DE102010024862A1 - The optoelectronic semiconductor component - Google Patents

The optoelectronic semiconductor component

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DE102010024862A1
DE102010024862A1 DE201010024862 DE102010024862A DE102010024862A1 DE 102010024862 A1 DE102010024862 A1 DE 102010024862A1 DE 201010024862 DE201010024862 DE 201010024862 DE 102010024862 A DE102010024862 A DE 102010024862A DE 102010024862 A1 DE102010024862 A1 DE 102010024862A1
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DE
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optoelectronic
component
base body
opening
according
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DE201010024862
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German (de)
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Johann Ramchen
Dr. Zitzelsperger Michael
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OSRAM Opto Semiconductors GmbH
Original Assignee
OSRAM Opto Semiconductors GmbH
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Abstract

Es wird ein optoelektronisches Halbleiterbauelement (100), angegeben, mit It is an optoelectronic semiconductor device (100) indicates, with
– einem Grundkörper (1), der eine Oberseite (11) sowie eine der Oberseite (11) gegenüberliegende Unterseite (12) aufweist, wobei der Grundkörper (1) eine erste Anschlussstelle (A1) und eine zweite Anschlussstelle (A2) sowie ein Gehäusematerial (2) aufweist; - a base body (1) having a top surface (11) and one of the top (11) having opposite bottom surface (12), wherein the base body (1) (a first connection point (A1) and a second connecting point (A2) as well as a housing material 2);
– zumindest einem optoelektronischen Bauteil (3), das an der Oberseite (12) des Grundkörpers (1) am Grundkörper (1) angeordnet ist; - is arranged at least an optoelectronic component (3) attached to the top side (12) of the base body (1) on the basic body (1);
– einem an der Oberseite (11) des Grundkörpers (1) angeordneten Verguss (4), der das optoelektronische Bauteil (3) und den Grundkörper (1) zumindest stellenweise bedeckt; - one at the top (11) of the base body (1) arranged in potting (4) of the optoelectronic component (3) and the base body (1) at least in places;
– zumindest einer Öffnung (5), die den Verguss (4) und das Gehäusematerial (2) durchdringt und sich von einer dem Grundkörper (1) abgewandeten Oberseite (41) des Vergusses (4) in Richtung der Unterseite (12) des Grundkörpers (1) erstreckt, wobei, - at least one opening (5) which penetrates the potting (4) and the housing material (2) and extending from a the base body (1) remote from the upper side (41) of the casting (4) towards the bottom (12) of the base ( 1), said,
– in der Öffnung (5) zumindest stellenweise ein elektrisch leitendes Material (6) angeordnet ist, und - in the opening (5) is arranged at least in places an electrically conductive material (6), and
– das elektrisch leitende Material (6) sich zumindest stellenweise an der Oberseite (41) des Vergusses (4) erstreckt. - the electrically conductive material (6) extends at least in places on the upper side (41) of the encapsulation (4).

Description

  • Es wird ein optoelektronisches Halbleiterbauelement angegeben. There is provided an optoelectronic semiconductor component.
  • Eine zu lösende Aufgabe besteht darin, ein optoelektronisches Halbleiterbauelement anzugeben, welches platzsparend und kompakt im Aufbau ist. A problem to be solved is to provide an optoelectronic semiconductor component, which is space-saving and compact in construction.
  • Gemäß zumindest einer Ausführungsform des optoelektronischen Halbleiterbauelements umfasst dieses einen Grundkörper. According to at least one embodiment of the optoelectronic semiconductor component comprises a base body. Beispielsweise kann es sich bei dem Grundkörper um ein SMD-Gehäuse (surface mountable device) handeln. For example, it may be in the base body to an SMD (surface mountable devices). Der Grundkörper weist eine Oberseite sowie eine der Oberseite gegenüberliegende Unterseite auf. The base body has an upper surface and an upper surface of the opposite bottom side.
  • An der Oberseite und der Unterseite ist jeweils eine Fläche ausgebildet, die durch einen Teil der Außenfläche des Grundkörpers gebildet ist. one surface is formed respectively on the top and the bottom, which is formed by a part of the outer surface of the body. Die Fläche an der Unterseite bezeichnet dabei jene Außenfläche des Grundkörpers, die einem Kontaktträger – beispielsweise eine Leiterplatte – im montierten Zustand des Halbleiterbauelements zugewandt ist. The surface on the underside designates those outer surface of the base body, the contact carrier - which faces in the mounted state of the semiconductor device - for example, a printed circuit board.
  • Gemäß zumindest einer Ausführungsform weist der Grundkörper eine erste Anschlussstelle und eine zweite Anschlussstelle auf. According to at least one embodiment, the base body has a first terminal and a second terminal. Die Anschlussstellen des Halbleiterbauelements sind dabei zur elektrischen Kontaktierung des Halbleiterbauelements vorgesehen. The connection points of the semiconductor device are provided for electrical contacting of the semiconductor device. Zum Beispiel sind die Anschlussstellen an der Unterseite des Halbleiterbauelements von außen zugänglich, wobei die Unterseite des Halbleiterbauelements zumindest stellenweise durch die Unterseite des Grundkörpers gebildet ist. For example, the connection points on the underside of the semiconductor component are accessible from the outside, wherein the underside of the semiconductor component is at least locally formed by the underside of the base body. Das heißt, an der Unterseite des Halbleiterbauelements ist das Bauteil elektrisch kontaktierbar. That is, on the underside of the semiconductor component, the component is electrically contacted.
  • Gemäß zumindest einer Ausführungsform weist der Grundkörper ein Gehäusematerial auf. According to at least one embodiment, the base body has a housing material. Beispielsweise handelt es sich bei dem Gehäusematerial um ein Kunststoffmaterial. For example, it concerns with the housing material is a plastic material. Zum Beispiel ist das Gehäusematerial zumindest stellenweise in direktem Kontakt mit den Anschlussstellen. For example, the housing material is at least locally in direct contact with the connection points.
  • Gemäß zumindest einer Ausführungsform des optoelektronischen Halbleiterbauelements verbindet das Gehäusematerial die beiden Anschlussstellen miteinander. According to at least one embodiment of the optoelectronic semiconductor component, the housing material connecting the two connecting points with each other. Vorzugsweise berühren sich die beiden Anschlussstellen nicht. Preferably, the two connection points do not touch. Die Anschlussstellen stehen dann lediglich durch das Gehäusematerial in mittelbarem Kontakt miteinander. The connection points are then available to each other only through the housing material in indirect contact. Vorzugsweise sind dann die beiden Anschlussstellen elektrisch durch das Gehäusematerial voneinander isoliert. Preferably, the two connection points are then electrically insulated from each other by the housing material. Die durch das Gehäusematerial vermittelte Verbindung ist gegen äußere mechanische Belastungen, wie sie bei sachgemäßem Gebrauch des Halbleiterbauelements auftreten können, stabil, sodass die Position der beiden Anschlussstellen zueinander aufgrund der stabilisierenden Wirkung des Gehäusematerials im Wesentlichen gleich bleibt. Mediated by the housing material connection to external mechanical loads, such as may occur in normal use of the semiconductor component, stable, so that the position of the two connection points to each other due to the stabilizing effect of the casing material remains substantially the same. ”Im Wesentlichen” heißt in diesem Zusammenhang, dass die Position der Anschlussstellen zueinander bis auf eventuell auftretende thermische Effekte, wie einer thermischen Verformung oder Ausdehnung des Gehäusematerials, gleich bleibt. "Substantially" in this context means that the position of the connection points to each other on any possible thermal effects such as thermal deformation or expansion of the housing material, remains the same.
  • Gemäß zumindest einer Ausführungsform des optoelektronischen Halbleiterbauelements ist an der Oberseite des Grundkörpers am Grundkörper zumindest ein optoelektronisches Bauteil angeordnet. According to at least one embodiment of the optoelectronic semiconductor device is arranged on the upper side of the base body on the base body at least one optoelectronic device. Das optoelektronische Bauteil kann beispielsweise leitend mit der Fläche an der Oberseite des Grundkörpers verbunden sein. The optoelectronic component may be, for example, conductively connected to the surface at the top of the body. An der Oberseite des Grundkörpers können die erste und die zweite Anschlussstelle zumindest stellenweise freiliegen. the first and the second terminal may at least locally exposed at the top of the body. Das optoelektronische Bauteil kann auf die zweite Anschlussstelle gebondet, gelötet oder elektrisch leitend geklebt sein. The optoelectronic component may be bonded to the second connection point, soldered or electrically bonded conductively. Bei dem optoelektronischen Bauteil kann es sich um einen strahlungsempfangenden oder um einen strahlungsemittierenden Halbleiterchip handeln. The optoelectronic component may be a radiation-receiving or a radiation-emitting semiconductor chip.
  • Beispielsweise handelt es sich bei dem Halbleiterchip um einen Lumineszenzdiodenchip. For example, it concerns with the semiconductor chip a luminescence. Bei dem Lumineszenzdiodenchip kann es sich um einen Leuchtdiodenchip oder um einen Laserdiodenchip handeln. In the LED chip may be a light emitting diode chip or a laser diode chip.
  • Gemäß zumindest einer Ausführungsform weist das optoelektronische Halbleiterbauelement einen an der Oberseite des Grundkörpers angeordneten Verguss auf, der das optoelektronische Bauteil und den Grundkörper zumindest stellenweise bedeckt. According to at least one embodiment, the optoelectronic semiconductor component on a arranged on the top of the body casting, of the optoelectronic component and the base body at least in places. Der Verguss kann zum Beispiel mit einem Silikon, einem Epoxid oder mit einer Mischung aus den genannten Materialien gebildet sein. The encapsulation can be formed, for example with a silicone, an epoxy, or with a mixture of the materials mentioned.
  • Gemäß zumindest einer Ausführungsform weist das optoelektronische Halbleiterbauelement zumindest eine Öffnung auf, die den Verguss und das Gehäusematerial durchdringt. According to at least one embodiment, the optoelectronic semiconductor component has at least one opening which penetrates the potting material and the housing. Die Öffnung erstreckt sich von einer dem Grundkörper abgewandten Oberseite des Vergusses in Richtung der Unterseite des Grundkörpers. The opening extends from a side remote from the basic body top surface of the casting in the direction of the underside of the base body. Beispielsweise weist die Öffnung zumindest eine Seitenfläche auf. For example, the opening at least on one side surface. Die zumindest eine Seitenfläche der Öffnung ist zumindest stellenweise durch den Verguss und das Gehäusematerial gebildet. The at least one side surface of the opening is formed at least in places by the potting material and the housing.
  • Gemäß zumindest einer Ausführungsform des optoelektronischen Halbleiterbauelements ist die Öffnung in lateraler Richtung beabstandet zu dem optoelektronischen Bauteil angeordnet. According to at least one embodiment of the optoelectronic semiconductor component, the opening in the lateral direction at a distance from the optoelectronic device disposed. Die laterale Richtung ist dabei diejenige Richtung, die parallel zu einer Haupterstreckungsrichtung des Grundkörpers verläuft. The lateral direction is that direction which is parallel to a main extension direction of the base body. Das heißt, die Öffnung ist seitlich von dem optoelektronischen Bauteil angeordnet und verläuft beispielsweise senkrecht oder im Wesentlichen senkrecht zu der lateralen Richtung. That is, the opening is arranged laterally of the optoelectronic component and extends, for example, perpendicular or substantially perpendicular to the lateral direction.
  • Gemäß zumindest einer Ausführungsform ist in der Öffnung zumindest stellenweise ein elektrisch leitendes Material angeordnet. According to at least one embodiment is arranged an electrically conductive material at least in places in the opening. Das elektrisch leitende Material ist beispielsweise mit einem Metall oder einem elektrisch leitfähigen Klebstoff gebildet. The electrically conductive material is formed, for example, with a metal or an electrically conductive adhesive.
  • Gemäß zumindest einer Ausführungsform des optoelektronischen Halbleiterbauelements erstreckt sich das elektrisch leitende Material zumindest stellenweise an der Oberseite des Vergusses und verbindet die erste Anschlussstelle elektrisch leitend mit dem optoelektronischen Bauteil. According to at least one embodiment of the optoelectronic semiconductor component, the electrically conductive material extends at least in places on the upper side of the encapsulation and connects the first connecting point electrically conductively connected to the optoelectronic component. Das heißt, das elektrisch leitende Material verbindet das optoelektronische Bauteil mit der Öffnung und verläuft dabei zwischen dem optoelektronischen Bauteil und der Öffnung zumindest stellenweise an der Oberseite des Vergusses. That is, the electrically conductive material connecting the optoelectronic component with the opening and in this case runs between the optoelectronic device and the opening at least in places on the upper surface of the potting. Das elektrisch leitende Material kann dabei stellenweise direkt auf einer Außenfläche des Vergusses angeordnet sein. The electrically conductive material can be disposed in places directly on an outer surface of the encapsulation.
  • Gemäß zumindest einer Ausführungsform umfasst das optoelektronische Halbleiterbauelement einen Grundkörper, der eine Oberseite sowie eine der Oberseite gegenüberliegende Unterseite aufweist, wobei der Grundkörper eine erste Anschlussstelle und eine zweite Anschlussstelle sowie ein Gehäusematerial aufweist. According to at least one embodiment, the optoelectronic semiconductor device comprises a base body having a top surface and a top surface of the opposing bottom side, wherein the base body has a first terminal and a second terminal and a housing material. Zumindest ein optoelektronisches Bauteil ist an der Oberseite des Grundkörpers am Grundkörper angeordnet. At least one optoelectronic component is arranged at the upper side of the base body on the base body. Weiter umfasst das optoelektronische Halbleiterbauelement einen an der Oberseite des Grundkörpers angeordneten Verguss, der das optoelektronische Bauteil und den Grundkörper zumindest stellenweise bedeckt. Further, the optoelectronic semiconductor component comprises a arranged on the top of the body casting, of the optoelectronic component and the base body at least in places. Ferner umfasst das optoelektronische Halbleiterbauelement zumindest eine Öffnung, die den Verguss und das Gehäusematerial durchdringt, und sich von einer dem Grundkörper abgewandten Oberseite des Vergusses in Richtung der Unterseite des Grundkörpers erstreckt. Further, the optoelectronic semiconductor component comprises at least one opening which penetrates the potting material and the housing, and extending from a base body facing away from the top of the casting in the direction of the underside of the base body. Das Gehäusematerial verbindet die beiden Anschlussstellen miteinander. The housing material connecting the two terminals together. Die Öffnung ist in lateraler Richtung beabstandet zu dem optoelektronischen Bauteil angeordnet, wobei in der Öffnung zumindest stellenweise ein elektrisch leitendes Material angeordnet ist. The opening is disposed laterally spaced apart to the optoelectronic component, wherein at least in places, an electrically conductive material is disposed in the opening. Das elektrisch leitende Material erstreckt sich zumindest stellenweise an der Oberseite des Vergusses und verbindet die erste Anschlussstelle elektrisch leitend mit dem optoelektronischen Bauteil. The electrically conductive material extends at least in places on the upper side of the encapsulation and connects the first connecting point electrically conductively connected to the optoelectronic component.
  • Das hier beschriebene optoelektronische Halbleiterbauelement beruht dabei unter anderem auf der Erkenntnis, dass eine Kontaktierung des optoelektronischen Bauteils in einem Halbleiterbauelement über beispielsweise eine Bonddrahtkontaktierung nicht nur platzaufwändig ist, sondern auch spezielle Anforderungen an die Halbleiterbauelementgeometrie stellt. The optoelectronic semiconductor component described here is based inter alia on the recognition that a contact with the optoelectronic component is a semiconductor component for example via a Bonddrahtkontaktierung not only space-consuming but also provides specific requirements for the semiconductor device geometry. Beispielsweise ist mittels aufgrund einer derartigen Bonddrahtkontaktierung das Halbleiterbauelement wenig kompakt und platzsparend. For example, the semiconductor device is not very compact and space-saving means because of such Bonddrahtkontaktierung. Ferner kann die Designfreiheit eines derartigen Halbleiterbauelements eingeschränkt sein. Further, the design freedom of such a semiconductor device may be limited.
  • Vorliegend ersetzen die Öffnung und das in der Öffnung angeordnete elektrisch leitende Material einen Bonddraht. In the present case the opening and disposed in the opening electrically conductive material to replace a bonding wire. Eine derartige Kontaktierung ist auch alterungsstabil und gegen äußere Einflüsse wie Hitze oder einer mechanischen Belastung wenig empfindlich. Such contact is also stable to aging and to external influences such as heat or a mechanical stress little sensitive. Weiter ist ein derartiges Halbleiterbauelement mit hoher Fertigungs- und Kosteneffizienz sowie nur geringem Produktionsaufwand verbunden. Next, such a semiconductor device with high production and cost efficiency, and only low production costs associated.
  • Gemäß zumindest einer Ausführungsform verringert sich eine maximale laterale Ausdehnung der Öffnung ausgehend von der Oberseite des Vergusses in Richtung der Unterseite des Grundkörpers. According to at least one embodiment, a maximum lateral dimension of the opening is reduced, starting from the top of the casting in the direction of the underside of the base body. ”Maximal laterale Ausdehnung” bezeichnet den maximalen Abstand zweier Punkte in der Öffnung die in lateraler Richtung in der selben Ebene liegen. "Maximum lateral extent" denotes the maximum distance between two points in the opening lying in a lateral direction in the same plane. Ist die Öffnung zum Beispiel kreisförmig, so handelt es sich bei der maximalen lateralen Ausdehnung um den Durchmesser. If the opening is circular for example, it is at the maximum lateral extent of the diameter. Beispielsweise ist die Öffnung in einer seitlichen Ansicht trichterförmig. For example, the opening in a side view is funnel-shaped. Die Öffnung verjüngt sich ausgehend von der Oberseite des Vergusses in Richtung der Unterseite des Grundkörpers. The opening tapers from the upper surface of the encapsulation in the direction of the underside of the base body.
  • Gemäß zumindest einer Ausführungsform des optoelektronischen Halbleiterbauelements beträgt ein Abstand in der lateralen Richtung zwischen der Öffnung und dem optoelektronischen Bauteil höchstens eine maximale laterale Ausdehnung des optoelektronischen Bauteils. According to at least one embodiment of the optoelectronic semiconductor device is a distance in the lateral direction between the opening and the optoelectronic component not exceeding a maximum lateral extension of the optoelectronic device. Der Abstand wird dabei in lateraler Richtung zwischen zwei in der selben Ebene angeordneten Punkten an der den Anschlussstellen abgewandten Seiten des Vergusses gemessen. The distance is arranged in the lateral direction between two points is measured in the same plane on the opposite sides of the connection points of the encapsulation.
  • Gemäß zumindest einer Ausführungsform ist der Verguss strahlungsreflektierend oder strahlungsabsorbierend und mit dem optoelektronischen Bauteil an Seitenflächen zumindest stellenweise in direktem Kontakt, wobei eine Strahlungsdurchtrittsfläche des optoelektronischen Bauteils frei von dem Verguss ist. According to at least one embodiment, the encapsulation is radiation reflecting or absorbing radiation and with the optoelectronic component on side surfaces at least locally in direct contact, wherein a radiation passage area of ​​the optoelectronic device is free from the casting. ”Strahlungsreflektierend” heißt insbesondere, dass der Verguss zumindest zu 80, bevorzugt zu mehr als 90% reflektierend für auf ihn auftreffendes Licht ist. "Radiation Reflective" means in particular that the casting is at least 80, preferably more than 90% reflective for incident light on it. Vorzugsweise erscheint für einen externen Betrachter des Halbleiterbauelements der reflektierende Verguss weiß. Preferably appears white for an external observer of the semiconductor device, the reflective potting. Beispielsweise sind dazu in den Verguss strahlungsreflektierende Partikel eingebracht, die zum Beispiel mit zumindest einem der Materialien TiO 2 , BaSO 4 , ZnO oder Al x O y gebildet sind oder eines der genannten Materialien enthalten. For example, radiation-reflecting particles are introduced to the casting, which are formed, for example with at least one of the materials TiO 2, BaSO 4, ZnO or Al x O y or one of the said materials. Bei einem strahlungsabsorbierenden Verguss erscheint der Verguss für einen externen Betrachter schwarz oder farbig. In a radiation-casting of the casting for an external viewer appears black or colored. Zum Beispiel sind dann in den Verguss Rußpartikel eingebracht. For example, carbon black particles are then introduced into the casting. Über die Strahlungsdurchtrittsfläche wird beispielsweise innerhalb des optoelektronischen Bauteils erzeugte elektromagnetische Strahlung aus dem optoelektronischen Bauteil ausgekoppelt oder von dem optoelektronischen Bauteil durch die Strahlungsdurchtrittsfläche hindurch in das optoelektronische Bauteil eintretende elektromagnetische Strahlung detektiert. On the radiation passage area generated electromagnetic radiation from the optoelectronic component is extracted or detected by the optoelectronic component by the radiation passage area in the optoelectronic component entering electromagnetic radiation, for example, within the optoelectronic device. ”Frei” heißt, dass die Strahlungsdurchtrittsfläche weder von dem Verguss bedeckt ist noch der Verguss beispielsweise entlang eines Strahlungsaustrittsweges des optoelektronischen Bauteils dem optoelektronischen Bauteil nachgeordnet ist. "Free" means that the radiation passage surface is covered neither by the casting or the casting, for example, along a radiation exit path of the optoelectronic device is arranged downstream of the optoelectronic component. Die Strahlung kann daher ungehindert aus dem optoelektronischen Bauteil austreten oder durch die Strahlungsdurchtrittsfläche hindurch in das optoelektronische Bauteil eintreten und von diesem zum Beispiel detektiert werden. The radiation can therefore flow freely out of the optoelectronic component or entering through the radiation passage area in the optoelectronic device and be detected by this, for example. Es ist höchstens möglich, dass herstellungsbedingt sich noch Materialreste des reflektierenden Vergusses auf der Strahlungsdurchtrittsfläche befinden, die die Strahlungsdurchtrittsfläche jedoch höchstens zu 10%, bevorzugt höchstens 5%, bedecken. It is most possible that further production-related material to radicals of the reflective encapsulation on the radiation passage area are, however, at most to 10%, preferably covering the radiation passage area of ​​more than 5%.
  • Gemäß in seiner Ausführungsform des optoelektronischen Halbleiterbauelements ist auf die Strahlungsdurchtrittsfläche zumindest eine Konversionsschicht aufgebracht. According to his embodiment of the optoelectronic semiconductor device at least one conversion layer is applied to the radiation passage surface. Die Konversionsschicht dient zur zumindest teilweisen Konversion von primär innerhalb des optoelektronischen Bauteils erzeugter elektromagnetischer Strahlung in elektromagnetische Strahlung anderer Wellenlänge. The conversion layer is used for at least partial conversion of the primary generated within the optoelectronic device of electromagnetic radiation into electromagnetic radiation of a different wavelength.
  • Gemäß zumindest einer Ausführungsform schließt die Konversionsschicht in vertikaler Richtung bündig mit dem Verguss ab. According to at least one embodiment includes the conversion layer in the vertical direction is flush with the casting from. Die vertikale Richtung verläuft dabei senkrecht zur lateralen Richtung. The vertical direction runs perpendicular to the lateral direction. Vorteilhaft ermöglicht eine derartige Anordnung von Verguss und Konversionsschicht ein Halbleiterbauelement mit einer geringen Ausdehnung in vertikaler Richtung. Advantageously, such an arrangement of encapsulation and conversion layer enables a semiconductor device having a small extent in the vertical direction. Mit anderen Worten ist ein derartiges Halbleiterbauelement besonders flach. In other words, such a semiconductor device is particularly flat. Ferner ist eine durch die Konversionsschicht und den Verguss gebildete Außenfläche des Halbleiterbauelements eben, sodass sich in lateraler Richtung zwischen der Konversionsschicht und dem Verguss weder ein Spalt noch eine Unterbrechung ausbildet. Further, an outer surface of the semiconductor device formed by the conversion layer and the potting is flat, so that still forms an interruption in the lateral direction between the conversion layer and the potting neither a gap. Auf eine derartige Außenfläche kann dann auf die Konversionsschicht und/oder auf den Verguss ein optisches Element, wie zum Beispiel eine Linse, aufgebracht werden. can be applied to such outer surface then to the conversion coating and / or potting an optical element such as a lens, can be applied.
  • Gemäß zumindest einer Ausführungsform ist in die Konversionsschicht zumindest eine Kontaktöffnung eingebracht, in der das elektrisch leitende Material zumindest stellenweise angeordnet ist und dort das optoelektronische Bauteil elektrisch kontaktiert. According to at least one embodiment, is introduced at least one contact opening in the conversion layer in which the electrically conductive material is arranged at least in places, where electrical contact of the optoelectronic component. Mit anderen Worten erstreckt sich in vertikaler Richtung die Kontaktöffnung durch die Konversionsschicht zumindest stellenweise vollständig hindurch. In other words, the contact hole extending in the vertical direction by the conversion layer at least in places completely therethrough. Beispielsweise ist die Kontaktöffnung vollständig durch eine zusammenhängende Seitenfläche sowie eine Bodenfläche und eine der Bodenfläche gegenüberliegende Deckfläche gebildet. For example, the contact opening is completely formed by a continuous side surface and a bottom surface and a bottom surface opposite the top surface. Die Seitenfläche kann dann vollständig durch die Konversionsschicht selbst gebildet sein, wobei die Bodenfläche dann vollständig durch eine durch die Kontaktöffnung freigelegte Kontaktfläche des optoelektronischen Bauteils gebildet sein kann. The side surface may then be completely formed by the conversion layer itself, the bottom surface may then be completely formed by an exposed by the contact hole contact surface of the optoelectronic component.
  • Gemäß zumindest einer Ausführungsform füllt das elektrisch leitende Material die Öffnung vollständig aus. According to at least one embodiment, the electrically conductive material filling the opening completely. Das heißt, dass ein von der Öffnung in lateraler Richtung eingeschlossener Raum mit dem elektrisch leitenden Material vollständig befüllt ist. This means that an enclosed space from the opening in the lateral direction with the electrically conductive material is completely filled.
  • Gemäß zumindest einer Ausführungsform ist eine elektrisch leitende Verbindung zwischen der ersten Anschlussstelle und dem optoelektronischen Bauteil vollständig durch das elektrisch leitende Material gebildet. According to at least one embodiment, an electrically conductive connection between the first terminal and the optoelectronic component completely formed by the electrically conductive material.
  • Gemäß zumindest einer Ausführungsform umfasst der Grundkörper zumindest ein elektronisches Bauteil, welches an einer der Öffnung zugewandten Seite der ersten Anschlussstelle an der ersten Anschlussstelle angeordnet ist. According to at least one embodiment, the base body comprises at least one electronic component which on a side facing the opening side of the first connection point is arranged at the first connection point. Zum Beispiel ist das elektronische Bauteil in der gleichen Weise wie das optoelektronische Bauteil kontaktiert. For example, the electronic component in the same manner as is contacted by the optoelectronic component. Das heißt, das elektronische Bauteil ist dann ebenso über eine in den Verguss und/oder das Gehäuse eingebrachte Öffnung kontaktiert, in der zumindest stellenweise ein elektrisch leitendes Material angeordnet ist. That is, the electronic component is then also contacted by a introduced into the casting and / or the housing opening, in which at least in places an electrically conductive material is arranged. Beispielsweise enthält oder ist das elektronische Bauteil eine Schutzschaltung gegen Schäden durch elektrostatische Aufladung (auch ESD-Schutzschaltung). For example, contains or is the electronic component to a protection circuit against damage from electrostatic discharge (ESD protection circuit also).
  • Beispielsweise ist das elektronische Bauteil, bis auf eine eventuelle zur Kontaktierung dienende Öffnung vollständig und formschlüssig von dem Gehäusematerial bedeckt. For example, the electronic component to a possible serving for contacting the opening fully and positively covered by the housing material. Mit anderen Worten ist dann das elektronische Bauteil von dem Gehäusematerial vollständig umschlossen und kann beispielsweise von dem Gehäusematerial durch dieses für einen externen Betrachter verdeckt und/oder abgedeckt sein. In other words, the electronic component of the housing material is then completely enclosed and can for example be covered by the housing material through this for an external observer and / or covered.
  • Im Folgenden wird das hier beschriebene optoelektronische Halbleiterbauelement anhand von Ausführungsbeispielen und den dazugehörigen Figuren näher erläutert. In the following, the optoelectronic semiconductor component described here is explained in more detail with reference to embodiments and the associated figures.
  • Die The 1A 1A , . 1B 1B , . 2A 2A , . 2B 2 B , . 2C 2C und and 3 3 zeigen schematische Ansichten von Ausführungsbeispielen eines hier beschriebenen optoelektronischen Halbleiterbauelements. show schematic views of embodiments of an optoelectronic semiconductor device described herein.
  • In den Ausführungsbeispielen und den Figuren sind gleiche oder gleich wirkende Bestandteile jeweils mit den gleichen Bezugszeichen versehen. In the embodiments and the figures, identical or identically acting elements are provided with the same reference numerals. Die dargestellten Elemente sind nicht als maßstabsgetreu anzusehen, vielmehr können einzelne Elemente zum besseren Verständnis verschieden groß dargestellt sein. The elements illustrated should not be regarded as true to scale, rather individual elements for a better understanding can be displayed in different large.
  • Die The 1A 1A zeigt in einer schematischen Schnittdarstellung ein Ausführungsbeispiel eines hier beschriebenen optoelektronischen Halbleiterbauelements shows in a schematic sectional view of an embodiment of an optoelectronic semiconductor component described here 100 100 . , Ein Grundkörper A base body 1 1 des Halbleiterbauelements of the semiconductor component 100 100 weist eine Oberseite has a top side 11 11 sowie eine der Oberseite and one of the top 11 11 gegenüberliegende Unterseite opposite bottom 12 12 auf. on. Ferner weist der Grundkörper Further, the base body 1 1 eine erste Anschlussstelle A1 und eine zweite Anschlussstelle A2 sowie ein Gehäusematerial a first connection point A1 and a second connection point A2 as well as a housing material 2 2 auf. on. Vorliegend ist das Gehäusematerial In the present case, the housing material 2 2 strahlungsundurchlässig. radiopaque. Beispielsweise ist dazu das Gehäusematerial For example, the housing material 2 2 mit einem Epoxid gebildet, in das strahlungsabsorbierende und/oder reflektierende Partikel eingebracht sind. are formed with an epoxide introduced into the radiation-absorbing and / or reflecting particles. Beispielsweise kann es sich bei den strahlungsabsorbierenden Materialien um Russpartikel handeln. For example, it may be in the radiation-absorbing materials to soot particles. Die beiden Anschlussstellen A1 und A2 sind bis auf Kontaktflächen 1UF der Anschlussstellen A1 und A2 und einer Chipmontagefläche 1OF der zweiten Anschlussstelle A2 formschlüssig von dem Gehäusematerial The two connection points A1 and A2 are identical except for the contact surfaces 1UF connection points A1 and A2 and a chip mounting surface 1OF the second connection point A2 positive fit of the housing material 2 2 bedeckt. covered.
  • An der Unterseite On the bottom 12 12 des Grundkörpers of the base body 1 1 schließt das Gehäusematerial closes the housing material 2 2 in vertikaler Richtung V bündig mit den Anschlussstellen A1 und A2 ab. in the vertical direction V is flush with the connection points A1 and A2 from. Das heißt, dass eine Fläche an der Unterseite That is, a surface on the underside 12 12 des Grundkörpers of the base body 1 1 eben ist und somit weder Erhebungen noch Senkungen oder Unterbrechungen aufweist und durch die Form des Gehäusematerials is flat and thus has neither projections nor cuts or interruptions, and by the shape of the housing material 2 2 bestimmt sein kann. may be determined.
  • Die Anschlussstellen A1 und A2 dienen zur elektrischen Kontaktierung des Halbleiterbauelements The connection points A1 and A2 serve for the electrical contacting of the semiconductor component 100 100 . , Die Anschlussstellen A1 und A2 sind von der Unterseite The connection points A1 and A2 of the bottom 12 12 des Grundkörpers of the base body 1 1 frei zugänglich und vorliegend mit einem elektrisch kontaktfähigen Material, beispielsweise einem Metall, gebildet. freely accessible and in the present case formed by an electrically contactable material such as a metal.
  • Auf der Chipmontagefläche 1OF ist ein optoelektronisches Bauteil On the chip mounting surface 1OF is an optoelectronic component 3 3 mit der zweiten Anschlussstelle A2 elektrisch kontaktiert. electrical contact with the second connection point A2. Bei dem optoelektronischen Bauteil At the optoelectronic component 3 3 handelt es sich vorliegend um einen strahlungsemittierenden Halbleiterchip, zum Beispiel um einen Leuchtdiodenchip. is this case involves a radiation-emitting semiconductor chip, for example, a light emitting diode chip. Auf freiliegende Stellen des Gehäusematerials On exposed parts of the housing material 2 2 , der Chipmontagefläche 1OF und des optoelektronischen Bauteils , The chip mounting surface 1OF and the optoelectronic device 3 3 ist ein reflektierender oder strahlungsabsorbierender Verguss is a reflective or radiation absorbing grouting 4 4 aufgebracht. applied. Ist der Verguss reflektierend, sind dazu beispielsweise in diesen strahlungsreflektierende Partikel eingebracht. If the potting reflective particles are to introduced for example in these radiation-reflecting. Zum Beispiel ist der reflektierende Verguss For example, the reflective grouting 4 4 mit einem Silikon gebildet, in das die strahlungsreflektierenden Partikel eingebracht sind, die zum Beispiel mit zumindest einem der Materialien TiO 2 , BaSO 4 , ZnO oder Al x O y gebildet sind oder eines der genannten Materialien enthalten. formed with a silicone, in which the radiation-reflecting particles are introduced, which are formed, for example with at least one of the materials TiO 2, BaSO 4, ZnO or Al x O y or one of the said materials. Ist der Verguss strahlungsabsorbierend können in den Verguss zum Beispiel Rußpartikel eingebracht sein. If the potting absorb radiation may be introduced into the casting for example soot particles.
  • Vorliegend sind Seitenflächen Herein are side surfaces 31 31 des optoelektronischen Bauteils the optoelectronic device 3 3 vollständig von dem Verguss completely from the casting 4 4 bedeckt und stehen mit diesem dort in direktem Kontakt. covered and fit with, there in direct contact. Eine Strahlungsdurchtrittsfläche A radiation passage area 32 32 des optoelektronischen Bauteils the optoelectronic device 3 3 ist frei von dem Verguss is free of the potting 4 4 . , Auf die Strahlungsdurchtrittsfläche The radiation passage area 32 32 ist eine Konversionsschicht is a conversion layer 8 8th aufgeklebt, die beispielsweise von dem optoelektronischen Bauteil glued, the optoelectronic component, for example, from the 3 3 primär emittierte elektromagnetische Strahlung teilweise in Strahlung anderer Wellenlänge umwandelt. primarily emitted partially converted into radiation of a different wavelength electromagnetic radiation.
  • Ferner weist das optoelektronische Halbleiterbauelement Further, the optoelectronic semiconductor component 100 100 eine Öffnung an opening 5 5 auf, die den Verguss on which the grouting 4 4 und das Gehäusematerial and the housing material 2 2 vollständig durchdringt und sich von einer dem Grundkörper fully penetrates and extends from a the base body 1 1 abgewandten Oberseite top side facing away from 41 41 des Vergusses the casting 4 4 in Richtung der Unterseite toward the bottom 12 12 des Grundkörpers of the base body 1 1 erstreckt. extends. Vorliegend verringert sich eine maximale laterale Ausdehnung Herein reduces a maximum lateral extent 35 35 der Öffnung the opening 5 5 ausgehend von der Oberseite starting from the top 41 41 des Vergusses the casting 4 4 in Richtung der Unterseite toward the bottom 12 12 des Grundkörpers of the base body 1 1 . , Mit anderen Worten ist die Öffnung In other words, the opening 5 5 trichterförmig ausgebildet. a funnel-shaped. In der Öffnung In the opening 5 5 ist vollständig ein elektrisch leitendes Material is complete an electrically conductive material 6 6 angeordnet. arranged. Das elektrisch leitende Material The electrically conductive material 6 6 steht im Bereich is in the field 71 71 der Anschlussstelle A1 mit der Anschlussstelle A1 in direktem Kontakt. Junction A1 junction A1 in direct contact. Ferner erstreckt sich das elektrisch leitende Material Further, the electrically conductive material extends 6 6 an der Oberseite at the top 41 41 des Vergusses the casting 4 4 . , Das heißt, dass an einer an der Oberseite That is, at one at the top 41 41 ausgebildete Außenfläche des Vergusses shaped outer surface of the potting 4 4 das elektrisch leitende Material the electrically conductive material 6 6 an diesen Stellen in direktem Kontakt mit dem Verguss at these points in direct contact with the casting 4 4 steht. stands. Das elektrische leitende Material The electrical conductive material 6 6 verläuft an der Außenfläche des Vergusses extends to the outer surface of the potting 4 4 ausgehend von der Öffnung starting from the opening 5 5 in Richtung des optoelektronischen Bauteils in the direction of the optoelectronic device 3 3 und endet in einer Kontaktöffnung and ends in a contact opening 81 81 der Konversionsschicht the conversion layer 8 8th . , Die Kontaktöffnung The contact opening 81 81 der Konversionsschicht the conversion layer 8 8th ist vollständig mit dem elektrisch leitenden Material is completely filled with the electrically conductive material 6 6 ausgefüllt. filled. Über eine durch die Kontaktöffnung A through the contact hole 81 81 ausgebildete Kontaktfläche des optoelektronischen Bauteils formed contact surface of the optoelectronic component 3 3 ist das optoelektronische Bauteil is the optoelectronic component 3 3 mit der Anschlussstelle A1 über das elektrisch leitende Material with the connection point A1 via the electrically conductive material 6 6 elektrisch leitend kontaktiert. electrically contacted.
  • Ferner weist die Öffnung Further, the opening 5 5 einen Abstand a distance 53 53 in lateraler Richtung L zwischen der Öffnung in the lateral direction L between the opening 5 5 und dem optoelektronischen Bauteil and the optoelectronic component 3 3 auf, der höchstens eine maximale laterale Ausdehnung to at most a maximum lateral extent 33 33 des optoelektronischen Bauteils the optoelectronic device 3 3 beträgt. is. Durch die laterale Anordnung ist in lateraler Richtung L zwischen der Öffnung Through the lateral arrangement in the lateral direction L between the opening 5 5 und dem optoelektronischen Bauteil and the optoelectronic component 3 3 das elektrisch isolierende Material des Vergusses the electrically insulating material of the encapsulation 4 4 und/oder des Gehäusematerials and / or the housing material 2 2 angeordnet. arranged. Mit anderen Worten dienen der Verguss In other words, the encapsulation serve 4 4 und/oder das Gehäusematerial and / or the housing material 2 2 als ein elektrischer Isolator zwischen der Öffnung as an electrical insulator between the opening 5 5 und dem optoelektronischen Bauteil and the optoelectronic component 3 3 . ,
  • Die Konversionsschicht The conversion layer 8 8th schließt in vertikaler Richtung V bündig mit dem Verguss closes in the vertical direction V flush with the potting 4 4 ab. from. Vorteilhaft kann durch eine an der Oberseite Advantageously, at the top by a 41 41 des Vergusses the casting 4 4 und durch das Konverterelement and through the converter element 8 8th ausgebildete Außenfläche beispielsweise ein optisches Element direkt auf diese aufgeklebt werden. shaped outer surface, for example, an optical element can be adhered directly to this.
  • Die The 1B 1B zeigt in einer weiteren schematischen Draufsicht das in der shows a further schematic plan view of the in 1A 1A beschriebene optoelektronische Halbleiterbauelement optoelectronic semiconductor device described 100 100 . , Wiederum erkennbar ist die Kontaktöffnung Again recognizable is the contact opening 81 81 , in der das elektrisch leitende Material In which the electrically conductive material 6 6 angeordnet ist. is arranged.
  • Die The 2A 2A zeigt in einer schematischen Ansicht ein weiteres Ausführungsbeispiel eines hier beschriebenen optoelektronischen Halbleiterbauelements shows a schematic view of another exemplary embodiment of an optoelectronic semiconductor device described here 100 100 . , Im Vergleich zu dem in der Compared to that in the 1A 1A dargestellten Halbleiterbauelement The semiconductor device shown 100 100 weist das in der includes the in 2A 2A dargestellte Halbleiterbauelement The semiconductor device shown 100 100 durch das Gehäusematerial through the housing material 2 2 ausgebildete Erhebungen trained surveys 22 22 aus. out. Vorliegend umranden die Erhebungen Present border the elevations 22 22 sowohl das optoelektronische Bauteil both the optoelectronic device 3 3 als auch den Verguss and the grouting 4 4 in lateraler Richtung L vollständig. completely in the lateral direction L. Die Erhebungen the surveys 22 22 sind wulstartig ausgebildet. are formed bead.
  • Weiter ist in der Further, in the 2B 2 B dargestellt, dass das optoelektronische Halbleiterbauelement shown that the optoelectronic semiconductor component 100 100 ein elektronisches Bauteil an electronic component 9 9 aufweist. having. Vorliegend handelt es sich bei dem elektronischen Bauteil The present case concerns with the electronic component 9 9 um eine ESD-Schutzdiode. an ESD protection diode. Das elektronische Bauteil The electronic component 9 9 ist an einer der Öffnung is at one of the opening 5 5 zugewandten Seite der ersten Anschlussstelle A1 an der Anschlussstelle A1 angeordnet. side facing the first connection point A1 at the connection point A1 disposed. Dabei stehen das elektronische Bauteil The focus is the electronic component 9 9 und die erste Anschlussstelle A1 in direktem Kontakt miteinander. and the first connecting point A1 in direct contact with each other. Die erste Anschlussstelle A1 ist dabei mit dem elektronischen Bauteil The first connection point A1 is with the electronic component 9 9 elektrisch leitend kontaktiert. electrically contacted.
  • In der In the 2C 2C ist in einer schematischen Unteransicht das in den is a schematic bottom view of the in 2A 2A und and 2B 2 B dargestellte optoelektronische Halbleiterbauelement represented optoelectronic semiconductor component 100 100 dargestellt. shown. Erkennbar ist, dass die Anschlussstellen A1 und A2 von der Unterseite It can be seen that the terminals A1 and A2 of the bottom 12 12 des Grundkörpers of the base body 1 1 frei einsehbar und über die Unterseite and freely visible on the underside 12 12 elektrisch kontaktierbar sind. can be electrically contacted.
  • Die The 3 3 zeigt in einer schematischen Schnittansicht ein weiteres Ausführungsbeispiel des optoelektronischen Halbleiterbauelements shows in a schematic sectional view of another embodiment of the optoelectronic semiconductor component, 100 100 , bei dem im Vergleich zu dem in den Where the compared to the 2A 2A bis to 2C 2C dargestellten Ausführungsbeispiel zusätzlich auf freiliegenden Stellen des Gehäusematerials Embodiment shown in addition to exposed areas of the housing material 2 2 , der Konversionsschicht , The conversion layer 8 8th und des Vergusses and the casting 4 4 ein optisches Element an optical element 10 10 aufgebracht ist. is applied. Vorliegend handelt es sich bei dem optischen Element In the present case it is the optical element 10 10 um eine Auskoppellinse mit einer Strahlungsauskoppelfläche a coupling-out lens having a radiation output 11 11 . , Beispielsweise ist die Linse mit einem strahlungsdurchlässigen Silikon gebildet. For example, the lens having a radiation-transmissive silicon is formed. Das optische Element The optical element 10 10 bedeckt die Erhebungen covers the elevations 22 22 vollständig und ist in lateraler Richtung L beidseits der Erhebungen complete and is in the lateral direction L on both sides of the protrusions 22 22 angeordnet. arranged. Vorteilhaft kann ein Ablösen (auch Delaminieren) des optischen Elements Advantageously, a peeling can (also delamination) of the optical element 10 10 von dem Gehäusematerial of the housing material 2 2 durch die Erhebungen by the elevations 22 22 zumindest in lateraler Richtung L verhindert werden. be prevented at least in the lateral direction L.
  • Die Erfindung ist nicht durch die Beschreibung anhand der Ausführungsbeispiele beschränkt. The invention is not restricted by the description based on the embodiments. Vielmehr umfasst die Erfindung jedes neue Merkmal sowie jede Kombination von Merkmalen, was insbesondere jede Kombination von Merkmalen in den Patentansprüchen beinhaltet, auch wenn dieses Merkmal oder diese Kombination selbst nicht explizit in den Patentansprüchen und Ausführungsbeispielen angegeben ist. Rather, the invention encompasses any new feature and any combination of features, which in particular includes any combination of features in the patent claims, even if this feature or this combination itself is not explicitly specified in the claims and embodiments.

Claims (10)

  1. Optoelektronisches Halbleiterbauelement ( The optoelectronic semiconductor component ( 100 100 ), mit – einem Grundkörper ( ), Comprising - (a base body 1 1 ), der eine Oberseite ( ), The (an upper surface 11 11 ) sowie eine der Oberseite ( ) And one of the top ( 11 11 ) gegenüberliegende Unterseite ( ) Opposite the bottom ( 12 12 ) aufweist, wobei der Grundkörper ( ), Wherein the base body ( 1 1 ) eine erste Anschlussstelle (A1) und eine zweite Anschlussstelle (A2) sowie ein Gehäusematerial ( ) A first connection point (A1) and a second connecting point (A2) as well as a housing material ( 2 2 ) aufweist; ) having; – zumindest einem optoelektronischen Bauteil ( - at least one optoelectronic component ( 3 3 ), das an der Oberseite ( ), Which (at the top 11 11 ) des Grundkörpers ( () Of the base body 1 1 ) am Grundkörper ( ) (On the base body 1 1 ) angeordnet ist; ) Is disposed; – einem an der Oberseite ( - a (at the top 11 11 ) des Grundkörpers ( () Of the base body 1 1 ) angeordneten Verguss ( ) Arranged encapsulation ( 4 4 ), der das optoelektronische Bauteil ( ), Which (the optoelectronic component 3 3 ) und den Grundkörper ( ) And the base ( 1 1 ) zumindest stellenweise bedeckt; ) At least in places; – zumindest einer Öffnung ( - at least one opening ( 5 5 ), die den Verguss ( ), Which (the potting 4 4 ) und das Gehäusematerial ( ) And the housing material ( 2 2 ) durchdringt und sich von einer dem Grundkörper ( ) Penetrates and (one of the base body 1 1 ) abgewandeten Oberseite ( ) Remote from the upper side ( 41 41 ) des Vergusses ( () Of the potting 4 4 ) in Richtung der Unterseite ( ) (In the direction of the bottom 12 12 ) des Grundkörpers ( () Of the base body 1 1 ) erstreckt, wobei – das Gehäusematerial ( ), Said - the housing material ( 2 2 ) die beiden Anschlussstellen (A1, A2) miteinander verbindet, – die Öffnung ( ) Connects the two connection points (A1, A2) with one another, - the opening ( 5 5 ) in lateraler Richtung (L) beabstandet zu dem optoelektronischen Bauteil ( ) (In the lateral direction L) spaced (to the optoelectronic component 3 3 ) angeordnet ist, – in der Öffnung ( ) Is arranged, - in the opening ( 5 5 ) zumindest stellenweise ein elektrisch leitendes Material ( ) At least in places an electrically conductive material ( 6 6 ) angeordnet ist, – das elektrisch leitende Material ( ) Is arranged, - the electrically conductive material ( 6 6 ) sich zumindest stellenweise an der Oberseite ( ) Extends at least in places (on the upper side 41 41 ) des Vergusses ( () Of the potting 4 4 ) erstreckt, und – das elektrisch leitende Material ( ), And - the electrically conductive material ( 6 6 ) die erste Anschlussstelle (A1) elektrisch leitend mit dem optoelektronischen Bauteil ( ), The first connection point (A1) is electrically conductive (with the optoelectronic component 3 3 ) verbindet. ) Connects.
  2. Optoelektronisches Halbleiterbauelement ( The optoelectronic semiconductor component ( 100 100 ) nach Anspruch 1, bei dem eine maximale laterale Ausdehnung ( ) According to claim 1, wherein (a maximum lateral extent 35 35 ) der Öffnung ( () Of the opening 5 5 ) sich ausgehend von der Oberseite ( ), Starting (from the top 41 41 ) des Vergusses ( () Of the potting 4 4 ) in Richtung der Unterseite ( ) (In the direction of the bottom 12 12 ) des Grundkörpers ( () Of the base body 1 1 ) verringert. ) Is reduced.
  3. Optoelektronisches Halbleiterbauelement ( The optoelectronic semiconductor component ( 100 100 ) nach Anspruch 1 oder 2, bei dem ein Abstand ( ) According to claim 1 or 2, wherein (a distance 53 53 ) in der lateralen Richtung (L) zwischen der Öffnung ( ) (In the lateral direction (L) between the opening 5 5 ) und dem optoelektronischen Bauteil ( ) And the optoelectronic component ( 3 3 ) höchstens eine maximale laterale Ausdehnung ( ) Not more than a maximum lateral extent ( 33 33 ) des optoelektronischen Bauteils ( () Of the optoelectronic component 3 3 ) beträgt. ) Is.
  4. Optoelektronisches Halbleiterbauelement ( The optoelectronic semiconductor component ( 100 100 ) nach einem der vorhergehenden Ansprüche, bei dem der Verguss ( ) According to one of the preceding claims, wherein the encapsulation ( 4 4 ) strahlungsreflektierend oder strahlungsabsorbierend ist und mit dem optoelektronischen Bauteil ( ) Is radiation reflecting or absorbing radiation and (with the optoelectronic component 3 3 ) an Seitenflächen ( ) (On side surfaces 31 31 ) zumindest stellenweise in direktem Kontakt ist, wobei eine Strahlungsdurchtrittsfläche ( ) At least in places is in direct contact, wherein a radiation passage surface ( 32 32 ) des optoelektronischen Bauteils ( () Of the optoelectronic component 3 3 ) frei von dem Verguss ( ) Free (of the potting 4 4 ) ist. ) Is.
  5. Optoelektronisches Halbleiterbauelement ( The optoelectronic semiconductor component ( 100 100 ) nach dem vorhergehenden Anspruch, bei dem auf die Strahlungsdurchtrittsfläche ( ) According to the preceding claim, in which (on the radiation passage surface 32 32 ) zumindest eine Konversionsschicht ( ) At least one conversion layer ( 8 8th ) aufgebracht ist. ) Is applied.
  6. Optoelektronisches Halbleiterbauelement ( The optoelectronic semiconductor component ( 100 100 ) nach dem vorhergehenden Anspruch, bei dem in vertikaler Richtung (V) die Konversionsschicht ( () According to the preceding claim, in which (in the vertical direction V) the conversion layer 8 8th ) bündig mit dem Verguss ( ) Flush with (with the potting 4 4 ) abschließt. ) Closes.
  7. Optoelektronisches Halbleiterbauelement ( The optoelectronic semiconductor component ( 100 100 ) nach Anspruch 5 oder 6, bei dem in die Konversionsschicht ( ) According to claim 5 or 6, in which (in the conversion layer 8 8th ) zumindest eine Kontaktöffnung ( ) At least one contact opening ( 81 81 ) eingebracht ist, in der das elektrisch leitende Material ( ) Is introduced in which the electrically conductive material ( 6 6 ) zumindest stellenweise angeordnet ist und dort das optoelektronische Bauteil ( ) Is arranged at least in places, and there (the optoelectronic component 3 3 ) elektrisch kontaktiert. ) Electrically contacted.
  8. Optoelektronisches Halbleiterbauelement ( The optoelectronic semiconductor component ( 100 100 ) nach einem der vorhergehenden Ansprüche, bei dem das elektrische leitende Material ( ) According to one of the preceding claims, in which (the electrical conductive material 6 6 ) die Öffnung ( ) the opening ( 5 5 ) vollständig ausfüllt. ) Completely fills.
  9. Optoelektronisches Halbleiterbauelement ( The optoelectronic semiconductor component ( 100 100 ) nach einem der vorhergehenden Ansprüche, bei dem eine elektrisch leitende Verbindung zwischen der ersten Anschlussstelle (A1) und dem optoelektronischen Bauteil ( ) (According to any of the preceding claims, in which an electrically conductive connection between the first connection point (A1) and the optoelectronic component 3 3 ) vollständig durch das elektrisch leitende Material ( ) Completely (through the electrically conductive material 6 6 ) gebildet ist. ) Is formed.
  10. Optoelektronisches Halbleiterbauelement ( The optoelectronic semiconductor component ( 100 100 ) nach einem der vorhergehenden Ansprüche, mit zumindest einem elektronischen Bauteil ( ) According to one of the preceding claims, (with at least one electronic component 9 9 ), welches an einer der Öffnung ( ) Which (in one of the opening 5 5 ) zugewandten Seite der ersten Anschlussstelle (A1) an der ersten Anschlussstelle (A1) angeordnet ist. ) Side facing the first connection point (A1) at the first connection point (A1) is arranged.
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