EP1664239A2 - Weiss emittierende led mit definierter farbtemperatur - Google Patents

Weiss emittierende led mit definierter farbtemperatur

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EP1664239A2
EP1664239A2 EP04786854A EP04786854A EP1664239A2 EP 1664239 A2 EP1664239 A2 EP 1664239A2 EP 04786854 A EP04786854 A EP 04786854A EP 04786854 A EP04786854 A EP 04786854A EP 1664239 A2 EP1664239 A2 EP 1664239A2
Authority
EP
European Patent Office
Prior art keywords
led
led according
phosphor
mol
emission
Prior art date
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EP04786854A
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English (en)
French (fr)
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EP1664239B1 (de
Inventor
Herbert Brunner
Tim Fiedler
Frank Jermann
Jörg Strauss
Martin Zachau
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Osram GmbH
Ams Osram International GmbH
Original Assignee
Osram Opto Semiconductors GmbH
Patent Treuhand Gesellschaft fuer Elektrische Gluehlampen mbH
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Publication date
Application filed by Osram Opto Semiconductors GmbH, Patent Treuhand Gesellschaft fuer Elektrische Gluehlampen mbH filed Critical Osram Opto Semiconductors GmbH
Publication of EP1664239A2 publication Critical patent/EP1664239A2/de
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Publication of EP1664239B1 publication Critical patent/EP1664239B1/de
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Expired - Lifetime legal-status Critical Current

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    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K11/00—Luminescent materials, e.g. electroluminescent or chemiluminescent
    • C09K11/08—Luminescent materials, e.g. electroluminescent or chemiluminescent containing inorganic luminescent materials
    • C09K11/77—Luminescent materials, e.g. electroluminescent or chemiluminescent containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals
    • C09K11/7728—Luminescent materials, e.g. electroluminescent or chemiluminescent containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals containing europium
    • C09K11/77347—Silicon Nitrides or Silicon Oxynitrides
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/851—Dispositions of multiple connectors or interconnections
    • H10W72/874—On different surfaces
    • H10W72/884—Die-attach connectors and bond wires
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W90/00—Package configurations
    • H10W90/701—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
    • H10W90/751—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires
    • H10W90/756—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires between a chip and a stacked lead frame, conducting package substrate or heat sink

Definitions

  • This registration is closely related to the following registrations:
  • the invention is based on an LED with a defined, in particular low, color temperature. This means a color temperature in the range of 2300 to 7000 K.
  • RGB LEDs based on luminescence conversion LEDs with sulfide and thiogallate phosphors, see for example WO 01/24229.
  • the luminescent substance proposed there does not meet the requirements with regard to long-term stability and efficiency when using high-performance chips that reach a high operating temperature.
  • the sulfides are chemical unstable to moisture and the thiogallates proposed there show a pronounced temperature quenching.
  • the known sulfide phosphors Upon contact with water, the known sulfide phosphors also decompose to form toxic gases such as hydrogen sulfide.
  • Phosphors of the oxynitridosilicate type are known per se under the short formula MSiON; see, for example, "On new rare-earth doped M-Si-Al-ON materials", J. van Krevel, TU Eindhoven 2000, ISBN 90-386-2711-4, chapter 6. They are endowed with Tb. Emission we achieved when excited by 365 nm or 254 nm.
  • BayCa x with 0 x x + y ⁇ 0.5 is used , wherein the oxynitridosiiicate consists entirely or predominantly of the high-temperature-stable modification HT, and that the second phosphor is a nitridosilicate of the formula (Ca, Sr) 2 Si 5 N 8 : Eu, a color temperature of 2300 to 7000 K being achieved.
  • This HT modification is characterized by the fact that it can be excited over a broadband range, namely in a wide range from 200 to 480 nm, that it has extremely high stability against external influences, that is to say it shows no measurable degradation at 150 ° C., and that it shows extremely good color locus stability under changing conditions (little drift detectable between 20 and 100 ° C).
  • This phosphor is often called Sr-Sion: Eu in the following.
  • This phosphor is primarily green-emitting with a dominance wavelength in the range 550 to 570 nm.
  • the synthesis range is between 1300 and 1600 ° C.
  • Another determining factor is the reactivity of the starting components. This should be as high as possible.
  • this phosphor can be efficiently excited by an LED, especially of the InGaN type.
  • Sr-Sion difficult to control.
  • individual test conditions deliver excellent results, there is still no guideline in order to reliably obtain desired results.
  • there is a certain tendency that the efficiency of the phosphor is reduced and the color locus varies too much when the temperature is high.
  • the two phases differ fundamentally in their suitability as phosphors. While the NT phase is practically unusable as Eu-doped phosphor and only emits a faint orange-red, the HT phase shows excellent suitability as a phosphor that emits green. Normally, there is a mixture that shows both emissions over a broadband range. It is therefore crucial to produce the HT phase as pure as possible, with at least 50%, preferably at least 70%, particularly preferably at least 85%.
  • annealing process is not performed more than 16, 00 ° C at at least 1300 ° C.
  • a temperature range of approximately 1450 to 1580 ° C. is preferred, since the NT phase increasingly arises at a lower temperature and the phosphor is increasingly difficult to process at a higher temperature, and is present as a hard sintered ceramic or melt from approximately 1600 ° C.
  • the optimal temperature range depends on the exact composition and properties of the raw materials.
  • Sr represents M as an example.
  • the deviation should in particular not exceed 10%, preferably 5%, of the ideal stoichiometric approach, including the possible addition of a lubricant, as is often the case.
  • a maximum deviation of 1% is particularly preferred.
  • the starting components of the host lattice in particular Si 3 N
  • Si 3 N which is synthesized from the liquid phase, starting from silicon tetrachloride, for example, is therefore particularly preferred.
  • Contamination with tungsten and cobalt has proven to be particularly critical.
  • the contamination should be as low as possible, in particular it should in each case be less than 100 ppm, in particular less than 50 ppm, based on these precursor substances.
  • the highest possible reactivity is advantageous, it can be quantified by the reactive surface (BET). This should be at least 6 m 2 / g, advantageously at least 8 m 2 / g.
  • the contamination of aluminum and calcium, based on this precursor substance Si 3 N 4 should also be below 100 ppm if possible.
  • nitridosilicate MxSiyNz such as M2Si5N8
  • SiO 2 is set too low, so that an excess of nitrogen arises.
  • this compound is a remarkable phosphor in itself, it is extremely disruptive in connection with the synthesis of the Sr ion just like other nitridosilicates, because these foreign phases absorb the green radiation of the Sr ion and possibly into the known red radiation of the Convert nitridosilicates.
  • the guideline serves as a guideline that the proportion of external phases should be below 15%, preferably even below 5%.
  • the intensity of all foreign phase peaks is less than 1/3, preferably less than%, particularly preferably less than 1/5, the intensity of the main peak characterizing the HT modification should be around 31.8 °. This applies especially to the external phases of the type SrxSiyNz, in particular Sr2Si5N8.
  • the process is optimized, a quantum efficiency of 80 to well over 90% can be reliably achieved. In contrast, with unspecific process management, the efficiency will typically be in the range of at most 50 to 60% quantum efficiency.
  • This HT modification is characterized by the fact that it can be excited over a broadband range, in particular in a wide range from 250 to 480 nm, that it has extremely high stability against external influences, i.e. at 150 ° C in air there is no measurable degradation that it shows extremely good color locus stability under changing conditions.
  • This phosphor is often called Sr-Sion: Eu in the following.
  • a predominance of the HT modification can be seen, inter alia, from the fact that the characteristic peak of the NT modification in the XRD spectrum at about 28.2 ° has an intensity of less than 1: 1, preferably less than 1: 2, compared to the Peak with the highest intensity from the group of three of the reflections of the HT modification, which are 25 to 27 ° in the XRD spectrum.
  • the XRD spectra listed here each refer to excitation by the known Cu-K ⁇ line.
  • this phosphor shows a different emission behavior than the NT variant with the same stoichiometry.
  • the half-width of the HT variant in the case of the optimized HT variant is considerably smaller than that of the simple mixture containing foreign phases and defects and is in the range 70 to 80 nm, while the simple mixture containing foreign phases or defects contains a half-width of approximately 110 to 120 nm shows.
  • the dominant wavelength is generally shorter in the HT modification, typically 10 to 20 nm shorter, than in the case of a sample that clearly contains foreign phases.
  • the efficiency of high purity HT Modification is typically at least 20% higher, in some cases significantly higher, than with the NT-dominated or high-phase mixture.
  • a characteristic of a sufficiently small proportion of the NT modification and foreign phases is a half-width (FWHM) of the emission of less than 90 nm. Because the lower the proportion of foreign phases, the lower the proportion of the specific orange-red emission of the modification rich in foreign phases, in particular the nitridosilicate foreign phases Sr-Si-N-Eu like especially Sr2Si5N8: Eu.
  • the predominant peak in the XRD spectrum of the HT modification is the peak at approximately 31.7 °.
  • Other prominent peaks are the three peaks of approximately the same intensity between 25 and 27 ° (25.3 and 26.0 and 26.3 °), the peak with the smallest deflection being the most intense.
  • Another intense peak is 12.6 °.
  • This phosphor is primarily green-emitting with a dominance wavelength in the range 550 to 570 nm, in particular 555 to 565 nm.
  • a slight addition of the AIO group as a replacement for the SiN group in the molecule of the oxynitridosilicate of the formula MSi 2 O 2 N 2 is also possible, in particular up to a maximum of 30% of the SiN content.
  • Both phases of the Sr-Sion: Eu can crystallize analogously to the two structurally different host lattice modifications and can be produced using the approach stoichiometry SrSi2O2N2: Eu. Slight deviations from this stoichiometry are possible.
  • the host grids doped with Eu surprisingly both luminesce when excited in blue or UV, but depending on the host grid modification with a different emission color.
  • the NT modification shows an orange-colored emission
  • a desired property of the phosphor can be set precisely.
  • the HT phase is that the excitability is uniformly good over a very wide spectral range with only little variation in quantum efficiency.
  • the luminescence of the HT modification depends only weakly on the temperature over a wide temperature range. This is the first time that a green-emitting phosphor, preferably for LED applications, has been found that does not require any special measures for stabilization. This distinguishes him particularly from the phosphors for this task, which have so far been regarded as the most promising candidates, namely thiogallate phosphors or chlorosilicates.
  • the Sion compounds with M (Sr.Ba), preferably without Ba or with a Ba content of up to 10%, are efficient phosphors with a wide range of emission maxima. These are mostly shorter-wave than with pure Sr sion, preferably between 520 and 565 nm.
  • the achievable color space can also be expanded by adding small amounts (preferably up to 30 mol%) of Ca and / or zinc; as a result, the emission maxima tend to be shifted into the longer-wave range compared to pure Sr ion, as well as through partial replacement (up to 25 mol%) of Si with Ge and / or Sn.
  • Another embodiment is the partial substitution of M, in particular Sr, by trivalent or monovalent ions such as La3 + or Li + or Na + or Y3 +. A proportion of these ions of at most 20 mol% of the M. is preferred.
  • the Sr phase of the HT phase has now been found to be a phosphor which can be set precisely to a green peak emission, for example the wavelength 560 nm (dominance wavelength).
  • the phosphor converts the light of a blue or UV LED with a quantum efficiency of well over 80%.
  • the lumen-rated efficiency is comparable to that of typical white LEDs based on YAG: Ce.
  • Another advantage is that the emission color of the luminescence conversion LED is practically independent of the operating temperature, so that the LED can be operated well at different outside temperatures and can be dimmed in a color-stable manner.
  • the second phosphor component is the nitride of the type mentioned at the beginning
  • both phosphors have a similar temperature behavior with regard to the efficiency of the luminescence, which advantageously enables dimmable LEDs with a color location that is as constant as possible.
  • the temperature dependence of the luminescence is significantly lower than that of the sulfidic phosphors previously proposed, and both types of phosphors are also chemically much more stable than their previously known sulfidic alternatives (SrS: Eu and thiogallates).
  • SrS: Eu and thiogallates previously known sulfidic alternatives
  • the two nitride-based phosphors and their possible decomposition products are largely non-toxic, which plays a role in protecting the environment.
  • Standard methods can be used for the use in LEDs.
  • the following implementation options result.
  • the invention further relates to a lighting system with LEDs as described above, the lighting system also containing electronic components, these convey, for example, the dimmability.
  • Another task of electronics is the control of individual LEDs or groups of LEDs. these functions can be implemented by previously known electronic elements. characters
  • FIG. 1 shows an emission spectrum of an oxynitridosilicate
  • FIG. 2 shows the reflection spectrum of this oxynitridosilicate
  • FIG. 3 shows a semiconductor component which serves as a light source for warm white light
  • Figure 4 shows the location of the color location of different batches of a warm white LED
  • FIG. 5 shows an emission spectrum of a light source according to FIG. 3
  • FIG. 6 further emission spectra of light sources according to FIG. 3;
  • Figure 7 shows a lighting system based on warm white LEDs.
  • FIG. 1 A specific example of the phosphor according to the invention is shown in FIG. 1. It is the emission of the phosphor SrSi 2 N 2 O 2 : (5% Eu 2+ ) in HT modification, in which the Eu portion accounts for 5 mol% of the lattice sites occupied by Sr.
  • the emission maximum is 540 nm
  • the mean wavelength ⁇ dom is 558 nm.
  • the excitation took place at 460 nm.
  • the FWHM is 76 nm.
  • the quantum efficiency is about 90%.
  • Figure 2 shows the diffuse reflection spectrum of this phosphor. It shows a pronounced minimum in the range below 440 nm, which thus demonstrates the good excitability in this range.
  • the structure of a light source for white light is shown explicitly in FIG. 3.
  • the light source is a semiconductor component with a chip 1 of the InGaN type with a peak emission wavelength of 440 to 470 nm, for example 460 nm, which is embedded in an opaque basic housing 8 in the region of a recess 9.
  • the chip 1 is connected via a bond wire 14 to a first connection 3 and directly to a second electrical connection 2.
  • the recess 9 is filled with a potting compound 5, the main components of which are an epoxy casting resin (80 to 90% by weight) and phosphor pigments 6 made from a mixture of two phosphors (less than 20% by weight).
  • a first phosphor is the oxynitridosilicate with 5% Eu presented as the first exemplary embodiment
  • the second is a red-emitting phosphor, in particular (Sr, Ca) 2 Si 5 N 8 : Eu (10%).
  • the recess 9 has a wall 17 which serves as a reflector for the primary and secondary radiation from the chip 1 or the pigments 6.
  • the combination of the blue primary and green or red secondary radiation mixes to warm white with a high Ra of 91 and a color temperature of 2850 K.
  • the ratio Sr to Ca for the nitridosilicate is 9: 1 here.
  • the associated emission spectrum is shown in FIG. 5. It shows the intensity in arbitrary units as a function of the wavelength (in nm). the peaks of the primary radiation at 460 nm, of the oxynitridosilicate at about 560 nm and of the nitridosilicate at about 640 nm can be clearly seen.
  • Genejell contains the nitridosilicate M a Si y N z : Eu as a permanent component Sr and as an admixture Ca in a proportion of 0 to 60 mol%.
  • the efficiency and the color rendering index Ra are optimized by the amount of the doping with Eu, a value for Eu of 5 to 10 mol% of the M is preferred.
  • the addition of Ca in particular allows an excessively high addition of the doping agent To avoid eu.
  • the Ra value drops.
  • the Ra drops below 80 at 6500 K color temperature.
  • FIG. 7 shows a lighting system 5 in which, in addition to LEDs 6 emitting warm white, the control electronics 7 are also accommodated in a housing 8. 9 is a cover.

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Abstract

LED mit niedriger Farbtemperatur bis 3500 K, bestehend aus einer blau emittierenden LED und zwei davor geschalteten Leuchtstoffen, mit einem ersten Leuchtstoff aus der Klasse der Oxinitridosilikate, mit einem Kation M, das mit zweiwertigem Europium dotiert ist, und mit der grundsätzlichen Formel M(1-c)Si2O2N2:Dc , wobei M = Sr, oder M = Sr(1-x-y)BayCax mit x+y < 0,5 verwendet wird, wobei das Oxinitridosilikat vollständig oder überwiegend aus der hochtemperaturstabilen Modifikation HT besteht und einem zweiten Leuchtstoff aus der Klasse der Nitridosilikate mit der Formel (Ca,Sr)2Si5N8:Eu.

Description

weiß emittierende LED mit definierter Farbtemperatur
Technisches Gebiet
Diese Anmeldung steht in engem Zusammenhang mit folgenden Anmeldungen:
2003P14657, 2003P14654, und 2003P14655.
Die Erfindung geht aus von einer LED mit definierter, insbesondere niedriger Farbtemperatur. Darunter wird eine Farbtemperatur im Bereich 2300 bis 7000 K verstan- den.
Stand der Technik
Der Bereich warmweißer Farbtemperaturen, also unterhalb 3500 K, ist bisher mit kommerziell erhältlichen LEDs schwer zu realisieren. Die gängigen Leuchtstoffe vermitteln eine Farbtemperatur von mehr als 5000 K. Bisher ist daher versucht worden, warmweiße Farbtemperaturen sehr aufwendig durch die Kombination mehrerer LEDs zu erstellen, siehe beispielsweise WO 02/52901 und WO 02/52902.
Einfache LEDs, die sich warmweiße Lichtfarben zum Ziel gesetzt haben, basieren bisher auf UV-Chips. Aufgrund des großen Energieunterschieds zwischen dem UV- Bereich und dem kurzwelligen sichtbaren Bereich (blau) sowie der UV-bedingten , wegen der höheren Energie erhöhten, strahlungsbedingten schnelleren Alterung des Gehäuses und des Leuchtstoffvergusses erreichen diese LEDs weder die Lebensdauer noch die Effizienz von neutralweißen LEDs, wie sie bisher auf Basis von blau emittierenden Chips zur Verfügung stehen.
Eine Alternative sind RGB-LEDs auf Basis von Lumineszenzkonversions-LEDs mit Sulfid- und Thiogallat-Leuchtstoffen, siehe beispielsweise WO 01/24229. Es hat sich jedoch gezeigt, dass die dort vorgeschlagenen Leuchtstoff bzgl. Langzeitstabilität und Effizienz bei Verwendung von Hochleistungschips, die eine hohe Betriebstemperatur erreichen, nicht den Anforderungen genügen. Die Sulfide sind chemisch instabil gegen Feuchte und die Thiogallate, die dort vorgeschlagen sind, zeigen ein ausgeprägtes Temperaturquenching. Bei Kontakt mit Wasser zersetzen sich die bekannten Sulfid-Leuchtstoffe zudem unter Bildung von giftigen Gasen wie Schwefelwasserstoff.
Eine andere Lösung, die nachweislich eine hohe Lebensdauer ermöglicht und eine hohe Effizienz bei sehr gutem Farbwiedergabeindex besitzt , ist bisher nicht bekannt. Die Verwendung einer Mischung aus dem bekanten YAG:Ce sowie einem Rot-Leuchtstoff wie beispielsweise Sr2Si5N8:Eu führt nur zu maximalen Ra-Werten von 85 bis 90, siehe dazu WO 01/40403.
Leuchtstoffe des Typs Oxinitridosiiikat sind an sich unter der Kurzformel MSiON bekannt; siehe beispielsweise „On new rare-earth doped M-Si-Al-O-N materials" , J. van Krevel, TU Eindhoven 2000, ISBN 90-386-2711-4, Kap. 6. sie sind mit Tb dotiert. Emission wir erreicht bei Anregung durch 365 nm oder 254 nm.
Ein neuartiger Leuchtstoff ist aus der noch unveröffentlichten EP-PA 02 021 117.8 (Docket 2002P15736) bekannt. Er besteht aus Eu- oder Eu,Mn-koaktiviertem Oxinitridosiiikat der Formel MSi2O2N2 (M = Ca, Sr, Ba).
Darstellung der Erfindung
Es ist Aufgabe der vorliegenden Erfindung, eine weiße LED mit definierter Lichtfarbe, entsprechend einer Farbtemperatur gemäß dem Oberbegriff des Anspruchs 1 bereitzustellen, deren Ra möglichst hoch ist und mindestens Ra=80 erreicht, insbe- sondere höher als Ra=85, bevorzugt höher 90.
Diese Aufgabe wird durch die kennzeichnenden Merkmale des Anspruchs 1 gelöst. Besonders vorteilhafte Ausgestaltungen finden sich in den abhängigen Ansprüchen.
Bisher gibt es keine zufriedenstellende Realisierung dieser Aufgabenstellung. Es wird nun vorgeschlagen, eine Leuchtstoff-Mischung aus einer speziellen, hocheffi- zienten grün emittierenden Sr-Sion-Phase sowie einem roten, an sich bekannten Nitrid-Leuchtstoff zu verwenden.
Die LED ist als weiß emittierende Lumineszenzkonversions-LED ausgeführt, bestehend aus einer Primär-Strahlungsquelle, die ein Chip ist, der im Blauen Spektralbe- reich emittiert, und einer davor geschalteten Schicht zweier Leuchtstoffe, die die Strahlung des Chip teilweise konvertieren, wobei der erste Leuchtstoff aus der Klasse der Oxinitridosilikate besteht, mit einem Kation M und der grundsätzlichen Formel (i-0)Si2θ2N2:Dc, wobei M als wesentlichen Bestandteil Sr umfasst und wobei D eine Dotierung mit zweiwertigem Europium ist, wobei M = Sr oder M = Sr(1..x.y)BayCax mit 0 ≤ x+y < 0,5 verwendet wird, wobei das Oxinitridosiiikat vollständig oder überwiegend aus der hochtemperaturstabilen Modifikation HT besteht, und dass der zweite Leuchtstoff ein Nitridosilikat der Formel (Ca,Sr)2Si5N8:Eu ist, wobei eine Farbtemperatur von 2300 bis 7000 K erzielt wird.
Erfindungsgemäß wird ein Leuchtstoff verwendet, der ein Oxinitridosiiikat der Formel MSi2O2N2 (M = Ca, Sr, Ba) darstellt, das mit zweiwertigem Eu aktiviert ist, unter evtl. weiterer Zugabe von Mn als Koaktivator, wobei der Leuchtstoff überwiegend oder allein, also mit mehr als 50 % des Leuchtstoffs, aus der HT-Phase besteht. Diese HT-Modifikation zeichnet sich dadurch aus, dass sie breitbandig anregbar aus, 'nämlich in einem weiten Bereich von 200 bis 480 nm, dass sie eine extrem hohe Stabilität gegen äußere Einflüsse besitzt, also bei 150°C keine messbare Degradation zeigt, und dass sie eine extrem gute Farbortstabilität unter wechselnden Bedingungen zeigt (zwischen 20 und 100 °C wenig Drift nachweisbar). Dieser Leuchtstoff wird im folgenden oft Sr-Sion:Eu genannt.
Dieser Leuchtstoff ist vor allem grün emittierend mit einer Dominanzwellenlänge im Bereich 550 bis 570 nm.
Bei der Herstellung des neuartigen Leuchtstoffs kommt es vor allem auf eine hohe Temperatur an, der Synthesebereich liegt bei 1300 bis 1600 °C. Ein anderer bestimmender Faktor ist die Reaktivität der Ausgangskomponenten. Diese sollte mög- liehst hoch sein.
Insbesondere kann dieser Leuchtstoff von einer LED, vor allem vom Typ InGaN, effizient angeregt werden.
Der aus EP-PA 02 021 117.8 bekannte Leuchtstoff MSi202N2:Eu (M = Ca, Sr, Ba) ist im Falle der Sr-dominierten Ausführungsform mit M = Sr(1-x-y)BayCax mit 0 ≤x+y< 0,5, im folgenden Sr-Sion genannt, nur schwer beherrschbar. Obwohl einzelne Versuchsbedingungen hervorragende Ergebnisse liefern, fehlt bislang eine Richtschnur, um zuverlässig gewünschte Ergebnisse zu erhalten. Hinzu kommt eine gewisse Neigung, dass sich bei hoher Temperaturbelastung die Effizienz des Leuchtstoffs verringert und der Farbort zu stark variiert. Bevorzugt sind insbesondere: y = 0 mit 0 < x ≤ 0,3 und x= 0 mit 0 < y < 0,1.
Überraschenderweise hat sich nun gezeigt, dass sich die beiden Phasen in ihrer Eignung als Leuchtstoff grundlegend unterscheiden. Während die NT-Phase als Eu- dotierter Leuchtstoff praktisch nicht zu gebrauchen ist, und nur schwach orange-rot emittiert, zeigt die HT-Phase eine hervorragende Eignung als Leuchtstoff, der grün emittiert. Im Normalfall liegt eine Mischung vor, die breitbandig beide Emissionen erkennen lässt. Entscheidend ist daher, die HT-Phase möglichst rein, mit mindestens 50 % Anteil, bevorzugt mindestens 70 %, besonders bevorzugt mindestens 85% Anteil herzustellen.
Dafür ist ein Glühprozess erforderlich, der bei mindestens 1300 °C, aber nicht mehr als 16,00 °C durchgeführt wird. Bevorzugt ist ein Temperaturbereich von etwa 1450 bis 1580 °C, da bei geringerer Temperatur zunehmend NT-Phase entsteht und bei höherer Temperatur der Leuchtstoff zunehmend schlechter verarbeitbar ist, und ab etwa 1600 °C als hart gesinterte Keramik oder Schmelze vorliegt. Der optimale Temperaturbereich hängt von der genauen Zusammensetzung und den Eigenschaften der Ausgangsmaterialien ab.
Besonders wichtig für das Herstellen eines effizienten Leuchtstoffs des Typs Sr-Sion ist ein Ansatz der Ausgangsprodukte, der im wesentlichen stöchiometrisch ist unter Verwendung der Grundkomponenten SiO 2, SrCO 3 sowie Si 3 N 4. Sr steht hier beispielhaft stellvertretend für M. Die Abweichung sollte insbesondere 10 %, bevorzugt 5 %, des idealen stöchiometrischen Ansatzes nicht überschreiten, wobei auch die etwaige Zugabe eines Schmelzmittels, wie es oft üblich ist, dabei eingeschlossen ist. Besonders bevorzugt ist eine maximale Abweichung von 1 %. Hinzu kommt ein Vorläufer für den Europium-Beitrag der Dotierung, der beispielsweise als Oxid Eu 2 O 3 realisiert wird. Diese Erkenntnis steht im Gegensatz zu der bisherigen Vorgehensweise, die Grundkomponente SiO 2 deutlich unterstöchiometrisch zu- zugeben. Besonders überraschend ist diese Erkenntnis auch deswegen, weil andere als Leuchtstoff empfohlene Sione wie Ba-Sion gemäß der Lehre von EP-PA 02 021 1 17.8 gerade im SiO 2-Unterschuss hergestellt werden sollen. Ein entsprechender Ansatz für das Sr-Sion MSi2O2N2 verwendet daher 11 bis 13 Gew.-% SiO 2 , 27 bis 29 Gew.-% Si 3 N 4 , Rest SrCO 3. Ba- und Ca- Anteile an M werden entsprechend als Carbonat zugesetzt. Europium wird entsprechend der gewünschten Dotierung, beispielsweise als Oxid oder Fluorid, als Ersatz für SrCO 3 zugesetzt. Der Ansatz MSi2O2N2 meint dabei auch etwaige Abweichungen von der exakten Stöchiometrie, soweit sie hinsichtlich der Ladungserhaltung ausgeglichen sind.
Als besonders günstig hat sich erwiesen, dass die Ausgangskomponenten des Wirtsgitters, insbesondere Si 3 N , möglichst hohe Reinheit besitzen. Besonders bevorzugt ist daher Si 3 N , das aus der flüssigen Phase, ausgehend beispielsweise von Siliziumtetrachlorid, synthetisiert ist. Als kritisch hat sich insbesondere die Verunreinigung mit Wolfram und Kobalt, erwiesen. Hier sollte die Verunreinigung möglichst gering sein, insbesondere sollte sie jeweils kleiner 100 ppm, insbesondere kleiner 50 ppm, sein, bezogen auf diese Vorläufersubstanzen. Des weiteren ist eine möglichst hohe Reaktivität vorteilhaft, sie lässt sich durch die reaktive Oberfläche (BET) quantifizieren. Diese sollte mindestens 6 m2/g betragen, vorteilhaft mindestens 8 m2/g. Auch die Verunreinigung an Aluminium und Calcium, bezogen auf diese Vorläufersubstanz Si 3 N 4, sollte möglichst unter 100 ppm liegen.
Bei Abweichung von der oben angegebenen Verfahrensführung in bezug auf stö- chiometrischen Ansatz und Temperaturführung entstehen als unerwünschte Fremdphasen in zunehmendem Maße Nitridosilikate MxSiyNz wie etwa M2Si5N8, wenn die SiO2-Zugabe zu niedrig angesetzt wird, so dass ein Stickstoffüberschuss entsteht. Obwohl diese Verbindung an sich ein bemerkenswerter Leuchtstoff ist, ist sie in Zusammenhang mit der Synthese des Sr-Sions genauso wie andere Nitridosilika- te äußerst störend, weil diese Fremdphasen die grüne Strahlung des Sr-Sions absorbieren und evtl. in die bekannte rote Strahlung der Nitridosilikate umwandeln. Umgekehrt entstehen bei zu hoher SiO 2-Zugabe Sr-Silikate wie beispielsweise Sr2SiO weil ein Sauerstoffüberschuss entsteht. Beide Fremdphasen absorbieren die nutzbare grüne Emission oder führen zumindest zu Gitterdefekten wie Leerstel- len, die die Effizienz des Leuchtstoffs stark beeinträchtigen. Als Anhaltspunkt dient die Richtschnur, dass der Anteil der Fremdphasen möglichst unter 15 %, bevorzugt sogar unter 5 %, liegen soll. Dies korrespondiert im XRD-Spektrum des synthetisierten Leuchtstoffs mit der Forderung, dass beim XRD-Ablenkwinkel 2 Θ im Bereich 25 bis 32° die Intensität aller Fremdphasenpeaks kleiner als 1/3, bevorzugt kleiner als % , besonders bevorzugt kleiner als 1/5, der Intensität des die HT-Modifikation kennzeichnenden Hauptpeaks bei etwa 31 ,8° sein soll. Dies gilt vor allem für die Fremdphasen vom Typ SrxSiyNz, insbesondere Sr2Si5N8.
Im Falle einer optimierten Verfahrensführung lässt sich zuverlässig eine Quanteneffizienz von 80 bis deutlich über 90 % erzielen. Dagegen wird bei unspezifischer Verfahrensführung die Effizienz typisch im Bereich von höchstens 50 bis 60 % Quanteneffizienz liegen.
Es lässt sich somit ein Leuchtstoff herstellen, der ein Oxinitridosiiikat der Formel MSi2O2N2 (M = Ca, Sr, Ba) darstellt, das mit zweiwertigem Eu aktiviert ist, unter evtl. weiterer Zugabe von Mn als Koaktivator, wobei der Leuchtstoff überwiegend oder allein, also mit mehr als 50 % des Leuchtstoffs, aus der HT-Phase besteht. Diese HT-Modifikation zeichnet sich dadurch aus, dass er breitbandig anregbar ist, insbesondere in einem weiten Bereich von 250 bis 480 nm, dass er eine extrem hohe Stabilität gegen äußere Einflüsse besitzt, also bei 150°C an Luft keine messbare Degradation zeigt, dass er eine extrem gute Farbortstabilität unter wechselnden Bedingungen zeigt. Weitere Pluspunkte sind seine geringe Absorption im Roten, was besonders bei Leuchtstoffmischungen vorteilhaft ist. Dieser Leuchtstoff wird im folgenden oft Sr-Sion: Eu genannt. Ein Überwiegen der HT-Modifikation ist u.a. dar- an erkennbar, dass der kennzeichnende Peak der NT-Modifikation im XRD- Spektrum bei etwa 28,2 ° eine Intensität von weniger als 1 :1 , bevorzugt weniger als 1 :2, im Vergleich zum Peak mit höchster Intensität aus der Dreiergruppe der Reflexe der HT-Modifikation, die im XRD-Spektrum bei 25 bis 27° liegen, aufweist. Die hier aufgeführten XRD-Spektren beziehen sich jeweils auf eine Anregung durch die be- kannte Cu-Kα Linie.
Bei gleicher Aktivatorkonzentration zeigt dieser Leuchtstoff ein anderes Emissionsverhalten als die NT-Variante gleicher Stöchiometrie. Die Halbwertsbreite der HT- Variante ist im Falle der optimierten HT-Variante wesentlich geringer als bei der einfachen fremdphasen- und defekthaltigen Mischung und liegt im Bereich 70 bis 80 nm, während die einfache Fremdphasen- bzw. defekthaltige Mischung eine Halbwertsbreite von etwa 110 bis 120 nm zeigt. Die dominante Wellenlänge ist bei der HT-Modifikation generell kürzer, typisch 10 bis 20 nm kürzer, als bei einer deutlich fremdphasenhaltigen Probe. Hinzu kommt, dass die Effizienz der hochreinen HT Modifikation typisch um mindestens 20 % höher, teilweise deutlich noch höher, als bei der NT-dominierten oder hoch fremdphasenhaltigen Mischung liegt.
Ein Merkmal eines ausreichend geringen Anteils der NT-Modifikation und Fremdphasen ist eine Halbwertsbreite (FWHM) der Emission von weniger als 90 nm. Denn je geringer der Anteil an Fremdphasen, desto geringer ist der Anteil der spezifischen orange-roten Emission der fremdphasenreichen Modifikation, insbesondere der Nitridosilikat-Fremdphasen Sr-Si-N-Eu wie vor allem Sr2Si5N8:Eu.
Hilfreich sind neben der verringerten Halbwertsbreite die oben angegebenen typischen Reflexe im XRD-Spekrum, die die andere Kristallstruktur verdeutlichen.
Der vorherrschende Peak im XRD-Spektrum der HT-Modifikation ist der Peak bei etwa 31.7°. Weitere prominente Peaks sind die drei Peaks etwa gleicher Intensität zwischen 25 und 27° (25,3 und 26,0 und 26,3°), wobei der Peak mit kleinster Ablenkung der intensivste ist. Ein weiterer intensiver Peak ist 12,6°.
Dieser Leuchtstoff ist vor allem grün emittierend mit einer Dominanzwellenlänge im Bereich 550 bis 570 nm, insbesondere 555 bis 565 nm.
Auch eine geringfügige Beimengung der Gruppe AIO als Ersatz der Gruppe SiN im Molekül des Oxinitridosilikats der Formel MSi2O2N2 ist möglich, insbesondere bis maximal 30 % des SiN-Anteils.
Beide Phasen des Sr-Sion:Eu können analog zu den zwei strukturell unterschiedli- chen Wirtsgittermodifikationen kristallisieren und jeweils über die Ansatzstöchio- metrie SrSi2O2N2:Eu hergestellt werden. Geringe Abweichungen von dieser Stö- chiometrie sind möglich. Die mit Eu dotierten Wirtsgitter lumineszieren überraschenderweise beide bei Anregung im Blauen oder UV, allerdings je nach Wirtsgittermodifikation mit anderer Emissionsfarbe. Die NT-Modifikation zeigt eine orange- farbene Emission, die HT-Modifikation eine grüne Emission bei etwa λdom = 560 nm mit prinzipiell deutlich höherer Effizienz. Je nach Dotiergehalt und Dotiermaterial (Eu oder Eu, Mn) sowie den relativen Anteilen der HT- und NT-Modifikation lässt sich eine gewünschte Eigenschaft des Leuchtstoffs genau einstellen.
Ein Vorzug der HT-Phase ist die über einen sehr weiten Spektralbereich gleichmä- ßig gute Anregbarkeit bei nur wenig variierender Quanteneffizienz. Außerdem hängt die Lumineszenz der HT-Modifikation in einem weiten Temperaturbereich nur schwach von der Temperatur ab. Damit ist erstmals ein grün emittierender Leuchtstoff, bevorzugt für LED-Anwendungen, gefunden, der ohne besondere Maßnahmen zur Stabilisierung auskommt. Dies zeichnet ihn besonders gegen die bisher als aussichtsreichste Kandidaten angesehenen Leuchtstoffe für diese Aufgabe aus, nämlich Thiogallat-Leuchtstoffe oder Chlorosilikate.
Die Sionverbindungen mit M = (Sr.Ba), bevorzugt ohne Ba oder mit Ba-Anteil bis zu 10 %, stellen effiziente Leuchtstoffe mit einem weiten Bereich der Emissionsmaxima dar. Diese liegen meist kurzwelliger als bei reinem Sr-Sion, bevorzugt zwischen 520 und 565 nm. Der erreichbare Farbraum lässt sich außerdem durch geringe Beigaben (bevorzugt bis 30 mol-%) an Ca und/oder Zink erweitern; dadurch werden die Emissionsmaxima eher in den langwelligeren Bereich, verglichen mit reinem Sr- Sion, verschoben, sowie durch partiellen Ersatz (bis 25 mol-%) von Si durch Ge und/oder Sn.
Eine weitere Ausführungsform ist die Teilsubstitution von M, insbesondere Sr, durch drei- oder einwertige Ionen wie La3+ oder Li+ oder Na+ oder Y3+. Bevorzugt ist ein Anteil dieser Ionen von maximal 20 mol-% des M.
Überraschend ist nun mit dem Sr-Sion der HT-Phase ein Leuchtstoff gefunden, der sich exakt auf eine grüne Peakemission, beispielsweise der Wellenlänge 560 nm (Dominanzwellenlänge), einstellen lässt. Der Leuchtstoff wandelt das Licht einer blauen oder UV-LED mit einer Quanteneffizienz von deutlich mehr als 80 % um. Die lumenbewertete Effizienz ist vergleichbar mit der typischer weißer LEDs auf YAG:Ce-Basis.
Als weiterer Vorteil ist anzusehen, daß die Emissionsfarbe der Lumineszenzkonver- sions-LED praktisch unabhängig von der Betriebstemperatur ist, damit kann die LED gut bei unterschiedlichen Außentemperaturen betriebe werden und ist farbortstabil dimmbar.
Die zweite Leuchtstoff-Komponente ist das eingangs erwähnte Nitrid des Typs
(Sr,Ca)2Si5N8:Eu in geeigneter Zusammensetzung. Mit diesen beiden Leuchtstof- fen, deren typische Quanteneffizienzen deutlich über 80 % liegen, und die beide sehr gut im Bereich kurzwelliger blauer Strahlung absorbieren, vor allem auch bei 450 bis 465 nm, wo die stärksten Chips zur Verfügung stehen, lassen sich effiziente warmweiße LEDs mit einem Farbwiedergabeindex Ra von bis zu 95 bereitstellen. Ein typischer Ra-Wert liegt je nach gewünschter Optimierung bei 85 bis 95.
Der besondere Vorteil gerade dieser Kombination ist, dass beide Leuchtstoffe ein ähnliches Temperaturverhalten zeigen, was die Effizienz der Lumineszenz betrifft, wodurch vorteilhaft dimmbare LEDs bei möglichst konstantem Farbort ermöglicht werden.
Die Temperaturabhängigkeit der Lumineszenz ist signifikant geringer als bei den bisher vorgeschlagenen sulfidischen Leuchtstoffen, beide Arten von Leuchtstoffen außerdem chemisch deutlich stabiler als ihre bisher bekannten sulfidischen Alternativen (SrS:Eu und Thiogallate). Die beiden Nitrid-basierten Leuchtstoffe und ihre möglichen Zersetzungsprodukte sind weitgehend ungiftig, was beim Aspekt der Umweltschonung eine Rolle spielt.
Für den Einsatz in der LED können Standardverfahren eingesetzt werden. Insbe- sondere ergeben sich folgende Realisierungsmöglichkeiten.
Erstens das Eindispergieren des Leuchtstoff in den LED-Verguss, beispielsweise ein Silikon oder Epoxidharz, und anschließendes Aufbringen durch beispielsweise Vergießen, Drucken, Spritzen o.a. Zweitens Einbringen des Leuchtstoffs in eine sog. Pressmasse und anschließendes Spritzpressverfahren. Drittens Methoden der chip- nahen Konversion, d.h. Aufbringen der Leuchtstoffe bzw. deren Mischung auf der Wafer-Prozessings-Ebene, nach dem Vereinzeln der Chips und nach der Montage im LED-Gehäuse. Hierzu wird insbesondere auf DE 101 53 615 und WO 01/50540 verwiesen.
Die Erfindung betrifft weiterhin ein Beleuchtungssystem mit LEDs wie oben be- schrieben, wobei das Beleuchtungssystem weiterhin elektronische Komponenten enthält, diese vermitteln beispielsweise die Dimmbarkeit. Eine weitere Aufgabe der Elektronik ist die Ansteuerung einzelner LEDs oder auch Gruppen von LEDs . diese Funktionen können durch vorbekannte elektronische Elemente realisiert sein. Figuren
Im folgenden soll die Erfindung anhand zweier Ausführungsbeispiele näher erläutert werden. Es zeigen:
Figur 1 ein Emissionsspektrum eines Oxinitridosilikats;
Figur 2 das Reflektionsspektrum dieses Oxinitridosilikats; Figur 3 ein Halbleiterbauelement, das als Lichtquelle für warmweißes Licht dient; Figur 4 die Lage des Farborts verschiedener Chargen einer warmweißen LED; Figur 5 ein Emissionsspektrum einer Lichtquelle gemäß Figur 3; Figur 6 weitere Emissionsspektren von Lichtquellen gemäß Figur 3;
Figur 7 ein Beleuchtungssystem auf Basis warmweißer LEDs.
Beschreibung der Zeichnungen
Ein konkretes Beispiel für den erfindungsgemäßen Leuchtstoff ist in Figur 1 gezeigt. Es handelt sich um die Emission des Leuchtstoffs SrSi2N2O2:(5 % Eu2+) in HT- Modifikation, bei dem der Eu-Anteil 5 mol-% der von Sr besetzten Gitterplätze aus- macht. Das Emissionsmaximum liegt bei 540 nm, die mittlere Wellenlänge λdom bei 558 nm. Der Farbort ist x=0,357; y=0,605. Die Anregung erfolgte bei 460 nm. die FWHM ist 76 nm. Die Quanteneffizienz liegt bei etwa 90 %. Der Farbort ist x = 0,357, y = 0,605.
Figur 2 zeigt das diffuse Reflexionsspektrum dieses Leuchtstoffs. Es zeigt ein aus- geprägtes Minimum im Bereich unter 440 nm, das somit die gute Anregbarkeit in diesem Bereich demonstriert.
Der Aufbau einer Lichtquelle für weißes Licht ist in Figur 3 explizit gezeigt. Die Lichtquelle ist ein Halbleiterbauelement mit einem Chip 1 des Typs InGaN mit einer Peakemissionswellenlänge von 440 bis 470 nm, beispielsweise 460 nm, das in ein lichtundurchlässiges Grundgehäuse 8 im Bereich einer Ausnehmung 9 eingebettet ist. Der Chip 1 ist über einen Bonddraht 14 mit einem ersten Anschluss 3 und direkt mit einem zweiten elektrischen Anschluss 2 verbunden. Die Ausnehmung 9 ist mit einer Vergussmasse 5 gefüllt, die als Hauptbestandteile ein Epoxidgießharz (80 bis 90 Gew.-%) und Leuchtstoffpigmente 6 aus einer Mischung zweier Leuchtstoffe (weniger als 20 Gew.-%) enthält. Ein erster Leuchtstoff ist das als erstes Ausführungsbeispiel vorgestellte Oxinitridosiiikat mit 5 %Eu, der zweite ist ein rot emittierender Leuchtstoff, hier insbesondere (Sr,Ca)2Si5N8:Eu(10%). Die Ausnehmung 9 hat eine Wand 17, die als Reflektor für die Primär- und Sekundärstrahlung vom Chip 1 bzw. den Pigmenten 6 dient. Die Kombination der blauen Primär- und grünen bzw. roten Sekundärstrahlung mischt sich zu warmweiß mit hohem Ra von 91 und Farbtemperatur von 2850 K. Der angestrebte Farbort liegt im Bereich x = 0,44 bis 0,48 sowie y = 0,40 bis 0,44, siehe Figur 4. Das Verhältnis Sr zu Ca beim Nitridosilikats ist hier 9:1.
Das zugehörige Emissionsspektrum ist in Figur 5 gezeigt. Es zeigt die Intensität in willkürlichen Einheiten als Funktion der Wellenlänge (in nm). deutlich sind die Peaks der Primärstrahlung bei 460 nm, des Oxinitridosilikats bei etwa 560 nm und des Nitridosilikats bei etwa 640 nm zu erkennen.
Genejell enthält das Nitridosilikat MaSiyNz:Eu als permanente Komponente Sr und als Beimischung Ca in einem Anteil von 0 bis 60 mol-%. Insbesondere ist das bevorzugte Nitridosilikat durch die Formel (Srι-xCax)2SiyNz mit x = 0 bis 0,6 charakterisiert, wobei hier y = 5 und z = 8 und generell y,z ≤ 10 gewählt wird. Im allgemeinen wird die Effizienz und der Farbwiedergabeindex Ra durch die Höhe der Dotierung mit Eu optimiert, bevorzugt ist ein Wert für Eu von 5 bis 10 mol-% des M. Die Zuga- be von Ca gestattet es insbesondere, eine allzu hohe Zugabe des Dotiermittels Eu zu vermeiden. Es hat sich gezeigt, dass zur Erzielung hoher Farbwiedergabeindices eine Zugabe von Ca und eine Begrenzung des Eu-Anteils empfehlenswert ist. Für Ra > 90 kann daher x bis maximal 0,2 (bevorzugt x bis 0,1) gewählt werden, und gleichzeitig Eu bevorzugt im Bereich 3 bis 15 mol-% von M (bevorzugt 5 bis 10 mol- %) angesetzt werden. Gute Ergebnisse mit hohem Ra lassen sich auch für 0,2 < x < 0,55 erzielen, wenn gleichzeitig Eu auf 1 bis 5 mol-% von M gesetzt wird.
In Figur 6 sind LEDs mit höherer Farbtemperatur gezeigt. Zur Erzielung höherer Farbtemperaturen als etwa 3300 K muss die Gesamtleuchtstoffkonzentration im Vergleich zum ersten Ausführungsbeispiel reduziert werden, wodurch ein höherer transmittierter Blau-LED-Anteil resultiert sowie der Anteil des Grünleuchtstoffs (Oxinitridosiiikat) im Verhältnis zum Rotleuchtstoff (Nitridosilikat) erhöht werden. Es wurde eine LED mit 460 nm Peakwellenlänge als Primärlichtquelle und blauer Emitter verwendet. Eingesetzte Leuchtstoffe sind hier konkret als Oxinitridosiiikat Sr- SiON:Eu(5%) und als Nitridosilikat SrCaSiN:Eu(3%).
Bei Verwendung einer kürzerwelligen LED sinkt der Ra-Wert. Beispielsweise zeigt sich, dass bei Verwendung einer primären LED mit 450 nm Peakwellenlänge der Ra unter 80 bei 6500 K Farbtemperatur sinkt.
In Figur 7 ist ein Beleuchtungssystem 5 gezeigt, bei dem neben warmweiß emittierenden LEDs 6 auch die Steuerelektronik 7 in einem Gehäuse 8 untergebracht ist. mit 9 ist eine Abdeckung bezeichnet.

Claims

Ansprüche
1. weiß emittierende LED mit definierter Farbtemperatur, als Lumineszenzkonversions- LED ausgeführt, bestehend aus einer Primär-Strahlungsquelle, die ein Chip ist, der im Blauen Spektralbereich emittiert, und einer davor geschalteten Schicht zweier Leuchtstoffe, die beide die Strahlung des Chips teilweise konvertieren, dadurch ge- kennzeichnet, dass der erste Leuchtstoff aus der Klasse der Oxinitridosilikate besteht, mit einem Kation M und der grundsätzlichen Formel M(1-C)Si2θ2N2:Dc, wobei M als wesentlichen Bestandteil Sr umfasst und wobei D mit zweiwertigem Europium dotiert ist, wobei M = Sr oder M = Sr(1-x.y)BayCax mit 0 ≤ x+y < 0,5 verwendet wird, wobei das Oxinitridosiiikat vollständig oder überwiegend aus der hochtemperatur- stabilen Modifikation HT besteht, und dass der zweite Leuchtstoff ein Nitridosilikat der Formel (Ca,Sr)2Si5NB:Eu ist, wobei eine Farbtemperatur von 2300 bis 7000 K erzielt wird und gleichzeitig eine Farbwiedergabe von wenigstens Ra = 80 erzielt wird.
2. LED nach Anspruch 1 , dadurch gekennzeichnet, dass der Anteil des Eu beim Oxinitridosiiikat zwischen 0,1 und 20 mol-% von M ausmacht.
3. LED nach Anspruch 1 , dadurch gekennzeichnet, dass ein Teil von M, insbesondere bis zu 30 mol-%, durch Ba u/o Ca u/o Zn ersetzt ist.
4. LED nach Anspruch 1 , dadurch gekennzeichnet, dass ein Teil von M, insbesondere bis zu 30 mol-%, durch Li und/oder La und/oder Na und/oder Y ersetzt ist.
5. LED nach Anspruch 1 , dadurch gekennzeichnet, dass ein Teil von SiN, insbesonde- re bis zu 30 mol-%, durch AIO ersetzt ist.
6. LED nach Anspruch 1 , dadurch gekennzeichnet, dass ein Teil von Eu, insbesondere bis zu 30 mol-%, durch Mn ersetzt ist.
7. LED nach Anspruch 1 , dadurch gekennzeichnet, dass der Chip ein InGaN-Chip ist.
8. LED nach Anspruch 1 , dadurch gekennzeichnet, dass die LED dimmbar ist.
9. LED nach Anspruch 1 , dadurch gekennzeichnet, dass die LED eine Farbtemperatur von 2700 bis 3300 K besitzt.
10. LED nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die LED die weiße Lichtfarbe durch Farbmischung nach dem RGB-Prinzip erzielt, wobei die Primäremission der blauen LED eine Peakwellenlänge von 430 bis 470 nm besitzt..
11. LED nach Anspruch 10, dadurch gekennzeichnet, dass die Emission des Chips eine Peakwellenlänge im Bereich 450 bis 465 nm hat.
12. LED nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die Emission des Oxinitridosilikats eine dominante Wellenlänge λdom im Bereich 550 bis 570 nm hat.
13. LED nach Anspruch 1 , dadurch gekennzeichnet, dass das Nitridosilikat Sr als permanente Komponente und Ca in einem Anteil von 0 bis 60 mol-% enthält.
14. LED nach Anspruch 1 , dadurch gekennzeichnet, dass die Emission des Nitridosilikats eine dominante Wellenlänge λd0m im Bereich 620 bis 660 nm hat.
15. LED. nach Anspruch 1 , dadurch gekennzeichnet, dass ein Ra von mindestens 85 erzielt wird.
16. Beleuchtungssystem mit einer LED nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass das System eine Elektronik zur Ansteuerung einzelner LEDs oder auch Gruppen von LEDs enthält.
17. Beleuchtungssystem nach Anspruch 16, wobei die elektronische Steuerung Mittel enthält, die Dimmbarkeit vermitteln.
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