EP3555970B1 - Verfahren zur herstellung eines hochfrequenz-steckverbinders sowie zugehörige vorrichtung - Google Patents

Verfahren zur herstellung eines hochfrequenz-steckverbinders sowie zugehörige vorrichtung Download PDF

Info

Publication number
EP3555970B1
EP3555970B1 EP19703290.7A EP19703290A EP3555970B1 EP 3555970 B1 EP3555970 B1 EP 3555970B1 EP 19703290 A EP19703290 A EP 19703290A EP 3555970 B1 EP3555970 B1 EP 3555970B1
Authority
EP
European Patent Office
Prior art keywords
body part
base body
frequency
shaped
contact
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
EP19703290.7A
Other languages
English (en)
French (fr)
Other versions
EP3555970A1 (de
Inventor
Frank Tatzel
Hauke SCHÜTT
Alexandra HENNIGER-LUDWIG
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Rosenberger Hochfrequenztechnik GmbH and Co KG
Original Assignee
Rosenberger Hochfrequenztechnik GmbH and Co KG
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Rosenberger Hochfrequenztechnik GmbH and Co KG filed Critical Rosenberger Hochfrequenztechnik GmbH and Co KG
Publication of EP3555970A1 publication Critical patent/EP3555970A1/de
Application granted granted Critical
Publication of EP3555970B1 publication Critical patent/EP3555970B1/de
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01R—ELECTRICALLY-CONDUCTIVE CONNECTIONS; STRUCTURAL ASSOCIATIONS OF A PLURALITY OF MUTUALLY-INSULATED ELECTRICAL CONNECTING ELEMENTS; COUPLING DEVICES; CURRENT COLLECTORS
    • H01R13/00—Details of coupling devices of the kinds covered by groups H01R12/70 or H01R24/00 - H01R33/00
    • H01R13/02—Contact members
    • H01R13/03—Contact members characterised by the material, e.g. plating, or coating materials
    • H01R13/035—Plated dielectric material
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01R—ELECTRICALLY-CONDUCTIVE CONNECTIONS; STRUCTURAL ASSOCIATIONS OF A PLURALITY OF MUTUALLY-INSULATED ELECTRICAL CONNECTING ELEMENTS; COUPLING DEVICES; CURRENT COLLECTORS
    • H01R13/00—Details of coupling devices of the kinds covered by groups H01R12/70 or H01R24/00 - H01R33/00
    • H01R13/02—Contact members
    • H01R13/22—Contacts for co-operating by abutting
    • H01R13/24—Contacts for co-operating by abutting resilient; resiliently-mounted
    • H01R13/2407—Contacts for co-operating by abutting resilient; resiliently-mounted characterized by the resilient means
    • H01R13/2414—Contacts for co-operating by abutting resilient; resiliently-mounted characterized by the resilient means conductive elastomers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01R—ELECTRICALLY-CONDUCTIVE CONNECTIONS; STRUCTURAL ASSOCIATIONS OF A PLURALITY OF MUTUALLY-INSULATED ELECTRICAL CONNECTING ELEMENTS; COUPLING DEVICES; CURRENT COLLECTORS
    • H01R43/00—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing, assembling, maintaining, or repairing of line connectors or current collectors or for joining electric conductors
    • H01R43/007—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing, assembling, maintaining, or repairing of line connectors or current collectors or for joining electric conductors for elastomeric connecting elements
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01R—ELECTRICALLY-CONDUCTIVE CONNECTIONS; STRUCTURAL ASSOCIATIONS OF A PLURALITY OF MUTUALLY-INSULATED ELECTRICAL CONNECTING ELEMENTS; COUPLING DEVICES; CURRENT COLLECTORS
    • H01R12/00—Structural associations of a plurality of mutually-insulated electrical connecting elements, specially adapted for printed circuits, e.g. printed circuit boards [PCB], flat or ribbon cables, or like generally planar structures, e.g. terminal strips, terminal blocks; Coupling devices specially adapted for printed circuits, flat or ribbon cables, or like generally planar structures; Terminals specially adapted for contact with, or insertion into, printed circuits, flat or ribbon cables, or like generally planar structures
    • H01R12/70—Coupling devices
    • H01R12/71—Coupling devices for rigid printing circuits or like structures
    • H01R12/712—Coupling devices for rigid printing circuits or like structures co-operating with the surface of the printed circuit or with a coupling device exclusively provided on the surface of the printed circuit
    • H01R12/714—Coupling devices for rigid printing circuits or like structures co-operating with the surface of the printed circuit or with a coupling device exclusively provided on the surface of the printed circuit with contacts abutting directly the printed circuit; Button contacts therefore provided on the printed circuit
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01R—ELECTRICALLY-CONDUCTIVE CONNECTIONS; STRUCTURAL ASSOCIATIONS OF A PLURALITY OF MUTUALLY-INSULATED ELECTRICAL CONNECTING ELEMENTS; COUPLING DEVICES; CURRENT COLLECTORS
    • H01R12/00—Structural associations of a plurality of mutually-insulated electrical connecting elements, specially adapted for printed circuits, e.g. printed circuit boards [PCB], flat or ribbon cables, or like generally planar structures, e.g. terminal strips, terminal blocks; Coupling devices specially adapted for printed circuits, flat or ribbon cables, or like generally planar structures; Terminals specially adapted for contact with, or insertion into, printed circuits, flat or ribbon cables, or like generally planar structures
    • H01R12/70—Coupling devices
    • H01R12/71—Coupling devices for rigid printing circuits or like structures
    • H01R12/72—Coupling devices for rigid printing circuits or like structures coupling with the edge of the rigid printed circuits or like structures
    • H01R12/73—Coupling devices for rigid printing circuits or like structures coupling with the edge of the rigid printed circuits or like structures connecting to other rigid printed circuits or like structures
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01R—ELECTRICALLY-CONDUCTIVE CONNECTIONS; STRUCTURAL ASSOCIATIONS OF A PLURALITY OF MUTUALLY-INSULATED ELECTRICAL CONNECTING ELEMENTS; COUPLING DEVICES; CURRENT COLLECTORS
    • H01R13/00—Details of coupling devices of the kinds covered by groups H01R12/70 or H01R24/00 - H01R33/00
    • H01R13/02—Contact members
    • H01R13/22—Contacts for co-operating by abutting
    • H01R13/24—Contacts for co-operating by abutting resilient; resiliently-mounted
    • H01R13/2407—Contacts for co-operating by abutting resilient; resiliently-mounted characterized by the resilient means
    • H01R13/2421—Contacts for co-operating by abutting resilient; resiliently-mounted characterized by the resilient means using coil springs
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01R—ELECTRICALLY-CONDUCTIVE CONNECTIONS; STRUCTURAL ASSOCIATIONS OF A PLURALITY OF MUTUALLY-INSULATED ELECTRICAL CONNECTING ELEMENTS; COUPLING DEVICES; CURRENT COLLECTORS
    • H01R13/00—Details of coupling devices of the kinds covered by groups H01R12/70 or H01R24/00 - H01R33/00
    • H01R13/02—Contact members
    • H01R13/22—Contacts for co-operating by abutting
    • H01R13/24—Contacts for co-operating by abutting resilient; resiliently-mounted
    • H01R13/2442—Contacts for co-operating by abutting resilient; resiliently-mounted with a single cantilevered beam
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01R—ELECTRICALLY-CONDUCTIVE CONNECTIONS; STRUCTURAL ASSOCIATIONS OF A PLURALITY OF MUTUALLY-INSULATED ELECTRICAL CONNECTING ELEMENTS; COUPLING DEVICES; CURRENT COLLECTORS
    • H01R13/00—Details of coupling devices of the kinds covered by groups H01R12/70 or H01R24/00 - H01R33/00
    • H01R13/02—Contact members
    • H01R13/22—Contacts for co-operating by abutting
    • H01R13/24—Contacts for co-operating by abutting resilient; resiliently-mounted
    • H01R13/2464—Contacts for co-operating by abutting resilient; resiliently-mounted characterized by the contact point
    • H01R13/2485—Contacts for co-operating by abutting resilient; resiliently-mounted characterized by the contact point for contacting a ball
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01R—ELECTRICALLY-CONDUCTIVE CONNECTIONS; STRUCTURAL ASSOCIATIONS OF A PLURALITY OF MUTUALLY-INSULATED ELECTRICAL CONNECTING ELEMENTS; COUPLING DEVICES; CURRENT COLLECTORS
    • H01R13/00—Details of coupling devices of the kinds covered by groups H01R12/70 or H01R24/00 - H01R33/00
    • H01R13/02—Contact members
    • H01R13/22—Contacts for co-operating by abutting
    • H01R13/24—Contacts for co-operating by abutting resilient; resiliently-mounted
    • H01R13/2464—Contacts for co-operating by abutting resilient; resiliently-mounted characterized by the contact point
    • H01R13/2492—Contacts for co-operating by abutting resilient; resiliently-mounted characterized by the contact point multiple contact points
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01R—ELECTRICALLY-CONDUCTIVE CONNECTIONS; STRUCTURAL ASSOCIATIONS OF A PLURALITY OF MUTUALLY-INSULATED ELECTRICAL CONNECTING ELEMENTS; COUPLING DEVICES; CURRENT COLLECTORS
    • H01R13/00—Details of coupling devices of the kinds covered by groups H01R12/70 or H01R24/00 - H01R33/00
    • H01R13/646—Details of coupling devices of the kinds covered by groups H01R12/70 or H01R24/00 - H01R33/00 specially adapted for high-frequency, e.g. structures providing an impedance match or phase match
    • H01R13/6473—Impedance matching
    • H01R13/6474—Impedance matching by variation of conductive properties, e.g. by dimension variations
    • H01R13/6476—Impedance matching by variation of conductive properties, e.g. by dimension variations by making an aperture, e.g. a hole
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01R—ELECTRICALLY-CONDUCTIVE CONNECTIONS; STRUCTURAL ASSOCIATIONS OF A PLURALITY OF MUTUALLY-INSULATED ELECTRICAL CONNECTING ELEMENTS; COUPLING DEVICES; CURRENT COLLECTORS
    • H01R24/00—Two-part coupling devices, or either of their cooperating parts, characterised by their overall structure
    • H01R24/38—Two-part coupling devices, or either of their cooperating parts, characterised by their overall structure having concentrically or coaxially arranged contacts
    • H01R24/40—Two-part coupling devices, or either of their cooperating parts, characterised by their overall structure having concentrically or coaxially arranged contacts specially adapted for high frequency
    • H01R24/50—Two-part coupling devices, or either of their cooperating parts, characterised by their overall structure having concentrically or coaxially arranged contacts specially adapted for high frequency mounted on a PCB [Printed Circuit Board]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01R—ELECTRICALLY-CONDUCTIVE CONNECTIONS; STRUCTURAL ASSOCIATIONS OF A PLURALITY OF MUTUALLY-INSULATED ELECTRICAL CONNECTING ELEMENTS; COUPLING DEVICES; CURRENT COLLECTORS
    • H01R43/00—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing, assembling, maintaining, or repairing of line connectors or current collectors or for joining electric conductors
    • H01R43/16—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing, assembling, maintaining, or repairing of line connectors or current collectors or for joining electric conductors for manufacturing contact members, e.g. by punching and by bending

Definitions

  • the present invention relates to a method for producing a high-frequency connector and an associated device.
  • Such a plug connection can also be implemented between a cable and a printed circuit board or between a cable and a housing of an electronic assembly.
  • a plug connection can also be implemented between two printed circuit boards or between a printed circuit board and a housing of a printed circuit board or between the housings of two electronic assemblies.
  • Such plug connectors not only realize an electrical connection for one or more DC voltage signals or low-frequency signals, but also for one or more high-frequency signals.
  • a high-frequency signal is understood here and in the following to be a signal with a frequency from 3 MHz to 30 THz, that is to say almost the entire range of the electromagnetic spectrum.
  • Each connector for a high-frequency signal consists of at least one inner conductor element, one arranged coaxially with it Outer conductor element and an insulator element arranged therebetween, which separates the inner conductor element from the outer conductor element.
  • the inner conductor element, the insulator element and the outer conductor element are conventionally manufactured as separate components by means of machining technology, for example turning, or by means of forming technology, for example punching and bending.
  • the individual components are then assembled into a connector, which is comparatively complex.
  • the impedance of the connector and the mating connector must be matched to the impedance of the cable and the high-frequency signal line on the circuit board. If the impedance is not matched, undesired reflections of the high-frequency signal to be transmitted occur at the individual interfaces.
  • the present invention is based on the object of specifying a method for inexpensive production of a connector for at least one high-frequency signal, which is optimized with regard to its electrical and mechanical properties and can also be produced in a very small extent with quality. According to the invention, this object is achieved by a method for producing a high-frequency connector with the features of claim 1 and by a high-frequency connector according to claim 18.
  • a base body part of the high-frequency plug connector is produced from a dielectric material by means of an additive manufacturing process, which has a leadthrough between a first end and a second end of its longitudinal extension.
  • a base body part with such a shape and made of such a material is used for an insulator element of the high-frequency connector according to the invention.
  • the high-frequency connector is preferably composed of a one-piece base body part.
  • the individual dielectric parts of the base body part are suitably connected to one another before coating, for example by means of gluing.
  • the dielectric base body part is also coated with an electrically conductive layer.
  • the electrically conductive layer is in a region enclosing the leadthrough on the end face at the first end and at the second end of the main body part removed.
  • the main advantage of this manufacturing method according to the invention is that the individual components of the high-frequency connector, i.e. the inner conductor element, the insulator element and the outer conductor element, no longer have to be manufactured individually and then need to be assembled into the finished high-frequency connector in a comparatively complex manner. Instead, the high-frequency connector is manufactured using three sequential production steps that can be automated.
  • the production of the base body part from a dielectric material by means of an additive manufacturing process advantageously enables the realization of very complex and extremely small geometries.
  • These complex and small geometries can also be advantageously combined with complex material combinations.
  • This enables high-frequency connectors with complex electrical and mechanical requirements to be produced.
  • a high-frequency connector can be produced with an impedance that can be adjusted along its entire length.
  • An adjustable impedance of a high-frequency connector is understood here and in the following to be an impedance which, between the two interfaces at the first and second end of the base body, corresponds to the impedance of the respective connector, i.e. the high-frequency mating connector, the high-frequency cable or high-frequency signal line on a printed circuit board.
  • a preferably constant impedance over the entire longitudinal extension is achieved through a suitable shape and choice of material for the base body part.
  • an adapted impedance is achieved in that a continuous or at least multiple step transition between the two different values at the first and second end of the main body part is realized by means of the shape and choice of material in the main body part.
  • additive manufacturing process which is also referred to as a “generative manufacturing process” is understood here and in the following to be a manufacturing process that is based on computer-internal data models from informal (liquids, gels / pastes, powder, etc.) or form-neutral (ribbon, wire, sheet) material using chemical and / or physical processes to manufacture products with high precision and at low cost. Although these are molding processes, no special tools are required for a specific product that have stored the respective geometry of the workpiece (for example casting molds).
  • 3-D laser lithography is particularly suitable for realizing very small geometric structures of the high-frequency connector.
  • a photosensitive material preferably a liquid photosensitive material, particularly preferably a pasty photosensitive material, is bombarded by means of a laser, preferably in individual laser light flashes, and thereby hardens at special points. In this way, the main body part of the high-frequency connector gradually built up from the photosensitive dielectric material.
  • the base body part of the high-frequency connector After the dielectric base body part of the high-frequency connector has been produced by means of an additive manufacturing process, the base body part is coated with an electrically conductive layer.
  • An electrochemical coating process for example an electroplating process, is preferably suitable as the coating process.
  • an electrical circuit is built up between a cathode, which is connected to the body to be electroplated, and an anode made of the coating material.
  • a preferred coating material is copper. Palladium, silver, gold, nickel, tin or lead tin can also be used.
  • a chemical process can also be used for the coating.
  • a starting material that is bound to a carrier gas or dissolved in a liquid reacts with the base body part made of dielectric material under certain reaction conditions, for example temperature and pressure, and produces an electrically conductive layer, preferably a metallic layer, as the result of the reaction.
  • a physical process such as the sputtering process or other evaporation processes, can also be used as the coating process.
  • a mechanical method such as grinding off the at least one electrically conductive layer with a suitable grinding tool can be used.
  • the electrically conductive layer can also be removed using a physical or optical method, for example by means of laser ablation or laser evaporation.
  • the electrically conductive layer is removed from a surface of the base body part by bombarding it with laser radiation.
  • the laser radiation used here has a high power density, which leads to rapid heating and the formation of a plasma on the surface.
  • the chemical bonds of the electrically conductive layer, preferably the metallic layer are broken and / or thrown out of the surface of the main body part.
  • the electrically conductive layer can also be removed using a chemical process, for example using the so-called lift-off process.
  • a sacrificial layer preferably made of photoresist, is applied between the electrically conductive layer and the base body part made of dielectric material.
  • the sacrificial layer is removed using a wet chemical process with a solvent, for example acetone. With the sacrificial layer, the electrically conductive layer is also lifted off and washed away.
  • the layer thickness of the coating, i.e. the electrically conductive layer, within the bushing is made comparatively greater than the layer thickness of the electrically conductive coating on the outer surface of the base body part. In this way, high-frequency signals with a higher power level can also be transmitted via the high-frequency connector. In the extreme case, the coating completely fills the bushing.
  • an electrically conductive starter layer preferably a metallic starter layer
  • an electrically conductive starter layer must be applied to the electrically insulating material of the base body part by means of a chemical process, for example, prior to the application of the actual electrically conductive layer.
  • the coating of the dielectric base body part with an electrically conductive layer thus preferably includes coating the dielectric base body part with a plurality of electrically conductive layers, preferably with a plurality of metallic layers.
  • the individual metallic layers, ie the start layer and the one placed on it at least one further metallic layer are preferably made from a different metallic material.
  • two leadthroughs can also be formed between the first and second ends of the base body part.
  • a high-frequency connector for a differential high-frequency signal can be implemented.
  • several pairs of bushings for a high-frequency connector for several differential high-frequency signals are also possible.
  • the pairs of bushings for the transmission of a plurality of differential high-frequency signals can be arranged in the dielectric base body part in a star shape with respect to one another or in each case parallel to one another.
  • the additive manufacturing process advantageously offers the possibility of realizing very complex geometric shapes in the plug-in area of a high-frequency connector.
  • completely new contours for electrical contacting in the plugged-in state and for mechanical guidance in the plugging process between a high-frequency connector and an associated high-frequency mating connector can be implemented.
  • a set impedance can be achieved along the length of the high-frequency connector.
  • outer conductor and inner conductor-side contacting areas for electrical contacting with outer-conductor and inner-conductor-side contacting areas belonging to the associated high-frequency mating connector are formed at the first end of the base body part of the high-frequency connector.
  • One of the two contacting areas can also serve as a guide area in the plugging process. In the case of face contact on the outer conductor side and on the inner conductor side, neither of the two contact regions is used as a guide region.
  • the outer-conductor and inner-conductor-side contacting areas plus the guide areas are formed with a further high-frequency mating connector, a high-frequency cable or a circuit board with a high-frequency line structure.
  • the base body part is extended at its first end on the outer conductor side in the longitudinal axis direction of the high-frequency connector.
  • the extension of the main body part is built up in the form of a socket using the additive manufacturing process. This socket-shaped extension of the base body part is used for contacting the outer conductor side and for guiding the high-frequency connector and the associated high-frequency mating connector.
  • This high-frequency mating connector can preferably also be produced using an additive manufacturing process.
  • the high-frequency mating connector can also be manufactured using a conventional manufacturing process.
  • a socket-shaped extension on the outer conductor side is preferably understood to mean a sleeve-shaped extension for receiving a pin-shaped outer conductor of a high-frequency mating connector.
  • the inner diameter of the socket-shaped extension is designed in such a way that, with a corresponding outer diameter of the high-frequency mating connector, a positive or non-positive connection with the outer conductor of a high-frequency mating connector and thus a good electrical contact resistance can be established.
  • the external conductor-side contacting of the high-frequency connector the external-conductor-side coating on the outer jacket surface of the base body part is guided over the inner jacket surface of the socket-shaped extension.
  • the inner circumferential surface of the socket-shaped extension thus becomes the contact area on the outer conductor side.
  • the length of the socket-shaped extension of the dielectric base body part is designed in such a way that, on the one hand, a sufficient electrical contact surface to the outer conductor of the high-frequency mating connector and, on the other hand, a sufficient guide surface for the high-frequency mating connector in the high-frequency connector are ensured. This also ensures that an axial offset and an angular offset between the high-frequency connector and the associated high-frequency mating connector lie within technically defined tolerances or are otherwise absorbed.
  • the main body part is extended on the inner conductor side at its first end in the longitudinal axis direction of the high-frequency connector.
  • the extension of the main body part is made in the form of a pin with the help of the additive Manufacturing process built.
  • the pin-shaped extension of the base body part on the inner conductor side is used on the one hand to make electrical contact on the inner conductor side of the high-frequency connector with an associated high-frequency mating connector.
  • the pin-shaped extension of the base body part on the inner conductor side serves to guide the high-frequency plug connector in an inner conductor of the high-frequency mating plug-in connector, which is preferably in the form of a socket.
  • a feedthrough preferably at least one feedthrough, is preferably formed in the longitudinal axis direction of the high-frequency connector with the aid of the additive manufacturing process. In this way it is ensured that the metallic layer on the outer surface of the pin-shaped extension on the inner conductor side is connected continuously without interruption to the inner conductor-side metallic layer in the lead-through of the main body part.
  • an inner conductor-side pin-shaped extension of the base body part is built up with a star-shaped structure.
  • the pin-shaped extension of the base body part with a star-shaped structure advantageously offers multiple contacting between the pin-shaped extension of the base body part belonging to the high-frequency connector and the associated socket-shaped inner conductor of the high-frequency mating connector.
  • the pin-shaped extension of the base body part on the inner conductor side is constructed from a number n of lamellar areas made of dielectric material. Two adjacent lamellar areas each enclose an angle of 360 ° / n. These lamellar areas are constructed in such a way that, on the one hand, they are connected to one another in the area of the longitudinal axis of the high-frequency connector and, on the other hand, are connected to the rest of the base body part in the inner conductor-side area of the base body part. An axial passage is thus formed in each case in the pin-shaped extension of the main body part between two adjacent lamellar areas.
  • a raised contact is built up on one end face of each lamellar area with the aid of the additive manufacturing process.
  • This raised contact has a formation with a point in the direction of the contacting point or the contacting surface on decreasing cross-section. It can, for example, take the form of a hemisphere, half of an ellipsoid, a cone point or a pyramid point.
  • each lamellar area of the slot-shaped extension is designed to be elastic.
  • a through-hole is formed in each lamellar area.
  • the cross-section of the through hole can take any technically meaningful shape, for example circular, square, rectangular, polygonal, elliptical, oval, "banana-shaped", etc.
  • the individual lamellar areas of the pin-shaped extension on the inner conductor side can also be constructed from an elastic dielectric material with regard to elasticity.
  • each individual lamellar area of the pin-shaped extension of the main body part can be shaped in such a way that they have a radial cross-sectional contour of a pin.
  • a concavely curved shape can preferably also be used.
  • a high-frequency connector is produced in a second sub-variant of the second variant of the production method according to the invention, in which on the two side faces of each lamellar area of the pin-shaped extension of the base body part, a raised contact is built up in each case for the realization of a lateral contact.
  • the shape of the raised contact for lateral contacting corresponds to the raised contact for radial contacting.
  • each lamellar area of the pin-shaped extension makes contact with the side surfaces of adjacent and elastically formed projections which protrude into the cavity of a socket-shaped inner conductor of the high-frequency mating connector.
  • the manufacturing method of a high-frequency connector with such projections on the inner conductor side will be explained in detail further below.
  • a pin-shaped extension of the base body part with a star-shaped structure is also produced.
  • the pin-shaped extension of the base body part on the inner conductor side is built up here from a number n of rib-shaped areas. Two adjacent rib-shaped areas each enclose an angle of 360 ° / n. These rib-shaped areas are constructed in such a way that, on the one hand, they are connected to one another in the area of the longitudinal axis of the high-frequency connector and, on the other hand, are connected to the rest of the base body part in the inner conductor-side area of the base body part. An axial passage is thus also formed in the pin-shaped extension of the main body part between two adjacent rib-shaped areas.
  • an elasticity is generated in each rib-shaped area by forming a through hole, in particular by forming at least one through hole.
  • the rib-shaped areas have a higher elasticity with otherwise the same dimensions.
  • the pin-shaped extension of the base body part on the inner conductor side is constructed from a number n of spring-arm-shaped areas made of a dielectric material.
  • two adjacent spring arm-shaped areas each enclose an angle of 360 ° / n.
  • the individual spring arms are each constructed in such a way that they are each connected to the area of the base body part on the inner conductor side at a distance from one another by an angle of 360 ° / n.
  • a raised contact is built up on a radially outwardly directed outer surface of each spring-arm-shaped area with the aid of the additive manufacturing process.
  • each spring-arm-shaped area of the pin-shaped extension of the base body part has an elasticity that ensures sufficient contact pressure on the socket-shaped to be contacted Exercises inner conductor of the high-frequency mating connector.
  • the number of spring-arm-shaped areas and the length of the spring-arm-shaped areas in the longitudinal axis direction of the high-frequency connector must be designed in such a way that, on the one hand, sufficient electrical contact with the high-frequency mating connector and reliable guidance of the high-frequency connector in the socket-shaped inner conductor of the high-frequency mating connector is ensured.
  • a sleeve-shaped extension is built up on the inner conductor side at the first end of the base body part.
  • This sleeve-shaped extension is formed with multiple slits at its distal end in order to form a plurality of spring tabs which are each spaced apart from one another by a slot.
  • raised contact areas that run radially outward are built up using the additive manufacturing process.
  • the sleeve-shaped extension formed from individual spring tabs makes contact with the associated raised contact areas running radially outwards with the socket-shaped inner conductor of the high-frequency mating connector.
  • the individual spring tabs are shaped by means of the additive manufacturing process in such a way that the sleeve-shaped extension has sufficient elasticity with which it exerts sufficient contact pressure on the inner conductor of the high-frequency mating connector when plugged in.
  • the high-frequency connector is guided securely in the socket-shaped inner conductor of the high-frequency mating connector over a sufficient longitudinal extension of the sleeve-shaped extension of the base body part.
  • the metallic coating is in this case preferably guided from the inner jacket surface of the base body part over the entire sleeve-shaped extension of the base body part on the inner conductor side.
  • the sleeve-shaped extension of the base body part belonging to the high-frequency connector is preferably contacted with a step formed on the inner conductor side on the contacting end of the high-frequency mating connector.
  • no extension of the main body part is built up at the first end of the main body part.
  • the first end of the main body part consequently forms a continuous end face.
  • This end face at the first end of the main body part is coated on the inner conductor and / or outer conductor side, preferably inner conductor and outer conductor side, with a metallic layer in each case in such a way that an inner conductor side and an outer conductor side contact area for the inner conductor or outer conductor side face contact with an associated inner conductor or outer conductor-side contact area of a high-frequency mating connector is formed.
  • an extension is built up on the inner conductor side and / or outer conductor side at the first end of the base body part.
  • a cavity is formed within this extension of the main body part.
  • the extension of the main body part and the associated cavity in the extension of the main body part can each be formed in the shape of a ring or sleeve, for example.
  • a realization of several, for example hemispherical, extensions of the base body part is also conceivable, each of which is built up on an inner-conductor-side or outer-conductor-side circle, ellipse or rectangle around the longitudinal axis of the high-frequency connector.
  • Associated locally delimited cavities are formed within these, for example, hemispherical extensions of the main body part.
  • an electrically insulating sleeve can be pressed onto the high-frequency connector that protrudes beyond the first end of the base body.
  • the inner diameter of this sleeve is designed in such a way that the high-frequency mating connector is guided within the sleeve, with a given outer diameter of its outer conductor, preferably without axial play.
  • Another variant for preventing an axial offset can also be a socket-shaped extension of the base body in the sense of the first variant of the method according to the invention.
  • a radially outwardly extending contact elevation preferably an annular contact elevation, is built up on the outer conductor side and adjacent to the first end of the base body part on the base body part.
  • the associated high-frequency mating connector is a high-frequency connector which has a socket-shaped extension of the base body part on the outer conductor side, produced according to the first variant of the production method according to the invention.
  • a region of the base body part which is adjacent to the raised contact extending radially outward is designed to be elastic.
  • sufficient contact pressure is advantageously exerted on the outer conductor of the high-frequency mating connector from the radially outwardly extending contact elevation in order to achieve a low electrical contact resistance.
  • This area of the base body part that is to be made elastic can be constructed from an elastic dielectric material by means of the additive manufacturing process.
  • at least one cavity can also be formed in the area of the base body part that is to be made elastic.
  • projections protruding into the passage of the main body part are built up by means of an additive manufacturing process adjacent to the first end of the main body part on the inner conductor side on the main body part.
  • These projections are each formed on the inner circumferential surface of the base body part as locally delimited widenings of the base body part.
  • Two adjacent projections are built up on the inner jacket surface of the base body part at such an angular distance from one another that an inner conductor-side guide and, at the same time, lateral inner-conductor-side contacting of a membrane-shaped area of a pin-shaped extension of the base body part of the high-frequency mating connector are possible.
  • the associated high-frequency mating connector is a high-frequency connector which is produced according to the second sub-variant of the second variant of the production method according to the invention.
  • the individual projections are each designed to be elastic.
  • they are either constructed from an elastic dielectric material and / or by a corresponding elastic shape.
  • a high-frequency connector according to the invention is also covered by the invention, which is produced according to the production method according to the invention, as was shown above in its individual technical characteristics and technical facets.
  • a base body part 1 of the high-frequency connector 2 according to the invention is made from a dielectric material.
  • the main body part 1 has a single passage 4 which runs along the longitudinal axis 3.
  • the geometry of the dielectric base body part 1 does not necessarily have to be hollow-cylindrical, as in FIG Figures 1A to 1C is shown for the sake of simplicity. Other geometries deviating from a hollow cylindrical geometry for the base body part 1, for example for a high-frequency angled connector, are also conceivable.
  • the geometry of the base body part 1 is preferably formed rotationally symmetrical to the longitudinal axis 3 in order to achieve coaxiality between the inner conductor and the outer conductor coating of the high-frequency connector 2 according to the invention with the base body part 1 serving as an insulator element.
  • This coaxiality is an essential prerequisite for a high-frequency-optimized transmission of an asymmetrical high-frequency signal within the high-frequency connector.
  • the dielectric base body part 1 is coated with an electrically conductive coating 5.
  • the coating 5 completely encloses the dielectric base body part 1. Even with comparatively complex geometrical shapes of the base body part 1, the entire outer surface of the base body part 1 is provided with an electrically conductive coating 5 without any gaps.
  • the electrically conductive coating 5 typically contains an electrically conductive layer, ie a metallic layer.
  • the dielectric base body part 1 is to be coated with an electrically conductive, preferably a metallic, starting layer by means of a non-electrochemical coating process.
  • the actual metallic layer is then built up on this starting layer.
  • the dielectric base body part 1 can each have a plurality of metallic layers over the entire surface or preferably selectively in certain areas to achieve special mechanical and electrical properties with this multiple coating.
  • the outer conductor-side and inner-conductor-side contacting area 7 11 and 7 12 of the high-frequency connector 2 according to the invention with an associated high-frequency mating connector at the first end 6 1 of the base body part 1 increased mechanical and electrical demands are made.
  • an additional gold layer in the two contacting areas 7 11 and 7 12 advantageously results in a higher abrasion resistance and at the same time a lower contact resistance.
  • the electrically conductive coating 5, which is composed of at least one metallic layer, is removed in an area 34 1 and 34 2 enclosing the feedthrough 5 at the first end 6 1 and at the second end 6 2 of the high-frequency connector 2 according to the invention.
  • self-contained areas of the coating 5, which are each electrically separated from one another are formed on the outer surface of the base body part 1.
  • One area is the area on the outer jacket surface of the base body part 1, which extends into the end faces at the two ends of the base body part 1 and forms the outer conductor of the high-frequency connector 2 according to the invention.
  • the other area is the area in the bushing 5 which extends into the end faces at the two ends of the base body part 1 and forms the inner conductor of the high-frequency connector 2 according to the invention.
  • the original coating is divided by this production step into a coating 5 1 on the outer conductor side and a coating 5 2 on the inner conductor side.
  • an outer conductor-side contacting area 7 11 and an inner-conductor-side contacting area 7 12 are formed at the first end 6 1 of the high-frequency plug connector 2, an outer conductor-side contacting area 7 11 and an inner-conductor-side contacting area 7 12 are formed .
  • an outer conductor-side contacting area 7 21 and an inner-conductor-side contacting area 7 22 are formed .
  • a high-frequency connector 2 according to the invention for a high-frequency signal can be produced by means of three successive and typically automatable production steps.
  • a single part production for the inner conductor element, the insulator element and the outer conductor element and a subsequent comparatively complex assembly is not required.
  • FIG. 2A and 2B shows a basic structure of a connector 2 according to the invention for a differential high-frequency signal.
  • two bushings 4 1 and 4 2 are formed by means of the additive manufacturing process, each of which runs from the first end 6 1 to the second end 6 2 in the longitudinal direction of the high-frequency connector 2.
  • the coatings 5 2 1 and 5 2 2 in the two bushings 4 1 and 4 2 each serve as an inner conductor, while the coating 5 1 on the outer jacket surface forms the outer conductor.
  • any technically sensible number of bushing pairs can be formed, the inner coating of which realizes the inner conductor pairs for the transmission of a differential high-frequency signal.
  • the individual pairs of bushings can either be crossed over one another or formed parallel to one another within the base body part 1.
  • FIG. 3 Another embodiment of a basic structure for a high-frequency connector 2 according to the invention is based Fig. 3 emerged.
  • the passage 4 of the base body part 1 is completely filled with coating material by means of selective coating.
  • a coating can also be implemented within the feedthrough 4 which, compared to the coating 5 1 on the outside of the conductor, has a greater layer thickness and at the same time does not completely fill the feedthrough 4.
  • Such a selective coating which has an increased layer thickness in the inner conductor area, is particularly advantageous for the transmission of a high-frequency signal in a higher power range.
  • An increased layer thickness carried out by means of selective coating in a contact area 7 11 , 7 12 , 7 21 and 7 22 of the high-frequency connector 2 according to the invention enables the service life of a high-frequency connector, which is steadily shortening due to abrasion in the contact area, to be extended.
  • FIGS. 4A, 4B, 4C, 4D , 4E, 4F and 4G relate to a high-frequency connector 2 which is produced according to a first variant of the production method according to the invention.
  • a socket-shaped extension 9 of the base body part 1 is built up on the outer conductor side in the area of the first end 6 1 of the dielectric base body part 1, starting from the essentially hollow cylindrical shaped base body part 1.
  • the socket-shaped extension 9 of the base body part 1 protrudes in the longitudinal axis direction of the high-frequency connector beyond the end face 10 at the first end 6 1 of the base body part.
  • the inner conductor-side contacting region 7 12 of a high-frequency plug connector 2 produced in this way is implemented by an inner conductor-side coating 5 2 applied to the end face 10 on the inner conductor side.
  • This inner-conductor-side contacting area 7 12 forms a front-end contact with an inner-conductor-side contacting area 7 12 ', which is located on an opposite end face 10' of an associated high-frequency mating connector 2 '.
  • the outer conductor-side contacting area 7 11 of a high-frequency connector 2 produced in this way is implemented by the outer-conductor-side coating 5 1 on the inner jacket surface of the socket-shaped extension 9 of the base body part 1.
  • the outer conductor-side coating 5 1 of the high-frequency connector 2 is preferably applied from the outer jacket surface of the base body part 1 via several slots 11, which are formed by means of the additive manufacturing process in the transition area 12 between the socket-shaped extension 9 and the base body part 1, onto the inner jacket surface of the socket-shaped extension 9 led.
  • the outer conductors 5 1-sided coating is performed over the entire longitudinal extent of the high-frequency connector 2 according to the invention at the same radial distance from the longitudinal axis 3 of the high-frequency connector 2 and coaxially with the inner-conductor-side coating 5.
  • This outer conductor-side contacting area 7 11 forms a radially directed contact with an outer-conductor-side contacting area 7 11 ', which is located on the outer jacket surface of an associated high-frequency mating connector 2'.
  • An electrical separation between the contact area 7 11 on the outer conductor side and the contact area 7 12 on the inner conductor side is achieved in that a between the outer conductor side Contact area 7 11 and the socket-shaped extension 9 located area of the end face 10 of the base body part 1 is not coated.
  • the associated high-frequency mating connector 2 ' can be manufactured using a conventional manufacturing method.
  • the high-frequency mating connector 2 ' as shown in FIGS Figures 4F and 4G is apparent, can also be produced according to the invention in an additive manufacturing process.
  • the high-frequency mating connector 2 ′ produced according to the invention in an additive manufacturing process is in this case a high-frequency connector 2 with end contacting produced according to the fourth variant of the production process according to the invention, which will be explained further below.
  • the front contact is limited here to the inner conductor-side contact via an inner-conductor-side contacting region 7 12 ', since the outer conductor-side contact is implemented via radial contact.
  • a radially outwardly extending contact elevation 13, preferably an annular contact elevation 13, is built up on the outer circumferential surface of the base body part 1 in the area of the first end of the base body part 1 by means of the additive manufacturing process.
  • This radially outwardly extending contact elevation 13 enables approximately a linear contact between the inner circumferential surface of the high-frequency connector 2 belonging to socket-shaped extension 9 and the outer surface of the high-frequency mating connector 2 '.
  • the area of the base body part 1 ′ adjacent to the radially outwardly extending contact elevation 13 is designed to be elastic.
  • a cavity 14 which is formed by means of the additive manufacturing process in a region of the base body part 1 'adjacent to the contact elevation 13 extending radially outward.
  • the area of the base body part 1 ′ that is adjacent to the contact elevation 13 running radially outward can also be constructed with an elastic dielectric material by means of the additive manufacturing process.
  • the internal diameter of the socket-shaped extension 9 plus the external-conductor-side coating 5 1 is adapted to the external diameter of the associated high-frequency mating connector 2 '.
  • the length of the socket-shaped extension 9 is to be dimensioned sufficiently to also ensure good guidance of the high-frequency mating connector 2 ′ in the high-frequency connector 2.
  • the inner surface of the socket-shaped extension 9 of the base body part 1 of the high-frequency connector 2 serves not only as an outer conductor-side contacting area 7 11 , but also in combination with the outer surface of the high-frequency mating connector as a guide area.
  • a high-frequency connector 2 with a pin-shaped extension 15 on the inner conductor side is produced.
  • the pin-shaped extension 15 of the main body part 1 protrudes in the longitudinal axis direction of the high-frequency connector beyond the end face 10 at the first end 6 1 of the main body part.
  • the pin-shaped extension on the inner conductor side has a star-shaped structure.
  • This star-shaped structure advantageously enables multiple contacting between the pin-shaped extension 15 on the inner conductor side and an associated primarily socket-shaped inner conductor of an associated high-frequency mating connector 2 '.
  • FIGS. 5A, 5B, 5C, 5D , 5E, 5F and 5G relate to a high-frequency connector 2 which is produced according to a first sub-variant of this second variant of the production method according to the invention.
  • first sub-variant as well as in the second sub-variant, explained below, of a pin-shaped extension 15 of the base body part 1 on the inner conductor side, several lamellar areas are built up as a pin-shaped extension 15 on the base body part 1 by means of additive manufacturing technology.
  • the lamellar areas 16 1 , 16 2 , 16 3 and 16 4 of the pin-shaped extension 15 with a star-shaped structure are built up on the main body part 1 by means of the additive manufacturing process at the first end 6 1 of the main body part 1 in such a way that two adjacent lamellar areas 16 1 , 16 2 , 16 3 and 16 4 each enclose an angle, preferably an equal angle.
  • the angle results from the number n of lamellar areas and corresponds to 360 ° / n.
  • the individual lamellar areas within the pin-shaped extension 15 are aligned radially and thus in a star shape with respect to the longitudinal axis 3 of the high-frequency connector 2.
  • the individual lamellar Areas 16 1 , 16 2 , 16 3 and 16 4 are constructed in such a way that they are connected to one another in the area of the longitudinal axis 3. Due to the additive structure, two adjacent lamellar areas 16 1 , 16 2 , 16 3 and 16 4 are connected to the base body part 1, preferably with the inner surface of the hollow cylindrical base body part 1, at an angle of 360 ° / n.
  • a number of axial passages 17 1 , 17 2 , 17 3 and 17 corresponding to the number of lamellar areas are formed in the pin-shaped extension 15 4 trained. Via these axial passages 17 1 , 17 2 , 17 3 and 17 4 , the entire pin-shaped extension 15 with all its lamellar areas 16 1 , 16 2 , 16 3 and 16 4 is continuously coated with the inner conductor-side coating 5 2 of the base body part 1.
  • each lamellar area 16 1 , 16 2 , 16 3 and 16 4 each have a raised contact 18 built up.
  • the raised contact 18 enables reliable contact with respect to a surface contact in an end face segment of the individual lamellar area.
  • each individual lamellar area ie the shape of the side surfaces of each individual lamellar area is to be built up using the additive manufacturing process in such a way that, on the one hand, simple insertion of the pin-shaped extension 15 of the high-frequency connector 2 on the inner conductor side into the socket-shaped formation of the high-frequency mating connector 2 'on the inner conductor side is possible.
  • secure contact on the inner conductor side should be implemented.
  • a conically shaped formation is also conceivable.
  • the preferably hemispherical raised contacts 18 are each built up depending on the selected shape of the individual lamellar areas in a section of the end face of the lamellar area in which reliable contact is possible.
  • the individual lamellar areas 16 1 , 16 2 , 16 3 and 16 4 are each designed to be elastic.
  • Through bores 19 are preferably formed in the individual lamellar areas by means of the additive manufacturing process.
  • the individual lamellar areas can also be constructed with an elastic dielectric material.
  • a radial contact between the individual lamellar areas 16 1 , 16 2 , 16 3 and 16 4 of the pin-shaped extension 15 of the base body part takes place on the inner conductor side 1, which form the inner-conductor-side contact area 7 12 of the high-frequency connector 2, with an inner-conductor-side Contact area 7 12 'of the high-frequency mating connector 2'.
  • This inner conductor-side contact area 7 12 ' is located in the feed-through 4' on the inner jacket surface , which is provided with an inner-conductor-side coating 5 2 , of the base body part 1 'belonging to the high-frequency mating connector 2'.
  • the coating 5 1 on the outer conductor side is guided over a specific area of the end face 10 at the first end 6 1 of the base body part 1.
  • This outer conductor-side contacting area 7 11 of the high-frequency connector 2 is located in an end contact with an opposite outer-conductor-side contacting area 7 11 ', which is built up on the outer conductor side on the end face 10' at the first end 6 1 of the main body part 1 'belonging to the high-frequency mating connector 2'.
  • the high-frequency mating connector 2 ' can be produced using conventional as well as additive manufacturing technology.
  • An electrical disconnection between the outer conductor-side contact region 7 11 and the inner-conductor-side contact region 7 12 is realized in that a located between the outer conductor-side contact area 7 11, and the pin-shaped extension 15 portion of the end surface is not coated 10 of the main body part 1.
  • the inner conductor-side contact area 7 12 of the high-frequency connector 2 additionally forms the guide area of the high-frequency plug-in connection in combination with the inner jacket surface of the socket-shaped inner conductor of the high-frequency mating connector 2 '.
  • FIGS. 6A, 6B, 6C, 6D , 6E, 6F and 6G relate to a high-frequency connector 2, which is produced according to a second sub-variant of the production method according to the invention belonging to the second variant.
  • a pin-shaped extension 15 'of the base body part 1 with a star-shaped structure is made up of several lamellar areas 16 1 ', 16 2 ', 16 3 ' and 16 4 'constructed in a star-shaped manner using an additive manufacturing process.
  • the contact between the individual lamellar areas 16 1 ', 16 2 ', 16 3 'and 16 4 ' and the inner conductor of the high-frequency connector 2 ' is made laterally.
  • a raised contact 18 ' built up on the two side surfaces of each lamellar area 16 1 ', 16 2 ', 16 3 ' and 16 4 '.
  • the individual projections 20 are constructed according to a high-frequency connector 2, which, according to a preferred extension of the fourth variant of the production method according to the invention, corresponds to FIG Figures 6E, 6F and 6G will be produced.
  • the individual projections are here built up within the hollow cylindrical base body part 1 ′ in such a way that an associated one between each two adjacent projections 20 Lamellar area of the high-frequency connector is safely guided.
  • the individual projections are built up and shaped within the hollow cylindrical base body part 1 ′ in such a way that secure contact is made with the raised contact areas 18 of the lamellar areas of the high-frequency connector 2 introduced next to each other.
  • the formations of the individual projections 20 are radial cross-sections that are either as shown in FIG Figure 6E indicated are conical or curved concavely.
  • the individual projections 20 can be designed to be elastic.
  • the individual projections 20 can each be built up with an elastic dielectric material using additive manufacturing technology.
  • an elastic shaping of the individual projections 20 is also possible, for example by shaping cavities within the projections 20.
  • the external conductor-side contact is made via an end contact between an external-conductor-side contact area 7 11 on the end face 10 of the high-frequency connector 2 and an opposite external conductor-side contact area 7 11 'on the end face 10' of the high-frequency mating connector 2 '.
  • FIGS. 7A, 7B, 7C, 7D , 7E, 7F and 7G refer to a high-frequency connector 2, which is after a for second variant belonging third sub-variant of the manufacturing method according to the invention is produced.
  • a pin-shaped extension 15 ′′ of the base body part 1 with a star-shaped structure is made up of several rib-shaped areas 21 1 , 21 2 , 21 3 and 21 4 constructed in a star-shaped manner with the aid of an additive manufacturing process.
  • the rib-shaped areas 21 1 , 21 2 , 21 3 and 21 4 of the pin-shaped extension 15 ′′ with a star-shaped structure are built up on the base body part 1 by means of the additive manufacturing process at the first end 6 1 of the base body part 1 in such a way that two adjacent rib-shaped areas 21 1 , 21 2 , 21 3 and 21 4 each enclose an angle, preferably an equal angle.
  • the angle results from the number n of rib-shaped areas and corresponds to 360 ° / n.
  • the individual rib-shaped areas within the pin-shaped extension 15 ′′ are thus aligned radially and thus in a star shape with respect to the longitudinal axis 3 of the high-frequency connector 2.
  • the individual rib-shaped areas 21 1 , 21 2 , 21 3 and 21 4 are constructed in such a way that they are connected to one another in the area of the longitudinal axis 3. Due to the additive structure, two adjacent rib-shaped areas 21 1 , 21 2 , 21 3 and 21 4 are connected to the base body part 1, preferably on the inner surface of the hollow-cylindrical base body part 1, at an angle of 360 ° / n from one another.
  • the star-shaped structure of the pin-shaped extension 15 ′′ from the individual rib-shaped areas 21 1 , 21 2 , 21 3 and 21 4 forms a number of axial passages 22 1 , 22 2 , 22 3 and 22 4 corresponding to the number of rib-shaped areas. Via these axial passages 22 1 , 22 2 , 22 3 and 22 4 , the entire pin-shaped extension 15 ′′ with all of its rib-shaped areas 21 1 , 21 2 , 21 3 and 21 4 is coated continuously with the inner conductor-side coating 5 2 of the base body part 1.
  • the individual rib-shaped area of the pin-shaped extension 15 ′′ of the base body part 1 has a concavely curved end face radially inwards and radially outwards.
  • a raised contact 23 is built up in each case by means of the additive manufacturing process.
  • a radial multiple contact with the inner conductor-side contacting area 7 21 'on the inner jacket surface of the essentially hollow-cylindrical base body part 1' of the high-frequency mating connector 2 ' is realized via the raised contacts 23 of all rib-shaped areas 21 1 , 21 2 , 21 3 and 21 4.
  • the high-frequency mating connector 2 ' can here in conventional manufacturing technology or, as in the Figures 7E, 7F and 7G is shown, can also be produced according to the invention using additive manufacturing technology.
  • the individual rib-shaped areas 21 1 , 21 2 , 21 3 and 21 4 are each designed to be elastic.
  • through-bores 24 are preferably formed in the individual rib-shaped areas by means of the additive manufacturing process.
  • the individual rib-shaped areas can also be constructed with an elastic dielectric material.
  • radial contacting is implemented on the inner conductor side.
  • face contact with the high-frequency mating connector 2 is implemented in equivalence to the first and second sub-variant of the second variant of the production method according to the invention.
  • FIGS. 8A, 8B, 8C, 8D , 8E, 8F and 8G relate to a high-frequency connector 2, which is produced according to a fourth sub-variant of the production method according to the invention belonging to the second variant.
  • a pin-shaped extension 15 '''of the base body part 1 is built up from several spring-arm-shaped areas 25 1 , 25 2 , 25 3 and 25 4 on the base body part 1 using an additive manufacturing process.
  • Each individual spring arm-shaped area 25 1 , 25 2 , 25 3 and 25 4 of the pin-shaped extension 15 '''of the base body part 1 is shaped with its substantial extension in the direction of the longitudinal axis 3 of the high-frequency connector 2.
  • the individual spring-arm-shaped areas 25 1 , 25 2 , 25 3 and 25 4 are preferably built up at an angle offset on the inner circumferential surface of the hollow cylindrical base body part 1 on the base body part 1.
  • Two adjacent spring arm-shaped areas 25 1 , 25 2 , 25 3 and 25 4 each close at an angle of 360 ° / n when the pin-shaped extension 15 '''of the main body part 1 contains a number n of spring-arm-shaped areas.
  • the pin-shaped extension 15 ''' Since the individual spring arm-shaped areas 25 1 , 25 2 , 25 3 and 25 4 of the pin-shaped extension 15 '''of the main body part 1 are not connected to one another in the area of the longitudinal axis 3 of the high-frequency connector 2, the pin-shaped extension 15 '''has a single passage 26.
  • the feedthrough 26 enables a complete and coherent electrically conductive coating of each individual spring-arm-shaped area 25 1 , 25 2 , 25 3 and 25 4 with the inner-conductor-side coating 5 2 of the essentially hollow-cylindrical base body part 1.
  • each spring arm-shaped area 25 1 , 25 2 , 25 3 and 25 4 On the radially outwardly directed and concavely curved end face of each spring arm-shaped area 25 1 , 25 2 , 25 3 and 25 4 , a raised contact 27 is built up in each case by means of the additive manufacturing process.
  • a radial multiple contact with the inner conductor-side contacting area 7 21 'on the inner jacket surface of the essentially hollow-cylindrical base body part 1' of the high-frequency mating connector 2 ' is realized via the raised contact areas 27 of all spring-arm-shaped areas 25 1 , 25 2 , 25 3 and 25 4.
  • the high-frequency mating connector 2 ' can in this case in conventional manufacturing technology or, as in the Figures 7E, 7F and 7G is shown, can also be produced according to the invention using additive manufacturing technology.
  • the individual spring-arm-shaped contact areas 25 1 , 25 2 , 25 3 and 25 4 do not have to be made elastic by means of the additive manufacturing process.
  • FIGS. 9A, 9B, 9C, 9D , 9E, 9F and 9G relate to a high-frequency connector 2, which is manufactured according to a third variant of the manufacturing method according to the invention.
  • a sleeve-shaped extension 28 of the base body part 1 is built on the base body part 1 on the inner conductor side with the aid of the additive manufacturing process.
  • This sleeve-shaped extension 28 protrudes in the longitudinal axis direction beyond the end face 10 at the first end 6 1 of the base body part 1.
  • This sleeve-shaped extension 28 is formed at its distal end with multiple slits in the direction of the longitudinal axis 3 of the high-frequency connector. In this way, a spring tab is formed between each two adjacent slots 29.
  • the sleeve-shaped extension 28 thus forms a sleeve which is respectively resilient or elastic in the radial direction. For better radial contact, a contact elevation 30 directed radially outward is built up at the distal end of each individual spring clip with the aid of the additive manufacturing process.
  • the sleeve-shaped extension 28 of the base body part 1 is coated with all of its spring tabs completely and cohesively with the inner conductor-side coating 5 2 on the inner jacket surface of the base body part 1, which is essentially hollow-cylindrical.
  • the sleeve-shaped extension 28 the inner conductor-side contact area 7 21 of the high-frequency connector 2.
  • An outer conductor-side contact area 7 11 of the high-frequency plug connector 2 is designed as an end contact area and is produced in equivalence to all sub-variants of the second variant of the production method according to the invention.
  • the inner conductor-side contacting takes place between the inner-conductor-side contacting area 7 12 of the high-frequency connector 2, which is formed from the individual radially outwardly extending contact elevations 30 on the spring tabs of the sleeve-shaped extension 28, and the inner conductor-side contacting area 7 12 'on the inner surface of the base body part 1 of the High frequency mating connector 2 '.
  • the inner conductor-side contacting area 7 12 'of the high-frequency mating connector 2' is preferably formed by a step 31 on the inner jacket surface at the first end 6 1 'of the base body part 1'.
  • the radial extension of the step 31 essentially corresponds to the wall thickness of the sleeve-shaped extension 28 at its distal end in order to avoid a jump in diameter on the inner conductor side in the transition area between the high-frequency connector 2 and the high-frequency mating connector 2 '. Otherwise, an interference point would arise that significantly worsens the transmission behavior of the high-frequency plug connection.
  • FIGS. 10A, 10B, 10C, 10D , 10E, 10F and 10G relate to a high-frequency connector 2 which is produced according to a fourth variant of the production method according to the invention.
  • a high-frequency connector 2 produced according to the fourth variant of the production method according to the invention preferably makes contact with an associated high-frequency mating connector 2 'on the inner conductor side and outer conductor side via a respective end contact.
  • an inner conductor-side contacting area 7 12 is produced on the end face 10 at the first end 6 1 of the base body part 1 by extending the inner conductor-side coating 5 2 on the inner circumferential surface of the essentially hollow-cylindrical base body part 1 into an inner conductor-side area on the end face 10.
  • the inner conductor-side coating 5 2 is guided so far into the end face 10 that there is a sufficiently large inner-conductor-side contacting area 7 12 .
  • the inner-conductor-side coating 52 in the end face area is preferably designed in multiple layers or with a higher layer thickness.
  • the outer conductor-side contacting area 7 11 is produced in an equivalent manner by continuing the outer-conductor-side coating 5 1 from the outer jacket surface of the base body 1 into a sufficiently large outer conductor-side area on the end face 10.
  • a sleeve-shaped or ring-shaped extension 32 of the base body part 1 is built up on the first end 6 1 of the base body part 1 by means of an additive manufacturing process on the inner conductor side and / or outer conductor side .
  • a cavity 33 is formed in the base body part 1. The cavity 33 forms, with the ring-shaped or sleeve-shaped extension 32 on the end face 10, on the inner conductor side and outer conductor side, respectively, an elastic closure of the base body part 1.
  • This elastic closure of the base body part 1 can compensate for an angular offset between the two nested high-frequency connectors.
  • annular or sleeve-shaped extension 32 of the main body part 1 multiple, preferably hemispherical, extensions of the main body part 1 are also possible.
  • the multiple, preferably hemispherical, extensions 32 of the base body part 1 are each arranged on a circle, an ellipse or a rectangle in the outer conductor and inner conductor area.
  • cavities 33 are formed in each case in the base body part 1 by means of an additive manufacturing process.
  • a socket-shaped extension 34 is attached to one of the two high-frequency connectors.
  • This sleeve-shaped extension 34 can be, for example, a sleeve made of an electrically insulating material, which as in FIG Figure 10G is indicated, in the area of the first end 6 1 of the base body part 1 is pressed onto the finished high-frequency connector.
  • a socket-shaped extension according to FIG Figures 4C, 4D and 4G possible, which is built up on the base body part 1 in the area of the first end 6 1 of the base body part 1 by means of an additive manufacturing process. Because of the face contact on the outer conductor side, the outer conductor side coating 5 1 is on the entire outer surface of this socket-shaped extension with the exception of the coating in FIG to remove the slots 11 by means of a thermal or mechanical process.
  • the fourth variant of the manufacturing method according to the invention can also be used to produce a high-frequency connector 2 that only has one on the outer conductor side or only one on the inner conductor side Has contacting area for front contacting.
  • the additive manufacturing processes offer the further significant advantage of realizing a high-frequency connector with a controlled impedance along its entire length.
  • the more complex geometric shapes in the area of the extensions of the main body part 1 can lead to a deviation from an adapted impedance.
  • other dielectric materials can be used in these critical areas of the base body part 1 by means of the additive manufacturing process.
  • the relative permittivity of these dielectric materials is impedance-matched to the relative permittivity of the others Areas of the base body part 1 used dielectric material appropriately changed.
  • a modified effective permittivity in these critical areas and thus an impedance matching over the entire length of the high-frequency connector 2 can also be achieved by means of a suitable arrangement and suitable shaping of cavities in the dielectric base body 1.
  • an external thread profile is formed on the outer jacket surface of the base body part 1 by means of an additive manufacturing process.
  • the coated external thread profile of the high-frequency connector 2 according to the invention is screwed to a matching internal thread profile of a union nut which is rotatably mounted on a high-frequency mating connector 2 '.
  • the union nut with its internal thread profile can be manufactured using conventional manufacturing technology or using additive manufacturing technology with a subsequent metallic coating.
  • one or more groove-shaped depressions are formed on the outer jacket surface of the base body part 1 of the high-frequency connector 2, which create a snap-in connection with the associated latching lugs or latching hooks of the high-frequency mating connector 2 '.
  • a magnetic connection between the high-frequency connectors to be contacted is also possible by inserting at least one magnet with a corresponding polarity in the base body part 1 in the area of the first end 6 1.
  • a high-frequency cable or a high-frequency signal line structure on a circuit board which is connected to the high-frequency connector 2 according to the invention at the second end 6 2 of the base body part 1, the above-presented according to the invention are based on the additive manufacturing process based construction principles for electrical contacting and guidance of a high-frequency connector 2 can be used equivalently.

Description

    GEBIET DER ERFINDUNG
  • Die vorliegende Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung eines Hochfrequenz-Steckverbinders sowie eine zugehörige Vorrichtung.
    • TECHNISCHER HINTERGRUND
  • Eine elektrische Verbindung zwischen einem Kabel und einem weiteren Kabel wird mittels eines zueinander steckbaren Paares aus einem Steckverbinder und einem zugehörigen Gegensteckverbinder hergestellt und wieder gelöst.
  • Eine derartige Steckverbindung lässt sich auch zwischen einem Kabel und einer Leiterplatte bzw. zwischen einem Kabel und einem Gehäuse einer Elektronikbaugruppe realisieren. Auch zwischen zwei Leiterplatten bzw. zwischen einer Leiterplatte und einem Gehäuse einer Leiterplatte bzw. zwischen den Gehäusen von zwei Elektronikbaugruppen lässt sich jeweils eine Steckverbindung verwirklichen.
  • Derartige Steckverbinder realisieren nicht nur eine elektrische Verbindung für ein oder mehrere Gleichspannungssignale oder Niederfrequenzsignale, sondern auch für ein oder mehrere Hochfrequenzsignale. Unter einem Hochfrequenzsignal wird hierbei und im Folgenden ein Signal mit einer Frequenz ab 3 MHz bis 30 THz, also fast der gesamte Bereich des elektromagnetischen Spektrums, verstanden.
  • Gemäß beispielsweise der DE 10 2011 103 524 A1 setzt sich jeder Steckverbinder für ein Hochfrequenzsignal wenigstens aus einem Innenleiterelement, einem dazu koaxial angeordneten Außenleiterelement und einem dazwischen angeordneten Isolatorelement, das das Innenleiterelement vom Außenleiterelement beabstandet, zusammen.
  • Das Innenleiterelement, das Isolatorelement und das Außenleiterelement werden als separate Bauteile konventionell mittels Zerspanungstechnologie, beispielsweise Drehen, oder mittels Umformtechnologie, beispielsweise Stanzen und Biegen, gefertigt. Anschließend werden die Einzelbauteile vergleichsweise aufwendig zu einem Steckverbinder montiert.
  • Aus der US 5 158 465 A geht ein Hochfrequenzsteckverbinder für Audioanwendungen hervor, der buchsenförmig ausgebildet ist. Hierbei ist auf einem planaren Substrat ein elektrisch isolierendes Substrat in der Form einer Buchse aufgebaut. Während das stirnseitige Ende des buchsenförmigen Substrats unbeschichtet bleibt, wird die innenseitige und die außenseitige Wandung des buchsenförmigen Substrats elektrisch beschichtet.
  • Zur Übertragung eines Hochfrequenzsignals auf der Übertragungsstrecke - Kabel bzw. Leiterplatte, Steckverbinder, Gegensteckverbinder, Kabel bzw. Leiterplatte - ist die Impedanz des Steckverbinders und des Gegensteckverbinders an die Impedanz des Kabels und der Hochfrequenzsignalleitung auf der Leiterplatte anzupassen. Ist die Impedanz nicht angepasst, so kommt es zu unerwünschten Reflexionen des zu übertragenden Hochfrequenzsignals an den einzelnen Schnittstellen.
  • Die Anforderung einer Impedanzanpassung für Steckverbinder bis in den Höchstfrequenzbereich stellt in Kombination mit erhöhten mechanischen und thermischen Anforderungen, beispielsweise Vibrationsfestigkeit, Verschleißfestigkeit, Temperaturbeständigkeit usw., und speziellen geometrischen Anforderungen nicht selten eine Machbarkeitsgrenze für konventionelle Fertigungstechnologien dar.
  • Eine weitere technische Anforderung an zukünftige Steckverbinder-Generationen liegt in der zunehmenden Miniaturisierung des Steckverbinders. Hochfrequenz-Steckverbinder, die eine Vielzahl von Hochfrequenzsignalen auf engstem Raum in unterschiedlichen Anwendungsgebieten übertragen, erfordern Dimensionen im Mikrometerbereich und u.U. im Nanometerbereich. Insbesondere bei derartigen Anforderungen wird die konventionelle Fertigungstechnologie an ihre Grenzen kommen. Dies ist ein Zustand, den es zu verbessern gilt.
    • ZUSAMMENFASSUNG DER ERFINDUNG
  • Vor diesem Hintergrund liegt der vorliegenden Erfindung die Aufgabe zugrunde, ein Verfahren zur kostengünstigen Herstellung eines Steckverbinders für mindestens ein Hochfrequenzsignal anzugeben, der hinsichtlich seiner elektrischen und mechanischen Eigenschaften optimiert ist und auch in einer sehr geringen Ausdehnung mit Qualität herstellbar ist. Erfindungsgemäß wird diese Aufgabe durch ein Verfahren zur Herstellung eines Hochfrequenz-Steckverbinders mit den Merkmalen des Patentanspruchs 1 und durch einen Hochfrequenz-Steckverbinder nach Anspruch 18 gelöst.
  • Demgemäß ist vorgesehen:
    Ein Verfahren nach Anspruch 1.
  • Erfindungsgemäß wird ein Grundkörperteil des Hochfrequenz-Steckverbinders aus einem dielektrischen Material mittels eines additiven Fertigungsverfahrens hergestellt, das eine Durchführung zwischen einem ersten Ende und einem zweiten Ende seiner Längserstreckung aufweist. Ein Grundkörperteil mit einer derartigen Ausformung und aus einem derartigen Material wird für ein Isolatorelement des erfindungsgemäßen Hochfrequenz-Steckverbinders verwendet.
    Der Hochfrequenz-Steckverbinder ist bevorzugt aus einem einstückigen Grundkörperteil zusammengesetzt. Im Sonderfall eines mehrstückigen Grundkörperteils werden die dielektrischen Einzelteile des Grundkörperteils vor dem Beschichten geeignet, beispielsweise mittels Klebung, miteinander verbunden.
  • Erfindungsgemäß wird außerdem das dielektrische Grundkörperteil mit einer elektrisch leitfähigen Schicht beschichtet. Schließlich wird erfindungsgemäß die elektrisch leitfähige Schicht in einem die Durchführung jeweils umschließenden Bereich an der Stirnfläche am ersten Ende und am zweiten Ende des Grundkörperteils entfernt. Auf diese Weise wird vorteilhaft ein Hochfrequenz-Steckverbinder mit einer Innenleiterbeschichtung und einer Außenleiterbeschichtung erzeugt, die jeweils durch das dielektrische Material des Grundkörperteils voneinander elektrisch isoliert sind.
  • Der wesentliche Vorteil dieses erfindungsgemäßen Herstellungsverfahrens liegt darin, dass die Einzelbauteile des Hochfrequenz-Steckverbinders, d.h. das Innenleiterelement, das Isolatorelement und das Außenleiterelement, nicht mehr einzeln gefertigt und anschließend vergleichsweise aufwendig zum fertigen Hochfrequenz-Steckverbinder montiert werden müssen. Stattdessen wird der Hochfrequenz-Steckverbinder über drei sequenziell ablaufende Fertigungsschritte hergestellt, die automatisiert werden können.
  • Außerdem ermöglicht die Herstellung des Grundkörperteils aus einem dielektrischen Material mittels eines additiven Fertigungsverfahrens im Vergleich zur Einzelteilfertigung in einer konventionellen Fertigungstechnologie vorteilhaft die Realisierung von sehr komplexen und extrem kleinen Geometrien. Diese komplexen und kleinen Geometrien lassen sich zusätzlich vorteilhaft mit komplexen Werkstoffkombinationen verbinden. Damit lassen sich Hochfrequenz-Steckverbinder mit komplexen elektrischen und mechanischen Anforderungen herstellen. Insbesondere lässt sich ein Hochfrequenz-Steckverbinder mit einer Impedanz herstellen, die entlang seiner gesamten Längserstreckung einstellbar ist.
  • Unter einer einstellbaren Impedanz eines Hochfrequenz-Steckverbinders wird hierbei und im Folgenden eine Impedanz verstanden, die zwischen den beiden Schnittstellen am ersten und zweiten Ende des Grundkörpers an die Impedanz des jeweiligen Steckpartners, d.h. des Hochfrequenz-Gegensteckverbinders, des Hochfrequenzkabels oder Hochfrequenzsignalleitung auf einer Leiterplatte, angepasst ist. Eine bevorzugt konstante Impedanz über die gesamte Längserstreckung wird durch eine geeignete Formgebung und Materialwahl des Grundkörperteils realisiert. Im Sonderfall einer unterschiedlichen Impedanz der beiden Steckpartner wird eine angepasste Impedanz erreicht, indem mittels Formgebung und Materialwahl im Grundkörperteil ein stetiger oder zumindest mehrfach gestufter Übergang zwischen den beiden unterschiedlichen Werten am ersten und zweiten Ende des Grundkörperteils verwirklicht wird.
  • Unter einem "additiven Fertigungsverfahren", das auch als "generatives Fertigungsverfahren" bezeichnet wird, wird hierbei und im Folgenden ein Fertigungsverfahren verstanden, das auf der Basis von rechnerinternen Datenmodellen aus formlosem (Flüssigkeiten, Gelen/Pasten, Pulver u. ä.) oder formneutralem (band-, drahtförmig, blattförmig) Material mittels chemischer und/oder physikalischer Prozesse Erzeugnisse hoch präzise und kostengünstig herstellt. Obwohl es sich um formende Verfahren handelt, sind für ein konkretes Erzeugnis keine speziellen Werkzeuge erforderlich, die die jeweilige Geometrie des Werkstücks gespeichert haben (zum Beispiel Gussformen).
  • Zur Realisierung sehr kleiner Geometriestrukturen des Hochfrequenz-Steckverbinders eignet sich bevorzugt die 3D-Laser-Lithographie, insbesondere bevorzugt die 2-Photonen-Laser-Lithographie. Mit der hierbei verwendeten Multi-Photonen-Polymerisation wird ein fotosensitives Material, bevorzugt ein flüssiges fotosensitives Material, insbesondere bevorzugt ein pastöses fotosensitives Material, mittels eines Lasers bevorzugt in einzelnen Laserlichtblitzen beschossen und härtet dabei an speziellen Stellen aus. Auf diese Weise wird das Grundkörperteil des Hochfrequenz-Steckverbinders schrittweise aus dem fotosensitiven dielektrischen Material aufgebaut.
  • Nach der Herstellung des dielektrischen Grundkörperteils des Hochfrequenz-Steckverbinders mittels eines additiven Fertigungsverfahrens wird das Grundkörperteil mit einer elektrisch leitfähigen Schicht beschichtet. Als Beschichtungsverfahren eignet sich bevorzugt ein elektrochemisches Beschichtungsverfahren, beispielsweise ein Galvanik-Prozess. In einem Galvanikbad mit einem Elektrolyten wird hierbei ein elektrischer Stromkreis zwischen einer Kathode, die mit dem zu galvanisierenden Körper verbunden ist, und einer Anode aus dem Beschichtungsmaterial aufgebaut. Als Beschichtungsmaterial eignet sich bevorzugt Kupfer. Daneben kann auch Palladium, Silber, Gold, Nickel, Zinn oder Bleizinn zum Einsatz kommen.
  • Neben einem elektrochemischen Prozess kann für das Beschichten auch ein chemisches Verfahren verwendet werden. Bei einem chemischen Verfahren reagiert ein Ausgangsstoff, der an ein Trägergas gebunden ist oder in einer Flüssigkeit gelöst ist, unter bestimmten Reaktionsbedingungen, beispielsweise Temperatur und Druck, mit dem Grundkörperteil aus dielektrischen Material und erzeugt als Reaktionsergebnis eine elektrisch leitfähige Schicht, bevorzugt eine metallische Schicht.
  • Schließlich ist als Beschichtungsverfahren auch ein physikalisches Verfahren möglich, wie beispielsweise das SputterVerfahren oder andere Verdampfungsverfahren, einsetzbar.
  • Alternativ ist als alternative Beschichtung auch eine Kombination eines elektrochemischen Verfahrens mit einem chemischen Verfahren oder eine Kombination eines elektrochemischen Verfahrens mit einem physikalischen Verfahren denkbar.
  • Für das Entfernen der elektrisch leitfähigen Schicht an einem ersten und an einem zweiten Ende des Grundkörperteils in einem die Durchführung des Grundkörperteils umschließenden Bereich kann ein mechanisches Verfahren wie beispielsweise das Abschleifen der mindestens einen elektrisch leitfähigen Schicht mit einem hierfür geeignet ausgelegten Schleifwerkzeug zum Einsatz kommen.
  • Daneben kann das Entfernen der elektrisch leitfähigen Schicht auch über ein physikalisches bzw. optisches Verfahren, beispielsweise mittels Laserablation oder Laserverdampfung, durchgeführt werden. Hierbei wird die elektrisch leitfähige Schicht von einer Oberfläche des Grundkörperteils durch Beschuss mit einer Laserstrahlung entfernt. Die hierbei verwendete Laserstrahlung weist eine hohe Leistungsdichte auf, die zu einer rapiden Erhitzung und Ausbildung eines Plasmas an der Oberfläche führt. Hierbei werden die chemischen Bindungen der elektrisch leitfähigen Schicht, bevorzugt der metallischen Schicht, aufgebrochen und/oder aus der Oberfläche des Grundkörperteils geschleudert.
  • Schließlich kann die elektrisch leitfähige Schicht auch über ein chemisches Verfahren, beispielsweise über den sogenannten Lift-Off-Prozess, entfernt werden. Hierzu wird zwischen der elektrisch leitfähigen Schicht und dem Grundkörperteil aus dielektrischem Material eine Opferschicht bevorzugt aus Fotolack aufgebracht. Über einen nasschemischen Prozess mit einem Lösungsmittel, beispielsweise Aceton, wird die Opferschicht entfernt. Mit der Opferschicht wird auch die elektrisch leitfähige Schicht mit abgehoben (englisch: lift off) und weggewaschen.
  • Vorteilhafte Ausgestaltungen und Weiterbildungen ergeben sich aus den weiteren Unteransprüchen sowie aus der Beschreibung unter Bezugnahme auf die Figuren der Zeichnung.
  • Es versteht sich, dass die voranstehend genannten und die nachstehend noch zu erläuternden Merkmale nicht nur in der jeweils angegebenen Kombination, sondern auch in anderen Kombinationen oder in Alleinstellung verwendbar sind, ohne den Rahmen der vorliegenden Erfindung zu verlassen.
  • In einer besonderen Weiterbildung der Erfindung wird die Schichtdicke der Beschichtung, d.h. der elektrisch leitfähigen Schicht, innerhalb der Durchführung vergleichsweise größer als die Schichtdicke der elektrisch leitfähigen Beschichtung an der Außenmantelfläche des Grundkörperteils ausgebildet. Auf diese Weise lassen sich auch Hochfrequenz-signale mit einem höheren Leistungspegel über den Hochfrequenz-Steckverbinder übertragen. Im Extremfall füllt die Beschichtung die Durchführung vollständig aus.
  • Insbesondere bei Anwendung eines elektrochemischen Beschichtungsverfahrens, d.h. bei Anwendung eines Galvanik-Prozesses, ist vor dem Aufbringen der eigentlichen elektrisch leitfähigen Schicht funktionsbedingt eine elektrisch leitfähige Startschicht, bevorzugt eine metallische Startschicht, auf dem elektrisch isolierenden Material des Grundkörperteils mittels beispielsweise eines chemischen Verfahrens aufzubringen.
  • Somit beinhaltet das Beschichten des dielektrischen Grundkörperteils mit einer elektrisch leitfähigen Schicht bevorzugt ein Beschichten des dielektrischen Grundkörperteils mit mehreren elektrisch leitfähigen Schichten, bevorzugt mit mehreren metallischen Schichten. Die einzelnen metallischen Schichten, d.h. die Startschicht und die darauf aufgesetzte mindestens eine weitere metallische Schicht, sind bevorzugt aus einem unterschiedlichen metallischen Material. Durch geeignete Wahl der Schichtfolgen lassen sich auf diese Weise insbesondere in den Kontaktierungsbereichen besonders ausgeprägte elektrische und mechanische Eigenschaften, beispielsweise ein minimierter Kontaktwiderstand oder eine optimierte Abriebfestigkeit, realisieren.
  • Anstelle von einer Durchführung zwischen dem ersten und dem zweiten Ende der Längserstreckung des dielektrischen Grundkörperteils können auch zwei Durchführungen zwischen dem ersten und zweiten Ende des Grundkörperteils ausgebildet werden. In diesem Fall lässt sich ein Hochfrequenz-Steckverbinder für ein differenzielles Hochfrequenzsignal realisieren. Schließlich sind auch mehrere Paare von Durchführungen für einen Hochfrequenz-Steckverbinder für mehrere differenzielle Hochfrequenz-Signale möglich. Die Paare von Durchführungen zur Übertragung von mehreren differenziellen Hochfrequenz-Signalen können im dielektrischen Grundkörperteil jeweils sternförmig zueinander oder jeweils parallel zueinander angeordnet werden.
  • Das additive Fertigungsverfahren bietet vorteilhaft im Gegensatz zur konventionellen Fertigungstechnologie die Möglichkeit, sehr komplexe geometrische Formen im Steckbereich eines Hochfrequenz-Steckverbinders zu realisieren. Auf diese Weise lassen sich vollkommen neue Konturen zur elektrischen Kontaktierung im gesteckten Zustand und zur mechanischen Führung im Steckprozess zwischen einem Hochfrequenz-Steckverbinder und einem zugehörigen Hochfrequenz-Gegensteckverbinders realisieren. Gleichzeitig lässt sich eine eingestellte Impedanz entlang der Längserstreckung des Hochfrequenz-Steckverbinders verwirklichen.
  • Hierzu werden am ersten Ende des Grundkörperteils des Hochfrequenz-Steckverbinders außenleiter- und innenleiterseitige Kontaktierungsbereiche zur elektrischen Kontaktierung mit zum zugehörigen Hochfrequenz-Gegensteckverbinder gehörigen außenleiter- und innenleiterseitigen Kontaktierungsbereichen ausgebildet. Jeweils einer der beiden Kontaktierungsbereiche kann zusätzlich als Führungsbereich im Steckprozess dienen. Im Fall einer außenleiterseitigen und innenleiterseitigen Stirnkontaktierung wird keiner der beiden Kontaktierungsbereiche als Führungsbereich verwendet.
  • Am zweiten Ende des Grundkörperteils des Hochfrequenz-Steckverbinders werden die außenleiter- und innenleiterseitigen Kontaktierungsbereiche zuzüglich der Führungsbereiche mit einem weiteren Hochfrequenz-Gegensteckverbinder, einem Hochfrequenzkabel oder einer Leiterplatte mit einer Hochfrequenzleitungsstruktur ausgebildet.
  • In einer ersten Variante des erfindungsgemäßen Herstellungsverfahrens wird das Grundkörperteil an seinem ersten Ende außenleiterseitig in der Längsachsrichtung des Hochfrequenz-Steckverbinders verlängert. Die Verlängerung des Grundkörperteils wird hierbei buchsenförmig mithilfe des additiven Fertigungsverfahrens aufgebaut. Diese buchsenförmige Verlängerung des Grundkörperteils dient zur außenleiterseitigen Kontaktierung und zur Führung des Hochfrequenz-Steckverbinders und des zugehörigem Hochfrequenz-Gegensteckverbinders.
  • Dieser Hochfrequenz-Gegensteckverbinder kann bevorzugt ebenfalls mit einem additiven Fertigungsverfahren hergestellt werden. Alternativ kann der Hochfrequenz-Gegensteckverbinder auch mittels eines konventionellen Fertigungsverfahrens hergestellt werden.
  • Unter einer außenleiterseitigen buchsenförmigen Verlängerung wird hierbei bevorzugt eine hülsenförmige Verlängerung zur Aufnahme eines stiftförmig ausgeformten Außenleiters eines Hochfrequenz-Gegensteckverbinders verstanden.
  • Der Innendurchmesser der buchsenförmigen Verlängerung wird dabei so ausgebildet, dass bei einem korrespondierenden Außendurchmesser des Hochfrequenz-Gegensteckverbinders eine form- oder kraftschlüssige Verbindung mit dem Außenleiter eines Hochfrequenz-Gegensteckverbinders und damit ein guter elektrischer Übergangswiderstand herstellbar sind. Zur außenleiterseitigen Kontaktierung des Hochfrequenz-Steckverbinders wird die außenleiterseitige Beschichtung an der Außenmantelfläche des Grundkörperteils über die Innenmantelfläche der buchsenförmigen Verlängerung geführt. Damit wird die Innenmantelfläche der buchsenförmigen Verlängerung zum außenleiterseitigen Kontaktierungsbereich.
  • Die Länge der buchsenförmigen Verlängerung des dielektrischen Grundkörperteils wird so ausgebildet, dass einerseits eine ausreichende elektrische Kontaktierungsfläche zum Außenleiter des Hochfrequenz-Gegensteckverbinders und andererseits eine ausreichende Führungsfläche für den Hochfrequenz-Gegensteckverbinder im Hochfrequenz-Steckverbinder gesichert sind. Außerdem ist hiermit sichergestellt, dass ein axialer Versatz und ein Winkelversatz zwischen dem Hochfrequenz-Steckverbinder und dem zugehörigen Hochfrequenz-Gegensteckverbinder jeweils innerhalb technisch festgelegter Toleranzen liegen oder anderweitig abgefangen werden.
  • In einer zweiten Variante des erfindungsgemäßen Herstellungsverfahrens wird das Grundkörperteil innenleiterseitig an seinem ersten Ende in der Längsachsrichtung des Hochfrequenz-Steckverbinders verlängert. Die Verlängerung des Grundkörperteils wird hierbei stiftförmig mithilfe des additiven Fertigungsverfahrens aufgebaut. Die innenleiterseitige stiftförmige Verlängerung des Grundkörperteils dient einerseits zur innenleiterseitigen elektrischen Kontaktierung des Hochfrequenz-Steckverbinders mit einem zugehörigen Hochfrequenz-Gegensteckverbinder. Außerdem dient die innenleiterseitige stiftförmige Verlängerung des Grundkörperteils zur Führung des Hochfrequenz-Steckverbinders in einem bevorzugt buchsenförmig ausgeformten Innenleiter des Hochfrequenz-Gegensteckverbinders.
  • Hinsichtlich der Auslegung des Außendurchmessers und der Länge der stiftförmigen innenleiterseitigen Verlängerung des Grundkörperteils in der zweiten Variante des erfindungsgemäßen Herstellungsverfahrens gilt korrespondierend das obig zur Auslegung des Innendurchmessers und der Länge der buchsenförmigen außenleiterseitigen Verlängerung des Grundkörperteils Gesagte.
  • In der stiftförmigen Verlängerung des Grundkörperteils wird bevorzugt in der Längsachsrichtung des Hochfrequenz-Steckverbinders eine Durchführung, bevorzugt mindestens eine Durchführung, mithilfe des additiven Fertigungsverfahrens ausgeformt. Auf diese Weise ist gesichert, dass die metallische Schicht auf der Außenoberfläche der innenleiterseitigen stiftförmigen Verlängerung zusammenhängend ohne Unterbrechung mit der innenleiterseitigen metallischen Schicht in der Durchführung des Grundkörperteils verbunden ist.
  • In einer bevorzugten Ausprägung der zweiten Variante des erfindungsgemäßen Herstellungsverfahrens wird eine innenleiterseitige stiftförmige Verlängerung des Grundkörperteils mit einer sternförmigen Struktur aufgebaut.
  • Unter einer Ausbildung einer sternförmigen Struktur der stiftförmigen Verlängerung des Grundkörperteils wird hierbei der Aufbau von mehreren im Wesentlichen gleich geformten Bereichen verstanden, die ausgehend vom innenleiterseitigen Bereich des Grundkörperteils jeweils in einem bestimmten Winkel zueinander benachbart bis zur Längsachse des Hochfrequenz-Steckverbinders verlaufen.
  • Die stiftförmige Verlängerung des Grundkörperteils mit sternförmiger Struktur bietet vorteilhaft eine Mehrfachkontaktierung zwischen der innenleiterseitigen stiftförmigen Verlängerung des zum Hochfrequenz-Steckverbinder gehörigen Grundkörperteils und dem zugehörigen buchsenförmigen Innenleiter des Hochfrequenz-Gegensteckverbinders.
  • In einer ersten Untervariante der zweiten Variante des erfindungsgemäßen Herstellungsverfahrens wird die innenleiterseitige stiftförmige Verlängerung des Grundkörperteils aus einer Anzahl n von lamellenförmigen Bereichen aus dielektrischem Material aufgebaut. Hierbei schließen jeweils zwei benachbarte lamellenförmige Bereiche einen Winkel von 360°/n ein. Diese lamellenförmigen Bereiche werden so aufgebaut, dass sie einerseits im Bereich der Längsachse des Hochfrequenz-Steckverbinders miteinander verbunden sind und andererseits jeweils im innenleiterseitigen Bereich des Grundkörperteils mit dem restlichen Grundkörperteil verbunden sind. Zwischen zwei benachbarten lamellenförmigen Bereichen wird somit jeweils eine axiale Durchführung in der stiftförmigen Verlängerung des Grundkörperteils ausgeformt.
  • Zur Verbesserung einer radialen Kontaktierung mit dem Hochfrequenz-Gegensteckverbinder, insbesondere zur Realisierung einer bevorzugt halbkugelförmigen radialen Kontaktierung, wird mithilfe des additiven Fertigungsverfahrens an einer Stirnfläche jedes lamellenförmigen Bereiches jeweils eine Kontakterhöhung aufgebaut. Diese Kontakterhöhung weist eine Ausformung mit einem sich in Richtung des Kontaktierungspunktes bzw. der Kontaktierungsfläche sich verkleinernden Querschnitt auf. Sie kann beispielsweise die Form einer Halbkugel, einer Hälfte eines Ellipsoids, einer Kegelspitze oder einer Pyramidenspitze annehmen.
  • Um einen ausreichenden Kontaktdruck von der innenleiterseitigen stiftförmigen Verlängerung des zum Hochfrequenz-Steckverbinder gehörigen Grundkörperteils auf den buchsenförmigen Innenleiter des Hochfrequenz-Gegensteckverbinders auszuüben, wird jeder lamellenförmige Bereich der schlitzförmigen Verlängerung elastisch ausgebildet. Hierzu wird in jedem lamellenförmigen Bereich jeweils eine Durchgangsbohrung ausgeformt. Der Querschnitt der Durchgangsbohrung kann jede technisch sinnvolle Ausformung annehmen, beispielsweise kreisförmig, quadratisch, rechteckig, polygonal, elliptisch, oval, "bananenförmig" usw..
  • Alternativ können die einzelnen lamellenförmigen Bereiche der innenleiterseitigen stiftförmigen Verlängerung im Hinblick auf eine Elastizität auch aus einem elastischen dielektrischen Material aufgebaut werden.
  • Die Seitenflächen jedes einzelnen lamellenförmigen Bereiches der stiftförmigen Verlängerung des Grundkörperteils können so ausgeformt werden, dass sie eine radiale Querschnittskontur eines Stiftes aufweisen. Bevorzugt kann neben einer konischen Ausformung auch eine konkav gewölbte Ausformung Verwendung finden.
  • Alternativ zum Aufbau einer Kontakterhöhung an der Stirnfläche zur Realisierung einer radialen Kontaktierung wird in einer zweiten Untervariante der zweiten Variante des erfindungsgemäßen Herstellungsverfahrens ein Hochfrequenz-Steckverbinder hergestellt, in dem auf den beiden Seitenflächen jedes lamellenförmigen Bereiches der stiftförmigen Verlängerung des Grundkörperteils jeweils eine Kontakterhöhung zur Realisierung einer lateralen Kontaktierung aufgebaut wird. Die Ausformung der Kontakterhöhung zur lateralen Kontaktierung entspricht der Kontakterhöhung zur radialen Kontaktierung.
  • Hierbei kontaktieren die Kontakterhöhungen an den beiden Seitenflächen jedes lamellenförmigen Bereiches der stiftförmigen Verlängerung mit den Seitenflächen von jeweils benachbarten und elastisch ausgebildeten Vorsprüngen, die in den Hohlraum eines buchsenförmigen Innenleiters des Hochfrequenz-Gegensteckverbinders hineinragen. Das Herstellungsverfahren eines Hochfrequenz-Steckverbinders mit derartigen innenleiterseitigen Vorsprüngen wird weiter unten im Detail noch erläutert.
  • In einer dritten Untervariante der zweiten Variante des erfindungsgemäßen Herstellungsverfahrens wird ebenfalls eine stiftförmige Verlängerung des Grundkörperteils mit sternförmiger Struktur hergestellt. Die innenleiterseitige stiftförmige Verlängerung des Grundkörperteils wird hierbei aus einer Anzahl n von rippenförmigen Bereichen aufgebaut. Hierbei schließen jeweils zwei benachbarte rippenförmige Bereiche einen Winkel von 360°/n ein. Diese rippenförmigen Bereiche werden so aufgebaut, dass sie einerseits im Bereich der Längsachse des Hochfrequenz-Steckverbinders miteinander verbunden sind und andererseits jeweils im innenleiterseitigen Bereich des Grundkörperteils mit dem restlichen Grundkörperteil verbunden sind. Zwischen zwei benachbarten rippenförmigen Bereichen wird somit ebenfalls jeweils eine axiale Durchführung in der stiftförmigen Verlängerung des Grundkörperteils ausgeformt.
  • An den Stirnflächen der einzelnen rippenförmigen Bereiche der stiftförmigen Verlängerung des Grundkörperteils wird im Hinblick auf eine verbesserte radiale Kontaktierung, bevorzugt einer halbkugelförmigen radialen Kontaktierung, jeweils eine Kontakterhöhung aufgebaut.
  • Zur Erhöhung des Kontaktdruckes der einzelnen rippenförmigen Bereiche der innenleiterseitigen stiftförmigen Verlängerung auf den buchsenförmigen Innenleiter des Hochfrequenz-Gegensteckverbinders wird durch Ausformung einer Durchgangsbohrung, insbesondere durch Ausformung von mindestens einer Durchgangsbohrung, in jedem rippenförmigen Bereich jeweils eine Elastizität erzeugt. Gegenüber den lamellenförmigen Bereichen weisen die rippenförmigen Bereiche bei ansonsten gleicher Dimensionierung eine höhere Elastizität auf.
  • In einer vierten Untervariante der zweiten Variante des erfindungsgemäßen Herstellungsverfahrens wird die innenleiterseitige stiftförmige Verlängerung des Grundkörperteils aus einer Anzahl n von federarmförmigen Bereichen aus einem dielektrischen Material aufgebaut. Hierbei schließen zwei zueinander benachbarte federarmförmige Bereiche jeweils einen Winkel von 360°/n ein. Die einzelnen Federarme werden jeweils so aufgebaut, dass sie jeweils beabstandet durch einen Winkel von 360°/n zueinander mit dem innenleiterseitigen Bereich des Grundkörperteils verbunden sind.
  • Zur Verbesserung einer radialen Kontaktierung mit dem Hochfrequenz-Gegensteckverbinder wird mithilfe des additiven Fertigungsverfahrens an einer radial nach außen gerichteten Außenoberfläche jedes federarmförmigen Bereiches jeweils eine Kontakterhöhung aufgebaut.
  • Aufgrund ihrer federarmförmigen Ausformung weist jeder federarmförmige Bereich der stiftförmigen Verlängerung des Grundkörperteils jeweils eine Elastizität auf, die einen ausreichenden Kontaktdruck auf den zu kontaktierenden buchsenförmigen Innenleiter des Hochfrequenz-Gegensteckverbinders ausübt.
  • Die Anzahl der federarmförmiges Bereiche und die Länge der federarmförmigen Bereiche in Längsachsrichtung des Hochfrequenz-Steckverbinders sind derart auszugestalten, dass einerseits eine ausreichende elektrische Kontaktierung mit dem Hochfrequenz-Gegensteckverbinder und eine sichere Führung des Hochfrequenz-Steckverbinders im buchsenförmigen Innenleiter des Hochfrequenz-Gegensteckverbinders gesichert ist.
  • In einer dritten Variante des erfindungsgemäßen Herstellungsverfahrens wird am ersten Ende des Grundkörperteils innenleiterseitig eine hülsenförmige Verlängerung aufgebaut. Diese hülsenförmige Verlängerung wird an ihrem distalen Ende mehrfach geschlitzt ausgeformt, um mehrere durch einen Schlitz jeweils voneinander beabstandete Federlaschen auszubilden. An den distalen Enden der einzelnen Federlaschen werden mittels des additiven Fertigungsverfahrens jeweils radial nach außen verlaufende Kontakterhöhungen aufgebaut.
  • Die aus einzelnen Federlaschen ausgeformte hülsenförmige Verlängerung kontaktiert mit den zugehörigen radial nach außen verlaufenden Kontakterhöhungen mit dem buchsenförmigen Innenleiter des Hochfrequenz-Gegensteckverbinders. Die einzelnen Federlaschen werden hierbei mittels des additiven Fertigungsverfahrens so ausgeformt, dass die hülsenförmige Verlängerung eine ausreichende Elastizität aufweist, mit der sie im gesteckten Zustand einen ausreichenden Kontaktdruck auf den Innenleiter des Hochfrequenz-Gegensteckverbinders ausübt. Über eine ausreichende Längserstreckung der hülsenförmigen Verlängerung des Grundkörperteils wird der Hochfrequenz-Steckverbinder in dem buchsenförmig ausgeführten Innenleiter des Hochfrequenz-Gegensteckverbinders gesichert geführt.
  • Die metallische Beschichtung wird hierbei bevorzugt von der Innenmantelfläche des Grundkörperteils über die gesamte innenleiterseitige hülsenförmige Verlängerung des Grundkörperteils geführt.
  • Bevorzugt erfolgt die Kontaktierung der hülsenförmigen Verlängerung des zum Hochfrequenz-Steckverbinder gehörigen Grundkörperteils mit einer innenleiterseitig am Kontaktierungsende des Hochfrequenz-Gegensteckverbinders ausgeformten Stufe.
  • In einer vierten Variante des erfindungsgemäßen Herstellungsverfahrens wird am ersten Ende des Grundkörperteils keine Verlängerung des Grundkörperteils aufgebaut. Das erste Ende des Grundkörperteils bildet folglich eine durchgehende Stirnfläche. Diese Stirnfläche am ersten Ende des Grundkörperteils wird innenleiter- und/oder außenleiterseitig, bevorzug innenleiter- und außenleiterseitig, jeweils derart mit einer metallischen Schicht beschichtet, dass ein innenleiterseitiger und ein außenleiterseitiger Kontaktbereich zur innenleiter- bzw. außenleiterseitigen Stirnkontaktierung mit einem zugehörigen innenleiter- bzw. außenleiterseitigen Kontaktbereich eines Hochfrequenz-Gegensteckverbinders ausgebildet wird.
  • Um einen Winkelversatz zwischen dem Hochfrequenz-Steckverbinder und dem Hochfrequenz-Gegensteckverbinder zu verhindern, wird am ersten Ende des Grundkörperteils innenleiterseitig und/oder außenleiterseitig jeweils eine Verlängerung aufgebaut. Innerhalb dieser Verlängerung des Grundkörperteils wird ein Hohlraum ausgeformt. Auf diese Weise wird innenleiterseitig bzw. außenleiterseitig jeweils eine in Längsachsrichtung wirkende Elastizität realisiert, die einen Winkelversatz zwischen den Stirnflächen des Hochfrequenz-Steckverbinders und des zugehörigen Hochfrequenz-Gegensteckverbinders im gesteckten Zustand ausgleicht.
  • Die Verlängerung des Grundkörperteils und der zugehörige Hohlraum in der Verlängerung des Grundkörperteils können jeweils beispielsweise ring- oder hülsenförmig ausgeformt werden. Alternativ ist auch eine Realisierung aus mehreren beispielsweise halbkugelförmigen Verlängerungen des Grundkörperteils denkbar, die jeweils auf einem innenleiterseitigen bzw. außenleiterseitigen Kreis, Ellipse oder Rechteck um die Längsachse des Hochfrequenz-Steckverbinders aufgebaut werden. Innerhalb dieser beispielsweise halbkugelförmigen Verlängerungen des Grundkörperteils werden jeweils zugehörige lokal begrenzte Hohlräume ausgeformt.
  • Um einen axialen Versatz zwischen dem Hochfrequenz-Steckverbinder und dem Hochfrequenz-Gegensteckverbinder im gesteckten Zustand zu verhindern, kann einerseits eine elektrisch isolierende Hülse auf den Hochfrequenz-Steckverbinder aufgepresst werden, die über das erste Ende des Grundkörpers hinausragt. Der Innendurchmesser dieser Hülse wird hierbei so ausgelegt, dass der Hochfrequenz-Gegensteckverbinder bei gegebenem Außendurchmesser seines Außenleiters innerhalb der Hülse bevorzugt ohne axiales Spiel geführt wird. Eine andere Variante zur Verhinderung eines axialen Versatzes kann auch eine buchsenförmige Verlängerung des Grundkörpers im Sinne der ersten Variante des erfindungsgemäßen Verfahrens sein.
  • In einer bevorzugten Erweiterung der vierten Variante des erfindungsgemäßen Herstellungsverfahrens wird außenleiterseitig und benachbart zum ersten Ende des Grundkörperteils am Grundkörperteil eine radial nach außen verlaufende Kontakterhöhung, bevorzugt eine ringförmige Kontakterhöhung, aufgebaut.
  • Mit einem derart hergestellten Hochfrequenz-Steckverbinder lässt sich vorteilhaft die außenleiterseitige Kontaktierung mit einem Hochfrequenz-Gegensteckverbinder im Hinblick auf eine lokal begrenzte und radial gerichtete Kontaktierung optimieren. Der zugehörige Hochfrequenz-Gegensteckverbinder ist ein Hochfrequenz-Steckverbinder, der eine nach der ersten Variante des erfindungsgemäßen Herstellungsverfahrens hergestellte außenleiterseitige buchsenförmige Verlängerung des Grundkörperteils aufweist.
  • Bevorzugt wird mithilfe des additiven Fertigungsverfahrens ein Bereich des Grundkörperteils, der zur radial nach außen verlaufenden Kontakterhöhung benachbart ist, elastisch ausgebildet. Durch diese zusätzliche Elastizität wird vorteilhaft von der radial nach außen verlaufenden Kontakterhöhung ein ausreichender Kontaktdruck auf den Außenleiter des Hochfrequenz-Gegensteckverbinders ausgeübt, um einen niedrigen elektrischen Kontaktwiderstand zu realisieren.
  • Dieser elastisch auszubildende Bereich des Grundkörperteils kann hierbei mittels des additiven Fertigungsverfahrens aus einem elastischen dielektrischen Material aufgebaut werden. Alternativ kann mittels des additiven Fertigungsverfahrens auch mindestens ein Hohlraum im elastisch auszubildenden Bereich des Grundkörperteils ausgeformt werden.
  • In einer weiteren bevorzugten Erweiterung der ersten Variante des erfindungsgemäßen Herstellungsverfahrens werden mittels eines additiven Fertigungsverfahrens benachbart zum ersten Ende des Grundkörperteils innenleiterseitig am Grundkörperteil mehrere in die Durchführung des Grundkörperteils hineinragende Vorsprünge aufgebaut. Diese Vorsprünge werden jeweils an der Innenmantelfläche des Grundkörperteils als lokal begrenzte Verbreiterungen des Grundkörperteils ausgebildet. Jeweils zwei benachbarte Vorsprünge werden an der Innenmantelfläche des Grundkörperteils in einem derartigen Winkelabstand zueinander aufgebaut, dass dazwischen eine innenleiterseitige Führung und gleichzeitig eine laterale innenleiterseitige Kontaktierung eines membranförmigen Bereiches einer stiftförmigen Verlängerung des Grundkörperteils des Hochfrequenz-Gegensteckverbinder möglich sind. Der zugehörige Hochfrequenz-Gegensteckverbinder ist ein Hochfrequenz-Steckverbinder, der nach der zweiten Untervariante der zweiten Variante des erfindungsgemäßen Herstellungsverfahrens hergestellt wird.
  • Um einen ausreichenden Kontaktdruck zwischen den einzelnen Vorsprüngen und den einzelnen lamellenförmigen Bereichen zu verwirklichen, werden die einzelnen Vorsprünge jeweils elastisch ausgebildet. Hierzu werden sie entweder jeweils aus einem elastischen dielektrischen Material und/oder durch eine entsprechende elastische Formgebung aufgebaut.
  • Von der Erfindung ist auch ein erfindungsgemäßer Hochfrequenz-Steckverbinder mit abgedeckt, der nach dem erfindungsgemäßen Herstellungsverfahren hergestellt wird, wie es obig in seinen einzelnen technischen Ausprägungen und technischen Facetten dargestellt wurde.
  • Die obigen Ausgestaltungen und Weiterbildungen lassen sich, sofern sinnvoll, beliebig miteinander kombinieren und nebeneinander anordnen. Weitere mögliche Ausgestaltungen, Weiterbildungen und Implementierungen der Erfindung umfassen auch nicht explizit genannte Kombinationen von zuvor oder im Folgenden bezüglich der Ausführungsbeispiele beschriebenen Merkmale der Erfindung. Insbesondere wird dabei der Fachmann auch Einzelaspekte als Verbesserungen oder Ergänzungen zu der jeweiligen Grundform der vorliegenden Erfindung hinzufügen.
    • INHALTSANGABE DER ZEICHNUNG
  • Die vorliegende Erfindung wird nachfolgend anhand der in den schematischen Figuren der Zeichnung angegebenen Ausführungsbeispiele näher erläutert. Es zeigen dabei:
    • Fig. 1A, 1B, 1C
    eine Querschnittsdarstellung einer Grundstruktur des erfindungsgemäßen Hochfrequenz-Steckverbinders in den einzelnen Fertigungsschritten des erfindungsgemäßen Verfahrens,
    Fig. 2A,2B
    eine vertikale und horizontale Querschnittsdarstellung einer Grundstruktur des erfindungsgemäßen Hochfrequenz-Steckverbinders für ein differentielles Hochfrequenzsignal,
    Fig. 3
    eine Querschnittsdarstellung einer Grundstruktur des erfindungsgemäßen Hochfrequenz-Steckverbinders mit vollständiger Füllung der Durchführung mit Beschichtungsmaterial,
    Fig. 4A, 4B
    eine isometrische Darstellung eines nach der ersten Variante des erfindungsgemäßen Verfahrens hergestellten Hochfrequenz-Steckverbinders und eines zugehörigen Hochfrequenz-Gegensteckverbinders,
    Fig. 4C, 4D
    zwei Querschnittsdarstellungen eines nach der ersten Variante des erfindungsgemäßen Verfahrens hergestellten Hochfrequenz-Steckverbinders,
    Fig. 4E, 4F
    zwei Querschnittsdarstellungen des zugehörigen Hochfrequenz-Gegensteckverbinders,
    Fig. 4G
    eine Querschnittsdarstellung eines nach der ersten Variante des erfindungsgemäßen Verfahrens hergestellten Hochfrequenz-Steckverbinders im gesteckten Zustand mit dem zugehörigen Hochfrequenz-Gegensteckverbinder,
    Fig. 5A, 5B
    eine isometrische Darstellung eines nach der ersten Untervariante der zweiten Variante des erfindungsgemäßen Verfahrens hergestellten Hochfrequenz-Steckverbinders und eines zugehörigen Hochfrequenz-Gegensteckverbinders,
    Fig. 5C, 5D
    zwei Querschnittsdarstellungen eines nach der ersten Untervariante der zweiten Variante des erfindungsgemäßen Verfahrens hergestellten Hochfrequenz-Steckverbinders,
    Fig. 5E, 5F
    zwei Querschnittsdarstellungen des zugehörigen Hochfrequenz-Gegensteckverbinders,
    Fig. 5G
    eine Querschnittsdarstellung eines nach der ersten Untervariante der zweiten Variante des erfindungsgemäßen Verfahrens hergestellten Hochfrequenz-Steckverbinders im gesteckten Zustand mit dem zugehörigen Hochfrequenz-Gegensteckverbinder,
    Fig. 6A, 6B
    eine isometrische Darstellung eines nach der zweiten Untervariante der zweiten Variante des erfindungsgemäßen Verfahrens hergestellten Hochfrequenz-Steckverbinders und eines zugehörigen Hochfrequenz-Gegensteckverbinders,
    Fig. 6C, 6D
    zwei Querschnittsdarstellungen eines nach der zweiten Untervariante der zweiten Variante des erfindungsgemäßen Verfahrens hergestellten Hochfrequenz-Steckverbinders,
    Fig. 6E, 6F
    zwei Querschnittsdarstellungen des zugehörigen Hochfrequenz-Gegensteckverbinders,
    Fig. 6G
    eine Querschnittsdarstellung eines nach der zweiten Untervariante der zweiten Variante des erfindungsgemäßen Verfahrens hergestellten Hochfrequenz-Steckverbinders im gesteckten Zustand mit dem zugehörigen HochfrequenzGegensteckverbinder,
    Fig. 7A, 7B
    eine isometrische Darstellung eines nach der dritten Untervariante der zweiten Variante des erfindungsgemäßen Verfahrens hergestellten Hochfrequenz-Steckverbinders und eines zugehörigen Hochfrequenz-Gegensteckverbinders,
    Fig. 7C, 7D
    zwei Querschnittsdarstellungen eines nach der dritten Untervariante der zweiten Variante des erfindungsgemäßen Verfahrens hergestellten Hochfrequenz-Steckverbinders,
    Fig. 7E, 7F
    zwei Querschnittsdarstellungen des zugehörigen Hochfrequenz-Gegensteckverbinders,
    Fig. 7G
    eine Querschnittsdarstellung eines nach der dritten Untervariante der zweiten Variante des erfindungsgemäßen Verfahrens hergestellten Hochfrequenz-Steckverbinders im gesteckten Zustand mit dem zugehörigen Hochfrequenz-Gegensteckverbinder,
    Fig. 8A, 9B
    eine isometrische Darstellung eines nach der vierten Untervariante der zweiten Variante des erfindungsgemäßen Verfahrens hergestellten Hochfrequenz-Steckverbinders und eines zugehörigen Hochfrequenz-Gegensteckverbinders,
    Fig. 8C, 8D
    zwei Querschnittsdarstellungen eines nach der vierten Untervariante der zweiten Variante des erfindungsgemäßen Verfahrens hergestellten Hochfrequenz-Steckverbinders,
    Fig. 8E, 8F
    zwei Querschnittsdarstellungen des zugehörigen Hochfrequenz-Gegensteckverbinders,
    Fig. 8G
    eine Querschnittsdarstellung eines nach der vierten Untervariante der zweiten Variante des erfindungsgemäßen Verfahrens hergestellten Hochfrequenz-Steckverbinders im gesteckten Zustand mit dem zugehörigen Hochfrequenz-Gegensteckverbinder,
    Fig. 9A, 9B
    eine isometrische Darstellung eines nach der dritten Variante des erfindungsgemäßen Verfahrens hergestellten Hochfrequenz-Steckverbinders und eines zugehörigen Hochfrequenz-Gegensteckverbinders,
    Fig. 9C, 9D
    zwei Querschnittsdarstellungen eines nach der dritten Variante des erfindungsgemäßen Verfahrens hergestellten Hochfrequenz-Steckverbinders,
    Fig. 9E, 9F
    zwei Querschnittsdarstellungen des zugehörigen Hochfrequenz-Gegensteckverbinders,
    Fig. 9G
    eine Querschnittsdarstellung eines nach der dritten Variante des erfindungsgemäßen Verfahrens hergestellten Hochfrequenz-Steckverbinders im gesteckten Zustand mit dem zugehörigen Hochfrequenz-Gegensteckverbinder,
    Fig. 10A, 10B
    eine isometrische Darstellung eines nach der vierten Variante des erfindungsgemäßen Verfahrens hergestellten Hochfrequenz-Steckverbinders und eines zugehörigen Hochfrequenz-Gegensteckverbinders,
    Fig. 10C, 10D
    zwei Querschnittsdarstellungen eines nach der vierten Untervariante der zweiten Variante des erfindungsgemäßen Verfahrens hergestellten Hochfrequenz-Steckverbinders,
    Fig. 10E, 10F
    zwei Querschnittsdarstellungen des zugehörigen Hochfrequenz-Gegensteckverbinders und
    Fig. 10G
    eine Querschnittsdarstellung eines nach der vierten Variante des erfindungsgemäßen Verfahrens hergestellten Hochfrequenz-Steckverbinders im gesteckten Zustand mit dem zugehörigen Hochfrequenz-Gegensteckverbinder,
  • Die beiliegenden Figuren der Zeichnung sollen ein weiteres Verständnis der Ausführungsformen der Erfindung vermitteln. Sie veranschaulichen Ausführungsformen und dienen im Zusammenhang mit der Beschreibung der Erklärung von Prinzipien und Konzepten der Erfindung. Andere Ausführungsformen und viele der genannten Vorteile ergeben sich im Hinblick auf die Zeichnungen. Die Elemente der Zeichnungen sind nicht notwendigerweise maßstabsgetreu zueinander gezeigt.
  • In den Figuren der Zeichnung sind gleiche, funktionsgleiche und gleich wirkende Elemente, Merkmale und Komponenten - sofern nichts anderes ausgeführt ist - jeweils mit denselben Bezugszeichen versehen.
  • Im Folgenden werden die Figuren zusammenhängend und übergreifend beschrieben.
    • Beschreibung von Ausführungsbeispielen
  • Im Folgenden wird das Prinzip des erfindungsgemäßen Verfahrens zur Herstellung eines Hochfrequenz-Steckverbinders anhand der Figuren 1A bis 1C erläutert:
    In einem ersten Fertigungsschritt gemäß Fig. 1A wird ein Grundkörperteil 1 des erfindungsgemäßen Hochfrequenz-Steckverbinders 2 aus einem dielektrischen Material hergestellt. Das Grundkörperteil 1 weist eine einzige Durchführung 4 auf, die entlang der Längsachse 3 verläuft. Die Geometrie des dielektrischen Grundkörperteils 1 muss nicht zwingend hohlzylindrisch sein, wie in den Figuren 1A bis 1C aus Gründen der Vereinfachung dargestellt ist. Andere von einer hohlzylindrischen Geometrie abweichende Geometrien für das Grundkörperteil 1, beispielsweise für einen Hochfrequenz-Winkelsteckverbinder, sind auch denkbar.
  • Bevorzugt ist die Geometrie des Grundkörperteils 1 rotationssymmetrisch zur Längsachse 3 ausgeformt, um mit dem als Isolatorelement dienenden Grundkörperteil 1 eine Koaxialität zwischen der Innenleiter- und der Außenleiterbeschichtung des erfindungsgemäßen Hochfrequenz-Steckverbinders 2 zu realisieren. Diese Koaxialität ist eine wesentliche Voraussetzung für eine hochfrequenztechnisch optimierte Übertragung eines unsymmetrischen Hochfrequenzsignals innerhalb des Hochfrequenz-Steckverbinders. Ausgehend von dieser rotationssymmetrischen Grundgeometrie des Grundkörperteils 1 können insbesondere im Hinblick auf weitere mechanische und elektrische Funktionen bzw. Optimierungen zusätzliche technisch sinnvolle geometrische Modifikationen durchgeführt werden. Mittels Anwendung von additiven Fertigungstechnologien bei der Herstellung des Grundkörperteils 1 sind hierbei vergleichsweise komplexe technische Geometrien und miniaturisierte Ausformungen bis in den Mikro- und Nanometerbereich realisierbar.
  • In einem weiteren Fertigungsschritt gemäß Fig. 1B wird das dielektrische Grundkörperteil 1 mit einer elektrisch leitfähigen Beschichtung 5 beschichtet. Die Beschichtung 5 umschließt das dielektrische Grundkörperteil 1 vollständig. Selbst bei vergleichsweise komplexen geometrische Ausformungen des Grundkörperteils 1 ist die gesamte Außenoberfläche des Grundkörperteils 1 mit einer elektrisch leitfähigen Beschichtung 5 lückenlos versehen. Die elektrisch leitfähige Beschichtung 5 enthält typischerweise eine elektrisch leitfähige Schicht, d.h. eine metallische Schicht.
  • Bei Anwendung eines elektrochemischen Beschichtungsverfahrens ist das dielektrische Grundkörperteil 1 mittels eines nicht elektrochemischen Beschichtungsverfahrens mit einer elektrisch leitfähigen, bevorzugt einer metallischen, Startschicht zu beschichten. Auf diese Startschicht wird daraufhin die eigentliche metallische Schicht aufgebaut.
  • Daneben kann das dielektrische Grundkörperteil 1 über die gesamte Oberfläche oder bevorzugt selektiv in bestimmten Bereichen jeweils mehrere metallische Schichten aufweisen, um mit dieser Mehrfachbeschichtung besondere mechanische und elektrische Eigenschaften zu erzielen. Insbesondere im außenleiterseitigen und innenleiterseitigen Kontaktierungsbereich 711 und 712 des erfindungsgemäßen Hochfrequenz-Steckverbinders 2 mit einem zugehörigen Hochfrequenz-Gegensteckverbinder am ersten Ende 61 des Grundkörperteils 1 stellen sich erhöhte mechanische und elektrische Anforderungen. Beispielsweise eine zusätzliche Goldschicht in den beiden Kontaktierungsbereichen 711 und 712 bewirkt vorteilhaft eine höhere Abriebfestigkeit und gleichzeitig einen geringeren Kontaktwiderstand. Aber auch in den außenleiterseitigen und innenleiterseitigen Kontaktierungsbereichen 721 und 722 am zweiten Ende 62 des Grundkörperteils 1, die beispielsweise mit einem weiteren Hochfrequenz-Gegensteckverbinder kontaktieren, können sich erhöhte mechanische und elektrische Anforderungen stellen, die eine mehrschichtige Beschichtung erforderlich machen.
  • Im abschließenden dritten Fertigungsschritt wird gemäß Fig. 1C die elektrisch leitfähige Beschichtung 5, die aus mindestens einer metallischen Schicht zusammengesetzt ist, in einem die Durchführung 5 jeweils umschließenden Bereich 341 und 342 am ersten Ende 61 bzw. am zweiten Ende 62 des erfindungsgemäßen Hochfrequenz-Steckverbinders 2 entfernt. Auf diese Weise bilden sich auf der Außenoberfläche des Grundkörperteils 1 in sich geschlossenen Bereiche der Beschichtung 5, die jeweils voneinander elektrisch getrennt sind. Der eine Bereich ist der Bereich auf der Außenmantelfläche des Grundkörperteils 1, der bis in Stirnflächen an den beiden Enden des Grundkörperteils 1 hineinreicht und den Außenleiter des erfindungsgemäßen Hochfrequenz-Steckverbinders 2 bildet. Der andere Bereich ist der Bereich in der Durchführung 5, der bis in Stirnflächen an den beiden Enden des Grundkörperteils 1 hineinreicht und den Innenleiter des erfindungsgemäßen Hochfrequenz-Steckverbinders 2 bildet. Die ursprüngliche Beschichtung teilt sich durch diesen Fertigungsschritt in eine außenleiterseitige Beschichtung 51 und eine innenleiterseitige Beschichtung 52 auf. Am ersten Ende 61 des Hochfrequenz-Steckverbinders 2 bildet sich ein außenleiterseitiger Kontaktierungsbereich 711 und ein innenleiterseitiger Kontaktierungsbereich 712. Am zweiten Ende 62 des Hochfrequenz-Steckverbinders 2 bildet sich ein außenleiterseitiger Kontaktierungsbereich 721 und ein innenleiterseitiger Kontaktierungsbereich 722.
  • Auf diese Weise ist ein erfindungsgemäßer Hochfrequenz-Steckverbinder 2 für ein Hochfrequenzsignal mittels drei aufeinanderfolgender und typischerweise automatisierbarer Fertigungsschritte herstellbar. Eine Einzelteilfertigung für das Innenleiterelement, das Isolatorelement und das Außenleiterelement und eine anschließende vergleichsweise aufwendige Montage ist nicht erforderlich.
  • Aus den Figuren 2A und 2B geht eine Grundstruktur eines erfindungsgemäßen Steckverbinders 2 für ein differenzielles Hochfrequenzsignal hervor. Es werden hierbei mittels des additiven Fertigungsverfahrens zwei Durchführungen 41 und 42 ausgebildet, die jeweils vom ersten Ende 61 zum zweiten Ende 62 in Längserstreckung des Hochfrequenz-Steckverbinders 2 verlaufen. Die Beschichtungen 52 1 bzw. 52 2 in den beiden Durchführungen 41 und 42 dienen jeweils als Innenleiter, während die Beschichtung 51 an der Außenmantelfläche den Außenleiter bildet. Anstelle von zwei Durchführungen 41 und 42 kann eine beliebige und technisch sinnvolle Anzahl von Durchführungspaaren ausgebildet werden, deren Innenbeschichtung jeweils die Innenleiterpaare zur Übertragung von jeweils einem differenziellen Hochfrequenzsignal verwirklicht. Die einzelnen Paare von Durchführungen können innerhalb des Grundkörperteils 1 entweder zueinander überkreuzt oder zueinander parallel ausgebildet werden.
  • Eine weitere Ausprägung einer Grundstruktur für einen erfindungsgemäßen Hochfrequenz-Steckverbinder 2 geht aus Fig. 3 hervor. Hierbei wird die Durchführung 4 des Grundkörperteils 1 mittels selektiver Beschichtung vollständig mit Beschichtungsmaterial gefüllt. Alternativ lässt sich auch eine Beschichtung innerhalb der Durchführung 4 realisieren, die im Vergleich zur außerleiterseitigen Beschichtung 51 eine größere Schichtdicke aufweist und gleichzeitig die Durchführung 4 nicht vollständig ausfüllt. Eine derartige selektive Beschichtung, die eine vergrößerte Schichtdicke im Innenleiterberreich aufweist, ist vor allem für die Übertragung eines Hochfrequenzsignals in einem höheren Leistungsbereich vorteilhaft.
  • Eine mittels selektiver Beschichtung durchgeführte erhöhte Schichtdicke in einem Kontaktierungsbereich 711, 712, 721 und 722 des erfindungsgemäßen Hochfrequenz-Steckverbinders 2 ermöglicht eine Verlängerung der durch Abrieb im Kontaktierungsbereich sich stetig verkürzenden Standzeit eines Hochfrequenz-Steckverbinders.
  • Die Figuren 4A, 4B, 4C, 4D, 4E, 4F und 4G beziehen sich auf einen Hochfrequenz-Steckverbinder 2, der nach einer ersten Variante des erfindungsgemäßen Herstellungsverfahrens hergestellt wird. Mittels des additiven Fertigungsverfahrens wird hierbei im Bereich des ersten Endes 61 des dielektrischen Grundkörperteils 1 ausgehend vom im Wesentlichen hohlzylindrischen ausgeformten Grundkörperteil 1 außenleiterseitig eine buchsenförmige Verlängerung 9 des Grundkörperteils 1 aufgebaut. Die buchsenförmige Verlängerung 9 des Grundkörperteils 1 ragt hierbei in Längsachsrichtung des Hochfrequenz-steckverbinders über die Stirnfläche 10 am ersten Ende 61 des Grundkörperteils hinaus.
  • Der innenleiterseitige Kontaktierungsbereich 712 eines derart hergestellten Hochfrequenz-Steckverbinders 2 wird durch eine innenleiterseitig auf der Stirnfläche 10 aufgebrachte innenleiterseitige Beschichtung 52 realisiert. Dieser innenleiterseitige Kontaktierungsbereich 712 bildet mit einem innenleiterseitigen Kontaktierungsbereich 712', der sich auf einer gegenüberliegenden Stirnfläche 10' eines zugehörigen Hochfrequenz-Gegensteckverbinders 2' befindet, eine Stirnkontaktierung.
  • Der außenleiterseitige Kontaktierungsbereich 711 eines derart hergestellten Hochfrequenz-Steckverbinders 2 wird durch die außenleiterseitige Beschichtung 51 auf der Innenmantelfläche der buchsenförmigen Verlängerung 9 des Grundkörperteils 1 verwirklicht. Hierzu wird bevorzugt die außenleiterseitige Beschichtung 51 des Hochfrequenz-Steckverbinders 2 von der Außenmantelfläche des Grundkörperteils 1 über mehrere Schlitze 11, die mittels des additiven Fertigungsverfahrens im Übergangsbereich 12 zwischen der buchsenförmigen Verlängerung 9 und dem Grundkörperteil 1 ausgebildet werden, auf die Innenmantelfläche der buchsenförmigen Verlängerung 9 geführt. Auf diese Weise wird die außenleiterseitige Beschichtung 51 über die gesamte Längserstreckung des erfindungsgemäßen Hochfrequenz-Steckverbinders 2 im gleichen radialen Abstand zur Längsachse 3 des Hochfrequenz-Steckverbinders 2 und damit koaxial zur innenleiterseitigen Beschichtung 52 geführt. Dieser außenleiterseitige Kontaktierungsbereich 711 bildet mit einem außenleiterseitigen Kontaktierungsbereich 711', der sich auf der Außenmantelfläche eines zugehörigen Hochfrequenz-Gegensteckverbinders 2' befindet, eine radial gerichtete Kontaktierung.
  • Eine elektrische Trennung zwischen dem außenleiterseitigen Kontaktbereich 711 und dem innenleiterseitigen Kontaktbereich 712 wird dadurch verwirklicht, dass ein zwischen dem außenleiterseitigen Kontaktbereich 711 und der buchsenförmigen Verlängerung 9 befindlicher Bereich der Stirnfläche 10 des Grundkörperteils 1 nicht beschichtet wird.
  • Der zugehörige Hochfrequenz-Gegensteckverbinder 2' kann mit einem konventioneller Fertigungsverfahren hergestellt werden. Alternativ kann der Hochfrequenz-Gegensteckverbinder 2', wie aus den Figuren 4F und 4G hervorgeht, auch erfindungsgemäß in einem additiven Fertigungsverfahren hergestellt werden.
  • Der erfindungsgemäß in einem additiven Fertigungsverfahren hergestellte Hochfrequenz-Gegensteckverbinder 2' ist in diesem Fall ein nach der vierten Variante des erfindungsgemäßen Herstellungsverfahrens hergestellter Hochfrequenz-Steckverbinder 2 mit Stirnkontaktierung, der weiter unten noch erläutert wird. Die Stirnkontaktierung beschränkt sich hierbei auf die innenleiterseitige Kontaktierung über einen innenleiterseitigen Kontaktierungsbereich 712', da die außenleiterseitige Kontaktierung über eine radiale Kontaktierung verwirklicht wird.
  • Zur Verbesserung der außenleiterseitigen Kontaktierung zwischen dem Hochfrequenz-Steckverbinder 2 und dem zugehörigen Hochfrequenz-Gegensteckverbinder 2' wird in einer bevorzugten Erweiterung der vierten Variante des erfindungsgemäßen Herstellungsverfahrens eines Hochfrequenz-Steckverbinders gemäß der Figuren 4F und 4G an der Außenmantelfläche des Grundkörperteils 1 im Bereich des ersten Endes des Grundkörperteils 1 mittels des additiven Fertigungsverfahrens eine radial nach außen verlaufende Kontakterhöhung 13, bevorzugt eine ringförmige Kontakterhöhung 13, aufgebaut. Diese radial nach außen verlaufende Kontakterhöhung 13 ermöglicht näherungsweise einen linienförmigen Kontakt zwischen der Innenmantelfläche der zum Hochfrequenz-Steckverbinder 2 gehörigen buchsenförmigen Verlängerung 9 und der Außenmantelfläche des Hochfrequenz-Gegensteckverbinders 2'. Um einen ausreichenden Kontaktdruck von der radial nach außen verlaufenden Kontakterhöhung 13 auf die Innenmantelfläche der buchsenförmigen Verlängerung 9 auszuüben, wird der zur radial nach außen verlaufenden Kontakterhöhung 13 benachbarte Bereich des Grundkörperteils 1' elastisch ausgebildet. Dies kann, wie in den Figuren 4F und 4G dargestellt ist, ein Hohlraum 14 sein, der mittels des additiven Fertigungsverfahren in einem zur radial nach außen verlaufenden Kontakterhöhung 13 benachbarten Bereich des Grundkörperteils 1' ausgeformt wird. Alternativ kann der zur radial nach außen verlaufenden Kontakterhöhung 13 benachbarte Bereich des Grundkörperteils 1' auch mittels des additiven Fertigungsverfahrens mit einem elastischen dielektrischen Material aufgebaut werden.
  • Im Hinblick auf eine gute außenleiterseitige Kontaktierung und eine gute mechanische Führung wird der Innendurchmesser der buchsenförmigen Verlängerung 9 zuzüglich der außenleiterseitigen Beschichtung 51 an den Außendurchmesser des zugehörigen Hochfrequenz-Gegensteckverbinders 2' angepasst. Die Länge der buchsenförmigen Verlängerung 9 ist ausreichend zu bemessen, um ebenfalls eine gute Führung des Hochfrequenz-Gegensteckverbinders 2' im Hochfrequenz-Steckverbinder 2 zu sichern. Die Innenmantelfläche der buchsenförmigen Verlängerung 9 des Grundkörperteils 1 des Hochfrequenz-Steckverbinders 2 dient nicht nur als außenleiterseitiger Kontaktierungsbereich 711, sondern auch in Kombination mit der Außenmantelfläche des Hochfrequenz-Gegensteckverbinders als Führungsbereich.
  • In einer zweiten Variante des erfindungsgemäßen Herstellungsverfahrens wird ein Hochfrequenz-Steckverbinder 2 mit einer innenleiterseitigen stiftförmigen Verlängerung 15 hergestellt. Die stiftförmige Verlängerung 15 des Grundkörperteils 1 ragt hierbei in Längsachsrichtung des Hochfrequenz-steckverbinders über die Stirnfläche 10 am ersten Ende 61 des Grundkörperteils hinaus.
  • In einer bevorzugten Ausformung weist die innenleiterseitige stiftförmige Verlängerung eine sternförmige Struktur auf. Diese sternförmige Struktur ermöglicht vorteilhaft eine Mehrfachkontaktierung zwischen der innenleiterseitigen stiftförmigen Verlängerung 15 und einem zugehörigen primär buchsenförmigen Innenleiter eines zugehörigen Hochfrequenz-Gegensteckverbinders 2'.
  • Die Figuren 5A, 5B, 5C, 5D, 5E, 5F und 5G beziehen sich auf einen Hochfrequenz-Steckverbinder 2, der nach einer ersten Untervariante dieser zweiten Variante des erfindungsgemäßen Herstellungsverfahrens hergestellt wird. In der ersten Untervariante wie auch in der darauffolgend erläuterten zweiten Untervariante einer stiftförmig ausgebildeten innenleiterseitigen Verlängerung 15 des Grundkörperteils 1 werden als stiftförmige Verlängerung 15 jeweils mehrere lamellenförmige Bereiche auf den Grundkörperteil 1 mittels additiver Fertigungstechnologie aufgebaut.
  • Die lamellenförmige Bereiche 161, 162, 163 und 164 der stiftförmigen Verlängerung 15 mit sternförmiger Struktur werden mittels des additiven Fertigungsverfahrens am ersten Ende 61 des Grundkörperteils 1 derart auf das Grundkörperteils 1 aufgebaut, dass jeweils zwei benachbarte lamellenförmige Bereiche 161, 162, 163 und 164 jeweils einen Winkel, bevorzugt einem gleichen Winkel, einschließen. Der Winkel ergibt sich aus der Anzahl n von lamellenförmigen Bereichen und entspricht 360°/n. Somit werden die einzelnen lamellenförmigen Bereiche innerhalb der stiftförmigen Verlängerung 15 radial und damit sternförmig zur Längsachse 3 des Hochfrequenz-Steckverbinders 2 ausgerichtet. Die einzelnen lamellenförmigen Bereiche 161, 162, 163 und 164 werden so aufgebaut, dass sie im Bereich der Längsachse 3 miteinander verbunden sind. Durch den additiven Aufbau sind jeweils zwei benachbarte lamellenförmige Bereiche 161, 162, 163 und 164 jeweils in einem Winkel von 360°/n voneinander beabstandet mit dem Grundkörperteil 1, bevorzugt mit der Innenmantelfläche des hohlzylindrischen Grundkörperteils 1, verbunden.
  • Durch den radial bzw. sternförmig ausgerichteten Aufbau der einzelnen lamellenförmige Bereiche 161, 162, 163 und 164 werden in der stiftförmigen Verlängerung 15 eine der Anzahl von lamellenförmige Bereichen entsprechende Anzahl von axialen Durchführungen 171, 172, 173 und 174 ausgebildet. Über diese axialen Durchführungen 171, 172, 173 und 174 wird die gesamte stiftförmige Verlängerung 15 mit allen ihren lamellenförmigen Bereichen 161, 162, 163 und 164 zusammenhängend mit der innenleiterseitigen Beschichtung 52 des Grundkörperteils 1 beschichtet.
  • Im Hinblick auf eine bessere Kontaktierung, d.h. eine bevorzugt halbkugelförmige Kontaktierung, zwischen der innenleiterseitigen stiftförmigen Verlängerung 15 des Hochfrequenz-Steckverbinders 2 mit einem buchsenförmigen Innenleiter des Hochfrequenz-Gegensteckverbinders 2' ist an der Stirnfläche jedes lamellenförmigen Bereiches 161, 162, 163 und 164 jeweils eine Kontakterhöhung 18 aufgebaut. Bei Vorliegen von Fertigungstoleranzen und eines axialen Versatzes bzw. eines Winkelversatzes zwischen dem Hochfrequenz-Steckverbinder 2 und dem Hochfrequenz-Gegensteckverbinder 2' ermöglicht die Kontakterhöhung 18 gegenüber einem Flächenkontakt in einem Stirnflächensegment des einzelnen lamellenförmigen Bereiches eine sichere Kontaktierung.
  • Das radiale Querschnittsprofil jedes einzelnen lamellenförmigen Bereiches, d.h. die Ausformung der Seitenflächen jedes einzelnen lamellenförmigen Bereiches, ist mithilfe des additiven Fertigungsverfahrens derart aufzubauen, dass einerseits ein einfaches Einführen der innenleiterseitigen stiftförmigen Verlängerung 15 des Hochfrequenz-Steckverbinders 2 in die innenleiterseitige buchsenförmigen Ausformung des Hochfrequenz-Gegensteckverbinders 2' möglich ist. Außerdem soll eine sichere innenleiterseitige Kontaktierung realisiert sein. Somit bietet sich eine konkav gewölbte Ausformung gemäß der Figuren 5A, 5C und 5G an. Alternativ ist auch eine konisch geformte Ausformung denkbar. Die bevorzugt halbkugelförmigen Kontakteerhöhungen 18 werden jeweils in Abhängigkeit der gewählten Ausformung der einzelnen lamellenförmigen Bereiche in einem Abschnitt der Stirnfläche des lamellenförmigen Bereiches aufgebaut, in dem eine sichere Kontaktierung möglich ist.
  • Um einen ausreichenden Kontaktdruck von der Kontakterhöhung 18 an der Stirnfläche der einzelnen lamellenförmige Bereiche auf den buchsenförmigen Innenleiter des Hochfrequenz-Gegensteckverbinders 2' auszuüben, werden die einzelnen lamellenförmigen Bereiche 161, 162, 163 und 164 jeweils elastisch ausgebildet. Bevorzugt werden hierbei mittels des additiven Fertigungsverfahrens Durchgangsbohrungen 19 in den einzelnen lamellenförmigen Bereichen ausgeformt. Alternativ können die einzelnen lamellenförmigen Bereiche auch mit einem elastischen dielektrischen Material aufgebaut werden.
  • Bei einem Hochfrequenz-Steckverbinder 2, der nach der ersten Untervariante der zweiten Variante des erfindungsgemäßen Herstellungsverfahrens gefertigt wird, erfolgt somit zusammenfassend innenleiterseitig eine radiale Kontaktierung zwischen den einzelnen lamellenförmige Bereichen 161, 162, 163 und 164 der stiftförmigen Verlängerung 15 des Grundkörperteils 1, die den innenleiterseitigen Kontaktbereich 712 des Hochfrequenz-Steckverbinders 2 bilden, mit einem innenleiterseitigen Kontaktbereich 712' des Hochfrequenz-Gegensteckverbinders 2'. Dieser innenleiterseitigen Kontaktbereich 712' befindet sich in der Durchführung 4' auf der mit einer innenleiterseitigen Beschichtung 52 versehenen Innenmantelfläche des zum Hochfrequenz-Gegensteckverbinder 2' gehörigen Grundkörperteils 1'.
  • Zur Realisierung des außenleiterseitigen Kontaktbereiches 711 des Hochfrequenz-Steckverbinders 2 wird die außenleiterseitige Beschichtung 51 über einen bestimmten Bereich der Stirnfläche 10 am ersten Ende 61 des Grundkörperteils 1 geführt. Dieser außenleiterseitige Kontaktierungsbereich 711 des Hochfrequenz-Steckverbinders 2 befindet sich in einem Stirnkontakt mit einem gegenüberliegenden außenleiterseitigen Kontaktierungsbereich 711', der außenleiterseitig an der Stirnfläche 10' am ersten Ende 61 des zum Hochfrequenz-Gegensteckverbinder 2' gehörigen Grundkörperteils 1' aufgebaut wird. Der Hochfrequenz-Gegensteckverbinder 2' kann in konventioneller wie auch in additiver Fertigungstechnologie hergestellt werden.
  • Eine elektrische Trennung zwischen dem außenleiterseitigen Kontaktbereich 711 und dem innenleiterseitigen Kontaktbereich 712 wird dadurch verwirklicht, dass ein zwischen dem außenleiterseitigen Kontaktbereich 711 und der stiftförmigen Verlängerung 15 befindlicher Bereich der Stirnfläche 10 des Grundkörperteils 1 nicht beschichtet wird.
  • Der innenleiterseitige Kontaktbereich 712 des Hochfrequenz-Steckverbinders 2 bildet zusätzlich in Kombination mit der Innenmantelfläche des buchsenförmigen Innenleiters des Hochfrequenz-Gegensteckverbinders 2' den Führungsbereich der Hochfrequenzsteckverbindung.
  • Die Figuren 6A, 6B, 6C, 6D, 6E, 6F und 6G beziehen sich auf einen Hochfrequenz-Steckverbinder 2, der nach einer zur zweiten Variante gehörigen zweiten Untervariante des erfindungsgemäßen Herstellungsverfahrens hergestellt wird.
  • Auch bei der zur zweiten Variante gehörigen zweiten Untervariante wird eine stiftförmige Verlängerung 15' des Grundkörperteils 1 mit einer sternförmigen Struktur aus mehreren sternförmig zueinander aufgebauten lamellenförmige Bereichen 161', 162', 163' und 164' mithilfe eines additiven Fertigungsverfahrens aufgebaut. Im Unterschied zur ersten Untervariante erfolgt die Kontaktierung zwischen den einzelnen lamellenförmige Bereichen 161', 162', 163' und 164' und dem Innenleiter des Hochfrequenz-Steckverbinders 2' lateral. Hierzu wird auf den beiden Seitenflächen jedes lamellenförmige Bereiches 161', 162', 163' und 164' jeweils eine Kontakterhöhung 18' aufgebaut.
  • Jede dieser bevorzugt halbkugelförmigen Kontakteerhöhungen 18' auf einem lamellenförmigen Bereich 161', 162', 163' und 164' der stiftförmigen Verlängerung 15' des zum Hochfrequenz-Steckverbinder 2 gehörigen Grundkörperteils 1 kontaktiert in lateraler Richtung einen zugehörigen Vorsprung 20. Jeder einzelne Vorsprung 20 wird ausgehend vom hohlzylindrischen Grundkörperteil 1' des Hochfrequenz-Gegensteckverbinders 2' in einem zum ersten Ende 61' benachbarten Bereich des Grundkörperteils 1' in die Durchführung 4' hineinragend mittels des additiven Fertigungsverfahrens aufgebaut. Die einzelnen Vorsprünge 20 werden gemäß einem Hochfrequenz-Steckverbinder 2 aufgebaut, der nach einer bevorzugten Erweiterung der vierten Variante des erfindungsgemäßen Herstellungsverfahrens entsprechend der Figuren 6E, 6F und 6G hergestellt wird. Die einzelnen Vorsprünge werden hierbei innerhalb des hohlzylindrischen Grundkörperteils 1' so aufgebaut, dass zwischen jeweils zwei benachbarten Vorsprüngen 20 ein zugehöriger lamellenförmiger Bereich des Hochfrequenz-Steckverbinders sicher geführt wird.
  • Gleichzeitig werden die einzelnen Vorsprünge hierbei innerhalb des hohlzylindrischen Grundkörperteils 1' so aufgebaut und ausgeformt, dass eine sichere Kontaktierung zu den Kontakterhöhungen 18 der jeweils benachbart eingeführten lamellenförmige Bereiche des Hochfrequenz-Steckverbinders 2 realisiert wird.
  • Als Ausformungen der einzelnen Vorsprünge 20 bieten sich radiale Querschnitte an, die entweder wie in Fig. 6E angedeutet konisch ausgeführt oder konkav gewölbt sind. Zur Verwirklichung eines ausreichenden Kontaktdruckes zwischen den Kontakterhöhungen 18 der einzelnen lamellenförmigen Bereiche der zum Hochfrequenz-Steckverbinder 2 gehörigen stiftförmigen Verlängerung 15' des Grundkörperteils 1 und den zugehörigen Vorsprüngen 20 des Hochfrequenz-Gegensteckverbinders 2' bietet sich eine elastische Ausbildung der einzelnen Vorsprünge 20 an. Hierzu können die einzelnen Vorsprünge 20 in additiver Fertigungstechnologie jeweils mit einem elastischen dielektrischen Material aufgebaut werden. Alternativ ist auch eine elastische Ausformung der einzelnen Vorsprünge 20 beispielsweise mittels Ausformung von Hohlräumen innerhalb der Vorsprünge 20 möglich.
  • Die außenleiterseitige Kontaktierung erfolgt über einen Stirnkontakt zwischen einem außenleiterseitigen Kontaktbereich 711 auf der Stirnfläche 10 des Hochfrequenz-Steckverbinders 2 und einem gegenüberliegenden außenleiterseitigen Kontaktbereich 711' auf der Stirnfläche 10' des Hochfrequenz-Gegenteckverbinders 2'.
  • Die Figuren 7A, 7B, 7C, 7D, 7E, 7F und 7G beziehen sich auf einen Hochfrequenz-Steckverbinder 2, der nach einer zur zweiten Variante gehörigen dritten Untervariante des erfindungsgemäßen Herstellungsverfahrens hergestellt wird.
  • Bei der zur zweiten Variante gehörigen dritten Untervariante wird eine stiftförmige Verlängerung 15'' des Grundkörperteils 1 mit einer sternförmigen Struktur aus mehreren sternförmig zueinander aufgebauten rippenförmigen Bereichen 211, 212, 213 und 214 mithilfe eines additiven Fertigungsverfahrens aufgebaut.
  • Die rippenförmigen Bereiche 211, 212, 213 und 214 der stiftförmigen Verlängerung 15'' mit sternförmiger Struktur werden mittels des additiven Fertigungsverfahrens am ersten Ende 61 des Grundkörperteils 1 derart auf das Grundkörperteil 1 aufgebaut, dass jeweils zwei benachbarte rippenförmige Bereiche 211, 212, 213 und 214 jeweils einen Winkel, bevorzugt einem gleichen Winkel, einschließen. Der Winkel ergibt sich aus der Anzahl n von rippenförmigen Bereichen und entspricht 360°/n. Somit sind die einzelnen rippenförmigen Bereiche innerhalb der stiftförmigen Verlängerung 15'' radial und damit sternförmig zur Längsachse 3 des Hochfrequenz-Steckverbinders 2 ausgerichtet. Die einzelnen rippenförmigen Bereiche 211, 212, 213 und 214 werden so aufgebaut, dass sie im Bereich der Längsachse 3 miteinander verbunden werden. Durch den additiven Aufbau werden zwei benachbarte rippenförmige Bereiche 211, 212, 213 und 214 jeweils in einem Winkel von 360°/n zueinander beabstandet mit dem Grundkörperteil 1, bevorzugt an der Innenmantelfläche des hohlzylindrisch Grundkörperteils 1, verbunden.
  • Die sternförmige Struktur der stiftförmigen Verlängerung 15'' aus den einzelnen rippenförmigen Bereichen 211, 212, 213 und 214 bildet eine der Anzahl von rippenförmigen Bereichen entsprechende Anzahl von axialen Durchführungen 221, 222, 223 und 224 aus. Über diese axialen Durchführungen 221, 222, 223 und 224 wird die gesamte stiftförmige Verlängerung 15'' mit allen ihren rippenförmigen Bereichen 211, 212, 213 und 214 zusammenhängend mit der innenleiterseitigen Beschichtung 52 des Grundkörperteils 1 beschichtet.
  • Der einzelne rippenförmige Bereich der stiftförmigen Verlängerung 15'' des Grundkörperteils 1 weist radial nach innen und radial nach außen jeweils eine konkav gewölbte Stirnfläche auf. Auf der radial nach außen gerichteten Stirnfläche jedes rippenförmigen Bereiches 211, 212, 213 und 214 wird mittels des additiven Fertigungsverfahrens jeweils eine Kontakterhöhung 23 aufgebaut. Über die Kontakterhöhungen 23 aller rippenförmigen Bereiche 211, 212, 213 und 214 wird eine radiale Mehrfachkontaktierung mit dem innenleiterseitigen Kontaktierungsbereich 721' auf der Innenmantelfläche des im Wesentlichen hohlzylindrisch ausgeformten Grundkörperteils 1' des Hochfrequenz-Gegensteck-verbinders 2' realisiert. Der Hochfrequenz-Gegensteck-verbinder 2' kann hierbei in konventioneller Fertigungstechnologie oder, wie in den Figuren 7E, 7F und 7G dargestellt ist, auch erfindungsgemäß in additiver Fertigungstechnologie hergestellt werden.
  • Um einen ausreichenden Kontaktdruck von der Kontakterhöhung 23 an der Stirnfläche der einzelnen rippenförmigen Bereiche auf den innenleiterseitigen Kontaktierungsbereich 721' im buchsenförmigen Innenleiter des Hochfrequenz-Gegensteckverbinders 2' auszuüben, werden die einzelnen rippenförmigen Bereiche 211, 212, 213 und 214 jeweils elastisch ausgebildet. Bevorzugt werden hierbei mittels des additiven Fertigungsverfahrens Durchgangsbohrungen 24 in den einzelnen rippenförmigen Bereichen ausgeformt. Alternativ können die einzelnen rippenförmigen Bereiche auch mit einem elastischen dielektrischen Material aufgebaut werden.
  • Beim erfindungsgemäßen Hochfrequenz-Steckverbinder 2, der nach der zur zweiten Variante gehörigen dritten Untervariante des erfindungsgemäßen Herstellungsverfahrens hergestellt wird, wird innenleiterseitig eine radiale Kontaktierung realisiert. Außenleiterseitig wird in Äquivalenz zur ersten und zweiten Untervariante der zweiten Variante des erfindungsgemäßen Herstellungsverfahrens eine Stirnkontaktierung mit dem Hochfrequenz-Gegensteckverbinders 2 verwirklicht.
  • Die Figuren 8A, 8B, 8C, 8D, 8E, 8F und 8G beziehen sich auf einen Hochfrequenz-Steckverbinder 2, der nach einer zur zweiten Variante gehörigen vierten Untervariante des erfindungsgemäßen Herstellungsverfahrens hergestellt wird.
  • Bei der zur zweiten Variante gehörigen vierten Untervariante wird eine stiftförmige Verlängerung 15''' des Grundkörperteils 1 aus mehreren federarmförmigen Bereichen 251, 252, 253 und 254 auf den Grundkörperteil 1 mithilfe eines additiven Fertigungsverfahrens aufgebaut.
  • Jeder einzelne federarmförmige Bereich 251, 252, 253 und 254 der stiftförmigen Verlängerung 15''' des Grundkörperteils 1 wird mit seiner wesentlichen Ausdehnung in Richtung der Längsachse 3 des Hochfrequenz-Steckverbinders 2 ausgeformt. Die einzelnen federarmförmigen Bereiche 251, 252, 253 und 254 werden winkelversetzt bevorzugt an der Innenmantelfläche des hohlzylindrischen Grundkörperteils 1 am Grundkörperteil 1 aufgebaut. Hierbei schließen jeweils zwei benachbarte federarmförmige Bereiche 251, 252, 253 und 254 jeweils in einem Winkel von 360°/n, wenn die stiftförmige Verlängerung 15''' des Grundkörperteils 1 eine Anzahl n von federarmförmigen Bereichen enthält.
  • Da die einzelnen federarmförmigen Bereiche 251, 252, 253 und 254 der stiftförmigen Verlängerung 15''' des Grundkörperteils 1 im Bereich der Längsachse 3 des Hochfrequenz-Steckverbinders 2 nicht miteinander verbunden werden, weist die stiftförmige Verlängerung 15''' eine einzige Durchführung 26 auf. Die Durchführung 26 ermöglicht eine vollständige und zusammenhängende elektrisch leitfähige Beschichtung jedes einzelnen federarmförmigen Bereiches 251, 252, 253 und 254 mit der innenleiterseitigen Beschichtung 52 des im Wesentlichen hohlzylindrisch ausgeformten Grundkörperteils 1.
  • Auf der radial nach außen gerichteten und konkav gewölbten Stirnfläche jedes federarmförmigen Bereiches 251, 252, 253 und 254 wird mittels des additiven Fertigungsverfahrens jeweils eine Kontakterhöhung 27 aufgebaut. Über die Kontakterhöhungen 27 aller federarmförmigen Bereiche 251, 252, 253 und 254 wird eine radiale Mehrfachkontaktierung mit dem innenleiterseitigen Kontaktierungsbereich 721' auf der Innenmantelfläche des im Wesentlichen hohlzylindrisch ausgeformten Grundkörperteils 1' des Hochfrequenz-Gegensteckverbinders 2' realisiert. Der Hochfrequenz-Gegensteckverbinder 2' kann hierbei in konventioneller Fertigungstechnologie oder, wie in den Figuren 7E, 7F und 7G dargestellt ist, auch erfindungsgemäß in additiver Fertigungstechnologie hergestellt werden.
  • Aufgrund ihrer formgebenden Elastizität müssen die einzelnen federarmförmigen Kontaktbereichen 251, 252, 253 und 254 nicht zusätzlich mittels des additiven Fertigungsverfahrens elastisch ausgebildet werden.
  • Neben der radial ausgerichteten innenleiterseitigen Kontaktierung wird im Hochfrequenz-Steckverbinder 2 außenleiterseitig eine Stirnkontaktierung mit dem Hochfrequenz-Gegensteckverbinder 2' realisiert. Diese außenleiterseitige Stirnkontaktierung wird äquivalent zur ersten, zweiten und dritten Untervariante der zweiten Variante des erfindungsgemäßen Herstellungsverfahrens realisiert.
  • Die Figuren 9A, 9B, 9C, 9D, 9E, 9F und 9G beziehen sich auf einen Hochfrequenz-Steckverbinder 2, der nach einer dritten Variante des erfindungsgemäßen Herstellungsverfahrens hergestellt wird.
  • Bei einem nach der dritten Variante des erfindungsgemäßen Herstellungsverfahrens hergestellte Hochfrequenz-Steckverbinder 2 wird an das Grundkörperteil 1 innenleiterseitig eine hülsenförmige Verlängerung 28 des Grundkörperteils 1 mithilfe des additiven Fertigungsverfahrens aufgebaut. Diese hülsenförmige Verlängerung 28 ragt in Längsachsrichtung über die Stirnfläche 10 am ersten Ende 61 des Grundkörperteils 1 hinaus.
  • Diese hülsenförmige Verlängerung 28 ist an ihrem distalen Ende jeweils mehrfach in Richtung der Längsachse 3 des Hochfrequenz-Steckverbinders geschlitzt ausgeformt. Auf diese Weise wird zwischen jeweils zwei benachbarten Schlitzen 29 eine Federlasche ausgebildet. Der hülsenförmigen Verlängerung 28 bildet somit eine in radialer Richtung jeweils federnd oder elastisch ausgebildete Hülse. Zur besseren radialen Kontaktierung wird mithilfe des additiven Fertigungsverfahrens am distalen Ende jeder einzelnen Federlasche jeweils eine radial nach außen gerichteten Kontakterhöhung 30 aufgebaut.
  • Die hülsenförmigen Verlängerung 28 des Grundkörperteils 1 wird mit all ihren Federlaschen vollständig und zusammenhängend mit der innenleiterseitigen Beschichtung 52 an der Innenmantelfläche des im Wesentlichen hohlzylindrisch ausgebildeten Grundkörperteils 1 beschichtet. Somit bildet die hülsenförmigen Verlängerung 28 den innenleiterseitigen Kontaktbereich 721 des Hochfrequenz-Steckverbinders 2.
  • Ein außenleiterseitiger Kontaktbereich 711 des Hochfrequenz-Steckverbinders 2 wird als Stirnkontaktbereich ausgebildet und wird in Äquivalenz zu allen Untervarianten der zweiten Variante des erfindungsgemäßen Herstellungsverfahrens hergestellt.
  • Die innenleiterseitige Kontaktierung erfolgt zwischen dem innenleiterseitigen Kontaktierungsbereich 712 des Hochfrequenz-Steckverbinders 2, der aus den einzelnen radial nach aßen verlaufenden Kontakterhöhungen 30 an den Federlaschen der hülsenförmigen Verlängerung 28 gebildet wird, und dem innenleiterseitigen Kontaktierungsbereich 712' an der Innenmantelfläche des Grundkörperteils 1 des Hochfrequenz-Gegensteckverbinder 2'. Der innenleiterseitige Kontaktierungsbereich 712' des Hochfrequenz-Gegensteckverbinders 2' wird bevorzugt durch eine Stufe 31 an der Innenmantelfläche am ersten Ende 61' des Grundkörperteils 1' gebildet. Die radiale Erstreckung der Stufe 31 entspricht im Wesentlichen der Wandstärke der hülsenförmigen Verlängerung 28 an deren distalen Ende, um auf diese Weise einen innenleiterseitigen Durchmessersprung im Übergangsbereich zwischen Hochfrequenz-Steckverbinder 2 und Hochfrequenz-Gegensteckverbinder 2' zu vermeiden. Andernfalls würde eine Störstelle entstehen, die das Übertragungsverhalten der Hochfrequenz-Steckverbindung nicht unerheblich verschlechtert.
  • Die Figuren 10A, 10B, 10C, 10D, 10E, 10F und 10G beziehen sich auf einen Hochfrequenz-Steckverbinder 2, der nach einer vierten Variante des erfindungsgemäßen Herstellungsverfahrens hergestellt wird.
  • Ein nach der vierten Variante des erfindungsgemäßen Herstellungsverfahrens hergestellter Hochfrequenz-Steckverbinder 2 kontaktiert bevorzugt innenleiterseitig und außenleiterseitig über jeweils eine Stirnkontaktierung mit einem zugehörigen Hochfrequenz-Gegensteckverbinder 2'. Alternativ ist auch nur eine innenleiterseitige Stirnkontaktierung oder nur eine außenleiterseitige Stirnkontaktierung möglich. Hierzu wird an der Stirnfläche 10 am ersten Ende 61 des Grundkörperteils 1 ein innenleiterseitiger Kontaktierungsbereich 712 hergestellt, indem die innenleiterseitige Beschichtung 52 an der Innenmantelfläche des im Wesentlichen hohlzylindrisch ausgeformten Grundkörperteils 1 bis in einen innenleiterseitigen Bereich auf der Stirnfläche 10 verlängert wird. Die innenleiterseitige Beschichtung 52 wird hierbei so weit in die Stirnfläche 10 geführt, dass ein ausreichend großer innenleiterseitiger Kontaktierungsbereich 712 besteht. Im Hinblick auf eine höhere Lebensdauer des innenleiterseitigen Kontaktierungsbereiches 712 im Stirnbereich, der aufgrund hoher Steckzyklen einem gewissen Abrieb unterworfen ist, wird die innenleiterseitige Beschichtung 52 im Stirnflächenbereich bevorzugt mehrschichtig oder mit einer höheren Schichtdicke ausgeführt. Äquivalent wird der außenleiterseitigen Kontaktierungsbereich 711 erzeugt, indem die außenleiterseitige Beschichtung 51 von der Außenmantelfläche des Grundkörpers 1 in einen ausreichend großen außenleiterseitigen Bereich auf der Stirnfläche 10 weitergeführt wird.
  • Um einen Winkelversatz zwischen Hochfrequenz-Steckverbinder 2 und Hochfrequenz-Gegensteckverbinder 2' bei einer Stirnkontaktierung zu verhindern, wird innenleiterseitig und/oder außenleiterseitig jeweils eine hülsen- oder ringförmige Verlängerung 32 des Grundkörperteils 1 am ersten Ende 61 des Grundkörperteils 1 mittels eines additiven Fertigungsverfahrens aufgebaut. In unmittelbarer Nachbarschaft zu dieser hülsen- oder ringförmig Verlängerung 32 wird mittels eines additiven Fertigungsverfahrens im Grundkörperteil 1 ein Hohlraum 33 ausgebildet. Der Hohlraum 33 bildet mit der ring- oder hülsenförmigen Verlängerung 32 an der Stirnfläche 10 innenleiterseitig bzw. außenleiterseitig jeweils einen elastisch ausgebildeten Abschluss des Grundkörperteils 1. Dieser elastisch ausgebildete Abschluss des Grundkörperteils 1 kann einen Winkelversatz zwischen den beiden ineinandergesteckten Hochfrequenz-Steckverbindern ausgleichen. Alternativ zu einer ring- oder hülsenförmigen Verlängerung 32 des Grundkörperteils 1 sind auch mehrfache bevorzugt halbkugelförmige Verlängerungen des Grundkörperteils 1 möglich. Die mehrfachen bevorzugt halbkugelförmigen Verlängerungen 32 des Grundkörperteils 1 sind jeweils auf einem Kreis, einer Ellipse oder einem Rechteck im Außenleiter- und Innenleiterbereich angeordnet. Auch in unmittelbarer Nachbarschaft zu den einzelnen bevorzugt halbkugelförmigen Verlängerungen 32 werden mittels eines additiven Fertigungsverfahrens im Grundkörperteil 1 jeweils Hohlräume 33 ausgebildet.
  • Zum Ausgleich eines axialen Versatzes zwischen Hochfrequenz-Steckverbinder 2 und Hochfrequenz-Gegensteckverbinder 2' wird an einem der beiden Hochfrequenz-Steckverbinder eine buchsenförmige Verlängerung 34 befestigt. Diese buchsenförmigen Verlängerung 34 kann beispielsweise eine aus einem elektrisch isolierenden Material hergestellte Hülse sein, die wie in Fig. 10G angedeutet ist, im Bereich des ersten Endes 61 des Grundkörperteils 1 auf den fertigen Hochfrequenz-Steckverbinder gepresst wird. Alternativ ist auch eine buchsenförmige Verlängerung gemäß der Figuren 4C, 4D und 4G möglich, die mittels eines additiven Fertigungsverfahrens im Bereich des ersten Endes 61 des Grundkörperteils 1 auf das Grundkörperteil 1 aufgebaut wird. Aufgrund der außenleiterseitigen Stirnkontaktierung ist die außenleiterseitige Beschichtung 51 auf der gesamten Außenoberfläche dieser buchsenförmigen Verlängerung mit Ausnahme der Beschichtung in den Schlitzen 11 mittels eines thermischen oder mechanischen Verfahrens zu entfernen.
  • Neben eines Hochfrequenz-Steckverbinders 2 mit einem außenleiter- und innenleiterseitigen Kontaktbereich 711 und 712 zur gleichzeitigen außenleiter- und innenleiterseitigen Stirnkontaktierung kann mittels der vierten Variante des erfindungsgemäßen Herstellungsverfahrens auch ein Hochfrequenz-Steckverbinder 2 hergestellt werden, der nur außenleiterseitig oder nur innenleiterseitig jeweils einen Kontaktierungsbereich zur Stirnkontaktierung aufweist. Diese wurden bereits obig bei den Hochfrequenz-Gegensteckverbindern 2' erläutert, die zu den nach allen bisher vorgestellten Varianten bzw. Untervarianten des erfindungsgemäßen Herstellungsverfahrens hergestellten Hochfrequenz-Steckverbindern 2 steckbar sind (siehe hierzu: Fig. 4B, 4E, 4F, 4G; 5B, 5E, 5F, 5G; 6B, 6E, 6F, 6G; 7B, 7E, 7F, 7G; 8B, 8E, 8F, 8G; 9B, 9E, 9F, 9G).
  • Neben diesen bisher vorgestellten und auf der Anwendung des additiven Fertigungsverfahrens basierenden Ausprägungen einer elektrischen Kontaktierung und Führung von zwei zueinander steckbaren Hochfrequenz-Steckverbindern bieten die additiven Fertigungsverfahren den weiteren erheblichen Vorteil, einen Hochfrequenz-Steckverbinder mit einer kontrollierten Impedanz entlang seiner gesamten Längserstreckung zu verwirklichen. Insbesondere die komplexeren geometrischen Ausformungen im Bereich der Verlängerungen des Grundkörperteil 1 können zu einer Abweichung von einer angepassten Impedanz führen. Zur Kompensation dieser Abweichung der Impedanz können mittels des additiven Fertigungsverfahrens in diesen kritischen Bereichen des Grundkörperteils 1 andere dielektrische Materialen verwendet werden. Die relative Permittivität dieser dielektrischen Materialen ist gegenüber der relativen Permittivität des in den restlichen impedanzangepasten Bereichen des Grundkörperteils 1 verwendeten dielektrischen Materials geeignet geändert. Auch mittels geeigneter Anordnung und geeigneter Ausformung von Hohlräumen im dielektrischen Grundkörpers 1 kann eine geänderte effektive Permittivität in diesen kritischen Bereichen und damit eine Impedanzanpassung über die gesamte Längserstreckung des Hochfrequenz-Steckverbinders 2 erzielt werden.
  • Eine weitere technische Funktion neben der elektrischen Kontaktierung und Führung, die in Hochfrequenz-Steckverbinder ganz wesentlich ist, stellt die Verschlusstechnik dar.
  • Für eine mittels Verschraubung realisierte Verschlusstechnik zwischen zwei steckbaren Hochfrequenz-Steckverbindern wird an der Außenmantelfläche des Grundkörperteils 1 mittels eines additiven Fertigungsverfahrens ein Außengewindeprofil ausgeformt. Das beschichtete Außengewindeprofil des erfindungsgemäßen Hochfrequenz-Steckverbinders 2 wird mit einem passenden Innengewindeprofil einer Überwurfmutter verschraubt, die auf einen Hochfrequenz-Gegensteckverbinder 2' drehbar gelagert wird. Die Überwurfmutter mit ihrem Innengewindeprofil kann in konventioneller Fertigungstechnologie oder auch in additiver Fertigungstechnologie mit anschließender metallischer Beschichtung hergestellt werden.
  • Für eine mittels Schnappverbindung realisierte Verschlusstechnik werden an der Außenmantelfläche des Grundkörperteils 1 des Hochfrequenz-Steckverbinders 2 eine oder mehrere nutförmige Vertiefungen ausgeformt, die mit zugehörigen Rastnasen bzw. Rasthacken des Hochfrequenz-Gegensteckverbinders 2' eine Rastverbindung realisieren.
  • Neben diesen Ausführungen einer Verschlusstechnik sind auch andere Verschlusstechniken wie beispielsweise eine Bajonettverbindung mittels additiver Fertigungstechnologie realisierbar. Schließlich ist auch eine magnetische Verbindung zwischen den zu kontaktierenden Hochfrequenz-Steckverbindern möglich, in dem im Grundkörperteil 1 im Bereich des ersten Endes 61 mindestens ein Magnet mit einer entsprechenden Polarität eingefügt wird.
  • Über die elektrische Kontaktierung und Führung eines weiteren Hochfrequenz-Gegensteckverbinders, eines Hochfrequenzkabels oder einer Hochfrequenzsignalleitungsstruktur auf einer Leiterplatte, die mit dem erfindungsgemäßen Hochfrequenz-Steckverbinder 2 am zweiten Ende 62 des Grundkörperteils 1 verbunden ist, sind die obig vorgestellten erfindungsgemäßen, auf dem additiven Fertigungsverfahren basierenden Konstruktionsprinzipien zur elektrischen Kontaktierung und Führung eines Hochfrequenz-Steckverbinders 2 äquivalent anwendbar.
  • Obwohl die vorliegende Erfindung anhand bevorzugter Ausführungsbeispiele vorstehend vollständig beschrieben wurde, ist sie darauf nicht beschränkt, sondern auf vielfältige Art und Weise modifizierbar.
    • Bezugszeichenliste
    • 1,1'
    Grundkörperteil
    2,2'
    Hochfrequenz-Steckverbinder, Hochfrequenz-Gegensteckverbinder
    3
    Längsachse
    4,4',41,42
    Durchführung
    5,51,52, 521,522
    Beschichtung, außenleiter- und innenleiterseitige Beschichtung
    61,61',62
    erstes Ende und zweites Ende
    711,721
    außenleiterseitiger Kontaktierungsbereich des Hochfrequenz-Steckverbinders
    712,722
    innenleiterseitiger Kontaktierungsbereich des Hochfrequenz-Steckverbinders
    711',712'
    außenleiter- und innenleiterseitiger Kontaktierungsbereich des Hochfrequenz-Gegensteckverbinders
    8
    Verbindungsbereich
    9
    buchsenförmige Verlängerung des Grundkörperteils
    10,10'
    Stirnfläche
    11
    Schlitz
    12
    Übergangsbereich
    13
    radial nach außen verlaufende Kontakterhöhung
    14
    Hohlraum
    15,15', 15",15''''
    stiftförmige Verlängerung des Grundkörperteils
    161,162,163, 164
    lamellenförmiger Bereich
    161',162', 163',164'
    lamellenförmiger Bereich
    171,172,173, 174
    axiale Durchführung
    18,18'
    Kontakterhöhung
    19
    Durchgangsbohrung
    20
    Vorsprung
    211,212,213, 214
    rippenförmiger Bereich
    221,222,223, 224
    axiale Durchführung
    23
    Kontakterhöhung
    24
    Durchgangsbohrung
    251,252,253, 254
    federarmförmiger Bereich
    26
    axiale Durchführung
    27
    Kontakterhöhung
    28
    hülsenförmige Verlängerung des Grundkörperteils
    29
    Schlitz
    30
    nach außen verlaufende Kontakterhöhung
    31
    Stufe
    32
    hülsen-, ring- oder halbkugelförmige Verlängerung des Grundkörperteils
    33
    Hohlraum
    341, 342
    von einer Beschichtung befreiter Bereich am ersten und zweiten Ende

Claims (18)

  1. Verfahren zur Herstellung eines Hochfrequenz-Steckverbinders (2) mit folgenden Verfahrensschritten:
    • Herstellen eines Grundkörperteils (1) des Hochfrequenz-Steckverbinders (2) aus einem dielektrischen Material mittels eines additiven Fertigungsverfahrens, wobei das Grundkörperteil (1) eine Durchführung (4;41,42) zwischen einem ersten Ende (61) und einem zweiten Ende (62) einer Längserstreckung des Grundkörperteils (1) und eine Stirnfläche (10) am ersten Ende (61) zur Kontaktierung mit einem Gegensteckverbinder (2') aufweist,
    • Beschichten des dielektrischen Grundkörperteils (1) mit einer elektrisch leitfähigen Schicht (5;51,52;52 1,52 2),
    gekennzeichnet durch den Verfahrensschritt:
    • Entfernen der elektrisch leitfähigen Schicht (5;51,52;52 1,52 2) in einem die Durchführung (4;41,42) jeweils umschließenden Bereich (341,342) an der Stirnfläche (10) am ersten Ende (61) und an dem zweiten Ende (62) des Grundkörperteils (1) zur Ausbildung einer elektrisch leitfähigen außenleiterseitigen Beschichtung (51) und einer elektrisch leitfähigen innenleiterseitigen Beschichtung (52).
  2. Verfahren nach Patentanspruch 1,
    dadurch gekennzeichnet,
    dass das Beschichten derart ausgeführt wird, dass die Durchführung (4;41,42) jeweils vollständig mit der elektrisch leitfähigen Schicht (5;51,52;52 1,52 2) ausgefüllt wird.
  3. Verfahren nach Patentanspruch 1 oder 2,
    dadurch gekennzeichnet,
    dass das Beschichten des dielektrischen Grundkörpers (1) ein Beschichten mit mehreren metallischen Schichten (5;51,52;52 1,52 2) ist, wobei die metallischen Schichten (5;51,52;52 1,52 2) jeweils aus einem unterschiedlichen metallischen Material sind.
  4. Verfahren nach einem der Patentansprüche 1 bis 3,
    dadurch gekennzeichnet,
    dass am ersten Ende (61) des Grundkörperteils (1) außenleiterseitig eine buchsenförmige Verlängerung (9) zur außenleiterseitigen Kontaktierung eines Hochfrequenz-Gegensteckverbinders (2') ausgebildet wird.
  5. Verfahren nach einem der Patentansprüche 1 bis 3,
    dadurch gekennzeichnet,
    dass am ersten Ende (61) des Grundkörperteils (1) innenleiterseitig eine stiftförmige Verlängerung (15;15';15";15"') zur innenleiterseitigen Kontaktierung eines Hochfrequenz-Gegensteckverbinder (2') ausgebildet wird.
  6. Verfahren nach Patentanspruch 5,
    dadurch gekennzeichnet,
    dass die stiftförmige Verlängerung (15;15';15";15"') als eine stiftförmige Verlängerung mit einer sternförmigen Struktur aufgebaut wird.
  7. Verfahren nach Patentanspruch 6,
    dadurch gekennzeichnet,
    dass die stiftförmige Verlängerung (15;15';15";15"') mit der sternförmigen Struktur aus einer Anzahl n von lamellenförmigen Bereichen (161, 162, 163, 164; 161', 162', 163', 164') aufgebaut wird, wobei die lamellenförmigen Bereiche (161,162,163,164; 161',162',163',164') so aufgebaut werden, dass zwei zueinander benachbarte lamellenförmige Bereiche (161,162,163,164; 161',162',163',164') jeweils einen Winkel von 360°/n einschließen.
  8. Verfahren nach Patentanspruch 7,
    dadurch gekennzeichnet,
    dass an einer Stirnfläche jedes lamellenförmigen Bereiches (161, 162, 163, 164; 161', 162', 163', 164') jeweils eine Kontakterhöhung (18) zur radialen innenleiterseitigen Kontaktierung mit einem Hochfrequenz-Gegensteckverbinder (2') ausgebildet wird.
  9. Verfahren nach Patentanspruch 8,
    dadurch gekennzeichnet,
    dass jeder lamellenförmige Bereich (161, 162, 163, 164; 161',162', 163',164') jeweils elastisch durch Ausformung einer Durchgangsbohrung (19) ausgebildet wird.
  10. Verfahren nach Patentanspruch 7,
    dadurch gekennzeichnet,
    dass an beiden Seitenflächen jedes lamellenförmigen Bereiches (161, 162, 163, 164; 161', 162', 163', 164') jeweils eine Kontakterhöhung (18') zur lateralen innenleiterseitigen Kontaktierung mit einem Hochfrequenz-Gegensteck-verbinder (2') ausgebildet wird.
  11. Verfahren nach Patentanspruch 6,
    dadurch gekennzeichnet,
    dass die stiftförmige Verlängerung (15;15';15";15"') mit der sternförmigen Struktur aus einer Anzahl n von rippenförmigen Bereichen (211,212,213,214) aufgebaut wird, wobei die rippenförmigen Bereichen (211,212,213,214) so aufgebaut werden, dass zwei zueinander benachbarte rippenförmige Bereiche (211,212,213,214) jeweils einen Winkel von 360°/n einschließen.
  12. Verfahren nach Patentanspruch 5,
    dadurch gekennzeichnet,
    dass die stiftförmige Verlängerung (15;15';15";15"') mit einer Anzahl n von federarmförmigen Bereichen (251,252, 253,254) aufgebaut wird, wobei die federarmförmigen Bereiche (251,252,253,254) so aufgebaut werden, dass zwei zueinander benachbarte federarmförmige Bereiche (251,252,253,254) jeweils einen Winkel von 360°/n einschließen.
  13. Verfahren nach einem der Patentansprüche 1 bis 3,
    dadurch gekennzeichnet,
    dass am ersten Ende (61) des Grundkörperteils (1) innenleiterseitig eine hülsenförmige Verlängerung (28) zur innenleiterseitigen Kontaktierung mit einem Hochfrequenz-Gegensteckverbinder (2') aufgebaut wird, die an ihrem distalen Ende zur Ausbildung von mehreren Federlaschen mehrfach geschlitzt ausgeformt wird.
  14. Verfahren nach einem der Patentansprüche 1 bis 3,
    dadurch gekennzeichnet,
    dass am ersten Ende (61) des Grundkörperteils (1) innenleiterseitig und/oder außenleiterseitig jeweils eine Verlängerung (32) aufgebaut wird, wobei innerhalb der Verlängerung (32) des Grundkörperteils (1) ein Hohlraum (33) ausgebildet wird.
  15. Verfahren nach einem der Patentansprüche 1 bis 3,
    dadurch gekennzeichnet,
    dass am Grundkörperteil (1) außenleiterseitig und benachbart zum ersten Ende (61) eine radial nach außen verlaufende Kontakterhöhung (13) zur radialen außenleiterseitigen Kontaktierung mit einer außenleiterseitigen buchsenförmigen Verlängerung eines Hochfrequenz-Gegensteckverbinders (2') aufgebaut wird.
  16. Verfahren nach Patentanspruch 15,
    dadurch gekennzeichnet,
    dass ein zur radial nach außen verlaufenden Kontakterhöhung (13) benachbarter Bereich des Grundkörperteils (1) elastisch ausgebildet wird, wobei der elastische Bereich durch ein elastisches dielektrisches Material und/oder durch Ausformung von mindestens einen Hohlraum (14) im dielektrischen Grundkörperteil (1) aufgebaut wird.
  17. Verfahren nach einem der Patentansprüche 1 bis 3,
    dadurch gekennzeichnet,
    dass am Grundkörperteil (1) benachbart zum ersten Ende (61) mehrere in die Durchführung (4;41,42) hineinragende Vorsprünge (20), insbesondere elastisch ausgebildete Vorsprünge (20), zur lateralen Kontaktierung mit jeweils zwei benachbarten lamellenförmigen Bereichen einer stiftförmigen Verlängerung eines Hochfrequenz-Gegensteckverbinders (2') aufgebaut werden.
  18. Hochfrequenz-Steckverbinder (2), hergestellt nach einem Verfahren nach einem der Patentansprüche 1 bis 17.
EP19703290.7A 2018-02-26 2019-02-04 Verfahren zur herstellung eines hochfrequenz-steckverbinders sowie zugehörige vorrichtung Active EP3555970B1 (de)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE102018104262.0A DE102018104262A1 (de) 2018-02-26 2018-02-26 Verfahren zur herstellung eines hochfrequenz-steckverbinders sowie zugehörige vorrichtung
PCT/EP2019/052563 WO2019162067A1 (de) 2018-02-26 2019-02-04 Verfahren zur herstellung eines hochfrequenz-steckverbinders sowie zugehörige vorrichtung

Publications (2)

Publication Number Publication Date
EP3555970A1 EP3555970A1 (de) 2019-10-23
EP3555970B1 true EP3555970B1 (de) 2021-04-07

Family

ID=65279544

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
EP19703290.7A Active EP3555970B1 (de) 2018-02-26 2019-02-04 Verfahren zur herstellung eines hochfrequenz-steckverbinders sowie zugehörige vorrichtung

Country Status (5)

Country Link
US (1) US11942744B2 (de)
EP (1) EP3555970B1 (de)
CN (1) CN111788746B (de)
DE (1) DE102018104262A1 (de)
WO (1) WO2019162067A1 (de)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10535959B2 (en) 2015-09-11 2020-01-14 Fci Usa Llc Selectively plated plastic part

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5158465A (en) * 1990-02-23 1992-10-27 General Electric Company Audio jack connector
US20090197437A1 (en) * 2006-06-12 2009-08-06 Fujikura Ltd. Socket, method for manufacturing socket, and semiconductor device
DE102011103524A1 (de) * 2011-06-07 2012-12-13 Rosenberger Hochfrequenztechnik Gmbh & Co. Kg Koaxialsteckverbinder

Family Cites Families (21)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3363221A (en) * 1965-07-08 1968-01-09 Amp Inc Plated plastic electrical connector and terminal device
US5662480A (en) * 1994-06-28 1997-09-02 Smk Co., Ltd. Surface mount type coaxial connector connecting coaxial cable to substrate
TW488116B (en) * 2000-03-31 2002-05-21 Matsushita Electric Works Ltd Receptacle for coaxial plug connector
GB2371261B (en) * 2001-01-22 2004-04-07 Itt Mfg Enterprises Inc Electrical component with conductive tracks
US6971896B2 (en) * 2004-01-08 2005-12-06 International Business Machines Corporaion Flex strips for high frequency connectors
US6930240B1 (en) * 2004-03-18 2005-08-16 Agilent Technologies, Inc. Flex-circuit shielded connection
US7137825B2 (en) * 2004-03-31 2006-11-21 Tyco Electronics Corporation Shielded electrical jack connector
DE202008015000U1 (de) 2008-11-12 2009-01-29 Rosenberger Hochfrequenztechnik Gmbh & Co. Kg HF-Steckverbinder
US9276336B2 (en) * 2009-05-28 2016-03-01 Hsio Technologies, Llc Metalized pad to electrical contact interface
US8754725B2 (en) * 2010-07-30 2014-06-17 National Instruments Corporation Integrated lossy low-pass filter
DE102012216101B4 (de) * 2012-09-12 2016-03-24 Festo Ag & Co. Kg Verfahren zum Herstellen einer in einem Substrat integrierten Spule, Verfahren zur Herstellung einer mehrschichtigen Leiterplatte und elektronisches Gerät
US9882323B2 (en) * 2014-04-14 2018-01-30 Apple Inc. Flexible connector receptacles
US9515439B2 (en) * 2014-05-26 2016-12-06 Apple Inc. Connector insert assembly
CN104143750B (zh) 2014-07-01 2017-07-11 泰兴市东盛电子器材厂 一种高频连接器插孔加工方法
JP6289288B2 (ja) * 2014-07-02 2018-03-07 オリンパス株式会社 実装用ケーブル、および集合ケーブル
DE102015001652A1 (de) * 2015-02-12 2016-08-18 Häusermann GmbH Verfahren zur Herstellung einer Durchkontaktierung bei einer Mehrlagen-Leiterplatte
DE202015001505U1 (de) 2015-02-26 2015-03-12 Rosenberger Hochfrequenztechnik Gmbh & Co. Kg Spielfreie Steckverbindung mit CPA
DE102015004151B4 (de) * 2015-03-31 2022-01-27 Feinmetall Gmbh Verfahren zur Herstellung einer Federkontaktstift-Anordnung mit mehreren Federkontaktstiften
FR3049119B1 (fr) * 2016-03-17 2018-04-13 Commissariat A L'energie Atomique Et Aux Energies Alternatives Connecteur coaxial comprenant un shunt, cable coaxial et procede de fabrication d'un tel connecteur
US10709011B2 (en) * 2018-01-31 2020-07-07 Raytheon Company Radio frequency (RF) shielding structure for RF connector to microwave transmission interconnect regions and methods for manufacturing such RF shielding structure
EP3772141B1 (de) * 2019-08-02 2022-08-10 TE Connectivity Germany GmbH Hf-verbinderelemente und hf-verbindersystem

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5158465A (en) * 1990-02-23 1992-10-27 General Electric Company Audio jack connector
US20090197437A1 (en) * 2006-06-12 2009-08-06 Fujikura Ltd. Socket, method for manufacturing socket, and semiconductor device
DE102011103524A1 (de) * 2011-06-07 2012-12-13 Rosenberger Hochfrequenztechnik Gmbh & Co. Kg Koaxialsteckverbinder

Also Published As

Publication number Publication date
CN111788746B (zh) 2022-03-25
US11942744B2 (en) 2024-03-26
DE102018104262A1 (de) 2019-08-29
CN111788746A (zh) 2020-10-16
WO2019162067A1 (de) 2019-08-29
US20200403365A1 (en) 2020-12-24
EP3555970A1 (de) 2019-10-23

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE102017122048A1 (de) Elektrische Kontaktvorrichtung, elektrische Verbindungseinrichtung, sowie Verfahren zum Konfektionieren eines elektrischen Kabels
DE202007008848U1 (de) Koaxialsteckverbinder
EP2158640A2 (de) Koaxialsteckverbinder
DE202010009766U1 (de) Drehbarer Steckverbinder
WO2004066447A1 (de) Kabelsteckverbinder
EP3593412B1 (de) Innenleiter-element und verfahren zum herstellen eines systems
DE102018102564A1 (de) Elektrische Ferrule, elektrische Verbindungseinrichtung, sowie Verfahren zum Konfektionieren eines elektrischen Kabels
EP3555970B1 (de) Verfahren zur herstellung eines hochfrequenz-steckverbinders sowie zugehörige vorrichtung
EP3482465B1 (de) Federbelastetes innenleiter-kontaktelement
EP2345110B1 (de) Steckverbinder für ein sternvierer-kabel
EP3482463B1 (de) Elektrisches kontaktelement
EP3979436B1 (de) Elektrischer steckverbinder, leiterplattenanordnung und verfahren zur montage einer leiterplattenanordnung
EP1021852B1 (de) Hf-koaxial-steckverbinder
EP1755200A2 (de) Gehäuse für elektrische Steckverbindungen
EP4010949B1 (de) Elektrischer steckverbinder
EP3627635A1 (de) Verbindungselement, baugruppenverbindung, leiterplattenanordnung und verfahren zur herstellung eines verbindungselements
EP3837741B1 (de) Kabelanordnung
DE4222685C2 (de) Steckkontaktelement
EP0968548A1 (de) Steckerbuchse mit in der form eines hyperboloids angeordneten kontaktbereichen
EP3555967B1 (de) Verfahren zur herstellung von mindestens einem hochfrequenz-kontaktelement oder einer hochfrequenz-kontaktelement-anordnung sowie zugehörige vorrichtungen
EP3482461B1 (de) Elektrische kontaktvorrichtung
EP3989368A1 (de) Elektrischer steckverbinder, verbindungselement und leiterplattenanordnung
EP2993737B1 (de) Hochfrequenz-steckverbindungseinrichtung, insbesondere koaxial-steckverbindungseinrichtung für antennensteckdosen
EP3605746A1 (de) Steckverbinder sowie steckverbindung mit einem solchen steckverbinder
DE102021103687A1 (de) Innenleiterkontaktelement für Winkelsteckverbinder und zugehöriges Herstellungsverfahren

Legal Events

Date Code Title Description
STAA Information on the status of an ep patent application or granted ep patent

Free format text: STATUS: UNKNOWN

STAA Information on the status of an ep patent application or granted ep patent

Free format text: STATUS: THE INTERNATIONAL PUBLICATION HAS BEEN MADE

PUAI Public reference made under article 153(3) epc to a published international application that has entered the european phase

Free format text: ORIGINAL CODE: 0009012

STAA Information on the status of an ep patent application or granted ep patent

Free format text: STATUS: REQUEST FOR EXAMINATION WAS MADE

17P Request for examination filed

Effective date: 20190719

AK Designated contracting states

Kind code of ref document: A1

Designated state(s): AL AT BE BG CH CY CZ DE DK EE ES FI FR GB GR HR HU IE IS IT LI LT LU LV MC MK MT NL NO PL PT RO RS SE SI SK SM TR

AX Request for extension of the european patent

Extension state: BA ME

GRAP Despatch of communication of intention to grant a patent

Free format text: ORIGINAL CODE: EPIDOSNIGR1

STAA Information on the status of an ep patent application or granted ep patent

Free format text: STATUS: GRANT OF PATENT IS INTENDED

DAV Request for validation of the european patent (deleted)
DAX Request for extension of the european patent (deleted)
INTG Intention to grant announced

Effective date: 20201109

GRAS Grant fee paid

Free format text: ORIGINAL CODE: EPIDOSNIGR3

STAA Information on the status of an ep patent application or granted ep patent

Free format text: STATUS: GRANT OF PATENT IS INTENDED

GRAA (expected) grant

Free format text: ORIGINAL CODE: 0009210

STAA Information on the status of an ep patent application or granted ep patent

Free format text: STATUS: THE PATENT HAS BEEN GRANTED

AK Designated contracting states

Kind code of ref document: B1

Designated state(s): AL AT BE BG CH CY CZ DE DK EE ES FI FR GB GR HR HU IE IS IT LI LT LU LV MC MK MT NL NO PL PT RO RS SE SI SK SM TR

REG Reference to a national code

Ref country code: GB

Ref legal event code: FG4D

Free format text: NOT ENGLISH

REG Reference to a national code

Ref country code: CH

Ref legal event code: EP

Ref country code: AT

Ref legal event code: REF

Ref document number: 1380904

Country of ref document: AT

Kind code of ref document: T

Effective date: 20210415

REG Reference to a national code

Ref country code: DE

Ref legal event code: R096

Ref document number: 502019001182

Country of ref document: DE

REG Reference to a national code

Ref country code: IE

Ref legal event code: FG4D

Free format text: LANGUAGE OF EP DOCUMENT: GERMAN

REG Reference to a national code

Ref country code: NL

Ref legal event code: FP

REG Reference to a national code

Ref country code: LT

Ref legal event code: MG9D

PG25 Lapsed in a contracting state [announced via postgrant information from national office to epo]

Ref country code: BG

Free format text: LAPSE BECAUSE OF FAILURE TO SUBMIT A TRANSLATION OF THE DESCRIPTION OR TO PAY THE FEE WITHIN THE PRESCRIBED TIME-LIMIT

Effective date: 20210707

Ref country code: FI

Free format text: LAPSE BECAUSE OF FAILURE TO SUBMIT A TRANSLATION OF THE DESCRIPTION OR TO PAY THE FEE WITHIN THE PRESCRIBED TIME-LIMIT

Effective date: 20210407

Ref country code: HR

Free format text: LAPSE BECAUSE OF FAILURE TO SUBMIT A TRANSLATION OF THE DESCRIPTION OR TO PAY THE FEE WITHIN THE PRESCRIBED TIME-LIMIT

Effective date: 20210407

Ref country code: LT

Free format text: LAPSE BECAUSE OF FAILURE TO SUBMIT A TRANSLATION OF THE DESCRIPTION OR TO PAY THE FEE WITHIN THE PRESCRIBED TIME-LIMIT

Effective date: 20210407

PG25 Lapsed in a contracting state [announced via postgrant information from national office to epo]

Ref country code: GR

Free format text: LAPSE BECAUSE OF FAILURE TO SUBMIT A TRANSLATION OF THE DESCRIPTION OR TO PAY THE FEE WITHIN THE PRESCRIBED TIME-LIMIT

Effective date: 20210708

Ref country code: IS

Free format text: LAPSE BECAUSE OF FAILURE TO SUBMIT A TRANSLATION OF THE DESCRIPTION OR TO PAY THE FEE WITHIN THE PRESCRIBED TIME-LIMIT

Effective date: 20210807

Ref country code: PL

Free format text: LAPSE BECAUSE OF FAILURE TO SUBMIT A TRANSLATION OF THE DESCRIPTION OR TO PAY THE FEE WITHIN THE PRESCRIBED TIME-LIMIT

Effective date: 20210407

Ref country code: LV

Free format text: LAPSE BECAUSE OF FAILURE TO SUBMIT A TRANSLATION OF THE DESCRIPTION OR TO PAY THE FEE WITHIN THE PRESCRIBED TIME-LIMIT

Effective date: 20210407

Ref country code: NO

Free format text: LAPSE BECAUSE OF FAILURE TO SUBMIT A TRANSLATION OF THE DESCRIPTION OR TO PAY THE FEE WITHIN THE PRESCRIBED TIME-LIMIT

Effective date: 20210707

Ref country code: PT

Free format text: LAPSE BECAUSE OF FAILURE TO SUBMIT A TRANSLATION OF THE DESCRIPTION OR TO PAY THE FEE WITHIN THE PRESCRIBED TIME-LIMIT

Effective date: 20210809

Ref country code: SE

Free format text: LAPSE BECAUSE OF FAILURE TO SUBMIT A TRANSLATION OF THE DESCRIPTION OR TO PAY THE FEE WITHIN THE PRESCRIBED TIME-LIMIT

Effective date: 20210407

Ref country code: RS

Free format text: LAPSE BECAUSE OF FAILURE TO SUBMIT A TRANSLATION OF THE DESCRIPTION OR TO PAY THE FEE WITHIN THE PRESCRIBED TIME-LIMIT

Effective date: 20210407

REG Reference to a national code

Ref country code: DE

Ref legal event code: R097

Ref document number: 502019001182

Country of ref document: DE

PG25 Lapsed in a contracting state [announced via postgrant information from national office to epo]

Ref country code: SK

Free format text: LAPSE BECAUSE OF FAILURE TO SUBMIT A TRANSLATION OF THE DESCRIPTION OR TO PAY THE FEE WITHIN THE PRESCRIBED TIME-LIMIT

Effective date: 20210407

Ref country code: ES

Free format text: LAPSE BECAUSE OF FAILURE TO SUBMIT A TRANSLATION OF THE DESCRIPTION OR TO PAY THE FEE WITHIN THE PRESCRIBED TIME-LIMIT

Effective date: 20210407

Ref country code: EE

Free format text: LAPSE BECAUSE OF FAILURE TO SUBMIT A TRANSLATION OF THE DESCRIPTION OR TO PAY THE FEE WITHIN THE PRESCRIBED TIME-LIMIT

Effective date: 20210407

Ref country code: SM

Free format text: LAPSE BECAUSE OF FAILURE TO SUBMIT A TRANSLATION OF THE DESCRIPTION OR TO PAY THE FEE WITHIN THE PRESCRIBED TIME-LIMIT

Effective date: 20210407

Ref country code: RO

Free format text: LAPSE BECAUSE OF FAILURE TO SUBMIT A TRANSLATION OF THE DESCRIPTION OR TO PAY THE FEE WITHIN THE PRESCRIBED TIME-LIMIT

Effective date: 20210407

Ref country code: CZ

Free format text: LAPSE BECAUSE OF FAILURE TO SUBMIT A TRANSLATION OF THE DESCRIPTION OR TO PAY THE FEE WITHIN THE PRESCRIBED TIME-LIMIT

Effective date: 20210407

Ref country code: DK

Free format text: LAPSE BECAUSE OF FAILURE TO SUBMIT A TRANSLATION OF THE DESCRIPTION OR TO PAY THE FEE WITHIN THE PRESCRIBED TIME-LIMIT

Effective date: 20210407

PLBE No opposition filed within time limit

Free format text: ORIGINAL CODE: 0009261

STAA Information on the status of an ep patent application or granted ep patent

Free format text: STATUS: NO OPPOSITION FILED WITHIN TIME LIMIT

26N No opposition filed

Effective date: 20220110

PG25 Lapsed in a contracting state [announced via postgrant information from national office to epo]

Ref country code: IS

Free format text: LAPSE BECAUSE OF FAILURE TO SUBMIT A TRANSLATION OF THE DESCRIPTION OR TO PAY THE FEE WITHIN THE PRESCRIBED TIME-LIMIT

Effective date: 20210807

Ref country code: AL

Free format text: LAPSE BECAUSE OF FAILURE TO SUBMIT A TRANSLATION OF THE DESCRIPTION OR TO PAY THE FEE WITHIN THE PRESCRIBED TIME-LIMIT

Effective date: 20210407

PG25 Lapsed in a contracting state [announced via postgrant information from national office to epo]

Ref country code: MC

Free format text: LAPSE BECAUSE OF FAILURE TO SUBMIT A TRANSLATION OF THE DESCRIPTION OR TO PAY THE FEE WITHIN THE PRESCRIBED TIME-LIMIT

Effective date: 20210407

REG Reference to a national code

Ref country code: CH

Ref legal event code: PL

PG25 Lapsed in a contracting state [announced via postgrant information from national office to epo]

Ref country code: LU

Free format text: LAPSE BECAUSE OF NON-PAYMENT OF DUE FEES

Effective date: 20220204

PG25 Lapsed in a contracting state [announced via postgrant information from national office to epo]

Ref country code: LI

Free format text: LAPSE BECAUSE OF NON-PAYMENT OF DUE FEES

Effective date: 20220228

Ref country code: IE

Free format text: LAPSE BECAUSE OF NON-PAYMENT OF DUE FEES

Effective date: 20220204

Ref country code: CH

Free format text: LAPSE BECAUSE OF NON-PAYMENT OF DUE FEES

Effective date: 20220228

PGFP Annual fee paid to national office [announced via postgrant information from national office to epo]

Ref country code: FR

Payment date: 20230223

Year of fee payment: 5

PGFP Annual fee paid to national office [announced via postgrant information from national office to epo]

Ref country code: IT

Payment date: 20230223

Year of fee payment: 5

Ref country code: GB

Payment date: 20230223

Year of fee payment: 5

Ref country code: DE

Payment date: 20230227

Year of fee payment: 5

Ref country code: BE

Payment date: 20230222

Year of fee payment: 5

P01 Opt-out of the competence of the unified patent court (upc) registered

Effective date: 20230515

PGFP Annual fee paid to national office [announced via postgrant information from national office to epo]

Ref country code: NL

Payment date: 20240226

Year of fee payment: 6

PGFP Annual fee paid to national office [announced via postgrant information from national office to epo]

Ref country code: AT

Payment date: 20240220

Year of fee payment: 6

Ref country code: AT

Payment date: 20240220

Year of fee payment: 5

Ref country code: AT

Payment date: 20240220

Year of fee payment: 4

PG25 Lapsed in a contracting state [announced via postgrant information from national office to epo]

Ref country code: MK

Free format text: LAPSE BECAUSE OF FAILURE TO SUBMIT A TRANSLATION OF THE DESCRIPTION OR TO PAY THE FEE WITHIN THE PRESCRIBED TIME-LIMIT

Effective date: 20210407

Ref country code: CY

Free format text: LAPSE BECAUSE OF FAILURE TO SUBMIT A TRANSLATION OF THE DESCRIPTION OR TO PAY THE FEE WITHIN THE PRESCRIBED TIME-LIMIT

Effective date: 20210407

PGFP Annual fee paid to national office [announced via postgrant information from national office to epo]

Ref country code: DE

Payment date: 20240228

Year of fee payment: 6

Ref country code: GB

Payment date: 20240220

Year of fee payment: 6