ES2687412T3 - Amplificador de potencia de alta frecuencia con extensión Doherty - Google Patents

Amplificador de potencia de alta frecuencia con extensión Doherty Download PDF

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Abstract

Amplificador de potencia de alta frecuencia con un amplificador de banda ancha (30), una extension Doherty (31) y un dispositivo de acoplamiento (33), presentando el amplificador de banda ancha (30) un divisor de potencia (34), una trayectoria de amplificacion principal (64) y una trayectoria de amplificacion auxiliar (65), y presentando la extension Doherty (31) al menos una primera linea de desfase (60), una segunda linea de desfase (61) y un inversor de impedancia (62), caracterizado por que el dispositivo de acoplamiento (33) incluye un acoplador a 90°, que esta configurado para acoplar la trayectoria de amplificacion principal (64) y la trayectoria de amplificacion auxiliar (65) en una linea comun, por que el amplificador de banda ancha (30) esta unido por medio de un dispositivo de conmutacion a la extension Doherty (31), por que el amplificador de banda ancha (30) esta unido por medio del dispositivo de conmutacion, ademas, al dispositivo de acoplamiento (33), y por que el dispositivo de conmutacion conmuta el amplificador de banda ancha (30) entre la extension Doherty (31) y el dispositivo de acoplamiento (33).

Description

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DESCRIPCION
Amplificador de potencia de alta frecuencia con extension Doherty
La invencion se refiere a un amplificador de potencia de alta frecuencia, en particular a un amplificador de alta potencia que puede funcionar como amplificador Doherty.
Convencionalmente, los amplificadores de potencia de alta frecuencia suelen tener un modo de funcionamiento AB, es decir por medio de, por ejemplo, diodos antepuestos se genera una tension previa de base que los transistores utilizados hacen conductora ya a bajos niveles. En el modo de funcionamiento AB se amplifican senales pequenas como en el modo de funcionamiento A y senales grandes como en el modo de funcionamiento B. Tales amplificadores funcionan con especialmente poca distorsion, pero con una peor eficiencia.
Para mejorar la eficiencia se conocen, ademas, los amplificadores Doherty. En la radiotelefoma movil, en particular en los procedimientos de modulacion con envolventes no constantes y factor de cresta elevado (por ejemplo senales COFDM), han proliferado en los ultimos anos los amplificadores de alta frecuencia segun el principio Doherty. Asf, por ejemplo la patente estadounidense US 7.688.135 B2 muestra un amplificador Doherty de este tipo. En tales amplificadores resulta desventajoso, sin embargo, que solo presenten un ancho de banda muy pequeno.
El documento US 2010/0176885 A1 muestra un amplificador Doherty, que presenta una trayectoria de amplificacion principal y varias trayectorias de amplificacion auxiliares.
El documento EP 1 887 686 A1 muestra un circuito amplificador segun el principio Doherty. El circuito incluye una trayectoria de amplificacion principal y varias trayectorias de amplificacion auxiliares. Cada trayectoria de amplificacion auxiliar dispone de una red de adaptacion de entrada y una red de adaptacion de salida que pueden conectarse en cada caso por medio de dispositivos de conmutacion en la trayectoria de la senal y, alternativamente, puentearse.
La invencion se basa en el objetivo de crear un amplificador de alta potencia, con el que pueda conseguirse una alta eficiencia y que pueda utilizarse en un amplio intervalo de frecuencias.
El objetivo se consigue de acuerdo con la invencion para el dispositivo mediante las caractensticas de la reivindicacion 1 independiente. Perfeccionamientos ventajosos son objeto de las reivindicaciones dependientes que remiten a la misma.
El amplificador de potencia de alta frecuencia de acuerdo con la invencion dispone, por tanto, de un amplificador de banda ancha y una extension Doherty. El amplificador de banda ancha presenta, a este respecto, un divisor de potencia, una trayectoria de amplificacion principal y una trayectoria de amplificacion auxiliar. La extension Doherty presenta al menos una primera lmea de desfase (offset), una segunda lmea de desfase y un inversor de impedancia. El amplificador de banda ancha amplifica una senal de entrada y alimenta la senal amplificada a la extension Doherty o a un dispositivo de procesamiento adicional.
El amplificador de potencia de alta frecuencia de acuerdo con la invencion es adecuado, en particular, para su uso en grandes etapas finales modulares de emisores radioelectricos de semiconductores para senales moduladas en amplitud (por ejemplo, senales COFDM). Ofrece la posibilidad de aplicar el principio de amplificacion de Doherty evitando ampliamente las desventajas del estado de la tecnica. El amplificador de banda ancha, que puede componerse de varios modulos amplificadores, abarca, en ancho de banda y sin reglaje, un gran intervalo de frecuencias (por ejemplo banda UHF IV-V 470-862 MHz). El amplificador de banda ancha y la extension Doherty forman conjuntamente un amplificador Doherty. La extension Doherty incluye, a este respecto, los componentes propios del principio Doherty que limitan el ancho de banda: un inversor de impedancia (sintonizable) asf como una o dos lmeas de desfase (sintonizables) y un transformador de impedancia de banda ancha. Por tanto, la limitacion del ancho de banda se separa del amplificador de ancho de banda. En caso necesario, mediante un sencillo reajuste mecanico de las lmeas de transformacion de impedancia y de desfase puede ajustarse, en relativamente poco tiempo, una nueva frecuencia.
A continuacion se describe a modo de ejemplo la invencion con ayuda del dibujo, en el que esta representado un ejemplo de realizacion ventajoso de la invencion. En el dibujo muestran:
la figura 1 un amplificador de potencia de alta frecuencia a modo de ejemplo, y
la figura 2 un ejemplo de realizacion del amplificador de potencia de alta frecuencia de acuerdo con la invencion.
En primer lugar se explican, con ayuda de la figura 1, la estructura y el modo de funcionamiento de un amplificador Doherty convencional y, a partir de ello, la problematica en la que se basa la presente invencion. A continuacion se muestran, con ayuda de la figura 2, la estructura y el modo de funcionamiento de un ejemplo de realizacion del dispositivo de acuerdo con la invencion. Elementos identicos en ilustraciones similares no se han representado y
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descrito en parte de manera repetida.
En la figura 1 se representa un amplificador Doherty a modo de ejemplo. Una entrada de senales esta conectada a un divisor de potencia 10. Una primera salida del divisor de potencia 10 esta conectada a una red de adaptacion 11. La red de adaptacion 11 esta conectada a un transistor principal 12. Este esta unido a una red de adaptacion 13 adicional. La red de adaptacion 13 esta conectada a una lmea de desfase 14. Esta esta conectada a un inversor de impedancia 15. La segunda entrada del divisor de potencia 10 esta conectada a un cambiador de fase 16. Este esta conectada a una tercera red de adaptacion 17. El divisor de potencia 10 no provoca, a este respecto, ninguna rotacion de fases. La senal de entrada se divide a partes iguales en sus dos trayectorias de salida. La red de adaptacion 17 esta conectada a un transistor auxiliar 18. Este esta conectado a una cuarta red de adaptacion 19 que esta conectada a una segunda lmea de desfase 20. La lmea de desfase 20 y el inversor de impedancia 15 estan conectados a una quinta red de adaptacion 21. La quinta red de adaptacion 21 adapta la impedancia del amplificador Doherty a la impedancia que necesitan los demas componentes de sistema posteriores.
El transistor principal 12, que funciona en el modo de funcionamiento AB, trabaja en el caso de senales de entrada pequenas a una resistencia de carga aumentada de modo que entra en saturacion ya a partir de un nivel relativamente pequeno, por ejemplo 6 dB por debajo del punto de compresion de 1 dB, y por tanto trabaja con la maxima eficiencia. Por encima del umbral de nivel establecido por el nivel de saturacion en el transistor principal 12, el transistor auxiliar 18 actua en el modo de funcionamiento C. Mediante su senal de salida reduce la resistencia de carga del transistor principal 12. A escala completa se disminuye de este modo la resistencia de carga del transistor principal en la relacion entre umbral de nivel y punto de compresion de 1 dB y el transistor principal 12 emite la potencia correspondientemente aumentada. En el ejemplo de 6 dB, una resistencia a la mitad da lugar a una potencia duplicada.
A partir del umbral de nivel, el transistor principal 12 emite por tanto, pese a la saturacion, una potencia de salida creciente y trabaja, a este respecto, siempre con maxima eficiencia. Esta solo se reduce durante las fases de funcionamiento del transistor auxiliar 18 debido a su absorcion de potencia, pero se mantiene notablemente mas alta en comparacion con un amplificador AB convencional. A escala completa del transistor auxiliar 18, en los picos de senal ambos transistores 12, 18 proporcionan cada uno la mitad de la potencia de salida del sistema.
La reduccion dinamica de la resistencia de carga del transistor principal 12 se produce de la siguiente manera: Ambos transistores 12, 18 trabajan a la misma resistencia de carga, en el caso del umbral de 6 dB a la mitad de la impedancia caractenstica del sistema, habitualmente a 25 ohmios, estando conectados el transistor auxiliar 18 directamente y el transistor principal 12 a traves de un inversor de impedancia 15 a la carga. A niveles pequenos, el transistor auxiliar 18 no trabaja. Su salida es de alta resistencia ohmica y por tanto no molesta. La capacidad del transistor esta sintonizada mediante una red de adaptacion 18 y una lmea de desfase 20. El transistor principal 12 trabaja a la carga aumentada por el inversor de impedancia 15. Es decir, si el inversor de impedancia tiene la impedancia caractenstica de 50 ohmios, se obtiene por tanto por debajo del umbral operativo del transistor auxiliar 18 una carga de 100 ohmios. La corriente de salida del transistor auxiliar 18 que se solapa con la corriente del transistor principal 12 a la resistencia de carga a partir del umbral de nivel reduce, a traves del inversor de impedancia 15, la resistencia de carga efectiva del transistor principal 12. Al mismo tiempo, la impedancia de carga del transistor auxiliar 18 cae (de manera ideal fuera de un funcionamiento en vacm) de manera correspondiente, de modo que este comienza a proporcionar una parte de la potencia de salida.
Como inversor de impedancia 15 se usa normalmente una potencia dimensionada a una cuarta parte de la longitud de onda de funcionamiento. El retardo que aparece debido a ello en la ramificacion del transistor principal 12 se compensa en la entrada del transistor auxiliar 18. Esto se produce, en este ejemplo de realizacion, igualmente por medio de una potencia A/4 utilizada como cambiador de fase. Alternativamente puede utilizare un divisor de potencia a 90°.
Para que las impedancias de salida del transistor principal 12 y del transistor auxiliar 18 sean reales y de baja resistencia ohmica por detras de la red de adaptacion 13 o 19, se preven habitualmente dos lmeas de desfase 14, 20. La red de adaptacion 14 o 19 puede dimensionarse asf libremente. A la inversa, la lmea de desfase 14 en el transistor principal 12 tambien se encarga de que la variacion de resistencia dinamica en la entrada del inversor de impedancia 15 se transforme en real, visto desde el transistor principal, a la frecuencia de funcionamiento, en el drenaje, en el ejemplo de 6 db de 100 ohmios a 50 ohmios.
La principal desventaja del amplificador Doherty es que las lmeas A/4 necesarias como cambiador de fase 15 e inversor de impedancia 16 asf como las lmeas de desfase 14, 20 solo trabajan exactamente a una frecuencia. Debido a ello, el ancho de banda esta limitado a como maximo +/- 10 % de la frecuencia dimensionada. La creacion de variantes necesaria para abarcar anchos de banda mayores no permitfa que pareciera logico hasta ahora el uso del principio Doherty en particular en los intervalos radioelectricos de TV.
En la figura 2 se representa un ejemplo de realizacion del amplificador de acuerdo con la invencion. El amplificador de potencia de alta frecuencia se compone de un amplificador de banda ancha 30, una extension Doherty 31 y, opcionalmente, un dispositivo de acoplamiento 33. El amplificador de banda ancha 30 incluye, a este respecto, un
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acoplador a 90° 34, que divide una senal de entrada en dos trayectorias de acoplamiento al 50 % cada una. Alternativamente, tal como se muestra en la figura 1, puede utilizarse un divisor de potencia a 0° y un cambiador de fase. Sin embargo, esto limita significativamente el ancho de banda.
Una primera trayectoria de acoplamiento del acoplador 34 esta conectada a una trayectoria de amplificacion principal 64. La trayectoria de acoplamiento del acoplador 34 esta conectada a una trayectoria de amplificacion auxiliar 65. La trayectoria de amplificacion principal 64 y la trayectoria de amplificacion auxiliar 65 se dividen, a este respecto, en cada caso por divisores de potencia aqrn no representados con un cambio de fase de 0°, en varias trayectorias de amplificacion 35, 36, 37, 38, 39, 40.
En este ejemplo de realizacion, la trayectoria de amplificacion principal 64 incluye tres trayectorias de amplificacion 35, 36 y 37, mientras que la trayectoria de amplificacion auxiliar 65 incluye igualmente tres trayectorias de amplificacion 38, 39 y 40. Cada trayectoria de amplificacion 35 - 40 incluye, a este respecto, una red de adaptacion 41 - 46, un transistor amplificador 47 - 52 y una segunda red de adaptacion 53 - 58. Cada trayectoria de amplificacion 35, 36, 37 individual de la trayectoria de amplificacion principal 64 cumple, a este respecto, la funcion de las redes de adaptacion 11, 13 y del transistor principal 12 de la figura 1. Cada trayectoria de amplificacion 38, 39, 40 de la trayectoria de amplificacion auxiliar 65 cumple, a este respecto, la funcion de las redes de adaptacion 17, 19 y del transistor auxiliar 18 de la figura 1. Mediante combinadores de potencia tampoco representados aqrn se agrupan de nuevo las senales de salida de las trayectorias de amplificacion 35 - 40 separadas por trayectoria de amplificacion principal 64 y trayectoria de amplificacion auxiliar 65. Es decir, se agrupan las senales de salida de las trayectorias de amplificacion 35, 36, 37, mientras que se agrupan las senales de salida de las trayectorias de amplificacion 38, 39, 40.
A diferencia del ejemplo de realizacion aqrn representado, tambien pueden utilizarse diferentes numeros de trayectorias de amplificacion. Asf es posible incluso utilizar en cada caso solo una trayectoria de amplificacion en la trayectoria de amplificacion principal 64 y en la trayectoria de amplificacion auxiliar 65. Tambien es posible utilizar numero de trayectorias de amplificacion diferentes en la trayectoria de amplificacion principal 64 y en la trayectoria de amplificacion auxiliar 65. Asf podna estar previsto, por ejemplo, para senales que solo presentan una diferencia de amplitud reducida entre las amplitudes minima y maxima, un mayor numero de trayectorias de amplificacion en la trayectoria de amplificacion principal 64. Por otro lado, para senales que presentan una diferencia muy grande entre las amplitudes minima y maxima podna estar previsto un mayor numero de trayectorias de amplificacion en la trayectoria de amplificacion auxiliar 65.
Las senales agrupadas de la trayectoria de amplificacion principal 64 y de la trayectoria de amplificacion auxiliar 65 se alimentan, a continuacion, a la extension Doherty 31. A este respecto, la senal de la trayectoria de amplificacion principal 64 se alimenta a una primera lmea de desfase 60, mientras que las senales de la trayectoria de amplificacion auxiliar 65 se alimentan a una segunda lmea de desfase 61. Como ya se ha descrito con ayuda de la figura 1, las lmeas de desfase 60, 61 hacen que las impedancias de las trayectorias de amplificacion 35 - 40 por detras de las redes de adaptacion 53 - 58 sean reales y de alta resistencia ohmica a la frecuencia de funcionamiento. A la frecuencia de funcionamiento se implementa, por tanto, una representacion real de las relaciones de resistencia de carga en los transistores de la trayectoria de amplificacion principal 64 y de la trayectoria de amplificacion auxiliar 65.
La salida de la primera lmea de desfase 60, que esta conectada a la trayectoria de amplificacion principal 64, esta conectada a un inversor de impedancia 62. Este cumple la misma funcion que el inversor de impedancia 15 de la figura 1. Las salidas del inversor de impedancia 62 y de la segunda lmea de desfase 61 estan conectadas a una red de adaptacion de salida 63. Esta transforma la impedancia en la impedancia que necesitan dispositivos de procesamiento adicionales conectados.
El amplificador de banda ancha 30 y la extension Doherty 31 estan construidos, a este respecto, opcionalmente como un modulo cada uno. Asf, el amplificador de banda ancha 30 puede dimensionarse en banda ancha sin sintonizacion de las lmeas de desfase 60, 61 y del inversor de impedancia 62.
Opcionalmente, el amplificador de potencia de alta frecuencia incluye ademas un dispositivo de acoplamiento 33. El dispositivo de acoplamiento 33 incluye un acoplador a 90° 67. El dispositivo de acoplamiento 33 puede conectarse, a este respecto, por un dispositivo de conmutacion aqrn no representado, en lugar de a la extension Doherty 31, directamente al amplificador de banda ancha 30. El acoplador a 90° 67 acopla entonces las dos senales de salida del amplificador de banda ancha 30 en una lmea comun y alimenta la senal de salida a la red de adaptacion de salida 68. Si los transistores auxiliares 48, 50, 52 funcionan igualmente en el modo de funcionamiento AB, entonces se obtiene en este circuito un amplificador de potencia de alta frecuencia que funciona totalmente en el modo de funcionamiento AB. Esta opcion es logica en particular cuando no es posible una adaptacion de las lmeas de desfase 60, 61 y del inversor de impedancia 62, por ejemplo, por motivos de tiempo. Ha de contarse, sin embargo, con una eficiencia reducida del amplificador de potencia de alta frecuencia en este caso.
La etapa final esta dividida, por tanto, en dos grupos de n transistores cada uno. En caso de utilizarse la extension Doherty 31, un grupo constituye el amplificador principal, mientras que el otro grupo constituye el amplificador
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auxiliar. Si se utiliza el dispositivo de acoplamiento 33, ambos grupos pueden constituir equitativamente una etapa final convencional.
Cada transistor de ambos grupos de transistores se controla a traves de divisores de potencia a 0° y su potencia sumada a traves de combinadores de potencia a 0° se alimenta a las salidas mencionadas. Esta medida garantiza que todos los transistores de la etapa final de un grupo se encuentran, en magnitud y fase, a la misma resistencia de carga.
Los puntos de trabajo de los grupos de la etapa final pueden controlarse por separado unos de otros por un dispositivo de control aqu no representado. De este modo se ajusta el modo de funcionamiento AB para los transistores amplificadores 47, 49, 51 de la trayectoria de amplificacion principal 64 y se ajusta el modo de funcionamiento C para los transistores amplificadores 48, 50, 52 de la trayectoria de amplificacion auxiliar 65. Si, opcionalmente, se utiliza el dispositivo de acoplamiento 33 en lugar de la extension Doherty 31, entonces se ajusta en todos los transistores amplificadores 47 - 52 el modo de funcionamiento AB.
Si se utiliza la extension Doherty 31, el acoplador a 90° 34 se encarga del desplazamiento de fase necesario generado por el inversor de impedancia 62. La red de adaptacion 63 genera la carga de sistema necesaria para el sistema Doherty de 25 ohmios. Ademas, para componentes 32 adicionales hay disponible una carga de banda ancha de 50 ohmios. Opcionalmente, un combinador de potencia de alta potencia convencional puede agrupar, en caso necesario, varios modulos amplificadores con extensiones Doherty dando lugar a unidades amplificadoras aun mayores.
Para reducir el numero de elementos de sintonizacion, la lmea de desfase 60 puede juntarse con el inversor de impedancia 62 para dar lugar a un elemento de sintonizacion comun. Asf, solo hay que adaptar dos elementos de sintonizacion dentro de la extension Doherty 31 a la frecuencia que va a utilizarse. Tambien es posible agrupar las salidas de los grupos de varios modulos amplificadores en cada caso una vez mas traves de combinadores de potencia a 0° independientes y, por ejemplo, hacer funcionar 4 amplificadores de banda ancha con una extension Doherty. La desventaja es que el sistema, a medida que aumenta el tiempo de propagacion entre la extension Doherty y el transistor amplificadores, se volvera de banda cada vez mas estrecha.
La red de adaptacion de salida 63 o 68 puede incluir, opcionalmente, una funcion de pararrayos. Mediante el modo de construccion modular opcional de la extension Doherty 31 y del dispositivo de acoplamiento 33 se consigue que tanto el amplificador de banda ancha 30 como los componentes 32 adicionales, por ejemplo una antena y/o un filtro, puedan dimensionarse en cada caso en banda ancha, sin tener que sintonizar los componentes al intervalo de frecuencias utilizado.
Opcionalmente, la extension Doherty 31 puede estar equipada con lmeas de desfase 60, 61 dimensionadas de manera fija y con un inversor de impedancia 62 dimensionado de manera fija. En este caso, la extension Doherty esta limitada a un intervalo de frecuencias fijo. En particular para intervalos de frecuencia utilizados con frecuencia es, sin embargo, logica una extension Doherty de este tipo.
En el caso de la estructura del amplificador de banda ancha 30 tienen que tenerse en cuenta, ademas, los puntos de vita termicos. Puesto que los transistores amplificadores 47, 49, 51 de la trayectoria de amplificacion principal 64 estan siempre en funcionamiento y soportan una gran parte de la carga de sistema, tambien generan la principal parte del calor residual del sistema. Por tanto, es recomendable disponer los transistores amplificadores 47, 49, 51 de la trayectoria de amplificacion principal 64 de manera alterna con los transistores 48, 50, 52 de la trayectoria de amplificacion auxiliar en un disipador comun. La carga termica del sistema se distribuye asf de manera muy uniforme por el disipador.
Si el amplificador de potencia de alta frecuencia solo va a funcionar con la extension Doherty 31, el combinador de potencia de la trayectoria de amplificacion principal 64, no representado en la figura 2, el cual evacua practicamente toda la potencia de salida central, se realizara en la tecnica de lmea de cinta (stripline) de modo que una chapa sinuosa con aire como dielectrico es guiada en correspondientes rebajes del disipador o de la placa de montaje. El combinador de potencia de la trayectoria de amplificacion auxiliar 65, que tampoco se representa en la figura 2, genera solamente una potencia termica muy reducida y puede alojarse, por tanto, sin problemas sobre la placa de circuitos impresos, que cubre por asf decir el combinador de potencia de la trayectoria de amplificacion principal 64.
Si el amplificador de potencia de alta frecuencia tambien tiene que poder funcionar de manera clasica, es decir con el dispositivo de acoplamiento 33, ambos combinadores de potencia se realizaran en la tecnica de lmea de cinta de modo que una chapa sinuosa con aire como dielectrico es guiada en correspondientes rebajes del disipador o de la placa de montaje. En este caso, el combinador de potencia de la trayectoria de amplificacion principal 64 tiene que estar disenado igualmente en el modo de funcionamiento clasico para potencia duplicada, la de la trayectoria de amplificacion auxiliar 65 para la potencia normal.
El acoplador a 90° 34 esta construido, ventajosamente, a partir de tres estructuras acopladoras de longitud A/4. Un atenuador conectable antes del amplificador principal puede garantizar, para el modo de funcionamiento con la
extension Doherty 31, una division de potencia asimetrica eventualmente necesaria. En el modo de funcionamiento Doherty puro, el propio acoplador puede estar realizado, naturalmente, de manera asimetrica.
La invencion no se limita al ejemplo de realizacion representado. Todas las caractensticas previamente 5 mencionadas o las caractensticas mostradas en las figuras pueden combinarse entre sf ventajosamente de cualquier manera en el marco de la invencion.

Claims (10)

  1. 5
    10
    15
    20
    25
    30
    35
    40
    45
    50
    55
    60
    65
    REIVINDICACIONES
    1. Amplificador de potencia de alta frecuencia con un amplificador de banda ancha (30), una extension Doherty (31) y un dispositivo de acoplamiento (33),
    presentando el amplificador de banda ancha (30) un divisor de potencia (34), una trayectoria de amplificacion principal (64) y una trayectoria de amplificacion auxiliar (65), y
    presentando la extension Doherty (31) al menos una primera lmea de desfase (60), una segunda lmea de desfase (61) y un inversor de impedancia (62), caracterizado por que
    el dispositivo de acoplamiento (33) incluye un acoplador a 90°, que esta configurado para acoplar la trayectoria de amplificacion principal (64) y la trayectoria de amplificacion auxiliar (65) en una lmea comun,
    por que el amplificador de banda ancha (30) esta unido por medio de un dispositivo de conmutacion a la extension Doherty (31),
    por que el amplificador de banda ancha (30) esta unido por medio del dispositivo de conmutacion, ademas, al dispositivo de acoplamiento (33), y
    por que el dispositivo de conmutacion conmuta el amplificador de banda ancha (30) entre la extension Doherty (31) y el dispositivo de acoplamiento (33).
  2. 2. Amplificador de potencia de alta frecuencia segun la reivindicacion 1, caracterizado por que
    la trayectoria de amplificacion principal (64) incluye al menos una trayectoria de amplificacion (35, 36, 37), y por que la trayectoria de amplificacion auxiliar incluye al menos una trayectoria de amplificacion (38, 39, 40).
  3. 3. Amplificador de potencia de alta frecuencia segun la reivindicacion 2, caracterizado por que
    la trayectoria de amplificacion principal (64) incluye, ademas, un divisor de potencia, un combinador de potencia y al menos dos trayectorias de amplificacion (35, 36, 37),
    por que el divisor de potencia divide una potencia de la trayectoria de amplificacion principal (64) en las trayectorias de amplificacion (35, 36, 37), y
    por que el combinador de potencia agrupa las potencias de las trayectorias de amplificacion (35, 36, 37).
  4. 4. Amplificador de potencia de alta frecuencia segun las reivindicaciones 2 o 3, caracterizado por que
    la trayectoria de amplificacion auxiliar (65) incluye, ademas, un divisor de potencia, un combinador de potencia y al menos dos trayectorias de amplificacion (38, 39, 40),
    por que el divisor de potencia divide una potencia de la trayectoria de amplificacion auxiliar (65) en las trayectorias de amplificacion (38, 39, 40), y
    por que el combinador de potencia agrupa las potencias de las trayectorias de amplificacion (38, 39, 40).
  5. 5. Amplificador de potencia de alta frecuencia segun una de las reivindicaciones 2 a 4, caracterizado por que
    las trayectorias de amplificacion incluyen en cada caso al menos una primera red de adaptacion (41, 42, 43, 44, 45, 46), un transistor amplificador (47, 48, 49, 50, 51, 52) y una segunda red de adaptacion (53, 54, 55, 56, 57, 58), y por que la primera red de adaptacion (41, 42, 43, 44, 45, 46), el transistor amplificador (47, 48, 49, 50, 51, 52) y la segunda red de adaptacion (53, 54, 55, 56, 57, 58) estan conectados en cada caso en serie.
  6. 6. Amplificador de potencia de alta frecuencia segun la reivindicacion 5, caracterizado por que
    los puntos de trabajo de los transistores amplificadores (47, 49, 51) de las trayectorias de amplificacion (35, 36, 37) de la trayectoria de amplificacion principal (64) y los puntos de trabajo de los transistores amplificadores (49, 50, 52) de las trayectorias de amplificacion (38, 39, 40) de la trayectoria de amplificacion auxiliar (65) los puede ajustar, por separado, un dispositivo de control.
  7. 7. Amplificador de potencia de alta frecuencia segun la reivindicacion 6, caracterizado por que
    mediante el dispositivo de control puede ajustarse un punto de trabajo de los transistores amplificadores (47, 49, 51) de las trayectorias de amplificacion (35, 36, 37) de la trayectoria de amplificacion principal (64) de tal manera que trabajen en el modo de funcionamiento AB, y por que mediante el dispositivo de control puede ajustarse un punto de trabajo de los transistores amplificadores (49, 50, 52) de las trayectorias de amplificacion (38, 39, 40) de la trayectoria de amplificacion auxiliar (65) de tal manera trabajen en el modo de funcionamiento C, cuando el amplificador de banda ancha (30) alimenta la senal amplificada a la extension Doherty (31).
  8. 8. Amplificador de potencia de alta frecuencia segun las reivindicaciones 6 o 7, caracterizado por que
    mediante el dispositivo de control puede ajustarse un punto de trabajo de los transistores amplificadores (47, 48, 49, 50, 51, 52) de las trayectorias de amplificacion (35, 36, 37, 38, 39, 40) de tal manera que trabajen en el modo de
    funcionamiento AB, cuando el amplificador de banda ancha (30) alimenta la senal amplificada al dispositivo de acoplamiento (33).
  9. 9. Amplificador de potencia de alta frecuencia segun una de las reivindicaciones 1 a 8,
    5 caracterizado por que
    las lmeas de desfase (60, 61) tienen longitudes ajustables,
    por que las lmeas de desfase (60, 61) ajustan una frecuencia de funcionamiento del amplificador de potencia de alta frecuencia, y
    por que las lmeas de desfase (60, 61) hacen que las impedancias de las trayectorias de amplificacion (35 - 40) por 10 detras de las redes de adaptacion (53 - 58) sean reales y de alta resistencia ohmica a la frecuencia de funcionamiento.
  10. 10. Amplificador de potencia de alta frecuencia segun una de las reivindicaciones 1 a 9, caracterizado por que
    15 el inversor de impedancia (62) presenta una frecuencia de funcionamiento ajustable, y
    por que el inversor de impedancia (62) adapta, en funcion de una amplitud de una senal que ha de amplificarse, una impedancia de la trayectoria de amplificacion principal (64).
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