EP4226416A1 - Procédé de fabrication d'un substrat pour la croissance épitaxiale d'une couche d'un alliage iii-n à base de gallium - Google Patents

Procédé de fabrication d'un substrat pour la croissance épitaxiale d'une couche d'un alliage iii-n à base de gallium

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EP4226416A1
EP4226416A1 EP21801584.0A EP21801584A EP4226416A1 EP 4226416 A1 EP4226416 A1 EP 4226416A1 EP 21801584 A EP21801584 A EP 21801584A EP 4226416 A1 EP4226416 A1 EP 4226416A1
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EP
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layer
substrate
sic
semi
insulating
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Application number
EP21801584.0A
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Eric Guiot
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Soitec SA
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Soitec SA
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    • H01L29/66462—Unipolar field-effect transistors with an active layer made of a group 13/15 material, e.g. group 13/15 velocity modulation transistor [VMT], group 13/15 negative resistance FET [NERFET] with a heterojunction interface channel or gate, e.g. HFET, HIGFET, SISFET, HJFET, HEMT

Definitions

  • the present invention relates to a method of manufacturing a substrate for the epitaxial growth of a layer of an III-N alloy based on gallium (i.e. a layer of gallium nitride (GaN), aluminum gallium nitride (AIGaN) or a layer of indium gallium nitride (InGaN)), as well as a method for producing such a layer of III-N alloy and a method for producing a high electron mobility transistor (HEMT) in such a III-N alloy layer.
  • gallium i.e. a layer of gallium nitride (GaN), aluminum gallium nitride (AIGaN) or a layer of indium gallium nitride (InGaN)
  • HEMT high electron mobility transistor
  • III-N semiconductor materials in particular gallium nitride (GaN), aluminum gallium nitride (AIGaN) or gallium indium nitride (InGaN), appear particularly promising, especially for the formation high-power light-emitting diodes (LEDs) and high-frequency electronic devices, such as high-electron-mobility transistors (HEMTs) or other field-effect transistors (FETs).
  • GaN gallium nitride
  • AIGaN aluminum gallium nitride
  • InGaN gallium indium nitride
  • LEDs high-power light-emitting diodes
  • HEMTs high-electron-mobility transistors
  • FETs field-effect transistors
  • III-N alloys are difficult to find in the form of large bulk substrates, they are generally formed by heteroepitaxy, i.e. by epitaxy on a substrate made of a different material.
  • the choice of such a substrate takes into account in particular the difference in lattice parameter and the difference in thermal expansion coefficient between the material of the substrate and the III-N alloy. Indeed, the greater these differences, the greater the risks of formation in the III-N alloy layer of crystalline defects, such as dislocations, and the generation of significant mechanical stresses, likely to cause excessive deformations.
  • III-N alloys The materials most frequently considered for the heteroepitaxy of III-N alloys are sapphire and silicon carbide (SiC).
  • silicon carbide is particularly preferred for high-power electronic applications due to its thermal conductivity which is significantly higher than that of sapphire and which therefore makes it possible to dissipate more easily the thermal energy generated during the operation of the components.
  • the aim is to use semi-insulating silicon carbide, i.e. typically having an electrical resistivity greater than or equal to 10 5 Q.cm, in order to minimize parasitic losses (generally called losses RF) in the substrate.
  • this material is particularly expensive and is currently found only in the form of substrates of limited size.
  • Silicon would drastically reduce manufacturing costs and provide access to large-size substrates, but structures of the III-N alloy type on silicon are penalized by RF propagation losses beyond 20 GHz and by low thermal dissipation.
  • Composite structures such as SopSiC or SiCopSiC structures, have also been investigated [1] but do not prove to be entirely satisfactory. These structures respectively comprise a monocrystalline silicon layer or a monocrystalline SiC layer (intended to form a seed layer for the epitaxial growth of gallium nitride) on a polycrystalline SiC substrate.
  • polycrystalline SiC is an inexpensive material, available in the form of large size substrates and providing good heat dissipation, these composite structures are penalized by the presence of a layer of silicon oxide at the interface between the single crystal silicon or SiC layer and the polycrystalline SiC substrate, which forms a thermal barrier impeding heat dissipation from the III-N alloy layer to the polycrystalline SiC substrate.
  • An object of the invention is therefore to remedy the aforementioned drawbacks and in particular the limitations related to the size and cost of semi-insulating SiC substrates.
  • the object of the invention is therefore to design a process for the manufacture of a substrate for the epitaxial growth of an III-N alloy based on gallium, in particular with a view to the formation of HEMT transistors or other electronic devices with high frequency and high power in which RF losses are minimized and heat dissipation is maximized.
  • the invention proposes a process for manufacturing a substrate for the epitaxial growth of a layer of gallium nitride (GaN), of gallium nitride and aluminum (AIGaN) or of gallium nitride and indium (InGaN), comprising the following successive steps:
  • high frequency is meant in the present text a frequency greater than 3 kHz.
  • high power is meant in the present text a power greater than 0.5 W/mm injected at the gate of the transistor.
  • high electrical resistivity is meant in the present text an electrical resistivity greater than or equal to 100 Q.cm.
  • Si-insulating SiC silicon carbide having an electrical resistivity greater than or equal to 10 5 ⁇ .cm.
  • This method makes it possible to form a substrate based on silicon or another material of high electrical resistivity at low cost and available in large dimensions, comprising a layer of semi-insulating SiC having a crystalline quality suitable for the subsequent epitaxial growth of a layer of III-N alloy and making the final structure benefit from its good heat dissipation and RF loss limitation properties. Since the semi-insulating SiC layer is in direct contact with the silicon substrate (or other material of high electrical resistivity), the structure also contains no thermal barrier.
  • a process which would consist in forming the layer of semi-insulating SiC by epitaxy directly on a silicon substrate of high electrical resistivity would lead to the formation of a large number of dislocations in the semi-insulating SiC due to the difference in lattice parameter between the silicon and silicon carbide.
  • the method according to the invention makes it possible to use as a seed for the growth of semi-insulating SiC a layer of monocrystalline SiC of optimal quality because it is obtained by transfer of the donor substrate.
  • the use of the first receiving substrate which fulfills the function of temporary support, makes it possible to orient the silicon face of the SiC in an optimal manner in the different stages of the process.
  • the first receiver substrate and the donor substrate have a difference in coefficient of thermal expansion less than or equal to 3 ⁇ 10′ 6 K′ 1 ;
  • the first receiver substrate is an SiC substrate having a crystalline quality lower than that of the donor substrate;
  • the thin layer of single-crystal SiC transferred onto the first receiving substrate has a thickness of less than 1 ⁇ m
  • the bonding layer is formed from a thermally stable material during the epitaxial growth of the semi-insulating SiC layer and capable of being removed from the interface between the transferred monocrystalline SiC layer and the first receiving substrate;
  • the bonding layer is a layer of silicon nitride or gallium nitride
  • the removal of at least part of the bonding layer comprises chemical etching, laser delamination and/or the application of mechanical stress;
  • the layer of semi-insulating SiC is formed by doping with vanadium during the epitaxial growth of SiC;
  • the semi-insulating SiC layer is formed by simultaneous deposition of silicon, carbon and vanadium;
  • the second receiver substrate is a silicon substrate having an electrical resistivity greater than or equal to 100 Q.cm;
  • the epitaxial layer of semi-insulating SiC has a thickness of between 1 and 5 ⁇ m;
  • the second receiver substrate is a polycrystalline SiC substrate or a polycrystalline AlN substrate having an electrical resistivity greater than or equal to 100 Q.cm;
  • the epitaxial layer of semi-insulating SiC has a thickness less than or equal to 80 ⁇ m;
  • the method further comprises a step of recycling the portion of the donor substrate detached from the transferred layer, with a view to forming a new donor substrate;
  • the implantation of the ionic species is carried out through the silicon face of the donor substrate, and the silicon face of the donor substrate is bonded to the first receiver substrate, so that, after removal of the thin layer of monocrystalline SiC transferred, the silicon face of the semi-insulating SiC layer is exposed.
  • Another object of the invention relates to a process for manufacturing a layer of a gallium-based III-N alloy on a substrate obtained by the process which has just been described.
  • Said method comprises:
  • the gallium nitride layer has a thickness of between 1 and 2 ⁇ m.
  • Another object of the invention relates to a method of manufacturing a high electron mobility transistor (HEMT) in such a layer of III-N alloy.
  • HEMT high electron mobility transistor
  • Said method comprises:
  • Figure 1 is a schematic cross-sectional view of a single-crystal SiC donor substrate
  • FIG. 2 is a schematic sectional view of the donor substrate of FIG. 1 in which an embrittlement zone is formed by implantation of ionic species to delimit a thin layer to be transferred;
  • Figure 3 is a schematic sectional view of a temporary support covered with a removable bonding layer
  • Figure 4 is a schematic sectional view of the assembly of the temporary support of Figure 3 and the donor substrate of Figure 2 through the removable bonding layer;
  • FIG. 5 is a schematic cross-sectional view of the detachment of the donor substrate along the embrittlement zone to transfer the thin layer of monocrystalline SiC onto the temporary support;
  • Figure 6 is a schematic sectional view of the thin layer of monocrystalline SiC transferred to the temporary support after polishing its free surface
  • FIG. 7 is a schematic sectional view of the formation by epitaxy of a layer of semi-insulating SiC on the thin layer of transferred monocrystalline SiC;
  • FIG. 8 is a schematic sectional view of the assembly of the structure of FIG. 7 and of a receiver substrate via the epitaxial layer of semi-insulating SiC;
  • Figure 9 is a schematic sectional view of the dismantling of the temporary support of the structure of Figure 8.
  • FIG. 10 is a schematic sectional view of the receiver substrate and of the epitaxial layer of semi-insulating SiC after removal of the thin layer of monocrystalline SiC;
  • FIG. 11 is a schematic sectional view of the formation by epitaxy of a GaN layer on the semi-insulating SiC layer;
  • Figure 12 is a schematic sectional view of the formation of a heterojunction by epitaxy of a layer of an III-N alloy different from GaN on the GaN layer.
  • the invention proposes a process for manufacturing substrates for the epitaxial growth of binary or ternary III-N alloys based on gallium.
  • Said alloys include gallium nitride (GaN), aluminum gallium nitride (Al x Gai- x N, where 0 ⁇ x ⁇ 1, hereinafter abbreviated as AIGaN) and gallium nitride and indium ( InxGai -xN, where 0 ⁇ x ⁇ 1, hereinafter abbreviated as InGaN).
  • the process uses a doped semiconductor monocrystalline silicon carbide (SiC) donor substrate, of which a thin layer, transferred onto a first receiver substrate, will serve as a seed for the growth of a layer of semi-insulating SiC.
  • SiC semiconductor monocrystalline silicon carbide
  • a layer transfer by the Smart CutTM process will be considered, but it goes without saying that any other layer transfer technique can be used, for example by spallation or laser cutting.
  • a single-crystal SiC substrate having excellent crystalline quality that is to say in particular free of dislocations, is chosen.
  • the donor substrate may be a bulk single crystal SiC substrate.
  • the donor substrate can be a composite substrate, comprising a surface layer of monocrystalline SiC and at least one other layer of another material.
  • the monocrystalline SiC layer has a thickness greater than or equal to 0.5 ⁇ m.
  • crystal forms also called polytypes
  • the most common are the 4H, 6H and 3C forms.
  • the monocrystalline silicon carbide is chosen from the 4H and 6H polytypes, but all the polytypes can be envisaged to implement the present invention.
  • such a substrate has a silicon 10-Si face and a carbon 10-C face.
  • GaN epitaxy processes are mainly implemented on the silicon face of SiC. However, it is not excluded to manage to grow GaN on the carbon face of SiC.
  • the orientation of the donor substrate (silicon face/carbon face) during the implementation of the process is chosen according to the face of the SiC intended for the growth of the GaN layer.
  • an implantation of ionic species is implemented in the donor substrate 10, so as to form a zone of weakness 12 delimiting a thin layer 11 of monocrystalline SiC.
  • the implanted species typically include hydrogen and/or helium. A person skilled in the art is able to define the energy and the implantation dose required.
  • the implantation is carried out in the surface layer of monocrystalline SiC of said substrate.
  • the implantation of the ionic species is carried out through the silicon 10-Si face of the donor substrate.
  • this orientation of the donor substrate makes it possible to obtain, on the surface of the final substrate intended for the growth of the GaN layer, the silicon side of the SiC, which is more favorable.
  • the implantation of the ionic species must be carried out through the 10-C carbon face of the donor substrate.
  • the thin layer 11 of monocrystalline SiC has a thickness of less than 1 ⁇ m.
  • a thickness is indeed accessible on an industrial scale with the Smart CutTM process.
  • the implantation devices available in industrial manufacturing lines make it possible to achieve such an implantation depth.
  • a first receiver substrate 20 is also provided.
  • the main function of said first receiver substrate is to temporarily support the monocrystalline SiC layer 11 between its transfer from the donor substrate and the growth of a semi-insulating SiC layer on the monocrystalline SiC layer.
  • the first receiver substrate is chosen to have a coefficient of thermal expansion substantially equal to that of SiC, so as not to induce stresses or deformations during the epitaxy of the semi-insulating SiC.
  • the first receiver substrate and the donor substrate have a difference in coefficient of thermal expansion less than or equal to 3 ⁇ 10' 6 K' 1 .
  • the first receiving substrate is also made of SiC so as to minimize the difference in coefficient of thermal expansion.
  • the first receiver substrate 20 is an SiC substrate having a crystalline quality lower than that of the donor substrate.
  • the first receiver substrate can be a polycrystalline SIC substrate, or else a monocrystalline SiC substrate but which can include dislocations of all types (unlike the monocrystalline SiC of the donor substrate which is chosen to be of excellent crystalline quality in order to ensure the quality of the GaN epitaxial layer).
  • Such a substrate of lower crystalline quality has the advantage of being less expensive than a substrate of the same quality as the donor substrate, while being perfectly suited to the temporary support function.
  • the donor substrate 10 comprising the thin layer 11 of monocrystalline SiC is bonded to the first receiver substrate 20.
  • a bonding layer 21 is formed at the interface between said substrates.
  • the bonding layer 21 is formed on the first receiver substrate 20, but, in other embodiments not illustrated, the bonding layer can be formed on the donor substrate (on the side of the thin layer 11 ), or partly on the donor substrate and partly on the first recipient substrate.
  • the bonding layer is formed in a thermally stable material during the subsequent epitaxial growth of the semi-insulating SiC on the thin layer 11 .
  • the epitaxy of 4H or 6H-SiC being carried out at a temperature typically higher than 1500°C, the material of the bonding layer is chosen so as not to degrade or dissociate at such a temperature.
  • the material of the bonding layer is capable of being removed from the interface between the transferred single-crystal SiC layer and the first receiving substrate 20, for example by means of selective etching, optionally assisted by plasma.
  • the bonding layer is a layer of silicon nitride or gallium nitride.
  • the thickness of said layer is typically between 10 nm and a few hundred nanometers.
  • the donor substrate is detached along the zone of weakness 12.
  • the detachment can be caused by a heat treatment, a mechanical action, or a combination of these means. This detachment has the effect of transferring the thin layer 11 of monocrystalline SiC onto the first receiver substrate 20.
  • the remainder 10' of the donor substrate can optionally be recycled for another use.
  • the free face of the transferred monocrystalline SiC layer 11 is the carbon face 11-C (the silicon face 11-Si being on the bonding interface side).
  • This face is polished, for example by chemical-mechanical polishing (CMP, acronym of the Anglo-Saxon term "Chemical Mechanical Polishing") to remove the defects linked to the implantation of the ionic species and to reduce the roughness of Layer 11.
  • CMP chemical-mechanical polishing
  • an epitaxial growth of a layer 30 of semi-insulating SiC is implemented on the thin layer 11 of monocrystalline SiC.
  • the polytype of the semi-insulating SiC is advantageously identical to that of the SiC of the donor substrate.
  • This epitaxial growth is carried out at a very high temperature, generally above 1500° C. but, as explained above, the bonding layer 21 is stable at this temperature. Moreover, given the low difference in thermal expansion coefficient between the material of the first receiving substrate and the SiC, the mechanical stresses generated in the stack are minimized.
  • the SiC layer is doped with vanadium during its epitaxial growth.
  • silicon, carbon and vanadium are simultaneously deposited, using suitable precursors in an epitaxy frame.
  • the layer of semi-insulating SiC advantageously has a thickness greater than 1 ⁇ m, so as to contribute significantly to heat dissipation within the final structure. This thickness is higher than the thickness directly accessible by the Smart CutTM process with industrially available equipment.
  • the process consisting in transferring a layer of monocrystalline SiC with a thickness of less than 1 ⁇ m then in forming a monocrystalline layer of monocrystalline SiC by epitaxy on said transferred layer makes it possible to circumvent the technical limits of the implantation equipment available industrially for the implementation of the Smart CutTM process. Furthermore, this process does not require a semi-insulating SiC donor substrate (which would be particularly expensive); Indeed, the transferred layer essentially having a seed layer function for the formation of the heat dissipation layer in semi-insulating SiC, the use of single-crystal SiC of standard electrical resistivity to form the transferred layer is sufficient.
  • a second receiver substrate 40 which has a high electrical resistivity, and it is bonded to the layer 30 of semi-insulating SiC.
  • the second receiver substrate can be a silicon substrate having an electrical resistivity greater than or equal to 100 Q.cm, a polycrystalline SiC substrate or a polycrystalline AlN substrate, also having an electrical resistivity greater than or equal to 100 Q. .cm.
  • the thickness of the layer 30 of semi-insulating SiC may be adapted.
  • the layer 30 of semi-insulating SiC will advantageously have a thickness of between 1 and 5 ⁇ m.
  • the second receiver substrate is a polycrystalline SiC or polycrystalline AlN substrate, it may be advantageous to form the layer 30 of semi-insulating SiC over a much greater thickness. larger, up to 80 ⁇ m, for example of the order of 50 to 80 ⁇ m, to improve heat dissipation within the final structure.
  • the bonding layer 21 is removed, so as to detach the first receiving substrate from the rest of the structure. During this removal, the layer 21 must be sufficiently damaged to allow a dissociation of the structure. Any suitable means can be used. For example, but in a non-limiting manner, the removal of the bonding layer can be achieved by chemical etching, laser delamination and/or the application of mechanical stress.
  • the thin layer 11 is removed, so as to expose the layer 30 of semi-insulating SiC.
  • the thin layer 11 can be removed by any appropriate means, such as chemical or mechanical etching.
  • the exposed face is the silicon face of the semi-insulating SiC, which is favorable to the epitaxial growth of GaN.
  • a suitable substrate for the epitaxial growth of III-N alloys was thus formed.
  • a layer 50 of GaN (or, as mentioned above, of AlGaN or InGaN) is grown on the free face of the layer 30 of semi-insulating SiC.
  • the thickness of layer 50 is typically between 1 and 2 ⁇ m.
  • a heterojunction is formed by growing by epitaxy, on layer 50, a layer 60 of an III-N alloy different from that of layer 50.
  • transistors in particular HEMT transistors, from this heterojunction, by methods known to those skilled in the art, the channel of the transistor being formed at the level of the heterojunction, and the source, the drain and the gate of the transistor being formed on the channel.
  • the structure thus obtained is particularly advantageous in that it comprises a relatively thick layer of semi-insulating SiC, which on the one hand serves as a seed for the epitaxial growth of the III-N alloy layer and which on the other hand provides good heat dissipation and limitation of RF losses. Furthermore, the second receiver substrate, which supports the semi-insulating SiC layer, is directly in contact with said layer, so that the structure does not include a thermal barrier.
  • a HEMT transistor or other high-frequency, high-power electronic device formed in an 11-N alloy layer epitaxially formed on such a structure exhibits minimized RF losses and maximized heat dissipation.

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Abstract

L'invention concerne un procédé de fabrication d'un substrat pour la croissance épitaxiale d'une couche d'alliage III-N à base de gallium, comprenant les étapes successives suivantes : - fourniture d'un substrat donneur (10) de carbure de silicium monocristallin, - implantation d'espèces ioniques dans le substrat donneur (10) de sorte à former une zone de fragilisation (12) délimitant une couche mince (11) de SiC monocristallin à transférer, - collage du substrat donneur (10) sur un premier substrat receveur (20) par l'intermédiaire d'une couche de collage (21), - détachement du substrat donneur (10) le long de la zone de fragilisation (12) de sorte à transférer la couche mince (11) de SiC sur le premier substrat receveur (20), - croissance épitaxiale d'une couche (30) de SiC semi-isolant présentant une épaisseur supérieure à 1 µm sur la couche mince (11) de SiC, - collage de la couche (30) de SiC semi-isolant sur un second substrat receveur (40), ledit second substrat receveur (40) présentant une haute résistivité électrique, - retrait d'au moins une partie de la couche de collage (21) de sorte à détacher le premier substrat receveur (20), - retrait de la couche mince (11) de SiC monocristallin transférée, de sorte à exposer la couche (30) de SiC semi-isolant.

Description

Procédé de fabrication d’un substrat pour la croissance épitaxiale d’une couche d’un alliage lll-N à base de gallium
Domaine technique
La présente invention concerne un procédé de fabrication d’un substrat pour la croissance épitaxiale d’une couche d’un alliage lll-N à base de gallium (c’est-à-dire une couche de nitrure de gallium (GaN), de nitrure d’aluminium et de gallium (AIGaN) ou une couche de nitrure de gallium et d’indium (InGaN)), ainsi qu’un procédé de fabrication d’une telle couche d’alliage lll-N et un procédé de fabrication d’un transistor à haute mobilité d'électrons (HEMT) dans une telle couche d’alliage lll-N.
Etat de la technique
Les matériaux semi-conducteurs lll-N, en particulier le nitrure de gallium (GaN), le nitrure d’aluminium et de gallium (AIGaN) ou le nitrure de gallium et d’indium (InGaN), apparaissent particulièrement prometteurs notamment pour la formation de diodes électroluminescentes (LEDs) de forte puissance et de dispositifs électroniques fonctionnant à haute fréquence, tels que des transistors à haute mobilité d'électrons (HEMTs) ou d’autres transistors à effet de champ (FETs).
Dans la mesure où ces alliages lll-N sont difficiles à trouver sous la forme de substrats massifs de grande dimension, ils sont généralement formés par hétéoépitaxie, c’est-à- dire par épitaxie sur un substrat constitué d’un matériau différent.
Le choix d’un tel substrat prend en compte en particulier la différence de paramètre de maille et la différence de coefficient de dilatation thermique entre le matériau du substrat et l’alliage lll-N. En effet, plus ces différences sont importantes, plus les risques de formation dans la couche d’alliage lll-N de défauts cristallins, tels que des dislocations, et la génération de contraintes mécaniques importantes, susceptibles de provoquer des déformations excessives, sont grands.
Les matériaux les plus fréquemment considérés pour l’hétéroépitaxie d’alliages lll-N sont le saphir et le carbure de silicium (SiC).
Outre sa plus faible différence de paramètre de maille avec le nitrure de gallium, le carbure de silicium est particulièrement préféré pour les applications électroniques de forte puissance en raison de sa conductivité thermique qui est nettement supérieure à celle du saphir et qui permet par conséquent de dissiper plus facilement l’énergie thermique générée lors du fonctionnement des composants.
Pour les applications radiofréquences (RF), on cherche à utiliser du carbure de silicium semi-isolant, c’est-à-dire présentant typiquement une résistivité électrique supérieure ou égale à 105 Q.cm, afin de minimiser les pertes parasites (généralement appelées pertes RF) dans le substrat. Cependant, ce matériau est particulièrement onéreux et ne se trouve actuellement que sous la forme de substrats de dimension limitée.
Le silicium permettrait de réduire drastiquement les coûts de fabrication et d’accéder à des substrats de grande dimension, mais les structures de type alliage lll-N sur silicium sont pénalisées par des pertes RF de propagation au-delà de 20 GHz et par une faible dissipation thermique.
Des structures composites, telles que des structures SopSiC ou SiCopSiC, ont également été investiguées [1] mais ne se révèlent pas totalement satisfaisantes. Ces structures comprennent respectivement une couche de silicium monocristallin ou une couche de SiC monocristallin (destinée à former une couche germe pour la croissance épitaxiale du nitrure de gallium) sur un substrat de SiC polycristallin. Bien que le SiC polycristallin soit un matériau peu onéreux, disponible sous la forme de substrats de grande dimension et procurant une bonne dissipation thermique, ces structures composites sont pénalisées par la présence d’une couche d’oxyde de silicium à l’interface entre la couche de silicium ou de SiC monocristallin et le substrat de SiC polycristallin, qui forme une barrière thermique entravant la dissipation de chaleur de la couche d’alliage lll-N vers le substrat de SiC polycristallin.
Brève description de l’invention
Un but de l’invention est donc de remédier aux inconvénients précités et notamment aux limitations liées à la taille et au coût des substrats de SiC semi-isolant.
L’invention a donc pour but de concevoir un procédé de fabrication d’un substrat pour la croissance épitaxiale d’un alliage lll-N à base de gallium, notamment en vue de la formation de transistors HEMT ou d’autres dispositifs électroniques à haute fréquence et forte puissance dans lesquels les pertes RF sont minimisées et la dissipation thermique est maximisée.
A cet effet, l’invention propose un procédé de fabrication d’un substrat pour la croissance épitaxiale d’une couche de nitrure de gallium (GaN), de nitrure de gallium et d’aluminium (AIGaN) ou de nitrure de gallium et d’indium (InGaN), comprenant les étapes successives suivantes :
- fourniture d’un substrat donneur de carbure de silicium monocristallin,
- implantation d’espèces ioniques dans le substrat donneur de sorte à former une zone de fragilisation délimitant une couche mince de SiC monocristallin à transférer,
- collage du substrat donneur sur un premier substrat receveur par l’intermédiaire d’une couche de collage,
- détachement du substrat donneur le long de la zone de fragilisation de sorte à transférer la couche mince de SiC sur le premier substrat receveur, - croissance épitaxiale d’une couche (30) de SiC semi-isolant présentant une épaisseur supérieure à 1 pm sur la couche mince de SiC,
- collage de la couche de SiC semi-isolant sur un second substrat receveur, ledit second substrat receveur présentant une haute résistivité électrique,
- retrait d’au moins une partie de la couche de collage de sorte à détacher le premier substrat receveur,
- retrait de la couche mince de SiC monocristallin transférée, de sorte à exposer la couche de SiC semi-isolant.
Par « haute fréquence », on entend dans le présent texte une fréquence supérieure à 3 kHz.
Par « forte puissance », on entend dans le présent texte une puissance supérieure à 0,5W/mm injectée au niveau de la grille du transistor.
Par « haute résistivité électrique », on entend dans le présent texte une résistivité électrique supérieure ou égale à 100 Q.cm.
Par « SiC semi-isolant », on entend dans le présent texte du carbure de silicium présentant une résistivité électrique supérieure ou égale à 105 Q.cm.
Ce procédé permet de former un substrat à base de silicium ou d’un autre matériau de haute résistivité électrique à bas coût et disponible en grande dimension, comprenant une couche de SiC semi-isolant présentant une qualité cristalline adaptée à la croissance épitaxiale ultérieure d’une couche de l’alliage lll-N et faisant bénéficier la structure finale de ses bonnes propriétés de dissipation thermique et de limitation des pertes RF. La couche de SiC semi-isolant étant en contact direct avec le substrat de silicium (ou autre matériau de haute résistivité électrique), la structure ne contient en outre aucune barrière thermique.
Un procédé qui consisterait à former la couche de SiC semi-isolant par épitaxie directement sur un substrat de silicium de haute résistivité électrique conduirait à former un grand nombre de dislocations dans le SiC semi-isolant en raison de la différence de paramètre de maille entre le silicium et le carbure de silicium. Au contraire, le procédé selon l’invention permet d’utiliser comme germe pour la croissance du SiC semi-isolant une couche de SiC monocristallin de qualité optimale car obtenue par transfert du substrat donneur.
Par ailleurs, l’utilisation du premier substrat receveur, qui remplit la fonction de support temporaire, permet d’orienter la face silicium du SiC de manière optimale dans les différentes étapes du procédé.
Selon des caractéristiques avantageuses mais optionnelles du procédé, considérées séparément ou dans leurs combinaisons techniquement possibles :
- le premier substrat receveur et le substrat donneur présentent une différence de coefficient de dilatation thermique inférieure ou égale à 3x10'6 K'1 ; - le premier substrat receveur est un substrat de SiC présentant une qualité cristalline inférieure à celle du substrat donneur ;
- la couche mince de SiC monocristallin transférée sur le premier substrat receveur présente une épaisseur inférieure à 1 pm ;
- la couche de collage est formée en un matériau thermiquement stable pendant la croissance épitaxiale de la couche de SiC semi-isolant et apte à être retiré de l’interface entre la couche de SiC monocristallin transférée et du premier substrat receveur ;
- la couche de collage est une couche de nitrure de silicium ou de nitrure de gallium ;
- le retrait d’au moins une partie de la couche de collage comprend une gravure chimique, un délaminage par laser et/ou l’application d’une contrainte mécanique ;
- la couche de SiC semi-isolant est formée par dopage au vanadium pendant la croissance épitaxiale du SiC ;
- la couche de SiC semi-isolant est formée par dépôt simultané de silicium, de carbone et de vanadium ;
- le second substrat receveur est un substrat de silicium présentant une résistivité électrique supérieure ou égale à 100 Q.cm ;
- la couche épitaxiale de SiC semi-isolant présente une épaisseur comprise entre 1 et 5 pm ;
- le second substrat receveur est un substrat de SiC polycristallin ou un substrat d’AIN polycristallin présentant une résistivité électrique supérieure ou égale à 100 Q.cm ;
- la couche épitaxiale de SiC semi-isolant présente une épaisseur inférieure ou égale à 80 pm ;
- le procédé comprend en outre une étape de recyclage de la portion du substrat donneur détachée de la couche transférée, en vue de former un nouveau substrat donneur ;
- l’implantation des espèces ioniques est réalisée au travers de la face silicium du substrat donneur, et la face silicium du substrat donneur est collée sur le premier substrat receveur, de sorte que, après le retrait de la couche mince de SiC monocristallin transférée, la face silicium de la couche de SiC semi-isolant soit exposée.
Un autre objet de l’invention concerne un procédé de fabrication d’une couche d’un alliage lll-N à base de gallium sur un substrat obtenu par le procédé qui vient d’être décrit.
Ledit procédé comprend :
- la fourniture d’un substrat fabriqué par le procédé tel que décrit ci-dessus,
- la croissance épitaxiale de la couche de nitrure de gallium sur la couche de SiC semi- isolant dudit substrat.
Dans certains modes de réalisation, la couche de nitrure de gallium présente une épaisseur comprise entre 1 et 2 pm. Un autre objet de l’invention concerne un procédé de fabrication d’un transistor à haute mobilité d’électrons (HEMT) dans une telle couche d’alliage lll-N.
Ledit procédé comprend :
- la fabrication par épitaxie d’une couche de nitrure de gallium, de nitrure de gallium et d’aluminium ou de nitrure de gallium et d’indium par le procédé tel que décrit plus haut,
- la formation d’une hétérojonction par épitaxie, sur ladite couche, d’une couche d’un matériau lll-N différent du matériau de ladite couche,
- la formation d’un canal du transistor au niveau de ladite hétérojonction,
- la formation d’une source, d’un drain et d’une grille du transistor sur le canal.
Brève description des dessins
D’autres caractéristiques et avantages de l’invention ressortiront de la description détaillée qui va suivre, en référence aux dessins annexés, sur lesquels :
La figure 1 est une vue schématique en coupe d’un substrat donneur de SiC monocristallin ;
La figure 2 est une vue schématique en coupe du substrat donneur de la figure 1 dans lequel une zone de fragilisation est formée par implantation d’espèces ioniques pour délimiter une couche mince à transférer ;
La figure 3 est une vue schématique en coupe d’un support temporaire recouvert d’une couche de collage démontable ;
La figure 4 est une vue schématique en coupe de l’assemblage du support temporaire de la figure 3 et du substrat donneur de la figure 2 par l’intermédiaire de la couche de collage démontable ;
La figure 5 est une vue schématique en coupe du détachement du substrat donneur le long de la zone de fragilisation pour transférer la couche mince de SiC monocristallin sur le support temporaire ;
La figure 6 est une vue schématique en coupe de la couche mince de SiC monocristallin transférée sur le support temporaire après polissage de sa surface libre ;
La figure 7 est une vue schématique en coupe de la formation par épitaxie d’une couche de SiC semi-isolant sur la couche mince de SiC monocristallin transférée ;
La figure 8 est une vue schématique en coupe de l’assemblage de la structure de la figure 7 et d’un substrat receveur par l’intermédiaire de la couche épitaxiale de SiC semi- isolant ;
La figure 9 est une vue schématique en coupe du démontage du support temporaire de la structure de la figure 8 ;
La figure 10 est une vue schématique en coupe du substrat receveur et de la couche épitaxiale de SiC semi-isolant après retrait de la couche mince de SiC monocristallin ; La figure 11 est une vue schématique en coupe de la formation par épitaxie d’une couche de GaN sur la couche de SiC semi-isolant ;
La figure 12 est une vue schématique en coupe de la formation d’une hétérojonction par épitaxie d’une couche d’un alliage lll-N différent du GaN sur la couche de GaN.
Pour des raisons de lisibilité des figures, les différentes couches n’ont pas nécessairement été réalisées à l’échelle.
Description détaillée de modes de réalisation
L’invention propose un procédé de fabrication de substrats pour la croissance épitaxiale d’alliages lll-N binaires ou ternaires à base de gallium. Lesdits alliages comprennent le nitrure de gallium (GaN), le nitrure de gallium et d’aluminium (AlxGai-xN, où 0 < x < 1 , désigné par la suite de manière abrégée par AIGaN) et le nitrure de gallium et d’indium (lnxGai-xN, où 0 < x < 1 , désigné par la suite de manière abrégée par InGaN). Dans un souci de concision, on décrira dans la suite du texte la fabrication d’un substrat pour la croissance épitaxiale d’une couche de GaN mais l’homme du métier est à même d’adapter les conditions de croissance pour former une couche d’AIGaN ou d’IngaN, le substrat servant à cette croissance épitaxiale étant le même.
Le procédé utilise un substrat donneur de carbure de silicium (SiC) monocristallin semi- conducteur dopé, dont une couche mince, transférée sur un premier substrat receveur, servira de germe à la croissance d’une couche de SiC semi-isolant. Dans la suite du texte, on considérera un transfert de couche par le procédé Smart Cut™, mais il va de soi que toute autre technique de transfert de couche peut être utilisée, par exemple par spallation ou découpe laser.
A cet effet, on choisit un substrat de SiC monocristallin présentant une excellente qualité cristalline, c’est-à-dire notamment exempt de dislocations.
Dans certains modes de réalisation, le substrat donneur peut être un substrat massif de SiC monocristallin. Dans d’autres formes de réalisation, le substrat donneur peut être un substrat composite, comprenant une couche superficielle de SiC monocristallin et au moins une autre couche d’un autre matériau. Dans ce cas, la couche de SiC monocristallin présente une épaisseur supérieure ou égale à 0,5 pm.
Il existe différentes formes cristallines (également appelées polytypes) du carbure de silicium. Les plus répandues sont les formes 4H, 6H et 3C. De manière préférée, le carbure de silicium monocristallin est choisi parmi les polytypes 4H et 6H, mais tous les polytypes sont envisageables pour mettre en oeuvre la présente invention.
Sur les figures, on a représenté un substrat massif 10 de SiC monocristallin.
De manière connue en elle-même, comme illustré sur la figure 1 , un tel substrat présente une face silicium 10-Si et une face carbone 10-C. A l’heure actuelle, les procédés d’épitaxie de GaN sont principalement mis en oeuvre sur la face silicium du SiC. Cependant, il n’est pas exclu de parvenir à faire croître du GaN sur la face carbone du SiC. L’orientation du substrat donneur (face silicium / face carbone) pendant la mise en oeuvre du procédé est choisie en fonction de la face du SiC destinée à la croissance de la couche de GaN.
En référence à la figure 2, on met en oeuvre une implantation d’espèces ioniques dans le substrat donneur 10, de sorte à former une zone de fragilisation 12 délimitant une couche mince 11 de SiC monocristallin. Les espèces implantées comprennent typiquement de l’hydrogène et/ou de l’hélium. L’homme du métier est à même de définir l’énergie et la dose d’implantation requises.
Lorsque le substrat donneur est un substrat composite, l’implantation est réalisée dans la couche superficielle de SiC monocristallin dudit substrat.
De manière préférée, l’implantation des espèces ioniques est réalisée au travers de la face silicium 10-Si du substrat donneur. Comme on le verra par la suite, cette orientation du substrat donneur permet d’obtenir, à la surface du substrat final destiné à la croissance de la couche de GaN, la face silicium du SiC, qui est plus favorable. Cependant, si la croissance de la couche de GaN est envisagée sur la face carbone du SiC, l’implantation des espèces ioniques doit être réalisée au travers de la face carbone 10-C du substrat donneur.
De préférence, la couche mince 11 de SiC monocristallin présente une épaisseur inférieure à 1 pm. Une telle épaisseur est en effet accessible à l’échelle industrielle avec le procédé Smart Cut™. En particulier, les dispositifs d’implantation disponibles dans les lignes de fabrications industrielles permettent d’atteindre une telle profondeur d’implantation.
En référence à la figure 3, on fournit par ailleurs un premier substrat receveur 20.
La fonction principale dudit premier substrat receveur est de supporter temporairement la couche 11 de SiC monocristallin entre son transfert depuis le substrat donneur et la croissance d’une couche de SiC semi-isolante sur la couche de SiC monocristallin.
A cet effet, le premier substrat receveur est choisi pour présenter un coefficient de dilatation thermique sensiblement égal à celui du SiC, afin de ne pas induire de contraintes ou de déformations lors de l’épitaxie du SiC semi-isolant. Ainsi, de manière particulièrement avantageuse, le premier substrat receveur et le substrat donneur (ou la couche de SiC monocristallin dans le cas d’un substrat donneur composite) présentent une différence de coefficient de dilatation thermique inférieure ou égale à 3x10'6 K’1.
De préférence, le premier substrat receveur est également en SiC de manière à minimiser la différence de coefficient de dilatation thermique. De manière particulièrement avantageuse, le premier substrat receveur 20 est un substrat de SiC présentant une qualité cristalline inférieure à celle du substrat donneur. On entend par là que le premier substrat receveur peut être un substrat de SIC polycristallin, ou bien un substrat de SiC monocristallin mais pouvant comprendre des dislocations de tous types (contrairement au SiC monocristallin du substrat donneur qui est choisi d’une excellente qualité cristalline afin d’assurer la qualité de la couche épitaxiale de GaN). Un tel substrat de qualité cristalline inférieure présente l’avantage d’être moins onéreux qu’un substrat de même qualité que le substrat donneur, tout étant parfaitement adapté à la fonction de support temporaire.
En référence à la figure 4, on colle le substrat donneur 10 comprenant la couche mince 11 de SiC monocristallin sur le premier substrat receveur 20.
Pour assurer une bonne adhésion du substrat donneur sur le premier substrat donneur, on forme une couche de collage 21 à l’interface entre lesdits substrats.
Sur la figure 3, la couche de collage 21 est formée sur le premier substrat receveur 20, mais, dans d’autres modes de réalisation non illustrés, la couche de collage peut être formée sur le substrat donneur (du côté de la couche mince 11 ), ou bien en partie sur le substrat donneur et en partie sur le premier substrat receveur.
La couche de collage est formée en un matériau thermiquement stable pendant la croissance épitaxiale ultérieure du SiC semi-isolant sur la couche mince 11 .
A titre indicatif, l’épitaxie de 4H ou 6H-SiC étant réalisée à une température typiquement supérieure à 1500°C, le matériau de la couche de collage est choisi pour ne pas se dégrader ou se dissocier à une telle température.
Par ailleurs, le matériau de la couche de collage est apte à être retiré de l’interface entre la couche de SiC monocristallin transférée et du premier substrat receveur 20, par exemple au moyen d’une gravure sélective, éventuellement assistée par plasma.
Selon un mode de réalisation préféré, la couche de collage est une couche de nitrure de silicium ou de nitrure de gallium. L’épaisseur de ladite couche est typiquement comprise entre 10 nm et quelques centaines de nanomètres.
En référence à la figure 5, on détache le substrat donneur le long de la zone de fragilisation 12. De manière connue en elle-même, le détachement peut être provoqué par un traitement thermique, une action mécanique, ou une combinaison de ces moyens. Ce détachement a pour effet de transférer la couche mince 11 de SiC monocristallin sur le premier substrat receveur 20. Le reliquat 10’ du substrat donneur peut éventuellement être recyclé en vue d’une autre utilisation.
Comme illustré sur la figure 6, la face libre de la couche 11 de SiC monocristallin transférée est la face carbone 11-C (la face silicium 11 -Si étant du côté de l’interface de collage). On met en oeuvre un polissage de cette face, par exemple par un polissage mécano-chimique (CMP, acronyme du terme anglo-saxon « Chemical Mechanical Polishing ») pour retirer les défauts liés à l’implantation des espèces ioniques et réduire la rugosité de la couche 11 . En référence à la figure 7, on met en oeuvre une croissance épitaxiale d’une couche 30 de SiC semi-isolant sur la couche mince 11 de SiC monocristallin. Le polytype du SiC semi-isolant est avantageusement identique à celui du SiC du substrat donneur.
Cette croissance épitaxiale est réalisée à une température très élevée, généralement supérieure à 1500°C mais, comme expliqué plus haut, la couche de collage 21 est stable à cette température. De plus, compte tenu de la faible différence de coefficient de dilatation thermique entre le matériau du premier substrat receveur et le SiC, les contraintes mécaniques engendrées dans l’empilement sont minimisées.
Il existe différentes techniques pour former du SiC semi-isolant. Selon un mode de réalisation, on dope au vanadium la couche de SiC pendant sa croissance épitaxiale. Selon un autre mode de réalisation, on dépose simultanément du silicium, du carbone et du vanadium, en utilisant des précurseurs adaptés dans un bâti d’épitaxie.
La couche de SiC semi-isolant présente avantageusement une épaisseur supérieure à 1 pm, de sorte à contribuer de manière significative à la dissipation thermique au sein de la structure finale. Cette épaisseur est plus élevée que l’épaisseur accessible directement par le procédé Smart Cut™ avec les équipements disponibles industriellement.
Ainsi, le procédé consistant à transférer une couche de SiC monocristallin avec une épaisseur inférieure à 1 pm puis à former une couche monocristalline de SiC monocristallin par épitaxie sur ladite couche transférée permet de contourner les limites techniques des équipements d’implantation disponibles industriellement pour la mise en oeuvre du procédé Smart Cut™. Par ailleurs, ce procédé ne nécessite pas un substrat donneur en SiC semi-isolant (qui serait particulièrement coûteux) ; en effet, la couche transférée ayant essentiellement une fonction de couche germe pour la formation de la couche de dissipation thermique en SiC semi-isolant, l’utilisation de SiC monocristallin de résistivité électrique standard pour former la couche transférée est suffisante.
En référence à la figure 8, on fournit un second substrat receveur 40 qui présente une haute résistivité électrique, et on le colle sur la couche 30 de SiC semi-isolant. Par exemple, le second substrat receveur peut être un substrat de silicium présentant une résistivité électrique supérieure ou égale à 100 Q.cm, un substrat de SiC polycristallin ou un substrat d’AIN polycristallin, présentant également une résistivité électrique supérieure ou égale à 100 Q.cm.
Selon le matériau du second substrat receveur, l’épaisseur de la couche 30 de SiC semi- isolant pourra être adaptée. Ainsi, lorsque le second substrat receveur est un substrat de silicium de haute résistivité électrique, la couche 30 de SiC semi-isolant présentera avantageusement une épaisseur comprise entre 1 et 5 pm. Lorsque le second substrat receveur est un substrat de SiC polycristallin ou d’AIN polycristallin, il pourra être avantageux de former la couche 30 de SiC semi-isolant sur une épaisseur beaucoup plus importante, pouvant atteindre 80 pm, par exemple de l’ordre de 50 à 80 pm, pour améliorer la dissipation thermique au sein de la structure finale.
On retire ensuite au moins une partie de la couche de collage 21 , de sorte à détacher le premier substrat receveur du reste de la structure. Lors de ce retrait, la couche 21 doit être suffisamment endommagée pour permettre une dissociation de la structure. Tout moyen adapté peut être employé. Par exemple, mais de manière non limitative, le retrait de la couche de collage peut être réalisé par une gravure chimique, un délaminage par laser et/ou l’application d’une contrainte mécanique.
Comme illustré sur la figure 9, il subsiste donc, à l’issue de cette séparation, une structure constituée successivement du second substrat receveur 40, de la couche 30 de SiC semi-isolant et de la couche mince transférée 11 de SiC monocristallin. Les éventuels résidus de la couche de collage 21 ont été retirés par polissage et/ou gravure. En référence à la figure 10, on retire la couche mince 11 , de sorte à exposer la couche 30 de SiC semi-isolant. Le retrait de la couche mince 11 peut être réalisé par tout moyen approprié, tel qu’une gravure chimique ou mécanique.
La face exposée est la face silicium du SiC semi-isolant, qui est favorable à la croissance épitaxiale du GaN. On a ainsi formé un substrat adapté pour la croissance épitaxiale d’alliages lll-N.
En référence à la figure 11 , on fait croître, sur la face libre de la couche 30 de SiC semi- isolant, une couche 50 de GaN (ou, comme mentionné plus haut, d’AIGaN ou d’InGaN). L’épaisseur de la couche 50 est typiquement comprise entre 1 et 2 pm.
Ensuite, comme illustré sur la figure 12, on forme une hétérojonction en faisant croître par épitaxie, sur la couche 50, une couche 60 d’un alliage lll-N différent de celui de la couche 50.
On peut ainsi poursuivre la fabrication de transistors, notamment de transistors HEMT, à partir de cette hétérojonction, par des procédés connus de l’homme du métier, le canal du transistor étant formé au niveau de l’hétérojonction, et la source, le drain et la grille du transistor étant formés sur le canal.
La structure ainsi obtenue est particulièrement intéressante en ce qu’elle comprend une couche relativement épaisse de SiC semi-isolant, qui d’une part sert de germe à la croissance épitaxiale de la couche d’alliage lll-N et qui d’autre part procure une bonne dissipation thermique et une limitation des pertes RF. Par ailleurs, le second substrat receveur, qui supporte la couche de SiC semi-isolant, est directement en contact avec ladite couche, de sorte que la structure ne comporte pas de barrière thermique.
Ainsi, un transistor HEMT ou un autre dispositif électronique à haute fréquence et forte puissance formé dans une couche d’alliage ll-N formée par épitaxie sur une telle structure présente des pertes RF minimisées et une dissipation thermique maximisée. Références
[1] Comparative study on stress in AIGaN/GaN HEMT structures grown on 6H-SiC, Si and on composite substrates of the 6H-SiC/poly-SiC and Si/poly-SiC, M. Guziewicz et al, Journal of Physics: Conference Series 100 (2008) 040235

Claims

Revendications
1 . Procédé de fabrication d’un substrat pour la croissance épitaxiale d’une couche de nitrure de gallium (GaN), de nitrure de gallium et d’aluminium (AIGaN) ou de nitrure de gallium et d’indium (InGaN), comprenant les étapes successives suivantes :
- fourniture d’un substrat donneur (10) de carbure de silicium monocristallin,
- implantation d’espèces ioniques dans le substrat donneur (10) de sorte à former une zone de fragilisation (12) délimitant une couche mince (11 ) de SiC monocristallin à transférer,
- collage du substrat donneur (10) sur un premier substrat receveur (20) par l’intermédiaire d’une couche de collage (21 ),
- détachement du substrat donneur (10) le long de la zone de fragilisation (12) de sorte à transférer la couche mince (11 ) de SiC sur le premier substrat receveur (20),
- croissance épitaxiale d’une couche (30) de SiC semi-isolant présentant une épaisseur supérieure à 1 pm sur la couche mince (11 ) de SiC,
- collage de la couche (30) de SiC semi-isolant sur un second substrat receveur (40), ledit second substrat receveur (40) présentant une haute résistivité électrique,
- retrait d’au moins une partie de la couche de collage (21 ) de sorte à détacher le premier substrat receveur (20),
- retrait de la couche mince (11 ) de SiC monocristallin transférée, de sorte à exposer la couche (30) de SiC semi-isolant.
2. Procédé selon la revendication 1 , dans lequel le premier substrat receveur (20) et le substrat donneur (10) présentent une différence de coefficient de dilatation thermique inférieure ou égale à 3x10'6 K’1.
3. Procédé selon l’une des revendications 1 ou 2, dans lequel le premier substrat receveur (20) est un substrat de SiC présentant une qualité cristalline inférieure à celle du substrat donneur.
4. Procédé selon l’une des revendications 1 à 3, dans lequel la couche mince (11 ) de SiC monocristallin transférée sur le premier substrat receveur (20) présente une épaisseur inférieure à 1 pm. Procédé selon l’une des revendications 1 à 4, dans lequel la couche de collage (21 ) est formée en un matériau thermiquement stable pendant la croissance épitaxiale de la couche (30) de SiC semi-isolant et apte à être retiré de l’interface entre la couche (11 ) de SiC monocristallin transférée et du premier substrat receveur (20). Procédé selon l’une des revendications 1 à 5, dans lequel la couche de collage (21 ) est une couche de nitrure de silicium ou de nitrure de gallium. Procédé selon l’une des revendications 1 à 6, dans lequel le retrait d’au moins une partie de la couche de collage (21 ) comprend une gravure chimique, un délaminage par laser et/ou l’application d’une contrainte mécanique. Procédé selon l’une des revendications 1 à 7, dans lequel la couche (30) de SiC semi-isolant est formée par dopage au vanadium pendant la croissance épitaxiale du SiC. Procédé selon l’une des revendications 1 à 7, dans lequel la couche (30) de SiC semi-isolant est formée par dépôt simultané de silicium, de carbone et de vanadium. Procédé selon l’une des revendications 1 à 9, dans lequel le second substrat receveur (40) est un substrat de silicium présentant une résistivité électrique supérieure ou égale à 100 Q.cm. Procédé selon la revendication 10, dans lequel la couche épitaxiale (30) de SiC semi-isolant présente une épaisseur comprise entre 1 et 5 pm. Procédé selon l’une des revendications 1 à 9, dans lequel le second substrat receveur (40) est un substrat de SiC polycristallin ou un substrat d’AIN polycristallin présentant une résistivité électrique supérieure ou égale à 100 Q.cm. Procédé selon la revendication 12, dans lequel la couche épitaxiale (30) de SiC semi-isolant présente une épaisseur inférieure ou égale à 80 pm. Procédé selon l’une des revendications 1 à 13, comprenant en outre une étape de recyclage de la portion (10’) du substrat donneur détachée de la couche (11 ) transférée, en vue de former un nouveau substrat donneur. 14 Procédé selon l’une des revendications 1 à 14, dans lequel :
- l’implantation des espèces ioniques est réalisée au travers de la face silicium (10- Si) du substrat donneur (10),
- la face silicium (10-Si) du substrat donneur (10) est collée sur le premier substrat receveur (20), de sorte que, après le retrait de la couche mince (11 ) de SiC monocristallin transférée, la face silicium de la couche (30) de SiC semi-isolant soit exposée. Procédé de fabrication par épitaxie d’une couche de nitrure de gallium, comprenant :
- la fourniture d’un substrat fabriqué par le procédé selon l’une des revendications 1 à 15,
- la croissance épitaxiale de la couche (50) de nitrure de gallium sur la couche (30) de SiC semi-isolant dudit substrat. Procédé selon la revendication 16, dans lequel la couche (50) de nitrure de gallium présente une épaisseur comprise entre 1 et 2 pm. Procédé de fabrication d’un transistor à haute mobilité d'électrons (HEMT), comprenant :
- la fabrication par épitaxie d’une couche (50) de nitrure de gallium, de nitrure de gallium et d’aluminium ou de nitrure de gallium et d’indium par le procédé selon l’une des revendications 16 ou 17,
- la formation d’une hétérojonction par épitaxie, sur ladite couche (50), d’une couche (60) d’un matériau lll-N différent du matériau de ladite couche (50),
- la formation d’un canal du transistor au niveau de ladite hétérojonction,
- la formation d’une source, d’un drain et d’une grille du transistor sur le canal.
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