EP2415076A2 - Druckunterstützung für eine elektronische schaltung - Google Patents

Druckunterstützung für eine elektronische schaltung

Info

Publication number
EP2415076A2
EP2415076A2 EP10713602A EP10713602A EP2415076A2 EP 2415076 A2 EP2415076 A2 EP 2415076A2 EP 10713602 A EP10713602 A EP 10713602A EP 10713602 A EP10713602 A EP 10713602A EP 2415076 A2 EP2415076 A2 EP 2415076A2
Authority
EP
European Patent Office
Prior art keywords
elastic element
component
electrical circuit
circuit
circuit structure
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Withdrawn
Application number
EP10713602A
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
Herbert Schwarzbauer
Michael Kaspar
Norbert Seliger
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Siemens AG
Original Assignee
Siemens AG
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Siemens AG filed Critical Siemens AG
Publication of EP2415076A2 publication Critical patent/EP2415076A2/de
Withdrawn legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/71Means for bonding not being attached to, or not being formed on, the surface to be connected
    • H01L24/72Detachable connecting means consisting of mechanical auxiliary parts connecting the device, e.g. pressure contacts using springs or clips
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/48Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/32Holders for supporting the complete device in operation, i.e. detachable fixtures
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/34Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
    • H01L23/36Selection of materials, or shaping, to facilitate cooling or heating, e.g. heatsinks
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/18High density interconnect [HDI] connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/23Structure, shape, material or disposition of the high density interconnect connectors after the connecting process
    • H01L24/24Structure, shape, material or disposition of the high density interconnect connectors after the connecting process of an individual high density interconnect connector
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/18High density interconnect [HDI] connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/23Structure, shape, material or disposition of the high density interconnect connectors after the connecting process
    • H01L24/25Structure, shape, material or disposition of the high density interconnect connectors after the connecting process of a plurality of high density interconnect connectors
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/80Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L24/82Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected by forming build-up interconnects at chip-level, e.g. for high density interconnects [HDI]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/03Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
    • H01L25/04Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
    • H01L25/07Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L29/00
    • H01L25/072Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L29/00 the devices being arranged next to each other
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/18High density interconnect [HDI] connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/23Structure, shape, material or disposition of the high density interconnect connectors after the connecting process
    • H01L2224/24Structure, shape, material or disposition of the high density interconnect connectors after the connecting process of an individual high density interconnect connector
    • H01L2224/2401Structure
    • H01L2224/24011Deposited, e.g. MCM-D type
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/18High density interconnect [HDI] connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/23Structure, shape, material or disposition of the high density interconnect connectors after the connecting process
    • H01L2224/24Structure, shape, material or disposition of the high density interconnect connectors after the connecting process of an individual high density interconnect connector
    • H01L2224/2401Structure
    • H01L2224/2402Laminated, e.g. MCM-L type
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/18High density interconnect [HDI] connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/23Structure, shape, material or disposition of the high density interconnect connectors after the connecting process
    • H01L2224/24Structure, shape, material or disposition of the high density interconnect connectors after the connecting process of an individual high density interconnect connector
    • H01L2224/2405Shape
    • H01L2224/24051Conformal with the semiconductor or solid-state device
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/18High density interconnect [HDI] connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/23Structure, shape, material or disposition of the high density interconnect connectors after the connecting process
    • H01L2224/24Structure, shape, material or disposition of the high density interconnect connectors after the connecting process of an individual high density interconnect connector
    • H01L2224/241Disposition
    • H01L2224/24151Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/24221Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/24225Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/18High density interconnect [HDI] connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/23Structure, shape, material or disposition of the high density interconnect connectors after the connecting process
    • H01L2224/24Structure, shape, material or disposition of the high density interconnect connectors after the connecting process of an individual high density interconnect connector
    • H01L2224/241Disposition
    • H01L2224/24151Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/24221Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/24225Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H01L2224/24226Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation the HDI interconnect connecting to the same level of the item at which the semiconductor or solid-state body is mounted, e.g. the item being planar
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/28Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/29Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/29001Core members of the layer connector
    • H01L2224/29099Material
    • H01L2224/291Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/28Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/29Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/29001Core members of the layer connector
    • H01L2224/29099Material
    • H01L2224/2919Material with a principal constituent of the material being a polymer, e.g. polyester, phenolic based polymer, epoxy
    • H01L2224/29191The principal constituent being an elastomer, e.g. silicones, isoprene, neoprene
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/31Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
    • H01L2224/32Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/321Disposition
    • H01L2224/32151Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/32221Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/32225Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/45001Core members of the connector
    • H01L2224/45099Material
    • H01L2224/451Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
    • H01L2224/45138Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/45147Copper (Cu) as principal constituent
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/73Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
    • H01L2224/732Location after the connecting process
    • H01L2224/73251Location after the connecting process on different surfaces
    • H01L2224/73267Layer and HDI connectors
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/82Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected by forming build-up interconnects at chip-level, e.g. for high density interconnects [HDI]
    • H01L2224/82009Pre-treatment of the connector or the bonding area
    • H01L2224/8203Reshaping, e.g. forming vias
    • H01L2224/82035Reshaping, e.g. forming vias by heating means
    • H01L2224/82039Reshaping, e.g. forming vias by heating means using a laser
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/26Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/28Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
    • H01L24/29Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/00011Not relevant to the scope of the group, the symbol of which is combined with the symbol of this group
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/00014Technical content checked by a classifier the subject-matter covered by the group, the symbol of which is combined with the symbol of this group, being disclosed without further technical details
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01005Boron [B]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01006Carbon [C]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/0102Calcium [Ca]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01023Vanadium [V]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01029Copper [Cu]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01033Arsenic [As]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01068Erbium [Er]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01074Tungsten [W]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01082Lead [Pb]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/013Alloys
    • H01L2924/014Solder alloys
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11Device type
    • H01L2924/13Discrete devices, e.g. 3 terminal devices
    • H01L2924/1304Transistor
    • H01L2924/1305Bipolar Junction Transistor [BJT]
    • H01L2924/13055Insulated gate bipolar transistor [IGBT]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/151Die mounting substrate
    • H01L2924/156Material
    • H01L2924/15786Material with a principal constituent of the material being a non metallic, non metalloid inorganic material
    • H01L2924/15787Ceramics, e.g. crystalline carbides, nitrides or oxides

Definitions

  • the invention relates to a circuit structure having an electrical circuit with at least one mounted on a substrate electronic, in particular power electronic, component.
  • Power semiconductor chips are typically soldered to metal or metallized ceramic substrates to rapidly dissipate the heat generated during operation to the environment. Frequent temperature changes during operation cause a permanent crack development in the soldering from the edge or the formation of a crack network in the middle underneath
  • the object of the present invention is to provide a circuit structure in which an increased resistance to thermally induced cracks in the solder layer is given.
  • the circuit structure according to the invention has an electrical circuit. This is based on a substrate, which may be, for example, a ceramic substrate with a metallic coating, for example a DCB. Fully metallic substrates or the otherwise known substrates can also be used.
  • the components are preferably to one or more semiconductor devices, in particular power semiconductor devices such as IGBTs.
  • the components are connected on the underside via a solder layer to the substrate.
  • the electrical contact takes place at least partially on the upper side by means of one or more planar
  • the two-dimensional conductor tracks are preferably layers, for example copper-based layers, which have been produced, for example, galvanically on the substrate and on the component (s).
  • the invention further provides that an elastic element is provided on the electrical circuit.
  • the elastic element may be, for example, a layer or a piece, for example consisting of silicone or a silicone adhesive. It is possible that the elastic element has a firm connection to the electrical circuit, for example in the case of a silicone adhesive, or just does not have a firm connection, for example, in an applied silicone piece or an insulating film. Conveniently, the elastic element is electrically insulating.
  • the elastic element becomes pressed on the electrical circuit, so that the pressure exerted thereby acts on the entire component.
  • the - preferably light - pressure on the electrical circuit, especially on the component or components, causes advantageous ensure that the initially described cracks in the layer of solder underneath the component or the components to which the pressure is applied are omitted or closed again. This exploits the fact that the solder below the component or components usually does not become brittle even during operation of the electrical circuit, but rather remains somewhat flowable or creepable. A forming crack is advantageously closed by a pressure caused by the movement of the solder again.
  • the elastic element advantageously ensures a uniform distribution of the force on the component or components.
  • the pressure is in the range less bar, i. for example in the range between 1 and 10 bar. This on the one hand ensures that the pressure is sufficient to prevent cracking. On the other hand, the solder is also not squeezed out of the components.
  • the elastic element laterally at least the size of the component or one of the components, so that for at least one component, a planar pressure is exerted on the entire component, with lateral size is meant the length and width of the component, i. the extent in the plane defined by the substrate.
  • the elastic element is substantially laterally as large as the entire electrical circuit. In other words, the elastic element at least largely covers the entire electrical circuit, so that a pressure is exerted on all components. As a result, the pressure is evenly distributed and prevents cracking in all existing components.
  • the electrical circuit preferably has at least one insulation layer, for example in the form of a structured insulation film. This is, for example, under the flat conductor track and prevents unwanted electrical contacts. Also a stacked construction of several layers of insulation and several layers of flat Conductor tracks is possible here.
  • the insulating layer itself may also be a stacked structure of several individual layers, for example of several insulating films to achieve a desired thickness.
  • the insulation layer is preferably structured in order to obtain, for example, a through-contact of top-side contact surfaces on the components to the planar conductor track.
  • the elastic element is softer than the material of the insulating layer.
  • the device preferably has a largely inelastic pressure piece of, for example, metal, ceramic or plastic, which itself is arranged to exert the force from the elastic element.
  • the elastic element is good heat-conducting.
  • it preferably has a thermal conductivity of at least 1 W / mK. Then, heat generated in the components is dissipated not only down into the substrate but also upwards into the elastic element, thus increasing the total heat dissipated, thus providing improved heat dissipation. This is particularly advantageous for power electronic components with high heat output.
  • the elastic element has a small thickness in order to represent a low thermal resistance for the heat dissipation in, for example, the pressure piece.
  • the pressure piece is also in this case also good heat-conducting, so for example made of metal.
  • the elastic element is designed so that it acts as a heat storage.
  • a sufficient mass so a sufficient thickness is required.
  • the thickness of the elastic element should be at least 3 mm.
  • the elastic element can serve as a heat buffer and thereby mitigate short-term peaks in the heat output of the component or components. As a result, the life of the components is increased.
  • the FIGURE shows an exemplary electrical circuit with a power semiconductor component 4.
  • the power semiconductor component 4 is applied to a DCB copper track 2 by means of a solder layer 3.
  • the DCB copper track 2 itself is part of a DCB substrate, which in this example comprises the DCB copper track 2, which is applied to a ceramic carrier 1.
  • the electrical contacting of the power semiconductor component 4 takes place on the top side by a flat copper conductor track 6.
  • an insulating layer 5 is first provided on the substrate and the power semiconductor component 4.
  • the insulating layer 5 consists in this embodiment of a laminated insulating film.
  • the insulation layer 5 can also be produced elsewhere, for example by known chemical or physical deposition methods.
  • the insulation layer 5 has one or more windows.
  • the windows can be produced by structuring the insulation layer 5 on the electrical circuit, for example by laser ablation. But it is also possible, for example, to laminate an already pre-structured film on the circuit.
  • the planar copper conductor 6 is applied on the insulation layer 5, the planar copper conductor 6 is applied.
  • the planar copper conductor 6 can also be produced in various ways, for example by the known deposition methods. However, it is expedient in the field of power electronics to generate by means of galvanic deposition. This is the best way to provide the necessary thickness for the high currents.
  • the flat copper conductor track 6 is in this embodiment also structured itself, since a plurality of electrical connections must be contacted independently.
  • silicone adhesive layer 7 is present on the flat copper conductor track 6, a silicone adhesive layer 7 is present.
  • the silicone adhesive layer 7 approximately corresponds in length and width to the power semiconductor component
  • the silicone adhesive layer 7 is electrically insulating, but should be designed in this embodiment with a thermal conductivity of 10 W / mK, so for an insulator relatively good thermal conductivity.
  • the thickness of the silicone adhesive layer 7 in this embodiment is approximately
  • a pressure piece 8 made of metal is provided above the silicone adhesive layer 7, a pressure piece 8 made of metal is provided above the silicone adhesive layer 7, a pressure piece 8 made of metal is provided. About this pressure piece 8 a pressure on the underlying silicone adhesive layer 7 is exercised. The pressure is exerted on the pressure piece 8 by a corresponding configuration of the housing for the electrical circuit. The silicone adhesive layer 7 distributes this pressure to the underlying structures, i. via the planar copper conductor track 6 and the insulation layer 5 to the power semiconductor component 4 and, in turn, to the solder layer 3.
  • the solder layer 3 is pressurized.
  • the pressure effect is "light.” It should be such that, on the one hand, cracks are re-closed in the solder layer 3 based on the fact that the solder is also in the finished state of the electrical see circuit a certain, albeit small fluidity reserves. If a temperature change operation leads to the formation of a small crack over time, the solder creeps back into the crack under the influence of the slight pressure and closes it again. Thus, the negative influence of cracks, which usually form elsewhere, is avoided and the lifetime of the entire assembly is significantly increased.
  • the relatively small thickness of the silicone adhesive layer 7 and its high thermal conductivity lead in this embodiment to the fact that a significant amount of waste heat from the power semiconductor device 4 can be dissipated via the silicone adhesive layer 7.
  • the silicone adhesive layer 7 and the pressure piece 8 thus advantageously simultaneously serve as an additional heat sink for the power semiconductor component 4.
  • a second alternative embodiment results when the silicone adhesive layer 7 is designed as a heat buffer.
  • the silicone adhesive layer 7 is expediently made much thicker than in the first exemplary embodiment, for example 3 mm or 5 mm thick.
  • an elastic element made of silicone or another heat-resistant elastic material may be used, but this is not necessarily bonded to the surface of the flat copper conductor 6.
  • the silicone adhesive layer 7 or the element then serve as a heat buffer.
  • An excess of waste heat generated in a short time of the tip line in the power semiconductor device 4 is stored in the element or the silicone adhesive layer 7, and then gradually discharged.
  • the elastic element or the silicone adhesive layer 7 serves to advantageously absorb peaks in the heat generation, which also leads to an increase in the life.

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
  • Non-Metallic Protective Coatings For Printed Circuits (AREA)
  • Electric Connection Of Electric Components To Printed Circuits (AREA)
  • Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
  • Structures For Mounting Electric Components On Printed Circuit Boards (AREA)

Abstract

Es wird ein Schaltungsaufbau mit einer elektrischen Schaltung vorgeschlagen, die wenigstens ein auf einem Substrat angebrachtes elektronisches Bauteil und eine flächige Leiterbahn zur elektrischen Kontaktierung des Bauteils aufweist, wobei auf der elektrischen Schaltung ein elastisches Element vorgesehen ist und weiterhin eine Vorrichtung zum Ausüben einer Kraft auf das elastische Element vorhanden ist, sodass das elastische Element auf die elektrische Schaltung gedrückt wird. Hierdurch wird die Rissbildung in einem Lot unterhalb des Bauteils verhindert.

Description

Beschreibung
Druckunterstützung für eine elektronische Schaltung
Die Erfindung betrifft einen Schaltungsaufbau mit einer elektrischen Schaltung mit wenigstens einem auf einem Substrat angebrachten elektronischen, insbesondere leistungselektronischen, Bauteil.
Leistungshalbleiterchips werden üblicherweise auf Träger aus Metall oder metallisierter Keramik aufgelötet, um die im Betrieb entstehende Wärme rasch an die Umgebung abführen zu können. Häufige Temperaturwechsel im Betrieb verursachen in der Lötung auf Dauer eine Rissentwicklung vom Rand her oder die Ausbildung eines Rissnetzwerks in der Mitte unter dem
Chip im heißesten Bereich. Dadurch wird wiederum die Wärmeableitung verschlechtert, was zu einer Erhöhung der Temperaturhübe führt und somit die Lebensdauer der Schaltung verkürzt.
Aufgabe der vorliegenden Erfindung ist es, einen Schaltungsaufbau anzugeben, bei dem eine erhöhte Beständigkeit gegen thermisch bedingte Risse in der Lotschicht gegeben ist.
Diese Aufgabe wird durch einen Schaltungsaufbau mit den Merk- malen von Anspruch 1 gelöst. Eine weitere Lösung besteht in dem Verfahren mit den Merkmalen von Anspruch 10. Die abhängigen Ansprüche betreffen vorteilhafte Ausgestaltungen des Schaltungsaufbaus .
Der erfindungsgemäße Schaltungsaufbau weist eine elektrische Schaltung auf. Diese basiert auf einem Substrat, das beispielsweise ein keramisches Substrat mit einer metallischen Beschichtung, beispielsweise ein DCB, sein kann. Vollmetallische Substrate oder die anderweitig bekannten Substrate kön- nen ebenfalls zum Einsatz kommen.
Auf dem Substrat sind ein oder mehrere elektronisch Bauteile aufgebracht. Bei den Bauteilen handelt es sich bevorzugt um ein oder mehrere Halbleiterbauteile, insbesondere um Leistungshalbleiterbauteile wie beispielsweise IGBTs. Die Bauteile sind unterseitig über eine Lotschicht mit dem Substrat verbunden. Die elektrische Kontaktierung erfolgt wenigstens teilweise oberseitig mittels einer oder mehrerer flächiger
Leiterbahnen. Die flächigen Leiterbahnen sind dabei bevorzugt Schichten, beispielsweise kupferbasierte Schichten, die beispielsweise galvanisch auf dem Substrat und auf dem oder den Bauteilen erzeugt wurde.
Die Erfindung sieht weiterhin vor, dass auf der elektrischen Schaltung ein elastisches Element vorgesehen ist. Das elastische Element kann beispielsweise eine Schicht oder ein Stück, beispielsweise bestehend aus Silikon oder einem Silikonkle- ber, sein. Dabei ist es möglich, dass das elastische Element eine feste Verbindung zur elektrischen Schaltung aufweist, beispielsweise im Falle eines Silikonklebers, oder aber eben keine feste Verbindung aufweist, beispielsweise bei einem aufgelegten Silikonstück oder einer isolierenden Folie. Zweckmäßigerweise ist das elastische Element elektrisch isolierend.
Schließlich ist eine Vorrichtung zum Ausüben einer Kraft auf das elastische Element vorhanden. Die Kraft bewirkt, dass das elastische Element auf die elektrische Schaltung aufgedrückt wird.
Beim erfindungsgemäßen Verfahren zum Betrieb einer elektrischen Schaltung, die wenigstens ein auf einem Substrat ange- brachtes elektronisches Bauteil sowie ein elastisches Element auf dem Bauteil umfasst, wobei das elastische Element wenigstens so groß ist, dass es auf das gesamte Bauteil überdeckt, wird das elastische Element auf die elektrische Schaltung gedrückt, so dass der dadurch ausgeübte Druck auf das gesamte Bauteil wirkt.
Der - bevorzugt leichte - Druck auf die elektrische Schaltung, speziell auf das oder die Bauteile, bewirkt vorteil- haft, dass die einleitend beschriebenen Risse in der Lotschicht unterhalb des Bauteils oder der Bauteile, auf die der Druck ausgeübt wird, ausbleiben bzw. wieder verschlossen werden. Dabei wird ausgenutzt, dass das Lot unterhalb des Bau- teils oder der Bauteile gewöhnlich auch im Betrieb der elektrischen Schaltung nicht spröde wird, sondern etwas fließ- oder kriechfähig bleibt. Ein sich ausbildender Riss wird vorteilhaft durch eine vom Druck bewirkte Bewegung des Lots wieder geschlossen. Das elastische Element sorgt dabei vorteil- haft für eine gleichmäßige Verteilung der Kraft auf das oder die Bauteile.
Dabei ist es vorteilhaft, wenn der Druck im Bereich weniger bar liegt, d.h. beispielsweise im Bereich zwischen 1 und 10 bar. Dadurch wird einerseits erreicht, dass der Druck ausreichend ist, die Rissbildung zu verhindern. Andererseits wird das Lot aber auch nicht unter den Bauteilen herausgequetscht.
Vorzugsweise weist das elastische Element lateral wenigstens die Größe des Bauteils oder eines der Bauteile auf, sodass für wenigstens ein Bauteil ein flächiger Druck auf das gesamte Bauteil ausgeübt wird, mit lateraler Größe ist dabei die Länge und Breite des Bauteils gemeint, d.h. die Ausdehnung in der vom Substrat definierten Ebene. Gemäß einer vorteilhaften Ausgestaltung der Erfindung ist das elastische Element im Wesentlichen lateral genauso groß wie die gesamte elektrische Schaltung. Mit anderen Worten überdeckt das elastische Element wenigstens weitgehend die gesamte elektrische Schaltung, so dass ein Druck auf alle Bauteile ausgeübt wird. Hierdurch wird der Druck gleichmäßig verteilt und eine Rissbildung bei allen vorhandenen Bauteilen unterbunden.
Vorzugsweise weist die elektrische Schaltung wenigstens eine Isolationsschicht, beispielsweise in Form einer strukturier- ten Isolationsfolie auf. Diese befindet sich beispielsweise unter der flächigen Leiterbahn und verhindert ungewollte elektrische Kontaktierungen. Auch ein gestapelter Aufbau aus mehreren Isolationsschichten und mehreren Lagen von flächigen Leiterbahnen ist hierbei möglich. Die Isolationsschicht selbst kann ebenfalls ein gestapelter Aufbau aus mehreren einzelnen Lagen sein, beispielsweise aus mehreren Isolationsfolien, um eine gewünschte Dicke zu erreichen. Die Isolati- onsschicht ist bevorzugt strukturiert, um beispielsweise eine Durchkontaktierung von oberseitigen Kontaktflächen auf den Bauteilen zu der flächigen Leiterbahn zu erwirken.
Bevorzugt ist das elastische Element weicher als das Material der Isolationsschicht. Hierdurch wird eine mechanische Überbelastung der Isolationsschicht durch das aufgedrückte elastische Element vermieden. Um wiederum eine gleichmäßige Kraft auf das elastische Element zu bewirken, weist die Vorrichtung bevorzugt ein weitgehend unelastisches Druckstück aus bei- spielsweise Metall, Keramik oder Kunststoff auf, das selbst angeordnet ist, die Kraft aus das elastische Element auszuüben .
Besonders vorteilhaft ist es, wenn das elastische Element gut wärmeleitend ist. Beispielsweise weist es bevorzugt eine Wärmeleitfähigkeit von wenigstens 1 W/mK auf. Dann wird Wärme, die in den Bauteilen entsteht, nicht nur nach unten in das Substrat, sondern auch nach oben in das elastische Element abgeführt und somit die gesamte abgeführte Wärmeleistung er- höht, also für eine verbesserte Entwärmung gesorgt. Das ist besonders bei leistungselektronischen Bauteilen mit hoher Wärmeabgabe vorteilhaft. Hierbei kann es vorteilhaft sein, wenn das elastische Element eine geringe Dicke aufweist, um für den Wärmeabtransport in beispielsweise das Druckstück ei- nen geringen Wärmewiderstand darzustellen. Weiterhin ist es vorteilhaft, wenn das Druckstück selbst in diesem Fall ebenfalls gut wärmeleitend ist, also beispielsweise aus Metall.
Auch ist es sehr vorteilhaft, wenn das elastische Element so ausgestaltet ist, dass es als Wärmespeicher fungiert. Hierzu ist beispielsweise eine ausreichende Masse, also eine ausreichende Dicke erforderlich. Beispielsweise sollte die Dicke des elastischen Elements wenigstens 3 mm betragen. In dieser Ausgestaltung kann das elastische Element als Wärmezwischenspeicher dienen und dadurch kurzfristige Spitzen in der Wärmeabgabe des oder der Bauteile abmildern. Hierdurch wird die Lebensdauer der Bauteile erhöht.
Bevorzugte, jedoch keinesfalls einschränkende Ausführungsbeispiele für die Erfindung werden nunmehr anhand der Zeichnung näher erläutert. Dabei sind die Merkmale schematisiert dargestellt und sich entsprechende Merkmale sind mit gleichen Be- zugszeichen markiert. Die einzige Figur zeigt dabei eine elektrische Schaltung mit einem leistungselektronischen Bauteil.
Die Figur zeigt eine beispielhafte elektrische Schaltung mit einem Leistungshalbleiterbauelement 4. Das Leistungshalbleiterbauelement 4 ist mittels einer Lotschicht 3 auf einer DCB- Kupferbahn 2 aufgebracht. Die DCB-Kupferbahn 2 selbst ist Teil eines DCB-Substrats, das in diesem Beispiel die DCB-Kupferbahn 2 umfasst, die auf einem keramischen Träger 1 aufgebracht ist.
In diesem Ausführungsbeispiel erfolgt die elektrische Kontak- tierung des Leistungshalbleiterbauelements 4 oberseitig durch eine flächige Kupferleiterbahn 6. Dafür ist auf dem Substrat und dem Leistungshalbleiterbauelement 4 zuerst eine Isolationsschicht 5 vorgesehen. Die Isolationsschicht 5 besteht in diesem Ausführungsbeispiel aus einer auflaminierten isolierenden Folie. Die Isolationsschicht 5 kann jedoch auch anderweitig erzeugt werden, beispielsweise durch bekannte chemi- sehe oder physikalische Abscheidemethoden.
Um einen elektrischen Kontakt zum Leistungshalbleiterbauelement 4 zu ermöglichen, weist die Isolationsschicht 5 ein oder mehrere Fenster auf. Die Fenster können erzeugt werden durch eine Strukturierung der Isolationsschicht 5 auf der elektrischen Schaltung, beispielsweise durch Laserablation . Es ist aber auch beispielsweise möglich, eine bereits vorstrukturierte Folie auf die Schaltung aufzulaminieren . Auf der Isolationsschicht 5 ist die flächige Kupferleiterbahn 6 aufgebracht. Die flächige Kupferleiterbahn 6 kann ebenfalls auf verschiedene Arten erzeugt werden, beispielsweise durch die bekannten Abscheidemethoden. Zweckmäßig im Bereich der Leistungselektronik ist jedoch ein Erzeugen mittels galvanischer Abscheidung. Damit kann am besten die für die hohen Ströme nötige Dicke bereitgestellt werden. Die flächige Kupferleiterbahn 6 ist in diesem Ausführungsbeispiel selbst ebenfalls strukturiert, da eine Mehrzahl on elektrischen Anschlüssen unabhängig kontaktiert werden muss.
Auf der flächigen Kupferleiterbahn 6 ist eine Silikonkleberschicht 7 vorhanden. Die Silikonkleberschicht 7 entspricht in Länge und Breite ungefähr dem Leistungshalbleiterbauelement
4. Die Silikonkleberschicht 7 ist elektrisch isolierend, soll aber in diesem Ausführungsbeispiel mit einer Wärmeleitfähigkeit von 10 W/mK ausgestaltet sein, also für einen Isolator verhältnismäßig gut wärmeleitend. Die Dicke der Silikonkle- berschicht 7 beträgt in diesem Ausführungsbeispiel ca.
0,5 mm. Oberhalb der Silikonkleberschicht 7 ist ein Druckstück 8 aus Metall vorgesehen. Über dieses Druckstück 8 wird ein Druck auf die darunterliegende Silikonkleberschicht 7 ausgeübt. Der Druck wird dabei auf das Druckstück 8 durch eine entsprechende Ausgestaltung des Gehäuses für die elektrische Schaltung ausgeübt. Die Silikonkleberschicht 7 verteilt diesen Druck auf die darunterliegenden Strukturen, d.h. über die flächige Kupferleiterbahn 6 und die Isolationsschicht 5 auf den Leistungshalbleiterbauelement 4 und darüber wiederum auf die Lotschicht 3.
Letztlich wird also die Lotschicht 3 unter Druck gesetzt. Dieser Druck ist „leicht". Er sollte zweckmäßig so sein, dass einerseits entstehende Risse in der Lotschicht 3 wieder ge- schlössen werden. Andererseits sollte er nicht so stark sein, dass unter seiner Wirkung das Lot unter dem Leistungshalbleiterbauelement 4 herausgedrückt wird. Die Druckwirkung beruht darauf, dass das Lot auch im fertigen Zustand der elektri- sehen Schaltung eine gewisse, wenn auch kleine Fließfähigkeit behält. Führt nun ein Temperaturwechselbetrieb im Laufe der Zeit dazu, dass sich ein kleiner Riss ausbildet, so kriecht das Lot unter dem Einfluss des leichten Drucks wieder in den Riss zurück und schließt diesen wieder. Somit wird der negative Einfluss der Risse, die sich anderweitig üblicherweise bilden, vermieden und die Lebensdauer der gesamten Baugruppe deutlich erhöht.
Die verhältnismäßig geringe Dicke der Silikonkleberschicht 7 und ihre hohe Wärmeleitfähigkeit führen in diesem Ausführungsbeispiel dazu, dass eine erhebliche Menge an Abwärme aus dem Leistungshalbleiterbauelement 4 über die Silikonkleberschicht 7 abgeführt werden kann. Die Silikonkleberschicht 7 und das Druckstück 8 dienen also in vorteilhafter Weise gleichzeitig als zusätzliche Wärmesenke für das Leistungshalbleiterbauelement 4.
Eine zweite Ausführungsalternative ergibt sich, wenn die Si- likonkleberschicht 7 als Wärmepuffer ausgestaltet ist. Hierfür wird zweckmäßig die Silikonkleberschicht 7 sehr viel dicker als im ersten Ausführungsbeispiel ausgestaltet, beispielsweise 3 mm oder 5 mm dick. Alternativ zur Silikonkleberschicht 7 kann hierbei auch ein in der Figur nicht gezeig- tes elastisches Element aus Silikon oder einem anderen wärmebeständigen elastischen Material verwendet werden, das aber nicht unbedingt verklebt ist mit der Oberfläche der flächigen Kupferleiterbahn 6. die Silikonkleberschicht 7 oder das Element dienen dann als Wärmezwischenspeicher. Ein Überschuss an Abwärme, die in einer kurzen Zeit der Spitzenleitung im Leistungshalbleiterbauelement 4 entsteht, wird im Element oder der Silikonkleberschicht 7 gespeichert und dann nach und nach abgeführt. In dieser Alternative dient also das elastische Element oder die Silikonkleberschicht 7 dazu, vorteilhaft Spitzen in der Abwärmeerzeugung aufzufangen, was ebenfalls zu einer Erhöhung der Lebensdauer führt.

Claims

Patentansprüche
1. Schaltungsaufbau mit einer elektrischen Schaltung, die wenigstens ein auf einem Substrat mittels einer Lotschicht angebrachtes elektronisches Bauteil (4) und wenigstens eine flächige Leiterbahn (6) zur elektrischen Kontaktierung des Bauteils (4) um- fasst, wobei die flächige Leiterbahn (6) wenigstens in Teilen auf vom Substrat abgekehrten Seite des Bauteils (4) verläuft, sowie einem auf der elektrischen Schaltung vorgesehenen elastischen Element (7), einer Vorrichtung (8) zum Ausüben einer Kraft auf das elastische Element (7), sodass das elastische Element (7) auf die elektrische Schaltung gedrückt wird.
2. Schaltungsaufbau gemäß Anspruch 1, bei dem das elastische Element (7) wenigstens in Teilen aus Silikon oder Silikonkleber besteht.
3. Schaltungsaufbau gemäß Anspruch 1 oder 2, bei dem das elastische Element (7) lateral wenigstens die Größe des Bauteils (4) aufweist.
4. Schaltungsaufbau gemäß einem der vorangehenden Ansprüche, bei dem das elastische Element (7) lateral im Wesentlichen die Größe der elektrischen Schaltung aufweist.
5. Schaltungsaufbau gemäß einem der vorangehenden Ansprüche, bei dem die Vorrichtung (8) ein Druckstück (8) aus Metall,
Keramik oder Kunststoff aufweist, das oberhalb des elastischen Elements (7) vorgesehen ist.
6. Schaltungsaufbau gemäß einem der vorangehenden Ansprüche, bei dem die Schaltung unter der flächigen Leiterbahn (6) eine
Isolationsschicht (5) aufweist.
7. Schaltungsaufbau gemäß Anspruch 6, bei dem das elastische Element (7) weicher als die Isolationsschicht (5) ist.
8. Schaltungsaufbau gemäß einem der vorangehenden Ansprüche, bei dem das elastische Element (7) eine Wärmeleitfähigkeit von wenigstens 1 W/mK aufweist.
9. Schaltungsaufbau gemäß einem der vorangehenden Ansprüche, bei dem das elektronische Bauteil (4) ein Leistungshalblei- terbauelement (4) ist.
10. Verfahren zum Betrieb einer elektrischen Schaltung, die wenigstens ein auf einem Substrat mittels einer Lotschicht angebrachtes elektronisches Bauteil (4) sowie ein elastisches Element (7) auf dem Bauteil (4) umfasst, wobei das elastische Element (7) wenigstens so groß ist, dass es das gesamte Bauteil (4) überdeckt, wobei das elastische Element (7) auf die elektrische Schaltung gedrückt wird, so dass der dadurch ausgeübte Druck auf das gesamte Bauteil (4) wirkt.
EP10713602A 2009-04-01 2010-03-30 Druckunterstützung für eine elektronische schaltung Withdrawn EP2415076A2 (de)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE102009015757A DE102009015757A1 (de) 2009-04-01 2009-04-01 Druckunterstützung für eine elektronische Schaltung
PCT/EP2010/054147 WO2010112478A2 (de) 2009-04-01 2010-03-30 Druckunterstützung für eine elektronische schaltung

Publications (1)

Publication Number Publication Date
EP2415076A2 true EP2415076A2 (de) 2012-02-08

Family

ID=42194704

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
EP10713602A Withdrawn EP2415076A2 (de) 2009-04-01 2010-03-30 Druckunterstützung für eine elektronische schaltung

Country Status (8)

Country Link
US (1) US20120075826A1 (de)
EP (1) EP2415076A2 (de)
JP (1) JP2012523109A (de)
KR (1) KR20120002982A (de)
CN (1) CN102365734B (de)
DE (1) DE102009015757A1 (de)
RU (1) RU2011144091A (de)
WO (1) WO2010112478A2 (de)

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104916613A (zh) * 2014-03-11 2015-09-16 西安永电电气有限责任公司 一种压接式电极及其igbt模块和安装方法
JP2016219707A (ja) * 2015-05-25 2016-12-22 富士電機株式会社 半導体装置及びその製造方法
EP3489997B1 (de) * 2017-11-28 2022-06-15 Mitsubishi Electric R&D Centre Europe B.V. System für die wiederherstellung einer verbindungsleitung zu einem chip eines leistungsmoduls

Family Cites Families (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE4111247C3 (de) * 1991-04-08 1996-11-21 Export Contor Ausenhandelsgese Schaltungsanordnung
US5237203A (en) * 1991-05-03 1993-08-17 Trw Inc. Multilayer overlay interconnect for high-density packaging of circuit elements
JP2748771B2 (ja) * 1992-05-14 1998-05-13 日本電気株式会社 フィルムキャリア半導体装置及びその製造方法
DE4407810C2 (de) * 1994-03-09 1998-02-26 Semikron Elektronik Gmbh Schaltungsanordnung (Modul)
JP3220900B2 (ja) * 1997-06-24 2001-10-22 三菱電機株式会社 パワー半導体モジュール
US6257328B1 (en) * 1997-10-14 2001-07-10 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Thermal conductive unit and thermal connection structure using the same
DE10121970B4 (de) * 2001-05-05 2004-05-27 Semikron Elektronik Gmbh Leistungshalbleitermodul in Druckkontaktierung
GB2380613A (en) * 2001-10-04 2003-04-09 Motorola Inc Package for electronic components and method for forming such a package
JP4039339B2 (ja) * 2003-08-07 2008-01-30 トヨタ自動車株式会社 浸漬式両面放熱パワーモジュール
DE102004018476B4 (de) * 2004-04-16 2009-06-18 Infineon Technologies Ag Leistungshalbleiteranordnung mit kontaktierender Folie und Anpressvorrichtung
DE102004018477B4 (de) * 2004-04-16 2008-08-21 Infineon Technologies Ag Halbleitermodul
DE102004061936A1 (de) * 2004-12-22 2006-07-06 Siemens Ag Anordnung eines Halbleitermoduls und einer elektrischen Verschienung
DE102004063039B4 (de) * 2004-12-28 2011-09-22 Siemens Ag Anordnung mit einem elektrischen Leistungshalbleiterbauelement und einer Zwei-Phasen-Kühlvorrichtung
JP2008153464A (ja) * 2006-12-18 2008-07-03 Sanken Electric Co Ltd 半導体装置
JP2008227131A (ja) * 2007-03-13 2008-09-25 Renesas Technology Corp 半導体装置及びその製造方法
EP1990834B1 (de) * 2007-05-10 2012-08-15 Texas Instruments France Lokale Integration eines nichtlinearen Blechs in integrierten Schaltpaketen für ESD/EOS-Schutz
US7933059B2 (en) * 2007-11-16 2011-04-26 Silicon Quest Kabushiki-Kaisha Mirror device accommodated by liquid-cooled package

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
See references of WO2010112478A2 *

Also Published As

Publication number Publication date
DE102009015757A1 (de) 2010-10-14
WO2010112478A2 (de) 2010-10-07
CN102365734B (zh) 2015-08-19
US20120075826A1 (en) 2012-03-29
RU2011144091A (ru) 2013-05-10
CN102365734A (zh) 2012-02-29
KR20120002982A (ko) 2012-01-09
WO2010112478A3 (de) 2011-08-11
JP2012523109A (ja) 2012-09-27

Similar Documents

Publication Publication Date Title
EP0920055B1 (de) Kühlvorrichtung für ein auf einer Leiterplatte angeordnetes, wärmeerzeugendes Bauelement
DE102004018476B4 (de) Leistungshalbleiteranordnung mit kontaktierender Folie und Anpressvorrichtung
DE102009002191B4 (de) Leistungshalbleitermodul, Leistungshalbleitermodulanordnung und Verfahren zur Herstellung einer Leistungshalbleitermodulanordnung
DE102011079708B4 (de) Trägervorrichtung, elektrische vorrichtung mit einer trägervorrichtung und verfahren zur herstellung dieser
DE102015208348B3 (de) Leistungsmodul sowie Verfahren zum Herstellen eines Leistungsmoduls
EP1411549A1 (de) Leistungshalbleitermodul mit elektrisch leitenden Kohlenstoffnanoröhrchen
DE102011088218B4 (de) Elektronisches Leistungsmodul mit thermischen Kopplungsschichten zu einem Entwärmungselement und Verfahren zur Herstellung
EP2284889A1 (de) Leistungshalbleitermodul mit Schaltungsträger und Lastanschlusselement sowie Herstellungsverfahren hierzu
DE102012201172A1 (de) Leistungshalbleitermodul mit geprägter Bodenplatte und Verfahren zur Herstellung eines Leistungshalbleitermoduls mit geprägter Bodenplatte
EP3273473B1 (de) Leistungselektronische schalteinrichtung, anordnung hiermit und verfahren zur herstellung der schalteinrichtung
DE102015214928A1 (de) Bauteilmodul und Leistungsmodul
EP3273474A1 (de) Leistungselektronische schalteinrichtung, anordnung hiermit und verfahren zur herstellung der schalteinrichtung
EP3273470A1 (de) Leistungselektronische schalteinrichtung, anordnung hiermit und verfahren zur herstellung der schalteinrichtung
EP2415076A2 (de) Druckunterstützung für eine elektronische schaltung
DE102014213545A1 (de) Leistungshalbleitermodul
EP2271196B1 (de) Verfahren zur Herstellung einer Stromeinrichteranordnung mit Kühleinrichtung und Stromrichteranordnung
DE102015210061A1 (de) Verfahren zur elektrischen Kontaktierung eines Bauteils und Bauteilmodul
EP3226269A2 (de) Leistungshalbleitereinrichtung
DE102019115573B4 (de) Leistungselektronische Schalteinrichtung und Verfahren zur Herstellung
WO2016146613A1 (de) Elektronische steuervorrichtung
DE102004043276A1 (de) Träger für eine elektrische Schaltung, insbesondere für einen elektrischen Schalter
DE102019126311B3 (de) Stromleitendes Kühlelement, System und Verfahren zur Wärmeabführung von leistungselektronischen Bauteilen auf Platinen
DE102017117665B4 (de) Leistungshalbleitermodul mit einem eine bauliche Einheit bildenden elektrischen Verbindungselement und mit einem elektrischen ersten Bauelement
AT520735A4 (de) Leiterplatte
WO2013076064A1 (de) Verfahren zum kontaktieren eines halbleiters und kontaktanordnung für einen halbleiter

Legal Events

Date Code Title Description
PUAI Public reference made under article 153(3) epc to a published international application that has entered the european phase

Free format text: ORIGINAL CODE: 0009012

17P Request for examination filed

Effective date: 20110930

AK Designated contracting states

Kind code of ref document: A2

Designated state(s): AT BE BG CH CY CZ DE DK EE ES FI FR GB GR HR HU IE IS IT LI LT LU LV MC MK MT NL NO PL PT RO SE SI SK SM TR

DAX Request for extension of the european patent (deleted)
17Q First examination report despatched

Effective date: 20121023

RAP1 Party data changed (applicant data changed or rights of an application transferred)

Owner name: SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT

STAA Information on the status of an ep patent application or granted ep patent

Free format text: STATUS: THE APPLICATION IS DEEMED TO BE WITHDRAWN

18D Application deemed to be withdrawn

Effective date: 20151001