EP1570103A1 - Verfahren zur aufdampfung von verbindung(en) auf einen träger - Google Patents

Verfahren zur aufdampfung von verbindung(en) auf einen träger

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EP1570103A1
EP1570103A1 EP03780090A EP03780090A EP1570103A1 EP 1570103 A1 EP1570103 A1 EP 1570103A1 EP 03780090 A EP03780090 A EP 03780090A EP 03780090 A EP03780090 A EP 03780090A EP 1570103 A1 EP1570103 A1 EP 1570103A1
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EP
European Patent Office
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compound
carrier gas
carrier
gas stream
mbar
Prior art date
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Withdrawn
Application number
EP03780090A
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
Bernd Sachweh
Joachim Rösch
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BASF SE
Original Assignee
BASF SE
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Filing date
Publication date
Application filed by BASF SE filed Critical BASF SE
Publication of EP1570103A1 publication Critical patent/EP1570103A1/de
Withdrawn legal-status Critical Current

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Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/06—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the coating material
    • C23C14/12—Organic material

Definitions

  • the invention relates to methods for evaporating compound (s) onto a carrier.
  • the invention further relates to carriers obtainable in this way and in particular to organic light-emitting diodes containing the carriers according to the invention.
  • Organic light-emitting diodes or thin-film solar cells which are based on an electroluminescent layer structure, are generally known. In order for these devices to function, production of the very thin ones is controlled in terms of quality and quantity
  • OVPD organic vapor phase deposition
  • evaporable crystalline or amorphous solids are deposited on a substrate via the gas phase.
  • the initial state of these solids is usually the solid in
  • powdered form These powders are generally first evaporated from a source kept above the evaporation or sublimation temperature and mixed with a gas stream also kept above the sublimation temperature.
  • Sublimation temperature to bake or sinter many powders which reduces their specific surface, which in turn undesirably lowers the evaporation rate.
  • the object of the present invention was therefore to develop a method for the vapor deposition of one or more, preferably organic compounds on one or more supports, in which the disadvantages mentioned above are avoided.
  • the compound in the carrier gas stream is converted into the gaseous state, preferably evaporated or sublimed and
  • connection is to be understood as the connection (s) which should be reflected on the carrier.
  • the compound or compounds are preferably non-metallic materials with melting points of more than 50 ° C.
  • the compounds are particularly preferably organic semiconductor materials, where “organic” in the sense of the chemical definition means that the compound contains carbon.
  • Step (i), ie the transfer of the connection into the carrier gas stream can be carried out according to the invention by generally known methods for introducing solid substances into a carrier gas stream, preferably by means of a brush metering.
  • Brush dosing of this type is generally known.
  • Corresponding devices for brush dosing are commercially available, for example, from Palas®, Düsseldorf, Germany under the name Particle Dosing Device RBG 1000.
  • the principle of brush dosing is based on a stainless steel block (dispersing head) in which a brush is rotatably mounted.
  • the connection to be transferred into the carrier gas stream is pushed against the rotating brush from a preferably cylindrical storage container, with individual particles of the connection being carried along by the brush.
  • connection located on and / or in the rotating brush is blown out of and / or from the brush by means of a carrier gas stream and into transported the carrier gas stream through the dust outlet nozzle.
  • Further information on the particle dispenser RBG 1000 can be found in the operating instructions RBG-1000, Palas® GmbH, 1994.
  • the compounds are generally transferred from the brush into the carrier gas stream in the solid state and as powdery solids, preferably with a particle size with an average diameter of 1 nm to 100000 nm, particularly preferably 5 nm to 10000 nm.
  • the compound is preferably introduced into the carrier gas stream in the solid state below the sublimation temperature.
  • the carrier gas stream is preferably a laminar gas stream, preferably with a carrier gas velocity between 0.01 m / s and 1 m / s.
  • the compound is preferably brought into the center of a laminar gas stream of the carrier gas in a swirl-free manner. This reduces contact with the hot inner tube walls of the furnace, in which the compounds in step (ii) are sublimed and / or evaporated.
  • a jacket gas stream heated to furnace temperature can be introduced coaxially around the carrier gas stream in order to reduce particle movement to the inner wall of the pipe.
  • gases preferably those which are inert to the compound to be absorbed, can be used as carrier gas, for example air, carbon dioxide, noble gases, nitrogen.
  • Steps (i), (ii) and (iii) are preferably carried out at a pressure, preferably of the carrier gas, between 0.001 mbar and 110,000 mbar, particularly preferably between 0.1 mbar and 1100 mbar.
  • a pressure preferably of the carrier gas, between 0.001 mbar and 110,000 mbar, particularly preferably between 0.1 mbar and 1100 mbar.
  • the respective sublimation temperature results directly from the selected pressure.
  • the carrier gas, into which the compound is introduced in the solid state preferably has a temperature between 10 ° C. and 300 ° C., particularly preferably 10 ° C. to 100 ° C.
  • the step (ii), i.e. the evaporation or sublimation of the solid compound in the carrier gas stream can be carried out by means of generally known heating apparatus, for example by heating the carrier gas stream and the compound in this gas stream to a temperature above the sublimation temperature by means of microwaves, infrared and / or near-infrared radiation sources ,
  • the carrier gas stream and the connection can preferably be heated in a hot-wall oven.
  • the term “hot-wall oven” is preferably to be understood as an externally heated and insulated flow tube, preferably with a circular cross section. This takes place in step (ii) according to the invention
  • the compound is preferably converted into the gaseous state in the carrier gas stream at a temperature between 50 ° C. and 1000 ° C., particularly preferably between 100 ° C. and 600 ° C.
  • the solid compound is converted into the gaseous state at a pressure of 100 to 2200 mbar.
  • the (iii) deposition of the gaseous compound on the carrier is preferably carried out at a pressure of 1 mbar to 100 mbar.
  • Flat substrates made of plastic, glass, ceramics, semiconductors and metal can be considered as supports.
  • the carrier or carriers is preferably glass, indium tin oxide coated glass (ITO glass) and glass coated with semiconductor materials such as silicon, e.g. so-called active matrix substrates with thin-film transistors made of silicon semiconductors on glass.
  • the (iii) vapor deposition of the gaseous compound from the carrier gas stream onto the carrier is preferably carried out at a temperature of the carrier from 10 ° C. to 300 ° C., particularly preferably 20 ° C. to 150 ° C.
  • connection is preferably in the gaseous state for a period of at most 100 s, particularly preferably 0.01 s to 30 s, in particular 1 s to 10 s, i.e. between evaporation and / or sublimation in the heating phase (ii) and (iii) deposition on the support, before, i.e. the duration in which the compound is kept at a temperature above the sublimation temperature is preferably very short, with the result that decomposition of the sensitive compounds is avoided.
  • the supports obtainable according to the invention with the vapor-deposited compound or the vapor-deposited compounds which preferably have a layer with a total thickness between 1 nm to 500 nm, particularly preferably 10 to 400 nm, are particularly suitable for the production of electronic devices, for example organic light-emitting diodes, thin-film solar cells or other apparatus with an electroluminescent layer structure, preferably organic light-emitting diodes.
  • organic light-emitting diodes thin-film solar cells or other apparatus with an electroluminescent layer structure, preferably organic light-emitting diodes.
  • a vapor deposition system consisting of a hot wall oven (temperature 500 ° C) with a laminar flow of carrier gas and a brush dosing device (temperature 23 ° C) also flowed through with carrier gas and a cooled substrate holder (temperature 23 ° C).
  • Triphenylamine is introduced at a powder metering rate of 2 g / h and a metering gas speed of 0.01 m / sec (pressure 10 mbar, nitrogen) as an aerosol into the laminar gas stream of the hot wall oven. After a flow time of 15 seconds, the gas formed is deposited on the cooled substrate. Identical IR spectra and elementary analyzes are obtained for the starting product triphenylamine, for the amount of triphenylamine remaining in the powder charge after 48 h of operation and for the evaporated triphenylamine. There was therefore no thermally induced degradation.
  • Example 2 The vapor deposition system described in Example 1 is used, but instead of the brush metering, a powder receiver over which nitrogen flows and which is kept constant at 300 ° C. (pressure 10 mbar) is used. After 48 hours of operation, a tar-like, black mass remains in the powder charge, the IR spectrum of which contains new bands which cannot be assigned to the triphenylamine. Elemental analysis shows an increase in carbon content of 12%, a decrease in hydrogen content by 5% and a decrease in nitrogen content by 4%. The evaporation rate decreases from 48 h to 32% of the initial value in the course of the experiment.

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Abstract

Verfahren zur Aufdampfung von Verbindung(en) auf einen Träger, dadurch gekennzeichnet, dass man: i) die Verbindung in festem Zustand in einen Trägergasstrom einbringt, ii) die Verbindung in dem Trägergasstrom in den gasförmigen Zustand überführt und iii) die gasförmige Verbindung auf dem Träger niederschlägt.

Description

Verfahren zur Aufdampfung von Verbindung (en) auf einen Träger
Beschreibung 5
Die Erfindung bezieht sich auf Verfahren zur Aufdampfung von Verbindung (en) auf einen Träger. Des weiteren betrifft die Erfindung derart erhältliche Träger und insbesondere organische Leuchtdioden enthaltend die erfindungsgemäßen Träger.
10
Organische Leuchtdioden oder Dünnschichtsolarzellen, die auf einem elektrolumineszierende Schichtaufbau basieren, sind allgemein bekannt. Zur Funktion dieser Apparaturen ist eine in Qualität und Quantität kontrollierte Herstellung der sehr dünnen
15 amorphen Schichten organischen Materials auf einem Träger von besonderer Bedeutung.
In dem Aufdampfverfahren (OVPD: organic vapor phase deposition) , das in den Artikeln von M. Baldo et al . , Advanced Materials,
20 1998, 10, No. 18, Seiten 1505 bis 1514 sowie M. Stein et al . ,
Journal of Applied Physics, 89, 2, Seiten 1470 bis 1476 beschrieben ist, werden verdampfbare kristalline oder amorphe Feststoffe über die Gasphase auf einem Substrat niedergeschlagen. Der Ausgangszustand dieser Feststoffe ist in der Regel der Feststoff in
25 pulverisierter Form. Diese Pulver werden im allgemeinen zuerst aus einer über Verdampfungs- bzw. Sublimationstemperatur gehaltenen Quelle heraus verdampft und mit einem ebenfalls über Sublimationstemperatur gehaltenen Gasstrom vermischt.
30 Nachteile dieser Vorgehensweise sind, dass die Quelle für die gesamte Zeit des Beschichtungsvorgangs über der Sublimationstemperatur gehalten werden muss. Sehr viele, vor allem organische Substanzen beginnen sich bereits bei der Sublimationstemperatur zu zersetzen. Der Gasstrom wird entsprechend mit unerwünschten
35 Zersetzungsprodukten kontaminiert. Des weiteren beginnen bei
Sublimationstemperatur viele Pulver zu verbacken bzw. zu sintern, wodurch sich ihre spezifische Oberfläche verkleinert, was wiederum die Verdampfungsrate unerwünscht senkt .
40 Aufgabe der vorliegenden Erfindung war es somit, ein Verfahren zur Aufdampfung von einer oder mehreren, bevorzugt organischen Verbindungen auf einen oder mehreren Trägern zu entwickeln, bei dem die oben genannten Nachteile vermieden werden. Insbesondere sollte eine Zersetzung empfindlicher Materialien und schwankende
45 Verdampfungsraten deutlich reduziert werden. Diese Aufgabe konnte erfindungsgemäß dadurch gelöst werden, dass man
(i) die bevorzugt organischen Verbindung in festem Zustand in einen Tragergasstrom, bevorzugt Stickstoff, Edelgase und/ oder Kohlendioxid, einbringt, bevorzugt bei einer Temperatur unterhalb der Sublimationstemperatur der bevorzugt organischen Verbindung,
(ii) die Verbindung in dem Tragergasstrom in den gasförmigen Zustand überführt, bevorzugt verdampft oder sublimiert und
;iii) die gasförmige Verbindung auf dem Träger niederschlägt
Erfindungswesentlich ist das Einbringen der empfindlichen organischen Verbindung (en) in fester Form in den Tragergasstrom. Dies bedeutet, dass erfindungsgemäß die Verbindung unterhalb der Sublimationstemperatur in den Tragergasstrom überführt wird und somit die unerwünschte lange Temperaturbelastung der Verbindung deutlich reduziert wird. Auf eine Verdampfung oder Sublimation der Verbindung zur Einbringung in den Tragergasstrom kann verzichtet werden. Unter dem Ausdruck "Verbindung" ist in dieser Schrift die Verbindung (en) zu verstehen, die auf dem Träger nie- dergeschlagen werden soll. Bevorzugt handelt es sich bei der oder den Verbindungen um nichtmetallische Materialien mit Schmelzpunkten von mehr als 50 °C. Besonders bevorzugt handelt es sich bei den Verbindungen um organische Halbleitermaterialien, wobei "organisch" im Sinne der chemischen Definition bedeutet, dass die Verbindung Kohlenstoff enthält.
Der Schritt (i) , d.h. das Überführen der Verbindung in den Tragergasstrom kann erfindungsgemäß durch allgemein bekannten Verfahren zur Einbringung von festen Stoffen in einen Tragergasstrom erfolgen, bevorzugt durch eine Bürstendosierung. Eine derartige Bürstendosierung ist allgemein bekannt. Entsprechende Apparaturen zur Bürstendosierung sind kommerziell beispielsweise bei der Firma Palas®, Karlsruhe, Deutschland unter der Bezeichnung Parti- keldosierer RBG 1000 kommerziell erhältlich. Das Prinzip der Bürstendosierung basiert auf einen Edelstahlblock (Dispergier- kopf ) , in dem eine Bürste drehbar gelagert ist. Aus einem bevorzugt zylindrischen Vorratsbehälter wird die in den Tragergasstrom zu überführende Verbindung gegen die rotierende Bürste geschoben, wobei einzelne Partikel der Verbindung von der Bürste mitgenommen werden. In einem weiteren Teil des Dispergierkopfes wird die auf und/oder in der rotierenden Bürste befindliche Verbindung mittels eines Trägergasstroms aus und/oder von der Bürste geblasen und in dem Tragergasstrom durch die Staubaustrittsdüse abtransportiert . Weitere Informationen zum Partikeldosierer RBG 1000 ist der Bedienungsanleitung RBG-1000, Palas® GmbH, 1994 zu entnehmen. Die Verbindungen werden im allgemeinen in festem Zustand und als pulverförmige Feststoffe, bevorzugt mit einer Partikelgröße mit einem mittleren Durchmesser von 1 nm bis 100000 nm, besonders bevorzugt 5 nm bis 10000 nm, bevorzugt von der Bürste in den Tragergasstrom überführt. Die Verbindung wird bevorzugt in festem Zustand unterhalb der Sublimationstemperatur in den Trägergas- ström eingebracht. Bei dem Tragergasstrom handelt es sich bevorzugt um einen laminaren Gasstrom, bevorzugt mit einer Trägergasgeschwindigkeit zwischen 0,01 m/s und 1 m/s. Bevorzugt bringt man die Verbindung in festem Zustand verwirbelungsfrei in das Zentrum eines laminaren Gasstroms des Trägergases. Dadurch wird ein Kon- takt mit den heißen Rohrinnenwänden des Ofens, in dem die Verbindungen in dem Schritt (ii) sublimiert und/oder verdampft werden, vermindert. Unterstützend kann ein auf Ofentemperatur geheizter Hüllgasstrom koaxial um den Tragergasstrom eingebracht werden, um eine Partikelbewegung zur Rohrinnenwand zu reduzieren. Als Trägergas können allgemein bekannte Gase, bevorzugt solche die inert gegenüber der aufzunehmenden Verbindung sind, zum Einsatz kommen, beispielsweise Luft, Kohlendioxid, Edelgase, Stickstoff. Bevorzugt handelt es sich um Stickstoff, Edelgase, beispielsweise Argon, Helium, Neon, und/oder Kohlendioxid, besonders Stickstoff, Argon und/oder Kohlendioxid oder Mischungen daraus. Die Schritte (i) , (ii) und (iii) werden bevorzugt bei einem Druck, bevorzugt des Trägergases, zwischen 0,001 mbar bis 110000 mbar, besonders bevorzugt zwischen 0,1 mbar bis 1100 mbar durchgeführt. Die jeweilige Sublimationstemperatur ergibt sich für den Fachmann direkt aus dem gewählten Druck. Das Trägergas, in das die Verbindung in festem Zustand eingebracht wird, weist bevorzugt eine Temperatur zwischen 10°C und 300°C, besonders bevorzugt 10°C bis 100°C auf.
Der Schritt (ii) , d.h. das Verdampfen oder Sublimieren der festen Verbindung in dem Tragergasstrom, kann mittels allgemein bekannter Heizapparaturen erfolgen, beispielsweise indem man den Tragergasstrom und die in diesem Gasstrom befindliche Verbindung mittels Mikrowellen, Infrarot- und/oder Nahinfrarot-Strahlungs- quellen auf eine Temperatur über der Sublimationstemperatur erwärmt. Bevorzugt kann die Erwärmung des Trägergasstroms und der Verbindung in einem Heißwandofen erfolgen. Unter dem Ausdruck "Heißwandofen" ist bevorzugt ein von außen beheiztes und isoliertes Strömungsrohr bevorzugt mit kreisförmigen Querschnitt zu ver- stehen. In diesem erfindungsgemäßen Schritt (ii) erfolgt die
Überführung der pulverisierten Verbindung in die Gasphase. Dieses Verdampfen ist wichtig, da die Verbindung nur aus dem gasförmigen Zustand gleichmäßig in einer sehr dünnen Schicht auf dem Träger abgeschieden werden kann. Andererseits wird die Belastung der organischen Verbindungen mit Wärmeenergie erfindungsgemäß gering gehalten und somit eine möglichst schonende Behandlung der Ver- bindung gewährleistet, indem dieser Prozess des Verdampfens sehr kurz gehalten wird. Das Verdampfen der pulverisierten Verbindung in dem Tragergasstrom kann sehr schnell erfolgen, womit die Dauer zwischen Aufheizen und Abscheiden minimiert werden kann. Bevorzugt wird man die Verbindung in dem Tragergasstrom bei einer Temperatur zwischen 50°C und 1000°C, besonders bevorzugt zwischen 100°C und 600°C in den gasförmigen Zustand überführen. Bevorzugt erfolgt (ii) die Überführung der festen Verbindung in den gasförmigen Zustand bei einem Druck von 100 bis 2200 mbar.
Das (iii) Abscheidung der gasförmigen Verbindung auf dem Träger wird bevorzugt bei einem Druck von 1 mbar bis 100 mbar durchgeführt. Als Träger kommen flächige Substrate aus Kunststoff-, Glas, Keramik, Halbleitern und Metall in Betracht. Bevorzugt handelt es sich bei dem oder den Trägern um Glas, Indium-Zinn-Oxid- beschichtetes Glas (ITO-Glass) sowie mit Halbleitermaterialien wie Silizium beschichtetes Glas, z.B. sogenannte Aktiv-Matrix- Substrate mit Dünnschichttransistoren aus Siliziumhalbleitern auf Glas. Das (iii) Aufdampfen der gasförmigen Verbindung aus dem Tragergasstrom auf den Träger erfolgt bevorzugt bei einer Temperatur des Trägers von 10 °C bis 300 °C, besonders bevorzugt 20°C bis 150°C. Bevorzugt liegt die Verbindung für eine Dauer von höchstens 100 s, besonders bevorzugt 0,01 s bis 30 s, insbesondere 1 s bis 10 s im gasförmigen Zustand, d.h. zwischen dem Verdampfen und/oder Sublimieren in der Heizphase (ii) und dem (iii) Abscheiden auf dem Träger, vor, d.h. die Dauer, in der die Verbindung bei einer Temperatur oberhalb der Sublimationstemperatur gehalten wird, ist bevorzugt sehr kurz, womit eine Zersetzung der empfindlichen Verbindungen vermieden wird.
Die erfindungsgemäß erhältlichen Träger mit der aufgedampften Verbindung oder den aufgedampften Verbindungen, die bevorzugt eine Schicht mit einer Gesamtdicke zwischen 1 nm bis 500 nm, besonders bevorzugt 10 bis 400 nm aufweisen, sind insbesondere zur Herstellung von elektronischen Geräten, beispielsweise organi- sehen Leuchtdioden, Dünnschichtsolarzellen oder anderen Apparaturen mit elektrolumineszierendem Schichtaufbau, bevorzugt organischen Leuchtdioden, geeignet. Beispiele :
1. Verwendet wird eine Aufdampfanläge bestehend aus einem laminar von Trägergas durchströmten Heißwandofen (Temperatur 500°C) und einer ebenfalls mit Trägergas durchströmten Bür- stendosiereinrichtung (Temperatur 23°C) sowie einem gekühlten Substrathalter (Temperatur 23°C) .
Triphenylamin wird bei einer Pulverdosierrate von 2 g/h und einer Dosiergasgeschwindigkeit von 0,01 m/sec (Druck 10 mbar, Stickstoff) als Aerosol in den laminaren Gasstrom des Heißwandofens eingeleitet. Nach einer Durchflußzeit von 15 sec wird das entstandene Gas auf dem gekühlten Substrat abgeschieden. Identische IR-Spektren und Elementaranalysen werden für das Ausgangsprodukt Triphenylamin, für die nach 48 h Be- trieb in der Pulvervorlage verbliebene Menge Triphenylamin und für das aufgedampfte Triphenylamin erhalten. Ein thermisch induzierter Abbau fand somit nicht statt.
2. Vergleichsbeispiel : Man verwendet die in Beispiel 1 beschrie- bene Aufdampfanläge , verwendet jedoch anstatt der Bürstendosierung eine von Stickstoff überströmte Pulvervorlage, die konstant auf 300°C gehalten wird (Druck 10 mbar) . Nach 48 h Betrieb verbleibt eine teerähnliche, schwarze Masse in der Pulvervorlage, deren IR Spektrum neue, nicht dem Triphenyl- amin zuordenbare Banden enthält. Die Elementaranalyse zeigt eine Zunahme des Kohlenstoffgehalts um 12 %, eine Abnahme des Wasserstoffgehalts um 5% und eine Abnahme des Stickstoffgehalts um 4 % . Die Verdampfungsrate nimmt im Verlauf des Experiments von 48 h auf 32 % des Ausgangswertes ab.

Claims

Patentansprüche
1. Verfahren zur Aufdampfung von Verbindung (en) auf einen 5 Träger, dadurch gekennzeichnet, dass man
(i) die Verbindung in festem Zustand in einen Tragergasstrom einbringt,
1" (ii) die Verbindung in dem Tragergasstrom in den gasförmigen Zustand überführt und
(iii) die gasförmige Verbindung auf dem Träger niederschlägt .
15
2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass es sich bei den Verbindungen in festem Zustand um pulverförmige Feststoffe handelt mit einem mittleren Durchmesser von 5 nm bis 50000 nm.
20
3. Verfahren gemäß Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass man die Verbindung in festem Zustand unterhalb der Sublimationstemperatur in den Tragergasstrom einbringt .
" 4. Verfahren gemäß Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass man die Verbindung in festem Zustand mittels einer Bürstendosierung in den Tragergasstrom einbringt.
5. Verfahren gemäß Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass man 30 die Verbindung in festem Zustand verwirbelungsfrei in das
Zentrum eines laminaren Gasstroms des Trägergases einbringt.
6. Verfahren gemäß Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass der Tragergasstrom eine Trägergasgeschwindigkeit zwischen 0,01
■" m/s und 1 m/s aufweist.
7. Verfahren gemäß Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die Schritte (i) , (ii) und (iii) bei einem Druck zwischen
0,1 mbar bis 1100 mbar erfolgen.
40
8. Verfahren gemäß Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass das Trägergas, in das die Verbindung in festem Zustand eingebracht wird, eine Temperatur zwischen 10°C und 100°C aufweist.
45
9. Verfahren gemäß Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass man die Verbindung in dem Tragergasstrom bei einer Temperatur von 100 °C bis 1000 °C in den gasförmigen Zustand überführt.
5 10. Verfahren gemäß Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass (ii) die Überführung der festen Verbindung in den gasförmigen Zustand bei einem Druck von 100 bis 2200 mbar erfolgt, während die Abscheidung der gasförmigen Verbindung auf dem Träger bei einem Druck von 1 mbar bis 100 mbar erfolgt. 10
11. Verfahren gemäß Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass das
(iii) Aufdampfen der gasförmigen Verbindung aus dem Tragergasstrom auf den Träger bei einer Temperatur des Trägers von 10 °C bis 100 °C erfolgt. 15
12. Verfahren gemäß Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die Verbindung für eine Dauer von höchstens 100 s im gasförmigen Zustand vorliegt .
20 13. Träger mit aufgedampften Verbindung (en) erhältlich durch ein Verfahren gemäß einem der Ansprüche 1 bis 12.
14. Träger mit aufgedampften Verbindung (en) gemäß Anspruch 13, dadurch gekennzeichnet, dass die aufgedampften Schichten eine
25 Gesamtdicke zwischen 1 nm bis 500 nm aufweist.
15. Organische Leuchtdioden enthaltend Träger gemäß Anspruch 13.
30
35
40
45
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