DE102007029369A1 - Opto-electronic semiconductor component, has opaque material for covering conductive strips of connection carrier and areas of chip connection region and for uncovering radiation passage surface of opto-electronic semiconductor chip - Google Patents

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Abstract

The component has a connection carrier (1) with conductive strips (2) and a chip connection region (3). An opto-electronic semiconductor chip (4) is superimposed on the connection region. An opaque material (6) covers the conductive strips and areas of the chip connection region. A radiation passage surface of the semiconductor chip is uncovered by the opaque material. A frame (8) surrounds the chip connection region by four sides. The opaque material comprises light absorbent particles (7a), which are attached into a matrix material. An independent claim is also included for a method for manufacturing an opto-electronic semiconductor component.

Description

Es wird ein optoelektronisches Halbleiterbauelement angegeben. Darüber hinaus wird ein Verfahren zur Herstellung eines solchen optoelektronischen Halbleiterbauelements angegeben.It an optoelectronic semiconductor device is specified. About that In addition, a method for producing such an optoelectronic Semiconductor device indicated.

Die Druckschrift WO 2006/063552 A1 beschreibt ein optoelektronisches Halbleiterbauelement mit wenigstens einer Leuchtdiode, die gemeinsam mit einer Steuervorrichtung auf einem Anschlussträger angeordnet ist.The publication WO 2006/063552 A1 describes an optoelectronic semiconductor component having at least one light-emitting diode, which is arranged together with a control device on a connection carrier.

Eine zu lösende Aufgabe besteht darin, ein optoelektronisches Halbleiterbauelement anzugeben, das besonders gute optische Eigenschaften aufweist. Eine weitere zu lösende Aufgabe besteht darin, ein Verfahren zur Herstellung eines solchen optoelektronischen Halbleiterbauelements anzugeben.A to be solved task is an optoelectronic Specify semiconductor device, the particularly good optical properties having. Another task to be solved is to a method for producing such an optoelectronic semiconductor device specify.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform des optoelektronischen Halbleiterbauelements umfasst das optoelektronische Halbleiterbauelement einen Anschlussträger. Bei dem Anschlussträger handelt es sich beispielsweise um eine Leiterplatte wie etwa eine bedruckte Leiterplatte, eine Metallkernplatine oder eine Leiterplatte, mit einem keramischen Grundkörper. Auf die Leiterplatte oder in die Leiterplatte sind Leiterbahnen eingebracht, die zur Leitung eines elektrischen Stroms dienen. Ferner sind auf der Leiterplatte Chipanschlussbereiche angeordnet, welche zur Befestigung eines optoelektronischen Halbleiterchips vorgesehen sind. Der Anschlussträger umfasst dabei vorzugsweise zumindest einen Chipanschlussbereich, besonders bevorzugt eine Vielzahl von Chipanschlussbereichen.At least an embodiment of the optoelectronic semiconductor device The optoelectronic semiconductor component comprises a connection carrier. The connection carrier is, for example around a printed circuit board such as a printed circuit board, a Metal core board or a printed circuit board, with a ceramic base body. On the circuit board or in the circuit board are printed conductors introduced, which serve to conduct an electric current. Further Chip connection areas are arranged on the circuit board, which intended for fixing an optoelectronic semiconductor chip are. The connection carrier preferably comprises at least a chip connection region, particularly preferably a plurality of Chip connection areas.

Leiterbahnen und Chipanschlussbereiche sind beispielsweise durch Metallisierungen, die auf die Oberfläche des Anschlussträgers aufgebracht sind, gegeben. Beispielsweise enthalten diese Metallisierungen Gold oder sie bestehen aus Gold.conductor tracks and chip connection areas are for example by metallization, which are applied to the surface of the connection carrier, where. For example, these metallizations contain gold or they are made of gold.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform des optoelektronischen Halbleiterbauelements umfasst das Halbleiterbauelement ferner einen optoelektronischen Halbleiterchip. Bei dem optoelektronischen Halbleiterchip handelt es sich um einen strahlungsemittierenden und/oder strahlungsempfangenden Halbleiterchip. Beispielsweise handelt es sich bei dem Halbleiterchip um einen Leuchtdiodenchip.At least an embodiment of the optoelectronic semiconductor device The semiconductor device further comprises an optoelectronic Semiconductor chip. In the optoelectronic semiconductor chip is it is a radiation-emitting and / or radiation-receiving Semiconductor chip. By way of example, the semiconductor chip is concerned around a LED chip.

Der optoelektronische Halbleiterchip ist auf einem Chipanschlussbereich des Anschlussträgers aufgebracht. Beispielsweise ist der optoelektronische Halbleiterchip mit der, seiner Strahlungsdurchtrittsfläche gegenüberliegenden, Oberfläche auf dem Chipanschlussbereich aufgebracht. Die Strahlungsdurchtrittsfläche des Halbleiterchips ist diejenige Fläche, durch die beispielsweise im Halbleiterchip erzeugte elektromagnetische Strahlung diesen verlassen kann und durch die im Halbleiterchip zu absorbierende Strahlung in diesen eintritt. Der optoelektronische Halbleiterchip kann dabei elektrisch leitend mit dem Chipanschlussbereich befestigt sein und ist dazu beispielsweise auf den Chipanschlussbereich gelötet.Of the Optoelectronic semiconductor chip is on a chip connection area of the connection carrier applied. For example, the Optoelectronic semiconductor chip with the, its radiation passage area opposite, surface on the chip connection area applied. The radiation passage area of the semiconductor chip is the area through which, for example, in the semiconductor chip generated electromagnetic radiation can leave this and by the radiation to be absorbed in the semiconductor chip in these entry. The optoelectronic semiconductor chip can be electrically be conductively attached to the chip connection area and is to for example, soldered to the chip connection area.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform des optoelektronischen Halbleiterbauelements umfasst das Halbleiterbauelement ferner ein lichtundurchlässiges Material, das die Leiterbahnen und gegebenenfalls vom optoelektronischen Halbleiterchip unbedeckte Bereiche des Chipanschlussbereichs, auf den der Halbleiterchip aufgebracht ist, bedeckt. Dabei bleibt die Strahlungsdurchtrittsfläche des Halbleiterchips – das heißt diejenige Fläche, durch die beispielsweise im Halbleiterchip erzeugte elektromagnetische Strahlung diesen verlassen kann – vom lichtundurchlässigen Material unbedeckt. Das heißt, die Strahlungsdurchtrittsfläche ist frei von dem lichtundurchlässigen Material. Übrige Flächen des Halbleiterchips, beispielsweise seine Seitenflächen, können vom lichtundurchlässigen Material vollständig oder zumindest teilweise bedeckt sein. Mit anderen Worten umschließt das lichtundurchlässige Material den optoelektronischen Halbleiterchip seitlich zumindest teilweise, wobei die Strahlungsdurchtrittsfläche unbedeckt vom strahlungsundurchlässigen Material ist. Der optoelektronische Halbleiterchip ist beispielsweise mit seiner der Strahlungsdurchtrittsfläche abgewandten Montagefläche auf dem Chipanschlussbereich befestigt und an seinen Seitenflächen vom lichtundurchlässigen Material umgeben.At least an embodiment of the optoelectronic semiconductor device The semiconductor device further comprises an opaque one Material containing the tracks and optionally optoelectronic Semiconductor chip uncovered areas of the chip connection area, on the semiconductor chip is applied, covered. The remains Radiation passage surface of the semiconductor chip - the is the area through which, for example in the semiconductor chip generated electromagnetic radiation leave this can - uncovered from opaque material. That is, the radiation passage area is free of the opaque material. Rest Surfaces of the semiconductor chip, for example its side surfaces, can be completely or partially from the opaque material be at least partially covered. In other words, encloses the opaque material is the optoelectronic Semiconductor chip laterally at least partially, the radiation passage area uncovered from the radiopaque material. The optoelectronic Semiconductor chip is, for example, with its the radiation passage area remote mounting surface on the chip connection area attached and on its side surfaces from the opaque Surrounded by material.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform des optoelektronischen Halbleiterbauelements umfasst das Halbleiterbauelement einen Anschlussträger, der Leiterbahnen und zumindest einen Chipanschlussbereich umfasst, einen optoelektronischen Halbleiterchip, der auf den zumindest einen Chipanschlussbereich aufgebracht ist, und ein lichtundurchlässiges Material, welches die Leiterbahnen und vom Halbleiterchip unbedeckte Bereiche des Chipanschlussbereichs bedeckt, wobei eine Strahlungsdurchtrittsfläche des Halbleiterchips vom lichtundurchlässigen Material frei ist.At least an embodiment of the optoelectronic semiconductor device the semiconductor device comprises a connection carrier, the conductor tracks and at least one chip connection area, an optoelectronic semiconductor chip, on the at least one Chip connection area is applied, and an opaque Material which the printed circuit traces and from the semiconductor chip uncovered Covered areas of the chip connection area, wherein a radiation passage area of the semiconductor chip from the opaque material free is.

Dem hier beschriebenen optoelektronischen Halbleiterbauelement liegt dabei unter anderem die Erkenntnis zugrunde, dass ein besonders hohes Kontrastverhältnis zwischen beispielsweise einem strahlungsemittierenden LED-Chip und der Umgebung des LED-Chips für bestimmte Anwendungen des optoelektronischen Halbleiterbauelements von entscheidender Bedeutung ist. So hat sich beispielsweise gezeigt, dass bei der Verwendung von abbildenden Optiken, die dem optoelektronischen Halbleiterbauelement in seiner Hauptabstrahlrichtung nachgeordnet sind, der Hell/Dunkel-Kontrast zwischen optoelektronischen Halbleiterchips und ihn umgebendes Gehäuse so groß wie möglich sein sollte, damit störendes Streulicht sowie Lichtreflexionen unterbunden werden. Das Streulicht und die Lichtreflexionen können durch den Anschlussträger, Leiterbahnen oder Chipanschlussbereiche verursacht werden.The optoelectronic semiconductor component described here is based inter alia on the recognition that a particularly high contrast ratio between, for example, a radiation-emitting LED chip and the surroundings of the LED chip is of crucial importance for certain applications of the optoelectronic semiconductor component. For example, it has been shown that the use of imaging optics, which are arranged downstream of the optoelectronic semiconductor component in its main emission direction, the light / dark contrast between Optoelectronic semiconductor chip and its surrounding housing should be as large as possible, so disturbing stray light and light reflections are prevented. The scattered light and the light reflections can be caused by the connection carrier, conductor tracks or chip connection areas.

Ferner kann das lichtundurchlässige Material zu einer elektrischen Passivierung und einem mechanischen Schutz von Teilen des Gehäuses wie zum Beispiel dem Anschlussträger, den Leiterbahnen und den Chipanschlussbereichen dienen. Auf diese Weise kann der Einsatz eines lichtundurchlässigen Materials, welches diese Komponenten zumindest teilweise bedeckt, die Lebensdauer des optoelektronischen Halbleiterbauelements erhöhen.Further the opaque material can become an electrical Passivation and mechanical protection of parts of the housing such as the connection carrier, the conductor tracks and the chip connection areas. In this way, the Use of an opaque material containing these Components at least partially covered, the life of the optoelectronic Increase semiconductor device.

Ferner ist es möglich, dass der Anschlussträger stellenweise lichtdurchlässig ist. Dies kann beispielsweise der Fall sein, wenn der Anschlussträger einen Grundkörper aus einem Keramikmaterial umfasst. Die Lichtdurchlässigkeit des Anschlussträgers kann sich aber für manche Anwendungen als störend erweisen. Der Einsatz eines lichtundurchlässigen Materials, welches den Anschlussträger teilweise bedeckt, kann sich dabei als vorteilhaft erweisen. Es ist dabei insbesondere auch möglich, dass das lichtundurchlässige Material den Anschlussträger vollständig bedeckt. Das heißt, dass zumindest die Seite des Anschlussträgers, auf der sich der Chipanschlussbereich befindet, mit dem lichtundurchlässigen Material bedeckt ist. Es ist auch möglich, dass zusätzlich oder alternativ zu dieser Seite des Anschlussträgers auch die Seite des Anschlussträgers, die dem Chipanschlussbereich abgewandt ist, mit dem lichtundurchlässigen Material teilweise oder vollständig bedeckt ist.Further it is possible that the connection carrier in places is translucent. This can be the case, for example be, if the connection carrier is a basic body made of a ceramic material. The light transmission However, the connection carrier may be for some Applications prove annoying. The use of an opaque material, which partially covers the connection carrier can become prove to be advantageous. It is also possible in particular that the opaque material is the connection carrier completely covered. That means that at least the side of the connection carrier on which the chip connection area is covered with the opaque material is. It is also possible that additionally or alternatively to this side of the connection carrier also the side of the Connection carrier, which faces away from the chip connection area is partial or partial, with the opaque material completely covered.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform des optoelektronischen Halbleiterbauelements weist das Bauelement ferner einen Rahmen auf, welcher den zumindest einen Chipanschlussbereich von vier Seiten umschließt. Der Rahmen ist dabei beispielsweise auf dem Anschlussträger befestigt und umgibt den Bereich des Anschlussträgers, in dem sich die Chipanschlussbereiche befinden. Der Rahmen kann dabei ein metallisches Material oder ein keramisches Material oder einen Kunststoff enthalten.At least an embodiment of the optoelectronic semiconductor device the device further comprises a frame, which at least encloses a chip connection area of four sides. The frame is, for example, on the connection carrier attaches and surrounds the area of the connection carrier, in which the chip connection areas are located. The frame can do that a metallic material or a ceramic material or a Plastic included.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform des optoelektronischen Halbleiterbauelements ist der Rahmen zumindest stellenweise vom lichtundurchlässigen Material bedeckt. Beispielsweise sind den optoelektronischen Halbleiterchip zugewandte Bereiche des Rahmens vom lichtundurchlässigen Material zumindest stellenweise bedeckt, so dass keine störenden Reflexionen am Rahmen auftreten können. Darüber hinaus ist es möglich, dass die gesamte den optoelektronischen Halbleiterchips zugewandte Seite des Rahmens vom lichtundurchlässigen Material bedeckt ist.At least an embodiment of the optoelectronic semiconductor device the frame is at least in places from the opaque Material covered. For example, the optoelectronic semiconductor chip facing areas of the frame from the opaque Covered material at least in places, so no disturbing Reflections on the frame may occur. About that It is also possible that the whole of the optoelectronic Semiconductor chips facing side of the frame from the opaque Material is covered.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform des optoelektronischen Halbleiterbauelements ist das lichtundurchlässige Material lichtabsorbierend ausgebildet. Das lichtundurchlässige Material ist dabei vorzugsweise schwarz ausgebildet. Beispielsweise weist das lichtundurchlässige Material eine Reflektivität für Licht im sichtbaren Spektralbereich von unter 20%, vorzugsweise von unter 10%, besonders bevorzugt von unter 1% auf. Aufgrund der lichtabsorbierenden Eigenschaften des Materials ist der Hell/Dunkel-Kontrast zwischen optoelektronischem Halbleiterbauelement und dem ihm umgebenden Bereich weiter erhöht. Zum Beispiel handelt es sich bei dem Material um ein mattes, lichtabsorbierendes, lichtundurchlässiges Material, das besonders temperaturbeständig ist. Ferner kann es sich als vorteilhaft erweisen, wenn das Material zusätzlich gegenüber Bestrahlung mit elektromagnetischer Strahlung aus dem UV-Bereich beständig ist, da dann das optoelektronische Halbleiterbauelement auch bei der Verwendung von optoelektronischen Halbleiterchips, die im blauen bis UV-Bereich emittieren, eine besonders hohe Lebensdauer aufweist.At least an embodiment of the optoelectronic semiconductor device the opaque material is designed to absorb light. The opaque material is preferably formed black. For example, the opaque Material a reflectivity for light in the visible Spectral range of less than 20%, preferably less than 10%, more preferably of less than 1%. Due to the light-absorbing properties of the material is the bright / dark contrast between the optoelectronic semiconductor component and the surrounding area further increased. For example If the material is a matte, light-absorbing, opaque Material that is particularly temperature resistant. Further It may prove advantageous if the material in addition against irradiation with electromagnetic radiation from the UV range is stable, because then the optoelectronic Semiconductor device even when using optoelectronic Semiconductor chips that emit in the blue to UV range, a particularly high Life has.

Ferner zeichnet sich das lichtundurchlässige Material bevorzugt durch eine gute Haftung am Anschlussträger, an den Leiterbahnen, an den Chipanschlussbereichen, an den Chipflanken sowie am Rahmen aus.Further the opaque material is preferred due to good adhesion to the connection carrier, to the conductor tracks, at the chip connection areas, at the chip edges as well as at the frame out.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform umfasst das lichtundurchlässige Material lichtabsorbierende Partikel, die in ein Matrixmaterial eingebettet sind. Bei dem Matrixmaterial kann es sich beispielsweise um ein Epoxidharz, ein Silikon, oder ein Epoxid-Silikon-Hybridmaterial handeln. Bei den lichtabsorbierenden Partikeln handelt es sich beispielsweise um Rußpartikel oder schwarze Pigmente. Ferner kann es sich bei den lichtabsorbierenden Partikeln um Lacke auf diversen chemischen Basismaterialien handeln.At least In one embodiment, the opaque Material light-absorbing particles that are in a matrix material are embedded. The matrix material may be, for example an epoxy resin, a silicone, or an epoxy-silicone hybrid material act. The light-absorbing particles are, for example soot particles or black pigments. It can also be in the light-absorbing particles to paints on various chemical Act base materials.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform des optoelektronischen Halbleiterbauelements sind die Strahlungsdurchtrittsfläche des optoelektronischen Halbleiterchips und zumindest ein Teil der dem Anschlussträger abgewandten Oberfläche des lichtundurchlässigen Materials von einem lichtdurchlässigen Material bedeckt. Bei dem lichtdurchlässigen Material handelt es sich zum Beispiel um ein Vergussmaterial oder ein Index-Matching-Gel. Beispielsweise kann das lichtdurchlässige Material das gleiche Matrixmaterial wie das lichtundurchlässige Material aufweisen. Im lichtdurchlässigen Material ist dann auf die lichtabsorbierenden Partikel zumindest weitgehend oder vollständig verzichtet. Das heißt, das lichtdurchlässige Material enthält kaum oder gar keine lichtabsorbierende Partikel.At least an embodiment of the optoelectronic semiconductor device are the radiation passage area of the optoelectronic Semiconductor chips and at least a part of the connection carrier opposite surface of the opaque Materials covered by a translucent material. The translucent material is for For example, a potting material or an index matching gel. For example the translucent material can be the same matrix material as the opaque material have. In the translucent Material is then on the light-absorbing particles at least largely or completely omitted. This means, the translucent material contains little or no light-absorbing particles at all.

Beispielsweise können sich im lichtdurchlässigen Material aber Streupartikel und/oder Partikel eines oder mehrerer Lumineszenzkonversionsmaterialien befinden. Diese Lumineszenzkonversionsmaterialien sind beispielsweise geeignet, vom optoelektronischen Halbleiterchip emittierte elektromagnetische Strahlung zu absorbieren und elektromagnetische Strahlung einer größeren Wellenlänge zu re-emittieren. Beispielsweise kann der optoelektronische Halbleiterchip dabei Licht aus dem ultravioletten oder blauen Frequenzbereich emittieren, wohingegen das Lumineszenzkonversionsmaterial geeignet ist, Licht aus dem rot-grünen oder gelben Spektralbereich zu emittieren. Auf diese Weise kann erreicht sein, dass das optoelektronische Halbleiterbauelement weißes Licht emittiert.For example can be in the translucent material though Scattering particles and / or particles of one or more luminescence conversion materials are located. These luminescence conversion materials are, for example suitable, emitted by the optoelectronic semiconductor chip electromagnetic radiation to absorb and electromagnetic radiation of a larger one Wavelength to re-emit. For example, the optoelectronic Semiconductor chip while light from the ultraviolet or blue frequency range whereas the luminescence conversion material is suitable is, light from the red-green or yellow spectral range to emit. In this way it can be achieved that the optoelectronic Semiconductor device emits white light.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform des optoelektronischen Halbleiterbauelements ist das optoelektronische Halbleiterbauelement mittels eines Kontaktdrahtes mit zumindest einer Leiterbahn des Bauelements elektrisch leitend verbunden. Der Kontaktdraht kann dazu beispielsweise mit einer Kontaktstelle, die auf der Strahlungsdurchtrittsfläche des optoelektronischen Halbleiterchips angeordnet ist, verbunden sein. Vorzugsweise ist auch der Kontaktdraht zumindest stellenweise vom lichtundurchlässigen Material bedeckt. Auf diese Weise sind auch Reflexionen und Abschirmeffekte aufgrund des Kontaktdrahtes reduziert oder gänzlich verhindert.At least an embodiment of the optoelectronic semiconductor device is the optoelectronic semiconductor component by means of a contact wire with at least one conductor track of the device electrically conductive connected. The contact wire can, for example, with a contact point, on the radiation passage surface of the optoelectronic Semiconductor chips is arranged to be connected. Preferably also the contact wire at least in places from the opaque Material covered. In this way, there are also reflections and shielding effects reduced or completely prevented due to the contact wire.

Es wird darüber hinaus ein Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterbauelements angegeben. Beispielsweise kann mittels dem Verfahren ein optoelektronisches Halbleiterbauelement hergestellt werden, wie es in Verbindung mit einem oder mehrerer der oben genannten Ausführungsformen beschrieben ist.It In addition, a method for producing a specified optoelectronic semiconductor device. For example can by means of the method an optoelectronic semiconductor component be prepared as it is in conjunction with one or more the above embodiments is described.

Das Verfahren weist gemäß zumindest einer Ausführungsform die folgenden Verfahrensschritte auf:
Zunächst wird ein Anschlussträger mit Leiterbahnen und zumindest einem Chipanschlussbereich bereitgestellt. Der Anschlussträger ist dabei wie weiter oben beschrieben gebildet und weist wenigstens einen Chipanschlussbereich, vorzugsweise eine Vielzahl von Chipanschlussbereichen auf.The method has the following method steps according to at least one embodiment:
First, a connection carrier with interconnects and at least one chip connection region is provided. The connection carrier is formed as described above and has at least one chip connection region, preferably a plurality of chip connection regions.

In einem nachfolgenden Verfahrensschritt wird ein optoelektronischer Halbleiterchip auf den zumindest einen Chipanschlussbereich, vorzugsweise ein optoelektronischer Halbleiterchip pro Chipanschlussbereich, auf den Anschlussträger montiert. Dazu kann der optoelektronische Halbleiterchip beispielsweise mit seiner der Strahlungsdurchtrittsfläche gegenüberliegenden Montagefläche auf den Chipanschlussbereich gelötet werden.In a subsequent process step is an optoelectronic Semiconductor chip on the at least one chip connection area, preferably a optoelectronic semiconductor chip per chip connection area, on mounted the connection carrier. For this purpose, the optoelectronic Semiconductor chip, for example, with its the radiation passage area opposite mounting surface on the chip connection area be soldered.

In einem nachfolgenden Verfahrensschritt wird ein lichtundurchlässiges Material auf den Anschlussträger derart aufgebracht, dass die Leiterbahnen und vom optoelektronischen Halbleiterchip gegebenenfalls unbedeckte Bereiche des Chipanschlussbereichs, auf den der Halbleiterchip montiert ist, mit dem lichtundurchlässigen Material bedeckt werden. Dabei wird das lichtundurchlässige Material derart aufgebracht, dass die dem Anschlussträger abgewandte Strahlungsdurchtrittsfläche des optoelektronischen Halbleiterchips vom lichtundurchlässigen Material unbedeckt bleibt.In a subsequent process step is an opaque Material applied to the connection carrier such that the interconnects and the optoelectronic semiconductor chip optionally uncovered areas of the chip connection area, on which the semiconductor chip is mounted, covered with the opaque material. In this case, the opaque material is applied in such a way that the radiation carrier surface facing away from the connection carrier of the optoelectronic semiconductor chip from the opaque Material remains uncovered.

Das bedeutet, das lichtundurchlässige Material wird erst nach der Montage der Halbleiterchips auf Teile des Anschlussträgers aufgebracht. Dabei wird die Strahlungsdurchtrittsfläche des optoelektronischen Halbleiterbauelements vom lichtundurchlässigen Material freigehalten. Das Aufbringen des lichtundurchlässigen Materials kann dabei beispielsweise mittels Dispensen, Fluten, Drucken, Rakeln oder ähnlicher Verfahren erfolgen. Entweder wird das lichtundurchlässige Material dabei derart zwischen die optoelektronischen Halbleiterchips eingebracht, dass die Strahlungsdurchtrittsfläche vom lichtundurchlässigen Material frei bleibt oder die Strahlungsdurchtrittsflächen der optoelektronischen Halbleiterchips werden – beispielsweise durch eine Maske – während des Aufbringens des lichtundurchlässigen Materials geschützt. Nach dem Aufbringen kann diese Maske wieder von der Strahlungsdurchtrittsfläche entfernt werden.The means the opaque material is only after the mounting of the semiconductor chips on parts of the connection carrier applied. In this case, the radiation passage area of the optoelectronic semiconductor component of the opaque Material kept. The application of the opaque Material can be dispensed, flooded, printed, Doctoring or similar procedures. Either will the opaque material so between the Optoelectronic semiconductor chips introduced that the radiation passage area remains free from the opaque material or the Radiation passage surfaces of the optoelectronic semiconductor chips are - for example, through a mask - during the application of the opaque material protected. After application, this mask can be removed again from the radiation passage area become.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Verfahrens wird das lichtundurchlässige Material nach dem Aufbringen auf den Anschlussträger oder beim Aufbringen auf den Anschlussträger erwärmt, so dass sich seine Viskosizität erhöht. Durch die erhöhte Viskosizität ist es dann möglich, dass sich die dem Anschlussträger abgewandte Oberfläche des lichtundurchlässigen Materials nivelliert. Das heißt, die dem Anschlussträger abgewandte Oberfläche des lichtundurchlässigen Materials kann auf diese Weise geglättet werden, so dass keine Unebenheiten oder rauen Stellen auf dieser Oberfläche vorhanden sind, die sich optisch negativ auswirken könnten.At least an embodiment of the method is the opaque Material after application to the connection carrier or at Applied to the connection carrier heated, so that its viscosity increases. By the increased viscosity it is then possible that is the surface facing away from the connection carrier of the opaque material leveled. That is, the the connection carrier facing away from the surface of opaque material can be smoothed in this way Be so that no bumps or rough spots on this Surface are present, which have a negative optical effect could.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform des optoelektronischen Halbleiterchips wird vor dem Aufbringen des lichtundurchlässigen Materials ein Rahmen auf dem Anschlussträger befestigt, der die Chipanschlussbereiche und die gegebenenfalls schon auf den Chipanschlussbereichen befestigten optoelektronischen Halbleiterchips umgibt. Der Rahmen kann dann auch als Schwelle für das lichtundurchlässige Material dienen. Der Rahmen kann ein unkontrolliertes Verlaufen des lichtundurchlässigen Materials vom Anschlussträger herunter oder in Bereiche des Anschlussträgers, wo das lichtundurchlässige Material nicht erwünscht ist, verhindern.At least an embodiment of the optoelectronic semiconductor chip is before the application of the opaque material a frame attached to the connection carrier, which the chip connection areas and optionally already mounted on the chip connection areas optoelectronic Surrounding semiconductor chips. The frame can then be used as a threshold for the opaque material serve. The frame can uncontrolled bleeding of the opaque material down from the connection carrier or into areas of the connection carrier, where the opaque material is not desirable is, prevent.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Verfahrens zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterbauelements wird das lichtundurchlässige Material derart auf den Anschlussträger aufgebracht, dass es den Rahmen zumindest stellenweise bedeckt. vorzugsweise benetzt das lichtundurchlässige Material dabei den Chipanschlussstellen zugewandte Seitenwände des Rahmens.At least an embodiment of the method for producing a Optoelectronic semiconductor device is the opaque Material applied to the connection carrier such that it covers the frame at least in places. preferably wetted the opaque material thereby the chip connection points facing side walls of the frame.

Im Folgenden wird das hier beschriebene optoelektronische Halbleitbauelement anhand von Ausführungsbeispielen und den dazugehörigen Figuren näher erläutert.in the The following describes the optoelectronic semiconductor component described here based on embodiments and the associated Figures explained in more detail.

1 zeigt eine schematische Draufsicht auf ein optoelektronisches Halbleitbauelement gemäß einem ersten Ausführungsbeispiel. 1 shows a schematic plan view of an optoelectronic semiconductor device according to a first embodiment.

2 zeigt eine schematische Schnittdarstellung eines optoelektronischen Halbleitbauelements gemäß einem zweiten Ausführungsbeispiel. 2 shows a schematic sectional view of an optoelectronic semiconductor device according to a second embodiment.

3 zeigt eine schematische Schnittdarstellung eines optoelektronischen Halbleitbauelements gemäß einem dritten Ausführungsbeispiel. 3 shows a schematic sectional view of an optoelectronic semiconductor device according to a third embodiment.

4 zeigt eine schematische Schnittdarstellung eines optoelektronischen Halbleitbauelements gemäß einem vierten Ausführungsbeispiel. 4 shows a schematic sectional view of an optoelectronic semiconductor device according to a fourth embodiment.

5 zeigt eine schematische Schnittdarstellung eines optoelektronischen Halbleitbauelements gemäß einem fünften Ausführungsbeispiel. 5 shows a schematic sectional view of an optoelectronic semiconductor device according to a fifth embodiment.

In den Ausführungsbeispielen und Figuren sind gleiche oder gleich wirkende Bestandteile jeweils mit den gleichen Bezugszeichen versehen. Die dargestellten Elemente sind nicht als maßstabsgetreu anzusehen, vielmehr können einzelne Elemente zum besseren Verständnis übertrieben groß dargestellt sein.In The embodiments and figures are the same or like-acting components each with the same reference numerals Mistake. The illustrated elements are not to scale On the contrary, individual elements can be better Understanding shown exaggeratedly large be.

Die 1 zeigt ein optoelektronisches Halbleiterbauelement gemäß einem ersten Ausführungsbeispiel. Das optoelektronische Halbleiterbauelement umfasst einen Anschlussträger 1. Bei dem Anschlussträger 1 handelt es sich um eine Metallkernplatine. Auf dem Anschlussträger 1 sind Leiterbahnen 2 vorhanden. Ferner sind auf dem Anschlussträger 1 Chipanschlussbereiche 3 angeordnet. Leiterbahnen 2 sowie Chipanschlussbereiche 3 sind beispielsweise durch Metallisierungen gegeben, die aus einem Metall bestehen oder dieses Metall zumindest enthalten. Bei dem Metall handelt es sich um ein Metall, das zur Stromführung und/oder zur Chipmontage geeignet ist. Beispielsweise kann es sich bei dem Metall um zumindest eines der folgenden Materialien handeln: Gold, Silber.The 1 shows an optoelectronic semiconductor device according to a first embodiment. The optoelectronic semiconductor component comprises a connection carrier 1 , At the connection carrier 1 it is a metal core board. On the connection carrier 1 are tracks 2 available. Furthermore, on the connection carrier 1 Chip connection areas 3 arranged. conductor tracks 2 as well as chip connection areas 3 are given for example by metallizations, which consist of a metal or at least contain this metal. The metal is a metal that is suitable for power management and / or chip mounting. For example, the metal may be at least one of the following materials: gold, silver.

Auf die Chipanschlussbereiche sind jeweils optoelektronische Halbleiterchips 4 aufgebracht. Vorliegend handelt es sich bei den optoelektronischen Halbleiterchips 4 um Leuchtdiodenchips.On the chip connection areas are each optoelectronic semiconductor chips 4 applied. In the present case, the optoelectronic semiconductor chips are concerned 4 to light-emitting diode chips.

Besonders bevorzugt handelt es sich dabei um Leuchtdiodenchips in Dünnfilmbauweise, die sich unter anderem dadurch auszeichnen, dass der überwiegende Anteil der von ihnen emittierten elektromagnetischen Strahlung durch eine dem Anschlussträger 1 abgewandte Strahlungsdurchtrittsfläche 4a austritt, wohingegen durch die Seitenflächen kaum oder gar keine elektromagnetische Strahlung ausgekoppelt wird. Leuchtdiodenchips in Dünnfilmbauweise sind beispielsweise in den Druckschriften WO 02/13281 A1 sowie EP 0 905 797 A2 beschrieben, deren Offenbarungsgehalt hinsichtlich der Dünnfilmbauweise hiermit ausdrücklich durch Rückbezug aufgenommen wird.Particularly preferably, these are light-emitting diode chips in thin-film construction, which are characterized, inter alia, by the fact that the predominant portion of the electromagnetic radiation emitted by them passes through the connection carrier 1 remote radiation passage surface 4a emerges, whereas little or no electromagnetic radiation is coupled out by the side surfaces. Light-emitting diode chips in thin-film construction are, for example, in the documents WO 02/13281 A1 such as EP 0 905 797 A2 whose disclosure content with respect to the thin film construction is hereby expressly incorporated by reference.

Die optoelektronischen Halbleiterchips 4 sind beispielsweise mit ihrer der Strahlungsdurchtrittsfläche 4a abgewandten Seite auf jeweils einem Chipanschlussträger 3 befestigt und dort elektrisch angeschlossen, beispielsweise angelötet. Ein zweiter elektrischer Kontakt wird durch den Kontaktdraht 5 vermittelt, der einen jeden optoelektronischen Halbleiterchip 4 mit einer Leiterbahn 2 des Anschlussträgers 1 verbindet.The optoelectronic semiconductor chips 4 are, for example, with their the radiation passage area 4a side facing away on a respective chip terminal carrier 3 attached and electrically connected there, for example, soldered. A second electrical contact is made through the contact wire 5 which conveys each optoelectronic semiconductor chip 4 with a conductor track 2 of the connection carrier 1 combines.

Von Halbleiterchips 4 unbedeckte Stellen der Chipanschlussbereiche sowie Leiterbahnen und ein Teil der Oberfläche des Anschlussträgers 1 sind von einem lichtundurchlässigen Material 6 bedeckt, welches lichtabsorbierende Partikel 7a aufweist, die in einem Matrixmaterial 7b dispergiert sind. Bei den lichtabsorbierenden Partikeln 7a handelt es sich zum Beispiel um Rußpartikel, die in ein Matrixmaterial, das beispielsweise Epoxid-Material und/oder Silikon enthält, gelöst sind. Chipanschlussbereiche 3, optoelektronische Halbleiterchips 4 sowie Teile der Leiterbahnen 2 sind von einem Rahmen 8 umgeben. Der Rahmen 8 besteht beispielsweise aus einem Keramikmaterial und ist auf dem Anschlussträger 1 befestigt.Of semiconductor chips 4 uncovered areas of the chip connection areas as well as conductor tracks and part of the surface of the connection carrier 1 are of an opaque material 6 covered, which light-absorbing particles 7a having in a matrix material 7b are dispersed. For the light-absorbing particles 7a These are, for example, soot particles which are dissolved in a matrix material containing, for example, epoxy material and / or silicone. Chip connection areas 3 , optoelectronic semiconductor chips 4 and parts of the tracks 2 are from a frame 8th surround. The frame 8th For example, consists of a ceramic material and is on the connection carrier 1 attached.

Das lichtundurchlässige Material bedeckt auch den Rahmen 8 stellenweise.The opaque material also covers the frame 8th places.

Das optoelektronische Halbleiterbauelement umfasst ferner eine Vorrichtung 12, die ebenfalls auf dem Anschlussträger aufgebracht ist. Die Vorrichtung 12 kann beispielsweise eine Regelvorrichtung zur Regelung des Stroms durch die optoelektronischen Halbleiterbauelemente 4 umfassen. Weiter ist es möglich, dass es sich bei der Vorrichtung 12 um einen NTC-Widerstand handelt, mit dem die Temperatur des Bauelements bestimmt werden kann. Ferner umfasst das optoelektronische Halbleiterbauelement eine Steckverbindung 13 mit Anschlussgins 14, über die das optoelektronische Halbleiterbauelement von außerhalb elektrisch kontaktiert werden kann.The optoelectronic semiconductor component further comprises a device 12 , which is also applied to the connection carrier. The device 12 For example, a control device for controlling the current through the optoelectronic semiconductor components 4 include. Further, it is possible that it is in the device 12 is an NTC resistor, with which the temperature of the device can be determined. Furthermore, the optoelectronic semiconductor component comprises a plug connection 13 with connection gins 14 , via which the optoelectronic semiconductor component can be contacted electrically from outside.

Die 2 zeigt eine schematische Schnittdarstellung entlang der Linie A-A' durch einen Teil eines hier beschriebenen optoelektronischen Halbleiterbauelements gemäß einem zweiten Ausführungsbeispiel. Wie aus der Darstellung der 2 ersichtlich ist, ragt ein Teil des optoelektronischen Halbleiterchips über das lichtundurchlässige Material 6. Das Material 6 umfasst ein Matrixmaterial 7b sowie darin dispergierte lichtabsorbierende Partikel 7a. Das lichtundurchlässige Material ist auf diese Weise lichtabsorbierend ausgebildet.The 2 shows a schematic sectional view along the line AA 'through a part of an optoelectronic semiconductor device described here according to a second embodiment. As from the representation of 2 it can be seen, protrudes part of the optoelectronic semiconductor chip over the opaque material 6 , The material 6 includes a matrix material 7b and light-absorbing particles dispersed therein 7a , The opaque material is formed in this way light absorbing.

Das lichtundurchlässige Material bedeckt Teile der Seitenwände des Rahmens 8. Insbesondere ist es möglich, dass die den optoelektronischen Halbleiterchips 4 zugewandten Bereiche des Rahmens 8 vollständig vom lichtundurchlässigen Material 6 benetzt sind. Darüber hinaus ist es auch möglich, dass der Kontaktdraht 5 stellenweise oder vollständig vom lichtundurchlässigen Material bedeckt ist. Die optoelektronischen Halbleiterchips 4 sind von einer lichtdurchlässigen Abdeckplatte 9 überdeckt, welche am Rahmen 8 befestigt ist. Die lichtdurchlässige Abdeckplatte 9 kann einen mechanischen Schutz für die optoelektronischen Halbleiterchips 4 bilden und darüber hinaus optische Eigenschaften aufweisen. Beispielsweise kann die Abdeckplatte 9 Lumineszenzkonversionspartikel enthalten, die geeignet sind, zumindest einen Teil der von optoelektronischen Halbleiterchips 4 emittierten elektromagnetischen Strahlung zu absorbieren und eine elektromagnetische Strahlung größerer Wellenlänge zu re-emittieren. Darüber hinaus ist es möglich dass die Abdeckplatte 9 aufgeraut ist und dadurch zur Streuung des von den optoelektronischen Halbleiterchips 9 emittierten Lichts geeignet ist.The opaque material covers parts of the side walls of the frame 8th , In particular, it is possible that the optoelectronic semiconductor chips 4 facing areas of the frame 8th completely from the opaque material 6 are wetted. In addition, it is also possible that the contact wire 5 partially or completely covered by the opaque material. The optoelectronic semiconductor chips 4 are from a translucent cover plate 9 covered, which on the frame 8th is attached. The translucent cover plate 9 can provide mechanical protection for the optoelectronic semiconductor chips 4 form and also have optical properties. For example, the cover plate 9 Contain luminescence conversion particles which are suitable at least part of the optoelectronic semiconductor chips 4 to absorb emitted electromagnetic radiation and re-emit electromagnetic radiation of longer wavelength. In addition, it is possible that the cover plate 9 roughened and thereby to the scattering of the optoelectronic semiconductor chip 9 emitted light is suitable.

In Verbindung mit der 3 ist ein weiteres Ausführungsbeispiel eines hier beschriebenen optoelektronischen Halbleiterbauelements erläutert, das ebenfalls in einer Schnittdarstellung entlang der Linie A-A' gezeigt ist, vergleiche auch 1. Im Unterschied zum in Verbindung mit der 2 beschriebenen Ausführungsbeispiel weist das optoelektronische Halbleiterbauelement in diesem Ausführungsbeispiel keine Abdeckplatte 9 auf. Vielmehr ist der vom lichtundurchlässigen Material unbedeckte Teil des optoelektronischen Halbleiterchips 4 sowie die frei liegende Oberfläche des lichtundurchlässigen Materials 6 von einem lichtdurchlässigen Material 10 bedeckt. Das lichtdurchlässige Material 10 umfasst beispielsweise dasselbe Matrixmaterial, wie das lichtundurchlässige Material 6. Ferner können im lichtdurchlässigen Material 10 Streuteilchen oder Teilchen eines Lumineszenzkonversionsmaterials vorhanden sein. Darüber hinaus kann es sich beim lichtdurchlässigen Material 10 um ein Index-Matching-Gel handeln, welches die Strahlungsdurchtrittsfläche 4a des optoelektronischen Halbleiterchips 4 optisch an ein optisches Element 11 anschließt. Bei dem optischen Element 11 handelt es sich beispielsweise um eine reflektive Optik oder einen optischen Konzentrator wie zum Beispiel eine CPC-, CHC- oder CEC-Optik.In conjunction with the 3 a further embodiment of an optoelectronic semiconductor device described here is explained, which is also shown in a sectional view along the line AA ', see also compare 1 , Unlike in conjunction with the 2 described embodiment, the optoelectronic semiconductor device in this embodiment, no cover plate 9 on. Rather, the uncovered from the opaque material part of the optoelectronic semiconductor chip 4 and the exposed surface of the opaque material 6 from a translucent material 10 covered. The translucent material 10 For example, it includes the same matrix material as the opaque material 6 , Furthermore, in the translucent material 10 Scattering particles or particles of a luminescence conversion material may be present. In addition, it may be the translucent material 10 to act an index matching gel, which is the radiation passage area 4a of the optoelectronic semiconductor chip 4 optically to an optical element 11 followed. In the optical element 11 For example, it may be a reflective optic or an optical concentrator such as a CPC, CHC or CEC optic.

Die 4 zeigt eine schematische Schnittdarstellung eines hier beschriebenen optoelektronischen Halbleiterbauelements gemäß einem vierten Ausführungsbeispiel. Wie aus der Darstellung der 4 ersichtlich ist, ragt ein Teil des optoelektronischen Halbleiterchips 4 über das lichtundurchlässige Material 6. Das lichtundurchlässige Material 6 umfasst ein Matrixmaterial 7b sowie darin dispergierte lichtabsorbierende Partikel 7a. Das lichtundurchlässige Material 6 ist auf diese Weise lichtabsorbierend ausgebildet.The 4 shows a schematic sectional view of an optoelectronic semiconductor device described here according to a fourth embodiment. As from the representation of 4 it can be seen protrudes a part of the optoelectronic semiconductor chip 4 over the opaque material 6 , The opaque material 6 includes a matrix material 7b and light-absorbing particles dispersed therein 7a , The opaque material 6 is formed in this way light absorbing.

Im Unterschied zum in Verbindung mit der 2 beschriebenen Ausführungsbeispiel handelt es sich beim optoelektronischen Halbleiterchip 4 im in Verbindung mit der 4 beschrieben Ausführungsbeispiel um einen Halbleiterchip 4, der in Flip-Chip Montage auf den Anschlussträger 1 montiert und mit Leiterbahnen 2 verbunden ist. In diesem Fall ist es insbesondere auch möglich, dass – wie in 4 gezeigt – das lichtundurchlässige Material 6 auch an der der Strahlungsdurchtrittsfläche 4a abgewandten Seite des Halbleiterchips 4 angeordnet ist und sich somit auch direkt zwischen Halbleiterchip und Anschlussträger befindet. Die Montage des optoelektronischen Halbleiterchips 4 in Flip-Chip Montage ist bei allen hier beschrieben Ausführungsbeispiel möglich. Ein Bonddraht 5 kann dann entfallen.Unlike in conjunction with the 2 described embodiment is the optoelectronic semiconductor chip 4 im in conjunction with the 4 described embodiment to a semiconductor chip 4 in flip-chip mounting on the connection carrier 1 mounted and with tracks 2 connected is. In this case, it is also possible in particular - as in 4 shown - the opaque material 6 also at the radiation passage area 4a remote side of the semiconductor chip 4 is arranged and thus is also located directly between the semiconductor chip and connection carrier. The mounting of the optoelectronic semiconductor chip 4 In flip-chip mounting is possible in all embodiments described here. A bonding wire 5 can then be omitted.

In Verbindung mit der 5 ist ein fünftes Ausführungsbeispiel eines hier beschriebenen optoelektronischen Halbleiterbauelements erläutert. Bei diesem Ausführungsbeispiel ragt ein Teil des optoelektronischen Halbleiterchips 4 über das lichtundurchlässige Material 6 hinaus. Das lichtundurchlässige Material 6 umfasst ein Matrixmaterial 7b sowie darin dispergierte lichtabsorbierende Partikel 7a. Das lichtundurchlässige Material 6 ist auf diese Weise lichtabsorbierend ausgebildet.In conjunction with the 5 a fifth embodiment of an optoelectronic semiconductor device described here is explained. In this embodiment, a part of the optoelectronic semiconductor chip protrudes 4 over the opaque material 6 out. The opaque material 6 includes a matrix material 7b and light-absorbing particles dispersed therein 7a , The opaque material 6 is formed in this way light absorbing.

Im Unterschied zu den in Verbindung mit den 1 bis 4 beschriebenen Ausführungsbeispielen ist der Anschlussträger 1 in diesem Ausführungsbeispiel durch einen Leiterrahmen 101 ersetzt. Der Leiterrahmen 101 umfasst zwei Anschlussstellen 102, mittels derer das optoelektronische Halbleitbauelement elektrisch angeschlossen werden kann. Ferner umfasst der Leiterrahmen eine thermisches Kontaktelement 103, das den Chipanschlussbereich bildet. Auf das thermische Kontaktelement 103 ist der Halbleiterchip 4 montiert. Der Halbleiterchip 4 ist über das thermische Kontaktelment 103 an eine Montagefläche für das Halbleitbauelement thermisch anschließbar. Das thermische Kontaktelement 103 besteht dafür beispielsweise aus einem gut thermisch und elektrisch leitenden Metall oder einer gut thermisch und elektrisch leitenden Metallverbindung. Beispielsweise besteht das thermische Kontaktelment 103 aus Kupfer.Unlike in conjunction with the 1 to 4 described embodiments is the connection carrier 1 in this embodiment by a lead frame 101 replaced. The ladder frame 101 includes two connection points 102 , by means of which the optoelectronic semiconductor component can be electrically connected. Furthermore, the lead frame comprises a thermal contact element 103 which forms the chip connection area. On the thermal contact element 103 is the semiconductor chip 4 assembled. The semiconductor chip 4 is about the thermal Kontaktelment 103 thermally connectable to a mounting surface for the semiconductor device. The thermal contact element 103 be stands for example from a good thermal and electrically conductive metal or a good thermal and electrically conductive metal compound. For example, there is the thermal Kontaktelment 103 made of copper.

Der Leiterrahmen 101 ist in einen Gehäusekörper 108 eingefasst. Wände des Gehäusekörpers, die den Halbleiterchip 4 umschließen, fungieren als Rahmen. Frei liegende Bereiche des Gehäusekörpers 108, des thermischen Kontaktelements 103 und des Leiterrahmens 101 sind vom lichtundurchlässigen Material 6 bedeckt. Das lichtundurchlässige Material 6 befindet sich dabei vorzugsweise im durch die Seitenwände 8 begrenzten Gebiet des Halbleitbauelements und bedeckt sichtbar glänzende Oberflächen.The ladder frame 101 is in a housing body 108 edged. Walls of the housing body, the semiconductor chip 4 enclose act as a frame. Free-lying areas of the housing body 108 , the thermal contact element 103 and the ladder frame 101 are made of opaque material 6 covered. The opaque material 6 is preferably located in through the side walls 8th limited area of the semiconductor device and covers visibly shiny surfaces.

Es ist aber auch möglich, dass lediglich frei liegende Bereiche des Leiterrahmens 101 und des Kontaktelements 103 – das heißt nicht vom Gehäusekörper 108 oder optoelektronischen Halbleiterchip 4 bedeckte Bereiche – vom lichtundurchlässige Material 6 bedeckt sind.But it is also possible that only exposed areas of the lead frame 101 and the contact element 103 - that does not mean from the case body 108 or optoelectronic semiconductor chip 4 covered areas - from opaque material 6 are covered.

Die hier beschriebene Erfindung ist nicht durch die Beschreibung anhand der Ausführungsbeispiele beschränkt. Vielmehr umfasst die Erfindung jedes neue Merkmal sowie jede Kombination von Merkmalen, was insbesondere jede Kombination von Merkmalen in den Patentansprüchen beinhaltet, auch wenn dieses Merkmal oder diese Kombination selbst nicht explizit in den Patentansprüchen oder Ausführungsbeispielen angegeben ist.The The invention described herein is not by the description limited to the embodiments. Much more For example, the invention includes every novel feature as well as every combination of features, in particular any combination of features in the patent claims, even if this feature or this combination itself is not explicitly stated in the claims or embodiments is given.

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Zitierte PatentliteraturCited patent literature

  • - WO 2006/063552 A1 [0002] WO 2006/063552 A1 [0002]
  • - WO 02/13281 A1 [0038] WO 02/13281 A1 [0038]
  • - EP 0905797 A2 [0038] EP 0905797 A2 [0038]

Claims (11)

Optoelektronisches Halbleiterbauelement mit: – einem Anschlussträger (1), der Leiterbahnen (2) und zumindest einen Chipanschlussbereich (3) umfasst, – einen optoelektronischen Halbleiterchip (4), der auf den zumindest einen Chipanschlussbereich (3) aufgebracht ist, und – einem lichtundurchlässigen Material (6), das die Leiterbahnen (2) und vom Halbleiterchip (4) unbedeckte Bereiche des Chipanschlussbereichs (3) bedeckt, wobei eine Strahlungsdurchtrittsfläche (4a) des Halbleiterchips (4) von dem lichtundurchlässigen Material unbedeckt ist.Optoelectronic semiconductor component comprising: - a connection carrier ( 1 ), the tracks ( 2 ) and at least one chip connection area ( 3 ), - an optoelectronic semiconductor chip ( 4 ), which on the at least one chip connection area ( 3 ), and - an opaque material ( 6 ), which the conductor tracks ( 2 ) and the semiconductor chip ( 4 ) uncovered areas of the chip connection area ( 3 ), wherein a radiation passage area ( 4a ) of the semiconductor chip ( 4 ) is uncovered by the opaque material. Optoelektronisches Halbleiterbauelement gemäß dem vorherigen Anspruch, mit einem Rahmen (8), der den zumindest einen Chipanschlussbereich (3) von vier Seiten umschließt.Optoelectronic semiconductor component according to the preceding claim, with a frame ( 8th ), the at least one chip connection area ( 3 ) encloses from four sides. Optoelektronisches Halbleiterbauelement gemäß dem vorherigen Anspruch, bei dem der Rahmen (8) zumindest stellenweise von dem lichtundurchlässigen Material (6) bedeckt ist.Optoelectronic semiconductor component according to the preceding claim, in which the frame ( 8th ) at least in places of the opaque material ( 6 ) is covered. Optoelektronisches Halbleiterbauelement gemäß einem der vorherigen Ansprüche, bei dem das lichtundurchlässige Material (6) lichtabsorbierend ist.Optoelectronic semiconductor component according to one of the preceding claims, in which the opaque material ( 6 ) is light absorbing. Optoelektronisches Halbleiterbauelement gemäß einem der vorherigen Ansprüche, bei dem das lichtundurchlässige Material (6) lichtabsorbierende Partikel (7a) umfasst, die in ein Matrixmaterial (7b) eingebracht sind.Optoelectronic semiconductor component according to one of the preceding claims, in which the opaque material ( 6 ) light-absorbing particles ( 7a ), which are incorporated into a matrix material ( 7b ) are introduced. Optoelektronisches Halbleiterbauelement gemäß einem der vorherigen Ansprüche, bei dem die Strahlungsdurchtrittsfläche (4a) des optoelektronischen Halbleiterchips (4) und zumindest ein Teil der dem Anschlussträger (1) abgewandten Oberfläche des lichtundurchlässigen Materials (6) von einem lichtdurchlässigen Material (10) bedeckt sind.Optoelectronic semiconductor component according to one of the preceding claims, in which the radiation passage area ( 4a ) of the optoelectronic semiconductor chip ( 4 ) and at least a part of the connection carrier ( 1 ) facing away from the surface of the opaque material ( 6 ) of a translucent material ( 10 ) are covered. Optoelektronisches Halbleiterbauelement gemäß einem der vorherigen Ansprüche, bei dem der optoelektronische Halbleiterchip (4) mittels eines Kontaktdrahts (5) mit zumindest einer Leiterbahn (2) elektrisch leitend verbunden ist und der Kontaktdraht (5) zumindest stellenweise vom lichtundurchlässigen Material (6) bedeckt ist.Optoelectronic semiconductor component according to one of the preceding claims, in which the optoelectronic semiconductor chip ( 4 ) by means of a contact wire ( 5 ) with at least one conductor track ( 2 ) is electrically conductively connected and the contact wire ( 5 ) at least in places from the opaque material ( 6 ) is covered. Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterbauelement mit den folgenden Schritten: a) Bereitstellen eines Anschlussträgers (1) mit Leiterbahnen (2) und zumindest einem Chipanschlussbereich (3), b) Montieren eines optoelektronischen Halbleiterchips (4) auf den zumindest einen Chipanschlussbereich (3), c) Aufbringen eines lichtundurchlässigen Materials (6) auf den Anschlussträger (1) derart, dass die Leiterbahnen (2) und vom optoelektronischen Halbleiterchip (4) unbedeckte Bereiche des Chipanschlussbereichs (3) mit dem lichtundurchlässigen Material (6) bedeckt werden, wobei die dem Anschlussträger (1) abgewandte Strahlungsdurchtrittsfläche (4a) des optoelektronischen Halbleiterchips (4) von dem lichtundurchlässigen Material (6) unbedeckt bleibt.Method for producing an optoelectronic semiconductor component comprising the following steps: a) providing a connection carrier ( 1 ) with conductor tracks ( 2 ) and at least one chip connection area ( 3 b) mounting an optoelectronic semiconductor chip ( 4 ) on the at least one chip connection area ( 3 ), c) applying an opaque material ( 6 ) on the connection carrier ( 1 ) such that the conductor tracks ( 2 ) and the optoelectronic semiconductor chip ( 4 ) uncovered areas of the chip connection area ( 3 ) with the opaque material ( 6 ) are covered, wherein the connection carrier ( 1 ) remote radiation passage area ( 4a ) of the optoelectronic semiconductor chip ( 4 ) of the opaque material ( 6 ) remains uncovered. Verfahren gemäß dem vorherigen Anspruch, wobei das lichtundurchlässige Material (6) nach dem oder beim Aufbringen auf den Anschlussträger (1) erwärmt wird, so dass sich die dem Anschlussträger (1) abgewandte Oberfläche des lichtundurchlässige Materials (6) nivelliert.A method according to the preceding claim, wherein the opaque material ( 6 ) after or during application to the connection carrier ( 1 ) is heated, so that the the connection carrier ( 1 ) facing away from surface of the opaque material ( 6 ) leveled. Verfahren gemäß einem der vorherigen Ansprüche, wobei vor Verfahrensschritt c) ein Rahmen (8) derart auf dem Anschlussträger (1) befestigt wird, dass er den zumindest einen Chipanschlussbereich (3) von vier Seiten umschließt.Method according to one of the preceding claims, wherein prior to method step c) a frame ( 8th ) on the connection carrier ( 1 ) is attached to the at least one chip connection area ( 3 ) encloses from four sides. Verfahren gemäß dem vorherigen Anspruch, wobei das lichtundurchlässige Material (6) derart auf den Anschlussträger (1) aufgebracht wird, dass es den Rahmen (8) zumindest stellenweise bedeckt.A method according to the preceding claim, wherein the opaque material ( 6 ) in such a way on the connection carrier ( 1 ) that it is the frame ( 8th ) covered at least in places.
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