ES2307555T3 - Instalacion de fermentacion por induccion. - Google Patents
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Abstract
Instalación de fermentación con a) al menos una instalación de calefacción por inducción para la generación de un campo magnético variable con el tiempo con al menos una bobina de inducción (3) y con al menos una unidad de control (8) para la aplicación de un campo eléctrico variable con el tiempo en la bobina de inducción así, b) una instalación de soporte colocada en un potencial eléctrico esencialmente constante de material conductor de electricidad con una superficie de soporte (70), para la bobina de inducción, c) medios (10, 40, 41) para la reducción de la capacidad eléctrica (CD) entre la bobina de inducción y la instalación de soporte.
Description
Instalación de fermentación por inducción.
La invención se refiere a una instalación de
fermentación por inducción.
Se conocen instalaciones de fermentación con una
placa de campos de cocción con dos o cuatro zonas de cocción, en la
que debajo de al menos una de las zonas de cocción se conoce un a
bobina de inducción, que se puede activar con alta frecuencia a
través de un generador, para la calefacción por inducción de
vajilla de cocción colocada sobre la zona de cocción. La bobina de
inducción está fijada sobre una instalación de soporte metálico.
La invención tiene el cometido de indicar una
instalación de fermentación especial con calefacción por
inducción.
Este cometido se soluciona con las
características de la reivindicación 1.
La instalación de fermentación comprende en
primer lugar
- a)
- menos una instalación de calefacción por inducción para la generación de un campo magnético variable con el tiempo con al menos una bobina de inducción (con al menos un arrollamiento) y con al menos una unidad de control para la aplicación de un campo eléctrico variable con el tiempo en la bobina de inducción así como
- b)
- una instalación de soporte (carcasa, chasis) colocada en un potencial eléctrico esencialmente constante de material conductor de electricidad con una superficie de soporte, sobre la que está dispuesta la bobina de inducción, en general aislada eléctricamente.
La invención parte de la observación
sorprendente obtenida en virtud de mediciones, de que en el
funcionamiento de la instalación de calefacción por inducción, se
puede producir corrientes de interferencia de alta frecuencia, que
exceden valores límites predeterminados de acuerdo con la Norma EN
55011, cuando la instalación de soporte está conectada en potencial
eléctrico constante, especialmente está puesta a tierra.
Además, la invención parte de una consideración
deducida a partir de las mediciones, en el sentido de que las
corrientes de interferencia es responsable de una capacidad
eléctrica demasiado alta entre la bobina de inducción y la
instalación de soporte. También en el caso de un aislamiento
eléctrico de la bobina de inducción con respecto a la instalación
de soporte, que impide al menos en gran medida un flujo de carga
directo, el condensador formado por la bobina de inducción y la
instalación de soporte representa siempre todavía, especialmente en
la zona de alta frecuencia típica para la calefacción por inducción,
como capacidad parásita, por decirlo así, un punto débil para
corrientes de desplazamiento hacia el potencial constante.
Por lo tanto, de acuerdo con la invención, se
propone prever medios para la reducción de la capacidad eléctrica
entre la bobina de inducción y la instalación de soporte.
Las configuraciones y los desarrollos ventajosos
de la instalación de fermentación de acuerdo con la invención se
deducen a partir de las reivindicaciones dependientes de la
reivindicación 1.
De acuerdo con ello, la instalación de soporte
está constituida especialmente al menos en la zona de la superficie
de soporte de metal, por ejemplo de aluminio, de una aleación de
aluminio, de cobre o acero, siendo utilizado el metal con
preferencia en forma de una chapa.
De acuerdo con ello, los medios para la
reducción de la capacidad eléctrica entre la bobina de inducción y
la instalación de soporte comprenden en formas de realización
ventajosas, que se pueden combinar entre sí:
- \bullet
- al menos una capa intermedia (capa de distancia, soporte distanciador) de material dieléctrico, con preferencia con una constante de dielectricidad relativa baja (lo más próxima posible a 1), para el incremento de la distancia entre la bobina de inducción y la instalación de soporte,
- \bullet
- al menos un espacio intermedio de gas dieléctrico, como aire,
- \bullet
- uno o varios orificios (taladros) en la superficie de soporte de la instalación de soporte para la reducción de su superficie capacitivamente activa,
- \bullet
- una o varias escotaduras o entradas en la superficie de soporte de la instalación de soporte para el incremento de su distancia con respecto a la bobina de inducción en estas zonas, en las que los espacios intermedios obtenidos de esta manera se rellenan con material sólido o gaseoso dieléctrico.
Los orificios pueden estar estampados en la
superficie de soporte. Las escotaduras o entradas pueden estar
estampadas en la superficie de soporte.
La instalación de fermentación puede estar
configurada como punto de cocción por inducción y comprende entonces
al menos una placa de campo de cocción para la colocación de
vajilla de cocción, en la que cada bobina de inducción está
dispuesta debajo de una zona de cocción respectiva de la placa de
campo de cocción. De una manera alternativa, naturalmente, también
un horno de fermentación puede estar equipado con un espacio de
fermentación que se puede cerrar con la calefacción de inducción
según la invención.
Las porciones de frecuencia del campo eléctrico
del generador se encuentran, en general, por encima de una
frecuencia base entre aproximadamente 20 Hz y aproximadamente 100
kHz, con preferencia aproximadamente 25 kHz, y se extienden en las
frecuencias superiores (armónicos) hasta la zona de 10 MHz.
La unidad de control comprende, en una forma de
realización especialmente ventajosa, una unidad de filtro de modo
común que se puede conectar en una tensión de la red y que está
acoplada eléctricamente con el potencial constante para la
supresión de interferencias de modo común. La unidad de filtro de
modo común comprende de una manera preferida dos inductividades en
circuito en sentido opuesto que se pueden conectar eléctricamente
en cada caso con un polo de la tensión de la red, especialmente una
bobina de núcleo anular compensada en la corriente con dos bobinas
dispuestas en sentido opuesto sobre un núcleo anular, en la que de
una manera preferida cada inductividad está acoplada eléctricamente
con el potencial constante a través de un condensador
respectivo.
La bobina de inducción comprende, en un
desarrollo ventajoso, en su lado inferior también cuerpos de
conducción de campo, de un material conductor magnético,
especialmente un material ferrítico o densítico, para la conducción
del campo magnético de la bobina de inducción. Las bobinas de
inducción se encuentran entonces con sus cuerpos de conducción de
campo sobre la instalación de soporte. La capacidad parasitaria
entre el pulso de inducción y la instalación de soporte se puede
reducir ahora también a través de la reducción de los cuerpos de
conducción de campo y los espacios intermedios adicionales,
formados de esta manera, y rellenos con aire u otro material
dieléctrico.
A continuación se explica en detalle la
invención con la ayuda de ejemplos de realización. En este caso, se
hace referencia al dibujo, en el que se muestra en cada caso en una
representación esquemática lo siguiente:
La figura 1 muestra una instalación de inducción
con una instalación de soporte con estampaciones.
La figura 2 muestra una instalación de
fermentación por inducción con una instalación de soporte con
orificios.
La figura 3 muestra una instalación de inducción
con una instalación de soporte y una capa dieléctrica adicional
entre la instalación de soporte y los medios de conducción de
campo.
La figura 4 muestra una instalación de
fermentación por inducción, que corresponde al principio de acuerdo
con el estado de la técnica.
La figura 5 muestra un circuito eléctrico de la
unidad de control para una instalación de fermentación por
inducción.
La figura 6 muestra una disposición de bobinas
de inducción de acuerdo con el estado de la técnica en una vista en
perspectiva.
Las partes correspondientes entre sí están
provistas en las figuras 1 a 6 con los mismos signos de
referencia.
En la figura 4 se representa una instalación de
fermentación por inducción, cuya estructura se conoce en principio.
La instalación de fermentación por inducción comprende una placa de
campos de cocción 1, sobre la que está colocado en una zona de
cocción recipiente de producto de fermentación 2, en el que se
encuentra el producto de fermentación. En el fondo del recipiente
de producto de fermentación 2 se representa una bobina susceptora
5. Debajo de las zonas de cocción de la placa de campos de cocción 1
está dispuesta una bobina de inducción 3, que está configurada como
bobina plana, con un plano alineado esencialmente paralelo a la
placa de campos de cocción 1.
La bobina de inducción 3 está dispuesta, con
preferencia por medio de una unión adhesiva, sobre uno o varios
cuerpos de conducción de campo 4. El o los cuerpos de conducción de
campo 4 están dispuestos sobre una superficie de soporte 70 de una
instalación de soporte 7, en particular igualmente encolada, y
están constituidos de una manera preferida de un material con una
alta permeabilidad magnética y con un a conductividad eléctrica lo
más reducida posible, por ejemplo de un material ferrítico o
densítico.
Las capas adhesivas no sólo están previstas para
la fijación, sino que aíslan también los componentes eléctricamente
unos de otros. En lugar de una unión adhesiva, pueden estar
previstos también otros medios de fijación para la conexión de la
bobina de inducción 3 con los cuerpos de conducción de campo 4 o de
la instalación de soporte 7 o de los cuerpos de conducción de campo
4 con la instalación de soporte 7, por ejemplo una unión
desprendible como una unión roscada una unión de retención. El
aislamiento eléctrico se consigue entonces, en general, con medios
separados.
Una forma de realización especial conocida en sí
de la instalación de calefacción por inducción se representa en la
figura 6. La bobina de inducción 3 está engastada junto con seis
cuerpos de conducción de campo 4 dispuestos en forma de estrella en
una carcasa 15, que está constituida especialmente de un plástico
resistente al calor. El lado superior en la vista es el lado
inferior, con el que se coloca toda la unidad sobre la instalación
de soporte.
La instalación de soporte 7 está constituida de
un material conductor de electricidad, especialmente metal, por
ejemplo aluminio o una aleación de aluminio, cobre o un acero,
especialmente de una chapa de metal. La instalación de soporte 7
está configurada en forma de caja en el ejemplo de realización
representado, con la superficie de soporte 70 continua en el lado
dirigido hacia la bobina de inducción 3 y con paredes laterales que
se proyectan lateralmente desde allí hacia abajo. Sobre una pared de
fondo 71 está soportada una unidad de control eléctrico 8, que
activa eléctricamente la bobina de inducción 3. En particular, la
unidad de control 8 está fijada por medio de uno o varios tornillos
11 en la instalación de soporte 7. El tornillo 11 establece al
mismo tiempo una conexión eléctrica entre la unidad de control 8 y
la instalación de soporte 7, que está conectada directamente con la
tierra (masa) o, en general, con un potencial esencialmente
constante. La conexión eléctrica de la instalación de soporte 7 con
la tierra se puede realizar también de una manera independiente de
la fijación mecánica con un conexión conductora de electricidad
separada, por ejemplo un cable eléctrico y/o un cableado de
clips.
La unidad de control 8 alimenta, durante el
funcionamiento de la instalación de fermentación por inducción, la
bobina de inducción 3 con un campo eléctrico variable con el tiempo
(tensión eléctrica), que contiene porciones de alta frecuencia en
el intervalo desde una frecuencia básica (frecuencia fundamental) de
25 kHz. La bobina de inducción 3 genera ahora a través de inducción
un campo magnético variable con el tiempo, cuya densidad de flujo
se designa con B en la figura 4 y cuyas líneas de campo se
representan con líneas de trazos, con un espectro de frecuencia que
correspondiente al campo eléctrico de la unidad de control 8. Los
cuerpos de conducción de campo 4 concentran y aglutinan el campo
magnético B, de manera que está blindado en gran medida hacia
abajo. El campo magnético B atraviesa hacia arriba la placa de
campos de cocción 1, que está constituida por un material
dieléctrico resistente al calor, por ejemplo de una vitrocerámica,
vidrio o de una cerámica, e induce en la bobina susceptora 5 del
recipiente del producto de fermentación 2 una corriente eléctrica,
que calienta el recipiente de producto de fermentación 2 a través de
pérdidas de Joule. La acción de calefacción se amplifica, en
general, todavía porque se prevé un material ferromagnético, con lo
que se libera energía térmica adicional a través de procesos de
remagnetización en el material del recipiente de producto de
fermentación. Entonces también el fondo del recipiente de producto
de fermentación 2 puede estar constituido simplemente de material
ferromagnético. Una bobina susceptora 5 no es absolutamente
necesaria.
La instalación de soporte 7 tiene, además de la
función de soporte mecánico para la bobina de inducción 3
adicionalmente las funciones de la disipación de calor desde la
bobina de inducción 3 y la homogeneización de la distribución de la
temperatura así como la adaptación de la frecuencia de resonancia.
Además, la instalación de soporte 7 blinda los componentes
electrónicos de la unidad de control 8 frente al campo magnético de
la bobina de inducción 3.
Una medición según EN 55011 dio como resultado
que en esta instalación de inducción conocida según la figura 4 se
producen corrientes de interferencia no deseadas (u campos de
interferencia provocados de esta manera) en una zona de alta
frecuencia determinada, especialmente en un intervalo entre 150 kHz
y 500 kHz. Además, se ha comprobado que estas corrientes de
interferencia son atribuibles esencialmente a una capacidad
parasitaria C_{b} entre la bobina de inducción 3 y la instalación
de soporte 7. Por lo tanto, de acuerdo con la invención, se propone
reducir esta capacidad parasitaria C_{b} o incluso eliminarla
totalmente, a ser posible.
Una capacidad eléctrica de un condensador de
placas, que se puede aplicar aquí en buena aproximación, se define
ahora a través de la siguiente fórmula
C =
(\varepsilon_{0} \varepsilon_{r} A) /
d,
en la que \varepsilon_{0} es la
constante de dielectricidad en vacío, \varepsilon_{r} es la
constante de dieletricidad relativa del material dieléctrico
definido entre la bobina de inducción 3 y la instalación de soporte
7, A es la superficie efectiva del condensador de placas así como d
es la distancia entre las dos placas de condensador, es decir, la
bobina de inducción 3 y la instalación de soporte 7. A partir de
esta fórmula existe ahora una serie de posibilidades para reducir
la capacidad parasitaria C_{D} entre la bobina de inducción 3 y la
instalación de soporte
7:
- \bullet
- incrementar la distancia entre la bobina de inducción 3 y la instalación de soporte 7 a través de la inserción de material dieléctrico adicional, especialmente de una capa más gruesa o una capa adicional, o de un espacio intermedio de adicional de aire,
- \bullet
- reducir las superficies opuestas entre sí del condensador formado por la bobina de inducción 3 y la instalación de soporte 7, especialmente la reducción de la superficie de soporte 70,
- \bullet
- utilizar un material intermedio dieléctrico entre la bobina de inducción 3 y la instalación de soporte 7 con una constante dieléctrica relativa menor.
La figura 1 muestra ahora una posibilidad, en la
que la superficie de soporte 70 de la instalación de soporte 7 está
más distanciada de la bobina de inducción 3 a través de la
realización de entradas 40 en estas zonas. Los cuerpos de
conducción de campo 4 se encuentran entonces sólo todavía en las
zonas de la superficie de soporte 70 de la instalación de soporte
7, que se encuentran fuera de la entrada, mientras que entre los
cuerpos de conducción de campo 4 y la superficie de soporte 70
rebajada hacia debajo de la instalación de soporte 7 están formados
espacios intermedios rellenos ahora de aire. Las entradas 40 pueden
estar generadas especialmente a través de estampación en la chapa
metálica y se pueden configurar en una pluralidad de formas de
realización y de posibilidades de configuración. La profundidad de
las entradas 40, que corresponde al incremento de la distancia
entre la bobina de inducción 3 y la instalación de soporte 7, puede
estar especialmente en el intervalo entre 0,2 mm y 5 mm, de una
manera preferida en el intervalo entre 0,5 mm y 2 mm. Esta forma de
realización de acuerdo con la figura 1 tiene la ventaja de que la
acción de blindaje electromagnético de la instalación de soporte 7
se mantiene esencialmente en gran medida sobre la superficie de
soporte 70.
La figura 2 muestra otra posibilidad para la
reducción de la capacidad parasitaria C_{D} entre la bobina de
inducción 3 y la instalación de soporte 7. Ahora están previstos en
la superficie de soporte 70 de la instalación de soporte 7 debajo
de los cuerpos de conducción de campo 4 varios orificios 41, que
pueden estar, por ejemplo, estampados. A través de estos orificios
41 se reduce la superficie del condensador, opuesta a la bobina de
inducción 3 y formada por la superficie de soporte 7 y de esta
manera se reduce igualmente la capacidad parasitaria C_{D}.
También los orificios pueden estar configurados diferentes. En el
caso de una bobina de inducción 3 redonda circular, se ofrece una
disposición radial de los orificios 41 en radios radiales
desplazados entre sí, en la que, como se representa, especialmente
la anchura interior de los orificios 41 se puede incrementar hacia
fuera. Los cuerpos de conducción de campo 4 se encuentran ahora de
nuevo solamente en las zonas intermedias entre los orificios 41
sobre la superficie de soporte 70. La forma y la disposición de los
orificios 41 en la instalación de soporte 7 se selecciona de una
manera preferida en función de la acción de blindaje deseada, que
depende de nuevo del espectro de frecuencia utilizado de la bobina
de inducción 3 y de la instalación de calefacción por inducción
formada por la unidad de control 8 y de las otras propiedades,
especialmente de las propiedades térmicas, de la instalación de
soporte 7.
Una tercera posibilidad para la reducción de la
capacidad parasitaria CD entre la bobina de inducción 3 y la
instalación de soporte 7 se ilustra en la figura 3. En esta forma de
realización, entre la superficie de soporte 70 de la instalación de
soporte 7 y los cuerpos de conducción de campo 4 está dispuesta una
capa dieléctrica adicional 10 como elemento distanciador. Esta capa
dieléctrica 10 es seleccionada en función de la capacidad
parasitaria C_{D} deseada, especialmente en lo que se refiere a su
espesor de capa y sus constantes de dielectricidad relativas. El
espesor de capa de la capa dieléctrica 10 se puede seleccionar
especialmente en el intervalo entre 02 mm y 5 mm, de una manera
preferida en el intervalo entre 0,5 mm y 2 mm. La constante de
dielectricidad relativa se selecciona de una manera preferida lo
más próxima posible a 1. La capa de dielectricidad 10 puede ser
especialmente una lámina o incluso una hoja de material similar al
papel resistente a alta temperatura, que se encola con el cuerpo de
conducción de campo 4 y la superficie de soporte 70. De una manera
alternativa, la capa dieléctrica 10 se puede aplicar, naturalmente,
también directamente sobre la instalación de soporte 7, por ejemplo
a través de evaporación, pulverización catódica o similares.
Evidentemente las diferentes posibilidades
representadas en las figuras 1 a 3 para la reducción de la capacidad
parasitaria CD entre la bobina de inducción 3 y la instalación de
soporte 7 se pueden combinar también entre sí en diferentes
variantes.
La figura 5 muestra un diagrama eléctrico para
la unidad de control 8 de la instalación de fermentación por
inducción de acuerdo con las figuras 1 a 4. En el lado izquierdo del
diagrama se encuentra la tensión de la red U_{N}, que corresponde
en la red de corriente normal a 230 V con una frecuencia de 50 hz.
Entre las dos fases de la tensión de la red UN están conectados dos
condensadores C1 y C2 así como un puente rectificador G. En serie
en una de las dos fases están conectadas dos inductividades L1 y L3
así como un conmutador principal S3 y en la otra fase está
conectada otra inductividad L2. Además, desde cada fase parte un
condensador C3 o bien C4 en una derivación, que está conectada a
tierra 9.
Con los dos condensadores C1 y C2 así como la
inductividad L3 se forma un filtro diferencial, que suprime
interferencias de contra contacto en las dos fases de la tensión de
la red U_{N}.
Las dos inductividades L1 y L2 así como las dos
capacidades C3 y C4 forman un filtro para la supresión de
interferencias de modo común en las fases de la tensión de
alimentación U_{N} (common mode noise filter). Las dos
inductividades L1 y L2 pueden estar formadas especialmente con una
bobina de núcleo anular compensada en la corriente con dos bobinas
en sentido opuesto sobre un número anular común, pero naturalmente
también se pueden realizar con dos componentes separados. Puesto
que las inductividades L1 y L2 deben dejar pasar al mismo tiempo
toda la tensión de la red U_{N} en el funcionamiento de modo
común, los requerimientos planteados a las bobinas que representan
las inductividades L1 y L2 con el núcleo anular son núcleo anular.
Para evitar una saturación del núcleo a través de la interferencia
de modo común, se requieren, en efecto, materiales magnéticos de muy
alta calidad.
La capacidad parasitaria C_{D} desde la
inductividad L de la bobina de inducción 3 hacia la instalación de
soporte 7 y, por lo tanto, hacia tierra 9 está conectada a través de
los condensadores C3 y C4 con el filtro para la supresión de
interferencias de modo común y, debido a la interferencia de modo
común provocada por ella, lleva a saturación todavía más
rápidamente al o a los núcleos de las bobinas para las
inductividades L1 y L2. La reducción de la capacidad parasitaria CD
conseguida de acuerdo con la invención tiene ahora la gran ventaja
de que el componente o bien los componentes para las inductividades
L1 y L2 deben cumplir requerimientos más reducidos y de esta manera
se consigue un ahorro de costes considerable.
La parte del circuito representada en el lado
derecho del diagrama según la figura 5 es uno de varios circuitos
estándar posibles para la conversión de la tensión de la red UN en
la tensión de alta frecuencia UHF que es necesaria para el
funcionamiento de la bobina de inducción 3 con la inductividad L.
Esta tensión de alta frecuencia, designada también como semipuente
(half bridge), contiene dos conmutadores electrónicos S1 y S2 que
pueden ser activados por separado, por ejemplo elementos de
conmutación de semiconductores como tiristores, transistores de
potencia bipolares, IGBTs, circuitos de Darlington o también MCTs,
así como tres condensadores C5, C6 y C7 y el puente rectificador G
ya mencionado. La tensión de alta frecuencia UHF se encuentra con
preferencia en un intervalo de frecuencia por encima de la
frecuencia de base de 25 kHz. Otras posibilidades -no representadas,
pero empleadas de forma normalizada. Para la generación de la
tensión de alta frecuencia UHF son un circuito de un conmutador
(single switch) y un circuito de puente completo (full bridge) con
cuatro conmutadores. Las ventajas de las medidas según la invención
se aplican también en estos circuitos de control.
En lugar de los ejemplos de realización
mostrados, la instalación de fermentación por inducción puede estar
configurada, en lo que se refiere a la estructura mecánica y a los
materiales empleados como también en lo que se refiere a las
relaciones eléctricas, también en un otra forma de realización
conocida, por ejemplo según una de las formas de realización
publicadas en los documentos WO 97/20451, WO 98/41061, WO 98/41062,
WO 98/41063 o WO 98/41064, en las que entonces según la invención
están previstos de nuevo medios correspondientes para la reducción
de la capacidad entre el soporte y la bobina.
Claims (12)
1. Instalación de fermentación con
- a)
- al menos una instalación de calefacción por inducción para la generación de un campo magnético variable con el tiempo con al menos una bobina de inducción (3) y con al menos una unidad de control (8) para la aplicación de un campo eléctrico variable con el tiempo en la bobina de inducción así,
- b)
- una instalación de soporte colocada en un potencial eléctrico esencialmente constante de material conductor de electricidad con una superficie de soporte (70), para la bobina de inducción,
- c)
- medios (10, 40, 41) para la reducción de la capacidad eléctrica (C_{D}) entre la bobina de inducción y la instalación de soporte.
2. Instalación de fermentación de acuerdo con
la reivindicación 1, en la que los medios para la reducción de la
capacidad eléctrica comprenden al menos una capa intermedia (10),
dispuesta entre la bobina de inducción y la instalación de soporte,
de material dieléctrico, con preferencia con una constante de
dielectricidad relativa baja.
3. Instalación de fermentación de acuerdo con la
reivindicación 1 ó 2, en la que los medios para la reducción de la
capacidad eléctrica comprenden uno o varios orificios (41) en la
superficie de soporte de la instalación de soporte.
4. Instalación de fermentación de acuerdo con
una de las reivindicaciones anteriores, en la que los medios para
la reducción de la capacidad eléctrica comprenden una o varias
escotaduras o entradas (40) en la superficie de soporte de la
instalación de soporte.
5. Instalación de fermentación de acuerdo con
una de las reivindicaciones anteriores, en la que la instalación de
soporte está constituida al menos en la zona de la superficie de
soporte de metal o de una aleación de metal, especialmente de
aluminio, cobre o acero, especialmente de una chapa metálica.
6. Instalación de fermentación de acuerdo con
las reivindicaciones 3 y 5, en la que los orificios están estampados
en la superficie de soporte.
7. Instalación de fermentación de acuerdo con
las reivindicaciones 4 y 5, en la que las escotaduras o entradas
están estampadas en la superficie de soporte.
8. Instalación de fermentación de acuerdo con
una de las reivindicaciones anteriores, con al menos una placa de
campos de cocción (1) para la colocación de vajilla de cocción, en
laque cada bobina de inducción está dispuesta debajo de una zona de
cocción respectiva de la placa de campo de cocción.
9. Instalación de fermentación de acuerdo con
una de las reivindicaciones anteriores, en la que las porciones de
frecuencia de los campos eléctricos de la unidad de control están
entre aproximadamente 20 kHz y aproximadamente 100 kHz, con
preferencia sobre aproximadamente 25 kHz.
10. Instalación de fermentación de acuerdo con
una de las reivindicaciones anteriores, en la que en un lado
inferior de la bobina de inducción está dispuesto al menos un cuerpo
conductor de campo (4) de un material conductor magnético,
especialmente un material ferrítico o densítico, en la que la bobina
de inducción descansa con preferencia con sus cuerpos conductores
de campo sobre la instalación de soporte.
11. Instalación de fermentación de acuerdo con
una de las reivindicaciones anteriores, en la que la unidad de
control comprende una unidad de filtro de modo común que se puede
conectar en una tensión de la red y que está acoplada
eléctricamente con el potencial constante, para la supresión de
interferencias de modo común.
12. Instalación de fermentación de acuerdo con
la reivindicación 11, en la que la unidad de filtro de modo común
comprende dos inductividades en circuito inverso, que se pueden
conectar eléctricamente con un polo respectivo de la tensión de la
red, especialmente una bobina de núcleo anular compensada en la
corriente con dos bobinas dispuestas en sentido opuesto sobre un
núcleo anular, en la que con preferencia cada inductividad está
acoplada eléctricamente a través de un condensador correspondiente
con el potencial constante.
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