EP1304309A2 - Verfahren zum Herstellen eines mikromechanischen Bauelements mit einer beweglichen Struktur - Google Patents

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EP1304309A2
EP1304309A2 EP02022146A EP02022146A EP1304309A2 EP 1304309 A2 EP1304309 A2 EP 1304309A2 EP 02022146 A EP02022146 A EP 02022146A EP 02022146 A EP02022146 A EP 02022146A EP 1304309 A2 EP1304309 A2 EP 1304309A2
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EP
European Patent Office
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component
layer
recipient
solvent
movable structure
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Withdrawn
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EP02022146A
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EP1304309A3 (de
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Robert Aigner
Hergen Kapels
Andreas Meckes
Klaus-Günter Oppermann
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Infineon Technologies AG
Original Assignee
Infineon Technologies AG
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Publication date
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    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
    • B81C—PROCESSES OR APPARATUS SPECIALLY ADAPTED FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS
    • B81C1/00—Manufacture or treatment of devices or systems in or on a substrate
    • B81C1/00912—Treatments or methods for avoiding stiction of flexible or moving parts of MEMS
    • B81C1/0092—For avoiding stiction during the manufacturing process of the device, e.g. during wet etching
    • B81C1/00928—Eliminating or avoiding remaining moisture after the wet etch release of the movable structure
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
    • B81C—PROCESSES OR APPARATUS SPECIALLY ADAPTED FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS
    • B81C2201/00—Manufacture or treatment of microstructural devices or systems
    • B81C2201/11—Treatments for avoiding stiction of elastic or moving parts of MEMS
    • B81C2201/117—Using supercritical fluid, e.g. carbon dioxide, for removing sacrificial layers

Definitions

  • the present invention relates to a method for Manufacture of a micromechanical component with a movable one Structure.
  • the present invention is concerned with a Manufacturing process for a micromechanical component with a movable structure in which sticking of the movable structure on fixed areas of the micromechanical Component is prevented.
  • SCPD Super critical point drier
  • the acetone can be removed very well by CO 2 , whereupon the CO 2 in the "supercritical point dryer” is converted into the gaseous phase by simply raising the temperature beyond the critical temperature, as a result of which this process is dry, mobile Structures supplies.
  • the use of such a process in a standard CMOS environment is not possible, since the structures and thus the wafers should not dry until they dry in the "supercritical point dryer", since otherwise they will already stick in the meantime (sticking) of the moving structures.
  • DE 19506404 C1 describes a further method of manufacture a micromechanical component with a movable one Part known in which the sticking of the movable Partly on an adjacent surface can be prevented should.
  • both the etching is carried out Structuring and separating the micromechanical component as well as the subsequent dehydration and drying in the same Container.
  • the micromechanical component is in the Container rinsed with deionized water to contain the etchant completely remove, whereupon the container with acetone or ethanol is flushed through, then the acetone or ethanol is displaced by liquid carbon dioxide, in one final step of the container to a temperature value heated above the critical temperature of carbon dioxide to convert the carbon dioxide into the gaseous phase. Finally, the gaseous carbon dioxide from the Container drained slowly. Then the dried Component removed from the container.
  • this technique is also in its field of application limited, since it must be prevented that the micromechanical Component between the etching step and the final one Step of evaporating the carbon dioxide dry otherwise their moving structure sticks. Consequently this known method is not suitable for production in a standard CMOS process.
  • EP 0783107 A1 describes a manufacturing method for a known micromechanical component with a movable structure, to avoid sticking effects before Exposing the moving micromechanical structure in the way an etching process this via an auxiliary structure that consists of a There is photoresist, is fixed against the substrate, whereupon the movable structure through a further etching step is exposed. Finally, the photoresist fixation with the help of an O2 plasma or a dry etching process removed, making the structure flexible. Both are exothermic processes, so that this process too is subject to the same restrictions on which that too Known methods of D. Kabayashi et. al suffers.
  • the present Invention Based on this prior art, the present Invention, the object of a method for manufacturing of a micromechanical component with a movable structure to create an embroidery of the movable structure at fixed areas of the component is avoided, although the process does not remove the limitations of manufacturing processes known process involves.
  • the starting point of the method according to the invention is a preprocessed one micromechanical component in which a structure is embedded in a layer to be removed later.
  • the embedded structure in a first process step partially exposed by an etching process the embedded structure to have a recess in the layer to generate, at least to the structure and to a fixed Area of the component, such as the substrate, zoom ranges.
  • the remaining Layer at least in the area of the movable structure removed for example by means of an etching process, that the moving structure is only opposite from the paint the fixed area is fixed.
  • this is to be processed Part inserted into a recipient.
  • a solvent is in introduced the recipient to remove the varnish.
  • a seventh step the recipient is over the critical temperature of the liquid is heated to this in to transfer the gaseous phase before in an eighth Process step the gas with the dissolved solvent the recipient is drained.
  • Figure 1 shows a section of a near-surface area of a silicon substrate 1, on which a silicon dioxide layer 2 is arranged within which to in the course of Descriptive procedure to be exposed, later movable Structure 3 is embedded.
  • the movable structure 3 is made usually made of polysilicon, but can also be made of others Materials exist.
  • the silicon dioxide layer is one top layer 4 made of polysilicon covered.
  • FIG Figure 2 illustrates a recess 6 by means of etching Process in the top layer 4 and the silicon dioxide layer 2 which generates the movable structure 3 partially exposed and up to a suitable fixed Area of the component, as in the exemplary embodiment Silicon substrate 1 extends.
  • the shape of the recess is both isotropic and anisotropic Etching process into consideration.
  • the process can open the openings in the Layer 4 even before the application of the photo mask 5 or Photoresist layer 7 may be formed.
  • the dryer comprises 11 a pressure vessel cover part 12 and a pressure vessel bottom part 13, which together define a process space 14 within of which the silicon wafer structure 10 on adapted support areas 15, 16 is held.
  • a pressure vessel bottom part 13 Inside the pressure vessel bottom part 13, an inlet 17 and an outlet 18 are formed.
  • a baffle 19 At the end of the inlet 17 to the process space 14 is a baffle 19 arranged to the through the inlet 17 in the process room 14 to guide introduced media away from the silicon wafer structure 10.
  • the structuring follows Opening 8 in the photoresist layer 7 at least continues part of the remaining layer 2 in the area of the movable Structure 3 such that the movable structure 3 opposite the silicon substrate 1 only through the photoresist structure 7 is fixed.
  • This etching step can be done both before Introducing the component 9 into the dryer 11 as well as after the component 9 is introduced into the dryer 11, as far as the materials of the dryer 11 compared to those used Etching materials are resistant.
  • a solvent is introduced into the process space 14 of the dryer 11, which serves to remove the lacquer 7.
  • An organic solvent such as 2-propanol, is preferably used, which both detaches the photoresist and is itself soluble in CO 2 or a halogen-carbon compound.
  • the process according to the invention is preferably carried out with CO 2 , which is supplied through the feed 17, until the organic solvent in the process space 14 has been completely displaced and dissolved.
  • the inlet 17, the outlet 18 and a lid outlet opening 20 are closed before the temperature of the dryer 11 by heating-cooling plates 21, 22 on the top of the pressure vessel lid part 12 and the underside of the pressure vessel bottom part 13 to a value above the critical temperature for CO 2 , ie raised to a value above 30.98 degrees C.
  • a halogen-carbon compound such as Freon (CClF 3 ) is used instead of CO 2 , the critical temperature is 29 degrees C.
  • the initially liquid CO 2 is converted into its gaseous phase.
  • the CO 2 gas is now slowly released through the lid outlet opening 20, whereupon after the dryer 11 has been opened, the finished silicon wafer structure 10 can be removed.

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Abstract

Bei einem Verfahren zum Herstellen eines mikromechanischen Bauteils (9) mit einer beweglichen Struktur (3) wird ein Sticken der beweglichen Struktur (3) vermieden, in dem die bewegliche Struktur teilweise mit Fotolack fixiert wird, bevor die bewegliche Struktur freigeätzt wird. In einem Über-Kritischer-Punkt-Trockner wird der Fotolack mit einem organischen Lösungsmittel entfernt, welches anschließend durch CO2 verdrängt und gelöst wird. Durch Erhöhen der Temperatur des Trockners (11) über den kritischen Punkt des CO2 wird das Bauteil (9) getrocknet, ohne daß ein Sticken auftreten kann.

Description

Verfahren zum Herstellen eines mikromechanischen Bauteils mit einer beweglichen Struktur
Die vorliegende Erfindung befaßt sich mit einem Verfahren zum Herstellen eines mikromechanischen Bauteils mit einer beweglichen Struktur.
Insbesondere befaßt sich die vorliegende Erfindung mit einem Herstellverfahren für ein mikromechanisches Bauteil mit einer beweglichen Struktur, bei dem das Klebenbleiben (sticking) der beweglichen Struktur an feststehenden Bereichen des mikromechanischen Bauteils verhindert wird.
Es ist ein seit langem bekanntes Problem bei der Herstellung mikromechanischer Sensoren und Aktoren, daß es bei dem naßchemischen Freilegen beweglicher Strukturen zu einem Klebenbleiben der beweglichen Struktur an unmittelbar benachbarten feststehenden Bereiche des mikromechanischen Bauteils kommen kann, wenn nach dem ätztechnischen Strukturieren des beweglichen Bauteils die Ätzflüssigkeit zunächst mit einer Spülflüssigkeit entfernt wird und anschließend abgetrocknet wird. Während dieses Abtrocknens kann es zu einer Annäherung des beweglichen Bauteils und infolge hiervon zum Ankleben des beweglichen Bauteils an unmittelbar benachbarten feststehenden Bereichen des Bauteils kommen.
Bei bekannten Verfahren werden mikromechanische Strukturen durch Freiätzen einer aus Siliziumdioxid bestehenden Opferschicht mit Flußsäure freigelegt, anschließend mit Wasser und Aceton gespült und anschließend mit einem Trocknungsgerät getrocknet, das als "Über-Kritischer-Punkt-Trockner" (SCPD = Super critical point drier) bezeichnet wird. Bei diesem bekannten Verfahren läßt sich das Aceton sehr gut durch CO2 entfernen, woraufhin das CO2 in dem "Über-Kritischer-Punkt-Trockner" durch reine Temperaturerhöhung jenseits der kritischen Temperatur in die gasförmige Phase überführt wird, wodurch dieser Prozeß trockene, bewegliche Strukturen liefert. Jedoch ist die Verwendung eines solchen Prozesses in einer standardmäßigen CMOS-Umgebung nicht möglich, da die Strukturen und damit die Wafer bis zu ihrer Trocknung im "Über-Kritischer-Punkt-Trockner" nicht trocken werden dürften, da es ansonsten bereits zwischenzeitlich zu einem Ankleben (sticking) der beweglichen Strukturen kommt.
In der Veröffentlichung von D. Kobayashi et al. In Jpn. J. Appl. Phys. 32, Part 2, No. 11A, L1642 bis L1644 (1993) ist ein Verfahren beschrieben, mit dessen Hilfe bewegliche Mikrostrukturen freigeätzt werden können, ohne daß das Problem des Sticking auftritt. Bisherige Verfahren, bei denen eine Spülflüssigkeit zunächst verfestigt und dann durch Sublimation entfernt wird, oder bei denen die Spülflüssigkeit oberhalb des kritischen Punktes erhitzt wird, sind in der Einleitung dieser Veröffentlichung erwähnt. Als Alternative dazu geben die Autoren an, die beweglichen Strukturen vor dem Freiätzen in Fotolack einzubetten und nach dem lateralen Freiätzen der von Anteilen dieses Fotolackes gehaltenen Strukturen den Fotolack durch Veraschen zu entfernen.
Weiche Strukturen, die mit einem Lackstöpsel fixiert wurden, sticken aber nach dem Lackveraschen im Plasma, da durch die exotherme Reaktion zwischen Sauerstoff und Fotolack der Fotolack zähflüssig wird und somit die Struktur zum Sticken bringt.
Aus der DE 19506404 C1 ist ein weiteres Verfahren zum Herstellen einer mikromechanischen Komponente mit einem beweglichen Teil bekannt, bei dem das Klebenbleiben des beweglichen Teils an einer benachbarten Oberfläche verhindert werden soll. Bei diesem Verfahren erfolgt sowohl das Ätzen zum Strukturieren und Separieren der mikromechanischen Komponente als auch die nachfolgende Dehydrierung und Trocknung in demselben Behälter. Die mikromechanische Komponente wird in dem Behälter mit deionisiertem Wasser gespült, um das Ätzmittel vollständig zu entfernen, woraufhin der Behälter mit Aceton oder Ethanol durchspült wird, sodann das Aceton oder Ethanol durch flüssiges Kohlendioxid verdrängt wird, wobei in einem abschließenden Schritt der Behälter auf einen Temperaturwert oberhalb der kritischen Temperatur von Kohlendioxid erwärmt wird, um das Kohlendioxid in die gasförmige Phase zu überführen. Abschließend wird das gasförmige Kohlendioxid aus dem Behälter langsam abgelassen. Anschließend wird das getrocknete Bauelement aus dem Behälter entnommen.
Wie auch das eingangs diskutierte Verfahren nach dem Stand der Technik ist auch dieses Verfahren in seinem Anwendungsbereich beschränkt, da es verhindert werden muß, daß die mikromechanische Komponente zwischen dem Ätzschritt und dem abschließenden Schritt des Verdampfens des Kohlendioxids trocken wird, da sonst deren bewegliche Struktur festklebt. Somit eignet sich dieses bekannte Verfahren nicht zur Herstellung in einem standardmäßigen CMOS-Prozess.
Aus der EP 0783107 A1 ist ein Herstellungsverfahren für ein mikromechanisches Bauteil mit einer beweglichen Struktur bekannt, bei dem zur Vermeidung von Sticking-Effekten vor der Freilegung der beweglichen mikromechanischen Struktur im Wege eines Ätzprozesses diese über eine Hilfsstruktur, die aus einem Fotolack besteht, gegenüber dem Substrat fixiert wird, woraufhin die bewegliche Struktur durch einen weiteren Ätzschritt freigelegt wird. Abschließend wird die Fotolackfixierung mit Hilfe eines O2-Plasmas oder eines Trockenätzprozesses entfernt, wodurch die Struktur beweglich wird. Beides sind exotherme Vorgänge so dass auch dieses Verfahren den gleichen Beschränkungen unterworfen ist, an denen auch das oben diskutierte bekannte Verfahren von D. Kabayashi et. al leidet.
Ausgehend von diesem Stand der Technik liegt der vorliegenden Erfindung die Aufgabe zugrunde, ein Verfahren zum Herstellen eines mikromechanischen Bauteils mit einer beweglichen Struktur zu schaffen, bei dem ein Sticken der beweglichen Struktur an feststehenden Bereichen des Bauteils vermieden wird, obgleich das Verfahren nicht die Beschränkungen der Herstellungsprozeßabläufe bekannter Verfahren mit sich bringt.
Diese Aufgabe wird durch ein Verfahren nach Anspruch 1 gelöst.
Ausgangspunkt des erfindungsgemäßen Verfahrens ist ein vorprozessiertes mikromechanisches Bauteil, bei dem eine Struktur in eine später zu entfernende Schicht eingebettet ist.
In einem ersten Verfahrensschritt erfolgt beispielsweise durch ein ätztechnisches Verfahren ein teilweises Freilegen der eingebetteten Struktur, um eine Ausnehmung in der Schicht zu erzeugen, die zumindest an die Struktur und an einen feststehenden Bereich des Bauteils, wie beispielsweise das Substrat, heranreicht.
In einem zweiten Verfahrensschritt erfolgt ein Fixieren der Struktur gegenüber dem feststehenden Bereich des Bauteils mittels eines Lackes.
In einem dritten Verfahrensschritt wird die verbliebene Schicht zumindest im Bereich der beweglichen Struktur derart beispielsweise mittels eines ätztechnischen Verfahrens entfernt, daß die bewegliche Struktur nur noch von dem Lack gegenüber dem feststehenden Bereich fixiert ist.
In einem vierten Verfahrensschritt wird das zu prozessierende Bauteil in einen Rezipienten eingebracht.
In einem fünften Verfahrensschritt wird ein Lösungsmittel in den Rezipienten eingeführt, um den Lack zu entfernen.
In einem darauf folgenden sechsten Verfahrensschritt wird eine Flüssigkeit, in der dieses Lösungsmittel löslich ist, in den Rezipienten eingeführt.
In einem siebten Verfahrensschritt wird der Rezipient über die kritische Temperatur der Flüssigkeit erwärmt, um diese in die gasförmige Phase zu überführen, bevor in einem achten Verfahrensschritt das Gas mit dem gelösten Lösungsmittel aus dem Rezipienten abgelassen wird.
Ein bevorzugtes Ausführungsbeispiel des erfindungsgemäßen Verfahrens wird nachfolgend unter Bezugnahme auf die beiliegenden Zeichnungen näher erläutert. Es zeigen:
  • Die Figuren 1 bis 3 sowie 5 und 6 Querschnittsdarstellungen durch ein mikromechanisches Bauteil nach Durchführung unterschiedlicher Prozeßschritte zu dessen Herstellung; und
  • Figur 4 eine Querschnittsdarstellung durch einen Über-Kritische-Temperatur-Trockner.
    • Figur 1 zeigt einen Ausschnitt eines oberflächennahen Bereiches eines Siliziumsubstrates 1, auf dem eine Siliziumdioxid-Schicht 2 angeordnet ist, innerhalb der die im Laufe des zu beschreibenden Verfahrens freizulegende, später bewegliche Struktur 3 eingebettet ist. Die bewegliche Struktur 3 besteht üblicherweise aus Polysilizium, kann jedoch auch aus anderen Materialien bestehen. Die Siliziumdioxid-Schicht wird von einer aus Polysilizium bestehenden oberen Schicht 4 abgedeckt. Mittels einer strukturierten Fotomaske 5 wird, wie dies in Figur 2 verdeutlicht wird, eine Ausnehmung 6 mittels ätztechnischer Verfahren in der oberen Schicht 4 und der Siliziumdioxid-Schicht 2 erzeugt, welche die bewegliche Struktur 3 teilweise freilegt und sich bis zu einem geeigneten feststehenden Bereich des Bauteils, wie im Ausführungsbeispiel dem Siliziumsubstrat 1 hin erstreckt. Je nach der gewünschten Form der Ausnehmung kommen sowohl isotrope als auch anisotrope Ätzverfahren in Betracht.
    Wie in Figur 3 gezeigt ist, wird nach dem Entfernen der vorherigen Fotomaske 5 eine Fotolackschicht 7 auf die obere Schicht 4 aufgebracht, welche auch die Ausnehmung 6 vollständig verfüllt. Die gleichfalls noch in Figur 3 zu sehen ist, wird die Fotolackschicht 7 in einem zusätzlichen fotolithographischen Schritt strukturiert, so daß eine Öffnung 8 für weitere Ätzprozesse definiert wird.
    In Abweichung von dem soeben beschriebenen bevorzugten Ausführungsbeispiel das Verfahrens können die Öffnungen in den Schicht 4 auch schon vor dem Aufbringen der Fotomaske 5 bzw. Fotolackschicht 7 gebildet sein.
    Nunmehr wird das soweit vorprozessierte Bauteil, das in seiner Gesamtheit mit dem Bezugszeichen 9 bezeichnet ist, und das Teil einer Siliziumwaferstruktur 10 ist, in einen Über-Kritischer-Punkt-Trockner eingebracht, der in Figur 4 in Querschnittsdarstellung gezeigt und in seiner Gesamtheit mit dem Bezugszeichen 11 bezeichnet ist.
    Wie gleichfalls in Figur 4 zu sehen ist, umfaßt der Trockner 11 ein Druckgefäßdeckelteil 12 sowie ein Druckgefäßbodenteil 13, die miteinander einen Prozeßräum 14 festlegen, innerhalb dessen die Siliziumwaferstruktur 10 auf angepaßten Auflagebereichen 15, 16 gehalten wird. Innerhalb des Druckgefäßbodenteiles 13 sind ein Zulauf 17 und ein Ablauf 18 ausgebildet. Am Ende des Zulaufes 17 zum Prozeßraum 14 ist ein Prallblech 19 angeordnet, um die durch den Zulauf 17 in den Prozeßraum 14 eingeführten Medien von der Siliziumwaferstruktur 10 fortzulenken.
    Wie in Figur 5 gezeigt ist, folgt auf die Strukturierung der Öffnung 8 in der Fotolackschicht 7 ein Fortätzen zumindest eines Teils der verbliebenen Schicht 2 im Bereich der beweglichen Struktur 3 derart, daß die bewegliche Struktur 3 gegenüber dem Siliziumsubstrat 1 nur noch durch die Fotolackstruktur 7 fixiert ist. Dieser Ätzschritt kann sowohl vor Einbringen des Bauteils 9 in den Trockner 11 als auch nach dem Einbringen des Bauteils 9 in den Trockner 11 erfolgen, soweit die Materialien des Trockners 11 gegenüber den verwendeten Ätzmaterialien resistent sind.
    Zum Fertigprozessieren des in Figur 6 gezeigten Bauteils wird ein Lösungsmittel in den Prozeßraum 14 des Trockners 11 eingeführt, das zum Entfernen des Lackes 7 dient. Bevorzugt wird ein organisches Lösungsmittel, wie beispielsweise 2-Propanol eingesetzt, welches sowohl den Fotolack ablöst als auch selbst in CO2 oder einer Halogen-Kohlenstoff-Verbindung löslich ist. Bevorzugt wird das erfindungsgemäße Verfahren mit CO2 durchgeführt, welches durch den Zulauf 17 zugeführt wird, bis das organische Lösungsmittel im Prozeßraum 14 vollständig verdrängt und gelöst ist. Nunmehr werden der Zulauf 17, der Ablauf 18 und eine Deckelauslaßöffnung 20 geschlossen, bevor die Temperatur des Trockners 11 durch Heiz-Kühl-Platten 21, 22 an der Oberseite des Druckgefäßdeckelteils 12 und der Unterseite des Druckgefäßbodenteils 13 auf einen Wert oberhalb der kritischen Temperatur für CO2, d.h. auf einen Wert oberhalb von 30,98 Grad C. angehoben wird. Falls statt CO2 eine Halogen-Kohlenstoff-Verbindung wie Freon (CClF3) eingesetzt wird, liegt die kritische Temperatur bei 29 Grad C.
    Bei dieser Temperatur wird das zunächst flüssige CO2 in seine gasförmige Phase überführt.
    Nunmehr erfolgt ein langsames Ablassen des CO2-Gases durch die Deckelauslaßöffnung 20, woraufhin nach Öffnen des Trockners 11 die fertigprozessierte Siliziumwaferstruktur 10 entnommen werden kann.
    Bezugszeichenliste
    1
    Siliziumsubstrat
    2
    Siliziumdioxidschicht
    3
    Bewegliche Struktur
    4
    Obere Schicht
    5
    Fotomaske
    6
    Ausnehmung
    7
    Fotolackschicht
    8
    Öffnung
    9
    Bauteil
    10
    Siliziumwaferstruktur
    11
    Über-Kritischer-Punkt-Trockner
    12
    Druckgefäßdeckelteil
    13
    Druckgefäßbodenteil
    14
    Prozessraum
    15, 16
    Auflagebereich
    17
    Zulauf
    18
    Ablauf
    19
    Prallblech
    20
    Deckelauslaßöffnung
    21, 22
    Heiz-Kühl-Platten

    Claims (8)

    1. Verfahren zum Herstellen eines mikromechanischen Bauteils (9) mit einer beweglichen Struktur (3), mit folgenden Schritten:
      Bereitstellen des mikromechanischen Bauteils (9) mit einer in eine Schicht (2) eingebetteten Struktur (3);
      teilweise Freiligen der eingebetteten Struktur (3) durch Erzeugen einer an die Struktur und an einen feststehenden Bereich des Bauteils (9) heranreichenden Ausnehmung (6) in der Schicht (2);
      Fixieren der Struktur (3) gegenüber dem feststehenden Bereich des Bauteils (9) mittels eines Lackes (7);
      Entfernen der verbliebenen Schicht (2) zumindest im Bereich der beweglichen Struktur (3) derart, daß die bewegliche Struktur (3) nur noch von dem Lack (7) gegenüber dem feststehenden Bereich fixiert ist;
      Einbringen des Bauteils (9) in einen Rezipienten (11);
      Einführen eines Lösungsmittels in den Rezipienten (11) zum Entfernen des Lackes (7);
      Einführen einer Flüssigkeit, in der das Lösungsmittel löslich ist, in den Rezipienten (11);
      Erwärmen des Rezipienten (11) über die kritische Temperatur der Flüssigkeit, um diese in ihre gasförmige Phase zu überführen; und
      Ablassen des Gases mit dem gelösten Lösungsmittel aus dem Rezipienten (11).
    2. Verfahren nach Anspruch 1, bei dem die Schicht (2) aus Siliziumdioxid besteht und bei dem der Schritt des teilweisen Freilegens der eingebetteten Struktur (3) das teilweise Wegätzen der Schicht (2) umfaßt.
    3. Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, bei dem Lack ein Fotolack ist.
    4. Verfahren nach Anspruch 3, bei dem das Lösungsmittel ein organisches Lösungsmittel ist.
    5. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 4, bei dem die Flüssigkeit, die in die gasförmige Phase zu überführen ist, CO2 ist.
    6. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 4, bei dem die Flüssigkeit, die in die gasförmige Phase zu überführen ist, eine Halogen-Kohlenstoff-Verbindung ist.
    7. Verfahren nach Anspruch 6, bei dem die Halogen-Kohlenstoff-Verbindung Freon CClF3 ist.
    8. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 7, bei dem der Rezipient ein sogenannter Über-Kritischer-Punkt-Trockner (11) ist.
    EP02022146A 2001-10-17 2002-10-02 Verfahren zum Herstellen eines mikromechanischen Bauelements mit einer beweglichen Struktur Withdrawn EP1304309A3 (de)

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