EP4547887A2 - Vorrichtung und verfahren zum behandeln eines substrates - Google Patents
Vorrichtung und verfahren zum behandeln eines substratesInfo
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- EP4547887A2 EP4547887A2 EP23735294.3A EP23735294A EP4547887A2 EP 4547887 A2 EP4547887 A2 EP 4547887A2 EP 23735294 A EP23735294 A EP 23735294A EP 4547887 A2 EP4547887 A2 EP 4547887A2
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Definitions
- the invention relates to a device for thermally treating a substrate with a heating device arranged in a reactor housing for heating the substrate, a cold area being arranged in the reactor housing in such a way that a heat flow flows from the heated substrate along a heat transfer path to the cold area, and with a shielding device arranged in the heat transfer path, which is adjustable between a first and a second operating position, the shielding device exerting a greater shielding effect on the heat flow in the first operating position than in the second operating position.
- the invention further relates to a method for treating a substrate in such a device.
- Such a device is used in particular for depositing SiC.
- substrates that are to be coated with a SiC layer are brought, for example, through a loading and unloading opening of a reactor housing into the reactor housing, where there is a process chamber which has a susceptor on which at least one substrate is placed. This can be done at a moderately elevated temperature, but also at temperatures up to 1000°C.
- the loading and unloading opening is closed.
- the process chamber is heated to a process temperature using a heating device. At this process temperature, one or more layers are applied after any preparatory process steps Substrate deposited.
- US 8,430,965 B2 proposes a shielding device which has a highly reflective surface and which is brought into a heat transport path during heating which transfers heat from the substrate to a cold area of the reactor housing. This reduces the heat flow from the substrate. When the substrate cools, the shielding device is removed from the heat transport path, so that the heat flow from the substrate is increased.
- Shielding devices that are used for other purposes in CVD reactors or the like are known in particular from DE 102010 000447 A1 or DE 102017103 055 A1, which discloses a shielding plate consisting of several partial plates.
- DE 10 2009049954 A1 describes a device for temperature control of substrates with a shielding device which has a large number of adjustable shielding elements.
- the invention is based on the object of specifying a shielding device that can be moved from a first to a second operating position using simple means and is arranged in a space-saving manner.
- the problem is solved by the invention specified in the claims.
- the subclaims not only represent advantageous developments of the invention specified in the independent claims, but also independent solutions to the problem.
- the shielding device has a plurality of shielding elements that can be moved relative to one another. It can be advantageous if these shielding elements remain within a heat transfer space through which the heat flow flows during the displacement of the shielding device between the first and second operating positions.
- the shield elements can have different surface sections that can optionally be brought in the direction of the heat flow.
- the shielding device it is also possible for the shielding device to consist of only one shielding element, which is rotated when adjusting between the two operating positions. It can have a large surface section that has a large shielding effect on the heat flow in the first operating position. It can have a small surface section which has a small shielding effect on the heat flow in the second operating position.
- one or more shielding elements are flat, in particular rectangular strips that have a broad side surface and a narrow side surface.
- the shield elements can be rotated about an axis of rotation in such a way that in the first operating position they oppose their broad side surface to the heat flow and in the second operating position their narrow side surface.
- the axis of rotation of the one or more shielding elements may have a directional component that is perpendicular to the direction of heat flow.
- the axis of rotation itself preferably runs perpendicular to the direction of the heat flow or at least substantially perpendicular to it.
- the shield elements can pivot by, for example, 90 degrees between the two operating positions.
- the umbrella elements can also pivot around other, for example smaller or larger angles, whereby this angle can also be in a range between 45 and 90 degrees.
- at least two screen elements can be moved relative to one another, so that they lie essentially next to one another in the first operating position and at least partially or completely overlap in the second operating position.
- the shield elements can each be assigned to a shield element carrier.
- the shield element support can have a rectangular floor plan or a circular floor plan.
- a screen element support that has a rectangular floor plan can have a plurality of narrow rectangular screen elements arranged parallel to one another and extending in one plane, between which a free space extends which has approximately the same surface area as the screen elements.
- the shield elements By relative displacement of the shield element supports arranged in different but parallel planes, the shield elements can be brought into an overlapping position in which a heat flow can pass through the free spaces. In the overlapping position, the shielding elements lie on top of each other, overlapping each other. The shielding effect then depends on the degree of coverage. In the first operating position, the shielding elements are offset from one another in such a way that they close the free spaces of the other shielding element carrier. Alternatively, the shield elements can also be circular sectors. The two then circular screen element supports can be rotated relative to one another about an axis of rotation, so that either the free spaces are closed or the screen elements overlap. One of the two shield element supports can be firmly connected to the reactor housing. The other shield element carrier can be rotated about an axis of rotation.
- the axis of rotation preferably extends parallel to the direction of the heat flow.
- One or more heating devices can be provided.
- a trial chamber can be arranged between two heating devices so that the process chamber is heated, for example, from below or from above.
- a process chamber can also be arranged within a heating device, as shown, for example, in the above-mentioned prior art, in which a coil extends around the process chamber, which generates a high-frequency alternating electromagnetic field.
- Bodies made of electrically conductive material can be present within the process chamber.
- the walls of the process chamber can be made of graphite.
- the process chamber it is also possible for the process chamber to have a susceptor made of graphite. Eddy currents are generated in these electrically conductive bodies, which heat up the bodies.
- the eddy currents are generated inductively by alternating electromagnetic fields.
- the alternating electromagnetic fields are generated by a heating element.
- the heating element can also form a cold area if, for example, it is formed by a cooled coil.
- a coil which can be a helical coil or which can be a spiral coil, has a cavity through which a coolant flows in order to cool the coil.
- the coil then not only has the function of supplying an energy flow with which a susceptor or a substrate is heated, but also forms a heat sink.
- the shielding device can be arranged between the coil and the susceptor or the substrate. If the coil is arranged above a process chamber ceiling, the shielding device can be arranged between a ceiling plate and the heating device, for example the coil.
- the shielding device for alternating electromagnetic fields is in the Range of 10 kHz is transparent.
- the arrangement of the heating device can be chosen so that the energy flow it generates to the substrate or to the susceptor flows through the same space through which the heat that the substrate or the susceptor transfers to the cold area, for example to an actively cooled zone of the Reactor housing.
- the shielding elements preferably have at least one surface that has a high degree of reflection or a low degree of absorption.
- the degree of reflection for thermal radiation should preferably be greater than 0.6. But it can also be larger than 0.7 or 0.8.
- the degree of absorption for thermal radiation should preferably be less than 0.4. But it can also be smaller than 0.3 or smaller than 0.2.
- the surface is particularly highly reflective.
- the degree of reflection of the screen element is in particular greater than the degree of reflection of the cold area.
- the shielding elements should be non-transparent to heat radiation. It is advantageous if the umbrella elements can also be adjusted independently of one another.
- the screen elements are coupled to one another or that at least some of the screen elements are coupled to one another so that they can be moved by a common drive.
- the device can be designed as a CVD reactor.
- the CVD reactor can be a horizontal reactor with a cylindrical coil. This can be an IR heater, as already described above.
- the substrate or a susceptor holding the substrate can also be resistance heated.
- the coil may be located within the reactor housing but outside a process chamber housing.
- the screen elements can have the shape of flat panels that are driven in rotation about their longitudinal axes or that can be moved parallel to their longitudinal axes. It is considered advantageous if the shielding elements remain within a heat transfer space in all phases of operation of the device, through which heat is released from the substrate or susceptor to the cold area.
- a heat transfer space is defined in particular on the one side by the heated surface of the susceptor that is to be cooled in order to change the substrate and on the other side by a cooled surface in particular opposite the substrate or the susceptor.
- the two surfaces can be the same size, so that the heat transfer space is a cylinder that can have both a circular cross-sectional area and a polygonal cross-sectional area.
- the heat transfer space can also have the shape of a truncated cone or truncated pyramid.
- the shielding device forms a heat shield arrangement which has an active area which is at least twice as large during heating of the substrate or the susceptor as an active area during cooling of the substrate or the susceptor.
- the device can be a warm wall reactor, a planetary reactor or a showerhead reactor.
- a previously described device is first heated from a first moderate temperature, which can be, for example, between 50 ° C and 200 ° C, at which the device has been loaded with a substrate, to an elevated temperature, which can be over 1000°C.
- a first moderate temperature which can be, for example, between 50 ° C and 200 ° C, at which the device has been loaded with a substrate
- an elevated temperature which can be over 1000°C.
- the shielding elements are operated in the first operating position so that they provide maximum shielding effect to the heat flow from the substrate to the cold area. Thermal radiation emitted by the substrate is reflected on the particularly highly reflective surface of the screen elements.
- the shielding elements are kept in the first operating position. However, it can also be provided that the shielding elements are brought into an intermediate position during the process phase, so that the heat flow from the substrate is increased.
- the substrate temperature varies. It can also be provided that only some of the shielding elements are adjusted locally differently during the process phase, so that the heat flow from the substrate can be increased in zones and the substrate temperature or the susceptor temperature can thus be influenced in zones.
- several sets of shielding elements can be provided, which can be moved back and forth together between the operating positions, with the shielding elements of different sets being able to assume different operating positions.
- the sets of different shielding elements can be arranged one behind the other in a flow direction of a process gas through the process chamber. But they can also lie next to each other in the direction of flow.
- the different sets of screen elements are arranged around a common center.
- shielding elements there can be a central zone in which shielding elements are arranged, which can be changed in terms of their operating position independently of one or more radially outer zones.
- the shielding elements are brought into the second operating position, in which they develop their minimum shielding effect, so that the heat flow from the substrate to the cold area is maximum.
- the installation space can also be reduced because the shielding elements do not leave the heat transfer space when adjusted, but lie in both operating positions between the cold area and the hot area to be cooled.
- a control device or a control device can be provided with which the operating positions of the screen elements can be changed.
- the control device can interact with a sensor, in particular a temperature sensor, for example with a pyrometer.
- a control device interacts with one or more sensors in order to regulate a surface temperature of a susceptor or the substrate to a constant value.
- the regulation of the temperature takes place by adjusting the shielding elements of one or more zones or sets of shielding elements.
- the sensor is a pyrometer
- an opening is provided in particular in the housing cover, which can be flushed with an inert gas and/or which is closed with a window.
- An optical path leads through this opening to the susceptor or to the substrate.
- the optical path can run through a screen element.
- the screen element can have an opening there through which the optical path passes.
- the opening can be a slot.
- Fig. 1 shows schematically a first exemplary embodiment of the invention in the manner of a vertical section through a reactor housing of a CVD reactor, with shielding elements 6 which can be pivoted about axes 9 assuming their first operating position, in which they have a maximum shielding effect on a heat flow 7 from a susceptor 13 to one exercise cooling device 2,
- Fig. 2 shows the section approximately along line II-II in Figure 1
- FIG. 3 shows a representation according to FIG. 1, with the shielding elements 6 assuming their second operating position, in which they exert a minimal shielding effect on the heat flow 7, 4 shows a representation according to FIG. 1, with the shielding elements 6 assuming an intermediate position,
- FIG. 5 shows a second exemplary embodiment in a representation according to FIG. 1, with shielding elements 6' that can be moved in a horizontal plane being arranged in the area between gaps between shielding elements 6 and thus exerting a maximum shielding effect,
- FIG. 6 shows the second exemplary embodiment in a representation according to FIG. 3, whereby the shielding elements 6' are brought into a complete overlapping position with the shielding elements 6 and thus exert a minimal shielding effect
- FIG. 7 shows the second exemplary embodiment in a representation according to FIG. 4, with the shielding elements 6' lying in an intermediate position
- FIG. 9 shows a third exemplary embodiment of the invention in a plan view, the shielding elements 6, 6' being formed by sector-shaped sections of a circular disk-shaped shielding element carrier 23,
- Fig. 9a shows a variant of the third exemplary embodiment, in which the screen elements 6, 6 'are arranged over two zones extending concentrically to a center 9 and the Have the screen elements 6, 6' of the different zones individually adjusted,
- FIG. 11 shows a representation according to FIG. 10, wherein the shielding elements 6' are brought into a complete overlapping position with the shielding elements 6 and thus exert a minimal shielding effect
- FIG. 12 shows a representation according to FIG. 10, with the shielding elements 6' assuming an intermediate position
- Fig. 13 shows a fourth embodiment of the invention in the form of a single horizontal reactor for depositing SiC layers on substrates 3, which are arranged in a process chamber 11, which can be heated from all four circumferences with a heating device 4, with between one lower heating device 4 and a lower cold area 2 and between an upper heating device 4 and an upper cold area 2 a shielding device 5 consisting of several shielding elements 6 is arranged,
- the shielding device 5 is located between an upper wall of the process chamber 11 and the upper heating element. device 4 and is arranged between a lower wall of the process chamber 11 and a lower heating device 4,
- a susceptor 13 carries a plurality of substrates arranged around a central gas inlet element 14, the susceptor 13 can be rotated and the substrates 3 can lie on rotatable plates and a shielding device 5 between a heating device 4, which is arranged below the susceptor 13 and is arranged in a cooled area 2,
- FIG. 16 shows a seventh exemplary embodiment of the invention, in which the gas inlet element 14 is designed as a showerhead and the heating device 4 and the shielding device 5 are arranged as in the sixth exemplary embodiment,
- Fig. 17 shows an eighth exemplary embodiment, in which the heating device 4 is a resistance heater or a lamp heater with which the substrate 3 lying on a transparent susceptor 13 is heated directly by thermal radiation and a shielding device 5 is arranged between the heating device 4 and a cooled area 2 ,
- the heating device 4 is a resistance heater or a lamp heater with which the substrate 3 lying on a transparent susceptor 13 is heated directly by thermal radiation and a shielding device 5 is arranged between the heating device 4 and a cooled area 2 ,
- Fig. 18 shows in perspective and partially broken away a ninth exemplary embodiment of the invention, in which the shielding elements 6 of an upper shielding device 5 and a lower shielding device 5 each have a ceiling plate or a base plate of a reactor housing 1 are connected, the shielding elements 6 being pivotable,
- FIG. 21 shows the detail XX in FIG. 19, but with shielding elements 6 in the first operating position, in which a highly reflective surface of an insert 22 of the shielding element 6 points away from the cold area 2,
- FIG. 22 is a perspective view of four strip-shaped shielding elements 6 coupled to a coupling rod 17 in the second operating position
- FIG. 23 shows the shielding elements 6 shown in FIG. 23 in the first operating position
- Figures 1 to 12 essentially show schematically application examples and embodiment examples of shielding devices 5 according to the invention on a CVD reactor.
- a gas supply line which can be made of stainless steel and can be evacuated, a gas supply line, not shown, opens into a gas inlet element 14, which is only shown in some figures.
- Process gases are fed into a process chamber 11 with the gas inlet element 14.
- a substrate 3 that is to be coated in a thermal treatment step.
- silicon carbide can be deposited on the substrate 3 by simultaneously feeding in silane and methane or another silicon compound or carbon compound.
- a susceptor 13 carrying the substrate 3 is brought to a process temperature of over 1000 ° C using a heating device 4, for example an IR heating device.
- the process gases react with each other or with the substrate 3 in such a way that a silicon carbide layer is deposited on the surface of the substrate 3.
- Gaseous reaction products are removed through a gas outlet element, not shown.
- Gases and elements of III. can also be used in the device. and IV. Main group are used to deposit III-V layers.
- a power designated by reference number 8 flows from the heating device 4 to the susceptor 13 and a heat flow 7 flows from the susceptor 13 or from the substrate 3 resting on the susceptor 3 away from the susceptor 13 towards a cold area 2 of the reactor housing 1.
- the cold area 2 can be a cooled wall of the reactor housing 1.
- Figures 2 to 12 show various shielding devices 5.
- these shielding devices 5 are intended to shield and, as far as possible, reflect the heat flow 7 flowing from the susceptor 13 in the direction of the cold area 2, so that the greatest possible heat return 7 'from the shielding elements 6 to the substrate 3 or susceptor 13 is set. This minimizes the heating phase or uses less energy.
- the shielding elements 6 are adjusted within the heat transfer path in such a way that the heat return 7' from the shielding elements 6 to the substrate 3 or to the susceptor 13 is minimized. This shortens the cooling phase.
- the shielding elements 6 exert a reduced shielding effect. While the shielding elements 6 form a highly reflective surface that is as closed as possible in the first operating position and leave as large a surface as possible between them in the second operating position, the reflective surface can be changed in various intermediate positions. This allows the heat flow from the substrate or susceptor to be influenced and thus in turn the substrate temperature or susceptor temperature. All screen elements 6 can be coupled to one another. However, they can also be linked to one another in zones or be individually adjustable so that the effect influencing the temperature can be limited locally.
- the shielding elements are narrow strips that are highly reflective at least on one side. are animal-based. In the first operating position (see Figure 1), this highly reflective surface faces the substrate 3 or susceptor 13.
- An axis of rotation extends in the longitudinal center of the shielding element 6, around which the shielding element 6 rotates 90 degrees between those in Figures 1 and 3 positions shown can be pivoted. 3, a narrow side of the shielding element 6 points in the direction of the substrate 3 or the susceptor 13.
- the axis of rotation 9 here runs in a plane parallel to the plane of extension of the substrate 3 or the susceptor 13.
- the axes of rotation 9 of all the shielding elements 6 run parallel to each other.
- the shielding elements 6, 6' are displaceable in a plane that extends parallel to the plane of the substrate 3 or the susceptor 13.
- the screen elements 6 form a first set which is arranged in a first horizontal plane.
- the screen elements 6 are spaced apart from each other in the vertical direction by the extent of their width.
- These screen elements 6 ' can also be spaced apart from each other by the extent of their width.
- the screen elements 6, 6' are otherwise identical.
- the two sets of screen elements 6, 6' can be moved relative to one another, so that the screen elements 6, 6' can be brought from a side-by-side position, in which they fill the respective gaps between the other screen elements 6, 6', into an overlapping position in which the shielding elements 6 lie above the shielding elements 6' and the gaps between the shielding elements 6, 6' are free for heat radiation to pass through.
- the exemplary embodiment shown in FIGS. 9 to 12 has sector-shaped screen elements 6, 6'.
- shielding elements 6 belong to a first shielding element carrier 23 and shielding elements 6' belong to a second shielding element carrier 23'.
- the two screen element supports 23, 23' are of the same design and have sector-shaped screen elements 6, 6' arranged around a center, between which free spaces 24, 24' extend, the area of which corresponds to the surfaces of the screen elements 6, 6'.
- the free spaces 24, 24' can be closed, completely open or partially closed in an intermediate position.
- Figure 9a shows a variant of the exemplary embodiment shown in Figure 9.
- First screen elements 6, 6' are located in an inner zone 32, which extends around the axis 9.
- the shielding elements 6, 6' are mounted between a central ring element 34 and a central element 33 and can be displaced in the circumferential direction about the axis 9 in such a way that they can be brought from a side-by-side position into a covered position. But it is also possible to pivot the screen elements 6, 6 'in the radial direction, relative to the axis 9.
- the radially inner zone 32 is surrounded by a radially outer zone 31.
- the shielding elements 6, 6' lie between an outer ring element 35 and the middle ring element 34.
- the shielding elements 6, 6' arranged in the radially outer zone 31 can be arranged independently of the shielding elements 6, 6' arranged in the inner zone 32. 6' can be relocated.
- the screen elements 6, 6' of the outer zone 31 can be moved back and forth between a side-by-side layer and a covered layer. But you can also move in the plane of extension of the screen elements - Arrangement lying pivot axes that run radially to the axis 9 are pivoted.
- a process chamber 11 is located within a reactor housing 1 between two cooled walls that form cold areas 2.
- the process chamber 11 can have a solid housing wall.
- a gas inlet element, not shown, opens into the process chamber 11.
- a gas outlet element, not shown, is also provided.
- Inside the process chamber 11 there is a susceptor 13 which carries a single substrate 3.
- Reference number 12 shows an upper and a lower wall that is transparent to alternating electromagnetic fields.
- the process chamber 11 can be encased all around.
- the casing formed by the walls 12 may be tubular. This can be a pipe with a circular cross-section or a rectangular cross-section.
- a heating device 4 can be arranged around this casing 12.
- the heating device 4 can be a helical coil that surrounds the walls 12.
- the coil of the heating device 4 can generate an alternating electromagnetic field which generates eddy currents within the susceptor 13 and thus heats the susceptor 13.
- the two heating devices 4, 5 can also be designed as spiral-shaped coils extending in one plane, with which a heating effect is only generated in the area of two opposing walls 12.
- a shielding device 5 is provided below the heating device 4 and above the heating device 4.
- the screen device 5 can have a configuration as described above.
- the fifth exemplary embodiment shown in FIG. 14 essentially only differs from the exemplary embodiment shown in FIG. 13 in that the shielding device 5 is arranged not between the heating device 4 and the cold area, but between the process chamber 11 and the heating device 4.
- the heating device may be a coil formed by a tube.
- a coolant can flow through the pipe, so that the heating device 4 cools the cold B
- the shielding elements 6 can be made of metal, in the embodiment shown in Figure 14, the shielding elements 6 must be made of a material that is transparent to high-frequency alternating electromagnetic fields.
- a gas inlet member 14 opens into a center of a horizontal reactor, in which a plurality of substrates 3 are arranged in a ring around the center on a susceptor 13, which can be rotated about an axis of rotation, not shown .
- the substrates 13 can in turn lie on substrate carriers, which can also be rotated about axes of rotation.
- the susceptor 13 can be heated with an IR heater 4.
- a process chamber ceiling 12 can either be cooled or heated here.
- the shielding device 5 is here between one of the bottom of the reactor housing 1 formed cold area 2, which can be actively cooled, and the heating device 4 arranged.
- FIG 16 shows an exemplary embodiment similar to that of FIG with a large number of evenly arranged gas outlet openings.
- heating devices 4 are provided which heat the substrate 3 directly.
- the substrate 3 can, for example, rest on a support 13 that is transparent to thermal radiation.
- the heating device 4 can be an eamp heater which heats the substrate 3 directly by thermal radiation.
- a showerhead is shown here as the gas inlet element 14. However, other gas inlet organs 14 can also be used.
- the shielding device 5 is arranged here between the lamp heater 4 and the cold process chamber floor 2.
- Figures 18 to 23 show a preferred exemplary embodiment for depositing SiC.
- a process gas is fed into a process chamber 11, shown only in dashed lines, which, as in the exemplary embodiment shown in FIG. 13, can be tubular and which can be surrounded by a cylindrical heating coil 4
- Process chamber 11 reacts chemically so that a silicon carbide layer is deposited on a substrate 3. Reaction products can be transported away through a gas outlet element indicated by reference number 15. The substrate can be brought into the process chamber 11 via a loading opening 16 or removed from it again.
- the optical path 28 runs through an opening 25 in the housing ceiling.
- the opening 25 can be closed with a window and flushed with an inert gas.
- the optical path 28 runs between the opening 25 and the surface of the substrate 3 or the susceptor 13.
- a screen element 6, which is located immediately below the opening 25, can have an opening through which the optical path 28 passes even if this Shielding element 6 develops its greatest shielding effect.
- the optical path 28 runs in particular through a slot 26 arranged in the screen element 6.
- the shielding elements 6 can be displaced between their operating positions using an actuator 30. 24 shows only one actuating element 30. Several sets of shielding elements 6 are arranged on the floor of the reactor housing and on the ceiling of the reactor housing, the shielding elements 6 of each set being able to be displaced by a respective actuator 30 independently of the shielding elements of another set .
- the shielding elements 6 of the different sets can be adjusted in such a way that the individually set shielding effects Temperature of the surface of the substrate 3 or the susceptor 13 can be regulated against a setpoint.
- the shielding elements 6 are designed as strips which can be pivoted about an axis 9, with the pivot bearings being arranged directly on the floor or on the ceiling of the reactor housing 1. Both the floor and the ceiling each form cold areas 2, which can also be formed by an active cooling device.
- strip-shaped screen elements 6 are articulated by means of a coupling rod 17 via an axis 18 on a short arm of a screen element 6, so that a linear displacement of the coupling rod 17 leads to a simultaneous pivoting displacement of several screen elements 6.
- the shielding elements 6 can thus be pivoted zone by zone between a first operating position shown in FIG. 21, in which they develop a high shielding effect, and a second operating position shown in FIG. 20, in which they develop a low shielding effect.
- the shielding elements 6 can be fastened to the floor or ceiling of the reactor housing 1 using a support 19, which can be formed by a strip.
- the carrier 19 can lie in a groove. In the first operating position, the shielding elements can rest against a surface of the base or the lid with a rear broad side surface.
- the shielding element 6 can have a shielding body 21 with a recess in which an insert 22 is inserted.
- the shielding elements 6 protrude essentially vertically from the floor or ceiling.
- bearing blocks 20 can be provided, with which the shielding elements 6 are fastened to the floor or to the ceiling.
- the invention relates to a device for thermally treating a substrate 3 with a heating device 4 arranged in a reactor housing 1 for heating the substrate 3, with a power or heat flow 8 from a heating device 4 to a substrate 3 when heating the device and a heat flow when cooling 7 flows from the substrate 3 to a cold area 2.
- a shielding device 5 for influencing the heat flow 7 is proposed, which is adjustable between a first and a second operating position, the shielding device 5 having a plurality of shielding elements 6, 6 'that can be moved relative to one another.
- the invention relates in particular to a device in which the substrate 3 or a susceptor 13 carrying the substrate 3 is heated by a cooled heating device 4 which generates an alternating electromagnetic field which forms eddy currents in the substrate 3 or the susceptor 13.
- a heat return from the substrate 3 or susceptor 13 to the heating device 4 can be modulated with the shielding elements 6, 6'.
- a device which is characterized in that the shielding elements (6, 6') are permeable to the alternating electromagnetic fields.
- a device which is characterized in that the pivot axis 18 runs in the area of a longitudinal edge of the shield element 6 and is arranged near the floor or the ceiling of the reactor housing 1.
- a device which is characterized in that the shielding elements 6 are fastened to the reactor housing 1 by means of bearing blocks 20 arranged in the area of the narrow edges of the shielding elements 6, with the pivot axes 18 running through the bearing blocks 20.
- a device which is characterized in that a plurality of shielding elements 6 arranged adjustably on the floor or on the ceiling of the reactor housing are coupled to one another by means of a coupling rod 17, with a linear displacement of the coupling rod 17 leading to a simultaneous pivoting displacement of several shielding elements 6.
- a device which is characterized in that at least two screen elements 6, 6' are arranged so that they at least partially overlap in the second operating position.
- a device which is characterized in that the axes of rotation 6 of several or all of the shielding elements 6 run perpendicular to the direction of the heat flow 7 and extend parallel to one another.
- a device which is characterized in that the shielding elements 6 form a closed shielding surface in the first operating position and are rotated in particular by 90 degrees relative to the first operating position in the second operating position.
- a device which is characterized in that two screen element supports 23, 23' form screen elements 6, 6' which can be displaced in two planes arranged parallel to one another, the screen element supports 23, 23' being rotatable relative to one another about an axis of rotation 9 perpendicular to the planes are or can be moved relative to one another in the levels and where A free space 24, 24' is arranged between the screen elements 6, 6' of the screen element supports 23, 23', the surface extent of which corresponds to the surface extent of the adjacent screen element 6, 6'.
- a device which is characterized in that the screen elements 6, 6' are narrow, rectangular strips or sectors of a circle and/or in that the screen elements 6, 6' have a surface facing the substrate 3 which has a reflectance greater than 0.6 or has an absorption coefficient of less than 0.4 and/or that the one or more shielding elements 6, 6' are independently adjustable and/or that the shielding elements 6, 6' are transparent to high-frequency alternating electromagnetic fields.
- a method which is characterized in that at least one or more of the shielding elements 6, 6' of the shielding device 5 assume an intermediate position between the first and second operating positions during a substrate treatment step.
- cooling device24 free space 24' free space
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Abstract
Die Erfindung betrifft eine Vorrichtung zum thermischen Behandeln eines Substrates (3) mit einer in einem Reaktorgehäuse (1) angeordneten Heizeinrichtung (4) zum Aufheizen des Substrates (3), wobei beim Aufheizen der Vorrichtung ein Wärmefluss (8) von einer Heizeinrichtung (4) zu einem Substrat (3) und beim Abkühlen ein Wärmefluss (7) vom Substrat (3) zu einem kalten Bereich (2) fließt. Zur Minimierung der Zeiten des Aufheizens und des Abkühlens wird eine Schirmeinrichtung (5) zur Beeinflussung des Wärmeflusses (7) vorgeschlagen, die zwischen einer ersten und einer zweiten Betriebsstellung verstellbar ist, wobei die Schirmeinrichtung (5) mehrere relativ zueinander bewegbare Schirmelemente (6, 6') aufweist.
Description
Beschreibung
Vorrichtung und Verfahren zum Behandeln eines Substrates
Gebiet der Technik
[0001] Die Erfindung betrifft eine Vorrichtung zum thermischen Behandeln eines Substrates mit einer in einem Reaktorgehäuse angeordneten Heizeinrichtung zum Aufheizen des Substrates, wobei im Reaktorgehäuse ein kalter Bereich derart angeordnet ist, dass vom aufgeheizten Substrat entlang einer Wärmeübertragungsstrecke ein Wärmefluss zum kalten Bereich fließt, und mit einer in der Wärmeübertragungsstrecke angeordneten Schirmeinrichtung, die zwischen einer ersten und einer zweiten Betriebsstellung verstellbar ist, wobei die Schirmeinrichtung in der ersten Betriebsstellung eine größere Schirmwirkung auf den Wärmefluss ausübt als in der zweiten Betriebsstellung.
[0002] Die Erfindung betrifft darüber hinaus ein Verfahren zum Behandeln eines Substrates in einer derartigen Vorrichtung.
Stand der Technik
[0003] Eine derartige Vorrichtung dient insbesondere zum Abscheiden von SiC. Bei einem erfindungsgemäßen Verfahren werden Substrate, die mit einer SiC-Schicht beschichtet werden sollen, beispielsweise durch eine Be- und Entladeöffnung eines Reaktorgehäuses in das Reaktorgehäuse gebracht, wo sich eine Prozesskammer befindet, die einen Suszeptor aufweist, auf den zumindest ein Substrat aufgelegt wird. Dies kann bei einer moderat erhöhten Temperatur, aber auch bei Temperaturen bis 1000°C erfolgen. Die Be- und Entladeöffnung wird geschlossen. Die Prozesskammer wird mit einer Heizeinrichtung auf eine Prozesstemperatur aufgeheizt. Bei dieser Prozesstemperatur werden nach eventuellen vorbereitenden Prozessschritten ein oder mehrere Schichten auf das
Substrat abgeschieden. Danach wird die Prozesskammer und insbesondere der Suszeptor, auf dem das Substrat liegt, oder das Substrat, falls es frei in der Prozesskammer gehalten ist, auf die moderate erhöhte Temperatur abgekühlt, um anschließend durch die Be- und Entladeöffnung aus der Prozesskammer entnommen zu werden. Daran anschließend kann sich der Prozess mit einem weiteren Substrat wiederholen. Um die Zykluszeit, die nicht nur die Prozessschritte, sondern auch die Aufheiz- und Abkühlschritte umfasst, zu minimieren, schlägt die US 8,430,965 B2 eine Schirmeinrichtung vor, die eine hoch- reflektive Oberfläche aufweist und die während des Aufheizens in eine Wärmetransportstrecke gebracht wird, über die vom Substrat Wärme zu einem kalten Bereich des Reaktorgehäuses übertragen wird. Hierdurch vermindert sich der Wärmeabfluss vom Substrat. Beim Abkühlen des Substrates wird die Schirmeinrichtung aus der Wärmetransportstrecke entfernt, sodass der Wärmeabfluss vom Substrat erhöht wird.
[0004] Schirmeinrichtungen, die zu anderen Zwecken bei CVD-Reaktoren oder dergleichen verwendet werden, sind insbesondere bekannt aus der DE 102010 000447 Al oder der DE 102017103 055 Al, welche eine aus mehreren Teilplatten bestehende Schirmplatte offenbart.
[0005] Die DE 10 2009049954 Al beschreibt eine Vorrichtung zum Temperieren von Substraten mit einer Schirmeinrichtung, die eine Vielzahl von verstellbaren Schirmelementen aufweist.
Zusammenfassung der Erfindung
[0006] Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, eine mit einfachen Mitteln von einer ersten in eine zweite Betriebs Stellung bringbare und platzsparend angeordnete Schirmeinrichtung anzugeben.
[0007] Gelöst wird die Aufgabe durch die in den Ansprüchen angegebene Erfindung. Die Unteransprüche stellen nicht nur vorteilhafte Weiterbildungen der in den nebengeordneten Ansprüchen angegebenen Erfindung, sondern auch eigenständige Lösungen der Aufgabe dar.
[0008] Die erfindungsgemäße Schirmeinrichtung besitzt mehrere relativ zueinander bewegbare Schirmelemente. Es kann von Vorteil sein, wenn diese Schirmelemente während der Verlagerung der Schirmeinrichtung zwischen der ersten und der zweiten Betriebsstellung innerhalb eines Wärmeübertragungsraums bleiben, durch den der Wärmefluss hindurchfließt. Die Schirmelemente können verschiedene Oberflächenabschnitte aufweisen, die wahlweise in die Richtung des Wärmeflusses gebracht werden können. Es ist aber auch möglich, dass die Schirmeinrichtung aus nur einem Schirmelement besteht, das beim Verstellen zwischen den beiden Betriebs Stellungen verdreht wird. Es kann einen großflächigen Oberflächenabschnitt aufweisen, der in der ersten Betriebsstellung eine große Schirmwirkung auf den Wärmefluss ausübt. Es kann einen kleinflächigen Oberflächenabschnitt aufweisen, der in der zweiten Betriebsstellung eine kleine Schirmwirkung auf den Wärmefluss ausübt. So kann beispielsweise vorgesehen sein, dass ein oder mehrere Schirmelemente flache, insbesondere rechteckige Streifen sind, die eine Breitseitenfläche und eine Schmalseitenfläche aufweisen. Die Schirmelemente können derart um eine Drehachse verdreht werden, dass sie in der ersten Betriebs Stellung ihre Breitseitenfläche dem Wärmefluss entgegensetzen und in der zweiten Betriebsstellung ihre Schmalseitenfläche. Die Drehachse der ein oder mehreren Schirmelemente kann eine Richtungskomponente aufweisen, die senkrecht zur Richtung des Wärmeflusses verläuft. Bevorzugt verläuft aber die Drehachse selbst senkrecht zur Richtung des Wärmeflusses oder zumindest im Wesentlichen senkrecht dazu. Zwischen den beiden Betriebsstellungen können sich die Schirmelemente um beispielsweise 90 Grad verschwenken. Die Schirmelemente
können sich aber auch um andere, beispielsweise kleinere oder größere Winkel ver schwenken, wobei dieser Winkel auch in einem Bereich zwischen 45 und 90 Grad liegen kann. Gemäß einer Variante der Erfindung kann vorgesehen sein, dass sich zumindest zwei Schirmelemente gegeneinander verschieben lassen, sodass sie in der ersten Betriebsstellung im Wesentlichen nebeneinander liegen und in der zweiten Betriebsstellung sich zumindest teilweise oder vollständig überlappen. Die Schirm elemente können jeweils einem Schirmelementeträger zugeordnet sein. Der Schirmelementeträger kann einen rechteckigen Grundriss oder einen kreisförmigen Grundriss aufweisen. Ein Schirmelementeträger, der einen rechteckigen Grundriss aufweist, kann mehrere parallel zueinander angeordnete und sich in einer Ebene erstreckende schmale rechteckige Schirmelemente aufweisen, zwischen denen sich ein Freiraum erstreckt, der in etwa die gleiche Flächenerstreckung aufweist, wie die Schirmelemente. Durch ein relatives Verschieben der in unterschiedlichen, aber parallel zueinander verlaufenden Ebenen angeordneten Schirmelementeträger können die Schirmelemente in eine Überlappungslage gebracht werden, in der ein Wärmefluss durch die Freiräume hindurchtreten kann. In der Überlappungslage liegen die Schirmelemente sich gegenseitig überdeckend übereinander. Die Abschirmwirkung hängt dann von dem Grad der Überdeckung ab. In der ersten Betriebsstellung liegen die Schirmelemente derart versetzt zueinander, dass sie die Freiräume des jeweils anderen Schirm elementeträgers verschließen. Alternativ dazu können die Schirmelemente aber auch Kreissektoren sein. Die beiden dann kreisförmigen Schirmelementeträger können um eine Drehachse relativ zueinander verdreht werden, sodass entweder die Freiräume verschlossen sind oder sich die Schirmelemente überlappen. Einer der beiden Schirmelementeträger kann fest mit dem Reaktorgehäuse verbunden sein. Der andere Schirmelementeträger kann um eine Drehachse verdreht werden. Bevorzugt erstreckt sich die Drehachse parallel zur Richtung des Wärmeflusses. Es können ein oder mehrere Heizeinrichtungen vorgesehen sein. Eine Prozesskammer
kann zwischen zwei Heizeinrichtungen angeordnet sein, sodass die Prozesskammer beispielsweise von unten oder von oben beheizt wird. Eine Prozesskammer kann auch innerhalb einer Heizeinrichtung angeordnet sein, wie es beispielsweise der oben genannte Stand der Technik zeigt, bei dem sich eine Spule um die Prozesskammer erstreckt, die ein hochfrequentes elektromagnetisches Wechselfeld erzeugt. Innerhalb der Prozesskammer können Körper aus elektrisch leitendem Material vorhanden sein. Beispielsweise können die Wände der Prozesskammer aus Graphit gefertigt sein. Es ist aber auch möglich, dass die Prozesskammer einen Suszeptor aus Graphit besitzt. In diesen elektrisch leitenden Körpern werden Wirbelströme erzeugt, die die Körper aufheizen.
[0009] Die Wirbelströme werden induktiv durch elektromagnetische Wechselfelder erzeugt. Die elektromagnetischen Wechselfelder werden von einem Heizelement erzeugt. Das Heizelement kann aber auch einen kalten Bereich ausbilden, wenn es beispielsweise von einer gekühlten Spule ausgebildet ist.
[0010] Es ist aber auch möglich, die Wände der Prozesskammer oder den Suszeptor durch Wärmestrahlung aufzuheizen. Es kann ferner vorgesehen sein, dass eine Spule, bei der es sich um eine Wendeigangspule handeln kann oder bei der es sich um eine Spiralspule handeln kann, eine Höhlung aufweist, durch die ein Kühlmittel fließt, um die Spule zu kühlen. Die Spule hat dann nicht nur die Funktion, einen Energiefluss zu liefern, mit dem ein Suszeptor oder ein Substrat auf geheizt wird, sondern bildet zugleich eine Wärmesenke. Bei einer derartigen Anordnung kann die Schirmeinrichtung zwischen der Spule und dem Suszeptor beziehungsweise dem Substrat angeordnet sein. Ist die Spule oberhalb einer Prozesskammerdecke angeordnet, so kann die Schirmeinrichtung zwischen einer Deckenplatte und der Heizeinrichtung, beispielsweise der Spule, angeordnet sein. Bei einer derartigen Konstellation erweist es sich von Vorteil, wenn die Schirmeinrichtung für elektromagnetische Wechselfelder im
Bereich von 10 kHz transparent ist. Die Anordnung der Heizeinrichtung kann so gewählt sein, dass der von ihr erzeugte Energiefluss zum Substrat oder zum Suszeptor durch denselben Raum fließt, durch den auch die Wärme fließt, die das Substrat oder der Suszeptor an den kalten Bereich, beispielsweise an eine aktiv gekühlte Zone des Reaktorgehäuses, abgibt. Die Schirmelemente haben bevorzugt zumindest eine Oberfläche, die einen hohen Reflexionsgrad oder einen geringen Absorptionsgrad aufweisen. Der Reflexions grad für Wärmestrahlung soll bevorzugt größer als 0,6 sein. Er kann aber auch größer als 0,7 oder 0,8 sein. Der Absorptions grad für Wärmestrahlung soll bevorzugt kleiner als 0,4 sein. Er kann aber auch kleiner als 0,3 oder kleiner als 0,2 sein. Die Oberfläche ist insbesondere hochreflektierend. Der Reflexionsgrad des Schirmelementes ist insbesondere größer als der Reflexionsgrad des kalten Bereichs. Die Schirmelemente sollen für Wärmestrahlung intransparent sein. Es ist vorteilhaft, wenn die Schirmelemente auch unabhängig voneinander verstellbar sind. Es ist aber auch vorgesehen, dass die Schirmelemente aneinander gekoppelt sind oder dass zumindest einige der Schirmelemente aneinander gekoppelt sind, sodass sie von einem gemeinschaftlichen Antrieb bewegt werden können. Die Vorrichtung kann als CVD-Reaktor ausgebildet sein. Der CVD-Reaktor kann ein Horizontalreaktor mit einer zylinderförmigen Spule sein. Es kann sich dabei um eine IR-Heizung handeln, wie sie oben bereits beschrieben worden ist. Das Substrat oder ein das Substrat haltender Suszeptor kann aber auch widerstandsbeheizt sein. Die Spule kann innerhalb des Reaktorgehäuses, aber außerhalb eines Prozesskammergehäuses angeordnet sein. Die Schirmelemente können die Gestalt von flachen Blenden haben, die um ihre Längsachsen rotativ angetrieben werden oder die parallel zu ihren Längsachsen verschoben werden können. Es wird als vorteilhaft angesehen, wenn die Schirmelemente in allen Phasen des Betriebs der Vorrichtung innerhalb eines Wärmeübertragungsraums bleiben, durch den Wärme vom Substrat beziehungsweise Suszeptor zum kalten Bereich abgegeben wird. Ein derartiger Wärmeübertragungsraum
wird insbesondere auf der einen Seite durch die beheizte und zum Wechseln des Substrates abzukühlende Fläche des Suszeptors und auf der anderen Seite durch eine insbesondere dem Substrat oder dem Suszeptor gegenüberliegende gekühlte Fläche definiert. Die beiden Flächen können gleichgroß sein, sodass der Wärmeübertragungsraum ein Zylinder ist, der sowohl eine kreisrunde Querschnittsfläche als auch eine polygonale Querschnittsfläche aufweisen kann. Der Wärmeübertragungsraum kann aber auch die Form eines Kegelstumpfes oder Pyramidenstumpfes haben. Bei einer bevorzugten Ausgestaltung kann vorgesehen sein, dass die Schirmeinrichtung eine Hitzeschildanordnung ausbildet, die eine aktive Fläche besitzt, die während des Aufheizens des Substrates oder des Suszeptors mindestens doppelt so groß ist, wie eine aktive Fläche während des Abkühlens des Substrates oder des Suszeptors. Die Vorrichtung kann ein Warmwandreaktor, ein Planetenreaktor oder ein Shower- headreaktor sein.
[0011] Gemäß dem erfindungsgemäßen Verfahren wird eine zuvor beschriebene Vorrichtung zunächst von einer ersten moderaten Temperatur, die beispielsweise zwischen 50°C und 200°C liegen kann, bei der die Vorrichtung mit einem Substrat beladen worden ist, auf eine erhöhte Temperatur aufgeheizt, die über 1000°C betragen kann. Während dieser Aufheizphase werden die Schirmelemente in der ersten Betriebsstellung betrieben, sodass sie dem Wärmefluss vom Substrat zum kalten Bereich eine maximale Schirmwirkung entgegenbringen. Vom Substrat abgegebene Wärmestrahlung wird an der insbesondere hochreflektiven Oberfläche der Schirm elemente reflektiert. Während der Prozessphase, die ebenfalls bei Temperaturen über 1000°C stattfinden kann, werden die Schirmelemente in der ersten Betriebsstellung gehalten. Es kann aber auch vorgesehen sein, dass während der Prozessphase die Schirmelemente in eine Zwischenstellung gebracht werden, sodass damit der Wärmeabfluss vom Substrat erhöht wird. Hierdurch lässt sich durch Verstellen der Schirmelemente
die Substratemperatur variieren. Es kann auch vorgesehen sein, dass während der Prozessphase lokal verschieden nur einige der Schirmelemente verstellt werden, sodass zonenweise der Wärmeabfluss vom Substrat erhöht und damit zonenweise die Substratemperatur oder die Suszeptortemperatur beeinflusst werden kann. Hierzu können mehrere Sätze von Schirmelementen vorgesehen sein, die zusammen zwischen den Betriebs Stellungen hin- und herverlagert werden können, wobei die Schirmelemente unterschiedlicher Sätze verschiedene Betriebsstellungen einnehmen können. Die Sätze der verschiedenen Schirmelemente können in einer Strömungsrichtung eines Prozessgases durch die Prozesskammer hintereinanderliegend angeordnet sein. Sie können aber auch in Strömungsrichtung nebeneinander liegen. Ferner kann vorgesehen sein, dass die verschiedenen Sätze von Schirmelementen um ein gemeinsames Zentrum angeordnet sind. Bei einer derartigen Anordnung kann es eine zentrale Zone geben, in der Schirmelemente angeordnet sind, die unabhängig von ein oder mehreren radial äußeren Zonen hinsichtlich ihrer Betriebsstellung geändert werden können. Nach Beendigung der Prozessphase werden die Schirmelemente in die zweite Betriebsstellung gebracht, in der sie ihre minimale Schirmwirkung entfalten, sodass der Wärmefluss vom Substrat zum kalten Bereich maximal ist. Hierdurch lassen sich die Zykluszeiten vermindern. Der Bauraum kann ebenfalls vermindert sein, da die Schirmelemente beim Verstellen den Wärmeübertragungsraum nicht verlassen, sondern in beiden Betriebsstellungen zwischen dem kalten Bereich und dem zu kühlenden heißen Bereich liegen. Es kann eine Regeleinrichtung oder eine Steuereinrichtung vorgesehen sein, mit der die Betriebsstellungen der Schirmelemente verändert werden kann. Die Steuereinrichtung kann mit einem Sensor, insbesondere einem Temperatursensor, bspw. mit einem Pyrometer Zusammenwirken. Es ist aber auch vorgesehen, dass eine Regeleinrichtung mit ein oder mehreren Sensoren zusammenwirkt, um eine Oberflächentemperatur eines Suszeptors oder des Substrates auf einen konstanten Wert zu regeln. Die Regelung der Temperatur
erfolgt mit einer Verstellung der Schirmelemente der ein oder mehreren Zonen beziehungsweise Sätze von Schirmelementen. Handelt es sich bei dem Sensor um ein Pyrometer, so ist insbesondere in dem Gehäusedeckel eine Öffnung vorgesehen, die mit einem Inertgas gespült werden kann und/ oder die mit einem Fenster verschlossen ist. Durch diese Öffnung führt ein optischer Pfad zum Suszeptor oder zum Substrat. Der optische Pfad kann durch ein Schirmelement hindurch verlaufen. Das Schirmelement kann dort eine Öffnung besitzen, durch die der optische Pfad hindurchtritt. Die Öffnung kann ein Schlitz sein.
Kurze Beschreibung der Zeichnungen
[0012] Im Folgenden wird die Erfindung anhand von Ausführungsbeispielen näher erläutert. Es zeigen:
Fig. 1 schematisch ein erstes Ausführungsbeispiel der Erfindung in der Art eines Vertikalschnitts durch ein Reaktorgehäuse eines CVD-Reaktors, wobei um Achsen 9 verschwenkbare Schirmelemente 6 ihre erste Betriebsstellung einnehmen, in der sie eine maximale Schirmwirkung auf einen Wärmefluss 7 von einem Suszeptor 13 zu einer Kühleinrichtung 2 ausüben,
Fig. 2 den Schnitt etwa gemäß der Linie II-II in Figur 1,
Fig. 3 eine Darstellung gemäß Figur 1, wobei die Schirmelemente 6 ihre zweite Betriebsstellung einnehmen, in der sie eine minimale Schirmwirkung auf den Wärmefluss 7 ausüben,
Fig. 4 eine Darstellung gemäß Figur 1, wobei die Schirmelemente 6 eine Zwischenstellung einnehmen,
Fig. 5 ein zweites Ausführungsbeispiel in einer Darstellung gemäß Figur 1, wobei in einer Horizontalebene verschiebliche Schirmelemente 6' im Bereich zwischen Lücken zwischen Schirmelementen 6 angeordnet sind und somit eine maximale Schirmwirkung ausüben,
Fig. 6 das zweite Ausführungsbeispiel in einer Darstellung gemäß Figur 3, wobei die Schirmelemente 6' in eine vollständige Überlappungslage zu den Schirmelementen 6 gebracht sind und somit eine minimale Schirmwirkung ausüben,
Fig. 7 das zweite Ausführungsbeispiel in einer Darstellung gemäß Figur 4, wobei die Schirmelemente 6' in einer Zwischenstellung liegen,
Fig. 8 den Schnitt etwa gemäß der Linie VIII-VIII in Figur 7,
Fig. 9 ein drittes Ausführungsbeispiel der Erfindung in einer Draufsicht, wobei die Schirmelemente 6, 6' von sektorförmigen Abschnitten eines kreisscheibenförmigen Schirmelementeträgers 23 ausgebildet sind,
Fig. 9a eine Variante des dritten Ausführungsbeispiels, bei der die Schirmelemente 6, 6' sich über zwei konzentrisch zu einem Zentrum 9 erstreckenden Zonen angeordnet sind und sich die
Schirmelemente 6, 6' der voneinander verschiedenen Zonen individuell verstellen lassen,
Fig. 10 den Schnitt gemäß der Linie X-X in Figur 9, wobei die beweglichen Schirmelemente 6' im Bereich von Lücken zwischen festen Schirmelementen 6 angeordnet sind, diese ausfüllen und somit eine maximale Schirmwirkung ausüben,
Fig. 11 eine Darstellung gemäß Figur 10, wobei die Schirmelemente 6' in eine vollständige Überlappungslage zu den Schirmelementen 6 gebracht sind und somit eine minimale Schirmwirkung ausüben,
Fig. 12 eine Darstellung gemäß Figur 10, wobei die Schirmelemente 6' eine Zwischenstellung einnehmen,
Fig. 13 ein viertes Ausführungsbeispiel der Erfindung in Form eines Einzel-Horizontal-Reaktors zum Abscheiden von SiC-Schichten auf Substraten 3, die in einer Prozesskammer 11 angeordnet sind, die von allen vier Umfangs seifen mit einer Heizeinrichtung 4 beheizbar ist, wobei zwischen einer unteren Heizeinrichtung 4 und einem unteren kalten Bereich 2 und zwischen einer oberen Heizeinrichtung 4 und einem oberen kalten Bereich 2 jeweils eine aus mehreren Schirmelementen 6 bestehende Schirmeinrichtung 5 angeordnet ist,
Fig. 14 ein fünftes Ausführungsbeispiel, wobei, anders als beim vierten Ausführungsbeispiel, die Schirmeinrichtung 5 zwischen einer oberen Wandung der Prozesskammer 11 und der oberen Heiz-
einrichtung 4 und zwischen einer unteren Wandung der Prozesskammer 11 und einer unteren Heizeinrichtung 4 angeordnet ist,
Fig. 15 ein sechstes Ausführungsbeispiel der Erfindung, wobei ein Suszeptor 13 eine Vielzahl von um ein zentrales Gaseinlassorgan 14 angeordnete Substrate trägt, der Suszeptor 13 gedreht werden kann und die Substrate 3 auf drehbaren Tellern liegen können und eine Schirmeinrichtung 5 zwischen einer Heizeinrichtung 4, die unterhalb des Suszeptors 13 angeordnet ist und in einem gekühlten Bereich 2 angeordnet ist,
Fig. 16 ein siebtes Ausführungsbeispiel der Erfindung, bei dem das Gaseinlassorgan 14 als Showerhead ausgebildet ist und die Heizeinrichtung 4 und die Schirmeinrichtung 5 wie beim sechsten Ausführungsbeispiel angeordnet ist,
Fig. 17 ein achtes Ausführungsbeispiel, bei dem die Heizeinrichtung 4 eine Widerstandsheizung oder eine Lampenheizung ist, mit der das auf einem transparenten Suszeptor 13 liegende Substrat 3 unmittelbar durch Wärmestrahlung beheizt wird und eine Schirmeinrichtung 5 zwischen der Heizeinrichtung 4 und einem gekühlten Bereich 2 angeordnet ist,
Fig. 18 perspektivisch und teilweise aufgebrochen ein neuntes Ausführungsbeispiel der Erfindung, bei dem die Schirmelemente 6 einer oberen Schirmeinrichtung 5 und einer unteren Schirmeinrichtung 5 jeweils mit einer Deckenplatte beziehungsweise
einer Bodenplatte eines Reaktorgehäuses 1 verbunden sind, wobei die Schirmelemente 6 verschwenkbar sind,
Fig. 19 den Schnitt gemäß der Linie XIX-XIX in Figur 18,
Fig. 20 vergrößert den Ausschnitt XX in Figur 19, wobei die mit einer Koppelstange 17 mehrere miteinander gekoppelten Schirmelemente 6 ihre zweite Betriebsstellung einnehmen, in der sie sich parallel zum Wärmefluss 7 erstrecken,
Fig. 21 den Ausschnitt XX in Figur 19, jedoch mit Schirmelementen 6 in der ersten Betriebs Stellung, in der eine hochreflektierende Oberfläche einer Einlage 22 des Schirmelementes 6 vom kalten Bereich 2 weg weist,
Fig. 22 in einer perspektivischen Darstellung vier mit einer Koppelstange 17 gekoppelte leistenförmige Schirmelemente 6 in der zweiten Betriebsstellung,
Fig. 23 die in der Figur 23 dargestellten Schirmelemente 6 in der ersten Betriebsstellung und
Fig. 24 eine Darstellung ähnlich der Figur 19, wobei eine Steuereinrichtung 29 in der Lage ist, einen Stellantrieb 30 für die Schirmelemente 6, 6' anzusteuern und mit optischen Sensoren 27 zusammenwirkt, mit denen die Oberflächentemperatur des Suszeptors 13 oder des Substrates 3 gemessen werden kann.
Beschreibung der Ausführungsformen
[0013] Die Figuren 1 bis 12 zeigen im Wesentlichen schematisch Anwendungsbeispiele und Ausgestaltungsbeispiele erfindungsgemäßer Schirmeinrichtungen 5 an einem CVD-Reaktor.
[0014] In einem Reaktorgehäuse 1, das aus Edelstahl bestehen kann und evakuierbar ist, mündet eine nicht dargestellte Gaszuleitung in ein nur in einigen Figuren dargestellten Gaseinlassorgan 14. Mit dem Gaseinlassorgan 14 werden Prozessgase in eine Prozesskammer 11 eingespeist. In der Prozesskammer 11 befindet sich ein Substrat 3, das in einem thermischen Behandlungsschritt beschichtet werden soll. Beispielsweise kann durch gleichzeitiges Einspeisen von Silan und Methan oder einer anderen Silizium Verbindung oder Kohlenstoffverbindung Siliziumkarbid auf dem Substrat 3 abgeschieden werden. Ein das Substrat 3 tragender Suszeptor 13 wird dabei mit einer Heizeinrichtung 4, beispielsweise einer IR-Heizeinrichtung, auf eine Prozesstemperatur von über 1000°C gebracht. Bei der Prozesstemperatur reagieren die Prozessgase derart miteinander beziehungsweise mit dem Substrat 3, dass sich auf der Oberfläche des Substrates 3 eine Siliziumkarbidschicht abscheidet. Gasförmige Reaktionsprodukte werden durch ein nicht dargestelltes Gasauslassorgan abgeführt. In der Vorrichtung können aber auch Gase und Elemente der III. und IV. Hauptgruppe verwendet werden, um III-V-Schichten abzuscheiden.
[0015] Während des Aufheizens fließt eine mit der Bezugsziffer 8 bezeichnete Leistung von der Heizeinrichtung 4 zum Suszeptor 13 und ein Wärmefluss 7 vom Suszeptor 13 beziehungsweise von dem auf dem Suszeptor 3 aufliegenden Substrat 3 vom Suszeptor 13 weg hin zu einem kalten Bereich 2 des Reaktorgehäuses 1. Der kalte Bereich 2 kann eine gekühlte Wand des Reaktor gehäuses 1 sein. Um diesen Wärmefluss zu beeinflussen befinden sich in der Wärmeübertragungsstrecke zwischen Substrat 3 beziehungsweise Suszeptor 13 mehrere
Schirmelemente 6, die insgesamt eine Schirmeinrichtung 5 ausbilden. Die Figuren 2 bis 12 zeigen verschiedene Schirmeinrichtungen 5. Diese Schirmeinrichtungen 5 sollen in einer ersten Betriebsstellung, wie sie die Figuren 1, 5 und 10 darstellen, den vom Suszeptor 13 in Richtung des kalten Bereichs 2 fließenden Wärmefluss 7 abschirmen und möglichst reflektieren, sodass sich ein möglichst großer Wärmerückfluss 7' von den Schirmelementen 6 zum Substrat 3 oder Suszeptor 13 einstellt. Hierdurch wird die Aufheizphase minimiert beziehungsweise weniger Energie dazu verbraucht.
[0016] In der in den Figuren 3, 6 und 11 dargestellten zweiten Betriebsstellung sind die Schirm elemente 6 derart innerhalb der Wärmeübertragungsstrecke verstellt, dass der Wärmerückfluss 7' von den Schirmelementen 6 zum Substrat 3 oder zum Suszeptor 13 minimiert ist. Dies verkürzt die Abkühlphase.
[0017] In einer Zwischenstellung, wie sie die Figuren 4, 7, 8 und 12 zeigen, üben die Schirmelemente 6 eine verminderte Schirmwirkung aus. Während die Schirmelemente 6 in der ersten Betriebsstellung eine möglichst geschlossene hochreflektierende Oberfläche ausbilden und in der zweiten Betriebsstellung eine möglichst große Oberfläche zwischen sich frei belassen, lässt sich die reflektierende Oberfläche in verschiedenen Zwischenstellungen verändern. Damit lässt sich der Wärmeabfluss vom Substrat beziehungsweise Suszeptor beeinflussen und damit wiederum die Substrattemperatur beziehungsweise Suszeptortemperatur. Alle Schirmelemente 6 können aneinander gekoppelt sein. Sie können aber auch zonenweise aneinander gekoppelt sein oder individuell verstellbar sein, sodass die die Temperatur beeinflussende Wirkung lokal begrenzt werden kann.
[0018] Bei dem in den Figuren 1 bis 3 dargestellten Ausführungsbeispiel sind die Schirmelemente schmale Streifen, die zumindest auf einer Seite hoch reflek-
tierend ausgeführt sind. In der ersten Betriebsstellung (vergleiche Figur 1) weist diese hoch reflektierende Oberfläche zum Substrat 3 beziehungsweise Suszep- tor 13. In der Längsmitte des Schirmelementes 6 erstreckt sich eine Drehachse, um die das Schirmelement 6 um 90 Grad zwischen den in den Figuren 1 und 3 dargestellten Stellungen verschwenkt werden kann. In der in Figur 3 dargestellten Stellung weist eine Schmalseite des Schirmelementes 6 in Richtung auf das Substrat 3 beziehungsweise den Suszeptor 13. Die Drehachse 9 verläuft hier in einer Parallelebene zur Erstreckungsebene des Substrates 3 beziehungsweise des Suszeptors 13. Die Drehachsen 9 aller Schirmelemente 6 verlaufen parallel zueinander.
[0019] Bei dem in den Figuren 5 bis 8 dargestellten Ausführungsbeispiele sind die Schirmelemente 6, 6' in einer Ebene, die sich parallel zur Ebene des Substrates 3 beziehungsweise des Suszeptors 13 erstreckt, verschieblich. Es gibt zwei Sätze von Schirmelementen. Die Schirmelemente 6 bilden einen ersten Satz, der in einer ersten Horizontalebene angeordnet ist. Die Schirmelemente 6 sind um das Maß ihrer Breite in Vertikalrichtung voneinander beabs fandet. In den Lücken zwischen den Schirmelementen 6 befinden sich Schirmelemente 6' eines zweiten Satzes, der in einer zweiten Horizontalebene angeordnet ist, die gegenüber der ersten Horizontalebene geringfügig versetzt ist. Auch diese Schirmelemente 6' können um das Maß ihrer Breite voneinander beabstandet sein. Die Schirmelemente 6, 6' sind aber ansonsten identisch. Die beiden Sätze der Schirmelemente 6, 6' können gegeneinander verschoben werden, sodass die Schirmelemente 6, 6' von einer Nebeneinanderlage, in der sie die jeweiligen Lücken zwischen den anderen Schirmelemente 6, 6' ausfüllen, in eine Überlapptlage gebracht werden können, in der die Schirmelemente 6 über den Schirmelementen 6' liegen und die Lücken zwischen den Schirmelementen 6, 6' zum Durchtritt einer Wärmestrahlung frei sind.
[0020] Das in den Figuren 9 bis 12 dargestellte Ausführungsbeispiel hat sek- torförmige Schirmelemente 6, 6'. Wie beim zuvor beschriebenen Ausführungsbeispiel, gehören Schirmelemente 6 zu einem ersten Schirmelementeträger 23 und Schirmelemente 6' zu einem zweiten Schirmelementeträger 23'. Die beiden Schirmelementeträger 23, 23' sind untereinander gleich ausgebildet und besitzen um einen Mittelpunkt angeordnete sektorförmige Schirmelemente 6, 6', zwischen denen sich Freiräume 24, 24' erstrecken, deren Fläche den Flächen der Schirmelemente 6, 6' entspricht. Durch ein relatives Verdrehen der beiden Schirmelementeträger 23, 23' um eine vertikale Achse 9 können die Freiräume 24, 24' geschlossen sein, vollständig offen sein oder in einer Zwischenstellung teilweise geschlossen sein.
[0021] Die Figur 9a zeigt eine Variante des in der Figur 9 dargestellten Ausführungsbeispiels. In einer inneren Zone 32, die sich um die Achse 9 erstreckt, befinden sich erste Schirmelemente 6, 6'. Die Schirmelemente 6, 6' sind zwischen einem mittleren Ringelement 34 und einem Zentralelement 33 gelagert und können in Umfangsrichtung um die Achse 9 derart verschoben werden, dass sie von einer Nebeneinanderlage in eine Überdecktlage gebracht werden können. Es ist aber auch möglich, die Schirmelemente 6, 6' um in Radialrichtung, bezogen auf die Achse 9, zu verschwenken.
[0022] Die radial innere Zone 32 wird von einer radial äußeren Zone 31 umgeben. In der radial äußeren Zone 31 liegen die Schirmelemente 6, 6' zwischen einem äußeren Ringelement 35 und dem mittleren Ringelement 34. Die in der radial äußeren Zone 31 angeordneten Schirmelemente 6, 6' können unabhängig von den in der inneren Zone 32 angeordneten Schirmelementen 6, 6' verlagert werden. Die Schirmelemente 6, 6' der äußeren Zone 31 können zwischen einer Nebeneinanderlage und einer Überdecktlage hin- und herverlagert werden. Sie können aber auch um jeweils in der Erstreckungsebene der Schirmelemente-
Anordnung liegende, radial zur Achse 9 verlaufende Schwenkachsen ver- schwenkt werden.
[0023] Ein bevorzugtes Ausführungsbeispiel zeigt die Figur 13. Zwischen zwei gekühlten Wänden, die kalte Bereiche 2 ausbilden, befindet sich innerhalb eines Reaktorgehäuses 1 eine Prozesskammer 11. Die Prozesskammer 11 kann eine massive Gehäusewand aufweisen. In die Prozesskammer 11 mündet ein nicht dargestelltes Gaseinlassorgan. Es ist auch ein nicht dargestelltes Gasauslassorgan vorgesehen. Innerhalb der Prozesskammer 11 befindet sich ein Suszeptor 13, der ein einzelnes Substrat 3 trägt. Mit der Bezugsziffer 12 ist eine obere und eine untere für elektromagnetische Wechselfelder transparente Wand dargestellt. Die Prozesskammer 11 kann ringsummantelt sein. Die von den Wänden 12 ausgebildete Ummantelung kann rohrförmig sein. Es kann sich dabei um ein Rohr mit einem kreisrunden Querschnitt oder mit einem rechteckigen Querschnitt handeln.
[0024] Um diese Ummantelung 12 kann eine Heizeinrichtung 4 angeordnet sein. Die Heizeinrichtung 4 kann eine wendeigangförmig ausgebildete Spule sein, die die Wände 12 umgibt. Die Spule der Heizeinrichtung 4 kann ein elektromagnetisches Wechselfeld erzeugen, das innerhalb des Suszeptors 13 Wirbelströme erzeugt und damit den Suszeptor 13 heizt. Es ist aber auch möglich, die Ummantelung 12 aus elektrisch leitfähigem Material zu fertigen, sodass die Wände 12 durch darin induzierte Wirbelströme auf geheizt werden.
[0025] Alternativ dazu können die beiden Heizeinrichtungen 4, 5 aber auch als spiralförmige, sich in einer Ebene erstreckende Spulen ausgebildet sein, mit denen eine Heizwirkung nur im Bereich zweier sich gegenüberliegender Wände 12 erzeugt wird.
[0026] Unterhalb der Heizeinrichtung 4 und oberhalb der Heizeinrichtung 4 ist jeweils eine Schirmeinrichtung 5 vorgesehen. Die Schirmeinrichtung 5 kann eine Ausgestaltung besitzen, wie sie oben beschrieben worden ist.
[0027] Das in der Figur 14 dargestellte fünfte Ausführungsbeispiel unterscheidet sich von dem in der Figur 13 dargestellten Ausführungsbeispiel im Wesentlichen nur dadurch, dass die Schirmeinrichtung 5 nicht zwischen Heizeinrichtung 4 und kaltem Bereich, sondern zwischen der Prozesskammer 11 und der Heizeinrichtung 4 angeordnet ist.
[0028] Die Heizeinrichtung kann eine Spule sein, die von einem Rohr ausgebildet ist. Durch das Rohr kann ein Kühlmittel hindurchströmen, so dass die Heizeinrichtung 4 den kalten B
[0029] Während beim in der Figur 13 dargestellten Ausführungs beispiel die Schirmelemente 6 aus Metall bestehen können, müssen die Schirmelemente 6 bei dem in der Figur 14 dargestellten Ausführungsbeispiel aus einem für hochfrequente elektromagnetische Wechselfelder transparenten Material ausgeführt sein.
[0030] Die Figur 15 zeigt ein sechstes Ausführungsbeispiel, bei dem ein Gaseinlassorgan 14 in ein Zentrum eines Horizontalreaktors mündet, bei dem eine Vielzahl von Substraten 3 ringförmig um das Zentrum auf einem Suszeptor 13 angeordnet sind, der um eine nicht dargestellte Drehachse gedreht werden kann. Die Substrate 13 können wiederum auf Substratträgern liegen, die ebenfalls um Drehachsen gedreht werden können. Auch bei diesem Ausführungsbeispiel kann der Suszeptor 13 mit einer IR-Heizung 4 beheizt werden. Eine Prozesskammerdecke 12 kann hier entweder gekühlt werden oder beheizt werden. Die Schirmeinrichtung 5 ist hier zwischen einem vom Boden des Reaktor-
gehäuses 1 gebildeten kalten Bereich 2, der aktiv gekühlt sein kann, und der Heizeinrichtung 4 angeordnet.
[0031] Ein der Figur 15 ähnliches Ausführungsbeispiel zeigt die Figur 16. Anstelle eines zentralen Gaseinlassorgans 14 ist hier ein, sich über die gesamte Fläche des Suszeptor 13 erstreckender Showerhead als Gaseinlassorgan 14 vorgesehen, der eine sich über die gesamte Fläche des Suszeptors 13 erstreckende Gasaustrittsfläche mit einer Vielzahl von gleichmäßig angeordneten Gasaustrittsöffnungen aufweist.
[0032] Während bei den zuvor beschriebenen Ausführungs beispielen das Substrat 3 auf einem beheizten Suszeptor 13 aufliegt, und über Wärmeleitung vom beheizten Suszeptor 13 beheizt wird, sind bei dem in der Figur 17 dargestellten Ausführungsbeispiel Heizeinrichtungen 4 vorgesehen, die das Substrat 3 unmittelbar beheizen. Das Substrat 3 kann beispielsweise auf einem für Wärmestrahlung transparenten Träger 13 aufliegen. Die Heizeinrichtung 4 kann eine Eampenheizung sein, die das Substrat 3 unmittelbar durch Wärmestrahlung aufheizt. Als Gaseinlassorgan 14 ist hier ein Showerhead dargestellt. Es können aber auch andere Gaseinlassorgane 14 Verwendung finden. Die Schirmeinrichtung 5 ist hier zwischen der Eampenheizung 4 und dem kalten Prozesskammerboden 2 angeordnet.
[0033] Die Figuren 18 bis 23 zeigen ein bevorzugtes Ausführungsbeispiel zum Abscheiden von SiC. In eine nur gestrichelt dargestellte Prozesskammer 11, die, wie bei dem in der Figur 13 dargestellten Ausführungsbeispiel, rohrförmig ausgebildet sein kann und die von einer zylinderförmigen Heizspule 4 umgeben sein kann, wird mittels eines ebenfalls nur angedeuteten Gaseinlassorgans 14 ein Prozessgas eingespeist, das in der Prozesskammer 11 chemisch reagiert, sodass auf einem Substrat 3 eine Siliziumkarbidschicht abgeschieden wird.
Durch ein mit der Bezugsziffer 15 angedeutetes Gasauslassorgan können Reaktionsprodukte abtransportiert werden. Das Substrat kann über eine Beladeöffnung 16 in die Prozesskammer 11 gebracht werden beziehungsweise daraus wieder entnommen werden.
[0034] Die Figur 24 zeigt eine Darstellung ähnlich der Figur 19. Es sind optische Sensoren 27 insbesondere in Form von Pyrometern vorgesehen, mit denen die Oberflächentemperatur des Substrates 3 beziehungsweise des Suszeptors 13 an zumindest einer Stelle gemessen werden kann. Der optische Pfad 28 verläuft durch eine Öffnung 25 der Gehäusedecke. Die Öffnung 25 kann mit einem Fenster verschlossen sein und mit einem Inertgas gespült werden. Der optische Pfad 28 verläuft zwischen der Öffnung 25 und der Oberfläche des Substrates 3 oder des Suszeptors 13. Ein Schirmelement 6, das sich unmittelbar unterhalb der Öffnung 25 befindet, kann eine Öffnung aufweisen, durch die der optische Pfad 28 auch dann hindurchläuft, wenn das Schirmelement 6 seine größte Schirmwirkung entfaltet. Der optische Pfad 28 verläuft insbesondere durch einen im Schirmelement 6 angeordneten Schlitz 26.
[0035] Mit einem Stellantrieb 30 können die Schirmelement 6 zwischen ihren Betriebsstellungen verlagert werden. Die Figur 24 zeigt nur ein Stellelement 30. Auf dem Boden des Reaktorgehäuses und an der Decke des Reaktorgehäuses sind mehrere Sätze von Schirmelementen 6 angeordnet, wobei die Schirmelemente 6 jeweils eines Satzes unabhängig von den Schirmelementen eines anderen Satzes durch einen jeweiligen Stellantrieb 30 verlagert werden können.
[0036] Mit einer Steuereinrichtung 29, die einen Regelkreis beinhalten kann, können die Schirmelemente 6 der voneinander verschiedenen Sätze derart verstellt werden, dass durch die individuell eingestellten Schirmwirkungen die
Temperatur der Oberfläche des Substrates 3 oder des Suszeptors 13 gegen einen Sollwert geregelt werden kann.
[0037] Bei diesem Ausführungsbeispiel sind die Schirmelemente 6 als um eine Achse 9 schwenkbare Leisten ausgebildet, wobei die Schwenklager unmittelbar am Boden oder an der Decke des Reaktorgehäuses 1 angeordnet sind. Sowohl der Boden als auch die Decke bilden jeweils kalte Bereiche 2, die auch von einer aktiven Kühleinrichtung ausgebildet sein können.
[0038] Mehrere leistenförmige Schirmelemente 6 sind mittels einer Koppelstange 17 über eine Achse 18 an einem kurzen Arm eines Schirmelementes 6 angelenkt, sodass eine Linearverlagerung der Koppelstange 17 zu einem gleichzeitigen Schwenkverlagern mehrerer Schirmelemente 6 führt. Die Schirmelemente 6 können somit zonenweise zwischen einer in der Figur 21 dargestellten ersten Betriebs Stellung, in der sie eine hohe Abschirmwirkung entfalten, und einer in der Figur 20 dargestellten zweiten Betriebsstellung, in der sie eine geringe Abschirmwirkung entfalten, verschwenkt werden.
[0039] Mit einem Träger 19, der von einer Leiste ausgebildet sein kann, können die Schirmelemente 6 am Boden beziehungsweise an der Decke des Reaktorgehäuses 1 befestigt sein. Der Träger 19 kann dabei in einer Nut einliegen. In der ersten Betriebsstellung können die Schirmelemente mit einer rückwärtigen Breitseitenfläche an einer Oberfläche des Bodens oder des Deckels anliegen.
[0040] Das Schirmelement 6 kann einen Schirmkörper 21 mit einer Ausnehmung aufweisen, in der eine Einlage 22 einliegt. In der in der Figur 21 dargestellten ersten Betriebsstellung weist eine Oberfläche der Einlage 22, die hochreflektierend ausgebildet ist, zur Prozesskammer 11.
[0041] In der in der Figur 20 dargestellten zweiten Betriebsstellung ragen die Schirmelemente 6 im Wesentlichen senkrecht vom Boden beziehungsweise von der Decke ab.
[0042] An beiden Enden der Schirmelemente 6 können Lagerböckchen 20 vorgesehen sein, mit denen die Schirmelemente 6 am Boden beziehungsweise an der Decke befestigt sind.
[0043] Zusammengefasst:
Die Erfindung betrifft eine Vorrichtung zum thermischen Behandeln eines Substrates 3 mit einer in einem Reaktorgehäuse 1 angeordneten Heizeinrichtung 4 zum Aufheizen des Substrates 3, wobei beim Aufheizen der Vorrichtung ein Leistungs- beziehungsweise Wärmefluss 8 von einer Heizeinrichtung 4 zu einem Substrat 3 und beim Abkühlen ein Wärmefluss 7 vom Substrat 3 zu einem kalten Bereich 2 fließt. Zur Minimierung der Zeiten des Aufheizens und des Abkühlens wird eine Schirmeinrichtung 5 zur Beeinflussung des Wärmeflusses 7 vorgeschlagen, die zwischen einer ersten und einer zweiten Betriebsstellung verstellbar ist, wobei die Schirmeinrichtung 5 mehrere relativ zueinander bewegbare Schirmelemente 6, 6' aufweist.
[0044] Die Erfindung betrifft insbesondere eine Vorrichtung, bei der das Substrat 3 oder ein das Substrat 3 tragender Suszeptor 13 von einer gekühlten Heizeinrichtung 4 beheizt wird, die ein elektromagnetisches Wechselfeld erzeugt, das im Substrat 3 oder dem Suszeptor 13 Wirbelströme ausbildet. Mit den Schirmelementen 6, 6' kann ein Wärmerückfluss von Substrat 3 oder Suszeptor 13 zur Heizeinrichtung 4 moduliert werden.
[0045] Die vorstehenden Ausführungen dienen der Erläuterung der von der Anmeldung insgesamt erfassten Erfindungen, die den Stand der Technik zu-
mindest durch die folgenden Merkmalskombinationen jeweils auch eigenständig weiterbilden, wobei zwei, mehrere oder alle dieser Merkmalskombinationen auch kombiniert sein können, nämlich:
[0046] Eine Vorrichtung, die dadurch gekennzeichnet ist, dass die Schirmelemente (6, 6') für die elektromagnetischen Wechselfelder durchlässig sind.
[0047] Eine Vorrichtung, die dadurch gekennzeichnet ist, dass die Schirmelemente 6, 6Z zwischen der Heizeinrichtung 4 und dem Substrat 3 angeordnet sind.
[0048] Eine Vorrichtung, die dadurch gekennzeichnet ist, dass die Schwenkachse 18 im Bereich einer Längsrandkante des Schirmelementes 6 verläuft und nahe dem Boden oder der Decke des Reaktorgehäuses 1 angeordnet sind.
[0049] Eine Vorrichtung, die dadurch gekennzeichnet ist, dass die Schirmelemente 6 mittels im Bereich der Schmalränder der Schirmelemente 6 angeordneten Lagerböckchen 20 am Reaktorgehäuse 1 befestigt sind, wobei die Schwenkachsen 18 durch die Lagerböckchen 20 verlaufen.
[0050] Eine Vorrichtung, die dadurch gekennzeichnet ist, dass mehrere am Boden oder an der Decke des Reaktorgehäuses verstellbar angeordnete Schirmelemente 6 mittels einer Koppelstange 17 aneinandergekoppelt sind, wobei eine Linearverlagerung der Koppelstange 17 zu einem gleichzeitigen Schwenkverlagern mehrerer Schirmelemente 6 führt.
[0051] Eine Vorrichtung, die dadurch gekennzeichnet ist, dass die Schirmeinrichtung 5 mehrere relativ zueinander bewegbare Schirmelemente 6, 6' aufweist.
[0052] Eine Vorrichtung, die dadurch gekennzeichnet ist, dass zumindest ein Schirmelement 6 der Schirmeinrichtung 5 um eine Drehachse 6 verdrehbar ist, die eine Richtungskomponente senkrecht zur Richtung des Wärmeflusses 7 besitzt, und das zum Wechsel der Betriebsstellung um die Drehachse 6 verdreht wird.
[0053] Eine Vorrichtung, die dadurch gekennzeichnet ist, dass zumindest zwei Schirmelemente 6, 6' so angeordnet sind, dass sie sich in der zweiten Betriebsstellung zumindest teilweise überlappen.
[0054] Eine Vorrichtung, die dadurch gekennzeichnet ist, dass ein zweiter Wärmefluss 8 oder Leistungsfluss von der Heizeinrichtung 4 zum Substrat 3 durch einen anderen oder durch denselben Wärmeübertragungsraum fließt, durch den der erste Wärmefluss 7 fließt.
[0055] Eine Vorrichtung, die dadurch gekennzeichnet ist, dass die Drehachsen 6 mehrerer oder aller Schirmelemente 6 senkrecht zur Richtung des Wärmeflusses 7 verlaufen und sich parallel zueinander erstrecken.
[0056] Eine Vorrichtung, die dadurch gekennzeichnet ist, dass die Schirmelemente 6 in der ersten Betriebsstellung eine geschlossene Schirmfläche ausbildenden und in der zweiten Betriebs Stellung um insbesondere 90 Grad gegenüber der ersten Betriebsstellung gedreht sind.
[0057] Eine Vorrichtung, die dadurch gekennzeichnet ist, dass zwei Schirmelementeträger 23, 23' in zwei parallel zueinander angeordneten Ebenen verlagerbare Schirmelemente 6, 6' ausbilden, wobei die Schirmelementeträger 23, 23' um eine senkrecht zu den Ebenen stehende Drehachse 9 gegeneinander verdrehbar sind oder gegeneinander in den Ebenen verlagerbar sind und wobei
zwischen den Schirmelement 6, 6' der Schirmelementeträger 23, 23' jeweils ein Freiraum 24, 24' angeordnet ist, dessen Flächenerstreckung der Flächenerstreckung des benachbarten Schirmelementes 6, 6' entspricht.
[0058] Eine Vorrichtung, die dadurch gekennzeichnet ist, dass die Schirmelemente 6, 6' schmale, rechteckige Streifen oder Kreissektoren sind und/ oder dass die Schirmelemente 6, 6' eine dem Substrat 3 zuweisende Oberfläche aufweisen, die eine Reflexionsgrad größer 0,6 oder einen Absorptionsgrad kleiner 0,4 besitzt und/ oder dass die ein oder mehreren Schirmelemente 6, 6' unabhängig voneinander verstellbar sind und/ oder dass die Schirmelemente 6, 6' transparent für hochfrequenter elektromagnetische Wechselfelder sind.
[0059] Ein Verfahren zum Behandeln eines Substrates in einer Vorrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei die Schirmeinrichtung 5 während eines Aufheizens des Substrates ihre erste Betriebsstellung und während eines Abkühlens des Substrates ihre zweite Betriebsstellung einnimmt.
[0060] Ein Verfahren, das dadurch gekennzeichnet ist, dass zumindest ein oder mehrere der Schirmelemente 6, 6' der Schirmeinrichtung 5 während eines Substratbehandlungsschritts eine Zwischenstellung zwischen erster und zweiter Betriebsstellung einnehmen.
[0061] Ein Verfahren, das dadurch gekennzeichnet ist, dass eine Temperatur des Substrates 3 oder eines Suszeptors 13 mittels einer Steuereinrichtung 29 gegen einen Sollwert geregelt wird, indem die Schirmelemente 6, 6' der Schirmeinrichtung 5 verstellt werden.
[0062] Ein Verfahren, das dadurch gekennzeichnet ist, dass verschiedenen Zonen zugeordnete Schirmelemente 6, 6' individuell von einem jeweiligen Stellantrieb 30 verstellt werden.
[0063] Alle offenbarten Merkmale sind (für sich, aber auch in Kombination untereinander) erfindungswesentlich. In die Offenbarung der Anmeldung wird hiermit auch der Offenbarungsinhalt der zugehörigen/ beigefügten Prioritätsunterlagen (Abschrift der Voranmeldung) vollinhaltlich mit einbezogen, auch zu dem Zweck, Merkmale dieser Unterlagen in Ansprüche vorliegender Anmeldung mit aufzunehmen. Die Unteransprüche charakterisieren, auch ohne die Merkmale eines in Bezug genommenen Anspruchs, mit ihren Merkmalen eigenständige erfinderische Weiterbildungen des Standes der Technik, insbesondere um auf Basis dieser Ansprüche Teilanmeldungen vorzunehmen. Die in jedem Anspruch angegebene Erfindung kann zusätzlich ein oder mehrere der in der vorstehenden Beschreibung, insbesondere mit Bezugsziffern versehene und/ oder in der Bezugsziffernliste angegebene Merkmale aufweisen. Die Erfindung betrifft auch Gestaltungsformen, bei denen einzelne der in der vorstehenden Beschreibung genannten Merkmale nicht verwirklicht sind, insbesondere soweit sie erkennbar für den jeweiligen Verwendungszweck entbehrlich sind oder durch andere technisch gleichwirkende Mittel ersetzt werden kön- nen.
Liste der Bezugszeichen
1 Reaktorgehäuse 23' Schirmelementeträger
2 kalter Bereich, Kühleinrich24 Freiraum tung 24' Freiraum
3 Substrat 25 Öffnung
4 Heizeinrichtung 26 Schlitz
5 Schirmeinrichtung 27 Pyrometer
6 Schirmelement 28 optischer Pfad
6' Schirmelement 29 Steuereinrichtung
7 erster Wärmefluss 30 Stellantrieb
8 zweiter Wärmefluss 31 äußere Zone
8' W ärmerückfluss 32 innere Zone
9 Achse 33 Zentralelement
10 Antrieb 34 mittleres Ringelement
11 Prozesskammer 35 äußeres Ringelement
12 Wand
13 Suszeptor
14 Gaseinlass
15 Gasauslass
16 Beladeöffnung
17 Koppelstange
18 Achse
19 Träger
20 Lagerbock
21 Schirmkörper
22 Einlage
23 Schirmelementeträger
Claims
1. Vorrichtung zum thermischen Behandeln eines Substrates (3) mit einer in einem Reaktorgehäuse (1) angeordneten, elektromagnetische Wechselfelder erzeugenden Heizeinrichtung (4) zum Aufheizen eines heißen Bereichs, in dem sich das Substrat (3) befindet, wobei in einer Strahlungs-Wärmeübertragungsstrecke zwischen dem heißen Bereich und einem kalten Bereich (2) eine Schirmeinrichtung (5), die mehrere relativ zueinander bewegbare reflektierend oder gegen einen Wärmefluss (7) isolierend ausgebildete Schirmelemente (6, 6') aufweist, angeordnet ist, wobei die Schirmelemente (6, 6') zwischen einer ersten Betriebsstellung und einer zweiten Betriebsstellung verstellbar sind, wobei die Schirmeinrichtung (5) in der ersten Betriebsstellung eine größere Schirmwirkung auf den Wärmefluss (7) ausübt als in der zweiten Betriebs Stellung, dadurch gekennzeichnet, dass die Schirmelemente (6, 6') für die elektromagnetischen Wechselfelder durchlässig sind.
2. Vorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die Schirmelemente (6, 6Z) zwischen der Heizeinrichtung (4) und dem Substrat (3) angeordnet sind.
3. Vorrichtung zum thermischen Behandeln eines Substrates (3) mit einer in einem Reaktorgehäuse (1) angeordneten Heizeinrichtung (4) zum Aufheizen eines heißen Bereichs, in dem sich das Substrat (3) befindet, wobei in einer Strahlungs-Wärmeübertragungsstrecke zwischen dem heißen Bereich und einem kalten Bereich (2) eine Schirmeinrichtung (5), die mehrere relativ zueinander bewegbare reflektierend und oder gegen einen Wärmefluss isolierend ausgebildete Schirmelemente (6,6') aufweist, angeordnet ist, wobei die von schmalen Leisten ausgebildet
Schirmelemente (6,6') zwischen einer ersten Betriebsstellung und einer zweiten Betriebs Stellung um eine Schwenkachse (18) verschwenkbar sind, wobei die Schirmeinrichtung (5) in der ersten Betriebsstellung eine größere Schirmwirkung auf den Wärmefluss (7) ausübt als in der zweiten Betriebsstellung, dadurch gekennzeichnet, dass die Schwenkachse (18) im Bereich einer Längsrandkante des Schirmelementes (6) verläuft und nahe dem Boden oder der Decke des Reaktorgehäuses (1) angeordnet ist. Vorrichtung nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, dass die Schirmelemente (6) mittels im Bereich der Schmalränder der Schirmelemente (6) angeordneten Lagerböckchen (20) am Reaktorgehäuse (1) befestigt sind, wobei die Schwenkachsen (18) durch die Lagerböckchen (20) verlaufen. Vorrichtung zum thermischen Behandeln eines Substrates (3) mit einer in einem Reaktorgehäuse (1) angeordneten Heizeinrichtung (4) zum Aufheizen eines heißen Bereichs, in dem sich das Substrat (3) befindet, wobei in einer Strahlungs-Wärmeübertragungsstrecke zwischen dem heißen Bereich und einem kalten Bereich (2) eine Schirmeinrichtung (5), die mehrere relativ zueinander bewegbare reflektierend und oder gegen einen Wärmefluss isolierend ausgebildete Schirmelemente (6, 6') aufweist, angeordnet ist, wobei die Schirmelemente (6, 6') zwischen einer ersten Betriebsstellung und einer zweiten Betriebsstellung um eine Schwenkachse (18) verschwenkbar sind, wobei die Schirmeinrichtung (5) in der ersten Betriebsstellung eine größere Schirmwirkung auf den Wärmefluss (7) ausübt als in der zweiten Betriebsstellung, dadurch gekennzeichnet, dass mehrere am Boden oder an der Decke des Reaktorgehäuses verstellbar angeordnete Schirmelemente (6) mittels einer Koppelstange (17) aneinandergekoppelt sind, wobei eine Linearver-
lagerung der Koppelstange (17) zu einem gleichzeitigen Schwenkverlagern mehrerer Schirmelemente (6) führt. Vorrichtung zum thermischen Behandeln eines Substrates (3) mit einer in einem Reaktorgehäuse (1) angeordneten Heizeinrichtung (4) zum Aufheizen eines heißen Bereichs, in dem sich das Substrat (3) befindet, wobei in einer Strahlungs-Wärmeübertragungsstrecke zwischen dem heißen Bereich und einem kalten Bereich (2) eine Schirmeinrichtung (5), die mehrere relativ zueinander bewegbare reflektierend und oder gegen einen Wärmefluss isolierend ausgebildete Schirmelemente (6, 6') aufweist, angeordnet ist, wobei die Schirmelemente (6, 6') zwischen einer ersten Betriebsstellung und einer zweiten Betriebsstellung um eine Schwenkachse (18) verschwenkbar sind, wobei die Schirmeinrichtung (5) in der ersten Betriebsstellung eine größere Schirmwirkung auf den Wärmefluss (7) ausübt als in der zweiten Betriebsstellung, dadurch gekennzeichnet, dass zwei Schirmelementeträger (23, 23') in zwei parallel zueinander angeordneten Ebenen verlagerbare Schirmelemente (6, 6') ausbilden, wobei die Schirmelementeträger (23, 23') um eine senkrecht zu den Ebenen stehenden Drehachse (9) gegeneinander verdrehbar oder gegeneinander in den Ebenen verlagerbar sind und wobei zwischen den Schirmelementen (6, 6') der Schirmelementeträger (23,23') jeweils ein Freiraum (24, 24') angeordnet ist. Vorrichtung nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, dass die Flächenerstreckung des Freiraums der Flächenerstreckung des benachbarten Schirmelementes (6,6') entspricht.
Vorrichtung nach Anspruch 6 oder 7, dadurch gekennzeichnet, dass die Schirmelemente (6, 6') schmale, rechteckige Streifen oder Kreissektoren sind. Vorrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die Schirmelemente (6, 6') eine dem Substrat (3) zuweisende Oberfläche aufweisen, die einen Reflexionsgrad > 0,6 und einen Absorptionsgrad < 0,4 besitzt. Vorrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, gekennzeichnet durch einen das Substrat (3) tragenden Suszeptor (13), der von der Heizeinrichtung (4) auf Temperaturen über 1.000 °C beheizbar ist. Vorrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die Heizeinrichtung (4) eine den Suszeptor (13) aufweisende Prozesskammer (11) umgebende Spule ist, wobei die Schirmelemente (6, 6') innerhalb oder außerhalb der Spule angeordnet sind. Vorrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass ein insbesondere an einer Decke des Reaktorgehäuses (1) befestigtes Schirmelement (6) einen Schlitz (26) ausbildet, der mit einer Öffnung (25) fluchtet, durch die ein optischer Pfad (28) eines Pyrometers (27) verläuft. Verfahren zum Behandeln eines Substrates in einer Vorrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche,
wobei die Schirmeinrichtung (5) während eines Aufheizens des Substrates ihre erste Betriebsstellung und während eines Abkühlens des Substrates ihre zweite Betriebsstellung einnimmt. Verfahren nach Anspruch 13, dadurch gekennzeichnet, dass zumindest ein oder mehrere der Schirmelemente (6, 6') der Schirmeinrichtung (5) während eines Substratbehandlungsschritts eine Zwischenstellung zwischen erster und zweiter Betriebsstellung einnehmen. Verfahren nach Anspruch 13 oder 14, dadurch gekennzeichnet, dass eine Temperatur des Substrates (3) oder eines Suszeptors (13) mittels einer Steuereinrichtung (29) gegen einen Sollwert geregelt wird, indem die Schirmelemente (6, 6') der Schirmeinrichtung (5) verstellt werden. Verfahren nach einem der Ansprüche 12 bis 15, dadurch gekennzeichnet, dass verschiedenen Zonen zugeordnete Schirmelemente (6, 6') individuell von einem jeweiligen Stellantrieb (30) verstellt werden. Vorrichtung oder Verfahren, gekennzeichnet durch eines oder mehrere der kennzeichnenden Merkmale eines der vorhergehenden Ansprüche.
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