EP3063810A1 - Procédé pour la fabrication de films minces par voie humide - Google Patents

Procédé pour la fabrication de films minces par voie humide

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EP3063810A1
EP3063810A1 EP14796732.7A EP14796732A EP3063810A1 EP 3063810 A1 EP3063810 A1 EP 3063810A1 EP 14796732 A EP14796732 A EP 14796732A EP 3063810 A1 EP3063810 A1 EP 3063810A1
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EP
European Patent Office
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chosen
acid
metal oxide
transition metal
salts
Prior art date
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Withdrawn
Application number
EP14796732.7A
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German (de)
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Inventor
Dimitri LIQUET
Cédric CALBERG
David ESKENAZI
Carlos PAEZ
Jean-Paul Pirard
Benoît Heinrichs
Christelle ALIÉ
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Universite de Liege
Prayon SA
Original Assignee
Universite de Liege
Prayon SA
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Publication date
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Definitions

  • the invention relates to the manufacture of transition metal oxide films wet, for example by sol-gel route.
  • the invention relates to the manufacture of films, preferably thin, lithiated transition metal oxide.
  • the invention also relates to the use of said film prepared according to the present invention as electrode material in a battery, preferably a microbattery.
  • microbatteries such as Li-ion batteries
  • metal oxides comprising thin films of metal oxides
  • These thin films generally consist of lithiated transition metal oxide, for example oxides of cobalt, manganese or nickel.
  • lithiated transition metal oxide for example oxides of cobalt, manganese or nickel.
  • oxides are materials of choice for the preparation of an electrode material thanks to their high specific insertion capacity and their excellent cyclability.
  • Thin metal oxide films are mainly prepared by physical vapor deposition (PVD). This method involves spraying the material at low pressure and condensing it on the substrate.
  • PVD physical vapor deposition
  • Two other techniques are regularly used to form thin films of transition metals: pulsed laser deposition (PLD) and radiofrequency sputtering.
  • PLD deposition is performed by laser pulses sent to a target to allow evaporation of the material.
  • Radiofrequency sputtering involves creating an argon plasma in a deposition chamber where the Ar + ions mechanically bombard the target of the material to deposit it on the substrate. A very high temperature annealing step of the material formed is necessary to promote the final formation of the material.
  • Kim et al. Journal of Power Sources, 99, 2001, 34-40, discloses the manufacture of LiCoO 2 thin films by sol-gel.
  • the production consists of the preparation of a solution consisting of a source of lithium and cobalt, acetic acid and 2-methoxyethanol.
  • the formed film has a thickness of less than 200 nm.
  • the film is annealed at a temperature above 600 ° C under oxygen.
  • the solution is then deposited on a metal substrate by spin coating.
  • sol gel synthesis techniques which consist of the preparation of powder from gel as in particular the publications of Fey TKG et al., Journal of Materials Chemistry and Physics, 2003, 79, 21-29; Fey TKG et al., Journal of Materials Chemistry and Physics, 2004, 87, 246-255; Hao YJ et al., Journal of Power Sources, 2006, 158, 1358-1364.
  • These documents describe the preparation of soils from precursors dissolved in solvents with chelating agents. These soils are heated to form a gel which will then be dried to obtain a solid which is then calcined and used in powder form. These techniques do not presage the adhesion of these soils on supports.
  • Porthault et al. Journal of Power Sources, 2010, 195, 6262-6267, discloses the preparation of LiCoO 2 by a sol-gel process. Soils are prepared in the presence of a source of lithium and cobalt, ethylene glycol or water and acrylic acid. Tests for powder synthesis and thin layer deposition by spin coating are carried out. The film obtained has poor adhesion on a Si / Si0 2 / Pt substrate. Delamination of the deposited films was observed and only the powders produced by the sol-gel process could be analyzed.
  • the thin films prepared by sol-gel thus regularly have adhesion problems on the substrates used. Cracks on the surface of the film are also observed.
  • the manufacture of thin films by sol-gel can be improved.
  • An object of the present invention is to provide an improved transition metal oxide film manufacturing method for obtaining a film homogeneous without cracking, having good adhesion to a substrate and good electrochemical properties.
  • the invention provides a method for producing transition metal oxide films of the formula A a M b Z c O d wherein
  • A is an alkali or alkaline earth metal or a mixture of alkali or alkaline earth metals, preferably A is an alkali metal, preferably A is selected from the group consisting of Li, Na and K, and mixtures thereof;
  • M is a metal or a mixture of metals selected from transition metals, lanthanides or actinides;
  • Z is a chemical element or a mixture of chemical elements selected from columns 13 to 15 of the periodic table, preferably Z is P or B;
  • O oxygen
  • step c ' calcining said one or more layers formed in step c ') to a calcination temperature between 250 q C and 725 ° C to prepare said transition metal oxide film.
  • the process relates to the manufacture of thin films of transition metal oxide.
  • thin refers to the average thickness of said transition metal oxide film, said thickness average being less than 250 ⁇ .
  • the film can be flat, embossed, crenellated or staircase.
  • the present process relates to the manufacture of transition metal oxide films, preferably lithium transition metal oxide, that is to say comprising lithium.
  • a transition metal oxide film prepared according to the present invention can be used as an electrode material, preferably as an electrode material in a microbattery with a capacitance of insertion greater than or equal to 60% of the theoretical reversible insertion capacity, advantageously greater than or equal to 70%, preferably greater than or equal to 80%, in particular greater than or equal to 90%.
  • the mass capacity of said film after 20 cycles is at least greater than 70% of the theoretical mass capacity.
  • the specific capacity is at least greater than 65% of the theoretical mass capacity.
  • FIG. 1 represents the electrogalvanostatic cycling curve of a LiCoO 2 film prepared according to a particular embodiment of the present invention.
  • FIG. 2 represents the X-ray diffraction pattern (XRD) of a LiCoO 2 film prepared according to a particular embodiment of the present invention.
  • FIGS. 3a and 3b respectively represent cyclic voltammetry and voltametric cycling of a LiCoO 2 film prepared according to a particular embodiment of the invention illustrating, on the one hand, the evolution of the specific capacitance of the electrode as a function of the number of charge and discharge cycles and secondly the evolution of the current as a function of the potential.
  • FIG. 4 represents the charging and discharging capacities of a LiCoO 2 film prepared according to a particular embodiment of the invention as a function of the number of charging and discharging cycles undergone by the electrode.
  • FIG. 5 represents the cyclic voltammetry of a film of
  • Li 4 Mn 5 0i 2 prepared according to a particular embodiment of the present invention.
  • the present invention relates to a method for producing transition metal oxide films of the formula A a M b Z c O d wherein
  • A is an alkali or alkaline earth metal or a mixture of alkali or alkaline earth metals, preferably A is an alkali metal, preferably A is selected from the group consisting of Li, Na and K, and their mixture, especially A is Li;
  • M is a metal or a mixture of metals chosen from transition metals, lanthanides or actinides, preferably M is a metal or a mixture of transition metals chosen from the elements of columns 3 to 12 of the periodic table, advantageously M is selected from the group consisting of Co, Ni, Mn, Fe, Cu, Ti, Cr, V and Zn, and mixtures thereof;
  • Z is a chemical element or a mixture of chemical elements chosen from columns 13 to 15 of the periodic table, advantageously Z is chosen from the group consisting of B, N, P, Al, Si, Ge, In, Sn and Ga, preferably Z is P or B;
  • O oxygen
  • c is a real number greater than or equal to 0; a, b and d are real numbers greater than 0; and a, b, c and d are selected to provide electroneutrality.
  • the method further comprises the steps of:
  • the chelating agent being selected from aliphatic di- or tri-carboxylic acids comprising from 2 to 20 carbon atoms, salts or mixtures thereof, and said polar organic solvent having a boiling point at lower atmospheric pressure at 150 ° C.
  • the implementation of the ground in the form of said transition metal oxide film may comprise the steps of:
  • step c ") calcining said one or more layers formed in step c ') to prepare said transition metal oxide film.
  • the calcination carried out in step c ") can be carried out after the deposition of each of the layers of said soil or after the deposition of several layers of said soil.
  • Said calcination (step c ") of the present process is carried out at a calcination temperature between 250 ⁇ and 800 ° C, preferably between 250 ⁇ € and 725 ° C, preferably between 250 ⁇ € and 700 ° C, more preferably between 250 ⁇ € and 650 ° C, in particular between 300 ° C and 580 ⁇ €, more particularly between 350 ⁇ 550 ° C.
  • the calcination step may be performed every time a layer is said ground deposited, ie each time that step c ') is carried out, or after several successive deposition of layers, said one or more layers are maintained at the calcination temperature for a period of between 30 seconds and 1 hour, preferably between minutes and 30 minutes
  • the calcination step c ") allows the elimination of the organic compounds and the obtaining of the desired metal oxide film.
  • the transition metal oxide may be of formula
  • the transition metal oxide may be of the formula A a M b O d wherein A is an alkali metal, preferably A is selected from the group consisting of Li, Na and K, in particular A is Li;
  • M is selected from the group consisting of Co, Ni, Mn, Fe, Cu, Ti, Cr, V and Zn, and mixtures thereof;
  • O oxygen
  • a, b and d are real numbers greater than 0 and chosen so as to ensure electroneutrality.
  • the surface of said film prepared according to the present invention may have a low roughness, preferably less than 2000 nm, preferably less than 1000 nm, in particular less than 500 nm.
  • said metal oxide film transition can be deposited on a substrate.
  • the roughness of the surface of said film includes roughness from the surface of said substrate.
  • the surface of said film prepared according to the present invention may have a low roughness, advantageously less than 2500 nm, preferably less than 1200 nm, in particular less than 520 nm. .
  • the process according to the invention makes it possible to ensure the formation of said transition metal oxide film and its adhesion on substrates of low roughness, in particular substrates having a surface having a roughness Ra of less than 500 nm.
  • said solution prepared in step a) also comprises a stabilizing agent chosen from the group consisting of water or a carboxylic acid comprising from 1 to 20 carbon atoms or a salt thereof. - ci or a mixture thereof.
  • the stabilizing agent is different from the chelating agent.
  • Said carboxylic acid is therefore preferably a monoacid, preferably an aliphatic monoacid.
  • the carboxylic acid can be methanoic acid, acetic acid, propanoic acid, butanoic acid, pentanoic acid, hexanoic acid, octanoic acid, nonanoic acid and decanoic acid. .
  • the stabilizing agent may be water, acetic acid, propanoic acid, butanoic acid or pentanoic acid.
  • the stabilizing agent prevents precipitation of the alkali and / or metal ions from said one or more precursors used in step a) of the present process.
  • the stabilizing agent thus makes it possible to control and maintain the quality of the solution between its preparation and its implementation (steps b), c ') and c ") of the present process).
  • the proportion of stabilizing agent in the solution prepared in step a) may be between 0.1 and 30%, preferably between 1 and 20% of the amount by weight of solvent.
  • the chelating agent is preferably chosen from aliphatic carboxylic acid diacids or triacids comprising from 2 to 20 carbon atoms, advantageously from 2 to 12 carbon atoms, preferably from 2 to 10 carbon atoms, their salts or their salts. mixtures.
  • the chelating agent may be a dicarboxylic acid selected from the group consisting of oxalic, malonic, succinic, glutaric, adipic, maleic, fumaric, pimelic, suberic, azelaic, sebacic, glutaconic and itaconic acid, salts and mixtures thereof.
  • the tricarboxylic acid may be citric acid, isocitric acid, acid aconitic, propane-1,2,3-tricarboxylic acid or oxalosuccinic acid; in particular, the tricarboxylic acid is citric acid.
  • the chelating agent is chosen from oxalic, succinic or adipic or citric acid or a salt thereof or mixtures thereof.
  • the chelating agent is adipic acid or a salt thereof.
  • the use of these acids alone or in combination makes it possible to form the said sol without resorting to a step of heating the solution or to a controlled atmosphere.
  • the process for manufacturing said transition metal oxide film is thus optimized.
  • said film thus prepared shows good adhesion to a substrate, preferably a metal substrate and / or compatible with the intended applications.
  • the proportion of chelating agent in the solution prepared in step a) may be between 0.1 and 5 equivalents, advantageously between 0.5 and 3 equivalents, preferably between 0.8 and 1.2 equivalents. , in particular 1 equivalent to the sum of the amounts expressed in moles of the precursor (s) of A and M used in the solution prepared in step a) divided by the number of acid functions of the chelating agent.
  • the polar organic solvent has a boiling point at atmospheric pressure of less than 150 ° C, preferably less than ⁇ ⁇ ' ⁇ .
  • organic solvent refers to an organic compound or a mixture comprising at least 80% by weight, preferably 90% by weight, in particular 99% by weight of an organic compound. Said organic compound comprises at least one carbon atom bonded to a hydrogen atom.
  • An organic solvent is called "polar" if the organic compound has a dipole moment greater than 0.5 debye.
  • the polar organic solvent is preferably chosen for its ability to solubilize the chelating agent and the stabilizing agent as well as the precursors. The solvent is chosen according to the precursors to be solubilized.
  • the polar organic solvent may be chosen from methanol, ethanol, propan-1-ol, isopropanol, butanol, pentanol, acetone, butanone, tetrahydrofuran, acetonitrile, diethyl ether, dichloromethane, chloroform, dioxane and 2-methoxyethanol. ethyl acetate.
  • the polar organic solvent may be methanol, ethanol, isopropanol, butanol or tetrahydrofuran.
  • Said one or more precursors containing one or more of the elements A, M, Z and O can be salts, hydroxides, oxides or complexes of transition metals, of lanthanides or of actinides; salts, hydroxides, oxides or complexes of alkali or alkaline earth metals; or salts, hydroxides, oxides comprising a chemical element or a mixture of chemical elements selected from columns 13 to 15 of the periodic table.
  • periodic table refers to the periodic table of elements.
  • the term "one or more" as used herein refers to 1, at least 1, more than 1, or 1, 2 or more than two; or 1, two or more, preferably two or more.
  • transition metals refers to the elements in columns 3 to 12 of the periodic table.
  • said one or more, preferably two or more than two, precursors containing one or more of the elements A, M, Z and O are selected from the group consisting of the salts or hydroxides of lithium, sodium, potassium cobalt, nickel, manganese, iron, copper, titanium, chromium, vanadium, zinc, and the salts of phosphoric acid, boric acid or a derivative thereof, and mixtures thereof.
  • salts of phosphoric acid includes, in addition to phosphoric acid and polyphosphoric acid, the calcium, sodium, potassium or ammonium phosphate salts.
  • boric acid or a derivative thereof includes, in addition to boric acid, borate salts and borate esters.
  • the salts of lithium, sodium, potassium, cobalt, nickel, manganese, iron, copper, titanium, chromium, vanadium, zinc may be salts of nitrate, acetate, oxalate, citrate, succinate, carbonate or adipate.
  • the proportions between each of the precursors can be determined so as to obtain the desired transition metal oxide.
  • Said one or more precursors may comprise a first precursor chosen from a salt or a hydroxide of lithium, of sodium or their mixture, and a second precursor chosen from a salt or a hydroxide of cobalt, nickel or manganese, or their mixture.
  • the molar ratio between said first precursor and said second precursor may be between 10: 1 and 1: 10, advantageously between 2: 1 and 1: 2, in particular, the molar ratio is 1.
  • Said one or more precursors may comprise a third precursor selected from the salts of phosphoric acid, or boric acid or a derivative thereof.
  • the third precursor is an ammonium phosphate salt.
  • the molar ratio between the first and the third precursor can be between 10: 1 and 1: 10, advantageously between 2: 1 and 1: 2, in particular, the molar ratio is 1.
  • the molar ratio between the second and the third precursor may be between 10: 1 and 1: 10, advantageously between 2: 1 and 1: 2, in particular, the molar ratio is 1.
  • the molar ratio between the first, second and third precursors may be 1: 1: 1.
  • said one or more precursors comprise a lithium salt or hydroxide, preferably a lithium acetate or nitrate salt, and a salt of cobalt, nickel and / or manganese, preferably a salt of cobalt acetate, adipate, oxalate, succinate or nitrate, nickel and / or manganese.
  • said one or more precursors comprise lithium acetate and cobalt acetate.
  • one of said one or more precursors may be a salt of adipate, oxalate or succinate.
  • adipate, oxalate or succinate salt as a precursor makes it possible to provide both a part of the amount of the chelating agent and one or more of elements A, M or Z necessary for the preparation. of the solution according to step a) of the present process.
  • cobalt adipate can be used.
  • Said solution prepared in step a) may also contain electrically conductive particles such as particles of silver, gold, indium, and platinum, carbon fibers, nanoparticles, carbon or carbon nanotubes.
  • step b) is performed under conditions of ambient temperature and pressure.
  • Step b) can also be carried out under ambient atmosphere, that is to say under an atmosphere that is neither controlled nor modified with respect to the ambient air.
  • the sol formed in step b) has a viscosity of less than 100 centipoises (0.1 Pa.s), preferably less than 50 centipoises (0.05 Pa.s), in particular less than 10 centipoises (0.01 Pa.s).
  • the sol formed in step b) may have a viscosity greater than 100 centipoise (0.1 Pa.s).
  • the sol may have a good homogeneity, in particular when the solution of step a) does not contain electrically conductive particles as defined above, that is to say when no conductive particles electricity as defined above is not added when preparing solution a).
  • the soil according to the present invention is considered as homogeneous when it does not have particles having a dimension greater than 2 ⁇ , preferably greater than 1 ⁇ , preferably greater than 0.5 ⁇ , in particular greater than 0.2 ⁇ .
  • the deposition of one or more layers of said sol on a substrate is carried out on a substrate having a temperature capable of allowing the evaporation of said polar organic solvent, advantageously a temperature close to the boiling temperature of said solvent.
  • polar organic means a temperature range whose lower limit is 30% below the boiling temperature of said polar organic solvent and whose upper limit is 10 ° C above zero. above the boiling temperature of said polar organic solvent.
  • the polar organic solvent present in the soil is at least partially evaporated before the deposition of another layer of said soil. The quality of said resulting film is improved.
  • said substrate is a metal substrate.
  • said substrate may be an electrically conductive substrate.
  • the substrate may comprise carbon, platinum, gold, stainless steel, platinum on SiO 2 , ⁇ (Indium Tin Oxide), platinum on a silica wafer (also called silicon wafer) or alloys metals comprising at least two of the elements selected from nickel, chromium and iron.
  • Said metal alloys may also comprise other elements chosen from molybdenum, niobium, cobalt, manganese, copper, aluminum, titanium, silicon, carbon, sulfur, phosphorus or boron.
  • the metal alloys can be Ni 6 FeCr22Mo 9 Fe5, NisaCrigFeigNbsMoa, Ni72Cr 16 Fe 8 , Neither 32 , 5Cr 2 i Fe or Ni7 4 Cri5Fe 7 Ti 2 , 5Alo, 7Nbo, 95, these can additionally contain traces or low levels in one of the following compounds: molybdenum, niobium, cobalt , manganese, copper, aluminum, titanium, silicon, carbon, sulfur, phosphorus or boron.
  • said metal alloys may be Inconel® type alloys.
  • Deposition of said sol on the substrate (step c ') can be carried out by spin coating (ie deposition by centrifugation), dip coating (ie dip coating) or spray coating (ie aerosol deposition) or slide coating (ie deposit by sliding) or screen printing (ie deposit by screen printing) or inkjet printing (ie deposit by ink-jet printing) or roll coating (ie deposit by roll coater).
  • step c ') is carried out by spray coating.
  • the present invention makes it possible to avoid sagging which is particularly harmful in the Mask deposition frame in terms of product quality.
  • the substrate on which the ground is deposited to form said transition metal oxide film may be smooth or have a low roughness.
  • the present method is particularly effective for forming or depositing a transition metal oxide film on a smooth or weakly rough substrate.
  • the film thus formed has good adhesion to the substrate unlike prior art wet processes with which the film deposited on the metal substrate has a low adhesion to a smooth or weakly rough substrate.
  • the substrate, preferably metal may have a roughness Ra less than 500 nm, preferably less than 200 nm and preferably less than 20 nm.
  • the transition metal oxide film according to the present invention may have a monolayer or multilayer structure depending on the number of layers deposited in step c ').
  • the transition metal oxide film having a multilayer structure may be prepared by repeating step c ') of the present process. Each step c ') is followed by the implementation of step c ") calcination of the formed layer at a temperature between 250 ° C and 800 ° C, preferably between 250 ° C and 725 ⁇ C, preferably between 250 ⁇ C and 700 ° C, more preferably between 250 ⁇ C and 650 ⁇ C, in particular between 300 ° C and 580 ⁇ C.
  • Each layer of the multilayer structure may be independent from one another.
  • each layer may have the same constitution, that is to say consist of the same or of formula a transition metal oxides a M b Z c O d as described in the present invention.
  • a film multilayer of transition metals such as LiCoO 2 could be formed by successive deposits on the substrate, that is to say by repeating one or more times step c ') until the desired multilayer structure is obtained .
  • a multilayer structure film may be formed by successive deposits of one or more different soil layers.
  • Each sol may be independently prepared from a solution comprising a chelating agent and / or a different polar organic solvent.
  • said one or more precursors containing one or more elements A, M, Z and O are identical in each of the prepared sols.
  • Said multilayer film may be prepared by repeating step c ') from the various prepared sols until the desired multilayer structure is obtained.
  • a multilayer structure film may be formed by successive deposits of one or more different soil layers and prepared from a solution comprising said one or more precursors containing one or more elements A, M, Z and O different and optionally a chelating agent and / or a different polar organic solvent.
  • Said multilayer film may be prepared by repeating steps a) to c ') until the desired multilayer structure is obtained.
  • a first layer could comprise LiCoO 2 ; additional layers previously or subsequently deposited in this first layer on the substrate could indifferently comprise, for example, LiNiO. 5 Mn 1.5 0 4 , LiCro sMn!
  • the transition metal oxide film having a multilayer structure may comprise between 2 and 200 layers, preferably between 2 and 100 layers. Each layer may have a thickness of between 0.01 and 2.5 ⁇ independently of each other. Each deposit of one or more layers of said soil on a substrate may be carried out by spray coating.
  • the transition metal oxide film according to the present invention may have an average thickness of between 0.01 ⁇ and 250 ⁇ , preferably between 0.1 and 50 ⁇ , preferably between 1 and 30, preferably between 0.5 and 10 ⁇ .
  • a heat treatment for drying one or more of said layers deposited in step c ') can be carried out.
  • This heat treatment can be carried out each time a layer is deposited, ie each time that step c ') is performed, or after several successive layer deposition (after several repetitions of step c')), or when the formed film has a thickness of between 1 and
  • the heat treatment is carried out at a temperature of less than 250 ° C and preferably less than 150 ° C and preferably less than 70 ° C.
  • the heat treatment can be carried out at atmospheric pressure or under vacuum.
  • the treatment The thermal method makes it possible to evaporate the polar organic solvent used in the present process.
  • the present method may further comprise a step d) annealing said transition metal oxide film to an annealing temperature of between 300 ⁇ C and 750 ° C, preferably between 300 ⁇ C and 700 ° C, preferably between 300 ⁇ C and 600 ⁇ C and in particular between 350 ° C and 550 ° C.
  • said transition metal oxide film is maintained at the annealing temperature for a period of between 30 minutes and 12 hours, preferably between 1 hour and 10 hours.
  • This annealing permits the more complete formation of a particular crystallographic form of the transition metal oxide.
  • the particular crystallographic form is that which can enable said transition metal oxide film according to the present invention to have a specific capacity as mentioned in the present application.
  • Figure 2 shows the X-ray diffraction pattern (XRD) of a LiCoO 2 film whose preparation process contains an annealing step performed at 700 ° C for 3 hours.
  • the transition metal oxide film of formula A a M b Z c O d as defined above and obtained by the steps a) to c ') or a) to d) of this method may be selected from the group consisting of LiCo0 2, LiMn0 2 LiNio.5Mn1.5O4, LiCro.5Mn 1 .5O4, LiCoo.5Mn1.5O4, LiCoMn0 4 LiNio.5Mno.5O2,
  • LiNio.8Coo.2O2 LiNi 0 .5Mni.5- z Ti z O 4 wherein z is a number between 0 and 1, 5, LiMn 2 0 4, Li 4 Mn 5 0i 2, LiNi0 2, LiFeP0 4, Li x CoP0 4 where x is a number of 0.90, 0.95, 1 or 1, 05, LiMnPO 4 and Li 4 Ti 5 O 12 .
  • the transition metal oxide film of formula A a M b Z c Od as defined above may be LiCo0 2, LiMn0 2 LiNio.5Mn1.5O4, LiCro.5Mn1.5O4, LiCoo.5Mn1. 5O4, LiCoMnO 4 , LiNiO.5Mno.5O2,
  • LiNiO.8Coo.2O2 LiMn 2 O 4 , Li 4 Mn 5 O 12, LiNiO 2 , Li 4 Ti 5 O 12 ; preferably LiCoO 2 , LiMnO 2 ,
  • the process according to the invention makes it possible to deposit a transition metal oxide film such that the mass capacity of the material is at least 60%, of the theoretical reversible specific capacity thereof, advantageously greater than 70%, preferably 80%, and in particular greater than 90%.
  • the theoretical mass capacity is greater than 90 mA.h / g, advantageously greater than 100 mA.h / g and preferably between 100 and 137 mA.h / g; the theoretical mass capacity is determined at the first discharge cycle.
  • the mass capacity of said transition metal oxide film after more than 20 discharge cycles is at least greater than 70% of the theoretical mass capacity.
  • the mass capacity of said transition metal oxide film after more than 100 discharge cycles is at least greater than 65% of the theoretical mass capacity measured at a C / 10 regime.
  • the theoretical reversible specific capacity is commonly accepted as being half of the theoretical amount of ions that can be inserted or extracted in one gram of electrode material. In the case of LiCoO 2 , the theoretical reversible specific capacity is 137 m Ah / g.
  • a floor is provided.
  • Said sol comprises one or more precursors, preferably two or more precursors, as defined in the present invention, a chelating agent chosen from aliphatic di- or tri-carboxylic acids comprising from 2 to 20 carbon atoms, the salts or mixtures thereof, and a polar organic solvent having a boiling point at atmospheric pressure less than ⁇ ⁇ ' ⁇ .
  • said sol can comprise:
  • one or more precursors containing one or more of the elements A, M, Z and O selected from the group consisting of salts or hydroxides of lithium, sodium, potassium, cobalt, nickel, manganese, iron, copper, titanium, chromium, vanadium, zinc, and salts of phosphoric acid, boric acid or a derivative thereof, and mixtures thereof;
  • a chelating agent chosen from aliphatic di- or tri-carboxylic acids comprising from 2 to 20 carbon atoms, salts or mixtures thereof;
  • the chelating agent when chosen from dicarboxylic acids, it may be oxalic, malonic, succinic, glutaric, adipic, maleic, fumaric, pimelic, suberic, azelaic, sebacic, glutaconic and itaconic acid. salts and mixtures thereof.
  • the tricarboxylic acid may be citric acid, isocitric acid, aconitic acid, propane-1,2,3-tricarboxylic acid or oxalosuccinic acid; in particular, the tricarboxylic acid is citric acid.
  • said soil comprises
  • a salt or a hydroxide of lithium or of sodium, or their mixture a salt or a hydroxide of cobalt, nickel, titanium, chromium or manganese, or a mixture thereof,
  • adipic acid or succinic acid or a salt thereof adipic acid or succinic acid or a salt thereof.
  • a polar organic solvent having a boiling point at atmospheric pressure of less than 150 ° C.
  • said sol comprises a lithium salt, a cobalt salt, adipic acid or a salt thereof and a polar organic solvent having a boiling point at atmospheric pressure of less than 150 ° C.
  • Said sol advantageously has a viscosity of less than 100 centipoises (0.1 Pa.s), preferably less than 50 centipoises (0.05 Pa.s), in particular less than 10 centipoises (0.01 Pa.s).
  • Said sol allows the preparation of transition metal oxide films. These have good adhesion to a metal substrate and can therefore be advantageously used as electrode material, for example in microbatteries.
  • the soil may also contain the stabilizing agent.
  • the stabilizing agent may be selected from the group consisting of water or a carboxylic acid having 1 to 20 carbon atoms or a salt thereof or a mixture thereof.
  • the stabilizing agent is different from the chelating agent.
  • Said carboxylic acid is therefore preferably a monoacid, preferably an aliphatic monoacid.
  • the carboxylic acid can be methanoic acid, acetic acid, propanoic acid, butanoic acid, pentanoic acid, hexanoic acid, octanoic acid, nonanoic acid and decanoic acid.
  • the stabilizing agent may be water, acetic acid, propanoic acid, butanoic acid or pentanoic acid.
  • the proportion of stabilizing agent in the soil may be between 0.1 and 30%, preferably between 1 and 20% of the amount by weight of solvent contained in the soil.
  • the sol according to the present invention may be homogeneous, that is to say, have no particles in suspension, preferably no particles having a dimension greater than 2 ⁇ , advantageously greater than 1 ⁇ , preferably greater than 0 , 5 ⁇ , in particular greater than 0.2 ⁇ .
  • the transition metal oxide film as described in the present invention can be used as an electrode material, preferably as a material of a positive electrode. Said electrode can thus be used in a microbattery.
  • the transition metal oxide film according to the present invention used as electrode material is obtained by the steps a) to c) or a) to c ") or a) to d) of the process according to the present invention
  • the transition metal oxide film as described in the present invention can be used in a fuel cell
  • the transition metal oxide film according to the present invention can be used as an electrode material protection material, preferably in fuel cells, so that said transition metal oxide film can be deposited on all or part of the surface of an anode or cathode.
  • a starting solution is first prepared. To this end, the transition metal precursors are mixed and then the amount of solvent required for the solubilization of the precursors is added. The amount of solvent can be increased to adjust the desired viscosity of the solution.
  • the solution is stirred for 1 hour at ambient temperature, pressure and atmosphere (between 20 and 25%). After 1 hour, the stabilizing agent and the chelating agent are added. These two additions are made with stirring and at temperature, pressure and ambient atmosphere. Stirring is maintained for 12 hours to allow formation of soil.
  • the soil is sprayed onto a substrate, preferably metal, under ambient atmosphere.
  • the injection head flow rate (Nordson, Model EFD 781) of the spraying device is from 0.12 g to 0.16 g of solution per second (for a solution having a viscosity of less than 0.1 Pa.s) and the lateral displacement speed thereof is 50 cm / s.
  • the amount of material projected onto the substrate may depend on the soil concentration or the above parameters.
  • films of 0.1 to 0.2 ⁇ thick are prepared at each pass. The multiplicity of the passages can be carried out to reach the desired thickness.
  • the film is dried under vacuum at 60 ° C. (1 h) and then calcined under air (uncontrolled atmosphere). Once the desired film thickness is reached, a final annealing is optionally performed.
  • the roughness Ra of the surfaces corresponds to the arithmetic average of the absolute values of the deviations between the profile and a mean line of this profile, it is expressed in microns. It was measured using a contact profilometer of Dektak brand (supplier Bruker) whose stylet has a radius of curvature of 12.5 microns.
  • the viscosity expressed in Pa.s or centipoise is measured using a Brookfield brand LVDVE viscometer.
  • the adhesion is measured after the implementation of said soil in the form of said transition metal oxide film.
  • the adhesion can be measured after the implementation of step c ') of deposition of one or more layers, preferably after said heat treatment; after the implementation of calcination step c ") or after step d) of annealing said transition metal oxide film
  • the measurement of the adhesion is carried out firstly by simply inclining the substrate once covered by one or more layers of said soil (step c '), said one or more deposited layers are considered to adhere to the substrate if they do not deteriorate under the effect of inclination, a friction test is then performed and is to pass the finger or a dry cloth on the substrate covered with said transition metal oxide film, ie after calcination (step c ").
  • a visual inspection of the coated substrate makes it possible to evaluate the measurement of the adhesion of the coating.
  • a coating being defined as adhering to the substrate when at least one layer of said transition metal oxide film remains on the substrate.
  • the electrochemical performances of the materials are evaluated by cycling measurements in galvanostatic mode with potential limitation.
  • the mass capacity of the material is evaluated by integrating the current flowing through the material during each charge (or discharge) cycle relative to the deposited mass.
  • XRD X-ray diffraction
  • cyclic voltammetry where the current is measured as a function of potential increments.
  • Procedure for determining the homogeneity of a formulation such as a soil The homogeneity of a formulation such as a soil is evaluated with the naked eye for the presence or absence of a transparent formulation.
  • the formulation is further filtered on a 0.2 micron filter (PALL acrodisc nylon type). The filtrate is thus considered homogeneous.
  • the solution is prepared by mixing 2 g of CoAc 2 .4H 2 O (hydrated cobalt acetate) and 0.53 g of lithium acetate on which 15 ml of methanol are added. The amount of methanol was sufficient to allow the solubilization of cobalt and lithium salts. These are in equimolar quantity.
  • the solution is stirred for 1 hour at room temperature (between 20 and 25 ° C). After 1 hour, 2 ml of concentrated acetic acid (96%) and then 0.85 g of adipic acid are added. These two additions are carried out with stirring and at room temperature. Stirring is maintained for 12 hours to allow soil formation.
  • FIG. 1 represents the electrogalvanostatic cycling curve of a LiCoO 2 film prepared according to Example 1. An initial mass discharge capacity of 1 12 mAh / g is calculated for the first cycle and 99 mAh / g for the fifth cycle.
  • Example 1 is repeated substituting methanol (15 ml) with ethanol
  • the LiCoO 2 film has good adhesion to the substrate used (SiO 2 / TiO 2 / Pt).
  • Example 1 is repeated substituting acetic acid with water (0.5 ml).
  • the metal substrate is steel. Good adhesion of the LiCoO 2 film to the substrate is observed.
  • Example 4 (invention) Example 1 is repeated without adding stabilizing agent, ie without addition of acetic acid.
  • the amount of solvent is set at 25 ml. Good adhesion of the LiCoO 2 film to the substrate (SiO 2 / TiO 2 / Pt) is observed.
  • Example 1 is repeated without adding a stabilizing agent and substituting
  • LiCoO 2 film adheres well to the metal substrate (Si0 2 / Ti0 2 / Pt).
  • a solution is prepared by mixing 4.68 g of Co (NO 3 ) 2 .6H 2 O
  • FIGS. 3a and 3b respectively represent a voltammetric cycling and a cyclic voltammetry of the LiCoO 2 film deposited on the electrode.
  • Example 1 is repeated substituting adipic acid with acrylic acid (0.88 ml). During drying, the film roughness increases. The film precipitates on the electrode.
  • a solution is prepared by dispersing 0.53 g of lithium acetate
  • Example 8 is repeated replacing the water with ethylene glycol.
  • the high viscosity of the solution due to the viscosity of ethylene glycol does not facilitate the technique of deposition by spray or spray.
  • the wettability of the solution on the substrate is poor. This always results in inhomogeneous films of very variable thickness.
  • the adhesion of the film on the substrate is bad.
  • Table 1 below details the data and results of Examples 1 to 9 as described above.
  • the specific use of a chelating agent according to the present invention and a polar organic solvent according to the present invention allows the preparation of thin films of transition metal oxide which adhere sufficiently to the substrate on which said films have been deposited. Comparative examples demonstrate that the use of water as a solvent for precursors or acrylic acid as a chelating agent significantly decreases the adhesiveness of the film to a substrate such as platinum.
  • the specific combination of a chelating agent and a polar organic solvent as provided according to the present invention also makes it possible to prepare transition metal oxide films that can be used as electrode materials, more particularly as materials. cathode.
  • the solution is prepared by mixing 2 g of CoAc 2 .4H 2 O (hydrated cobalt acetate) and 0.53 g of lithium acetate on which 15 ml of methanol are added.
  • Adipic acid is used as a chelating agent (1.05 g) and water is used as a stabilizer (0.5 ml) to form a sol.
  • a monolayer structure film and two multilayer structure films comprising respectively three and five layers are made.
  • a heat treatment at 60 ° C under vacuum is performed after the deposition of the entirety of the corresponding layers.
  • the calcination is carried out on each of the films at a temperature of 540 ° C for 15 minutes.
  • the films thus formed are subjected to an annealing step carried out at 400 ° C. Table 2 details the characteristics of each of the films obtained after calcination and after annealing.
  • a solution is prepared by mixing 6 g of CoAc 2 .4H 2 O and 1. 574 g of lithium acetate in 50 ml of methanol. This solution is stirred for 30 minutes. at room temperature before adding 5 ml of concentrated acetic acid (96%) and then 2.303 g of succinic acid. Stirring is maintained for 5 hours.
  • the solution is deposited by spray coating on a steel disk 13 mm in diameter coated with a thin layer of platinum (100 nm) heated to a temperature close to 80 ° C. After 10 passes, the film is dried under vacuum at 70 ° C and then calcined in a preheated oven at 540 ° C for 15 min. Ten new layers are then deposited on the first deposit under the same conditions.
  • the film is again dried and calcined under the same conditions. Annealing is also applied to the film (rise from 100 ° to 540 ° C. in 30 minutes, 5h to 540 ° C. and then decrease from 540 ° C. to 100 ° C. in 30 minutes).
  • the amount of active ingredient on the disc is between 1.1 and 1.2 mg.
  • the discharge capacity of this material is between 95 and 100 mAh / g for the first cycle and greater than 90 mAh / g for the tenth.
  • a solution is prepared by mixing 6 g of CoAc 2 .4H 2 O (cobalt acetate) and 1, 57 g of lithium acetate on which 50 ml of methanol are added. After dissolving the reagents, 5 ml of acetic acid (stabilizing agent) and 2.85 g of adipic acid (chelating agent) are added. The film is formed by depositing 30 layers of solution on a calcined platinum disk for 15 minutes at 540 ° C. and then annealing at 540 ° C. for 6 hours.
  • FIG. 4 represents the plotting of the charging and discharging capacitors as a function of the number of cycles undergone by the electrode. From this figure it can be deduced that the specific insertion capacity is 73% of the theoretical specific capacity (137 mAh / g) after 20 cycles and 65% after 100 cycles.
  • a solution is prepared by dissolving 1 g of lithium acetate and 4.67 g of manganese nitrate (Mn (NO 3 ) 2 .4H 2 O) in 25 ml of ethanol. Once the dissolution of the salts complete, 3 ml of acetic acid (96%) and 2.24 g of adipic acid are added. The calcination of the electrodes is carried out at 400 ° C. The final annealing is also carried out at 400 ° C. for 10 hours. The films are made on stainless steel electrodes 16mm in diameter, by successive deposition of several layers of precursors by spray-coating. Fig.
  • the method according to the present invention also makes it possible to prepare a thin film of transition metals with a multilayer structure.
  • This film also has a strong adhesion to the metal substrate and a low roughness on its surface.
  • the present method also makes it possible to work at a lower temperature than the processes described in the prior art where the calcination temperature is generally 750 ⁇ € or 800 ° C.

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Abstract

L'invention se rapporte à un procédé de fabrication de films minces comprenant la préparation d'une solution comprenant des précurseurs d'oxyde de métaux de transition, un agent chélatant et un solvant organique polaire, le maintien de ladite solution sous agitation pour former un sol, la mise en oeuvre du sol sous forme dudit film d'oxyde de métaux de transition, caractérisé en ce que l'agent chélatant est choisi parmi les di- ou tri-acides carboxyliques aliphatiques, les sels ou les mélanges de ceux-ci, et en ce que ledit solvant organique polaire a une température d'ébullition à pression atmosphérique inférieure à 150°C.

Description

Procédé pour la fabrication de films minces par voie humide
Domaine de l'invention
[0001 ] L'invention se rapporte à la fabrication de films d'oxyde de métaux de transition par voie humide, par exemple par voie sol-gel. En particulier, l'invention se rapporte à la fabrication de films, de préférence minces, d'oxyde de métaux de transition lithié.
[0002] L'invention se rapporte aussi à l'utilisation dudit film préparé selon la présente invention comme matériau d'électrode dans une batterie, de préférence une microbatterie.
État de la technique
[0003] L'utilisation de microbatteries, telles que les batteries Li-ion, comprenant des films minces d'oxydes métalliques connaît un essor important dans de nombreux domaines d'applications. Ces films minces sont généralement constitués d'oxyde de métaux de transition lithié, par exemple des oxydes de cobalt, de manganèse ou de nickel. Ces oxydes sont des matériaux de choix pour la préparation d'un matériau d'électrode grâce à leur forte capacité spécifique d'insertion et leur excellente cyclabilité.
[0004] Les films minces d'oxydes métalliques sont principalement préparés par dépôt physique en phase vapeur (PVD). Cette méthode consiste à vaporiser le matériau à basse pression et à le condenser sur le substrat. Deux autres techniques sont régulièrement employées pour former des films minces de métaux de transition : le dépôt laser puisé (PLD) et la pulvérisation cathodique radiofréquence. Le dépôt par PLD est effectué par des impulsions laser envoyées sur une cible pour permettre l'évaporation du matériau. La pulvérisation cathodique radiofréquence consiste à créer un plasma d'argon dans une enceinte de dépôt où les ions Ar+ bombardent mécaniquement la cible du matériau pour le déposer sur le substrat. Une étape de recuit à très haute température du matériau formé est nécessaire pour favoriser la formation définitive du matériau. Cette étape de recuit à très haute température est incompatible avec l'intégration des microaccumulateurs sur un circuit électronique souple. La lenteur de ces procédés limite les capacités de production industrielle. De plus, la capacité massique de ce type de films minces chute fortement après quelques cycles de charge/décharge. Le dépôt chimique en phase vapeur (CVD - vaporisation des précurseurs de métaux de transition à haute température sur le substrat) est une alternative aux techniques précédentes mais ces procédés requièrent des températures plus élevées. En outre, les coûts liés aux investissements à l'exploitation de ces technologies sont très importants.
[0005] Afin de pallier les inconvénients des techniques de dépôt sous vide, des méthodes de préparation par voie humide ont été explorées. On connaît par exemple de Kim et al., Journal of Power Sources, 99, 2001 , 34-40, la fabrication de films minces de LiCo02 par voie sol-gel. La fabrication consiste en la préparation d'une solution constituée d'une source de lithium et de cobalt, d'acide acétique et de 2- méthoxyéthanol. Le film formé a une épaisseur inférieure à 200nm. Le film est recuit à une température supérieure à 600 'C sous oxygène. La solution est ensuite déposée sur un substrat métallique par spin coating.
[0006] De nombreux documents divulguent des techniques de synthèses sol gel qui consistent en la préparation de poudre à partir de gel comme notamment les publications de Fey T.K.G. et al., Journal of Materials Chemistry and Physics, 2003, 79, 21 -29 ; Fey T.K.G. et al., Journal of Materials Chemistry and Physics, 2004, 87, 246-255 ; Hao Y.J. et al., Journal of Power Sources, 2006, 158, 1358-1364. Ces documents décrivent la préparation de sols au départ de précurseurs dissouts dans des solvants avec des agents chélatants. Ces sols sont chauffés pour former un gel qui sera ensuite séché pour obtenir un solide qui est ensuite calciné et mis en œuvre sous forme de poudre. Ces techniques ne présagent en rien de l'adhésion de ces sols sur des supports. On connaît notamment de Porthault et al., Journal of Power Sources, 2010, 195, 6262-6267, la préparation de LiCo02 par un procédé sol-gel. Les sols sont préparés en présence d'une source de lithium et de cobalt, d'éthylène glycol ou d'eau et d'acide acrylique. Des essais de synthèse de poudre et de dépôts en couche mince par spin coating sont réalisés. Le film obtenu présente une mauvaise adhérence sur un substrat Si/Si02/Pt. Un délaminage des films déposés a été observé et seules les poudres produites par le procédé sol-gel ont pu être analysées. Comme mentionné ci- dessus, cette publication démontre que des résultats obtenus et présentés sur base d'un solide sous forme de poudre ne permettent pas de prévoir le comportement de ce même solide lorsqu'il est mis en œuvre sous la forme d'un film ou que ce même solide aura des propriétés d'adhérence suffisante pour former un film supporté sur des substrats de type Si02/Pt. [0007] On connaît également par WO 02/091501 la préparation de films minces de LiCo02 par dip coating (par trempage). Les films de LiCo02 sont préparés à partir d'une solution obtenue en dissolvant l'acide citrique, l'acétate de lithium et l'acétate de cobalt hydraté dans l'éthylène glycol. Une bonne adhérence du film de LiCo02 sur le substrat est observée uniquement lorsque la rugosité du substrat est augmentée par un traitement de la surface de celui-ci.
[0008] On connaît également de Patil et al., Journal of Electroceram, 2009, 23,
214-218, des dépôts sol-gel par spin coating où la préparation du sol met en œuvre des précurseurs de lithium et de cobalt dans du méthanol avec une quantité non divulguée d'acide citrique. Ces dépôts bien qu'adhérant au substrat n'ont pas donné après calcination à 750^ des résultats de pureté satisfaisants, ceci étant notamment montré par les mesures de cyclage voltamétrique (fig. 5 page 217). En outre, les propriétés électrochimiques des matériaux déposés ne correspondent pas aux exigences nécessaires dans les applications industrielles de type micro-batteries. En effet, la voltampérométrie cyclique du LiCo02 doit montrer la présence de trois pics correspondant à trois phénomènes d'oxydo-réduction distincts situés à 3,95V, 4,06V et 4,18V. Les mesures divulguées dans ce document ne permettent de distinguer que le premier pic. En outre, la capacité d'insertion (fig. 6, page 217) chute très rapidement pour atteindre 80 mAh/g après 40 cycles.
[0009] On connaît également de Bhuwaneswari M. S., Journal of Sol-Gel
Sciences & Technology, 2010, 56, 320-326, la préparation de films minces de LiCoP04 par voie sol-gel. Les films sont préparés en présence d'une source de lithium, de cobalt et de phosphate, d'éthylène glycol et d'acide citrique et déposés sur un substrat par dip coating. Les résultats présentés ne permettent pas aujourd'hui une exploitation industrielle du dépôt ainsi formé.
[0010] Les films minces préparés par voie sol-gel présentent ainsi régulièrement des problèmes d'adhérence sur les substrats utilisés. Des craquelures sur la surface du film sont également observées. La fabrication de films minces par voie sol-gel peut donc être améliorée.
Résumé de l'invention
[0011 ] Un des buts de la présente invention est de fournir un procédé de fabrication de films d'oxyde de métaux de transition amélioré afin d'obtenir un film homogène sans craquelure, présentant une bonne adhérence sur un substrat et de bonnes propriétés électrochimiques.
[0012] Selon un premier aspect, l'invention fournit un procédé de fabrication de films d'oxyde de métaux de transition de formule AaMbZcOd dans laquelle
A est un métal alcalin ou alcalino-terreux ou un mélange de métaux alcalins ou alcalino-terreux, de préférence A est un métal alcalin, avantageusement A est choisi parmi le groupe consistant en Li, Na et K, et leur mélange;
M est un métal ou un mélange de métaux choisi parmi les métaux de transition, les lanthanides ou les actinides ;
Z est un élément chimique ou un mélange d'éléments chimiques choisi parmi les colonnes 13 à 15 du tableau périodique, de préférence Z est P ou B ;
O est l'oxygène ;
c est un nombre réel supérieur ou égal à 0 ; a, b et d sont des nombres réels supérieurs à 0 ; et a, b, c et d sont choisis de manière à assurer l'électroneutralité ; ledit procédé comprend les étapes de :
a) préparation d'une solution comprenant un ou plusieurs précurseurs, de préférence deux ou plus que deux précurseurs, contenant un ou plusieurs des éléments A, M, Z et O, un agent chélatant choisi parmi les di- ou tri-acides carboxyliques aliphatiques comprenant de 2 à 20 atomes de carbone, les sels ou les mélanges de ceux-ci et un solvant organique polaire ayant une température d'ébullition à pression atmosphérique inférieure à 150°C,
b) maintien de ladite solution sous agitation pour former un sol, c) mise en œuvre dudit sol sous forme dudit film d'oxyde de métaux de transition,
caractérisé en ce que
ladite mise en œuvre dudit sol est réalisée par :
c') dépôt d'une ou plusieurs couches dudit sol sur un substrat, et
c") calcination desdites une ou plusieurs couches formées à l'étape c') à une température de calcination comprise entre 250qC et 725°C pour préparer ledit film d'oxyde de métaux de transition.
[0013] De préférence, le procédé concerne la fabrication de films minces d'oxyde de métaux de transition. Le terme « mince » tel qu'utilisé ici se rapporte à l'épaisseur moyenne dudit film d'oxyde de métaux de transition, ladite épaisseur moyenne étant inférieure à 250 μηι. Le film peut être plat, en relief, en créneau ou en escalier.
[0014] De préférence, le présent procédé se rapporte à la fabrication de films d'oxyde de métaux de transition, avantageusement d'oxyde de métaux de transition lithié, c'est-à-dire comprenant du lithium.
[0015] Selon un autre aspect de l'invention, un film d'oxyde de métaux de transition préparé selon la présente invention peut être utilisé comme matériau d'électrode, de préférence comme matériau d'électrode dans une microbatterie avec une capacité d'insertion supérieure ou égale à 60% de la capacité d'insertion théorique réversible, avantageusement supérieure ou égale à 70%, de préférence supérieure ou égale à 80%, en particulier supérieure ou égale à 90%. De préférence, la capacité massique dudit film après 20 cycles est au moins supérieure à 70% de la capacité massique théorique. De préférence après 100 cycles, la capacité massique est au moins supérieure à 65% de la capacité massique théorique.
Brève description des figures
[0016] La figure 1 représente la courbe de cyclage électrogalvanostatique d'un film de LiCo02 préparé selon un mode de réalisation particulier de la présente invention.
[0017] La figure 2 représente le diagramme de diffraction des rayons X (DRX) d'un film de LiCo02 préparé selon un mode de réalisation particulier de la présente invention.
[0018] Les figures 3a et 3b représentent respectivement la voltampérométrie cyclique et un cyclage voltamétrique d'un film de LiCo02 préparé selon un mode de réalisation particulier de l'invention illustrant d'une part, l'évolution de la capacité spécifique de l'électrode en fonction du nombre de cycles de charge et de décharge et d'autre part l'évolution du courant en fonction du potentiel.
[0019] La figure 4 représente les capacités de charge et de décharge d'un film de LiCo02 préparé selon un mode de réalisation particulier de l'invention en fonction du nombre de cycles de charge et de décharge subis par l'électrode.
[0020] La figure 5 représente la voltampérométrie cyclique d'un film de
Li4Mn50i2 préparé selon un mode de réalisation particulier de la présente invention.
Description détaillée de l'invention [0021 ] Selon un premier aspect, la présente invention se rapporte à un procédé de fabrication de films d'oxyde de métaux de transition de formule AaMbZcOd dans laquelle
A est un métal alcalin ou alcalino-terreux ou un mélange de métaux alcalins ou alcalino-terreux, avantageusement A est un métal alcalin, de préférence A est choisi parmi le groupe consistant en Li, Na et K, et leur mélange, en particulier A est Li ;
M est un métal ou un mélange de métaux choisi parmi les métaux de transition, les lanthanides ou les actinides, de préférence M est un métal ou un mélange de métaux de transition choisis parmi les éléments des colonnes 3 à 12 du tableau périodique, avantageusement M est choisi parmi le groupe consistant en Co, Ni, Mn, Fe, Cu, Ti, Cr, V et Zn, et leurs mélanges ;
Z est un élément chimique ou un mélange d'éléments chimiques choisi parmi les colonnes 13 à 15 du tableau périodique, avantageusement Z est choisi parmi le groupe consistant en B, N, P, Al, Si, Ge, In, Sn et Ga, de préférence Z est P ou B ;
O est l'oxygène,
c est un nombre réel supérieur ou égal à 0 ; a, b et d sont des nombres réels supérieurs à 0 ; et a, b, c et d sont choisis de manière à assurer l'électroneutralité. Ledit procédé comprend en outre les étapes suivantes :
a) préparation d'une solution comprenant un ou plusieurs précurseurs contenant un ou plusieurs des éléments A, M, Z et O, un agent chélatant et un solvant organique polaire,
b) maintien de ladite solution sous agitation, de préférence à température ambiante, pour former un sol,
c) mise en œuvre dudit sol sous forme dudit film d'oxyde de métaux de transition,
l'agent chélatant étant choisi parmi les di- ou tri-acides carboxyliques aliphatiques comprenant de 2 à 20 atomes de carbone, les sels ou les mélanges de ceux-ci, et ledit solvant organique polaire ayant une température d'ébullition à pression atmosphérique inférieure à 150°C.
[0022] La mise en œuvre du sol sous forme dudit film d'oxyde de métaux de transition peut comprendre les étapes de :
c') dépôt d'une ou plusieurs couches dudit sol sur un substrat, et
c") calcination desdites une ou plusieurs couches formées à l'étape c') pour préparer ledit film d'oxyde de métaux de transition. Lorsque plusieurs couches dudit sol sont formées sur un substrat, la calcination réalisée à l'étape c") peut être effectuée après le dépôt de chacune des couches dudit sol ou après le dépôt de plusieurs couches dudit sol.
[0023] Ladite calcination (étape c") du présent procédé est réalisée à une température de calcination comprise entre 250^ et 800 °C, avantageusement entre 250 <€ et 725°C, de préférence entre 250 <€ et 700°C, plus préférentiellement entre 250 <€ et 650 °C, en particulier entre 300 °C et 580 <€, et plus particulièrement entre 350 ^ et 550 °C. L'étape de calcination peut être effectuée chaque fois qu'une couche dudit sol est déposée, i.e. chaque fois que l'étape c') est réalisée, ou après plusieurs dépôts successifs de couches. Lesdites une ou plusieurs couches sont maintenues à la température de calcination pendant une durée comprise entre 30 secondes et 1 heure, de préférence entre 5 minutes et 30 minutes. L'étape c") de calcination permet l'élimination des composés organiques et l'obtention du film d'oxyde de métaux recherché.
[0024] En particulier, l'oxyde de métaux de transition peut être de formule
AaMbZcOd dans laquelle c est 0. L'oxyde de métaux de transition peut être de formule AaMbOd dans laquelle A est un métal alcalin, avantageusement A est choisi parmi le groupe consistant en Li, Na et K, en particulier A est Li ;
M est choisi parmi le groupe consistant en Co, Ni, Mn, Fe, Cu, Ti, Cr, V et Zn, et leurs mélanges;
O est l'oxygène,
a, b et d sont des nombres réels supérieurs à 0 et choisis de manière à assurer l'électroneutralité.
[0025] De manière surprenante, il a été observé que l'utilisation spécifique et combinée d'un agent chélatant et d'un solvant organique polaire tels que décrits dans la présente invention permet de faciliter l'adhérence du film préparé selon la présente invention sur un substrat. De plus, l'utilisation d'un agent chélatant permet de limiter considérablement, ou d'éviter, la présence de craquelures, de défaut ou d'aspérités à la surface dudit film préparé selon la présente invention. En outre, le solvant organique polaire ayant un point d'ébullition bas, i.e. inférieur à Ι δΟ 'Ό, de préférence inférieur à
Ι ΟΟ 'Ό, assure la bonne mouillabilité du substrat par ledit sol formé à l'étape b). La surface dudit film préparé selon la présente invention peut posséder une rugosité faible, avantageusement inférieure à 2000 nm, de préférence inférieure à 1000 nm, en particulier inférieure à 500 nm. De préférence, ledit film d'oxyde de métaux de transition peut être déposé sur un substrat. Ainsi, lorsque ledit film d'oxyde de métaux de transition peut être déposé sur un substrat, la rugosité de la surface dudit film inclut la rugosité issue de la surface dudit substrat. Lorsque ledit film d'oxyde de métaux de transition est déposé sur un substrat, la surface dudit film préparé selon la présente invention peut posséder une rugosité faible, avantageusement inférieure à 2500 nm, de préférence inférieure à 1200 nm, en particulier inférieure à 520 nm. En particulier, le procédé selon l'invention permet d'assurer la formation dudit film d'oxyde de métaux de transition et son adhérence sur des substrats de faible rugosité, en particulier des substrats ayant une surface présentant une rugosité Ra inférieure à 500 nm.
[0026] Selon un mode de réalisation préféré, ladite solution préparée à l'étape a) comprend également un agent stabilisant choisi parmi le groupe consistant en l'eau ou un acide carboxylique comprenant de 1 à 20 atomes de carbone ou un sel de celui- ci ou un mélange de ceux-ci. L'agent stabilisant est différent de l'agent chélatant. Ledit acide carboxylique est donc de préférence un monoacide, de préférence un monoacide aliphatique. L'acide carboxylique peut être l'acide méthanoïque, l'acide acétique, l'acide propanoïque, l'acide butanoïque, l'acide pentanoïque, l'acide hexanoïque, l'acide octanoïque, l'acide nonanoïque et l'acide décanoïque. En particulier, l'agent stabilisant peut être l'eau, l'acide acétique, l'acide propanoïque, l'acide butanoïque, l'acide pentanoïque. L'agent stabilisant permet d'éviter la précipitation des ions alcalins et/ou métalliques provenant desdits un ou plusieurs précurseurs utilisés à l'étape a) du présent procédé. L'agent stabilisant permet ainsi de contrôler et de maintenir la qualité de la solution entre sa préparation et sa mise en œuvre (étapes b), c') et c") du présent procédé).
[0027] La proportion d'agent stabilisant dans la solution préparée à l'étape a) peut être comprise entre 0,1 et 30%, de préférence entre 1 et 20% de la quantité en poids de solvant.
[0028] L'agent chélatant est de préférence choisi parmi les diacides ou triacides carboxyliques aliphatiques comprenant de 2 à 20 atomes de carbone, avantageusement de 2 à 12 atomes de carbone, de préférence de 2 à 10 atomes de carbone, leurs sels ou leurs mélanges. En particulier, l'agent chélatant peut être un acide dicarboxylique choisi parmi le groupe consistant en l'acide oxalique, malonique, succinique, glutarique, adipique, maléique, fumarique, pimélique, subérique, azélaïque, sébacique, glutaconique et itaconique, les sels et les mélanges de ceux-ci. De préférence, l'acide tricarboxylique peut être l'acide citrique, l'acide isocitrique, l'acide aconitique, l'acide propane- 1 , 2, 3-tricarboxylique ou l'acide oxalosuccinique ; en particulier l'acide tricarboxylique est l'acide citrique.
[0029] De préférence, l'agent chélatant est choisi parmi l'acide oxalique, succinique ou adipique ou citrique ou un sel de ceux-ci ou les mélanges de ceux-ci. En particulier, l'agent chélatant est l'acide adipique ou un sel de celui-ci. L'utilisation de ces acides seuls ou en combinaison permet de former ledit sol et ce sans avoir recours à une étape de chauffage de la solution ni à une atmosphère contrôlée. Le procédé de fabrication dudit film d'oxyde de métaux de transition est ainsi optimisé. De plus, ledit film ainsi préparé montre une bonne adhérence sur un substrat, de préférence un substrat métallique et/ou compatible avec les applications envisagées.
[0030] La proportion d'agent chélatant dans la solution préparée à l'étape a) peut être comprise entre 0,1 et 5 équivalents, avantageusement entre 0,5 et 3 équivalents, de préférence entre 0,8 et 1 ,2 équivalents, en particulier 1 équivalent par rapport à la somme des quantités exprimées en mole du ou des précurseurs de A et de M utilisés dans la solution préparée à l'étape a) divisée par le nombre de fonctions acides de l'agent chélatant.
[0031 ] Comme mentionné ci-dessus, le solvant organique polaire a une température d'ébullition à pression atmosphérique inférieure à 150°C, de préférence inférieure à Ι ΟΟ 'Ό. Le terme « solvant organique » se réfère à un composé organique ou un mélange comprenant au moins 80% en poids, de préférence 90% en poids, en particulier 99% en poids d'un composé organique. Ledit composé organique comprend au moins un atome de carbone lié à un atome d'hydrogène. Un solvant organique est dit « polaire » si le composé organique présente un moment dipolaire supérieur à 0,5 debye. Le solvant organique polaire est de préférence choisi pour sa capacité à solubiliser l'agent chélatant et l'agent stabilisant ainsi que les précurseurs. Le solvant est choisi en fonction des précurseurs à solubiliser. Avantageusement, le solvant organique polaire peut être choisi parmi le méthanol, éthanol, propan-1 -ol, isopropanol, butanol, pentanol, acétone, butanone, tétrahydrofurane, acétonitrile, éther diéthylique, dichlorométhane, chloroforme, dioxane, 2-methoxyethanol et l'acétate d'éthyle. De préférence, le solvant organique polaire peut être le méthanol, Γ éthanol, l'isopropanol, le butanol ou le tétrahydrofurane.
[0032] Lesdits un ou plusieurs précurseurs contenant un ou plusieurs des éléments A, M, Z et O peuvent être des sels, des hydroxydes, des oxydes ou des complexes de métaux de transition, de lanthanides ou d'actinides ; des sels, des hydroxydes, des oxydes ou des complexes de métaux alcalins ou alcalino-terreux ; ou des sels, des hydroxydes, des oxydes comprenant un élément chimique ou un mélange d'éléments chimiques choisi parmi les colonnes 13 à 15 du tableau périodique. Le terme « tableau périodique » se rapporte au tableau périodique des éléments. Le terme « un ou plusieurs » tel qu'utilisé ici se réfère à 1 , au moins 1 , plus que 1 , ou 1 , 2 ou plus que deux ; ou 1 , deux ou plusieurs, de préférence deux ou plusieurs. Le terme métaux de transition se réfère aux éléments des colonnes 3 à 12 du tableau périodique.
[0033] Avantageusement, lesdits un ou plusieurs, de préférence deux ou plus que deux, précurseurs contenant un ou plusieurs des éléments A, M, Z et O sont sélectionnés parmi le groupe consistant en les sels ou les hydroxydes de lithium, sodium, potassium, cobalt, nickel, manganèse, fer, cuivre, titane, chrome, vanadium, zinc, et les sels de l'acide phosphorique, l'acide borique ou un dérivé de celui-ci, et leurs mélanges. Le terme « les sels de l'acide phosphorique » englobe, outre l'acide phosphorique et l'acide polyphosphorique, les sels de phosphate de calcium, de sodium, de potassium ou d'ammonium. Le terme « l'acide borique ou un dérivé de celui-ci » englobe outre l'acide borique, les sels de borate et les esters de borate. Les sels de lithium, sodium, potassium, cobalt, nickel, manganèse, fer, cuivre, titane, chrome, vanadium, zinc peuvent être des sels de nitrate, d'acétate, d'oxalate, de citrate, de succinate, de carbonate ou d'adipate. Les proportions entre chacun des précurseurs peuvent être déterminées de manière à obtenir l'oxyde de métal de transition désiré.
[0034] Lesdits un ou plusieurs précurseurs peuvent comprendre un premier précurseur choisi parmi un sel ou un hydroxyde de lithium, de sodium ou leur mélange, et un second précurseur choisi parmi un sel ou un hydroxyde de cobalt, de nickel ou de manganèse, ou leur mélange. Le rapport molaire entre ledit premier précurseur et ledit second précurseur peut être compris entre 10 : 1 et 1 : 10, avantageusement entre 2 : 1 et 1 : 2, en particulier, le rapport molaire est de 1 . Lesdits un ou plusieurs précurseurs peuvent comprendre un troisième précurseur choisi parmi les sels de l'acide phosphorique, ou l'acide borique ou un dérivé de celui-ci. Avantageusement, le troisième précurseur est un sel de phosphate d'ammonium. De préférence, le rapport molaire entre le premier et le troisième précurseur peut être compris entre 10 : 1 et 1 : 10, avantageusement entre 2 : 1 et 1 : 2, en particulier, le rapport molaire est de 1 . De préférence, le rapport molaire entre le second et le troisième précurseur peut être compris entre 10 : 1 et 1 : 10, avantageusement entre 2 : 1 et 1 : 2, en particulier, le rapport molaire est de 1 . En particulier, le rapport molaire entre le premier, le second et le troisième précurseur peut être 1 :1 :1 .
[0035] En particulier, lesdits un ou plusieurs précurseurs comprennent un sel ou un hydroxyde de lithium, de préférence un sel d'acétate ou de nitrate de lithium, et un sel de cobalt, de nickel et/ou de manganèse, de préférence un sel d'acétate, d'adipate, d'oxalate, de succinate ou de nitrate de cobalt, de nickel et/ou de manganèse. Selon un mode de réalisation préféré, lesdits un ou plusieurs précurseurs comprennent l'acétate de lithium et l'acétate de cobalt. Alternativement, un desdits un ou plusieurs précurseurs peut être un sel d'adipate, d'oxalate ou de succinate. L'utilisation d'un sel d'adipate, d'oxalate ou de succinate comme précurseur permet de fournir à la fois une partie de la quantité de l'agent chélatant et un ou plusieurs de éléments A, M ou Z nécessaire à la préparation de la solution selon l'étape a) du présent procédé. Par exemple, l'adipate de cobalt peut être utilisé.
[0036] Ladite solution préparée à l'étape a) peut également contenir des particules conductrices de l'électricité telles que des particules d'argent, d'or, d'indium, et de platine, des fibres de carbone, des nanoparticules de carbone ou des nanotubes de carbone.
[0037] Selon un mode de réalisation préféré, l'étape b) est réalisée dans des conditions de température et de pression ambiantes. L'étape b) peut être réalisée également sous atmosphère ambiante, c'est-à-dire sous une atmosphère ni contrôlée ni modifiée par rapport à l'air ambiant.
[0038] Selon un mode de réalisation préféré, le sol formé à l'étape b) a une viscosité inférieure à 100 centipoises (0,1 Pa.s), de préférence inférieure à 50 centipoises (0,05 Pa.s), en particulier inférieure à 10 centipoises (0,01 Pa.s).
L'obtention d'un sol ayant la viscosité mentionnée ci-dessus permet d'améliorer la préparation dudit film d'oxyde de métaux de transition et son dépôt sur le substrat. Alternativement, lorsque l'agent chélatant est l'acide citrique ou un sel de celui-ci, le sol formé à l'étape b) peut avoir une viscosité supérieure à 100 centipoises (0,1 Pa.s). De préférence, le sol peut présenter une bonne homogénéité, en particulier lorsque la solution de l'étape a) ne contient pas de particules conductrices de l'électricité telles que définies ci-dessus, c'est-à-dire lorsque aucunes particules conductrices de l'électricité telles que définies ci-dessus n'est ajoutée lors de la préparation de la solution a). En particulier, le sol selon la présente invention est considéré comme homogène lorsqu'il ne présente pas de particules ayant une dimension supérieure à 2 μηι, avantageusement supérieure à 1 μηι, de préférence supérieure à 0,5 μηι, en particulier supérieure à 0,2 μηι.
[0039] De préférence, le dépôt d'une ou plusieurs couches dudit sol sur un substrat est réalisé sur un substrat ayant une température apte à permettre l'évaporation dudit solvant organique polaire, avantageusement une température proche de la température d'ebullition dudit solvant organique polaire. Le terme « proche » tel qu'utilisé ici correspond à une gamme de température dont la limite inférieure est égale à 30 ^ en dessous de la température d'ébullition dudit solvant organique polaire et dont la limite supérieure est égale à 10°C au-dessus de la température d'ébullition dudit solvant organique polaire. Ainsi, le solvant organique polaire présent dans le sol est au moins partiellement évaporé avant le dépôt d'une autre couche dudit sol. La qualité dudit film résultant est améliorée.
[0040] De préférence, ledit substrat est un substrat métallique. En particulier, ledit substrat peut être un substrat conducteur de l'électricité. Le substrat peut comprendre du carbone, du platine, de l'or, de l'inox, du platine sur Si02, de ΓΙΤΟ (Indium Tin Oxide), du platine sur une tranche de silice (également dénommée silicon wafer) ou des alliages métalliques comprenant au moins deux des éléments choisis parmi le nickel, le chrome et le fer. Lesdits alliages métalliques peuvent également comprendre d'autres éléments choisis parmi le molybdène, le niobium, le cobalt, le manganèse, le cuivre, l'aluminium, le titane, le silicium, le carbone, le soufre, le phosphore ou le bore. A titre d'exemple, les alliages métalliques peuvent être Ni6iCr22Mo9Fe5, NisaCrigFeigNbsMoa, Ni72Cr16Fe8, Ni32,5Cr2i Fe ou Ni74Cri5Fe7Ti2,5Alo,7Nbo,95, ceux-ci peuvent en outre contenir des traces ou des faibles teneurs dans l'un des composés suivants : le molybdène, le niobium, le cobalt, le manganèse, le cuivre, l'aluminium, le titane, le silicium, le carbone, le soufre, le phosphore ou le bore. Par exemple, lesdits alliages métalliques peuvent être des alliages de type Inconel®.
[0041 ] Le dépôt dudit sol sur le substrat (étape c') peut être réalisé par spin coating (i.e. dépôt par centrifugation), dip coating (i.e. dépôt par trempage) ou spray coating (i.e. dépôt par aérosol) ou slide coating (i.e. dépôt par glissement) ou screen printing (i.e. dépôt par impression sérigraphique) ou inkjet printing (i.e. dépôt par impression jet-d'encre) ou roll coating (i.e. dépôt par enducteur à rouleau). De préférence, lorsque la viscosité du sol formé à l'étape b) a une viscosité inférieure à 100 centipoises (0,1 Pa.s), de préférence inférieure à 50 centipoises (0,05 Pa.s), en particulier inférieure à 10 centipoises (0,01 Pa.s), l'étape c') est réalisée par spray coating. De préférence, lorsque la mise en œuvre dudit sol sous forme dudit film d'oxyde de métaux de transition sur le substrat (étape c') est réalisé par spray coating, la présente invention permet d'éviter les coulures qui sont notamment néfastes dans le cadre de dépôt par masque en terme de qualité de produit.
[0042] Le substrat sur lequel le sol est déposé pour former ledit film d'oxyde de métaux de transition peut être lisse ou présenter une rugosité faible. Le présent procédé est particulièrement efficace pour former ou déposer un film d'oxyde de métaux de transition sur un substrat lisse ou faiblement rugueux. Le film ainsi formé présente une bonne adhérence sur le substrat contrairement aux procédés par voie humide de l'art antérieur avec lesquels le film déposé sur le substrat métallique présente une adhérence faible sur un substrat lisse ou faiblement rugueux. Dans un mode de réalisation préféré, le substrat, de préférence métallique, peut présenter une rugosité Ra inférieure à 500 nm, de préférence inférieure à 200 nm et de préférence inférieure à 20 nm.
[0043] Le film d'oxyde de métaux de transition selon la présente invention peut avoir une structure monocouche ou multicouches suivant le nombre de couches déposées à l'étape c'). Le film d'oxyde de métaux de transition ayant une structure multicouche peut être préparé en répétant l'étape c') du présent procédé. Chaque étape c') peut être suivie de la mise en œuvre de l'étape c") de calcination de la couche formée à une température comprise entre 250 °C et 800 'C, avantageusement entre 250 °C et 725 <C, de préférence entre 250 <C et 700 °C, plus préférentiellement entre 250 <C et 650 <C, en particulier entre 300 °C et 580 <C. Chaque couche de la structure multicouche peut être indépendante l'une de l'autre. Ainsi, chaque couche peut avoir la même constitution, c'est-à-dire être constituée du ou des mêmes oxydes de métaux de transition de formule AaMbZcOd telle que décrite dans la présente invention. Par exemple, un film multicouche de métaux de transition tel que LiCo02 pourrait être formé par des dépôts successifs sur le substrat, c'est-à-dire en répétant une ou plusieurs fois l'étape c') jusqu'à l'obtention de la structure multicouche désirée.
[0044] Alternativement, un film de structure multicouche peut être formé par des dépôts successifs d'une ou plusieurs couches de sols différents. Chaque sol peut être indépendamment préparé à partir d'une solution comprenant un agent chélatant et/ou un solvant organique polaire différent. De préférence, lesdits un ou plusieurs précurseurs contenant un ou plusieurs éléments A, M, Z et O sont identiques dans chacun des sols préparés. Ledit film multicouche peut être préparé en répétant l'étape c') à partir des différents sols préparés jusqu'à l'obtention de la structure multicouche désirée.
[0045] Alternativement, un film de structure multicouche peut être formé par des dépôts successifs d'une ou plusieurs couches de sols différents et préparés à partir d'une solution comprenant desdits un ou plusieurs précurseurs contenant un ou plusieurs éléments A, M, Z et O différents et optionnellement d'un agent chélatant et/ou d'un solvant organique polaire différent. Ledit film multicouche peut être préparé en répétant les étapes a) à c') jusqu'à l'obtention de la structure multicouche désirée. Par exemple, une première couche pourrait comprendre du LiCo02 ; des couches supplémentaires, déposées préalablement ou ultérieurement à cette première couche sur le substrat, pourraient indifféremment comprendre, par exemple, du LiNio.5Mn1.504, LiCro sMn! sC , LiCoMn04, LiNio.5Mno.5O2, LiNi1/3Mn1/3Co1/302, LiNio.8Coo.2O2, LiNio.5Mn .5-zTiz04 où z est un nombre entre 0 et 1 ,5, LiMn204, LiMn02, Li4Mn5012, LiNi02, LiFeP04, Li4Mn502, LixCoP04 où x est un nombre valant 0,90, 0,95, 1 ou 1 ,05, LiMnP04 ou Li4Ti50i2.
[0046] Le film d'oxyde de métaux de transition ayant une structure multicouche peut comprendre entre 2 et 200 couches, de préférence entre 2 et 100 couches. Chaque couche peut avoir une épaisseur comprise entre 0,01 et 2,5 μηι indépendamment les unes des autres. Chaque dépôt d'une ou plusieurs couches dudit sol sur un substrat peut être effectué par spray coating.
[0047] Le film d'oxyde de métaux de transition selon la présente invention peut avoir une épaisseur moyenne comprise entre 0,01 μηι et 250 μηι, de préférence entre 0,1 et 50 μηι, de préférence entre 1 et 30, de préférence entre 0,5 et 10 μηι.
[0048] De préférence, un traitement thermique pour sécher une ou plusieurs desdites couches déposées à l'étape c') peut être effectué. Ce traitement thermique peut être réalisé chaque fois qu'une couche est déposée, i.e. chaque fois que l'étape c') est réalisée, ou après plusieurs dépôts successifs de couches (après plusieurs répétitions de l'étape c')), ou lorsque le film formé a une épaisseur comprise entre 1 et
2,5 μηι. Le traitement thermique est effectué à une température inférieure à 250 °C et avantageusement inférieure à 150 'C et de préférence inférieure à 70 ^. Le traitement thermique peut être effectué à pression atmosphérique ou sous vide. Le traitement thermique permet d'évaporer le solvant organique polaire utilisé dans le présent procédé.
[0049] Le présent procédé peut comprendre en outre une étape d) de recuit dudit film d'oxyde de métaux de transition à une température de recuit comprise entre 300 <C et 750 °C, avantageusement entre 300 <C et 700 °C, de préférence entre 300 <C et 600 <C et en particulier entre 350 °C et 550 °C. De préférence, à l'étape d), ledit film d'oxyde de métaux de transition est maintenu à la température de recuit pendant une durée comprise entre 30 minutes et 12 heures, de préférence entre 1 heure et 10 heures. Ce recuit permet la formation plus complète d'une forme cristallographique particulière de l'oxyde de métaux de transition. La forme cristallographique particulière est celle qui peut permettre audit film d'oxyde de métaux de transition selon la présente invention d'avoir une capacité massique telle que mentionnée dans la présente demande. Par exemple, la figure 2 représente le diagramme de diffraction des rayons X (DRX) d'un film de LiCo02 dont le procédé de préparation contient une étape de recuit effectuée à 700 °C pendant 3 heures.
[0050] Le film d'oxyde de métaux de transition de formule AaMbZcOd telle que définie ci-dessus et obtenu par les étapes a) à c") ou a) à d), du présent procédé peut être choisi parmi le groupe consistant en LiCo02, LiMn02, LiNio.5Mn1.5O4, LiCro.5Mn 1 .5O4, LiCoo.5Mn1.5O4, LiCoMn04, LiNio.5Mno.5O2,
LiNio.8Coo.2O2, LiNi0.5Mni.5-zTizO4 où z est un nombre entre 0 et 1 ,5, LiMn204, Li4Mn50i2, LiNi02, LiFeP04, LixCoP04 où x est un nombre valant 0,90, 0,95, 1 ou 1 ,05, LiMnP04 et Li4Ti50i2. Avantageusement, le film d'oxyde de métaux de transition de formule AaMbZcOd telle que définie ci-dessus peut être LiCo02, LiMn02, LiNio.5Mn1.5O4, LiCro.5Mn1.5O4, LiCoo.5Mn1.5O4, LiCoMn04, LiNio.5Mno.5O2,
LiNio.8Coo.2O2, LiMn204, Li4Mn50i2, LiNi02 , Li4Ti5012; de préférence LiCo02, LiMn02,
LiMn204 , Li4Mn50i2, LiNi02 ou Li4Ti50i2-
[0051 ] Le procédé selon l'invention permet de déposer un film d'oxyde de métaux de transition tel que la capacité massique du matériau est d'au moins 60%, de la capacité spécifique réversible théorique de celui-ci, avantageusement supérieure à 70%, de préférence 80%, et en particulier supérieure à 90%. Dans le cas particulier d'un film de LiCo02, la capacité massique théorique est supérieure à 90 mA.h/g, avantageusement supérieure à 100 mA.h/g et de préférence comprise entre 100 et 137 mA.h/g ; la capacité massique théorique est déterminée au premier cycle de décharge. De préférence, la capacité massique dudit film d'oxyde de métaux de transition après plus de 20 cycles de décharge est au moins supérieure à 70% de la capacité massique théorique. De préférence, la capacité massique dudit film d'oxyde de métaux de transition après plus de 100 cycles de décharge est au moins supérieure à 65% de la capacité massique théorique mesurée à un régime de C/10. La capacité spécifique réversible théorique est communément admise comme étant la moitié de la quantité théorique d'ions qui peuvent être insérés ou extraits dans un gramme de matériau d'électrode. Dans le cas du LiCo02, la capacité spécifique réversible théorique est de 137 m Ah/g.
[0052] Selon un second aspect de l'invention, un sol est fourni. Ledit sol comprend un ou plusieurs précurseurs, de préférence deux ou plus que deux précurseurs, tels que définis dans la présente invention, un agent chélatant choisi parmi les di- ou tri-acides carboxyliques aliphatiques comprenant de 2 à 20 atomes de carbone, les sels ou les mélanges de ceux-ci, et un solvant organique polaire ayant une température d'ébullition à pression atmosphérique inférieure à Ι δΟ 'Ό.
[0053] Ainsi, ledit sol peut comprendre :
- un ou plusieurs précurseurs contenant un ou plusieurs des éléments A, M, Z et O sélectionnés parmi le groupe consistant en les sels ou les hydroxydes de lithium, sodium, potassium, cobalt, nickel, manganèse, fer, cuivre, titane, chrome, vanadium, zinc, et les sels de l'acide phosphorique, l'acide borique ou un dérivé de celui-ci, et leurs mélanges;
- un agent chélatant choisi parmi les acides di- ou tri-carboxyliques aliphatiques comprenant de 2 à 20 atomes de carbone, les sels ou les mélanges de ceux-ci ; et
- un solvant organique polaire ayant une température d'ébullition à pression atmosphérique inférieure à Ι δΟ 'Ό.
[0054] Avantageusement, lorsque l'agent chélatant est choisi parmi les acides dicarboxyliques, celui-ci peut être l'acide oxalique, malonique, succinique, glutarique, adipique, maléique, fumarique, pimélique, subérique, azélaïque, sébacique, glutaconique et itaconique, les sels et les mélanges de ceux-ci. De préférence, l'acide tricarboxylique peut être l'acide citrique, l'acide isocitrique, l'acide aconitique, l'acide propane-1 ,2,3-tricarboxylique ou l'acide oxalosuccinique ; en particulier l'acide tricarboxylique est l'acide citrique.
[0055] En particulier, ledit sol comprend
un sel ou un hydroxyde de lithium ou de sodium, ou leur mélange, un sel ou un hydroxyde de cobalt, de nickel, de titane, de chrome ou de manganèse, ou leur mélange,
l'acide adipique ou l'acide succinique ou un sel de ceux-ci.
un solvant organique polaire ayant une température d'ébullition à pression atmosphérique inférieure à 150 'C.
De préférence, ledit sol comprend un sel de lithium, un sel de cobalt, l'acide adipique ou un sel de celui-ci et un solvant organique polaire ayant une température d'ébullition à pression atmosphérique inférieure à 150°C. Ledit sol présente avantageusement une viscosité inférieure à 100 centipoises (0,1 Pa.s), de préférence inférieure à 50 centipoises (0,05 Pa.s), en particulier inférieure à 10 centipoises (0,01 Pa.s). Ledit sol permet la préparation de films d'oxyde de métaux de transition. Ces derniers présentent une bonne adhérence sur un substrat métallique et peuvent donc être avantageusement utilisé comme matériau d'électrode, par exemple dans des microbatteries. De préférence, le sol peut contenir également l'agent stabilisant. L'agent stabilisant peut être choisi parmi le groupe consistant en l'eau ou un acide carboxylique comprenant de 1 à 20 atomes de carbone ou un sel de celui-ci ou un mélange de ceux-ci. L'agent stabilisant est différent de l'agent chélatant. Ledit acide carboxylique est donc de préférence un monoacide, de préférence un monoacide aliphatique. L'acide carboxylique peut être l'acide méthanoïque, l'acide acétique, l'acide propanoïque, l'acide butanoïque, l'acide pentanoïque, l'acide hexanoïque, l'acide octanoïque, l'acide nonanoïque et l'acide décanoïque. En particulier, l'agent stabilisant peut être l'eau, l'acide acétique, l'acide propanoïque, l'acide butanoïque, l'acide pentanoïque. La proportion d'agent stabilisant dans le sol peut être comprise entre 0,1 et 30%, de préférence entre 1 et 20% de la quantité en poids de solvant contenu dans le sol. En particulier, le sol selon la présente invention peut être homogène, c'est-à-dire, ne présenter aucunes particules en suspension, de préférence aucunes particules ayant une dimension supérieure à 2μηι, avantageusement supérieure à 1 μηι, de préférence supérieure à 0,5 μηι, en particulier supérieure à 0,2 μηι.
[0056] Comme mentionné ci-dessus, le film d'oxyde de métaux de transition tel que décrit dans la présente invention peut être utilisé comme matériau d'électrode, de préférence comme matériau d'une électrode positive. Ladite électrode peut ainsi être utilisée dans une microbatterie. De préférence, le film d'oxyde de métaux de transition selon la présente invention utilisé comme matériau d'électrode est obtenu par les étapes a) à c) ou a) à c") ou a) à d) du procédé selon la présente invention. Le film d'oxyde de métaux de transition tel que décrit dans la présente invention peut être utilisé dans une pile à combustible. Le film d'oxyde de métaux de transition selon la présente invention peut être utilisé comme matériau de protection de matériau d'électrode, de préférence dans des piles à combustibles. Ainsi, ledit film d'oxyde de métaux de transition peut être déposé sur tout ou partie de la surface d'une anode ou d'une cathode.
[0057] Exemples
[0058] Protocole général pour la préparation d'un film d'oxyde de métaux de transition selon la présente invention.
[0059] Une solution de départ est tout d'abord préparée. A cette fin, les précurseurs de métaux de transition sont mélangés puis la quantité de solvant nécessaire à la solubilisation des précurseurs est ajoutée. La quantité de solvant peut être augmentée pour ajuster la viscosité désirée de la solution. La solution est agitée pendant 1 heure à température, pression et atmosphère ambiantes (entre 20 et 25 'Ό). Après 1 heure, l'agent stabilisant et l'agent chélatant sont ajoutés. Ces deux ajouts sont réalisés sous agitation et à température, pression et atmosphère ambiante. L'agitation est maintenue pendant 12 heures pour permettre la formation d'un sol.
[0060] Préparation du film d'oxyde de métaux de transition à partir du sol préparé précédemment.
[0061 ] Le sol est pulvérisé sur un substrat, de préférence métallique, sous atmosphère ambiante. Le débit à la tête d'injection (Nordson, modèle EFD 781 ) du dispositif de pulvérisation est de 0,12 g à 0,16 g de solution par seconde (pour une solution ayant une viscosité inférieure à 0,1 Pa.s) et la vitesse de déplacement latéral de celle-ci est de 50 cm/s. La quantité de matière projetée sur le substrat peut dépendre de la concentration du sol ou des paramètres ci-dessus. De manière générale, des films de 0,1 à 0,2 μηι d'épaisseur sont préparés à chaque passage. La multiplicité des passages peut être effectuée pour atteindre l'épaisseur désirée. Le film est séché sous vide à 60°C (1 h), puis calciné sous air (atmosphère non contrôlée). Une fois l'épaisseur du film désirée atteinte, un recuit final est optionnellement réalisé.
[0062] Procédure pour déterminer la rugosité.
[0063] La rugosité Ra des surfaces correspond à la moyenne arithmétique des valeurs absolues des écarts entre le profil et une ligne moyenne de ce profil, elle est exprimée en microns. Elle a été mesurée au moyen d'un profilomètre par contact de marque Dektak (fournisseur Bruker) dont le stylet présente un rayon de courbure de 12,5 microns.
[0064] Procédure pour déterminer la viscosité
[0065] La viscosité exprimée en Pa.s ou centipoise est mesurée à l'aide d'un viscosimètre LVDVE de marque Brookfield.
[0066] Procédure pour déterminer l'adhérence.
[0067] L'adhérence est mesurée après la mise en œuvre dudit sol sous forme dudit film d'oxyde de métaux de transition. Ainsi, l'adhérence peut être mesurée après la mise en œuvre de l'étape c') de dépôt d'une ou plusieurs couches, de préférence après ledit traitement thermique ; après la mise en œuvre de l'étape c") de calcination ou après l'étape d) de recuit dudit film d'oxyde de métaux de transition. La mesure de l'adhérence est effectuée tout d'abord par simple inclinaison du substrat une fois recouvert par une ou plusieurs couches dudit sol (étape c'). Lesdites une ou plusieurs couches déposées sont considérées comme adhérant au substrat si elles ne se détériorent pas sous l'effet de l'inclinaison. Un test de frottement est alors effectué et consiste à passer le doigt ou un chiffon sec sur le substrat recouvert dudit film d'oxyde de métaux de transition, i.e. après calcination (étape c"). Une inspection visuelle du substrat revêtu permet d'évaluer la mesure de l'adhérence du revêtement. Un revêtement étant défini comme adhérant au substrat lorsqu'au moins une couche dudit film d'oxyde de métaux de transition restait sur le substrat.
[0068] Procédure pour déterminer les performances électrochimiques des matériaux.
[0069] Les performances électrochimiques des matériaux sont évaluées par des mesures de cyclage en mode galvanostatique avec limitation de potentiel. La capacité massique du matériau est évaluée en intégrant le courant traversant le matériau durant chaque cycle de charge (ou de décharge) rapporté à la masse déposée.
[0070] Procédure pour déterminer la pureté des matériaux
La pureté des matériaux peut être évaluée par diffraction des rayons X (DRX) et par voltampérométrie cyclique où le courant est mesuré en fonction d'incréments de potentiel.
[0071 ] Procédure pour déterminer l'homogénéité d'une formulation telle qu'un sol L'homogénéité d'une formulation telle qu'un sol est évaluée à l'œil nu pour constater la présence ou l'absence d'une formulation transparente. La formulation est en outre filtrée sur un filtre de 0,2 micron (type Nylon acrodisc de marque PALL). Le filtrat est ainsi considéré comme homogène.
[0072] Exemple 1 : Préparation d'un film de LiCo02 selon l'invention
[0073] La solution est préparée en mélangeant 2 g de CoAc2.4H20 (acétate de cobalt hydraté) et 0,53 g d'acétate de lithium sur lesquels 15 ml de méthanol sont ajoutés. La quantité de méthanol était suffisante pour permettre la solubilisation des sels de cobalt et de lithium. Ces derniers sont en quantité équimolaire. La solution est agitée pendant 1 heure à température ambiante (entre 20 et 25°C). Après 1 heure, 2 ml d'acide acétique concentré (96%) puis de 0,85 g d'acide adipique sont ajoutés. Ces deux ajouts sont réalisés sous agitation et à température ambiante. L'agitation est maintenue pendant 12 heures pour permettre la formation du sol. Le sol est déposé par pulvérisation sur un substrat métallique (Si02/Ti02/Pt), porté à une température proche de 80 °C. A chaque passage, un film d'une épaisseur de 0,1 à 0,2 μηι est réalisé. Après 10 passages, le film possède une épaisseur de 1 à 2 μηι. Tous les 10 passages, le film est séché sous vide à 60 'C (1 h), puis calciné sous air (atmosphère non contrôlée) pendant 15 minutes à 540°C. Une fois l'épaisseur du film désirée atteinte, un recuit final de 2h à la température de 540 °C est réalisé. Le film de LiCo02 présente une bonne adhérence sur le substrat. La figure 1 représente la courbe de cyclage électrogalvanostatique d'un film de LiCo02 préparé selon l'exemple 1 . Une capacité massique initiale de décharge de 1 12 mAh/g est calculée pour le premier cycle et de 99 mAh/g pour le cinquième cycle.
[0074] Exemple 2 (invention)
[0075] L'exemple 1 est répété en substituant le méthanol (15 ml) par l'éthanol
(25 ml). Le film de LiCo02 présente une bonne adhérence sur le substrat utilisé (Si02/Ti02/Pt).
[0076] Exemple 3 (invention)
[0077] L'exemple 1 est répété en substituant l'acide acétique par de l'eau (0,5 ml). Le substrat métallique est de l'acier. Une bonne adhérence du film de LiCo02 sur le substrat est observée.
[0078] Exemple 4 (invention) [0079] L'exemple 1 est répété sans ajouter d'agent stabilisant, i.e. sans ajout d'acide acétique. La quantité de solvant est fixée à 25 ml. Une bonne adhérence du film de LiCo02 sur le substrat (Si02/Ti02/Pt) est observée.
[0080] Exemple 5 (invention)
[0081 ] L'exemple 1 est répété sans ajouter d'agent stabilisant et en substituant
5 ou 10 % de l'acide adipique par une quantité équivalente d'acide citrique ; par équivalence, il faut entendre ici une quantité molaire présentant un nombre identique de fonction acide. Le film de LiCo02 adhère correctement sur le substrat métallique (Si02/Ti02/Pt).
[0082] Exemple 6 (invention)
[0083] Une solution est préparée en mélangeant 4,68 g de Co(N03)2.6H20
(nitrate de cobalt hexahydrate) et 1 ,06 g d'acétate de lithium sur lesquels 50 ml d'éthanol sont ajoutés. Une fois la solution transparente, 4 ml d'acide acétique (agent stabilisant) et 1 ,7 g d'acide adipique (agent chélatant) sont ajoutés. Un substrat en acier est recouvert par spray coating de 72 couches de solution entrecoupées de plusieurs séquences de traitement thermiques ou de calcination à 540 ^ puis est ensuite recuit pendant 6 h à 540^ pour former une électrode. Les performances électrochimiques des électrodes ainsi préparées sont illustrées aux figures 3a et 3b. Les figures 3a et 3b représentent respectivement un cyclage voltamétrique et un voltampérométrie cyclique du film de LiCo02 déposé sur l'électrode. Il démontre une bonne cristallisation du LiCo02. Le cyclage voltamétrique montre sans ambiguïté la présence de trois pics redox à 3,95V, 4,06V et 4,18V. La figure 3b indique le tracé des capacités de charge et décharge en fonction du nombre de cycles subis par l'électrode. De cette figure on peut déduire que la capacité spécifique d'insertion est de 80% de la capacité spécifique théorique (137 mA.h/g) après 5 cycles et de plus de 70% après 20 cycles, et de 65% après 100 cycles.
[0084] Exemple 7 (comparatif)
[0085] L'exemple 1 est répété en substituant l'acide adipique par l'acide acrylique (0,88 ml). Au cours du séchage, la rugosité du film augmente. Le film précipite sur l'électrode.
[0086] Exemple 8 (comparatif)
[0087] Une solution est préparée en dispersant 0,53g d'acétate de lithium
(LiAc) et 2g d'acétate de cobalt (Co(Ac)2.4H20) dans 8ml d'eau. 1 ,1 ml d'acide acrylique sont ajoutés ultérieurement. La quantité d'eau ajoutée est la quantité minimale nécessaire pour dissoudre les précurseurs et l'acide acrylique. La quantité d'acide acrylique est équimolaire par rapport à la quantité d'ions métalliques (Li + Co). La mouillabilité de la solution est mauvaise sur les substrats métalliques ; en particulier sur le platine. Les films sont d'épaisseur très irrégulière, avec une rugosité visible à l'œil nu. Les films sont difficiles à sécher et des bulles apparaissent lors de la calcination. L'adhérence du film sur le substrat métallique est faible voire inexistante.
[0088] Exemple 9 (comparatif)
[0089] L'exemple 8 est répété en remplaçant l'eau par l'éthylène glycol. La viscosité élevée de la solution, due à la viscosité de l'éthylène glycol ne facilite pas la technique de dépôt par spray ou pulvérisation. La mouillabilité de la solution sur le substrat est mauvaise. Il en résulte toujours des films inhomogènes d'épaisseur très variable. L'adhérence du film sur le substrat est mauvaise.
[0090] Le tableau 1 ci-dessous détaille les données et les résultats des exemples 1 à 9 tels que décrits ci-dessus. L'utilisation spécifique d'un agent chélatant selon la présente invention et d'un solvant organique polaire selon la présente invention permet la préparation de films minces d'oxyde de métaux de transition qui adhèrent suffisamment au substrat sur lequel lesdits films ont été déposés. Les exemples comparatifs démontrent que l'utilisation d'eau comme solvant des précurseurs ou d'acide acrylique comme agent chélatant diminue considérablement les capacités d'adhérence du film sur un substrat tel que le platine. La combinaison spécifique d'un agent chélatant et d'un solvant organique polaire telle que prévu selon la présente invention permet en outre de préparer des films d'oxyde de métaux de transition aptes à être utilisés comme matériaux d'électrode, plus particulièrement comme matériaux de cathode.
Tableau 1 - Données relatives à la formation d'un film d'oxyde de métaux de transition et son adhésion sur un substrat
Exemple 10 (invention)
[0091 ] La solution est préparée en mélangeant 2 g de CoAc2.4H20 (acétate de cobalt hydraté) et 0,53 g d'acétate de lithium sur lesquels 15 ml de méthanol sont ajoutés. De l'acide adipique est utilisé comme agent chélatant (1 ,05 g) et de l'eau est utilisée comme stabilisant (0,5 ml) pour former un sol. A partir de celui-ci, un film de structure monocouche et deux films de structure multicouches comprenant respectivement trois et cinq couches sont réalisés. Un traitement thermique à 60 °C sous vide est effectué après le dépôt de l'entièreté des couches correspondantes. La calcination est effectuée sur chacun des films à une température de 540 °C pendant 15 min. Les films ainsi formés sont soumis à une étape de recuit effectuée à 400 °C. Le tableau 2 détaille les caractéristiques de chacun des films obtenus après calcination et après recuit.
Tableau 2
[0092] Exemple 11 (invention)
[0093] Une solution est préparée en mélangeant 6 g de CoAc2.4H20 et 1 ,574 g d'acétate de lithium dans 50ml de méthanol. Cette solution est agitée pendant 30 min. à température ambiante avant d'ajouter 5 ml d'acide acétique concentré (96%) puis 2,303 g d'acide succinique. L'agitation est maintenue pendant 5 heures. La solution est déposée par spray coating sur un disque d'acier de 13 mm de diamètre recouvert d'une mince couche de platine (100 nm) porté à une température proche de 80 °C. Après 10 passages, le film est séché sous vide à 70 °C puis calciné dans un four préchauffé à 540°C pendant 15 min. Dix nouvelles couches sont ensuite déposées sur le premier dépôt dans les mêmes conditions. Le film est à nouveau séché puis calciné dans les mêmes conditions. Un recuit est également appliqué au film (montée de 100° à 540°C en 30 minutes, 5h à 540°C puis diminution de 540 *0 à 100°C en 30 minutes). La quantité de matière active sur le disque est comprise entre 1 ,1 et 1 ,2 mg. La capacité en décharge de ce matériau est comprise entre 95 et 100 mAh/g pour le premier cycle et supérieure à 90 mAh/g pour le dixième.
[0094] Exemple 12 (Invention)
[0095] Une solution est préparée en mélangeant 6 g de CoAc2.4H20 (acétate de cobalt) et 1 ,57 g d'acétate de lithium sur lesquels 50 ml de méthanol sont ajoutés. Après dissolution des réactifs, 5 ml d'acide acétique (agent stabilisant) et 2,85 g d'acide adipique (agent chélatant) sont ajoutés. Le film est formé par déposition de 30 couches de solution sur un disque de platine calciné pendant 15 minutes à 540 ^ puis recuit à 540 °C pendant 6 heures. La performance électrochimique des électrodes ainsi préparées est illustrée à la figure 4. La figure 4 représente le tracé des capacités de charge et décharge en fonction du nombre de cycles subis par l'électrode. De cette figure on peut déduire que la capacité spécifique d'insertion est de 73% de la capacité spécifique théorique (137 mAh/g) après 20 cycles et de 65% après 100 cycles.
[0096] Exemple 13 : Préparation d'un film de Li4Mn5012 selon l'invention
[0097] Une solution est préparée en dissolvant 1 g d'acétate de lithium et 4,67g de nitrate de manganèse (Mn(N03)2.4H20) dans 25ml d'éthanol. Une fois la dissolution des sels complète, 3 ml d'acide acétique (96%) et 2,24g d'acide adipique sont ajoutés. La calcination des électrodes est réalisée à 400 ^. Le recuit final est également effectué à 400 ^ pendant 10h. Les films sont réalisés sur électrodes d'acier inoxydable de 16mm de diamètre, par déposition successive de plusieurs couches de précurseurs par spray-coating. La figure 5 représente une voltampérométrie cyclique d'un film de Li4Mn50i2 préparé selon le présent exemple et démontre la pureté de la matière active. Les performances électrochimiques mesurées à un régime de C/10 sont présentées dans le tableau 3. Ce tableau montre une capacité massique de plus de 90% de la capacité massique théorique après 30 cycles.
Tableau 3
[0098] Le procédé selon la présente invention permet de préparer également un film mince de métaux de transition de structure multicouche. Ce film présente aussi une forte adhérence au substrat métallique et une faible rugosité à sa surface. Le présent procédé permet également de travailler à plus basse température que les procédés décrits dans l'art antérieur où la température de calcination est généralement de 750 <€ ou 800 °C.
[0099] Les termes et descriptions utilisés ici sont proposés à titre d'illustration seulement et ne constituent pas des limitations. L'homme du métier reconnaîtra que de nombreuses variations sont possibles dans l'esprit et la portée de l'invention telle que décrite dans les revendications qui suivent et leurs équivalents ; dans celles-ci, tous les termes doivent être compris dans leur acception la plus large à moins que cela ne soit indiqué autrement.

Claims

Revendications
1 . Procédé pour la fabrication de films d'oxyde de métaux de transition de formule AaMbZcOd dans laquelle
A est un métal alcalin, avantageusement A est choisi parmi le groupe consistant en Li, Na et K, ou leur mélange;
M est un métal ou un mélange de métaux choisi parmi les métaux de transition, les lanthanides ou les actinides, de préférence M est un métal ou un mélange de métaux de transition choisi parmi les éléments des colonnes 3 à 12 du tableau périodique, avantageusement M est choisi parmi le groupe consistant en Co, Ni, Mn, Fe, Cu, Ti, Cr, V et Zn, et leurs mélanges ;
Z est un élément chimique ou un mélange d'éléments chimiques choisi parmi les colonnes 13 à 1 5 du tableau périodique, de préférence Z est choisi parmi le groupe consistant en B, N, P, Al, Si, Ge, In, Sn et Ga ;
O est l'oxygène,
c est un nombre réel supérieur ou égal à 0 ; a, b et d sont des nombres réels supérieurs à 0 ; a, b, c et d sont choisis de manière à assurer l'électroneutralité ; ledit procédé comprenant les étapes suivantes :
a) préparation d'une solution comprenant un ou plusieurs, de préférence deux ou plus que deux, précurseurs contenant un ou plusieurs des éléments A, M, Z et O, un agent chélatant et un solvant organique polaire ayant une température d'ébullition à pression atmosphérique inférieure à 150 °C,
b) maintien de ladite solution sous agitation pour former un sol, c) mise en œuvre du sol sous forme dudit film d'oxyde de métaux de transition par :
c') dépôt d'une ou plusieurs couches dudit sol sur un substrat et c") calcination desdites une ou plusieurs couches formées à l'étape c') pour préparer ledit film d'oxyde de métaux de transition, caractérisé en ce que
l'agent chélatant est choisi parmi les di- ou tri-acides carboxyliques aliphatiques comprenant de 2 à 20 atomes de carbone, les sels ou les mélanges de ceux-ci, et en ce que ladite calcination à l'étape c") est réalisée à une température comprise entre 250 °C et 725°C.
2. Procédé selon la revendication 1 caractérisé en ce que ladite solution préparée à l'étape a) comprenant également un agent stabilisant choisi parmi le groupe consistant en l'eau ou un acide carboxylique comprenant de 1 à 20 atomes de carbone ou un sel de celui-ci ou un mélange de ceux-ci, l'agent stabilisant étant différent de l'agent chélatant.
3. Procédé selon l'une quelconque des revendications précédentes caractérisé en ce que ledit film d'oxyde de métaux de transition préparé est de formule AaMbOd dans laquelle A est choisi parmi le groupe consistant en Li, Na et K; M est choisi parmi le groupe consistant en Co, Ni, Mn, Fe, Cu, Ti, Cr, V et Zn; O est l'oxygène ; a, b et d sont des nombres réels supérieurs à 0 et choisis de manière à assurer l'électroneutralité.
4. Procédé selon l'une quelconque des revendications précédentes caractérisé en ce que le sol formé à l'étape b) a une viscosité inférieure à 0,1 Pa.s.
5. Procédé selon l'une quelconque des revendications précédentes caractérisé en ce que l'agent chélatant est choisi parmi les diacides carboxyliques aliphatiques comprenant de 2 à 10 atomes de carbone, leurs sels ou leurs mélanges ; ou l'acide citrique.
6. Procédé selon l'une quelconque des revendications précédentes caractérisé en ce que le solvant est choisi parmi le méthanol, éthanol, propan-1 -ol, isopropanol, butanol, pentanol, acétone, butanone, tétrahydrofurane, dimethylformamide, acétonitrile, éther diéthylique, dichlorométhane, 2-methoxyethanol et l'acétate d'éthyle.
7. Procédé selon l'une quelconque des revendications précédentes caractérisé en ce que lesdits un ou plusieurs, de préférence deux ou plus que deux, précurseurs de l'étape a) sont sélectionnés parmi le groupe consistant en les sels ou les hydroxydes de lithium, sodium, potassium, cobalt, nickel, manganèse, fer, cuivre, titane, chrome, vanadium et zinc, des sels de l'acide phosphorique, l'acide borique ou un dérivé de celui-ci, et leurs mélanges.
8. Procédé selon l'une quelconque des revendications précédentes caractérisé en ce que lesdits un ou plusieurs, de préférence deux ou plus que deux, précurseurs de l'étape a) comprennent un premier précurseur choisi parmi les sels ou les hydroxydes de lithium ou de sodium, et un second précurseur choisi parmi les sels ou les hydroxydes de cobalt, de nickel ou de manganèse.
9. Procédé selon l'une quelconque des revendications précédentes caractérisé en ce que l'agent chélatant est choisi parmi l'acide oxalique, l'acide succinique, l'acide adipique, l'acide citrique ou les sels de ceux-ci ou leur mélange.
10. Procédé selon l'une quelconque des revendications précédentes caractérisé en ce que ledit film d'oxyde de métaux de transition a une épaisseur moyenne comprise entre 0,01 μηι et 250 μηι.
1 1 . Procédé selon l'une quelconque des revendications précédentes caractérisé en ce que ledit film d'oxyde de métaux de transition a une structure mono ou multicouche, chaque couche ayant une épaisseur comprise entre 0,01 et 2,5 μηι.
12. Procédé selon l'une quelconque des revendications précédentes caractérisé en ce que ledit substrat comprend du carbone, du platine, de l'or, de l'inox, du platine sur silice, de ΓΙΤΟ, du platine sur une tranche de silice ou des alliages métalliques comprenant au moins deux des éléments sélectionnés parmi le nickel, le chrome et le fer.
13. Procédé selon l'une quelconque des revendications précédentes caractérisé en ce que le substrat présente une rugosité Ra inférieure à 500 nm.
14. Procédé selon l'une quelconque des revendications précédentes caractérisé en ce l'étape c') est réalisée par spin coating, dip coating, spray coating, slide coating, screen printing, inkjet printing ou roll coating.
15. Procédé selon l'une quelconque des revendications précédentes caractérisé en ce que un traitement thermique est effectué à une température inférieure à 250 ^ pour sécher lesdites couches déposées à l'étape c') avant l'étape c") de calcination.
16. Procédé selon l'une quelconque des revendications précédentes caractérisé en ce que le film d'oxyde de métaux de transition préparé est choisi parmi le groupe consistant en LiCo02, LiMn02, LiNio.5Mn1.5O4, LiCro.5Mn1.5O4, LiCoo.5Mn1.5O4, LiCoMn04, LiNio.5Mno.5O2, LiNii/3Mni/3Coi/302 3, LiNio.8Coo.2O2, LiNio.5Mni .5-zTiz04 où z est un nombre entre 0 et 1 ,5, LiMn204, LiNi02, LiFeP04, LixCoP04 où x est un nombre valant 0,90, 0,95, 1 ou 1 ,05, Li4Mn50i2, LiMnP04 et Li4Ti5012, de préférence LiNi02, Li4Mn50i2, LiMn204, LiMn02, LiCo02, Li4Ti5012-
17. Sol comprenant un ou plusieurs précurseurs contenant un ou plusieurs des éléments A, M, Z et O tel que défini à la revendication 1 , un agent chélatant choisi parmi les di- ou tri-acides carboxyliques aliphatiques comprenant de 2 à 20 atomes de carbone, les sels ou les mélanges de ceux-ci et un solvant organique polaire ayant une température d'ébullition à pression atmosphérique inférieure à 150°C
18. Sol selon la revendication 17 comprenant :
- deux ou plusieurs précurseurs choisi parmi un sel ou un hydroxyde de lithium, sodium, potassium, cobalt, nickel, manganèse, fer, cuivre, titane, chrome, vanadium, zinc, et les sels de l'acide phosphorique, l'acide borique ou un dérivé de celui-ci, et leurs mélanges ;
- un agent chélatant choisi parmi les di- ou tri-acides carboxyliques aliphatiques comprenant de 2 à 20 atomes de carbone, les sels ou les mélanges de ceux-ci ; et
- un solvant organique polaire ayant une température d'ébullition à pression atmosphérique inférieure à l ôO 'C.
19. Sol selon les revendications 17 ou 18 comprenant :
un sel ou un hydroxyde de lithium ou de sodium, ou leur mélange,
- un sel ou un hydroxyde de cobalt, nickel ou manganèse, ou leur mélange,
- l'acide adipique, l'acide succinique, l'acide citrique ou l'acide oxalique ou un sel de ceux-ci,
un solvant organique polaire ayant une température d'ébullition à pression atmosphérique inférieure à l ôO 'C.
20. Sol selon l'une quelconque des revendications 17 à 19 caractérisé en ce qu'il comprend un sel de lithium, un sel de cobalt, l'acide adipique ou un sel de celui-ci et un solvant organique polaire ayant une température d'ébullition à pression atmosphérique inférieure à 150 °C.
21 . Sol selon l'une quelconque des revendications 17 à 20 caractérisé en ce qu'il a une viscosité inférieure à 0, 1 Pa.s.
22. Sol selon l'une quelconque des revendications 1 7 à 21 comprenant un agent stabilisant choisi parmi le groupe consistant en l'eau ou un acide carboxylique comprenant de 1 à 20 atomes de carbone ou un sel de celui-ci ou un mélange de ceux-ci, l'agent stabilisant étant différent de l'agent chélatant.
23. Sol selon la revendication précédente dans lequel l'agent stabilisant est choisi parmi l'eau, l'acide acétique, l'acide propanoïque, l'acide butanoïque ou l'acide pentanoïque.
24. Sol selon les revendications 22 ou 23 dans lequel la proportion d'agent stabilisant dans le sol peut être comprise entre 0, 1 et 30%, de préférence entre 1 et 20% de la quantité en poids de solvant contenu dans le sol.
25. Sol selon l'une quelconque des revendications 17 à 24 caractérisé en ce qu'il est homogène, de préférence ledit sol ne contient pas de particules ayant une dimension supérieure à 2μηι.
26. Utilisation d'un film d'oxyde de métaux de transition préparé selon l'une quelconque des revendications 1 à 16 comme matériau d'électrode, de préférence d'une électrode positive.
27. Utilisation d'un film d'oxyde de métaux de transition préparé selon l'une quelconque des revendications 1 à 16 comme matériau de protection d'un matériau d'électrode.
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