EP4162528A1 - Dispositif optoélectronique pour affichage lumineux à parois de confinement lumineux conductrices et procédé de fabrication correspondant - Google Patents

Dispositif optoélectronique pour affichage lumineux à parois de confinement lumineux conductrices et procédé de fabrication correspondant

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EP4162528A1
EP4162528A1 EP21734417.5A EP21734417A EP4162528A1 EP 4162528 A1 EP4162528 A1 EP 4162528A1 EP 21734417 A EP21734417 A EP 21734417A EP 4162528 A1 EP4162528 A1 EP 4162528A1
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EP
European Patent Office
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light
electrode
support
optoelectronic device
elements
Prior art date
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Pending
Application number
EP21734417.5A
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German (de)
English (en)
Inventor
Philippe Gibert
Eric Pourquier
Frédéric Mayer
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Aledia
Original Assignee
Aledia
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Filing date
Publication date
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Definitions

  • the present invention relates to an optoelectronic device for light display, comprising: a support defining a support face, a plurality of light elements fixed to the support face, each light element being electrically connected to at least a first electrode 10 and comprising at least one light-emitting diode having an active part capable of emitting light when a current passes through the active part and at least one doped part arranged in a situation of electrical contact with said at least one first electrode, a plurality of light confinement walls , each light confinement wall being configured so as to have an ability to reflect all or part of the light emitted by at least one of the light elements and being arranged so as to surround all or part of said at least one of the light elements so in reflecting all or part of the light emitted by said at least one luminous element.
  • the invention also relates to a method of manufacturing an optoelectronic device for light display.
  • the light elements 25 constituting the screen must be arranged in a matrix fashion.
  • the precision necessary for the formation of such a matrix increases as the resolution expected for the screens increases.
  • first support for example a silicon or sapphire wafer
  • second support intended to form an integral part of the screen.
  • the electrical connections which make it possible to supply the light-emitting diodes thus transferred electrically are made at the level of the second support.
  • the electrical connection of the upper part of the light emitting diodes and the electrical connection of their part lower remain difficult to achieve without risk of inadvertent short-circuit, due to the small distance between them.
  • the light-emitting diodes are three-dimensional, typically of wire form which is a very advantageous form, obtaining an electrical connection of their upper part is difficult due to their micrometric or even nanometric dimensions.
  • An additional problem encountered when transferring the light elements is that the precise positioning of the light elements at the level of the second support is not guaranteed due to the increasingly small dimensions of the light elements and the electrical connections in order to obtain the best possible resolution.
  • the luminous display proposed by the optoelectronic device The usual techniques for resuming the electrical contacts on the luminous elements are not satisfactory because the positioning errors are random and according to an error range which is too high compared to the dimensions of the luminous elements and of the electrical connections.
  • the object of the present invention is to provide an optoelectronic device and a manufacturing method making it possible to respond to all or part of the problems presented above.
  • one aim is to provide a solution meeting at least one of the following objectives: allowing the supply of an optoelectronic device for light display limiting the risks of short-circuit; enable the supply of an optoelectronic device for luminous display at a lower cost; enable the provision of an optoelectronic device for light display having large dimensions; enable the provision of an optoelectronic device for light display having high performance and the highest possible display resolution; allow the provision of an optoelectronic device of which the majority of the luminous elements are electrically connected in a satisfactory manner.
  • This goal can be achieved by means of an optoelectronic device for light display, comprising: a support defining a support face;
  • each luminous element being electrically connected to at least a first electrode and comprising at least one light-emitting diode having an active part capable of emitting light when a current passes through the part active and at least one doped part arranged in a situation of electrical contact with said at least one first electrode, said first electrode covering at least an upper part of said doped part arranged on the side opposite to the support face;
  • each luminous confinement wall being configured so as to have an ability to reflect all or part of the light emitted by at least one of the luminous elements and being arranged so as to surround all or part of said at least one at least one of the light elements so as to reflect all or part of the light emitted by said at least one light element; all or part of at least one of the light confinement walls of the plurality of light confinement walls having the ability to be electrically conductive and connected directly to the first electrode of at least one of the light elements of said plurality of light elements.
  • At least one of the light elements of the plurality of light elements comprises all or part of a control device configured to modulate at least one emission parameter associated with said at least one diode electroluminescent that comprises said luminous element.
  • the device for controlling at least one of the light elements is electrically connected to a second electrode electrically isolated from the first electrode, said second electrode being electrically connected to at least one other wall light containment among the plurality of light containment walls, wherein said another light containment wall is electrically insulated from the light containment wall in electrical contact with the first electrode of said light element.
  • At least one of the light-emitting diodes of at least one of the light elements has a three-dimensional wireframe extending along a main axis oriented transversely to the support face, the first electrode surrounding at least an upper portion of said light-emitting diode arranged on the side opposite to the support face along the main axis.
  • the first electrode is arranged at a lower portion of the light-emitting diode located on a side opposite to the upper portion along the main axis.
  • the first electrode is formed from an electrically conductive material and at least partially transparent to the light emitted by the active part of the light emitting diode in contact with said first electrode.
  • all or part of the first electrode is covered, on a side opposite to the support, by a spacer portion formed on the first electrode, the light confinement walls being formed through said portion d 'spacing to be in contact with the first electrode.
  • a first electrical conductor is formed on an upper face of the spacer portion arranged on a side opposite to the support face along the main axis so that the first electrical conductor is in contact. electric with at least one of the light containment walls.
  • said spacing portion is formed by a passivation layer at least partially transparent with respect to the light emitted by the luminous element around which it is arranged and electrically insulating and / or by a light conversion layer capable of converting at least a first wavelength of the light emitted by the luminous element, around which it is arranged, into a second wavelength different from the first wavelength.
  • At least one of the light confinement walls comprises an electrical conduction layer characterized by an electrical conductivity greater than 10 6 Siemens / m.
  • the electrical conduction layer is formed by at least one element belonging to the group comprising silver, aluminum, an alloy of copper and silver, gold, a silver alloy. and gold, an alloy of gold and aluminum, an alloy of tungsten and silver, an alloy of tungsten and aluminum.
  • the support is formed from a material other than a crystalline material.
  • At least two light confinement walls belonging to the plurality of light confinement walls are electrically connected to each other.
  • the light elements are obtained on an external support different from the support prior to a transfer of said light elements to the support.
  • the device comprises an electrical insulation layer arranged between at least part of the support face and all or part of the first electrode.
  • the invention also relates to the implementation of a method of manufacturing an optoelectronic device for light display, the manufacturing method comprising the following steps: a) providing a support defining a support face; b) forming at least a first electrode covering at least an upper part of said doped part arranged on the side opposite to the support face; c) forming a plurality of light elements attached to the support face, during which said at least one first electrode is electrically connected to at least one of the formed light elements and in which each light element is electrically connected to said at least a first electrode and comprising at least one light-emitting diode having an active part capable of emitting light when a current passes through the active part and at least one doped part arranged to be in electrical contact with said at least a first electrode; d) formation of a plurality of light confinement walls in which each light confinement wall formed has an ability to reflect all or part of the light emitted by at least one of the light elements and is arranged so as to surround all or part of said at least one
  • the method comprises the following step, carried out between step b) and step d): e) forming a spacing portion on said at least a first electrode formed in step b) on a side opposite to the support; light containment walls being formed during step d) through the spacer portion formed in step e) and to be in contact with the first electrode formed in step b).
  • step d) comprises at least one etching step in which the spacing portion obtained in step e) undergoes controlled etching so as to stop said etching when the first electrode outcrops.
  • the method comprises the following step: f) forming an electrically conduction layer in the etching resulting from step d); step f) being implemented so that the electric conduction layer formed is in electric contact with the first electrode formed in step b) and is characterized by an electric conductivity greater than 10 6 Siemens / m; all or part of step f) being implemented during step d).
  • step d) comprises a filling step consisting in filling all or part of the etching resulting from step d) with an electrically conductive material.
  • step c) comprises a remote manufacturing step of the light elements in which the light elements are obtained on an external support different from the support and then transferred so as to be fixed on the support face. of the support.
  • FIG. 1 is a schematic sectional view of an example of an optoelectronic device according to the invention
  • FIG. 2 is a schematic sectional view of an example of an optoelectronic device according to the invention in which the light confinement walls comprise a conduction layer;
  • - Figure 3 is a schematic sectional view of an example of an optoelectronic device according to the invention in which the light elements comprise a control device;
  • - Figure 4 is a schematic sectional view of an example of an optoelectronic device according to the invention in which a first upper conductor is electrically connected to the light confinement walls;
  • FIG. 5 is a schematic sectional view of an example of an optoelectronic device according to the invention in which one of the light elements is electrically connected to a second electrode and to a light confinement wall;
  • FIG. 6 is a schematic sectional view of an example of an optoelectronic device according to the invention in which a luminous element comprises several light-emitting diodes and a control device;
  • FIG. 7 is a schematic sectional view of several steps of an example of the manufacturing process according to the invention.
  • FIG. 8 is a schematic sectional view of several steps of a further example of the manufacturing method according to the invention implementing a spacing portion
  • FIG. 9 is a schematic sectional view of several steps of a further example of the manufacturing method according to the invention implementing an electrical conduction layer
  • FIG. 10 is a schematic sectional view of a further example of an optoelectronic device according to the invention in which a protective layer is arranged on a spacer portion, the protective layer being provided with openings opening onto the light containment walls.
  • the invention relates firstly to an optoelectronic device for light display.
  • optoelectronic device is understood to mean a device capable of producing light from an electrical or electronic control.
  • luminous display it is understood the display of luminous pixels or else the display of lighting or backlighting light.
  • the light display can be implemented for screens such as, for example, display screens for televisions, virtual or augmented reality headsets or even screens for mobile equipment.
  • the light display can be monochrome or full color.
  • the optoelectronic device 10 for light display comprises on the one hand a support 11 defining a support face 11a.
  • the support 11 is for example a semiconductor substrate of silicon, germanium, sapphire or type II, III, V or VI type semiconductor material.
  • the support 11 is for example electrically insulating and formed by one or more glass plates.
  • the support 11 can also be electrically conductive and formed by one or more metal plates.
  • the support 11 can also comprise conductive tracks insulated from one another and formed on the surface thereof or inside it.
  • the support 11 can be crystalline or non-crystalline and also include active or passive components such as transistors or memories. These latter elements being conventional for those skilled in the art, they are not shown.
  • the support 11 can for example constitute a support for a light display screen.
  • the optoelectronic device 10 also comprises a plurality of light elements 13 fixed to the support face 11a.
  • the term “fixed” is understood to mean “fixed directly or indirectly in an electrically isolated manner or so as to be electrically connected to an element of the support 11".
  • the light elements 13 can be fixed to the support face 11a by means of a fixing element, not shown, such as conductive glue or not.
  • a fixing element such as conductive glue or not.
  • the fixing element comprises a set of metal particles coated in an insulating material.
  • the fixing element is at least partly transparent to the light emitted by the light emitting part of the light elements 13.
  • the plurality of light elements 13 it is also possible to provide for the plurality of light elements 13 to be arranged for example in a matrix arranged more or less regularly.
  • the light elements 13 are obtained on an external support different from the support 11 prior to a transfer of said light elements 13 to the support 11. This makes it possible to obtain light elements on a support which would be incompatible with their mode of operation. 'obtaining and / or on a large surface support.
  • Each light element 13 is electrically connected to at least a first electrode 13d.
  • the first electrode 13d covers at least an upper part of said doped part arranged on the side opposite to the support face 11a.
  • the first electrode 13d is formed from an electrically conductive material and at least partially transparent to the light emitted by the active part of the light emitting diode 15 in contact with said first electrode 13d.
  • the first electrode 13d can be, for example, doped tin oxide, doped zinc oxide or else a matrix containing carbon nanotubes or graphene.
  • An electrically insulating layer 17 can also be arranged between at least part of the support face 11 and all or part of the first electrode 13d. This makes it possible to electrically insulate the first electrode 13d with respect to a second electrode 13c or with respect to the substrate. This electrically insulating layer 17 may be present before the formation of the light-emitting diodes 15 and at the same time serve as a mask for growth.
  • Each luminous element 13 comprises at least one light-emitting diode 15 having an active part capable of emitting light when a current passes through the active part.
  • a light element 13 may simply consist of a single light emitting diode 15.
  • the light-emitting diodes 15 comprise at least one doped semiconductor part arranged in a situation of electrical contact with, on the one hand, said at least one first electrode 13d and on the other hand with the active part of the same light-emitting diode.
  • the electrical contact between the first electrode 13d and the doped part of the light-emitting diode can be direct or indirect via the intermediary of a or several layers or via a control device 13b arranged in the luminous element 13.
  • this control device 13b is configured to modulate at least one emission parameter associated with at least one of the light-emitting diodes 15 that the luminous element 13 comprises. . This can be varied gradually between zero - zero current, zero light emission - and a maximum intensity - maximum light emission.
  • the control device can include transistors, memories or any component necessary for a person skilled in the art to carry out a programmable control command.
  • the control device 13b can be connected to one -figure 3 or 5- or several -figure 6- light emitting diodes 15.
  • control device 13b can be additionally electrically connected to a second electrode 13c. This is electrically isolated from the first electrode 13d.
  • the light elements 13 do not include a control device 13b
  • the light elements 13 or the light emitting diode (s) 15 components can be connected to the second electrode 13c.
  • the doping of the doped part of the light-emitting diode 15, arranged in a situation of electrical contact with the first electrode 13d, can be chosen according to a first type of doping, chosen between a P type and an N type of doping.
  • the contact between the doped part and the active semiconductor part can be electrical and / or physical.
  • At least two light emitting diodes 15 are arranged in a light element 13. This allows more robustness against the wear of the light elements 13. Another advantage is that the light power is increased.
  • the light emitting diodes 15 have a three-dimensional shape in the form of microwires or nanowires.
  • three-dimensional light emitting diodes other than microwires or nanowires, for example conical or pyramidal three-dimensional light emitting diodes.
  • Three-dimensional shaped light emitting diodes have an elongated shape along the preferred direction referred to as the longitudinal direction.
  • a second dimension, called the small dimension of the diode light emitting diode extends transversely to the longitudinal direction and represents a diameter of the light emitting diode.
  • the dimension along the longitudinal direction is in the range of 5 nm to 5 ⁇ m, preferably 50 nm to 2.5 ⁇ m, and is greater than or equal to 1 times, preferably greater than or equal to 5 times, and more preferably greater than or equal to 10 times the largest small dimension.
  • the small dimensions may be less than or equal to about 1 ⁇ m, preferably in the range of 70 nm to 1 ⁇ m, more preferably 100 nm to 800 nm.
  • the height of each three-dimensional light emitting diode along the longitudinal dimension D may be greater than or equal to 500 nm, preferably in the range of 1 ⁇ m to 50 ⁇ m.
  • the light-emitting diodes 15 can also comprise a second part doped according to a second type of doping, chosen between a P type and an N type of doping and opposite to the first type of doping.
  • the second semiconductor part can be connected to the support 11 or to an electrode different from the first electrode 13d in contact with the doped part.
  • Said doped parts are formed for example partially of at least one semiconductor material such as silicon, germanium, silicon carbide, a III-V compound such as III-N compounds, a II-VI compound or a III-V compound. combination of these compounds.
  • Group III elements include gallium (Ga), indium (In) or aluminum (Al).
  • III-N compounds are GaN, AIN, InN, InGaN, AIGaN or AlInGaN.
  • Other elements of group V can also be used, for example phosphorus or arsenic.
  • the elements in compound III-V can be combined with different mole fractions.
  • group II elements include an element of group MA, in particular beryllium (Be) and magnesium (Mg) and elements of group MB, in particular zinc (Zn) and cadmium (Cd).
  • elements of group VI include elements of group VIA, in particular oxygen (O) and tellurium (Te).
  • compounds II-VI are ZnO, ZnMgO, CdZnO or CdZn-MgO.
  • the elements in compound II-VI can be combined with different mole fractions.
  • the dopant can be selected from the group comprising a dopant of group II type P, for example, magnesium (Mg), zinc (Zn), cadmium (Cd) or mercury (Hg), a group IV type P dopant, for example carbon (C) and a group IV type N dopant, for example silicon (Si), germanium (Ge), selenium (Se), sulfur (S), terbium (Tb) or tin (Sn).
  • group II type P for example, magnesium (Mg), zinc (Zn), cadmium (Cd) or mercury (Hg)
  • a group IV type P dopant for example carbon (C)
  • a group IV type N dopant for example silicon (Si), germanium (Ge), selenium (Se), sulfur (S), terbium (Tb) or tin (Sn).
  • the active part can comprise means for confining the carriers of electric charges such as a quantum well and / or quantum barriers.
  • the active part can be essentially produced, at the end of its formation, based on a compound II-VI or a compound III-V but preferably on an alloy III-V and more particularly made of an lnwGa (lw) N alloy, where w is less than or equal to 1.
  • the active part of the light emitting diodes 15 emits light when a current passes through it. This light has a color which varies depending on the composition of the active layer.
  • light emitting diodes all emitting the same wavelength (generally in blue or ultraviolet) and to surround them at least in part by light converters.
  • the light converters are for example coated with an organic or inorganic matrix.
  • the light converters are for example chosen from photoluminescent pads or quantum pads.
  • the photoluminescent pads are designed so as to absorb and convert at least part of the incident light rays emanating from the light emitting diode 15 surrounded by the light converters.
  • the photoluminescent spots then emit outgoing light rays of a different color, for example green or red.
  • These photoluminescent pads can advantageously form a wavelength filter because they allow parasitic wavelengths to be emitted outside the optoelectronic device 10.
  • the light elements 13 are each formed of a light-emitting diode 15 and the latter has a three-dimensional wireframe extending along a main axis 18 oriented transversely to the support face 11a.
  • the first electrode 13d surrounds at least an upper portion 15a of said light-emitting diode 15 arranged on the side opposite to the support face 11a along the main axis 18.
  • the first electrode 13d is arranged at the level of a lower portion of the light-emitting diode 15 located on a side opposite to the upper portion 15a along the main axis 18.
  • the optoelectronic device 10 also comprises a plurality of light confinement walls 16.
  • Each light confinement wall 16 is configured so as to have an ability to reflect all or part of the light emitted by at least one of the light elements 13.
  • Each wall of light is light confinement 16 is also arranged so as to surround all or part of said at least one of the light elements 13.
  • all or part of the light emitted by said at least one light element 13 is reflected in one or more preferred directions, or of omnidirectional way.
  • each light element 13 is surrounded by light containment walls 16 which are arranged generally parallel to the main axis 18 of the light elements. This is advantageous for improving the integration density and increasing the reflection of the light coming from the light elements 13.
  • the number of light elements 13 formed between two light confinement walls 16 may be two or more. This makes it possible to increase the robustness over time of the optoelectronic device 10.
  • all or part of at least one of the light confinement walls 16 of the plurality of light confinement walls 16 has the ability to be electrically conductive. It is connected directly to the first electrode 13d of at least one of the light elements 13.
  • An advantage of this architecture is the simplification of the architecture, a reduction in the risk of false contacts and a reduction in production costs.
  • the light confinement walls 16 arranged and formed in this way therefore make it possible both to confine, deflect or reflect the light coming from the light-emitting diodes but also allow contact to be made on the front face.
  • At least one of the light confinement walls 16 comprises an electrical conduction layer 16a characterized by an electrical conductivity greater than 10 6 Siemens / m.
  • This electrical conduction layer 16a advantageously forms an ohmic electrical contact of low resistance with the doped part of at least one of the light elements 13.
  • the electric conduction layer 16a is formed by at least one element belonging to the group comprising silver, aluminum, a alloy of copper and silver, gold, alloy of silver and gold, alloy of gold and aluminum, alloy of tungsten and silver, alloy of tungsten and aluminum.
  • At least two light confinement walls 16 belonging to the plurality of light confinement walls 16 are electrically connected to one another. This can be achieved by a conductive layer 14 of metal or transparent conductive oxide for example.
  • control device 13b of at least one of the light elements 13 is electrically connected to the second electrode 13c which itself is electrically connected to at least one wall of light containment 16.
  • the light containment wall 16 in question is electrically isolated from another light containment wall 16 which would be connected to the first electrode 13d in contact with the same light element.
  • two luminous confinement walls 16 surrounding a luminous element 13 are electrically connected to each other and to the first electrode 13d of this same luminous element 13.
  • the second electrode 13c of this same luminous element 13 is connected to a third luminous confinement wall 16.
  • a conductive layer 14a of the same nature as the conductive layer 14 and electrically insulated from the latter, can be envisaged for resuming contact on the front face from the third luminous confinement wall 16. This architecture is advantageous for taking all the contacts on the front face.
  • all or part of the first electrode 13d is covered, on one side opposite to the support 11, by a spacer portion 19.
  • the walls of light confinement 16 are formed through said spacer portion 19 to be in electrical or physical contact with the first electrode 13d.
  • the spacing portion 19 is for example formed by a dielectric to provide electrical insulation between the light elements, the light confinement walls 16 and / or support face 11a.
  • the spacing portion 19 is for example formed by a passivation layer at least partially transparent with respect to the light emitted by the luminous element 13 around which it is arranged.
  • the spacing portion 19 is for example formed between the side surfaces of the light confinement walls 16 and the side walls of the light elements 13.
  • the spacer portion 19 is for example formed between the side surfaces of the light confinement walls 16 and the longitudinal extension walls of the light emitting diode.
  • the spacing portion 19 is also possibly formed from the support face 11a to cover all or part of the light confinement walls 16.
  • the spacer portion 19 can be formed in whole or in part by a light conversion layer including color converters such as photoluminescent spots. These are able to convert at least a first wavelength of the light emitted, directly or after reflection on at least one of the light confinement walls 16, by the luminous element 13, into a second different wavelength. of the first wavelength.
  • a protective layer 21 can be formed on the layer the spacer portion 19 on the side opposite to the support 11.
  • This protective layer 21 can be formed of material. dielectric if possible transparent and by any technique known to those skilled in the art of microelectronics, such as atomic layer deposition, or plasma assisted deposition.
  • This protective layer 21 can also be crossed by openings 20, for example produced by etching. These openings 20 advantageously open onto the light confinement walls 16. The resumption of contact opposite the front light confinement walls 16 can thus be possible and advantageously positioned at the level of the light confinement walls 16 without risk of short circuits.
  • This architecture is advantageous because the light converters present in the spacing portion 19 are thus protected by the protective layer 21 during the manufacturing steps. This also allows the use of conventional methods of microelectronics.
  • the invention also relates to a method of manufacturing an optoelectronic device 10 for light display.
  • the manufacturing method comprises a step a) of providing a support 11 delimiting a support face 11a.
  • the support 11 is as described above.
  • Another step of method b) consists in forming at least a first electrode 13d as described above.
  • An additional step of the process c) consists of forming a plurality of light elements 13. These are fixed to the support face 11a directly or indirectly in an electrically isolated manner or so as to be electrically connected to an element of the device. support 11 as described above. At the end of step b), at least a first electrode 13d is electrically connected to at least one of the light elements 13 formed.
  • each light element 13 comprises at least one light-emitting diode 15.
  • each light-emitting diode 15 has an active part capable of emitting light when a current flows through the active part.
  • each light-emitting diode 15 has at least one doped part arranged to be in a situation of direct electrical contact, or indirect via a control device, with said at least one first electrode 13d.
  • step d) comprises a filling step consisting in filling all or part of the etching resulting from step d) with an electrically conductive material.
  • Each light confinement wall 16 formed has an ability to reflect all or part of the light emitted by at least one of the light elements 13 as described above.
  • Each light confinement wall 16 is also arranged so as to surround all or part of said at least one of the light elements 13 so as to reflect all or part of the light emitted by said at least one light element 13. This reflection takes place according to a pattern. or several privileged directions, or omnidirectionally.
  • Step d) is such that all or part of at least one of the light confinement walls 16 has the ability to be electrically conductive and is electrically connected to the first electrode 13d of at least one of the elements.
  • By connected is meant either directly connected by physical contact, or indirectly connected by means of electrically conductive intermediate layers.
  • the steps are indexed according to letters a, b, c etc. but that in no way means that its stages are successive in time.
  • step b) can advantageously be implemented after the formation, on the support 11, of the light elements 13.
  • the manufacturing method comprises the additional step e), carried out between step b) and step d).
  • Step e) consists of forming a spacer portion 19 like that described above.
  • the spacer portion 19 is formed on said at least one first electrode 13d formed in step b) on a side opposite to the support 11.
  • the light confinement walls 16 are formed during step d). through the spacer portion 19 formed in step e) to be in physical and electrical contact with the first electrode 13d formed in step b).
  • dry or wet etching can be used and then filling is carried out by the wet process, for example by electro-deposition or even by physical deposition such as assisted plasma deposition.
  • step d) comprises at least one etching step in which the spacing portion 19 obtained in step e) undergoes controlled etching so as to stop said etching. when the first electrode 13d is reached. So-called end-of-attack techniques allow the engraving to be stopped precisely.
  • the method comprises an additional step f) of forming an electrical conduction layer 16a in the etching resulting from step d).
  • Step f) is implemented so that the electric conduction layer 16a formed is in electrical contact with the first electrode 13d formed in step b).
  • the electrical conduction layer 16a is characterized by an electrical conductivity greater than 10 6 Siemens / m. All or part of step f) is implemented during step d).
  • step c) comprises a step of remote manufacturing of the light elements 13 and a transfer thereof to the support 11.
  • the light elements 13 are obtained on a different external support. of the support 11 and then transferred so as to be fixed on the support face 11a of the support 11. This makes it possible to form the light elements under conditions that the support would not withstand without damage. This is also advantageous in the case where the support is of large dimension greater than twenty centimeters, the light elements 13 often being formed on substrates of smaller dimension.
  • an additional step g) is performed. During this step, a protective layer 21 is formed on the layer the spacing portion 19 on the side opposite the support 11.
  • This protective layer 21 can be formed of a dielectric material if possible transparent and by any technique known to the industry. those skilled in the art of microelectronics such as atomic layer deposition, or plasma assisted deposition.
  • the protective layer 21 can also be crossed by openings 20, for example produced by etching. These openings 20 advantageously open onto the light confinement walls 16. The resumption of contact on the front face can thus be possible and advantageously positioned at the level of the light confinement walls 16 without risk of short circuits.
  • This architecture is advantageous because the light converters present in the spacing portion 19 are thus protected by the protective layer 21 during the manufacturing steps.

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Abstract

Dispositif optoélectronique (10) pour affichage lumineux, comprenant : un support (11); une pluralité d'éléments lumineux (13) électriquement connectés à au moins une première électrode (13d), chaque élément lumineux (13) comportant au moins une diode électroluminescente (15) dont une partie dopée est agencée en situation de contact électrique avec ladite première électrode (13d), ladite première électrode (13d) recouvrant au moins une partie supérieure de ladite partie dopée agencée du côté opposé à la face (lia) du support (11); une pluralité de parois de confinement lumineux (16) configurées de sorte à présenter une aptitude à réfléchir tout ou partie de la lumière émise par au moins un des éléments lumineux (13) et étant agencées de sorte à entourer tout ou partie dudit au moins un des éléments lumineux (13); les parois de confinement lumineux (16) de la pluralité de parois de confinement lumineux (16) étant électriquement conductrices et connectées directement à la première électrode (13d).

Description

DISPOSITIF OPTOÉLECTRONIQUE POUR AFFICHAGE LUMINEUX À PAROIS DE CONFINEMENT
LUMINEUX
CONDUCTRICES ET PROCÉDÉ DE FABRICATION CORRESPONDANT DOMAINE TECHNIQUE
5 La présente invention concerne un dispositif optoélectronique pour affichage lumineux, comprenant : un support délimitant une face de support, une pluralité d'éléments lumineux fixés à la face de support, chaque élément lumineux étant électriquement connecté à au moins une première électrode 10 et comportant au moins une diode électroluminescente ayant une partie active apte à émettre de la lumière lorsqu'un courant traverse la partie active et au moins une partie dopée agencée en situation de contact électrique avec ladite au moins une première électrode, une pluralité de parois de confinement lumineux, chaque paroi de 15 confinement lumineux étant configurée de sorte à présenter une aptitude à réfléchir tout ou partie de la lumière émise par au moins un des éléments lumineux et étant agencée de sorte à entourer tout ou partie dudit au moins un des éléments lumineux de sorte à réfléchir tout ou partie de la lumière émise par ledit au moins un élément lumineux.
20 L'invention concerne également un procédé de fabrication d'un dispositif optoélectronique pour affichage lumineux.
ETAT DE LA TECHNIQUE ANTERIEURE
Dans le domaine des écrans d'affichage lumineux, les éléments lumineux 25 constituant l'écran doivent être agencés de façon matricielle. La précision nécessaire à la formation d'une telle matrice augmente au furet à mesure que la résolution attendue pour les écrans croît.
Il est connu de produire les diodes électroluminescentes qui constituent les éléments lumineux sur un premier support, par exemple une galette de silicium ou 30 de saphir, et de les reporter sur un second support destiné à faire partie intégrante de l'écran. Les connexions électriques qui permettent d'alimenter électriquement les diodes électroluminescentes ainsi transférées se font au niveau du second support.
Dans le cas où les diodes électroluminescentes sont séparées par une distance inférieure à une dizaine de microns, la connexion électrique de la partie 35 supérieure des diodes électroluminescentes et la connexion électrique de leur partie inférieure restent difficiles à réaliser sans risque de court-circuit involontaire, du fait de la faible distance qui les sépare.
Dans le cas où les diodes électroluminescentes sont tridimensionnelles, typiquement de forme filaire qui est une forme très avantageuse, obtenir une connexion électrique de leur partie supérieure est difficile de par leurs dimensions micrométriques voire nanométriques. Une problématique supplémentaire rencontrée lors du report des éléments lumineux est que le positionnement précis des éléments lumineux au niveau du second support n'est pas garanti en raison des dimensions de plus en plus faibles des éléments lumineux et des connexions électriques pour obtenir la meilleure résolution possible pour l'affichage lumineux proposé par le dispositif optoélectronique. Les techniques usuelles pour reprendre les contacts électriques sur les éléments lumineux ne sont pas satisfaisantes car les défauts de positionnement sont aléatoires et selon une plage d'erreur trop élevée par rapport aux dimensions des éléments lumineux et des connexions électriques.
EXPOSE DE L'INVENTION
La présente invention a pour but de fournir un dispositif optoélectronique et un procédé de fabrication permettant de répondre à tout ou partie des problèmes présentés ci-avant.
Notamment, un but est de fournir une solution répondant à au moins l'un des objectifs suivants : permettre la fourniture d'un dispositif optoélectronique pour affichage lumineux limitant les risques de court-circuit ; permettre la fourniture d'un dispositif optoélectronique pour affichage lumineux à moindre coût ; permettre la fourniture d'un dispositif optoélectronique pour affichage lumineux ayant de grandes dimensions ; permettre la fourniture d'un dispositif optoélectronique pour affichage lumineux ayant des performances élevées et une résolution d'affichage la plus élevée possible ; permettre la fourniture d'un dispositif optoélectronique dont la majorité des éléments lumineux est connectée électriquement de manière satisfaisante. Ce but peut être atteint grâce à un dispositif optoélectronique pour affichage lumineux, comprenant : -un support délimitant une face de support ;
-une pluralité d'éléments lumineux fixés à la face de support, chaque élément lumineux étant électriquement connecté à au moins une première électrode et comportant au moins une diode électroluminescente ayant une partie active apte à émettre de la lumière lorsqu'un courant traverse la partie active et au moins une partie dopée agencée en situation de contact électrique avec ladite au moins une première électrode, ladite première électrode recouvrant au moins une partie supérieure de ladite partie dopée agencée du côté opposé à la face support ;
-une pluralité de parois de confinement lumineux, chaque paroi de confinement lumineux étant configurée de sorte à présenter une aptitude à réfléchir tout ou partie de la lumière émise par au moins un des éléments lumineux et étant agencée de sorte à entourer tout ou partie dudit au moins un des éléments lumineux de sorte à réfléchir tout ou partie de la lumière émise par ledit au moins un élément lumineux ; tout ou partie d'au moins l'une des parois de confinement lumineux de la pluralité de parois de confinement lumineux ayant la faculté d'être électriquement conductrice et connectée directement à la première électrode d'au moins l'un des éléments lumineux de ladite pluralité d'éléments lumineux.
Certains aspects préférés mais non limitatifs du dispositif sont les suivants.
Dans une mise en œuvre du dispositif, au moins l'un des éléments lumineux de la pluralité d'éléments lumineux comporte tout ou partie d'un dispositif de commande configuré pour moduler au moins un paramètre d'émission associé à ladite au moins une diode électroluminescente que comporte ledit élément lumineux.
Dans une mise en œuvre du dispositif, le dispositif de commande d'au moins l'un des éléments lumineux est connecté électriquement à une deuxième électrode électriquement isolée par rapport à la première électrode, ladite deuxième électrode étant connectée électriquement à au moins une autre paroi de confinement lumineux parmi la pluralité de parois de confinement lumineux, où ladite autre paroi de confinement lumineux est isolée électriquement par rapport à la paroi de confinement lumineux en contact électrique avec la première électrode dudit élément lumineux.
Dans une mise en œuvre du dispositif, au moins l'une des diodes électroluminescentes d'au moins l'un des éléments lumineux présente une forme tridimensionnelle filaire s'étendant selon un axe principal orienté transversalement à la face de support, la première électrode entourant au moins une portion supérieure de ladite diode électroluminescente agencée du côté opposé à la face de support suivant l'axe principal. Dans une mise en œuvre du dispositif, la première électrode est agencée au niveau d'une portion inférieure de la diode électroluminescente située d'un côté opposé à la portion supérieure selon l'axe principal.
Dans une mise en œuvre du dispositif, la première électrode est formée dans un matériau électriquement conducteur et au moins partiellement transparent à la lumière émise par la partie active de la diode électroluminescente en contact avec ladite première électrode.
Dans une mise en œuvre du dispositif, tout ou partie de la première électrode est recouverte, d'un côté opposé au support, par une portion d'espacement formée sur la première électrode, les parois de confinement lumineux étant formées à travers ladite portion d'espacement pour être en contact avec la première électrode.
Dans une mise en œuvre du dispositif, un premier conducteur électrique est formé sur une face supérieure de la portion d'espacement agencée d'un côté opposé à la face de support selon l'axe principal de sorte que le premier conducteur électrique soit en contact électrique avec au moins l'une des parois de confinement lumineux.
Dans une mise en œuvre du dispositif, ladite portion d'espacement est formée par une couche de passivation au moins en partie transparente vis-à-vis de la lumière émise par l'élément lumineux autour duquel elle est agencée et isolante électriquement et/ou par une couche de conversion lumineuse apte à convertir au moins une première longueur d'onde de la lumière émise par l'élément lumineux, autour duquel elle est agencée, en une seconde longueur d'onde différente de la première longueur d'onde.
Dans une mise en œuvre du dispositif, au moins l'une des parois de confinement lumineux comprend une couche de conduction électrique caractérisée par une conductivité électrique supérieure à 106Siemens/m.
Dans une mise en œuvre du dispositif, la couche de conduction électrique est formée par au moins un élément appartenant au groupe comprenant l'argent, l'aluminium, un alliage de cuivre et d'argent, l'or, un alliage d'argent et d'or, un alliage d'or et d'aluminium, un alliage de tungstène et d'argent, un alliage de tungstène et d'aluminium.
Dans une mise en œuvre du dispositif, le support est formé dans un matériau différent d'un matériau cristallin.
Dans une mise en œuvre du dispositif, au moins deux parois de confinement lumineux appartenant à la pluralité de parois de confinement lumineux sont connectées électriquement entre elles. Dans une mise en œuvre du dispositif, les éléments lumineux sont obtenus sur un support externe différent du support préalablement à un transfert desdits éléments lumineux vers le support.
Dans une mise en œuvre du dispositif, le dispositif comprend une couche d'isolation électrique agencée entre au moins une partie de la face de support et tout ou partie de la première électrode.
L'invention porte également sur la mise en œuvre d'un procédé de fabrication d'un dispositif optoélectronique pour affichage lumineux, le procédé de fabrication comprenant les étapes suivantes : a) fourniture d'un support délimitant une face de support ; b) formation d'au moins une première électrode recouvrant au moins une partie supérieure de ladite partie dopée agencée du côté opposé à la face support ; c) formation d'une pluralité d'éléments lumineux fixés à la face de support, durant laquelle ladite au moins une première électrode est connectée électriquement à au moins l'un des éléments lumineux formés et dans laquelle chaque élément lumineux est électriquement connecté à ladite au moins une première électrode et comportant au moins une diode électroluminescente ayant une partie active apte à émettre de la lumière lorsqu'un courant traverse la partie active et au moins une partie dopée agencée pour être en situation de contact électrique avec ladite au moins une première électrode ; d) formation d'une pluralité de parois de confinement lumineux dans laquelle chaque paroi de confinement lumineux formée présente une aptitude à réfléchir tout ou partie de la lumière émise par au moins un des éléments lumineux et est agencée de sorte à entourer tout ou partie dudit au moins un des éléments lumineux de sorte à réfléchir tout ou partie de la lumière émise par ledit au moins un élément lumineux, l'étape d) étant telle que tout ou partie d'au moins l'une des parois de confinement lumineux de la pluralité de parois de confinement lumineux a la faculté d'être électriquement conductrice et connectée directement à la première électrode d'au moins l'un des éléments lumineux de ladite pluralité d'éléments lumineux.
Certains aspects préférés mais non limitatifs du procédé sont les suivants.
Dans une mise en œuvre du procédé de fabrication, le procédé comprend l'étape suivante, mise en œuvre entre l'étape b) et l'étape d) : e) formation d'une portion d'espacement sur ladite au moins une première électrode formée à l'étape b) d'un côté opposé au support ; les parois de confinement lumineux étant formées durant l'étape d) à travers la portion d'espacement formée à l'étape e) et pour être en contact avec la première électrode formée à l'étape b).
Dans une mise en œuvre du procédé de fabrication, l'étape d) comprend au moins une étape de gravure dans laquelle la portion d'espacement obtenue à l'étape e) subit une gravure contrôlée de sorte à arrêter ladite gravure lorsque la première électrode affleure.
Dans une mise en œuvre du procédé de fabrication, le procédé comprend l'étape suivante : f) formation d'une couche de conduction électrique dans la gravure résultant de l'étape d) ; l'étape f) étant mise en œuvre de sorte que la couche de conduction électrique formée est en contact électrique avec la première électrode formée à l'étape b) et est caractérisée par une conductivité électrique supérieure à 106 Siemens/m; tout ou partie de l'étape f) étant mise en œuvre pendant l'étape d).
Dans une mise en œuvre du procédé de fabrication, l'étape d) comprend une étape de remplissage consistant à remplir tout ou partie de la gravure résultant de l'étape d) par un matériau électriquement conducteur.
Dans une mise en œuvre du procédé de fabrication, l'étape c) comprend une étape de fabrication déportée des éléments lumineux dans laquelle les éléments lumineux sont obtenus sur un support externe différent du support puis transférés de sorte à être fixés sur la face de support du support.
BREVE DESCRIPTION DES DESSINS
D'autres aspects, buts, avantages et caractéristiques de l'invention apparaîtront mieux à la lecture de la description détaillée suivante de modes de réalisation préférés de celle-ci, donnée à titre d'exemple non limitatif, et faite en référence aux dessins annexés sur lesquels :
- la figure 1 est une vue schématique en coupe d'un exemple de dispositif optoélectronique selon l'invention ;
- la figure 2 est une vue schématique en coupe d'un exemple de dispositif optoélectronique selon l'invention dans lequel les parois de confinement lumineux comprennent une couche de conduction ;
- la figure 3 est une vue schématique en coupe d'un exemple de dispositif optoélectronique selon l'invention dans lequel les éléments lumineux comprennent un dispositif de commande ; - la figure 4 est une vue schématique en coupe d'un exemple de dispositif optoélectronique selon l'invention dans lequel un premier conducteur supérieur est connecté électriquement aux parois de confinement lumineux ;
- la figure 5 est une vue schématique en coupe d'un exemple de dispositif optoélectronique selon l'invention dans lequel l'un des éléments lumineux est connecté électriquement à une deuxième électrode et à une paroi de confinement lumineux ;
- la figure 6 est une vue schématique vue en coupe d'un exemple de dispositif optoélectronique selon l'invention dans lequel un élément lumineux comprend plusieurs diodes électroluminescentes et un dispositif de commande ;
- la figure 7 est une vue schématique en coupe de plusieurs étapes d'un exemple de procédé de fabrication selon l'invention ;
- la figure 8 est une vue schématique en coupe de plusieurs étapes d'un exemple supplémentaire de procédé de fabrication selon l'invention mettant en œuvre une portion d'espacement ;
- la figure 9 est une vue schématique en coupe de plusieurs étapes d'un exemple supplémentaire de procédé de fabrication selon l'invention mettant en œuvre une couche de conduction électrique ;
- la figure 10 est une vue schématique en coupe d'un exemple supplémentaire d'un dispositif optoélectronique selon l'invention dans lequel une couche de protection est agencée sur une portion d'espacement, la couche de protection étant dotée d'ouvertures débouchant sur les parois de confinement lumineux.
EXPOSE DETAILLE DE MODES DE REALISATION PARTICULIERS
Sur les figures 1 à 10 annexées et dans la suite de la description, des éléments identiques ou similaires en terme fonctionnel sont repérés par les mêmes références. De plus, les différents éléments ne sont pas représentés à l'échelle de manière à privilégier la clarté des figures pour en faciliter la compréhension. Par ailleurs, les différents modes de réalisation et variantes ne sont pas exclusifs les uns des autres et peuvent, au contraire, être combinés entre eux.
Dans la suite de la description, sauf indication contraire, les termes « sensiblement », « environ », « globalement » et « de l'ordre de » signifient « à 10 % près ».
Par souci de clarté, les éléments identiques ou similaires ont été désignés par les mêmes numéros de référence dans les divers dessins et, en outre, comme d'habitude dans la représentation des circuits électroniques, les divers dessins ne sont pas à l'échelle. En outre, seuls les éléments qui sont utiles à la compréhension de la présente description ont été présentés et seront décrits. En particulier, les moyens de mise en contact de dispositif optoélectronique, de substrat, de polarisation et de commande sont bien connus et ne seront pas décrits.
L'invention porte en premier lieu sur un dispositif optoélectronique pour affichage lumineux. Par dispositif optoélectronique, il est entendu un dispositif apte à produire de la lumière à partir d'une commande électrique ou électronique. Par affichage lumineux, il est entendu l'affichage de pixels lumineux ou encore l'affichage de lumière d'éclairage ou de rétroéclairage. L'affichage lumineux peut être mis en œuvre pour des écrans comme par exemple des écrans d'affichage pour téléviseurs, des casques de réalité virtuelle ou augmentée ou encore des écrans pour équipements mobiles. L'affichage lumineux peut être monochrome ou polychrome.
Comme illustré sur les figures 1 à 6, le dispositif optoélectronique 10 pour affichage lumineux, comprend d'une part un support 11 délimitant une face de support lia. Le support 11 est par exemple un substrat semiconducteur de type silicium, germanium, du saphir ou un matériau semiconducteur de type II, III, V ou VI. Le support 11 est par exemple isolant électriquement et formé par une ou plusieurs plaques en verre. Le support 11 peut également être conducteur d'électricité et formé par une ou plusieurs plaques métalliques. Le support 11 peut également comprendre des pistes conductrices isolées entre elles et formées à la surface de celui-ci ou à l'intérieur de celui-ci. Le support 11 peut être cristallin ou non cristallin et comprendre également des composants actifs ou passifs comme des transistors ou des mémoires. Ces derniers éléments étant classiques pour l'homme du métier, ils ne sont pas représentés. Le support 11 peut par exemple constituer un support pour un écran d'affichage lumineux.
Le dispositif optoélectronique 10 comprend également une pluralité d'éléments lumineux 13 fixés à la face de support lia. Par fixés il est entendu « fixés directement ou indirectement de façon isolée électriquement ou de façon à être connectés électriquement à un élément du support 11 ».
Les éléments lumineux 13 peuvent être fixés à la face de support lia par l'intermédiaire d'un élément de fixation, non illustré, comme de la colle conductrice ou non. Dans un autre exemple l'élément de fixation comprend un ensemble de particules métalliques enrobées dans un matériau isolant.
Dans un exemple, l'élément de fixation est au moins en partie transparent à la lumière émise par la partie d'émission de lumière des éléments lumineux 13. Pour, par exemple, réaliser un écran d'affichage, il également possible de prévoir que la pluralité d'éléments lumineux 13 soient arrangés par exemple en matrice agencée plus ou moins de façon régulière.
Dans un exemple, les éléments lumineux 13 sont obtenus sur un support externe différent du support 11 préalablement à un transfert desdits éléments lumineux 13 vers le support 11. Ceci permet d'obtenir des éléments lumineux sur un support qui serait non compatible avec leur mode d'obtention et/ou sur un support de grande surface.
Chaque élément lumineux 13 est électriquement connecté à au moins une première électrode 13d.
La première électrode 13d recouvre au moins une partie supérieure de ladite partie dopée agencée du côté opposé à la face de support lia.
La première électrode 13d est formée dans un matériau électriquement conducteur et au moins partiellement transparent à la lumière émise par la partie active de la diode électroluminescente 15 en contact avec ladite première électrode 13d.
La première électrode 13d peut être par exemple de l'oxyde d'étain dopé, de l'oxyde de zinc dopé ou encore une matrice contenant des nanotubes de carbone ou du graphène.
Une couche d'isolation électrique 17 peut également être agencée entre au moins une partie de la face de support 11 et tout ou partie de la première électrode 13d. Ceci permet d'isoler électriquement la première électrode 13d par rapport à une deuxième électrode 13c ou par rapport au substrat. Cette couche d'isolation électrique 17 peut être présente avant la formation des diodes électroluminescentes 15 et servir en même temps de masque à la croissance.
Chaque élément lumineux 13 comporte au moins une diode électroluminescente 15 ayant une partie active apte à émettre de la lumière lorsqu'un courant traverse la partie active.
Un élément lumineux 13 peut consister simplement en une seule diode électroluminescente 15.
Les diodes électroluminescentes 15 comportent au moins une partie dopée semi-conductrice agencée en situation de contact électrique avec d'une part ladite au moins une première électrode 13d et de l'autre côté avec la partie active de la même diode électroluminescente.
Le contact électrique entre la première électrode 13d et la partie dopée de la diode électroluminescente peut être direct ou indirect via l'intermédiaire d'une ou plusieurs couches ou via l'intermédiaire d'un dispositif de commande 13b agencé dans l'élément lumineux 13.
Dans un exemple, ce dispositif de commande 13b est configuré pour moduler au moins un paramètre d'émission associé à au moins une des diodes électroluminescente 15 que comporte l'élément lumineux 13. Par paramètre d'émission il faut comprendre par exemple l'intensité. Celle-ci peut être variée de façon graduelle entre zéro -courant nul, émission lumineuse nulle- et une intensité maximale -émission lumineuse maximale-.
Le dispositif de commande peut comprendre des transistors, des mémoires ou tout composant nécessaire à l'homme du métier pour réaliser un contrôle-commande programmable.
Le dispositif de commande 13b peut être connecté à une -figure 3 ou 5- ou plusieurs -figure 6- diodes électroluminescentes 15.
Comme illustré sur la figure 5, le dispositif de commande 13b peut être connecté électriquement en plus à une deuxième électrode 13c. Celle-ci est isolée électriquement de la première électrode 13d.
Dans les exemples où les éléments lumineux 13 ne comprennent pas de dispositif de commande 13b, les éléments lumineux 13 ou la/les diodes électroluminescentes 15 les composants peuvent être connectés à la deuxième électrode 13c.
Le dopage de la partie dopée de la diode électroluminescente 15, agencée en situation de contact électrique avec la première électrode 13d, peut être choisie selon un premier type de dopage, choisi entre un type P et un type N de dopage.
Le contact entre la partie dopée et la partie active semi-conductrice peut être électrique et/ou physique.
Dans un exemple, au moins deux diodes électroluminescentes 15 sont agencées dans un élément lumineux 13. Ceci permet plus de robustesse contre l'usure des éléments lumineux 13. Un autre avantage est que la puissance lumineuse est accrue.
Dans un exemple, les diodes électroluminescentes 15 ont une forme tridimensionnelle en forme de microfils ou des nanofils. Cependant, d'autres exemples peuvent être mis en œuvre pour des diodes électroluminescentes tridimensionnelles autres que des microfils ou des nanofils, par exemple des diodes électroluminescentes tridimensionnelles coniques ou pyramidales. Les diodes électroluminescentes de forme tridimensionnelle ont une forme allongée le long de la direction préférée appelée direction longitudinale. Une deuxième dimension, appelée petite dimension de la diode électroluminescente, s'étend transversalement à la direction longitudinale et représente un diamètre de la diode électroluminescente. La dimension le long de la direction longitudinale se trouve dans la plage allant de 5 nm à 5 pm, de préférence de 50 nm à 2,5 pm, et est supérieure ou égale à 1 fois, de préférence supérieure ou égale à 5 fois, et plus préférablement supérieure ou égale à 10 fois à la petite dimension la plus importante. Dans certains modes de réalisation, les petites dimensions peuvent être inférieures ou égales à environ 1 pm, de préférence dans la plage allant de 70 nm à 1 pm, plus préférablement allant de 100 nm à 800 nm. Dans certains exemples, la hauteurde chaque diode électroluminescente tridimensionnelle le long de la dimension longitudinale D peut être supérieure ou égale à 500 nm, de préférence dans la plage allant de 1 pm à 50 pm.
Les diodes électroluminescentes 15 peuvent également comprendre une deuxième partie dopée selon un deuxième type de dopage, choisi entre un type P et un type N de dopage et opposé au premier type de dopage. La deuxième partie semi- conductrice peut être reliée au support 11 ou à une électrode différente de la première électrode 13d en contact avec la partie dopée.
On entend par « relié », en termes équivalents, « relié électriquement » ou « relié de manière isolée par un contact physique » et/ou « relié de manière directe ou indirecte ». Lesdites parties dopées sont formées par exemple partiellement d'au moins un matériau semi-conducteur tel que le silicium, le germanium, le carbure de silicium, un composé lll-V tel que des composés lll-N, un composé ll-VI ou une combinaison de ces composés. Des exemples d'éléments du groupe III comprennent le gallium (Ga), l'indium (In) ou l'aluminium (Al). Des exemples de composés lll-N sont GaN, AIN, InN, InGaN, AIGaN ou AlInGaN. D'autres éléments du groupe V peuvent également être utilisés, par exemple le phosphore ou l'arsenic. Généralement, les éléments dans le composé lll-V peuvent être combinés avec différentes fractions molaires. Des exemples d'éléments du groupe II comprennent un élément du groupe MA, en particulier le béryllium (Be) et le magnésium (Mg) et des éléments du groupe MB, en particulier le zinc (Zn) et le cadmium (Cd). Des exemples d'éléments du groupe VI comprennent des éléments du groupe VIA, en particulier l'oxygène (O) et le tellure (Te). Des exemples de composés ll-VI sont ZnO, ZnMgO, CdZnO ou CdZn-MgO. Généralement, les éléments dans le composé ll-VI peuvent être combinés avec différentes fractions molaires. Par exemple, pour des composés lll-V, le dopant peut être choisi dans le groupe comprenant un dopant du groupe II de type P, par exemple, le magnésium (Mg), le zinc (Zn), le cadmium (Cd) ou le mercure (Hg), un dopant du groupe IV de type P, par exemple le carbone (C) et un dopant du groupe IV de type N, par exemple le silicium (Si), le germanium (Ge), le sélénium (Se), le soufre (S), le terbium (Tb) ou l'étain (Sn).
Selon un exemple, la partie active peut comprendre des moyens pour confiner les porteurs de charges électriques tels qu'un puits quantique et/ou des barrières quantiques. Dans un exemple, la partie active peut être essentiellement réalisée, à la fin de sa formation, à base d'un composé ll-VI ou d'un composé lll-V mais de manière préférentielle d'un alliage lll-V et plus particulièrement réalisée en un alliage lnwGa(l-w)N, où w est inférieur ou égal à 1.
La partie active des diodes électroluminescentes 15 émet de la lumière lorsqu'un courant la traverse. Cette lumière a une couleur qui varie en fonction de la composition de la couche active.
Afin de réaliser un affichage multicolore, il est possible de former des diodes électroluminescentes émettant directement chacune une couleur différente.
Il est également possible de former des diodes électroluminescentes 15 émettant toutes la même longueur d'onde (en général dans le bleu ou de l'ultraviolet) et de les entourer au moins en partie par des convertisseurs de lumière. Les convertisseurs de lumière sont par exemple enrobés par une matrice organique ou inorganique. Les convertisseurs de lumière sont par exemple choisis parmi des plots photoluminescents ou des plots quantiques. Les plots photoluminescents sont conçus de sorte à absorber et convertir au moins une partie des rayons lumineux incidents émanant de la diode électroluminescente 15 entourée par les convertisseurs de lumière. Les plots photoluminescents émettent alors des rayons lumineux sortants d'une couleur différente par exemple verte ou rouge. Ces plots photoluminescents peuvent former avantageusement un filtre de longueur d'onde car ils permettent que des longueurs d'onde parasites ne soient émises en dehors du dispositif optoélectronique 10.
Dans un exemple illustré sur les figures 1 à 6, les éléments lumineux 13 sont formés chacun d'une diode électroluminescente 15 et celle-ci présente une forme tridimensionnelle filaire s'étendant selon un axe principal 18 orienté transversalement à la face de support lia. Dans cet exemple, la première électrode 13d entoure au moins une portion supérieure 15a de ladite diode électroluminescente 15 agencée du côté opposé à la face de support lia suivant l'axe principal 18.
Dans un exemple supplémentaire non illustré, la première électrode 13d est agencée au niveau d'une portion inférieure de la diode électroluminescente 15 située d'un côté opposé à la portion supérieure 15a selon l'axe principal 18. Le dispositif optoélectronique 10 comporte également une pluralité de parois de confinement lumineux 16. Chaque paroi de confinement lumineux 16 est configurée de sorte à présenter une aptitude à réfléchir tout ou partie de la lumière émise par au moins un des éléments lumineux 13. Chaque paroi de confinement lumineux 16 est également agencée de sorte à entourer tout ou partie dudit au moins un des éléments lumineux 13. Ainsi, tout ou partie de la lumière émise par ledit au moins un élément lumineux 13 est réfléchie suivant une ou plusieurs directions privilégiées, ou de façon omnidirectionnelle. Dans les figures 1 à 6, chaque élément lumineux 13 est entouré par des parois de confinement lumineux 16 qui sont agencées globalement parallèlement à l'axe principal 18 des éléments lumineux. Ceci est avantageux pour améliorer la densité d'intégration et augmenter la réflexion de la lumière issue des éléments lumineux 13.
Dans un autre exemple non illustré, le nombre d'éléments lumineux 13 formés entre deux parois de confinement lumineux 16 peut être de deux ou plus. Cela permet d'augmenter la robustesse dans le temps du dispositif optoélectronique 10.
Avantageusement, tout ou partie d'au moins l'une des parois de confinement lumineux 16 de la pluralité de parois de confinement lumineux 16 a la faculté d'être électriquement conductrice. Elle est connectée directement à la première électrode 13d d'au moins l'un des éléments lumineux 13.
Un avantage de cette architecture est la simplification de l'architecture, une diminution du risque de faux contacts et une baisse des coûts de production.
Ceci est avantageux car la reprise de contact électrique en face avant (i.e. la face du dispositif optoélectronique décalée par rapport au support 11), pour connecter l'élément lumineux 13, est ainsi facilitée.
Les parois de confinement lumineux 16 agencées et formées de la sorte permettent donc à la fois de confiner, dévier ou réfléchir la lumière issue des diodes électroluminescentes mais permettent également de réaliser une reprise de contact en face avant.
Dans un exemple illustré sur la figure 2, au moins l'une des parois de confinement lumineux 16 comprend une couche de conduction électrique 16a caractérisée par une conductivité électrique supérieure à 106 Siemens/m.
Cette couche de conduction électrique 16a forme avantageusement un contact électrique ohmique de faible résistance avec la partie dopée d'au moins un des éléments lumineux 13.
Dans un exemple, la couche de conduction électrique 16a est formée par au moins un élément appartenant au groupe comprenant l'argent, l'aluminium, un alliage de cuivre et d'argent, l'or, un alliage d'argent et d'or, un alliage d'or et d'aluminium, un alliage de tungstène et d'argent, un alliage de tungstène et d'aluminium.
Dans un exemple illustré sur la figure 4, au moins deux parois de confinement lumineux 16 appartenant à la pluralité de parois de confinement lumineux 16 sont connectées électriquement entre elles. Ceci peut être réalisé par une couche conductrice 14 en métal ou en oxyde conducteur transparent par exemple.
Dans un exemple de mise en œuvre illustré sur la figure 5, le dispositif de commande 13b d'au moins l'un des éléments lumineux 13 est connecté électriquement à la deuxième électrode 13c qui elle-même est connectée électriquement à au moins une paroi de confinement lumineux 16. La paroi de confinement lumineux 16 en question est isolée électriquement d'une autre paroi de confinement lumineux 16 qui serait connectée à la première électrode 13d en contact avec le même élément lumineux. Cette architecture est avantageuse car les reprises de contact se font alors uniquement en face avant.
Dans l'exemple illustré sur la figure 5, deux parois de confinement lumineux 16 entourant un élément lumineux 13 sont connectées électriquement entre elles et à la première électrode 13d de ce même élément lumineux 13. La deuxième électrode 13c de ce même élément lumineux 13 est connectée à une troisième paroi de confinement lumineux 16. Une couche conductrice 14a, de la même nature que la couche conductrice 14 et isolée électriquement de celle-ci, peut être envisagée pour la reprise de contact en face avant depuis la troisième paroi de confinement lumineux 16. Cette architecture est avantageuse pour reprendre tous les contacts en face avant.
Dans un exemple de mise en œuvre illustré sur les figures 1 à 6, tout ou partie de la première électrode 13d est recouverte, d'un côté opposé au support 11, par une portion d'espacement 19. Dans cet exemple, les parois de confinement lumineux 16 sont formées à travers ladite portion d'espacement 19 pour être en contact électrique ou physique avec la première électrode 13d.
La portion d'espacement 19 est par exemple constituée par un diélectrique pour assurer l'isolation électrique entre les éléments lumineux, les parois de confinement lumineux 16 et/ou face de support lia.
La portion d'espacement 19 est par exemple formée par une couche de passivation au moins en partie transparente vis-à-vis de la lumière émise par l'élément lumineux 13 autour duquel elle est agencée. La portion d'espacement 19 est par exemple formée entre les surfaces latérales des parois de confinement lumineux 16 et les parois latérales des éléments lumineux 13.
Dans le cas où les éléments lumineux sont uniquement formés d'une diode électroluminescente filaire, la portion d'espacement 19 est par exemple formée entre les surfaces latérales des parois de confinement lumineux 16 et les parois d'extension longitudinale de la diode électroluminescente.
La portion d'espacement 19 est également possiblement formée à partir de la face de support lia jusqu'à recouvrir tout ou partie des parois de confinement lumineux 16.
De façon combinée ou indépendante, la portion d'espacement 19 peut être formée en tout ou partie par une couche de conversion lumineuse englobant des convertisseurs de couleurs comme des plots photoluminescents. Ceux-ci sont aptes à convertir au moins une première longueur d'onde de la lumière émise, directement ou après réflexion sur au moins une des parois de confinement lumineux 16, par l'élément lumineux 13, en une seconde longueur d'onde différente de la première longueur d'onde.
Comme illustré sur la figure 10, de façon combinée ou indépendante aux exemples précédents, une couche de protection 21 peut être formée sur la couche la portion d'espacement 19 du côté opposé au support 11. Cette couche de protection 21 peut être formée en matériau diélectrique si possible transparent et par toute technique connue de l'homme du métier de la microélectronique comme la déposition par couche atomique, ou un dépôt assisté par plasma. Cette couche de protection 21 peut en outre être traversée par des ouvertures 20 par exemple réalisées par gravure. Ces ouvertures 20 débouchent avantageusement sur les parois de confinement lumineux 16. La reprise de contact en face sur les parois de confinement lumineux 16 avant peut ainsi être possible et positionnée avantageusement au niveau des parois des confinement lumineux 16 sans risques de court-circuits. Cette architecture est avantageuse car les convertisseurs de lumières présents dans la portion d'espacement 19 sont ainsi protégés par la couche de protection 21 lors des étapes de fabrication. Cela permet également l'usage de méthodes classiques de la microélectronique.
L'invention porte également sur un procédé de fabrication d'un dispositif optoélectronique 10 pour affichage lumineux. Comme illustré sur les figures 7, 8 et 9, le procédé de fabrication comprend une étape a) de fourniture d'un support 11 délimitant une face de support lia. Le support 11 est tel que décrit précédemment. Une autre étape du procédé b) consiste en la formation d'au moins une première électrode 13d telle que décrite précédemment.
Une étape supplémentaire du procédé c) consiste en la formation d'une pluralité d'éléments lumineux 13. Ceux-ci sont fixés à la face de support lia directement ou indirectement de façon isolée électriquement ou de façon à être connectés électriquement à un élément du support 11 comme décrit précédemment. A la fin de l'étape b), au moins une première électrode 13d est connectée électriquement à au moins l'un des éléments lumineux 13 formés.
Comme décrit précédemment, chaque élément lumineux 13 comporte au moins une diode électroluminescente 15. Comme décrit précédemment chaque diode électroluminescente 15 a une partie active apte à émettre de la lumière lorsqu'un courant traverse la partie active. Comme décrit précédemment, chaque diode électroluminescente 15 a au moins une partie dopée agencée pour être en situation de contact électrique direct, ou indirect via l'intermédiaire d'un dispositif de commande, avec ladite au moins une première électrode 13d.
Le procédé consiste en outre en une étape supplémentaire d) consistant en la formation d'une pluralité de parois de confinement lumineux 16. Les parois de confinement lumineux 16 peuvent être formées par exemple par gravure d'une couche et remplissage de ladite gravure ou bien au contraire par croissance ou encore par transfert depuis un support externe. Ainsi, l'étape d) comprend une étape de remplissage consistant à remplir tout ou partie de la gravure résultant de l'étape d) par un matériau électriquement conducteur.
Chaque paroi de confinement lumineux 16 formée présente une aptitude à réfléchir tout ou partie de la lumière émise par au moins un des éléments lumineux 13 comme décrit précédemment. Chaque paroi de confinement lumineux 16 est également agencée de sorte à entourer tout ou partie dudit au moins un des éléments lumineux 13 de sorte à réfléchir tout ou partie de la lumière émise par ledit au moins un élément lumineux 13. Cette réflexion se fait suivant une ou plusieurs directions privilégiées, ou de façon omnidirectionnelle. L'étape d) est telle que tout ou partie d'au moins l'une des parois de confinement lumineux 16 a la faculté d'être électriquement conductrice et est électriquement connectée à la première électrode 13d d'au moins l'un des éléments lumineux 13 de ladite pluralité d'éléments lumineux 13. Par connectée il est entendu soit connectée de manière directe par un contact physique, soit connectée indirectement par l'intermédiaire de couches intermédiaires conductrices d'électricité. Les étapes sont indexées selon des lettres a, b, c etc. mais cela ne signifie aucunement que ses étapes soient successives dans le temps. Par exemple, l'étape b) peut avantageusement être mise en œuvre après la formation, sur le support 11, des éléments lumineux 13.
Dans un exemple illustré sur la figure 8, le procédé de fabrication comprend l'étape supplémentaire e), mise en œuvre entre l'étape b) et l'étape d). L'étape e) consiste en la formation d'une portion d'espacement 19 comme celle décrite précédemment. La portion d'espacement 19 est formée sur ladite au moins une première électrode 13d formée à l'étape b) d'un côté opposé au support 11. Dans cet exemple, les parois de confinement lumineux 16 sont formées durant l'étape d) à travers la portion d'espacement 19 formée à l'étape e) pour être en contact physique et électrique avec la première électrode 13d formée à l'étape b). Pour se faire, une gravure sèche ou humide peut être utilisée puis un remplissage est réalisé par voie humide par exemple par électro-dépôt ou encore par un dépôt physique comme un dépôt assisté plasma. Ainsi, dans un exemple illustré sur les figures 8 et 9, l'étape d) comprend au moins une étape de gravure dans laquelle la portion d'espacement 19 obtenue à l'étape e) subit une gravure contrôlée de sorte à arrêter ladite gravure lorsque la première électrode 13d est atteinte. Des techniques, dites de fin d'attaque, permettent l'arrêt de la gravure de façon précise.
Dans un exemple supplémentaire illustré sur la figure 9, le procédé comprend une étape supplémentaire f) de formation d'une couche de conduction électrique 16a dans la gravure résultant de l'étape d). L'étape f) est mise en œuvre de sorte que la couche de conduction électrique 16a formée est en contact électrique avec la première électrode 13d formée à l'étape b). La couche de conduction électrique 16a est caractérisée par une conductivité électrique supérieure à 106 Siemens/m. Tout ou partie de l'étape f) est mise en œuvre pendant l'étape d).
Dans une mise en œuvre du procédé, l'étape c) comprend une étape de fabrication déportée des éléments lumineux 13 et un transfert de ceux-ci vers le support 11. Dans cette étape, les éléments lumineux 13 sont obtenus sur un support externe différent du support 11 puis transférés de sorte à être fixés sur la face de support lia du support 11. Ceci permet de former les éléments lumineux dans des conditions que le support ne supporterait pas sans dommage. Ceci est également avantageux dans le cas où le support est de grande dimension supérieure à vingt centimètres, les éléments lumineux 13 étant souvent formés sur des substrats de plus petite dimension. Dans un exemple de mise en œuvre du procédé, une étape supplémentaire g) est effectuée. Durant cette étape, une couche de protection 21 est être formée sur la couche la portion d'espacement 19 du côté opposé au support 11. Cette couche de protection 21 peut être formée en matériau diélectrique si possible transparent et par toute technique connue de l'homme du métier de la microélectronique comme de la déposition par couche atomique, ou du dépôt assisté par plasma. Dans cette étape g), la couche de protection 21 peut en outre être traversée par des ouvertures 20 par exemple réalisées par gravure. Ces ouvertures 20 débouchent avantageusement sur les parois de confinement lumineux 16. La reprise de contact en face avant peut ainsi être possible et positionnée avantageusement au niveau des parois de confinement lumineux 16 sans risques de court-circuits. Cette architecture est avantageuse car les convertisseurs de lumières présents dans la portion d'espacement 19 sont ainsi protégés par la couche de protection 21 lors des étapes de fabrication.

Claims

REVENDICATIONS
1. Dispositif optoélectronique (10) pour affichage lumineux, comprenant :
-un support (11) délimitant une face de support (lia) ;
-une pluralité d'éléments lumineux (13) fixés à la face de support (lia), chaque élément lumineux (13) étant électriquement connecté à au moins une première électrode (13d) et comportant au moins une diode électroluminescente (15) ayant une partie active apte à émettre de la lumière lorsqu'un courant traverse la partie active et au moins une partie dopée agencée en situation de contact électrique avec ladite au moins une première électrode (13d), ladite première électrode (13d) recouvrant au moins une partie supérieure de ladite partie dopée agencée du côté opposé à la face support (lia) ;
-une pluralité de parois de confinement lumineux (16), chaque paroi de confinement lumineux (16) étant configurée de sorte à présenter une aptitude à réfléchir tout ou partie de la lumière émise parau moins un des éléments lumineux (13) et étant agencée de sorte à entourer tout ou partie dudit au moins un des éléments lumineux (13) de sorte à réfléchir tout ou partie de la lumière émise par ledit au moins un élément lumineux (13) ; tout ou partie d'au moins l'une des parois de confinement lumineux (16) de la pluralité de parois de confinement lumineux (16) ayant la faculté d'être électriquement conductrice et connectée directement à la première électrode (13d) d'au moins l'un des éléments lumineux (13) de ladite pluralité d'éléments lumineux (13).
2. Dispositif optoélectronique (10) selon la revendication 1, dans lequel au moins l'un des éléments lumineux (13) de la pluralité d'éléments lumineux (13) comporte tout ou partie d'un dispositif de commande (13b) configuré pour moduler au moins un paramètre d'émission associé à ladite au moins une diode électroluminescente (15) que comporte ledit élément lumineux (13).
3. Dispositif optoélectronique (10) selon la revendication 2, dans lequel le dispositif de commande (13b) d'au moins l'un des éléments lumineux (13) est connecté électriquement à une deuxième électrode (13c) électriquement isolée par rapport à la première électrode (13d), ladite deuxième électrode (13c) étant connectée électriquement à au moins une autre paroi de confinement lumineux (16) parmi la pluralité de parois de confinement lumineux (16), où ladite autre paroi de confinement lumineux (16) est isolée électriquement par rapport à la paroi de confinement lumineux en contact électrique avec la première électrode (13d) dudit élément lumineux (13).
4. Dispositif optoélectronique (10) selon l'une quelconque des revendications 1 à 3, dans lequel au moins l'une des diodes électroluminescentes (15) d'au moins l'un des éléments lumineux (13) présente une forme tridimensionnelle filaire s'étendant selon un axe principal (18) orienté transversalement à la face de support (lia), la première électrode (13d) entourant au moins une portion supérieure (15a) de ladite diode électroluminescente (15) agencée du côté opposé à la face de support (lia) suivant l'axe principal (18).
5. Dispositif optoélectronique (10) selon la revendication 4, dans lequel la première électrode (13d) est agencée au niveau d'une portion inférieure de la diode électroluminescente (15) située d'un côté opposé à la portion supérieure (15a) selon l'axe principal (18).
6. Dispositif optoélectronique (10) selon l'une quelconque des revendications 1 à 5, dans lequel la première électrode (13d) est formée dans un matériau électriquement conducteur et au moins partiellement transparent à la lumière émise par la partie active de la diode électroluminescente (15) en contact avec ladite première électrode (13d).
7. Dispositif optoélectronique (10) selon l'une quelconque des revendications 1 à 6, dans lequel tout ou partie de la première électrode (13d) est recouverte, d'un côté opposé au support (11), par une portion d'espacement (19) formée sur la première électrode (13d), les parois de confinement lumineux (16) étant formées à travers ladite portion d'espacement (19) pour être en contact avec la première électrode (13d).
8. Dispositif optoélectronique (10) selon la revendication 5, dans lequel un premier conducteur électrique (14) est formé sur une face supérieure de la portion d'espacement (19) agencée d'un côté opposé à la face de support (lia) selon l'axe principal (18) de sorte que le premier conducteur électrique (14) soit en contact électrique avec au moins l'une des parois de confinement lumineux (16).
9. Dispositif optoélectronique (10) selon l'une des revendications 7 ou 8, dans lequel ladite portion d'espacement (19) est formée par une couche de passivation au moins en partie transparente vis-à-vis de la lumière émise par l'élément lumineux (13) autour duquel elle est agencée et isolante électriquement et/ou par une couche de conversion lumineuse apte à convertir au moins une première longueurd'onde de la lumière émise par l'élément lumineux (13), autour duquel elle est agencée, en une seconde longueur d'onde différente de la première longueur d'onde.
10. Dispositif optoélectronique (10) selon l'une quelconque des revendications 1 à 9, dans lequel au moins l'une des parois de confinement lumineux (16) comprend une couche de conduction électrique (16a) caractérisée par une conductivité électrique supérieure à 106Siemens/m.
11. Dispositif optoélectronique (10) selon la revendication 10, dans lequel la couche de conduction électrique (16a) est formée par au moins un élément appartenant au groupe comprenant l'argent, l'aluminium, un alliage de cuivre et d'argent, l'or, un alliage d'argent et d'or, un alliage d'or et d'aluminium, un alliage de tungstène et d'argent, un alliage de tungstène et d'aluminium.
12. Dispositif optoélectronique (10) selon l'une quelconque des revendications 1 à 11, dans lequel le support (11) est formé dans un matériau différent d'un matériau cristallin.
13. Dispositif optoélectronique (10) selon l'une des revendications 1 à 12, dans lequel au moins deux parois de confinement lumineux (16) appartenant à la pluralité de parois de confinement lumineux (16) sont connectées électriquement entre elles.
14. Dispositif optoélectronique (10) selon l'une quelconque des revendications 1 à 13, dans lequel les éléments lumineux (13) sont obtenus sur un support externe différent du support (11) préalablement à un transfert desdits éléments lumineux (13) vers le support (11).
15. Dispositif optoélectronique (10) selon l'une quelconque des revendications 1 à 14, comprenant une couche d'isolation électrique (17) agencée entre au moins une partie de la face de support (lia) et tout ou partie de la première électrode (13d).
16. Procédé de fabrication d'un dispositif optoélectronique (10) pour affichage lumineux, le procédé de fabrication comprenant les étapes suivantes : a) fourniture d'un support (11) délimitant une face de support (lia) ; b) formation d'au moins une première électrode (13d) recouvrant au moins une partie supérieure de ladite partie dopée agencée du côté opposé à la face support (lia) ; c) formation d'une pluralité d'éléments lumineux (13) fixés à la face de support (lia), durant laquelle ladite au moins une première électrode (13d) est connectée électriquement à au moins l'un des éléments lumineux (13) formés et dans laquelle chaque élément lumineux (13) est électriquement connecté à ladite au moins une première électrode (13d) et comportant au moins une diode électroluminescente (15) ayant une partie active apte à émettre de la lumière lorsqu'un courant traverse la partie active et au moins une partie dopée agencée pour être en situation de contact électrique avec ladite au moins une première électrode (13d) ; d) formation d'une pluralité de parois de confinement lumineux (16) dans laquelle chaque paroi de confinement lumineux (16) formée présente une aptitude à réfléchir tout ou partie de la lumière émise par au moins un des éléments lumineux (13) et est agencée de sorte à entourer tout ou partie dudit au moins un des éléments lumineux (13) de sorte à réfléchirtout ou partie de la lumière émise par ledit au moins un élément lumineux (13), l'étape d) étant telle que tout ou partie d'au moins l'une des parois de confinement lumineux (16) de la pluralité de parois de confinement lumineux (16) a la faculté d'être électriquement conductrice et connectée directement à la première électrode (13d) d'au moins l'un des éléments lumineux (13) de ladite pluralité d'éléments lumineux (13).
17. Procédé de fabrication selon la revendication 16, comprenant l'étape suivante, mise en œuvre entre l'étape b) et l'étape d) : e)formation d'une portion d'espacement (19) sur ladite au moins une première électrode (13d) formée à l'étape b) d'un côté opposé au support (11) ; les parois de confinement lumineux (16) étant formées durant l'étape d) à travers la portion d'espacement (19) formée à l'étape e) et pour être en contact avec la première électrode (13d) formée à l'étape b).
18. Procédé de fabrication selon la revendication 17, dans lequel l'étape d) comprend au moins une étape de gravure dans laquelle la portion d'espacement (19) obtenue à l'étape e) subit une gravure contrôlée de sorte à arrêter ladite gravure lorsque la première électrode (13d) affleure.
19. Procédé de fabrication selon la revendication 18, comprenant l'étape suivante : f) formation d'une couche de conduction électrique (16a) dans la gravure résultant de l'étape d) ; l'étape f) étant mise en œuvre de sorte que la couche de conduction électrique (16a) formée est en contact électrique avec la première électrode (13d) formée à l'étape b) et est caractérisée par une conductivité électrique supérieure à 106 Siemens/m; tout ou partie de l'étape f) étant mise en œuvre pendant l'étape d).
20. Procédé de fabrication selon l'une quelconque des revendications 18 ou 19, dans lequel l'étape d) comprend une étape de remplissage consistant à remplirtout ou partie de la gravure résultant de l'étape d) par un matériau électriquement conducteur.
21. Procédé de fabrication selon l'une quelconque des revendications 16 à 20, dans lequel l'étape c) comprend une étape de fabrication déportée des éléments lumineux (13) dans laquelle les éléments lumineux (13) sont obtenus sur un support externe différent du support (11) puis transférés de sorte à être fixés sur la face de support (lia) du support (11).
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