DE102007046348A1 - Radiation-emitting device with glass cover and method for its production - Google Patents

Radiation-emitting device with glass cover and method for its production Download PDF

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Abstract

Die Erfindung betrifft ein Bauelement mit mindestens einem LED-Chip (1), der auf einem Trägersubstrat (2) angeordnet ist, und eine strahlungsdurchlässige Glasabdeckung (3), die auf das Trägersubstrat (2) aufgebracht ist und die eine Kavität (6) aufweist, die geeignet ist, den mindestens einen LED-Chip (1) aufzunehmen. Die Glasabdeckung (3) ist in einem Abstand zum LED-Chip (1) angeordnet, so dass ein Zwischenraum (7) zwischen dem mindestens einen LED-Chip (1) und der Glasabdeckung (3) entsteht, der frei von fester und flüssiger Materie ist. Die Erfindung betrifft weiterhin ein Verfahren zur Herstellung eines strahlungsemittierenden Bauelements.The invention relates to a component having at least one LED chip (1), which is arranged on a carrier substrate (2), and a radiation-transparent glass cover (3) which is applied to the carrier substrate (2) and which has a cavity (6) suitable for receiving the at least one LED chip (1). The glass cover (3) is arranged at a distance from the LED chip (1), so that a gap (7) between the at least one LED chip (1) and the glass cover (3) is formed, free of solid and liquid matter is. The invention further relates to a method for producing a radiation-emitting component.

Description

Die Erfindung betrifft ein strahlungsemittierendes Bauelement mit einer Glasabdeckung gemäß Patentanspruch 1. Weiterhin betrifft die Erfindung ein Verfahren zum Herstellen eines solchen strahlungsemittierenden Bauelements gemäß Patentanspruch 19.The The invention relates to a radiation-emitting component with a Glass cover according to claim 1. Further The invention relates to a method for producing such radiation-emitting component according to claim 19.

Strahlungsemittierende Bauelemente mit einer Abdeckung sind beispielsweise aus der Druckschrift WO 97/50132 bekannt. Diese Anordnungen enthalten einen Grundkörper, der eine Ausnehmung definiert, die von einer Abdeckplatte aus Kunststoff abgedeckt ist. Der Boden dieser Ausnehmung ist für die Montage eines Diodenchips vorgesehen. Ein Beispiel für ein Bauelement mit einem derartigen Grundkörper ist in der US 5,040,868 offenbart.Radiation-emitting components with a cover are for example from the document WO 97/50132 known. These arrangements include a body defining a recess covered by a plastic cover plate. The bottom of this recess is intended for the mounting of a diode chip. An example of a component with such a body is in the US 5,040,868 disclosed.

Für viele Anwendungen reicht die Strahlungsintensität eines einzigen strahlungsemittierenden Diodenchips nicht aus, sondern es wird eine Mehrzahl von Chips benötigt. Die Montage mehrerer Chips in dem für die Massenfertigung vorgesehenen Grundkörper ist nicht üblich, nur schwer implementierbar und wegen der großen benötigten Chipfläche teuer. Die Abdeckungen der Grundkörper aus thermoplastischen Optiken werden meist einzeln auf den Grundkörper aufgebracht.For Many applications range from the radiation intensity of one single radiation-emitting diode chips not from, but it requires a plurality of chips. The assembly of several chips in the body intended for mass production is not common, difficult to implement and because of the large required chip area expensive. The covers of the base body made of thermoplastic optics are usually applied individually to the body.

Weiterhin ist in der WO 01/65613 A1 offenbart, eine dünne Konversionsschicht mit mindestens einem Konversionselement direkt auf einer Halbleiterschichtenfolge eines Diodenchips aufzubringen.Furthermore, in the WO 01/65613 A1 discloses applying a thin conversion layer having at least one conversion element directly on a semiconductor layer sequence of a diode chip.

Eine derartige Konversion des Lichts durch eine dünne Konversionsschicht direkt über dem Halbleiterkörper hat zur Folge, dass sich die Auskoppeleffizienz des Halbleiterkörpers durch die Konversionsschicht ändern kann und die Farborte Schwankungen aufweisen können.A such conversion of the light through a thin conversion layer directly over the semiconductor body has the consequence that is the coupling-out efficiency of the semiconductor body through the conversion layer can change and the color locations May have fluctuations.

Der "Farbort" definiert im Sinne der Erfindung die Zahlenwerte, die die Farbe des emittierten Lichts des Bauelements in der CIE-Normfarbtafel beschreiben.Of the "Color location" defined in the context of the invention, the numerical values, the the color of the emitted light of the device in the CIE standard color chart describe.

Zudem können auch aufgrund unterschiedlicher Weglängen der Strahlung Farbunterschiede über dem Abstrahlwinkel auftreten.moreover can also be due to different path lengths the radiation color differences over the beam angle occur.

Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, ein strahlungsemittierendes Bauelement mit verbesserter Leuchtdichte und ein Verfahren zu dessen Herstellung anzugeben.Of the Invention is based on the object, a radiation-emitting A device with improved luminance and a method for its Specify production.

Diese Aufgabe wird durch ein strahlungsemittierendes Bauelement mit den Merkmalen des Anspruchs 1 und durch ein Verfahren zu dessen Herstellung gemäß Anspruch 19 gelöst. Vorteilhafte Ausführungsformen und bevorzugte Weiterbildungen des Bauelements sind Gegenstand der abhängigen Ansprüche.These Task is by a radiation-emitting device with the Features of claim 1 and by a method for its preparation solved according to claim 19. advantageous Embodiments and preferred developments of the device are the subject of the dependent claims.

Erfindungsgemäß ist vorgesehen, dass das strahlungsemittierende Bauelement ein Trägersubstrat, mindestens einen auf diesem Trägersubstrat aufgebrachten LED-Chip und eine auf dem Trägersubstrat aufgebrachte strahlungsdurchlässige Glasabdeckung aufweist, die mindestens eine Kavität enthält, die geeignet ist, mindestens einen LED-Chip aufzunehmen. Dabei ist die Glasabdeckung in einem Abstand zum LED-Chip angeordnet, so dass ein Zwischenraum zwischen dem mindestens einen LED-Chip und der Glasabdeckung besteht, der frei von fester und flüssiger Materie ist.According to the invention provided that the radiation-emitting component is a carrier substrate, at least one applied to this carrier substrate LED chip and an applied on the carrier substrate radiation-transmissive Glass cover having at least one cavity, the is suitable to receive at least one LED chip. It is the Glass cover arranged at a distance to the LED chip, allowing a gap between the at least one LED chip and the Glass cover is made, which is free of solid and liquid Matter is.

Zu diesem Zweck ist die Kavität der Glasabdeckung so ausgebildet, das sie mindestens einen LED-Chip aufnimmt und einen Zwischenraum zwischen dem mindestens einen LED-Chip und der Glasabdeckung einschließt. Die Glasabdeckung hat demnach keinen direkten Kontakt zu dem LED-Chip.To For this purpose, the cavity of the glass cover is designed to that she takes at least one LED chip and a gap between the at least one LED chip and the glass cover. The glass cover therefore has no direct contact with the LED chip.

Dadurch, dass ein Zwischenraum zwischen dem LED-Chip und der Glasabdeckung vorhanden ist, der frei von fester und flüssiger Materie ist, wobei der Chip insbesondere keinen Verguss aufweist, verbessert sich die Leuchtdichte des Bauelements. Des Weiteren dient die Glasabdeckung als Schutz des LED-Chips vor Schädigungen, etwa aufgrund von Stößen.Thereby, that a gap between the LED chip and the glass cover is present, free of solid and liquid matter is, wherein the chip in particular has no potting, improved the luminance of the device. Furthermore, the glass cover is used as protection of the LED chip from damage, for example due of bumps.

Bevorzugt ist die Glasabdeckung derart auf dem Trägersubstrat angeordnet, dass sie zusammen mit diesen den mindestens einen LED-Chip umschließt. Mit anderen Worten umschließen das Trägersubstrat und die Glasabdeckung die Kavität, in der der mindestens eine LED-Chip angeordnet ist, vollständig.Prefers the glass cover is arranged on the carrier substrate in such a way, that together with these encloses the at least one LED chip. In other words, enclose the carrier substrate and the glass cover the cavity in which the at least an LED chip is arranged completely.

Die Glasabdeckung stellt bevorzugt ein einfach zusammenhängendes, einstückiges Bauteil dar. Bevorzugt ist die Glasabdeckung als separat hergestellter Körper ausgebildet, der an das Trägersubstrat angepasst ist.The Glass cover preferably represents a simply coherent, one-piece component dar. Preferred is the glass cover formed as a separately manufactured body, to the Carrier substrate is adjusted.

Gemäß zumindest einer Ausgestaltung der Erfindung enthält der Zwischenraum zwischen der Glasabdeckung und dem LED-Chip Luft.At least an embodiment of the invention contains the gap between the glass cover and the LED chip air.

Mit Vorteil ergeben sich vorzugsweise bei unvergossenen LED-Chips, die auf einem Nitridverbindungshalbleiter basieren und an Luft angeordnet sind, um etwa 15 Prozent höhere Leuchtdichten als bei herkömmlichen, vergossenen LED-Chips, die auf einem Nitridverbindungshalbleiter basieren.With Advantage arise preferably in non-cast LED chips, the based on a nitride compound semiconductor and arranged in air, about 15 percent higher luminance than conventional, potted LED chips mounted on a nitride compound semiconductor based.

„Auf Nitridverbindungshalbleiter basierend" bedeutet im vorliegenden Zusammenhang, dass die aktive Epitaxie-Schichtenfolge oder zumindest eine Schicht davon ein Nitrid-III/V-Verbindungshalbleitermaterial, vorzugsweise AlnGamIn1-n-mN umfasst, wobei 0 ≤ n ≤ 1, 0 ≤ m ≤ 1 und n + m ≤ 1. Dabei muss dieses Material nicht zwingend eine mathematisch exakte Zusammensetzung nach obiger Formel aufweisen. Vielmehr kann es einen oder mehrere Dotierstoffe sowie zusätzliche Bestandteile aufweisen, die die charakteristischen physikalischen Eigenschaften des AlnGamIn1-n-mN-Materials im Wesentlichen nicht ändern. Der Einfachheit halber beinhaltet obige Formel jedoch nur die wesentlichen Bestandteile des Kristallgitters (Al, Ga, In, N), auch wenn diese teilweise durch geringe Mengen weiterer Stoffe ersetzt sein können."Based on nitride compound semiconductors" in the present context means that the active epitaxial layer sequence or at least one layer thereof comprises a nitride III / V compound semiconductor material, preferably Al n Ga m In 1 nm N, where 0 ≤ n ≤ 1, 0 ≤ m ≤ 1 and n + m ≤ 1. In this case This material does not necessarily have to have a mathematically exact composition according to the above formula. Rather, it may comprise one or more dopants as well as additional constituents which do not substantially alter the characteristic physical properties of the Al n Ga m In 1-nm N material. For the sake of simplicity, however, the above formula contains only the essential constituents of the crystal lattice (Al, Ga, In, N), even if these may be partially replaced by small amounts of other substances.

Bei zumindest einer weiteren Ausgestaltung ist die Strahlungsaustrittsseite des mindestens einen LED-Chips der Glasabdeckung zugewandt. Somit erfolgt die Auskopplung der elektromagnetischen Strahlung bei dem Bauelement vorzugsweise im Wesentlichen durch die Glasabdeckung ("top-emitter"). Das Trägersubstrat braucht daher nicht transparent oder teiltransparent zu sein, womit sich vorzugsweise eine größere Materialauswahl für das Trägersubstrat ergibt. Beispielsweise handelt es sich bei dem Trägersubstrat um ein Substrat, das bevorzugt Keramik, Silizium oder Epoxidharz aufweist. Eine verbesserte Temperaturbeständigkeit kann durch Füllstoffe wie beispielsweise Glasfasern erzielt werden.at at least one further embodiment is the radiation exit side the at least one LED chip facing the glass cover. Consequently takes place the coupling of the electromagnetic radiation in the Component preferably substantially through the glass cover ( "Top-emitter"). The carrier substrate therefore does not need to be transparent or semi-transparent, which is preferably a gives greater choice of material for the carrier substrate. For example, the carrier substrate is um a substrate which preferably comprises ceramic, silicon or epoxy resin. Improved temperature resistance can be achieved by fillers such as glass fibers can be achieved.

Vorzugsweise ist auf mindestens einer Hauptfläche der Glasabdeckung eine Konversionsschicht aufgebracht, die mindestens einen Konversionsstoff aufweist, der zumindest einen Teil einer von dem LED-Chip ausgesandten Primärstrahlung in eine Sekundärstrahlung umwandelt, wobei sich zumindest ein Teil der Sekundärstrahlung und ein Teil der unkonvertierten Primärstrahlung zu einer Mischstrahlung überlagern. Besonders bevorzugt ist die Konversionsschicht auf einer Hauptfläche der Kavität der Glasabdeckung aufgebracht. Dabei kann die Konversionsschicht auf einer Hauptfläche der Kavität der Glasabdeckung aufgebracht sein, die von dem LED-Chip abgewandt oder dem LED-Chip zugewandt ist.Preferably is on at least one major surface of the glass cover applied a conversion layer, the at least one conversion substance comprising at least a portion of one of the LED chip emitted Converting primary radiation into secondary radiation, wherein at least a part of the secondary radiation and overlay a part of the unconverted primary radiation to a mixed radiation. Particularly preferably, the conversion layer is on a main surface applied to the cavity of the glass cover. In this case, the conversion layer on a major surface of the cavity of the glass cover be applied, which faces away from the LED chip or the LED chip is facing.

Das hat den Vorteil, dass sich die Auskoppeleigenschaften des LED-Chips geringer verändern als bei LED-Chips, die direkt mit einer Konversionsschicht überzogen sind. Unvergossene LED-Chips weisen eine höhere Auskoppeleffizienz auf als LED-Chips, die direkt mit der Konversionsschicht überzogen sind. Dadurch können sich um etwa 10 Prozent höhere Leuchtdichten ergeben.The has the advantage that the decoupling properties of the LED chip less change than with LED chips directly with a Conversion layer are coated. Show unmilled LED chips a higher decoupling efficiency than LED chips directly coated with the conversion layer. Thereby can result in about 10 percent higher luminance.

Alternativ kann der Konversionsstoff, der zumindest einen Teil einer von dem LED-Chip ausgesandten Primärstrahlung in eine Sekundärstrahlung umwandelt, wobei sich zumindest ein Teil der Sekundärstrahlung und ein Teil der unkonvertierten Primärstrahlung zu einer Mischstrahlung überlagern, direkt in die Glasabdeckung eingebracht ein. Es ist besonders vorteilhaft, den Konversionsstoff in die Glasabdeckung einzubringen, da so nicht nur eine erhöhte, sondern auch eine besonders homogene Abstrahlcharakteristik erzielt werden kann.alternative For example, the conversion substance that is at least part of one of the LED chip emits emitted primary radiation into a secondary radiation, wherein at least a part of the secondary radiation and overlay a part of the unconverted primary radiation to a mixed radiation, inserted directly into the glass cover. It is particularly advantageous to introduce the conversion substance into the glass cover, since so not only an elevated, but also a particularly homogeneous Radiation characteristic can be achieved.

Bei zumindest einer vorteilhaften Weiterbildung der Erfindung ist mindestens ein weiterer Konversionsstoff, der in mindestens einer Konversionsschicht enthalten ist, auf einer Hauptfläche der Glasabdeckung aufgebracht. Dabei wandelt der mindestens eine weitere Konversionsstoff die von dem LED-Chip ausgesandte Primärstrahlung in eine weitere Sekundärstrahlung um, so dass das Bauelement Mischstrahlung, bestehend aus Primärstrahlung, Sekundärstrahlung des ersten Konversionsstoffes, der sich direkt in der Glasabdeckung oder in einer Konversionsschicht auf einer Hauptfläche der Glasabdeckung befindet, und Sekundärstrahlung der weiteren Konversionsschicht oder weiteren Konversionsschichten aussendet. Dadurch ist es vorteilhaft möglich, vielfältige Farbmischungen und Farborte zu erzeugen.at at least one advantageous development of the invention is at least another conversion substance that is present in at least one conversion layer is contained on a main surface of the glass cover applied. It converts at least one other conversion substance the emitted from the LED chip primary radiation in a further secondary radiation around, so that the component mixed radiation, consisting of primary radiation, secondary radiation of the first conversion substance, located directly in the glass cover or in a conversion layer on a main surface the glass cover is located, and secondary radiation of the further conversion layer or other conversion layers. This makes it advantageous possible, diverse color mixtures and color locations to create.

Ist eine erste Konversionsschicht auf einer Hauptfläche der Glasabdeckung aufgebracht, kann die weitere Konversionsschicht bzw. Konversionsschichten auf einer weiteren Hauptfläche der Glasabdeckung und/oder direkt auf der ersten Konversionsschicht aufgebracht sein.is a first conversion layer on a major surface of Applied glass cover, the further conversion layer or Conversion layers on another main surface of the Glass cover and / or directly on the first conversion layer be upset.

Bei der Erfindung ist vorgesehen, dass der oder die Wellenlängenbereiche der Sekundärstrahlung der ersten und/oder weiteren Konversionsstoffe im Wesentlichen größere Wellenlängen aufweisen als der Wellenlängenbereich der Primärstrahlung.at The invention provides that the one or more wavelength ranges the secondary radiation of the first and / or further conversion substances in Have substantially larger wavelengths than the wavelength range of the primary radiation.

Vorzugsweise sind Konversionsstoff bzw. Konversionsstoffe und LED-Chip so aufeinander abgestimmt, dass die Farben des Primärlichts und zumindest eines Teils des Sekundärlichts zueinander komplementär sind. Durch additive Farbmischung wird der Eindruck weißen Lichts hervorgerufen.Preferably are conversion substance or conversion substances and LED chip to each other matched that the colors of the primary light and at least a part of the secondary light complementary to each other are. Additive color mixing turns the impression white Light evoked.

Vorzugsweise weist die erste und/oder weitere Konversionsschicht auf der Glasabdeckung eine konstante Dicke auf. Dadurch ergibt sich eine vereinheitlichte Weglänge der Strahlung innerhalb der Konversionsschicht. Dies führt vorteilhafterweise zu einer Homogenisierung des Farbeindruckes des strahlungsemittierenden Bauelements.Preferably has the first and / or further conversion layer on the glass cover a constant thickness. This results in a unified Path length of the radiation within the conversion layer. This advantageously leads to a homogenization the color impression of the radiation-emitting component.

Besonders bevorzugt ist der jeweilige Konversionsstoff im Wesentlichen homogen in der ersten und/oder weiteren Konversionsschicht und/oder in der Glasabdeckung verteilt. Eine im Wesentlichen homogene Verteilung des Konversionsstoffes führt vorteilhafterweise in der Regel zu einer sehr homogenen Abstrahlcharakteristik und zu einem sehr homogenen Farbeindruck des strahlungsemittierenden Bauelementes. Der Ausdruck „im Wesentlichen homogen" bedeutet im vorliegenden Zusammenhang, dass die Partikel des Konversionsstoffs so gleichmäßig in der jeweiligen Konversionsschicht und/oder der Glasabdeckung verteilt sind, wie es im Rahmen der technischen Machbarkeit möglich und sinnvoll ist.Particularly preferably, the respective conversion substance is substantially homogeneously distributed in the first and / or further conversion layer and / or in the glass cover. A substantially homogeneous distribution of the conversion substance advantageously leads, as a rule, to a very homogeneous one NEN emission characteristic and a very homogeneous color impression of the radiation-emitting component. The term "substantially homogeneous" in the present context means that the particles of the conversion substance are distributed so uniformly in the respective conversion layer and / or the glass cover, as is possible and useful within the scope of technical feasibility.

Bei zumindest einer bevorzugten Ausgestaltung überdeckt die Glasabdeckung das Trägersubstrat in Draufsicht auf das Trägersubstrat vollständig. Besonders bevorzugt sind das Trägersubstrat und die Glasabdeckung in Draufsicht auf das Substrat bündig zueinander angeordnet. Das heißt, das Trägersubstrat und die Glasabdeckung haben in Draufsicht auf die Haupterstreckungsebene die gleiche Ausdehnung und sind deckungsgleich.at at least one preferred embodiment covers the Glass cover the carrier substrate in plan view of the Carrier substrate completely. Especially preferred the carrier substrate and the glass cover are in plan view arranged flush with each other on the substrate. This means, the carrier substrate and the glass cover have in plan view on the main extension level the same extent and are congruent.

Bevorzugt weist die Glasabdeckung eine Dicke zwischen einschließlich 50 μm und einschließlich 500 μm auf.Prefers the glass cover has a thickness between inclusive 50 μm and including 500 μm.

Bevorzugt enthält das Trägersubstrat Keramik, Silizium oder FR4. Besonders bevorzugt enthält die Glasabdeckung ein Borosilikatglas, beispielsweise Pyrex, und das Trägersubstrat Silizium.Prefers contains the carrier substrate ceramic, silicon or FR4. Particularly preferably, the glass cover contains a Borosilicate glass, for example Pyrex, and the carrier substrate Silicon.

Das Trägersubstrat weist bevorzugt eine Reflektorschicht für die von dem LED-Chip im Betrieb ausgesandte Primärstrahlung mit einem möglichst hohen Reflexionskoeffizienten (ggf. durch geeignete Beschichtung der dem LED-Chip zugewandten Hauptfläche des Trägersubstrats) auf, so dass die Primärstrahlung des LED-Chips in Richtung der Glasabdeckung reflektiert wird.The Carrier substrate preferably has a reflector layer for the primary radiation emitted by the LED chip during operation with the highest possible reflection coefficient (possibly by suitable coating of the LED chip facing the main surface the carrier substrate), so that the primary radiation of the LED chip is reflected toward the glass cover.

Besonders bevorzugt weist der LED-Chip eine metallische Schicht mit guten Reflexionseigenschaften für die von dem LED-Chip emittierte Strahlung auf.Especially Preferably, the LED chip has a metallic layer with good Reflective properties for the emitted from the LED chip Radiation on.

Vorzugsweise liegt bei der Erfindung die Wellenlänge der von dem LED-Chip emittierten Strahlung im blauen Spektralbereich. Hierfür eignen sich insbesondere LED-Chips auf der Basis von Nitridverbindungshalbleitern. Unter Nitridverbindungshalbleitern sind insbesondere Halbleiter zu verstehen, die eine Nitridverbindung von Elementen der dritten Hauptgruppe des Periodensystems der chemischen Elemente wie beispielsweise GaN, AlN, InN, InGaN, AlGaN oder AlInGaN enthalten.Preferably In the invention, the wavelength of the LED chip emitted radiation in the blue spectral range. Therefor In particular, LED chips based on nitride compound semiconductors are suitable. Among nitride compound semiconductors are in particular semiconductors to understand a nitride compound of elements of the third Main group of the Periodic Table of the chemical elements such as GaN, AlN, InN, InGaN, AlGaN or AlInGaN.

Die aktive Schichtenfolge des LED-Chips umfasst bevorzugt einen pn-Übergang, eine Doppelheterostruktur, einen Einfach-Quantentopf oder besonders bevorzugt eine Mehrfach-Quantentopfstruktur (MQW) zur Strahlungserzeugung. Die Bezeichnung Quantentopfstruktur beinhaltet hierbei keine Angabe über die Dimensionalität der Quantisierung. Sie umfasst somit u. a. Quantentröge, Quantendrähte und Quantenpunkte und jede Kombination dieser Strukturen.The active layer sequence of the LED chip preferably comprises a pn junction, a double heterostructure, a single-quantum well or especially prefers a multiple quantum well structure (MQW) for radiation generation. The term quantum well structure hereby contains no information about the dimensionality of quantization. It thus includes u. a. Quantum wells, quantum wires and quantum dots and any combination of these structures.

Bei einer bevorzugten Ausgestaltung der Erfindung, die sich vor allem zur Erzeugung von mischfarbigem Licht eignet, liegt die Sekundärstrahlung des Konversionsstoffes der ersten und/oder zweiten Konversionsschicht und/oder des Konversionsstoffes in der Glasabdeckung im gelben oder roten Spektralbereich. Auf diese Weise wird ein strahlungsemittierendes Bauelement erzielt, das Mischstrahlung mit einem Farbort im weißen Bereich der CIE-Normfarbtafel aussendet.at a preferred embodiment of the invention, especially is suitable for the production of mixed-colored light, the secondary radiation of the Conversion of the first and / or second conversion layer and / or the conversion substance in the glass cover in the yellow or red spectral range. In this way, a radiation-emitting Component achieves the mixed radiation with a color spot in white Area of the CIE standard color chart.

Der LED-Chip ist mit besonderem Vorteil ein Dünnfilm-Leuchtdiodenchip. Als Dünnfilm-Leuchtdiodenchip wird im Rahmen der Anmeldung ein LED-Chip angesehen, während dessen Herstellung das Aufwachssubstrat, auf dem eine Schichtenfolge für den LED-Chip, beispielsweise epitaktisch, aufgewachsen wurde, gedünnt oder, insbesondere vollständig, abgelöst ist.Of the LED chip is particularly advantageous a thin-film LED chip. As a thin-film LED chip is in the context of the application viewed an LED chip during its manufacture the Growth substrate on which a layer sequence for the LED chip, for example, epitaxially grown, thinned or, in particular, completely detached.

Ein Grundprinzip eines Dünnfilm-Leuchtdiodenchip ist beispielsweise in I. Schnitzer et al., Appl. Phys. Lett. 63 (16), 18. Oktober 1993, 2174–2176 beschrieben, deren Offenbarungsgehalt insofern hiermit durch Rückbezug aufgenommen wird.A basic principle of a thin-film light-emitting diode chip is, for example, in I. Schnitzer et al., Appl. Phys. Lett. 63 (16), 18 October 1993, 2174-2176 described, the disclosure of which is hereby incorporated by reference.

Bevorzugt ist auf der dem LED-Chip zugewandten Hauptfläche der Glasabdeckung eine Antireflektionsschicht aufgebracht. Besonders bevorzugt ist zusätzlich auf der abgewandten Hauptfläche der Glasabdeckung eine weitere Antireflektionsschicht aufgebracht. Dadurch verbessert sich die Leuchtdichte des Bauelements weiter vorteilhaft.Prefers is on the LED chip facing the main surface of the glass cover applied an anti-reflection layer. Particularly preferred additionally on the opposite main surface of the glass cover applied a further anti-reflection layer. This improves the luminance of the device further advantageous.

Mittels einer zwischen dem Trägersubstrat und einem Randbereich der Glasabdeckung angeordneten Lot- oder Klebschicht ist die Glasabdeckung zweckmäßigerweise mechanisch stabil mit dem Trägersubstrat verbunden. Vorzugsweise ist die Lot- oder Klebschicht im Wesentlichen undurchlässig für Wasser und Sauerstoff bzw. weitere oxidierende Stoffe. Beispielsweise wird eine Klebschicht auf Basis von Epoxidharz verwendet.through one between the carrier substrate and an edge region the glass cover arranged solder or adhesive layer is the glass cover expediently mechanically stable with the carrier substrate connected. Preferably, the solder or adhesive layer is substantially impermeable to water and oxygen or more oxidizing substances. For example, an adhesive layer based on used by epoxy resin.

Bei zumindest einer weiteren Ausgestaltung ist eine Mehrzahl von LED-Chips auf dem Trägersubstrat aufgebracht. Dabei kann die Glasabdeckung genau eine Kavität aufweisen, so dass das Trägersubstrat und die Glasabdeckung genau einen Zwischenraum vollständig umschließen, in dem die Mehrzahl von LED-Chips angeordnet ist. Alternativ kann die Glasabdeckung eine Mehrzahl von Kavitäten aufweisen, wobei jede Kavität zur Aufnahme jeweils eines LED-Chips ausgebildet ist. Somit umschließen das Trägersubstrat und die Glasabdeckung eine Mehrzahl von Zwischenräumen vollständig, in dem jeweils genau ein LED-Chip angeordnet ist. Dabei ist die Glasabdeckung als zusammenhängende, einstückige Abdeckung ausgebildet.In at least one further embodiment, a plurality of LED chips is applied to the carrier substrate. In this case, the glass cover may have exactly one cavity, so that the carrier substrate and the glass cover exactly enclose a gap in which the plurality of LED chips is arranged. Alternatively, the glass cover may have a plurality of cavities, each cavity being designed to receive one LED chip each. Thus, the support substrate and the glass cover completely enclose a plurality of gaps dig, in each of which exactly one LED chip is arranged. The glass cover is formed as a continuous, one-piece cover.

Ein erfindungsgemäßes Verfahren zur Herstellung eines strahlungsemittierenden Bauelements umfasst insbesondere die folgenden Schritte:

  • a) Bereitstellen eines Trägersubstrats;
  • b) Aufbringen mindestens eines LED-Chips auf dem Trägersubstrat;
  • c) Elektrische Kontaktierung des mindestens einen LED-Chips mit Anschlussstellen des Trägersubstrats;
  • d) Herstellen einer Glasabdeckung und Umformen der Glasabdeckung durch Tiefziehen, so dass die Glasabdeckung mindestens eine Kavität zur Aufnahme des mindestens einen LED-Chips aufweist;
  • e) Aufbringen der Glasabdeckung auf das Trägersubstrat mittels einer Lot- oder Klebschicht.
A method according to the invention for producing a radiation-emitting component comprises in particular the following steps:
  • a) providing a carrier substrate;
  • b) applying at least one LED chip on the carrier substrate;
  • c) electrical contacting of the at least one LED chip with connection points of the carrier substrate;
  • d) producing a glass cover and forming the glass cover by deep drawing, so that the glass cover has at least one cavity for receiving the at least one LED chip;
  • e) applying the glass cover to the carrier substrate by means of a solder or adhesive layer.

Das Verfahren ermöglicht vorteilhafterweise, ein strahlungsemittierendes Bauelement mit verbesserter Leuchtdichte und ein für die Herstellung in Großserie geeignetes strahlungsemittierendes Bauelement mit einer separat hergestellten Glasabdeckung bereitzustellen.The Method advantageously allows a radiation-emitting Component with improved luminance and a for the Production in large series suitable radiation-emitting To provide a component with a separately manufactured glass cover.

Das Substrat liegt zweckmäßigerweise in Form einer Platte vor. Vorzugsweise wird eine erste Elektrode auf dem Substrat abgeschieden. Bei der Herstellung einer Mehrzahl von Bauelementen mit dem Verfahren wird eine erste Elektrodenschicht strukturiert abgeschieden oder ganzflächig abgeschieden und nach dem Abscheiden zu einzelnen ersten Elektroden strukturiert.The Substrate is suitably in the form of a Plate in front. Preferably, a first electrode is deposited on the substrate deposited. In the manufacture of a plurality of components The method is used to pattern a first electrode layer deposited or deposited over the entire surface and after the Deposition to individual first electrodes structured.

Auf der ersten Elektrode wird ein LED-Chip aufgebracht. Verfahren zur Montage von LED-Chips auf einem mit ersten Kontaktanschlüssen versehenen Trägersubstrat sind dem Fachmann bekannt und werden von daher an dieser Stelle nicht näher erläutert.On the first electrode is applied an LED chip. Procedure for Mounting of LED chips on one with first contact connections provided carrier substrate are known in the art and are therefore not explained in detail at this point.

Zur weiteren Kontaktierung der LED-Chips sind vorzugsweise elektrische Leiterbahnen auf der Platte abgeschieden. Diese werden mit der Anschlussstelle des LED-Chips mittels eines Bonddrahtes oder mittels einer elektrisch leitenden Schicht, die entlang einer Seitenfläche des LED-Chips von der Anschlussstelle des LED-Chips zu den auf dem Trägersubstrat abgeschiedenen Leiterbahnen abgeschieden ist, verbunden. Auch diese Verfahren zur elektrischen Kontaktierung der LED-Chips sind dem Fachmann bekannt und werden von daher an dieser Stelle nicht näher erläutert.to further contacting of the LED chips are preferably electrical Conductor tracks deposited on the board. These will be with the connection point of the LED chip by means of a bonding wire or by means of an electric conductive layer, which runs along a side surface of the LED chip from the junction of the LED chip to those on the carrier substrate deposited conductor tracks is deposited connected. These too Methods for electrical contacting of the LED chips are those skilled in the art known and are therefore not closer to this point explained.

Zur Abdeckung des Trägersubstrats und der darauf montierten LED-Chips wird eine separat hergestellte, zusammenhängende Glasabdeckung, die bevorzugt eine Dicke zwischen einschließlich 50 μm und einschließlich 500 μm aufweist, hergestellt. Zur Herstellung der Kavität, die geeignet ist, mindestens einen LED-Chip aufzunehmen, wird die Glasplatte mittels Tiefziehen umgeformt.to Cover of the carrier substrate and the mounted thereon LED chips become a separately manufactured, coherent one Glass cover, which preferably has a thickness between inclusive 50 μm and including 500 μm, produced. To make the cavity suitable is to record at least one LED chip, the glass plate by means of Thermoforming formed.

Anschließend wird die Glasabdeckung auf das Trägersubstrat aufgebracht. Bevorzugt überdeckt die Glasabdeckung die dem LED-Chip zugewandte Seite des Trägersubstrats dabei vollständig.Subsequently the glass cover is applied to the carrier substrate. Preferably, the glass cover covers the LED chip facing side of the carrier substrate while completely.

Auf der dem LED-Chip zugewandten Fläche oder/und der von dem LED-Chip abgewandten Fläche der Glasabdeckung kann, insbesondere im Bereich der Kavität, mindestens eine Konversionsschicht aufgebracht werden. Alternativ kann die Konversionsschicht oder die Konversionsschichten auf das Glas aufgedampft oder der Konversionsstoff in das Glas eingeschmolzen werden. Besonders bevorzugt wird auf der dem mindestens einen LED-Chip zugewandten und/oder abgewandten Fläche der Glasabdeckung mindestens eine Antireflektionsschicht aufgebracht.On the LED chip facing surface and / or the of the LED chip facing surface of the glass cover can, in particular in the area of the cavity, at least one conversion layer be applied. Alternatively, the conversion layer or the conversion layers evaporated on the glass or the conversion substance melted into the glass. Particular preference is given to the at least one LED chip facing and / or facing away Surface of the glass cover at least one antireflection layer applied.

Bei zumindest einer weiteren Ausgestaltungsform wird eine Mehrzahl von LED-Chips auf das Trägersubstrat aufgebracht und eine zusammenhängend hergestellte Glasabdeckung über der Mehrzahl von LED-Chips aufgebracht, wobei die Glasabdeckung eine Mehrzahl von Kavitäten zur Aufnahme jeweils eines LED-Chips aufweist. Bevorzugt stellt die Glasabdeckung ein einfach zusammenhängendes, einstückiges Gebilde dar. Besonders bevorzugt überdeckt die Glasabdeckung die den LED-Chips zugewandte Seite des Trägersubstrats dabei vollständig.at at least one further embodiment is a plurality of LED chips applied to the carrier substrate and a coherent manufactured glass cover over the plurality of LED chips applied, wherein the glass cover a plurality of cavities for receiving each of an LED chip. Prefers the glass cover a simply coherent, one-piece Structure dar. Particularly preferably covers the glass cover the LED chips facing side of the carrier substrate completely.

Bei der Herstellung des Bauelements mit einer Mehrzahl von LED-Chips kann vorzugsweise auf mindestens eine Fläche der Glasabdeckung, insbesondere im Bereich der Kavität, mindestens eine Konversionsschicht aufgebracht werden. Alternativ kann die Konversionsschicht oder die Konversionsschichten auf das Glas aufgedampft oder der Konversionsstoff in das Glas eingeschmolzen werden. Besonders bevorzugt wird auf mindestens eine Fläche der Glasabdeckung mindestens eine Antireflektionsschicht aufgebracht.at the manufacture of the device with a plurality of LED chips may preferably be applied to at least one surface of the glass cover, in particular in the region of the cavity, at least one conversion layer be applied. Alternatively, the conversion layer or the conversion layers evaporated on the glass or the conversion substance melted into the glass. Particular preference is given to at least one surface of the glass cover at least one Antireflection layer applied.

Das hat den Vorteil, dass bei der Herstellung des Bauelements mit einer Mehrzahl von LED-Chips mit dem erfindungsgemäßen Verfahren genau eine zusammenhängend und separat hergestellte, einstückige Glasabdeckung antireflektionsbeschichtet wird, und sich so die Produktionszeit und Produktionskosten erniedrigen.The has the advantage that in the manufacture of the device with a Plurality of LED chips with the invention Process exactly one coherent and separately produced, one-piece glass cover is antireflection coated, and thus reduce production time and production costs.

Die Verbindung des Trägersubstrats mit der Glasabdeckung erfolgt bevorzugt mittels einer Klebschicht, die auf das Substrat und/oder die Glasabdeckung, bevorzugt in Form einer Kleberaupe, stellenweise aufgebracht wird. Bei der Klebschicht handelt es sich bevorzugt um einen thermisch härtbaren Klebstoff, beispielsweise auf Basis eines Epoxidharzes. Das Aushärten erfolgt beispielsweise durch Erwärmen und/oder durch Bestrahlen mit elektromagnetischer Strahlung, insbesondere im infraroten und/oder ultravioletten Spektralbereich. Besonders bevorzugt handelt es sich bei der elektromagnetischen Strahlung um Laserstrahlung. Die elektromagnetische Strahlung wird vorzugsweise fokussiert und/oder stellenweise abgeschattet, so dass bevorzugt im Wesentlichen nur die mit Klebstoff bedeckten Stellen des Trägersubstrats und/oder der Glasabdeckung bestrahlt werden.The connection of the carrier substrate with the glass cover is preferably carried out by means of an adhesive layer, which on the substrate and / or the glass cover, preferably in the form of a bead of adhesive wise applied. The adhesive layer is preferably a thermally curable adhesive, for example based on an epoxy resin. The curing takes place for example by heating and / or by irradiation with electromagnetic radiation, in particular in the infrared and / or ultraviolet spectral range. The electromagnetic radiation is particularly preferably laser radiation. The electromagnetic radiation is preferably focused and / or shadowed in places, so that preferably substantially only the adhesive-covered areas of the carrier substrate and / or the glass cover are irradiated.

Aufgrund der Materialkombination des strahlungsemittierenden Bauelements sind nur die Konversionsschicht, die bevorzugt Silikon enthält, und das Verbindungsmaterial, das bevorzugt einen Kleber, ein Lot oder Glaslot enthält, temperaturbegrenzend. Die Herstellung des strahlungsemittierenden Bauelements kann somit bei Temperaturen bis zu 180°C erfolgen.by virtue of the material combination of the radiation-emitting component are only the conversion layer, which preferably contains silicone, and the bonding material, preferably an adhesive, a solder or glass solder, temperature limiting. The production of the radiation-emitting component can thus at temperatures up to 180 ° C take place.

Bei zumindest einer bevorzugten Ausgestaltung wird der Verbund, der das Trägersubstrat, die Mehrzahl von LED-Chips und die einstückige Glasabdeckung umfasst, mittels Schnitten zu einzelnen strahlungsemittierenden Bauelementen vereinzelt, die sowohl das Trägersubstrat als auch die einstückige Glasabdeckung durchtrennen. Die Schnitte können zugleich auch die erste Elektrodenschicht zu einzelnen ersten Elektroden strukturieren. Das Verfahren ermöglicht damit vorteilhafterweise eine einfache Vereinzelung des Verbundes zu einzelnen Bauelementen mittels geradliniger Schnitte.at At least one preferred embodiment of the composite, the the carrier substrate, the plurality of LED chips and the integral glass cover includes, by means of cuts too individual radiation-emitting components isolated, both the carrier substrate as well as the one-piece glass cover cut. The cuts can also be the first Structure the electrode layer to individual first electrodes. The method thus advantageously allows a simple separation of the composite to individual components by means straight cuts.

Alternativ kann die Glasabdeckung, die bevorzugt auf mindestens einer Fläche oder in der Glasplatte mindestens einen Konversionsstoff aufweist, vor Aufbringen auf das mit einer Mehrzahl von LED-Chips bestückte Trägersubstrat vereinzelt werden. Vorzugsweise werden anschließend die Abstrahlcharakteristiken des mindestens einen aufgebrachten Konversionsstoffs oder Konversionsstoffe der vereinzelten Glasabdeckungen und die Abstrahlcharakteristiken der einzelnen, auf dem Trägersubstrat montierten LED-Chips separat vermessen. Anschließend werden die vereinzelten Glasabdeckungen mit den auf dem Trägersubstrat montierten LED-Chips in einem Sortierverfahren derart kombiniert, dass eine gewünschte Farbortsteuerung erfolgt und über den LED-Chips montiert.alternative can use the glass cover, which is preferred on at least one surface or at least one conversion substance in the glass plate, prior to application to the populated with a plurality of LED chips Carrier substrate are separated. Preferably, subsequently the emission characteristics of the at least one applied Conversion substance or conversion substances of the individual glass covers and the radiation characteristics of the individual, on the carrier substrate measure mounted LED chips separately. Then be the scattered glass covers with those on the carrier substrate assembled LED chips combined in a sorting process such that a desired color coordinates control takes place and over mounted on the LED chips.

Die gezielte Kombination der einzelnen LED-Chips mit den vereinzelten Glasabdeckungen, die mindestens eine Konversionsschicht enthalten, hat den Vorteil, dass ein gewünschter Farbort des strahlungsemittierenden Bauelements eingestellt werden kann. Dadurch ermöglich sich eine weitgehend reproduzierbare Bauelementcharakteristik.The Targeted combination of the individual LED chips with the isolated ones Glass covers containing at least one conversion layer has the advantage that a desired color locus of the radiation-emitting Component can be adjusted. This allows itself a largely reproducible component characteristic.

Weitere Merkmale, Vorteile, bevorzugte Ausführungsformen und Zweckmäßigkeiten des Bauelements ergeben sich aus den im Folgenden in Verbindung mit den 1, 2 und 3 erläuterten Ausführungsbeispielen. Es zeigen:Other features, advantages, preferred embodiments and advantages of the device will become apparent from the following in connection with the 1 . 2 and 3 explained embodiments. Show it:

1 einen schematischen Querschnitt eines ersten Ausführungsbeispiels eines erfindungsgemäßen Bauelements, 1 a schematic cross section of a first embodiment of a device according to the invention,

2 schematische Draufsichten auf eine Mehrzahl von strahlungsemittierenden Bauelementen gemäß einem weiteren Ausführungsbeispiel, und 2 schematic plan views of a plurality of radiation-emitting components according to a further embodiment, and

3 schematische Querschnitte durch eine Mehrzahl von strahlungsemittierenden Bauelementen bei verschiedenen Stadien gemäß einem Ausführungsbeispiel des erfindungsgemäßen Verfahrens. 3 schematic cross-sections through a plurality of radiation-emitting components at different stages according to an embodiment of the method according to the invention.

Gleiche oder gleichwirkende Bestandteile sind jeweils mit den gleichen Bezugszeichen versehen. Die dargestellten Bestandteile sowie die Größenverhältnisse der Bestandteile untereinander sind nicht notwendigerweise als maßstabsgerecht anzusehen.Same or equivalent components are each denoted by the same reference numerals Mistake. The illustrated components as well as the size ratios the constituents are not necessarily to scale to watch.

Bei dem in 1 dargestellten strahlungsemittierenden Bauelement sind zwei LED-Chips 1, die auf GaN basieren, auf einem Trägersubstrat 2 angeordnet. Alternativ kann auch eine Vielzahl von LED-Chips 1 auf dem Trägersubstrat 2 angeordnet sein.At the in 1 illustrated radiation-emitting device are two LED chips 1 based on GaN on a carrier substrate 2 arranged. Alternatively, a variety of LED chips 1 on the carrier substrate 2 be arranged.

Das Trägersubstrat 2 weist Kontaktanschlüsse auf (nicht dargestellt), auf denen die LED-Chips angeordnet sind. Zur weiteren Kontaktierung der LED-Chips sind vorzugsweise elektrische Leiterbahnen auf dem Trägersubstrat 2 abgeschieden (nicht dargestellt). Diese können mit Anschlussstellen der LED-Chips mittels eines Bonddrahtes oder mittels einer elektrisch leitenden Schicht verbunden sein, die entlang einer Seitenfläche des LED-Chips 1 von der Anschlussstelle des LED-Chips 1 zu den auf dem Trägersubstrat 2 abgeschiedenen Leiterbahnen aufgebracht ist (nicht dargestellt).The carrier substrate 2 has contact terminals (not shown) on which the LED chips are arranged. For further contacting of the LED chips are preferably electrical conductor tracks on the carrier substrate 2 deposited (not shown). These can be connected to connection points of the LED chips by means of a bonding wire or by means of an electrically conductive layer which extends along a side surface of the LED chip 1 from the junction of the LED chip 1 to those on the carrier substrate 2 deposited conductor tracks is applied (not shown).

Das Trägersubstrat 2 und die darauf montierten LED-Chips 1 sind von einer Glasabdeckung 3, die eine Dicke zwischen einschließlich 50 μm und einschließlich 500 μm aufweist, abgedeckt.The carrier substrate 2 and the LED chips mounted on it 1 are from a glass cover 3 having a thickness of between 50 μm inclusive and 500 μm inclusive.

Mittels einer zwischen dem Trägersubstrat 2 und einem Randbereich der Glasabdeckung 3 angeordneten Lot- oder Klebschicht 9 ist die Glasabdeckung 3 zweckmäßigerweise mechanisch stabil mit dem Trägersubstrat 2 verbunden. Vorzugsweise ist die Lot- oder Klebschicht 9 im Wesentlichen undurchlässig für Wasser und weitere oxidierende Stoffe.By means of a between the carrier substrate 2 and an edge portion of the glass cover 3 arranged solder or adhesive layer 9 is the glass cover 3 expediently mechanically stable with the carrier substrate 2 connected. Preferably, the solder or adhesive layer 9 essentially impermeable to water and other oxidizing substances.

Beispielsweise wird eine Klebschicht auf Basis von Epoxidharz verwendet.For example an adhesive layer based on epoxy resin is used.

Vorzugsweise überdeckt die Glasabdeckung 3 das Trägersubstrat 2 in Draufsicht auf das Trägersubstrat 2 vollständig. Besonders bevorzugt sind das Trägersubstrat 2 und die Glasabdeckung 3 in Draufsicht auf das Substrat 2 bündig zueinander angeordnet. Das heißt, das Trägersubstrat 2 und die Glasabdeckung 3 haben in Draufsicht auf die Haupterstreckungsebene die gleiche Ausdehnung und sind deckungsgleich.Preferably, the glass cover covers 3 the carrier substrate 2 in plan view of the carrier substrate 2 Completely. Particularly preferred are the carrier substrate 2 and the glass cover 3 in plan view of the substrate 2 arranged flush with each other. That is, the carrier substrate 2 and the glass cover 3 have the same extent in plan view of the main extension plane and are congruent.

Die Glasabdeckung 3 enthält eine Kavität 6, die geeignet ist, die LED-Chips 1 aufzunehmen. Zu diesem Zweck ist die Kavität der Glasabdeckung so ausgebildet, dass sie einen Zwischenraum 7 zwischen den LED-Chips 1 und der Glasabdeckung 3 einschließt, der frei von fester und flüssiger Materie ist und bevorzugt Luft enthält. Die Glasabdeckung 2 hat demnach keinen direkten Kontakt zu dem LED-Chip 1.The glass cover 3 contains a cavity 6 that is suitable to the LED chips 1 take. For this purpose, the cavity of the glass cover is formed so that it has a gap 7 between the LED chips 1 and the glass cover 3 which is free of solid and liquid matter and preferably contains air. The glass cover 2 therefore has no direct contact with the LED chip 1 ,

Bevorzugt ist die Glasabdeckung 3 derart auf dem Trägersubstrat 2 angeordnet, dass sie zusammen mit diesen die LED-Chips 1 umschließt. Mit anderen Worten umschließen das Trägersubstrat 2 und die Glasabdeckung 3 einen Innenraum, in dem die LED-Chips angeordnet sind, vollständig.The glass cover is preferred 3 such on the carrier substrate 2 arranged that together with these the LED chips 1 encloses. In other words, enclose the carrier substrate 2 and the glass cover 3 an interior in which the LED chips are arranged, completely.

Die Glasabdeckung 3 stellt bevorzugt ein einfach zusammenhängendes, einstückiges Bauteil dar. Bevorzugt ist die Glasabdeckung 3 als separat hergestellter Körper ausgebildet, der an das Trägersubstrat 2 angepasst ist.The glass cover 3 preferably represents a single coherent, one-piece component. Preferably, the glass cover 3 formed as a separately manufactured body which is attached to the carrier substrate 2 is adjusted.

LED-Chips 1 zeigen ohne Verguss die höchste Leuchtdichte und Helligkeit. Mit Vorteil verbessert sich die Leuchtdichte des Bauelements dadurch, dass ein Zwischenraum 7 zwischen den LED-Chips 1 und der Glasabdeckung 3 vorhanden ist, der frei von fester und flüssiger Materie ist und bevorzugt Luft enthält. Die Leuchtdichte erhöht sich im Vergleich zu vergossenen LED-Chips vorteilhaft um etwa 15 Prozent. Des Weiteren dient die Glasabdeckung 3 als Schutz der LED-Chips 1 vor Schädigungen, etwa aufgrund von Stößen.LED chips 1 show without casting the highest luminance and brightness. Advantageously, the luminance of the device improves in that a gap 7 between the LED chips 1 and the glass cover 3 is present, which is free of solid and liquid matter and preferably contains air. The luminance increases compared to potted LED chips advantageous by about 15 percent. Furthermore, the glass cover is used 3 as protection of the LED chips 1 from damage, for example due to impact.

Die Strahlungsaustrittsseiten der LED-Chips 1 sind der Glasabdeckung 3 zugewandt. Somit erfolgt die Auskopplung der elektromagnetischen Strahlung bei dem Bauelement vorzugsweise im Wesentlichen durch die Glasabdeckung 3 ("top-emitter"). Das Trägersubstrat 2 braucht daher nicht transparent oder teiltransparent zu sein, womit sich vorzugsweise eine größere Materialauswahl für das Trägersubstrat 2 ergibt. Vorzugsweise enthält das Trägersubstrat 2 Silizium und die Glasabdeckung 3 ein Borosilikatglas, beispielsweise Pyrex. Alternativ kann es sich bei dem Trägersubstrat 2 um ein Substrat handeln, das bevorzugt eine Keramik, Silizium oder Epoxidharz aufweist. Eine verbesserte Temperaturbeständigkeit kann durch Füllstoffe wie beispielsweise Glasfasern erzielt werden.The radiation exit sides of the LED chips 1 are the glass cover 3 facing. Thus, the decoupling of the electromagnetic radiation in the component preferably takes place essentially through the glass cover 3 ( "Top-emitter"). The carrier substrate 2 therefore does not need to be transparent or semi-transparent, which is preferably a greater choice of material for the carrier substrate 2 results. Preferably, the carrier substrate contains 2 Silicon and the glass cover 3 a borosilicate glass, for example Pyrex. Alternatively, the carrier substrate may be 2 to act a substrate, which preferably comprises a ceramic, silicon or epoxy resin. Improved temperature resistance can be achieved by fillers such as glass fibers.

Auf den Hauptflächen 5 der Glasabdeckung 3 sind vorzugsweise Konversionsschichten 4 aufgebracht. Die Konversionsschichten 4 enthalten jeweils einen Konversionsstoff, der zumindest einen Teil einer von den LED-Chips 1 ausgesandten Primärstrahlung in eine Sekundärstrahlung umwandelt. Ein Teil der unkonvertierten Primärstrahlung, ein Teil der Sekundärstrahlung der ersten Konversionsschicht und ein Teil der Sekundärstrahlung der zweiten Konversionsschicht überlagern sich zu einer Mischstrahlung, wobei das Bauelement vorzugsweise weißes Licht abstrahlt.On the main surfaces 5 the glass cover 3 are preferably conversion layers 4 applied. The conversion layers 4 each contain a conversion substance that is at least part of one of the LED chips 1 emits emitted primary radiation into a secondary radiation. A part of the unconverted primary radiation, a part of the secondary radiation of the first conversion layer and a part of the secondary radiation of the second conversion layer are superimposed to form a mixed radiation, wherein the component preferably emits white light.

Das hat den Vorteil, dass sich die Auskoppeleigenschaften der LED-Chips 1 geringer verändern als bei LED-Chips, die direkt mit einer Konversionsschicht 4 überzogen sind. Unvergossene LED-Chips 1 weisen eine um etwa 10 Prozent höhere Leuchtdichte auf als LED-Chips, die direkt mit der Konversionsschicht 4 überzogen sind.This has the advantage that the coupling characteristics of the LED chips 1 less change than with LED chips that are directly connected to a conversion layer 4 are coated. Unpushed LED chips 1 have about 10 percent higher luminance than LED chips directly with the conversion layer 4 are coated.

Alternativ kann der Konversionsstoff 4 in die Glasabdeckung 3 eingebracht sein (nicht dargestellt). Es ist besonders vorteilhaft, den Konversionsstoff 4 in die Glasabdeckung 3 einzubringen, da so nicht nur eine erhöhte, sondern auch eine besonders homogene Abstrahlcharakteristik erzielt werden kann.Alternatively, the conversion substance 4 in the glass cover 3 be introduced (not shown). It is particularly advantageous, the conversion substance 4 in the glass cover 3 bring in, because not only an increased, but also a particularly homogeneous emission characteristics can be achieved.

Die Konversionsschichten 4 weisen auf der Glasabdeckung 3 bevorzugt eine konstante Dicke auf. Dadurch ergibt sich eine vereinheitlichte Weglänge der Strahlung innerhalb der Konversionsschichten 4. Dies führt vorteilhafterweise zu einer Homogenisierung des Farbeindruckes des strahlungsemittierenden Bauelements.The conversion layers 4 point to the glass cover 3 prefers a constant thickness. This results in a unified path length of the radiation within the conversion layers 4 , This advantageously leads to a homogenization of the color impression of the radiation-emitting component.

Vorzugsweise ist der Konversionsstoff jeweils homogen in den Konversionsschichten 4 verteilt. Eine homogene Verteilung des Konversionsstoffes 4 führt vorteilhafterweise in der Regel zu einer sehr homogenen Abstrahlcharakteristik und zu einem sehr homogenen Farbeindruck des strahlungsemittierenden Bauelementes.Preferably, the conversion substance is in each case homogeneous in the conversion layers 4 distributed. A homogeneous distribution of the conversion substance 4 As a rule, this leads to a very homogeneous emission characteristic and to a very homogeneous color impression of the radiation-emitting component.

Auf der den LED-Chips 1 zugewandten und/oder abgewandten Hauptfläche 5 der Glasabdeckung 3 kann vorzugsweise eine Antireflektionsschicht aufgebracht sein (nicht dargestellt). Dadurch verbessert sich die Leuchtdichte des Bauelements weiter vorteilhaft.On the LED chips 1 facing and / or facing away from the main surface 5 the glass cover 3 For example, an antireflection layer may be applied (not shown). As a result, the luminance of the component improves further advantageous.

Das Trägersubstrat 2 weist eine Reflektorschicht 8 für die von den LED-Chips 1 im Betrieb ausgesandte Primärstrahlung mit einem möglichst hohen Reflexionskoeffizienten auf, so dass die Primärstrahlung der LED-Chips 1 in Richtung der Glasabdeckung 3 reflektiert wird. Der möglichst hohe Reflexionskoeffizient kann beispielsweise durch eine geeignete Beschichtung der den LED-Chips 1 zugewandten Hauptfläche des Trägersubstrats 2 zustande kommen.The carrier substrate 2 has a reflector layer 8th for those of the LED chips 1 in operation emitted primary radiation with the highest possible ho reflection coefficients, so that the primary radiation of the LED chips 1 towards the glass cover 3 is reflected. The highest possible reflection coefficient can be achieved, for example, by a suitable coating of the LED chips 1 facing main surface of the carrier substrate 2 come about.

Die LED-Chips 1 sind mit besonderem Vorteil ein Dünnfilm-Leuchtdiodenchip.The LED chips 1 are with particular advantage a thin-film LED chip.

Bei dem in 2 in einer Aufsicht dargestellten Ausführungsbeispiel eines strahlungsemittierenden Bauelements sind eine Vielzahl von LED-Chips 1 auf dem Trägersubstrat angeordnet. Die Glasabdeckung 3 weist für jeden LED-Chip eine eigene Kavität 6 auf. Somit umschließen das Trägersubstrat und die Glasabdeckung 3 jeweils einen Innenraum vollständig, in dem genau ein LED-Chip angeordnet ist. Dabei ist die Glasabdeckung als zusammenhängende, einstückige Abdeckung ausgebildet.At the in 2 an embodiment of a radiation-emitting component shown in a plan view are a plurality of LED chips 1 arranged on the carrier substrate. The glass cover 3 has a separate cavity for each LED chip 6 on. Thus, the carrier substrate and the glass cover enclose 3 in each case an interior completely, in which exactly one LED chip is arranged. The glass cover is formed as a continuous, one-piece cover.

Gemäß dem in 3 dargestellten Ausführungsbeispiel eines erfindungsgemäßen Herstellungsverfahrens wird ein Trägersubstrat 2 bereitgestellt, das vorzugsweise Silizium enthält.According to the in 3 illustrated embodiment of a manufacturing method according to the invention is a carrier substrate 2 provided, which preferably contains silicon.

Eine Hauptfläche des Trägersubstrats 2, die als Montagefläche für LED-Chips 1 vorgesehen ist, wird beschichtet, so dass das Trägersubstrat 2 eine Reflektorschicht 8 für die von den LED-Chips 1 im Betrieb ausgesandte Primärstrahlung mit einem möglichst hohen Reflexionskoeffizienten aufweist. Auf das Trägersubstrat 2 werden Anschlussstellen aufgebracht, die zur elektrischen Kontaktierung der vorgesehenen LED-Chips 1 benötigt werden (nicht dargestellt). Nachfolgend wird auf das Trägersubstrat 2, wie in 3A dargestellt, eine Mehrzahl von LED-Chips 1 aufgebracht, die auf einem Nitridverbindungshalbleiter basieren. Anschließend werden die LED-Chips 1 mit Anschlussstellen des Trägersubstrats 2 elektrisch kontaktiert (nicht dargestellt).A major surface of the carrier substrate 2 used as a mounting surface for LED chips 1 is provided, is coated, so that the carrier substrate 2 a reflector layer 8th for those of the LED chips 1 Having in operation emitted primary radiation having the highest possible reflection coefficient. On the carrier substrate 2 Connection points are applied, which are used for electrical contacting of the provided LED chips 1 be required (not shown). The following is on the carrier substrate 2 , as in 3A shown, a plurality of LED chips 1 applied based on a nitride compound semiconductor. Subsequently, the LED chips 1 with connection points of the carrier substrate 2 electrically contacted (not shown).

Nachfolgend wird, wie in 3B dargestellt, auf das Trägersubstrat 2 stellenweise ein Klebstoff 9 aufgebracht. Bei dem Klebstoff 9 handelt es sich beispielsweise um ein Epoxidharz.The following will, as in 3B shown on the carrier substrate 2 in places an adhesive 9 applied. For the glue 9 it is for example an epoxy resin.

Nachfolgend wird eine Glasabdeckung 3 hergestellt, deren Ausdehnung groß genug ist, das Trägersubstrat 2 in Draufsicht auf das Trägersubstrat 2 vollständig zu überdecken. Die Glasabdeckung 3 wird durch Tiefziehen umgeformt, so dass eine Mehrzahl von Kavitäten 6 entsteht, wobei jeweils eine Kavität zur Aufnahme eines LED-Chips 1 vorgesehen ist. Somit werden genau so viele Kavitäten 6 geformt, wie LED-Chips 1 auf dem Trägersubstrat 2 angeordnet sind.Below is a glass cover 3 manufactured, whose extent is large enough, the carrier substrate 2 in plan view of the carrier substrate 2 completely cover up. The glass cover 3 is formed by deep drawing, so that a plurality of cavities 6 arises, wherein in each case a cavity for receiving an LED chip 1 is provided. Thus, just as many cavities 6 shaped like LED chips 1 on the carrier substrate 2 are arranged.

Nachfolgend wird die Glasabdeckung 3 auf das Trägersubstrat 2 aufgebracht, so dass die Glasabdeckung 3 und das Trägersubstrat 2 in Draufsicht auf das Trägersubstrat 2 bündig zueinander angeordnet werden (vgl. 3C). Die Glasabdeckung 3 besteht vorliegend aus Borosilikatglas und weist Kavitäten 6 auf, die geeignet sind, je einen LED-Chip 1 aufzunehmen. Die Glasabdeckung 3 wird dabei in einem Abstand zu den LED-Chips 1 angeordnet, so dass ein Zwischenraum 7 entsteht, der frei von fester und flüssiger Materie ist. Vorliegend beinhaltet der Zwischenraum 7 Luft.Below is the glass cover 3 on the carrier substrate 2 applied, leaving the glass cover 3 and the carrier substrate 2 in plan view of the carrier substrate 2 are arranged flush with each other (see. 3C ). The glass cover 3 consists in the present case of borosilicate glass and has cavities 6 on, which are suitable, each a LED chip 1 take. The glass cover 3 is doing at a distance to the LED chips 1 arranged, leaving a gap 7 arises, which is free of solid and liquid matter. In the present case contains the gap 7 Air.

LED-Chips 1 zeigen an Luft die höchste Leuchtdichte und Helligkeit. Die Leuchtdichte erhöht sich im Vergleich zu vergossenen LED-Chips vorteilhaft um etwa 15 Prozent. Des Weiteren dient die Glasabdeckung 3 als Schutz der LED-Chips 1 vor Schädigungen, etwa aufgrund von Stößen.LED chips 1 show in air the highest luminance and brightness. The luminance increases compared to potted LED chips advantageous by about 15 percent. Furthermore, the glass cover is used 3 as protection of the LED chips 1 from damage, for example due to impact.

Die Glasabdeckung 3 wird so auf dem Trägersubstrat 2 angeordnet, dass die LED-Chips 1 jeweils in einer Kavität 6 zu liegen kommen. Vorliegend ist die Ausdehnung des Trägersubstrats 2 und der Glasabdeckung 3 in der Haupterstreckungsebene des Trägersubstrats 2 gleich groß, und das Trägersubstrat 2 und die Glasabdeckung 3 sind bündig zueinander angeordnet, so dass sie in Draufsicht auf das Trägersubstrat 2 deckungsgleich sind. Die zwischen den Kavitäten 6 angeordneten Bereiche der dem Trägersubstrat 2 zugewandten Seite der Glasabdeckung 3 werden zumindest teilweise von dem Klebstoff 9 benetzt.The glass cover 3 is so on the carrier substrate 2 arranged that the LED chips 1 each in a cavity 6 to come to rest. The present case is the extent of the carrier substrate 2 and the glass cover 3 in the main extension plane of the carrier substrate 2 the same size, and the carrier substrate 2 and the glass cover 3 are arranged flush with each other, so that they are in plan view of the carrier substrate 2 are congruent. The between the cavities 6 arranged portions of the carrier substrate 2 facing side of the glass cover 3 be at least partially from the adhesive 9 wetted.

Nachfolgend wird der Klebstoff 9 ausgehärtet, so dass eine mechanisch stabile Verbindung zwischen der Glasabdeckung 3 und dem Trägersubstrat 2 entsteht. Die LED-Chips 1 werden dabei derart in der Kavität 6 eingeschlossen, dass Wasser und andere korrosive Stoffe möglichst nicht aus dem Außenraum in die Kavität 6 eindringen können.The following is the adhesive 9 Hardened, leaving a mechanically stable connection between the glass cover 3 and the carrier substrate 2 arises. The LED chips 1 are doing so in the cavity 6 included that water and other corrosive substances preferably not from the outside space into the cavity 6 can penetrate.

Das Aushärten des Klebstoffs 9 erfolgt vorzugsweise durch Bestrahlung mit fokussierter Laserstrahlung. Die Bestrahlung des Klebstoffs 9 erfolgt dabei durch das Trägersubstrat 2 und/oder durch die Glasabdeckung 3 hindurch. Die Bestrahlung des Klebstoffs 9 erfolgt an allen Stellen möglichst gleichmäßig. So wird ein homogenes Aushärten des Klebstoffs 9 erreicht.The curing of the adhesive 9 is preferably carried out by irradiation with focused laser radiation. The irradiation of the adhesive 9 takes place through the carrier substrate 2 and / or through the glass cover 3 therethrough. The irradiation of the adhesive 9 takes place as evenly as possible at all points. Thus, a homogeneous curing of the adhesive 9 reached.

Zusätzlich können auf der den LED-Chips 1 zugewandten Fläche und/oder der von den LED-Chips abgewandten Fläche der Glasabdeckung 3 vor Aufbringen der Glasabdeckung 3 auf das Trägersubstrat 2 eine oder mehrere Konversionsschichten aufgebracht werden (nicht dargestellt). Alternativ besteht die Möglichkeit, einen Konversionsstoff in die Glasabdeckung einzuschmelzen. Ferner kann auf eine oder mehrere Hauptflächen der Glasabdeckung 3 eine Antireflektionsschicht aufgebracht werden (nicht dargestellt).In addition, on the LED chips 1 facing surface and / or facing away from the LED chips surface of the glass cover 3 before applying the glass cover 3 on the carrier substrate 2 one or more conversion layers are applied (not shown). Alternatively, it is possible to melt a conversion substance in the glass cover. Further, on one or more major surfaces of the glass cover 3 An anti-reflection layer can be applied (not shown).

Nachfolgend werden die LED-Chips mittels Schnitten durch die Glasabdeckung 3, den Klebstoff 9 und das Trägersubstrat 2 zu einzelnen strahlungsemittierenden Bauelementen vereinzelt (vgl. 3D). Erst bei diesem Verfahrensschritt wird vorliegend das Trägersubstrat 2, also das Trägersubstrat für die Mehrzahl der LED-Chips 1, zu einzelnen Trägersubstraten und die einstückige Glasabdeckung 3 zu einzelnen Glasabdeckungen 3 strukturiert.Below, the LED chips are cut through the glass cover 3 , the glue 9 and the carrier substrate 2 isolated to individual radiation-emitting components (see. 3D ). Only in this process step in the present case is the carrier substrate 2 , So the carrier substrate for the majority of the LED chips 1 , to individual carrier substrates and the integral glass cover 3 to individual glass covers 3 structured.

Alternativ kann die Glasabdeckung 3 vor Aufbringen auf das mit einer Mehrzahl von LED-Chips 1 bestückte Trägersubstrat 2 vereinzelt werden (nicht dargestellt). Anschließend können die Abstrahlcharakteristiken der mindestens einen aufgebrachten Konversionsschicht und/oder des mindestens einen eingebrachten Konversionsstoffs der vereinzelten Glasabdeckungen 3 und die Abstrahlcharakteristiken der einzelnen, auf dem Trägersubstrat 2 montierten LED-Chips 1 separat vermessen werden. Dadurch besteht die Möglichkeit, die vereinzelten Glasabdeckungen 3 mit den auf dem Trägersubstrat 2 montierten LED-Chips 1 in einem Sortierverfahren gezielt zu kombinieren und über den LED-Chips 1 zu montieren, wodurch ein gewünschter Farbort des strahlungsemittierenden Bauelements eingestellt werden kann. Dadurch ermöglicht sich eine weitgehend reproduzierbare Bauelementcharakteristik.Alternatively, the glass cover 3 before application to the with a plurality of LED chips 1 equipped carrier substrate 2 to be isolated (not shown). Subsequently, the radiation characteristics of the at least one applied conversion layer and / or the at least one introduced conversion substance of the individual glass covers 3 and the radiation characteristics of the individual, on the carrier substrate 2 mounted LED chips 1 be measured separately. This gives the possibility of the occasional glass covers 3 with the on the carrier substrate 2 mounted LED chips 1 to combine specifically in a sorting process and over the LED chips 1 mount, whereby a desired color location of the radiation-emitting device can be adjusted. This allows a largely reproducible component characteristic.

Die Erfindung ist nicht durch die Beschreibung anhand der Ausführungsbeispiele auf diese beschränkt. Vielmehr umfasst die Erfindung jedes neue Merkmal sowie jede Kombination von Merkmalen, was insbesondere jede Kombination von Merkmalen in den Patentansprüchen beinhaltet, auch wenn dieses Merkmal oder diese Kombination selbst nicht explizit in den Patentansprüchen oder Ausführungsbeispielen angegeben ist.The The invention is not by the description based on the embodiments limited to these. Rather, the invention comprises each new feature as well as any combination of features, which in particular any combination of features in the claims includes, even if this feature or this combination itself not explicitly in the patent claims or embodiments is specified.

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Claims (25)

Strahlungsemittierendes Bauelement mit einem Trägersubstrat (2), mindestens einem auf dem Trägersubstrat (2) aufgebrachten LED-Chip (1) und einer auf dem Trägersubstrat (2) aufgebrachten strahlungsdurchlässigen Glasabdeckung (3), die mindestens eine Kavität (6) enthält, die geeignet ist, den mindestens einen LED-Chip (1) aufzunehmen, wobei die Glasabdeckung (3) in einem Abstand zum LED-Chip (1) angeordnet ist, so dass ein Zwischenraum (7) zwischen dem mindestens einen LED-Chip (1) und der Glasabdeckung (3) besteht, der frei von fester und flüssiger Materie ist.Radiation-emitting component with a carrier substrate ( 2 ), at least one on the carrier substrate ( 2 ) applied LED chip ( 1 ) and one on the carrier substrate ( 2 ) applied radiation-transparent glass cover ( 3 ), the at least one cavity ( 6 ), which is suitable, the at least one LED chip ( 1 ), the glass cover ( 3 ) at a distance to the LED chip ( 1 ) is arranged so that a gap ( 7 ) between the at least one LED chip ( 1 ) and the glass cover ( 3 ), which is free of solid and liquid matter. Strahlungsemittierendes Bauelement gemäß Anspruch 1, wobei der Zwischenraum (7) Luft enthält.A radiation-emitting device according to claim 1, wherein the gap ( 7 ) Contains air. Strahlungsemittierendes Bauelement gemäß einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei eine Strahlungsaustrittsseite des mindestens einen LED-Chips (1) der Glasabdeckung (3) zugewandt ist.Radiation-emitting component according to one of the preceding claims, wherein a radiation exit side of the at least one LED chip ( 1 ) of the glass cover ( 3 ) is facing. Strahlungsemittierendes Bauelement gemäß einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei mindestens eine Konversionsschicht (4) auf mindestens einer Hauptfläche der Glasabdeckung (3) aufgebracht ist, die mindestens einen Konversionsstoff aufweist, der zumindest einen Teil einer von dem LED-Chip (1) ausgesandten Primärstrahlung in eine Sekundärstrahlung umwandelt, wobei sich zumindest ein Teil der Sekundärstrahlung und ein Teil der unkonvertierten Primärstrahlung zu einer Mischstrahlung überlagern.Radiation-emitting component according to one of the preceding claims, wherein at least one conversion layer ( 4 ) on at least one major surface of the glass cover ( 3 ) having at least one conversion substance, which comprises at least a part of one of the LED chip ( 1 ) converted primary radiation into a secondary radiation, wherein at least a part of the secondary radiation and a part of the unconverted primary radiation superimposed to a mixed radiation. Strahlungsemittierendes Bauelement gemäß Anspruch 4, wobei mindestens ein weiterer Konversionsstoff, der in mindestens einer weiteren Konversionsschicht (4) eingebracht ist, auf mindestens einer Hauptfläche der Glasabdeckung (3) aufgebracht ist.Radiation-emitting component according to claim 4, wherein at least one further conversion substance which is present in at least one further conversion layer ( 4 ) is placed on at least one major surface of the glass cover ( 3 ) is applied. Strahlungsemittierendes Bauelement gemäß einem der Ansprüche 1 bis 3, wobei mindestens ein Konversionsstoff in der Glasabdeckung (3) verteilt ist, wobei der Konversionsstoff zumindest einen Teil einer von dem LED-Chip (1) ausgesandten Primärstrahlung in eine Sekundärstrahlung umwandelt, wobei sich zumindest ein Teil der Sekundärstrahlung und ein Teil der unkonvertierten Primärstrahlung zu einer Mischstrahlung überlagern.Radiation-emitting component according to one of claims 1 to 3, wherein at least one conversion substance in the glass cover ( 3 ), wherein the conversion substance at least a part of one of the LED chip ( 1 ) converted primary radiation into a secondary radiation, wherein at least a part of the secondary radiation and a part of the unconverted primary radiation superimposed to a mixed radiation. Strahlungsemittierendes Bauelement gemäß Anspruch 6, wobei mindestens ein weiterer Konversionsstoff, der in mindestens einer Konversionsschicht (4) eingebracht ist, auf mindestens einer Hauptfläche der Glasabdeckung (3) aufgebracht ist.A radiation-emitting component according to claim 6, wherein at least one further conversion substance which is present in at least one conversion layer ( 4 ) is placed on at least one major surface of the glass cover ( 3 ) is applied. Strahlungsemittierendes Bauelement gemäß einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei die Glasabdeckung (3) das Trägersubstrat (2) in Draufsicht auf das Trägersubstrat (2) vollständig überdeckt.Radiation-emitting component according to one of the preceding claims, wherein the glass cover ( 3 ) the carrier substrate ( 2 ) in plan view of the carrier substrate ( 2 completely covered. Strahlungsemittierendes Bauelement gemäß Anspruch 8, wobei die Glasabdeckung (3) und das Trägersubstrat (2) in Draufsicht auf das Trägersubstrat (2) bündig zueinander angeordnet sind.A radiation-emitting device according to claim 8, wherein the glass cover ( 3 ) and the carrier substrate ( 2 ) in plan view of the carrier substrate ( 2 ) are arranged flush with each other. Strahlungsemittierendes Bauelement gemäß einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei die Glasabdeckung (3) eine Dicke zwischen einschließlich 50 μm und einschließlich 500 μm aufweist.Radiation-emitting component according to one of the preceding claims, wherein the glass cover ( 3 ) has a thickness of between 50 μm and 500 μm inclusive. Strahlungsemittierendes Bauelement gemäß einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei die Glasabdeckung (3) ein Borosilikatglas und das Trägersubstrat (2) Silizium enthält.Radiation-emitting component according to one of the preceding claims, wherein the glass cover ( 3 ) a borosilicate glass and the carrier substrate ( 2 ) Contains silicon. Strahlungsemittierendes Bauelement gemäß einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei das Trägersubstrat (2) Keramik, Silizium oder FR4 enthält.Radiation-emitting component according to one of the preceding claims, wherein the carrier substrate ( 2 ) Contains ceramic, silicon or FR4. Strahlungsemittierendes Bauelement gemäß einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei auf dem Trägersubstrat (2) eine Reflektorschicht (8) aufgebracht ist, so dass die Primärstrahlung des LED-Chips (1) in Richtung der Glasabdeckung (3) reflektiert wird.Radiation-emitting component according to one of the preceding claims, wherein on the carrier substrate ( 2 ) a reflector layer ( 8th ) is applied, so that the primary radiation of the LED chip ( 1 ) in the direction of the glass cover ( 3 ) is reflected. Strahlungsemittierendes Bauelement gemäß einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei der LED-Chip (1) ein Dünnfilm-Leuchtdiodenchip ist.Radiation-emitting component according to one of the preceding claims, wherein the LED chip ( 1 ) is a thin-film LED chip. Strahlungsemittierendes Bauelement gemäß einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei auf mindestens einer Hauptfläche der Glasabdeckung (3) eine Antireflektionsschicht (5) aufgebracht ist.Radiation-emitting component according to one of the preceding claims, wherein on at least one main surface of the glass cover ( 3 ) an antireflection layer ( 5 ) is applied. Strahlungsemittierendes Bauelement gemäß einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei die Glasabdeckung (3) mittels einer Lot- oder Klebschicht (9) auf dem Trägersubstrat (2) aufgebracht ist.Radiation-emitting component according to one of the preceding claims, wherein the glass cover ( 3 ) by means of a solder or adhesive layer ( 9 ) on the carrier substrate ( 2 ) is applied. Strahlungsemittierendes Bauelement gemäß einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei eine Mehrzahl von LED-Chips (1) auf dem Trägersubstrat (2) aufgebracht ist.A radiation-emitting component according to one of the preceding claims, wherein a plurality of LED chips ( 1 ) on the carrier substrate ( 2 ) is applied. Strahlungsemittierendes Bauelement gemäß Anspruch 17, wobei die Glasabdeckung (3) eine Mehrzahl von Kavitäten (6) aufweist, und jede Kavität (6) zur Aufnahme jeweils eines LED-Chips (1) ausgebildet ist.A radiation-emitting component according to claim 17, wherein the glass cover ( 3 ) a plurality of cavities ( 6 ), and each cavity ( 6 ) for receiving a respective LED chip ( 1 ) is trained. Verfahren zur Herstellung eines strahlungsemittierenden Bauelements, mit den Verfahrensschritten: a) Bereitstellen eines Trägersubstrat (2); b) Aufbringen mindestens eines LED-Chips (1) auf das Trägersubstrat (2); c) Elektrische Kontaktierung des mindestens einen LED-Chips (1) mit Anschlussstellen des Trägersubstrats (2); d) Herstellen einer Glasabdeckung (3) und Umformen der Glasabdeckung (3) durch Tiefziehen, so dass die Glasabdeckung (3) mindestens eine Kavität (6) zur Aufnahme des mindestens einen LED-Chips (1) aufweist; e) Aufbringen der Glasabdeckung (3) auf das Trägersubstrat (2) mittels einer Lot- oder Klebschicht (9).Method for producing a radiation-emitting component, comprising the steps of: a) providing a carrier substrate ( 2 ); b) applying at least one LED chip ( 1 ) on the carrier substrate ( 2 ); c) Electrical contacting of the at least one LED chip ( 1 ) with connection points of the carrier substrate ( 2 ); d) making a glass cover ( 3 ) and forming the glass cover ( 3 ) by deep drawing, so that the glass cover ( 3 ) at least one cavity ( 6 ) for receiving the at least one LED chip ( 1 ) having; e) Applying the glass cover ( 3 ) on the carrier substrate ( 2 ) by means of a solder or adhesive layer ( 9 ). Verfahren gemäß Anspruch 19, wobei auf der dem mindestens einen LED-Chip (1) zugewandten Fläche und/oder der von dem mindestens einen LED-Chip (1) abgewandten Fläche der Glasabdeckung (3) mindestens eine Konversionsschicht (4) aufgebracht wird.The method of claim 19, wherein on the at least one LED chip ( 1 ) facing surface and / or of the at least one LED chip ( 1 ) facing away from the glass surface ( 3 ) at least one conversion layer ( 4 ) is applied. Verfahren gemäß einem der Ansprüche 19 oder 20, wobei bei der Herstellung der Glasabdeckung mindestens ein Konversionsstoff (4) in die Glasabdeckung (3) eingebracht wird.Method according to one of claims 19 or 20, wherein in the production of the glass cover at least one conversion substance ( 4 ) in the glass cover ( 3 ) is introduced. Verfahren gemäß einem der Ansprüche 19, bis 21, wobei auf der dem mindestens einen LED-Chip (1) zugewandten Fläche und/oder der von dem mindestens einen LED-Chip (1) abgewandten Fläche der Glasabdeckung (3) mindestens eine Antireflektionsschicht (5) aufgebracht wird.Method according to one of claims 19, to 21, wherein on the said at least one LED chip ( 1 ) facing surface and / or of the at least one LED chip ( 1 ) facing away from the glass surface ( 3 ) at least one antireflection layer ( 5 ) is applied. Verfahren gemäß einem der Ansprüche 19 bis 22, wobei eine Mehrzahl von LED-Chips (1) auf das Trägersubstrat (2) aufgebracht wird und eine zusammenhängend hergestellte Glasabdeckung (3) über der Mehrzahl von LED-Chips (1) aufgebracht wird, und die Glasabdeckung (3) eine Mehrzahl von Kavitäten (6) aufweist, wobei jede Kavität zur Aufnahme jeweils eines LED-Chips ausgebildet ist.Method according to one of claims 19 to 22, wherein a plurality of LED chips ( 1 ) on the carrier substrate ( 2 ) and a coherently produced glass cover ( 3 ) over the plurality of LED chips ( 1 ) is applied, and the glass cover ( 3 ) a plurality of cavities ( 6 ), wherein each cavity is designed to receive one LED chip each. Verfahren gemäß Anspruch 23, wobei die LED-Bauelemente mittels Schnitten vereinzelt werden, die das Trägersubstrat (2) und die zusammenhängende Glasabdeckung (3) durchtrennen.A method according to claim 23, wherein the LED components are singulated by means of cuts which form the carrier substrate ( 2 ) and the continuous glass cover ( 3 ). Verfahren nach Anspruch 23 in Kombination mit einem der Ansprüche 20 oder 21, wobei – die Glasabdeckung (3) vor dem Aufbringen auf das mit einer Mehrzahl von LED-Chips (1) bestückte Trägersubstrat (2) vereinzelt wird, – anschließend die Abstrahlcharakteristiken der mindestens einen aufgebrachten Konversionsschicht (4) und/oder des mindestens einen eingebrachten Konversionsstoffs (4) der vereinzelten Glasabdeckungen (3) und die Abstrahlcharakteristiken der einzelnen, auf dem Trägersubstrat (2) montierten LED-Chips (1) separat vermessen werden, und – die vereinzelten Glasabdeckungen (3) mit den auf dem Trägersubstrat (2) montierten LED-Chips (1) in einem Sortierverfahren gezielt kombiniert und über den LED-Chips (1) montiert werden.A method according to claim 23 in combination with one of claims 20 or 21, wherein - the glass cover ( 3 ) prior to application to the with a plurality of LED chips ( 1 ) equipped carrier substrate ( 2 ), then the radiation characteristics of the at least one applied conversion layer ( 4 ) and / or of the at least one introduced conversion substance ( 4 ) of the isolated glass covers ( 3 ) and the radiation characteristics of the individual, on the carrier substrate ( 2 ) mounted LED chips ( 1 ) are measured separately, and - the individual glass covers ( 3 ) with the on the carrier substrate ( 2 ) mounted LED chips ( 1 ) in a sorting method and combined over the LED chips ( 1 ) to be assembled.
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