EP1305610A2 - Capteur de molecules gazeuses reductrices - Google Patents

Capteur de molecules gazeuses reductrices

Info

Publication number
EP1305610A2
EP1305610A2 EP01956606A EP01956606A EP1305610A2 EP 1305610 A2 EP1305610 A2 EP 1305610A2 EP 01956606 A EP01956606 A EP 01956606A EP 01956606 A EP01956606 A EP 01956606A EP 1305610 A2 EP1305610 A2 EP 1305610A2
Authority
EP
European Patent Office
Prior art keywords
tin
layer
support
tin oxide
cell
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
EP01956606A
Other languages
German (de)
English (en)
Other versions
EP1305610B1 (fr
Inventor
Vincent Fleury
Thierry Devers
Lévi ALLAM
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Centre National de la Recherche Scientifique CNRS
Original Assignee
Centre National de la Recherche Scientifique CNRS
Universite d Orleans UFR de Sciences
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Centre National de la Recherche Scientifique CNRS, Universite d Orleans UFR de Sciences filed Critical Centre National de la Recherche Scientifique CNRS
Publication of EP1305610A2 publication Critical patent/EP1305610A2/fr
Application granted granted Critical
Publication of EP1305610B1 publication Critical patent/EP1305610B1/fr
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01NINVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N27/00Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means
    • G01N27/02Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating impedance
    • G01N27/04Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating impedance by investigating resistance
    • G01N27/12Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating impedance by investigating resistance of a solid body in dependence upon absorption of a fluid; of a solid body in dependence upon reaction with a fluid, for detecting components in the fluid
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10TTECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T29/00Metal working
    • Y10T29/49Method of mechanical manufacture
    • Y10T29/49002Electrical device making

Definitions

  • the invention relates to a sensor for reducing gas molecules, the sensitive element of which is tin oxide.
  • Detecting and measuring the concentration of harmful molecules in an atmosphere is a very important issue, in particular because of the increase in emissions from industrial or urban sources. It has become necessary to detect the presence of harmful molecules at increasingly low concentrations, below the concentrations dangerous for humans.
  • the case of carbon monoxide CO which is found in particular in exhaust gases and in cigarette smoke is exemplary, this gas being fatal at extremely low concentrations, of the order of 1 ppm.
  • these same molecules must be detected in certain industrial or technological devices such as fuel cells, where very low concentrations cause, for example, poisoning of catalysts.
  • the sensitivity threshold and the detection speed are the two important parameters of a sensor of this type. It is known to use tin oxide sensors to detect reducing gas molecules.
  • tin oxide which is an intrinsic semiconductor
  • the conductivity of tin oxide varies depending on the content of reducing molecules in the atmosphere. It is accepted that, in a non-reducing atmosphere, oxygen is adsorbed at the grain boundaries and partially repels the electronic states of the grain boundaries, making the material very resistive. In the presence of reducing molecules, the oxygen concentration of the grain boundaries decreases, thereby releasing the electronic states in the vicinity of the grain surface, on either side of the contact surface proper. The existence of these electronic states allows the conduction of electrons through the grain boundaries. It thus appears that the sensitivity of the sensors having tin oxide as a sensitive element increases when the grain size of the oxide decreases, that is to say when the specific surface increases and when the quantum effect driving back electronic states to the inside of the grain is more efficient. However, a decrease in the size of .grains causes generally a decrease in physical connectivity between grains at the expense of conductivity.
  • Such sensors whose sensitive element is tin oxide are described in particular in the special issue "Gas-sensing Materials” of "Materials Research Society Bulletin", published in June 1998. They include a layer of oxide of polycrystalline tin on a support. In the devices sold, the grain size of the tin oxide is generally of the order of 1 ⁇ m. Also known are sensors containing polycrystalline tin oxide as active material in the form of grains having a dimension of less than 20 n. These are essentially laboratory devices, developed by preparing the oxide from a metal obtained by sputtering by laser ablation, by sol-gel processes, by precipitation or by other processes of chemical synthesis.
  • the oxide When the oxide is obtained by a sol-gel process or by simple precipitation, it contains a solvent which must be removed. In most cases, the oxide obtained is in the form of a powder of separate grains, which must then be sintered and annealed so that it can be used for a sensor, and the physical connectivity of the grains is not guarantee.
  • sintering results in a three-dimensional material in the form of pellets which contain a high number of grains in the thickness. The response time of a sensor containing such an oxide will be the longer the thicker the pellets, due to the time of diffusion of the gaseous molecules to be detected towards the core of the active material of the sensor.
  • Another disadvantage of sintering lies in the fact that it does not allow the sensor to be shaped.
  • Powder shaping can be carried out by methods consisting in incorporating the grains in an ink, then in tracing the sensor according to the techniques used in inkjet printers.
  • this technique gives films in which the grains are not connected on a macroscopic scale relative to their size and it introduces solvents into the grains.
  • the object of the present invention is to provide a method for developing the sensitive element of a reducing molecule sensor comprising a layer of tin oxide consisting of very fine grains having very good physical cohesion. This is why the subject of the present invention is a method for producing the sensitive element of such a sensor, as well as the sensor obtained.
  • the method according to the invention for the preparation of the sensitive element of a sensor of reducing gaseous molecules is characterized in that: during a first step, electrochemical deposition is carried out on the surface of an insulating support a layer of tin having a thickness of less than 1 ⁇ m, preferably less than 400 nm, by placing said insulating support in an electrochemical cell which comprises an anode constituted by tin and a cathode which is a conductive film applied to the surface of the insulating support at one of its ends, the two electrodes being separated by an electrolyte constituted by a solution of tin salt, and by passing a current of constant intensity through said cell; during a second step, the tin layer obtained is subjected to oxidation.
  • the intensity of the current is such that it creates a current density of between 1 ⁇ A / cm 2 and 5 mA / cm 2 in the plane perpendicular to the electrodes and passing through the growth front of the film which is deposited.
  • the concentration of the tin salt in the electrolyte is preferably between 10 ⁇ 3 mole / 1 and ÎO -1 mole / 1.
  • the insulating support on which the layer is to be deposited constitutes one of the walls of the electrochemical cell.
  • An insulating plate substantially of the same dimensions as said insulating support is parallel to said support and is simply used to close the cell, in order to protect it from air. The spacing inks the support and the insulating plate delimits the volume of electrolyte.
  • the support and the plate can be kept apart by the " metal contacts which allow the flow of current between the tin anode mounted inside the cell and the cathode constituted by a conductive film deposited on the face of the support oriented towards the inside of the cell at one of the ends of said face.
  • the cathode can be a thin film of gold or another metal.
  • the metal forming the cathode is gold, a film of about 1000 ⁇ is suitable.
  • the cations and anions of a salt have very close mobility, and P is close to 2.
  • the cathode serves as a primer for the formation of tin which takes place in the form of a layer on the support.
  • the layer of tin which is then deposited remains adherent to the support.
  • the electrolyte can be an aqueous or non-aqueous solution of a tin salt.
  • Aqueous solutions are preferred.
  • the tin salt is preferably tin chloride or sulfate.
  • the salt concentration in the electrolyte can vary to a very large extent, depending on the quality and compactness of the film that is desired. A concentration between 0.005 and 0.05 mole / 1, more especially between 0.02 and 0.04 mole / 1 is particularly preferred.
  • a current having an intensity such that it creates a current density of between 0.05 and 5 mA / cm 2 in the plane perpendicular to the electrodes is imposed on the electrochemical cell. and passing through the growth front of the layer which is deposited.
  • the electrolyte is a solution of tin chloride prepared from a commercial tin chloride powder, layers are obtained which consist of grains having an average size of the order of 300 nm.
  • the layer which is deposited on the support consists of disc-shaped pellets having a thickness of approximately 5 nm and a circumference of approximately 50 nm when the current density in the electrochemical cell is lower at 1 mA / cm 2 , this structure being determined by AFM (atomic force microscopy).
  • AFM atomic force microscopy
  • the performances are therefore particularly good.
  • a current intensity of between 1 and 100 ⁇ A, preferably between 5 and 50 ⁇ A is imposed on the electrochemical cell.
  • macrocrystals are formed which are of little interest to the sensors.
  • intensities greater than 100 ⁇ A the metal no longer deposits as a layer on the support, but it forms in the liquid.
  • the electrolyte is a salt solution strongly acid tin, it is necessary to impose a current density greater than 20 ⁇ A to obtain a dendritic layer.
  • a support is used for the deposition of a dendritic layer of tin, a support on one of the faces of which micro-scratches have been engraved.
  • the dendrites of the layer which forms during the electrolysis follow the path of the micro-scratches.
  • a polycrystalline micro-thread is thus obtained, the thickness and section of which contain only a very small number of grains, or even a single grain in thickness. These grains have a dimension less than or equal to 1 ⁇ m, generally of the order of 100 to 300 nm.
  • the tin layer deposited on the support can be oxidized by air oxidation. It is advantageous to carry out a simultaneous heat treatment, to accelerate the oxidation and the adsorption of oxygen at the grain boundaries. Oxidation and adsorption of oxygen result in a significant increase in the resistance of the layer up to a level which depends on the thickness of the layer. When the layer is then subjected to a reducing atmosphere, a significant drop in resistivity is observed in a few seconds at room temperature. When the layer is returned to a normal atmosphere, the resistance returns to its initial value in a few tens of seconds at room temperature.
  • the oxidation of the tin layer obtained during the first step of the process can be carried out after building the sensor.
  • the electrochemical cell is opened, for example by removing the insulating plate which served to close the cell on its upper part.
  • the layer remains well adherent to the insulating support on which it is deposited.
  • two silver wires having a few tenths of a millimeter in diameter are bonded to the layer of tin at its ends, said silver wires being , ' intended to serve as electrodes for the ' sensor.
  • the assembly constituted by the insulating support carrying the layer tin provided with silver wires is then subjected to an oxidizing atmosphere, for example the ambient atmosphere, possibly with a heat treatment.
  • the process for producing the tin oxide layer is particularly advantageous insofar as it produces very pure tin oxide and in the form of a very thin layer directly on the support which will form part of the sensor. In addition, it makes it possible to work at room temperature, in a liquid medium, without the use of delicate techniques.
  • By controlling the intensity of the current applied during electrolysis it is possible to orient the thickness and the morphology of the deposited layer (homogeneous layer or dendritic layer).
  • the fact that the current flows in the grains during the deposition of tin in the form of metal guarantees that the grains of tin oxide obtained after oxidation of the layer of tin will be physically connected. Surprisingly, the oxidation of the tin layer does not cause disconnection of the grains to an extent which could have modified the conductivity properties of the oxide layer used as a sensitive element of a sensor.
  • a sensitive element for the sensor of gaseous reducing molecules consists of an insulating support coated with a layer of tin oxide and it is characterized in that the layer of tin oxide is polycrystalline and has a thickness of less than 1 ⁇ m, preferably less than 400 nm.
  • the tin oxide layer is _ substantially mono-grain in thickness, that is to say the grain size is substantially equivalent to the thickness of the oxide layer.
  • a sensor for reducing gaseous molecules can be constituted by a sensitive element according to the invention connected to two electrodes, a controller and an ohm-meter or an impedance bridge.
  • the tin oxide layer is a homogeneous layer.
  • the tin oxide layer has a dendritic morphology.
  • the grain boundaries are very accessible to the atmosphere.
  • the grain tree structure can be compared to a wire structure. The presence of small grains in the current path, along this wire, is enough to make the sensor perform. It is also observed that certain grains have wasp sizes which, without constituting true grain boundaries, remain privileged places for the detection of the change in conductivity linked to the presence of reducing molecules.
  • the wire structure can be accentuated by using a support in which micro-scratches have been engraved. This technique is easy and makes it possible to obtain alignments of grains of any shape, because the grains are deposited along the stripe which can have a rectilinear shape or any shape.
  • an electrochemical cell consisting of a microscope slide (serving as a support for the deposition) and a microscope slide both having 1.8 cm sideways, kept 0.1 mm apart by two rectangular sheets cut from a sheet of metallic tin (sold by the company Goodfello), one of the sheets ensuring the connection between the geiator and the cathode, the other sheet ensuring the connection between the generator and the anode.
  • the electrolyte was an acidic 0.1 mol / l aqueous solution of tin chloride.
  • the cathode consisted of a 1000 A thick gold film, applied by evaporation to one of the ends of the internal face of the blade serving as support, the rest of this internal face having previously been sensitized by evaporation a layer of gold having a thickness of 20 ⁇ , non-conductive of current.
  • the intensity of the current I supplied by the galvanostat was 30 ⁇ A.
  • the measurements carried out have shown that the grain sizes are typically between 200 and 600 nm.
  • the tin layer was then oxidized by heating at 100 ° C for 4 hours in an enclosure in which air was circulated.
  • a sensor comprising as sensitive element a dendritic layer having grains of the order of 400 nm was used to detect the carbon monoxide contained in cigarette smoke.
  • Cigarette smoke was sucked into a glass enclosure having a capacity of 0.5 1, kept closed. When the smoke temperature reached room temperature, an opening was made in the enclosure, about 5 cm in diameter and the sensor was immediately approached a few cm from the opening, then it was moved away . The approximation and removal operations were repeated several times, the resistivity of the sensor being measured continuously.
  • a response time of 2.5 seconds has been observed, when the sensor is brought into contact with the smoke while the tin oxide sensors of the prior art, called Taguchi sensors, have a response tem ⁇ s__ of from 10 seconds to 1 min depending on the type. When the 1 invention is far from smoke, it regains its nominal resistivity in 30 seconds.
  • Comparative measurements were carried out with an analog sensor, not comprising a tin oxide film, the sensitive element consisting of the microscope plate carrying the silver lacquer and connected to the ohm meter by silver son. No change in resistivity was observed when the comparison sensor was contacted with smoke.

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Electrochemistry (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Biochemistry (AREA)
  • General Health & Medical Sciences (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Immunology (AREA)
  • Pathology (AREA)
  • Investigating Or Analyzing Materials By The Use Of Fluid Adsorption Or Reactions (AREA)
  • Investigating Or Analyzing Materials By The Use Of Electric Means (AREA)

Description

Capteurs de molécules gazeuses réductrices . L'invention concerne un capteur de molécules gazeuses réductrices dont l'élément sensible est l'oxyde d'étain.
La détection et la mesure de la concentration en molécu- les nocives d'une atmosphère constituent un enjeu très important, notamment en raison de l'accroissement des émissions d'origine industrielle ou urbaine. Il est devenu nécessaire de détecter la présence de molécules nocives à des concentrations de plus en plus faibles, inférieures aux concentrations dangereuses pour l'homme. Le cas de l'oxyde de carbone CO que l'on trouve notamment dans les gaz d'échappement et dans la fumée des cigarettes est exemplaire, ce gaz étant mortel à des concentrations extrêmement faibles, de l'ordre de 1 ppm. En outre, ces mêmes molécules doivent être détectées dans certains dispositifs industriels ou technologiques tels que les piles à combustible, où des concentrations très faibles provoquent par exemple l'empoisonnement de catalyseurs. Le seuil de sensibilité et la vitesse de détection sont les deux paramètres importants d'un capteur de ce type. II est connu d'utiliser des capteurs à l'oxyde d'étain pour détecter les molécules gazeuses réductrices. La conductivité de l'oxyde d'étain, qui est un semi-conducteur intrinsèque, varie en fonction de la teneur en molécules réductrices de l'atmosphère. Il est admis que, en atmosphère non réductrice, de l'oxygène s'adsorbe aux joints de grains et refoule partiellement les états électroniques des joints de grains, rendant le matériau très résistif. En présence de molécules réductrices, la concentration en oxygène des joints de grains diminue, libérant ainsi les états électroniques au voisinage de la surface des grains, de part et d'autre de la surface de contact proprement dite. L'existence de ces états électroniques permet la conduction d'électrons à travers les joints de grains. Il apparaît ainsi que la sensibilité des capteurs ayant de l'oxyde d'étain comme, élément sensible augmente lorsque la taille des grains de l'oxyde diminue, c'est-à-dire lorsque la surface spécifique augmente et lorsque l'effet quantique de refoulement des états électroniques vers l'intérieur du grain est plus efficace. Toutefois, une diminution de la taille des .grains provoque en général une diminution de la connectivité physique entre les grains au détriment de la conductivité .
De tels capteurs dont l'élément sensible est de l'oxyde d'étain sont décrits notamment dans le numéro spécial « Gas- sensing Materials » de « Materials Research Society Bulletin », publié en Juin 1998. Ils comprennent une couche d'oxyde d'étain polycristallin sur un support. Dans les dispositifs commercialisés, la taille des grains de l'oxyde d'étain est en général de l'ordre de 1 μm. On connaît également des capteurs contenant de l'oxyde d'étain polycristallin comme matière active sous forme de grains ayant une dimension inférieure à 20 n . Il s'agit essentiellement de dispositifs de laboratoire, élaborés en préparant l'oxyde à partir d'un métal obtenu par pulvérisation cathodique par ablation laser, par des procédés sol-gel, par précipitation ou par d'autres procédés de synthèse chimique. Lorsque l'oxyde est obtenu par un procédé sol-gel ou par une simple précipitation, il contient un solvant qu'il faut éliminer. Dans la plupart des cas, l'oxyde obtenu se présente sous forme d'une poudre de grains séparés, qu'il faut ensuite fritter et recuire pour qu'elle soit utilisable pour un capteur, et la connectivité physique des grains n'est pas garantie. En outre, le frittage aboutit à un matériau tridimensionnel sous forme de pastilles qui contiennent un nombre élevé de grains dans l'épaisseur. Le temps de réponse d'un capteur contenant un tel oxyde sera d'autant plus long que les pastilles seront plus épaisses, en raison du temps de diffusion des molécules gazeuses à détecter vers le cœur de la matière active du capteur. Un autre inconvénient du frittage réside dans le fait qu'il ne permet pas de mettre en forme le capteur. Une mise en forme des poudres peut être effectuée par des procédés consistant à incorporer les grains dans une encre, puis à tracer le capteur selon les techniques utilisées dans les imprimantes à jet d'encre. Cette technique donne toutefois des films dans lesquels les grains ne sont pas connectés à une échelle macroscopique par rapport à leur taille et elle introduit des solvants dans les grains. Le but de la présente invention est de fournir un procédé, d'élaboration de l'élément sensible d'un capteur de molécules réductrices comprenant une couche d'oxyde d'étain constituée de grains très fins ayant une très bonne cohésion physique. C'est pourquoi la présente invention a pour objet un procédé d'élaboration de l'élément sensible d'un tel capteur, ainsi que le capteur obtenu.
Le procédé selon l'invention pour l'élaboration de l'élément sensible d'un capteur de molécules gazeuses réductrices est caractérisé en ce que : au cours d'une première étape, on dépose par voie électrochimique sur la surface d'un support isolant une couche d'étain ayant une- épaisseur inférieure à 1 μm, de préférence inférieure à 400 nm, en plaçant ledit support isolant dans une cellule électrochimique qui comprend une anode constituée par de l'étain et une cathode qui est un film conducteur appliqué sur la surface du support isolant à l'une de ses extrémités, les deux électrodes étant séparées par un electrolyte constitué par une solution de sel d'étain, et en faisant passer un courant d'intensité constante dans ladite cellule ; au cours d'une deuxième étape, on soumet la couche d'étain obtenue à une oxydation.
L'intensité du courant est telle qu'elle crée une densité de courant comprise entre 1 μA/cm2 et 5 mA/cm2 dans le plan perpendiculaire aux électrodes et passant par le front de croissance du film qui se dépose.
La concentration du sel d'étain dans l' electrolyte est comprise de préférence entre 10~3 mole/1 et ÎO-1 mole/1. Dans un mode de réalisation, le support isolant sur lequel la couche doit être déposée constitue l'une des parois de la cellule électrochimique. Une plaque isolante sensiblement de mêmes dimensions que ledit support isolant est parallèle audit support et sert simplement à fermer la cellule, afin de la protéger de l'air. L'ecartement encre le support et la plaque isolante délimite le volume d' electrolyte . Le support et la plaque peuvent être maintenus écartés par les" contacts métalliques qui permettent la circulation du courant entre l'anode d'étain montée à l'intérieur de la cellule et la cathode constituée par un film conducteur déposé sur la face du support orientée vers l'intérieur de la cellule à l'une des extrémités de ladite face. La cathode peut être un film mince d'or ou d'un autre métal. Par exemple, si le métal formant la cathode est l'or, un film d'environ 1000 Â est approprié. Pour mettre en contact la cathode constituée par un film d'or avec le galvanostat qui fournit l'intensité de courant requise, on peut utiliser des lames ou des fils de métal. Dans une cellule plate telle que définie ci-dessus, l'épaisseur e de la couche d'étain obtenue est déterminée simplement par la formule e = P x h x C/CM dans laquelle h représente la distance entre les deux plaques, c'est-à-dire la hauteur de 1 ' electrolyte, C est la concentration en cations de 1 ' electrolyte et CM est la concentration molaire de l'étain, c'est-à-dire le nombre de moles par litre d'étain à l'état solide. P est un paramètre lié à la mobilité du cation et de 1 ' anion du sel suivant la formule P = 1 + (μca) , μc et μa étant respectivement la mobilité du cation et de l' anion. En règle générale, les cations et les anions d'un sel ont une mobilité très proches, et P est voisin de 2. La formule simplifiée pour la détermination de e peut donc s'écrire : e = 2h x C/CM.
Au début de l'étape d ' électrolyse, la cathode sert d'amorce à la formation de l'étain qui s'effectue sous forme de couche sur le support, La couche d'étain qui se dépose ensuite reste adhérente au support.
L ' electrolyte peut être une solution aqueuse ou non aqueuse d'un sel d'étain. Les solutions aqueuses sont préférées. Le sel d'étain est de préférence le chlorure ou le sulfate d'étain. La concentration de sel dans 1 ' electrolyte peut varier dans une très large mesure, suivant la qualité et la compacité du film que l'on souhaite obtenir. Une concentration entre 0,005 et 0,05 mole/1, plus spécialement entre 0,02 et 0,04 mole/1 est particulièrement préférée. On utilise de préférence une solution de sel d'étain conservée à I'abri de l'air, afin d'éviter la présence d'hydroxydes et de carbonates. Du fait que l'on opère à courant constant, la vitesse de croissance de la couche d'étain est proportionnelle à l'intensité du courant, c'est-à-dire au flux d'atomes.
Lorsque l'on souhaite obtenir une couche d'étain homogène, on impose à la cellule électrochimique un courant ayant une intensité telle qu'elle crée une densité de courant comprise entre 0,05 et 5 mA/cm2 dans le plan perpendiculaire aux électrodes et passant par le front de croissance de la couche qui se dépose. Dans ce cas, lorsque l' electrolyte est une solution de chlorure d'étain préparée à partir d'une poudre de chlorure d'étain du commerce, on obtient des couches constituées de grains ayant une dimension moyenne de l'ordre de 300 nm. Lorsque l'on utilise un electrolyte obtenu en diluant à 0,01 mole/1, juste avant l'utilisation, une solution commerciale de chlorure d'étain très concentrée et fortement acide, (par exemple des solutions commercialisées pour la sensibilisation des surfaces avant argenture dans les procédés dit Electroless) la couche qui se dépose sur le support est constituée de pastilles en forme de disque ayant une épaisseur d'environ 5 nm et une circonférence d'environ 50 nm lorsque la densité de courant dans la cellule électrochimique est inférieure à 1 mA/cm2, cette structure étant déterminée par AFM (microscopie à force atomique) . La sensibilité aux atmosphères réductrices étant liée à des phénomènes d'écrantage entre les molécules adsorbees et le matériau actif du capteur, c'est la plus petite dimension des grains qui oriente les propriétés du capteur. Dans le cas présent, les performances sont donc particulièrement bonnes. En règle générale, lorsque l'on souhaite obtenir une couche dendritique, on impose à la cellule électrochimique une intensité de courant comprise entre 1 et 100 μA, de préférence entre 5 et 50 μA. Aux intensités inférieures à environ 1 μA, il se forme des macrocristaux qui sont peu intéressants pour les capteurs. Aux intensités supérieures à 100 μA, le métal ne se dépose plus sous forme de couche sur le support, mais il _se forme dans le liquide. Il peut aussi se produire une électrolyse de l'eau au lieu d'un dépôt métallique. Lorsque l' electrolyte est une solution de sel d' étain fortement acide, il est nécessaire d'imposer une densité de courant supérieure à 20 μA pour obtenir une couche dendritique. Dans un mode de réalisation particulier, on utilise comme support pour le dépôt d'une couche dendritique d'étain, un support sur l'une des faces duquel on a gravé des micro-rayures. Dans ce cas, les dendrites de la couche qui se forme lors de 1 ' électrolyse suivent le tracé des microrayures. On obtient ainsi un micro-fil polycristallin dont l'épaisseur et la section ne contiennent qu'un très faible nombre de grains, voire un grain unique en épaisseur. Ces grains ont une dimension inférieure ou égale à 1 μm, généralement de l'ordre de 100 à 300 nm.
L'oxydation de la couche d'étain déposée sur le support peut être effectuée par oxydation à l'air. Il est avantageux d'effectuer un traitement thermique simultané, pour accélérer l'oxydation et l'adsorption d'oxygène aux joints de grains. L'oxydation et l'adsorption d'oxygène se traduisent par une augmentation significative de la résistance de la couche jusqu'à un pallier qui dépend de l'épaisseur de la couche. Lorsque la couche est ensuite soumise une atmosphère réductrice, on observe une baisse significative de la résistivité en quelques secondes à la température ambiante. Lorsque la couche est remise en atmosphère normale, la résistance retrouve sa valeur initiale en quelques dizaines de secondes à la température ambiante.
L'oxydation de la couche d'étain obtenue lors de la première étape du procédé peut être effectuée après avoir construit le capteur. Dans ce cas, lorsque la couche d'étain a atteint la longueur souhaitée sur le support au cours de la première étape, on ouvre la cellule électrochimique, par exemple en retirant la plaque isolante ayant servi à fermer la cellule sur sa partie supérieure. -La couche reste bien adhérente au support isolant sur lequel elle s'est déposée. Après avoir éliminé 1 ' electrolyte, on colle deux fils d'argent ayant quelques dixièmes de millimètre de diamètre sur la couche d'étain à ses extrémités, lesdits fils d'argent étant, 'destinés à servir d'électrodes pour le' capteur. L'ensemble constitué par le support isolant portant la couche d'étain munie des fils d'argent est ensuite soumis à une atmosphère oxydante, par exemple l'atmosphère ambiante, éventuellement avec un traitement thermique.
Le procédé d'élaboration de la couche d'oxyde d'étain est particulièrement avantageux dans la mesure où il produit de l'oxyde d'étain très pur et sous forme de couche très finedirectement sur le support qui fera partie du capteur. En outre, il permet de travailler à température ambiante, en milieu liquide, sans mise en œuvre de techniques délicates. Par le contrôle de l'intensité du courant appliqué lors de 1 ' électrolyse, on peut orienter l'épaisseur et la morphologie de la couche déposée (couche homogène ou couche dendritique) . En outre, le fait que le courant circule dans les grains pendant le dépôt de l'étain sous forme de métal garantit que les grains d'oxyde d'étain obtenus après oxydation de la couche d'étain seront physiquement connectés. De manière surprenante, l'oxydation de la couche d'étain ne provoque pas de déconnexion des grains dans une mesure qui aurait pu modifier les propriétés de conductivité de la couche d'oxyde utilisée comme élément sensible d'un capteur.
Dans les procédés de l'art antérieur pour la préparation d'oxyde d'étain, il nécessaire d'appliquer des traitements particuliers, par exemples des frittages, ou des traitements thermiques sévères tels que des calcinations , pour obtenir un matériau conducteur. Enfin, du fait que l'élément sensible du capteur de la présente invention est élaboré en milieu liquide, il est parfaitement apte à fonctionner dans un tel milieu.
Selon la présente invention, un élément sensible de capteur de molécules réductrices gazeuses est constitué par un support isolant revêtu d'une couche d'oxyde d'étain et il est caractérisé en ce que la couche d'oxyde d'étain est polycristalline et a une épaisseur -inférieure à 1 μm, de préférence inférieure à 400 nm. Dans un mode de réalisation particulier, la couche d'oxyde d'étain est _ substantiellement monoçrain dans l'épaisseur, c'est-à-dire la taille des grains est sensiblement équivalente à l'épaisseur de la couche d'oxyde. Un capteur de molécules gazeuses réductrices peut être constitué par un élément sensible selon l'invention relié à deux électrodes, un contrôleur et un ohm-mêtre ou un pont d' impédance . Dans un mode de réalisation particulier, la couche d'oxyde d'étain est une couche homogène.
Dans un autre mode de réalisation, la couche d'oxyde d'étain a une morphologie dendritique. Les joints de grains sont très accessibles à l'atmosphère. En outre, la structure en arbre des grains est assimilable à une structure en fil. La présence de petits grains sur le trajet du courant, le long de ce fil, suffit à rendre le capteur performant. L'on constate également que certains grains présentent des tailles de guêpe qui, sans constituer de véritables joints de grains, restent des lieux privilégiés pour la détection du changement de conductivité lié à la présence de molécules réductrices. La structure en fil peut être accentuée en utilisant un support dans lequel des micro-rayures ont été gravées. Cette technique est aisée et permet d'obtenir des alignements de grains de forme quelconque, car le dépôt des grains se fait le long de la rayure qui peut avoir une forme rectiligne ou une forme quelconque.
La présente invention est décrite plus en détail par référence aux exemples donnés ci-après.
Exemple 1
Préparation d'une couche d'oxyde
Pour la première étape du procédé, à savoir pour la préparation du film d'étain, on a utilisé une cellule électrochimique constituée par une lame de microscope (servant de support pour le dépôt) et une lamelle de microscope ayant toutes deux 1,8 cm de côté, maintenues espacées de 0,1 mm par deux feuilles rectangulaires découpées dans une feuille d'étain métallique (commercialisée par la société Goodfello ) , l'une des feuilles assurant la connexion entre le géiérateur et la cathode, l'autre feuille assurant la connexion entre le générateur et l'anode. L' electrolyte était une solution aqueuse acide à 0,1 mole/1 de chlorure d'étain. La cathode était constituée par un film d'or de 1000 A d'épaisseur, appliqué par évaporation à l'une des extrémités de la face interne de la lame servant de support, le reste de cette face interne ayant été au préalable sensibilisé par évaporation d'une couche d'or ayant une épaisseur de 20 Â, non conductrice de courant. L'intensité du courant I fournie par le galvanostat était de 30 μA.
Les mesures effectuées ont montré que les tailles de grains sont typiquement comprises entre 200 et 600 nm.
La couche d'étain a ensuite été oxydée par chauffage à 100°C pendant- 4 heures dans une enceinte dans laquelle on a fait circuler de l'air.
Exemple 2
Essais de détection Un capteur comprenant comme élément sensible une couche dendritique ayant des grains de l'ordre de 400 nm a été utilisé pour détecter l'oxyde de carbone contenu dans la fumée de cigarette. Les contacts entre le support constitué par la lame de microscope revêtu de la couche d'oxyde d'étain, et un ohm-mêtre ont été réalisés à l'aide de laque d'argent déposée sur la couche et de fils d'argent.
Une fumée de cigarette a été aspirée dans une enceinte en verre ayant une contenance de 0,5 1, maintenue close. Lorsque la température de la fumée a atteint la température ambiante, on a ménagé une ouverture dans l'enceinte, d'environ 5 cm de diamètre et on a aussitôt approché le capteur à quelques cm de l'ouverture, puis on l'a éloigné. Les opérations de rapprochement et d' éloignement ont été répétées plusieurs fois, la résistivité du capteur étant mesurée en continu.
On a constaté un temps de réponse de 2,5 secondes, lorsque le capteur est mis en contact avec la fumée alors que les capteurs à l'oxyde d'étain de l'art antérieur, dit capteurs Taguchi, ont un temρs__ de réponse de l'ordre de 10 secondes à 1 min suivant les- types. Lorsque le capteur de 1' invention est éloigné de la fumée, il retrouve sa résistivité nominale en 30 secondes.
Des mesures comparatives ont été effectuées avec un capteur analogue, ne comportant pas de film d'oxyde d'étain, l'élément sensible étant constitué de la plaque de microscope portant la laque d'argent et relié à l'ohm-mêtre par des fils d'argent. Aucune modification de la résistivité n'a été constatée lors de la mise en contact avec la fumée de ce capteur comparatif.

Claims

Revendications
1. Procédé pour l'élaboration de l'élément sensible d'un capteur de molécules gazeuses réductrices, caractérisé en ce que : au cours d'une première étape, on dépose par voie électrochimique sur la surface d'un support isolant une couche d'étain ayant une épaisseur inférieure à 1 μm, en plaçant ledit support isolant dans une cellule électrochimique qui comprend une anode constituée par de l'étain et une cathode qui est un film conducteur appliqué sur la surface du support isolant à l'une de ses extrémités, les deux électrodes étant séparées par un electrolyte constitué par une solution de sel d'étain, et en faisant passer un courant d'intensité constante dans ladite cellule ; au cours d'une deuxième étape, on soumet la couche d'étain obtenue à une oxydation.
2. Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce que l'on applique une intensité de courant telle qu'elle crée une densité de courant comprise entre 1 μA/cm2 et 5 mA/cm2 dans le plan perpendiculaire aux électrodes et passant par le front de croissance de la couche qui se dépose.
3. Procédé selon la revendication 2, caractérisé en ce que la densité de courant est comprise entre 0,05 mA/cm2 et 5 mA/cm2.
4. Procédé selon la revendication 3, caractérisé en ce que la densité de courant est inférieure à 1 mA/cm2.
5. Procédé selon la revendication 2, caractérisé en ce que la densité de courant est comprise entre 1 μA/cm2 et 100 μA/cm2. β. Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce que la concentration du sel d'étain dans l' electrolyte est comprise entre 10"3 mole/1 et 10"1 mole/1.
7. Procédé selon la revendication 6, caractérisé en ce que la concentration- du sel d'étain dans l' electrolyte est comprise entre 0,005 mole/1 et 0,05 mole/1. 8. Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce que : le support isolant sur lequel la couche doit être déposé constitue l'une des parois de la cellule électrochimique ; une plaque isolante sensiblement de mêmes dimen- sions que ledit support isolant est parallèle audit support et sert à fermer la cellule, l'ecartement entre le support et la plaque isolante délimitant le volume d' electrolyte ; le. support et la plaque sont maintenus écartés par des contacts métalliques qui permettent la circulation .du courant entre l'anode d'étain montée à l'intérieur de la cellule et la cathode constituée par un film conducteur déposé sur la face du support orientée vers l'intérieur de la cellule et à l'une des extrémités de ladite face.
9. Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce que la cathode est un film mince d'or ayant une épaisseur d'environ 1000 Â.
10. Elément sensible de capteur de molécules réductrices gazeuses, constitué par un support isolant revêtu d'une couche d'oxyde d'étain, caractérisé en ce que la couche d'oxyde d'étain est polycristalline et a une épaisseur inférieure à 1 μm.
11. Elément sensible de capteur selon la revendication 10, caractérisé en ce que l'épaisseur de la couche d'oxyde d'étain est inférieure à 400 nm. 12. Elément sensible de capteur selon la revendication 10, caractérisé en ce que la couche d'oxyde d'étain est substantiellement monograin dans l'épaisseur.
13. Elément sensible de capteur selon la revendication 10, caractérisé en ce que la couche d'oxyde d'étain a une structure homogène.
14. Elément sensible de capteur selon la revendication 10, caractérisé en ce que la couche d'oxyde d'étain a une structure dendritique.
15. Elément sensible de capteur selon la revendication 14, caractérisé en ce que la couche d'oxyde d'étain est sous forme de microfil polycristallin.
EP01956606A 2000-08-01 2001-07-18 Procede d'elaboration de l'element sensible d'un capteur de molecules gazeuses reductrices Expired - Lifetime EP1305610B1 (fr)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
FR0010147A FR2812723B1 (fr) 2000-08-01 2000-08-01 Capteur de molecules gazeuses reductrices
FR0010147 2000-08-01
PCT/FR2001/002343 WO2002010730A2 (fr) 2000-08-01 2001-07-18 Capteur de molecules gazeuses reductrices

Publications (2)

Publication Number Publication Date
EP1305610A2 true EP1305610A2 (fr) 2003-05-02
EP1305610B1 EP1305610B1 (fr) 2007-10-24

Family

ID=8853197

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
EP01956606A Expired - Lifetime EP1305610B1 (fr) 2000-08-01 2001-07-18 Procede d'elaboration de l'element sensible d'un capteur de molecules gazeuses reductrices

Country Status (7)

Country Link
US (1) US7223328B2 (fr)
EP (1) EP1305610B1 (fr)
JP (1) JP2004522933A (fr)
AT (1) ATE376669T1 (fr)
DE (1) DE60131082D1 (fr)
FR (1) FR2812723B1 (fr)
WO (1) WO2002010730A2 (fr)

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8574789B2 (en) * 2004-07-08 2013-11-05 Toyota Motor Engineering & Manufacturing North America, Inc. Dendritic metal nanostructures for fuel cells and other applications
JP2010048627A (ja) * 2008-08-20 2010-03-04 Sumitomo Electric Ind Ltd ガスセンサおよびその製造方法
JP2010091486A (ja) * 2008-10-10 2010-04-22 Sumitomo Electric Ind Ltd ガスセンサおよびその製造方法

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US2407579A (en) * 1942-07-04 1946-09-10 Du Pont Electrodeposition of tin
US5271858A (en) * 1986-03-24 1993-12-21 Ensci Inc. Field dependent fluids containing electrically conductive tin oxide coated materials
US4752501A (en) * 1987-07-01 1988-06-21 General Motors Corporation Method for forming patterned tin oxide thin film element
US5351036A (en) * 1991-12-10 1994-09-27 Clark-Reliance Corporation Microwave-based point liquid level monitoring system
GB9313320D0 (en) * 1993-06-28 1993-08-11 Univ Loughborough Sensing devices
DE4332071C2 (de) * 1993-09-21 1995-09-07 Endress Hauser Gmbh Co Verfahren zur Füllstandsmessung nach dem Radarprinzip
JP3170396B2 (ja) * 1993-10-07 2001-05-28 新コスモス電機株式会社 半導体式のアンモニアガスセンサ及びその製造方法
GB2321336B (en) * 1997-01-15 2001-07-25 Univ Warwick Gas-sensing semiconductor devices
FR2799475B1 (fr) * 1999-10-11 2002-02-01 Centre Nat Rech Scient Procede de metallisation d'un substrat isolant par voie electrochimique

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
See references of WO0210730A2 *

Also Published As

Publication number Publication date
WO2002010730A3 (fr) 2002-05-16
US20030182985A1 (en) 2003-10-02
WO2002010730A2 (fr) 2002-02-07
JP2004522933A (ja) 2004-07-29
FR2812723B1 (fr) 2002-11-15
FR2812723A1 (fr) 2002-02-08
ATE376669T1 (de) 2007-11-15
US7223328B2 (en) 2007-05-29
DE60131082D1 (de) 2007-12-06
EP1305610B1 (fr) 2007-10-24

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US12153032B2 (en) Interconnected corrugated carbon-based network
US11579130B2 (en) Room temperature UV-activated hydrogen gas sensor
US12416613B2 (en) Gas sensor assembly method
Chang et al. Highly sensitive ZnO nanowire CO sensors with the adsorption of Au nanoparticles
EP2553149B1 (fr) Procédé pour graver une couche d'oxyde métallique conducteur utilisant une microélectrode
EP2179071B1 (fr) Procédé de dépôt de nanoparticules sur un support
WO2009074660A1 (fr) Support solide revetu d'au moins un film de metal et d'au moins une couche d'oxyde transparent et conducteur pour la detection par spr et/ou par une methode electrochimique
KR102190147B1 (ko) 수소 가스 센서 및 그 제조 방법
FR2472749A1 (fr) Procede de production d'un element detectant l'oxygene en electrolyte solide de structure feuilletee du type a cellule de concentration
Singh et al. Construction of conductive multilayer films of biogenic triangular gold nanoparticles and their application in chemical vapour sensing
FR2764986A1 (fr) Capteur electrochimique d'oxyde d'azote a electrolyte solide
Joshi et al. Ozone sensing properties of nickel phthalocyanine: ZnO nanorod heterostructures
EP1305610B1 (fr) Procede d'elaboration de l'element sensible d'un capteur de molecules gazeuses reductrices
US10161052B2 (en) Method for preparing a gallium-doped zinc oxide electrode decorated with densely gathered palladium nanoparticles
KR101962006B1 (ko) 가스 센서 및 그 제조 방법
WO2009071774A2 (fr) Transducteur a semi conducteurs, et son utilisation dans un capteur d'especes donneuses ou acceptrices d'electrons.
JP3244249B2 (ja) センサー用電極
Yang Nanocomposite films for gas sensing
FR3109578A1 (fr) Nanomatériau hybride multicouches à base d’un semi-conducteur, procédé de préparation et applications pour la photo-catalyse
US20240301544A1 (en) Ultrasensitive and selective sensors for glucose detection based on thiol-functionalized heterogenous gold/graphene/copper film
US20240319131A1 (en) Ultrasensitive and selective sensors for glucose detection based on thiol-functionalized heterogenous gold/graphene/copper film
US20240302315A1 (en) Ultrasensitive and selective sensors for glucose detection based on thiol-functionalized heterogenous gold/graphene/copper film
FR2791661A1 (fr) Nouvelles compositions d'oxydes metalliques, des capteurs semi-conducteurs prepares a partir d'une telle composition et leurs utilisations pour la detection des gaz.
JP2025164714A (ja) 金属ナノ粒子層を備える基板の製造方法
Kaiber Electrochemical reduction of aryl diazonium on silicon surface

Legal Events

Date Code Title Description
PUAI Public reference made under article 153(3) epc to a published international application that has entered the european phase

Free format text: ORIGINAL CODE: 0009012

17P Request for examination filed

Effective date: 20030123

AK Designated contracting states

Designated state(s): AT BE CH CY DE DK ES FI FR GB GR IE IT LI LU MC NL PT SE TR

RIN1 Information on inventor provided before grant (corrected)

Inventor name: ALLAM, LEVI

Inventor name: DEVERS, THIERRY

Inventor name: FLEURY, VINCENT

RAP1 Party data changed (applicant data changed or rights of an application transferred)

Owner name: CENTRE NATIONAL DELA RECHERCHE SCIENTIFIQUE

17Q First examination report despatched

Effective date: 20050624

17Q First examination report despatched

Effective date: 20050624

GRAP Despatch of communication of intention to grant a patent

Free format text: ORIGINAL CODE: EPIDOSNIGR1

RTI1 Title (correction)

Free format text: METHOD OF PREPARING THE SENSING ELEMENT OF A REDUCING GAS MOLECULE SENSOR

GRAS Grant fee paid

Free format text: ORIGINAL CODE: EPIDOSNIGR3

GRAA (expected) grant

Free format text: ORIGINAL CODE: 0009210

AK Designated contracting states

Kind code of ref document: B1

Designated state(s): AT BE CH CY DE DK ES FI FR GB GR IE IT LI LU MC NL PT SE TR

REG Reference to a national code

Ref country code: GB

Ref legal event code: FG4D

Free format text: NOT ENGLISH

REG Reference to a national code

Ref country code: CH

Ref legal event code: EP

REG Reference to a national code

Ref country code: IE

Ref legal event code: FG4D

Free format text: LANGUAGE OF EP DOCUMENT: FRENCH

REF Corresponds to:

Ref document number: 60131082

Country of ref document: DE

Date of ref document: 20071206

Kind code of ref document: P

NLV1 Nl: lapsed or annulled due to failure to fulfill the requirements of art. 29p and 29m of the patents act
PG25 Lapsed in a contracting state [announced via postgrant information from national office to epo]

Ref country code: NL

Free format text: LAPSE BECAUSE OF FAILURE TO SUBMIT A TRANSLATION OF THE DESCRIPTION OR TO PAY THE FEE WITHIN THE PRESCRIBED TIME-LIMIT

Effective date: 20071024

Ref country code: SE

Free format text: LAPSE BECAUSE OF FAILURE TO SUBMIT A TRANSLATION OF THE DESCRIPTION OR TO PAY THE FEE WITHIN THE PRESCRIBED TIME-LIMIT

Effective date: 20080124

Ref country code: ES

Free format text: LAPSE BECAUSE OF FAILURE TO SUBMIT A TRANSLATION OF THE DESCRIPTION OR TO PAY THE FEE WITHIN THE PRESCRIBED TIME-LIMIT

Effective date: 20080204

GBV Gb: ep patent (uk) treated as always having been void in accordance with gb section 77(7)/1977 [no translation filed]
PG25 Lapsed in a contracting state [announced via postgrant information from national office to epo]

Ref country code: PT

Free format text: LAPSE BECAUSE OF FAILURE TO SUBMIT A TRANSLATION OF THE DESCRIPTION OR TO PAY THE FEE WITHIN THE PRESCRIBED TIME-LIMIT

Effective date: 20080324

REG Reference to a national code

Ref country code: IE

Ref legal event code: FD4D

PG25 Lapsed in a contracting state [announced via postgrant information from national office to epo]

Ref country code: AT

Free format text: LAPSE BECAUSE OF FAILURE TO SUBMIT A TRANSLATION OF THE DESCRIPTION OR TO PAY THE FEE WITHIN THE PRESCRIBED TIME-LIMIT

Effective date: 20071024

PG25 Lapsed in a contracting state [announced via postgrant information from national office to epo]

Ref country code: DK

Free format text: LAPSE BECAUSE OF FAILURE TO SUBMIT A TRANSLATION OF THE DESCRIPTION OR TO PAY THE FEE WITHIN THE PRESCRIBED TIME-LIMIT

Effective date: 20071024

PLBE No opposition filed within time limit

Free format text: ORIGINAL CODE: 0009261

STAA Information on the status of an ep patent application or granted ep patent

Free format text: STATUS: NO OPPOSITION FILED WITHIN TIME LIMIT

26N No opposition filed

Effective date: 20080725

PG25 Lapsed in a contracting state [announced via postgrant information from national office to epo]

Ref country code: DE

Free format text: LAPSE BECAUSE OF FAILURE TO SUBMIT A TRANSLATION OF THE DESCRIPTION OR TO PAY THE FEE WITHIN THE PRESCRIBED TIME-LIMIT

Effective date: 20080125

Ref country code: IE

Free format text: LAPSE BECAUSE OF FAILURE TO SUBMIT A TRANSLATION OF THE DESCRIPTION OR TO PAY THE FEE WITHIN THE PRESCRIBED TIME-LIMIT

Effective date: 20071024

PG25 Lapsed in a contracting state [announced via postgrant information from national office to epo]

Ref country code: GB

Free format text: LAPSE BECAUSE OF FAILURE TO SUBMIT A TRANSLATION OF THE DESCRIPTION OR TO PAY THE FEE WITHIN THE PRESCRIBED TIME-LIMIT

Effective date: 20071024

PG25 Lapsed in a contracting state [announced via postgrant information from national office to epo]

Ref country code: GR

Free format text: LAPSE BECAUSE OF FAILURE TO SUBMIT A TRANSLATION OF THE DESCRIPTION OR TO PAY THE FEE WITHIN THE PRESCRIBED TIME-LIMIT

Effective date: 20080125

PG25 Lapsed in a contracting state [announced via postgrant information from national office to epo]

Ref country code: FI

Free format text: LAPSE BECAUSE OF FAILURE TO SUBMIT A TRANSLATION OF THE DESCRIPTION OR TO PAY THE FEE WITHIN THE PRESCRIBED TIME-LIMIT

Effective date: 20071024

REG Reference to a national code

Ref country code: CH

Ref legal event code: PL

PG25 Lapsed in a contracting state [announced via postgrant information from national office to epo]

Ref country code: MC

Free format text: LAPSE BECAUSE OF NON-PAYMENT OF DUE FEES

Effective date: 20080731

REG Reference to a national code

Ref country code: FR

Ref legal event code: ST

Effective date: 20090331

PG25 Lapsed in a contracting state [announced via postgrant information from national office to epo]

Ref country code: CH

Free format text: LAPSE BECAUSE OF NON-PAYMENT OF DUE FEES

Effective date: 20080731

Ref country code: LI

Free format text: LAPSE BECAUSE OF NON-PAYMENT OF DUE FEES

Effective date: 20080731

PG25 Lapsed in a contracting state [announced via postgrant information from national office to epo]

Ref country code: CY

Free format text: LAPSE BECAUSE OF FAILURE TO SUBMIT A TRANSLATION OF THE DESCRIPTION OR TO PAY THE FEE WITHIN THE PRESCRIBED TIME-LIMIT

Effective date: 20071024

PG25 Lapsed in a contracting state [announced via postgrant information from national office to epo]

Ref country code: FR

Free format text: LAPSE BECAUSE OF NON-PAYMENT OF DUE FEES

Effective date: 20080731

PG25 Lapsed in a contracting state [announced via postgrant information from national office to epo]

Ref country code: LU

Free format text: LAPSE BECAUSE OF NON-PAYMENT OF DUE FEES

Effective date: 20080718

Ref country code: BE

Free format text: LAPSE BECAUSE OF NON-PAYMENT OF DUE FEES

Effective date: 20080731

PG25 Lapsed in a contracting state [announced via postgrant information from national office to epo]

Ref country code: TR

Free format text: LAPSE BECAUSE OF FAILURE TO SUBMIT A TRANSLATION OF THE DESCRIPTION OR TO PAY THE FEE WITHIN THE PRESCRIBED TIME-LIMIT

Effective date: 20071024

PG25 Lapsed in a contracting state [announced via postgrant information from national office to epo]

Ref country code: IT

Free format text: LAPSE BECAUSE OF NON-PAYMENT OF DUE FEES

Effective date: 20080731