EP1520210A2 - Optische vorrichtung mit einer beleuchtungsquelle - Google Patents

Optische vorrichtung mit einer beleuchtungsquelle

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Publication number
EP1520210A2
EP1520210A2 EP03762496A EP03762496A EP1520210A2 EP 1520210 A2 EP1520210 A2 EP 1520210A2 EP 03762496 A EP03762496 A EP 03762496A EP 03762496 A EP03762496 A EP 03762496A EP 1520210 A2 EP1520210 A2 EP 1520210A2
Authority
EP
European Patent Office
Prior art keywords
light source
projection
illuminating
individual
bundle
Prior art date
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Withdrawn
Application number
EP03762496A
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
Dieter Bader
Norbert Reng
Johannes Wangler
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Carl Zeiss SMT GmbH
Original Assignee
Carl Zeiss SMT GmbH
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Carl Zeiss SMT GmbH filed Critical Carl Zeiss SMT GmbH
Publication of EP1520210A2 publication Critical patent/EP1520210A2/de
Withdrawn legal-status Critical Current

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Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70058—Mask illumination systems
    • G03F7/70141—Illumination system adjustment, e.g. adjustments during exposure or alignment during assembly of illumination system
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70058—Mask illumination systems
    • G03F7/70091—Illumination settings, i.e. intensity distribution in the pupil plane or angular distribution in the field plane; On-axis or off-axis settings, e.g. annular, dipole or quadrupole settings; Partial coherence control, i.e. sigma or numerical aperture [NA]
    • G03F7/70116—Off-axis setting using a programmable means, e.g. liquid crystal display [LCD], digital micromirror device [DMD] or pupil facets

Definitions

  • the invention relates to an optical device with an illumination source according to the preamble of claim 1 and a projection exposure system according to the preamble of claim 10.
  • the projection light source of a projection exposure system is the projection light source of a projection exposure system, as is used, for example, in microlithography.
  • the conditions in such projection light sources are therefore mainly explained by way of example.
  • the invention can also be used in all such optical devices in which the illumination of an object is intended to be improved by imaging optics with different illumination settings in order to improve the imaging of this object.
  • the term “lighting setting” is understood to mean the intensity distribution of the illuminating light bundle in a pupil plane of the illuminating optics.
  • Optical illuminating light hereinafter refers to illuminating light with wavelengths in the visible, infrared or ultraviolet wavelength range, for which transmissive optical components in particular are also available.
  • a device of the type mentioned in the preamble of claim 1 in the form of a projection light source and a projection exposure system is known from US Pat. No. 5,091,744 A. There, a plurality of individual light bundles composing the projection light bundle serve to generate an inherently incoherent projection light bundle, in which disturbing interference effects are reduced. Demanding lighting requirements, which are in the border area with the resolution that can be achieved with the optical exposure wavelength, are not adequately met with such a projection exposure system.
  • predetermined forms of the lighting settings which are adapted to the respective imaging requirements, can be generated quickly and variably.
  • the lighting setting can be changed during the lighting process depending on the structure of the illuminated object.
  • Pole balance correction of the lighting setting for example symmetrizing a quadropole distribution, is also possible during the course of a lighting process.
  • aperture diaphragms which were arranged interchangeably in interchangeable holders.
  • the use of such diaphragms necessarily leads to a loss in efficiency of the lighting, since unnecessary light is generated which, in addition, undesirably thermally stresses the aperture diaphragm when it hits it.
  • the illuminating light bundle is ideally generated exactly in the form in which it can subsequently be used. This increases the efficiency of the lighting and reduces the thermal load on optical components.
  • different lighting settings can be implemented in a particularly simple manner by specifically controlling the respective individual light sources.
  • a device leads to the possibility of achieving a good approximation of the shape of the illuminating light bundle to the predetermined lighting setting with individual light sources arranged in a matrix.
  • the alternative device according to claim 4 has a simpler structure than a light source matrix.
  • the specified lighting setting can be achieved here by controlling the individual light sources synchronized with the deflection.
  • the device according to claim 5 represents a further alternative to a light source matrix.
  • the predefined lighting setting is created here by a synchronized superposition of row and column scans, corresponding, for example, to the structure of a television picture.
  • a laser diode according to claim 6 can achieve a long service life.
  • laser diodes generate little heat due to their high efficiency.
  • 05 laser diodes can therefore be used.
  • a solid-state laser can also be used. With such individual light sources 1.0, high individual output light outputs can be achieved.
  • the projection light source and an apparatus for wafer inspection are expressly mentioned in claim 8 as particularly prominent embodiments of the device according to the invention.
  • the arrangement of the projection light source according to the invention near or in a pupil plane of the illumination optics ensures an optimized configuration of the given one
  • a homogenization device optimizes the bundle formation of the projection light bundle constructed according to the invention from individual light bundles.
  • a filter according to claim 13 increases the spectral purity of the projection light bundle produced with the projection light source according to the invention, which further improves its imaging properties.
  • Figure 1 is a schematic overview of the lighting optics of a projection exposure system according to the prior art
  • FIG. 2 shows a section of a projection exposure system similar to FIG. 1 and limited to fewer components compared to FIG. 1 with a projection light source according to the invention
  • Figure 3 is an enlarged plan view of a projection light source similar to Figure 2;
  • Figures control examples for the projection light 4 to 7 source according to Figure 3 for generating different lighting settings
  • Figures projection light sources according to the invention, the 8 and 9 to those of Figures 2 and 3 alternative are in a similar view to Figure 3;
  • FIG. 10 shows the optical structure of a device for waver inspection.
  • the section of a projection exposure system according to the prior art shown in FIG. 1 is used for specifying and shaping projection light with which a reticle 3 is illuminated.
  • This carries an original structure, which is imaged and transferred onto a wafer, also not shown, by means of a projection optics shown.
  • the entirety of the optical components described in more detail below, which serve to shape the projection light, is also referred to as “illumination optics”.
  • a laser 1 serves as the projection light source. It generates a projection light bundle 7, which is shown only in regions in FIG. 1. This is first expanded in the beam path after the laser 1 by means of a zoom lens 2.
  • the projection light bundle 7 passes through a diffractive optical element 8 and a lens 4, which transmits the projection light bundle 7 onto an entry surface 5e of a glass rod 5.
  • the latter mixes and homogenizes the projection light bundle 7 by means of multiple internal reflection.
  • a field plane of the illumination optics in which a reticle masking system (REMA) is arranged.
  • the latter is formed by an adjustable field diaphragm 51.
  • the projection light bundle 7 After passing through the field diaphragm 51, the projection light bundle 7 passes through a further objective 6 with lens groups 61, 63, 65, deflection mirror 64 and pupil plane 62.
  • the objective 6 forms the field plane of the field diaphragm 51 on the reticle 3.
  • FIG. 2 shows a projection light source according to the invention
  • FIG. 1 replaced.
  • the other components correspond to those of the projection exposure system according to FIG. 1, which is why they are no longer shown in FIG. 2.
  • Components which correspond to those which have already been described with reference to an earlier figure are each provided with reference numerals increased by 100 in the figures described below and are not described again in detail.
  • the projection light source 110 is arranged in a pupil plane of the illumination optics.
  • the projection light source 110 comprises a plurality of UV laser diodes arranged in a matrix, that is to say in a two-dimensional grid
  • the number of laser diodes 111 should be at least 225, but should preferably be between approximately 500 and 1000.
  • Each of the UV laser diodes 111 emits a light bundle 112 with an average wavelength of 375 nm and an average output of a few mW. The bundles of light
  • a lens 104 transmits the light bundles 112 to the entry surface 105e of the glass rod 105, in which the projection light bundle 107 composed of the light bundles 112 is homogenized.
  • the lens 104 can be a conventional lens or a microlens array.
  • the glass rod 105 and the following components of the projection exposure system correspond to those of the projection exposure system according to the prior art described above with reference to FIG. 1 and are therefore not repeated shown and explained in detail.
  • FIG. 2 shows only the light paths of the marginal rays of the outermost light bundles 112 through the objective 104 and in the air space between the latter and the entry surface 105e of the glass rod 105.
  • An interference filter 132 which is indicated by dashed lines in FIG. 2, can be arranged between the projection light source 110 and the objective 104. To narrow the bandwidth of the spectral emission of the UV laser diodes.
  • FIG. 3 shows a plan view of a projection light source 210 which, apart from the fact that it has a smaller number of UV laser diodes 211 compared to the projection light source 110 from FIG. 2, corresponds to the projection light source 110 from FIG.
  • the UV laser diodes 211 are received by a grid-shaped holding frame 213, which has a circular circumferential surface 214.
  • the holding frame has a plurality of square holding receptacles 215 of the same size, in each of which a UV laser diode 211 is accommodated.
  • the grid-like structure of the holding receptacles 115 therefore gives a matrix-like arrangement of the UV laser diodes
  • the laser diode matrix can be divided into a total of 22 rows (running in the x direction of the Cartesian coordinate system according to FIG. 3) and 22 columns (running in the y direction). Due to the circular delimitation by the circumferential surface 214, the rows or columns on the edge only have in each case eight UV laser diodes 211, while the eight middle rows or columns each have 22 UV laser diodes 211. A total of 210 392 UV laser diodes are available for the projection light source.
  • the row multiplexer 216 and the column multiplexer 217 are connected to a control device 220 via control lines 218, 219.
  • a corresponding lighting setting is set with the aid of the control device 220.
  • different groups of UV laser diodes 211 are activated to emit UV light.
  • a UV laser diode 211 is activated by simultaneous activation on the pair of control lines Z. and S corresponding to the matrix position (row i, column j) of the corresponding UV laser diodes 211. i U
  • all UV laser diodes 211 are activated so that the pupil plane of the illumination optics is completely filled with UV light.
  • FIGS. 4 to 7 show the projection Show light source 210 without the control device 220 or the multiplexer 216, 217.
  • FIG. 4 shows a lighting setting in which the middle row control lines Z "to Z_ _ and the middle column control lines S R to S_, _ are selectively controlled in such a way that a group of UV laser diodes 211 within one in FIG is activated by a dashed circle indicated central area of the holding frame 213. The activation of UV laser diodes 211 is symbolized by a cross.
  • FIG. 5 shows an alternative lighting setting, a so-called dipole lighting.
  • the row control lines Z q to Z and the column control lines S 1 to S r 6 and S 1 "/ to S" ZA_ are driven in such a way that two groups of UV laser diodes 211 are activated, which within from regions which are indicated in FIG. 5 by two dashed circular boundary lines.
  • FIG. 6 shows a further alternative lighting setting, a so-called quadropole lighting.
  • FIG. 7 finally shows an annular illumination as a further variant of an illumination setting.
  • the row control lines Z_ to Z " ⁇ and the column control lines S to S are driven in such a way that the UV laser diodes 211 are within a ring Area, which is indicated in Figure 7 by two concentric dashed circles.
  • the above-described and almost any other lighting settings can be set by appropriate control via the control device 220.
  • the radii of the activated areas in the lighting settings according to FIGS. 4 to 7 sq as well as the position of the centers, the activated areas in the lighting settings of FIGS. 5 (dipole) and 6 (quadropole) and the shape and number of the activated areas can each be according to the illustration requirements.
  • FIGS. 8 and 9 show further variants of projection light sources according to the invention.
  • Figures 8 and 9 also show views of the projection light sources, i. H. the direction of radiation of the UV laser diodes is perpendicular to the plane of the drawing in the direction of the viewer.
  • the projection light source 310 of FIG. 8 has a UV laser diode row 321, which comprises a total of twenty-four UV laser diodes 311 in a cellular holding frame '313.
  • the laser diode array 321 is connected to an actuator 323 via a mechanical coupling 322, which is shown schematically in FIG. 8 and is connected to the control device 320 via a control line 324. With the aid of the actuator 323, the laser diode line 321 can be pivoted about an axis coinciding with the line axis within a predetermined angular range.
  • the projection light source 310 works as follows:
  • control device 320 controls the control lines S. and 324 in a synchronized manner in such a way that the desired lighting setting of the project is superimposed on a longitudinal frequency swiveling movement of the laser diode line 321 about its longitudinal axis with the control of the control lines S. synchronized therewith during a projection cycle - tion light beam is obtained.
  • a projection cycle has a duration that corresponds to at least one full period of the pivoting movement of the laser diode row 321.
  • Corresponding synchronized control by means of the control device 320 can also be used to generate the lighting settings with the projection light source 310 within such a projection cycle, which were described above with reference to the embodiment according to FIG. 3.
  • the projection light source 410 in FIG. 9 has a single UV laser diode 411. This is arranged in a holding frame 413.
  • the UV laser diode 411 is connected to a column scanning device 426 via a mechanical coupling 425.
  • a mechanical coupling 427 connects the UV laser diode 411 to a line scanning device 428.
  • the scanning devices 426, 428 are connected to the control device 420 via control lines 429, 430.
  • the UV laser diode 411 can be pivoted about an axis lying vertically in the plane of the drawing in FIG. 9 within a predetermined angular range.
  • the UV laser diode 411 is horizontally one by one Axis lying in the drawing plane of FIG. 9 can be pivoted within a predetermined angular range.
  • the projection light source 410 works as follows:
  • the control device 420 controls the scanning devices 426, 428 in a synchronized manner via the control lines 429 and 430.
  • the control device 420 controls the scanning devices 426, 428 in a synchronized manner via the control lines 429 and 430.
  • a projection cycle has a duration that corresponds at least to the smallest common multiple of the full periods of the pivoting movements of the scanning devices 426, 428.
  • Corresponding synchronized control by means of the control device 420 can also be used to generate the lighting settings with the projection light source 410 within such a projection cycle, which were described above with reference to the embodiment according to FIG. 3.
  • UV laser diodes As an alternative to UV laser diodes, depending on the embodiment of the invention, other light sources which may be guided by light guides can also be used, e.g. B. a frequency-multiplied solid-state laser. This can be one frequency-tripled or quadrupled Nd: YAG laser, which can have a Q-switch or be mode-locked.
  • B. a frequency-multiplied solid-state laser This can be one frequency-tripled or quadrupled Nd: YAG laser, which can have a Q-switch or be mode-locked.
  • a microlens array can also be used in a manner known per se for homogenizing the illuminating light.
  • the individual light sources can also be arranged in a honeycomb-like structure or in a ring structure in order to achieve a better packing density.
  • FIG. 10 shows a device as a further example of an optical device according to the invention, as is also used in microlithography in the manufacture of semiconductor components for inspecting the manufactured wafers. It comprises a diode array 510 as the illumination source, which generates an illumination light bundle 512 composed of a multiplicity of individual light bundles. A lens 504 couples this illuminating light bundle 512 into a homogenizing glass rod 505. The light emerging from the glass rod 505 is parallelized with the aid of two condenser lenses 580, 581, between which an aperture 582 is arranged. It passes through a deflecting mirror 583 and a partially transparent one
  • the light emerging from the wafer 586 passes through the microscope objective 585 in the opposite direction and is coupled out of the beam path of the illuminating light with the aid of the partially transparent mirror 584. It is then imaged onto a CCD array 588 using a lens 587. The image generated by this can then be evaluated visually or automatically.
  • the diode array 510 as an illuminating light source with appropriate control of the individual diodes, it is possible to change the illuminating setting very quickly and to adapt different structures to be resolved on the wafer 586 under consideration.

Abstract

Eine optische Vorrichtung dient zur Beleuchtung eines Objektes, das mit Hilfe einer entsprechenden Optik abgebildet werden soll. Sie weist eine nahe oder in einer Pupillenebene einer Beleuchtungsoptik angeordnete Beleuchtungslichtquelle (210) auf, welche ein Beleuchtungslichtbündel erzeugt. Die Beleuchtungsoptik ist zwischen der Beleuchtungslichtquelle (210) und dem Objekt angeordnet. Das in einem Beleuchtungszyklus eingesetzte Beleuchtungslichtbündel ist matrixartig zweidimensional aus einer Mehrzahl von Einzelbündeln zusammengesetzt. Ferner ist eine Steuereinrichtung (220) zur selektiven Erzeugung (216, 217) der Einzelbündel vorgesehen. Die Anwahl erfolgt dabei derart, dass die Form des Beleuchtungslichtbündels über die jeweils erzeugten Einzelbündel vorgebbar ist. Dies ermöglicht die rasche und variable Einstellung von an die jeweiligen Abbildungsanforderungen angepassten Beleuchtungssettings.

Description

Optische Vorrichtung mit einer Beleuchtungsquelle
Die Erfindung betrifft eine optische Vorrichtung mit einer Beleuchtungsquelle gemäß dem Oberbegriff des Anspruchs 1 sowie eine Proje tionsbelichtungsanlage gemäß dem Oberbegriff des Anspruchs 10.
Eine der in der Praxis besonders wichtige derartige Vorrichtung ist die Projektionslichtquelle einer Projektionsbelichtungsanlage, wie sie beispielsweise in der Mikrolithographie eingesetzt wird. Nachfolgend werden daher beispielhaft hauptsächlich die Verhältnisse bei derartigen Projektionslichtquellen erläutert. Die Er- findung ist aber darüberhinausgehend bei allen solchen optischen Vorrichtungen einsetzbar, bei denen die Beleuchtung eines Objektes zur Verbesserung der Abbildung dieses Objektes durch eine Abbildungsoptik mit unterschiedlichen Beleuchtungssettings erfogen soll. Unter dem Begriff "Beleuchtungssetting" wird die Intensitätsverteilung des Beleuchtungslichtbündels in einer Pupillenebene der Beleuchtungsoptik verstanden.
Nachfolgend wird' unter dem Begriff "Beleuchtungszyklus"' der Zeitraum zwischen dem Beginn und dem Ende eines
Beleuchtungsschritts eines gegebenen Objekts verstanden. Je nach der verwendeten Beleuchtungstechnik können zur Beleuchtung eines Originals auch mehrere Beleuchtungs- schritte erforderlich sein.
"Optisches Beleuchtungslicht" bezeichnet nachfolgend Beleuchtungslicht mit Wellenlängen im sichtbaren, infraroten oder ultravioletten Wellenlängenbereich, für den insbesondere auch transmissive optische Komponenten zur Verfügung stehen. Eine Vorrichtung der im Oberbegriff des Anspruchs 1 genannten Art ist in Form einer Projektionslichtquelle sowie einer Projektionsbelichtungsanlage aus der US 5 091 744 A bekannt. Dort dient eine Mehrzahl von das Projektionslichtbündel zusammensetzenden Einzellicht- bündeln dazu, ein in sich inkohärentes Projektionslichtbündel zu erzeugen, bei dem störende Interferenzeffekte vermindert sind. Anspruchsvollen Beleuchtungsanforderungen, die im Grenzbereich mit der optischen Belichtungswellen- länge erzielbarer Auflösung liegen, wird mit einer derartigen Projektionsbelichtungsanlage nicht in ausreichendem Maß entsprochen.
Es ist daher eine erste Aufgabe der vorliegenden Erfindung, eine optische Vorrichtung der eingangs genannten Art derart weiterzubilden, daß sie auch für Abbildungen des beleuchteten Objektes bei hohen Anforderungen an die Auflösung eingesetzt werden kann.
Diese Aufgabe ist erfindungsgemäß gelöst durch eine optische Vorrichtung mit den im Anspruch 1 angegebenen Merkmalen.
Mittels der erfindungsgemäßen Steuereinrichtung lassen sich vorgegebene Formen des Beleuchtungssettings, die an die jeweiligen Abbildungsanforderungen angepaßt sind, schnell und variabel erzeugen. Das Beleuchtungssetting kann während des Beleuchtungsvorganges abhängig von der Struktur des beleuchteten Objektes verändert werden. Auch eine Polebalance-Korrektur des Beleuchtungssettings, beispielsweise eine Symmetrisierung einer Quadropolverteilung, ist währen des Ablaufes eines Beleuchtungsvorganges möglich. Zwar ist es im Rahmen der Projektionsbelichtung bekannt, unterschiedliche Beleuchtungssettings vorzugeben, jedoch erfolgt dies bislang mit Hilfe von Aperturblenden, die austauschbar in Wechselhaltern angeordnet waren. Der Einsatz derartiger Blenden führt zwingend zu einem Effizienzverlust der Beleuchtung, da unnötig Licht erzeugt wird, welches zudem die Aperturblende beim Auftreffen unerwünscht thermisch belastet. Mit der erfindungs- gemäßen optischen Vorrichtung wird das Beleuchtungs- lichtbündel im Idealfall genau in der Form erzeugt, in der es anschließend zum Einsatz kommen kann. Dies erhöht die Effizienz der Beleuchtung und vermindert die thermische Belastung optischer Komponenten.
Bei einer Vorrichtung gemäß Anspruch 2 lassen sich durch gezieltes Ansteuern der jeweiligen Einzel-Lichtquellen unterschiedliche Beleuchtungssettings besonders einfach realisieren.
Eine Vorrichtung gemäß Anspruch 3 führt zur Möglichkeit, mit matrixartig angeordneten Einzel-Lichtquellen eine gute Annäherung der Beleuchtungslichtbündelform an das vorgegebene Beleuchtungssetting zu erreichen.
Die alternative Vorrichtung gemäß Anspruch 4 ist einfacher aufgebaut als eine Lichtquellenmatrix . Das vorgegebene Beleuchtungssetting läßt sich hier durch eine mit der Ablenkung synchronisierte Ansteuerung der Einzel-Lichtquellen erreichen.
Eine weitere Alternative zu einer Lichtquellenmatrix stellt die Vorrichtung gemäß Anspruch 5 dar. Das vorgegebene Beleuchtungssetting entsteht hier durch eine synchronisierte Überlagerung von Zeilen- und Spaltenscannen, entsprechend z.B. dem Aufbau eines Fernsehbildes. Eine Laserdiode gemäß Anspruch 6 kann eine hohe Lebensdauer erreichen. Zudem weisen Laserdioden eine geringe Wärmeentwicklung aufgrund ihrer hohen Effizienz auf. 05 Laserdioden lassen sich daher. auch zu eng benachbarten Gruppen, z. B. zu Matrix-Anordnungen zusammenfassen.
Alternativ kann auch ein Festkörperlaser gemäß Anspruch 7 eingesetzt sein. Mit derartigen Einzel-Lichtquellen 1.0 lassen sich hohe einzelne Ausgangs-Lichtleistungen erzielen.
Als besonders prominente Ausgestaltungen der erfindungs- gemäßen Vorrichtung sind in Anspruch 8 die Projektions- 15 lichtquelle und in Anspruch 9 ein Gerät zu Waferinspek- tion ausdrücklich genannt.
Eine weitere Aufgabe der Erfindung ist es, eine Projektionsbelichtungsanlage anzugeben, bei der die Vorteile
20 der erfindungsgemäßen optischen Vorrichtung besonders effizient ausgenutzt werden.
Diese Aufgabe ist erfindungsgemäß gelöst durch eine Projektionsbelichtungsanlage mit den im Anspruch 10 25 angegebenen Merkmalen.
Die Anordnung der erfindungsgemäßen Projektionslichtquelle nahe oder in einer Pupillenebene der Beleuchtungsoptik gewährleistet eine optimierte Ausbildung des vorgegebenen
30 Beleuchtungssettings, wobei keine Verluste durch sonst ggf . im Bereich der Pupillenebene anzuordnende Filter oder Blenden in Kauf genommen werden müssen. Eine derartige Projektionsbelichtungsanlage eignet sich insbesondere zur mikrolithographischen Chipfertigung in der Halbleiter- 35 Industrie oder zur Herstellung von Flachbildschirmen. Eine Homogenisierungseinrichtung gemäß Anspruch 11 optimiert die Bündelformung des erfindungsgemäß aus einzelnen Lichtbündeln aufgebauten Projektionslichtbündels.
Im Zusammenhang mit anderen Projektionslichtquellen hat sich ein Glasstab gemäß Anspruch 12 als gut geeignete
Homogenisierungseinrichtung erwiesen .
Ein Filter gemäß Anspruch 13 erhöht die spektrale Reinheit des mit der erfindungsgemäßen Projektionslichtquelle hergestellten Projektionslichtbündels, was dessen Abbil- dungseigenschaften weiter verbessert.
Ausführungsbeispiele der Erfindung werden nachfolgend anhand der Zeichnung näher erläutert; es zeigen:
Figur 1 eine schematische Übersicht der Beleuchtungsoptik einer Projektionsbelichtungsanlage nach dem Stand der Technik;
Figur 2 einen verglichen mit Fig. 1 auf weniger Komponenten beschränkten Ausschnitt einer zur Figur 1 ähnlichen Projektionsbelichtungsanlage mit' einer erfindungsgemäßen Projektionslichtquelle;
Figur 3 eine vergrößerte Aufsicht auf eine zur Figur 2 ähnliche Projektionslichtquelle ;
Figuren Ansteuerungsbeispiele für die Projektionslicht4 bis 7 quelle gemäß Figur 3 zur Erzeugung unterschiedlicher Beleuchtungssettings;
Figuren erfindungsgemäße Projektionslichtquellen, die 8 und 9 zu denjenigen der Figuren 2 und 3 alternativ sind, in einer zur Figur 3 ähnlichen Aufsicht;
Figur 10 den optischen Aufbau eines Geräts zu Waverin- spektion.
Der in Figur 1 dargestellte Ausschnitt einer Projektionsbelichtungsanlage nach dem Stand der Technik dient zur Vorgabe und Formung von Projektionslicht mit dem ein Retikel 3 beleuchtet wird. Dieses trägt eine Originalstruk- tur, die mittels einer nd,cht dargestellten Projektionsoptik auf einen ebenfalls nicht dargestellten Wafer abgebildet und übertragen wird. Die Gesamtheit der nachfolgend näher beschriebenen optischen Komponenten, die dieser Formung des Projektionslichts dienen, wird auch als "Beleuchtungsoptik" bezeichnet.
Als Projektionslichtquelle dient ein Laser 1. Er erzeugt ein in Figur 1 nur bereichsweise dargestelltes Projektions- lichtbündel 7. Dieses wird im Strahlengang nach dem Laser 1 zunächst mittels eines Zoom-Objektivs 2 aufgeweitet.
Anschließend durchtritt das Projektionslichtbündel 7 ein diffraktives optisches Element 8 sowie ein Objektiv 4, welches das Projektionslichtbündel 7 auf eine Eintritts- fläche 5e eines Glasstabs 5 überträgt. Letzterer mischt und homogenisiert durch mehrfache innere Reflexion das Projektionslichtbündel 7. Im Bereich der Austrittsfläche 5a des Glasstabs 5 befindet sich eine Feldebene der Beleuchtungsoptik, in der ein Retikel-Masking-System (REMA) angeordnet ist. Letzteres ist gebildet durch eine verstell- bare Feldblende 51.
Nach Passieren der Feldblende 51 durchtritt das Projektionslichtbündel 7 ein weiteres Objektiv 6 mit Linsengruppen 61, 63, 65, Umlenkspiegel 64 und Pupillenebene 62. Das Objektiv 6 bildet die Feldebene der Feldblende 51 auf das Retikel 3 ab.
Figur 2 zeigt eine erfindungsgemäße Projektionslichtquelle
110, welche den Laser 1 sowie das Zoom-Objektiv 2 sowie das diffraktive optische Element 8 der Ausführung gemäß
Figur 1 ersetzt . Die sonstigen Komponenten entsprechen denjenigen der Projektionsbelichtungsanlage gemäß Fig. 1, weswegen diese in Fig. 2 nicht mehr dargestellt sind. Komponenten, die denjenigen entsprechen, die schon unter Bezugnahme auf eine frühere Figur beschrieben wurden, tragen in den nachfolgend beschriebenen Figuren jeweils um 100 erhöhte Bezugszeichen und werden nicht nochmals im einzelnen beschrieben.
Die Projektionslichtquelle 110 ist in einer Pupillenebene der Beleuchtungsoptik angeordnet. Die Projektionslichtquelle 110 umfaßt eine Vielzahl von matrixartig, also in einem zweidimensionalen Raster, angeordneten UV-Laserdioden
111. Die Zahl der Laserdioden 111 sollte mindestens 225 be- tragen, vorzugsweise jedoch zwischen etwa 500 und 1000 liegen. Jede der UV-Laserdioden 111 emittiert ein Lichtbündel 112 mit einer mittleren Wellenlänge von 375 nm und einer mittleren Leistung von einigen mW. Die Lichtbündel
112 weisen eine Austrittsdivergenz von ca. 10 auf.
Ein Objektiv 104 überträgt die Lichtbündel 112 auf die Eintrittsfläche 105e des Glasstabs 105, in dem das sich aus den Lichtbündeln 112 zusammensetzende Projektionslicht- bundel 107 homogenisiert wird. Bei dem Objektiv 104 kann es sich um ein herkömmliches Objektiv oder auch um ein Mikrolinsen-Array handeln. Der Glasstab 105 sowie die nachfolgenden Komponenten der Projektionsbelichtungsanlage entsprechen denjenigen der oben unter Bezugnahme auf Figur 1 beschriebenen Projektionsbelichtungsanlage nach dem Stand der Technik und werden daher nicht nochmals dargestellt und im einzelnen erläutert.
In Figur 2 sind aus Übersichtlichkeitsgründen nur die Lichtwege der Randstrahlen der äußersten Lichtbündel 112 durch das Objektiv 104 sowie im Luftraum zwischen diesem und der Eintrittsfläche 105e des Glasstabs 105 dargestellt .
Zwischen der Projektionslichtquelle 110 und dem Objektiv 104. kann zur Bandbreiteneinengung der spektralen Emission der UV-Laserdioden ein Interferenzfilter 132, welches in Figur 2 gestrichelt angedeutet ist, angeordnet sein.
Figur 3 zeigt eine Aufsicht auf eine Projektionslicht- quelle 210, die bis auf die Tatsache, daß sie verglichen mit der Projektionslichtquelle 110 von Fig. 2 eine geringere Anzahl von UV-Laserdioden 211 aufweist, der Projektionslichtquelle 110 der Figur 2 entspricht.
Die UV-Laserdioden 211 sind von einem gitterförmigen Halterahmen 213 aufgenommen, welcher eine kreisförmige Umf ngsflache 214 aufweist. Innerhalb dieser weist der Halterahmen eine Vielzahl quadratischer, gleich großer Halteaufnahmen 215 auf, in denen jeweils eine UV-Laserdiode 211 aufgenommen ist.
Der gitterartige Aufbau der Halteaufnahmen 115 gibt daher eine matrixartige Anordnung der UV-Laserdioden
211 vor, die innerhalb der sie begrenzenden Umfangsflache 214 liegt. Die Laserdioden-Matrix läßt sich unterteilen in insgesamt 22 Zeilen (verlaufend in x-Richtung des kartesischen Koordinatensystems gemäß Figur 3) und 22 Spalten (verlaufend in y-Richtung) . Bedingt durch die kreisförmige Begrenzung durch die Umfangsflache 214 weisen die randseitigen Zeilen bzw. Spalten nur jeweils acht UV-Laserdioden 211 auf, während die acht mittleren Zeilen bzw. Spalten jeweils 22 UV-Laserdioden 211 aufweisen. Insgesamt liegen bei der Projektionslichtquelle 210 392 UV-Laserdioden vor.
Jede der Zeilen ist über eine Zeilen-Steuerleitung Z . (i=l, 2, ... 22) mit einem Zeilen-Multiplexer 216 verbunden. In entsprechender Weise sind die Spalten der Matrix über Spalten-Steuerleitungen S. (i=l, 2, ... 22) mit einem Spalten-Multiplexer 217 verbunden. Über Steuerlei- , tungen 218, 219 sind der Zeilenmultiplexer 216 und der Spalten-Multiplexer 217 mit einer Steuereinrichtung 220 verbunde .
Der Einsatz der Projektionslichtquellen 110, 210 wird nachfolgend anhand der Projektionslichtquelle 210 beschrieben:
Je nach den Abbildungserfordernissen, welche die Original- Struktur auf dem Retikel 3 an die Projektionsbelichtungsanlage stellt, wird mit Hilfe der Steuereinrichtung 220 ein entsprechendes Beleuchtungssetting eingestellt. Je nach Beleuchtungssetting werden unterschiedliche Gruppen von UV-Laserdioden 211 zur Aussendung von UV-Licht aktiviert. Eine UV-Laserdiode 211 wird dabei durch gleichzeitiges Ansteuern auf dem der Matrixposition (Zeile i, Spalte j) der entsprechenden UV-Laserdioden 211 entsprechenden Paar von Steuerleitunqen Z. und S. aktiviert. i U Im einfachsten Fall der Beleuchtung werden alle UV-Laserdioden 211 aktiviert, so daß die Pupillenebene der Beleuchtungsoptik vollständig mit UV-Licht gefüllt ist.
Andere Beleuchtungssettings werden nachfolgend anhand der Figuren 4 bis 7 beschrieben, die die Projektions- lichtquelle 210 ohne die Steuereinrichtung 220 bzw. die Mulitplexer 216, 217 zeigen.
Figur 4 zeigt ein Beleuchtungssetting, bei dem die mitt- leren Zeilen-Steuerleitungen Z„ bis Z_ _ sowie die mittleren Spalten-Steuerleitungen SR bis S_ ,_ selektiv derart angesteuert sind, daß eine Gruppe von UV-Laserdioden 211 innerhalb eines in Figur 4 durch einen gestrichelten Kreis angedeuteten zentralen Bereichs des Halterahmens 213 aktiviert ist. Die Aktivierung von UV-Laserdioden 211 ist jeweils durch ein Kreuz symbolisiert.
Figur 5 zeigt ein alternatives Beleuchtungssetting, eine sog. Dipol-Beleuchtung. Hier sind die Zeilen-Steuer- leitungen Zq bis Z sowie die Spalten-Steuerleitungen S- 1 bis Sr6 sowie S.1„/ bis S„ ZA_ derart angesteuert, daß zwei Gruppen von UV-Laserdioden 211 aktiviert werden, die innerhalb von Bereichen liegen, die in Figur 5 durch zwei gestrichelte kreisförmige Begrenzungslinien ange- deutet sind.
Figur 6 zeigt ein weiteres alternatives Beleuchtungssetting, eine sog. Quadropol-Beleuchtung. Hier sind die Zeilen- _
Steuerleitung3en Z4. bis Z9n und.Z1-4. bis Z1_9_ sowie die Spalten-Steuerleitungen S. bis Sg und S bis
S-. _ derart angesteuert, daß vier Gruppen von UV-Laserdioden 211- angesteuert sind, die innerhalb von vier Bereichen liegen, die in Figur 6 durch kreisförmige gestrichelte Linien angedeutet sind.
Figur 7 zeigt schließlich eine annulare Beleuchtung als weitere Variante eines Beleuchtungssettings. Hier sind die Zeilen-Steuerleitungen Z_ bis Z„π sowie die Spalten-Steuerleitungen S bis S derart angesteuert, daß die UV-Laserdioden 211 innerhalb eines ringförmigen Bereichs, der in Figur 7 durch zwei konzentrische gestrichelte Kreise angedeutet ist, aktiviert sind.
Je nach der Beleuchtungsanforderung der Originalstruktur auf dem Retikel 3 können durch entsprechende Änsteuerung über die Steuereinrichtung 220 die vorstehend beschriebenen und nahezu beliebige andere Beleuchtungssettings eingestellt werden. Insbesondere lassen sich die Radien der aktivierten Bereiche bei den Beleuchtungssettings nach den Figuren 4 bis 7 sqwie die Position der Zentren, der aktivierten Bereiche bei den Beleuchtungssettings der Figuren 5 (Dipol) sowie 6 (Quadropol) und die Form und die Anzahl der aktivierten Bereiche je nach den Abbildungs- anforderungen vorgeben.
Figuren 8 und 9 zeigen weitere Varianten erfindungsgemäßer Projektionslichtquellen. Die Figuren 8 und 9 zeigen ebenfalls Aufsichten auf die Projektionslichtquellen, d. h. die Abstrahlrichtung der UV-Laserdioden ist senkrecht zur Zeichenebene in Richtung des Betrachters.
Die Projektionslichtquelle 310 der Figur 8 weist eine UV-Laserdioden-Zeile 321 auf, die insgesamt vierundzwanzig UV-Laserdioden 311 in einem zellenförmigen Halterahmen' 313 umfaßt. Die UV-Laserdioden 311 sind jeweils über Steuerleitungen S. (i=l, 2, ... 24) mit der Steuereinrichtung 320 verbunden. Über eine in Figur 8 schematisch dargestellte mechanische Ankopplung 322 ist die Laserdioden- Zeile 321 mit einem Aktuator 323 verbunden, der seinerseits über eine Steuerleitung 324 mit der Steuereinrichtung 320 verbunden ist. Mit Hilfe des Aktuators 323 läßt sich die Laserdioden- eile 321 um eine mit der Zeilenachse zusammenfallende Achse innerhalb eines vorgegebenen Winkelbe- reichs verschwenken. Die Projektionslichtquelle 310 funktioniert folgendermaßen:
Je nach vorzugebendem Beleuchtungssetting steuert die Steuereinrichtung 320 die Steuerleitungen S. sowie 324 derart synchronisiert an, daß durch die Überlagerung einer festfrequenten Schwenkbewegung der Laserdioden-Zeile 321 um ihre Längsachse mit der hiermit synchronisierten Änsteuerung der Steuerleitungen S. während eines Projektionszyklus das gewünschte Beleuchtungssetting des Projek- tionslichtbündels erhalten wird.
Ein Projektionszyklus hat dabei eine Dauer, die mindestens einer vollen Periode der Schwenkbewegung der Laserdioden- Zeile 321 entspricht. Durch entsprechende synchronisierte Änsteuerung mittels der Steuereinrichtung 320 lassen sich mit der Projektionslichtquelle 310 innerhalb eines derartigen Projektionszyklus ebenfalls die Beleuchtungssettings erzeugen, die vorstehend unter Bezugnahme auf die Ausführung gemäß Figur 3 beschrieben wurden.
Die Projektionslichtquelle 410 der Figur 9 weist eine einzelne UV-Laserdiode 411 auf. Diese ist in einem Halterahmen 413 angeordnet. Über eine mechanische Ankopplung 425 ist die UV-Laserdiode 411 mit einer Spalten-Scanein- richtung 426 verbunden. Eine mechanische Ankopplung 427 verbindet die UV-Laserdiode 411 mit einer Zeilen-Scaneinrichtung 428. Über Steuerleitungen 429, 430 sind die Scaneinrichtungen 426, 428 mit der Steuereinrichtung 420 verbunden .
Über die mechanische Ankopplung 425 ist die UV-Laserdiode 411 um eine vertikal in der Zeichenebene der Figur 9 liegende Achse innerhalb eines vorgegebenen Winkelbe- reichs verschwenkbar . Mittels der mechanischen Ankopplung 427 ist die UV-Laserdiode 411 um eine horizontal in der Zeichenebene der Figur 9 liegende Achse innerhalb eines vorgegebenen Winkelbereichs verschwenkbar.
Die Projektionslichtquelle 410 funktioniert folgendermaßen:
Je nach vorzugebendem Beleuchtungssetting steuert die Steuereinrichtung 420 über die Steuerleitungen 429 sowie 430 die Scaneinrichtungen 426, 428 derart synchronisiert an. Durch die Überlagerung der festfrequenten Schwenkbe- wegungen der mechanischen Ankopplungen 425, 427 um die beiden Schwenkachsen und die hierzu synchronisierte Aktivierung der UV-Laserdiode 411 während eines Projektionszyklus läßt sich analog zum oben Beschriebenen eine scheinbare matrixartig angeordnete Vielzahl von sequentiell erzeugten Lichtbündeln aufgrund der momentanen Ausrichtung der UV-Laserdiode 411 mittels der Steuereinrichtung 420 anwählen. Über diese gesteuerte Anwahl der entsprechend der momentanenen Ausrichtung der UV-Laserdiode 411 erzeugen Lichtbündel wird das gewünschte Beleuchtungssetting des Projektionslichtbündels erhalten.
Ein Projektionszyklus hat dabei eine Dauer, die mindestens dem kleinsten gemeinsamen Vielfachen der vollen Perioden der Schwenkbewegungen der Scaneinriσhtungen 426, 428 entspricht. Durch entsprechende synchronisierte Änsteuerung mittels der Steuereinrichtung 420 lassen sich mit der Projektionslichtquelle 410 innerhalb eines derartigen Projektionszyklus ebenfalls die Beleuchtungssettings erzeugen, die vorstehend unter Bezugnahme auf die Ausfüh- rung gemäß Figur 3 beschrieben wurden.
Alternativ zu UV-Laserdioden können je nach Ausführungsform der Erfindung auch andere ggf. durch Lichtleiter geführte Lichtquellen zum Einsatz kommen, z. B. ein frequenzver- vielfachter Festkörperlaser. Hierbei kann es sich um einen frequenzverdreifachten oder -vervierfachten Nd:YAG-Laser handeln, der einen Q-Switch aufweisen oder modengekoppelt sein kann.
Statt des oben beschriebenen Glasstabes kann zur Homogenisierung des Beleuchtungslichtes in an und für sich bekannter Weise auch ein Mikrolinsenarray eingesetzt werden.
Die Einzellichtquellen können zur Erzielung einer besseren Packungsdichte auch in einer wabenähnlichen Struktur oder in einer Ringstruktur angeordnet werden.
In Figur 10 ist als weiteres Beispiel für eine erfindungs- gemäße optische Vorrichtung ein Gerät dargestellt, wie es ebenfalls in der Mikrolithographie bei der Herstellung von Halbleiter-Bauelementen zur Inspektion der hergestellten Waver eingesetzt wird. Es umfaßt als Beleuchtungsquelle ein Diodenarray 510, das ein aus einer Vielzahl von Einzellichtbündeln zusammengesetztes Beleuchtungslichtbün- del 512 erzeugt. Eine Linse 504 koppelt diese Beleuchtungslichtbündel 512 in einen homogenisierenden Glasstab 505 ein. Das aus dem Glastab 505 austretende Licht wird mit Hilfe zweier Kondensorlinsen 580, 581 parallelisiert , zwischen denen eine Blende 582 angeordnet ist. Es gelangt über ' einen Umlenkspiegel 583 und einen teildurchlässigen
Spiegel 584 und durch ein Mikroskopobjektiv 585 auf den zu untersuchenden und daher zu beleuchtenden Waver 586.
Das vom Wafer 586 ausgehende Licht durchsetzt das Mikro- skopobjektiv 585 in entgegengesetzter Richtung und wird aus dem Strahlengang des Beleuchtungslichtes mit Hilfe des teildurchlässigen Spiegels 584 ausgekoppelt. Es wird dann mit Hilfe einer Linse 587 auf ein CCD-Array 588 abgebildet. Das von diesem erzeugte Bild kann dann visuell oder auch automatisch ausgewertet werden. Wiederum ist es durch die Verwendung des Diodenarrays 510 als Beleuchtungslichtquelle bei entsprechender Änsteuerung der Einzeldioden möglich, das Beleuchtungs- setting sehr rasch zu ändern und unterschiedlichen aufzulösenden Strukturen auf dem betrachteten Wafer 586 anzupassen.

Claims

Patentansprüche
1. Optische Vorrichtung mit einer Beleuchtungslichtquelle, welche ein matrixartig zweidimensional aus einer Mehrzahl von Einzelbundeln zusammengesetztes Beleuchtungslichtbündel zur Beleuchtung eines Objektes erzeugt,
gekennzeichnet durch
eine Steuereinrichtung (220; 320; 420) zur selektiven Erzeugung der Einzelbundel (112) derart, daß die Form des Beleuchtungslichtbündels (107) über die jeweils angewählten Einzelbundel (112) vorgebbar ist.
2. Vorrichtung nach Anspruch 1, gekennzeichnet durch eine Mehrzahl matrixartig angeordneter Einzel-Lichtquellen (111; 211) , die jeweils jeweils so ansteuerbar sind, daß sie ein Einzelbundel (112) emittieren, wobei die Gesamtheit der Einzelbundel (112) der angesteuerten Lichtquellen (111; 211) das Beleuchtungslichtbündel (107) aufbaut .
3. Vorrichtung nach Anspruch 2, gekennzeichnet durch • eine Vielzahl von Einzel-Lichtquellen (111; 211) , insbesondere mehr als 225, vorzugsweise mehr als 500 Einzel-Lichtquellen (111) .
4. Vorrichtung nach Anspruch 1, gekennzeichnet durch eine Mehrzahl von zeilenartig in einer ersten Richtung angeordneten Einzel-Lichtquellen (311) und eine Scan- Einrichtung (323) , welche zur Erzeugung des Beleuchtungslichtbündels die Einzelbundel während des Beleuchtungszyklus in einer zur ersten Richtung und zur Abstrahlrichtung der Einzelbundel senkrechten zweiten Richtung gesteuert (220) ablenkt .
5. Vorrichtung nach Anspruch 1, gekennzeichnet durch eine ein Lichtbündel emittierende Einzel-Lichtquelle (411) und eine Scan-Einrichtung (426, 428) , welche zur Erzeugung des Beleuchtungslichtbündels das Lichtbündel während des Beleuchtungszyklus in zwei zueinander und zur Abstrahlrichtung der Einzel-Lichtquelle (411) senkrechte Richtungen gesteuert (420) ablenkt.
6. Vorrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, gekennzeichnet durch mindestens eine Einzel-Lichtquelle
(111; 211; 311; 411) in Form einer Laserdiode.
7. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 5, gekennzeichnet durch eine Einzel-Lichtquelle in Form eines frequenzvervielfachten Festkörperlasers .
8. Vorrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß sie eine Projektionsbe- lichtungsrorrichtung ist.
9. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 7, dadurch gekennzeichnet, daß sie Teil eines Gerätes zur Wav'er- inspektion ist .
10. Projektionsbelichtungsanlage, insbesondere für die Mikrolithographie, zur Erzeugung eines Bildes eines
Originals mit einer Projektionslichtquelle, welche ein Projektionslichtbündel erzeugt, mit einer zwischen der
Projektionslichtquelle und dem Original angeordneten Beleuchtungsoptik zur Formung des Projektionslichtbündels und mit einer zwischen dem Original und dem Bild angeordneten Projektionsoptik, dadurch gekennzeichnet, daß
die Projektionslichtquelle (110; 210; 310; 410) nach einem der Ansprüche 1 bis 7 ausgeführt ist und nahe oder in einer Pupillenebene der Beleuchtungsoptik angeordnet ist .
11. Projektionsbelichtungsanlage nach Anspruch 10, gekennzeichnet durch eine der Projektionslichtquelle (110) nachgeordnete Homogenisierungseinrichtung (105) für. die Intensitätsverteilung des Projektionslichtbündels (107) .
12. Projektionsbelichtungsanlage nach Anspruch 11, dadurch gekennzeichnet, daß die Homogenisierungseinrichtung durch einen Glasstab (105) gebildet ist.
13. Projektionsbelichtungsanlage nach Anspruch 11, dadurch gekennzeichnet, daß die Homogenisierungseinrichtung durch ein Mikrolinsenarray gebildet ist.
14. Projektionsbelichtungsanlage nach einem der Ansprüche 10 bis 13, gekennzeichnet durch einen der Projektionslichtquelle (110) nachgeordneten Filter (132) zur Band- breiteneinengung der spektralen Emission der Projektions- lichtquelle (110) .
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Families Citing this family (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7245354B2 (en) * 2004-02-03 2007-07-17 Yuri Granik Source optimization for image fidelity and throughput
DE102004031720A1 (de) * 2004-06-30 2006-01-26 Infineon Technologies Ag Abbildungseinrichtung und Verfahren zum Ermitteln einer optimierten Beleuchtungsverteilung in der Abbildungseinrichtung
US7283209B2 (en) 2004-07-09 2007-10-16 Carl Zeiss Smt Ag Illumination system for microlithography
US20090244510A1 (en) * 2004-12-14 2009-10-01 Radove Gmbh Process and apparatus for the production of collimated uv rays for photolithographic transfer
TW200625027A (en) * 2005-01-14 2006-07-16 Zeiss Carl Smt Ag Illumination system for a microlithographic projection exposure apparatus
DE102005031792A1 (de) * 2005-07-07 2007-01-11 Carl Zeiss Smt Ag Verfahren zur Entfernung von Kontamination von optischen Elementen, insbesondere von Oberflächen optischer Elemente sowie ein optisches System oder Teilsystem hierfür
JP2007027188A (ja) * 2005-07-12 2007-02-01 Nano System Solutions:Kk 露光用照明光源の形成方法、露光用照明光源装置、露光方法及び露光装置
DE102005053651A1 (de) * 2005-11-10 2007-05-16 Zeiss Carl Smt Ag Mikrolithographische Projektionsbelichtungsanlage sowie Verfahren zur Herstellung mikrostrukturierter Bauelemente
JP5361239B2 (ja) * 2008-04-09 2013-12-04 キヤノン株式会社 露光装置及びデバイス製造方法
US8330938B2 (en) * 2009-02-27 2012-12-11 Corning Incorporated Solid-state array for lithography illumination
US9046359B2 (en) 2012-05-23 2015-06-02 Jds Uniphase Corporation Range imaging devices and methods
JP2015522937A (ja) * 2012-06-01 2015-08-06 エーエスエムエル ネザーランズ ビー．ブイ． 複数の放射ビームの特性を修正するアセンブリ、リソグラフィ装置、複数の放射ビームの特性を修正する方法およびデバイス製造方法
DE102015212910A1 (de) * 2015-07-09 2017-01-12 Sac Sirius Advanced Cybernetics Gmbh Vorrichtung zur Beleuchtung von Gegenständen
CN105222997A (zh) * 2015-09-29 2016-01-06 合肥京东方显示光源有限公司 一种光源模拟装置、光源测试系统及测试方法
CN106814548A (zh) * 2015-11-30 2017-06-09 上海微电子装备有限公司 自由光瞳照明方法及照明系统
NL2017493B1 (en) * 2016-09-19 2018-03-27 Kulicke & Soffa Liteq B V Optical beam homogenizer based on a lens array
CN108803244B (zh) * 2017-04-27 2021-06-18 上海微电子装备（集团）股份有限公司 照明装置及照明方法和一种光刻机
DE102018201457A1 (de) * 2018-01-31 2019-08-01 Carl Zeiss Smt Gmbh Beleuchtungsoptik für die Projektionslithographie
DE102022203331A1 (de) 2022-04-04 2022-11-10 Carl Zeiss Smt Gmbh Beleuchtungssystem und Projektionsbelichtungsanlage für Mikrolithographie

Family Cites Families (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3729252A (en) * 1970-06-05 1973-04-24 Eastman Kodak Co Optical spatial filtering with multiple light sources
HU175630B (hu) * 1976-12-15 1980-09-28 Mta Szamitastech Autom Kutato Lazernoe ustrojstvo dlja registracii dannykh i signalov
US5091744A (en) * 1984-02-13 1992-02-25 Canon Kabushiki Kaisha Illumination optical system
KR950004968B1 (ko) * 1991-10-15 1995-05-16 가부시키가이샤 도시바 투영노광 장치
US6038279A (en) * 1995-10-16 2000-03-14 Canon Kabushiki Kaisha X-ray generating device, and exposure apparatus and semiconductor device production method using the X-ray generating device
DE19540108C2 (de) * 1995-10-27 1998-08-06 Ldt Gmbh & Co Vorrichtung zur Darstellung eines ersten Bildes in einem durch eine durchsichtige Scheibe sichtbaren zweiten Bild
US6628370B1 (en) * 1996-11-25 2003-09-30 Mccullough Andrew W. Illumination system with spatially controllable partial coherence compensating for line width variances in a photolithographic system
US5840451A (en) * 1996-12-04 1998-11-24 Advanced Micro Devices, Inc. Individually controllable radiation sources for providing an image pattern in a photolithographic system
US6233039B1 (en) * 1997-06-05 2001-05-15 Texas Instruments Incorporated Optical illumination system and associated exposure apparatus
EP0980581A1 (de) * 1998-03-05 2000-02-23 Fed Corporation Photolithographie im blauen und uv-bereich mit organischen lichtquellen
US6215578B1 (en) * 1998-09-17 2001-04-10 Vanguard International Semiconductor Corporation Electronically switchable off-axis illumination blade for stepper illumination system
US6224216B1 (en) * 2000-02-18 2001-05-01 Infocus Corporation System and method employing LED light sources for a projection display
US6509955B2 (en) * 2000-05-25 2003-01-21 Ball Semiconductor, Inc. Lens system for maskless photolithography
US6658315B2 (en) * 2001-10-31 2003-12-02 Ball Semiconductor, Inc. Non-synchronous control of pulsed light
CN1791839A (zh) * 2001-11-07 2006-06-21 应用材料有限公司 光点格栅阵列光刻机

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
See references of WO2004006021A2 *

Also Published As

Publication number Publication date
US20050226000A1 (en) 2005-10-13
JP2005532680A (ja) 2005-10-27
WO2004006021A3 (de) 2004-09-16
DE10230652A1 (de) 2004-01-29
WO2004006021A2 (de) 2004-01-15
CN1666153A (zh) 2005-09-07
AU2003246548A1 (en) 2004-01-23

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