datos correctos en cada dirección eran hexadecimales 5A, por lo que el bit 4 se cambió a 0 o el bit 5 se cambió a 1 por los pulsos láser (es decir, 5A hexadecimal es 01011010 binario, 7A es 01111010 [quinto bit cambiado de 0 a 1] y 4A es 01001010 [cuarto bit cambiado de 1 a 0]). La subregión pulsada de la memoria se leyó a una frecuencia de 40 Hz con una frecuencia de pulsación láser de 10 Hz; por lo tanto, los errores podrían atribuirse a pulsos láser individuales. Se han entregado tales matrices en espiral a un intervalo de energías de pulso láser, de tal manera que es posible obtener energías de pulso umbral desajustadas a través de la región investigada del dispositivo.
Puede verse que en este ejemplo (y como es normalmente el caso) la sensibilidad a los SEU tiende a ser no uniforme a través de la matriz de microchip. El conocimiento de tales patrones de sensibilidad permite tomar medidas para reducir la posibilidad de que se almacenen bits de la misma palabra en localizaciones que pueden sufrir un SEU por el mismo evento de radiación ionizante.
La invención incluye cualquier característica novedosa o combinación de características desveladas en el presente documento, ya sea que se reivindiquen específicamente o no. El resumen, tal como se presenta, se repite en este caso como parte de la memoria descriptiva.
Un método para colocar relativamente una pieza de trabajo y un eje de referencia que comprende efectuar desplazamientos relativos de la pieza de trabajo y el eje de referencia a lo largo de ejes ortogonales de manera que una intersección del eje de referencia con la pieza de trabajo se mueva a una velocidad sustancialmente constante a lo largo de una trayectoria curvilínea. El método puede aplicarse especialmente al mapeo de sensibilidad de SEE de una memoria de microchip usando un láser pulsado, en relación con el eje con respecto al que el chip se mueve en una trayectoria en espiral.
TABLA I. DIRECCIONES DE ERROR PARA LA ESPIRAL DE PULSACIÓN LÁSER
No. Dirección Error No. Dirección Error No. Dirección Error
1 00C799 7A 31 00C159 7A 61 00DE99 7A
2 00C399 7A 32 00CD59 7A 62 00DC99 7A
3 00C399 7A 33 OOD159 7A 63 00D719 7A
4 00C059 7A 34 00DA59 7A 64 OOD719 7A
5 00CB99 7A 35 00D859 7A 65 OOD319 7A
6 00C999 7A 36 00D699 7A 66 00C919 7A
7 00C059 7A 37 00C319 7A 67 00C119 7A
8 00C459 7A 38 00ED99 4A 68 OOFD19 4A
9 00FC59 4A 39 00EF99 4A 69 00F919 4A
10 00C659 7A 40 00F259 4A 70 00F319 4A
11 00CA59 7A 41 00C359 7A 71 00E799 4A
12 00C299 7A 42 00CB59 7A 72 00EA59 4A
13 00FE99 4A 43 00CF59 7A 73 00EE59 4A
14 00F859 4A 44 00D559 7A 74 00ED59 4A
15 00FE59 4A 45 00DE59 7A 75 00F359 4A
16 00C499 7A 46 00DD99 7A 76 00FCD9 4A
17 00C099 7A 47 OOCB19 7A 77 00C0D9 7A
18 00FA99 4A 48 00C519 7A 78 00C8D9 7A
19 00F459 4A 49 00FB19 4A 79 00CCD9 7A
20 00FA59 4A 50 00ED99 4A 80 00E259 7A
21 00C559 7A 51 00E999 4A 81 00E799 7A
22 00C959 7A 52 00EB99 4A 82 00E599 7A
23 00D459 7A 53 00EE59 4A 83 00E099 7A
24 00D459 7A 54 00F259 4A 84 OODB19 7A
25 00CC99 7A 55 00FB59 4A 85 00D519 7A
26 00F199 4A 56 00D759 7A 86 00D119 7A
27 00F399 4A 57 00E259 7A 87 00E899 4A
28 00F659 4A 58 00E059 7A 88 00E499 4A
29 00FD59 4A 59 00E399 7A 89 00E599 4A
30 00FD59 4A 60 OOE199 7A 90 OOE199 4A

Claims (15)

REIVINDICACIONES
1. Un método para colocar relativamente un circuito integrado y el eje de propagación de un láser u otro haz de energía dirigida durante el mapeo de sensibilidad de SEE de una memoria de microchip, comprendiendo el método efectuar desplazamientos relativos del circuito integrado y el eje de propagación a lo largo de ejes ortogonales de manera que la intersección del eje de propagación con el circuito integrado se mueva a una velocidad sustancialmente constante a lo largo de una trayectoria en espiral, por lo que el eje de propagación es el eje de propagación de un láser pulsado u otro haz de energía dirigida;
el cambio en el radio por revolución entre vueltas sucesivas de la trayectoria en espiral es constante; y
el método se realiza con respecto al circuito integrado durante al menos dos recorridos de la trayectoria en espiral.
2. El método de la reivindicación 1, en el que los desplazamientos a lo largo de los ejes son eficazmente continuos.
3. El método de cualquier reivindicación anterior, en el que el origen de la espiral está desplazado con respecto al circuito integrado, por lo que se reduce la aceleración radial de dicha intersección.
4. El método de cualquier reivindicación anterior, en el que el eje de propagación es el eje de propagación de un láser pulsado u otro haz de energía dirigida de frecuencia de repetición de pulso constante.
5. El método de cualquier reivindicación anterior, en el que el espaciamiento a lo largo de la espiral de puntos sucesivos (14) en o sobre el circuito integrado iluminado por los pulsos y el espaciamiento radial de las vueltas sucesivas de la espiral alrededor de su origen son tales que la distribución de los puntos sobre el área escaneada del circuito integrado es uniforme.
6. Un método para investigar un circuito integrado que comprende el método de cualquier reivindicación anterior, que comprende además disponer el circuito integrado, exponer el circuito integrado a los pulsos y determinar el efecto de dichos pulsos sobre el circuito integrado.
7. El método de cualquier reivindicación anterior, que comprende además investigar la disposición de las celdas de memoria u otros elementos del circuito integrado exponiendo dicho elemento en un punto en o sobre el circuito integrado a un pulso con el fin de cambiar su estado e identificar el elemento del cambio de estado.
8. Un método para realizar un mapeo de sensibilidad de efecto de evento único, que comprende el método de cualquier reivindicación anterior, y que comprende además fijar un subconjunto de líneas de direcciones para los elementos del circuito integrado en valores preestablecidos, y tratar la memoria como una memoria de menor tamaño correspondiente al tamaño del conjunto restante de líneas de direcciones.
9. El método de cualquier reivindicación anterior, que comprende investigar el circuito integrado exponiendo puntos seleccionados del circuito integrado a pulsos durante los al menos dos recorridos de la trayectoria curvilínea, siendo el nivel de potencia del láser u otro haz de energía dirigida constante durante cada recorrido, siendo el nivel de potencia durante el segundo y posteriores recorridos diferente a, y preferentemente mayor que, el de un recorrido anterior.
10. Aparato para colocar relativamente un circuito integrado y el eje de propagación de un láser u otro haz de energía dirigida, para usar en un método de acuerdo con una cualquiera de las reivindicaciones 1 a 9, comprendiendo el aparato un medio de desplazamiento en sentido x y un medio de desplazamiento en sentido y para efectuar los desplazamientos relativos del circuito integrado y el eje de propagación a lo largo de ejes ortogonales y un medio de control configurado para operar los medios de desplazamiento, en el que el medio de control está configurado para operar los medios de desplazamiento de manera que durante la operación una intersección del eje de propagación con el circuito integrado se mueva a velocidad constante a lo largo de una trayectoria en espiral; y el cambio en el radio por revolución entre las vueltas sucesivas de la trayectoria en espiral es constante.
11. Aparato de acuerdo con la reivindicación 10, en el que el medio de desplazamiento en sentido x y el medio de desplazamiento en sentido y comprenden unos accionadores piezoeléctricos (22, 24) que pueden accionarse por formas de onda respectivas a través de unos servocontroladores (30, 32).
12. El aparato de cualquiera de las reivindicaciones 10 u 11, en el que el origen de la trayectoria en espiral está desplazado con respecto al circuito integrado, por lo que se reduce la aceleración radial de dicha intersección.
13. El aparato de las reivindicaciones 10, 11 o 12, que comprende además un sensor de galga extensométrica (34, 36) u otros medios de detección de desplazamiento dispuestos para proporcionar retroalimentación del movimiento de dicha intersección al medio de control (20).
14. El aparato de cualquiera de las reivindicaciones 10 a 13, que está configurado para operar el método de cualquiera de las reivindicaciones 1 a 9.
15. Un medio legible por ordenador que tiene grabado en el mismo un programa informático que, cuando se instala y se opera, realiza el método de cualquiera de las reivindicaciones 1 a 9.
ES11766998T 2010-10-13 2011-10-06 Método y aparato de colocación de pieza de trabajo Active ES2778753T3 (es)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
GBGB1017412.6A GB201017412D0 (en) 2010-10-13 2010-10-13 Workpiece positioning method and apparatus
EP11275045A EP2503420A1 (en) 2011-03-23 2011-03-23 Workpiece positioning method and apparatus
PCT/EP2011/067509 WO2012049074A1 (en) 2010-10-13 2011-10-06 Workpiece positioning method and apparatus

Publications (1)

Publication Number Publication Date
ES2778753T3 true ES2778753T3 (es) 2020-08-11

Family

ID=45937920

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
ES11766998T Active ES2778753T3 (es) 2010-10-13 2011-10-06 Método y aparato de colocación de pieza de trabajo

Country Status (4)

Country Link
US (1) US9063534B2 (es)
EP (1) EP2628061B1 (es)
ES (1) ES2778753T3 (es)
WO (1) WO2012049074A1 (es)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2012049074A1 (en) * 2010-10-13 2012-04-19 Mbda Uk Limited Workpiece positioning method and apparatus
DE102018101293A1 (de) * 2018-01-22 2019-07-25 Rud. Starcke Gmbh & Co. Kg Verfahren zum Schleifen und/oder Polieren einer Fehlstelle sowie Vorrichtung zur Durchführung des Verfahrens

Family Cites Families (23)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4128968A (en) 1976-09-22 1978-12-12 The Perkin-Elmer Corporation Optical surface polisher
GB2044919B (en) 1979-03-15 1983-08-17 Kirin Brewery Investigating containers for flaws
JPS57161640A (en) 1981-03-31 1982-10-05 Olympus Optical Co Ltd Inspecting device for surface
DE3521072A1 (de) 1984-06-12 1985-12-12 Mitsubishi Denki K.K., Tokio/Tokyo Interpolationsverfahren fuer eine numerisch gesteuerte maschine
JPS6373635A (ja) 1986-09-17 1988-04-04 Toshiba Corp 半導体ウエハ表面検査用レ−ザビ−ムの走査方法および走査装置
JP2523633B2 (ja) 1987-05-13 1996-08-14 株式会社日立製作所 レ−ザレ−ダの走査方法
US5034877A (en) * 1989-10-26 1991-07-23 Shultz James C Motion control
US5043589A (en) 1990-05-18 1991-08-27 Trigon/Adcotech Semiconductor device inspection apparatus using a plurality of reflective elements
US5983167A (en) 1996-05-29 1999-11-09 Dainippon Ink And Chemicals, Inc. Disc dishing measurement method and apparatus
JP3071418B1 (ja) * 1999-01-28 2000-07-31 株式会社半導体先端テクノロジーズ 座標修正装置
US6462814B1 (en) * 2000-03-15 2002-10-08 Schlumberger Technologies, Inc. Beam delivery and imaging for optical probing of a device operating under electrical test
US6897405B2 (en) 2001-11-30 2005-05-24 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Method of laser milling using constant tool path algorithm
US20040081048A1 (en) 2002-10-23 2004-04-29 Wilhelmson Ulf Local track pitch measuring apparatus and method
US7009172B2 (en) 2003-03-06 2006-03-07 Board Of Regents Of The University And Community College System Of Nevada, Reno Method and apparatus for imaging using continuous non-raster patterns
ES2345116T3 (es) * 2006-06-14 2010-09-15 Vigel S.P.A. Metodo para fresar ranuras en piezas de trabajo taladradas.
US20080151259A1 (en) * 2006-12-21 2008-06-26 Woo Sik Yoo Synchronized wafer mapping
US7777507B2 (en) * 2007-03-26 2010-08-17 Intel Corporation Integrated circuit testing with laser stimulation and emission analysis
EP1983297B1 (en) * 2007-04-18 2010-04-07 Hexagon Metrology AB Scanning probe with constant scanning speed
US8122317B1 (en) * 2007-06-27 2012-02-21 Arizona Board Of Regents For And On Behalf Of Arizona State University Two-dimensional parity technique to facilitate error detection and correction in memory arrays
TWI379748B (en) * 2007-07-20 2012-12-21 Applied Materials Inc Dual-mode robot systems,substrate transfer apparatus and methods for electronic device manufacturing, and method of calibrating
DE102010010716A1 (de) * 2010-03-08 2012-02-16 Bernhard Hidding Verfahren zum Testen der Empfindlichkeit elektronischer Bauteile durch Teilchen- und Photonenstrahlen mittels Laser-Plasma-Wechselwirkung
WO2012049074A1 (en) * 2010-10-13 2012-04-19 Mbda Uk Limited Workpiece positioning method and apparatus
JP4821934B1 (ja) * 2011-04-14 2011-11-24 株式会社安川電機 ３次元形状計測装置およびロボットシステム

Also Published As

Publication number Publication date
WO2012049074A1 (en) 2012-04-19
US9063534B2 (en) 2015-06-23
EP2628061B1 (en) 2020-03-04
EP2628061A1 (en) 2013-08-21
US20130190922A1 (en) 2013-07-25

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US7608800B2 (en) Methods and systems for decreasing the effective pulse repetition of a laser
ES2778753T3 (es) Método y aparato de colocación de pieza de trabajo
US20150348741A1 (en) Multi charged particle beam writing method, and multi charged particle beam writing apparatus
KR920702011A (ko) 이온 주입장치
US9343266B2 (en) Charged particle beam pattern writing method and charged particle beam writing apparatus that corrects beam rotation utilizing a correlation table
EP1801578A1 (en) Microstructure inspecting apparatus and microstructure inspecting method
CN113030920B (zh) 标定角度的精度验证方法及装置、设备及存储介质
US20200300630A1 (en) Gyroscope and angle measurement method
TW201643551A (zh) 曝光裝置及曝光方法
EP2503420A1 (en) Workpiece positioning method and apparatus
US8290743B2 (en) Charged particle beam writing apparatus and method for diagnosing DAC amplifier unit in charged particle beam writing apparatus
US20170370799A1 (en) Controlled pulse generation methods and apparatuses for evaluating stiction in microelectromechanical systems devices
CN102047130B (zh) 液晶阵列检查装置及拍摄范围的修正方法
JP5521114B2 (ja) 検査装置、検査システム及び検査方法
CA2420119C (en) Method and device for testing the operatives of printed circuit boards
US7375505B2 (en) Method and apparatus for testing function of active microstructural elements and method for producing microstructural elements using the test method
JP2008210733A (ja) 真空アーク放電発生方法
US20160268098A1 (en) Scanning electron microscope capable of controlling beam spot and measurement method using the same
JP6587994B2 (ja) ブランキングアパーチャアレイ装置、荷電粒子ビーム描画装置、および電極テスト方法
KR101024223B1 (ko) 멀티 슬릿을 이용한 이종 이온빔 조사장치 및 조사방법
CN117631260A (zh) 一种激光刻写控制装置及控制方法
CN118039438A (zh) 离子注入机的校准设备及校准方法
JPH06249801A (ja) 単結晶試料の結晶格子面検査装置及び単結晶試料の分類装置
JP2004071691A (ja) マルチビーム計測方法及びマルチビーム装置
KR930005736B1 (ko) 이온주입장치