EP1714310A1 - Verfahren zur abscheidung eines leitfähigen kohlenstoffmaterials auf einem halbleiter zur ausbildung eines schottky-kontaktes und halbleiterkontaktvorrichtung - Google Patents

Verfahren zur abscheidung eines leitfähigen kohlenstoffmaterials auf einem halbleiter zur ausbildung eines schottky-kontaktes und halbleiterkontaktvorrichtung

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EP1714310A1
EP1714310A1 EP04804272A EP04804272A EP1714310A1 EP 1714310 A1 EP1714310 A1 EP 1714310A1 EP 04804272 A EP04804272 A EP 04804272A EP 04804272 A EP04804272 A EP 04804272A EP 1714310 A1 EP1714310 A1 EP 1714310A1
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EP
European Patent Office
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semiconductor
carbon material
conductive carbon
process chamber
schottky
Prior art date
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Withdrawn
Application number
EP04804272A
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English (en)
French (fr)
Inventor
Franz Kreupl
Gernot Steinlesberger
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Infineon Technologies AG
Original Assignee
Infineon Technologies AG
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Filing date
Publication date
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Definitions

  • the present invention relates to a method for depositing a conductive carbon material on a semiconductor to form a Schottky contact and a semiconductor contact device.
  • metal for example molybdenum
  • Schottky contact For a large number of components, for example diodes or transistors, which are based on a Schottky contact, it is extremely important to produce reproducible Schottky barriers of a sufficient barrier height.
  • metal for example molybdenum
  • Materials used to date have, for example in silicon semiconductors energy barriers from 0.55 to 0.85 eV (see SZE "Physics of Semiconductor", 2 nd Edition, p 245-311.) And are difficult to structure, since metal selectively must be structured over the semiconductor.
  • a high conductivity is only a requirement for a gate material for a transistor.
  • requirements are easy structuring, temperature stability up to 1200 ° Celsius and resistance to depletion or depletion of the charge carriers at the interface when voltage is applied.
  • the structurability is particularly problematic in the case of metallic electrodes, since with dry etching structuring, it is then necessary to stop with high selectivity on a gate oxide layer which is only about 1 nm thin, without attacking or etching it away. in the In the case of a Schottky contact, it must be stopped on the semiconductor material and not on the gate oxide.
  • metal deposition processes sputtering, CVD, PECVD ..
  • this object is achieved by the method for depositing a conductive carbon material on a semiconductor for forming a Schottky contact and by the semiconductor contact device according to claim 18.
  • the idea on which the present invention is based essentially consists in depositing a highly conductive carbon layer from an organic gas in conformity with a semiconductor to form a Schottky contact, the Schottky contact providing a sufficiently high energy barrier.
  • the above-mentioned problem is solved in particular by providing a method for depositing a conductive carbon material on a semiconductor to form a Schottky contact, comprising the steps of: heating the interior of a process chamber to a predetermined temperature; Introducing the semiconductor into the process chamber; Evacuating the process chamber to a first predetermined pressure or below; Heating the interior of one: process chamber to a second predetermined temperature; Introducing a gas having at least carbon until a second predetermined pressure is reached which is higher than the first predetermined pressure; Deposition of the conductive carbon material on the semiconductor from the gas which has at least carbon, the deposited carbon material on the semiconductor forming the Schottky contact.
  • the deposited carbon material forms a Schottky diode on the semiconductor.
  • the deposited carbon material forms a Schottky gate of a MESFET transistor on the semiconductor.
  • the first predetermined pressure is below a Pa, preferably below an eighth Pa.
  • the second predetermined pressure is in a range between 10 and 1013 hPa, preferably between 300 and 700 hPa.
  • the predetermined temperature is between 400 ° C. and 1200 ° C., preferably 600 ° C. or 950 ° C.
  • methane is introduced into the process chamber as a gas which has at least carbon.
  • the gas is introduced into the process chamber so quickly that separation does not occur immediately at a predetermined pressure, but rather that the gas first heats up and the separation then begins.
  • the deposited, conductive carbon material is doped in a predetermined concentration by the addition of diborane or BC1 3 or nitrogen or phosphorus or arsenic or by an ion implantation.
  • An advantage of this preferred further education is that the conductivity and the work function of the carbon material can be set by doping the deposited, conductive carbon material.
  • a tempering step of the semiconductor preferably at the predetermined temperature, in particular in a hydrogen atmosphere with a pressure between 200 and 500 Pa, preferably 330 Pa, is carried out during a predetermined before the introduction of the gas, which has at least carbon Duration, preferably 5 minutes.
  • the conductive carbon material is annealed at 1000 ° C. to 1200 ° C., preferably 1050 ° C. for a period of 0.5 to 5 minutes, preferably 2 minutes.
  • the process is interrupted after a predetermined time and the deposited conductive carbon material layer is partially etched back in an etching step, preferably using a plasma, after which the deposition process is initiated again.
  • the interruption, the etching back and the reinitiation of the deposition of the conductive carbon material are repeated several times in a step process.
  • the conductive carbon material is deposited at a second predetermined pressure between 1 and 300 hPa in the presence of an activating photon source in the process chamber.
  • the deposition of the conductive carbon material is carried out in parallel in a batch process or in a parallel process with a large number of semiconductor wafers.
  • the deposition of the conductive carbon material in a batch process or in a parallel process with a large number of semiconductor wafers as silicon semiconductors is carried out in parallel for a period of 2 to 30 minutes, preferably 5 minutes carried out.
  • the duration of the deposition determines the thickness of the carbon layer. With a typical duration of 5 minutes, the carbon layer is about 100 nanometers thick.
  • the Schottky contact has a Schottky barrier of at least 0.8 eV with a p-doping of the silicon semiconductor of 10 17 / cm 3 .
  • Fig.l is a schematic side sectional view of a process chamber for explaining an embodiment of the present invention.
  • FIGS. 2a, b show a schematic cross-sectional view of a carbon material deposited over a semiconductor according to the present invention
  • FIG. 3 shows a cross-sectional view of a Schott ky diode according to the present invention
  • FIG. 4 shows a cross-sectional view of a Schott ky gate of a MESFET according to the present invention.
  • FIG. 1 shows a schematic side sectional view of a process chamber 10 to explain an embodiment of the present invention.
  • the process chamber 10 can be subjected to any pressure, for example, via a pump device (not shown). Any gases 12 can be introduced into the process chamber 10 via a feed line 11. Over a pump device (not shown). Any gases 12 can be introduced into the process chamber 10 via a feed line 11. Over a pump device (not shown). Any gases 12 can be introduced into the process chamber 10 via a feed line 11. Over a pump device (not shown). Any gases 12 can be introduced into the process chamber 10 via a feed line 11. Over a pump device (not shown). Any gases 12 can be introduced into the process chamber 10 via a feed line 11. Over a pump device (not shown). Any gases 12 can be introduced into the process chamber 10 via a feed line 11. Over a pump device (not shown). Any gases 12 can be introduced into the process chamber 10 via a feed line 11. Over a pump device (not shown). Any gases 12 can be introduced into the process chamber 10 via a feed line 11. Over a pump device (not shown). Any gases 12 can be introduced into the process chamber 10 via a feed line 11. Over a pump
  • Heating device 13 which preferably also has a photon source
  • the process chamber 10 can be set to any temperature, for example between 0 ° C. and 2000 ° C. 1, a plurality of silicon semiconductors 14 are arranged in the interior 10 of the process chamber, for example in the form of a plurality of semiconductor wafers.
  • a deposition process according to the invention for forming a Schottky contact 16 is described below with reference to FIG. 1 using an exemplary embodiment.
  • the process chamber 10, for example an oven is heated to a predetermined temperature, preferably 950 ° C., and subjected to a first predetermined pressure of preferably below one eighth Pa, after at least one semiconductor wafer 14, which is preferably initially room temperature (20 ° C) has been introduced into the interior 10 of the process chamber 10.
  • a tempering step at 950 ° C. and a predetermined duration of, for example, 5 minutes with the addition of hydrogen via the feed line 11, so that a pressure of approximately 330 Pa is present in the process chamber 10.
  • the process chamber 10 is then filled with a gas 12, which has at least carbon, preferably methane (CH4), under a second predetermined pressure in a range between 300 and 800 hPa.
  • the pyrolysis or decomposition of the gas 12 does not begin immediately, but preferably takes about one minute until the gas 12 and the surface of the silicon semiconductor 14 are heated to such an extent that the decomposition of the gas 12 on the surface of the silicon -Semiconductor 14 uses.
  • FIGS. 2a and 2b show a schematic cross-sectional view of a carbon material 17 deposited over a silicon semiconductor 14 to form a Schottky contact 16 according to the present invention.
  • a conductive carbon material 17 is deposited over the semiconductor substrate 14 with reference to FIG. 1 a method explained by way of example in FIG. 2a.
  • a mask 15 is selectively ex. a photoresist or applied over the carbon material 17.
  • a following structuring procedure e.g. a lithography forms the structure of the those of carbon material 17 according to FIG. 2b.
  • the Schottky contact 16 between the deposited carbon material 17 and the semiconductor 14 is defined and determined by the transition of these two layers.
  • FIG 3 shows a cross-sectional view of a preferred embodiment of a Schottky diode according to the present invention.
  • An n-doped semiconductor 14 ⁇ is applied over an n + -doped semiconductor 14.
  • a recess in a structured insulating layer 20 is provided above the n-doped semiconductor 14 ⁇ .
  • the conductive carbon material 17 is deposited in the recess of the structured insulating layer 20 by means of a plurality of carbon material layers 1 ⁇ .
  • the Schottky diode shown in FIG. 3 is only an example both in the choice of the doping of the silicon semiconductors 14 (or 14 ⁇ , 14 , ) and in the choice of the structure.
  • the carbon material 17 substitutes the metal layer of each of known Schottky diode (see SZE "Physics of Semiconductor", 2 nd Edition, p. 245-311).
  • FIG. 4 shows a cross-sectional view of a preferred embodiment of a Schottky gate of a MESFET according to the present invention.
  • the MESFET 21 has a semiconductor layer 14 over an insulating layer 20, preferably silicon oxide. Over the semiconductor layer 14, another insulating layer 20 is structured with three recesses are provided, whereby in the two outer structured recesses each having a n + - doped semiconductor layer 1 ⁇ for forming the drain and source of the MESFET be deposited. In the third middle recess of the structured insulating layer 20, the carbon material 17 is deposited with reference to FIG. 2.
  • a Schottky contact 16 is formed between the carbon material layer 17 and the semiconductor 14.
  • the choice of the doping of the semiconductor materials (14, 14 14 , ⁇ ) and the choice of the structure of the MESFET are only exemplary according to FIG. 4.
  • a semiconductor substrate can be a solid consisting of the following materials: silicon; silicon carbide; Diamond; germanium; - At least one of the III-V semiconductors BN, BP, BAs, A1N, AIP, AlAs, AlSb, GaN, GaP, GaAs, GaSb, InN, InP, InAs, InSb; at least one of the II-VI semiconductors ZnO, ZnS, ZnSe, ZnTe, CdS, CdSe, CdTe, HgS, HgSe, HgTe, BeS, BeSe, BeTe, MgS, MgSe; at least one of the compounds GeS, GeSe, GeTe, SnS, SnSe, SnTe, PbO, PbS, PbSe, PbTe, at least one of the compounds CuF, CuCl, CuBr, CuI, AgF, AgCl, AgBr, AgI; - Or consist of
  • the semiconductor can be p-doped or n-doped.
  • the present invention has been described above on the basis of preferred exemplary embodiments, it is not restricted thereto, but rather can be modified in a variety of ways. The method can therefore also be applied to other substrates or carrier materials, apart from semiconductor substrates.

Landscapes

  • Electrodes Of Semiconductors (AREA)
  • Junction Field-Effect Transistors (AREA)

Abstract

Die vorliegende Erfindung stellt ein Verfahren zur Abscheidung eines leitfähigen Kohlenstoffmaterials (17) auf einem Halbleiter (14) zur Ausbildung eines Schottky-Kontaktes (16) mit den Schritten bereit: Einbringen des Halbleiters (14) in die Prozesskammer (10); Erhitzen des Innenraums (10') einer Prozesskammer (10) auf eine vorbestimmte Temperatur; Evakuieren der Prozesskammer (10) auf einen ersten vorbestimmten Druck oder darunter; Erhitzen des Innenraums (10') einer Prozesskammer (10) auf eine zweite vorbestimmte Temperatur; Einleiten eines Gases (12), welches zumindest Kohlenstoff aufweist, bis ein zweiter vorbestimmter Druck erreicht ist, welcher höher als der erste vorbestimmte Druck ist; und Abscheiden des leitfähigen Kohlenstoffmaterials (17) auf dem Halbleiters (14) aus dem Gas (12), welches zumindest Kohlenstoff aufweist, wobei das abgeschiedene Kohlenstoffmaterial (17) auf dem Halbleiter (14) den Schottky-Kontakt (16) ausbildet.

Description

Beschreibung
Verfahren zur Abscheidung eines leitfähigen Kohlenstoffmaterials auf einem Halbleiter zur Ausbildung eines Schottky- Kontaktes und Halbleiterkontaktvorrichtung
Die vorliegende Erfindung betrifft ein Verfahren zur Abscheidung eines leitfähigen Kohlenstoffmaterials auf einem Halbleiter zur Ausbildung eines Schottky-Kontaktes und einer Halbleiterkontaktvorrichtung.
Für eine Vielzahl von Bauelementen, beispielsweise Dioden oder Transistoren, die auf einem Schottky-Kontakt beruhen, ist es von außerordentlicher Bedeutung, reproduzierbare Schottky-Barrieren einer ausreichenden Barrieren-Höhe zu erzeugen. Nach dem Stand der Technik wird Metall, zum Beispiel Molybdän, selektiv über dem Halbleiter zur Ausbildung eines Schottky-Kontaktes abgeschieden. Bisher verwendete Materialien weisen z.B. bei Silizium-Halbleitern Energie-Barrieren von 0,55 - 0,85 eV (vergleiche SZE "Physics of Semiconductor", 2nd Edition, p. 245-311) auf und sind schwer zu strukturieren, da Metall selektiv über dem Halbleiter strukturiert werden muss. Metallisierungsprozesse und deren Strukturierung, insbesondere der Einsatz von Schwermetallen, entspre- chen nicht den Ansprüchen einer sauberen Umwelt und einer Ressourcen schonenden Prozessierung.
Eine hohe Leitfähigkeit ist nur eine Vorgabe eines Gate- Materials für einen Transistor. Des Weiteren sind Vorgaben eine leichte Strukturierbarkeit, eine Temperaturstabilität bis zu 1200° Celsius und eine Resistivität gegen eine Abrei- cherung bzw. Depletion der Ladungsträger an der Grenzfläche bei angelegter Spannung. Problematisch bei metallischen E- lektroden ist insbesondere die Strukturierbarkeit, da bei der trockenätztechnischen Strukturierung dann mit hoher Selektivität auf einer nur ca. 1 nm dünnen Gate-Oxidschicht gestoppt werden muss, ohne diese anzugreifen oder auch wegzuätzen. Im Falle eines Schottky-Kontaktes muß auf dem Halbleitermaterial und nicht auf dem Gateoxid gestoppt werden. Darüber hinaus sind Abscheidungsprozesse von Metallen (Sputtern, CVD, PECVD.. ) kostenintensive Einzel-Wafer-Prozesse .
Es ist deshalb Aufgabe der Erfindung, ein Verfahren zur Abscheidung eines leitfähigen Kohlenstoffmaterials auf einem Halbleiter zur Ausbildung eines Schottky-Kontaktes und eine Halbleiterkontaktvorrichtung bereitzustellen, durch welches ein niedriger spezifischer Widerstand, eine hohe Energie- Barriere des Schottky-Kontaktes, hohe Temperaturbeständigkeit, eine umweltfreundlichen Abscheidungs- und Strukturie- rungsmethode und eine Realisierung in einem Parallel-Prozess ermöglicht wird.
Erfindungsgemäß wird diese Aufgabe durch das im Anspruch 1 angegebene Verfahren zur Abscheidung eines leitfähigen Koh- lenstoffmaterials auf einem Halbleiter zur Ausbildung eines Schottky-Kontaktes und durch die Halbleiterkontaktvorrichtung nach Anspruch 18 gelöst.
Die der vorliegenden Erfindung zugrundeliegende Idee besteht im Wesentlichen darin, eine hochleitfähige KohlenstoffSchicht aus einem organischen Gas konform über einem Halbleiter zur Ausbildung eines Schottky-Kontaktes abzuscheiden, wobei der Schottky-Kontakt eine ausreichend hohe Energie-Barriere bereitstellt .
In der vorliegenden Erfindung wird das eingangs erwähnte Problem insbesondere dadurch gelöst, dass ein Verfahren zur Abscheidung eines leitfähigen Kohlenstoffmaterials auf einem Halbleiter zur Ausbildung eines Schottky-Kontaktes mit den Schritten bereitgestellt wird: Erhitzen des Innenraums einer Prozesskammer auf eine vorbestimmte Temperatur; Einbringen des Halbleiters in die Prozesskammer; Evakuieren der Prozesskammer auf einen ersten vorbestimmten Druck oder darunter; Erhitzen des Innenraums einer: Prozesskammer auf eine zweite vorbestimmte Temperatur; Einleiten eines Gases, welches zumindest Kohlenstoff aufweist, bis ein zweiter vorbestimmter Druck erreicht ist, welcher höher als der erste vorbestimmte Druck ist; Abscheiden des leitfähigen Kohlenstoffmaterials auf dem Halbleiter aus dem Gas, welches zumindest Kohlenstoff aufweist, wobei das abgeschiedene Kohlenstoffmaterial auf dem Halbleiter den Schottky-Kontakt ausbildet.
In den Unteransprüchen finden sich vorteilhafte Weiterbildun- gen und Ausgestaltungen des jeweiligen Erfindungsgegenstandes .
Gemäß einer bevorzugten Weiterbildung bildet das abgeschiedene Kohlenstoffmaterial auf dem Halbleiter eine Schottky-Diode aus.
Gemäß einer weiteren bevorzugten Weiterbildung bildet das abgeschiedene Kohlenstoffmaterial auf dem Halbleiter ein Schottky-Gate eines MESFET-Transistors aus.
Gemäß einer weiteren bevorzugten Weiterbildung liegt der erste vorbestimmte Druck unter einem Pa, vorzugsweise unter einem Achtel Pa .
Gemäß einer weiteren bevorzugten Weiterbildung liegt der zweite vorbestimmte Druck in einem Bereich zwischen 10 und 1013 hPa, vorzugsweise zwischen 300 und 700 hPa .
Gemäß einer weiteren bevorzugten Weiterbildung liegt die vor- bestimmte Temperatur zwischen 400° C und 1200° C, vorzugsweise bei 600° C oder bei 950° C.
Gemäß einer weiteren bevorzugten Weiterbildung wird als Gas, welches zumindest Kohlenstoff aufweist, Methan in die Pro- zesskammer eingeleitet. Gemäß einer weiteren bevorzugten Weiterbildung wird das Gas so schnell in die Prozesskammer eingeleitet, dass es bei einem vorgegebenen Druck nicht sofort zu einer Abscheidung kommt, sondern dass das Gas sich erst erwärmt und daraufhin die Abscheidung einsetzt.
Gemäß einer weiteren bevorzugten Weiterbildung wird das abgeschiedene, leitfähige Kohlenstoffmaterial durch die Zugabe von Diboran oder BC13 oder Stickstoff oder Phosphor oder Ar- sen oder durch eine Ionen-Implantation in einer vorbestimmten Konzentration dotiert.
Ein Vorteil dieser bevorzugten Weiterbiidung ist, dass durch die Dotierung des abgeschiedenen, leitfähigen Kohlenstoffma- terials die Leitfähigkeit und die Austrittsarbeit des Kohlenstoffmaterials einstellbar sind.
Gemäß einer weiteren bevorzugten Weiterbildung wird vor dem Einleiten des Gases, welches zumindest Kohlenstoff aufweist, ein Temperschritt des Halbleiters, vorzugsweise bei der vorbestimmten Temperatur, insbesondere in einer Wasserstoff- Atmosphäre mit einem Druck zwischen 200 und 500 Pa, vorzugsweise 330 Pa, während einer vorbestimmten Dauer, vorzugsweise 5 Minuten, durchgeführt.
Gemäß einer weiteren bevorzugten Weiterbildung wird nach dem Abscheiden des leitfähigen Kohlenstoffmaterials dieses bei 1000° C bis 1200° C, vorzugsweise 1050° C für eine Zeitdauer von 0,5 bis 5 Minuten, vorzugsweise 2 Minuten, getempert.
Gemäß einer weiteren bevorzugten Weiterbildung wird bei Abscheidung des leitfähigen Kohlenstoffmaterials der Vorgang nach einer vorbestimmten Zeit unterbrochen und die abgeschiedene leitfähige Kohlenstoffmaterialschicht in einem Ätz- schritt, vorzugsweise mit einem Plasma, teilweise rückgeätzt, wonach der Abscheidungsvorgang wieder initiiert wird. Gemäß einer weiteren bevorzugten Weiterbildung werden die Unterbrechung, die Rückätzung und die Reinitiierung der Abscheidung des leitfähigen Kohlenstoffmaterials mehrfach in einem Stufenprozess wiederholt.
Gemäß einer weiteren bevorzugten Weiterbildung erfolgt die Abscheidung des leitfähigen Kohlenstoffmaterials bei einem zweiten vorbestimmten Druck zwischen 1 und 300 hPa unter Anwesenheit einer aktivierenden Photonen-Quelle in der Prozess- kammer.
Gemäß einer weiteren bevorzugten Weiterbildung wird die Abscheidung des leitfähigen Kohlenstoffmaterials in einem Batch-Prozess bzw. in einem Parallel-Prozess mit einer Viel- zahl von Halbleiter-Wafern parallel durchgeführt.
Gemäß einer weiteren bevorzugten Weiterbildung wird die Abscheidung des leitfähigen Kohlenstoffmaterials in einem Batch-Prozess bzw. in einem Parallel-Prozess mit einer Viel- zahl von Halbleiter-Wafern als Silizium-Halbleiter für eine Zeitdauer von 2 bis 30 Minuten, vorzugsweise 5 Minuten, parallel durchgeführt. Die Dauer der Abscheidung bestimmt dabei die Dicke der KohlenstoffSchicht . Bei einer typischen Dauer von 5 Minuten ist die KohlenstoffSchicht etwa 100 Nanometer dick.
Gemäß einer weiteren bevorzugten Weiterbildung weist der Schottky-Kontakt bei einer p-Dotierung des Silizium- Halbleiters von 1017/cm3 eine Schottky-Barriere von wenigstens 0, 8 eV auf.
Ausführungsbeispiele der Erfindung sind in den Zeichnungen dargestellt und in der nachfolgenden Beschreibung näher erläutert .
Es zeigen: Fig.l eine schematische Seitenschnittansicht einer Prozesskammer zur Erläuterung einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung;
Fig.2a, b eine schematische Querschnittsansicht eines über einem Halbleiter abgeschiedenen Kohlenstoffmaterials nach der vorliegenden Erfindung;
Fig.3 eine Querschnittsansicht einer Schott ky-Diode nach der vorliegenden Erfindung;
Fig.4 eine Querschnittsansicht eines Schott ky-Gates eines MESFET nach der vorliegenden Erfindung.
In den Figuren bezeichnen gleiche Bezugszeichen gleiche oder funktionsgleiche Bestandteile.
Obwohl die vorliegende Erfindung nachfolgend mit Bezug auf Halbleiter-Strukturen bzw. Halbleiter-Herstellungsprozesse beschrieben wird, ist sie darauf nicht beschränkt, sondern auf vielfältige Weise einsetzbar.
Fig. 1 zeigt eine schematische Seitenschnittans cht einer Prozesskammer 10 zur Erläuterung einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung.
Die Prozesskammer 10 ist beispielsweise über eine Pump- Einrichtung (nicht gezeigt) mit einem beliebigen Druck beaufschlagbar. Über eine Zuleitung 11 können beliebige Gase 12 in die Prozesskammer 10 eingebracht werden. Über eine
Heizeinrichtung 13, welche vorzugsweise auch eine Photonen- Quelle aufweist, ist die Prozesskammer 10 beliebig, zum Beispiel zwischen 0° C und 2000° C temperierbar. Gemäß Fig. 1 sind mehrere Silizium-Halbleiter 14 beispielsweise in Form von mehreren Halbleiter-Wafern in dem Innenraum 10 der Prozesskammer angeordnet. Nachfolgend wird anhand eines exemplarischen Ausführungsbeispiels ein erfindungsgemäßer Abscheidungsprozess zur Ausbildung eines Schottky-Kontaktes 16 mit Bezug auf Fig. 1 beschrieben. Zunächst wird die Prozesskammer 10, beispielsweise ein Ofen, auf eine vorbestimmte Temperatur, vorzugsweise 950° C, aufgeheizt und mit einem ersten vorbestimmten Druck von vorzugsweise unter einem Achtel Pa beaufschlagt, nachdem zumindest ein Halbleiter-Wafer 14, welcher vorzugsweise zunächst Raumtemperatur (20° C) aufweist, in den Innenraum 10 der Prozesskammer 10 eingebracht wurde.
Daraufhin erfolgt vorzugsweise ein Temperschritt bei 950° C und einer vorbestimmten Dauer von beispielsweise 5 Minuten unter Zugabe von Wasserstoff über die Zuleitung 11, sodass ein Druck von etwa 330 Pa in der Prozesskammer 10 vorliegt. Dann wird die Prozesskammer 10 mit einem Gas 12, welches zumindest Kohlenstoff aufweist, vorzugsweise Methan (CH4), unter einem zweiten vorbestimmten Druck in einen Bereich zwischen 300 und 800 hPa gefüllt. Die Pyrolyse bzw. Zersetzung des Gases 12 setzt dabei nicht sofort ein, sondern nimmt vorzugsweise etwa eine Minute in Anspruch, bis das Gas 12 und die Oberfläche des Silizium-Halbleiters 14 soweit erwärmt sind, dass die Zersetzung des Gases 12 an der Oberfläche des Silizium-Halbleiters 14 einsetzt.
Fig. 2a und Fig. 2b zeigen eine schematische Que schnittsan- sicht eines über einem Silizium-Halbleiter 14 abgeschiedenen Kohlenstoffmaterials 17 zur Ausbildung eines Schottky- Kontaktes 16 nach der vorliegenden Erfindung.
Über dem Halbleiter-Substrat 14 wird mit Bezug auf Fig. 1 exemplarisch erläuterten Verfahren gemäß Fig. 2a ein leitfähiges Kohlenstoffmaterial 17 abgeschieden. Um das abgeschiedene Kohlenstoffmaterial 17 zu strukturieren, wird selektiv eine Maske 15 bsp. ein Photolack bzw. über dem Kohlenstoffmaterial 17 aufgebracht. Ein folgendes Strukturierungsverfah- ren bsp. eine Lithografie bildet die Struktur des abgeschie- denen Kohlenstoffmaterials 17 nach Fig 2b aus. Zwischen dem abgeschiedenen Kohlenstoffmaterial 17 und dem Halbleiter 14 ist der Schottky-Kontakt 16 durch den Übergang dieser beider Schichten definiert und bestimmt.
Fig. 3 zeigt eine Querschnittsansicht einer bevorzugten Ausführungsform einer Schottky-Diode nach der vorliegenden Erfindung.
Über einem n+-dotierten Halbleiter 14 ist ein n-dotierter Halbleiter 14 Λ aufgebracht. Über dem n-dotierten, Halbleiter 14 Λ ist eine Ausnehmung in einer strukturierten Isolierschicht 20 vorgesehen. Mit Bezug auf Fig. 2a, b ist in der Ausnehmung der strukturierten Isolierschicht 20 das leitfähi- ge Kohlenstoffmaterial 17 mittels mehrerer Kohlenstof materi- alsschichten 1 ^ abgeschieden.
Die in Fig. 3 dargestellte Schottky-Diode ist sowohl in der Wahl der Dotierung der Silizium-Halbleiter 14 (bzw. 14 λ, 14, ) als auch in der Wahl des Strukturaufbaus nur beispielhaft.
Das Kohlenstoffmaterial 17 substituiert die Metallschicht einer jeden bekannten Schottky-Diode (vergleiche SZE "Physics of Semiconductor", 2nd Edition, p. 245-311).
In Fig. 4 ist eine Querschnittsansicht einer bevorzugten Ausführungsform eines Schottky-Gates eines MESFETs nach der vorliegenden Erfindung dargestellt.
Der MESFET 21 weist über einer Isolierschicht 20, vorzugsweise Siliziumoxyd, eine Halbleiterschicht 14 auf. Über der Halbleiterschicht 14 ist eine weitere Isolierschicht 20 mit drei strukturierten Ausnehmungen vorgesehen, wobei in den zwei äußeren strukturierten Ausnehmungen jeweils eine n+- dotierte Halbleiterschicht 1 λ zur Ausbildung der Drain und der Source des MESFET abgeschieden werden. In der dritten mittleren Ausnehmung der strukturierten Isolierschicht 20 wird mit Bezug auf Fig. 2 das Kohlenstof material 17 abgeschieden .
Zwischen der Kohlenstoffmaterialschicht 17 und dem Halbleiter 14 ist ein Schottky-Kontakt 16 ausgebildet.
Wie in Fig. 3 ist auch nach Fig. 4 die Wahl der Dotierungen der Halbleitermaterialien (14, 14 14, λ) sowie die Wahl der Strukturaufbaus des MESFET nur beispielhaft.
Das Schottky-Gate 19, ausgebildet durch Kohlenstoffmaterialschichten 17 bzw. Kohlenstoffmaterial 17, substituiert jeweils das metallische Gate eines jeden bekannten MESFET- Transistors (vgl. T.J. Thornton "Physics and Applications of the Schottky Junction Transistor", IEEE Transactions on E- lectron Devices, Vol. 48, No . 10, October 2001, p. 2421)
Ein Halbleitersubstrat kann dabei ein Festkörper bestehend aus folgenden Materialien sein: Silizium; Siliziumkarbid; Diamant; Germanium; - zumindest einen der III-V-Halbleiter BN, BP, BAs, A1N , AIP, AlAs, AlSb, GaN, GaP, GaAs, GaSb, InN, InP, InAs , InSb; zumindest einen der II-VI-Halbleiter ZnO, ZnS, ZnSe, ZnTe, CdS, CdSe, CdTe, HgS, HgSe, HgTe, BeS, BeSe, BeTe, MgS, MgSe; zumindest eine der Verbindungen GeS, GeSe, GeTe, SnS, SnSe, SnTe, PbO, PbS, PbSe, PbTe, zumindest eine der Verbindungen CuF, CuCl, CuBr,CuI, AgF, AgCl, AgBr, AgI; - oder aus einer Kombiation dieser Materialien bestehen . Der Halbleiter kann p-dotiert oder n-dotiert sein. Obwohl die vorliegende Erfindung vorstehend anhand bevorzugter Ausführungsbeispiele beschrieben wurde, ist sie darauf nicht beschränkt, sondern auf vielfältige Weise modifizierbar. So ist das Verfahren auch auf andere Substrate bzw. Trä- germaterialien, außer Halbleiter-Substrate, anwendbar.
Bezugs zeichenliste
10 Prozesskammer 10 Λ Innenraum der Prozesskammer 11 Zuleitung in Prozesskammer 12 gasförmiges Medium 13 Heizeinrichtung, vorzugsweise mit Photonen-Quelle 14 Halbleiter, bsp. Silizium-Halbleiter 14 Λ n-dotierter Halbleiter 14 Λ n+-dotierter Halbleiter 15 Maske, bsp. Photolack 16 Schottky-Kontakt 17 Kohlenstoffmaterial 17 λ Kohlenstoffmaterialschicht 18 Schottky-Diode 19 Schottky-Gate eines MESFET (Metall-Semiconductorr FET, Metall-Halbleiter Feldeffekttransistor) 20 Siliziumoxid, Si02 21 MESFET 22 Source des MESFET 23 Drain des MESFET

Claims

Patentansprüche
1. Verfahren zur Abscheidung eines leitfähigen Kohlenstoff a- terials (17) auf einem Halbleiter (14) zur Ausbildung ei- nes Schottky-Kontaktes (16) mit den Schritten:
(a) Einbringen des Halbleiters (14) in die Prozesskammer
(b) Erhitzen des Innenraums (10') einer Prozesskammer (10) auf eine vorbestimmte Temperatur; (10);
(c) Evakuieren der Prozesskammer (10) auf einen ersten vorbestimmten Druck oder darunter; (d) Erhitzen des Innenraums (10') einer Prozesskammer (10) auf eine zweite vorbestimmte Temperatur;
(e) Einleiten eines Gases (12), welches zumindest Kohlenstoff aufweist, bis ein zweiter vorbestimmter Druck er- reicht ist, welcher höher als der erste vorbestimmte Druck ist; und
(f) Abscheiden des leitfähigen Kohlenstoffmaterials (17) auf dem Halbleiter (14) aus dem Gas (12), welches zumin- dest Kohlenstoff aufweist, wobei das abgeschiedene Kohlenstoffmaterial (17) auf dem Halbleiter (14) den Schott ky- Kontakt (16) ausbildet.
2. Verfahren nach Anspruch 1, d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t , dass der Halbleiter (14) aus einem der folgenden Materia- len ist: aus Silizium; aus Siliziumkarbid; aus Diamant; aus Germanium; aus zumindest einen der III-V-Halbleiter BN, BP, BAs, A1N, AIP, AlAs, AlSb, GaN, GaP, GaAs, GaSb, InN, InP, InAs, InSb; aus zumindest einen der II-VI-Halbleiter ZnO, ZnS, ZnSe, ZnTe, CdS, CdSe, CdTe, HgS, HgSe, HgTe, BeS, BeSe, BeTe, MgS, MgSe; aus zumindest eine der Verbindungen GeS, GeSe, GeTe, SnS, SnSe, SnTe, PbO, PbS, PbSe, PbTe ; aus zumindest eine der Verbindungen CuF, CuCl, CuBr,CuI, AgF, AgCl, AgBr, AgI; oder aus einer Kombiation aus diesen Materialien.
Verfahren nach Anspruch 1, d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t , dass der Halbleiter (14) p-dotiert oder n-dotiert ist.
Verfahren nach Anspruch 1, d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t , dass das abgeschiedene Kohlenstoffmaterial (17) auf dem Halbleiter (14) eine Schottky-Diode (18) ausbildet.
5. Verfahren nach Anspruch 1, d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t , dass das abgeschiedene Kohlenstoffmaterial (17) auf dem Halbleiter (14) ein Schottky-Gate (19) eines MESFET- Transistors ausbildet.
6. Verfahren nach einem der vorangehenden Ansprüche, d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t , dass der erste vorbestimmte Druck unter einem Pa, Vorzugs— weise unter einem Achtel Pa, liegt.
7. Verfahren nach einem der vorangehenden Ansprüche, d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t , dass der zweite vorbestimmte Druck im Bereich zwischen 10 und 1013 hPa, vorzugsweise zwischen 300 und 700 hPaΛ liegt .
8. Verfahren nach einem der vorangehenden Ansprüche, d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t , dass die vorbestimmte Temperatur zwischen 400 °C und 1200°C, vorzugsweise bei 600°C oder 950°C, liegt.
9. Verfahren nach einem der vorangehenden Ansprüche, d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t , dass als Gas (12), welches zumindest Kohlenstoff aufweist, Methan in die Prozesskammer (10) eingeleitet wird.
10. Verfahren nach einem der vorangehenden Ansprüche, d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t , dass das Gas (12) so schnell in die Prozesskammer (10) eingeleitet wird, dass es bei einem vorgegeben Druck nicht sofort zu einer Abscheidung kommt, sondern dass das Gas sich erst erwärmt und daraufhin die Abscheidung einsetzt.
11. Verfahren nach einem der vorangehenden Ansprüche, d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t , dass das abgeschiedene, leitfähige Kohlenstoffmaterial (17) durch die Zugabe von Diboran oder BC13 oder Stickstoff oder Phosphor oder Arsen oder durch eine Ionen- Implantation in einer vorbestimmten Konzentration dotiert wird.
12. Verfahren nach einem der vorangehenden Ansprüche, d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t , dass vor dem Einleiten des Gases (12) , welches zumindest Kohlenstoff aufweist, ein Temperschritt des Silizium- Halbleiters (14), vorzugsweise bei der vorbestimmten Temperatur, insbesondere in einer Wasserstoff-Atmosphäre mit einem Druck zwischen 200 und 500 Pa, vorzugsweise 330 Pa, während einer vorbestimmten Dauer, vorzugsweise 5 min, durchgeführt wird.
13. Verfahren nach einem der vorangehenden Ansprüche, d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t , dass nach dem Abscheiden des leitfähigen Kohlenstoffmaterials (17), dieses bei 1000°C bis 1200°C, vorzugsweise 1050°C, für eine Zeitdauer von 0,5 bis 5 Minuten, vorzugsweise 2 Minuten, getempert wird.
14. Verfahren nach einem der vorangehenden Ansprüche, d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t , dass bei Abscheidung des leitfähigen Kohlenstoffmaterials (17) der Vorgang nach einer vorbestimmten Zeit unterbro- chen wird und die abgeschiedene leitfähige Kohlenstoffmaterialschicht (17λ) in einem Ätzschritt, vorzugsweise mit einem Plasma, teilweise rückgeätzt wird, wonach der Ab- scheidungsvorgang wieder initiiert wird.
15. Verfahren nach einem der vorangehenden Ansprüche, d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t , dass die Unterbrechung, die Rückätzung und die Re- Initiierung der Abscheidung des leitfähigen Kohlenstoffmaterials (17) mehrfach in einem Stufenprozess wiederholt wer- den.
16. Verfahren nach einem der vorangehenden Ansprüche, d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t , dass die Abscheidung des leitfähigen Kohlenstoffmaterials (17) bei einem zweiten vorbestimmten Druck zwischen 1 und 300 hPa unter Anwesenheit einer aktivierenden Photonen- Quelle (13) in der Prozesskammer (10) erfolgt.
17. Verfahren nach einem der vorangehenden Ansprüche, d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t , dass die Abscheidung des leitfähigen Kohlenstoffmaterials (17) in einem Batch-Prozess mit einer Vielzahl von Halbleiter-Wafern (14) parallel durchgeführt wird.
18. Verfahren nach einem der vorangehenden Ansprüche, d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t , dass die Abscheidung des leitfähigen Kohlenstoffmaterials (17) in einem Batch-Prozess mit einer Vielzahl von Halbleiter-Wafern (14) für eine Zeitdauer von 2 bis 30 Minu- ten, vorzugsweise 5 Minuten, parallel durchgeführt wird.
19. Verfahren nach einem der vorangehenden Ansprüche, d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t , dass der Schottky-Kontakt (16) bei einer p-Dotierung des Halbleiters (14) eine Schottky-Barriere von wenigstens 0,8 eV aufweist.
20. Verfahren nach einem der vorangehenden Ansprüche, d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t , die Kohlenstoffschicht (17) mit einem Wasserstoff-, Sauerstoff- oder Luftplasmas und einem Fotolack strukturiert wird.
21. Halbleiterkontaktvorrichtung mit :
(a) einem Halbleiter (14); und
(b) einem leitfähigen Schottky-Kontakt (16) aus einem abgeschiedenen Kohlenstoffmaterial (17) über dem Halbleiter (14) .
22. Halbleiterkontaktvorrichtung nach Anspruch 17, d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t , dass das abgeschiedene Kohlenstoffmaterial (17) über dem Halbleiter (14) eine Schottky-Diode (18) ausbildet.
23. Halbleiterkontaktvorrichtung nach Anspruch 17, d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t , dass das abgeschiedene Kohlenstoffmaterial (17) über dem Halbleiter (14) ein Schottky-Gate (19) eines MESFET- Transistors ausbildet.
24. Halbleiterkontaktvorrichtung nach einem der Ansprüche 17 bis 19, d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t , dass das Kohlenstoffmaterial (17) Bor, Stickstoff, Phtos- phor oder Arsen durch die Zugabe von Diboran oder BC13 o- der Stickstoff oder Phosphin oder Arsin während des Pro- zesses oder einer Ionen-Implantation nach dem Prozess in einer vorbestimmten Konzentration als Dotierung aufweist.
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Families Citing this family (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8216639B2 (en) * 2005-12-16 2012-07-10 Qimonda Ag Methods for elimination or reduction of oxide and/or soot deposition in carbon containing layers
US8030637B2 (en) 2006-08-25 2011-10-04 Qimonda Ag Memory element using reversible switching between SP2 and SP3 hybridized carbon
US20080102278A1 (en) 2006-10-27 2008-05-01 Franz Kreupl Carbon filament memory and method for fabrication
US7915603B2 (en) 2006-10-27 2011-03-29 Qimonda Ag Modifiable gate stack memory element
JP4362635B2 (ja) * 2007-02-02 2009-11-11 ローム株式会社 ＺｎＯ系半導体素子
US20080296674A1 (en) * 2007-05-30 2008-12-04 Qimonda Ag Transistor, integrated circuit and method of forming an integrated circuit
US7935634B2 (en) 2007-08-16 2011-05-03 Qimonda Ag Integrated circuits, micromechanical devices, and method of making same
US7768016B2 (en) 2008-02-11 2010-08-03 Qimonda Ag Carbon diode array for resistivity changing memories
US8912654B2 (en) * 2008-04-11 2014-12-16 Qimonda Ag Semiconductor chip with integrated via
US8624293B2 (en) * 2009-12-16 2014-01-07 Sandisk 3D Llc Carbon/tunneling-barrier/carbon diode
CN101866860B (zh) * 2010-05-26 2012-05-23 上海大学 一种ZnO薄膜场效应晶体管的制备方法
US8557654B2 (en) 2010-12-13 2013-10-15 Sandisk 3D Llc Punch-through diode

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH03105974A (ja) * 1989-09-19 1991-05-02 Kobe Steel Ltd 多結晶ダイヤ薄膜合成によるシヨツトキー・ダイオードの製作法
US5211796A (en) * 1990-01-08 1993-05-18 Lst Logic Corporation Apparatus for performing in-situ etch of CVD chamber
JP2961812B2 (ja) * 1990-05-17 1999-10-12 住友電気工業株式会社 半導体装置
JPH05891A (ja) * 1991-06-21 1993-01-08 Canon Inc ダイヤモンド−金属接合体
JP3174135B2 (ja) * 1992-05-07 2001-06-11 シャープ株式会社 化合物半導体装置
US5294814A (en) * 1992-06-09 1994-03-15 Kobe Steel Usa Vertical diamond field effect transistor
EP0714136A1 (de) * 1994-11-09 1996-05-29 Research Development Corporation Of Japan Heteroübergangs- oder Schottky- Sperrschichthalbleiterbauelement und Solarzelle
DE19514081A1 (de) * 1995-04-13 1996-10-17 Siemens Ag Verfahren zum Herstellen eines elektrischen Kontakts auf einer SiC-Oberfläche

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
See references of WO2005081296A1 *

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US20070010094A1 (en) 2007-01-11

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