EP1866940A1 - Ferro- oder ferrimagnetische schicht, verfahren zu ihrer herstellung und ihre verwendung - Google Patents

Ferro- oder ferrimagnetische schicht, verfahren zu ihrer herstellung und ihre verwendung

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EP1866940A1
EP1866940A1 EP06723734A EP06723734A EP1866940A1 EP 1866940 A1 EP1866940 A1 EP 1866940A1 EP 06723734 A EP06723734 A EP 06723734A EP 06723734 A EP06723734 A EP 06723734A EP 1866940 A1 EP1866940 A1 EP 1866940A1
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slot
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ferromagnetic
ferrimagnetic
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Harald Leiste
Klaus Seemann
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Forschungszentrum Karlsruhe GmbH
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    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
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    • Y10T428/12361—All metal or with adjacent metals having aperture or cut

Definitions

  • Ferro- or ferrimagnetic layer process for their preparation and their use
  • the invention relates to a thin ferromagnetic or ferrimagnetic layer, process for their preparation and their use.
  • Passive or active electronic components may have ferromagnetic or ferrimagnetic thin film components that cause an essential function of the device.
  • ferromagnetic or ferrimagnetic thin film components that cause an essential function of the device.
  • the domain structure in thin layers due to spontaneous magnetization depends primarily on the minimization of the stray field. Therefore, in many cases, especially if the material properties over the layer are not constant, the domain structure is not adjustable.
  • the adjustability of the domain structure and its spatial and temporal stabilization is a fundamental prerequisite for magnetoelectronic or spintronic components, in particular in the field of high-frequency technology, sensor technology, storage media and electronics.
  • the idea underlying the invention consists in exerting an influence on the setting of the domain structure by means of one or more oblong slots which are introduced into a ferromagnetic or ferrimagnetic thin layer.
  • This adjustable domain structure is the key to the magnetization dependent function of a device comprising a layer according to the invention.
  • Such a slotted layer allows for a linear course of the magnetization due to the substantial prevention of Domanenwandschulen.
  • a layer without slots forms a Domanen für Integrated Device (EDG)
  • Domanen designed with extended Domanenwanden and large Domanen Kunststoffen with ineffective lying magnetization direction.
  • the area of the aligned magnetization is significantly increased and the volume of the domain wall is reduced, and the domain wall movement is reduced. The targeted orientation of the magnetization of domains is thus made possible.
  • a layer of a ferromagnetic or ferrimagnetic material according to the invention is directly on a substrate or via one or more additional electrically insulating, semiconductive or conductive non-ferromagnetic or ferrimagnetic or other ferromagnetic or ferrimagnetic Interlayers applied to a substrate.
  • the thickness of the layer is preferably between 10 niti and 10 ⁇ r ⁇ .
  • a layer according to the invention further comprises one or more slots, which are elongated and therefore have a defined longitudinal axis.
  • the depth of the slot or slots corresponds to the respective thickness of the layer and its width is in each case greater than the exchange length of the ferromagnetic or ferrimagnetic material, which is usually in the range between 10 nm to 100 nm.
  • No slit is placed so that it touches one side (edge) of the layer, thus possibly dividing the layer into several parts.
  • no current or voltage-carrying conductor tracks are passed through the slot.
  • the slots preferably have a length corresponding to the geometry of the layer, e.g. adapted to rectangles, squares, bands, triangles or rings.
  • the sides of the layer form a rectangle and the longitudinal axis of the at least one slot is substantially parallel to two opposite sides of the rectangle.
  • the length of each slot in this case is preferably between 0.1 and 0.85 times, more preferably between 0.2 and 0.75 times, one side of the layer substantially parallel to the longitudinal axis of the layer concerned slot runs.
  • the distance between two adjacent slots in a given geometry depends on the material and thickness of the layer and has an upper limit due to the formation of additional domains between these two slots and down through the enlargement of the inactive volume occupied by additional slots. Thus, it is preferable to choose a distance that is optimum between reducing the transverse magnetization through more slots while simultaneously losing surface area on the layer through more slots.
  • the layer thus applied is structured by microstructure techniques in rich, and hereby one or more slots are introduced.
  • common methods such. Ion beam etching, plasma jet etching, reactive ion etching, wet-chemical etching or mechanical removal in question.
  • the structures thus produced may have any, in particular a square, rectangular, round, elliptical or annular geometry.
  • the desired Domanen Vienna adjusts itself when using suitable slot geometries either spontaneously, so without additional heat treatment.
  • an induced anisotropy is impressed by a subsequent heat treatment of the layer with or without an external magnetic field reinforced.
  • the heat treatment of the layer as well as the external magnetic field during the heat treatment for impressing a uniaxial anisotropy can be dispensed with.
  • the present invention thus enables the targeted setting of magnetic domains m ferro- or ferrimagnetician layers with any outer geometries, with a high proportion of targeted areas is generated within the layer.
  • the alignment of the domains in any geometric Dunn Anlagenk- tures is possible. This makes it possible to selectively adjust the permeability and the magnetization behavior of magnetic layer structures via the domain structure.
  • Inventive films are suitable for use in magneto-electronic and spintronic components, in particular in the areas of radio frequency technology, sensors, storage devices and Elect ⁇ ronik.
  • FIG. 1 Schematic representation of the magnetization of a ferromagnetic or ferrimagnetic layer a) after spontaneous magnetization b) and subsequent heat treatment in the external magnetic field in each case without slot according to the invention; c) after spontaneous magnetization with slot according to the invention.
  • Fig. 3 Schematic representation of various geometries of the arrangement of slots according to the invention: a) uniaxial arrangement; b) triangular arrangement, c) annular arrangement.
  • FIG. 4 Schematic representation of the example of an arrangement of different slots according to the invention.
  • a flat thin layer 10 of the ferromagnetic material FeCoTaN is deposited on a substrate with square lateral dimensions of 20 ⁇ m x 20 ⁇ m.
  • the thickness of the layer 10 is 100 nm, which is 200 times less than the edge length.
  • a layer 10 spontaneously forms a domain structure, which is shown schematically in Fig. Ia) with the domains 11, 12, 13, 14.
  • the magnitudes of the magnetizations of the domains are the same.
  • the domains 11, 13 on the off increase the prior art extent to the domains H '', 13 '' zoom.
  • the volume fraction of the domains 11 '', 13 '' with the desired direction of magnetization compared to the domains 11, 13 significantly higher, while the volume fraction of the perpendicular thereto and thus unfavorably aligned domains 12, 14 in comparison with the domains 12 ", 14" is significantly lower.
  • FIGS. 2 a) to c the influence of the increasing length of each individual slot 20, 20 ', 20 "on the magnetization in the ferromagnetic layer is shown. It can be seen that the volume fraction of parallel to the longitudinal axis of the respective one slot 20, 20 ', 20''arranged and thus favorably oriented areas increases increasingly and thus simultaneously the volume fraction of perpendicular to the longitudinal axis of each slot 20, 20' , 20 '' arranged and thus unfavorably oriented areas correspondingly reduced. The same effect is observed when, as shown in FIGS. 2 d) to f), the number of parallel slits of 20, 21 over 20 ', 21', 22 'to 20''',21'',22'',23''increases.
  • FIG. 3 various geometries are schematically illustrated with inventively arranged slots.
  • Fig. 3a shows a u-niaxiale arrangement with seven slots 20 to 26 oriented parallel to each other
  • Fig. 3b a triangular arrangement with a tri-directional slot 30, each occupy an angle of approximately 120 ° to each other
  • Fig. 3c an annular arrangement with a plurality of slots 20, 21, etc. is shown, whose longitudinal axes are each arranged radially on the center 40 of a circle defined by the sides of the ring.
  • Fig. 4 shows schematically an example of an arrangement of different slots according to the invention. Such an arrangement shows the adjustability of magnetic domains in arbitrary geometries.

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Abstract

Die Erfindung betrifft eine dünne ferro- oder ferrimagnetische Schicht, die auf einem Substrat aufgebracht ist und mindestens einen länglichen Schlitz zur Einstellung der Domänenstruktur im ferro- oder ferrimagnetischen Material umfasst, dessen Tiefe der Dicke der Schicht entspricht, dessen Breite größer als die Austauschlänge des Materials ist und der so angebracht ist, dass er die Seite der Schicht nicht berührt. Weiterhin betrifft die Erfindung Verfahren zur Herstellung einer derartigen Schicht und ihre Verwendung in magnetoelektronischen oder spintronischen Bauelementen.

Description

Ferro- oder ferrimagnetische Schicht, Verfahren zu ihrer Herstellung und ihre Verwendung
Die Erfindung betrifft eine dünne ferro- oder ferrimagnetische Schicht, Verfahren zu ihrer Herstellung und ihre Verwendung.
Passive oder aktive elektronische Bauelemente können ferro- oder ferrimagnetische Dünnschicht-Komponenten besitzen, die eine wesentliche Funktion des Bauelements bewirken. Zur Gewährleistung der Funktion dieser ferro- oder ferrimagnetischen Komponente ist es in vielen Fällen vorteilhaft, eine spezifische definierte magnetische Domänen- struktur bereitzustellen. Die sich in dünnen Schichten durch spontane Magnetisierung einstellende Domänenstruktur hängt in erster Linie von der Minimierung des Streufeldes ab. Daher ist in vielen Fällen, insbesondere dann, wenn die Materialeigenschaften über die Schicht nicht konstant sind, die Domänenstruktur nicht einstellbar.
Die Einstellbarkeit der Domänenstruktur sowie ihre räumliche und zeitliche Stabilisierung ist andererseits eine grundlegende Voraussetzung für magnetoelektronische oder spintronische Bauelemente insbesondere im Bereich der Hochfrequenztechnik, der Sensorik, der Speichermedien und der Elektronik.
Aus der EP 1 168 383 Al und der US 6,529,110 B2 ist bekannt, magnetische Mikrostrukturen in einzelne Bereiche aufzuteilen. Hierzu wird ein magnetischer, sich innerhalb einer Spule befindlicher länglicher magnetischer Dünnschichtkern in mehrere quadratische oder rechteckige Bereiche aufgeteilt, wobei die Aufteilung des Dünnschichtkerns senkrecht zur Spulenachse erfolgt. Nachteilig hieran ist, dass eine vollständig getrennte Strukturierung zu relativ instabilen Domänenstrukturen führt, deren Ausbildung von der äußeren Geometrie abhängig ist und nicht direkt eingestellt werden kann.
Ausgehend davon ist es die Aufgabe der Erfindung, eine ferro- oder ferrimagnetische Schicht, Verfahren zu ihrer Herstellung und ihre Verwendung anzugeben, die die vorher genannten Nachteile und Ein- schrankungen nicht aufweisen. Insbesondere soll eine ferro- oder fer- rirαagnetische Schicht angegeben werden, in der die Domanenstruktur weitgehend einstellbar ist.
Gelost wird die Aufgabe durch die Merkmale des Patentanspruchs 1, durch das Verfahren des Patentanspruchs 7 und durch die Verwendungen des Patentanspruchs 10. Die Unteranspruche beschreiben jeweils vorteilhafte Ausgestaltungen der Erfindung.
Die der Erfindung zu Grunde liegende Idee besteht darin, durch einen oder mehrere längliche Schlitze, die in eine ferro- oder ferrimagne- tische Dunnschicht eingebracht sind, einen Emfluss auf die Einstellung der Domanenstruktur auszuüben. Diese einstellbare Domanenstruktur ist der Schlüssel für die magnetisierungsabhangige Funktion eines Bauelements, das eine erfmdungsgemäße Schicht umfasst. Eine derart mit Schlitzen versehene Schicht ermöglicht aufgrund der weitgehenden Verhinderung von Domanenwandbewegungen einen linearen Verlauf der Magnetisierung .
Domänen, die eine Magnetisierungsrichtung aufweisen, die ungleich der erforderlichen Richtung liegen, sowie Domanenwande stellen Bereiche großer Verluste z.B. durch Wanderungsbewegungen im elektrischen Wechselfeld dar. Eine Schicht ohne Schlitze bildet eine Domanenstruktur mit ausgedehnten Domanenwanden und großen Domanenbereichen mit ineffektiv liegender Magnetisierungsrichtung aus. Durch erfmdungsgemaße Schlitze wird der Bereich der ausgerichteten Magnetisierung signifikant vergrößert und das Domanenwandvolumen verringert sowie die Doma- nenwandbewegung reduziert. Die gezielte Ausrichtung der Magnetisierung von Domänen wird so ermöglicht.
Eine erfindungsgemäße Schicht aus einem ferro- oder ferrimagnetischen Material ist direkt auf ein Substrat oder über eine oder mehrere zusatzliche elektrisch isolierende, halbleitende oder leitende nicht ferro- oder ferrimagnetische oder andere ferro- oder ferrimagnetische Zwischenschichten auf ein Substrat aufgebracht. Die Dicke der Schicht liegt bevorzugt zwischen 10 niti und 10 μrα.
Eine erfindungsgemäße Schicht umfasst weiterhin einen oder mehrere Schlitze, die länglich ausgebildet sind und daher eine definierte Längsachse aufweisen. Die Tiefe des Schlitzes bzw. der Schlitze entspricht der jeweiligen Dicke der Schicht und ihre Breite ist jeweils größer als die Austauschlänge des ferro- oder ferrimagnetischen Materials, die üblicherweise im Bereich zwischen 10 nm bis 100 nm liegt. Kein Schlitz ist so angebracht, dass er eine Seite (Rand) der Schicht berührt und damit die Schicht ggf. in mehrere Teile zerteilen würde. Vorzugsweise werden keine ström- oder spannungsführenden Leiterbahnen durch den Schlitz geführt.
Die Schlitze besitzen vorzugsweise eine Länge, die der Geometrie der Schicht wie z.B. bei Rechtecken, Quadraten, Bändern, Dreiecken oder Ringen angepasst ist. In einer bevorzugten Ausgestaltung spannen die Seiten der Schicht ein Rechteck auf und die Längsachse des mindestens einen Schlitzes liegt im Wesentlichen parallel zu zwei gegenüberliegenden Seiten des Rechtecks. Die Länge jedes Schlitzes beträgt in diesem Falle bevorzugt zwischen dem 0,1- und dem 0,85-fachen, besonders bevorzugt zwischen dem 0,2- und dem 0,75-fachen einer Seite der Schicht, die im Wesentlichen parallel zur Längsachse des betreffenden Schlitzes verläuft.
Der Abstand zweier benachbarter Schlitze in einer vorgegebenen Geometrie ist abhängig von Material und Dicke der Schicht und besitzt eine Grenze nach oben durch die Ausbildung von zusätzlichen Domänen zwischen diesen beiden Schlitzen und nach unten durch die Vergrößerung des durch zusätzliche Schlitze eingenommenen inaktiven Volumens. Vorzugsweise wird demnach ein Abstand gewählt, der als Optimum zwischen der Verringerung der Quermagnetisierung durch mehr Schlitze bei gleichzeitigem Verlust an Oberfläche auf der Schicht durch mehr Schlitze gegeben ist. Die Herstellung einer erfindungsgemaßen ferro- oder ferrimagnetischen
Schicht erfolgt mittels eines Dunnschichtverfahrens .
Die so aufgebrachte Schicht wird durch Mikrostrukturtechmken in Be-, reiche strukturiert und es werden hiermit ein oder mehrere Schlitze eingebracht. Hierfür kommen gangige Verfahren wie z.B. Ionenstrahlat- zen, Plasmastrahlatzen, reaktives Ionenatzen, nasschemisches Atzen oder mechanischer Abtrag in Frage. Die so erzeugten Strukturen können eine beliebige, insbesondere eine quadratische, rechteckige, runde, elliptische oder ringförmige Geometrie aufweisen.
Die gewünschte Domanenstruktur stellt sich bei Verwendung geeigneter Schlitzgeometrien entweder spontan, also ohne zusatzliche Wärmebehandlung ein. In einer besonderen Ausgestaltung wird eine induzierte Anisotropie durch eine anschließende Wärmebehandlung der Schicht mit oder ohne externes Magnetfeld verstärkt eingeprägt. Im Allgemeinen kann jedoch in erfmdungsgemäß geschlitzten Bereichen der Schicht auf die Wärmebehandlung der Schicht sowie auf das externe Magnetfeld wahrend der Wärmebehandlung zum Einprägen einer uniaxialen Anisotropie verzichtet werden.
Die vorliegende Erfindung ermöglicht damit die gezielte Einstellung von magnetischen Domänen m ferro- oder ferrimagnetischen Schichten mit beliebigen äußeren Geometrien, wobei ein hoher Anteil an gezielt ausgerichteten Bereichen innerhalb der Schicht erzeugt wird. Auch die Ausrichtung der Domänen in beliebigen geometrischen Dunnschichtstruk- turen ist möglich. Damit wird eine gezielte Einstellbarkeit der Permeabilität und des Magnetisierungsverhaltens von magnetischen Schichtstrukturen über die Domanenstruktur möglich.
Erfindungsgemaße Schichten eigenen sich für die Verwendung in magnetoelektronischen und spintronischen Bauelementen, insbesondere für die Bereiche Hochfrequenztechnik, Sensorik, Speichermedien und Elekt¬ ronik.
Die Erfindung wird im Folgenden an Hand von Ausfuhrungsbeispielen mit HiIfe der Abbildungen naher erläutert. Es zeigen:
Fig. 1 Schematische Darstellung der Magnetisierung einer ferro- oder ferrimagnetischen Schicht a) nach spontaner Magnetisierung b) und anschließender Wärmebehandlung im externen Magnetfeld jeweils ohne erfindungsgemäßen Schlitz; c) nach spontaner Magnetisierung mit erfindungsgemaßen Schlitz.
Fig. 2 a)-c) Schematische Darstellung des Einflusses der Lange eines Schlitzes auf die Magnetisierung in der Schicht; d)-f) Schematische Darstellung des Einflusses der Lange eines Schlitzes bei gleichzeitig Zunahme der Anzahl von Schlitzen auf die Magnetisierung in der Schicht.
Fig. 3 Schematische Darstellung verschiedener Geometrien der Anordnung von erfindungsgemaßen Schlitzen: a) uniaxiale Anordnung; b) trianguläre Anordnung, c) ringförmige Anordnung.
Fig. 4 Schematische Darstellung des Beispiels einer Anordnung von verschiedenen erfindungsgemaßen Schlitzen.
Mittels reaktivem Magnetronsputtern wird eine ebene dünne Schicht 10 aus dem ferromagnetische Material FeCoTaN auf ein Substrat mit quadratischen lateralen Abmessungen von 20 um x 20 um aufgebracht. Die Dicke der Schicht 10 betragt 100 nm und ist damit 200-fach geringer als die Kantenlange. In einer derartigen Schicht 10 bildet sich spontan eine Domanenstruktur aus, die schematisch in Fig. Ia) mit den Domänen 11, 12, 13, 14 dargestellt ist. Dabei sind die Betrage der Magnetisierungen der Domänen gleich groß.
Für bestimmte Anwendungen ist es erforderlich, dass eine bevorzugte Richtung der Magnetisierung in der Schicht vorliegt. Im Falle von uniaxialer Anisotropie sollen sich m jeweils benachbarten Bereichen der Schicht zwei entgegen gesetzte Richtungen der Magnetisierung aus¬ bilden, wahrend der Anteil der hierzu senkrecht stehenden Magnetisie- rungen möglichst gering sein soll. Diese Anforderungen lassen sich erfüllen, indem der Volumenanteil der gunstig orientierten Bereiche 11, 13 vergrößert und damit gleichzeitig der Volumenanteil der hierzu senkrecht stehenden und damit ungunstig orientierten Bereiche 12, 14 entsprechend verringert wird.
Durch eine aus dem Stand der Technik bekannte Wärmebehandlung der Schicht 10' in einem externen Magnetfeld ergibt sich, wie in Fig. Ib) dargestellt, nach dem Abschalten des externen Feldes eine Vergrößerung der Domänen 11, 13 zu den Domänen 11', 13' bis zu einem gewissen Maß. Eine weitere Vergrößerung der Domänen 11', 13' ist mit bekannten Maßnahmen nicht möglich.
Ist in der ferromagnetischen Schicht 10'' jedoch ein Schlitz 20 eingebracht, dessen Ausrichtung parallel zur Orientierung der Magnetisierung in den Domänen 11, 13 verlauft, lassen sich, wie aus Fig. Ic) hervorgeht, die Domänen 11, 13 über das aus dem Stand der Technik bekannte Maß hinaus zu den Domänen H'', 13'' vergrößern. Hierdurch ist der Volumenanteil der Domänen 11' ' , 13' ' mit der gewünschten Richtung der Magnetisierung im Vergleich zu den Domänen 11, 13 signifikanr hoher, wahrend der Volumenanteil der hierzu senkrecht stehenden und damit ungunstig ausgerichteten Domänen 12, 14 im Vergleich mit den Domänen 12'', 14'' signifikant niedriger ist.
In Fig. 2 a) bis c) ist der Einfluss der zunehmenden Lange jeweils eines einzelnen Schlitzes 20, 20', 20'' auf die Magnetisierung in der ferromagnetischen Schicht dargestellt. Hieraus ist ersichtlich, dass sich der Volumenanteil der parallel zur Langsachse des jeweils einen Schlitzes 20, 20', 20'' angeordneten und damit gunstig orientierten Bereiche zunehmend vergrößert und sich damit gleichzeitig der Volumenanteil der senkrecht zur Langsachse des jeweils einen Schlitzes 20, 20', 20'' angeordneten und damit ungunstig orientierten Bereiche entsprechend verringert. Derselbe Effekt wird beobachtet, wenn, wie in Fig. 2 d) bis f) dargestellt, gleichzeitig die Anzahl der jeweils parallel zueinander orientierten Schlitze von 20, 21 über 20', 21', 22 ' zu 20 ' ' , 21 ' ' , 22 ' ' , 23' ' zunimmt .
In Fig. 3 sind verschiedene Geometrien mit erfindungsgemäß angeordneten Schlitzen schematisch dargestellt. Fig. 3a) zeigt eine u- niaxiale Anordnung mit sieben parallel zueinander orientierten Schlitzen 20 bis 26, Fig. 3b) eine trianguläre Anordnung mit einem in drei Richtungen gefächerten Schlitz 30, die jeweils einen Winkel von ca. 120° zueinander einnehmen, während in Fig. 3c) eine ringförmige Anordnung mit einer Vielzahl von Schlitzen 20, 21 usw. dargestellt ist, deren Längsachsen jeweils radial auf den Mittelpunkt 40 eines durch die Seiten des Ringes definierten Kreises angeordnet sind.
Fig. 4 zeigt schematisch ein Beispiel einer Anordnung von verschiedenen erfindungsgemäßen Schlitzen. Eine derartige Anordnung zeigt die Einstellbarkeit von magnetischen Domänen in beliebigen Geometrien.

Claims

Patentansprüchθ :
1. Schicht aus einem ferro- oder ferrimagnetischen Material, die auf einem Substrat aufgebracht ist und mindestens einen länglichen Schlitz zur Einstellung der Dorαänenstruktur im ferro- oder ferrimagnetischen Material umfasst, dessen Tiefe der Dicke der Schicht entspricht, dessen Breite größer als die Austauschlänge des Materials ist und der so angebracht ist, dass er keine Seite der Schicht berührt .
2. Schicht nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass keine ström- oder spannungsführenden Leiterbahnen durch den mindestens einen Schlitz geführt werden.
3. Schicht nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, dass die Seiten der Schicht ein Rechteck aufspannen und die Längsachse des mindestens einen Schlitzes parallel zu zwei Seiten des Rechtecks liegt.
4. Schicht nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, dass die Länge des mindestens einen Schlitzes zwischen dem 0,1- und dem 0,85- fachen der Länge einer Seite der Schicht beträgt, die parallel zur Längsachse des Schlitzes liegt.
5. Schicht nach einem der Ansprüche 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, dass ihre Dicke zwischen 10 nm und 10 μm beträgt.
6. Schicht nach einem der Ansprüche 1 bis 5, dadurch gekennzeichnet, dass sich zwischen der Schicht und dem Substrat mindestens eine weitere Schicht befindet.
7. Verfahren zur Herstellung einer Schicht nach einem der Ansprüche 1 bis 6 mittels eines Dünnschichtverfahrens und Einbringen des mindestens einen Schlitzes mittels Ionenstrahlätzen, Plasrαa- strahlätzen, reaktivem Ionenätzen, nasschemischem Ätzen oder mechanischem Abtrag.
8. Verfahren nach Anspruch 7 mit zusätzlicher Wärmebehandlung.
9. Verfahren nach Anspruch 7 oder 8 unter zusätzlicher Einwirkung eines externen Magnetfelds.
10. Verwendung einer Schicht nach einem der Ansprüche 1 bis 6 in mag- netoelektronischen oder spintronischen Bauelementen.
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