ES2349610B1 - Oblea epitaxial de semiconductor compuesto y metodo de fabricacion de la misma. - Google Patents
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Abstract
Oblea epitaxial de semiconductor compuesto y
método de fabricación de la misma.
Oblea epitaxial de semiconductor compuesto y su
método de fabricación, en el que una primera capa intermedia de
silicio (52) se deposita en un sustrato de metal (51), una segunda
capa intermedia de semiconductor compuesto (53) se deposita en la
primera capa intermedia de silicio, una tercera capa intermedia de
semiconductor compuesto (54) se deposita en la segunda capa
intermedia de semiconductor compuesto, la primera capa epitaxial de
semiconductor compuesto (55) se cristaliza en la tercera capa
intermedia de semiconductor compuesto y se aplica un primer
tratamiento térmico, la segunda capa epitaxial de semiconductor
compuesto (56) se cristaliza en la primera capa epitaxial de
semiconductor compuesto y, finalmente, se aplica un segundo
tratamiento térmico para obtener una oblea de semiconductor
compuesto (50) de buena calidad.
Description
Oblea epitaxial de semiconductor compuesto y
método de fabricación de la misma.
La presente invención hace referencia a un
semiconductor compuesto y su método de fabricación y más
concretamente a una oblea epitaxial de semiconductor compuesto de
crecimiento sobre un sustrato de metal y su método de
fabricación.
Como las industrias optoelectrónicas y de
comunicación avanzan rápidamente, los semiconductores compuestos del
Grupo III-V como el GaAs representan un sustrato
principal para la fabricación de componentes optoelectrónicos y de
comunicación por la ventaja de que tienen banda prohibida directa y
alta movilidad de portadores y, además, proporcionan un material con
diferentes bandas prohibidas obtenidas por la reacción química de
diferentes compuestos del Grupo III-V.
Los componentes optoelectrónicos y de
comunicación hechos de semiconductores compuestos del Grupo
III-V utilizan principalmente compuestos como
arseniuro de galio (GaAs), fosfato de galio (GaP) y fosfato de indio
(InP) como sustratos para el crecimiento epitaxial cuando los
parámetros de red son compatibles. En la actualidad, el sustrato
semiconductor compuesto del grupo III-V es
preferiblemente un sustrato de GaAs o germanio con un diámetro
inferior a cuatro pulgadas o un sustrato de silicio monocristalino
(Si).
Sin embargo, se encuentran problemas técnicos
debido a parámetros de red diferentes y a distintos coeficientes de
expansión térmica entre la capa intermedia y el semiconductor
compuesto del Grupo III-V. Por ejemplo, una capa
intermedia de silicio y un material de GaAs tienen un 4,1% de
diferencia de parámetro de red a 25ºC. Además, la diferencia de
coeficientes de expansión térmica entre la capa intermedia de
silicio y el material de GaAs a 25ºC equivale aproximadamente al
62%. Por lo tanto, la oblea epitaxial de semiconductor compuesto del
Grupo III-V en la capa intermedia forma a menudo una
dislocación de propagación en la capa epitaxial de semiconductor
compuesto debido a parámetros de red diferentes y a los distintos
coeficientes de expansión térmica, y da lugar a la baja de calidad
de los cristales.
Por ello, los factores más importantes para
conseguir la calidad de la oblea epitaxial son el método de
fabricación, la estructura de la oblea epitaxial y el ciclo térmico
del proceso de recocido.
Por todo lo anterior, la presente invención
pretende proporcionar una oblea epitaxial de semiconductor compuesto
de alta calidad y mostrar su método de fabricación, en el que se
emplea un sustrato de metal mejorado y se adoptan procedimientos
también mejorados para la estructura de la oblea epitaxial y el
ciclo térmico del proceso de recocido, con el objetivo de mejorar la
calidad de los cristales, simplificar el proceso y reducir el
coste.
Para alcanzar el objetivo indicado, la presente
invención presenta un método de fabricación de una oblea epitaxial
de semiconductor compuesto, que comprende los siguientes pasos:
depositar una fina película de silicio en un sustrato de metal para
formar una primera capa intermedia de silicio, depositar una fina
película de semiconductor compuesto en la primera capa intermedia de
silicio para formar una segunda capa intermedia de semiconductor
compuesto, depositar una fina película de semiconductor compuesto en
la segunda capa intermedia de semiconductor compuesto para formar
una tercera capa intermedia de semiconductor compuesto, cristalizar
una fina película de semiconductor compuesto en la tercera capa
intermedia de semiconductor compuesto para formar así una primera
capa epitaxial de semiconductor compuesto, aplicar un primer
tratamiento térmico, cristalizar una fina película de semiconductor
compuesto en la primera capa epitaxial de semiconductor compuesto
para formar una segunda capa epitaxial de semiconductor compuesto, y
aplicar un segundo tratamiento térmico para completar la fabricación
de la oblea epitaxial de semiconductor compuesto.
Para alcanzar el objetivo indicado, la presente
invención presenta una oblea epitaxial de semiconductor compuesto
que consta de un sustrato de metal, una primera capa intermedia de
silicio dispuesta en el sustrato de metal, una segunda capa
intermedia de semiconductor compuesto dispuesta en la primera capa
intermedia de silicio, una tercera capa intermedia de semiconductor
compuesto dispuesta en la segunda capa intermedia de semiconductor
compuesto y sometida a un primer tratamiento térmico, una primera
capa epitaxial de semiconductor compuesto dispuesta en la tercera
capa intermedia de semiconductor compuesto y una segunda capa
epitaxial de semiconductor compuesto dispuesta en la primera capa
epitaxial de semiconductor compuesto y sometida al segundo
tratamiento térmico.
La segunda y la tercera capa intermedia de
semiconductor compuesto, y la primera y la segunda capa epitaxial de
semiconductor compuesto se hacen de un material semiconductor
compuesto binario del Grupo III-V como el GaAs,
AlAs, GaP, InAs y InP, o un material ternario o cuaternario
consistente en el material binario.
El proceso de deposición es de tipo químico
metal-orgánico por vapor y el proceso epitaxial es
de haz molecular. El proceso de deposición de la primera capa
intermedia de silicio se lleva a cabo a una temperatura aproximada
de 580-600ºC, y el grosor de la deposición equivale
aproximadamente a 15 \ring{A}-25 \ring{A}. El
proceso de deposición de la segunda capa intermedia de semiconductor
compuesto se lleva a cabo a una temperatura aproximada de
380-400ºC y el grosor de la deposición equivale
aproximadamente a 10 \mum-20 \mum. El proceso de
deposición de la tercera capa intermedia de semiconductor compuesto
se lleva a cabo a una temperatura aproximada de
400-450ºC, y el grosor de la deposición es
aproximadamente de 50 \ring{A}-200 \ring{A}. El
proceso epitaxial de la primera capa epitaxial de semiconductor
compuesto se lleva a cabo a una temperatura aproximada de 650ºC y el
grosor epitaxial equivale aproximadamente a 1,5
\mum-2 \mum. Por último, el proceso epitaxial de
la segunda capa epitaxial de semiconductor compuesto se lleva a cabo
a una temperatura aproximada de 710ºC y el grosor epitaxial
aproximado es de 1,5 \mum -2 \mum.
Tanto el primer como el segundo tratamiento
térmico son procesos de recocido consistentes en ciclos térmicos de
temperatura alta/baja y tales ciclos se repiten de 4 a 8 veces.
En la presente invención, se usa un sustrato de
metal de semiconductor compuesto del Grupo III-V
para conseguir ventajas como el tamaño flexible del sustrato, el
bajo coste, la alta disipación del calor, la alta flexibilidad y
movilidad de portadores, por lo que la invención puede aplicarse
extensivamente a las áreas de construcción de cortinas, coches
eléctricos y productos de 3C, y se presenta con un coste mucho
inferior al sustrato de semiconductor compuesto del Grupo
III-V, usándose un sustrato de silicio para
conseguir la alta disipación del calor y el bajo coste de producción
para componentes tales como los diodos de emisión de luz, los
fotodiodos, las células solares, los diodos láser o los transistores
de alta potencia, etc.
En el proceso de tratamiento térmico de la
invención, la primera capa intermedia de silicio y la segunda y
tercera capa intermedia de semiconductor compuesto trabajan
conjuntamente para reducir la probabilidad de que se produzcan
dislocaciones de propagación, para obtener así una oblea epitaxial
de semiconductor compuesto de mejor calidad.
Para ilustrar la descripción que se está
realizando y con objeto de ayudar a una mejor comprensión de las
características de la invención, se acompaña a la presente memoria 2
hojas de planos en las cuales con carácter no limitativo se ha
representado lo siguiente:
La Figura 1 es una vista transversal de la oblea
epitaxial de semiconductor compuesto de acuerdo con la realización
preferente de la presente invención.
La Figura 2 es una vista esquemática de la
temperatura de calentamiento alta/baja de un ciclo térmico de
recocido de acuerdo con la realización preferente de la presente
invención.
La Figura 3 muestra una curva de balanceo
metamórfica a rayos x de una oblea epitaxial de semiconductor
compuesto de acuerdo con la realización preferente de la presente
invención.
La Figura 4 es una vista transversal de una
oblea epitaxial de celda solar de acuerdo con otra realización
preferente de la invención.
Con referencia a la Figura 1 para la vista
transversal de la oblea epitaxial de semiconductor compuesto (50),
de acuerdo a la realización preferente de la presente invención, se
adopta un proceso de deposición química
metal-orgánica por vapor y un proceso epitaxial de
haz molecular durante el proceso de crecimiento del cristal. La fina
capa del semiconductor compuesto se hace de arseniuro de galio
(GaAs). En primer lugar, se lleva a cabo un proceso de deposición en
un sustrato de metal (51) en el sistema de crecimiento de cristal, y
se usa silano (SiH4) como gas de reacción, la temperatura de
deposición equivale aproximadamente a 580-600ºC y se
deposita una fina película de silicio, que puede ser silicio amorfo,
con un grosor aproximado de 15 \ring{A}-25
\ring{A} en el sustrato de metal (51) para formar una primera capa
intermedia de silicio (52). Después, la primera capa intermedia de
silicio (52) sufre un proceso de deposición por medio de gases de
reacción como Ga (CH_{3})_{3} y AsH_{3}, y se deposita
una fina película de semiconductor compuesto a una temperatura
aproximada de 380-400ºC para formar una segunda capa
intermedia de semiconductor compuesto (53) con un grosor aproximado
de 10 \mum a 20 \mum. Después, se lleva a cabo un proceso de
deposición para la segunda capa intermedia de semiconductor
compuesto (53) a una temperatura aproximada de
400-450ºC, usando Ga(CH_{3})_{3} y
AsH_{3} como gases de reacción para depositar una fina película de
semiconductor compuesto y formar la tercera capa intermedia de
semiconductor compuesto (54) con un grosor aproximado de 50
\ring{A}-200 \ring{A}. A continuación, se
realiza un proceso epitaxial a la tercera capa intermedia de
semiconductor compuesto (54) a una temperatura aproximada de 650ºC,
utilizando Ga(CH_{3})_{3} y AsH_{3} como gases
de reacción para cristalizar una fina película de semiconductor
compuesto y formar una primera capa epitaxial de semiconductor
compuesto 55 con un grosor aproximado de 1,5
\mum-2 \mum. Finalmente, se lleva a cabo el
primer ciclo térmico de recocido en el sistema de crecimiento de
cristal original.
Con referencia a la Figura 2 para la vista
esquemática de la temperatura de calentamiento alta/baja de un ciclo
térmico de recocido, de acuerdo con la realización preferente de la
invención, se reduce la temperatura del sistema a 200ºC y se
mantiene durante aproximadamente 7 minutos, después, la temperatura
del sistema se aumenta a 800ºC y se mantiene durante aproximadamente
5 minutos. Entonces, se disminuye la temperatura de nuevo a 200ºC y
se mantiene durante aproximadamente 5 minutos, tras lo cual se
aumenta a 800ºC y se mantiene durante otros 5 minutos. El mismo
ciclo térmico de recocido de temperatura alta/baja se repite de 4 a
8 veces para reducir la probabilidad de que se produzca dislocación
de propagación entre la capa intermedia y la primera capa epitaxial
de semiconductor compuesto (55) debido a los parámetros de red o al
coeficiente de expansión térmico.
Después de que se complete el primer ciclo
térmico de recocido, la temperatura del sistema de crecimiento del
cristal se reduce a aproximadamente 710ºC y se lleva a cabo el
proceso epitaxial. En este proceso epitaxial, se usan
Ga(CH_{3})_{3} y AsH_{3} como gases de reacción
para cristalizar una fina película de semiconductor compuesto en la
primera capa epitaxial de semiconductor compuesto (55) y formar una
segunda capa epitaxial de semiconductor compuesto (56) con un grosor
aproximado de 1,5 \mum a 2 \mum. Entonces, como muestra la
Figura 2, se lleva a cabo un segundo ciclo térmico de recocido en el
sistema de crecimiento del cristal. La temperatura del sistema se
disminuye a 200ºC y se mantiene durante aproximadamente 7 minutos,
después, se aumenta la temperatura a 800ºC y se mantiene durante
aproximadamente 5 minutos. A continuación, la temperatura del
sistema se disminuye de nuevo a 200ºC, se mantiene durante
aproximadamente 7 minutos y se vuelve a aumentar la temperatura del
sistema a 800ºC, manteniéndose a esta temperatura durante
aproximadamente otros 5 minutos. El mismo ciclo térmico de recocido
de temperatura alta/baja se repite de 4 a 8 veces para reducir la
probabilidad de que se produzca una dislocación de propagación en la
segunda capa epitaxial de semiconductor compuesto (56) y para
eliminar toda la fuerza de tensión entre el sustrato de metal (51) y
la segunda capa epitaxial de semiconductor compuesto (56).
En la realización preferente anterior, la fina
película de semiconductor compuesto se hace de arseniuro de galio
(GaAs). Sin embargo, también se puede utilizar un material de
semiconductor compuesto binario del Grupo III-V como
arseniuro de aluminio (AlAs), fosfato de galio (GaP), arseniuro de
indio (InAs) y fosfato de indio (InP), o un material ternario o
cuaternario consistente en el binario.
El método de fabricación de la oblea epitaxial
de semiconductor compuesto, de acuerdo con la realización preferente
de la presente invención, comprende los siguientes pasos: depositar
una fina película de silicio en un sustrato de metal (51) para
formar una primera capa intermedia de silicio (52), depositar una
fina película de semiconductor compuesto en la primera capa
intermedia de silicio para formar una segunda capa intermedia de
semiconductor compuesto (53), depositar una fina película de
semiconductor compuesto en la segunda capa intermedia de
semiconductor compuesto (53) para formar una tercera capa intermedia
de semiconductor compuesto (54), cristalizar una fina película de
semiconductor compuesto en la tercera capa intermedia de
semiconductor compuesto (54) para formar una primera capa epitaxial
de semiconductor compuesto (55), aplicar el primer tratamiento
térmico, cristalizar una fina película de semiconductor compuesto en
la primera capa epitaxial de semiconductor compuesto (55) para
formar una segunda capa epitaxial de semiconductor compuesto (56) ,
aplicar un segundo tratamiento térmico para obtener una oblea
epitaxial de semiconductor compuesto de buena calidad (50). En el
proceso de crecimiento del cristal previamente mencionado, el
proceso de deposición es de tipo químico
metal-orgánico por vapor y el proceso epitaxial es
de haz molecular.
La oblea epitaxial de semiconductor compuesto
(50) fabricada de acuerdo con el método anterior consta de un
sustrato de metal (51), una primera capa intermedia de silicio (52)
dispuesta en el sustrato de metal (51), una segunda capa intermedia
de semiconductor compuesto (53) dispuesta en la primera capa
intermedia de silicio (52), una tercera capa intermedia de
semiconductor compuesto (54), dispuesta en la segunda capa
intermedia de semiconductor compuesto (53), una primera capa
epitaxial de semiconductor compuesto (55) dispuesta en la tercera
capa intermedia de semiconductor compuesto (54), y una segunda capa
epitaxial de semiconductor compuesto (56) dispuesta en la primera
capa epitaxial de semiconductor compuesto (55). La primera capa
intermedia de silicio (52) y la segunda capa intermedia de
semiconductor compuesto (53) se usan para combinar la dislocación de
propagación en una capa intermedia con el objetivo de disminuir la
densidad de las dislocaciones de propagación, y la tercera capa
intermedia de semiconductor compuesto (54) se usa para eliminar
cualquier dislocación de propagación restante en la capa intermedia.
La primera capa epitaxial de semiconductor compuesto (54) se usa
para proporcionar una estructura de cristal única requerida para la
segunda capa epitaxial de semiconductor compuesto (55).
Con referencia a la Figura 3, para una curva de
balanceo metamórfica a rayos x de una oblea epitaxial de
semiconductor compuesto (50), de acuerdo con la realización
preferente de la presente invención, la capa epitaxial de
semiconductor compuesto GaAs tiene un valor de anchura completa a
media altura (FWHM) de (55) arcsec. El valor de FWHM de una curva de
balanceo puede determinar la estructura de mosaico de la orientación
de la oblea epitaxial, es decir, cuanto mayor es el valor de FWHM,
la orientación interior de la oblea epitaxial es más irregular, y
cuanto menor es el valor de FWHM, más regular es la orientación
interior de la misma. La oblea epitaxial de semiconductor compuesto
crecida en el sustrato de metal de la presente invención tiene un
valor de FWHM de 55 arcsec. Por lo tanto, por el valor de FWHM
podemos saber que la orientación interior de la oblea epitaxial de
la presente invención es muy regular y tiene, definitivamente, mejor
calidad.
Con referencia a la Figura 4 para una vista
transversal de una oblea epitaxial de celda solar (60), de acuerdo
con otra realización preferente de la invención, la oblea epitaxial
de celda solar (60) se fabrica cristalizando la parte posterior de
una capa epitaxial (61) en la oblea epitaxial de semiconductor
compuesto (50), y cristalizando después una capa base (62), una capa
emisora (63), una capa ventana (64) y una capa de contacto (65)
secuencialmente para formar una estructura de celda solar.
Aunque la invención se ha descrito por medio de
realizaciones especificas, se podrían realizar numerosas
modificaciones y variaciones siempre que no se encuentren fuera del
alcance y el espíritu de la invención descrita en las
reivindicaciones.
Claims (23)
1. Método de fabricación de oblea epitaxial de
semiconductor compuesto, que consta de los siguientes pasos:
depositar una fina película de silicio en un sustrato de metal para
formar una primera capa intermedia de silicio; depositar una fina
película de semiconductor compuesto en la primera capa intermedia de
silicio para formar una segunda capa intermedia de semiconductor
compuesto; depositar una fina película de semiconductor compuesto en
la segunda capa intermedia de semiconductor compuesto para formar
una tercera capa intermedia de semiconductor compuesto; cristalizar
una fina película de semiconductor compuesto en la tercera capa
intermedia de semiconductor compuesto para formar la primera capa
epitaxial de semiconductor compuesto, aplicar el primer tratamiento
térmico, cristalizar una fina película de semiconductor compuesto en
la primera capa epitaxial de semiconductor compuesto para formar una
segunda capa epitaxial de semiconductor compuesto, y aplicar un
segundo tratamiento térmico para terminar la fabricación de la oblea
epitaxial de semiconductor compuesto.
2. Método de fabricación de oblea epitaxial de
semiconductor compuesto, de acuerdo a la reivindicación 1, en el que
las finas películas de semiconductor compuesto están hechas de un
material de semiconductor compuesto binario del Grupo
III-V, seleccionado de la colección de arseniuro de
galio (GaAs), arseniuro de aluminio (AlAs), fosfato de galio (GaP)
arseniuro de indio (InAs) y fosfato de indio (InP) o de un material
ternario o cuaternario consistente en el binario.
3. Método de fabricación de oblea epitaxial de
semiconductor compuesto, de acuerdo a la reivindicación 1, en el que
el proceso de deposición es de tipo químico
metal-orgánico por vapor.
4. Método de fabricación de oblea epitaxial de
semiconductor compuesto, de acuerdo a la reivindicación 1, en el que
el proceso epitaxial es de haz molecular.
5. Método de fabricación de oblea epitaxial de
semiconductor compuesto, de acuerdo a la reivindicación 1, en el que
el proceso de deposición de la primera capa intermedia de silicio se
lleva a cabo a una temperatura aproximada de
580-600ºC.
6. Método de fabricación de oblea epitaxial de
semiconductor compuesto, de acuerdo a la reivindicación 1, en el que
la primera capa intermedia de silicio tiene un grosor aproximado de
15 \ring{A}-25 \ring{A}.
7. Método de fabricación de oblea epitaxial de
semiconductor compuesto, de acuerdo a la reivindicación 1, en el que
el proceso de deposición de la segunda capa intermedia de
semiconductor compuesto se lleva a cabo a una temperatura aproximada
de 380-400ºC.
8. Método de fabricación de oblea epitaxial de
semiconductor compuesto, de acuerdo a la reivindicación 1, en el que
la segunda capa intermedia de semiconductor compuesto tiene un
grosor aproximado de 10 \mum-20 \mum.
9. Método de fabricación de oblea epitaxial de
semiconductor compuesto, de acuerdo a la reivindicación 1, en el que
el proceso de deposición de la tercera capa intermedia de
semiconductor compuesto se lleva a cabo a una temperatura aproximada
de 380-400ºC.
10. Método de fabricación de oblea epitaxial de
semiconductor compuesto, de acuerdo a la reivindicación 1, en el que
la tercera capa intermedia de semiconductor compuesto tiene un
grosor aproximado de 50 \ring{A}-200
\ring{A}.
11. Método de fabricación de oblea epitaxial de
semiconductor compuesto, de acuerdo a la reivindicación 1, en el que
el proceso epitaxial de la primera capa epitaxial de semiconductor
compuesto se lleva a cabo a una temperatura aproximada de 650ºC.
12. Método de fabricación de oblea epitaxial de
semiconductor compuesto, de acuerdo a la reivindicación 1, en el que
el proceso epitaxial de la segunda capa epitaxial de semiconductor
compuesto se lleva a cabo a una temperatura aproximada de 710ºC.
13. Método de fabricación de oblea epitaxial de
semiconductor compuesto, de acuerdo a la reivindicación 1, en el que
la primera capa epitaxial de semiconductor compuesto tiene un grosor
aproximado de 1,5 \mum-2 \mum.
14. Método de fabricación de oblea epitaxial de
semiconductor compuesto, de acuerdo a la reivindicación 1, en el que
la segunda capa epitaxial de semiconductor compuesto tiene un grosor
aproximado de 1,5 \mum-2 \mum.
15. Método de fabricación de oblea epitaxial de
semiconductor compuesto, de acuerdo a la reivindicación 1, en el que
el primer y el segundo tratamiento térmico son ciclos térmicos de
recocido de alta/baja temperatura, que se repiten de 4 a 8
veces.
16. Oblea epitaxial de semiconductor compuesto,
que consta de un sustrato de metal, una primera capa intermedia de
silicio dispuesta en el sustrato de metal, una segunda capa
intermedia de semiconductor compuesto dispuesta en la primera capa
intermedia de silicio, una tercera capa intermedia de semiconductor
compuesto dispuesta en la segunda capa intermedia de semiconductor
compuesto y sometida a un primer tratamiento térmico, una primera
capa epitaxial de semiconductor compuesto dispuesta en la tercera
capa intermedia de semiconductor compuesto, y una segunda capa
epitaxial de semiconductor compuesto dispuesta en la primera capa
epitaxial de semiconductor compuesto y sometida a un segundo
tratamiento térmico.
17. Oblea epitaxial de semiconductor compuesto,
de acuerdo a la reivindicación 16, en la que la segunda y tercera
capa intermedia de semiconductor compuesto y la primera y segunda
capa epitaxial de semiconductor compuesto están hechas de un
material de semiconductor compuesto binario del Grupo
III-V, seleccionado de la colección de arseniuro de
galio (GaAs), arseniuro de aluminio (AlAs), fosfato de galio (GaP),
arseniuro de indio (inAs) y fosfato de indio (InP) , o de un
material ternario o cuaternario, consistente en el binario.
18. Oblea epitaxial de semiconductor compuesto,
de acuerdo a la reivindicación 16, en la que la primera capa
intermedia de silicio tiene un grosor aproximado de 15
\ring{A}-25 \ring{A}.
19. Oblea epitaxial de semiconductor compuesto,
de acuerdo a la reivindicación 16, en la que la segunda capa
intermedia de semiconductor compuesto tiene un grosor aproximado de
10 \mum-20 \mum.
20. Oblea epitaxial de semiconductor compuesto,
de acuerdo a la reivindicación 16, en la que la tercera capa
intermedia de semiconductor compuesto tiene un grosor aproximado de
50 \ring{A}-200 \ring{A}.
21. Oblea epitaxial de semiconductor compuesto,
de acuerdo a la reivindicación 16, en la que la primera capa
epitaxial de semiconductor compuesto tiene un grosor aproximado de
1,5 \mum-2 \mum.
22. Oblea epitaxial de semiconductor compuesto,
de acuerdo a la reivindicación 16, en el que la segunda capa
epitaxial de semiconductor compuesto tiene un grosor aproximado de
1,5 \mum-2 \mum.
23. Oblea epitaxial de semiconductor compuesto,
de acuerdo a la reivindicación 16, en la que el primer y el segundo
tratamiento térmico son ciclos térmicos de recocido a temperatura
alta/baja y se repiten de 4 a 8 veces.
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