EP2443674A2 - Optoelectronic semiconductor component - Google Patents

Optoelectronic semiconductor component

Info

Publication number
EP2443674A2
EP2443674A2 EP10720408A EP10720408A EP2443674A2 EP 2443674 A2 EP2443674 A2 EP 2443674A2 EP 10720408 A EP10720408 A EP 10720408A EP 10720408 A EP10720408 A EP 10720408A EP 2443674 A2 EP2443674 A2 EP 2443674A2
Authority
EP
European Patent Office
Prior art keywords
filter means
semiconductor chip
optoelectronic semiconductor
component
radiation
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Withdrawn
Application number
EP10720408A
Other languages
German (de)
French (fr)
Inventor
Gertrud KRÄUTER
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Ams Osram International GmbH
Original Assignee
Osram Opto Semiconductors GmbH
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Osram Opto Semiconductors GmbH filed Critical Osram Opto Semiconductors GmbH
Publication of EP2443674A2 publication Critical patent/EP2443674A2/en
Withdrawn legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/44—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the coatings, e.g. passivation layer or anti-reflective coating
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/50—Wavelength conversion elements
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/52—Encapsulations
    • H01L33/56—Materials, e.g. epoxy or silicone resin

Definitions

  • An optoelectronic semiconductor component is specified.
  • Luminescence conversion element is given in the document US 2007/0018102 A1.
  • An object to be solved is to specify an optoelectronic semiconductor component which is particularly resistant to aging.
  • the housing base body is an injection molded part of a plastic, a resin or a silicone, which may be formed on electrical lead frames. It is also possible that the housing base body comprises or consists of a printed circuit board.
  • the printed circuit board can have a ceramic carrier or a metal carrier, on and / or in which electrically insulating and / or electrically conductive coatings can be applied to form conductor tracks and / or connection points.
  • the optoelectronic semiconductor component comprises at least one optoelectronic semiconductor chip which is attached to the base body.
  • the optoelectronic semiconductor chip is to arranged to emit a primary radiation, wherein the primary radiation contains an ultraviolet radiation component, short UV radiation component.
  • the optoelectronic semiconductor chip is a light emitting diode or a semiconductor laser chip.
  • the UV radiation component can be any UV radiation component.
  • ultraviolet radiation may mean that the radiation has wavelengths between 200 nm and 400 nm inclusive.
  • the latter comprises a filter means which is set up to absorb the UV radiation component of the primary radiation. That is, by the filter means of the UV radiation fraction after passing through the filter means to at least 50%, preferably at least 80%, more preferably at least 95% attenuated.
  • the filter medium is located completely or partially between the semiconductor chip and the housing base body. At least part of the UV radiation component of the primary radiation emitted by the semiconductor chip is thus prevented by the filter medium from reaching the housing base body.
  • the filter medium is located partly or completely between the semiconductor chip and an optical component.
  • the optical component may be a lens and / or a reflector. It is possible that the optical component is a component of the semiconductor device itself.
  • the filter means is that is, the amount of UV radiation that reaches the optical component can be reduced, compared to a semiconductor component without such a filter medium.
  • the UV radiation component at a total optical power of the primary radiation makes up a proportion of between 0.1% and 4.0%.
  • the UV radiation fraction based on the total optical power, is preferably between 0.2% and 3.0%, in particular between 0.25% and 2.5%.
  • the remaining radiation fraction which for example only has wavelengths greater than 400 nm, is preferably in the visible spectral range. That is, the amount of UV radiation emitted from the semiconductor chip
  • the optoelectronic semiconductor component has a housing base body and at least one optoelectronic semiconductor chip, which is attached to the housing base body.
  • the optoelectronic semiconductor chip emits a primary radiation, the primary radiation having a UV radiation component. Furthermore, this includes
  • a filter means which is adapted to absorb the UV radiation component of the primary radiation, wherein the filter means at least partially between the semiconductor chip and the housing base and / or between the semiconductor chip and an optical
  • the UV radiation fraction based on a total optical power of the primary radiation, is between 0.1% and 4.0% inclusive.
  • short-wave radiation ie in particular ultraviolet radiation with wavelengths less than or equal to 400 nm
  • discoloration of a housing base body, of a potting body surrounding the semiconductor chip or of optical elements molded from a plastic may occur.
  • a discoloration for example, a reflectance of a housing base body is lowered and thereby a Lichtauskoppeleffizienz also reduced from the semiconductor device.
  • Such discoloration can be prevented or significantly slowed down by preventing ultraviolet radiation from reaching the housing base or the optical element. This can be realized by the filter means, which is preferably in spatial proximity to the semiconductor chip.
  • the UV radiation component of the primary radiation is absorbed near the chip, or at least greatly reduced, so that the UV radiation component, for example, does not reach the housing base body. Since the proportion of UV radiation is relatively low, an efficiency of the semiconductor device is not significantly deteriorated by the filter means itself.
  • the filter medium is epitaxially deposited on the semiconductor chip in at least one layer.
  • the filter medium can thus consist of an epitaxially grown layer.
  • the filter means preferably has a different material composition than the semiconductor chip.
  • the filter means then comprises one or more InGaN layers epitaxially deposited on the semiconductor chip, which preferably exhibit an absorption edge at about 400 nm.
  • the filter medium can be directly on a Be grown semiconductor material of the semiconductor chip or be separated by an intermediate layer, for example by an electrically conductive layer of the semiconductor material of the semiconductor chip.
  • the filter medium comprises or consists of a titanium oxide, such as titanium dioxide, and / or a zinc oxide.
  • a titanium oxide or a zinc oxide is embedded in a matrix material of the filter medium.
  • the filter medium is attached in the form of a layer to the semiconductor chip.
  • the layer of the filter medium is completely or partially in direct
  • the semiconductor chip may be completely enclosed by the filter medium and the housing base body.
  • the filter means is sealed on a side facing away from the semiconductor chip with a silicon-containing layer.
  • the filter means then has a rough or porous surface facing away from the semiconductor chip, which is susceptible to oxidation, for example.
  • the silicon-containing for example, with a glass, a silicone or an epoxy-silicone hybrid material molded or existing layer, the filter medium is protected from environmental influences.
  • a material of the layer is different, in particular, from a material of a potting body.
  • the filter means is in direct contact with the semiconductor chip. That is, at least in places, the filter medium is in direct physical
  • the semiconductor material to which the filter medium is in direct contact is preferably grown epitaxially.
  • the filter medium is shaped as a small plate.
  • the plate is preferably mechanically self-supporting, that is, on a length scale of an edge length of the semiconductor chip, the plate does not bend or not significantly.
  • the platelet preferably comprises at least one phosphor.
  • the platelet may have as a matrix material for filter particles of the filter medium and / or for phosphor particles a silicone or a silicone epoxide.
  • the filter medium is located between a material in which the phosphor is embedded and the semiconductor chip.
  • the material with the phosphor may be in direct contact with the filter means and the filter means may be in direct contact with the semiconductor chip.
  • the chip with the filter particles is attached to the semiconductor chip and is preferably in direct contact therewith.
  • the plate covers a side facing away from the housing base top of the semiconductor chip completely. Between the plate and the semiconductor chip may be a bonding agent.
  • the platelet preferably has a thickness of between 5 ⁇ m and 100 ⁇ m inclusive, in particular between 10 ⁇ m and 60 ⁇ m inclusive.
  • the filter medium is added to a potting body, wherein the potting body partially or completely surrounds the semiconductor chip.
  • the potting body partially or completely surrounds the semiconductor chip.
  • the potting body fills a recess of the housing base, in which the semiconductor chip is mounted.
  • the filter medium is homogeneously distributed in the potting.
  • the filter medium is distributed inhomogeneous in the potting.
  • the potting body can be formed as an optical component.
  • a material of the potting body is for example a silicone, an epoxy and / or a plastic.
  • the filter medium comprises or consists of nanoparticles.
  • the nanoparticles preferably have an average diameter of between 0.5 nm and 100 nm.
  • the nanoparticles are designed as indicated in US 2004/0007169 A1, the disclosure of which is incorporated by reference to the nanoparticles.
  • the filter means is on at least one boundary surface of the housing base body and / or a optical component, which may be part of the semiconductor device applied.
  • the filter means may thus be present as a layer with a thickness of preferably at most 50 ⁇ m on at least one side of the housing base body and / or at least one side of the optical component.
  • the optical component is in places in direct contact with the housing base body and / or with the filter medium. That is, a material of the housing main body may be in direct contact with a material of the optical component.
  • the housing base body is formed from a transparent or white plastic.
  • photo damage can be caused by ultraviolet radiation, that is, in particular by radiation having wavelengths of between 200 nm and 400 nm inclusive.
  • the housing base body may therefore discolor, for example yellow.
  • the filter means a use of such materials for the housing base body is made possible, whereby manufacturing costs can be lowered.
  • Housing body can be used.
  • High temperature resistant in this case preferably means that the housing base body survives the occurring during soldering temperatures of, for example, at least 245 0 C over a period of at least 10 s non-destructive.
  • Such materials are for Example polyamides, especially polyphthalamide or short PPA, or provided with fillers and / or stabilizers polyamides, which show only a comparatively low stability to ultraviolet or blue radiation. The cost-increasing, a development of photo damage delaying fillers can be eliminated by the use of the filter means at least in part.
  • the filter medium is designed as a foil.
  • a layer thickness of the film is preferably between 10 ⁇ m and 100 ⁇ m inclusive, in particular between 25 ⁇ m and 75 ⁇ m inclusive.
  • the fact that the filter medium is a film may mean that the filter medium is made mechanically flexible.
  • the filter means on a length scale, which corresponds to an edge length, for example, of the optoelectronic semiconductor chip, be bendable. It is possible that the designed as a film filter medium is not mechanically self-supporting.
  • the filter means comprises a scattering means, wherein the scattering means is preferably made transparent or reflective for visible radiation.
  • the scattering agent is designed in particle form and introduced into the matrix material of the filter medium.
  • the filter medium is permeable, in particular clear, for visible light.
  • the filter means affects visible radiation, unlike ultraviolet radiation, not or not significantly.
  • FIGS 1 to 6 are schematic sectional views of embodiments of optoelectronic semiconductor devices described herein.
  • Figure 7 is a schematic representation of the dependence of a reflectance of titanium dioxide as a function of the wavelength.
  • a housing base 2 which is formed for example by a reflective, white, injection-molded plastic material, has a recess 10.
  • an optoelectronic semiconductor chip 3 for example, a light emitting diode, mounted.
  • electrical contacts or lead frames to which the semiconductor chip 3 is attached are not shown in the figures.
  • the recess 10 of the housing base body 2 is preferably completely filled with a potting body 6, so that the semiconductor chip 3 is completely surrounded by the potting body 6 and the housing base body 2.
  • the filter means 4 absorbs an ultraviolet radiation component, in short UV radiation component, of a primary radiation emitted by the semiconductor chip 3. This prevents that the UV radiation fraction of the primary radiation to the
  • Housing base 2 passes, or at least this UV radiation fraction of the primary radiation, the
  • Housing body 2 passes, considerably reduced. As a result, for example, a discoloration of the plastic material of the housing base body 2 is prevented or slowed down.
  • the UV radiation component only makes up a small proportion of the total radiation emitted by the semiconductor chip 3.
  • a visible radiation component emitted by the semiconductor chip 3 can preferably pass through the potting body 6 with the filter means 4 uninfluenced or substantially uninfluenced.
  • the filter means 4 is designed as an epitaxial layer 13.
  • the filter means 4 may be integrally formed with the semiconductor chip 3, indicated in Figure 2 by a dashed line. In one piece, it can mean that the filter means 4 is connected to the semiconductor chip 3 in a mechanically fixed and connectionless manner.
  • the filter means 4 is in direct contact with an epitaxially grown semiconductor material of the semiconductor chip 3.
  • the semiconductor chip 3 with the filter means 4 is located in the recess 10 of the housing base body 2.
  • lateral boundary surfaces of the recess 10 appear as straight line sections in a sectional illustration
  • lateral boundary surfaces according to FIG. 2 are the recess 10 curved.
  • the lateral boundary surfaces of the recess 10 can serve as a reflector, which reflects the emitted radiation from the semiconductor chip 3 targeted.
  • FIG. 3 shows that the filter means 4 is in the form of a layer on the semiconductor chip 3.
  • the filter medium 4 preferably comprises or consists of titanium dioxide.
  • the filter medium 4 is generated by sputtering or by a vapor deposition.
  • the filter means 4 and the semiconductor chip 3 are encapsulated by a silicon-containing layer 8.
  • the silicon-containing layer 8 for example, silicon dioxide, silicon nitride, a silicone or a glass, a photoreactivity of the filter means 4, ie in particular of
  • Titanium dioxide be suppressed.
  • an optical component for example in the form of a converging lens, is formed.
  • the optical component 7 may also be designed Fresnel-lens-like.
  • a mirror 11 which has a reflective effect on the primary radiation emitted by the semiconductor chip 3, is located between the housing base body 2 and the semiconductor chip 3. lateral
  • Boundary surfaces of the recess 10 are covered by the filter means 4, which is applied as a layer on the lateral boundary surfaces.
  • the layer is for example imprinted, vapor-deposited or sputtered on.
  • the filter means 4 preferably acts in a reflective manner for the proportion of primary radiation emitted by the semiconductor chip 3 with wavelengths in the visible spectral range.
  • a bottom surface of the recess 10, on which the semiconductor chip 3 and the mirror 11 are mounted is uncovered or substantially uncovered by the filter means 4, unlike in the exemplary embodiment according to FIG. 4B.
  • the semiconductor chip 3 furthermore has a comparatively large distance from the bottom surface of the recess 10. It is located between the semiconductor chip 3 and the bottom surface of the recess 10, an intermediate carrier 12, which is designed for example as a connection platform. With this configuration, it is particularly efficiently prevented that a UV radiation component of the primary radiation reaches the housing base body 2.
  • the filter means 4 is formed by a preferably mechanically self-supporting plate 5, which has a thickness of for example between 10 .mu.m and 100 .mu.m.
  • the filter means 4 prevents the UV radiation portion of the primary radiation from reaching the potting body 6 designed as an optical component 7, which, together with the planar-shaped housing base body 2, completely surrounds the semiconductor chip 3.
  • the filter medium 4 unlike, for example, in Figures 3 to 5, be formed as a mechanically flexible film. It is likewise possible for the filter medium to be applied in the form of a silicone paste, which in particular is admixed with a titanium oxide or a zinc oxide, on the semiconductor chip or else on boundary surfaces of the recess 10 or of the housing base body 2. The paste can then be cured in particular thermally.
  • Filter means 4 together with the housing base 2, the semiconductor chip 3 completely.
  • a mirror 11 not shown in FIG. 6 can be located between the semiconductor chip 3 and the housing base body 2.
  • the filter means 4 can also surround the semiconductor chip 3 in a lens-like shape. Such forms arise, for example, by the application of the filter means 4 in a dripping process.
  • a matrix material of the filter means 4 may be adapted to a material of the potting body 6, so that these materials show good adhesion properties to each other.
  • FIG. 7 illustrates a profile of a reflectivity R as a function of a wavelength ⁇ for titanium dioxide. Below about 400 nm, the reflectivity of titanium dioxide decreases significantly. In particular, in multiple reflections, for example when the filter means 4 has a plurality of filter particles on which the primary radiation is reflected many times, a UV radiation component with wavelengths below 400 nm from the primary radiation by such a filter means 4 effectively be filtered out. The non-reflected UV radiation component is absorbed in particular by the titanium dioxide.
  • the potting body and / or the filter medium may in each case also be accompanied by a phosphor, for example on yttrium-aluminum-garnet: cerium-based, which is adapted to convert a blue radiation component of the primary radiation partially or completely into a longer-wave radiation.
  • a phosphor for example on yttrium-aluminum-garnet: cerium-based, which is adapted to convert a blue radiation component of the primary radiation partially or completely into a longer-wave radiation.
  • the semiconductor chip 3 exhibits a maximum radiation emission at a wavelength of approximately 444 nm, with a total optical power of approximately 0.4105 W and a radiation power below 400 nm of at most 0.0064 W. This corresponds to a proportion of the ultraviolet radiation in the total optical power of about 1.6%.
  • the total optical power can be about 0.3902 W and the UV component about 0.0047 W, for example, at a wavelength of about 457 nm and a total optical power of about 0.3956 W in the UV at about 0.0025 W, and at a wavelength of about 465 nm and a total optical power of about 0.3353 W at about 0.0013 W in the ultraviolet spectral range.

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)

Abstract

In at least one embodiment of the optoelectronic semiconductor component (1), the latter has a housing base (2) and at least one semiconductor chip (3), which is attached to the housing base (2). In operation, the optoelectronic semiconductor chip (3) emits primary radiation, the primary radiation having a proportion of ultraviolet radiation. Furthermore, the semiconductor component (1) comprises a filter means (4), which is equipped to absorb the ultraviolet proportion of the primary radiation, wherein the filter means (14) is at least partly located between the semiconductor chip (3) and the housing base (2) and/or between the semiconductor chip (3) and an optical component (7). The proportion of ultraviolet radiation, in reference to a total optical output of the primary radiation, is between 0.1% and 4.0% inclusive.

Description

Beschreibungdescription
Optoelektronisches HalbleiterbauteilOptoelectronic semiconductor device
Es wird ein optoelektronisches Halbleiterbauteil angegeben.An optoelectronic semiconductor component is specified.
Die Druckschrift US 2004/0238837 Al betrifft eine Strahlungsemittierende optische Komponente.Document US 2004/0238837 A1 relates to a radiation-emitting optical component.
Eine lichtemittierende Komponente mit einemA light-emitting component with a
Lumineszenzkonversionselement ist in der Druckschrift US 2007/0018102 Al angegeben.Luminescence conversion element is given in the document US 2007/0018102 A1.
Eine zu lösende Aufgabe besteht darin, ein optoelektronisches Halbleiterbauteil anzugeben, das besonders alterungsstabil ist .An object to be solved is to specify an optoelectronic semiconductor component which is particularly resistant to aging.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform des optoelektronischen Halbleiterbauteils umfasst dieses einen Gehäusegrundkörper. Beispielsweise ist der Gehäusegrundkörper ein Spritzgussteil aus einem Kunststoff, einem Harz oder einem Silikon, der an elektrische Leiterrahmen angeformt sein kann. Ebenso ist es möglich, dass der Gehäusegrundkörper eine Leiterplatte umfasst oder aus einer solchen besteht. Die Leiterplatte kann einen Keramikträger oder einen Metallträger aufweisen, auf und/oder in dem elektrisch isolierende und/oder elektrisch leitfähige Beschichtungen zur Bildung von Leiterbahnen und/oder Anschlussstellen aufgebracht sein können.According to at least one embodiment of the optoelectronic semiconductor component, this comprises a housing base body. For example, the housing base body is an injection molded part of a plastic, a resin or a silicone, which may be formed on electrical lead frames. It is also possible that the housing base body comprises or consists of a printed circuit board. The printed circuit board can have a ceramic carrier or a metal carrier, on and / or in which electrically insulating and / or electrically conductive coatings can be applied to form conductor tracks and / or connection points.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform des optoelektronischen Halbleiterbauteils umfasst dieses mindestens einen optoelektronischen Halbleiterchip, der an dem Grundkörper angebracht ist. Der optoelektronische Halbleiterchip ist dazu eingerichtet, eine Primärstrahlung zu emittieren, wobei die Primärstrahlung einen ultravioletten Strahlungsanteil, kurz UV-Strahlungsanteil, beinhaltet. Zum Beispiel ist der optoelektronische Halbleiterchip eine Leuchtdiode oder ein Halbleiterlaserchip. Der UV-Strahlungsanteil kannIn accordance with at least one embodiment of the optoelectronic semiconductor component, the latter comprises at least one optoelectronic semiconductor chip which is attached to the base body. The optoelectronic semiconductor chip is to arranged to emit a primary radiation, wherein the primary radiation contains an ultraviolet radiation component, short UV radiation component. For example, the optoelectronic semiconductor chip is a light emitting diode or a semiconductor laser chip. The UV radiation component can
Wellenlängen zwischen einschließlich 200 nm und 400 nm umfassen. Mit anderen Worten kann ultraviolette Strahlung heißen, dass die Strahlung Wellenlängen zwischen einschließlich 200 nm und 400 nm aufweist.Include wavelengths between 200 nm and 400 nm inclusive. In other words, ultraviolet radiation may mean that the radiation has wavelengths between 200 nm and 400 nm inclusive.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform des optoelektronischen Halbleiterbauteils umfasst dieses ein Filtermittel, das dazu eingerichtet ist, den UV-Strahlungsanteil der Primärstrahlung zu absorbieren. Das heißt, durch das Filtermittel ist der UV- Strahlungsanteil nach einem Durchlaufen des Filtermittels zu mindestens 50 %, bevorzugt zu mindestens 80 %, besonders bevorzugt zu mindestens 95 % abgeschwächt.According to at least one embodiment of the optoelectronic semiconductor component, the latter comprises a filter means which is set up to absorb the UV radiation component of the primary radiation. That is, by the filter means of the UV radiation fraction after passing through the filter means to at least 50%, preferably at least 80%, more preferably at least 95% attenuated.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform des optoelektronischen Halbleiterbauteils befindet sich das Filtermittel vollständig oder zum Teil zwischen dem Halbleiterchip und dem Gehäusegrundkörper. Wenigstens ein Teil des UV- Strahlungsanteils der vom Halbleiterchip emittierten Primärstrahlung ist also durch das Filtermittel daran gehindert, zu dem Gehäusegrundkörper zu gelangen.In accordance with at least one embodiment of the optoelectronic semiconductor component, the filter medium is located completely or partially between the semiconductor chip and the housing base body. At least part of the UV radiation component of the primary radiation emitted by the semiconductor chip is thus prevented by the filter medium from reaching the housing base body.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform des optoelektronischen Halbleiterbauteils befindet sich das Filtermittel zum Teil oder vollständig zwischen dem Halbleiterchip und einer optischen Komponente. Bei der optischen Komponente kann es sich um eine Linse und/oder um einen Reflektor handeln. Es ist möglich, dass die optische Komponente ein Bestandteil des Halbleiterbauteils selbst ist. Durch das Filtermittel ist also der UV-Strahlungsanteil, der zu der optischen Komponente gelangt, reduzierbar, im Vergleich zu einem Halbleiterbauteil ohne ein solches Filtermittel.In accordance with at least one embodiment of the optoelectronic semiconductor component, the filter medium is located partly or completely between the semiconductor chip and an optical component. The optical component may be a lens and / or a reflector. It is possible that the optical component is a component of the semiconductor device itself. Through the filter means is that is, the amount of UV radiation that reaches the optical component can be reduced, compared to a semiconductor component without such a filter medium.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform des optoelektronischen Halbleiterbauteils macht der UV-Strahlungsanteil an einer optischen Gesamtleistung der Primärstrahlung einen Anteil zwischen einschließlich 0,1 % und 4,0 % aus. Bevorzugt liegt der UV-Strahlungsanteil, bezogen auf die optische Gesamtleistung, zwischen einschließlich 0,2 % und 3,0 %, insbesondere zwischen einschließlich 0,25 % und 2,5 %. Der verbleibende Strahlungsanteil, der beispielsweise nur Wellenlängen größer als 400 nm aufweist, liegt bevorzugt im sichtbaren Spektralbereich. Das heißt, der UV- Strahlungsanteil der vom Halbleiterchip emittiertenIn accordance with at least one embodiment of the optoelectronic semiconductor component, the UV radiation component at a total optical power of the primary radiation makes up a proportion of between 0.1% and 4.0%. The UV radiation fraction, based on the total optical power, is preferably between 0.2% and 3.0%, in particular between 0.25% and 2.5%. The remaining radiation fraction, which for example only has wavelengths greater than 400 nm, is preferably in the visible spectral range. That is, the amount of UV radiation emitted from the semiconductor chip
Primärstrahlung macht nur einen geringen Anteil an der Gesamtstrahlung aus.Primary radiation accounts for only a small proportion of the total radiation.
In mindestens einer Ausführungsform des optoelektronischen Halbleiterbauteils weist dieses einen Gehäusegrundkörper und wenigstens einen optoelektronischen Halbleiterchip auf, der an dem Gehäusegrundkörper angebracht ist. Im Betrieb emittiert der optoelektronische Halbleiterchip eine Primärstrahlung, wobei die Primärstrahlung einen UV- Strahlungsanteil aufweist. Weiterhin umfasst dasIn at least one embodiment of the optoelectronic semiconductor component, the latter has a housing base body and at least one optoelectronic semiconductor chip, which is attached to the housing base body. In operation, the optoelectronic semiconductor chip emits a primary radiation, the primary radiation having a UV radiation component. Furthermore, this includes
Halbleiterbauteil ein Filtermittel, das dazu eingerichtet ist, den UV-Strahlungsanteil der Primärstrahlung zu absorbieren, wobei sich das Filtermittel mindestens zum Teil zwischen dem Halbleiterchip und dem Gehäusegrundkörper und/oder zwischen dem Halbleiterchip und einer optischenSemiconductor component, a filter means which is adapted to absorb the UV radiation component of the primary radiation, wherein the filter means at least partially between the semiconductor chip and the housing base and / or between the semiconductor chip and an optical
Komponente befindet. Der UV-Strahlungsanteil beträgt, bezogen auf eine optische Gesamtleistung der Primärstrahlung, zwischen einschließlich 0,1 % und 4,0 %. Durch die Einwirkung kurzwelliger Strahlung, also insbesondere ultravioletter Strahlung mit Wellenlängen kleiner gleich 400 nm, kann es zu einer Verfärbung von einem Gehäusegrundkörper, von einem den Halbleiterchip umgebenden Vergusskörper oder von optischen Elementen, die aus einem Kunststoff geformt sind, kommen. Durch eine solche Verfärbung wird beispielsweise ein Reflexionsgrad eines Gehäusegrundkörpers erniedrigt und hierdurch eine Lichtauskoppeleffizienz aus dem Halbleiterbauteil ebenfalls verringert. Eine derartige Verfärbung kann verhindert oder deutlich verlangsamt werden, in dem vermieden wird, dass ultraviolette Strahlung zu etwa dem Gehäusegrundkörper oder dem optischen Element gelangt. Dieses ist realisierbar durch das Filtermittel, das sich bevorzugt in räumlicher Nähe zu dem Halbleiterchip befindet. Mit anderen Worten wird der UV- Strahlungsanteil der Primärstrahlung insbesondere chipnah absorbiert oder zumindest stark reduziert, so dass der UV- Strahlungsanteil beispielsweise nicht zum Gehäusegrundkörper gelangt. Da der UV-Strahlungsanteil relativ gering ist, wird eine Effizienz des Halbleiterbauteils durch das Filtermittel selbst nicht signifikant verschlechtert.Component is located. The UV radiation fraction, based on a total optical power of the primary radiation, is between 0.1% and 4.0% inclusive. By the action of short-wave radiation, ie in particular ultraviolet radiation with wavelengths less than or equal to 400 nm, discoloration of a housing base body, of a potting body surrounding the semiconductor chip or of optical elements molded from a plastic may occur. By such a discoloration, for example, a reflectance of a housing base body is lowered and thereby a Lichtauskoppeleffizienz also reduced from the semiconductor device. Such discoloration can be prevented or significantly slowed down by preventing ultraviolet radiation from reaching the housing base or the optical element. This can be realized by the filter means, which is preferably in spatial proximity to the semiconductor chip. In other words, the UV radiation component of the primary radiation is absorbed near the chip, or at least greatly reduced, so that the UV radiation component, for example, does not reach the housing base body. Since the proportion of UV radiation is relatively low, an efficiency of the semiconductor device is not significantly deteriorated by the filter means itself.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform des optoelektronischen Halbleiterbauteils ist das Filtermittel in mindestens einer Schicht epitaktisch an dem Halbleiterchip abgeschieden. Das Filtermittel kann also aus einer epitaktisch gewachsenen Schicht bestehen. Das Filtermittel weist bevorzugt eine andere Materialzusammensetzung auf als der Halbleiterchip. Zum Beispiel umfasst das Filtermittel dann eine oder mehrere epitaktisch auf den Halbleiterchip aufgebrachte InGaN- Schichten, die bevorzugt eine Absorptionskante bei zirka 400 nm aufzeigen. Das Filtermittel kann direkt auf einem Halbleitermaterial des Halbleiterchips aufgewachsen sein oder auch durch eine Zwischenschicht, beispielsweise durch eine elektrisch leitende Schicht, von dem Halbleitermaterial des Halbleiterchips getrennt sein.In accordance with at least one embodiment of the optoelectronic semiconductor component, the filter medium is epitaxially deposited on the semiconductor chip in at least one layer. The filter medium can thus consist of an epitaxially grown layer. The filter means preferably has a different material composition than the semiconductor chip. For example, the filter means then comprises one or more InGaN layers epitaxially deposited on the semiconductor chip, which preferably exhibit an absorption edge at about 400 nm. The filter medium can be directly on a Be grown semiconductor material of the semiconductor chip or be separated by an intermediate layer, for example by an electrically conductive layer of the semiconductor material of the semiconductor chip.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform des optoelektronischen Halbleiterbauteils weist das Filtermittel ein Titanoxid, wie Titandioxid, und/oder ein Zinkoxid auf oder besteht aus einem solchen. Beispielsweise ist ein Titanoxid oder ein Zinkoxid in ein Matrixmaterial des Filtermittels eingebettet.In accordance with at least one embodiment of the optoelectronic semiconductor component, the filter medium comprises or consists of a titanium oxide, such as titanium dioxide, and / or a zinc oxide. For example, a titanium oxide or a zinc oxide is embedded in a matrix material of the filter medium.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform des optoelektronischen Halbleiterchips ist das Filtermittel in Form einer Schicht an dem Halbleiterchip angebracht. Bevorzugt steht die Schicht des Filtermittels vollständig oder stellenweise in direktemIn accordance with at least one embodiment of the optoelectronic semiconductor chip, the filter medium is attached in the form of a layer to the semiconductor chip. Preferably, the layer of the filter medium is completely or partially in direct
Kontakt zu dem Halbleiterchip. Zum Beispiel ist eine gesamte, freiliegende Außenfläche des Halbleiterchips von dem Filtermittel bedeckt. Es kann der Halbleiterchip vollständig von dem Filtermittel und dem Gehäusegrundkörper umschlossen sein.Contact to the semiconductor chip. For example, an entire exposed outer surface of the semiconductor chip is covered by the filter medium. The semiconductor chip may be completely enclosed by the filter medium and the housing base body.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform des optoelektronischen Halbleiterbauteils ist das Filtermittel an einer dem Halbleiterchip abgewandten Seite mit einer siliziumhaltigen Schicht versiegelt. Zum Beispiel weist das Filtermittel dann eine raue oder poröse, dem Halbleiterchip abgewandte Oberfläche auf, die beispielsweise gegenüber Oxidation anfällig ist. Durch die siliziumhaltige, zum Beispiel mit einem Glas, einem Silikon oder einem Epoxid-Silikon- Hybridmaterial geformte oder hieraus bestehende Schicht ist das Filtermittel vor Umwelteinflüssen schützbar. Ein Material der Schicht ist insbesondere von einem Material eines Vergusskörpers verschieden. Gemäß zumindest einer Ausführungsform des optoelektronischen Halbleiterbauteils steht das Filtermittel in unmittelbarem Kontakt zu dem Halbleiterchip. Das heißt, zumindest stellenweise, ist das Filtermittel in direktem physischemIn accordance with at least one embodiment of the optoelectronic semiconductor component, the filter means is sealed on a side facing away from the semiconductor chip with a silicon-containing layer. For example, the filter means then has a rough or porous surface facing away from the semiconductor chip, which is susceptible to oxidation, for example. By the silicon-containing, for example, with a glass, a silicone or an epoxy-silicone hybrid material molded or existing layer, the filter medium is protected from environmental influences. A material of the layer is different, in particular, from a material of a potting body. In accordance with at least one embodiment of the optoelectronic semiconductor component, the filter means is in direct contact with the semiconductor chip. That is, at least in places, the filter medium is in direct physical
Kontakt mit einem Halbleitermaterial des Halbleiterchips. Das Halbleitermaterial, zu dem das Filtermittel in direktem Kontakt steht, ist bevorzugt epitaktisch gewachsen.Contact with a semiconductor material of the semiconductor chip. The semiconductor material to which the filter medium is in direct contact is preferably grown epitaxially.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform des optoelektronischen Halbleiterbauteils ist das Filtermittel als ein Plättchen geformt. Das Plättchen ist bevorzugt mechanisch selbsttragend, das heißt, auf einer Längenskala einer Kantenlänge des Halbleiterchips verbiegt sich das Plättchen nicht oder nicht signifikant. Bevorzugt umfasst das Plättchen mindestens einen Leuchtstoff. Das Plättchen kann als Matrixmaterial für Filterpartikel des Filtermittels und/oder für Leuchtstoffpartikel ein Silikon oder ein Silikon-Epoxid aufweisen .In accordance with at least one embodiment of the optoelectronic semiconductor component, the filter medium is shaped as a small plate. The plate is preferably mechanically self-supporting, that is, on a length scale of an edge length of the semiconductor chip, the plate does not bend or not significantly. The platelet preferably comprises at least one phosphor. The platelet may have as a matrix material for filter particles of the filter medium and / or for phosphor particles a silicone or a silicone epoxide.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform des optoelektronischen Halbleiterbauteils befindet sich das Filtermittel zwischen einem Material, in dem der Leuchtstoff eingebettet, und dem Halbleiterchip. Das Material mit dem Leuchtstoff kann sich in unmittelbarem Kontakt zu dem Filtermittel befinden und das Filtermittel kann sich in unmittelbarem Kontakt zu dem Halbleiterchip befinden.According to at least one embodiment of the optoelectronic semiconductor component, the filter medium is located between a material in which the phosphor is embedded and the semiconductor chip. The material with the phosphor may be in direct contact with the filter means and the filter means may be in direct contact with the semiconductor chip.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform des optoelektronischen Halbleiterbauteils ist das Plättchen mit den Filterpartikeln an dem Halbleiterchip angebracht und steht hierbei bevorzugt in direktem Kontakt mit diesem. Beispielsweise bedeckt das Plättchen eine dem Gehäusegrundkörper abgewandte Oberseite des Halbleiterchips vollständig. Zwischen dem Plättchen und dem Halbleiterchip kann sich ein Haftvermittler befinden. Das Plättchen weist bevorzugt eine Dicke zwischen einschließlich 5 μm und 100 μm, insbesondere zwischen einschließlich 10 μm und 60 μm auf.In accordance with at least one embodiment of the optoelectronic semiconductor component, the chip with the filter particles is attached to the semiconductor chip and is preferably in direct contact therewith. For example, the plate covers a side facing away from the housing base top of the semiconductor chip completely. Between the plate and the semiconductor chip may be a bonding agent. The platelet preferably has a thickness of between 5 μm and 100 μm inclusive, in particular between 10 μm and 60 μm inclusive.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform des optoelektronischen Halbleiterbauteils ist das Filtermittel einem Vergusskörper beigegeben, wobei der Vergusskörper den Halbleiterchip teilweise oder vollständig umgibt. Insbesondere ist derIn accordance with at least one embodiment of the optoelectronic semiconductor component, the filter medium is added to a potting body, wherein the potting body partially or completely surrounds the semiconductor chip. In particular, the
Halbleiterchip vollständig von dem Gehäusegrundkörper und dem Vergusskörper eingeschlossen. Zum Beispiel füllt der Vergusskörper eine Ausnehmung des Gehäusegrundkörpers aus, in der der Halbleiterchip angebracht ist. Bevorzugt ist das Filtermittel in dem Vergusskörper homogen verteilt. Ebenso ist es auch möglich, dass das Filtermittel in dem Vergusskörper inhomogen verteilt ist. Der Vergusskörper kann als optische Komponente ausgeformt sein. Ein Material des Vergusskörpers ist beispielsweise ein Silikon, ein Epoxid und/oder ein Kunststoff.Semiconductor chip completely enclosed by the housing base body and the potting body. For example, the potting body fills a recess of the housing base, in which the semiconductor chip is mounted. Preferably, the filter medium is homogeneously distributed in the potting. Likewise, it is also possible that the filter medium is distributed inhomogeneous in the potting. The potting body can be formed as an optical component. A material of the potting body is for example a silicone, an epoxy and / or a plastic.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform des optoelektronischen Halbleiterbauteils weist das Filtermittel Nanopartikel auf oder besteht aus solchen. Die Nanopartikel weisen bevorzugt einen mittleren Durchmesser zwischen einschließlich 0,5 nm und 100 nm auf. Beispielsweise sind die Nanopartikel gestaltet, wie in der Druckschrift US 2004/0007169 Al angegeben, deren Offenbarungsgehalt hinsichtlich der Nanopartikel durch Rückbezug mit aufgenommen wird.In accordance with at least one embodiment of the optoelectronic semiconductor component, the filter medium comprises or consists of nanoparticles. The nanoparticles preferably have an average diameter of between 0.5 nm and 100 nm. For example, the nanoparticles are designed as indicated in US 2004/0007169 A1, the disclosure of which is incorporated by reference to the nanoparticles.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform des optoelektronischen Halbleiterbauteils ist das Filtermittel auf wenigstens einer Begrenzungsfläche des Gehäusegrundkörpers und/oder einer optischen Komponente, die Bestandteil des Halbleiterbauteils sein kann, aufgebracht. Das Filtermittel kann also als eine Schicht mit einer Dicke von bevorzugt höchstens 50 μm auf wenigstens einer Seite des Gehäusegrundkörpers und/oder wenigstens einer Seite der optischen Komponente vorliegen.According to at least one embodiment of the optoelectronic semiconductor component, the filter means is on at least one boundary surface of the housing base body and / or a optical component, which may be part of the semiconductor device applied. The filter means may thus be present as a layer with a thickness of preferably at most 50 μm on at least one side of the housing base body and / or at least one side of the optical component.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform des optoelektronischen Halbleiterbauteils steht die optische Komponente stellenweise in direktem Kontakt zu dem Gehäusegrundkörper und/oder zu dem Filtermittel. Das heißt, ein Material des Gehäusegrundkörpers kann in direktem Kontakt zu einem Material der optischen Komponente stehen.In accordance with at least one embodiment of the optoelectronic semiconductor component, the optical component is in places in direct contact with the housing base body and / or with the filter medium. That is, a material of the housing main body may be in direct contact with a material of the optical component.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform des optoelektronischen Halbleiterbauteils ist der Gehäusegrundkörper aus einem transparenten oder weißen Kunststoff geformt. Bei dem Material des Gehäusegrundkörpers sind durch ultraviolette Strahlung, also insbesondere durch Strahlung mit Wellenlängen zwischen einschließlich 200 nm und 400 nm, Fotoschäden hervorrufbar. Durch die Einwirkung ultravioletter Strahlung kann sich der Gehäusegrundkörper also verfärben, beispielsweise vergilben. Durch den Einsatz des Filtermittels ist eine Verwendung derartiger Materialien für den Gehäusegrundkörper ermöglicht, wodurch Herstellungskosten senkbar sind.In accordance with at least one embodiment of the optoelectronic semiconductor component, the housing base body is formed from a transparent or white plastic. In the case of the material of the housing main body, photo damage can be caused by ultraviolet radiation, that is, in particular by radiation having wavelengths of between 200 nm and 400 nm inclusive. As a result of the action of ultraviolet radiation, the housing base body may therefore discolor, for example yellow. Through the use of the filter means, a use of such materials for the housing base body is made possible, whereby manufacturing costs can be lowered.
Insbesondere können durch den Einsatz des Filtermittels hochtemperaturbeständige Materialien für denIn particular, by the use of the filter means high temperature resistant materials for the
Gehäusegrundkörper eingesetzt werden. Hochtemperaturbeständig bedeutet hierbei bevorzugt, dass der Gehäusegrundkörper die bei einem Löten auftretenden Temperaturen von zum Beispiel mindestens 245 0C über einen Zeitraum von mindestens 10 s zerstörungsfrei übersteht. Solche Materialien sind zum Beispiel Polyamide, insbesondere Polyphthalamid oder kurz PPA, oder mit Füllstoffen und/oder Stabilisatoren versehene Polyamide, die nur eine vergleichsweise geringe Stabilität gegenüber ultravioletter oder blauer Strahlung aufzeigen. Auch die kostensteigernden, eine Entstehung von Photoschäden hinauszögernden Füllstoffe können durch den Einsatz des Filtermittels mindestens zum Teil entfallen.Housing body can be used. High temperature resistant in this case preferably means that the housing base body survives the occurring during soldering temperatures of, for example, at least 245 0 C over a period of at least 10 s non-destructive. Such materials are for Example polyamides, especially polyphthalamide or short PPA, or provided with fillers and / or stabilizers polyamides, which show only a comparatively low stability to ultraviolet or blue radiation. The cost-increasing, a development of photo damage delaying fillers can be eliminated by the use of the filter means at least in part.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform des optoelektronischen Halbleiterbauteils ist das Filtermittel als eine Folie gestaltet. Eine Schichtdicke der Folie beträgt bevorzugt zwischen einschließlich 10 μm und 100 μm, insbesondere zwischen einschließlich 25 μm und 75 μm. Dass das Filtermittel eine Folie ist, kann bedeuten, dass das Filtermittel mechanisch flexibel gestaltet ist. Mit anderenIn accordance with at least one embodiment of the optoelectronic semiconductor component, the filter medium is designed as a foil. A layer thickness of the film is preferably between 10 μm and 100 μm inclusive, in particular between 25 μm and 75 μm inclusive. The fact that the filter medium is a film may mean that the filter medium is made mechanically flexible. With others
Worten kann das Filtermittel auf einer Längenskala, die einer Kantenlänge beispielsweise des optoelektronischen Halbleiterchips entspricht, verbiegbar sein. Es ist möglich, dass das als Folie gestaltete Filtermittel mechanisch nicht selbsttragend ist.Words, the filter means on a length scale, which corresponds to an edge length, for example, of the optoelectronic semiconductor chip, be bendable. It is possible that the designed as a film filter medium is not mechanically self-supporting.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform des optoelektronischen Halbleiterbauteils umfasst das Filtermittel ein Streumittel, wobei das Streumittel bevorzugt für sichtbare Strahlung transparent oder reflektierend gestaltet ist. Beispielsweise ist das Streumittel in Partikelform gestaltet und in das Matrixmaterial des Filtermittels eingebracht.In accordance with at least one embodiment of the optoelectronic semiconductor component, the filter means comprises a scattering means, wherein the scattering means is preferably made transparent or reflective for visible radiation. For example, the scattering agent is designed in particle form and introduced into the matrix material of the filter medium.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform des optoelektronischen Halbleiterbauteils ist das Filtermittel durchlässig, insbesondere klarsichtig, für sichtbares Licht. Mit anderen Worten beeinträchtigt das Filtermittel sichtbare Strahlung, im Gegensatz zu ultravioletter Strahlung, nicht oder nicht signifikant .In accordance with at least one embodiment of the optoelectronic semiconductor component, the filter medium is permeable, in particular clear, for visible light. In other words, the filter means affects visible radiation, unlike ultraviolet radiation, not or not significantly.
Nachfolgend wird ein hier beschriebenes Halbleiterbauteil unter Bezugnahme auf die Zeichnung anhand vonHereinafter, a semiconductor device described herein with reference to the drawing based on
Ausführungsbeispielen näher erläutert. Gleiche Bezugszeichen geben dabei gleiche Elemente in den einzelnen Figuren an. Es sind dabei jedoch keine maßstäblichen Bezüge dargestellt, vielmehr können einzelne Elemente zum besseren Verständnis übertrieben groß dargestellt sein.Embodiments explained in more detail. The same reference numerals indicate the same elements in the individual figures. However, there are no scale relationships shown, but individual elements can be shown exaggerated for better understanding.
Es zeigen:Show it:
Figuren 1 bis 6 Schematische Schnittdarstellungen von Ausführungsbeispielen von hier beschriebenen optoelektronischen Halbleiterbauteilen, undFigures 1 to 6 are schematic sectional views of embodiments of optoelectronic semiconductor devices described herein, and
Figur 7 Eine schematische Darstellung der Abhängigkeit eines Reflexionsgrades von Titandioxid in Abhängigkeit von der Wellenlänge.Figure 7 is a schematic representation of the dependence of a reflectance of titanium dioxide as a function of the wavelength.
In Figur 1 ist ein Ausführungsbeispiel eines optoelektronischen Halbleiterbauteils 1 dargestellt. Ein Gehäusegrundkörper 2, der beispielsweise durch ein reflektierendes, weißes, spritzgegossenes Kunststoffmaterial gebildet ist, weist eine Ausnehmung 10 auf. In der Ausnehmung 10 ist ein optoelektronischer Halbleiterchip 3, zum Beispiel eine Leuchtdiode, angebracht. Zur Vereinfachung der Darstellung sind elektrische Kontaktierungen oder Leiterrahmen, an denen der Halbleiterchip 3 angebracht ist, in den Figuren nicht dargestellt. Die Ausnehmung 10 des Gehäusegrundkörpers 2 ist mit einem Vergusskörper 6 bevorzugt vollständig ausgefüllt, so dass der Halbleiterchip 3 vollständig von dem Vergusskörper 6 und dem Gehäusegrundkörper 2 umgeben ist. Dem Vergusskörper 6 ist das Filtermittel 4, das in Form von Filterpartikeln vorliegen kann, bevorzugt homogen beigemischt. Das Filtermittel 4 absorbiert einen ultravioletten Strahlungsanteil, kurz UV- Strahlungsanteil, einer vom Halbleiterchip 3 emittierten Primärstrahlung. Hierdurch ist verhindert, dass der UV- Strahlungsanteil der Primärstrahlung zu dem1 shows an embodiment of an optoelectronic semiconductor device 1 is shown. A housing base 2, which is formed for example by a reflective, white, injection-molded plastic material, has a recess 10. In the recess 10, an optoelectronic semiconductor chip 3, for example, a light emitting diode, mounted. For ease of illustration, electrical contacts or lead frames to which the semiconductor chip 3 is attached are not shown in the figures. The recess 10 of the housing base body 2 is preferably completely filled with a potting body 6, so that the semiconductor chip 3 is completely surrounded by the potting body 6 and the housing base body 2. The potting 6, the filter means 4, which may be in the form of filter particles, preferably mixed homogeneously. The filter means 4 absorbs an ultraviolet radiation component, in short UV radiation component, of a primary radiation emitted by the semiconductor chip 3. This prevents that the UV radiation fraction of the primary radiation to the
Gehäusegrundkörper 2 gelangt, oder zumindest ist dieser UV- Strahlungsanteil der Primärstrahlung, der zumHousing base 2 passes, or at least this UV radiation fraction of the primary radiation, the
Gehäusegrundkörper 2 gelangt, erheblich reduziert. Hierdurch wird beispielsweise ein Verfärben des Kunststoffmaterials des Gehäusegrundkörpers 2 verhindert oder verlangsamt. Der UV- Strahlungsanteil macht hierbei nur einen kleinen Anteil der vom Halbleiterchip 3 emittierten Gesamtstrahlung aus. Insbesondere ein sichtbarer, vom Halbleiterchip 3 emittierter Strahlungsanteil kann den Vergusskörper 6 mit dem Filtermittel 4 bevorzugt unbeeinflusst oder im Wesentlichen unbeeinflusst durchlaufen.Housing body 2 passes, considerably reduced. As a result, for example, a discoloration of the plastic material of the housing base body 2 is prevented or slowed down. In this case, the UV radiation component only makes up a small proportion of the total radiation emitted by the semiconductor chip 3. In particular, a visible radiation component emitted by the semiconductor chip 3 can preferably pass through the potting body 6 with the filter means 4 uninfluenced or substantially uninfluenced.
Beim Ausführungsbeispiel gemäß Figur 2 ist das Filtermittel 4 als Epitaxieschicht 13 ausgeführt. Das Filtermittel 4 kann einstückig mit dem Halbleiterchip 3 gebildet sein, in Figur 2 durch eine Strich-Linie angedeutet. Einstückig kann bedeuten, dass das Filtermittel 4 mit dem Halbleiterchip 3 mechanisch fest und verbindungsmittelfrei verbunden ist. Beispielsweise steht das Filtermittel 4 in unmittelbarem Kontakt zu einem epitaktisch gewachsenen Halbleitermaterial des Halbleiterchips 3. Auch gemäß Figur 2 befindet sich der Halbleiterchip 3 mit dem Filtermittel 4 in der Ausnehmung 10 des Gehäusegrundkörpers 2. Im Gegensatz zu Figur 2, bei dem laterale Begrenzungsflächen der Ausnehmung 10 in einer Schnittdarstellung als Geradenabschnitte erscheinen, sind laterale Begrenzungsflächen gemäß Figur 2 der Ausnehmung 10 gekrümmt. Die lateralen Begrenzungsflächen der Ausnehmung 10 können als Reflektor dienen, der die vom Halbleiterchip 3 emittierte Strahlung zielgerichtet reflektiert.In the embodiment according to FIG. 2, the filter means 4 is designed as an epitaxial layer 13. The filter means 4 may be integrally formed with the semiconductor chip 3, indicated in Figure 2 by a dashed line. In one piece, it can mean that the filter means 4 is connected to the semiconductor chip 3 in a mechanically fixed and connectionless manner. For example, the filter means 4 is in direct contact with an epitaxially grown semiconductor material of the semiconductor chip 3. 2, the semiconductor chip 3 with the filter means 4 is located in the recess 10 of the housing base body 2. In contrast to FIG. 2, in which lateral boundary surfaces of the recess 10 appear as straight line sections in a sectional illustration, lateral boundary surfaces according to FIG. 2 are the recess 10 curved. The lateral boundary surfaces of the recess 10 can serve as a reflector, which reflects the emitted radiation from the semiconductor chip 3 targeted.
In Figur 3 ist dargestellt, dass sich das Filtermittel 4 in Form einer Schicht auf dem Halbleiterchip 3 befindet. Das Filtermittel 4 weist bevorzugt Titandioxid auf oder besteht aus diesem. Beispielsweise ist das Filtermittel 4 über ein Sputtern oder über eine Gasphasenabscheidung erzeugt. Ferner ist das Filtermittel 4 und der Halbleiterchip 3 von einer siliziumhaltigen Schicht 8 verkapselt. Durch die siliziumhaltige Schicht 8, beispielsweise Siliziumdioxid, Siliziumnitrid, ein Silikon oder ein Glas, kann eine Fotoreaktivität des Filtermittels 4, also insbesondere vonFIG. 3 shows that the filter means 4 is in the form of a layer on the semiconductor chip 3. The filter medium 4 preferably comprises or consists of titanium dioxide. For example, the filter medium 4 is generated by sputtering or by a vapor deposition. Furthermore, the filter means 4 and the semiconductor chip 3 are encapsulated by a silicon-containing layer 8. By the silicon-containing layer 8, for example, silicon dioxide, silicon nitride, a silicone or a glass, a photoreactivity of the filter means 4, ie in particular of
Titandioxid, unterdrückt werden. Durch den die Ausnehmung 10 überragenden Vergusskörper 6 ist eine optische Komponente, zum Beispiel in Form einer Sammellinse, gebildet. Anders als in Figur 3 dargestellt, kann die optische Komponente 7 auch Fresnel-linsenartig gestaltet sein.Titanium dioxide, be suppressed. Through the potting 10 projecting over the recess 10, an optical component, for example in the form of a converging lens, is formed. Unlike shown in Figure 3, the optical component 7 may also be designed Fresnel-lens-like.
Beim Ausführungsbeispiel gemäß Figur 4A befindet sich zwischen dem Gehäusegrundkörper 2 und dem Halbleiterchip 3 ein Spiegel 11, der für die vom Halbleiterchip 3 emittierte Primärstrahlung reflektierend wirkt. LateraleIn the exemplary embodiment according to FIG. 4A, a mirror 11, which has a reflective effect on the primary radiation emitted by the semiconductor chip 3, is located between the housing base body 2 and the semiconductor chip 3. lateral
Begrenzungsflächen der Ausnehmung 10 sind von dem Filtermittel 4, das als Schicht auf die lateralen Begrenzungsflächen aufgebracht ist, bedeckt. Die Schicht ist zum Beispiel aufgedruckt, aufgedampft oder aufgesputtert . Bevorzugt wirkt hierbei das Filtermittel 4 reflektierend für den vom Halbleiterchip 3 emittierten Anteil der Primärstrahlung mit Wellenlängen im sichtbaren Spektralbereich.Boundary surfaces of the recess 10 are covered by the filter means 4, which is applied as a layer on the lateral boundary surfaces. The layer is for example imprinted, vapor-deposited or sputtered on. In this case, the filter means 4 preferably acts in a reflective manner for the proportion of primary radiation emitted by the semiconductor chip 3 with wavelengths in the visible spectral range.
In Figur 4A ist eine Bodenfläche der Ausnehmung 10, auf der der Halbleiterchip 3 und der Spiegel 11 angebracht sind, von dem Filtermittel 4 unbedeckt oder im Wesentlichen unbedeckt, anders als beim Ausführungsbeispiel gemäß Figur 4B. Der Halbleiterchip 3 weist gemäß Figur 4B weiterhin einen vergleichsweise großen Abstand zur Bodenfläche der Ausnehmung 10 auf. Es befindet sich zwischen dem Halbleiterchip 3 und der Bodenfläche der Ausnehmung 10 ein Zwischenträger 12, der beispielsweise als Anschlusspodest ausgeführt ist. Durch diese Ausgestaltung wird besonders effizient verhindert, dass ein UV-Strahlungsanteil der Primärstrahlung zu dem Gehäusegrundkörper 2 gelangt.In FIG. 4A, a bottom surface of the recess 10, on which the semiconductor chip 3 and the mirror 11 are mounted, is uncovered or substantially uncovered by the filter means 4, unlike in the exemplary embodiment according to FIG. 4B. According to FIG. 4B, the semiconductor chip 3 furthermore has a comparatively large distance from the bottom surface of the recess 10. It is located between the semiconductor chip 3 and the bottom surface of the recess 10, an intermediate carrier 12, which is designed for example as a connection platform. With this configuration, it is particularly efficiently prevented that a UV radiation component of the primary radiation reaches the housing base body 2.
Gemäß Figur 5 ist der Gehäusegrundkörper 2 durch eineAccording to Figure 5, the basic housing body 2 by a
Leiterplatte mit nicht gezeichneten Leiterbahnen gebildet, auf der der Halbleiterchip 3 aufgebracht ist. Das Filtermittel 4 ist durch ein bevorzugt mechanisch selbsttragendes Plättchen 5 gebildet, das eine Dicke von beispielsweise zwischen 10 μm und 100 μm aufweist. Durch das Filtermittel 4 ist verhindert, dass der UV-Strahlungsanteil der Primärstrahlung zu dem als optische Komponente 7 gestalteten Vergusskörper 6 gelangt, der, zusammen mit dem planar geformten Gehäusegrundkörper 2, den Halbleiterchip 3 vollständig umgibt.Printed circuit board formed with not shown interconnects on which the semiconductor chip 3 is applied. The filter means 4 is formed by a preferably mechanically self-supporting plate 5, which has a thickness of for example between 10 .mu.m and 100 .mu.m. The filter means 4 prevents the UV radiation portion of the primary radiation from reaching the potting body 6 designed as an optical component 7, which, together with the planar-shaped housing base body 2, completely surrounds the semiconductor chip 3.
Alternativ zur Ausgestaltung des Filtermittels 4 als mechanisch selbsttragendes Plättchen 5 kann das Filtermittel 4, anders als zum Beispiel in den Figuren 3 bis 5 angegeben, als mechanisch flexible Folie geformt sein. Ebenso ist es möglich, dass das Filtermittel in Form einer Silikonpaste, der insbesondere ein Titanoxid oder ein Zinkoxid beigemischt ist, auf dem Halbleiterchip oder auch auf Begrenzungsflächen der Ausnehmung 10 beziehungsweise des Gehäusegrundkörpers 2 aufgebracht wird. Die Paste kann anschließend insbesondere thermisch ausgehärtet werden.As an alternative to the design of the filter means 4 as a mechanically self-supporting plate 5, the filter medium 4, unlike, for example, in Figures 3 to 5, be formed as a mechanically flexible film. It is likewise possible for the filter medium to be applied in the form of a silicone paste, which in particular is admixed with a titanium oxide or a zinc oxide, on the semiconductor chip or else on boundary surfaces of the recess 10 or of the housing base body 2. The paste can then be cured in particular thermally.
Beim Ausführungsbeispiel gemäß Figur 6 umgibt dasIn the embodiment according to FIG. 6, this surrounds
Filtermittel 4, zusammen mit dem Gehäusegrundkörper 2, den Halbleiterchip 3 vollständig. Zwischen dem Halbleiterchip 3 und dem Gehäusegrundkörper 2 kann sich optional ein in Figur 6 nicht gezeichneter Spiegel 11 befinden.Filter means 4, together with the housing base 2, the semiconductor chip 3 completely. Optionally, a mirror 11 not shown in FIG. 6 can be located between the semiconductor chip 3 and the housing base body 2.
Anders als in Figur 6 dargestellt, kann das Filtermittel 4 auch in einer linsenartigen Form den Halbleiterchip 3 umgeben. Solche Formen entstehen beispielsweise durch das Aufbringen des Filtermittels 4 in einem Tropfenprozess . Beispielsweise ein Matrixmaterial des Filtermittels 4 kann an ein Material des Vergusskörpers 6 angepasst sein, so dass diese Materialien gute Haftungseigenschaften aneinander aufzeigen .Unlike in FIG. 6, the filter means 4 can also surround the semiconductor chip 3 in a lens-like shape. Such forms arise, for example, by the application of the filter means 4 in a dripping process. For example, a matrix material of the filter means 4 may be adapted to a material of the potting body 6, so that these materials show good adhesion properties to each other.
In Figur 7 ist ein Verlauf einer Reflektivität R in Abhängigkeit von einer Wellenlänge λ für Titandioxid illustriert. Unterhalb von zirka 400 nm nimmt die Reflektivität des Titandioxids signifikant ab. Insbesondere bei Mehrfachreflexionen, beispielsweise wenn das Filtermittel 4 eine Vielzahl von Filterpartikeln aufweist, an denen die Primärstrahlung vielmals reflektiert wird, kann ein UV- Strahlungsanteil mit Wellenlängen unterhalb von 400 nm aus der Primärstrahlung durch ein solches Filtermittel 4 effektiv herausgefiltert werden. Der nicht reflektierte UV- Strahlungsanteil wird durch das Titandioxid insbesondere absorbiert .FIG. 7 illustrates a profile of a reflectivity R as a function of a wavelength λ for titanium dioxide. Below about 400 nm, the reflectivity of titanium dioxide decreases significantly. In particular, in multiple reflections, for example when the filter means 4 has a plurality of filter particles on which the primary radiation is reflected many times, a UV radiation component with wavelengths below 400 nm from the primary radiation by such a filter means 4 effectively be filtered out. The non-reflected UV radiation component is absorbed in particular by the titanium dioxide.
Es ist möglich, die Filterpartikel des Filtermittels gleichzeitig als Streupartikel zu verwenden. Dem Vergusskörper und/oder dem Filtermittel kann jeweils auch ein Leuchtstoff, beispielsweise auf Yttrium-Aluminium-Granat : Cer- Basis, beigegeben sein, der dazu eingerichtet ist, einen blauen Strahlungsanteil der Primärstrahlung teilweise oder vollständig in eine längerwellige Strahlung umzuwandelt.It is possible to simultaneously use the filter particles of the filter medium as scattering particles. The potting body and / or the filter medium may in each case also be accompanied by a phosphor, for example on yttrium-aluminum-garnet: cerium-based, which is adapted to convert a blue radiation component of the primary radiation partially or completely into a longer-wave radiation.
Zum Beispiel zeigt der Halbleiterchip 3 eine maximale Strahlungsemission bei einer Wellenlänge von zirka 444 nm auf, wobei eine optische Gesamtleistung zirka 0,4105 W beträgt und eine Strahlungsleistung unterhalb von 400 nm bei höchstens 0,0064 W liegt. Dies entspricht einem Anteil der ultravioletten Strahlung an der optischen Gesamtleistung von zirka 1,6 %. Bei einer Wellenlänge von zirka 450 nm kann die optische Gesamtleistung zirka 0,3902 W und der UV-Anteil zirka 0,0047 W betragen, bei einer Wellenlänge von zirka 457 nm und einer optischen Gesamtleistung von zirka 0,3956 W liegt die optische Leistung beispielsweise im UV bei zirka 0,0025 W, und bei einer Wellenlänge von zirka 465 nm und einer optischen Gesamtleistung von zirka 0,3353 W bei zirka 0,0013 W im ultravioletten Spektralbereich.For example, the semiconductor chip 3 exhibits a maximum radiation emission at a wavelength of approximately 444 nm, with a total optical power of approximately 0.4105 W and a radiation power below 400 nm of at most 0.0064 W. This corresponds to a proportion of the ultraviolet radiation in the total optical power of about 1.6%. At a wavelength of about 450 nm, the total optical power can be about 0.3902 W and the UV component about 0.0047 W, for example, at a wavelength of about 457 nm and a total optical power of about 0.3956 W in the UV at about 0.0025 W, and at a wavelength of about 465 nm and a total optical power of about 0.3353 W at about 0.0013 W in the ultraviolet spectral range.
Die hier beschriebene Erfindung ist nicht durch die Beschreibung anhand der Ausführungsbeispiele beschränkt. Vielmehr umfasst die Erfindung jedes neue Merkmal sowie jede Kombination von Merkmalen, was insbesondere jede Kombination von Merkmalen in den Patentansprüchen beinhaltet, auch wenn dieses Merkmal oder diese Kombination selbst nicht explizit in den Patentansprüchen oder Ausführungsbeispielen angegeben ist .The invention described here is not limited by the description based on the embodiments. Rather, the invention encompasses any novel feature as well as any combination of features, including in particular any combination of features in the claims, even if this feature or combination itself is not explicit is specified in the claims or exemplary embodiments.
Diese Patentanmeldung beansprucht die Priorität der deutschen Patentanmeldung 10 2009 025 266.5, deren Offenbarungsgehalt hiermit durch Rückbezug aufgenommen wird. This patent application claims the priority of German Patent Application 10 2009 025 266.5, the disclosure of which is hereby incorporated by reference.

Claims

Patentansprüche claims
1. Optoelektronisches Halbleiterbauteil (1) mit - einem Gehäusegrundkörper (2), - wenigstens einem optoelektronischen Halbleiterchip (3), der an dem Gehäusegrundkörper (2) angebracht ist und der dazu eingerichtet ist, eine Primärstrahlung zu emittieren, wobei die Primärstrahlung einen ultravioletten Strahlungsanteil umfasst, und - einem Filtermittel (4), das dazu eingerichtet ist, den ultravioletten Strahlungsanteil der Primärstrahlung zu absorbieren, wobei sich das Filtermittel (4) mindestens zum Teil zwischen dem Halbleiterchip (3) und dem Gehäusegrundkörper (2) oder zwischen dem Halbleiterchip (3) und einer optischen Komponente (7) befindet, und wobei der ultraviolette Strahlungsanteil an einer optischen Gesamtleistung der Primärstrahlung einen Anteil zwischen einschließlich 0,1 % und 4,0 % ausmacht.1. Optoelectronic semiconductor component (1) having - a housing base body (2), - at least one optoelectronic semiconductor chip (3), which is attached to the housing base body (2) and which is adapted to emit a primary radiation, wherein the primary radiation is an ultraviolet radiation fraction comprising, and - a filter means (4) which is adapted to absorb the ultraviolet radiation portion of the primary radiation, the filter means (4) at least partially between the semiconductor chip (3) and the housing base body (2) or between the semiconductor chip ( 3) and an optical component (7), and wherein the ultraviolet radiation fraction at a total optical power of the primary radiation is between 0.1% and 4.0% inclusive.
2. Optoelektronisches Halbleiterbauteil (1) nach dem vorhergehenden Anspruch, bei dem der ultraviolette Strahlungsanteil im Spektralbereich zwischen einschließlich 200 nm und 400 nm liegt.2. The optoelectronic semiconductor device (1) according to the preceding claim, wherein the ultraviolet radiation component in the spectral range between 200 nm and 400 nm inclusive.
3. Optoelektronisches Halbleiterbauteil (1) nach einem der vorhergehenden Ansprüche, bei dem das Filtermittel (4) in mindestens einer Schicht (13) epitaktisch an dem Halbleiterchip (3) abgeschieden ist, wobei das Filtermittel insbesondere InGaN umfasst. 3. The optoelectronic semiconductor component (1) according to any one of the preceding claims, wherein the filter means (4) in at least one layer (13) epitaxially deposited on the semiconductor chip (3), wherein the filter means comprises in particular InGaN.
4. Optoelektronisches Halbleiterbauteil (1) nach einem der vorhergehenden Ansprüche, bei dem das Filtermittel (4) ein Titanoxid und/oder ein Zinkoxid umfasst oder hieraus besteht.4. An optoelectronic semiconductor device (1) according to any one of the preceding claims, wherein the filter means (4) comprises or consists of a titanium oxide and / or a zinc oxide.
5. Optoelektronisches Halbleiterbauteil (1) nach Anspruch 1, 2 oder 3, bei dem das Filtermittel (4) aus einem Titanoxid und/oder einem Zinkoxid besteht und als Schicht an dem Halbleiterchip (3) angebracht ist, wobei das Filtermittel (4) an einer dem Halbleiterchip (3) abgewandten Seite von einer siliziumhaltigen Schicht (8) versiegelt ist.5. The optoelectronic semiconductor device (1) according to claim 1, 2 or 3, wherein the filter means (4) consists of a titanium oxide and / or a zinc oxide and as a layer on the semiconductor chip (3) is mounted, wherein the filter means (4) a side facing away from the semiconductor chip (3) is sealed by a silicon-containing layer (8).
6. Optoelektronisches Halbleiterbauteil (1) nach einem der vorhergehenden Ansprüche, bei dem das Filtermittel (4) in unmittelbarem Kontakt zu dem Halbleiterchip (3) steht.6. Optoelectronic semiconductor component (1) according to one of the preceding claims, in which the filter means (4) is in direct contact with the semiconductor chip (3).
7. Optoelektronisches Halbleiterbauteil (1) nach einem der vorhergehenden Ansprüche, bei dem das Filtermittel (4) durch ein einen Leuchtstoff enthaltendes Silikon-Plättchen (5) oder Silikonepoxid-Plättchen (5) gebildet ist, dem Filterpartikel beigegeben sind, wobei das Plättchen (5) an dem Halbleiterchip (3) angebracht ist.7. Optoelectronic semiconductor component (1) according to one of the preceding claims, in which the filter medium (4) is formed by a phosphor-containing silicone wafer (5) or silicone epoxy wafer (5), to which filter particles are added, the wafer ( 5) is attached to the semiconductor chip (3).
8. Optoelektronisches Halbleiterbauteil (1) nach dem vorhergehenden Anspruch, bei dem das Plättchen (5) eine Dicke (T) zwischen einschließlich 5 μm und 100 μm aufweist. 8. The optoelectronic semiconductor component (1) according to the preceding claim, wherein the plate (5) has a thickness (T) of between 5 microns and 100 microns inclusive.
9. Optoelektronisches Halbleiterbauteil (1) nach einem der vorhergehenden Ansprüche, bei dem das Filtermittel (4) einem Vergusskörper (6) beigegeben ist, der den Halbleiterchip (3) teilweise oder vollständig umgibt.9. The optoelectronic semiconductor component (1) according to one of the preceding claims, wherein the filter means (4) is added to a potting body (6) which surrounds the semiconductor chip (3) partially or completely.
10. Optoelektronisches Halbleiterbauteil (1) nach einem der vorhergehenden Ansprüche, bei dem das Filtermittel (4) Nanopartikel umfasst oder aus solchen besteht, wobei die Nanopartikel einen mittleren Durchmesser zwischen einschließlich 0,5 nm und 100 nm aufweisen.10. The optoelectronic semiconductor component (1) according to any one of the preceding claims, wherein the filter means (4) comprises or consists of nanoparticles, wherein the nanoparticles have a mean diameter between 0.5 nm and 100 nm inclusive.
11. Optoelektronisches Halbleiterbauteil (1) nach einem der vorhergehenden Ansprüche, bei dem das Filtermittel (4) auf wenigstens einer Begrenzungsfläche des Gehäusegrundkörpers (2) und/oder der optischen Komponente (7) aufgebracht ist, wobei die optische Komponente (7) stellenweise in direktem Kontakt zu dem Gehäusegrundkörper (2) und/oder zu dem Filtermittel (4) steht.11. The optoelectronic semiconductor component (1) according to one of the preceding claims, wherein the filter means (4) on at least one boundary surface of the housing base body (2) and / or the optical component (7) is applied, wherein the optical component (7) in places is in direct contact with the housing base body (2) and / or to the filter means (4).
12. Optoelektronisches Halbleiterbauteil (1) nach einem der vorhergehenden Ansprüche, bei dem der Gehäusegrundkörper (2) aus einem transparenten oder weißen Kunststoff geformt ist, bei dem durch ultraviolette Strahlung Photoschäden hervorrufbar sind.12. An optoelectronic semiconductor component (1) according to any one of the preceding claims, wherein the housing base body (2) is formed of a transparent or white plastic, in which can be caused by ultraviolet radiation photo damage.
13. Optoelektronisches Halbleiterbauteil (1) nach einem der vorhergehenden Ansprüche, bei dem das Filtermittel (4) eine Folie ist. 13. An optoelectronic semiconductor device (1) according to any one of the preceding claims, wherein the filter means (4) is a film.
14. Optoelektronisches Halbleiterbauteil (1) nach einem der vorhergehenden Ansprüche, bei dem das Filtermittel (4) ein Streumittel (9) umfasst, wobei das Streumittel (9) für sichtbare Strahlung transparent ist oder reflektierend wirkt. 14. The optoelectronic semiconductor device (1) according to any one of the preceding claims, wherein the filter means (4) comprises a scattering means (9), wherein the scattering means (9) for visible radiation is transparent or reflective.
EP10720408A 2009-06-17 2010-05-12 Optoelectronic semiconductor component Withdrawn EP2443674A2 (en)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE102009025266.5A DE102009025266B4 (en) 2009-06-17 2009-06-17 Optoelectronic semiconductor device
PCT/EP2010/056602 WO2010145893A2 (en) 2009-06-17 2010-05-12 Optoelectronic semiconductor component

Publications (1)

Publication Number Publication Date
EP2443674A2 true EP2443674A2 (en) 2012-04-25

Family

ID=42555956

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
EP10720408A Withdrawn EP2443674A2 (en) 2009-06-17 2010-05-12 Optoelectronic semiconductor component

Country Status (7)

Country Link
US (1) US8569782B2 (en)
EP (1) EP2443674A2 (en)
JP (1) JP2012530365A (en)
KR (1) KR101673457B1 (en)
CN (1) CN102460745B (en)
DE (1) DE102009025266B4 (en)
WO (1) WO2010145893A2 (en)

Families Citing this family (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20110291113A1 (en) * 2010-05-27 2011-12-01 Philips Lumileds Lighting Company, Llc Filter for a light emitting device
DE102011105010A1 (en) 2011-06-20 2012-12-20 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelectronic semiconductor component and method for its production
US8742655B2 (en) 2011-07-22 2014-06-03 Guardian Industries Corp. LED lighting systems with phosphor subassemblies, and/or methods of making the same
DE102011085645B4 (en) * 2011-11-03 2014-06-26 Osram Gmbh Light emitting diode module and method for operating a light emitting diode module
FR2986056B1 (en) * 2012-01-23 2016-12-30 Stephane Ruaud PROTECTIVE AND VISUAL COMFORT FILTER FOR HOMOGENEOUS LIGHT EMITTING WITHOUT UV EMISSION, CANCELLING THE HARMFUL EFFECTS OF BLUE LIGHT EMITTED BY ARTIFICIAL LIGHTING DEVICES
CN103534824B (en) * 2012-05-16 2016-05-25 松下知识产权经营株式会社 LED element and the semiconductor laser light emitting device of Wavelength conversion element and manufacture method thereof and use Wavelength conversion element
WO2013175773A1 (en) * 2012-05-22 2013-11-28 パナソニック株式会社 Wavelength conversion element and method for manufacturing same, as well as led element and semiconductor laser emission device using wavelength conversion element
DE102013102482A1 (en) * 2013-03-12 2014-10-02 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelectronic component and method for producing an optoelectronic component
DE102013105798A1 (en) * 2013-06-05 2014-12-11 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelectronic semiconductor device
DE102014107972B9 (en) * 2014-04-17 2022-07-21 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Lighting device with a first phosphor and filter particles
DE102014106073A1 (en) * 2014-04-30 2015-11-05 Osram Opto Semiconductors Gmbh Device with a light emitting diode
DE102014108188A1 (en) 2014-06-11 2015-12-17 Osram Gmbh Optoelectronic semiconductor device
CN108318950B (en) * 2018-03-01 2020-09-04 深圳市华星光电技术有限公司 Backlight module and diffusion sheet thereof
DE102018105085B4 (en) * 2018-03-06 2024-05-02 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Optoelectronic component and light source
DE102020123797A1 (en) * 2020-09-11 2022-03-17 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung OPTOELECTRONIC SENSOR CELL AND OPTOELECTRONIC SEMICONDUCTOR SENSOR
DE102021123702A1 (en) * 2021-09-14 2023-03-16 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung OPTOELECTRONIC SEMICONDUCTOR LAYER SEQUENCE AND OPTOELECTRONIC SEMICONDUCTOR COMPONENT

Family Cites Families (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH03139178A (en) * 1989-10-23 1991-06-13 Canon Inc Drive circuit for vibration wave motor
JP3139178B2 (en) * 1992-11-09 2001-02-26 日新電機株式会社 Hybrid switchgear
JP3559446B2 (en) * 1998-03-23 2004-09-02 株式会社東芝 Semiconductor light emitting element and semiconductor light emitting device
JP4944301B2 (en) * 2000-02-01 2012-05-30 パナソニック株式会社 Optoelectronic device and manufacturing method thereof
DE10112542B9 (en) * 2001-03-15 2013-01-03 Osram Opto Semiconductors Gmbh Radiation-emitting optical component
US20040007169A1 (en) 2002-01-28 2004-01-15 Mitsubishi Chemical Corporation Semiconductor nanoparticles and thin film containing the same
JP2003243724A (en) * 2002-02-14 2003-08-29 Matsushita Electric Works Ltd Light emitting apparatus
EP1413619A1 (en) * 2002-09-24 2004-04-28 Osram Opto Semiconductors GmbH Luminescent material, especially for LED application
US7091653B2 (en) * 2003-01-27 2006-08-15 3M Innovative Properties Company Phosphor based light sources having a non-planar long pass reflector
DE10361661A1 (en) 2003-07-14 2005-03-17 Osram Opto Semiconductors Gmbh Light-emitting component has luminescence conversion element, filter element with nano-particles that selectively reduce radiation intensity of unwanted radiation spectral sub-region(s) by absorption
JP5373244B2 (en) * 2005-02-24 2013-12-18 株式会社朝日ラバー Light-emitting diode lens component and light-emitting diode light source device
JP2007042668A (en) * 2005-07-29 2007-02-15 Toyoda Gosei Co Ltd Led light emitting device
WO2007037093A1 (en) * 2005-09-29 2007-04-05 Idemitsu Kosan Co., Ltd. Reflective material and reflector for light-emitting diode
JP5066333B2 (en) * 2005-11-02 2012-11-07 シチズン電子株式会社 LED light emitting device.
DE102005063106A1 (en) * 2005-12-30 2007-07-05 Patent-Treuhand-Gesellschaft für elektrische Glühlampen mbH Opto-electronic semiconductor chip e.g. laser diode chip, has semiconductor body including radiation penetration surface that is covered by passivation layer, where passivation layer contains material e.g. aluminum nitride
JP2008060344A (en) * 2006-08-31 2008-03-13 Toshiba Corp Semiconductor light-emitting device
DE102006051746A1 (en) * 2006-09-29 2008-04-03 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelectronic component with a luminescence conversion layer
DE102007010719A1 (en) * 2007-03-06 2008-09-11 Merck Patent Gmbh Phosphors consisting of doped garnets for pcLEDs
CN201146194Y (en) * 2007-10-24 2008-11-05 亿光电子工业股份有限公司 LED capable of filtering ultraviolet waveband

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
See references of WO2010145893A2 *

Also Published As

Publication number Publication date
CN102460745A (en) 2012-05-16
DE102009025266B4 (en) 2015-08-20
US8569782B2 (en) 2013-10-29
WO2010145893A3 (en) 2011-02-24
DE102009025266A1 (en) 2010-12-30
CN102460745B (en) 2015-04-22
WO2010145893A2 (en) 2010-12-23
KR101673457B1 (en) 2016-11-07
JP2012530365A (en) 2012-11-29
US20120098015A1 (en) 2012-04-26
KR20120036982A (en) 2012-04-18

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE102009025266B4 (en) Optoelectronic semiconductor device
EP1597776B1 (en) Semiconductor light emitting device
EP1794817B1 (en) Optoelectronic component and housing for an optoelectronic component
EP1352432B9 (en) Light-emitting diode and method for the production thereof
DE102010027253B4 (en) Optoelectronic semiconductor component
EP2591511B1 (en) Component and method for producing a component
EP2617070A1 (en) Optoelectronic component and method for producing it
EP2583319B1 (en) Optoelectronic component
DE102007029369A1 (en) Opto-electronic semiconductor component, has opaque material for covering conductive strips of connection carrier and areas of chip connection region and for uncovering radiation passage surface of opto-electronic semiconductor chip
EP1592074A2 (en) Light emitting diode assembly
WO2011160968A1 (en) Optoelectronic semiconductor component
WO2008014771A1 (en) Lighting assembly
DE102010021791A1 (en) Optoelectronic component and method for producing an optoelectronic component and a composite
DE102008025491A1 (en) Optoelectronic semiconductor component and printed circuit board
DE102010048159A1 (en) LED chip
DE102013110114A1 (en) Optoelectronic semiconductor component and method for producing an optoelectronic semiconductor component
DE102010024862A1 (en) Optoelectronic semiconductor component
DE102007046348A1 (en) Radiation-emitting device with glass cover and method for its production
WO2016202934A1 (en) Light-emitting diode and method for producing a light-emitting diode
WO2014139834A1 (en) Optoelectronic component and method for producing an optoelectronic component
DE102013212247A1 (en) Optoelectronic component and method for its production
WO2017089349A1 (en) Device with at least one optoelectronic semiconductor component
DE102012110957A1 (en) Optoelectronic semiconductor component for emitting mixed color radiation, has converter converting wavelength of radiations emitted by optoelectronic semiconductor chip, where side surfaces of chip are partially covered by converter
DE102013207111B4 (en) Optoelectronic component
WO2011141383A1 (en) Corrosion-resistant silver reflector layer for an optoelectronic component, corresponding component and production method

Legal Events

Date Code Title Description
PUAI Public reference made under article 153(3) epc to a published international application that has entered the european phase

Free format text: ORIGINAL CODE: 0009012

17P Request for examination filed

Effective date: 20111024

AK Designated contracting states

Kind code of ref document: A2

Designated state(s): AL AT BE BG CH CY CZ DE DK EE ES FI FR GB GR HR HU IE IS IT LI LT LU LV MC MK MT NL NO PL PT RO SE SI SK SM TR

DAX Request for extension of the european patent (deleted)
STAA Information on the status of an ep patent application or granted ep patent

Free format text: STATUS: THE APPLICATION IS DEEMED TO BE WITHDRAWN

18D Application deemed to be withdrawn

Effective date: 20141202