EP2347456A1 - Optoelektronisches halbleiterbauteil - Google Patents

Optoelektronisches halbleiterbauteil

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Publication number
EP2347456A1
EP2347456A1 EP09796291A EP09796291A EP2347456A1 EP 2347456 A1 EP2347456 A1 EP 2347456A1 EP 09796291 A EP09796291 A EP 09796291A EP 09796291 A EP09796291 A EP 09796291A EP 2347456 A1 EP2347456 A1 EP 2347456A1
Authority
EP
European Patent Office
Prior art keywords
light
scattering
optoelectronic semiconductor
converter element
component
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Withdrawn
Application number
EP09796291A
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
Ulrich Streppel
Moritz Engl
Michael Reich
Jörg Erich SORG
Thomas Zeiler
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Ams Osram International GmbH
Original Assignee
Osram Opto Semiconductors GmbH
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Osram Opto Semiconductors GmbH filed Critical Osram Opto Semiconductors GmbH
Publication of EP2347456A1 publication Critical patent/EP2347456A1/de
Withdrawn legal-status Critical Current

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    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/58—Optical field-shaping elements
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
    • H01L2933/0008—Processes
    • H01L2933/0033—Processes relating to semiconductor body packages
    • H01L2933/0041—Processes relating to semiconductor body packages relating to wavelength conversion elements
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
    • H01L2933/0091—Scattering means in or on the semiconductor body or semiconductor body package
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    • H01L33/48—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/50—Wavelength conversion elements
    • H01L33/507—Wavelength conversion elements the elements being in intimate contact with parts other than the semiconductor body or integrated with parts other than the semiconductor body

Definitions

  • An optoelectronic semiconductor component is specified.
  • An object to be solved is to specify an optoelectronic semiconductor component which appears in the switched-off operating state when viewing a light exit surface of the optoelectronic semiconductor component for an external viewer in accordance with a predefinable color impression.
  • the component comprises at least one radiation-emitting semiconductor chip.
  • the radiation-emitting semiconductor chip may, for example, be a luminescence diode chip.
  • the luminescence diode chip can be a luminescent or laser diode chip which emits radiation in the range from ultraviolet to infrared light.
  • the luminescence diode chip preferably emits light in the visible or ultraviolet region of the spectrum of the electromagnetic radiation.
  • the radiation-emitting semiconductor chip is at least one
  • Converter element downstream of the conversion of emitted from the semiconductor chip in operation electromagnetic radiation in the emission direction.
  • the converter element emits upon irradiation with ambient light - if this comprises a wavelength portion which is suitable for exciting a conversion substance in the converter material - colored light.
  • the converter element is arranged on or at a radiation exit surface of the semiconductor chip.
  • the conversion element converts light of one wavelength into light of a different wavelength. For example, the converter element partially converts blue light primarily emitted from the semiconductor chip into yellow light, which can then mix together with the blue light to form white light.
  • the converter element thus has the function of a light converter during operation of the semiconductor device.
  • Converter element may be applied to the semiconductor chip and thus be in direct contact with the semiconductor chip. For example, this can be achieved by adhering the converter element to the semiconductor chip or by means of a screen printing method. However, there is also the possibility that the converter element is only indirectly in contact with the semiconductor chip. This may mean that a gap is formed between the interface converter element / semiconductor chip and thus the converter element and the semiconductor chip do not touch each other. The gap may be filled with a gas, for example air.
  • the converter element may be formed with a silicone, an epoxy of a mixture of silicone and epoxy or a transparent ceramic, into which particles of a
  • the component has a light exit surface. Electromagnetic radiation emitted by the semiconductor chip is coupled out of the component, for example, by an optical element.
  • the optical element of the component then has a beam passage opening, via which the radiation is decoupled from the component.
  • the beam passage opening has an outer surface facing away from the semiconductor chip, which forms the light exit surface of the component.
  • the optical element may be a lens or even a simple cover plate.
  • the optical element is formed by a potting, which encloses or envelops the semiconductor chip.
  • the optoelectronic semiconductor component comprises a means for the diffuse scattering of light, which is set up to scatter ambient light incident on the component in an operating state of the component in such a way that the light exit surface of the component does not appear in the color of the converter element, for example yellow.
  • the light output surface does not appear colored, but white.
  • a body appears white when, for example, the entire solar spectrum is scattered.
  • the means for diffusely diffusing light scatters the ambient light to appear white after being scattered by the means for an external observer.
  • the means for the diffusive scattering of light it is possible for the means for the diffusive scattering of light to be formed from a single element. It is also possible that the means for diffusely scattering light from several
  • the component comprises at least one radiation-emitting semiconductor chip, at least one converter element downstream of the semiconductor chip for the conversion of electromagnetic radiation emitted by the semiconductor chip during operation, the converter element emitting colored light upon irradiation with ambient light.
  • the optoelectronic semiconductor component comprises a means for diffuse scattering of light. The means for the diffuse scattering of light is set up in order to scatter ambient light incident on the component in a switched-off operating state of the component in such a way that a light exit surface of the component appears white.
  • the optoelectronic semiconductor component described here is based, inter alia, on the knowledge that in the switched-off operating state of the component, the semiconductor device for an external viewer appears colored, if the described means for diffuse scattering of light is not present. In this case, the light output surface of the component appears colored due to the converter element.
  • the converter element re-emits colored light when irradiated with ambient light, since components which stimulate the converter element are also present in the ambient light. For example, the converter element converts incident blue light into yellow light.
  • the component thus appears in the switched-off operating state at its light output surface in a different color, as in the switched-on operating state.
  • the component described here makes use of the idea of selectively positioning a means for the diffuse scattering of light at at least one point in the beam path of the optoelectronic semiconductor component.
  • the beam path is the path traveled by the electromagnetic radiation emitted by the semiconductor chip until it is coupled out through the light exit surface of the component.
  • the introduced means for the diffuse scattering of light in the beam path causes from outside through the
  • Lichtauskoppel incident light is scattered before it falls on the converter element. Since the means for diffusely scattering light scatters the entire spectrum of the ambient incident light, this light appears white. Although some of the light can strike the converter element and is re-emitted in color, but this re-emitted light is also scattered when passing through the means for diffuse scattering of light and mixes with the scattered ambient light. Thus, an observer sees the colored light re-emitted from the converter element together with the light scattered white by the means for diffusely scattering light. Since light can only escape from the component via the light exit surface, the color impression is defined only by the light coming from the exit surface. The larger the ratio of scattered white to re-emitted colored light, the whiter is the overall impression of the light exit surface of the component for an external viewer.
  • the outer color impression of the light exit surface of the component can further be adjusted in a particularly advantageous manner simply by the means for the diffuse scattering of light comprising a plurality of components and the individual ones Components of the means for the diffuse scattering of light at different points of the component and in different concentrations can be attached.
  • the means for diffusely scattering light comprises a matrix material in which radiation-scattering particles (including diffuser particles) are introduced.
  • the matrix material is a material which is transparent to the electromagnetic radiation generated by the semiconductor chip in order to ensure the highest possible radiation extraction from the component during operation of the component.
  • the matrix material may be a transparent plastic material such as silicone, an epoxy or a mixture of silicone and epoxy.
  • the matrix material contains one of these materials. Radiation-scattering particles are introduced into the matrix material, which diffusely scatter radiation incident on the matrix material.
  • the radiation-scattering particles comprise at least particles of the materials silicon dioxide (SiO 2 ), ZrO 2 , TiO 2 and / or Al x O y.
  • the alumina may be Al 2 O 3 .
  • the radiation-scattering particles are distributed in the matrix material in such a way that the concentration of the radiation-scattering particles in the hardened matrix material is uniform.
  • the light reflected from the cured matrix material is isotropically reflected and scattered.
  • the concentration of the radiation-scattering particles in the matrix material is more than 6% by weight. It could be shown that from such a concentration of the radiation-scattering particles, the white color impression is generated for an external observer and the scattered white light superimposes the, for example yellow, re-emitted light colored by the converter.
  • the converter element and the means for diffusely scattering light are in direct contact with one another.
  • the means comprises diffusely scattering light around a light-scattering film. That is, along the beam exit direction of the
  • Semiconductor component follows the film directly on the converter element.
  • the film is glued to the converter element.
  • neither a gap nor an interruption forms at the interface converter / foil.
  • radiation-scattering particles for example particles of Al 2 O 3 , can be introduced into the material of the light-scattering film prior to curing.
  • the means for diffused scattering of light covers the converter element on all exposed outer surfaces of the converter element.
  • the means for diffusely diffusing light comprises a layer of a matrix material which is mixed with radiation-diffusing particles. After curing, the matrix material forms a layer which covers the converter element on all exposed outer surfaces.
  • Converter element re-emit colored light. In this way, the highest possible proportion of white in the reflected light is generated.
  • the means for diffusely scattering light comprises an optical element which forms a lens at least in places.
  • the matrix material of the means for diffusely scattering light mixed with radiation-scattering particles is formed with a silicone which is transparent to electromagnetic radiation.
  • a lens may form in the form of a condenser lens.
  • the cured lens material is formed lens-shaped only in the region of the light exit surface. The lens of the optoelectronic semiconductor component ensures efficient decoupling of the radiation coupled out of the component. By forming the means for diffusely diffusing light to a lens, a dual function is achieved. On the one hand, that improves
  • the means for diffusely scattering light comprises roughening a light passage surface of a light-transmissive body.
  • the translucent body may be a lens, a plate, a cover of the component, or the like.
  • the roughening is preferably a roughening according to the standard VDI 3400, in particular of the types N4 to N10.
  • the roughening has inter alia an average depth of 1 to 2 ⁇ m, preferably 1.5 ⁇ m.
  • the roughening of colored light re-emitted by the converter element diffuses diffusely
  • the roughening scatters incident ambient light in such a way that the light exit surface of the optoelectronic semiconductor component appears white.
  • the means for the diffuse scattering of light in addition to the roughening of the light passage area, to include a further diffusely scattering component which enhances the effect mentioned.
  • Semiconductor device comprises the means for diffusely scattering light microstructures.
  • the microstructures are planar honeycomb structures which are coated on the light output surface of the lens by means of a screen printing process
  • the microstructures may have a different shape and texture from the honeycomb structure and are therefore not defined in their structure.
  • the microstructures may also have mutually varying and / or randomly resulting configurations.
  • the layer thickness is preferably at least 10 ⁇ m.
  • the microstructures have a diffractive effect with respect to the electromagnetic radiation impinging on them. Furthermore, there is no defraction of the incident radiation through the microstructures. The microstructures therefore, for example, do not form diffraction gratings.
  • the means for diffusely scattering light comprises a light-scattering plate which laterally projects beyond the converter element.
  • the light-scattering plate is rigid.
  • the plate is formed with a radiation-scattering particle-confused matrix material that has cured to the plate.
  • the light-scattering plate may also be formed with a ceramic material. It is also conceivable that the side facing away from the semiconductor chip of the plate, to which the
  • the light-scattering plate and the converter element are in direct contact.
  • the light-scattering plate projects beyond the converter element laterally.
  • the plate in addition to the converter element additionally projects laterally beyond the semiconductor chip.
  • the light-scattering plate projects beyond the semiconductor chip by 200 ⁇ m to 500 ⁇ m, more preferably by 300 ⁇ m to 400 ⁇ m, for example by 350 ⁇ m.
  • the light-scattering plate preferably has a thickness of 100 ⁇ m to 1 mm, preferably of 300 ⁇ m to 800 ⁇ m, for example of 500 ⁇ m.
  • a thickness of 100 ⁇ m to 1 mm preferably of 300 ⁇ m to 800 ⁇ m, for example of 500 ⁇ m.
  • the means for diffusely scattering light comprises a film which is applied to an outer surface of a lens.
  • the outer surface is the side of the surface of the lens facing away from the semiconductor chip and forms the light exit surface.
  • the means for the diffuse scattering of light is applied, for example in the form of a thin film.
  • the film is attached by gluing on the lens.
  • the thin-layered film also contains radiation-scattering particles and thereby ensures a diffuse reflection of incident light
  • a method for producing an optoelectronic semiconductor component is specified.
  • a component described here can be produced. That is, all features disclosed in connection with the component are also disclosed for the method and vice versa.
  • a carrier element is first provided.
  • the carrier element may be, for example, a film.
  • a converter element on the support element educated.
  • the material of the converter element is, for example, unrolled onto the carrier element by means of the screen printing process.
  • the first template is removed from the carrier element.
  • the material for the converter element may be, for example, a layer of silicone or of a transparent ceramic in which converter particles are introduced.
  • a means for the diffuse scattering of light is applied as a second layer to all exposed outer surfaces of the converter element using a second stencil applied to the carrier element by means of a second screen printing process.
  • the means for diffusely scattering light covers the converter element on all exposed side surfaces and on the upper side facing away from the carrier element.
  • the material can be, for example, unrolled and then cured.
  • FIG. 1 Sectional views of embodiments of an optoelectronic device described here.
  • Figures 2a, 2b, 3a and 3b show individual
  • FIG. Ia is a schematic sectional view of an optoelectronic semiconductor device described here with a base body 13 consisting of a carrier 1 and a housing 2 mounted thereon. Within the housing 2, a semiconductor chip on the surface of the carrier 1 is applied.
  • the carrier 1 and the housing 2 may be formed with a plastic or a ceramic.
  • the carrier 1 is designed as a printed circuit board or a carrier frame (leadframe) of the component.
  • the semiconductor chip 3 is electrically conductively connected to the carrier 1.
  • the converter element 4 is applied, which converts the radiation emitted primarily by the semiconductor chip 3 in the switched-on state of the component into radiation of a different wavelength.
  • the converter element 4 is an optical CLC layer (chip-level conversion layer), which partially converts the blue light primarily emitted by the semiconductor chip 3 into yellow light. Next reemit that Conversion element 4 from the outside incoming ambient light and converts, for example, in the ambient light blue light containing yellow light.
  • the converter element 4 may be a layer formed with silicone or transparent ceramic, in which converter particles are introduced.
  • a light-scattering plate 51 is applied on the conversion element 4.
  • the material of the light-scattering plate 51 is silicone, which has been mixed with the radiation-scattering particles of alumina before curing to the plate.
  • the concentration of the aluminum oxide particles in the light scattering plate 51 is 6% by weight. With such a concentration, the clearest effects with respect to the external appearance of an external viewer when the device is turned off have been achieved.
  • the light-scattering plate 51 does not cover the side surfaces of the converter element 4.
  • the lateral extent of the light-scattering plate 51 is set larger than the lateral extent of the
  • the light-scattering plate 51 projects beyond not only the converter element 4 but also the semiconductor chip 3 in its lateral extent.
  • the light-scattering plate 51 extends laterally beyond the semiconductor chip 3 by the length B, which is at least 10% of the side length of the semiconductor chip 3.
  • the length B is 200 ⁇ m.
  • this has the advantage that as little ambient light as possible falls on the converter element 4 and therefore the light reflected out of the optoelectronic semiconductor component is predominantly white.
  • the figure Ia shows an optical element which is formed in the form of a lens 6 and fitted in the housing 2. The lens 6 ensures an efficient decoupling of the electromagnetic radiation reflected, scattered or emitted from the component. Only the
  • the light entrance surface 61 is the part of the outer surface of the lens 6 facing the semiconductor chip 3.
  • the light exit surface 62 is the part of the outer surface of the lens 6, which faces away from the semiconductor chip 3.
  • the lens 6 has a thickness D.
  • the thickness D is the maximum distance between the light entry surface 61 and the light exit surface 62 in the direction perpendicular to the surface of the carrier 1 facing the lens 6.
  • the radiation component 14B which does not strike the light entry surface 61 is not decoupled from the component.
  • the lens 6 is formed in the present embodiment of a silicone and transparent to electromagnetic radiation.
  • the lens 6 contains no radiation-scattering particles.
  • the electromagnetic radiation emitted into the component and emitted by the semiconductor chip 3 during operation is decoupled, since both the carrier 1 and the housing 2 are radiopaque.
  • FIG. 1 b shows an optoelectronic semiconductor component in which the means for diffusely scattering light 5 is the lens 6.
  • the material of the lens in the present embodiment, a silicone, with radiation-scattering particles of alumina in a concentration of 0.2 to 1% by weight, preferably from 0.4 to 0.8, in this case of 0.6 Gew%, blended, wherein the lens 6 has a thickness D of 1.5 mm.
  • FIG. 1 c shows a light-scattering plate 51 applied to the converter element 4.
  • the light entry surface 61 of the lens 6 is roughened.
  • the average depth of the roughening 7 is 1 to 2 microns, in this case 1.5 microns.
  • the means for diffused scattering of light 5 comprises in FIG. 1c both the light-scattering plate 51 and the roughening 7 and thus consists of two components for the diffuse scattering of light.
  • FIG. 1 d shows a further possibility of combining the individual components of the means for diffusely scattering light 5.
  • aluminum oxide particles having a concentration of 0.2 to 1% by weight, preferably 0.4 to 0.8% by weight, are present -%, in the present case of 0.6 wt% introduced into the material of the lens 6, wherein the thickness D of the lens 6 is 1.5 mm.
  • the means for the diffuse scattering of light 5 additionally comprises the roughening 7 on the radiation entrance surface 61 of the lens 6. Both components increase the diffusely scattering effect on the incident ambient light by such a combination.
  • Figure Ie shows a lens 6 made of a clear silicone in which the light exit surface 62 was overmolded with a light scattering material by using a two-component injection molding.
  • the light-scattering material forms a layer around the
  • the diffuse material is again a Silicone, which was mixed with radiation-scattering particles of alumina.
  • concentration of the aluminum oxide particles in the present exemplary embodiment is 0.5% by weight, the layer thickness ideally being 50 to 100 ⁇ m, in the present case 75 ⁇ m.
  • a layer of microstructures 52 is applied to the light exit surface 62 of the lens 6, which assumes the physical role of the means for the diffuse scattering of light 5.
  • a layer of honeycomb-structured planar microstructures 52 is applied as a layer on the light exit surface 62 of the lens 6 by means of screen printing, a thermal transfer printing method or UV replication.
  • the layer thickness in the present case is 50 ⁇ m.
  • FIG. 1 g shows an optoelectronic semiconductor component in which the means 5 for scattering light 5 in the form of a film 53 has been glued onto the light exit surface 62 of the lens 6.
  • the film 53 may be a thin one
  • the film 53 has a thickness of 30 to 500 ⁇ m. In the present embodiment, the film 53 was 250 microns thick. In the film 53, particles of alumina are incorporated in a concentration of 0.5 to 1% by weight, in the present case of 0.75% by weight.
  • the film 53 serves as a means for diffuse scattering of light.
  • FIG. 1 h shows an optoelectronic semiconductor component in which the light exit surface 62 of the lens 6 is roughened and the roughening 7 represents the means for the diffuse scattering of light 5.
  • the roughening 7 preferably has an average depth of 1 to 2 ⁇ m, preferably 1.5 ⁇ m.
  • FIG. 2a shows a foil which serves as carrier element 9 for the production process.
  • a first template 8 is applied on the carrier element 9, a first template 8 is applied.
  • a printing means in this example is a doctor blade 12, the material of the converter element 4 is introduced into the openings of the template 8.
  • the material of the converter element 4 may be a layer of silicon or of a ceramic material into which converter particles are introduced.
  • Converter element 4 by screen printing on the template 8> and optionally curing the material, the template 8 is removed from the support member 9 and the converter element 4.
  • the converter element 4 forms a first layer on the carrier element 9.
  • a second stencil 10 is applied to the carrier element 9 and, by means of a second screen printing process using the doctor blade 12, a means for diffusely scattering light onto the second stencil 10 as a second layer 11 is unrolled.
  • the second layer 11 covers the converter element 4 on all exposed outer surfaces and is in direct contact with the converter element 4, see FIG. 2b.
  • Template 10 is removed both from the carrier element 9 and from the composite consisting of converter element 4 and the second layer 11.
  • the second layer 11 may be both a second converter layer and a layer provided with radiation-scattering particles.
  • this is a converter layer, which from the
  • Converter element 4 partially converted light into light of a different color.
  • the process can be repeated and in a third or further step, the means for diffused scattering of light 5 is applied to the second converter layer IIa.
  • a viscous agent can be dropped onto the stencils 8 and 10, respectively.
  • the material is subsequently distributed on the surface of the carrier element 9 and can then harden.
  • the carrier element 9 is removed from the composite consisting of converter element 4 and the second layer 11, see FIGS. 3a and 3b.
  • the composite is subsequently applied to the radiation-emitting semiconductor chip 3.
  • the application can be done by gluing, soldering or platelet transfer.

Abstract

Es wird ein optoelektronisches Halbleiterbauteil angegeben, mit - zumindest einem strahlungsemittierenden Halbleiterchip (3); - zumindest einem dem Halbleiterchip (3) nachgeordneten Konverterelement (4) zur Konversion von vom Halbleiterchip (3) im Betrieb emittierte elektromagnetische Strahlung, wobei das Konverterelement (4) bei Bestrahlung mit Umgebungslicht farbiges Licht abstrahlt; - einem Mittel zum diffusen Streuen von Licht (5), das eingerichtet ist, in einem ausgeschalteten Betriebszustand des Bauteils auf das Bauteil auftreffendes Umgebungslicht derart zu streuen, dass eine Lichtaustrittsfläche (62) des Bauteils weiß erscheint.

Description

Beschreibung
Optoelektronisches Halbleiterbauteil
Es wird ein optoelektronisches Halbleiterbauteil angegeben.
Diese Patentanmeldung beansprucht die Priorität der deutschen Patentanmeldung 10 2008 054 029.3, deren Offenbarungsgehalt hiermit durch Rückbezug aufgenommen wird.
Eine zu lösende Aufgabe besteht darin, ein optoelektronisches Halbleiterbauteil anzugeben, welches im ausgeschalteten Betriebszustand bei Betrachtung einer Lichtaustrittsflache des optoelektronischen Halbleiterbauteils für einen externen Betrachter gemäß einem vorgebbaren Farbeindruck erscheint.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform des optoelektronischen Halbleiterbauteils umfasst das Bauteil zumindest einen Strahlungsemittierenden Halbleiterchip. Bei dem Strahlungsemittierenden Halbleiterchip kann es sich beispielsweise um einen Lumineszenzdiodenchip handeln. Bei dem Lumineszenzdiodenchip kann es sich um einen Leucht- oder Laserdiodenchip handeln, der Strahlung im Bereich von ultraviolettem bis infrarotem Licht emittiert. Vorzugsweise emittiert der Lumineszenzdiodenchip Licht im sichtbaren oder ultravioletten Bereich des Spektrums der elektromagnetischen Strahlung .
Gemäß zumindest einer Ausführungsform ist dem Strahlungsemittierenden Halbleiterchip zumindest ein
Konverterelement zur Konversion von vom Halbleiterchip im Betrieb emittierter elektromagnetischer Strahlung in Abstrahlrichtung nachgeordnet. Das Konverterelement emittiert bei Bestrahlung mit Umgebungslicht - falls dieses einen Wellenlängenanteil umfasst, der zur Anregung eines Konversionsstoffes im Konvertermaterial geeignet ist - farbiges Licht. Das Konverterelement ist auf oder an einer Strahlungsaustrittsfläche des Halbleiterchips angeordnet. Im Betrieb des optoelektronischen Halbleiterbauteils wandelt das Konversionselement Licht einer Wellenlänge in Licht einer anderen Wellenlänge um. Beispielsweise wandelt das Konverterelement von dem Halbleiterchip primär emittiertes blaues Licht teilweise in gelbes Licht um, das sich dann zusammen mit dem blauen Licht zu weißem Licht vermischen kann.
Das Konverterelement hat also im Betrieb des Halbleiterbauteils die Funktion eines Lichtkonverters. Das
Konverterelement kann auf den Halbleiterchip aufgebracht sein und damit direkt in Kontakt mit dem Halbleiterchip stehen. Beispielsweise kann dies durch Aufkleben des Konverterelements auf den Halbleiterchip oder mittels eines Siebdruckverfahrens erreicht werden. Es besteht aber auch die Möglichkeit, dass das Konverterelement nur mittelbar mit dem Halbleiterchip in Kontakt steht. Das kann heißen, dass sich zwischen der Grenzfläche Konverterelement/Halbleiterchip ein Spalt ausbildet und sich so das Konverterelement und der Halbleiterchip nicht berühren. Der Spalt kann mit einem Gas, beispielsweise Luft, gefüllt sein.
Das Konverterelement kann mit einem Silikon, einem Epoxid einer Mischung aus Silikon und Epoxid oder einer transparenten Keramik gebildet sein, in das Partikel eines
Konversionsstoffs eingebracht sind. Gemäß zumindest einer Ausführungsform weist das Bauteil eine Lichtaustrittsfläche auf. Vom Halbleiterchip emittierte elektromagnetische Strahlung wird zum Beispiel durch ein optisches Element aus dem Bauteil ausgekoppelt. Das optische Element des Bauteils weist dann eine Strahldurchlassöffnung auf, über die die Strahlung aus dem Bauteil ausgekoppelt wird. Die Strahldurchlassöffnung weist eine dem Halbleiterchip abgewandete Außenfläche auf, die die Lichtaustrittsfläche des Bauteils bildet. Bei dem optischen Element kann es sich um eine Linse oder auch um eine einfache Abdeckplatte handeln. Ferner ist es möglich, dass das optische Element durch einen Verguss gebildet ist, der den Halbleiterchip umschließt oder umhüllt.
Weiter umfasst das optoelektronische Halbleiterbauteil ein Mittel zum diffusen Streuen von Licht, das eingerichtet ist, in einem ausgeschalteten Betriebszustand des Bauteils auf das Bauteil auftreffendes Umgebungslicht derart zu streuen, dass die Lichtaustrittsfläche des Bauteils nicht in der Farbe des Konverterelements , also zum Beispiel gelb erscheint.
Bevorzugt erscheint die Lichtauskoppelfläche nicht farbig, sondern weiß. Ein Körper erscheint weiß, wenn beispielsweise das gesamte Sonnenspektrum gestreut wird. Fällt Umgebungslicht auf das Bauteil, so streut das Mittel zum diffusen Streuen von Licht das Umgebungslicht derart, dass es nach der Streuung durch das Mittel für einen externen Beobachter weiß erscheint. Dabei ist es möglich, dass das Mittel zum diffusen Streuen von Licht aus einem einzigen Element gebildet ist. Es ist zudem auch möglich, dass das Mittel zum diffusen Streuen von Licht aus mehreren
Komponenten besteht, die jede für sich genommen in der Lage sind, Licht diffus zu streuen. Gemäß zumindest einer Ausführungsform des optoelektronischen Halbleiterbauteils umfasst das Bauteil zumindest einen strahlungsemittierenden Halbleiterchip, zumindest ein dem Halbleiterchip nachgeordnetes Konverterelement zur Konversion von vom Halbleiterchip im Betrieb emittierter elektromagnetischer Strahlung, wobei das Konverterelement bei Bestrahlung mit Umgebungslicht farbiges Licht abstrahlt. Weiter umfasst das optoelektronische Halbleiterbauteil ein Mittel zum diffusen Streuen von Licht. Das Mittel zum diffusen Streuen von Licht ist eingerichtet, um in einem ausgeschalteten Betriebszustand des Bauteils auf das Bauteil auftreffendes Umgebungslicht derart zu streuen, dass eine Lichtaustrittsflache des Bauteils weiß erscheint.
Das hier beschriebene optoelektronische Halbleiterbauteil beruht dabei unter anderem auf der Erkenntnis, dass im ausgeschalteten Betriebszustand des Bauteils das Halbleiterbauteil für einen externen Betrachter farbig erscheint, falls das beschriebene Mittel zum diffusen Streuen von Licht nicht vorhanden ist. In diesem Fall erscheint die Lichtauskoppelfläche des Bauteils aufgrund des Konverterelements farbig.
Das Konverterelement reemittiert bei einer Bestrahlung mit Umgebungslicht also farbiges Licht, da im Umgebungslicht ebenso für das Konverterelement anregende Anteile vorhanden sind. Beispielsweise wandelt das Konverterelement auftreffendes blaues Licht in gelbes Licht um. Das Bauteil erscheint also im ausgeschalteten Betriebszustand an seiner Lichtauskoppelfläche in einer anderen Farbe, als im eingeschalteten Betriebszustand. Um nun einen solchen störenden farbigen Farbeindruck zu vermeiden, macht das hier beschriebene Bauteil von der Idee Gebrauch, gezielt ein Mittel zum diffusen Streuen von Licht an zumindest einer Stelle im Strahlengang des optoelektronischen Halbleiterbauteils zu positionieren. Der Strahlengang ist der Weg, den die vom Halbleiterchip emittierte elektromagnetische Strahlung bis zur Auskopplung durch die Lichtaustrittsfläche des Bauteils zurücklegt. Das eingebrachte Mittel zum diffusen Streuen von Licht im Strahlengang führt dazu, dass von außerhalb durch die
Lichtauskoppelfläche einfallendes Licht gestreut wird, bevor es auf das Konverterelement fällt. Da das Mittel zum diffusen Streuen von Licht das gesamte Spektrum des von außen einfallenden Umgebungslichts streut, erscheint dieses Licht weiß. Ein Teil des Licht kann zwar auf das Konverterelement treffen und wird farbig reemittiert, jedoch wird auch dieses reemittierte Licht beim Durchtritt durch das Mittel zum diffusen Streuen von Licht wiederum gestreut und mischt sich mit dem gestreuten Umgebungslicht . Somit sieht ein Beobachter das vom Konverterelement reemittierte farbige Licht zusammen mit dem von dem Mittel zum diffusen Streuen von Licht weiß gestreuten Licht. Da Licht nur über die Lichtaustrittsfläche aus dem Bauteil austreten kann, wird der Farbeindruck nur durch das aus der Austrittsfläche kommende Licht definiert. Je größer nun das Verhältnis von gestreutem weißem zu reemittiertem farbigem Licht ist, desto weißer ist der Gesamteindruck der Lichtaustrittsflache des Bauteils für einen externen Betrachter.
Der äußere Farbeindruck der Lichtaustrittsfläche des Bauteils kann weiter dadurch ganz besonders vorteilhaft einfach eingestellt werden, dass das Mittel zum diffusen Streuen von Licht mehrere Komponenten umfasst und die einzelnen Komponenten des Mittels zum diffusen Streuen von Licht an unterschiedlichen Stellen des Bauteils und in unterschiedlichen Konzentrationen angebracht werden können.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform des optoelektronischen Halbleiterbauteils umfasst das Mittel zum diffusen Streuen von Licht ein Matrixmaterial, in das strahlungsstreuende Partikel (auch Diffusorpartikel) eingebracht sind. Vorzugsweise handelt es sich bei dem Matrixmaterial um ein Material, welches für die vom Halbleiterchip erzeugte elektromagnetische Strahlung transparent ist, um im Betrieb des Bauteils eine möglichst hohe Strahlungsauskopplung aus dem Bauteil sicherzustellen. Bei dem Matrixmaterial kann es sich um ein transparentes Kunststoffmaterial wie Silikon, ein Epoxid oder eine Mischung aus Silikon und Epoxid handeln. Zum Beispiel enthält das Matrixmaterial eines dieser Materialien. In das Matrixmaterial sind strahlungsstreuende Partikel eingebracht, die auf das Matrixmaterial einfallende Strahlung diffus streuen.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform des optoelektronischen Halbleiterbauteils umfassen die strahlungsstreuenden Partikel zumindest Partikel aus den Materialien Siliziumdioxid (SiO2) , ZrO2, TiO2 und/oder AlxOy. Beispielsweise kann es sich bei dem Aluminiumoxid um Al2O3 handeln. Die strahlungsstreuenden
Partikel werden vor dem Einbringen in das Halbleiterbauteil mit dem Matrixmaterial vermengt. Vorzugsweise werden die strahlungsstreuenden Partikel derart im Matrixmaterial verteilt, dass die Konzentration der strahlungsstreuenden Partikel im ausgehärteten Matrixmaterial gleichmäßig ist. Vorzugsweise wird das vom ausgehärteten Matrixmaterial reflektierte Licht isotrop reflektiert und gestreut. Gemäß zumindest einer Ausführungsform des optoelektronischen Halbleiterbauteils beträgt die Konzentration der strahlungsstreuenden Partikel im Matrixmaterial mehr als 6 Gew-%. Es konnte gezeigt werden, dass ab einer solchen Konzentration der strahlungsstreuenden Partikel der für einen externen Betrachter weiße Farbeindruck erzeugt wird und das gestreute weiße Licht das vom Konverter farbige, beispielsweise gelbe, reemittierte Licht überlagert.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform des optoelektronischen Halbleiterbauteils stehen das Konverterelement und das Mittel zum diffusen Streuen von Licht in direktem Kontakt miteinander. Beispielsweise umfasst das Mittel zum diffusen Streuen von Licht um eine Licht- streuende Folie. Das heißt, dass entlang der Strahlaustrittsrichtung des
Halbleiterbauteils die Folie direkt auf das Konverterelement folgt. Beispielsweise ist die Folie auf das Konverterelement aufgeklebt. Vorzugsweise bildet sich an der Grenzfläche Konverter/Folie weder ein Spalt noch eine Unterbrechung aus. Zur Herstellung der Folie können in das Material der Lichtstreuenden Folie vor dem Aushärten strahlungsstreuende Partikel, beispielsweise Partikel aus Al2O3, eingebracht werden.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform des optoelektronischen
Halbleiterbauteils bedeckt das Mittel zum diffusen Streuen von Licht das Konverterelement an allen freiliegenden Außenflächen des Konverterelements. Vorzugsweise umfasst das Mittel zum diffusen Streuen von Licht eine Schicht aus einem Matrixmaterial, welches mit strahlungsstreuenden Partikeln vermengt ist. Das Matrixmaterial bildet nach dem Aushärten eine Schicht, die das Konverterelement an allen freiliegenden Außenflächen bedeckt. Vorteilhaft wird so ein möglichst hoher Anteil von in das Bauteil einfallendem Umgebungslicht bereits von der Schicht aus dem Bauteil herausgestreut, ohne zuerst auf das Konverterelement aufzutreffen. Da die Schicht auch alle freiliegenden Seitenflächen des Konverterelements bedeckt, wird vermieden, dass die Seitenflächen des
Konverterelements farbiges Licht reemittieren. Auf diese Weise wird ein möglichst hoher Weißanteil im reflektierten Licht erzeugt.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform des optoelektronischen Halbleiterbauteils umfasst das Mittel zum diffusen Streuen von Licht ein optisches Element, das zumindest stellenweise eine Linse bildet . Beispielsweise ist das mit strahlungsstreuenden Partikeln vermengte Matrixmaterial des Mittels zum diffusen Streuen von Licht mit einem Silikon gebildet, welches für elektromagnetische Strahlung transparent ist. Nach dem Aushärten des Matrixmaterials kann sich eine Linse in Form einer Sammellinse ausbilden. Weiter ist es ebenso möglich, dass das ausgehärtete Linsenmaterial lediglich im Bereich der Lichtaustrittsfläche linsenförmig ausgebildet ist. Die Linse des optoelektronischen Halbleiterbauteils sorgt für eine effiziente Auskopplung der aus dem Bauteil ausgekoppelten Strahlung. Durch Ausformung des Mittels zum diffusen Streuen von -Licht zu einer Linse wird eine Doppelfunktion erfüllt. Zum einen verbessert das
Mittel die Auskopplung der Strahlung zum anderen sorgt es für eine Streuung des auftreffenden Umgebungslichts zu weißem Licht. Weiter wird Licht, welches in das Bauteil gelangt und vom Konverter farbig, beispielsweise gelb, reemittiert wird, beim Austritt aus dem Bauteil durch die in der Linse enthaltenen strahlungstreuenden Partikel diffus gestreut. Durch die Streuung des gelben Lichts wird der Weißanteil im ausgekoppelten Lichtspektrum nochmals verstärkt. Gemäß zumindest einer Ausführungsform des optoelektronischen Halbleiterbauteils umfasst das Mittel zum diffusen Streuen von Licht eine Aufrauung einer Lichtdurchtrittsflache eines lichtdurchlässigen Körpers. Bei dem lichtdurchlässigen Körper kann es sich um eine Linse, eine Platte, eine Abdeckung des Bauteils oder ähnliches handeln. Vorzugsweise handelt es sich bei der Aufrauung um eine Aufrauung gemäß der Norm VDI 3400, insbesondere der Typen N4 bis NlO . Beispielsweise weist die Aufrauung unter anderem eine mittlere Tiefe von 1 bis 2 μm, bevorzugt von 1,5 μm, auf. Zum einen streut die Aufrauung von vom Konverterelement reemittiertes farbiges Licht diffus, zum anderen streut die Aufrauung einfallendes Umgebungslicht derart, dass die Lichtaustrittsfläche des optoelektronischen Halbleiterbauteils weiß erscheint. Weiter ist es aber ebenso möglich, dass das Mittel zum diffusen Streuen von Licht neben der Aufrauung der Lichtdurchtrittsflache eine weitere diffus streuende Komponente beinhaltet, welches den genannten Effekt verstärkt .
Gemäß zumindest einer Ausführungsform des optoelektronischen
Halbleiterbauteils umfasst das Mittel zum diffusen Streuen von Licht Mikrostrukturen. Beispielsweise handelt es sich bei den Mikrostrukturen um planar ausgeführte Wabenstrukturen, die als Schicht auf der Lichtauskoppelfläche der Linse mittels eines Siebdruckprozesses, eines
Thermotransferverfahrens oder einer UV-Replikation aufgebracht werden. Ebenso können die Mikrostrukturen eine von der Wabenstruktur abweichende Form und Beschaffenheit aufweisen und sind daher in ihrer Struktur nicht festgelegt. Die Mikrostrukturen können auch untereinander variierende und/oder sich zufällig ergebende Ausgestaltungen aufweisen. Vorzugsweise beträgt die Schichtdicke wenigstens 10 μm. Die Mikrostrukturen weisen eine diffraktive Wirkung in Bezug auf die auf sie auftreffende elektromagnetische Strahlung auf. Ferner findet keine Defraktion der auftreffenden Strahlung durch die Mikrostrukturen statt. Die Mikrostrukturen bilden daher beispielsweise keine Beugungsgitter.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform des optoelektronischen Halbleiterbauteils umfasst das Mittel zum diffusen Streuen von Licht eine Licht-streuende Platte, die das Konverterelement seitlich überragt. Vorzugsweise ist die Licht-streuende Platte starr. Beispielsweise wird die Platte mit einem strahlungstreuenden Partikeln vermengten Matrixmaterial gebildet, das zu der Platte ausgehärtet ist. Die Licht-streuende Platte kann auch mit einem keramischen Material gebildet sein. Ebenso ist denkbar, dass die dem Halbleiterchip abgewandte Seite der Platte, auf die das
Umgebungslicht trifft, aufgeraut ist und durch eine solche Ausgestaltung der Platte das auftreffende Umgebungslicht diffus zurückgestreut und aus dem Bauteil ausgekoppelt wird. Vorzugsweise sind die Licht-streuende Platte und das Konverterelement in direktem Kontakt. Um zu vermeiden, dass vom Konverterelement seitlich reflektierte farbige Strahlung aus dem Bauelement gelangt und gleichzeitig möglichst wenig Umgebungslicht auf das Konverterelement fällt, überragt die Licht-streuende Platte das Konverterelement seitlich. Es ist auch möglich, dass die Platte neben dem Konverterelement zusätzlich den Halbleiterchip seitlich überragt. Vorzugsweise überragt die Licht-streuende Platte den Halbleiterchip um 200 μm bis 500 μm, besonders bevorzugt um 300 μm bis 400 μm, zum Beispiel um 350 μm. Vorzugsweise weist die Licht-streuende Platte eine Dicke von 100 μm bis 1 mm, bevorzugt von 300 μm bis 800 μm, zum Beispiel von 500 μm, auf. Vorteilhaft wird durch eine solche Ausgestaltung des Mittels zum diffusen Streuen von Licht ein möglichst hoher Anteil des Umgebungslichts diffus gestreut, wodurch die Lichtaustrittsfläche weiß erscheint.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform des optoelektronischen Halbleiterbauteils umfasst das Mittel zum diffusen Streuen von Licht einen Film, der auf einer Außenfläche einer Linse aufgebracht ist. Die Außenfläche ist die dem Halbleiterchip abgewandte Seite der Oberfläche der Linse und bildet die Lichtaustrittsflache. Auf die Lichtaustrittsfläche der Linse ist das Mittel zum diffusen Streuen von Licht beispielsweise in Form eines dünnschichtigen Filmes aufgebracht. Vorzugsweise wird der Film mittels Kleben auf der Linse befestigt. Der dünnschichtige Film enthält neben dem Matrixmaterial ebenso strahlungsstreuende Partikel und sorgt dadurch für eine diffuse Reflexion von einfallendem
Umgebungslicht und gleichzeitig einer diffusen Streuung des vom Konverterelement reflektierten farbigen Lichts, welches ebenso durch die Linse aus dem Bauteil ausgekoppelt wird.
Es wird darüber hinaus ein Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterbauteils angegeben. Mittels des Verfahrens ist ein hier beschriebenes Bauteil herstellbar. Das heißt, sämtliche in Verbindung mit dem Bauteil offenbarten Merkmale sind auch für das Verfahren offenbart und umgekehrt.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Verfahrens wird zunächst ein Trägerelement bereitgestellt. Bei dem Trägerelement kann es sich beispielsweise um eine Folie handeln.
In einem zweiten Schritt wird mittels eines Siebdruckprozesses ein Konverterelement auf dem Trägerelement gebildet. Nach dem Aufbringen einer ersten Schablone wird mittels des Siebdruckprozesses das Material des Konverterelements auf das Trägerelement zum Beispiel aufgeräkelt. Nach dem Aufbringen und einem eventuellen Aushärten des Materials wird die erste Schablone vom Trägerelement entfernt. Bei dem Material für das Konverterelement kann es sich zum Beispiel um eine Schicht mit Silikon oder aus einer transparenten Keramik handeln, in die Konverterpartikel eingebracht sind.
In einem dritten Schritt wird unter Verwendung einer auf das Trägerelement aufgebrachten zweiten Schablone mittels eines zweiten Siebdruckprozesses auf alle freiliegenden Außenflächen des Konverterelements ein Mittel zum diffusen Streuen von Licht als eine zweite Schicht aufgebracht. Das Mittel zum diffusen Streuen von Licht bedeckt das Konverterelement an allen freiliegenden Seitenflächen und der dem Trägerelement abgewandeten Oberseite. Das Material kann beispielsweise aufgeräkelt werden und anschließend aushärten.
Nach dem Ablösen des Trägerelements und der zweiten Schablone vom Verbund bestehend aus Konverterelement und zweiter Schicht wird der Verbund auf dem Strahlungsemittierenden Halbleiterchip aufgebracht.
Im Folgenden wird das hier beschriebene Bauteil sowie das hier beschriebene Verfahren anhand von Ausführungsbeispielen und den dazugehörigen Figuren näher erläutert.
Die Figuren Ia bis Ih zeigen in schematischen
Schnittdarstellungen Ausführungsbeispiele eines hier beschriebenen optoelektronischen Bauteils. Die Figuren 2a, 2b, 3a und 3b zeigen einzelne
Fertigungsschritte zur Herstellung zumindest eines Ausführungsbeispiels eines hier beschriebenen Bauteils .
In den Ausführungsbeispielen und den Figuren sind gleiche oder gleich wirkende Bestandteile jeweils mit den gleichen Bezugszeichen versehen. Die dargestellten Elemente sind nicht als maßstabsgerecht anzusehen, vielmehr können einzelne Elemente zum besseren Verständnis übertrieben groß dargestellt sein.
In der Figur Ia ist anhand einer schematischen Schnittdarstellung ein hier beschriebenes optoelektronisches Halbleiterbauteil mit einem Grundkörper 13 bestehend aus einem Träger 1 und einem darauf angebrachten Gehäuse 2 dargestellt. Innerhalb des Gehäuses 2 ist ein Halbleiterchip auf der Oberfläche des Trägers 1 aufgebracht.
Der Träger 1 und das Gehäuse 2 können mit einem Kunststoff oder einer Keramik gebildet sein. Der Träger 1 ist als eine Leiterplatte oder ein Trägerrahmen (Leadframe) des Bauteils ausgebildet .
Der Halbleiterchip 3 ist mit dem Träger 1 elektrisch leitend verbunden. Auf dem Halbleiterchip 3 ist das Konverterelement 4 aufgebracht, welches im eingeschalteten Zustand des Bauteils die vom Halbleiterchip 3 primär emittierte Strahlung in Strahlung anderer Wellenlänge umwandelt. Im vorliegenden Beispiel handelt es sich bei dem Konverterelement 4 um eine optische CLC-Schicht (Chip-Level-Konversionsschicht) , die das vom Halbleiterchip 3 primär emittierte blaue Licht teilweise in gelbes Licht umwandelt. Weiter reemittiert das Konversionselement 4 von außen einfallendes Umgebungslicht und wandelt beispielsweise im Umgebungslicht blau enthaltendes Licht in gelbes Licht um. Bei dem Konverterelement 4 kann es sich um eine Schicht, gebildet mit Silikon oder aus transparenter Keramik, handeln, in die Konverterpartikel eingebracht sind.
Auf dem Konversionselement 4 ist eine Licht -streuende Platte 51 aufgebracht. Bei dem Material der Licht-streuenden Platte 51 handelt es sich um Silikon, welches vor dem Aushärten zu der Platte mit strahlungsstreuenden Partikeln aus Aluminiumoxid vermengt wurde. Die Konzentration der Aluminumoxidpartikel in der Licht- streuenden Platte 51 beträgt 6 Gew-%. Mit einer solchen Konzentration wurden die deutlichsten Effekte in Bezug auf das für einen externen Betrachter weiße Erscheinungsbild im ausgeschalteten Betriebszustand des Bauelements erzielt. Die Licht-streuende Platte 51 überdeckt die Seitenflächen des Konverterelements 4 nicht. Die seitliche Ausdehnung der Licht- streuenden Platte 51 ist größer gewählt als die seitliche Ausdehnung des
Konverterelements 4, so dass die Licht-streuende Platte 51 nicht nur das Konverterelement 4 sondern ebenso den Halbleiterchip 3 in seiner seitlichen Ausdehnung überragt. Die Licht-streuende Platte 51 überragt den Halbleiterchip 3 seitlich um die Länge B, die wenigstens 10 % der Seitenlänge des Halbleiterchips 3 beträgt. Vorliegend beträgt die Länge B 200 μm. Im ausgeschalteten Betriebszustand des optoelektronischen Halbleiterbauteils hat dies den Vorteil, dass möglichst wenig Umgebungslicht auf das Konverterelement 4 fällt und das aus dem optoelektronischen Halbleiterbauteil heraus reflektierte Licht daher vorwiegend weiß ist. Weiter zeigt die Figur Ia ein optisches Element, welches in Form einer Linse 6 ausgebildet und in das Gehäuse 2 eingepasst ist. Die Linse 6 sorgt für eine effiziente Auskopplung der aus dem Bauteil remittierten, gestreuten oder emittierten elektromagnetischen Strahlung. Nur der
Strahlungsanteil 14a der Gesamtstrahlung, der auf eine Lichteintrittsfläche 61 der Linse 6 trifft, wird durch die Linse 6 aus dem Bauteil über eine Lichtaustrittsflache 62 ausgekoppelt. Die Lichteintrittsfläche 61 ist der Teil der Außenfläche der Linse 6, die dem Halbleiterchip 3 zugewandt ist. Die Lichtaustrittsflache 62 ist der Teil der Außenfläche der Linse 6, die dem Halbleiterchip 3 abgewandt ist. Die Linse 6 weist eine Dicke D auf. Die Dicke D ist der maximale Abstand zwischen der Lichteintrittsfläche 61 und der Lichtaustrittsfläche 62 in Richtung senkrecht zu der der Linse 6 zugewandten Oberfläche des Trägers 1. Der Strahlungsanteil 14B, der nicht auf die Lichteintrittsfläche 61 trifft, wird nicht aus dem Bauteil ausgekoppelt. Die Linse 6 ist in vorliegendem Ausführungsbeispiel aus einem Silikon gebildet und für elektromagnetische Strahlung transparent. Die Linse 6 enthält keine strahlungsstreuenden Partikel. Ausschließlich durch die Linse 6 wird die in das Bauteil gelangte und die vom Halbleiterchip 3 im Betrieb emittierte elektromagnetische Strahlung ausgekoppelt, da sowohl der Träger 1 als auch das Gehäuse 2 strahlungsundurchlässig sind.
Die Figur Ib zeigt ein optoelektronisches Halbleiterbauteil, bei dem das Mittel zum diffusen Streuen von Licht 5 die Linse 6 ist. Dazu wurde das Material der Linse, im vorliegenden Ausführungsbeispiel ein Silikon, mit strahlungsstreuenden Partikeln aus Aluminiumoxid in einer Konzentration von 0,2 bis 1 Gew-%, bevorzugt von 0,4 bis 0,8, vorliegend von 0,6 Gew-%, vermengt, wobei die Linse 6 eine Dicke D von 1,5 mm aufweist .
Figur Ic zeigt wie in Figur Ia eine auf dem Konverterelement 4 aufgebrachte Licht-streuende Platte 51. Zusätzlich ist neben der Licht -streuenden Platte 51 die Lichteintrittsfläche 61 der Linse 6 aufgeraut . Die mittlere Tiefe der Aufrauung 7 beträgt 1 bis 2 μm , vorliegend 1,5 μm. Das Mittel zum diffusen Streuen von Licht 5 umfasst in der Figur Ic sowohl die Licht-streuende Platte 51 als auch die Aufrauung 7 und besteht somit aus zwei Komponenten zum diffusen Streuen von Licht.
Figur Id zeigt eine weitere Kombinationsmöglichkeit der einzelnen Komponenten des Mittels zum diffusen Streuen von Licht 5. Wie bereits in Figur Ib dargestellt, sind Aluminiumoxidpartikel mit einer Konzentration von 0,2 bis 1 Gew-%, bevorzugt von 0,4 bis 0,8 Gew-%, vorliegend von 0,6 Gew-% in das Material der Linse 6 eingebracht, wobei die Dicke D der Linse 6 1,5 mm beträgt. Weiter umfasst das Mittel zum diffusen Streuen von Licht 5 zusätzlich die Aufrauung 7 an der Strahlungseintrittsflache 61 der Linse 6. Beide Komponenten verstärken durch eine solche Kombination die diffus streuende Wirkung auf das einfallende Umgebungslicht .
Die Figur Ie zeigt eine Linse 6 bestehend aus einem klaren Silikon, bei der die Lichtaustrittsflache 62 mit einem Lichtstreuenden Material durch Verwendung eines Zweikomponentenspritzgusses umspritzt wurde. Das Licht- streuende Material bildet eine Schicht um die
Lichtaustrittsfläche 62 der Linse 6 und stellt zusammen mit der Linse 6 das Mittel zum diffusen Streuen von Licht 5 dar. Bei dem diffusen Material handelt es sich wiederum um ein Silikon, welches mit strahlungsstreuenden Partikeln aus Aluminiumoxid vermengt wurde. Die Konzentration der Aluminiumoxidpartikel beträgt im vorliegenden Ausführungsbeispiel 0,5 Gew-%, wobei die Schichtdicke idealerweise 50 bis 100 μm, vorliegend 75 μm, beträgt.
In der Figur If ist auf der Lichtaustrittsfläche 62 der Linse 6 eine Schicht mit Mikrostrukturen 52 aufgebracht, die die physikalische Rolle des Mittels zum diffusen Streuen von Licht 5 einnimmt. Im vorliegenden Ausführungsbeispiel handelt es sich um eine Schicht mit planar ausgeführten Mikrostrukturen 52 in Wabenstruktur, die als Schicht auf die Lichtaustrittsfläche 62 der Linse 6 mittels Siebdruck, eines Thermotransferdruckverfahrens oder UV-Replikation aufgebracht ist. Die Schichtdicke beträgt vorliegend 50 μm.
Die Figur Ig zeigt ein optoelektronisches Halbleiterbauteil, bei dem das Mittel zum Streuen von Licht 5 in Form eines Films 53 auf die Lichtaustrittsfläche 62 der Linse 6 aufgeklebt wurde. Bei dem Film 53 kann es sich um eine dünne
Schicht in Form einer Folie handeln, die mit einem Silikon gebildet ist. Vorzugsweise weist der Film 53 eine Dicke von 30 bis 500 μm auf. In vorliegendem Ausführungsbeispiel wurde der Film 53 250 μm dick gewählt. In dem Film 53 sind Partikel aus Aluminiumoxid in einer Konzentration von 0,5 bis 1 Gew-%, vorliegend von 0,75 Gew-%, eingebracht. Der Film 53 dient hierbei als Mittel zu diffusem Streuen von Licht.
Die Figur Ih zeigt ein optoelektronisches Halbleiterbauteil, bei dem die Lichtaustrittsflache 62 der Linse 6 aufgeraut ist und die Aufrauung 7 das Mittel zum diffusen Streuen von Licht 5 darstellt. Vorzugsweise weißt die Aufrauung 7 eine mittlere Tiefe von 1 bis 2 μm, bevorzugt von 1,5 μm, auf. In Verbindung mit den Figuren 2a, 2b, 3a und 3b wird anhand schematischer Schnittdarstellungen ein hier beschriebenes Verfahren zur Herstellung eines Bauelements gemäß zumindest einer Ausführungsform näher erläutert.
Die Figur 2a zeigt eine Folie, die als Trägerelement 9 für den Herstellungsprozess dient. Auf dem Trägerelement 9 ist eine erste Schablone 8 aufgebracht. Mittels eines Aufdruckmittels, in diesem Beispiel handelt es sich um eine Rakel 12, wird das Material des Konverterelements 4 in die Öffnungen der Schablone 8 eingebracht. Bei dem Material des Konverterelements 4 kann es sich um eine Schicht mit Silikon oder aus einem Keramikmaterial handeln, in die Konverterpartikel eingebracht sind. Nach dem Aufbringen des
Konverterelements 4 mittels Siebdruck auf die Schablone 8>und einem gegebenenfalls Aushärten des Materials wird die Schablone 8 von dem Trägerelement 9 und vom Konverterelement 4 entfernt. Das Konverterelement 4 bildet eine erste Schicht auf dem Trägerelement 9.
In einem zweiten Schritt wird eine zweite Schablone 10 auf das Trägerelement 9 aufgebracht und mittels eines zweiten Siebdruckprozesses unter Verwendung der Rakel 12 ein Mittel zum diffusen Streuen von Licht auf die zweite Schablone 10 als zweite Schicht 11 aufgeräkelt . Die zweite Schicht 11 bedeckt das Konverterelement 4 an allen freiliegenden Außenflächen und steht mit dem Konverterelement 4 in direktem Kontakt, siehe Figur 2b. Nach dem Aufbringen der zweiten Schicht 11 auf das Konverterelement 4 wird die zweite
Schablone 10 sowohl von dem Trägerelement 9 als auch von dem Verbund bestehend aus Konverterelement 4 und der zweiten Schicht 11 entfernt. Bei der zweiten Schicht 11 kann es sich sowohl um eine zweite Konverterschicht als auch um eine mit strahlungsstreuenden Partikeln versehene Schicht handeln. Beispielsweise handelt es sich dabei um eine Konverterschicht, die vom
Konverterelement 4 emittiertes Licht teilweise in Licht einer anderen Farbe umwandelt .
Handelt es sich um eine zweite Konverterschicht IIa, kann der Vorgang wiederholt werden und in einem dritten oder weiteren Schritt wird das Mittel zum diffusen Streuen von Licht 5 auf die zweite Konverterschicht IIa aufgebracht.
Alternativ zum hier beschriebenen Siebdruckverfahren kann ein dickflüssiges Mittel auf die Schablonen 8 beziehungsweise 10 aufgetröpfelt werden. Mittels eines Spin-Coating-Prozesses wird anschließend das Material auf der Oberfläche des Trägerelements 9 verteilt und kann dann aushärten.
In einem letzten Verfahrensschritt wird das Trägerelement 9 von dem Verbund bestehend aus Konverterelement 4 und der zweiten Schicht 11 entfernt, siehe Figur 3a und 3b.
Der Verbund wird anschließend auf den strahlungsemittierenden Halbleiterchip 3 aufgebracht. Das Aufbringen kann mittels Kleben, Löten oder Plättchentransfer geschehen.
Die Erfindung ist nicht durch die Beschreibung anhand der Ausführungsbeispiele beschränkt. Vielmehr erfasst die Erfindung jedes neue Merkmal sowie jede Kombination von
Merkmalen, was insbesondere jede Kombination von Merkmalen in den Patentansprüchen beinhaltet, auch wenn dieses Merkmal oder diese Kombination selbst nicht explizit in den Patentansprüchen oder den Ausführungsbeispielen angegeben ist.

Claims

Patentansprüche
1 . Optoelektronisches Halbleiterbauteil mit
- zumindest einem Strahlungsemittierenden Halbleiterchip (3) ; - zumindest einem dem Halbleiterchip (3) nachgeordneten
Konverterelement (4) zur Konversion von vom Halbleiterchip (3) im Betrieb emittierter elektromagnetischer Strahlung, wobei das Konverterelement (4) bei Bestrahlung mit Umgebungslicht farbiges Licht abstrahlt; - einem Mittel zum diffusen Streuen von Licht (5), das eingerichtet ist, in einem ausgeschalteten Betriebszustand des Bauteils auf das Bauteil auftreffendes Umgebungslicht derart zu streuen, dass eine Lichtaustrittsfläche (62) des Bauteils weiß erscheint.
2. Optoelektronisches Halbleiterbauteil nach Anspruch 1, bei dem das Mittel zum diffusen Streuen von Licht (5) ein Matrixmaterial umfasst, in das strahlungsstreuende Partikel eingebracht sind.
3. Optoelektronisches Halbleiterbauteil nach Anspruch 2, bei dem die strahlungsstreuenden Partikel aus zumindest einem der folgenden Materialien bestehen oder eines der folgenden Materialien enthalten: SiO2, ZrO2, TiO2 oder AlxOy.
4. Optoelektronisches Halbleiterbauteil nach Anspruch 2 oder 3, bei dem die Konzentration der strahlungsstreuenden Partikel im Matrixmaterial größer als 6 Gew-% ist.
5. Optoelektronisches Halbleiterbauteil nach einem der vorgehenden Ansprüche, bei dem das Konverterelement (4) und das Mittel zum diffusen Streuen (5) von Licht in direktem Kontakt miteinander stehen.
6. Optoelektronisches Halbleiterbauteil nach Anspruch 5, bei dem das Mittel zum diffusen Streuen von Licht (5) das Konverterelement (4) an allen freiliegenden Außenflächen des Konverterelements (4) bedeckt.
7. Optoelektronisches Halbleiterbauteil nach einem der vorhergehenden Ansprüche, bei dem das Mittel zum diffusen Streuen von Licht (5) ein optisches Element, das zumindest stellenweise eine Linse (6) bildet, umfasst.
8. Optoelektronisches Halbleiterbauteil nach einem der vorhergehenden Ansprüche, bei dem das Mittel zum diffusen Streuen von Licht (5) eine Aufrauung (7) einer Lichtdurchtrittsflache (61, 62) eines lichtdurchlässigen Körpers (6) umfasst.
9. Optoelektronisches Halbleiterbauteil nach einem der vorhergehenden Ansprüche, bei dem das Mittel zum diffusen Streuen von Licht (5) Mikrostrukturen (52) umfasst.
10. Optoelektronisches Halbleiterbauteil nach einem der vorhergehenden Ansprüche , bei dem das Mittel zum diffusen Streuen von Licht (5) eine
Licht-streuende Platte (51) umfasst, die das Konverterelement (4) seitlich überragt.
11. Optoelektronisches Halbleiterbauteil nach einem der vorhergehenden Ansprüche , bei dem das Mittel zum diffusen Streuen von Licht (5) einen auf einer Außenfläche einer Linse (6) aufgebrachten Film (53) umfasst.
12. Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterteils nach Anspruch 6 mit den folgenden Schritten
- Bereitstellen eines Trägerelements (9), - Bilden des Konverterelements (4) mittels eines ersten Siebdruckprozesses auf dem Trägerelement (9),
- Bilden eines Mittels zum diffusen Streuen von Licht (5) auf die freiliegenden Außenflächen des Konverterelements (4) mittels eines zweiten Siebdruckprozesses, - Ablösen des Trägerelements (9) ,
- Aufbringen des Verbunds bestehend aus Konverterelement (4) und des Mittels zum diffusen Streuen von Licht (5) auf dem strahlungsemittierenden Halbleiterchip (3) .
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Families Citing this family (24)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20080029720A1 (en) 2006-08-03 2008-02-07 Intematix Corporation LED lighting arrangement including light emitting phosphor
DE102009005907A1 (de) * 2009-01-23 2010-07-29 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Halbleiterbauteil
DE102009047788A1 (de) * 2009-09-30 2011-03-31 Osram Opto Semiconductors Gmbh Beleuchtungseinrichtung für eine Kamera sowie Verfahren zum Betrieb derselben
US9546765B2 (en) 2010-10-05 2017-01-17 Intematix Corporation Diffuser component having scattering particles
US8573816B2 (en) 2011-03-15 2013-11-05 Cree, Inc. Composite lens with diffusion
DE102011010118A1 (de) * 2011-02-02 2012-08-02 Osram Opto Semiconductors Gmbh Keramisches Konversionselement, Halbleiterchip mit einem keramischen Konversionselement und Verfahren zur Herstellung eines keramischen Konversionselements
DE102011112710A1 (de) * 2011-09-07 2013-03-07 Osram Ag Beleuchtungsvorrichtung
JP6312596B2 (ja) * 2011-10-13 2018-04-18 インテマティックス・コーポレーションＩｎｔｅｍａｔｉｘ Ｃｏｒｐｏｒａｔｉｏｎ 固体発光デバイス及びランプのためのフォトルミネセンス波長変換コンポーネント
CN103486451B (zh) 2012-06-11 2017-09-15 欧司朗股份有限公司 发光装置及包括该发光装置的照明装置
US20140185269A1 (en) 2012-12-28 2014-07-03 Intermatix Corporation Solid-state lamps utilizing photoluminescence wavelength conversion components
TWI627371B (zh) 2013-03-15 2018-06-21 英特曼帝克司公司 光致發光波長轉換組件
TWI562405B (en) 2013-09-23 2016-12-11 Brightek Optoelectronic Shenzhen Co Ltd Method of manufacturing led package structure for preventing lateral light leakage
DE102013223069A1 (de) 2013-11-13 2015-05-13 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Bauelement und Verfahren zu seiner Herstellung
JP6552190B2 (ja) * 2014-12-11 2019-07-31 シチズン電子株式会社 発光装置及び発光装置の製造方法
US10336025B2 (en) * 2015-04-14 2019-07-02 LumenFlow Corp. Compound lens for use with illumination sources in optical systems
US20190058091A1 (en) * 2015-09-21 2019-02-21 Sabic Global Technologies B.V. Whitening method for phosphor's color at off-state in lighting application
CN109565538A (zh) * 2016-08-09 2019-04-02 Lg伊诺特有限公司 发光模块、闪光模块和包括该闪光模块的终端
KR102600655B1 (ko) * 2016-08-16 2023-11-09 쑤저우 레킨 세미컨덕터 컴퍼니 리미티드 플래시 모듈 및 이를 포함하는 단말기
DE102017209239A1 (de) * 2017-05-31 2018-12-06 Osram Gmbh Optikvorrichtung, beleuchtungsanordnung, scheinwerfer und verfahren
DE112019000282A5 (de) 2018-03-20 2020-10-15 Docter Optics Se Verfahren zum herstellen eines linsenelementes
DE102020116793A1 (de) * 2020-01-15 2021-07-15 Docter Optics Se Verfahren zur Herstellung eines optischen Elementes aus Kunststoff
US11708289B2 (en) 2020-12-03 2023-07-25 Docter Optics Se Process for the production of an optical element from glass
DE102022101728A1 (de) 2021-02-01 2022-08-04 Docter Optics Se Verfahren zur Herstellung eines optischen Elementes aus Glas
DE102021105560A1 (de) 2021-03-08 2022-09-08 Docter Optics Se Verfahren zur Herstellung eines optischen Elementes aus Glas

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20080064131A1 (en) * 2006-09-12 2008-03-13 Mutual-Tek Industries Co., Ltd. Light emitting apparatus and method for the same
EP2113949A2 (de) * 2008-05-02 2009-11-04 Cree, Inc. Verkapselung für phosphorkonvertierte weißlichtemittierende Diode
WO2010038097A1 (en) * 2008-10-01 2010-04-08 Koninklijke Philips Electronics N.V. Led with particles in encapsulant for increased light extraction and non-yellow off-state color

Family Cites Families (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE19845229C1 (de) * 1998-10-01 2000-03-09 Wustlich Daniel Mit Weißlicht arbeitende Hintergrundbeleuchtung
US6777871B2 (en) * 2000-03-31 2004-08-17 General Electric Company Organic electroluminescent devices with enhanced light extraction
US6686676B2 (en) * 2001-04-30 2004-02-03 General Electric Company UV reflectors and UV-based light sources having reduced UV radiation leakage incorporating the same
DE10308866A1 (de) * 2003-02-28 2004-09-09 Osram Opto Semiconductors Gmbh Beleuchtungsmodul und Verfahren zu dessen Herstellung
KR100593933B1 (ko) * 2005-03-18 2006-06-30 삼성전기주식회사 산란 영역을 갖는 측면 방출형 발광다이오드 패키지 및이를 포함하는 백라이트 장치
KR100649641B1 (ko) * 2005-05-31 2006-11-27 삼성전기주식회사 Ｌｅｄ 패키지
JP4640248B2 (ja) * 2005-07-25 2011-03-02 豊田合成株式会社 光源装置
US7847302B2 (en) * 2005-08-26 2010-12-07 Koninklijke Philips Electronics, N.V. Blue LED with phosphor layer for producing white light and different phosphor in outer lens for reducing color temperature
KR100621154B1 (ko) * 2005-08-26 2006-09-07 서울반도체 주식회사 발광 다이오드 제조방법
DE102006026481A1 (de) * 2006-06-07 2007-12-13 Siemens Ag Verfahren zum Anordnen einer Pulverschicht auf einem Substrat sowie Schichtaufbau mit mindestens einer Pulverschicht auf einem Substrat
JP4937845B2 (ja) * 2006-08-03 2012-05-23 日立マクセル株式会社 照明装置および表示装置
DE102006051746A1 (de) * 2006-09-29 2008-04-03 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Bauelement mit einer Lumineszenzkonversionsschicht
US20080121911A1 (en) * 2006-11-28 2008-05-29 Cree, Inc. Optical preforms for solid state light emitting dice, and methods and systems for fabricating and assembling same
DE102007015474A1 (de) * 2007-03-30 2008-10-02 Osram Opto Semiconductors Gmbh Elektromagnetische Strahlung emittierendes optoelektronisches Bauelement und Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Bauelements
US20080273339A1 (en) * 2007-05-01 2008-11-06 Hua-Hsin Tsai Structure of a light shade of a light emitting component
DE202007007341U1 (de) * 2007-05-23 2007-07-26 Tsai, Hua-Hsin, Linnei Decke der Verpackung einer LED-Anordnung
US7999283B2 (en) * 2007-06-14 2011-08-16 Cree, Inc. Encapsulant with scatterer to tailor spatial emission pattern and color uniformity in light emitting diodes
US11114594B2 (en) * 2007-08-24 2021-09-07 Creeled, Inc. Light emitting device packages using light scattering particles of different size
JP2009130301A (ja) * 2007-11-27 2009-06-11 Sharp Corp 発光素子および発光素子の製造方法

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20080064131A1 (en) * 2006-09-12 2008-03-13 Mutual-Tek Industries Co., Ltd. Light emitting apparatus and method for the same
EP2113949A2 (de) * 2008-05-02 2009-11-04 Cree, Inc. Verkapselung für phosphorkonvertierte weißlichtemittierende Diode
WO2010038097A1 (en) * 2008-10-01 2010-04-08 Koninklijke Philips Electronics N.V. Led with particles in encapsulant for increased light extraction and non-yellow off-state color

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
See also references of WO2010048935A1 *

Also Published As

Publication number Publication date
WO2010048935A1 (de) 2010-05-06
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