EP3721501B1 - Microwave component and associated manufacturing process - Google Patents

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EP3721501B1
EP3721501B1 EP18811277.5A EP18811277A EP3721501B1 EP 3721501 B1 EP3721501 B1 EP 3721501B1 EP 18811277 A EP18811277 A EP 18811277A EP 3721501 B1 EP3721501 B1 EP 3721501B1
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EP
European Patent Office
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layer
dielectric
cavity
dielectric strip
propagation
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EP18811277.5A
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EP3721501A1 (en
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Anthony Ghiotto
Frédéric PARMENT
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Centre National dEtudes Spatiales CNES
Centre National de la Recherche Scientifique CNRS
Universite de Bordeaux
Institut Polytechnique de Bordeaux
Original Assignee
Centre National dEtudes Spatiales CNES
Centre National de la Recherche Scientifique CNRS
Universite de Bordeaux
Institut Polytechnique de Bordeaux
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Publication date
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    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01P—WAVEGUIDES; RESONATORS, LINES, OR OTHER DEVICES OF THE WAVEGUIDE TYPE
    • H01P3/00—Waveguides; Transmission lines of the waveguide type
    • H01P3/12—Hollow waveguides
    • H01P3/122—Dielectric loaded (not air)
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01P—WAVEGUIDES; RESONATORS, LINES, OR OTHER DEVICES OF THE WAVEGUIDE TYPE
    • H01P3/00—Waveguides; Transmission lines of the waveguide type
    • H01P3/12—Hollow waveguides
    • H01P3/121—Hollow waveguides integrated in a substrate
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01P—WAVEGUIDES; RESONATORS, LINES, OR OTHER DEVICES OF THE WAVEGUIDE TYPE
    • H01P1/00—Auxiliary devices
    • H01P1/20—Frequency-selective devices, e.g. filters
    • H01P1/207—Hollow waveguide filters
    • H01P1/208—Cascaded cavities; Cascaded resonators inside a hollow waveguide structure
    • H01P1/2088—Integrated in a substrate
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01P—WAVEGUIDES; RESONATORS, LINES, OR OTHER DEVICES OF THE WAVEGUIDE TYPE
    • H01P11/00—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing waveguides or resonators, lines, or other devices of the waveguide type
    • H01P11/001—Manufacturing waveguides or transmission lines of the waveguide type
    • H01P11/002—Manufacturing hollow waveguides
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01P—WAVEGUIDES; RESONATORS, LINES, OR OTHER DEVICES OF THE WAVEGUIDE TYPE
    • H01P3/00—Waveguides; Transmission lines of the waveguide type
    • H01P3/12—Hollow waveguides
    • H01P3/123—Hollow waveguides with a complex or stepped cross-section, e.g. ridged or grooved waveguides

Definitions

  • microwave components are described in the documents US 2002/093403 And US 2004/041663 , in the article entitled Broadband phase shifter using air holes in Substrate Integrated Waveguide by Boudreau et al, dated June 5, 2011 (XP032006818 ), in the article entitled Double Dielectric Slab-Loaded Air-Filled SIW Phase Shifters for High-Performance Millimeter-Wave Integration by Parment et al, dated September 1, 2016 (XP011621511 ), in the article entitled Approximation Technique for Dielectric Loaded Waveguides by Hord et al, dated April 1, 1968 (XP055493538 ) and in the article entitled Substrate integrated slab waveguide (SISW) for wideband microwave applications by Desries et al, dated June 8, 2003 (XP032412823 ).
  • SISW Substrate integrated slab waveguide
  • An object of the invention is therefore to manufacture and provide, at low costs, a microwave component adapted to operate in the wavelength range. millimeter, the component having good bandwidth and being low loss.
  • the subject of the invention is a microwave component according to claim 1.
  • the component according to the invention can be according to any one of claims 2 to 8.
  • the invention also relates to a method of manufacturing a microwave component according to claim 9.
  • the first component 10A is for example a filter, in particular a band-pass, low-pass, high-pass or band-stop microwave filter.
  • the first microwave component 10A is for example a transmission line, a multiplexer, a coupler, a divider, a combiner, an antenna, an oscillator, an amplifier, a load, a circulator, a resonator, a shifter phase or even an insulator.
  • the first component 10A here is of the “guide integrated into the substrate” type.
  • the waveguide 12 comprises an upper layer 14, a lower layer 16, and a central layer 18 interposed between the upper layer 14 and the lower layer 16, said layers 14, 16, 18 defining a propagation zone 19 of the electromagnetic wave, the propagation zone 19 extending along the propagation axis XX.
  • dielectric element it is meant that said element has a relative dielectric permittivity greater than or equal to 1.
  • each of said upper surfaces 20A, 20B, 20C and each of said lower surfaces 21A, 21B, 21C are electrically conductive.
  • electrically conductive element it is meant that said element has an electrical conductivity greater than 1*10 6 Sm -1 , preferably equivalent to that of a metal of the copper, silver, aluminum or gold type.
  • the lower layer 16 and the upper layer 14 are arranged at a distance from each other, on either side of the central layer 18, in contact with the central layer 18.
  • the lower surface 21A of the upper layer 14 is in contact with the upper surface 20C of the central layer 18.
  • the lower surface 21C of the central layer 18 is in contact with the upper surface 20B of the lower layer. 16.
  • a transverse direction is therefore a direction orthogonal to the propagation axis X-X and parallel to the lower surface 21A of the upper layer 14.
  • Each of the upper 14, lower 16 and central 18 layers thus comprises an electrically conductive upper sub-layer 22A, 22B, 22C, an electrically conductive lower sub-layer 24A, 24B, 24C and a dielectric central sub-layer 26A, 26B, 26C , presenting a first dielectric constant, interposed between the upper sub-layer 22A, 22B, 22C and the lower sub-layer 24A, 24B, 24C.
  • the upper sub-layers 22A, 22B, 22C and the lower sub-layers 24A, 24B, 24C are for example made of copper.
  • the central sublayers 26A, 26B, 26C are for example made of epoxy resin or Teflon.
  • the propagation zone 19 corresponds to a zone in which the electromagnetic wave is confined during its propagation in the waveguide 12.
  • the propagation zone 19 is delimited by the electrically conductive lower sublayer 24A of the upper layer 14, the electrically conductive upper sublayer 22B of the lower layer 16 and two central lateral boundaries 30 each provided in the central layer 18 and spaced from one another.
  • the propagation zone 19 comprises a cavity 32 delimited by the upper layer 14, by the lower layer 16, and, laterally, by the central layer 18.
  • the central lateral boundaries 30 of the propagation zone 19 are capable of preventing the passage of an electromagnetic wave having a wavelength greater than or equal to the predetermined minimum wavelength.
  • Each central lateral boundary 30 electrically connects the lower sub-layer 24A of the upper layer 14 and the upper sub-layer 22B of the upper layer 14 between them.
  • the central lateral borders 30 extend in particular over the entire thickness of the central layer 18.
  • Each via 34 electrically connects the lower sublayer 24A of the upper layer 14 and the upper sublayer 22B of the upper layer 14 between them.
  • the spacing between two successive vias 34 of a central lateral boundary 30 is less than the predetermined minimum wavelength, in particular less than one tenth of the predetermined minimum wavelength, preferably less than one twentieth of the length d predetermined minimum wave.
  • the cavity 32 is filled with a fluid 38 having a second dielectric constant, for example lower than the first dielectric constant.
  • the fluid 38 is for example air.
  • the cavity 32 defines a sealed closed volume, it is filled with air, nitrogen or is empty of fluid.
  • the lateral edges 36 of the central layer 18 extend parallel to the axis of propagation XX.
  • the lateral edges 36 of the central layer 18 extend in particular orthogonally and to the transverse axis Y-Y.
  • the side edges 36 of the central layer 18 run along the central side boundaries 30.
  • “along” we mean that the side edges 36 are in contact with said central lateral borders 30 or arranged at a distance, for example constant, from said central lateral borders 30, this distance preferably being less than 100 ⁇ m.
  • the dielectric bar 28 is placed in the cavity 32, away from the lateral edges 36 of the cavity 32.
  • the dielectric bar 28 is arranged in the propagation zone 19 such that, in projection on the upper surface 20B of the lower layer 16, said dielectric bar 28 is away from the lateral edges 36 of the cavity 32.
  • the dielectric bar 28 here has an elongated shape and extends in a longitudinal direction parallel to the axis of propagation. In addition, the dielectric bar 28 extends here orthogonal to the transverse axis Y-Y.
  • the dielectric bar 28 has a width comprised in particular between 1% and 90% of the width of the cavity 32.
  • width of an element we mean the edge-to-edge distance of the element, taken along the transverse axis Y-Y.
  • the dielectric bar 28 is here centered on a median plane of the two side edges 36.
  • the dielectric bar 28 has in this example a thickness less than the height of the cavity 32.
  • thickness of an element or “height of an element”, we mean the edge-to-edge distance of the element, taken according to the Z-Z direction orthogonal to the propagation axis X-X and to the transverse axis Y-Y.
  • the dielectric bar 28 is fixed to the upper surface 20B of the lower layer 16 via a lower contact sub-layer 40. More precisely, it is fixed to the lower contact sub-layer 40, the sub-layer 40. lower contact layer 40 being fixed to the upper surface 20B of the lower layer 16.
  • the lower contact sublayer 40 is electrically conductive.
  • the dielectric bar 28 is further fixed to the lower surface 21A of the upper layer 14 via an upper contact sub-layer 42. More precisely, it is fixed to the upper contact sub-layer 42, the undercoat upper contact layer 42 being fixed to the lower surface 21A of the upper layer 14.
  • the upper contact sublayer 42 is electrically conductive.
  • the first method includes providing the upper layer 14 and the lower layer 16.
  • the central layer 18 being provided here presenting a plurality of recesses 44, said plurality of recesses 44 being intended to form the cavity 32 of the first component 10A.
  • the upper layer 14, the lower layer 16 and the middle layer 18 are provided spaced apart from each other.
  • the step of providing the central layer 18 comprises the provision of an initial layer 46, the initial layer 46 being intended to form the central layer 18.
  • the initial layer 46 thus comprises at least one initial dielectric sub-layer 48, having the first dielectric constant, which is in particular intended to form the central sub-layer 26C of the central layer 18.
  • the initial layer 46 also comprises an initial upper electrically conductive sub-layer 50 intended to form the upper sub-layer 22C of the central layer 18, and an initial lower electrically conductive sub-layer 52 intended to form the sub-layer lower 24C of the central layer 18.
  • the step of providing the central layer 18 then comprises cutting, in the initial layer 46, the plurality of recesses 44 intended to form the cavity 32.
  • the cutting is carried out throughout the thickness of the initial layer 46.
  • the first method comprises a step of implementing the central lateral borders 30.
  • the implementation of the central lateral boundaries 30 includes the production of said row of vias 34.
  • the step of providing the central layer 18 further comprises the production of the dielectric bar 28.
  • the production of the dielectric bar 28 is implemented here during the cutting of said plurality of recesses 44. Said plurality of recesses 44 is then intended to delimit the cavity 32, the dielectric bar 28 and attachment means 54 of the dielectric bar 28.
  • the dielectric bar 28 is more precisely formed by part of the initial dielectric sub-layer 48 of the initial layer 46.
  • the dielectric bar 28 is thus arranged in the initial layer 46.
  • the attachment means 54 comprise a plurality of dielectric attachments 56 connecting the dielectric bar 28 to at least one of the lateral edges 36 of the cavity 32.
  • the dielectric bar 28, the dielectric fasteners 56 and the lateral edges 36 of the cavity 32 are made from material.
  • each dielectric fastener 56 has the shape of a rectilinear bar, and here extends perpendicularly from one of the side edges 36.
  • At least one dielectric clip 56 extends from each of the side edges 36.
  • the dielectric clips 56 are spaced apart from each other.
  • the production of the dielectric bar 28 includes for example the removal of the initial upper and lower electrically conductive sub-layers 50, 52 in line with the dielectric fasteners 56, in particular above and below the dielectric fasteners 56.
  • the initial layer 46 forms the central layer 18.
  • the dielectric bar 28 is placed between a plane defined by the upper surface 20C of the central layer 18 and a plane defined by a lower surface 21C of the central layer 18.
  • the dielectric bar 28 is thus intended to be placed in the cavity 32, between the lateral edges 36.
  • the dielectric bar 28 is similarly fixed to the lower layer 16.
  • the dielectric bar 28 is held in position relative to the central layer 18 and the lower layer 16 by the dielectric fasteners 56.
  • the positioning of the dielectric bar 28 is therefore very precise and chosen during the cutting step.
  • the assembly then comprises the removal of the attachment means 54, once the central layer 18 fixed to the lower layer 16, in particular once the dielectric bar 28 fixed to the lower layer 16.
  • This removal is implemented by cutting the attachment means 54, and in particular by cutting the dielectric attachments 56.
  • the previous step of removing the initial upper and lower electrically conductive sublayers 50, 52 makes it possible to facilitate this step of cutting the dielectric fasteners 56.
  • This cutting is for example carried out manually with a scalpel, with a digital milling machine, or with a laser.
  • each dielectric clip 56 is advantageously cut flush with the dielectric bar 28.
  • the assembly includes the fixing of the upper layer 14 to the central layer 18.
  • This fixing is for example carried out by gluing.
  • the cavity 32 is then formed by said plurality of recesses 44 being delimited by the upper layer 14, by the lower layer 16, and laterally, by said opposite side edges 36 of the central layer 18.
  • the first component 10A is formed.
  • layers 14, 16, 18 define the propagation zone 19 of an electromagnetic wave.
  • This propagation zone 19 includes the cavity 32.
  • the dielectric bar 28 is placed in the cavity 32 away from the side edges 36 of the cavity 32.
  • the dielectric bar 28, placed in the central layer 18, is placed in the propagation zone 19, and, in projection on the upper surface 20B of the lower layer 16, at the distance from the side edges 36 of the cavity 32.
  • the first method comprises a step of supplying the first microwave component 10A with an electromagnetic wave propagating in the propagation zone 19.
  • the electromagnetic wave presents at least one mode of propagation presenting a maximum electric field.
  • the dielectric bar 28 is positioned in the cavity 32 at a predetermined position such that, during this step of supplying the first component 10A, the predetermined position corresponds to the level of said maximum electric field.
  • the dimensions of the dielectric fasteners 56 are predetermined so that, after assembly, the dielectric bar 28 is located in the cavity 32 at the predetermined position.
  • the dielectric bar 28 thus has an effect on said mode of propagation.
  • the dielectric bar 28 charges the waveguide 12 so as to widen the single-mode bandwidth.
  • the structure comprising three layers 14, 16, 18 makes it possible to make the first component 10A compact and flexible.
  • the waveguide 12 comprises a first electrically insulating layer between the lower sub-layer 24A of the upper layer 14 and the upper sub-layer 22C of the central layer 18, and/or a second electrically insulating layer between the lower sub-layer 24C of the central layer 18 and the upper sub-layer 22B of the lower layer 16.
  • the dielectric bar 28 is not centered on a median plane of the two lateral edges 36 but is offset laterally from said median plane. Such a lateral shift makes it possible to provide control over the desired propagation modes of the electromagnetic wave propagating in the waveguide 12.
  • the width of the dielectric bar 28 varies along the axis of propagation.
  • the waveguide 12 comprises electrically conductive wires passing through the cavity 32 from one side to the other, and electrically connecting the lower sub-layer 24A of the upper layer 14 to the upper layer 22B of the lower layer 16. These wires make it possible to carry out an impedance adaptation to another circuit.
  • the waveguide 12 comprises electrically conductive wires passing through the cavity 32, being electrically connected to the lower sub-layer 24A of the upper layer 14, and having a free end spaced apart. of the upper layer 22B of the lower layer 16. These wires make it possible to produce capacitive pads making it possible to adjust the filtering properties of the component.
  • a variant of the first method of manufacturing the first component 10A is illustrated on the Figure 5 .
  • This variant differs from the first method described in that the median plane of the two lateral edges 36 is a plane of symmetry of the dielectric fasteners 56.
  • each dielectric clip 56 does not extend perpendicularly from one of the side edges 36.
  • At least two dielectric clips 56 extend from the same lateral edge 36, joining at the level of the dielectric bar 28. As illustrated in the Figure 5 , these two dielectric attachments 56 form a pattern which repeats along the axis of propagation.
  • the production of the dielectric bar 28 does not include the removal of the initial upper and lower electrically conductive sub-layers 50, 52 in line with the dielectric attachments 56. These sub-layers 50, 52 are removed when removing the attachment means 54.
  • the dielectric fasteners 56 extend from only one of the lateral edges 36.
  • This second component 10B differs from the first component 10A in that the dielectric bar 28 and the lower surface 21A of the upper layer 14 delimit a free space between them.
  • the dielectric bar 28 is thus not fixed to the lower surface 21A of the upper layer 14 via the upper contact sub-layer 42.
  • the waveguide 12 is then devoid of said upper contact sub-layer 42.
  • a second manufacturing process relating to the manufacturing of the second component 10B differs from the first process in that the production of the dielectric bar 28 includes the removal of the initial upper electrically conductive sublayer 50 above the dielectric bar 28.
  • a third microwave component 10C will now be described, with reference to the Figure 7 .
  • This third component 10C differs from the first component 10A in that the waveguide 12 further comprises a functional attachment component 58.
  • the functional attachment component 58 is formed by a plurality of dielectric attachments 56 integral with the dielectric bar 28, each dielectric attachment 56 extending from one of the lateral edges 36.
  • Said dielectric fasteners 56 have characteristics identical to the dielectric fasteners described in the first method.
  • the dielectric bar 28 is therefore away from the lateral edges 36 in at least one region of the dielectric bar 28.
  • the dielectric clips 56 are configured to perform a filter function for an electromagnetic wave propagating in the propagation zone 19.
  • the distribution, the spacing between two adjacent dielectric clips 56, and their dimensions are predetermined to achieve said function.
  • attachment means 54 forms the functional attachment component 58, the dielectric attachments 56 not removed being configured to perform the filter function for an electromagnetic wave propagating in the propagation zone 19.
  • the distribution, the spacing between two adjacent dielectric clips 56, and their dimensions are predetermined to achieve said function.
  • the width of the dielectric bar 28 varies along the axis of propagation.
  • the width of the dielectric bar 28 is constant between two adjacent dielectric clips 56, and the width of the dielectric bar 28 between a pair of adjacent dielectric clips 56 is different for at least two pairs of adjacent dielectric fasteners 56.
  • This fourth component 10D differs from the first component 10A in that the dielectric bar 28 is made of a dielectric material different from the material in which the central sub-layer 26C of the central layer 18 is made.
  • the dielectric bar 28 is fixed to the upper surface 20B of the lower layer 16, for example by gluing.
  • the dielectric bar 28 is in contact with the lower surface 21A of the upper layer 14. In other words, it has a thickness equal to the height of the cavity 32.
  • the dielectric bar 28 is fixed to the lower surface 21A of the upper layer 14, for example by gluing.
  • the dielectric bar 28 and the lower surface 21A of the upper layer 14 delimit a free space between them.
  • the dielectric bar 28 has no contact with the lower surface 21A of the upper layer 14.
  • the thickness of the dielectric bar 28 is therefore less than the thickness of the central layer 18.
  • the waveguide 12 comprises a functional attachment component 58 similar to the functional attachment component 58 of the third component 10C.
  • the fourth method differs from the first method in that the dielectric bar 28 and the attachment means 54 are not cut out in the central layer 18, and in that the step of producing the dielectric bar 28 comprises the supply of the dielectric bar 28 and attachment means 54 of the dielectric bar 28, the dielectric bar 28 and the attachment means 54 being provided away from the central layer 18.
  • the central layer 18 is provided by presenting a recess 44 intended to alone form the cavity 32.
  • the attachment means 54 thus comprise the plurality of dielectric attachments 56 integral with the dielectric bar 28, the dielectric attachments 56 being integral with the dielectric bar 28, for example made integrally with the dielectric bar 28.
  • the dielectric bar 28 and the dielectric clips 56 are preferably made of a dielectric material different from the material in which the central sub-layer 26C of the central layer 18 is made. Alternatively, they are made of the same material as that of the central sublayer 26C of central layer 18.
  • the dielectric bar 28 is fixed to the lower layer 16.
  • the dielectric bar 28 is held in position relative to the lower layer 16, by the dielectric fasteners 56 for the entire duration necessary for its attachment to the lower layer 16.
  • the central layer 18 is fixed to the lower layer 16, the dielectric bar 28 then being placed in the recess 44.
  • a fifth component 10E according to the invention is illustrated on the figures 9 and 10 .
  • This fifth component 10E differs from the first component 10A in that the cavity 32 is delimited along the axis of propagation between a front end 60 and a rear end 62 of the central layer 18, the dielectric bar 28 extending from the front end 60 to the rear end 62.
  • the cavity 32 has, in projection on the upper surface 20B of the lower layer 16, a closed exterior contour.
  • the fifth component 10E further comprises two additional transmission lines 64, arranged longitudinally on either side of the cavity 32, the propagation zone 19, and the central lateral borders 30, extending into each of these two transmission lines. transmission annexes 64.
  • Each annex transmission line 64 comprises an electrically conductive upper annex layer 66, identical to the upper layer 14 and integral with the upper layer 14, an electrically conductive lower annex layer, identical to the lower layer 16 and integral with the upper layer 14. lower layer 16, and an additional central dielectric layer 68, identical to the central layer 18 and integral with the central layer 18.
  • the spacing, taken along the transverse axis Y-Y, between the central lateral boundaries 30 is greater in the cavity 32 than their spacing in the annexed transmission lines 64.
  • the dielectric bar 28 is integral with the central sub-layer 26C of the central layer 18.
  • the dielectric bar 28 is here integral with the central sub-layer 26C of the central layer 18.
  • the dielectric bar 28 is thus in particular made integral with the central annex layer 68 of each of the annex transmission lines 64.
  • the dielectric bar 28 has a length equal to the length of the cavity 32.
  • length of an element is meant the edge-to-edge distance of the element, taken along the axis of propagation.
  • the embodiment of the fifth component 10E illustrated in the Figure 10 differs from the first component 10A in that, in at least one slice of the cavity 32, taken along the transverse axis YY, the dielectric bar 28 delimits respectively with the lower surface 21A of the upper layer 14 and the upper surface 20B of the lower layer 16 free space.
  • the upper annex layers 66 and the lower annex layers project into the cavity 32 respectively above and below the dielectric bar 28.
  • said projections in the cavity 32 of the upper annex layers 66 and the lower annex layers have a pointed shape.
  • the fifth method differs from the first method in that when cutting said plurality of recesses 44, said plurality of recesses 44 is intended to delimit the cavity 32, along the axis of propagation, between a front end 60 and a rear end 62 of the central layer 18.
  • said plurality of recesses 44 is intended to delimit the cavity 32 such that it presents, in projection on the upper surface 20B of the lower layer 16, a closed exterior contour.
  • said plurality of recesses 44 delimits the dielectric bar 28 without delimiting dielectric fasteners 56 connecting the dielectric bar 28 to the rest of the central layer 18.
  • the implementation of the central lateral boundaries 30 is implemented such that, after assembly, the propagation zone 19 extends longitudinally on either side of the cavity 32.
  • the upper layer 14, the lower layer 16 and the central layer 18 then defines, on either side of the cavity 32, the two additional transmission lines 64.
  • the wave In use, during the step of supplying the fifth microwave component 10E with an electromagnetic wave, the wave propagates in the propagation zone 19 in one of the annex transmission lines 64.
  • the projections of the upper and lower annex layers 66 ensure a good electromagnetic transition for the wave propagating in the propagation zone 19 between the annex transmission lines 64 and the cavity 32.
  • This sixth component 10F differs from previous embodiments in that the central lateral boundaries 30 do not include rows of vias 34.
  • Said continuous side wall 70 is in particular formed by an electrically conductive coating, for example metallic. Said coating is here applied to the lateral edges 36 of the cavity 32.
  • continuous side wall we mean that the metal coating is applied over the entire height and length of the side edges 36.
  • the central lateral borders 30 are in particular devoid of vias.
  • the sixth method differs from the first method in that the step of implementing the central lateral boundaries 30 is implemented after the step of cutting said plurality of recesses 44.
  • a seventh 10G component according to the invention will now be described with regard to the figures 12 .
  • This seventh component 10G differs from the first component 10A in that the dielectric bar 28 is a first dielectric bar 28, and in that the waveguide 12 further comprises a second dielectric bar 72.
  • the second dielectric bar 72 is placed in the cavity 32, away from said first dielectric bar 28, and away from the lateral edges 36 of the cavity 32.
  • the second dielectric bar 72 is arranged in the propagation zone 19 such that, in projection on the upper surface 20B of the lower layer 16, said second dielectric bar 72 is away from the lateral edges 36 of the cavity 32 .
  • the second dielectric bar 72 is placed between the lateral edges 36 of the cavity 32.
  • the first dielectric bar 28 and the second dielectric bar 72 extend respectively in a longitudinal direction parallel to the propagation axis XX. In addition, they extend here orthogonal to the transverse axis Y-Y.
  • the first dielectric bar 28 and the second dielectric bar 72 are offset laterally from the median plane of the two lateral edges 36.
  • the second dielectric bar 72 is at least partly arranged between the first dielectric bar 28 and one of the side edges 36.
  • the second dielectric bar 72 is substantially similar to the first dielectric bar 28.
  • the second dielectric bar 72 has a width comprised in particular between 1% and 90% of the width of the cavity 32.
  • the width of the second dielectric bar 72 is for example constant along the propagation axis XX. Alternatively, the width of the second dielectric bar 72 varies along the axis of propagation.
  • the second dielectric bar 72 has in this example a thickness less than the height of the cavity 32.
  • the second dielectric bar 72 is fixed to the upper surface 20B of the lower layer 16 via a second lower contact sub-layer 74. More precisely, it is fixed to the second lower contact sub-layer 74, the second lower contact sub-layer 74 being fixed to the upper surface 20B of the lower layer 16.
  • the second lower contact sub-layer 74 is electrically conductive.
  • the second dielectric bar 72 is further fixed to the lower surface 21A of the upper layer 14 via a second upper contact sub-layer 76. More precisely, it is fixed to the second upper contact sub-layer 76, the second upper contact sub-layer 76 being fixed to the lower surface 21A of the upper layer 14.
  • the second upper contact sub-layer 76 is electrically conductive.
  • the production of the first dielectric bar 28 and the second dielectric bar 72 being implemented here during the cutting of said plurality of recesses 44.
  • said plurality of recesses 44 is intended to delimit the first dielectric bar 28, the second dielectric bar 72 and means 54 for attaching the first dielectric bar 28 and the second dielectric bar 72.
  • the first dielectric bar 28 and the second dielectric bar 72 are more precisely formed by part of the initial dielectric sub-layer 48 of the initial layer 46.
  • the attachment means 54 comprise a plurality of first dielectric attachments connecting the first dielectric bar 28 to one of the lateral edges 36 of the cavity 32. They further comprise a plurality of second dielectric attachments connecting the second dielectric bar 72 to the other of the side edges 36 of the cavity 32.
  • the attachment means 54 comprise a plurality of intermediate dielectric attachments connecting the first dielectric bar 28 to the second dielectric bar 72.
  • the first dielectric clips, the second dielectric clips and the intermediate dielectric clips have characteristics substantially identical to the dielectric clips 56 described in the first method.
  • the seventh method comprises a step of supplying the seventh 10G microwave component with an electromagnetic wave propagating in the propagation zone 19.
  • the electromagnetic wave here has at least a first and a second propagation mode, the second propagation mode having two electric field maxima.
  • the first dielectric bar 28 and the second dielectric bar 72 are respectively positioned in the cavity 32 at a first predetermined position and at a second predetermined position such that, during this step of supplying the seventh component 10G, the first predetermined position and the second predetermined position correspond respectively to the levels of said electric field maxima.
  • the dimensions of the first fasteners and the second fasteners are predetermined so that, after assembly, the first dielectric bar 28 and the second dielectric bar 72 are respectively located in the cavity 32 at the level of said maximum electric fields.
  • the first dielectric bar 28 and the second dielectric bar 72 thus have an effect on the second mode of propagation. In particular, they reduce the single-mode band of the seventh 10G component to obtain a controlled dual-mode structure.
  • This eighth component 10H differs from the fourth component 10D in that the dielectric bar 28 is a first dielectric bar 28, and in that the waveguide 12 comprises at least one other dielectric bar 72.
  • the waveguide 12 comprises at least three other dielectric bars 72.
  • Each other dielectric bar 72 is placed in the cavity 32, away from said first dielectric bar 28, away from each other dielectric bar 72 and away from the lateral edges 36 of the cavity 32.
  • each other dielectric bar 72 is arranged in the propagation zone 19 such that, in projection on the upper surface 20B of the lower layer 16, said other dielectric bar 72 is away from the lateral edges 36 of the cavity 32 .
  • Each other dielectric bar 72 is placed between the lateral edges 36 of the cavity 32.
  • the first dielectric bar 28 and each other dielectric bar 72 extend respectively in a longitudinal direction parallel to the propagation axis XX. In addition, they extend here orthogonal to the transverse axis Y-Y.
  • the first dielectric bar 28 and each other dielectric bar 72 are offset laterally from the median plane of the two lateral edges 36.
  • the first dielectric bar 28 and each other dielectric bar 72 respectively define a circular outer contour.
  • the term “bar” is therefore to be taken here in a broad sense.
  • each other dielectric bar 72 is substantially similar to the first dielectric bar 28. In particular, they have here a substantially identical diameter.
  • the first dielectric bar 28 and each other dielectric bar 72 then respectively have a dielectric permittivity greater than 6.
  • the eighth method differs from the fourth method in that it comprises a step of producing each other dielectric bar 72.
  • the step of producing each other dielectric bar 72 comprises the provision of said other dielectric bar 72 and means for attaching said another dielectric bar 72, said other dielectric bar 72 and the attachment means being provided away from the central layer 18.
  • each other dielectric bar 72 is fixed to the lower layer 16, in particular before the central layer 18 is fixed to the lower layer 16.
  • At least one of the first dielectric bar 28 and each other dielectric bar 72 defines an external contour having a rectangular, square, or oval shape.
  • At least one of the first dielectric bar 28 and each other dielectric bar 72 defines a ring shape, having an outer contour of circular shape , rectangular, square, or oval, and an interior contour of circular, rectangular, square, or oval shape.
  • At least two bars among the first dielectric bar 28 and the other dielectric bars 72 are made of different materials.
  • the eighth manufacturing process described makes it possible to simultaneously mount several bars 28, 72 made of different materials.
  • the waveguide 12 further comprises a functional attachment component formed by a plurality of dielectric attachments integral with at least one of the bars 28, 72, each dielectric attachment extending to from one of the side edges 36. In the manufacturing process associated with this variant, at least part of the attachment means is not removed during the assembly step.
  • a ninth component 101 according to the invention will now be described with regard to the Figure 14 .
  • This ninth component 10l differs from the first component 10A in that the dielectric bar 28 is not arranged in the cavity 32.
  • the dielectric bar 28 is placed in the propagation zone 19 and is delimited in the upper layer 14. The dielectric bar 28 is thus formed in the upper layer 14.
  • the dielectric bar 28 is formed in the central sub-layer 26A of the upper layer 14 and is delimited by a part of the electrically conductive upper sub-layer 22A of the upper layer 14 and laterally between two upper lateral boundaries 78.
  • the dielectric bar 28 opens into the cavity 32.
  • the dielectric bar 28 has a surface 80 delimiting the cavity 32.
  • the dielectric bar 28 is arranged between a plane defined by an upper surface 20C of the central layer 18 and a plane defined by an upper surface 20A of the upper layer 14.
  • the upper layer 14 is devoid of lower sub-layer 24A, in at least part of the upper layer 14 between the two upper lateral borders 78.
  • the upper layer 14 is entirely devoid of lower sub-layer 24A, between the two upper lateral borders 78.
  • the dielectric bar 28 is here arranged in the propagation zone 19, such that, in projection on the upper surface 20B of the lower layer 16, the dielectric bar 28 is away from the lateral edges 36 of the cavity 32.
  • the propagation zone 19 is delimited by the electrically conductive upper sublayer 22B of the lower layer 16 and the two central lateral boundaries 30 each provided in the central layer and spaced from one another.
  • the propagation zone 19 is delimited by the part of the upper sub-layer 22A of the upper layer 14 extending above the dielectric bar 28, by a part of the sub-layer lower electrically conductive 24A of the upper layer 14, and by the upper lateral borders 78, the upper lateral borders 78 joining said parts.
  • the upper lateral boundaries 78 are capable of preventing the passage of an electromagnetic wave having a wavelength greater than or equal to the predetermined minimum wavelength.
  • the upper lateral borders 78 are each arranged in the upper layer 14.
  • the upper lateral boundaries 78 extend parallel to the propagation axis X-X and are here parallel to each other.
  • the upper side borders 78 are spaced apart from each other.
  • the dielectric bar 28 is thus here centered on the median plane of the side edges 36.
  • a cross section of the propagation zone 19 has substantially an inverted T shape.
  • Each upper lateral boundary 78 electrically connects the lower sub-layer 24A of the upper layer 14 and the upper sub-layer 22A of the upper layer 14 between them.
  • the upper lateral borders 78 and the central lateral borders 30 electrically connect the upper sub-layer 22B of the lower layer 16 to the upper sub-layer 22A of the upper layer 14, respectively on either side of the cavity 32.
  • each upper lateral boundary 78 comprises a row of electrically conductive vias 34, arranged through the upper layer 14. More precisely, each via 34 extends in the direction ZZ, crossing the upper layer 14.
  • Each via 34 electrically connects the lower sublayer 24A of the upper layer 14 and the upper sublayer 22A of the upper layer 14 between them.
  • the spacing between two successive vias 34 of an upper lateral boundary 78 is less than the predetermined minimum wavelength, in particular less than one tenth of the predetermined minimum wavelength, preferably less than one twentieth of the length d predetermined minimum wave.
  • the ninth method differs from the first method in that the dielectric bar 28 is not cut out in the central layer 18 and is not placed in the cavity 32.
  • the central layer 18 is provided by presenting a recess 44 intended to alone form the cavity 32.
  • the provision of the upper layer 14 comprises the provision of an upper initial layer, the upper initial layer being intended to form the upper layer 14.
  • the upper initial layer thus comprises at least one initial dielectric sub-layer, intended to form the central sub-layer 26A of the layer upper sub-layer 14, an upper electrically conductive sub-layer, intended to form the upper sub-layer 22A of the upper layer 14, and a lower electrically conductive sub-layer, intended to form the lower sub-layer 24A of the upper layer 14.
  • the step of providing the upper layer 14 comprises the production of the dielectric bar 28.
  • the production of the dielectric bar 28 comprises the implementation of the upper lateral boundaries 78 and the removal of at least one part, advantageously of the entirety of the electrically conductive lower sub-layer of the upper initial layer extending between the two upper lateral boundaries 78.
  • the part of the central dielectric sublayer of the upper initial layer delimited between the upper lateral boundaries 78 forms said dielectric bar 28.
  • the upper initial layer forms the upper layer 14.
  • the core layer 18 is attached to the bottom layer 16 and the top layer 14 is attached to the core layer 18 to form the ninth component 10l.
  • the propagation zone 19 comprises the dielectric bar 28 delimited in the upper layer 14, the dielectric bar 28 having a surface delimiting the cavity 32.
  • the dielectric bar 28 is delimited in the lower layer 16.
  • the step of supplying the lower layer 16 comprises the production of the dielectric bar 28.
  • the dielectric bar 28 is not centered on the median plane of the side edges 36.
  • the dielectric bar 28 is laterally offset relative to the median plane of the side edges 36.
  • the upper lateral borders 78 are then devoid of symmetry with respect to the median plane of the lateral edges 36.
  • a tenth component 10J according to the invention will now be described with regard to the Figure 15 .
  • This tenth component 10J differs from the ninth component 10l in that said dielectric bar 28 is a first dielectric bar 28.
  • the waveguide 12 further comprises a second dielectric bar 72 disposed in the propagation zone 19 and delimited in the lower layer 16, away from the first dielectric bar 28.
  • the second dielectric bar 72 is thus formed in the lower layer 16 in particular away from the first dielectric bar 28.
  • the second dielectric bar 72 is formed in the central sub-layer 26B of the lower layer 16 and is delimited by a part of the electrically conductive lower sub-layer 24B of the lower layer 16 and laterally between two lower lateral boundaries 82.
  • the second dielectric bar 72 opens into the cavity 32.
  • the second dielectric bar 72 has a surface 84 delimiting the cavity 32.
  • the second dielectric bar 72 is arranged between a plane defined by a lower surface 21C of the central layer 18 and a plane defined by a lower surface 21B of the lower layer 16.
  • the lower layer 16 is devoid of upper sub-layer 22B, in at least part of the lower layer 16 between the two lower lateral borders 82.
  • the lower layer 16 is entirely devoid of upper sub-layer 22B, between the two lower lateral borders 82.
  • the second dielectric bar 72 disposed in the propagation zone 19, such that, in projection on the upper surface 20B of the lower layer 16, said second dielectric bar 72 is away from the lateral edges 36 of the cavity 32.
  • the propagation zone 19 is delimited by part of the electrically conductive lower sublayer 24A of the upper layer 14, part of the electrically conductive upper sublayer 22A of the upper layer 14 and the boundaries upper laterals 78 joining said parts.
  • the propagation zone 19 is also delimited laterally by the two central lateral borders 30 each provided in the central layer 18 and spaced from one another.
  • the propagation zone 19 is delimited by the part of the electrically conductive lower sublayer 24B of the lower layer 16 extending below the second dielectric bar 72, by a part of the electrically conductive upper sublayer 22B of the lower layer 16, and by the lower lateral borders 82, the lower lateral borders 82 joining said parts.
  • the lower lateral boundaries 82 of the propagation zone 19 are capable of preventing the passage of an electromagnetic wave having a wavelength greater than or equal to the predetermined minimum wavelength.
  • the lower lateral borders 82 are each arranged in the lower layer 16.
  • the lower lateral boundaries 82 extend parallel to the propagation axis X-X and are here parallel to each other.
  • the lower side borders 82 are spaced apart from each other.
  • the second dielectric bar 72 is thus here centered on the median plane of the side edges 36.
  • a cross section of the propagation zone 19 has substantially a cross shape.
  • the lower lateral borders 82 extend for example here respectively in the extension of the upper lateral borders 78.
  • the lower side borders 82 are arranged apart from and between the side edges 36.
  • Each lower lateral boundary 82 electrically connects the upper sub-layer 22B of the lower layer 16 and the lower sub-layer 24B of the lower layer 16 between them.
  • the lower side boundaries 82, the upper side boundaries 78 and the central side boundaries 30 electrically connect the lower sub-layer 24B of the lower layer 16 to the upper sub-layer 22A of the upper layer 14 respectively on either side of the cavity 32.
  • each lower lateral boundary 82 comprises a row of electrically conductive vias 34, arranged through the lower layer 16. More precisely, each via 34 extends in the direction ZZ, crossing the lower layer 16.
  • Each via 34 electrically connects the upper sublayer 22B of the lower layer 16 and the lower sublayer 24B of the lower layer 16 between them.
  • the spacing between two successive vias 34 of a lower lateral boundary 82 is less than the predetermined minimum wavelength, in particular less than one tenth of the predetermined minimum wavelength, preferably less than one twentieth of the length d predetermined minimum wave.
  • the tenth method differs from the ninth method in that the step of producing the dielectric bar 28 described corresponds to the production of the first dielectric bar 28.
  • the step of providing the lower layer 16 comprises the production of the second dielectric bar 72.
  • the provision of the lower layer 16 comprises the provision of a lower initial layer, the lower initial layer being intended to form the lower layer 16.
  • the lower initial layer thus comprises at least one initial dielectric sub-layer, intended to form the central sub-layer 26B of the lower layer 16, an upper electrically conductive sub-layer, intended to form the upper sub-layer 22B of the layer lower sub-layer 16, and an electrically conductive lower sub-layer, intended to form the lower sub-layer 24B of the lower layer 16.
  • the production of the second dielectric bar 72 comprises the implementation of the lower lateral boundaries 82 and the removal of at least a part, advantageously the entirety, of the electrically conductive upper sub-layer of the lower initial layer extending between the two lower lateral borders 82.
  • the part of the central dielectric sub-layer of the lower initial layer delimited between the lower lateral boundaries 82 forms said second dielectric bar 72.
  • the lower initial layer forms the lower layer 16.
  • the core layer 18 is attached to the bottom layer 16 and the top layer 14 is attached to the core layer 18 to form the tenth component 10J.
  • the propagation zone 19 comprises a second dielectric bar 72 delimited in the lower layer 16, the second dielectric bar 72 being spaced from the first dielectric bar 28.
  • the second dielectric bar 72 is not centered on the median plane of the side edges 36.
  • the second dielectric bar 72 is laterally offset relative to the median plane of the side edges 36.
  • the lower lateral borders 82 are then devoid of symmetry with respect to the median plane of the lateral edges 36.
  • the eleventh component 10K differs from the ninth component 10l in that said dielectric bar 28 is a first dielectric bar 28.
  • the waveguide 12 further comprises a second dielectric bar 72 disposed in the propagation zone 19 and delimited in the upper layer 14, away from the first dielectric bar 28.
  • the second dielectric bar 72 is thus formed in the upper layer 14, in particular away from the first dielectric bar 28.
  • the first dielectric bar 28 and the second dielectric bar 72 are each formed in the central sub-layer 26A of the upper layer 14 and are respectively delimited by a part of the electrically conductive upper sub-layer 22A of the upper layer 14 and, laterally between an inner upper lateral border 86 and an outer upper lateral border 88.
  • the first dielectric bar 28 and the second dielectric bar 72 each open at least partially onto the cavity 32.
  • the first dielectric bar 28 and the second dielectric bar 72 each have a surface 90A, 90B delimiting the cavity 32.
  • the upper layer 14 is devoid of lower sublayer 24A, in at least a part of the upper layer 14.
  • an interior upper lateral border and an adjacent outer upper lateral border it is understood that no inner upper lateral border 86 is interposed between said borders.
  • the propagation zone 19 is delimited by the electrically conductive upper sublayer 22B of the lower layer 16 and the two central lateral boundaries 30 each provided in the central layer 18 and spaced apart from one another. other.
  • the propagation zone 19 is delimited by the part of the upper sublayer 22A of the upper layer 14 extending above the first dielectric bar 28 and the second dielectric bar 72, by a part of the electrically conductive lower sub-layer 24A of the upper layer 14, and by the upper inner lateral borders 86 and by the upper outer lateral borders 88, the upper inner 86 and outer lateral borders 88 joining said parts.
  • the upper inner 86 and outer 88 lateral boundaries are capable of preventing the passage of an electromagnetic wave having a wavelength greater than or equal to the predetermined minimum wavelength.
  • the upper inner 86 and outer 88 side borders are each arranged in the upper layer 14.
  • the upper inner 86 and outer 88 lateral boundaries extend parallel to the propagation axis X-X and are here parallel to each other.
  • the upper inner 86 and outer 88 side borders are spaced from each other.
  • the upper inner 86 and outer 88 side boundaries respectively electrically connect the lower sub-layer 24A of the upper layer 14 and the upper sub-layer 22A of the upper layer 14 to each other.
  • the upper outer lateral borders 88 and the central lateral borders 30 electrically connect the upper sub-layer 22B of the lower layer 16 to the upper sub-layer 22A of the upper layer 14, respectively on either side of the cavity 32.
  • the upper outer lateral borders 88 are respectively arranged in the extension of the central lateral borders 30. Alternatively, they are laterally offset relative to the central lateral borders 30.
  • the upper outer lateral borders 88 are here symmetrical to each other with respect to the median plane of the lateral edges 36.
  • the inner upper side borders 86 are arranged between the outer upper side borders 88.
  • the upper interior lateral borders 86 are here symmetrical to each other with respect to the median plane of the lateral edges 36.
  • the first dielectric bar 28 and the second dielectric bar 72 are each laterally offset relative to the median plane of the lateral edges 36.
  • the upper inner side borders 86 are arranged apart from and between the side edges 36.
  • the lower sublayer 24A of the upper layer 14 electrically connects the inner upper side boundaries 86 together.
  • the lower sub-layer 24A of the upper layer 14 is continuous.
  • continuous we mean that the lower sub-layer 24A of the upper layer 14 does not have a through opening.
  • each of the upper inner 86 and outer 88 lateral boundaries comprises a row of electrically conductive vias 34, arranged through the upper layer 14. More precisely, each via extends in the direction ZZ, crossing the upper layer 14.
  • Each via electrically connects the lower sublayer 24A of the upper layer 14 and the upper sublayer 22A of the upper layer 14 between them.
  • the spacing between two successive vias 34 of an interior upper lateral boundary 86 or exterior 88 is less than the predetermined minimum wavelength, in particular less than one tenth of the predetermined minimum wavelength, preferably less than one twentieth of the predetermined minimum wavelength.
  • the eleventh method differs from the ninth method in that the step of providing the upper layer 14 includes the production of the first dielectric bar 28 and the production of the second dielectric bar 72.
  • the production step comprises implementing the upper inner 86 and outer 88 lateral boundaries in the upper layer 14, and removing at least a portion of the electrically conductive lower sublayer of the upper initial layer extending between the upper inner 86 and outer 88 side borders adjacent to each other.
  • a twelfth component 10L according to the invention will now be described with regard to the Figure 17 .
  • the twelfth component 10L differs from the eleventh component 10K in that the waveguide 12 further comprises another dielectric bar 28, said other dielectric bar 28 being disposed in the cavity 32, away from the lateral edges 36 of the cavity 32.
  • Said other dielectric bar 28 is similar to the dielectric bar of the first component 10A.
  • the twelfth component 10L makes it possible to broaden the single-mode band and also obtain interesting propagation characteristics for the radio frequency application domain.
  • the twelfth method differs from the eleventh method in that it also includes a step of producing the other dielectric bar 28.
  • This step of producing the other dielectric bar 28 is substantially similar to the step of producing the dielectric bar of the first method.

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
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Description

La présente invention concerne un composant micro-onde comportant un guide d'onde comprenant au moins une couche supérieure présentant au moins une surface électriquement conductrice, une couche inférieure présentant au moins une surface électriquement conductrice, et une couche centrale interposée entre la couche supérieure et la couche inférieure, lesdites couches définissant une zone de propagation d'une onde électromagnétique, la zone de propagation s'étendant le long d'un axe de propagation, et comprenant une cavité, la cavité étant délimitée par la couche supérieure, par la couche inférieure, et, latéralement, par deux bords latéraux opposés de la couche centrale.The present invention relates to a microwave component comprising a waveguide comprising at least one upper layer having at least one electrically conductive surface, a lower layer having at least one electrically conductive surface, and a central layer interposed between the upper layer and the lower layer, said layers defining a propagation zone of an electromagnetic wave, the propagation zone extending along an axis of propagation, and comprising a cavity, the cavity being delimited by the upper layer, by the layer lower, and, laterally, by two opposite side edges of the central layer.

Des exemples de composant micro-onde sont décrits dans les documents US 2002/093403 et US 2004/041663 , dans l'article intitulé Broadband phase shifter using air holes in Substrate Integrated Waveguide de Boudreau et al, daté du 5 juin 2011 (XP032006818 ), dans l'article intitulé Double Dielectric Slab-Loaded Air-Filled SIW Phase Shifters for High-Performance Millimeter-Wave Integration de Parment et al, daté du 1er septembre 2016 (XP011621511 ), dans l'article intitulé Approximation Technique for Dielectric Loaded Waveguides de Hord et al, daté du 1er avril 1968 (XP055493538 ) et dans l'article intitulé Substrate integrated slab waveguide (SISW) for wideband microwave applications de Deslandes et al, daté du 8 juin 2003 (XP032412823 ).Examples of microwave components are described in the documents US 2002/093403 And US 2004/041663 , in the article entitled Broadband phase shifter using air holes in Substrate Integrated Waveguide by Boudreau et al, dated June 5, 2011 (XP032006818 ), in the article entitled Double Dielectric Slab-Loaded Air-Filled SIW Phase Shifters for High-Performance Millimeter-Wave Integration by Parment et al, dated September 1, 2016 (XP011621511 ), in the article entitled Approximation Technique for Dielectric Loaded Waveguides by Hord et al, dated April 1, 1968 (XP055493538 ) and in the article entitled Substrate integrated slab waveguide (SISW) for wideband microwave applications by Deslandes et al, dated June 8, 2003 (XP032412823 ).

Un autre exemple de composant micro-onde est décrit dans le document US 5 528 208 .Another example of a microwave component is described in the document US 5,528,208 .

A l'heure actuelle, une problématique importante de l'industrie des télécoms, notamment pour les stations de base 5G, de l'industrie des radars millimétriques pour drones, des voitures autonomes et plus généralement de tout type de robot, est de réduire les pertes dans les systèmes de façon drastique, à l'heure où l'économie d'énergie est essentielle pour les applications de demain. Ces niveaux de pertes sont en effet rédhibitoires pour les équipements comme les équipements en amont d'une antenne d'émission et de réception (équipement de type « front-end RF »).Currently, an important problem for the telecoms industry, particularly for 5G base stations, the industry of millimeter radars for drones, autonomous cars and more generally any type of robot, is to reduce the losses in systems drastically, at a time when energy saving is essential for tomorrow's applications. These loss levels are in fact prohibitive for equipment such as equipment upstream of a transmitting and receiving antenna (“front-end RF” type equipment).

Pour réduire les pertes, il est connu de concevoir des structures électroniques passives en ayant recours à la technologie de Guide d'onde Intégré au Substrat creux rempli d'air ou vide (AFSIW ou ESIW en anglais). La structure passive forme alors une ligne de transmission micro-ondes.To reduce losses, it is known to design passive electronic structures using waveguide technology integrated into the hollow substrate filled with air or empty (AFSIW or ESIW in English). The passive structure then forms a microwave transmission line.

Cependant, pour certaines applications, la bande passante offerte par de telles structures n'est pas entièrement satisfaisante.However, for certain applications, the bandwidth offered by such structures is not entirely satisfactory.

Un objet de l'invention est donc de fabriquer et de fournir, à faibles coûts, un composant micro-ondes adapté pour fonctionner dans le domaine des longueurs d'onde millimétriques, le composant présentant une bonne bande passante et étant à faibles pertes.An object of the invention is therefore to manufacture and provide, at low costs, a microwave component adapted to operate in the wavelength range. millimeter, the component having good bandwidth and being low loss.

A cet effet, l'invention a pour objet un composant micro-ondes selon la revendication 1.To this end, the subject of the invention is a microwave component according to claim 1.

Le composant selon l'invention peut être selon l'une quelconque des revendications 2 à 8.The component according to the invention can be according to any one of claims 2 to 8.

Le composant selon l'invention peut comprendre l'une ou plusieurs des caractéristiques suivantes, prise(s) isolément ou suivant toutes combinaisons techniquement possibles :

  • chaque attache diélectrique présente une forme de barre rectiligne et s'étend à partir d'un des bords latéraux ; et
  • le barreau diélectrique est formé dans une sous-couche diélectrique de l'une de la couche supérieure et de la couche inférieure, et est délimité par une partie d'une sous-couche électriquement conductrice de ladite couche et, latéralement entre deux frontières latérales.
The component according to the invention may comprise one or more of the following characteristics, taken in isolation or in any technically possible combination:
  • each dielectric clip has the shape of a rectilinear bar and extends from one of the side edges; And
  • the dielectric bar is formed in a dielectric sublayer of one of the upper layer and the lower layer, and is delimited by part of an electrically conductive sublayer of said layer and laterally between two lateral boundaries.

L'invention a également pour objet un procédé de fabrication d'un composant micro-ondes selon la revendication 9.The invention also relates to a method of manufacturing a microwave component according to claim 9.

Le procédé de fabrication selon l'invention peut être selon l'une quelconque des revendications 10 à 15.The manufacturing process according to the invention can be according to any one of claims 10 to 15.

Le procédé de fabrication selon l'invention peut comprendre l'une ou plusieurs des caractéristiques suivantes, prise(s) isolément ou suivant toutes combinaisons techniquement possibles :

  • le plan médian aux bords latéraux de la cavité forme un plan de symétrie de l'ensemble formé par les attaches diélectriques ;
  • les attaches diélectriques ne s'étendent qu'à partir d'un seul des bords latéraux ;
  • chaque attache diélectrique présente une forme de barre rectiligne et s'étend à partir d'un des bords latéraux ;
  • au moins une partie des moyens d'attache n'est pas retirée lors de l'étape d'assemblage des couches, ladite partie des moyens d'attache formant alors un composant d'attache fonctionnel, les attaches diélectriques non retirées étant configurées pour réaliser une fonction de filtre pour une onde électromagnétique se propageant dans la zone de propagation ;
  • le procédé comprend une étape d'alimentation du composant micro-ondes avec une onde électromagnétique se propageant dans la zone de propagation, l'onde électromagnétique présentant au moins un mode de propagation présentant deux maximums de champs électriques, le ou chaque barreau diélectrique étant localisé dans la cavité au niveau d'un desdits maximums ;
  • le barreau diélectrique est un premier barreau diélectrique, l'étape de réalisation étant une étape de réalisation du premier barreau diélectrique et d'un deuxième barreau diélectrique, l'étape de réalisation du premier barreau diélectrique et du deuxième barreau diélectrique étant mise en oeuvre lors de la découpe de ladite pluralité d'évidements ; ladite pluralité d'évidements découpée délimitant le premier barreau diélectrique, le deuxième barreau diélectrique et des moyens d'attache du premier barreau diélectrique et du deuxième barreau diélectrique ; les moyens d'attache comprenant une pluralité de premières attaches diélectriques reliant le premier barreau diélectrique à l'un des bords latéraux et une pluralité de deuxièmes attaches diélectriques reliant le deuxième barreau diélectrique à l'autre des bords latéraux ;
  • après assemblage, le barreau diélectrique présente une surface délimitant la cavité ;
  • l'étape de fourniture de l'une de la couche supérieure et de la couche inférieure comprend la fourniture d'une couche initiale, la couche initiale étant destinée à former ladite couche et comprenant au moins une sous-couche diélectrique, une sous-couche supérieure électriquement conductrice, et une sous-couche inférieure électriquement conductrice ; la réalisation du barreau diélectrique comprenant l'implémentation de frontières latérales dans ladite couche initiale et la suppression d'au moins une partie d'une des sous-couches électriquement conductrices de la couche initiale s'étendant entre les deux frontières latérales ; et
  • le barreau diélectrique est un premier barreau diélectrique, une étape de fourniture de la couche supérieure ou de la couche inférieure comprenant la réalisation d'un deuxième barreau diélectrique.
The manufacturing process according to the invention may comprise one or more of the following characteristics, taken in isolation or in any technically possible combination:
  • the median plane at the lateral edges of the cavity forms a plane of symmetry of the assembly formed by the dielectric attachments;
  • the dielectric clips only extend from one of the side edges;
  • each dielectric clip has the shape of a rectilinear bar and extends from one of the side edges;
  • at least part of the attachment means is not removed during the step of assembling the layers, said part of the attachment means then forming a functional attachment component, the dielectric attachments not removed being configured to produce a filter function for an electromagnetic wave propagating in the propagation area;
  • the method comprises a step of supplying the microwave component with an electromagnetic wave propagating in the propagation zone, the electromagnetic wave having at least one mode of propagation having two maximum electric fields, the or each dielectric bar being located in the cavity at one of said maximums;
  • the dielectric bar is a first dielectric bar, the production step being a step of producing the first dielectric bar and a second dielectric bar, the step of producing the first dielectric bar and the second dielectric bar being implemented during cutting said plurality of recesses; said plurality of cut-out recesses delimiting the first dielectric bar, the second dielectric bar and means for attaching the first dielectric bar and the second dielectric bar; the attachment means comprising a plurality of first dielectric attachments connecting the first dielectric bar to one of the side edges and a plurality of second dielectric attachments connecting the second dielectric bar to the other of the side edges;
  • after assembly, the dielectric bar has a surface delimiting the cavity;
  • the step of providing one of the upper layer and the lower layer comprises providing an initial layer, the initial layer being intended to form said layer and comprising at least one dielectric sublayer, a sublayer upper electrically conductive, and a lower electrically conductive sub-layer; the production of the dielectric bar comprising the implementation of lateral boundaries in said initial layer and the removal of at least part of one of the electrically conductive sublayers of the initial layer extending between the two lateral boundaries; And
  • the dielectric bar is a first dielectric bar, a step of providing the upper layer or the lower layer comprising the production of a second dielectric bar.

L'invention sera mieux comprise à la lecture de la description qui va suivre, donnée uniquement à titre d'exemple, et faite en se référant aux dessins annexés, sur lesquels :

  • la figure 1 est une vue schématique en section de dessus d'un premier composant micro-ondes selon l'invention, ladite section passant par le barreau diélectrique ;
  • la figure 2 est une vue schématique en section transversale du premier composant de la figure 1 ;
  • la figure 3 est une vue schématique en section transversale du premier composant lors du premier procédé de fabrication ;
  • la figure 4 est une vue schématique en section de dessus du premier composant lors d'un premier mode de réalisation d'un procédé de fabrication selon l'invention, ladite section passant par le barreau diélectrique ;
  • la figure 5 est une vue schématique en section de dessus du premier composant lors d'une variante du procédé de fabrication du premier composant selon l'invention, ladite section passant par le barreau diélectrique ;
  • la figure 6 est une vue schématique en section transversale d'un deuxième composant micro-ondes selon l'invention ;
  • la figure 7 est une vue schématique en section de dessus d'un troisième composant micro-ondes selon l'invention, ladite section passant par le barreau diélectrique ;
  • la figure 8 est une vue schématique en section de dessus d'un quatrième composant selon l'invention, ladite section passant par le barreau diélectrique ;
  • la figure 9 est une vue schématique en section de dessus d'un cinquième composant micro-ondes selon l'invention, ladite section passant par le barreau diélectrique ;
  • la figure 10 est une vue schématique en section transversale du cinquième composant de la figure 9 ;
  • les figures 11 à 17 sont respectivement des vues schématiques en section d'un sixième, d'un septième, d'un huitième, d'un neuvième, d'un dixième, d'un onzième et d'un douzième composants selon l'invention.
The invention will be better understood on reading the description which follows, given solely by way of example, and made with reference to the appended drawings, in which:
  • there figure 1 is a schematic top sectional view of a first microwave component according to the invention, said section passing through the dielectric bar;
  • there figure 2 is a schematic cross-sectional view of the first component of the figure 1 ;
  • there Figure 3 is a schematic cross-sectional view of the first component during the first manufacturing process;
  • there figure 4 is a schematic top sectional view of the first component during a first embodiment of a manufacturing method according to the invention, said section passing through the dielectric bar;
  • there figure 5 is a schematic top sectional view of the first component during a variant of the method of manufacturing the first component according to the invention, said section passing through the dielectric bar;
  • there Figure 6 is a schematic cross-sectional view of a second microwave component according to the invention;
  • there Figure 7 is a schematic top sectional view of a third microwave component according to the invention, said section passing through the dielectric bar;
  • there figure 8 is a schematic top sectional view of a fourth component according to the invention, said section passing through the dielectric bar;
  • there Figure 9 is a schematic top sectional view of a fifth microwave component according to the invention, said section passing through the dielectric bar;
  • there Figure 10 is a schematic cross-sectional view of the fifth component of the Figure 9 ;
  • THE figures 11 to 17 are respectively schematic sectional views of a sixth, a seventh, an eighth, a ninth, a tenth, an eleventh and a twelfth components according to the invention.

Un premier composant micro-ondes 10A selon l'invention est illustré sur les figures 1 et 2.A first microwave component 10A according to the invention is illustrated on the figures 1 and 2 .

Le premier composant 10A est par exemple un filtre, notamment un filtre micro-ondes passe-bande, passe-bas, passe-haut ou coupe-bande. En variante, le premier composant micro-ondes 10A est par exemple une ligne de transmission, un multiplexeur, un coupleur, un diviseur, un combineur, une antenne, un oscillateur, un amplificateur, une charge, un circulateur, un résonateur, un décaleur de phase ou encore un isolateur.The first component 10A is for example a filter, in particular a band-pass, low-pass, high-pass or band-stop microwave filter. Alternatively, the first microwave component 10A is for example a transmission line, a multiplexer, a coupler, a divider, a combiner, an antenna, an oscillator, an amplifier, a load, a circulator, a resonator, a shifter phase or even an insulator.

Le premier composant 10A est ici du type « à guide intégré au substrat ».The first component 10A here is of the “guide integrated into the substrate” type.

Le premier composant 10A comporte un guide d'onde 12 propre à guider une onde électromagnétique le long d'un axe de propagation X-X, l'onde électromagnétique présentant notamment une longueur d'onde supérieure ou égale à une longueur d'onde minimale prédéterminée.The first component 10A comprises a waveguide 12 capable of guiding an electromagnetic wave along a propagation axis X-X, the electromagnetic wave having in particular a wavelength greater than or equal to a predetermined minimum wavelength.

Le guide d'onde 12 comprend une couche supérieure 14, une couche inférieure 16, et une couche centrale 18 interposée entre la couche supérieure 14 et la couche inférieure 16, lesdites couches 14, 16, 18 définissant une zone de propagation 19 de l'onde électromagnétique, la zone de propagation 19 s'étendant le long de l'axe de propagation X-X.The waveguide 12 comprises an upper layer 14, a lower layer 16, and a central layer 18 interposed between the upper layer 14 and the lower layer 16, said layers 14, 16, 18 defining a propagation zone 19 of the electromagnetic wave, the propagation zone 19 extending along the propagation axis XX.

Le guide d'onde 12 comprend en outre au moins un barreau diélectrique 28 disposé dans la zone de propagation 19.The waveguide 12 further comprises at least one dielectric bar 28 disposed in the propagation zone 19.

Par la suite, par « élément diélectrique », on entend que ledit élément présente une permittivité diélectrique relative supérieure ou égale à 1.Subsequently, by “dielectric element”, it is meant that said element has a relative dielectric permittivity greater than or equal to 1.

Le matériau diélectrique peut avoir des propriétés absorbantes, c'est-à-dire un coefficient de tangente de perte supérieur à 0.004, pour réaliser une fonction d'atténuateur.The dielectric material may have absorbing properties, that is to say a loss tangent coefficient greater than 0.004, to perform an attenuator function.

Chacune des couches supérieures 14, inférieures 16 et centrales 18 s'étend parallèlement à un plan XY, défini par l'axe de propagation X-X et par un axe transverse Y-Y orthogonal à l'axe de propagation X-X.Each of the upper 14, lower 16 and central 18 layers extends parallel to an XY plane, defined by the propagation axis X-X and by a transverse axis Y-Y orthogonal to the propagation axis X-X.

Chacune des couches supérieure 14, inférieure 16 et centrale 18 présente une surface supérieure 20A, 20B, 20C et une surface inférieure 21A, 21B, 21C.Each of the upper 14, lower 16 and central 18 layers has an upper surface 20A, 20B, 20C and a lower surface 21A, 21B, 21C.

Dans le premier composant 10A, chacune desdites surfaces supérieures 20A, 20B, 20C et chacune desdites surfaces inférieures 21A, 21B, 21C sont électriquement conductrices.In the first component 10A, each of said upper surfaces 20A, 20B, 20C and each of said lower surfaces 21A, 21B, 21C are electrically conductive.

Par la suite, par « élément électriquement conducteur », on entend que ledit élément présente une conductivité électrique supérieure à 1*106 S.m-1, de préférence équivalente à celle d'un métal de type cuivre, argent, aluminium ou or.Subsequently, by “electrically conductive element”, it is meant that said element has an electrical conductivity greater than 1*10 6 Sm -1 , preferably equivalent to that of a metal of the copper, silver, aluminum or gold type.

La couche inférieure 16 et la couche supérieure 14 sont disposées à distance l'une de l'autre, de part et d'autre de la couche centrale 18, au contact de la couche centrale 18.The lower layer 16 and the upper layer 14 are arranged at a distance from each other, on either side of the central layer 18, in contact with the central layer 18.

En particulier, la surface inférieure 21A de la couche supérieure 14 est au contact de la surface supérieure 20C de la couche centrale 18. De même, la surface inférieure 21C de la couche centrale 18 est au contact de la surface supérieure 20B de la couche inférieure 16.In particular, the lower surface 21A of the upper layer 14 is in contact with the upper surface 20C of the central layer 18. Likewise, the lower surface 21C of the central layer 18 is in contact with the upper surface 20B of the lower layer. 16.

Ainsi, la couche supérieure 14, la couche inférieure 16 et la couche centrale 18 forment un empilement.Thus, the upper layer 14, the lower layer 16 and the central layer 18 form a stack.

La surface inférieure 21A de la couche supérieure 14 est électriquement reliée à la surface supérieure 20C de la couche centrale 18. De même, la surface inférieure 21C de la couche centrale 18 est électriquement reliée à la surface supérieure 20B de la couche inférieure 16.The lower surface 21A of the upper layer 14 is electrically connected to the upper surface 20C of the central layer 18. Likewise, the lower surface 21C of the central layer 18 is electrically connected to the upper surface 20B of the lower layer 16.

Dans la suite de la description, on appellera « direction transverse » Y-Y une direction parallèle à l'axe transverse Y-Y.In the remainder of the description, we will call “transverse direction” YY a direction parallel to the transverse axis YY.

Une direction transverse est donc une direction orthogonale à l'axe de propagation X-X et parallèle à la surface inférieure 21A de la couche supérieure 14.A transverse direction is therefore a direction orthogonal to the propagation axis X-X and parallel to the lower surface 21A of the upper layer 14.

Dans un mode de réalisation préféré, chacune des couches supérieure 14, inférieure 16 et centrale 18 forme un substrat.In a preferred embodiment, each of the upper 14, lower 16 and central 18 layers forms a substrate.

Chacune des couches supérieure 14, inférieure 16 et centrale 18 comprend ainsi une sous-couche supérieure 22A, 22B, 22C électriquement conductrice, une sous-couche inférieure 24A, 24B, 24C électriquement conductrice et une sous-couche centrale 26A, 26B, 26C diélectrique, présentant une première constante diélectrique, interposée entre la sous-couche supérieure 22A, 22B, 22C et la sous-couche inférieure 24A, 24B, 24C.Each of the upper 14, lower 16 and central 18 layers thus comprises an electrically conductive upper sub-layer 22A, 22B, 22C, an electrically conductive lower sub-layer 24A, 24B, 24C and a dielectric central sub-layer 26A, 26B, 26C , presenting a first dielectric constant, interposed between the upper sub-layer 22A, 22B, 22C and the lower sub-layer 24A, 24B, 24C.

De plus, la sous-couche inférieure 24A de la couche supérieure 14 est électriquement reliée à la sous-couche supérieure 22C de la couche centrale 18. De même, la sous-couche inférieure 24C de la couche centrale 18 est électriquement reliée à la sous-couche supérieure 22B de la couche inférieure 16.In addition, the lower sub-layer 24A of the upper layer 14 is electrically connected to the upper sub-layer 22C of the central layer 18. Likewise, the lower sub-layer 24C of the central layer 18 is electrically connected to the sub-layer -upper layer 22B of the lower layer 16.

Les sous-couches supérieures 22A, 22B, 22C et les sous-couches inférieures 24A, 24B, 24C sont par exemple réalisées en cuivre.The upper sub-layers 22A, 22B, 22C and the lower sub-layers 24A, 24B, 24C are for example made of copper.

Les sous-couches centrales 26A, 26B, 26C sont par exemple réalisées en résine époxyde ou en téflon.The central sublayers 26A, 26B, 26C are for example made of epoxy resin or Teflon.

La zone de propagation 19 correspond à une zone dans laquelle est confinée l'onde électromagnétique lors de sa propagation dans le guide d'onde 12.The propagation zone 19 corresponds to a zone in which the electromagnetic wave is confined during its propagation in the waveguide 12.

Dans le premier composant 10A des figures 1 et 2, la zone de propagation 19 est délimitée par la sous-couche inférieure 24A électriquement conductrice de la couche supérieure 14, la sous-couche supérieure 22B électriquement conductrice de la couche inférieure 16 et deux frontières latérales centrales 30 aménagées chacune dans la couche centrale 18 et espacées l'une de l'autre.In the first component 10A of figures 1 and 2 , the propagation zone 19 is delimited by the electrically conductive lower sublayer 24A of the upper layer 14, the electrically conductive upper sublayer 22B of the lower layer 16 and two central lateral boundaries 30 each provided in the central layer 18 and spaced from one another.

En outre, la zone de propagation 19 comprend une cavité 32 délimitée par la couche supérieure 14, par la couche inférieure 16, et, latéralement, par la couche centrale 18.In addition, the propagation zone 19 comprises a cavity 32 delimited by the upper layer 14, by the lower layer 16, and, laterally, by the central layer 18.

Les frontières latérales centrales 30 de la zone de propagation 19 sont propres à empêcher le passage d'une onde électromagnétique présentant une longueur d'onde supérieure ou égale à la longueur d'onde minimale prédéterminée.The central lateral boundaries 30 of the propagation zone 19 are capable of preventing the passage of an electromagnetic wave having a wavelength greater than or equal to the predetermined minimum wavelength.

Chaque frontière latérale centrale 30 connecte électriquement la sous-couche inférieure 24A de la couche supérieure 14 et la sous-couche supérieure 22B de la couche supérieure 14 entre elles.Each central lateral boundary 30 electrically connects the lower sub-layer 24A of the upper layer 14 and the upper sub-layer 22B of the upper layer 14 between them.

Les frontières latérales centrales 30 s'étendent parallèlement à l'axe de propagation X-X et sont ici parallèles l'une par rapport à l'autre.The central lateral borders 30 extend parallel to the propagation axis XX and are here parallel to each other.

Elles s'étendent notamment selon la direction Z-Z orthogonale à l'axe de propagation X-X et à l'axe transverse Y-Y.They extend in particular in the direction Z-Z orthogonal to the propagation axis X-X and to the transverse axis Y-Y.

Par la suite, les termes « au-dessus » et « en-dessous » seront compris vis-à-vis de la direction Z-Z.Subsequently, the terms “above” and “below” will be understood with respect to the Z-Z direction.

Les frontières latérales centrales 30 s'étendent notamment sur toute l'épaisseur de la couche centrale 18.The central lateral borders 30 extend in particular over the entire thickness of the central layer 18.

Elles sont en particulier disposées latéralement de part et d'autre de la cavité 32, par exemple ici à l'extérieur de la cavité 32.They are in particular arranged laterally on either side of the cavity 32, for example here outside the cavity 32.

Dans le mode de réalisation des figures 1 et 2, chaque frontière latérale centrale 30 comprend une rangée de vias 34 électriquement conducteurs, aménagés au moins à travers la couche centrale 18. Par « via », on entend un trou, aménagé au moins à travers la couche centrale 18, présentant des parois recouvertes d'un revêtement électriquement conducteur, par exemple métallisé.In the embodiment of figures 1 and 2 , each central lateral border 30 comprises a row of electrically conductive vias 34, arranged at least through the central layer 18. By “via”, we mean a hole, arranged at least through the central layer 18, having walls covered with 'an electrically conductive coating, for example metallized.

Plus précisément, chaque via 34 s'étend selon la direction Z-Z orthogonale à l'axe de propagation X-X et à l'axe transverse Y-Y, en traversant au moins la couche centrale 18.More precisely, each via 34 extends in the direction Z-Z orthogonal to the propagation axis X-X and to the transverse axis Y-Y, crossing at least the central layer 18.

Chaque via 34 connecte électriquement la sous-couche inférieure 24A de la couche supérieure 14 et la sous-couche supérieure 22B de la couche supérieure 14 entre elles.Each via 34 electrically connects the lower sublayer 24A of the upper layer 14 and the upper sublayer 22B of the upper layer 14 between them.

L'écartement entre deux vias 34 successifs d'une frontière latérale centrale 30 est inférieur à la longueur d'onde minimale prédéterminée, notamment inférieur à un dixième de la longueur d'onde minimale prédéterminée, de préférence inférieur à un vingtième de la longueur d'onde minimale prédéterminée.The spacing between two successive vias 34 of a central lateral boundary 30 is less than the predetermined minimum wavelength, in particular less than one tenth of the predetermined minimum wavelength, preferably less than one twentieth of the length d predetermined minimum wave.

Dans l'exemple illustré sur les figures 1 et 2, la cavité 32 est délimitée par la surface inférieure 21A de la couche supérieure 14, la surface supérieure 20B de la couche inférieure 16 et des bords latéraux 36 de la couche centrale 18.In the example illustrated on the figures 1 and 2 , the cavity 32 is delimited by the lower surface 21A of the upper layer 14, the upper surface 20B of the lower layer 16 and the side edges 36 of the central layer 18.

La cavité 32 est remplie d'un fluide 38 présentant une deuxième constante diélectrique par exemple inférieure à la première constante diélectrique.The cavity 32 is filled with a fluid 38 having a second dielectric constant, for example lower than the first dielectric constant.

Le fluide 38 est par exemple de l'air. En variante, dans le cas où la cavité 32 définit un volume fermé étanche, elle est remplie d'air, d'azote ou est vide de fluide.The fluid 38 is for example air. Alternatively, in the case where the cavity 32 defines a sealed closed volume, it is filled with air, nitrogen or is empty of fluid.

Comme illustré sur la figure 1, les bords latéraux 36 de la couche centrale 18 s'étendent parallèlement à l'axe de propagation X-X.As illustrated on the figure 1 , the lateral edges 36 of the central layer 18 extend parallel to the axis of propagation XX.

Les bords latéraux 36 de la couche centrale 18 s'étendent notamment orthogonalement et à l'axe transverse Y-Y.The lateral edges 36 of the central layer 18 extend in particular orthogonally and to the transverse axis Y-Y.

Les bords latéraux 36 de la couche centrale 18 longent les frontières latérales centrales 30. Par « longer », on entend que les bords latéraux 36 sont en contact avec lesdites frontières latérales centrales 30 ou disposés à une distance, par exemple constante, desdites frontières latérales centrales 30, cette distance étant de préférence inférieure à 100 µm.The side edges 36 of the central layer 18 run along the central side boundaries 30. By “along” we mean that the side edges 36 are in contact with said central lateral borders 30 or arranged at a distance, for example constant, from said central lateral borders 30, this distance preferably being less than 100 µm.

Dans le premier composant 10A illustré sur les figures 1 et 2, le barreau diélectrique 28 est disposé dans la cavité 32, à l'écart des bords latéraux 36 de la cavité 32.In the first component 10A illustrated on the figures 1 and 2 , the dielectric bar 28 is placed in the cavity 32, away from the lateral edges 36 of the cavity 32.

En particulier, le barreau diélectrique 28 est disposé dans la zone de propagation 19 tel que, en projection sur la surface supérieure 20B de la couche inférieure 16, ledit barreau diélectrique 28 est à l'écart des bords latéraux 36 de la cavité 32.In particular, the dielectric bar 28 is arranged in the propagation zone 19 such that, in projection on the upper surface 20B of the lower layer 16, said dielectric bar 28 is away from the lateral edges 36 of the cavity 32.

Le barreau diélectrique 28 est disposé entre les bords latéraux 36 de la cavité 32.The dielectric bar 28 is arranged between the lateral edges 36 of the cavity 32.

Le barreau diélectrique 28 présente ici une forme allongée et s'étend suivant une direction longitudinale parallèle à l'axe de propagation. En outre, le barreau diélectrique 28 s'étend ici orthogonalement à l'axe transverse Y-Y.The dielectric bar 28 here has an elongated shape and extends in a longitudinal direction parallel to the axis of propagation. In addition, the dielectric bar 28 extends here orthogonal to the transverse axis Y-Y.

Dans l'exemple illustré sur la figure 1, le barreau diélectrique 28 présente une largeur comprise notamment entre 1 % et 90% de la largeur de la cavité 32.In the example illustrated on the figure 1 , the dielectric bar 28 has a width comprised in particular between 1% and 90% of the width of the cavity 32.

Par « largeur d'un élément », on entend la distance bord à bord de l'élément, prise suivant l'axe transverse Y-Y.By “width of an element”, we mean the edge-to-edge distance of the element, taken along the transverse axis Y-Y.

La largeur du barreau diélectrique 28 est par exemple constante le long de l'axe de propagation X-X, comme illustré sur la figure 1.The width of the dielectric bar 28 is for example constant along the propagation axis XX, as illustrated in the figure 1 .

Le barreau diélectrique 28 est ici centré sur un plan médian des deux bords latéraux 36.The dielectric bar 28 is here centered on a median plane of the two side edges 36.

Le barreau diélectrique 28 présente dans cet exemple une épaisseur inférieure à la hauteur de la cavité 32. Par « épaisseur d'un élément » ou « hauteur d'un élément », on entend la distance bord à bord de l'élément, prise selon la direction Z-Z orthogonale à l'axe de propagation X-X et à l'axe transverse Y-Y.The dielectric bar 28 has in this example a thickness less than the height of the cavity 32. By “thickness of an element” or “height of an element”, we mean the edge-to-edge distance of the element, taken according to the Z-Z direction orthogonal to the propagation axis X-X and to the transverse axis Y-Y.

Il est ici disposé à l'écart de la surface inférieure 21A de la couche supérieure 14 et de la surface supérieure 20B de la couche inférieure 16.It is here placed away from the lower surface 21A of the upper layer 14 and the upper surface 20B of the lower layer 16.

Le barreau diélectrique 28 est fixé à la surface supérieure 20B de la couche inférieure 16 par l'intermédiaire d'une sous-couche inférieure de contact 40. Plus précisément, il est fixé à la sous-couche inférieure de contact 40, la sous-couche inférieure de contact 40 étant fixée à la surface supérieure 20B de la couche inférieure 16. La sous-couche inférieure de contact 40 est électriquement conductrice.The dielectric bar 28 is fixed to the upper surface 20B of the lower layer 16 via a lower contact sub-layer 40. More precisely, it is fixed to the lower contact sub-layer 40, the sub-layer 40. lower contact layer 40 being fixed to the upper surface 20B of the lower layer 16. The lower contact sublayer 40 is electrically conductive.

Le barreau diélectrique 28 est en outre fixé à la surface inférieure 21A de la couche supérieure 14 par l'intermédiaire d'une sous-couche supérieure de contact 42. Plus précisément, il est fixé à la sous-couche supérieure de contact 42, la sous-couche supérieure de contact 42 étant fixée à la surface inférieure 21A de la couche supérieure 14. La sous-couche supérieure de contact 42 est électriquement conductrice.The dielectric bar 28 is further fixed to the lower surface 21A of the upper layer 14 via an upper contact sub-layer 42. More precisely, it is fixed to the upper contact sub-layer 42, the undercoat upper contact layer 42 being fixed to the lower surface 21A of the upper layer 14. The upper contact sublayer 42 is electrically conductive.

Un premier procédé de fabrication relatif à la fabrication du premier composant 10A selon l'invention va maintenant être décrit, en référence aux figures 3 et 4.A first manufacturing process relating to the manufacturing of the first component 10A according to the invention will now be described, with reference to the figures 3 and 4 .

Le premier procédé comprend la fourniture de la couche supérieure 14 et de la couche inférieure 16.The first method includes providing the upper layer 14 and the lower layer 16.

Il comprend aussi la fourniture de la couche centrale 18, la couche centrale 18 étant fournie en présentant ici une pluralité d'évidements 44, ladite pluralité d'évidements 44 étant destinée à former la cavité 32 du premier composant 10A.It also includes the provision of the central layer 18, the central layer 18 being provided here presenting a plurality of recesses 44, said plurality of recesses 44 being intended to form the cavity 32 of the first component 10A.

La couche supérieure 14, la couche inférieure 16 et la couche centrale 18 sont fournies à l'écart les unes des autres.The upper layer 14, the lower layer 16 and the middle layer 18 are provided spaced apart from each other.

Dans le premier procédé, l'étape de fourniture de la couche centrale 18 comprend la fourniture d'une couche initiale 46, la couche initiale 46 étant destinée à former la couche centrale 18.In the first method, the step of providing the central layer 18 comprises the provision of an initial layer 46, the initial layer 46 being intended to form the central layer 18.

La couche initiale 46 comprend ainsi au moins une sous-couche diélectrique initiale 48, présentant la première constante diélectrique, qui est notamment destinée à former la sous-couche centrale 26C de la couche centrale 18.The initial layer 46 thus comprises at least one initial dielectric sub-layer 48, having the first dielectric constant, which is in particular intended to form the central sub-layer 26C of the central layer 18.

En particulier, la couche initiale 46 comprend aussi une sous-couche supérieure initiale 50 électriquement conductrice destinée à former la sous-couche supérieure 22C de la couche centrale 18, et une sous-couche inférieure initiale 52 électriquement conductrice destinée à former la sous-couche inférieure 24C de la couche centrale 18.In particular, the initial layer 46 also comprises an initial upper electrically conductive sub-layer 50 intended to form the upper sub-layer 22C of the central layer 18, and an initial lower electrically conductive sub-layer 52 intended to form the sub-layer lower 24C of the central layer 18.

La couche initiale 46 est fournie en étant dépourvue d'évidement.The initial layer 46 is provided without a recess.

L'étape de fourniture de la couche centrale 18 comprend alors la découpe, dans la couche initiale 46 de la pluralité d'évidements 44 destinée à former la cavité 32.The step of providing the central layer 18 then comprises cutting, in the initial layer 46, the plurality of recesses 44 intended to form the cavity 32.

La découpe est mise en oeuvre dans toute l'épaisseur de la couche initiale 46.The cutting is carried out throughout the thickness of the initial layer 46.

Avant ou après ladite étape de découpe, le premier procédé comprend une étape d'implémentation des frontières latérales centrales 30.Before or after said cutting step, the first method comprises a step of implementing the central lateral borders 30.

Par exemple, l'implémentation des frontières latérales centrales 30 comprend la réalisation desdites rangée de vias 34.For example, the implementation of the central lateral boundaries 30 includes the production of said row of vias 34.

Dans le premier procédé, l'étape de fourniture de la couche centrale 18 comprend en outre la réalisation du barreau diélectrique 28.In the first method, the step of providing the central layer 18 further comprises the production of the dielectric bar 28.

La réalisation du barreau diélectrique 28 est ici mise en oeuvre lors de la découpe de ladite pluralité d'évidements 44. Ladite pluralité d'évidements 44 est alors destinée à délimiter la cavité 32, le barreau diélectrique 28 et des moyens d'attache 54 du barreau diélectrique 28.The production of the dielectric bar 28 is implemented here during the cutting of said plurality of recesses 44. Said plurality of recesses 44 is then intended to delimit the cavity 32, the dielectric bar 28 and attachment means 54 of the dielectric bar 28.

Lors de la découpe, le barreau diélectrique 28 est plus précisément formé par une partie de la sous-couche diélectrique initiale 48 de la couche initiale 46.During cutting, the dielectric bar 28 is more precisely formed by part of the initial dielectric sub-layer 48 of the initial layer 46.

Le barreau diélectrique 28 est ainsi disposé dans la couche initiale 46. Au droit du barreau diélectrique 28, les sous-couches supérieure et inférieure initiales 50, 52 électriquement conductrices de la couche initiale 46 respectivement au-dessus et en-dessous du barreau diélectrique 28 forment respectivement la sous-couche supérieure de contact 42 et la sous-couche inférieure de contact 40 du premier composant 10A.The dielectric bar 28 is thus arranged in the initial layer 46. To the right of the dielectric bar 28, the upper and lower initial electrically conductive sub-layers 50, 52 of the initial layer 46 respectively above and below the dielectric bar 28 respectively form the upper contact sub-layer 42 and the lower contact sub-layer 40 of the first component 10A.

Comme illustré sur la figure 4, les moyens d'attache 54 comprennent une pluralité d'attaches diélectriques 56 reliant le barreau diélectrique 28 à au moins un des bords latéraux 36 de la cavité 32.As illustrated on the Figure 4 , the attachment means 54 comprise a plurality of dielectric attachments 56 connecting the dielectric bar 28 to at least one of the lateral edges 36 of the cavity 32.

Ainsi, le barreau diélectrique 28, les attaches diélectriques 56 et les bords latéraux 36 de la cavité 32 sont venus de matière.Thus, the dielectric bar 28, the dielectric fasteners 56 and the lateral edges 36 of the cavity 32 are made from material.

Comme illustré sur la figure 4, chaque attache diélectrique 56 présente une forme de barre rectiligne, et s'étend ici perpendiculairement à partir d'un des bords latéraux 36.As illustrated on the figure 4 , each dielectric fastener 56 has the shape of a rectilinear bar, and here extends perpendicularly from one of the side edges 36.

Dans l'exemple illustré sur la figure 4, au moins une attache diélectrique 56 s'étend à partir de chacun des bords latéraux 36.In the example illustrated on the Figure 4 , at least one dielectric clip 56 extends from each of the side edges 36.

Les attaches diélectriques 56 sont écartées les unes des autres.The dielectric clips 56 are spaced apart from each other.

Dans le premier procédé, comme illustré sur la figure 4, l'écartement séparant deux attaches diélectriques 56 adjacentes est égal pour toutes les attaches diélectriques 56.In the first process, as illustrated in the Figure 4 , the spacing separating two adjacent dielectric clips 56 is equal for all the dielectric clips 56.

En projection sur l'axe de propagation X-X, chaque attache diélectrique 56 s'étend d'un des bords latéraux 36 est disposée sensiblement au milieu de deux attaches diélectriques 56 adjacentes s'étendant du bord latéral opposé 36.In projection on the propagation axis

La réalisation du barreau diélectrique 28 comprend par exemple la suppression des sous-couches supérieure et inférieure initiales 50, 52 électriquement conductrices au droit des attaches diélectriques 56, notamment au-dessus et en-dessous des attaches diélectriques 56.The production of the dielectric bar 28 includes for example the removal of the initial upper and lower electrically conductive sub-layers 50, 52 in line with the dielectric fasteners 56, in particular above and below the dielectric fasteners 56.

Les attaches diélectriques 56 présentent dans cet exemple une épaisseur inférieure à la hauteur de la cavité 32.The dielectric fasteners 56 have in this example a thickness less than the height of the cavity 32.

A l'issue de l'étape de réalisation du barreau diélectrique 28 et de l'étape de découpe, la couche initiale 46 forme la couche centrale 18.At the end of the step of producing the dielectric bar 28 and the cutting step, the initial layer 46 forms the central layer 18.

A l'issue de l'étape de réalisation, le barreau diélectrique 28 est disposé entre un plan défini par la surface supérieure 20C de la couche centrale 18 et un plan défini par une surface inférieure 21C de la couche centrale 18.At the end of the production step, the dielectric bar 28 is placed between a plane defined by the upper surface 20C of the central layer 18 and a plane defined by a lower surface 21C of the central layer 18.

Le barreau diélectrique 28 est ainsi destiné à être disposé dans la cavité 32, entre les bords latéraux 36.The dielectric bar 28 is thus intended to be placed in the cavity 32, between the lateral edges 36.

Par la suite, le premier procédé comprend l'assemblage de la couche supérieure 14, de la couche inférieure 16 et de la couche centrale 18, de telle sorte que la couche centrale 18 soit interposée entre la couche supérieure 14 et la couche inférieure 16.Subsequently, the first method comprises assembling the upper layer 14, the lower layer 16 and the central layer 18, such that the central layer 18 is interposed between the upper layer 14 and the lower layer 16.

Pendant tout le procédé de fabrication, les couches 14, 16, 18 sont alignées les unes par rapport aux autres par l'intermédiaire de plots de centrage ou par camera avec des mires.Throughout the manufacturing process, the layers 14, 16, 18 are aligned with each other by means of centering studs or by camera with targets.

Comme illustré sur la figure 3, l'assemblage comprend tout d'abord la fixation de la couche centrale 18 à la couche inférieure 16. Cette fixation est par exemple réalisée par collage.As illustrated on the Figure 3 , the assembly firstly comprises the fixing of the central layer 18 to the lower layer 16. This fixing is for example carried out by gluing.

Lors de cette étape de fixation, le barreau diélectrique 28 est de même fixé à la couche inférieure 16.During this fixing step, the dielectric bar 28 is similarly fixed to the lower layer 16.

Pendant toute la durée de cette fixation, le barreau diélectrique 28 est maintenu en position par rapport à la couche centrale 18 et à la couche inférieure 16 par les attaches diélectriques 56. Le positionnement du barreau diélectrique 28 est donc très précis et choisi lors de l'étape de découpe.Throughout the duration of this fixation, the dielectric bar 28 is held in position relative to the central layer 18 and the lower layer 16 by the dielectric fasteners 56. The positioning of the dielectric bar 28 is therefore very precise and chosen during the cutting step.

Dans le premier procédé, l'assemblage comprend ensuite le retrait des moyens d'attache 54, une fois la couche centrale 18 fixée à la couche inférieure 16, en particulier une fois le barreau diélectrique 28 fixé à la couche inférieure 16.In the first method, the assembly then comprises the removal of the attachment means 54, once the central layer 18 fixed to the lower layer 16, in particular once the dielectric bar 28 fixed to the lower layer 16.

Ce retrait est mis en oeuvre par la découpe des moyens d'attache 54, et en particulier par la découpe des attaches diélectriques 56. L'étape précédente de suppression des sous-couches supérieure et inférieure initiales 50, 52 électriquement conductrices permet de faciliter cette étape de découpe des attaches diélectriques 56.This removal is implemented by cutting the attachment means 54, and in particular by cutting the dielectric attachments 56. The previous step of removing the initial upper and lower electrically conductive sublayers 50, 52 makes it possible to facilitate this step of cutting the dielectric fasteners 56.

Cette découpe est par exemple réalisée par manuellement avec un scalpel, avec une fraiseuse numérique, ou avec un laser.This cutting is for example carried out manually with a scalpel, with a digital milling machine, or with a laser.

Chaque attache diélectrique 56 est de préférence découpée en affleurant le bord latéral 36 à partir duquel elle s'étend.Each dielectric clip 56 is preferably cut flush with the side edge 36 from which it extends.

En outre, chaque attache diélectrique 56 est avantageusement découpée en affleurant le barreau diélectrique 28.In addition, each dielectric clip 56 is advantageously cut flush with the dielectric bar 28.

Par la suite, l'assemblage comprend la fixation de la couche supérieure 14 à la couche centrale 18. Cette fixation est par exemple réalisée par collage.Subsequently, the assembly includes the fixing of the upper layer 14 to the central layer 18. This fixing is for example carried out by gluing.

Lors de cette fixation, la cavité 32 est alors formée par ladite pluralité d'évidements 44 en étant délimitée par la couche supérieure 14, par la couche inférieure 16, et latéralement, par lesdits bords latéraux opposés 36 de la couche centrale 18.During this fixation, the cavity 32 is then formed by said plurality of recesses 44 being delimited by the upper layer 14, by the lower layer 16, and laterally, by said opposite side edges 36 of the central layer 18.

Après assemblage, le premier composant 10A est formé. En particulier, les couches 14, 16, 18 définissent la zone de propagation 19 d'une onde électromagnétique.After assembly, the first component 10A is formed. In particular, layers 14, 16, 18 define the propagation zone 19 of an electromagnetic wave.

La zone de propagation 19 est alors délimitée par la sous-couche inférieure 24A électriquement conductrice de la couche supérieure 14, la sous-couche supérieure 22B électriquement conductrice de la couche inférieure 16 et les frontières latérales centrales 30.The propagation zone 19 is then delimited by the electrically conductive lower sublayer 24A of the upper layer 14, the electrically conductive upper sublayer 22B of the lower layer 16 and the central lateral boundaries 30.

Cette zone de propagation 19 comprend la cavité 32.This propagation zone 19 includes the cavity 32.

Après l'étape d'assemblage, le barreau diélectrique 28 est disposé dans la cavité 32 à l'écart des bords latéraux 36 de la cavité 32.After the assembly step, the dielectric bar 28 is placed in the cavity 32 away from the side edges 36 of the cavity 32.

En particulier, après l'étape d'assemblage, le barreau diélectrique 28, disposé dans la couche centrale 18, est disposé dans la zone de propagation 19, et, en projection sur la surface supérieure 20B de la couche inférieure 16, à l'écart des bords latéraux 36 de la cavité 32.In particular, after the assembly step, the dielectric bar 28, placed in the central layer 18, is placed in the propagation zone 19, and, in projection on the upper surface 20B of the lower layer 16, at the distance from the side edges 36 of the cavity 32.

En utilisation, le premier procédé comprend une étape d'alimentation du premier composant 10A micro-ondes avec une onde électromagnétique se propageant dans la zone de propagation 19. L'onde électromagnétique présente au moins un mode de propagation présentant un maximum de champ électrique.In use, the first method comprises a step of supplying the first microwave component 10A with an electromagnetic wave propagating in the propagation zone 19. The electromagnetic wave presents at least one mode of propagation presenting a maximum electric field.

Le barreau diélectrique 28 est positionné dans la cavité 32 à une position prédéterminée telle que, lors de cette étape d'alimentation du premier composant 10A, la position prédéterminée corresponde au niveau dudit maximum de champ électrique.The dielectric bar 28 is positioned in the cavity 32 at a predetermined position such that, during this step of supplying the first component 10A, the predetermined position corresponds to the level of said maximum electric field.

Plus précisément, lors de l'étape de réalisation du barreau diélectrique 28, les dimensions des attaches diélectriques 56 sont prédéterminées pour que, après assemblage, le barreau diélectrique 28 soit localisé dans la cavité 32 à la position prédéterminée.More precisely, during the step of producing the dielectric bar 28, the dimensions of the dielectric fasteners 56 are predetermined so that, after assembly, the dielectric bar 28 is located in the cavity 32 at the predetermined position.

Le barreau diélectrique 28 présente ainsi un effet sur ledit mode de propagation. En particulier, le barreau diélectrique 28 charge le guide d'onde 12 de façon à élargir la bande passante monomode.The dielectric bar 28 thus has an effect on said mode of propagation. In particular, the dielectric bar 28 charges the waveguide 12 so as to widen the single-mode bandwidth.

De plus, en utilisation, la structure comprenant trois couches 14, 16, 18 permet de rendre le premier composant 10A compact et flexible.Furthermore, in use, the structure comprising three layers 14, 16, 18 makes it possible to make the first component 10A compact and flexible.

En variante non représentée du premier composant 10A, le guide d'onde 12 comprend une première couche électriquement isolante entre la sous-couche inférieure 24A de la couche supérieure 14 et la sous-couche supérieure 22C de la couche centrale 18, et/ou une deuxième couche électriquement isolante entre la sous-couche inférieure 24C de la couche centrale 18 et la sous-couche supérieure 22B de la couche inférieure 16.As a variant not shown of the first component 10A, the waveguide 12 comprises a first electrically insulating layer between the lower sub-layer 24A of the upper layer 14 and the upper sub-layer 22C of the central layer 18, and/or a second electrically insulating layer between the lower sub-layer 24C of the central layer 18 and the upper sub-layer 22B of the lower layer 16.

La ou les couches isolantes sont par exemple réalisées en prépreg.The insulating layer(s) are for example made of prepreg.

Chaque frontière latérale centrale 30, et en particulier chaque via 34, traverse la ou les couches isolantes.Each central lateral boundary 30, and in particular each via 34, crosses the insulating layer(s).

En variante non représentée du premier composant 10A, le barreau diélectrique 28 n'est pas centré sur un plan médian des deux bords latéraux 36 mais est décalé latéralement dudit plan médian. Un tel décalage latéral permet d'apporter un contrôle des modes de propagation désiré de l'onde électromagnétique se propageant dans le guide d'onde 12.As a variant not shown of the first component 10A, the dielectric bar 28 is not centered on a median plane of the two lateral edges 36 but is offset laterally from said median plane. Such a lateral shift makes it possible to provide control over the desired propagation modes of the electromagnetic wave propagating in the waveguide 12.

En variante non représentée du premier composant 10A, la largeur du barreau diélectrique 28 varie le long de l'axe de propagation.As a variant not shown of the first component 10A, the width of the dielectric bar 28 varies along the axis of propagation.

En variante non représentée du premier composant 10A, le guide d'onde 12 comprend des fils électriquement conducteurs traversant la cavité 32 de part en part, et connectant électriquement la sous-couche inférieure 24A de la couche supérieure 14 à la couche supérieure 22B de la couche inférieure 16. Ces fils permettent de réaliser une adaptation d'impédance à un autre circuit.As a variant not shown of the first component 10A, the waveguide 12 comprises electrically conductive wires passing through the cavity 32 from one side to the other, and electrically connecting the lower sub-layer 24A of the upper layer 14 to the upper layer 22B of the lower layer 16. These wires make it possible to carry out an impedance adaptation to another circuit.

En variante non représentée du premier composant 10A, le guide d'onde 12 comprend des fils électriquement conducteurs traversant la cavité 32, étant connecté électriquement à la sous-couche inférieure 24A de la couche supérieure 14, et présentant une extrémité libre à l'écart de la couche supérieure 22B de la couche inférieure 16. Ces fils permettent de réaliser des plots capacitifs permettant de faire un réglage de propriétés de filtrage du composant.As a variant not shown of the first component 10A, the waveguide 12 comprises electrically conductive wires passing through the cavity 32, being electrically connected to the lower sub-layer 24A of the upper layer 14, and having a free end spaced apart. of the upper layer 22B of the lower layer 16. These wires make it possible to produce capacitive pads making it possible to adjust the filtering properties of the component.

Une variante du premier procédé de fabrication du premier composant 10A est illustrée sur la figure 5.A variant of the first method of manufacturing the first component 10A is illustrated on the Figure 5 .

Cette variante diffère du premier procédé décrit en ce que le plan médian des deux bords latéraux 36 est un plan de symétrie des attaches diélectriques 56.This variant differs from the first method described in that the median plane of the two lateral edges 36 is a plane of symmetry of the dielectric fasteners 56.

En outre, chaque attache diélectrique 56 ne s'étend pas perpendiculairement à partir d'un des bords latéraux 36.Furthermore, each dielectric clip 56 does not extend perpendicularly from one of the side edges 36.

Au moins deux attaches diélectriques 56 s'étendent à partir d'un même bord latéral 36, en se joignant au niveau du barreau diélectrique 28. Comme illustré sur la figure 5, ces deux attaches diélectriques 56 forment un motif qui se répète le long de l'axe de propagation.At least two dielectric clips 56 extend from the same lateral edge 36, joining at the level of the dielectric bar 28. As illustrated in the Figure 5 , these two dielectric attachments 56 form a pattern which repeats along the axis of propagation.

Plus généralement, pour chaque attache diélectrique 56, une autre attache diélectrique 56 s'étend à partir du même bord latéral 36, en se joignant au niveau du barreau diélectrique 28.More generally, for each dielectric clip 56, another dielectric clip 56 extends from the same lateral edge 36, joining at the level of the dielectric bar 28.

En variante non représentée du premier procédé de fabrication, la réalisation du barreau diélectrique 28 ne comprend pas la suppression des sous-couches supérieure et inférieure initiales 50, 52 électriquement conductrices au droit des attaches diélectriques 56. Ces sous-couches 50, 52 sont supprimées lors du retrait des moyens d'attache 54.As a variant not shown of the first manufacturing process, the production of the dielectric bar 28 does not include the removal of the initial upper and lower electrically conductive sub-layers 50, 52 in line with the dielectric attachments 56. These sub-layers 50, 52 are removed when removing the attachment means 54.

En variante non représentée du premier procédé de fabrication, les attaches diélectriques 56 s'étendent à partir d'un seul des bords latéraux 36.In a variant not shown of the first manufacturing method, the dielectric fasteners 56 extend from only one of the lateral edges 36.

Un deuxième composant 10B micro-ondes va maintenant être décrit, en référence à la figure 6.A second microwave component 10B will now be described, with reference to the Figure 6 .

Ce deuxième composant 10B diffère du premier composant 10A en ce que le barreau diélectrique 28 et la surface inférieure 21A de la couche supérieure 14 délimitent un espace libre entre eux.This second component 10B differs from the first component 10A in that the dielectric bar 28 and the lower surface 21A of the upper layer 14 delimit a free space between them.

Le barreau diélectrique 28 n'est ainsi pas fixé à la surface inférieure 21A de la couche supérieure 14 par l'intermédiaire de la sous-couche supérieure de contact 42.The dielectric bar 28 is thus not fixed to the lower surface 21A of the upper layer 14 via the upper contact sub-layer 42.

Le guide d'onde 12 est alors dépourvu de ladite sous-couche supérieure de contact 42.The waveguide 12 is then devoid of said upper contact sub-layer 42.

Un deuxième procédé de fabrication relatif à la fabrication du deuxième composant 10B diffère du premier procédé en ce que la réalisation du barreau diélectrique 28 comprend la suppression de la sous-couche supérieure initiale 50 électriquement conductrice au-dessus du barreau diélectrique 28.A second manufacturing process relating to the manufacturing of the second component 10B differs from the first process in that the production of the dielectric bar 28 includes the removal of the initial upper electrically conductive sublayer 50 above the dielectric bar 28.

Un troisième composant 10C micro-ondes va maintenant être décrit, en référence à la figure 7.A third microwave component 10C will now be described, with reference to the Figure 7 .

Ce troisième composant 10C diffère du premier composant 10A en ce que le guide d'onde 12 comprend en outre un composant d'attache fonctionnel 58.This third component 10C differs from the first component 10A in that the waveguide 12 further comprises a functional attachment component 58.

Le composant d'attache fonctionnel 58 est formé par une pluralité d'attaches diélectriques 56 venues de matière avec le barreau diélectrique 28, chaque attache diélectrique 56 s'étendant à partir d'un des bords latéraux 36.The functional attachment component 58 is formed by a plurality of dielectric attachments 56 integral with the dielectric bar 28, each dielectric attachment 56 extending from one of the lateral edges 36.

Lesdites attaches diélectriques 56 présentent des caractéristiques identiques aux attaches diélectriques décrites dans le premier procédé.Said dielectric fasteners 56 have characteristics identical to the dielectric fasteners described in the first method.

Dans le troisième composant 10C illustré sur la figure 7, les attaches diélectriques 56 s'étendent à partir d'un seul des bords latéraux 36.In the third component 10C illustrated on the Figure 7 , the dielectric clips 56 extend from only one of the side edges 36.

Le barreau diélectrique 28 est donc à l'écart des bords latéraux 36 dans au moins une région du barreau diélectrique 28.The dielectric bar 28 is therefore away from the lateral edges 36 in at least one region of the dielectric bar 28.

En outre, les attaches diélectriques 56 sont configurées pour réaliser une fonction de filtre pour une onde électromagnétique se propageant dans la zone de propagation 19.In addition, the dielectric clips 56 are configured to perform a filter function for an electromagnetic wave propagating in the propagation zone 19.

En particulier, la répartition, l'écartement entre deux attaches diélectriques 56 adjacentes, et leurs dimensions sont prédéterminées pour réaliser ladite fonction.In particular, the distribution, the spacing between two adjacent dielectric clips 56, and their dimensions are predetermined to achieve said function.

Un troisième procédé de fabrication relatif à la fabrication du troisième composant 10C diffère du premier procédé en ce qu'au moins une partie des moyens d'attache 54 n'est pas retirée lors de l'étape d'assemblage.A third manufacturing process relating to the manufacturing of the third component 10C differs from the first process in that at least part of the attachment means 54 is not removed during the assembly step.

La couche supérieure 14 est fixée à la couche centrale 18 sans retirer toutes les attaches diélectriques 56.The upper layer 14 is attached to the central layer 18 without removing all the dielectric fasteners 56.

Ladite partie des moyens d'attache 54 forment alors le composant d'attache fonctionnel 58, les attaches diélectriques 56 non retirées étant configurées pour réaliser la fonction de filtre pour une onde électromagnétique se propageant dans la zone de propagation 19.Said part of the attachment means 54 then forms the functional attachment component 58, the dielectric attachments 56 not removed being configured to perform the filter function for an electromagnetic wave propagating in the propagation zone 19.

En particulier, lors de l'étape de réalisation du barreau diélectrique 28, la répartition, l'écartement entre deux attaches diélectriques 56 adjacentes, et leurs dimensions sont prédéterminées pour réaliser ladite fonction.In particular, during the step of producing the dielectric bar 28, the distribution, the spacing between two adjacent dielectric clips 56, and their dimensions are predetermined to achieve said function.

En variante non représentée du troisième composant 10C, la largeur du barreau diélectrique 28 varie le long de l'axe de propagation.As a variant not shown of the third component 10C, the width of the dielectric bar 28 varies along the axis of propagation.

Dans une variante non représentée du troisième composant 10C, la largeur du barreau diélectrique 28 est constante entre deux attaches diélectriques 56 adjacentes, et la largeur du barreau diélectrique 28 entre un couple d'attaches diélectriques 56 adjacentes est différente pour au moins deux couples d'attaches diélectriques 56 adjacentes.In a variant not shown of the third component 10C, the width of the dielectric bar 28 is constant between two adjacent dielectric clips 56, and the width of the dielectric bar 28 between a pair of adjacent dielectric clips 56 is different for at least two pairs of adjacent dielectric fasteners 56.

Dans une autre variante non représentée du troisième composant 10C, la largeur du barreau diélectrique 28 prise au niveau d'une attache diélectrique 56 est différente de la largeur du barreau diélectrique 28 prise au niveau d'une attache adjacente diélectrique 56. Le côté du barreau diélectrique 28 joignant lesdites deux attaches diélectriques 56 adjacentes présentant alors en vue de dessus un profil prédéterminé choisi parmi : une ligne droite ou une courbe.In another not shown variant of the third component 10C, the width of the dielectric bar 28 taken at the level of a dielectric attachment 56 is different from the width of the dielectric bar 28 taken at the level of an adjacent dielectric attachment 56. The side of the bar dielectric 28 joining said two adjacent dielectric fasteners 56 then presenting in top view a predetermined profile chosen from: a straight line or a curve.

Un quatrième composant 10D selon l'invention est illustré sur la figure 8.A fourth 10D component according to the invention is illustrated on the figure 8 .

Ce quatrième composant 10D diffère du premier composant 10A en ce que le barreau diélectrique 28 est réalisé dans un matériau diélectrique différent du matériau dans lequel est réalisée la sous-couche centrale 26C de la couche centrale 18.This fourth component 10D differs from the first component 10A in that the dielectric bar 28 is made of a dielectric material different from the material in which the central sub-layer 26C of the central layer 18 is made.

Le barreau diélectrique 28 est en contact avec la surface supérieure 20B de la couche inférieure 16.The dielectric bar 28 is in contact with the upper surface 20B of the lower layer 16.

En particulier, le barreau diélectrique 28 est fixé à la surface supérieure 20B de la couche inférieure 16, par exemple par collage.In particular, the dielectric bar 28 is fixed to the upper surface 20B of the lower layer 16, for example by gluing.

Dans cet exemple, le barreau diélectrique 28 est en contact avec la surface inférieure 21A de la couche supérieure 14. En d'autres termes, il présente une épaisseur égale à la hauteur de la cavité 32.In this example, the dielectric bar 28 is in contact with the lower surface 21A of the upper layer 14. In other words, it has a thickness equal to the height of the cavity 32.

En particulier, le barreau diélectrique 28 est fixé à la surface inférieure 21A de la couche supérieure 14, par exemple par collage.In particular, the dielectric bar 28 is fixed to the lower surface 21A of the upper layer 14, for example by gluing.

En variante non représentée du quatrième composant 10D, le barreau diélectrique 28 et la surface inférieure 21A de la couche supérieure 14 délimitent un espace libre entre eux. En d'autres termes, le barreau diélectrique 28 est dépourvu de contact avec la surface inférieure 21A de la couche supérieure 14. L'épaisseur du barreau diélectrique 28 est donc inférieure à l'épaisseur de la couche centrale 18.As a variant not shown of the fourth component 10D, the dielectric bar 28 and the lower surface 21A of the upper layer 14 delimit a free space between them. In other words, the dielectric bar 28 has no contact with the lower surface 21A of the upper layer 14. The thickness of the dielectric bar 28 is therefore less than the thickness of the central layer 18.

En variante non représentée du quatrième composant 10D, le guide d'onde 12 comporte un composant d'attache fonctionnel 58 similaire au composant d'attache fonctionnel 58 du troisième composant 10C.As a variant not shown of the fourth component 10D, the waveguide 12 comprises a functional attachment component 58 similar to the functional attachment component 58 of the third component 10C.

Un quatrième procédé de fabrication relatif à la fabrication du quatrième composant 10D va maintenant être décrit.A fourth manufacturing process relating to the manufacturing of the fourth component 10D will now be described.

Le quatrième procédé diffère du premier procédé en ce que le barreau diélectrique 28 et les moyens d'attache 54 ne sont pas découpés dans la couche centrale 18, et en ce que l'étape de réalisation du barreau diélectrique 28 comprend la fourniture du barreau diélectrique 28 et de moyens d'attache 54 du barreau diélectrique 28, le barreau diélectrique 28 et les moyens d'attache 54 étant fournis à l'écart de la couche centrale 18.The fourth method differs from the first method in that the dielectric bar 28 and the attachment means 54 are not cut out in the central layer 18, and in that the step of producing the dielectric bar 28 comprises the supply of the dielectric bar 28 and attachment means 54 of the dielectric bar 28, the dielectric bar 28 and the attachment means 54 being provided away from the central layer 18.

La couche centrale 18 est fournie en présentant un évidement 44 destiné à former à lui seul la cavité 32.The central layer 18 is provided by presenting a recess 44 intended to alone form the cavity 32.

Les moyens d'attache 54 présentent des caractéristiques identiques aux moyens d'attache du premier procédé mais diffèrent de ces derniers en ce que les attaches diélectriques 56 ne sont pas venues de matière avec les bords latéraux 36 de la cavité 32.The attachment means 54 have characteristics identical to the attachment means of the first method but differ from the latter in that the dielectric attachments 56 are not integral with the lateral edges 36 of the cavity 32.

Les moyens d'attache 54 comprennent ainsi la pluralité d'attaches diélectriques 56 solidaires du barreau diélectrique 28, les attaches diélectriques 56 étant solidaires du barreau diélectrique 28, par exemple venues de matière avec le barreau diélectrique 28.The attachment means 54 thus comprise the plurality of dielectric attachments 56 integral with the dielectric bar 28, the dielectric attachments 56 being integral with the dielectric bar 28, for example made integrally with the dielectric bar 28.

Le barreau diélectrique 28 et les attaches diélectriques 56 sont de préférence réalisés dans un matériau diélectrique différent du matériau dans lequel est réalisée la sous-couche centrale 26C de la couche centrale 18. En variante, ils sont réalisés dans le même matériau que celui de la sous-couche centrale 26C de la couche centrale 18.The dielectric bar 28 and the dielectric clips 56 are preferably made of a dielectric material different from the material in which the central sub-layer 26C of the central layer 18 is made. Alternatively, they are made of the same material as that of the central sublayer 26C of central layer 18.

Lors de l'assemblage, le barreau diélectrique 28 est fixé à la couche inférieure 16.During assembly, the dielectric bar 28 is fixed to the lower layer 16.

Le barreau diélectrique 28 est maintenu en position par rapport à la couche inférieure 16, par les attaches diélectriques 56 pendant toute la durée nécessaire à sa fixation à la couche inférieure 16.The dielectric bar 28 is held in position relative to the lower layer 16, by the dielectric fasteners 56 for the entire duration necessary for its attachment to the lower layer 16.

Par la suite, la couche centrale 18 est fixée à la couche inférieure 16, le barreau diélectrique 28 étant alors disposé dans l'évidement 44.Subsequently, the central layer 18 is fixed to the lower layer 16, the dielectric bar 28 then being placed in the recess 44.

Un cinquième composant 10E selon l'invention est illustré sur les figures 9 et 10.A fifth component 10E according to the invention is illustrated on the figures 9 and 10 .

Ce cinquième composant 10E diffère du premier composant 10A en ce que la cavité 32 est délimitée selon l'axe de propagation entre une extrémité avant 60 et une extrémité arrière 62 de la couche centrale 18, le barreau diélectrique 28 s'étendant de l'extrémité avant 60 à l'extrémité arrière 62.This fifth component 10E differs from the first component 10A in that the cavity 32 is delimited along the axis of propagation between a front end 60 and a rear end 62 of the central layer 18, the dielectric bar 28 extending from the front end 60 to the rear end 62.

La cavité 32 présente, en projection sur la surface supérieure 20B de la couche inférieure 16, un contour extérieur fermé.The cavity 32 has, in projection on the upper surface 20B of the lower layer 16, a closed exterior contour.

Comme illustré sur la figure 9, le cinquième composant 10E comprend en outre deux lignes de transmission annexes 64, disposées longitudinalement de part et d'autre de la cavité 32, la zone de propagation 19, et les frontières latérales centrales 30, se prolongeant dans chacune de ces deux lignes de transmission annexes 64.As illustrated on the Figure 9 , the fifth component 10E further comprises two additional transmission lines 64, arranged longitudinally on either side of the cavity 32, the propagation zone 19, and the central lateral borders 30, extending into each of these two transmission lines. transmission annexes 64.

Chaque ligne de transmission annexe 64 comprend une couche annexe supérieure 66 électriquement conductrice, identique à la couche supérieure 14 et venue de matière avec la couche supérieure 14, une couche annexe inférieure électriquement conductrice, identique à la couche inférieure 16 et venue de matière avec la couche inférieure 16, et une couche annexe centrale diélectrique 68, identique à la couche centrale 18 et venue de matière avec la couche centrale 18.Each annex transmission line 64 comprises an electrically conductive upper annex layer 66, identical to the upper layer 14 and integral with the upper layer 14, an electrically conductive lower annex layer, identical to the lower layer 16 and integral with the upper layer 14. lower layer 16, and an additional central dielectric layer 68, identical to the central layer 18 and integral with the central layer 18.

Les lignes de transmission annexes 64 sont dépourvues de cavité 32.The annexed transmission lines 64 do not have a cavity 32.

L'écartement, pris selon l'axe transversal Y-Y, entre les frontières latérales centrales 30 est supérieur dans la cavité 32 à leur écartement dans les lignes de transmission annexes 64.The spacing, taken along the transverse axis Y-Y, between the central lateral boundaries 30 is greater in the cavity 32 than their spacing in the annexed transmission lines 64.

Le barreau diélectrique 28 est solidaire avec la sous-couche centrale 26C de la couche centrale 18. En particulier, le barreau diélectrique 28 est ici venu de matière avec la sous-couche centrale 26C de la couche centrale 18.The dielectric bar 28 is integral with the central sub-layer 26C of the central layer 18. In particular, the dielectric bar 28 is here integral with the central sub-layer 26C of the central layer 18.

Le barreau diélectrique 28 est ainsi notamment venu de matière avec la couche annexe centrale 68 de chacune des lignes de transmission annexes 64.The dielectric bar 28 is thus in particular made integral with the central annex layer 68 of each of the annex transmission lines 64.

Le barreau diélectrique 28 présente une longueur égale à la longueur de la cavité 32. Par « longueur d'un élément », on entend la distance bord à bord de l'élément, prise selon l'axe de propagation.The dielectric bar 28 has a length equal to the length of the cavity 32. By “length of an element” is meant the edge-to-edge distance of the element, taken along the axis of propagation.

En outre, le mode de réalisation du cinquième composant 10E illustré sur la figure 10 diffère du premier composant 10A en ce que, dans au moins une tranche de la cavité 32, prise selon l'axe transverse Y-Y, le barreau diélectrique 28 délimite respectivement avec la surface inférieure 21A de la couche supérieure 14 et la surface supérieure 20B de la couche inférieure 16 un espace libre.In addition, the embodiment of the fifth component 10E illustrated in the Figure 10 differs from the first component 10A in that, in at least one slice of the cavity 32, taken along the transverse axis YY, the dielectric bar 28 delimits respectively with the lower surface 21A of the upper layer 14 and the upper surface 20B of the lower layer 16 free space.

Plus précisément, les couches annexes supérieures 66 et les couches annexes inférieures font saillie dans la cavité 32 respectivement au-dessus et en-dessous du barreau diélectrique 28. En projection sur la surface supérieure 20B de la couche inférieure 16, lesdites saillies dans la cavité 32 des couches annexes supérieures 66 et des couches annexes inférieures présentent une forme en pointe.More precisely, the upper annex layers 66 and the lower annex layers project into the cavity 32 respectively above and below the dielectric bar 28. In projection on the upper surface 20B of the lower layer 16, said projections in the cavity 32 of the upper annex layers 66 and the lower annex layers have a pointed shape.

Un cinquième procédé de fabrication relatif à la fabrication du cinquième composant 10E va maintenant être décrit.A fifth manufacturing process relating to the manufacturing of the fifth component 10E will now be described.

Le cinquième procédé diffère du premier procédé en ce que lors de la découpe de ladite pluralité d'évidements 44, ladite pluralité d'évidements 44 est destinée à délimiter la cavité 32, selon l'axe de propagation, entre une extrémité avant 60 et une extrémité arrière 62 de la couche centrale 18.The fifth method differs from the first method in that when cutting said plurality of recesses 44, said plurality of recesses 44 is intended to delimit the cavity 32, along the axis of propagation, between a front end 60 and a rear end 62 of the central layer 18.

Lors de la découpe, ladite pluralité d'évidements 44 est destinée à délimiter la cavité 32 telle qu'elle présente, en projection sur la surface supérieure 20B de la couche inférieure 16, un contour extérieur fermé.During cutting, said plurality of recesses 44 is intended to delimit the cavity 32 such that it presents, in projection on the upper surface 20B of the lower layer 16, a closed exterior contour.

Ladite pluralité d'évidements 44 découpée délimite le barreau diélectrique 28, le barreau diélectrique 28 s'étendant de l'extrémité avant 60 à l'extrémité arrière 62, et présentant en particulier une longueur égale à la longueur de la cavité 32.Said plurality of cut-out recesses 44 delimits the dielectric bar 28, the dielectric bar 28 extending from the front end 60 to the rear end 62, and in particular having a length equal to the length of the cavity 32.

Par exemple, ladite pluralité d'évidements 44 délimite le barreau diélectrique 28 sans délimiter d'attaches diélectriques 56 reliant le barreau diélectrique 28 au reste de la couche centrale 18.For example, said plurality of recesses 44 delimits the dielectric bar 28 without delimiting dielectric fasteners 56 connecting the dielectric bar 28 to the rest of the central layer 18.

En outre, l'implémentation des frontières latérales centrales 30 est mise en oeuvre telle que, après assemblage, la zone de propagation 19 se prolonge longitudinalement de part et d'autre de la cavité 32. La couche supérieure 14, la couche inférieure 16 et la couche centrale 18 définissent alors, de part et d'autre de la cavité 32, les deux lignes de transmission annexes 64.Furthermore, the implementation of the central lateral boundaries 30 is implemented such that, after assembly, the propagation zone 19 extends longitudinally on either side of the cavity 32. The upper layer 14, the lower layer 16 and the central layer 18 then defines, on either side of the cavity 32, the two additional transmission lines 64.

En utilisation, lors de l'étape d'alimentation du cinquième composant 10E micro-ondes avec une onde électromagnétique, l'onde se propage dans la zone de propagation 19 dans une des lignes de transmission annexe 64.In use, during the step of supplying the fifth microwave component 10E with an electromagnetic wave, the wave propagates in the propagation zone 19 in one of the annex transmission lines 64.

Les saillies des couches annexes supérieures 66 et inférieures permettent d'assurer une bonne transition électromagnétique pour l'onde se propageant dans la zone de propagation 19 entre les lignes de transmission annexes 64 et la cavité 32.The projections of the upper and lower annex layers 66 ensure a good electromagnetic transition for the wave propagating in the propagation zone 19 between the annex transmission lines 64 and the cavity 32.

Un sixième composant 10F micro-ondes va maintenant être décrit, en référence à la figure 11.A sixth 10F microwave component will now be described, with reference to the Figure 11 .

Ce sixième composant 10F diffère des précédents modes de réalisation en ce que les frontières latérales centrales 30 ne comprennent pas de rangées de vias 34.This sixth component 10F differs from previous embodiments in that the central lateral boundaries 30 do not include rows of vias 34.

Chaque frontière latérale centrale 30 comprend une paroi latérale continue électriquement conductrice 70.Each central side boundary 30 comprises a continuous electrically conductive side wall 70.

Ladite paroi latérale continue 70 est notamment formée par un revêtement électriquement conducteur, par exemple métallique. Ledit revêtement est ici appliqué sur les bords latéraux 36 de la cavité 32.Said continuous side wall 70 is in particular formed by an electrically conductive coating, for example metallic. Said coating is here applied to the lateral edges 36 of the cavity 32.

Par « paroi latérale continue », on entend que le revêtement métallique est appliqué sur toute la hauteur et la longueur des bords latéraux 36.By “continuous side wall”, we mean that the metal coating is applied over the entire height and length of the side edges 36.

Les frontières latérales centrales 30 sont en particulier dépourvues de vias.The central lateral borders 30 are in particular devoid of vias.

Un sixième procédé de fabrication relatif à la fabrication du sixième composant 10F va maintenant être décrit.A sixth manufacturing process relating to the manufacturing of the sixth component 10F will now be described.

Le sixième procédé diffère du premier procédé en ce que l'étape d'implémentation des frontières latérales centrales 30 est mise en oeuvre après l'étape de découpe de ladite pluralité d'évidements 44.The sixth method differs from the first method in that the step of implementing the central lateral boundaries 30 is implemented after the step of cutting said plurality of recesses 44.

Cette étape d'implémentation des frontières latérales centrales 30 comprend la réalisation d'une paroi latérale continue électriquement conductrice 70, par l'application d'un revêtement électriquement conducteur, par exemple métallique, sur des bords de ladite pluralité d'évidements 44, ces bords étant destinés à former les bords latéraux 36 de la cavité 32.This step of implementing the central lateral boundaries 30 comprises the production of a continuous electrically conductive side wall 70, by the application of an electrically conductive coating, for example metallic, on the edges of said plurality of recesses 44, these edges being intended to form the lateral edges 36 of the cavity 32.

Un septième composant 10G selon l'invention va maintenant être décrit en regard des figures 12.A seventh 10G component according to the invention will now be described with regard to the figures 12 .

Ce septième composant 10G diffère du premier composant 10A en ce que le barreau diélectrique 28 est un premier barreau diélectrique 28, et en ce que le guide d'onde 12 comprend en outre un deuxième barreau diélectrique 72.This seventh component 10G differs from the first component 10A in that the dielectric bar 28 is a first dielectric bar 28, and in that the waveguide 12 further comprises a second dielectric bar 72.

Le deuxième barreau diélectrique 72 est disposé dans la cavité 32, à l'écart dudit premier barreau diélectrique 28, et à l'écart des bords latéraux 36 de la cavité 32.The second dielectric bar 72 is placed in the cavity 32, away from said first dielectric bar 28, and away from the lateral edges 36 of the cavity 32.

En particulier, le deuxième barreau diélectrique 72 est disposé dans la zone de propagation 19 tel que, en projection sur la surface supérieure 20B de la couche inférieure 16, ledit deuxième barreau diélectrique 72 est à l'écart des bords latéraux 36 de la cavité 32.In particular, the second dielectric bar 72 is arranged in the propagation zone 19 such that, in projection on the upper surface 20B of the lower layer 16, said second dielectric bar 72 is away from the lateral edges 36 of the cavity 32 .

Le deuxième barreau diélectrique 72 est disposé entre les bords latéraux 36 de la cavité 32.The second dielectric bar 72 is placed between the lateral edges 36 of the cavity 32.

Le premier barreau diélectrique 28 et le deuxième barreau diélectrique 72 s'étendent respectivement suivant une direction longitudinale parallèle à l'axe de propagation X-X. En outre, ils s'étendent ici orthogonalement à l'axe transverse Y-Y.The first dielectric bar 28 and the second dielectric bar 72 extend respectively in a longitudinal direction parallel to the propagation axis XX. In addition, they extend here orthogonal to the transverse axis Y-Y.

Le premier barreau diélectrique 28 et le deuxième barreau diélectrique 72 sont décalés latéralement du plan médian des deux bords latéraux 36.The first dielectric bar 28 and the second dielectric bar 72 are offset laterally from the median plane of the two lateral edges 36.

Dans l'exemple illustré sur la figure 12, le deuxième barreau diélectrique 72 est au moins disposé en partie entre le premier barreau diélectrique 28 et l'un des bords latéraux 36.In the example illustrated on the Figure 12 , the second dielectric bar 72 is at least partly arranged between the first dielectric bar 28 and one of the side edges 36.

Le deuxième barreau diélectrique 72 est sensiblement similaire au premier barreau diélectrique 28.The second dielectric bar 72 is substantially similar to the first dielectric bar 28.

Le deuxième barreau diélectrique 72 présente une largeur comprise notamment entre 1% et 90% de la largeur de la cavité 32.The second dielectric bar 72 has a width comprised in particular between 1% and 90% of the width of the cavity 32.

La largeur du deuxième barreau diélectrique 72 est par exemple constante le long de l'axe de propagation X-X. En variante, la largeur du deuxième barreau diélectrique 72 varie le long de l'axe de propagation.The width of the second dielectric bar 72 is for example constant along the propagation axis XX. Alternatively, the width of the second dielectric bar 72 varies along the axis of propagation.

Le deuxième barreau diélectrique 72 présente dans cet exemple une épaisseur inférieure à la hauteur de la cavité 32.The second dielectric bar 72 has in this example a thickness less than the height of the cavity 32.

Il est ici disposé à l'écart de la surface inférieure 21A de la couche supérieure 14 et de la surface supérieure 20B de la couche inférieure 16.It is here placed away from the lower surface 21A of the upper layer 14 and the upper surface 20B of the lower layer 16.

Le deuxième barreau diélectrique 72 est fixé à la surface supérieure 20B de la couche inférieure 16 par l'intermédiaire d'une deuxième sous-couche inférieure de contact 74. Plus précisément, il est fixé à la deuxième sous-couche inférieure de contact 74, la deuxième sous-couche inférieure de contact 74 étant fixée à la surface supérieure 20B de la couche inférieure 16. La deuxième sous-couche inférieure de contact 74 est électriquement conductrice.The second dielectric bar 72 is fixed to the upper surface 20B of the lower layer 16 via a second lower contact sub-layer 74. More precisely, it is fixed to the second lower contact sub-layer 74, the second lower contact sub-layer 74 being fixed to the upper surface 20B of the lower layer 16. The second lower contact sub-layer 74 is electrically conductive.

Le deuxième barreau diélectrique 72 est en outre fixé à la surface inférieure 21A de la couche supérieure 14 par l'intermédiaire d'une deuxième sous-couche supérieure de contact 76. Plus précisément, il est fixé à la deuxième sous-couche supérieure de contact 76, la deuxième sous-couche supérieure de contact 76 étant fixée à la surface inférieure 21A de la couche supérieure 14. La deuxième sous-couche supérieure de contact 76 est électriquement conductrice.The second dielectric bar 72 is further fixed to the lower surface 21A of the upper layer 14 via a second upper contact sub-layer 76. More precisely, it is fixed to the second upper contact sub-layer 76, the second upper contact sub-layer 76 being fixed to the lower surface 21A of the upper layer 14. The second upper contact sub-layer 76 is electrically conductive.

Un septième procédé de fabrication relatif à la fabrication du septième composant 10G va maintenant être décrit.A seventh manufacturing process relating to the manufacturing of the seventh 10G component will now be described.

Le septième procédé diffère du premier procédé en ce que l'étape de fourniture de la couche centrale 18 comprend une étape de réalisation du premier barreau diélectrique 28 et du deuxième barreau diélectrique 72.The seventh method differs from the first method in that the step of providing the central layer 18 includes a step of producing the first dielectric bar 28 and the second dielectric bar 72.

La réalisation du premier barreau diélectrique 28 et du deuxième barreau diélectrique 72 étant ici mise en oeuvre lors de la découpe de ladite pluralité d'évidements 44.The production of the first dielectric bar 28 and the second dielectric bar 72 being implemented here during the cutting of said plurality of recesses 44.

Lors de la découpe de ladite pluralité d'évidements 44, ladite pluralité d'évidements 44 est destinée à délimiter le premier barreau diélectrique 28, le deuxième barreau diélectrique 72 et des moyens d'attache 54 du premier barreau diélectrique 28 et du deuxième barreau diélectrique 72.When cutting said plurality of recesses 44, said plurality of recesses 44 is intended to delimit the first dielectric bar 28, the second dielectric bar 72 and means 54 for attaching the first dielectric bar 28 and the second dielectric bar 72.

Lors de la découpe, le premier barreau diélectrique 28 et le deuxième barreau diélectrique 72 sont plus précisément formés par une partie de la sous-couche diélectrique initiale 48 de la couche initiale 46.During cutting, the first dielectric bar 28 and the second dielectric bar 72 are more precisely formed by part of the initial dielectric sub-layer 48 of the initial layer 46.

Au droit du deuxième barreau diélectrique 72, les sous-couches supérieure et inférieure initiales 50, 52 électriquement conductrices de la couche initiale 46, respectivement au-dessus et en-dessous du deuxième barreau diélectrique 72, forment respectivement la deuxième sous-couche supérieure de contact 76 et la deuxième sous-couche inférieure de contact 74 du premier composant 10A.To the right of the second dielectric bar 72, the upper and lower initial electrically conductive sub-layers 50, 52 of the initial layer 46, respectively above and below the second dielectric bar 72, respectively form the second upper sub-layer of contact 76 and the second lower contact sub-layer 74 of the first component 10A.

Les moyens d'attache 54 comprennent une pluralité de premières attaches diélectriques reliant le premier barreau diélectrique 28 à l'un des bords latéraux 36 de la cavité 32. Ils comprennent en outre une pluralité de deuxièmes attaches diélectriques reliant le deuxième barreau diélectrique 72 à l'autre des bords latéraux 36 de la cavité 32.The attachment means 54 comprise a plurality of first dielectric attachments connecting the first dielectric bar 28 to one of the lateral edges 36 of the cavity 32. They further comprise a plurality of second dielectric attachments connecting the second dielectric bar 72 to the other of the side edges 36 of the cavity 32.

Par exemple, les moyens d'attache 54 comprennent une pluralité d'attaches diélectriques intermédiaires reliant le premier barreau diélectrique 28 au deuxième barreau diélectrique 72.For example, the attachment means 54 comprise a plurality of intermediate dielectric attachments connecting the first dielectric bar 28 to the second dielectric bar 72.

Les premières attaches diélectriques, les deuxièmes attaches diélectriques et les attaches diélectriques intermédiaires présentent des caractéristiques sensiblement identiques aux attaches diélectriques 56 décrites dans le premier procédé.The first dielectric clips, the second dielectric clips and the intermediate dielectric clips have characteristics substantially identical to the dielectric clips 56 described in the first method.

Comme dans le premier procédé, en utilisation, le septième procédé comprend une étape d'alimentation du septième composant 10G micro-ondes avec une onde électromagnétique se propageant dans la zone de propagation 19.As in the first method, in use, the seventh method comprises a step of supplying the seventh 10G microwave component with an electromagnetic wave propagating in the propagation zone 19.

L'onde électromagnétique présente ici au moins un premier et un deuxième modes de propagation, le deuxième mode de propagation présentant deux maximums de champ électrique.The electromagnetic wave here has at least a first and a second propagation mode, the second propagation mode having two electric field maxima.

Le premier barreau diélectrique 28 et le deuxième barreau diélectrique 72 sont respectivement positionnés dans la cavité 32 à une première position prédéterminée et à une deuxième position prédéterminée telles que, lors de cette étape d'alimentation du septième composant 10G, la première position prédéterminée et la deuxième position prédéterminée correspondent respectivement aux niveaux desdits maximums de champ électrique.The first dielectric bar 28 and the second dielectric bar 72 are respectively positioned in the cavity 32 at a first predetermined position and at a second predetermined position such that, during this step of supplying the seventh component 10G, the first predetermined position and the second predetermined position correspond respectively to the levels of said electric field maxima.

Plus précisément, lors de l'étape de réalisation du barreau diélectrique 28, les dimensions des premières attaches et des deuxièmes attaches sont prédéterminées pour que, après assemblage, le premier barreau diélectrique 28 et le deuxième barreau diélectrique 72 soient respectivement localisés dans la cavité 32 au niveau desdits maximums de champs électriques.More precisely, during the step of producing the dielectric bar 28, the dimensions of the first fasteners and the second fasteners are predetermined so that, after assembly, the first dielectric bar 28 and the second dielectric bar 72 are respectively located in the cavity 32 at the level of said maximum electric fields.

Le premier barreau diélectrique 28 et le deuxième barreau diélectrique 72 présentent ainsi un effet sur le deuxième mode de propagation. En particulier, ils diminuent la bande monomode du septième composant 10G pour obtenir une structure bi mode contrôlée.The first dielectric bar 28 and the second dielectric bar 72 thus have an effect on the second mode of propagation. In particular, they reduce the single-mode band of the seventh 10G component to obtain a controlled dual-mode structure.

Un huitième composant 10H va maintenant être décrit, en référence à la figure 13.An eighth component 10H will now be described, with reference to the figure 13 .

Ce huitième composant 10H diffère du quatrième composant 10D en ce que le barreau diélectrique 28 est un premier barreau diélectrique 28, et en ce que le guide d'onde 12 comprend au moins un autre barreau diélectrique 72.This eighth component 10H differs from the fourth component 10D in that the dielectric bar 28 is a first dielectric bar 28, and in that the waveguide 12 comprises at least one other dielectric bar 72.

Dans l'exemple illustré sur la figure 13, le guide d'onde 12 comprend au moins trois autres barreaux diélectriques 72.In the example illustrated on the figure 13 , the waveguide 12 comprises at least three other dielectric bars 72.

Chaque autre barreau diélectrique 72 est disposé dans la cavité 32, à l'écart dudit premier barreau diélectrique 28, à l'écart de chaque autre barreau diélectrique 72 et à l'écart des bords latéraux 36 de la cavité 32.Each other dielectric bar 72 is placed in the cavity 32, away from said first dielectric bar 28, away from each other dielectric bar 72 and away from the lateral edges 36 of the cavity 32.

En particulier, chaque autre barreau diélectrique 72 est disposé dans la zone de propagation 19 tel que, en projection sur la surface supérieure 20B de la couche inférieure 16, ledit autre barreau diélectrique 72 est à l'écart des bords latéraux 36 de la cavité 32.In particular, each other dielectric bar 72 is arranged in the propagation zone 19 such that, in projection on the upper surface 20B of the lower layer 16, said other dielectric bar 72 is away from the lateral edges 36 of the cavity 32 .

Chaque autre barreau diélectrique 72 est disposé entre les bords latéraux 36 de la cavité 32.Each other dielectric bar 72 is placed between the lateral edges 36 of the cavity 32.

Le premier barreau diélectrique 28 et chaque autre barreau diélectrique 72 s'étendent respectivement suivant une direction longitudinale parallèle à l'axe de propagation X-X. En outre, ils s'étendent ici orthogonalement à l'axe transverse Y-Y.The first dielectric bar 28 and each other dielectric bar 72 extend respectively in a longitudinal direction parallel to the propagation axis XX. In addition, they extend here orthogonal to the transverse axis Y-Y.

Le premier barreau diélectrique 28 et chaque autre barreau diélectrique 72 sont décalés latéralement du plan médian des deux bords latéraux 36.The first dielectric bar 28 and each other dielectric bar 72 are offset laterally from the median plane of the two lateral edges 36.

En projection sur la surface supérieure 20B de la couche inférieure 16, le premier barreau diélectrique 28 et chaque autre barreau diélectrique 72 définissent respectivement un contour extérieur circulaire. Le terme « barreau » est donc ici à prendre dans un sens large.In projection on the upper surface 20B of the lower layer 16, the first dielectric bar 28 and each other dielectric bar 72 respectively define a circular outer contour. The term “bar” is therefore to be taken here in a broad sense.

Dans l'exemple illustré sur la figure 13, chaque autre barreau diélectrique 72 est sensiblement similaire au premier barreau diélectrique 28. En particulier, ils présentent ici un diamètre sensiblement identique.In the example illustrated on the Figure 13 , each other dielectric bar 72 is substantially similar to the first dielectric bar 28. In particular, they have here a substantially identical diameter.

Le premier barreau diélectrique 28 et chaque autre barreau diélectrique 72 présentent alors respectivement une permittivité diélectrique supérieure à 6.The first dielectric bar 28 and each other dielectric bar 72 then respectively have a dielectric permittivity greater than 6.

Un huitième procédé de fabrication relatif à la fabrication du huitième composant 10H va maintenant être décrit.An eighth manufacturing process relating to the manufacturing of the eighth component 10H will now be described.

Le huitième procédé diffère du quatrième procédé en ce qu'il comprend une étape de réalisation de chaque autre barreau diélectrique 72. L'étape de réalisation de chaque autre barreau diélectrique 72 comprend la fourniture dudit autre barreau diélectrique 72 et de moyens d'attache dudit autre barreau diélectrique 72, ledit autre barreau diélectrique 72 et les moyens d'attache étant fournis à l'écart de la couche centrale 18.The eighth method differs from the fourth method in that it comprises a step of producing each other dielectric bar 72. The step of producing each other dielectric bar 72 comprises the provision of said other dielectric bar 72 and means for attaching said another dielectric bar 72, said other dielectric bar 72 and the attachment means being provided away from the central layer 18.

Lors de l'assemblage, chaque autre barreau diélectrique 72 est fixé à la couche inférieure 16, notamment avant que la couche centrale 18 soit fixée à la couche inférieure 16.During assembly, each other dielectric bar 72 is fixed to the lower layer 16, in particular before the central layer 18 is fixed to the lower layer 16.

En variante du huitième composant 10H, en projection sur la surface supérieure 20B de la couche inférieure 16, au moins un du premier barreau diélectrique 28 et de chaque autre barreau diélectrique 72 définit un contour extérieur présentant une forme rectangle, carré, ou ovale.As a variant of the eighth component 10H, in projection on the upper surface 20B of the lower layer 16, at least one of the first dielectric bar 28 and each other dielectric bar 72 defines an external contour having a rectangular, square, or oval shape.

Dans encore une variante du huitième composant 10H, en projection sur la surface supérieure 20B de la couche inférieure 16, au moins un du premier barreau diélectrique 28 et de chaque autre barreau diélectrique 72 définit une forme en anneau, présentant un contour extérieur de forme circulaire, rectangulaire, carré, ou ovale, et un contour intérieur de forme circulaire, rectangulaire, carré, ou ovale.In yet another variant of the eighth component 10H, in projection on the upper surface 20B of the lower layer 16, at least one of the first dielectric bar 28 and each other dielectric bar 72 defines a ring shape, having an outer contour of circular shape , rectangular, square, or oval, and an interior contour of circular, rectangular, square, or oval shape.

Dans encore une autre variante du huitième composant 10H, au moins deux barreaux parmi le premier barreau diélectrique 28 et les autres barreaux diélectriques 72 sont réalisés dans des matériaux différents.In yet another variation of the eighth component 10H, at least two bars among the first dielectric bar 28 and the other dielectric bars 72 are made of different materials.

Le huitième procédé de fabrication décrit permet de monter simultanément plusieurs barreaux 28, 72 réalisés dans des matériaux différents.The eighth manufacturing process described makes it possible to simultaneously mount several bars 28, 72 made of different materials.

En variante du huitième composant 10H, le guide d'onde 12 comprend en outre un composant d'attache fonctionnel formé par une pluralité d'attaches diélectriques venues de matière avec au moins un des barreaux 28, 72, chaque attache diélectrique s'étendant à partir d'un des bords latéraux 36. Dans le procédé de fabrication associé à cette variante, au moins une partie des moyens d'attache n'est pas retirée lors de l'étape d'assemblage.As a variant of the eighth component 10H, the waveguide 12 further comprises a functional attachment component formed by a plurality of dielectric attachments integral with at least one of the bars 28, 72, each dielectric attachment extending to from one of the side edges 36. In the manufacturing process associated with this variant, at least part of the attachment means is not removed during the assembly step.

Un neuvième composant 101 selon l'invention va maintenant être décrit en regard de la figure 14.A ninth component 101 according to the invention will now be described with regard to the Figure 14 .

Ce neuvième composant 10l diffère du premier composant 10A en ce que le barreau diélectrique 28 n'est pas disposé dans la cavité 32.This ninth component 10l differs from the first component 10A in that the dielectric bar 28 is not arranged in the cavity 32.

Le barreau diélectrique 28 est disposé dans la zone de propagation 19 et est délimité dans la couche supérieure 14. Le barreau diélectrique 28 est ainsi formé dans la couche supérieure 14.The dielectric bar 28 is placed in the propagation zone 19 and is delimited in the upper layer 14. The dielectric bar 28 is thus formed in the upper layer 14.

Le barreau diélectrique 28 est formé dans la sous-couche centrale 26A de la couche supérieure 14 et est délimité par une partie de la sous-couche supérieure 22A électriquement conductrice de la couche supérieure 14 et, latéralement entre deux frontières latérales supérieures 78.The dielectric bar 28 is formed in the central sub-layer 26A of the upper layer 14 and is delimited by a part of the electrically conductive upper sub-layer 22A of the upper layer 14 and laterally between two upper lateral boundaries 78.

Le barreau diélectrique 28 débouche sur la cavité 32.The dielectric bar 28 opens into the cavity 32.

Comme illustré sur la figure 14, le barreau diélectrique 28 présente une surface 80 délimitant la cavité 32.As illustrated on the Figure 14 , the dielectric bar 28 has a surface 80 delimiting the cavity 32.

Le barreau diélectrique 28 est disposé entre un plan définit par une surface supérieure 20C de la couche centrale 18 et un plan définit par une surface supérieure 20A de la couche supérieure 14.The dielectric bar 28 is arranged between a plane defined by an upper surface 20C of the central layer 18 and a plane defined by an upper surface 20A of the upper layer 14.

La couche supérieure 14 est dépourvue de sous-couche inférieure 24A, dans au moins une partie de la couche supérieure 14 entre les deux frontières latérales supérieures 78. En particulier, dans l'exemple illustré sur la figure 14, la couche supérieure 14 est entièrement dépourvue de sous-couche inférieure 24A, entre les deux frontières latérales supérieures 78.The upper layer 14 is devoid of lower sub-layer 24A, in at least part of the upper layer 14 between the two upper lateral borders 78. In particular, in the example illustrated in the Figure 14 , the upper layer 14 is entirely devoid of lower sub-layer 24A, between the two upper lateral borders 78.

Le barreau diélectrique 28 est ici disposé dans la zone de propagation 19, tel que, en projection sur la surface supérieure 20B de la couche inférieure 16, le barreau diélectrique 28 est à l'écart des bords latéraux 36 de la cavité 32.The dielectric bar 28 is here arranged in the propagation zone 19, such that, in projection on the upper surface 20B of the lower layer 16, the dielectric bar 28 is away from the lateral edges 36 of the cavity 32.

Comme dans le premier composant 10A, la zone de propagation 19 est délimitée par la sous-couche supérieure 22B électriquement conductrice de la couche inférieure 16 et les deux frontières latérales centrales 30 aménagées chacune dans la couche centrale et espacées l'une de l'autre. En outre, dans le neuvième composant 10l, la zone de propagation 19 est délimitée par la partie de la sous-couche supérieure 22A de la couche supérieure 14 s'étendant au-dessus du barreau diélectrique 28, par une partie de la sous-couche inférieure 24A électriquement conductrice de la couche supérieure 14, et par les frontières latérales supérieures 78, les frontières latérales supérieures 78 joignant lesdites parties.As in the first component 10A, the propagation zone 19 is delimited by the electrically conductive upper sublayer 22B of the lower layer 16 and the two central lateral boundaries 30 each provided in the central layer and spaced from one another. . Furthermore, in the ninth component 10l, the propagation zone 19 is delimited by the part of the upper sub-layer 22A of the upper layer 14 extending above the dielectric bar 28, by a part of the sub-layer lower electrically conductive 24A of the upper layer 14, and by the upper lateral borders 78, the upper lateral borders 78 joining said parts.

Les frontières latérales supérieures 78 sont propres à empêcher le passage d'une onde électromagnétique présentant une longueur d'onde supérieure ou égale à la longueur d'onde minimale prédéterminée.The upper lateral boundaries 78 are capable of preventing the passage of an electromagnetic wave having a wavelength greater than or equal to the predetermined minimum wavelength.

Les frontières latérales supérieures 78 sont chacune aménagées dans la couche supérieure 14.The upper lateral borders 78 are each arranged in the upper layer 14.

Les frontières latérales supérieures 78 s'étendent parallèlement à l'axe de propagation X-X et sont ici parallèles l'une par rapport à l'autre.The upper lateral boundaries 78 extend parallel to the propagation axis X-X and are here parallel to each other.

Elles s'étendent notamment sur toute l'épaisseur de la couche supérieure 14.They extend in particular over the entire thickness of the upper layer 14.

Les frontières latérales supérieures 78 sont espacées l'une de l'autre.The upper side borders 78 are spaced apart from each other.

Elles sont notamment ici symétriques l'une de l'autre par rapport au plan médian des bords latéraux 36. Le barreau diélectrique 28 est ainsi ici centré sur le plan médian des bords latéraux 36.They are in particular here symmetrical to each other with respect to the median plane of the side edges 36. The dielectric bar 28 is thus here centered on the median plane of the side edges 36.

Une section transversale de la zone de propagation 19 présente sensiblement une forme en T retourné.A cross section of the propagation zone 19 has substantially an inverted T shape.

Dans l'exemple illustré sur la figure 14, en projection sur la surface supérieure 20B de la couche inférieure 16, les frontières latérales supérieures 78 sont disposées à l'écart et entre les bords latéraux 36.In the example illustrated on the Figure 14 , in projection on the upper surface 20B of the lower layer 16, the upper side borders 78 are arranged apart from and between the side edges 36.

Chaque frontière latérale supérieure 78 connecte électriquement la sous-couche inférieure 24A de la couche supérieure 14 et la sous-couche supérieure 22A de la couche supérieure 14 entre elles.Each upper lateral boundary 78 electrically connects the lower sub-layer 24A of the upper layer 14 and the upper sub-layer 22A of the upper layer 14 between them.

Les frontières latérales supérieures 78 et les frontières latérales centrales 30 connectent électriquement la sous-couche supérieure 22B de la couche inférieure 16 à la sous-couche supérieure 22A de la couche supérieure 14, respectivement de part et d'autre de la cavité 32.The upper lateral borders 78 and the central lateral borders 30 electrically connect the upper sub-layer 22B of the lower layer 16 to the upper sub-layer 22A of the upper layer 14, respectively on either side of the cavity 32.

Dans le mode de réalisation de la figure 14, chaque frontière latérale supérieure 78 comprend une rangée de vias 34 électriquement conducteurs, aménagés à travers la couche supérieure 14. Plus précisément, chaque via 34 s'étend selon la direction Z-Z, en traversant la couche supérieure 14.In the embodiment of the Figure 14 , each upper lateral boundary 78 comprises a row of electrically conductive vias 34, arranged through the upper layer 14. More precisely, each via 34 extends in the direction ZZ, crossing the upper layer 14.

Chaque via 34 connecte électriquement la sous-couche inférieure 24A de la couche supérieure 14 et la sous-couche supérieure 22A de la couche supérieure 14 entre elles.Each via 34 electrically connects the lower sublayer 24A of the upper layer 14 and the upper sublayer 22A of the upper layer 14 between them.

L'écartement entre deux vias 34 successifs d'une frontière latérale supérieure 78 est inférieur à la longueur d'onde minimale prédéterminée, notamment inférieur à un dixième de la longueur d'onde minimale prédéterminée, de préférence inférieur à un vingtième de la longueur d'onde minimale prédéterminée.The spacing between two successive vias 34 of an upper lateral boundary 78 is less than the predetermined minimum wavelength, in particular less than one tenth of the predetermined minimum wavelength, preferably less than one twentieth of the length d predetermined minimum wave.

Un neuvième procédé relatif à la fabrication du neuvième composant 10l va maintenant être décrit.A ninth process relating to the manufacture of the ninth component 10l will now be described.

Le neuvième procédé diffère du premier procédé en ce que le barreau diélectrique 28 n'est pas découpé dans la couche centrale 18 et n'est pas disposé dans la cavité 32.The ninth method differs from the first method in that the dielectric bar 28 is not cut out in the central layer 18 and is not placed in the cavity 32.

En outre, aucun moyen d'attache tel que décrit dans le premier procédé n'est découpé dans la couche centrale 18. Dans ce mode de réalisation, aucune attache n'est utilisée comparativement aux modes de réalisation permettant de disposer le barreau diélectrique 28 dans la cavité 32.Furthermore, no fastening means as described in the first method are cut out in the central layer 18. In this embodiment, no fastener is used compared to the embodiments making it possible to arrange the dielectric bar 28 in the cavity 32.

La couche centrale 18 est fournie en présentant un évidement 44 destiné à former à lui seul la cavité 32.The central layer 18 is provided by presenting a recess 44 intended to alone form the cavity 32.

La fourniture de la couche supérieure 14 comprend la fourniture d'une couche initiale supérieure, la couche initiale supérieure étant destinée à former la couche supérieure 14.The provision of the upper layer 14 comprises the provision of an upper initial layer, the upper initial layer being intended to form the upper layer 14.

La couche initiale supérieure comprend ainsi au moins une sous-couche diélectrique initiale, destinée à former la sous-couche centrale 26A de la couche supérieure 14, une sous-couche supérieure électriquement conductrice, destinée à former la sous-couche supérieure 22A de la couche supérieure 14, et une sous-couche inférieure électriquement conductrice, destinée à former la sous-couche inférieure 24A de la couche supérieure 14.The upper initial layer thus comprises at least one initial dielectric sub-layer, intended to form the central sub-layer 26A of the layer upper sub-layer 14, an upper electrically conductive sub-layer, intended to form the upper sub-layer 22A of the upper layer 14, and a lower electrically conductive sub-layer, intended to form the lower sub-layer 24A of the upper layer 14.

Dans le neuvième procédé, l'étape de fourniture de la couche supérieure 14 comprend la réalisation du barreau diélectrique 28. La réalisation du barreau diélectrique 28 comprend l'implémentation des frontières latérales supérieures 78 et la suppression d'au moins une partie, avantageusement de l'intégralité, de la sous-couche inférieure électriquement conductrice de la couche initiale supérieure s'étendant entre les deux frontières latérales supérieures 78.In the ninth method, the step of providing the upper layer 14 comprises the production of the dielectric bar 28. The production of the dielectric bar 28 comprises the implementation of the upper lateral boundaries 78 and the removal of at least one part, advantageously of the entirety of the electrically conductive lower sub-layer of the upper initial layer extending between the two upper lateral boundaries 78.

La partie de la sous-couche centrale diélectrique de la couche initiale supérieure délimitée entre les frontières latérales supérieures 78 forme ledit barreau diélectrique 28.The part of the central dielectric sublayer of the upper initial layer delimited between the upper lateral boundaries 78 forms said dielectric bar 28.

A l'issue de l'étape de réalisation du barreau diélectrique 28, la couche initiale supérieure forme la couche supérieure 14.At the end of the step of producing the dielectric bar 28, the upper initial layer forms the upper layer 14.

Lors de l'assemblage, la couche centrale 18 est fixée à la couche inférieure 16 et la couche supérieure 14 est fixée à la couche centrale 18 pour former le neuvième composant 10l.During assembly, the core layer 18 is attached to the bottom layer 16 and the top layer 14 is attached to the core layer 18 to form the ninth component 10l.

Ainsi, après assemblage, la zone de propagation 19 comprend le barreau diélectrique 28 délimité dans la couche supérieure 14, le barreau diélectrique 28 présentant une surface délimitant la cavité 32.Thus, after assembly, the propagation zone 19 comprises the dielectric bar 28 delimited in the upper layer 14, the dielectric bar 28 having a surface delimiting the cavity 32.

En variante non représentée du neuvième composant 10I, le barreau diélectrique 28 est délimité dans la couche inférieure 16. Dans le procédé de fabrication associé, l'étape de fourniture de la couche inférieure 16 comprend la réalisation du barreau diélectrique 28.As a variant not shown of the ninth component 10I, the dielectric bar 28 is delimited in the lower layer 16. In the associated manufacturing process, the step of supplying the lower layer 16 comprises the production of the dielectric bar 28.

En variante non représentée du neuvième composant 10l, le barreau diélectrique 28 n'est pas centré sur le plan médian des bords latéraux 36. En particulier, le barreau diélectrique 28 est latéralement décalé par rapport au plan médian des bords latéraux 36.As a variant not shown of the ninth component 10l, the dielectric bar 28 is not centered on the median plane of the side edges 36. In particular, the dielectric bar 28 is laterally offset relative to the median plane of the side edges 36.

Les frontières latérales supérieures 78 sont alors dépourvues de symétrie par rapport au plan médian des bords latéraux 36.The upper lateral borders 78 are then devoid of symmetry with respect to the median plane of the lateral edges 36.

Un dixième composant 10J selon l'invention va maintenant être décrit en regard de la figure 15.A tenth component 10J according to the invention will now be described with regard to the Figure 15 .

Ce dixième composant 10J diffère du neuvième composant 10l en ce que ledit barreau diélectrique 28 est un premier barreau diélectrique 28.This tenth component 10J differs from the ninth component 10l in that said dielectric bar 28 is a first dielectric bar 28.

Le guide d'onde 12 comprend en outre un deuxième barreau diélectrique 72 disposé dans la zone de propagation 19 et délimité dans la couche inférieure 16, à l'écart du premier barreau diélectrique 28.The waveguide 12 further comprises a second dielectric bar 72 disposed in the propagation zone 19 and delimited in the lower layer 16, away from the first dielectric bar 28.

Le deuxième barreau diélectrique 72 est ainsi formé dans la couche inférieure 16 notamment à l'écart du premier barreau diélectrique 28.The second dielectric bar 72 is thus formed in the lower layer 16 in particular away from the first dielectric bar 28.

Le deuxième barreau diélectrique 72 est formé dans la sous-couche centrale 26B de la couche inférieure 16 et est délimité par une partie de la sous-couche inférieure 24B électriquement conductrice de la couche inférieure 16 et, latéralement entre deux frontières latérales inférieures 82.The second dielectric bar 72 is formed in the central sub-layer 26B of the lower layer 16 and is delimited by a part of the electrically conductive lower sub-layer 24B of the lower layer 16 and laterally between two lower lateral boundaries 82.

Le deuxième barreau diélectrique 72 débouche sur la cavité 32.The second dielectric bar 72 opens into the cavity 32.

Comme illustré sur la figure 15, le deuxième barreau diélectrique 72 présente une surface 84 délimitant la cavité 32.As illustrated on the Figure 15 , the second dielectric bar 72 has a surface 84 delimiting the cavity 32.

Le deuxième barreau diélectrique 72 est disposé entre un plan définit par une surface inférieure 21C de la couche centrale 18 et un plan définit par une surface inférieure 21B de la couche inférieure 16.The second dielectric bar 72 is arranged between a plane defined by a lower surface 21C of the central layer 18 and a plane defined by a lower surface 21B of the lower layer 16.

La couche inférieure 16 est dépourvue de sous-couche supérieure 22B, dans au moins une partie de la couche inférieure 16 entre les deux frontières latérales inférieures 82. En particulier, dans l'exemple illustré sur la figure 15, la couche inférieure 16 est entièrement dépourvue de sous-couche supérieure 22B, entre les deux frontières latérales inférieures 82.The lower layer 16 is devoid of upper sub-layer 22B, in at least part of the lower layer 16 between the two lower lateral borders 82. In particular, in the example illustrated in the Figure 15 , the lower layer 16 is entirely devoid of upper sub-layer 22B, between the two lower lateral borders 82.

Le deuxième barreau diélectrique 72 disposé dans la zone de propagation 19, tel que, en projection sur la surface supérieure 20B de la couche inférieure 16, ledit deuxième barreau diélectrique 72 est à l'écart des bords latéraux 36 de la cavité 32.The second dielectric bar 72 disposed in the propagation zone 19, such that, in projection on the upper surface 20B of the lower layer 16, said second dielectric bar 72 is away from the lateral edges 36 of the cavity 32.

Comme dans le neuvième composant 10l, la zone de propagation 19 est délimitée par une partie de la sous-couche inférieure 24A électriquement conductrice de la couche supérieure 14, une partie la sous-couche supérieure 22A électriquement conductrice de la couche supérieure 14 et les frontières latérales supérieures 78 joignant lesdites parties. La zone de propagation 19 est aussi délimitée latéralement par les deux frontières latérales centrales 30 aménagées chacune dans la couche centrale 18 et espacées l'une de l'autre.As in the ninth component 10l, the propagation zone 19 is delimited by part of the electrically conductive lower sublayer 24A of the upper layer 14, part of the electrically conductive upper sublayer 22A of the upper layer 14 and the boundaries upper laterals 78 joining said parts. The propagation zone 19 is also delimited laterally by the two central lateral borders 30 each provided in the central layer 18 and spaced from one another.

En outre, dans le dixième composant 10J, la zone de propagation 19 est délimitée par la partie de la sous-couche inférieure 24B électriquement conductrice de la couche inférieure 16 s'étendant en-dessous du deuxième barreau diélectrique 72, par une partie de la sous-couche supérieure 22B électriquement conductrice de la couche inférieure 16, et par les frontières latérales inférieures 82, les frontières latérales inférieures 82 joignant lesdites parties.Furthermore, in the tenth component 10J, the propagation zone 19 is delimited by the part of the electrically conductive lower sublayer 24B of the lower layer 16 extending below the second dielectric bar 72, by a part of the electrically conductive upper sublayer 22B of the lower layer 16, and by the lower lateral borders 82, the lower lateral borders 82 joining said parts.

Les frontières latérales inférieures 82 de la zone de propagation 19 sont propres à empêcher le passage d'une onde électromagnétique présentant une longueur d'onde supérieure ou égale à la longueur d'onde minimale prédéterminée.The lower lateral boundaries 82 of the propagation zone 19 are capable of preventing the passage of an electromagnetic wave having a wavelength greater than or equal to the predetermined minimum wavelength.

Les frontières latérales inférieures 82 sont aménagées chacune dans la couche inférieure 16.The lower lateral borders 82 are each arranged in the lower layer 16.

Les frontières latérales inférieures 82 s'étendent parallèlement à l'axe de propagation X-X et sont ici parallèles l'une par rapport à l'autre.The lower lateral boundaries 82 extend parallel to the propagation axis X-X and are here parallel to each other.

Elles s'étendent notamment sur toute l'épaisseur de la couche inférieure 16.They extend in particular over the entire thickness of the lower layer 16.

Les frontières latérales inférieures 82 sont espacées l'une de l'autre.The lower side borders 82 are spaced apart from each other.

Elles sont notamment ici symétriques l'une de l'autre par rapport au plan médian des bords latéraux 36. Le deuxième barreau diélectrique 72 est ainsi ici centré sur le plan médian des bords latéraux 36.They are in particular here symmetrical to each other with respect to the median plane of the side edges 36. The second dielectric bar 72 is thus here centered on the median plane of the side edges 36.

Une section transversale de la zone de propagation 19 présente sensiblement une forme en croix.A cross section of the propagation zone 19 has substantially a cross shape.

En particulier, les frontières latérales inférieures 82 s'étendent par exemple ici respectivement dans le prolongement des frontières latérales supérieures 78.In particular, the lower lateral borders 82 extend for example here respectively in the extension of the upper lateral borders 78.

En outre, dans l'exemple illustré sur la figure 15, en projection sur la surface supérieure 20B de la couche inférieure 16, les frontières latérales inférieures 82 sont disposées à l'écart et entre les bords latéraux 36.Furthermore, in the example illustrated on the Figure 15 , in projection on the upper surface 20B of the lower layer 16, the lower side borders 82 are arranged apart from and between the side edges 36.

Chaque frontière latérale inférieure 82 connecte électriquement la sous-couche supérieure 22B de la couche inférieure 16 et la sous-couche inférieure 24B de la couche inférieure 16 entre elles.Each lower lateral boundary 82 electrically connects the upper sub-layer 22B of the lower layer 16 and the lower sub-layer 24B of the lower layer 16 between them.

Les frontières latérales inférieures 82, les frontières latérales supérieures 78 et les frontières latérales centrales 30 connectent électriquement la sous-couche inférieure 24B de la couche inférieure 16 à la sous-couche supérieure 22A de la couche supérieure 14 respectivement de part et d'autre de la cavité 32.The lower side boundaries 82, the upper side boundaries 78 and the central side boundaries 30 electrically connect the lower sub-layer 24B of the lower layer 16 to the upper sub-layer 22A of the upper layer 14 respectively on either side of the cavity 32.

Dans le mode de réalisation de la figure 15, chaque frontière latérale inférieure 82 comprend une rangée de vias 34 électriquement conducteurs, aménagés à travers la couche inférieure 16. Plus précisément, chaque via 34 s'étend selon la direction Z-Z, en traversant la couche inférieure 16.In the embodiment of the Figure 15 , each lower lateral boundary 82 comprises a row of electrically conductive vias 34, arranged through the lower layer 16. More precisely, each via 34 extends in the direction ZZ, crossing the lower layer 16.

Chaque via 34 connecte électriquement la sous-couche supérieure 22B de la couche inférieure 16 et la sous-couche inférieure 24B de la couche inférieure 16 entre elles.Each via 34 electrically connects the upper sublayer 22B of the lower layer 16 and the lower sublayer 24B of the lower layer 16 between them.

L'écartement entre deux vias 34 successifs d'une frontière latérale inférieure 82 est inférieur à la longueur d'onde minimale prédéterminée, notamment inférieur à un dixième de la longueur d'onde minimale prédéterminée, de préférence inférieur à un vingtième de la longueur d'onde minimale prédéterminée.The spacing between two successive vias 34 of a lower lateral boundary 82 is less than the predetermined minimum wavelength, in particular less than one tenth of the predetermined minimum wavelength, preferably less than one twentieth of the length d predetermined minimum wave.

Un dixième procédé relatif à la fabrication du dixième composant 10J va maintenant être décrit.A tenth process relating to the manufacture of the tenth component 10J will now be described.

Le dixième procédé diffère du neuvième procédé en ce que l'étape de réalisation décrite du barreau diélectrique 28 correspond à la réalisation du premier barreau diélectrique 28.The tenth method differs from the ninth method in that the step of producing the dielectric bar 28 described corresponds to the production of the first dielectric bar 28.

Dans le dixième procédé, l'étape de fourniture de la couche inférieure 16 comprend la réalisation du deuxième barreau diélectrique 72.In the tenth method, the step of providing the lower layer 16 comprises the production of the second dielectric bar 72.

La fourniture de la couche inférieure 16 comprend la fourniture d'une couche initiale inférieure, la couche initiale inférieure étant destinée à former la couche inférieure 16.The provision of the lower layer 16 comprises the provision of a lower initial layer, the lower initial layer being intended to form the lower layer 16.

La couche initiale inférieure comprend ainsi au moins une sous-couche diélectrique initiale, destinée à former la sous-couche centrale 26B de la couche inférieure 16, une sous-couche supérieure électriquement conductrice, destinée à former la sous-couche supérieure 22B de la couche inférieure 16, et une sous-couche inférieure électriquement conductrice, destinée à former la sous-couche inférieure 24B de la couche inférieure 16.The lower initial layer thus comprises at least one initial dielectric sub-layer, intended to form the central sub-layer 26B of the lower layer 16, an upper electrically conductive sub-layer, intended to form the upper sub-layer 22B of the layer lower sub-layer 16, and an electrically conductive lower sub-layer, intended to form the lower sub-layer 24B of the lower layer 16.

La réalisation du deuxième barreau diélectrique 72 comprend l'implémentation des frontières latérales inférieures 82 et la suppression d'au moins une partie, avantageusement de l'intégralité, de la sous-couche supérieure électriquement conductrice de la couche initiale inférieure s'étendant entre les deux frontières latérales inférieures 82.The production of the second dielectric bar 72 comprises the implementation of the lower lateral boundaries 82 and the removal of at least a part, advantageously the entirety, of the electrically conductive upper sub-layer of the lower initial layer extending between the two lower lateral borders 82.

La partie de la sous-couche centrale diélectrique de la couche initiale inférieure délimitée entre les frontières latérales inférieures 82 forme ledit deuxième barreau diélectrique 72.The part of the central dielectric sub-layer of the lower initial layer delimited between the lower lateral boundaries 82 forms said second dielectric bar 72.

A l'issue de l'étape de réalisation du deuxième barreau diélectrique 72, la couche initiale inférieure forme la couche inférieure 16.At the end of the step of producing the second dielectric bar 72, the lower initial layer forms the lower layer 16.

Lors de l'assemblage, la couche centrale 18 est fixée à la couche inférieure 16 et la couche supérieure 14 est fixée à la couche centrale 18 pour former le dixième composant 10J.During assembly, the core layer 18 is attached to the bottom layer 16 and the top layer 14 is attached to the core layer 18 to form the tenth component 10J.

Ainsi, après assemblage, la zone de propagation 19 comprend un deuxième barreau diélectrique 72 délimité dans la couche inférieure 16, le deuxième barreau diélectrique 72 étant à l'écart du premier barreau diélectrique 28.Thus, after assembly, the propagation zone 19 comprises a second dielectric bar 72 delimited in the lower layer 16, the second dielectric bar 72 being spaced from the first dielectric bar 28.

En variante du dixième composant 10J, le deuxième barreau diélectrique 72 n'est pas centré sur le plan médian des bords latéraux 36. En particulier, le deuxième barreau diélectrique 72 est latéralement décalé par rapport au plan médian des bords latéraux 36.As a variant of the tenth component 10J, the second dielectric bar 72 is not centered on the median plane of the side edges 36. In particular, the second dielectric bar 72 is laterally offset relative to the median plane of the side edges 36.

Les frontières latérales inférieures 82 sont alors dépourvues de symétrie par rapport au plan médian des bords latéraux 36.The lower lateral borders 82 are then devoid of symmetry with respect to the median plane of the lateral edges 36.

Un onzième composant 10K selon l'invention va maintenant être décrit en regard de la figure 16.An eleventh 10K component according to the invention will now be described with regard to the Figure 16 .

Le onzième composant 10K diffère du neuvième composant 10l en ce que ledit barreau diélectrique 28 est un premier barreau diélectrique 28.The eleventh component 10K differs from the ninth component 10l in that said dielectric bar 28 is a first dielectric bar 28.

Le guide d'onde 12 comprend en outre un deuxième barreau diélectrique 72 disposé dans la zone de propagation 19 et délimité dans la couche supérieure 14, à l'écart du premier barreau diélectrique 28.The waveguide 12 further comprises a second dielectric bar 72 disposed in the propagation zone 19 and delimited in the upper layer 14, away from the first dielectric bar 28.

Le deuxième barreau diélectrique 72 est ainsi formé dans la couche supérieure 14, notamment à l'écart du premier barreau diélectrique 28.The second dielectric bar 72 is thus formed in the upper layer 14, in particular away from the first dielectric bar 28.

Le premier barreau diélectrique 28 et le deuxième barreau diélectrique 72 sont chacun formés dans la sous-couche centrale 26A de la couche supérieure 14 et sont respectivement délimités par une partie de la sous-couche supérieure 22A électriquement conductrice de la couche supérieure 14 et, latéralement entre une frontière latérale supérieure intérieure 86 et une frontière latérale supérieure extérieure 88.The first dielectric bar 28 and the second dielectric bar 72 are each formed in the central sub-layer 26A of the upper layer 14 and are respectively delimited by a part of the electrically conductive upper sub-layer 22A of the upper layer 14 and, laterally between an inner upper lateral border 86 and an outer upper lateral border 88.

Le premier barreau diélectrique 28 et le deuxième barreau diélectrique 72 débouchent chacun au moins en partie sur la cavité 32.The first dielectric bar 28 and the second dielectric bar 72 each open at least partially onto the cavity 32.

Comme illustré sur la figure 16, le premier barreau diélectrique 28 et le deuxième barreau diélectrique 72 présentent chacun une surface 90A, 90B délimitant la cavité 32.As illustrated on the Figure 16 , the first dielectric bar 28 and the second dielectric bar 72 each have a surface 90A, 90B delimiting the cavity 32.

Entre une frontière latérale supérieure intérieure 86 et la frontière latérale supérieure extérieure 88 qui lui est adjacente, la couche supérieure 14 est dépourvue de sous-couche inférieure 24A, dans au moins une partie de la couche supérieure 14. Par « une frontière latérale supérieure intérieure et une frontière latérale supérieure extérieure adjacentes », on entend qu'aucune frontière latérale supérieure intérieure 86 n'est interposée entre lesdites frontières.Between an interior upper lateral border 86 and the exterior upper lateral border 88 which is adjacent to it, the upper layer 14 is devoid of lower sublayer 24A, in at least a part of the upper layer 14. By "an interior upper lateral border and an adjacent outer upper lateral border", it is understood that no inner upper lateral border 86 is interposed between said borders.

Comme dans le premier composant 10A, la zone de propagation 19 est délimitée par la sous-couche supérieure 22B électriquement conductrice de la couche inférieure 16 et les deux frontières latérales centrales 30 aménagées chacune dans la couche centrale 18 et espacées l'une de l'autre.As in the first component 10A, the propagation zone 19 is delimited by the electrically conductive upper sublayer 22B of the lower layer 16 and the two central lateral boundaries 30 each provided in the central layer 18 and spaced apart from one another. other.

En outre, dans le onzième composant 10K, la zone de propagation 19 est délimitée par la partie de la sous-couche supérieure 22A de la couche supérieure 14 s'étendant au-dessus du premier barreau diélectrique 28 et du deuxième barreau diélectrique 72, par une partie de la sous-couche inférieure 24A électriquement conductrice de la couche supérieure 14, et par les frontières latérales supérieures intérieures 86 et par les frontières latérales supérieures extérieures 88, les frontières latérales supérieures intérieures 86 et extérieures 88 joignant lesdites parties.Furthermore, in the eleventh component 10K, the propagation zone 19 is delimited by the part of the upper sublayer 22A of the upper layer 14 extending above the first dielectric bar 28 and the second dielectric bar 72, by a part of the electrically conductive lower sub-layer 24A of the upper layer 14, and by the upper inner lateral borders 86 and by the upper outer lateral borders 88, the upper inner 86 and outer lateral borders 88 joining said parts.

Les frontières latérales supérieures intérieures 86 et extérieures 88 sont propres à empêcher le passage d'une onde électromagnétique présentant une longueur d'onde supérieure ou égale à la longueur d'onde minimale prédéterminée.The upper inner 86 and outer 88 lateral boundaries are capable of preventing the passage of an electromagnetic wave having a wavelength greater than or equal to the predetermined minimum wavelength.

Les frontières latérales supérieures intérieures 86 et extérieures 88 sont aménagées chacune dans la couche supérieure 14.The upper inner 86 and outer 88 side borders are each arranged in the upper layer 14.

Les frontières latérales supérieures intérieures 86 et extérieures 88 s'étendent parallèlement à l'axe de propagation X-X et sont ici parallèles l'une par rapport à l'autre.The upper inner 86 and outer 88 lateral boundaries extend parallel to the propagation axis X-X and are here parallel to each other.

Elles s'étendent notamment sur toute l'épaisseur de la couche supérieure 14.They extend in particular over the entire thickness of the upper layer 14.

Les frontières latérales supérieures intérieures 86 et extérieures 88 sont espacées les unes des autres.The upper inner 86 and outer 88 side borders are spaced from each other.

Les frontières latérales supérieures intérieures 86 et extérieures 88 connectent respectivement électriquement la sous-couche inférieure 24A de la couche supérieure 14 et la sous-couche supérieure 22A de la couche supérieure 14 entre elles.The upper inner 86 and outer 88 side boundaries respectively electrically connect the lower sub-layer 24A of the upper layer 14 and the upper sub-layer 22A of the upper layer 14 to each other.

Les frontières latérales supérieures extérieures 88 et les frontières latérales centrales 30 connectent électriquement la sous-couche supérieure 22B de la couche inférieure 16 à la sous-couche supérieure 22A de la couche supérieure 14, respectivement de part et d'autre de la cavité 32.The upper outer lateral borders 88 and the central lateral borders 30 electrically connect the upper sub-layer 22B of the lower layer 16 to the upper sub-layer 22A of the upper layer 14, respectively on either side of the cavity 32.

Dans l'exemple illustré sur la figure 16, les frontières latérales supérieures extérieures 88 sont respectivement disposées dans le prolongement des frontières latérales centrales 30. En variante, elles sont latéralement décalées par rapport aux frontières latérales centrales 30.In the example illustrated on the Figure 16 , the upper outer lateral borders 88 are respectively arranged in the extension of the central lateral borders 30. Alternatively, they are laterally offset relative to the central lateral borders 30.

Les frontières latérales supérieures extérieures 88 sont ici symétriques l'une de l'autre par rapport au plan médian des bords latéraux 36.The upper outer lateral borders 88 are here symmetrical to each other with respect to the median plane of the lateral edges 36.

Les frontières latérales supérieures intérieures 86 sont disposées entre les frontières latérales supérieures extérieures 88.The inner upper side borders 86 are arranged between the outer upper side borders 88.

Les frontières latérales supérieures intérieures 86 sont ici symétriques l'une de l'autre par rapport au plan médian des bords latéraux 36.The upper interior lateral borders 86 are here symmetrical to each other with respect to the median plane of the lateral edges 36.

Le premier barreau diélectrique 28 et le deuxième barreau diélectrique 72 sont chacun latéralement décalés par rapport au plan médian des bords latéraux 36.The first dielectric bar 28 and the second dielectric bar 72 are each laterally offset relative to the median plane of the lateral edges 36.

Dans l'exemple illustré sur la figure 16, en projection sur la surface supérieure 20B de la couche inférieure 16, les frontières latérales supérieures intérieures 86 sont disposées à l'écart et entre les bords latéraux 36.In the example illustrated on the Figure 16 , in projection on the upper surface 20B of the lower layer 16, the upper inner side borders 86 are arranged apart from and between the side edges 36.

La sous-couche inférieure 24A de la couche supérieure 14 connecte électriquement les frontières latérales supérieures intérieures 86 entre elles.The lower sublayer 24A of the upper layer 14 electrically connects the inner upper side boundaries 86 together.

Entre les frontières latérales supérieures intérieures 86, la sous-couche inférieure 24A de la couche supérieure 14 est continue. Par « continue », on entend que la sous-couche inférieure 24A de la couche supérieure 14 est dépourvue d'ouverture traversante.Between the upper inner side boundaries 86, the lower sub-layer 24A of the upper layer 14 is continuous. By “continuous” we mean that the lower sub-layer 24A of the upper layer 14 does not have a through opening.

Dans le mode de réalisation de la figure 16, chacune des frontières latérales supérieures intérieures 86 et extérieures 88 comprend une rangée de vias 34 électriquement conducteurs, aménagés à travers la couche supérieure 14. Plus précisément, chaque via s'étend selon la direction Z-Z, en traversant la couche supérieure 14.In the embodiment of the Figure 16 , each of the upper inner 86 and outer 88 lateral boundaries comprises a row of electrically conductive vias 34, arranged through the upper layer 14. More precisely, each via extends in the direction ZZ, crossing the upper layer 14.

Chaque via connecte électriquement la sous-couche inférieure 24A de la couche supérieure 14 et la sous-couche supérieure 22A de la couche supérieure 14 entre elles.Each via electrically connects the lower sublayer 24A of the upper layer 14 and the upper sublayer 22A of the upper layer 14 between them.

L'écartement entre deux vias 34 successifs d'une frontière latérale supérieure intérieure 86 ou extérieure 88 est inférieur à la longueur d'onde minimale prédéterminée, notamment inférieur à un dixième de la longueur d'onde minimale prédéterminée, de préférence inférieur à un vingtième de la longueur d'onde minimale prédéterminée.The spacing between two successive vias 34 of an interior upper lateral boundary 86 or exterior 88 is less than the predetermined minimum wavelength, in particular less than one tenth of the predetermined minimum wavelength, preferably less than one twentieth of the predetermined minimum wavelength.

Un onzième procédé relatif à la fabrication du onzième composant 10K va maintenant être décrit.An eleventh method relating to the manufacture of the eleventh component 10K will now be described.

Le onzième procédé diffère du neuvième procédé en ce que l'étape de fourniture de la couche supérieure 14 comprend la réalisation du premier barreau diélectrique 28 et la réalisation du deuxième barreau diélectrique 72.The eleventh method differs from the ninth method in that the step of providing the upper layer 14 includes the production of the first dielectric bar 28 and the production of the second dielectric bar 72.

L'étape de réalisation comprend l'implémentation des frontières latérales supérieures intérieures 86 et extérieures 88 dans la couche supérieure 14, et la suppression d'au moins une partie de la sous-couche inférieure électriquement conductrice de la couche initiale supérieure s'étendant entre les frontières latérales supérieures intérieures 86 et extérieures 88 adjacentes les unes aux autres.The production step comprises implementing the upper inner 86 and outer 88 lateral boundaries in the upper layer 14, and removing at least a portion of the electrically conductive lower sublayer of the upper initial layer extending between the upper inner 86 and outer 88 side borders adjacent to each other.

Les parties de la sous-couche centrale diélectrique de la couche initiale supérieure délimitées entre les frontières latérales supérieures intérieure 86 et extérieure 88 adjacentes forment le premier barreau diélectrique 28 et le deuxième barreau diélectrique 72.The parts of the central dielectric sub-layer of the upper initial layer delimited between the adjacent upper inner 86 and outer 88 lateral boundaries form the first dielectric bar 28 and the second dielectric bar 72.

Un douzième composant 10L selon l'invention va maintenant être décrit en regard de la figure 17.A twelfth component 10L according to the invention will now be described with regard to the Figure 17 .

Le douzième composant 10L diffère du onzième composant 10K en ce que le guide d'onde 12 comprend en outre un autre barreau diélectrique 28, ledit autre barreau diélectrique 28 étant disposé dans la cavité 32, à l'écart des bords latéraux 36 de la cavité 32.The twelfth component 10L differs from the eleventh component 10K in that the waveguide 12 further comprises another dielectric bar 28, said other dielectric bar 28 being disposed in the cavity 32, away from the lateral edges 36 of the cavity 32.

Ledit autre barreau diélectrique 28 est similaire au barreau diélectrique du premier composant 10A.Said other dielectric bar 28 is similar to the dielectric bar of the first component 10A.

Le douzième composant 10L permet d'élargir la bande monomode et d'obtenir également des caractéristiques de propagation intéressante pour le domaine d'application radiofréquences.The twelfth component 10L makes it possible to broaden the single-mode band and also obtain interesting propagation characteristics for the radio frequency application domain.

Un douzième procédé relatif à la fabrication du douzième composant 10L va maintenant être décrit.A twelfth process relating to the manufacture of the twelfth component 10L will now be described.

Le douzième procédé diffère du onzième procédé en ce qu'il comprend en outre une étape de réalisation de l'autre barreau diélectrique 28.The twelfth method differs from the eleventh method in that it also includes a step of producing the other dielectric bar 28.

Cette étape de réalisation de l'autre barreau diélectrique 28 est sensiblement similaire à l'étape de réalisation du barreau diélectrique du premier procédé.This step of producing the other dielectric bar 28 is substantially similar to the step of producing the dielectric bar of the first method.

Claims (15)

  1. A microwave component (10) including a waveguide (12) comprising at least one upper layer (14) having at least one electrically conductive surface, a lower layer (16) having at least one electrically conductive surface, and a central layer (18) intermediate between the upper layer (14) and the lower layer (16), said layers defining a zone of propagation (19) for an electromagnetic wave,
    the propagation zone (19) extending along a propagation axis (X-X), each of the upper layer (14), lower layer (16) and central layer (18) extending parallel to a plane (XY), defined by the propagation axis (X-X) and by a transverse axis (Y-Y) orthogonal to the propagation axis (X-X),
    the propagation zone (19) comprising a cavity (32), the cavity (32) being bounded by the upper layer (14), the lower layer (16), and, laterally, by two opposite lateral edges (36) of the central layer (18), the lateral edges (36) of the central layer (18) extending parallel to the propagation axis, the cavity (32) being filled with a fluid having a dielectric constant, or defining a sealed closed volume and being empty of fluid.
    the waveguide (12) comprising at least one dielectric strip (28) placed in the propagation zone (19) extending along a longitudinal direction parallel to the propagation axis (X-X),
    and wherein:
    * the dielectric strip (28) is defined in one of the upper layer (14) and the lower layer (16), or;
    * the dielectric strip (28) is placed in the cavity (32) away from the lateral edges (36) of the cavity (32), the dielectric strip (28) having a thickness smaller than the height of the cavity (32), the thickness of the dielectric strip (28) and the height of the cavity (32) being taken along a direction (Z-Z) orthogonal to the propagation axis (X-X) and the transverse axis (Y-Y).
  2. The component according to claim 1, wherein the dielectric strip (28) is centered on a median plane of the two lateral edges (36) or is laterally offset from the median plane of the two lateral edges (36).
  3. The component according to any one of claims 1 or 2, wherein said dielectric strip (28) is placed in the cavity (32) separated from the lateral edges (36) of the cavity (32), the waveguide (12) comprising a functional attachment component (58), the functional attachment component (58) being formed by a plurality of dielectric fasteners (56) integral with the dielectric strip (28), each dielectric fastener (56) being in the form of a rectilinear bar and extending from one of the lateral edges (36), the dielectric fasteners (56) being configured to perform a filter function for an electromagnetic wave propagating in the propagation zone (19).
  4. The component according to any one of claims 1 to 3, wherein said dielectric strip (28) is placed in the cavity (32) separated from the lateral edges (36) of the cavity (32), the central layer (18) comprising at least one dielectric sublayer (26C), the cavity (32) being defined along the propagation axis between a front end (60) and a rear end (62) of the central layer (18), the dielectric strip (28) extending from the front end (60) to the rear end (62) and being integral with said dielectric sublayer (26C) of the central layer (18).
  5. The component according to any one of claims 1 to 4, wherein said dielectric strip (28) is placed in the cavity (32) separated from the lateral edges (36) of the cavity (32), said dielectric strip (28) being a first dielectric strip (28), the waveguide (12) further comprising a second dielectric strip (72), the second dielectric strip (72) being placed in the cavity (32), separated from said first dielectric strip (28), and separated from the lateral edges (36) of the cavity (32).
  6. The component according to any one of claims 1 or 2, wherein the dielectric strip (28) is defined in one of the upper layer (14) and the lower layer (16), said dielectric strip (28) having a surface (80, 84, 90A, 90B) defining the cavity (32).
  7. The component according to claim 6, wherein said dielectric strip (28) is a first dielectric strip (28), the waveguide (12) further comprising a second dielectric strip (72) placed in the propagation zone (19), the second dielectric strip (72) being delimited in one of the upper layer (14) and the lower layer (16), separated from the first dielectric strip (28), and having a surface (80, 84, 90A, 90B) defining the cavity (32).
  8. The component according to any one of claims 6 or 7, wherein the waveguide (12) further comprises another dielectric strip (28), said other dielectric strip (28) being positioned in the cavity (32), separated from the lateral edges (36) of the cavity (32).
  9. A process for manufacturing a microwave component comprising the following steps:
    - providing an upper layer (14) and a lower layer (16) respectively having at least one electrically conductive surface;
    - providing a central layer having one or several recess(es), said recess (44) or said plurality of recesses (44) being intended to form a cavity (32) defined laterally by opposite lateral edges (36) formed by the central layer (18); then
    - assembling the layers such that the central layer (18) is intermediate between the upper layer (14) and the lower layer (16), the layers defining a zone of propagation (19) for an electromagnetic wave, the propagation zone (19) extending along a propagation axis (X-X), each of the upper layer (14), lower layer (16) and central layer (18) extending parallel to a plane (XY), defined by the propagation axis (X-X) and by a transverse axis (Y-Y) orthogonal to the propagation axis (X-X), the propagation zone (19) comprising a cavity (32), the cavity (32) being formed by said recess (44) or said plurality of recesses (44) while being bounded by the upper layer (14), the lower layer (16), and, laterally, by said lateral edges (36) of the central layer (18), the lateral edges (36) of the central layer (18) extending parallel to the propagation axis, the cavity (32) being filled with a fluid having a dielectric constant, or defining a sealed closed volume and being empty of fluid;
    the step for providing at least one of the layers (14, 16, 18) comprising producing a dielectric strip (28), said dielectric strip (28) being placed or intended to be placed in said layer (14, 16, 18):
    * such that after the assembly step, the dielectric strip (28) is placed in the propagation zone (19), extends along a longitudinal direction parallel to the propagation axis (X-X), and is defined in one of the upper layer (14) and the lower layer (16), or ;
    * such that after the assembly step, the dielectric strip (28) is placed in the propagation zone (19) and in the cavity (32) separated from the lateral edges (36) of the cavity (32), the dielectric strip (28) extending along a longitudinal direction parallel to the propagation axis (X-X) and having a thickness smaller than the height of the cavity (32), the thickness of the dielectric strip (28) and the height of the cavity (32) being taken along a direction (Z-Z) orthogonal to the propagation axis (X-X) and the transverse axis (Y-Y).
  10. The process according to claim 9, wherein the step for providing the central layer (18) comprises producing the dielectric strip (28), said dielectric strip (28) being placed or intended to be placed in said central layer (18), such that after the assembly step, the dielectric strip (28) is placed in the propagation zone (19) and in the cavity (32) separated from the lateral edges (36) of the cavity (32),
    the dielectric strip (28) being intended to be placed between a plane defined by an upper surface (20C) of the central layer (18) and a plane defined by a lower surface (21C) of the central layer (18).
  11. The process according to claim 10, wherein the step for providing the central layer (18) comprises:
    - providing an initial layer (46), the initial layer (46) being intended to form the central layer (18), comprising at least one initial dielectric sublayer (48) and being devoid of recess,
    - cutting, in the initial layer (46), said plurality of recesses (44) intended to form the cavity (32),
    the step for producing the dielectric strip (28) being carried out during the cutting of said plurality of recesses (44), said plurality of cut recesses (44) defining said dielectric strip (28), the dielectric strip (28) having a length, taken along the propagation axis, equal to the length of the cavity (32), taken along the propagation axis.
  12. The process according to claim 10, wherein the step for providing the central layer (18) comprises:
    - providing an initial layer (46), the initial layer (46) being intended to form the central layer (18), comprising at least one initial dielectric sublayer (48) and being devoid of recess,
    - cutting, in the initial layer (46), said plurality of recesses (44) intended to form the cavity (32),
    the step for producing the dielectric strip (28) being carried out during the cutting of said plurality of recesses (44), said plurality of cut recesses (44) being intended to define the cavity (32), and defining the dielectric strip (28) and attachment means (54) of the dielectric strip (28),
    the attachment means (54) comprising a plurality of dielectric fasteners (56) coupling the dielectric strip (28) to at least one of the lateral edges (36).
  13. The process according to claim 10, wherein the step for producing the dielectric strip (28) comprises providing a dielectric strip (28) and attachment means (54) of the dielectric strip (28), the attachment means (54) comprising a plurality of dielectric fasteners (56) secured to said dielectric strip (28), the dielectric strip (28) and the attachment means (54) being provided separated from the central layer (18).
  14. The process according to any one of claims 12 or 13, wherein the assembly step of the layers comprises attaching the central layer (18) to the lower layer (16), then removing the attachment means (54), by cutting them, once the central layer (18) is attached to the lower layer (16).
  15. The process according to claim 10, wherein the step for providing one of the upper layer (14) and the lower layer (16) comprises producing the dielectric strip (28), said dielectric strip (28) being placed or intended to be placed in said layer (14, 16), such that after the assembly step, the dielectric strip (28) is placed in the propagation zone (19) and is defined in said layer (14, 16).
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