EP3084816A1 - Waferboot - Google Patents

Waferboot

Info

Publication number
EP3084816A1
EP3084816A1 EP14825330.5A EP14825330A EP3084816A1 EP 3084816 A1 EP3084816 A1 EP 3084816A1 EP 14825330 A EP14825330 A EP 14825330A EP 3084816 A1 EP3084816 A1 EP 3084816A1
Authority
EP
European Patent Office
Prior art keywords
receiving
wafer boat
slots
depth
elements
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Withdrawn
Application number
EP14825330.5A
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
Andreas Reichart
Andreas Keller
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Centrotherm Photovoltaics AG
Original Assignee
Centrotherm Photovoltaics AG
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Centrotherm Photovoltaics AG filed Critical Centrotherm Photovoltaics AG
Publication of EP3084816A1 publication Critical patent/EP3084816A1/de
Withdrawn legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/673Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere using specially adapted carriers or holders; Fixing the workpieces on such carriers or holders
    • H01L21/67313Horizontal boat type carrier whereby the substrates are vertically supported, e.g. comprising rod-shaped elements
    • H01L21/67316Horizontal boat type carrier whereby the substrates are vertically supported, e.g. comprising rod-shaped elements characterized by a material, a roughness, a coating or the like
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/673Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere using specially adapted carriers or holders; Fixing the workpieces on such carriers or holders
    • H01L21/67313Horizontal boat type carrier whereby the substrates are vertically supported, e.g. comprising rod-shaped elements
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67098Apparatus for thermal treatment
    • H01L21/67109Apparatus for thermal treatment mainly by convection
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/673Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere using specially adapted carriers or holders; Fixing the workpieces on such carriers or holders
    • H01L21/67346Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere using specially adapted carriers or holders; Fixing the workpieces on such carriers or holders characterized by being specially adapted for supporting a single substrate or by comprising a stack of such individual supports
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/673Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere using specially adapted carriers or holders; Fixing the workpieces on such carriers or holders
    • H01L21/6735Closed carriers
    • H01L21/67383Closed carriers characterised by substrate supports

Definitions

  • the present invention relates to a wafer boat for holding thin ware, in particular semiconductor wafers, the term wafers as used herein generally comprising thin disc-shaped substrates of any desired peripheral shape.
  • Wafer boats often serve to hold a plurality of wafers within a process plant, such as a semiconductor wafer diffusion plant, in which the semiconductor wafers are exposed to thermal processes.
  • the wafer boats must be able to withstand mechanical stresses in particular by holding and loading and unloading the wafers.
  • they are also exposed to the respective process atmospheres to which the wafers are exposed, so that the process should not affect the wafer boats as long as possible.
  • quartz wafer boats for example, have been used which, on the one hand, are insensitive to most processes and, on the other hand, do not introduce impurities into the semiconductor process.
  • quartz boats there is a need to use ever larger quartz boats to achieve greater mass loading of the process devices.
  • a larger throughput of wafers / process travel is to be achieved. This can be achieved, for example, by extending the boats and / or reducing the slot spacing so that the number of picked wafers per boat increases. In total, the mass of the charged wafers increases, with the mass of the wafer boat not rising to the same extent as possible.
  • a fully loaded wafer boat should be a multiple (preferably at least three times) of the mass Wafers compared to the mass of the wafer boat can record.
  • a reduced mass of the wafer boat allows energy savings in thermal processing and also allows faster heating and cooling cycles.
  • the boat should also be as filigree as possible in order to ensure a low degree of shadowing of the wafers and thus a homogeneous processing.
  • silicon-infiltrated silicon carbide Si-SiC
  • quartz silicon-infiltrated silicon carbide
  • thermal shock resistance In particular, in such boats, thermal stress fractures occur more frequently with increasingly faster processes. Furthermore, this material has partially introduced undesirable impurities in the process and Si-SiC wafer boats are essential over quartz
  • a wafer boat according to claim 1 or 3 and an apparatus for treating semiconductor wafers according to claim 8 are provided.
  • One embodiment of the wafer boat has at least two elongated quartz receptacles each having a plurality of parallel receiving slots extending transversely of the longitudinal extent, and two end plates between which the receptacles are disposed and secured such that the receiving slots of the receptacles are aligned with each other as it is known.
  • the wafer boats have a plurality of fastening lugs, by means of which the receiving elements are fastened to the end plates, each attachment lug having a circumference at least 1.5 times as large as a receiving area of the receiving elements having the receiving slots, and each Attachment is welded or bonded to at least one of the following elements: an end plate and a receiving element.
  • a fastening approach makes it possible to better distribute stresses, in particular mechanical stresses, in the area of the fastening, so that the risk of breakage at this point is considerably reduced. In this configuration, even for larger wafer boats made of quartz, for example, with lengths greater than 1 m can achieve sufficient stability.
  • the circumference of the attachment lug is at least twice as large as the receiving slots having receiving portion of the receiving elements.
  • the receiving elements adjacent to the attachment lug have at least one expansion slot, preferably at least two expansion slots having a depth that is less than the depth of the receiving slots, the depth increasing with increasing clearance from the attachment lug in the case of two or more expansion slots.
  • An alternative embodiment of the wafer boat in turn has at least two elongated receptacles made of quartz, each having a plurality of parallel, extending transversely to the longitudinal extension receiving slots, and two end plates, between which the receiving elements are arranged and secured such that the receiving slots of the Receiving elements are aligned with each other.
  • the receiving elements adjacent to the end plates each have at least one expansion slot with a depth which is less than the depth of the receiving slots.
  • Such a wafer boat may also preferably have the above-described mounting lugs on an enlarged scale.
  • at least two of the expansion slots are provided, the depth increasing as the distance from the end plates increases.
  • each attachment lug is integrally formed with an end plate or a receiving element and each welded or bonded to the other element. Welding is preferably carried out at the peripheral area of the element with a smaller circumference.
  • each attachment lug is integrally formed with the end plate and formed by milling out of a plate member.
  • each attachment lug is a separate component that is welded or bonded to both an end plate and a receptacle. This allows a particularly simple production of the individual components.
  • each attachment lug has a plate shape and the transition to at least one of the following: the end plate and the receiving element is formed by at least one monotonously widening region.
  • each attachment lug preferably has a depth in the longitudinal extent of the receiving element, which is smaller than four times the distance between the receiving slots, and preferably less than three times the distance, wherein the distance between the slot centers is measured.
  • the receiving region of the receiving elements has a substantially rectangular cross-section, wherein the receiving elements are inclined by 45 ° to each other to the horizontal. Due to the rectangular shape and the arrangement, a good stability can be achieved, while compared to a round element, the material mass can be reduced.
  • an apparatus for treating semiconductor wafers which has at least one wafer boat of the type described above, at least one process chamber for accommodating the at least one wafer boat, and at least one heating device for heating semiconductor wafers in the process chamber.
  • This is preferably a diffusion system.
  • Fig. 1 is a schematic perspective view of a wafer boat according to the invention
  • FIG. 2 is a schematic plan view of the wafer boat according to FIG. 1;
  • FIG. 2 is a schematic plan view of the wafer boat according to FIG. 1;
  • Fig. 3 is a schematic sectional view through the wafer boat
  • FIG. 4 shows a schematic detail view of a receiving element of the wafer boat
  • Fig. 6 is a schematic enlarged partial view of the wafer boat; and Fig. 7 is a schematic enlarged partial view of an alternative end portion of a receptacle for a wafer boat.
  • the wafer boat 1 is essentially formed by end plates 3, receiving elements 5 and guide elements 7.
  • the wafer boat 1 has an elongated configuration, ie it has a substantially greater length in longitudinal extension (left-right in FIG. 2) than in the remaining dimensions.
  • an end plate 3 is provided, which is preferably formed of quartz. But it can also be constructed of another suitable material. Between the end plates 3 Both the receiving elements 5 and the guide elements 7, which are fastened to the end plates 3, extend as will be explained in more detail below.
  • the end plates 3 are further mounted on the outwardly facing sides support members 9, which are provided as known in the art for automatic handling of the wafer boats.
  • the end plates 3 have an overall adapted shape with different recesses and openings.
  • lower recesses 10 are provided, which allow, for example, a proper placement.
  • positioning holes and / or other markings may also be provided on the end plates 3, which signal, for example, the type, the orientation and / or other properties.
  • the receiving elements 5 extend, as mentioned above, between the end plates 3 and are attached to these fastening lugs 12, in particular by welding or bonding, as will be explained in more detail below.
  • the receiving elements 5 are made of quartz and each have an elongated rod shape.
  • the receiving elements 5 each have a central receiving area and attachment areas at the opposite ends.
  • the receiving elements 5 essentially have a rectangular cross-section, wherein "substantially” should also include in particular rectangles with rounded corners, but in principle it would also be possible for the receiving element 5 to be round or have other shapes
  • a plurality of receiving slots 13 are formed, which extend transversely to the longitudinal extension of the receiving element 5, preferably at a 90 ° angle to the longitudinal extent.
  • the depth will be approximately equal to or less than one edge scraping area of the wafers.
  • the receiving slots 13 each have an extension at their upper end, which is formed by bevels 15. These bevels 15 serve as lead-in chamfers to facilitate the insertion of wafers into the receiving slots 13.
  • Receiving slots 13 are provided substantially over the entire length of the receiving elements 5 away. Only in the end regions, adjacent to the attachment regions of the receiving elements 5, no receiving slots 13 are provided. In each of these end regions, two expansion slots 17 are provided, which have no receiving function for wafers. Therefore, the relaxation slots 17 can also dispense with the insertion bevels 15 provided at the receiving slots 13.
  • the relaxation slots 17 also have a smaller depth than the receiving slots 13, resulting in a reduction of the mechanical stress. In the illustrated embodiment (in particular Figure 4) two of these expansion slots 17 are shown, but also a greater or lesser number of the expansion slots 17 may be provided. In particular, the slot depth of the expansion slots 17, starting from the last receiving slot 13, is reduced in the direction of the attachment projection 12. Occurring stresses are thus reduced in stages.
  • the relaxation slot 17 with a smaller depth allows in use a reduced mechanical stress in the first receiving slot thirteenth
  • a wider relaxation recess 40 could be provided at this point, as shown for example in Fig. 7.
  • Fig. 7 shows an end portion of a receiving element 5, as well as a part of a fixing lug 12.
  • the receiving element 5 in turn has a plurality of receiving slots 13 with bevels 15.
  • a wider Relaxation recess 40 is provided.
  • the expansion recess 40 has a crescent-shaped bottom 41 with a flat flank adjacent to the attachment lug 12 and a steeper flank adjacent to the first receiving slot 13.
  • the lowest point of the expansion recess 40 is closer to the end with the steeper flank than at the other end.
  • the depth of the relaxation recess 40 at the lowest point is smaller than the depth of the receiving slots 13.
  • Such a relaxation recess 40 in turn allows a gentle introduction of loads, in particular mechanical loads in the receiving element. 5
  • the attachment lugs 12 each have a substantially plate shape, and are usually made of quartz as well.
  • the attachment lugs 12 are integrally formed with the end plates 3 and are formed, for example, by milling out of a plate material forming the end plates.
  • the receiving elements 5 are then welded or bonded to the attachment lugs 12 to achieve a connection with the end plates 3.
  • the fastening lugs 12 are formed integrally with the receiving elements 5 and the attachment lugs 12 are then welded or bonded to the end plates 3.
  • the attachment lugs 12 are formed as separate elements and they are welded or bonded to both the end plates 3 and the receiving elements 5. In any case, a connection of the end plates 3 with the receiving elements 5 via respective attachment approaches 12th
  • the transition region 20 between the respective rod-shaped receiving elements 5 and the plate-shaped attachment lug 12 forms a monotonous extension.
  • this transition region 20 essentially describes a circular arc.
  • the radius in the transition region attachment lug 12 to the end plate determines the minimum depth of the attachment lug 12 in the longitudinal direction.
  • the depth is less than four times the distance between the receiving slots, and preferably less than three times the distance.
  • Each attachment lug 12 has a much larger circumference than the rod-shaped receiving elements 5, in which the receiving slots 13 are formed. By this stepwise extension of the circumference of receiving element 5 to mounting lug 12 to the end plate 3 can see mechanical stresses minimize.
  • the circumference of the attachment lug 12 is at least 1.5 times as large as the circumference of the rod-shaped receiving element 5.
  • the circumference of the attachment lug 12 may be at least twice as large as the circumference of the rod-shaped receiving element 5.
  • the rod-shaped receiving elements 5 are respectively attached to the end plates 3 via the attachment lugs 12 such that the longitudinal sides of the rectangular cross-section are inclined at 45 ° to the horizontal.
  • the narrow sides which have the receiving slots 13 face one another, so that the receiving slots 13 essentially form a 90 ° angle to each other.
  • the receiving elements 5 are spaced transversely, wherein the distance is chosen so that a recorded in the receiving slot 13 wafer rests below its horizontal center on the respective bottom of the receiving slots 13. Forces arise in the direction of the longitudinal and transverse sides of the rod-shaped receiving elements 5,
  • the guide elements 7 are each essentially formed by a rod-shaped element 25 made of quartz, which has a multiplicity of guide slots 26.
  • the rod-shaped element 25 has a substantially round cross-section, as best seen in the sectional view according to FIG. However, the rod-shaped element 25 may have a bevel inclined at 45 ° to the horizontal, as shown, with the bevels of the two rod-shaped elements 25 facing each other.
  • a plurality of slots 26 is provided, which are also inclined by 45 ° with respect to the horizontal, and thus substantially the same as the receiving slots 1 3 in the respective adjacent receiving element 5.
  • the slots 26 have such Depth, that wafers, which are received by the receiving elements 5, do not rest on the bottom of the respective slots.
  • the guide elements 7 generally do not support the wafers and the slots 26 have only a lateral guiding function for the wafers.
  • the rod-shaped elements 25 can also be made relatively thin, as shown.
  • a second rod-shaped member 30 is provided vertically below the rod member 25 and extends between the end plates 3.
  • the lower rod member 30 in turn has a round shape, but has neither a chamfer nor slots on. As a result, it has a higher stability, and can support the upper rod member 25 over the length.
  • Both the upper rod element 25 and the lower rod element 30 are each welded at their end regions to the end plate 3.
  • a monotonically widening transition between the respective rod element 25, 30 and the end plate 3 is formed.
  • the transition again describes a circle radius.
  • an attachment can be made via a mounting lug, not shown, to minimize stresses. This could be similar to the attachment lug 12 formed and provide a gradual extension of the circumference, wherein the ratio of the circumferential extension would be based on the respective rod elements.
  • the receiving elements 5 and the guide elements 7, as best seen in the plan view according to FIG. 2 or the sectional view according to FIG. 3, are arranged such that they do not overlap in the vertical direction.
  • a gap arises in each case between a receiving element 5 and the guiding element 7 lying adjacent thereto, which gap can be traversed vertically in the vertical direction, for example, by a loading / unloading comb.
  • a corresponding gap is provided between the guide elements 7, which is barrier-free over the entire length of the wafer boat.
  • An empty wafer boat 1 is first brought into a loading position in the region of a loading / unloading comb, wherein, for example, the lower recesses in the end plates 3 serve as guiding and placement recesses. Then in the vertical direction loading / unloading in the vertical direction between the guide elements 7 and optionally inserted between receiving element 5 and guide element 7. Wafers are deposited thereon which are then introduced by lowering the loading / unloading combs into the respective receiving slots and guide slots of the receiving and guiding elements 5, 7. The wafers come in the receiving slots to rest and are guided only laterally in the guide slots.
  • a wafer boat loaded in this way can be brought into a process chamber.
  • the illustrated wafer boat is intended, for example, for a process chamber of a diffusion furnace, in which the wafers are exposed to heat and certain process gases.
  • the fact that the wafer boat is made of quartz, it is usually insensitive to the heating as well as the process gas atmosphere. Also, the quartz does not introduce any impurities in the process. After a corresponding treatment of the wafer, the wafer boat is taken out of the process in reverse order and unloaded accordingly.
  • the attachment of the receiving elements 5 via the attachment lugs 12 allows a reduction of the mechanical stresses, so that a breakage of the receiving elements 5 in the mounting area, as has occurred in the past in wafer boats, is avoided. Such a break can also be avoided by the increasing slot depth of the expansion slots 17 starting from the end plates 3, wherein the use of the attachment lugs 12 in combination with the increasing slot depth particularly advantageous is.
  • the guide elements 7 can be dispensed with the attachment approach as a rule, as far as they assume pure leadership functions. However, if these should also assume supporting functions, these would also be attached to the end plates 3 via a corresponding attachment lug.

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)

Abstract

Es wird ein Waferboot zur Aufnahme von Wafern, insbesondere Halbleiterwa- fern beschrieben. Das Waferboot auf wenigstens zwei langgestreckte Auf- nahmeelemente aus Quarz auf, die jeweils eine Vielzahl von parallelen, sich quer zur Längserstreckung erstreckenden Aufnahmeschlitzen aufweisen, so¬ wie zwei Endplatten, zwischen denen die Aufnahmeelemente derart angeord¬ net und befestigt sind, dass die Aufnahmeschlitze der Aufnahmeelemente zu¬ einander ausgerichtet sind. Zur Erhöhung der Stabilität des Waferbootes weist es eine Vielzahl von Befestigungsansätzen auf, über die die Aufnahmeele¬ mente an den Endplatten befestigt sind, wobei jeder Befestigungsansatz ei¬ nen wenigsten 1,5 mal so großen Umfang besitzt, wie ein die Aufnahmeschlit¬ ze aufweisender Aufnahmebereich der Aufnahmeelemente, und wobei jeder Befestigungsansatz an wenigstens eines der folgenden Elemente geschweißt oder gebondet ist: eine Endplatte und ein Aufnahmeelement. Bei einer weite¬ ren Ausführungsform, die mit der erst genannten kombinierbar ist weisen die Aufnahmeelemente benachbart zu den Endplatten wenigsten einen Entspan¬ nungsschlitz, bevorzugt wenigstens zwei Entspannungsschlitze, mit einer Tie¬ fe auf, die geringer ist als die Tiefe der Aufnahmeschlitze, wobei die Tiefe bei wenigstens zwei Entspannungsschlitzen mit zunehmendem Abstand von den Endplatten zunimmt.

Description

Waferboot
Die vorliegende Erfindung betrifft ein Waferboot zum Halten von dünnen Wa- fern, insbesondere von Halbleiterwafern, wobei der Begriff Wafer wie er hier verwendet wird, allgemein dünne scheibenförmige Substrate beliebiger Um- fangsform umfasst.
Waferboote dienen häufig dazu eine Vielzahl von Wafern innerhalb einer Prozessanlage, wie beispielsweise einer Diffusionsanlage für Halbleiterwafer zu halten, in denen die Halbleiterwafer thermischen Prozessen ausgesetzt werden. Dabei müssen die Waferboote neben thermischen Belastungen während der Prozessierung insbesondere mechanische Belastungen durch das Halten und die Be- und Entladung der Wafer aushalten. Darüber hinaus sind sie auch den jeweiligen Prozessatmosphären, denen die Wafer ausgesetzt sind, aus- gesetzt, so dass der Prozess die Waferboote möglichst auch auf Dauer nicht beeinträchtigen sollte. Dabei besteht in der Regel nicht nur das Bedürfnis, dass die Waferboote durch die jeweiligen Prozesse nicht beeinträchtigt werden, sondern auch, dass die Waferboote selbst die Prozesse nicht beeinträchtigen. Insbesondere in der Halbleitertechnologie ist darauf zu achten, dass die Waferboote keine Verunreinigungen in den Prozess einführen.
In der Vergangenheit wurden daher beispielsweise Waferboote aus Quarz eingesetzt, welche einerseits gegenüber den meisten Prozessen unempfindlich sind und andererseits keine Verunreinigungen in den Halbleiterprozess einbringen. Jedoch besteht das Bedürfnis immer größere Quarzboote einzusetzen, um größere Massenbeladungen der Prozessvorrichtungen zu erreichen. Insbesondere soll ein größerer Durchsatz von Wafern/Prozessfahrt erreicht werden. Dies kann zum Beispiel durch eine Verlängerung der Boote und/oder eine Reduzierung der Schlitzabstände erreicht werden, sodass die Anzahl der aufgenommenen Wafer pro Boot steigt. Hierbei steigt insgesamt die Masse der geladenen Wafer, wobei die Masse des Waferbootes möglichst nicht im gleichen Maße ansteigt. Bevorzugt sollte ein vollständig beladenes Waferboot ein Vielfaches (bevorzugt wenigstens das dreifache) der Masse an Wafern im Vergleich zur Masse des Waferbootes aufnehmen können. Eine reduzierte Masse des Waferbootes ermöglicht eine Energieeinsparung beim thermischen Prozessieren und ermöglicht ferner raschere Erwärmungs- und Abkühlzyklen. Insbesondere im Aufnahmebereich für die Wafer sollte das Wa- 5 ferboot ferner möglichst filigran sein, um eine geringe Abschattung der Wafer und somit eine homogene Prozessierung zu gewährleisten.
Dabei ergibt sich jedoch das Problem, dass das Quarzmaterial, welches als ein sehr sprödes Material gilt, den mechanischen Belastungen nicht mehr Ohi o ne Weiteres standhalten kann. Dies gilt insbesondere, da jede mechanische Bearbeitung beispielsweise zur Ausbildung von Aufnahmeschlitzen eine Verletzung des Materials darstellt, welche zu Mikrorissen (Kerbwirkung) führen kann.
15 Daher wurde in der Vergangenheit für große Waferboote statt Quarz beispielsweise siliziuminfiltriertes Siliziumkarbid (Si-SiC) als Werkstoff eingesetzt. Diese Waferboote haben sich durch gute mechanische Eigenschaften ausgezeichnet. Allerdings vertragen sie keine großen Temperaturunterschiede, die jedoch aufgrund der Geometrie auftreten können. Diese Problematik
20 ist auch unter dem Fachbegriff Thermoschockbeständigkeit bekannt. Insbesondere treten bei solchen Booten häufiger thermische Spannungsbrüche bei immer schneller werdenden Prozessen auf. Ferner wurden durch dieses Material zum Teil unerwünschte Verunreinigungen in dem Prozess eingebracht und Waferboote aus Si-SiC sind gegenüber solchen aus Quarz wesentlich
25 teurer in der Anschaffung. Dies ist unter anderem auf die geringe Verfügbarkeit und die teure Bearbeitung von siliziuminfiltrierten Siliziumkarbid zurückzuführen.
Es ist daher eine Aufgabe der vorliegenden Erfindung ein Waferboot vorzuse- 30 hen, das wenigstens eines der obigen Nachteile überwindet.
Erfindungsgemäß sind ein Waferboot nach Anspruch 1 oder 3 sowie eine Vorrichtung zum Behandeln von Halbleiterwafern nach Anspruch 8 vorgesehen. Ein Ausführungsform des Waferbootes weist wenigstens zwei langgestreckte Aufnahmeelemente aus Quarz auf, die jeweils eine Vielzahl von parallelen, sich quer zur Längserstreckung erstreckenden Aufnahmeschlitzen aufweisen, sowie zwei Endplatten, zwischen denen die Aufnahmeelemente derart angeordnet und befestigt sind, dass die Aufnahmeschlitze der Aufnahmeelemente zueinander ausgerichtet sind, wie es bekannt ist. Gemäß der Erfindung weisen die Waferboote eine Vielzahl von Befestigungsansätzen auf, über die die Aufnahmeelemente an den Endplatten befestigt sind, wobei jeder Befesti- gungsansatz einen wenigsten 1 ,5 mal so großen Umfang besitzt, wie ein die Aufnahmeschlitze aufweisender Aufnahmebereich der Aufnahmeelemente, und wobei jeder Befestigungsansatz an wenigstens eines der folgenden Elemente geschweißt oder gebondet ist: eine Endplatte und ein Aufnahmeelement. Durch einen solchen Befestigungsansatz lassen sich Spannungen, ins- besondere mechanische Spannungen im Bereich der Befestigung besser verteilen, sodass die Gefahr eines Bruchs an dieser Stelle erheblich verringert wird. In dieser Konfiguration lässt sich selbst für größer werdende Waferboote aus Quarz zum Beispiel mit Längen größer 1 m eine ausreichende Stabilität erreichen. Aber auch bei Waferbooten, die verkürzte Schlitzabstände besit- zen, zum Beispiel einen sogenannten Half-Pitch lässt sich eine verbesserte Stabilität erreichen. Quarz ist aufgrund des geringen Verunreinigungspotentials sowie der hohen Verfügbarkeit gegenüber anderen Materialien, wie zum Beispiel Si-SiC von Vorteil. Bei einer Ausführungsform der Erfindung ist der Umfang des Befestigungsansatzes wenigsten doppelt so groß, wie der die Aufnahmeschlitze aufweisende Aufnahmebereich der Aufnahmeelemente. Bei einer Ausführungsform weisen die Aufnahmeelemente benachbart zum Befestigungsansatz wenigsten einen Entspannungsschlitz, bevorzugt wenigstens zwei Entspannungsschlitze mit einer Tiefe auf, die geringer ist als die Tiefe der Aufnahmeschlitze, wobei die Tiefe bei zwei oder mehr Entspannungs- schlitzen mit zunehmendem Abstand vom Befestigungsansatz zunimmt. Hierdurch können durch die Aufnahme- und Entspannungsschlitze entstehende Spannungen, insbesondere mechanische Spannungen besser in das Aufnahmeelement eingeleitet werden. Eine alternative Ausführungsform des Waferbootes weist wiederum wenigstens zwei langgestreckte Aufnahmeelemente aus Quarz auf, die jeweils eine Vielzahl von parallelen, sich quer zur Längserstreckung erstreckenden Auf- nahmeschlitzen aufweisen, sowie zwei Endplatten, zwischen denen die Aufnahmeelemente derart angeordnet und befestigt sind, dass die Aufnahmeschlitze der Aufnahmeelemente zueinander ausgerichtet sind. Bei dieser Ausführungsform weisen die Aufnahmeelemente benachbart zu den Endplatten jeweils wenigsten einen Entspannungsschlitz mit einer Tiefe auf, die geringer ist als die Tiefe der Aufnahmeschlitze. Hierdurch können durch die Aufnahmeschlitze und Entspannungsschlitze auftretende mechanische Spannungen besser in das Aufnahmeelement eingeleitet werden. Ein solches Waferboot kann auch bevorzugt die oben beschriebenen Befestigungsansätze mit vergrößertem Umfang aufweisen. Bei einer Ausführungsform sind für eine sanfte- re Einleitung der Spannungen wenigstens zwei der Entspannungsschlitze vorgesehen, wobei die Tiefe mit zunehmendem Abstand von den Endplatten her zunimmt.
Bevorzugt ist jeder Befestigungsansatz einteilig mit einer Endplatte oder ei- nem Aufnahmeelement ausgebildet und jeweils an das andere Element geschweißt oder gebondet. Eine Verschweißen erfolgt dabei bevorzugt am Um- fangsbereich des Elements mit kleinerem Umfang. Bei einer bevorzugten Ausführungsform ist jeder Befestigungsansatz einteilig mit der Endplatte ausgebildet und durch herausfräsen aus einem Plattenelement gebildet. Bei einer alternativen Ausführungsform ist jeder Befestigungsansatz ein separates Bauteil, das sowohl an eine Endplatte als auch ein Aufnahmeelement geschweißt oder gebondet ist. Dies ermöglicht eine besonders einfache Herstellung der einzelnen Komponenten. Bevorzugt weist jeder Befestigungsansatz eine Plattenform auf und der Übergang zu wenigstens einem der folgenden: der Endplatte und dem Aufnahmeelement wird durch wenigstens einen sich monoton erweiternden Bereich gebildet. Hierdurch können Spannungsspitzen, insbesondere mechanische Spannungsspitzen an abrupten Übergängen vermieden werden. Insbesondere kann der Übergang einen Kreisradius beschreiben. Die Plattenform verhindert darüber hinaus eine übermäßig große Materialmasse im Bereich des Befestigungsansatzes welche zu thermischen Spannungen während einer Erwär- mung/Abkühlung führen könnte. Dabei besitzt jeder Befestigungsansatz vorzugsweise eine Tiefe in Längserstreckung des Aufnahmeelements, die kleiner ist als der vierfache Abstand zwischen den Aufnahmeschlitzen, und bevorzugt kleiner als der dreifache Abstand, wobei der Abstand zwischen den Schlitzmitten gemessen wird.
Bei einer Ausführungsform weist der Aufnahmebereich der Aufnahmeelemente einen im Wesentlichen rechteckigen Querschnitt auf, wobei die Aufnahmeelemente um 45° zur Horizontalen zueinander geneigt sind. Durch die rechteckige Form und die Anordnung kann eine gute Stabilität erreicht werden, während gegenüber einem runden Element die Materialmasse reduziert werden kann.
Neben den Aufnahmeelementen, welche die Wafer im Waferboot tragen sollen ist ferner wenigstens ein langgestrecktes Führungselement aus Quarz mit einer Vielzahl von Führungsschlitzen, entsprechend den Aufnahmeschlitzen in den Aufnahmeelementen, vorgesehen, das parallel zu den Aufnahmeelementen zwischen den Endplatten befestigt ist. Durch zusätzliche Führungsschlitze kann ein Verkippen der Wafer in Längsrichtung des Waferbootes verhindert werden, wobei wiederum vorteilhaft Quarz eingesetzt wird.
Erfindungsgemäß ist auch eine Vorrichtung zum Behandeln von Halbleiterwa- fern vorgesehen, die wenigstens ein Waferboot des obenbeschriebenen Typs, wenigstens eine Prozesskammer zur Aufnahme des wenigstens einen Waferbootes, und wenigstens eine Heizeinrichtung zum Erwärmen von Halbleiter- wafern in der Prozesskammer aufweist. Bevorzugt handelt es sich hierbei um eine Diffusionsanlage. Die Erfindung wird nachfolgend anhand der Zeichnungen näher erläutert; in den Zeichnungen zeigt:
Fig. 1 eine schematische perspektivische Ansicht eines Waferbootes gemäß der Erfindung;
Fig. 2 eine schematische Draufsicht auf das Waferboot gemäß Fig. 1 ;
Fig. 3 eine schematische Schnittansicht durch das Waferboot;
Fig. 4 eine schematische Detailansicht eines Aufnahmeelements des Waferbootes;
Fig. 5 eine perspektivische, schematische Teilansicht des Waferbootes im
Bereich einer Endplatte;
Fig. 6 eine schematische vergrößerte Teilansicht des Waferbootes; und Fig. 7 eine schematische vergrößerte Teilansicht eines alternativen Endbe reichs eines Aufnahmeelements für ein Waferboot.
In der Beschreibung verwendete Begriffe, wie oben, unten, links und rechts beziehen sich auf die Darstellung in den Zeichnungen und sind nicht einschränkend zu sehen. Im nachfolgenden wird der Grundaufbau eines Waferbootes 1 anhand der Figuren näher erläutert. Über die Figuren hinweg werden dieselben Bezugszeichen verwendet, sofern dieselben oder ähnliche Elemente beschrieben werden. Das Waferboot 1 wird im Wesentlichen durch Endplatten 3, Aufnahmeelemente 5 und Führungselemente 7 gebildet.
Wie in der Draufsicht gemäß Figur 2 zu erkennen ist, besitzt das Waferboot 1 eine langgestreckte Konfiguration, d.h. es besitzt in Längserstreckung (links- rechts in Figur 2) eine wesentlich größere Länge als in den übrigen Abmessungen. An den Enden des Waferbootes 1 ist jeweils eine Endplatte 3 vorgesehen, die bevorzugt aus Quarz ausgebildet ist. Sie kann aber auch aus einem anderen geeigneten Material aufgebaut sein. Zwischen den Endplatten 3 erstrecken sich sowohl die Aufnahmeelemente 5 als auch die Führungselemente 7, die an den Endplatten 3 befestigt sind, wie nachfolgend noch näher erläutert wird. An den Endplatten 3 sind ferner an den nach außen weisenden Seiten Trägerelemente 9 angebracht, die wie in der Technik bekannt für eine automatische Handhabung der Waferboote vorgesehen sind. Die Endplatten 3 besitzen insgesamt eine angepasste Form mit unterschiedlichen Ausnehmungen und Öffnungen. So sind zum Beispiel untere Ausnehmungen 10 vorgesehen, welche zum Beispiel eine ordnungsgemäße Platzierung ermöglichen. Zusätzlich können auch noch Positionierungslöcher und/oder andere Kennzeichen an den Endplatten 3 vorgesehen sein, welche zum Beispiel den Typ, die Ausrichtung und/oder andere Eigenschaften signalisieren. Die Aufnahmeelemente 5 erstrecken sich, wie zuvor erwähnt, zwischen den Endplatten 3 und sind an diesen über Befestigungsansätze 12 befestigt, insbesondere durch Verschweißen oder Bonden, wie nachfolgend noch näher erläutert wird. Die Aufnahmeelemente 5 bestehen aus Quarz und besitzen jeweils eine langgestreckte Stabform. Dabei besitzen die Aufnahmeelemente 5 jeweils einen mittleren Aufnahmebereich und Befestigungsbereichen an den entgegengesetzten Enden.
Die Aufnahmeelemente 5 besitzen im Wesentlichen einen rechteckigen Querschnitt, wobei„im Wesentlichen" insbesondere auch Rechtecke mit abgerun- deten Ecken umfassen soll. Grundsätzlich wäre es aber auch möglich, dass das Aufnahmeelement 5 rund ist oder andere Formen aufweist. In einer Schmalseite der Aufnahmeelemente 5 ist jeweils eine Vielzahl von Aufnahmeschlitzen 13 ausgebildet, die sich quer zur Längserstreckung des Aufnahmeelements 5 erstrecken, und zwar bevorzugt in einem 90° Winkel zur Längs- erstreckung. Die Aufnahmeschlitze 13 sind jeweils mit gleichmäßigem Abstand zueinander vorgesehen und sie besitzen eine vorbestimmte (gleichbleibende) Tiefe zur Aufnahme eines Randbereichs eines jeweiligen aufzuneh- menden Wafers. Bevorzugt wird die Tiefe ungefähr einem Randausschussbereich der Wafer entsprechend oder kleiner sein.
Wie am besten in Figur 4 oder Figur 6 zu erkennen ist, besitzen die Aufnah- meschlitze 13 an ihrem oberen Ende jeweils eine Erweiterung, die durch Schrägen 15 gebildet wird. Diese Schrägen 15 dienen als Einführungsschrägen, um die Einführung von Wafern in die Aufnahmeschlitze 13 zu erleichtern.
Aufnahmeschlitze 13 sind im Wesentlichen über die gesamte Länge der Auf- nahmeelemente 5 hinweg vorgesehen. Nur in den Endbereichen, benachbart zu den Befestigungsbereichen der Aufnahmeelemente 5, sind keine Aufnahmeschlitze 13 vorgesehen. In diesen Endbereichen sind jeweils zwei Entspannungsschlitze 17 vorgesehen, welche keine Aufnahmefunktion für Wafer besitzen. Daher können die Entspannungsschlitze 17 auch auf die Einfüh- rungsschrägen 15 verzichten, die bei den Aufnahmeschlitzen 13 vorgesehen sind. Die Entspannungsschlitze 17 besitzen darüber hinaus eine geringere Tiefe als die Aufnahmeschlitze 13, was zu einer Reduzierung der mechanischen Spannung führt. Bei der dargestellten Ausführungsform (insbesondere Figur 4) sind zwei dieser Entspannungsschlitze 17 gezeigt, wobei jedoch auch eine größere oder kleinere Anzahl der Entspannungsschlitze 17 vorgesehen sein kann. Insbesondere verringert sich die Schlitztiefe der Entspannungsschlitze 17 ausgehend von dem letzten Aufnahmeschlitz 13 in Richtung des Befestigungsansatzes 12. Auftretenden Spannungen werden somit stufenweise abgebaut. Der Entspannungsschlitz 17 mit geringerer Tiefe ermöglicht im Einsatz eine verringerte mechanische Spannung im ersten Aufnahmeschlitz 13.
Statt mehrere Entspannungsschlitze 17 vorzusehen, könnte auch eine breitere Entspannungsausnehmung 40 an dieser Stelle vorgesehen sein, wie zum Beispiel in Fig. 7 dargestellt ist. Hierbei zeigt Fig. 7 einen Endbereich eines Aufnahmeelements 5, sowie einen Teil eines Befestigungsansatzes 12. Das Aufnahmeelement 5 besitzt wiederum eine Vielzahl von Aufnahmeschlitzen 13 mit Schrägen 15. Statt der Entspannungsschlitze ist hier jedoch eine breitere Entspannungsausnehmung 40 vorgesehen. Die Entspannungsausnehmung 40 besitzt einen sichelförmigen Boden 41 mit einer flachen Flanke benachbart zum Befestigungsansatz 12 und einer steileren Flanke benachbart zum ersten Aufnahmeschlitz 13. Der tiefste Punkt der Entspannungsausnehmung 40 liegt dabei näher an dem Ende mit der steileren Flanke als an dem anderen Ende. Die Tiefe der Entspannungsausnehmung 40 am tiefsten Punkt ist kleiner als die Tiefe der Aufnahmeschlitze 13. Eine solche Entspannungsausnehmung 40 ermöglicht wiederum eine sanfte Einleitung von Belastungen, insbesondere mechanischer Belastungen in das Aufnahmeelement 5.
Die Befestigungsansätze 12 besitzen jeweils im Wesentlichen eine Plattenform, und bestehen in der Regel ebenfalls aus Quarz. Bei der derzeitig bevorzugten Ausführungsform sind die Befestigungsansätze 12 einteilig mit den Endplatten 3 ausgebildet und werden zum Beispiel durch herausfräsen aus einem die Endplatten bildenden Plattenmaterial gebildet. Bei dieser Ausführung sind die Aufnahmeelemente 5 dann an die Befestigungsansätze 12 geschweißt oder gebondet, um eine Verbindung mit den Endplatten 3 zu erreichen. Es ist aber auch möglich, dass die Befestigungsansätze 12 einteilig mit den Aufnahmeelementen 5 ausgebildet sind und die Befestigungsansätze 12 dann an die Endplatten 3 geschweißt oder gebondet sind. Bei einer weiteren Ausführungsform sein die Befestigungsansätze 12 als separate Elemente ausgebildet und sie sind sowohl an die Endplatten 3 als auch die Aufnahmeelemente 5 geschweißt oder gebondet. In jedem Fall erfolgt eine Verbindung der Endplatten 3 mit den Aufnahmeelementen 5 über jeweilige Befestigungs- ansätze 12.
Dabei bildet der Übergangsbereich 20 zwischen den jeweiligen stabförmigen Aufnahmeelementen 5 und dem plattenförmigen Befestigungsansatz 12 eine monotone Erweiterung. Insbesondere beschreibt dieser Übergangsbereich 20 im Wesentlichen einen Kreisbogen. Dies gilt entsprechend für den Übergangsbereich zwischen plattenförmigem Befestigungsansatz 12 und Endplatte 3. Dabei bestimmt der Radius im Übergangsbereich Befestigungsansatz 12 zur Endplatte die minimale Tiefe des Befestigungsansatzes 12 in Längs- erstreckung der Aufnahmeelement 5, wobei eine in Betracht gezogene Tiefe des Befestigungsansatzes im Bereich von 2-20 mm liegt. Bevorzugt ist die Tiefe kleiner als der vierfache Abstand zwischen den Aufnahmeschlitzen, und bevorzugt kleiner als der dreifache Abstand.
Jeder Befestigungsansatz 12 besitzt einen wesentlich größeren Umfang als die stabförmigen Aufnahmeelemente 5, in denen die Aufnahmeschlitze 13 ausgebildet sind. Durch diese stufenweise Umfangserweiterung von Aufnahmeelement 5 zu Befestigungsansatz 12 zur Endplatte 3 lassen sich mechani- sehen Spannungen minimieren. Insbesondere ist der Umfang des Befestigungsansatzes 12 mindest 1 ,5 mal so Groß, wie der Umfang des stabförmigen Aufnahmeelements 5. Bevorzugt kann der Umfang des Befestigungsansatzes 12 mindest doppelt so Groß sein, wie der Umfang des stabförmigen Aufnahmeelements 5.
Wenn ein jeweiliger Befestigungsansatz 12 mit einer Endplatte 3 und/oder einem Aufnahmeelement 5 verschweißt wird, wobei schweißen derzeitig als die bevorzugte Befestigungsmethode angesehen wird, erfolgt ein verschweißen um den Umfang des Elements mit kleinerem Umfang herum. Der hierdurch gebildete Übergangsbereich bildet eine monotone Erweiterung (in Richtung der Endplatte 3). Insbesondere beschreibt dieser Übergang ein Kreissegment.
Die stabförmigen Aufnahmeelemente 5 sind über die Befestigungsansätze 12 jeweils derart an den Endplatten 3 angebracht, dass die Längsseiten des rechteckigen Querschnitts um 45° zur Horizontalen geneigt sind. Dabei weisen die die Aufnahmeschlitze 13 aufweisenden Schmalseiten zueinander hin, sodass die Aufnahmeschlitze 13 im Wesentlichen einen 90° Winkel zueinander bilden. Wie in der Draufsicht gemäß Figur 1 zu erkennen ist, sind die Aufnahmeelemente 5 in Querrichtung beabstandet, wobei der Abstand so gewählt ist, dass ein in den Aufnahmeschlitz 13 aufgenommener Wafer unterhalb seiner horizontalen Mitte am jeweiligen Boden eines der Aufnahmeschlitze 13 aufliegt. Dabei entstehen Kräfte in Richtung der Längs- und Querseiten der stabförmi- gen Aufnahmeelemente 5,
Nachfolgend werden nun die Führungselemente 7 näher beschrieben, von denen in der Draufsicht gemäß Figur 1 zwei dargestellt sind. Die Führungselemente 7 werden jeweils im Wesentlichen durch ein stabförmiges Element 25 aus Quarz gebildet, das eine Vielzahl von Führungsschlitzen 26 aufweist.
Das stabförmige Element 25 besitzt einen im Wesentlichen runden Quer- schnitt, wie am besten in der Schnittansicht gemäß Figur 2 zu erkennen ist. Das stabförmige Element 25 kann jedoch eine um 45° zur horizontalen geneigte Fase aufweisen, wie dargestellt ist, wobei die Fasen der zwei stabför- migen Elemente 25 zueinander weisen. In dem stabförmigen Element 25 ist eine Vielzahl von Schlitzen 26 vorgesehen, die ebenfalls um 45° bezüglich der horizontalen geneigt sind, und somit im Wesentlichen gleich verlaufen, wie die Aufnahmeschlitze 1 3 in dem jeweils benachbarten Aufnahmeelement 5. Dabei besitzen die Schlitze 26 eine solche Tiefe, dass Wafer, welche durch die Aufnahmeelemente 5 aufgenommen sind, nicht auf dem Boden der jeweiligen Schlitze aufliegen. Mithin tragen die Führungselemente 7 die Wafer in der Regel nicht und die Schlitze 26 besitzen lediglich eine seitliche Führungsfunktion für die Wafer. Daher können die stabförmigen Elemente 25 auch relativ dünn ausgebildet sein, wie dargestellt ist. Um jedoch über die gesamte Länge des Waferbootes hinweg eine ausreichende Stabilität vorzusehen, ist bei der dargestellten Ausführungsform des Waferbootes ein zweites stabförmiges Element 30 vorgesehen, das vertikal unterhalb des Stabelements 25 angeordnet ist, und sich zwischen den Endplatten 3 erstreckt. Zwischen dem unteren Stabelement 30 und dem oberen Stabelement 25 ist eine Vielzahl von Stützen 32 vorgesehen. Das untere Stabelement 30 besitzt wiederum eine runde Form, weist aber weder eine Fase noch Schlitze auf. Hierdurch besitzt es eine höhere Stabilität, und kann das obere Stabelement 25 über die Länge hinweg unterstützen. Sowohl das obere Stabelement 25 als auch das untere Stabelement 30 ist jeweils an seinen Endbereichen mit der Endplatte 3 verschweißt. Hierbei wird wiederum ein sich monoton erweiternder Übergang zwischen dem jeweiligen Stabelement 25, 30 und der Endpatte 3 gebildet. Insbesondere beschreibt der Übergang wiederum einen Kreisradius. Auch hier kann eine Befestigung jeweils über einen nicht dargestellten Befestigungsansatz erfolgen, um Spannungen zu minimieren. Dieser könnte ähnlich wie der Befestigungsansatz 12 ausgebildet sein und eine stufenweise Umfangserweiterung vorsehen, wobei das Verhältnis der Umfangserweiterung auf die jeweiligen Stabelemente bezogen wäre.
Die Aufnahmeelemente 5 und die Führungselemente 7 sind, wie am besten in der Draufsicht gemäß Figur 2 oder der Schnittansicht gemäß Figur 3 zu er- kennen sind, so angeordnet, dass sie sich in Vertikalrichtung nicht überlappen. Insbesondere entsteht jeweils zwischen einem Aufnahmeelement 5 und dem hierzu benachbart liegenden Führungselement 7 ein Spalt, der in Vertikalrichtung beispielsweise von einem Be-/Endladekamm in Vertikalrichtung durchfahren werden kann. In gleicher weise ist auch zwischen den Führungs- elementen 7 ein entsprechender Spalt vorgesehen, der über die gesamte Länge des Waferbootes hinweg barrierefrei ist.
Nachfolgend wird nunmehr der Betrieb des Waferbootes näher erläutert. Ein leeres Waferboot 1 wird zunächst in eine Beladposition im Bereich eines Be-/Entladekammes gebracht, wobei beispielsweise die unteren Ausnehmungen in den Endplatten 3 als Führungs- und Platzierungsausnehmungen dienen. Dann werden in Vertikalrichtung Be-/Entladekämme in Vertikalrichtung zwischen die Führungselemente 7 und gegebenenfalls zwischen Aufnahmeelement 5 und Führungselement 7 eingeführt. Auf diesen werden Wafer abge- setzt welche dann durch Absenken der Be-/Entladekämme in die jeweiligen Aufnahmeschlitze und Führungsschlitze der Aufnahme- und Führungselemente 5, 7 eingeführt werden. Die Wafer kommen in den Aufnahmeschlitzen zum Aufliegen und werden in den Führungsschlitzen jeweils nur seitlich geführt.
Anschließend kann ein so beladenes Waferboot in einer Prozesskammer ein- gebracht werden. Insbesondere ist das dargestellte Waferboot beispielsweise für eine Prozesskammer eines Diffusionsofens gedacht, in dem die Wafer mit Wärme und bestimmten Prozessgasen beaufschlagt werden. Dadurch dass das Waferboot aus Quarz besteht, ist es in der Regel gegenüber der Erwärmung als auch der Prozessgasatmosphäre unempfindlich. Auch führt der Quarz in dem Prozess keine Verunreinigungen ein. Nach einer entsprechenden Behandlung der Wafer wird das Waferboot in umgekehrter Reihenfolge aus dem Prozess genommen und entsprechend entladen.
Durch die spezielle Befestigung der Aufnahmeelemente 5 ist es möglich trotz der großen freien Länge derselben Quarzelemente einzusetzen. Die Befestigung der Aufnahmeelemente 5 über die Befestigungsansätze 12 ermöglicht eine Reduzierung der mechanischen Spannungen, so dass ein Bruch der Aufnahmeelemente 5 in dem Befestigungsbereich, wie er in der Vergangenheit bei Waferbooten aufgetreten ist, vermieden wird. Hierbei hilft auch der sanfte Übergang zwischen den stabförmigen Aufnahmeelementen 5 und dem Befestigungsansatz 12. Ein solcher Bruch kann auch durch die ansteigende Schlitztiefe der Entspannungsschlitze 17 ausgehend von den Endplatten 3 vermieden werden, wobei die Verwendung der Befestigungsansätze 12 in Kombination mit der ansteigenden Schlitztiefe besonders vorteilhaft ist. Bei den Füh- rungselementen 7 kann in der Regel auf den Befestigungsansatz verzichtet werden, soweit diese reine Führungsfunktionen übernehmen. Sofern diese jedoch auch Tragfunktionen übernehmen sollen, wären auch diese über einen entsprechenden Befestigungsansatz an den Endplatten 3 zu befestigen. Entsprechende Befestigungsansätze können zur Minimierung von Spannungen aber auch unabhängig von einer Tragfunktion vorgesehen sein. Die Erfindung wurde zuvor anhand einer bevorzugten Ausführungsform der Erfindung näher erläutert, ohne auf die konkrete Ausführungsform beschränkt zu sein. Insbesondere können sich die Querschnittsformen der Aufnahmeelemente als auch der Führungselemente von der dargestellten Form unterscheiden. Auch wäre es möglich statt der (oder auch zusätzlich zu den) zwei Führungselementen ein einzelnes zentrales Führungselement vorzusehen, welches dann im Wesentlichen horizontale Schlitze statt der um 45° geneigten Schlitze auf- weisen würde.

Claims

Patentansprüche . Waferboot zur Aufnahme von Wafern, insbesondere Halbleiterwafern, das folgendes aufweist:
wenigstens zwei langgestreckte Aufnahmeelemente aus Quarz, die jeweils eine Vielzahl von parallelen, sich quer zur Längserstreckung erstreckenden Aufnahmeschlitzen aufweisen; und
zwei Endplatten, zwischen denen die Aufnahmeelemente derart angeordnet und befestigt sind, dass die Aufnahmeschlitze der Aufnahmeelemente zueinander ausgerichtet sind,
dadurch gekennzeichnet, dass
das Waferboot eine Vielzahl von Befestigungsansätzen aufweist, über die die Aufnahmeelemente an den Endplatten befestigt sind, wobei jeder Befestigungsansatz einen wenigsten 1 ,5 mal so großen Umfang besitzt, wie ein die Aufnahmeschlitze aufweisender Aufnahmebereich der Aufnahmeelemente, und wobei jeder Befestigungsansatz an wenigstens eines der folgenden Elemente geschweißt oder gebondet ist: eine Endplatte und ein Aufnahmeelement. 2. Waferboot nach Anspruch 1 , wobei die Aufnahmeelemente benachbart zum Befestigungsansatz wenigsten einen Entspannungsschlitz oder eine Entspannungsausnehmung mit einer Tiefe aufweisen, die geringer ist als die Tiefe der Aufnahmeschlitze. 3. Waferboot zur Aufnahme von Wafern, insbesondere Halbleiterwafern, das folgendes aufweist:
wenigstens zwei langgestreckte Aufnahmeelemente aus Quarz, die jeweils eine Vielzahl von parallelen, sich quer zur Längserstreckung erstreckenden Aufnahmeschlitzen aufweisen; und
zwei Endplatten, zwischen denen die Aufnahmeelemente derart angeordnet und befestigt sind, dass die Aufnahmeschlitze der Aufnahmeelemente zueinander ausgerichtet sind,
dadurch gekennzeichnet, dass die Aufnahmeelemente benachbart zu den Endplatten wenigsten einen Engspannungsschlitz oder eine Entspannungsausnehmung mit einer Tiefe aufweisen, die geringer ist als die Tiefe der Aufnahmeschlitze. 4. Waferboot nach Anspruch 2 oder 3, wobei die Aufnahmeelemente wenigstens zwei Entspannungsschlitze mit einer Tiefe aufweisen, die geringer ist als die Tiefe der Aufnahmeschlitze, wobei die Tiefe der Entspannungsschlitze mit zunehmendem Abstand von den Endplatten zunimmt. 5. Waferboot nach Anspruch 3 oder 4, wobei das Waferboot eine Vielzahl von Befestigungsansätzen aufweist, über die die Aufnahmeelemente an den Endplatten befestigt sind, wobei jeder Befestigungsansatz einen wenigsten 1 ,5 mal so großen Umfang besitzt, wie ein die Aufnahmeschlitze aufweisender Aufnahmebereich der Aufnahmeelemente, und wobei jeder Befestigungsansatz an wenigstens eines der folgenden Elemente geschweißt oder gebondet ist: eine Endplatte und ein Aufnahmeelement..
6. Waferboot nach Anspruch 1 oder 5, wobei jeder Befestigungsansatz einteilig mit einer Endplatte oder einem Aufnahmeelement ausgebildet und jeweils an das andere Element geschweißt oder gebondet ist.
7. Waferboot nach Anspruch 6, wobei jeder Befestigungsansatz einteilig mit der Endplatte ausgebildet ist und durch herausfräsen aus einem Plattenelement gebildet wurde.
8. Waferboot nach Anspruch 1 oder 5, wobei jeder Befestigungsansatz ein separates Bauteil ist, dass sowohl an eine Endplatte als auch ein Aufnahmeelement geschweißt oder gebondet ist. 9. Waferboot nach Anspruch 1 , 2 oder einen der Ansprüche 5 bis 8, wobei jeder Befestigungsansatz eine Plattenform aufweist und der Übergang zu wenigstens einem der folgenden: der Endplatte und dem Aufnahmeele- ment, durch wenigstens einen sich monoton erweiternden Bereich gebildet wird. 0. Waferboot nach einem der Ansprüche 1 , 2 oder 5 bis 9, wobei jeder Befestigungsansatz eine Tiefe in Längserstreckung des Aufnahmeelements im Bereich von 2 bis 20 mm aufweist.
1 1 . Waferboot nach einem der Ansprüche 1 , 2 oder 5 bis 10, wobei jeder Befestigungsansatz eine Tiefe in Längserstreckung des Aufnahmeelements aufweist, die kleiner ist als der vierfache Abstand zwischen den Aufnahmeschlitzen, und bevorzugt kleiner als der dreifache Abstand.
12. Waferboot nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei der Aufnahmebereich der Aufnahmeelemente einen im Wesentlichen rechteckigen Querschnitt aufweist, wobei die Aufnahmeelemente um 45° zur Horizontalen zueinander geneigt sind.
13. Waferboot nach einem der vorhergehenden Ansprüche, das ferner wenigstens ein langgestrecktes Führungselement aus Quarz mit einer Vielzahl von Führungsschlitzen, entsprechend den Aufnahmeschlitzen in den Aufnahmeelementen, aufweist, das parallel zu den Aufnahmeelementen zwischen den Endplatten befestigt ist.
14. Vorrichtung zum Behandeln von Halbleiterwafern, die folgendes aufweist: wenigstens ein Waferboot nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wenigstens eine Prozesskammer zur Aufnahme wenigstens eines Wafer- bootes,
wenigstens eine Heizeinrichtung zum Erwärmen von Halbleiterwafern in der Prozesskammer. 15. Vorrichtung zum Behandeln von Halbleiterwafern nach Anspruch 13, wobei die Vorrichtung eine Diffusionsanlage ist.
EP14825330.5A 2013-12-20 2014-12-19 Waferboot Withdrawn EP3084816A1 (de)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE102013021922 2013-12-20
DE102014002280 2014-02-19
PCT/EP2014/078902 WO2015092038A1 (de) 2013-12-20 2014-12-19 Waferboot

Publications (1)

Publication Number Publication Date
EP3084816A1 true EP3084816A1 (de) 2016-10-26

Family

ID=52345193

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
EP14825330.5A Withdrawn EP3084816A1 (de) 2013-12-20 2014-12-19 Waferboot

Country Status (7)

Country Link
US (1) US20160315003A1 (de)
EP (1) EP3084816A1 (de)
KR (1) KR20160101130A (de)
CN (1) CN106030778A (de)
DE (1) DE102014019371A1 (de)
TW (1) TWI657986B (de)
WO (1) WO2015092038A1 (de)

Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWM508112U (zh) * 2015-04-30 2015-09-01 Chung King Entpr Co Ltd 用於太陽能電池之基板載具
US10020213B1 (en) 2016-12-30 2018-07-10 Sunpower Corporation Semiconductor wafer carriers
US10068787B2 (en) * 2016-12-30 2018-09-04 Sunpower Corporation Bowing semiconductor wafers
CN206961808U (zh) * 2017-07-14 2018-02-02 君泰创新(北京)科技有限公司 硅片清洗工装
TWI680526B (zh) * 2018-06-06 2019-12-21 環球晶圓股份有限公司 晶圓轉換裝置
WO2020048833A1 (de) * 2018-09-06 2020-03-12 centrotherm international AG Waferboot
CN110666992A (zh) * 2019-08-27 2020-01-10 北京灵禾科技发展有限公司 一种长晶舟及制备工艺

Family Cites Families (21)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3505716A (en) * 1967-12-11 1970-04-14 Xerox Corp Roll apparatus
US4355974A (en) * 1980-11-24 1982-10-26 Asq Boats, Inc. Wafer boat
JP2872827B2 (ja) * 1991-05-08 1999-03-24 日本トムソン株式会社 薄肉直動転がり案内ユニット
JP3245246B2 (ja) * 1993-01-27 2002-01-07 東京エレクトロン株式会社 熱処理装置
US5730162A (en) * 1995-01-12 1998-03-24 Tokyo Electron Limited Apparatus and method for washing substrates
JPH08316158A (ja) * 1995-05-11 1996-11-29 Toshiba Ceramics Co Ltd 半導体ウエーハボート
TW325588B (en) * 1996-02-28 1998-01-21 Asahi Glass Co Ltd Vertical wafer boat
US5788304A (en) * 1996-05-17 1998-08-04 Micron Technology, Inc. Wafer carrier having both a rigid structure and resistance to corrosive environments
JPH1128900A (ja) * 1997-05-12 1999-02-02 Sumitomo Heavy Ind Ltd レーザ光を用いた塗装除去方法及びレーザ処理装置
JP3970421B2 (ja) * 1998-03-31 2007-09-05 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理装置
JP2000021958A (ja) * 1998-07-06 2000-01-21 Toshiba Ceramics Co Ltd SiCウエハボート
JP3507977B2 (ja) * 1999-01-19 2004-03-15 東芝セラミックス株式会社 縦型ウエハボート
US6225594B1 (en) * 1999-04-15 2001-05-01 Integrated Materials, Inc. Method and apparatus for securing components of wafer processing fixtures
US6324933B1 (en) * 1999-10-06 2001-12-04 Agere Systems Guardian Corp. Planar movable stage mechanism
US6318389B1 (en) * 1999-10-29 2001-11-20 Memc Electronic Materials, Inc. Apparatus for cleaning semiconductor wafers
US6455395B1 (en) * 2000-06-30 2002-09-24 Integrated Materials, Inc. Method of fabricating silicon structures including fixtures for supporting wafers
FR2858306B1 (fr) * 2003-07-28 2007-11-23 Semco Engineering Sa Support de plaquettes, convertible pouvant recevoir au moins deux types de plaquettes differencies par la dimension des plaquettes.
JP4358672B2 (ja) * 2004-04-14 2009-11-04 株式会社岡本工作機械製作所 基板搬送器具
US7713355B2 (en) * 2005-05-03 2010-05-11 Integrated Materials, Incorporated Silicon shelf towers
WO2011109535A2 (en) * 2010-03-02 2011-09-09 Entergris, Inc. Solar cell process carrier
TW201320222A (zh) * 2011-06-23 2013-05-16 Entegris Inc 太陽能電池製程載具

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
See references of WO2015092038A1 *

Also Published As

Publication number Publication date
US20160315003A1 (en) 2016-10-27
TW201529444A (zh) 2015-08-01
WO2015092038A1 (de) 2015-06-25
DE102014019371A1 (de) 2015-06-25
KR20160101130A (ko) 2016-08-24
CN106030778A (zh) 2016-10-12
TWI657986B (zh) 2019-05-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
EP3084816A1 (de) Waferboot
DE69731199T2 (de) Verfahren und einrichtung zur berührungslose behandlung eines scheiben förmiges halbleitersubstrats
DE69123508T2 (de) Vorrichtung zur Bearbeitung von Halbleiterscheiben
EP3278355B1 (de) Waferboot und behandlungsvorrichtung für wafer
EP3278358A1 (de) Waferboot und plasma-behandlungsvorrichtung für wafer
DE4340288A1 (de) Vertikales Schiffchen und Verfahren zu seiner Herstellung
DE112007002404T5 (de) Verfahren zum Festhalten eines Siliciumwafers, Einspannvorrichtung zur Wärmebehandlung und wärmebehandelter Wafer
EP3847691A1 (de) Waferboot
DE102015004430B4 (de) Vorrichtung und Verfahren zur Plasmabehandlung von Wafern
DE3440111C1 (de) Traegerhorde
DE2102952C3 (de) Abstandhalteranordnung zur Halterung von Brennstoffelementen in einem Kernreaktor
WO2010133682A1 (de) Träger für einen siliziumblock
DE3419866C2 (de) Trägerhorde aus Quarzglas für scheibenförmige Substrate
EP2335081B1 (de) Vorrichtung zur platzierung und kontaktierung von prüfkontakten
EP3178109B1 (de) Substratträger
DE112007002287B4 (de) Verfahren und Einspannvorrichtung zum Halten eines Siliciumwafers
EP0513555B1 (de) Vorrichtung zum Einbrennen von bedruckten Substraten
DE3620223C2 (de)
DE9302593U1 (de) Halteanordnung für ein flächiges Werkstück sowie Träger mit mindestens einer derartigen Halteanordnung
DE8021868U1 (de) Traegerhorde fuer halbleiterscheiben
DE3634935C2 (de)
DE3829159C2 (de)
EP4078031B1 (de) Brennkammer mit hitzeschildkacheln
DE19833880B4 (de) Brenngestell zum Brennen von feuerfesten oder keramischen Gegenständen
EP0344525A1 (de) Vorrichtung zum kapsellosen Brennen von Geschirr

Legal Events

Date Code Title Description
PUAI Public reference made under article 153(3) epc to a published international application that has entered the european phase

Free format text: ORIGINAL CODE: 0009012

17P Request for examination filed

Effective date: 20160614

AK Designated contracting states

Kind code of ref document: A1

Designated state(s): AL AT BE BG CH CY CZ DE DK EE ES FI FR GB GR HR HU IE IS IT LI LT LU LV MC MK MT NL NO PL PT RO RS SE SI SK SM TR

AX Request for extension of the european patent

Extension state: BA ME

DAX Request for extension of the european patent (deleted)
STAA Information on the status of an ep patent application or granted ep patent

Free format text: STATUS: THE APPLICATION IS DEEMED TO BE WITHDRAWN

18D Application deemed to be withdrawn

Effective date: 20200701