JP2004522933A - 還元ガス分子センサ - Google Patents
還元ガス分子センサ Download PDFInfo
- Publication number
- JP2004522933A JP2004522933A JP2002516607A JP2002516607A JP2004522933A JP 2004522933 A JP2004522933 A JP 2004522933A JP 2002516607 A JP2002516607 A JP 2002516607A JP 2002516607 A JP2002516607 A JP 2002516607A JP 2004522933 A JP2004522933 A JP 2004522933A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- tin
- insulating support
- layer
- tin oxide
- oxide layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 39
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 29
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 claims abstract description 29
- 239000003792 electrolyte Substances 0.000 claims abstract description 17
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims abstract description 15
- 229910021626 Tin(II) chloride Inorganic materials 0.000 claims abstract description 10
- 239000012266 salt solution Substances 0.000 claims abstract description 4
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims description 31
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 23
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 9
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 239000010931 gold Substances 0.000 claims description 6
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 5
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 5
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 3
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 claims description 3
- 238000002848 electrochemical method Methods 0.000 claims description 2
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 abstract description 8
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 abstract description 8
- 238000000151 deposition Methods 0.000 abstract description 6
- 238000001556 precipitation Methods 0.000 abstract description 3
- 210000004027 cell Anatomy 0.000 description 9
- 239000000779 smoke Substances 0.000 description 7
- 239000010408 film Substances 0.000 description 6
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 6
- 244000062175 Fittonia argyroneura Species 0.000 description 5
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 5
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 5
- HPGGPRDJHPYFRM-UHFFFAOYSA-J tin(iv) chloride Chemical group Cl[Sn](Cl)(Cl)Cl HPGGPRDJHPYFRM-UHFFFAOYSA-J 0.000 description 5
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 150000001768 cations Chemical class 0.000 description 4
- 238000005868 electrolysis reaction Methods 0.000 description 4
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 4
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 4
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 4
- 241000208125 Nicotiana Species 0.000 description 3
- 235000002637 Nicotiana tabacum Nutrition 0.000 description 3
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000011149 active material Substances 0.000 description 3
- 150000001450 anions Chemical class 0.000 description 3
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 3
- 230000037230 mobility Effects 0.000 description 3
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 3
- 230000004044 response Effects 0.000 description 3
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 description 3
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 3
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 3
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 3
- UGFAIRIUMAVXCW-UHFFFAOYSA-N Carbon monoxide Chemical compound [O+]#[C-] UGFAIRIUMAVXCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000002378 acidificating effect Effects 0.000 description 2
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 2
- 238000004630 atomic force microscopy Methods 0.000 description 2
- 229910002091 carbon monoxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 239000004922 lacquer Substances 0.000 description 2
- 230000008569 process Effects 0.000 description 2
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 2
- 238000003980 solgel method Methods 0.000 description 2
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 2
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 description 2
- 206010070834 Sensitisation Diseases 0.000 description 1
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-L Sulfate Chemical compound [O-]S([O-])(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 239000011260 aqueous acid Substances 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 238000001354 calcination Methods 0.000 description 1
- 150000004649 carbonic acid derivatives Chemical class 0.000 description 1
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 239000006059 cover glass Substances 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 210000001787 dendrite Anatomy 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 239000010419 fine particle Substances 0.000 description 1
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 1
- 239000000446 fuel Substances 0.000 description 1
- 230000006870 function Effects 0.000 description 1
- 238000000227 grinding Methods 0.000 description 1
- 150000004679 hydroxides Chemical class 0.000 description 1
- 238000000608 laser ablation Methods 0.000 description 1
- 231100000518 lethal Toxicity 0.000 description 1
- 230000001665 lethal effect Effects 0.000 description 1
- 238000001465 metallisation Methods 0.000 description 1
- 210000003632 microfilament Anatomy 0.000 description 1
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 1
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 1
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 1
- 231100000572 poisoning Toxicity 0.000 description 1
- 230000000607 poisoning effect Effects 0.000 description 1
- 239000002244 precipitate Substances 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 238000011160 research Methods 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 239000011540 sensing material Substances 0.000 description 1
- 230000008313 sensitization Effects 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 description 1
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 238000011282 treatment Methods 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N27/00—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means
- G01N27/02—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating impedance
- G01N27/04—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating impedance by investigating resistance
- G01N27/12—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating impedance by investigating resistance of a solid body in dependence upon absorption of a fluid; of a solid body in dependence upon reaction with a fluid, for detecting components in the fluid
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T29/00—Metal working
- Y10T29/49—Method of mechanical manufacture
- Y10T29/49002—Electrical device making
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Electrochemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Biochemistry (AREA)
- General Health & Medical Sciences (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Immunology (AREA)
- Pathology (AREA)
- Investigating Or Analyzing Materials By The Use Of Fluid Adsorption Or Reactions (AREA)
- Investigating Or Analyzing Materials By The Use Of Electric Means (AREA)
Abstract
本発明は、還元ガス分子センサに関する。センサは検出素子が1μm未満の厚さを有する多結晶酸化スズ層であることを特徴とする。検出素子は、電気化学的電池内の陽極がスズからなり、かつ陰極がその一端が絶縁支持体表面に当てられた導電皮膜であり、2つの電極がスズ塩溶液から構成される電解質によって離されており、電池内に一定の強さの電流を通すことにより該絶縁支持体上へスズ層を電解析出することによって作成される。析出段階の次には酸化段階が続く。
Description
【0001】
(技術分野)
本発明は検出素子が酸化スズである還元ガス分子センサに関する。
【0002】
(背景技術)
大気中の有害分子の濃度の検出及び測定は特に産業又は都市からの放出増大に比例して非常に重大な課題となっている。人間にとって危険な濃度に満たないより低い濃度において有害分子の存在を検出することが必要になっている。特に排気ガス及びタバコの煙に存する一酸化炭素の場合は典型的であり、このガスは、非常に低い濃度、約1ppmで致死量である。その上、これら同一の分子が非常に低い濃度、例えば触媒中毒が引き起こされる濃度が、燃料電池のようなある種の工業又は工学装置において検出されるはずである。感度閾値及び検出速度は、このタイプのセンサの2つの重要なパラメータである。
【0003】
還元ガス分子を検出するために酸化スズセンサを使用することが公知である。固有半導体である酸化スズの導電率は大気中の還元分子含有量に応じて変化する。非還元大気で酸素は粒界に吸着され、かつ粒界の電子状態を部分的に抑え材料の抵抗を非常に高くすることが認められる。還元分子の存在下、粒界中の酸素濃度は減少し、いわゆる接触表面の両側で粒子表面の近傍の電子状態をこのようにして解放する。これら電子状態の存在は粒界を通る電子の伝導を可能にする。従って酸化物の粒子の大きさが減少するとき、すなわち比表面積が増加し、かつ粒子内部への電子状態の抑圧量子効果がより有効であるときに検出素子として酸化スズを有するセンサの感度が増加することは明らかである。しかしながら、粒子の大きさの減少は導電性を犠牲にして粒子間の物理的連結度の減少を一般的に引き起こす。
【0004】
検出素子が酸化スズであるこのようなセンサは、特に1998年6月に出版された「材料研究学会会報(Materials Research Society Bulletin)」の特別号「ガス検出材料(Gas−sensing Materials)」に記載されている。これらは、支持体上に多結晶酸化スズ層を含む。市販されている装置では、酸化スズの粒子の大きさは、一般に約1μmである。20nm未満の寸法を有する粒子形状の活物質として多結晶酸化スズを含むセンサも同様に公知である。レーザアブレーション、ゾル・ゲル法、析出又はその他の化学合成方法による陰極粉砕によって得られる金属から酸化物を製造して作成される実験装置が主として問題である。酸化物がゾル・ゲル法又は単純な析出によって得られるとき、除去せねばならない溶剤を含んでいるためである。多くの場合、得られる酸化物は分離した粒子の粉末形状の外観を呈し、それがセンサ用に使用可能であるためには、次いで焼結し、かつ再び焼かねばならず、また粒子の物理的連結度は保証されない。その上、焼結は厚みに多数の粒子を含むドロップ形状の三次元材料になる。このような酸化物を含むセンサの応答時間は、センサの活物質の中心に向かって検出するガス分子が拡散する時間に比例して、ドロップがより厚くなるだけに一層長くなる。焼結のもう一つの不都合はセンサを成形することを可能にしないことにある。粉末の成形は粒子をインク内に加え、次にインクジェットプリンタにおいて使用される技術に従ってセンサに線を引くことからなる方法により行われ得る。しかしながら、この技術は粒子がその大きさに関して巨視的規模で連結されない皮膜を与え、かつ粒子内に溶剤が導入される。
【0005】
本発明の目的は、非常に良好な物理的凝集力を有する非常に微細な粒子から構成される酸化スズ層を含む還元分子センサの検出素子の作成の方法を提供することである。それ故に、本発明は、このようなセンサの検出素子の作成の方法並びに得られるセンサを対象とする。
【0006】
(発明の開示)
還元ガス分子センサの検出素子を作成するための本発明による方法は、第1工程は電気化学的電池内に絶縁支持体を置き、スズからなる陽極及び一端が該絶縁支持体表面に当てられた導電皮膜である陰極を含み、2つの電極がスズ塩溶液から構成される電解質によって離されており、該電池内に一定の強さの電流を通し、1μm未満、好ましくは400nm未満の厚みを有するスズ層を絶縁支持体表面上に電気化学的方法で析出させ、第2工程は析出層であるスズ層を酸化させる工程を含むことを特徴とする。
【0007】
電流の強さは、析出する皮膜が増大する正面を通り、かつ電極に垂直な平面で1μA/cm2〜5mA/cm2の電流密度を生み出すようになっている。
【0008】
電解質中のスズ塩の濃度は、好ましくは10−3モル/l〜10−1モル/lである。
【0009】
(発明を実施するための最良の形態)
実施態様において、析出層を有することになる絶縁支持体は電気化学的電池の壁の一方をなす。前記絶縁支持体とほぼ同一寸法の絶縁板は絶縁支持体と平行にあり、かつ電池を空気から守るために単に電池の閉鎖に使用する。絶縁支持体及び絶縁板の間の隔たりは電解質の量の範囲を定める。絶縁支持体及び絶縁板は、電池内部に取り付けられたスズの陽極及び電池内部に向けられた支持体の面に析出した導電皮膜かつその面の一端からなる陰極との間の電流の循環を可能にする金属接触により隔てて保持され得る。陰極は金又はその他の金属の薄膜でも良い。例えば陰極を形成する金属が金である場合、約1000Åの皮膜が適当である。必要な電流の強さを供給するガルバノスタットと金の皮膜から構成される陰極を接触させるために金属薄板又は糸を使用することができる。上記に定義したような平らな電池において得られるスズ層の厚みeは、単に式e=P×h×C/CM(式中hは2つの板の間の距離すなわち電解質の高さを表し、Cは電解質中の陽イオン濃度であり、かつCMはスズのモル濃度すなわち固体状態のスズの1リットル当りのモル数を表す)によって決定される。Pは式P=1+(μc/μa)(μc及びμaは、それぞれ陽イオン及び陰イオンの移動度である)に従った塩の陽イオン及び陰イオンの移動度に結び付けられるパラメータである。概して1つの塩の陽イオン及び陰イオンは非常に似た移動度を有し、かつPは2に近い。従ってeを決定するために単純化された式はe=2h×C/CMのように書き表される。
【0010】
電解工程の初めに、陰極は支持体上に層の形状で行われるスズ形成の発端となる。析出したスズ層は次いで支持体に付着したままである。
【0011】
電解質はスズ塩の水溶液又は非水溶液でも良い。水溶液がより好ましい。スズ塩は好ましくは塩化又は硫酸スズである。電解質中の塩の濃度は望まれる皮膜の品質及び密度に従って非常に幅広い範囲で変わり得る。0.005〜0.05モル/l、特に0.02〜0.04モル/lの濃度が好ましい。空気を避けて保存されたスズ塩の溶液を使用することが水酸化物及び炭酸塩の存在を避けられ、好ましい。
【0012】
定電流で作業を行うために、スズ層の増大速度は電流の強さすなわち電子束に比例する。
【0013】
均質なスズ層を得ることが望まれる場合、析出層が増大する正面を通り、かつ電極に垂直な平面で0.05〜5mA/cm2の電流密度を生み出すような強さを有する電流を電気化学的電池に加える。この場合、電解質が市販の塩化スズ粉末から製造された塩化スズ溶液であるとき、約300nmの平均寸法を有する粒子から構成される層が得られる。非常に濃縮し、かつ強酸性の市販の塩化スズ溶液(例えばいわゆる無電解方法において銀メッキ前の表面鋭敏化用に市販されている溶液)を使用直前に0.01モル/lに希釈して得られる電解質を使用するときに支持体上に析出する層は、電気化学的電池内の電流密度が1mA/cm2未満であるときに厚み約5nm及び円周約50nmを有する円板形状のドロップからなり、この構造はAFM(原子間力顕微鏡法)によって決定される。還元性雰囲気の感度は吸着された分子及びセンサの活物質の間のエクランタージュ(ecrantage)現象に結び付けられるので、センサの特性を方向付けるのは粒子の最小寸法である。従ってこの場合には、性能は特に良好である。
【0014】
概して、樹枝状層を得ることが望まれるとき、1〜100μA、好ましくは5〜50μAの電流の強さを電気化学的電池に加える。約1μA未満の強さでは、センサにとって興味を起こさせない巨大結晶が形成される。100μAを超える強さで金属は支持体上の層の形状でもはや析出せず液体中で形成される。金属析出の代わりに水電解も現れ得る。電解質が強酸性のスズ塩溶液であるとき、樹枝状層を得るために20μAを超える電流密度を加えることが必要である。特殊な実施態様においてマイクログルーブが一方の面に刻まれた支持体をスズの樹枝状層析出用の支持体として使用する。この場合、電解の際に形成される層の樹枝状結晶はマイクログルーブの線形を辿る。このようにして厚み及び断面が非常に低い数の粒子、更に厚みに唯一の粒子しか含まない多結晶微小糸が得られる。これらの粒子は1μm以下、一般的に約100〜300nmの寸法を有する。
【0015】
支持体に析出したスズ層の酸化は、空気での酸化によって行われても良い。粒界での酸化及び酸素吸着を加速させるために、同時の熱処理を行うことが好ましい。酸化及び酸素吸着は層の厚みに依存し、軸受(pallier)までの層の抵抗の著しい増加となって現れる。その次に層が還元性雰囲気を受けるとき、室温において数秒で抵抗率の著しい低下が観察される。層が通常の雰囲気に戻されるとき、抵抗は室温において数十秒で最初の値を取り戻す。
【0016】
方法の第1工程の際に得られるスズ層の酸化は、センサを作った後に行っても良い。この場合、スズ層が第1段階中に支持体上で望ましい長さに達したとき、例えば、上部に対して電気化学的電池を閉鎖することに使用する絶縁板を取り出して電気化学的電池を開放する。層は析出した絶縁支持体に確かに付着されたままである。電解質を除去した後で、端部にスズ層に数十分の1ミリメートルの直径を有する2つの銀糸を貼り付け、前記銀糸は、センサ用の電極として使用する。銀糸を備えたスズ層を担持する絶縁支持体によって構成されるアセンブリは次に、場合によっては熱処理により酸化雰囲気、例えば周囲大気を受ける。
【0017】
酸化スズ層の作成方法はセンサの一部をなす支持体上に直接、非常に微細な層の形状で、かつ非常に純粋な酸化スズを製造する限りにおいて、特に好ましい。その上、それは微妙な技術を利用せずに室温で液状媒体で加工することを可能にする。電解の際に加えられる電流の強さの制御により析出する層の厚み及び形態(均質な層か、樹枝状の層か)を方向付けることができる。その上、電流が金属形状でスズ析出中に粒子内を循環することは、スズ層の酸化後に得られる酸化スズ粒子が物理的に連結されることを保証する。意外にもスズ層の酸化は、センサの検出素子として使用される酸化物層の導電率特性を変更し得たであろう範囲において粒子の分離を引き起こさない。
【0018】
先行技術の酸化スズ製造方法では、導体を得るために特殊な処理、例えば焼結又はか焼のような厳しい熱処理を加えることが必要である。最後に、本発明のセンサの検出素子は液状媒体で作成されるので、このような媒体内で機能することには完全に適している。
【0019】
本発明によれば、ガス還元分子センサの検出素子は酸化スズ層で被覆された絶縁支持体によって構成され、かつ酸化スズ層が多結晶であり、かつ1μm未満、好ましくは400nm未満の厚みを有することを特徴とする。
【0020】
特殊な実施態様では、酸化スズ層は厚みにおいて主として一粒子であり、すなわち粒子の大きさが酸化物層の厚みにほぼ等しい。
【0021】
還元ガス分子センサは2つの電極に連結された本発明による検出素子、制御器、及びオーム計又はインピーダンスブリッジによって構成されても良い。
【0022】
特殊な実施態様では、酸化スズ層は均質な層である。
【0023】
もう一つの実施態様では、酸化スズ層は樹枝状形態を有する。粒界は大気の影響を非常に受けやすい。その上、粒子のツリー構造は糸構造に類似する。この糸に沿って電流の行程に小さな粒子が存在することはセンサを高性能にするために充分である。幾つかの粒子は本当の粒界を構成せずに、還元分子の存在に結びつく導電率の変化検出に好都合な場所のままにあることが同様に確認される。糸構造はマイクログルーブが中に刻まれた支持体を使用して強化され得る。この技術は容易であり、かつ粒子析出が直線形状又は任意の形状を有し得るグルーブに添って作られるので、任意の形状の粒子の整列を得ることが可能になる。
【0024】
本発明は以下に示す実施例により詳細に説明される。
【0025】
[実施例1]
酸化物層の製造
方法の第1工程すなわちスズ皮膜製造は、Goodfellow社によって市販されている金属スズシートを両方とも1.8cmの辺を有するよう切り抜いた2枚の長方形シートによって0.1mmの間隔を開けて保持される、析出用の絶縁支持体として使用するスライドガラス及びカバーガラスからなる電気化学的電池を使用し、シートの一方は発電機及び陰極の間の連結を確実に行い、他方のシートは発電機及び陽極の間の連結を確実に行う。電解質は塩化スズ0.1モル/lでの酸性水溶液である。陰極は支持体として使用するスライドガラスの内面の一端で蒸着によって付加される厚み1000Åの金の皮膜からない、この内面の残りの部分は電流非伝導性の20Åの厚みを有する金層の蒸着によって前もって鋭敏化された。ガルバノスタットによって供給された電流Iの強さは30μAである。
【0026】
測定実施により粒子の大きさは主として200〜600nmであることが示された。
【0027】
次にスズ層は、空気を循環させた容器の中で4時間、100℃で加熱することにより酸化された。
【0028】
[実施例2]
検出試験
約400nmの粒子を有する樹枝状層を検出素子として含むセンサが、タバコの煙に含まれる一酸化炭素を検出するために使用された。酸化スズ層で被覆されたスライドガラスから構成される支持体及びオーム計の間の接触は、層上に析出した銀ラッカー及び銀糸を用いて行われた。
【0029】
タバコの煙が閉じて保持される0.5lの容積を有するガラスの容器内に吸入された。煙の温度が室温に達したとき直径約5cmの開口部を容器に作り、かつすぐにセンサを開口部から数cmに近付け次に遠ざけた。近付け及び遠ざける操作は数回繰り返され、センサの抵抗率が連続して測定された。
【0030】
センサが煙と接触するときに2.5秒の応答時間が確認され、他方先行技術の酸化スズセンサいわゆるタグチ(Taguchi)センサはタイプにより約10秒〜1分の応答時間を有した。本発明のセンサが煙から遠ざけられるとき、30秒でその公称抵抗率を取り戻した。
【0031】
比較測定は、酸化スズ皮膜を含まない、検出素子が銀ラッカーを担持し、かつ銀糸によってオーム計に連結された顕微鏡の板からなる類似したセンサにより行われた。この比較センサを煙と接触させている際に、いかなる抵抗率の変化も確認されなかった。
(技術分野)
本発明は検出素子が酸化スズである還元ガス分子センサに関する。
【0002】
(背景技術)
大気中の有害分子の濃度の検出及び測定は特に産業又は都市からの放出増大に比例して非常に重大な課題となっている。人間にとって危険な濃度に満たないより低い濃度において有害分子の存在を検出することが必要になっている。特に排気ガス及びタバコの煙に存する一酸化炭素の場合は典型的であり、このガスは、非常に低い濃度、約1ppmで致死量である。その上、これら同一の分子が非常に低い濃度、例えば触媒中毒が引き起こされる濃度が、燃料電池のようなある種の工業又は工学装置において検出されるはずである。感度閾値及び検出速度は、このタイプのセンサの2つの重要なパラメータである。
【0003】
還元ガス分子を検出するために酸化スズセンサを使用することが公知である。固有半導体である酸化スズの導電率は大気中の還元分子含有量に応じて変化する。非還元大気で酸素は粒界に吸着され、かつ粒界の電子状態を部分的に抑え材料の抵抗を非常に高くすることが認められる。還元分子の存在下、粒界中の酸素濃度は減少し、いわゆる接触表面の両側で粒子表面の近傍の電子状態をこのようにして解放する。これら電子状態の存在は粒界を通る電子の伝導を可能にする。従って酸化物の粒子の大きさが減少するとき、すなわち比表面積が増加し、かつ粒子内部への電子状態の抑圧量子効果がより有効であるときに検出素子として酸化スズを有するセンサの感度が増加することは明らかである。しかしながら、粒子の大きさの減少は導電性を犠牲にして粒子間の物理的連結度の減少を一般的に引き起こす。
【0004】
検出素子が酸化スズであるこのようなセンサは、特に1998年6月に出版された「材料研究学会会報(Materials Research Society Bulletin)」の特別号「ガス検出材料(Gas−sensing Materials)」に記載されている。これらは、支持体上に多結晶酸化スズ層を含む。市販されている装置では、酸化スズの粒子の大きさは、一般に約1μmである。20nm未満の寸法を有する粒子形状の活物質として多結晶酸化スズを含むセンサも同様に公知である。レーザアブレーション、ゾル・ゲル法、析出又はその他の化学合成方法による陰極粉砕によって得られる金属から酸化物を製造して作成される実験装置が主として問題である。酸化物がゾル・ゲル法又は単純な析出によって得られるとき、除去せねばならない溶剤を含んでいるためである。多くの場合、得られる酸化物は分離した粒子の粉末形状の外観を呈し、それがセンサ用に使用可能であるためには、次いで焼結し、かつ再び焼かねばならず、また粒子の物理的連結度は保証されない。その上、焼結は厚みに多数の粒子を含むドロップ形状の三次元材料になる。このような酸化物を含むセンサの応答時間は、センサの活物質の中心に向かって検出するガス分子が拡散する時間に比例して、ドロップがより厚くなるだけに一層長くなる。焼結のもう一つの不都合はセンサを成形することを可能にしないことにある。粉末の成形は粒子をインク内に加え、次にインクジェットプリンタにおいて使用される技術に従ってセンサに線を引くことからなる方法により行われ得る。しかしながら、この技術は粒子がその大きさに関して巨視的規模で連結されない皮膜を与え、かつ粒子内に溶剤が導入される。
【0005】
本発明の目的は、非常に良好な物理的凝集力を有する非常に微細な粒子から構成される酸化スズ層を含む還元分子センサの検出素子の作成の方法を提供することである。それ故に、本発明は、このようなセンサの検出素子の作成の方法並びに得られるセンサを対象とする。
【0006】
(発明の開示)
還元ガス分子センサの検出素子を作成するための本発明による方法は、第1工程は電気化学的電池内に絶縁支持体を置き、スズからなる陽極及び一端が該絶縁支持体表面に当てられた導電皮膜である陰極を含み、2つの電極がスズ塩溶液から構成される電解質によって離されており、該電池内に一定の強さの電流を通し、1μm未満、好ましくは400nm未満の厚みを有するスズ層を絶縁支持体表面上に電気化学的方法で析出させ、第2工程は析出層であるスズ層を酸化させる工程を含むことを特徴とする。
【0007】
電流の強さは、析出する皮膜が増大する正面を通り、かつ電極に垂直な平面で1μA/cm2〜5mA/cm2の電流密度を生み出すようになっている。
【0008】
電解質中のスズ塩の濃度は、好ましくは10−3モル/l〜10−1モル/lである。
【0009】
(発明を実施するための最良の形態)
実施態様において、析出層を有することになる絶縁支持体は電気化学的電池の壁の一方をなす。前記絶縁支持体とほぼ同一寸法の絶縁板は絶縁支持体と平行にあり、かつ電池を空気から守るために単に電池の閉鎖に使用する。絶縁支持体及び絶縁板の間の隔たりは電解質の量の範囲を定める。絶縁支持体及び絶縁板は、電池内部に取り付けられたスズの陽極及び電池内部に向けられた支持体の面に析出した導電皮膜かつその面の一端からなる陰極との間の電流の循環を可能にする金属接触により隔てて保持され得る。陰極は金又はその他の金属の薄膜でも良い。例えば陰極を形成する金属が金である場合、約1000Åの皮膜が適当である。必要な電流の強さを供給するガルバノスタットと金の皮膜から構成される陰極を接触させるために金属薄板又は糸を使用することができる。上記に定義したような平らな電池において得られるスズ層の厚みeは、単に式e=P×h×C/CM(式中hは2つの板の間の距離すなわち電解質の高さを表し、Cは電解質中の陽イオン濃度であり、かつCMはスズのモル濃度すなわち固体状態のスズの1リットル当りのモル数を表す)によって決定される。Pは式P=1+(μc/μa)(μc及びμaは、それぞれ陽イオン及び陰イオンの移動度である)に従った塩の陽イオン及び陰イオンの移動度に結び付けられるパラメータである。概して1つの塩の陽イオン及び陰イオンは非常に似た移動度を有し、かつPは2に近い。従ってeを決定するために単純化された式はe=2h×C/CMのように書き表される。
【0010】
電解工程の初めに、陰極は支持体上に層の形状で行われるスズ形成の発端となる。析出したスズ層は次いで支持体に付着したままである。
【0011】
電解質はスズ塩の水溶液又は非水溶液でも良い。水溶液がより好ましい。スズ塩は好ましくは塩化又は硫酸スズである。電解質中の塩の濃度は望まれる皮膜の品質及び密度に従って非常に幅広い範囲で変わり得る。0.005〜0.05モル/l、特に0.02〜0.04モル/lの濃度が好ましい。空気を避けて保存されたスズ塩の溶液を使用することが水酸化物及び炭酸塩の存在を避けられ、好ましい。
【0012】
定電流で作業を行うために、スズ層の増大速度は電流の強さすなわち電子束に比例する。
【0013】
均質なスズ層を得ることが望まれる場合、析出層が増大する正面を通り、かつ電極に垂直な平面で0.05〜5mA/cm2の電流密度を生み出すような強さを有する電流を電気化学的電池に加える。この場合、電解質が市販の塩化スズ粉末から製造された塩化スズ溶液であるとき、約300nmの平均寸法を有する粒子から構成される層が得られる。非常に濃縮し、かつ強酸性の市販の塩化スズ溶液(例えばいわゆる無電解方法において銀メッキ前の表面鋭敏化用に市販されている溶液)を使用直前に0.01モル/lに希釈して得られる電解質を使用するときに支持体上に析出する層は、電気化学的電池内の電流密度が1mA/cm2未満であるときに厚み約5nm及び円周約50nmを有する円板形状のドロップからなり、この構造はAFM(原子間力顕微鏡法)によって決定される。還元性雰囲気の感度は吸着された分子及びセンサの活物質の間のエクランタージュ(ecrantage)現象に結び付けられるので、センサの特性を方向付けるのは粒子の最小寸法である。従ってこの場合には、性能は特に良好である。
【0014】
概して、樹枝状層を得ることが望まれるとき、1〜100μA、好ましくは5〜50μAの電流の強さを電気化学的電池に加える。約1μA未満の強さでは、センサにとって興味を起こさせない巨大結晶が形成される。100μAを超える強さで金属は支持体上の層の形状でもはや析出せず液体中で形成される。金属析出の代わりに水電解も現れ得る。電解質が強酸性のスズ塩溶液であるとき、樹枝状層を得るために20μAを超える電流密度を加えることが必要である。特殊な実施態様においてマイクログルーブが一方の面に刻まれた支持体をスズの樹枝状層析出用の支持体として使用する。この場合、電解の際に形成される層の樹枝状結晶はマイクログルーブの線形を辿る。このようにして厚み及び断面が非常に低い数の粒子、更に厚みに唯一の粒子しか含まない多結晶微小糸が得られる。これらの粒子は1μm以下、一般的に約100〜300nmの寸法を有する。
【0015】
支持体に析出したスズ層の酸化は、空気での酸化によって行われても良い。粒界での酸化及び酸素吸着を加速させるために、同時の熱処理を行うことが好ましい。酸化及び酸素吸着は層の厚みに依存し、軸受(pallier)までの層の抵抗の著しい増加となって現れる。その次に層が還元性雰囲気を受けるとき、室温において数秒で抵抗率の著しい低下が観察される。層が通常の雰囲気に戻されるとき、抵抗は室温において数十秒で最初の値を取り戻す。
【0016】
方法の第1工程の際に得られるスズ層の酸化は、センサを作った後に行っても良い。この場合、スズ層が第1段階中に支持体上で望ましい長さに達したとき、例えば、上部に対して電気化学的電池を閉鎖することに使用する絶縁板を取り出して電気化学的電池を開放する。層は析出した絶縁支持体に確かに付着されたままである。電解質を除去した後で、端部にスズ層に数十分の1ミリメートルの直径を有する2つの銀糸を貼り付け、前記銀糸は、センサ用の電極として使用する。銀糸を備えたスズ層を担持する絶縁支持体によって構成されるアセンブリは次に、場合によっては熱処理により酸化雰囲気、例えば周囲大気を受ける。
【0017】
酸化スズ層の作成方法はセンサの一部をなす支持体上に直接、非常に微細な層の形状で、かつ非常に純粋な酸化スズを製造する限りにおいて、特に好ましい。その上、それは微妙な技術を利用せずに室温で液状媒体で加工することを可能にする。電解の際に加えられる電流の強さの制御により析出する層の厚み及び形態(均質な層か、樹枝状の層か)を方向付けることができる。その上、電流が金属形状でスズ析出中に粒子内を循環することは、スズ層の酸化後に得られる酸化スズ粒子が物理的に連結されることを保証する。意外にもスズ層の酸化は、センサの検出素子として使用される酸化物層の導電率特性を変更し得たであろう範囲において粒子の分離を引き起こさない。
【0018】
先行技術の酸化スズ製造方法では、導体を得るために特殊な処理、例えば焼結又はか焼のような厳しい熱処理を加えることが必要である。最後に、本発明のセンサの検出素子は液状媒体で作成されるので、このような媒体内で機能することには完全に適している。
【0019】
本発明によれば、ガス還元分子センサの検出素子は酸化スズ層で被覆された絶縁支持体によって構成され、かつ酸化スズ層が多結晶であり、かつ1μm未満、好ましくは400nm未満の厚みを有することを特徴とする。
【0020】
特殊な実施態様では、酸化スズ層は厚みにおいて主として一粒子であり、すなわち粒子の大きさが酸化物層の厚みにほぼ等しい。
【0021】
還元ガス分子センサは2つの電極に連結された本発明による検出素子、制御器、及びオーム計又はインピーダンスブリッジによって構成されても良い。
【0022】
特殊な実施態様では、酸化スズ層は均質な層である。
【0023】
もう一つの実施態様では、酸化スズ層は樹枝状形態を有する。粒界は大気の影響を非常に受けやすい。その上、粒子のツリー構造は糸構造に類似する。この糸に沿って電流の行程に小さな粒子が存在することはセンサを高性能にするために充分である。幾つかの粒子は本当の粒界を構成せずに、還元分子の存在に結びつく導電率の変化検出に好都合な場所のままにあることが同様に確認される。糸構造はマイクログルーブが中に刻まれた支持体を使用して強化され得る。この技術は容易であり、かつ粒子析出が直線形状又は任意の形状を有し得るグルーブに添って作られるので、任意の形状の粒子の整列を得ることが可能になる。
【0024】
本発明は以下に示す実施例により詳細に説明される。
【0025】
[実施例1]
酸化物層の製造
方法の第1工程すなわちスズ皮膜製造は、Goodfellow社によって市販されている金属スズシートを両方とも1.8cmの辺を有するよう切り抜いた2枚の長方形シートによって0.1mmの間隔を開けて保持される、析出用の絶縁支持体として使用するスライドガラス及びカバーガラスからなる電気化学的電池を使用し、シートの一方は発電機及び陰極の間の連結を確実に行い、他方のシートは発電機及び陽極の間の連結を確実に行う。電解質は塩化スズ0.1モル/lでの酸性水溶液である。陰極は支持体として使用するスライドガラスの内面の一端で蒸着によって付加される厚み1000Åの金の皮膜からない、この内面の残りの部分は電流非伝導性の20Åの厚みを有する金層の蒸着によって前もって鋭敏化された。ガルバノスタットによって供給された電流Iの強さは30μAである。
【0026】
測定実施により粒子の大きさは主として200〜600nmであることが示された。
【0027】
次にスズ層は、空気を循環させた容器の中で4時間、100℃で加熱することにより酸化された。
【0028】
[実施例2]
検出試験
約400nmの粒子を有する樹枝状層を検出素子として含むセンサが、タバコの煙に含まれる一酸化炭素を検出するために使用された。酸化スズ層で被覆されたスライドガラスから構成される支持体及びオーム計の間の接触は、層上に析出した銀ラッカー及び銀糸を用いて行われた。
【0029】
タバコの煙が閉じて保持される0.5lの容積を有するガラスの容器内に吸入された。煙の温度が室温に達したとき直径約5cmの開口部を容器に作り、かつすぐにセンサを開口部から数cmに近付け次に遠ざけた。近付け及び遠ざける操作は数回繰り返され、センサの抵抗率が連続して測定された。
【0030】
センサが煙と接触するときに2.5秒の応答時間が確認され、他方先行技術の酸化スズセンサいわゆるタグチ(Taguchi)センサはタイプにより約10秒〜1分の応答時間を有した。本発明のセンサが煙から遠ざけられるとき、30秒でその公称抵抗率を取り戻した。
【0031】
比較測定は、酸化スズ皮膜を含まない、検出素子が銀ラッカーを担持し、かつ銀糸によってオーム計に連結された顕微鏡の板からなる類似したセンサにより行われた。この比較センサを煙と接触させている際に、いかなる抵抗率の変化も確認されなかった。
Claims (15)
- 還元ガス分子センサの検出素子を作成する方法であり、第1工程は電気化学的電池内に絶縁支持体を置き、スズからなる陽極及び一端が該絶縁支持体表面に当てられた導電皮膜である陰極を含み、2つの電極がスズ塩溶液から構成される電解質によって離されており、該電池内に一定の強さの電流を通し、1μm未満の厚みを有するスズ層を絶縁支持体表面上に電気化学的方法で析出させ、第2工程は析出層であるスズ層を酸化させる工程を含むことを特徴とする方法。
- 上記の析出層が増大する正面を通り、かつ電極に垂直な平面で1μA/cm2〜5mA/cm2の電流密度を生み出すような電流の強さを加えることを特徴とする請求項1に記載の方法。
- 上記の電流密度が0.05mA/cm2〜5mA/cm2であることを特徴とする請求項2に記載の方法。
- 上記の電流密度が1mA/cm2未満であることを特徴とする請求項3に記載の方法。
- 上記の電流密度が1μA/cm2〜100μA/cm2であることを特徴とする請求項2に記載の方法。
- 上記の電解質中のスズ塩の濃度は、10−3モル/l〜10−1モル/lであることを特徴とする請求項1に記載の方法。
- 上記の電解質中のスズ塩の濃度が0.005モル/l〜0.05モル/lであることを特徴とする請求項6に記載の方法。
- 析出層を有することになる上記の絶縁支持体が電気化学的電池の壁の一方をなし、絶縁支持体とほぼ同一寸法の絶縁板は絶縁支持体と平行にあり、かつ電池の閉鎖に使用し、絶縁支持体及び絶縁板の間の隔たりは電解質の量の範囲を定め、絶縁支持体及び絶縁板は、電池内部に取り付けられたスズからなる陽極及び電池内部に向けられた絶縁支持体の面に析出した導電皮膜かつその面の一端からなる陰極との間の電流の循環を可能にする金属接触により隔てて保持されることを特徴とする請求項1に記載の方法。
- 上記の陰極が約1000Åの厚みを有する金の薄膜であることを特徴とする請求項1に記載の方法。
- 酸化スズ層で被覆された絶縁支持体によって構成されるガス還元分子センサの検出素子において、酸化スズ層が多結晶であり、かつ1μm未満の厚みを有することを特徴とする検出素子。
- 上記の酸化スズ層の厚みが400nm未満であることを特徴とする請求項10に記載のセンサの検出素子。
- 上記の酸化スズ層が厚みにおいて主として一粒子であることを特徴とする請求項10に記載のセンサの検出素子。
- 上記の酸化スズ層が均質な構造を有することを特徴とする請求項10に記載のセンサの検出素子。
- 上記の酸化スズ層が樹枝状構造を有することを特徴とする請求項10に記載のセンサの検出素子。
- 上記の酸化スズ層が多結晶微小糸の形状であることを特徴とする請求項14に記載のセンサの検出素子。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
FR0010147A FR2812723B1 (fr) | 2000-08-01 | 2000-08-01 | Capteur de molecules gazeuses reductrices |
PCT/FR2001/002343 WO2002010730A2 (fr) | 2000-08-01 | 2001-07-18 | Capteur de molecules gazeuses reductrices |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2004522933A true JP2004522933A (ja) | 2004-07-29 |
Family
ID=8853197
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2002516607A Pending JP2004522933A (ja) | 2000-08-01 | 2001-07-18 | 還元ガス分子センサ |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7223328B2 (ja) |
EP (1) | EP1305610B1 (ja) |
JP (1) | JP2004522933A (ja) |
AT (1) | ATE376669T1 (ja) |
DE (1) | DE60131082D1 (ja) |
FR (1) | FR2812723B1 (ja) |
WO (1) | WO2002010730A2 (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009532828A (ja) * | 2006-03-31 | 2009-09-10 | トヨタ モーター エンジニアリング アンド マニュファクチャリング ノース アメリカ,インコーポレイティド | 燃料電池及び他の用途のための樹枝状金属ナノ構造体 |
JP2010048627A (ja) * | 2008-08-20 | 2010-03-04 | Sumitomo Electric Ind Ltd | ガスセンサおよびその製造方法 |
JP2010091486A (ja) * | 2008-10-10 | 2010-04-22 | Sumitomo Electric Ind Ltd | ガスセンサおよびその製造方法 |
Family Cites Families (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US2407579A (en) * | 1942-07-04 | 1946-09-10 | Du Pont | Electrodeposition of tin |
US5271858A (en) * | 1986-03-24 | 1993-12-21 | Ensci Inc. | Field dependent fluids containing electrically conductive tin oxide coated materials |
US4752501A (en) * | 1987-07-01 | 1988-06-21 | General Motors Corporation | Method for forming patterned tin oxide thin film element |
US5351036A (en) * | 1991-12-10 | 1994-09-27 | Clark-Reliance Corporation | Microwave-based point liquid level monitoring system |
GB9313320D0 (en) * | 1993-06-28 | 1993-08-11 | Univ Loughborough | Sensing devices |
DE4332071C2 (de) * | 1993-09-21 | 1995-09-07 | Endress Hauser Gmbh Co | Verfahren zur Füllstandsmessung nach dem Radarprinzip |
JP3170396B2 (ja) * | 1993-10-07 | 2001-05-28 | 新コスモス電機株式会社 | 半導体式のアンモニアガスセンサ及びその製造方法 |
GB2321336B (en) * | 1997-01-15 | 2001-07-25 | Univ Warwick | Gas-sensing semiconductor devices |
FR2799475B1 (fr) * | 1999-10-11 | 2002-02-01 | Centre Nat Rech Scient | Procede de metallisation d'un substrat isolant par voie electrochimique |
-
2000
- 2000-08-01 FR FR0010147A patent/FR2812723B1/fr not_active Expired - Fee Related
-
2001
- 2001-07-18 AT AT01956606T patent/ATE376669T1/de not_active IP Right Cessation
- 2001-07-18 DE DE60131082T patent/DE60131082D1/de not_active Expired - Lifetime
- 2001-07-18 JP JP2002516607A patent/JP2004522933A/ja active Pending
- 2001-07-18 EP EP01956606A patent/EP1305610B1/fr not_active Expired - Lifetime
- 2001-07-18 WO PCT/FR2001/002343 patent/WO2002010730A2/fr active IP Right Grant
- 2001-07-18 US US10/343,205 patent/US7223328B2/en not_active Expired - Lifetime
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009532828A (ja) * | 2006-03-31 | 2009-09-10 | トヨタ モーター エンジニアリング アンド マニュファクチャリング ノース アメリカ,インコーポレイティド | 燃料電池及び他の用途のための樹枝状金属ナノ構造体 |
JP2010048627A (ja) * | 2008-08-20 | 2010-03-04 | Sumitomo Electric Ind Ltd | ガスセンサおよびその製造方法 |
JP2010091486A (ja) * | 2008-10-10 | 2010-04-22 | Sumitomo Electric Ind Ltd | ガスセンサおよびその製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US7223328B2 (en) | 2007-05-29 |
WO2002010730A3 (fr) | 2002-05-16 |
US20030182985A1 (en) | 2003-10-02 |
DE60131082D1 (de) | 2007-12-06 |
WO2002010730A2 (fr) | 2002-02-07 |
ATE376669T1 (de) | 2007-11-15 |
FR2812723A1 (fr) | 2002-02-08 |
FR2812723B1 (fr) | 2002-11-15 |
EP1305610A2 (fr) | 2003-05-02 |
EP1305610B1 (fr) | 2007-10-24 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
Mahajan et al. | Metal-oxide semiconductors for carbon monoxide (CO) gas sensing: A review | |
Rangaraju et al. | Nanostructured anodic iron oxide film as photoanode for water oxidation | |
Lou et al. | Cost-effective three-dimensional graphene/Ag aerogel composite for high-performance sensing | |
US10844499B2 (en) | Aqueous solution method for manufacturing palladium doped electrode | |
US20070037055A1 (en) | Electrochemical electrode using nickel-containing nanostructured material having dendritic structure as active layer, and method for producing the same | |
KR20140106082A (ko) | 가스센서 및 가스센서의 제조 방법 | |
CN111638252A (zh) | 一种氢气传感器及其制备方法 | |
Dhonge et al. | Electronic to protonic conduction switching in Cu 2 O nanostructured porous films: The effect of humidity exposure | |
Gao et al. | Synthesis of Cr2O3 nanoparticle-coated SnO2 nanofibers and C2H2 sensing properties | |
JPH0479540B2 (ja) | ||
JP2004522933A (ja) | 還元ガス分子センサ | |
Han et al. | Electrophoretic deposition of metal oxide films aimed for gas sensors application: The role of anodic aluminum oxide (AAO)/Al composite structure | |
Conti et al. | Nanostructure morphology influences in electrical properties of titanium dioxide thin films | |
Honda et al. | Electrically-switchable, permselective membranes prepared from nano-structured N-doped DLC | |
Kumaresan et al. | Metal organic frameworks-derived sensing material of TiO2 thin film sensors for detection of NO2 gas | |
Chen et al. | Reactivity of gold nanobelts with unique {110} facets | |
Tawfeeq et al. | Effect of Nb2O5 and PdO Coatings on Sensing Characteristics of Nanostructured CdO Thin Films | |
Jarvi et al. | Vacuum and electrochemical behavior of vapor deposited ruthenium on platinum (111) | |
Aroutiounian | Use of metaloxide, porous silicon and carbon nanotube gas sensors for safety and security | |
Tang et al. | Application of TiO2 nanotubes gas sensors in online monitoring of SF6 insulated equipment | |
Si et al. | Investigation of photoelectrochemical oxidation of Fe2+ ions on porous nanocrystalline TiO2 electrodes using electrochemical quartz crystal microbalance | |
KR101372287B1 (ko) | 나노튜브 박막 가스 센서 및 그 제조방법 | |
Xiao et al. | Electrodeposition of Pd–Ag alloy nanowires on highly oriented pyrolytic graphite | |
JPWO2007058173A1 (ja) | 金属ナノプレート固定化基材およびその製造方法 | |
Trofin et al. | A ligand-gated ion-channel mimetic nanopore membrane with an on-board transmembrane microbattery |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20060425 |