EP1183726A1 - Method for handling thinned chips for introducing them into chip cards - Google Patents

Method for handling thinned chips for introducing them into chip cards

Info

Publication number
EP1183726A1
EP1183726A1 EP00927133A EP00927133A EP1183726A1 EP 1183726 A1 EP1183726 A1 EP 1183726A1 EP 00927133 A EP00927133 A EP 00927133A EP 00927133 A EP00927133 A EP 00927133A EP 1183726 A1 EP1183726 A1 EP 1183726A1
Authority
EP
European Patent Office
Prior art keywords
chip
adhesive layer
chip card
film
wafer
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Withdrawn
Application number
EP00927133A
Other languages
German (de)
French (fr)
Inventor
Thomas Grassl
Yahya Haghiri-Tehrani
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Giesecke and Devrient GmbH
Original Assignee
Giesecke and Devrient GmbH
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Giesecke and Devrient GmbH filed Critical Giesecke and Devrient GmbH
Publication of EP1183726A1 publication Critical patent/EP1183726A1/en
Withdrawn legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6835—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L21/6836—Wafer tapes, e.g. grinding or dicing support tapes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
    • H01L21/77—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate
    • H01L21/78—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate with subsequent division of the substrate into plural individual devices
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
    • H01L23/498—Leads, i.e. metallisations or lead-frames on insulating substrates, e.g. chip carriers
    • H01L23/49855—Leads, i.e. metallisations or lead-frames on insulating substrates, e.g. chip carriers for flat-cards, e.g. credit cards
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/27—Manufacturing methods
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/28—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
    • H01L24/29—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
    • H01L24/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies
    • H01L24/75—Apparatus for connecting with bump connectors or layer connectors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L24/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2221/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
    • H01L2221/67—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L2221/683—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L2221/68304—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L2221/68327—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support used during dicing or grinding
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2223/00—Details relating to semiconductor or other solid state devices covered by the group H01L23/00
    • H01L2223/544—Marks applied to semiconductor devices or parts
    • H01L2223/54473—Marks applied to semiconductor devices or parts for use after dicing
    • H01L2223/5448—Located on chip prior to dicing and remaining on chip after dicing
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/2612—Auxiliary members for layer connectors, e.g. spacers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/27—Manufacturing methods
    • H01L2224/274—Manufacturing methods by blanket deposition of the material of the layer connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
    • H01L2224/8319—Arrangement of the layer connectors prior to mounting
    • H01L2224/83191—Arrangement of the layer connectors prior to mounting wherein the layer connectors are disposed only on the semiconductor or solid-state body
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
    • H01L2224/838—Bonding techniques
    • H01L2224/8385—Bonding techniques using a polymer adhesive, e.g. an adhesive based on silicone, epoxy, polyimide, polyester
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01004—Beryllium [Be]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01005—Boron [B]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01013—Aluminum [Al]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/0102—Calcium [Ca]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01029—Copper [Cu]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01047—Silver [Ag]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01082—Lead [Pb]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/06—Polymers
    • H01L2924/078—Adhesive characteristics other than chemical
    • H01L2924/07802—Adhesive characteristics other than chemical not being an ohmic electrical conductor
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/06—Polymers
    • H01L2924/078—Adhesive characteristics other than chemical
    • H01L2924/0781—Adhesive characteristics other than chemical being an ohmic electrical conductor
    • H01L2924/07811—Extrinsic, i.e. with electrical conductive fillers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11—Device type
    • H01L2924/14—Integrated circuits
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/19—Details of hybrid assemblies other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/1901—Structure
    • H01L2924/1904—Component type
    • H01L2924/19042—Component type being an inductor
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/30—Technical effects
    • H01L2924/301—Electrical effects
    • H01L2924/3011—Impedance

Definitions

  • the present invention relates to a method for handling thinned chips for insertion into chip cards.
  • Thinned chips have been used for some time to produce vertically integrated circuit structures (VIC).
  • VIP vertically integrated circuit structures
  • DE 4433 846 AI describes how a wafer, in this case a so-called top substrate, with its front side, i. with the active or functional IC surface on which the component layers are located, glued onto a so-called handling substrate by means of an adhesive layer and then thinned from the back. This thinning takes place e.g. by wet chemical etching or by mechanical or chemomechanical grinding.
  • a top substrate is then provided with an adhesive layer, precisely adjusted and placed on a so-called bottom substrate and connected to it. The handling substrate is then removed again.
  • a similar method is known from EP 0531 723 B, in which a first circuit component with its active surface is attached to a carrier and then thinned from the rear. A further circuit component is then placed on the back of the thinned chip and connected to it by means of contact points that were previously generated on the back of the thinned chip. Then the attached circuit component is also thinned from the back, provided with contact points and another circuit component is attached. This step is repeated several times until the desired multi-element pack of components lying one above the other is finally built up. All of these processes only describe the handling of the chips at a process stage in which they have either not yet been thinned or have already been built into a stable package.
  • the invention is therefore based on the object of specifying a method with which thinned chips can also be handled individually and introduced into chip cards.
  • the starting point in each case is that a front of the wafer, on which the components are located, is first glued onto a carrier substrate by means of an adhesive layer. This wafer is then thinned from the back. After thinning, the wafer is divided into individual chips by sawing into the wafer from the rear. The sawing can take place up to or into the adhesive layer or even into the carrier substrate.
  • the adhesive layer is dissolved and the individual chips are lifted off the carrier substrate with a suction head. They are then preferably stored in a special storage container for further processing. With this method, the chips lie with their backs up in the special containers. Alternatively, the chips can of course also be processed immediately, for example immediately placed on a chip card or chip card film.
  • a further method step is provided in which, after sawing, the individual chips still on the carrier substrate are covered on the back with a continuous carrier film by means of a second adhesive layer.
  • the first adhesive layer is then dissolved using a method in which the second adhesive layer is retained.
  • the chips can then be lifted together from the carrier substrate in a coherent manner.
  • the individual chips can then be removed from the carrier film by dissolving the second adhesive layer.
  • removal can be carried out with the aid of a suction head or the like. With this method, the active front side of the chip is on top.
  • the carrier film glues this carrier film directly after thinning the wafer, and only then to saw the wafer into individual chips.
  • the film remains on the individual chip; the chip is thus reinforced by the carrier film and can also be handled using conventional methods and tools.
  • suitable, for example tough, elastic materials for the carrier film this can be kept relatively thin with sufficient stability of the chip-film composite.
  • the chips can be temporarily stored in a storage container in the course of further processing.
  • Adhesive layer between the wafer and carrier substrate, or instead of this adhesive layer, the carrier substrate itself is dissolved. It goes without saying that a method is selected for this in the method according to claim 2 or 3, in which the second adhesive layer is not attacked.
  • the thinner chips which are safe and easy to handle with the method according to the invention, are more flexible and require less space than the conventional chips. This opens up new possibilities for accommodating the chips in the chip cards.
  • chip is applied to a chip card film which is provided on the rear side opposite the chip with contact areas which are in turn connected to the chip via conductor tracks through the film.
  • This chip module constructed in this way can then be inserted with the contact surfaces outside into a cavity of a chip card, as is also the case with the previous conventional chip card structures.
  • the chip is simply applied to the surface of a chip card.
  • the chip is preferably placed with its front facing outward and then the chip card is provided with conductor tracks together with the chip.
  • the conductor tracks can be applied using an embossing or printing process, preferably using a screen printing process. Due to the small size of the thinned chip, it is hardly applied to the surface of the chip card. Of course, it is also possible to place the chip in a flat cavity in the surface of the chip card bring in.
  • the chips which are open on the surface are advantageously coated with a protective lacquer.
  • FIG. 1 shows a wafer which is connected on its active surface by means of an adhesive layer to a carrier substrate
  • FIG. 2a shows a wafer according to FIG. 1 after thinning and dividing into individual chips
  • FIG. 4b shows a chip produced according to FIG. 4a on a chip card
  • FIG. 6 is a perspective view of a thinned chip with position markings
  • a wafer 1 with its front side, which has the components 2 is first glued onto a carrier substrate 4.
  • a carrier substrate e.g. another wafer, a metal foil or magnetizable foil or another foil that is common in chip card production, such as PVC, ABS, PC or the like.
  • an adhesive layer 3 is applied either to the wafer 1 or to the carrier substrate 4, and the two parts are then joined together.
  • the wafer usually contains a plurality of circuits arranged side by side, each of which can form a standard chip card chip or a memory chip.
  • the wafer 1 fastened on the carrier substrate 4 is then thinned from the rear side to a predetermined thickness, as shown by the broken line 9 in FIG. 1.
  • the thinning can be done with the conventional methods, for example by etching or mechanical grinding. In this way, it is possible to thin the wafer 1 or the chips 10 made therefrom to a thickness of less than 100 ⁇ m, preferably approximately 20 ⁇ m.
  • saw cuts 7 are then inserted into the wafer 1 from the rear up to the adhesive layer 3, and thus the wafer 1 is divided into individual chips 10.
  • the adhesive layer 3 is then dissolved or loosened, the chips 10 being lifted off the carrier substrate 4 with a suction head 30 and placed in special containers 40, where they are available for further processing.
  • the suction head 30 for the removal of the thin chips 10 is relatively flat and has a plurality of small holes 31 on the suction surface, which can be acted upon by suction or compressed air for sucking or depositing the chips 10 via a line as required.
  • the chips 10 can be removed from the special containers 40 in the same way and placed with a robot during card production.
  • the adhesive layer 3 of the carrier substrate 4 can be detached by the action of heat.
  • a heatable suction head 30 or a separate heat radiation source 34, as in FIG. 4a, is used.
  • 3a and 3b show an alternative method in which the active surface with the components 2 of the chips 10 is ultimately on top.
  • a carrier film 5 is applied to the thinned and sawn wafer 1 by means of a second adhesive layer 6.
  • this carrier film 5 can also be a self-adhesive film which is already provided with an adhesive layer.
  • the first adhesive layer 3 is released using a method which does not attack the second adhesive layer 6.
  • the first adhesive layer 3 consists of an adhesive which is decomposed under the influence of light of a certain wavelength range, for example UV light, the second adhesive layer 6 being cured during this irradiation.
  • the first adhesive layer 3 consists of an adhesive that decomposes under the action of heat, the second adhesive layer 6 curing precisely under the action of heat.
  • the first adhesive layer 3 consists of a water-soluble adhesive, while the second adhesive layer 6 is not water-soluble, or the second adhesive layer 6 is solvent-resistant and the first adhesive layer 3 dissolves with the corresponding solvent.
  • the first adhesive layer 3 consists of an adhesive which is placed under an oxygen plasma or in a certain gas environment, e.g. Ozone is decomposed, the second adhesive layer 6 being resistant to these conditions.
  • the carrier substrate 4 can do this consist of styrofoam or another material which decomposes in a plasma or under the action of etching gas or at elevated temperature. Or a carrier substrate 4 made of cardboard or a similar material is used, which is water-soluble.
  • the entire association of chips 10 connected via the carrier film 5 can then be removed together, the active surface of the chips 10 pointing outwards.
  • the individual chips 10 can then be removed from the carrier film 5 by loosening the second adhesive layer 6.
  • a carrier film 5 made of a preferably tough-elastic material such as polycarbonate, polyamide, copper, aluminum, steel or the like is first glued onto the back of the wafer 1 by means of an adhesive layer 6.
  • the wafer 1 is then only subdivided into the individual chips 10 by inserting the saw cuts 7. Finally, the individual chips 10 are removed again by dissolving the first adhesive layer 3 or the carrier substrate 4, a method also being used for this purpose
  • FIG. 4 a shows schematically how a single chip 10 with a suction head 30 is removed from the carrier substrate 4, the adhesive layer 3 being dissolved by a heat radiator 34, the second adhesive layer 6 curing at the same time. In this method, the carrier film 5 remains on the back of the individual thin chip 10.
  • FIGS. 5 to 10 show different variants of how the thinned chips 10 can be accommodated in or on the chip card 20.
  • the chips 10 With their front side or with their rear side on a chip card 20 or a chip card film 21. If the front side of the chip 10 is placed on the chip card 20 or chip card film 21, it is expedient to first attach the conductor tracks 11 for contacting the chip 10 to the card 20 or film 21 and then to position the chip 10 thereon.
  • the chip 10 has, on its rear side, as shown in FIG. 6, position markings 8 which are, for example, printed or etched onto the chip 10 or onto the carrier film 5.
  • FIG. 5 describes an installation example which is similar to the known installation methods of conventional chip modules.
  • the chip 10 is first placed on a first chip card film 21.
  • On the opposite back of the chip card film 21 are located
  • a subdivision 15 can be located between the chip 10 and the first chip card film 21. This chip module constructed in this way is inserted into a corresponding cavity 24 of the chip card 20 and glued all around with a suitable adhesive 25.
  • FIGS. 10 and 11 show different lamination methods in which the chip 10 is arranged between two chip card foils 21 and 22 in the chip card 20.
  • the chip card foils 21, 22 typically have one
  • the chip 10 is applied to one chip card film 21 and the conductor tracks 11 are located on the other chip card film 22. The back of the chip 10 is applied to the chip card film 21. Then the two chip card foils are positioned one above the other and laminated together so that the chip 10 is contacted by the conductor tracks 11 (Fig. 10b).
  • conductor tracks 11 are first applied to the one chip card film 21.
  • the chip 10 is then placed with its front facing downward on these conductor tracks 11, so that contact is made at the same time.
  • the second chip card film 22 is then laminated over it (FIG. 11b).
  • the conductor tracks each lead to an external contact surface or to an interface component with which contactless data transmission is possible, or they themselves form such a component.
  • the surface of the first chip card film 21 can be covered with an oxygen or
  • Chlorine plasma are pretreated so that the chip 10 adheres to the cover and laminated thereon.
  • the surface can also be printed with a silver conductive paste, which simultaneously forms the conductor tracks 11, so that the chip 10 adheres to the cover and for lamination on the chip card film 21 and is simultaneously contacted electrically.
  • an adhesive to the thinned chip 10 or to use an adhesive-coated film as the chip card film 21.
  • 7, 8 and 9 a completely new method is shown, in which the thinned chip is simply placed on the surface of a chip card and then printed with conductor tracks 11.
  • the chip 10 is also coated with a protective lacquer 12.
  • a screen printing method is preferably used to print the conductor tracks 11. It is of course also possible to apply the conductor tracks 11 in the form of a metal foil.
  • FIG. 12 a to 12 c show embodiments in which the conductor tracks are first applied to the surface and then the chip is placed face down on the pads 11.
  • an additional lacquer and / or adhesive layer 13 is arranged between the integrated circuit 10 and the surface of the chip card 20, while in FIG. 12c the chip / conductor track arrangement 10, 11 is pressed into the card surface with a heating stamp 14.
  • the thin chip 10 is also located directly on the surface of the chip card 20, but here in a small cavity 27.
  • This cavity 27 is either embossed into the chip card 20, milled or molded on when the chip card 20 is manufactured been (Fig. 8).
  • the cavity 27 is produced by appropriate printing with protective lacquer 26 or by pulling on a protective film with a window (FIG. 9).
  • FIGS. 13a to 13c Corresponding arrangements in which the contact surfaces 11 are first arranged in the cutouts in the surface of the chip card 20, on which the chip 10 is then placed, are shown in FIGS. 13a to 13c.
  • the chip is pressed flush under the action of heat into the surface of the chip card 20.
  • the film with the chip flush with the surface can be printed, coated with silver paste, for example, and possibly contacted at the same time.

Abstract

The invention relates to a method for handling thinned chips for introducing them into chip cards. According to the inventive method, first a wafer is bonded with its front face onto a carrier substrate by means of an adhesive layer. Then the wafer is thinned from its back and is subdivided into single chips by sawing into the wafer from the back up to the adhesive layer. The adhesive layer is dissolved and the individual chips are removed from the carrier substrate by means of a suction head and are deposited in a special storage container until further treatment. Alternatively, the chips sawed out from the wafer are provided on their backs with a continuous support film by means of a second adhesive layer and the first adhesive layer is dissolved by means of a method that does not attack the second adhesive layer. The chips that are linked via the support film can be jointly removed from the carrier substrate and can be removed form the support film one by one once the second adhesive layer is removed. The wafer can alternatively be provided with a continuous support film by means of a second adhesive layer before it is sawed from the back. In this case, too, the first adhesive layer is dissolved while the second adhesive layer is conserved and the individual chips that are reinforced by the support film are removed from the carrier substrate.

Description

Verfahren zum Handhaben von gedünnten Chips zum Einbringen in Method for handling thinned chips for insertion into
ChipkartenSmart cards
Die vorliegende Erfindung betrifft ein Verfahren zum Handhaben von gedünnten Chips zum Einbringen in Chipkarten.The present invention relates to a method for handling thinned chips for insertion into chip cards.
Gedünnte Chips werden seit einiger Zeit bereits zur Herstellung von vertikal integrierten Schaltungsstrukturen (VIC) verwendet.Thinned chips have been used for some time to produce vertically integrated circuit structures (VIC).
In der DE 4433 846 AI wird hierzu beschrieben, wie bei der Herstellung eines solchen VIC zunächst ein Wafer, hier ein sogenanntes Topsubstrat, mit seiner Vorderseite, d.h. mit der aktiven bzw. funktionalen IC-Fläche, an der sich die Bauelementelagen befinden, mittels einer Klebeschicht auf ein sogenanntes Handlingsubstrat aufgeklebt und dann von der Rückseite her gedünnt wird. Dieses Dünnen erfolgt z.B. durch naßchemisches Ätzen oder durch mechanisches oder chemomechanisches Schleifen. Ein solches Topsubstrat wird dann mit einer Haftschicht versehen, genau justiert auf ein sogenanntes Bottomsubstrat aufgesetzt und mit diesem verbunden. Anschließend wird das Handlingsubstrat wieder entfernt.DE 4433 846 AI describes how a wafer, in this case a so-called top substrate, with its front side, i. with the active or functional IC surface on which the component layers are located, glued onto a so-called handling substrate by means of an adhesive layer and then thinned from the back. This thinning takes place e.g. by wet chemical etching or by mechanical or chemomechanical grinding. Such a top substrate is then provided with an adhesive layer, precisely adjusted and placed on a so-called bottom substrate and connected to it. The handling substrate is then removed again.
Aus der EP 0531 723 B ist ein ähnliches Verfahren bekannt, bei dem ein erstes Schaltungsbauelement mit seiner aktiven Fläche auf einem Träger befestigt und dann von der Rückseite her gedünnt wird. Anschließend wird ein weiteres Schaltungsbauelement auf die Rückseite des gedünnten Chips aufgesetzt und mit diesem mittels Kontaktstellen, die zuvor auf der Rückseite des gedünnten Chips erzeugt wurden, verbunden. Dann wird das aufgesetzte Schaltungsbauelement ebenfalls von der Rückseite her gedünnt, mit Kontaktstellen versehen und ein weiteres Schaltungsbauelement aufgesetzt. Dieser Schritt wird mehrfach wiederholt, bis schließlich die gewünschte Mehrelementepackung von übereinanderliegenden Bauelementen aufgebaut ist. Alle diese Verfahren beschreiben nur die Handhabung der Chips in einem Verfahrensstadium, in der sie entweder noch nicht gedünnt oder bereits zu einer stabilen Packung aufgebaut sind. Verfahren, mit denen einzelne gedünnte Chips gehandhabt werden können, um sie in Chipkarten einzubauen, werden nicht angegeben. Insbesondere ist dies auch mit den bisher in der Chipkartenfertigung verwendeten Verfahren und Werkzeugen nicht möglich. Die Verwendung gedünnter Chips ist aber aufgrund ihrer besonderen Flexibilität gerade in den durch Biegung und Torsion häufig hochbeanspruchten Chipkarten wünschenswert.A similar method is known from EP 0531 723 B, in which a first circuit component with its active surface is attached to a carrier and then thinned from the rear. A further circuit component is then placed on the back of the thinned chip and connected to it by means of contact points that were previously generated on the back of the thinned chip. Then the attached circuit component is also thinned from the back, provided with contact points and another circuit component is attached. This step is repeated several times until the desired multi-element pack of components lying one above the other is finally built up. All of these processes only describe the handling of the chips at a process stage in which they have either not yet been thinned or have already been built into a stable package. Methods with which individual thinned chips can be handled in order to incorporate them into chip cards are not specified. In particular, this is also not possible with the methods and tools previously used in chip card production. However, the use of thinned chips is desirable because of their particular flexibility, especially in the chip cards that are often highly stressed by bending and torsion.
Der Erfindung liegt daher die Aufgabe zugrunde, ein Verfahren anzugeben, mit dem gedünnte Chips auch einzeln gehandhabt und in Chipkarten eingebracht werden können.The invention is therefore based on the object of specifying a method with which thinned chips can also be handled individually and introduced into chip cards.
Diese Aufgabe wird durch ein Verfahren gemäß den Ansprüchen 1, 2 oder 3 gelöst.This object is achieved by a method according to claims 1, 2 or 3.
Ausgangspunkt ist jeweils, daß zunächst ein Wafer mit seiner Vorderseite, an der sich die Bauelemente befinden, mittels einer Kleberschicht auf einem Trägersubstrat aufgeklebt wird. Dieser Wafer wird dann von der Rückseite her gedünnt. Nach dem Dünnen wird der Wafer in einzelne Chips aufgeteilt, indem von der Rückseite aus in den Wafer hineingesägt wird. Das Hineinsägen kann bis zur oder bis in die Kleberschicht oder sogar bis in das Trägersubstrat hinein erfolgen.The starting point in each case is that a front of the wafer, on which the components are located, is first glued onto a carrier substrate by means of an adhesive layer. This wafer is then thinned from the back. After thinning, the wafer is divided into individual chips by sawing into the wafer from the rear. The sawing can take place up to or into the adhesive layer or even into the carrier substrate.
Um die Chips nun von dem Trägersubstrat abzuheben und zu vereinzeln bestehen erfindungsgemäß verschiedene Möglichkeiten. Gemäß Anspruch 1 wird die Kleberschicht aufgelöst und die einzelnen Chips mit einem Saugkopf vom Trägersubstrat abgehoben. Sie werden dann vorzugsweise in einem speziellen Ablagebehälter zur weiteren Verarbeitung abgelegt. Die Chips liegen bei dieser Methode mit ihrer Rückseite nach oben in den Spezialbehältern. Alternativ können die Chips selbstverständlich auch sofort weiterverarbeitet, beispielsweise sofort auf eine Chipkarte oder Chipkartenfolie aufgesetzt werden.According to the invention, there are various possibilities for lifting the chips off the carrier substrate and separating them. According to claim 1, the adhesive layer is dissolved and the individual chips are lifted off the carrier substrate with a suction head. They are then preferably stored in a special storage container for further processing. With this method, the chips lie with their backs up in the special containers. Alternatively, the chips can of course also be processed immediately, for example immediately placed on a chip card or chip card film.
Anspruch 2 sieht erfindungsgemäß einen weiteren Verfahrensschritt vor, bei dem nach dem Sägen die noch auf dem Trägersubstrat befindlichen einzelnen Chips auf der Rückseite mit einem durchgehenden Trägerfilm mittels einer zweiten Kleberschicht beklebt werden. Anschließend wird die erste Kleberschicht mit einer Methode aufgelöst, bei der die zweite Kleberschicht erhalten bleibt. Die Chips können dann über den Trägerfilm zusammenhängend, gemeinsam vom Trägersubstrat abgehoben werden. Anschließend ist dann eine Entnahme der einzelnen Chips vom Trägerfilm möglich, indem die zweite Kleberschicht aufgelöst wird. Auch hier kann die Entnahme mit Hilfe eines Saugkopfes oder dergleichen erfolgen. Bei diesem Verfahren liegt dann die aktive Vorderseite des Chips oben.According to the invention, a further method step is provided in which, after sawing, the individual chips still on the carrier substrate are covered on the back with a continuous carrier film by means of a second adhesive layer. The first adhesive layer is then dissolved using a method in which the second adhesive layer is retained. The chips can then be lifted together from the carrier substrate in a coherent manner. The individual chips can then be removed from the carrier film by dissolving the second adhesive layer. Here too, removal can be carried out with the aid of a suction head or the like. With this method, the active front side of the chip is on top.
Nach Anspruch 3 ist erfindungsgemäß vorgesehen, diesen Trägerfilm direkt nach dem Dünnen des Wafers aufzukleben, und dann erst den Wafer in einzelne Chips zu zersägen. Der Film verbleibt beim Einbau in die Chipkarte auf dem einzelnen Chip; der Chip wird somit durch den Trägerfilm verstärkt und ist auch mit den herkömmlichen Verfahren und Werkzeugen handhabbar. Durch die Verwendung geeigneter, z.B. zähelastischer Materialien für die Trägerfolie, kann diese bei ausreichender Stabilität des Chip-Folien- Verbunds relativ dünn gehalten werden. Selbstverständlich können auch bei den beiden letztgenannten Verfahren die Chips im Laufe der weiteren Verarbeitung in einem Ablagebehälter zwischengelagert werden.According to claim 3 it is provided according to the invention to glue this carrier film directly after thinning the wafer, and only then to saw the wafer into individual chips. When installed in the chip card, the film remains on the individual chip; the chip is thus reinforced by the carrier film and can also be handled using conventional methods and tools. By using suitable, for example tough, elastic materials for the carrier film, this can be kept relatively thin with sufficient stability of the chip-film composite. Of course, with the latter two methods as well, the chips can be temporarily stored in a storage container in the course of further processing.
Zum Lösen der ersten Kleberschicht bei gleichzeitigem Erhalt der zweiten Kleberschicht gibt es verschiedene Möglichkeiten, die jeweils von den Eigenschaften der verwendeten Klebersorten abhängen. Bevorzugte Methoden sind in den Unteransprüchen beschrieben.There are various possibilities for detaching the first adhesive layer while maintaining the second adhesive layer, each of which depends on the properties of the types of adhesive used. Preferred methods are described in the subclaims.
Alternativ ist es prinzipiell auch möglich, daß gemeinsam mit derAlternatively, it is in principle also possible that together with the
Kleberschicht zwischen Wafer und Trägersubstrat, oder auch anstelle dieser Kleberschicht, das Trägersubstrat selbst aufgelöst wird. Es versteht sich von selbst, daß hierzu bei den Verfahren gemäß Anspruch 2 oder 3 eine Methode gewählt wird, bei der die zweite Kleberschicht nicht angegriffen wird.Adhesive layer between the wafer and carrier substrate, or instead of this adhesive layer, the carrier substrate itself is dissolved. It goes without saying that a method is selected for this in the method according to claim 2 or 3, in which the second adhesive layer is not attacked.
Die mit den erfindungsgemäßen Verfahren sicher und einfach handhabbaren dünneren Chips sind flexibler und benötigen weniger Raum als die herkömmlichen Chips. Damit sind neue Möglichkeiten eröffnet, die Chips in den Chipkarten unterzubringen.The thinner chips, which are safe and easy to handle with the method according to the invention, are more flexible and require less space than the conventional chips. This opens up new possibilities for accommodating the chips in the chip cards.
Hier ist zunächst zu unterscheiden zwischen den Verfahren, bei denen die Chips mit ihrer Vorderseite auf eine z.B. bereits mit Leiterbahnen versehene Chipkartenfolie oder die Chipkarte aufgesetzt werden (Flip-Chip Technologie), und den Verfahren, bei denen die Chips mit ihrer Rückseite auf die Chipkartenfolie oder die Chipkarte aufgesetzt und dann an den Chip die Leiterbahnen angeschlossen werden. Welche Methode günstiger ist, hängt unter anderem davon ab, welches der vorgenannten Verfahren zur Abnahme der gedünnten Chips vom Trägersubstrat verwendet wird, d.h. in welche Richtung die Chips bereits orientiert sind. Bei den Verfahren, bei denen die Chips von der Rückseite aus gehandhabt werden müssen, ist es vorteilhaft, wenn auf der Rückseite der Chips bzw. auf dem Trägerflim Positionsmarken aufgebracht werden. Anhand dieser Markierungen ist eine exakte Ausrichtung des Chips auf der Chipkarte möglich. Als Positionsmarkierung bietet es sich an, die Schaltungsstruktur des Chips abzubilden.First of all, a distinction must be made between the methods in which the front of the chips are placed on a chip card film that has already been provided with conductor tracks, for example, or the chip card (flip-chip technology), and the methods in which the chips have their backs on the chip card film or put on the chip card and then connect the conductor tracks to the chip. Which method is more favorable depends, among other things, on which of the aforementioned methods is used to remove the thinned chips from the carrier substrate, ie in which direction the chips are already oriented. In the case of the methods in which the chips have to be handled from the rear, it is advantageous if position marks are applied on the rear of the chips or on the carrier film. On the basis of these markings, an exact alignment of the chip on the chip card is possible. As a position marker, it makes sense to map the circuit structure of the chip.
Eine Einbaumöglichkeit besteht darin, daß der Chip auf eine Chipkartenfolie aufgebracht wird, die auf der dem Chip gegenüberliegenden Rückseite mit Kontaktflächen versehen ist, welche wiederum mit dem Chip über Leiterbahnen durch die Folie hindurch verbundenen sind. Dieses so aufgebaute Chipmodul läßt sich dann mit den Kontaktflächen nach außen in eine Kavität einer Chipkarte einbringen, wie das auch bei den bisherigen konventionellen Aufbauten der Chipkarten der Fall ist.One installation option is for the chip to be applied to a chip card film which is provided on the rear side opposite the chip with contact areas which are in turn connected to the chip via conductor tracks through the film. This chip module constructed in this way can then be inserted with the contact surfaces outside into a cavity of a chip card, as is also the case with the previous conventional chip card structures.
Eine Alternative besteht darin, die Chips beim Zusammemaminieren zweier Chipkartenfolien zwischen die Folien einzubringen.An alternative is to insert the chips between the films when two chip card films are laminated together.
Bei einem besonders bevorzugten Einbauverfahren wird der Chip jeweils einfach auf die Oberfläche einer Chipkarte aufgebracht. Vorzugsweise wird der Chip dabei mit seiner Vorderseite nach außen weisend aufgesetzt und anschließend wird die Chipkarte gemeinsam mit dem Chip mit Leiterbahnen versehen.In a particularly preferred installation method, the chip is simply applied to the surface of a chip card. The chip is preferably placed with its front facing outward and then the chip card is provided with conductor tracks together with the chip.
Die Leiterbahnen können hierbei mit einem Präge- oder Druckverfahren, vorzugsweise mit einem Siebdruckverfahren, aufgebracht werden. Aufgrund der geringen Ausmaße des gedünnten Chips trägt dieser an der Oberfläche der Chipkarte kaum auf. Es ist selbstverständlich aber auch möglich, den Chip in einer flachen Kavität in die Oberfläche der Chipkarte einzubringen. Vorteilhafterweise werden die offen an der Oberfläche befindlichen Chips mit einem Schutzlack überzogen.The conductor tracks can be applied using an embossing or printing process, preferably using a screen printing process. Due to the small size of the thinned chip, it is hardly applied to the surface of the chip card. Of course, it is also possible to place the chip in a flat cavity in the surface of the chip card bring in. The chips which are open on the surface are advantageously coated with a protective lacquer.
Derartige Chipkarten mit einem außenliegenden gedünnten Chip sind im Gegensatz zu den konventionellen Chipkarten, bei denen ein herkömmlicher Chip in einem Chipmodul in einer speziellen Kavität untergebracht ist, mit erheblich weniger Verfahrensschritten zu fertigen.In contrast to the conventional chip cards, in which a conventional chip is accommodated in a chip module in a special cavity, such chip cards with a thinned chip on the outside can be produced with considerably fewer process steps.
Bei allen Einbauverfahren ist es sowohl möglich, auf der Chipkarte außenliegende Kontaktflächen anzubringen, als auch Spulen oder ähnliche Bauteile einzudrucken, so daß eine kontaktlose Datenübermittlung von und zur Chipkarte möglich ist. Ebenso ist eine Kombinationslösung dieser beiden Schnittstellen möglich (Dual Interface).With all installation methods, it is possible to attach external contact surfaces on the chip card as well as to print coils or similar components, so that contactless data transmission from and to the chip card is possible. A combination solution of these two interfaces is also possible (dual interface).
Die erfindungsgemäßen Verfahren werden nachfolgend anhand vonThe methods according to the invention are described below with reference to
Ausführungsbeispielen unter Bezugnahme auf die beigefügten Zeichnungen detaillierter beschrieben. Es zeigen schematisch:Embodiments described with reference to the accompanying drawings in more detail. They show schematically:
Fig. 1 einen Wafer, der an seiner aktiven Fläche mittels einer Kleberschicht mit einem Trägersubstrat verbunden ist,1 shows a wafer which is connected on its active surface by means of an adhesive layer to a carrier substrate,
Fig. 2a einen Wafer gemäß Fig. 1 nach dem Dünnen und Aufteilen in einzelne Chips,2a shows a wafer according to FIG. 1 after thinning and dividing into individual chips,
Fig. 2b zwei Chips des Wafers gemäß Fig. 2a in einem Spezialbehälter,2b two chips of the wafer according to FIG. 2a in a special container,
Fig. 3a einen gedünnten und gesägten Wafer mit Trägerfilm,3a shows a thinned and sawn wafer with carrier film,
Fig. 3b einzelne über den Trägerfilm zusammenhängenden Chips, Fig.4a einen gemäß Fig. 1 auf einem Trägersubstrat befestigten und gedünnter Wafer vor dem Zerteilen in einzelne Chips,3b individual chips connected via the carrier film, 4a shows a wafer fastened and thinned according to FIG. 1 on a carrier substrate before it is divided into individual chips,
Fig. 4b einen gemäß Fig.4a hergestellten Chip auf einer Chipkarte,4b shows a chip produced according to FIG. 4a on a chip card,
Fig. 5 eine Chipkarte mit einem Chipmodul,5 shows a chip card with a chip module,
Fig. 6 eine perspektivische Darstellung eines gedünnten Chips mit Positionsmarkierungen,6 is a perspective view of a thinned chip with position markings,
Fig. 7 - 9 Varianten einer Chipkarte mit an der Oberfläche aufgebrachten gedünnten Chip und nachträglicher Aufbringung der Anschlußflächen,7 - 9 variants of a chip card with thinned chip applied to the surface and subsequent application of the connection surfaces,
Fig. 10/11 Herstellung einer Chipkarte durch Zusanrmemaminieren zweier Kartenfolien,10/11 production of a chip card by laminating two card foils together,
Fig. 12/13 Varianten einer Chipkarte mit an der Oberfläche auf bereits vorhandene Anschlußflächen aufgebrachten gedünnten Chip,12/13 Variants of a chip card with a thinned chip applied to the surface on existing connection surfaces,
Bei der Durchführung des Verfahrens wird zunächst ein Wafer 1 mit seiner Vorderseite, welche die Bauelemente 2 aufweist, auf ein Trägersubstrat 4 aufgeklebt. Als Trägersubstrat kann z.B. ein anderer Wafer, eine Metallfolie oder magnetisierbare Folie oder eine sonstige, in der Chipkartenherstellung übliche Folie wie PVC, ABS, PC oder ähnliches dienen.When carrying out the method, a wafer 1 with its front side, which has the components 2, is first glued onto a carrier substrate 4. As a carrier substrate e.g. another wafer, a metal foil or magnetizable foil or another foil that is common in chip card production, such as PVC, ABS, PC or the like.
Hierzu wird entweder auf dem Wafer 1 oder auf dem Trägersubstrat 4 eine Kleberschicht 3 aufgetragen und anschließend werden die beiden Teile zusammengefügt. Der Wafer enthält in üblicher Weise mehrere nebeneinander angeordnete Schaltkreise, die jeweils einen Standard-Chipkartenchip oder auch einen Speicherchip bilden können.For this purpose, an adhesive layer 3 is applied either to the wafer 1 or to the carrier substrate 4, and the two parts are then joined together. The wafer usually contains a plurality of circuits arranged side by side, each of which can form a standard chip card chip or a memory chip.
Der auf dem Trägersubstrat 4 befestigte Wafer 1 wird dann von der Rückseite bis zu einer vorgegebenen Stärke, wie in Fig. 1 durch die gestrichelte Linie 9 dargestellt, gedünnt. Das Dünnen kann mit den herkömmlichen Verfahren, beispielsweise durch Ätzen oder mechanisches Schleifen, erfolgen. Auf diese Weise ist es möglich, den Wafer 1 bzw. die daraus gefertigten Chips 10 auf eine Stärke von unter 100 μm, vorzugsweise ca. 20 μm, zu dünnen.The wafer 1 fastened on the carrier substrate 4 is then thinned from the rear side to a predetermined thickness, as shown by the broken line 9 in FIG. 1. The thinning can be done with the conventional methods, for example by etching or mechanical grinding. In this way, it is possible to thin the wafer 1 or the chips 10 made therefrom to a thickness of less than 100 μm, preferably approximately 20 μm.
Gemäß dem in den Fig. 2a und 2b dargestellten Verfahren werden dann in den Wafer 1 von der Rückseite aus bis zur Kleberschicht 3 Sägeschnitte 7 eingefügt, und somit der Wafer 1 in einzelne Chips 10 unterteilt. Es wird anschließend die Kleberschicht 3 aufgelöst bzw. angelöst, wobei die Chips 10 mit einem Saugkopf 30 vom Trägersubstrat 4 abgehoben und in Spezialbehältern 40 abgelegt werden, wo sie zur weiteren Verarbeitung zur Verfügung stehen. Der Saugkopf 30 für die Entnahme der Dünnchips 10 ist relativ flach und weist an der Saugoberfläche mehrere kleine Löcher 31 auf, die über eine Leitung je nach Bedarf mit Saug- bzw. Druckluft zum Ansaugen oder Ablegen der Chips 10 beaufschlagt werden können. Die Chips 10 können den Spezialbehältern 40 in gleicher Weise entnommen und mit einem Roboter bei der Kartenfertigung plaziert werden.According to the method shown in FIGS. 2a and 2b, saw cuts 7 are then inserted into the wafer 1 from the rear up to the adhesive layer 3, and thus the wafer 1 is divided into individual chips 10. The adhesive layer 3 is then dissolved or loosened, the chips 10 being lifted off the carrier substrate 4 with a suction head 30 and placed in special containers 40, where they are available for further processing. The suction head 30 for the removal of the thin chips 10 is relatively flat and has a plurality of small holes 31 on the suction surface, which can be acted upon by suction or compressed air for sucking or depositing the chips 10 via a line as required. The chips 10 can be removed from the special containers 40 in the same way and placed with a robot during card production.
Das Lösen der Kleberschicht 3 des Trägersubstrats 4 kann durch Wärmeeinwirkung erfolgen. Hierzu wird z.B. ein beheizbarer Saugkopf 30 oder eine separate Wärmestrahlungsquelle 34, wie in Fig. 4a, verwendet. Die Fig. 3a und 3b zeigen ein alternatives Verfahren, bei dem letztendlich die aktive Oberfläche mit den Bauelementen 2 der Chips 10 oben liegt. Hierzu wird auf den gedünnten und gesägten Wafer 1 mittels einer zweiten Kleberschicht 6 ein Trägerfilm 5 aufgezogen. Selbstverständlich kann es sich bei diesem Trägerfilm 5 auch um eine selbstklebende Folie handeln, die bereits mit einer Kleberschicht versehen ist.The adhesive layer 3 of the carrier substrate 4 can be detached by the action of heat. For this purpose, for example, a heatable suction head 30 or a separate heat radiation source 34, as in FIG. 4a, is used. 3a and 3b show an alternative method in which the active surface with the components 2 of the chips 10 is ultimately on top. For this purpose, a carrier film 5 is applied to the thinned and sawn wafer 1 by means of a second adhesive layer 6. Of course, this carrier film 5 can also be a self-adhesive film which is already provided with an adhesive layer.
Nach Aufbringen dieses Trägerfilms 5 auf die Rückseite des Wafers 1 wird die erste Kleberschicht 3 mit einem Verfahren gelöst, welches die zweite Kleberschicht 6 nicht angreift.After this carrier film 5 has been applied to the back of the wafer 1, the first adhesive layer 3 is released using a method which does not attack the second adhesive layer 6.
Hierzu gibt es verschiedene Möglichkeiten. Bei einem ersten bevorzugten Verfahren besteht die erste Kleberschicht 3 aus einem Kleber, der unter Einwirkung von Licht eines bestiinmten Längenwellenbereichs, beispielsweise UV-Licht, zersetzt wird, wobei die zweite Kleberschicht 6 bei dieser Bestrahlung gerade aushärtet. Bei einem zweiten Verfahren besteht die erste Kleberschicht 3 aus einem Kleber, der sich unter Wärmeeinwirkung zersetzt, wobei die zweite Kleberschicht 6 gerade unter der Wärmeeinwirkung aushärtet. Alternativ ist es möglich, daß die erste Kleberschicht 3 aus einem wasserlöslichen Kleber besteht, während die zweite Kleberschicht 6 nicht wasserlöslich ist, oder die zweite Kleberschicht 6 ist lösemittelresistent und die erste Kleberschicht 3 löst sich bei dem entsprechenden Lösemittel auf. Weiterhin ist es möglich, daß die erste Kleberschicht 3 aus einem Kleber besteht, der unter einem Sauerstoftplasma oder in einer bestimmten Gasumgebung, z.B. Ozon, zersetzt wird, wobei die zweite Kleberschicht 6 gegenüber diesen Bedingungen resistent ist.There are various ways of doing this. In a first preferred method, the first adhesive layer 3 consists of an adhesive which is decomposed under the influence of light of a certain wavelength range, for example UV light, the second adhesive layer 6 being cured during this irradiation. In a second method, the first adhesive layer 3 consists of an adhesive that decomposes under the action of heat, the second adhesive layer 6 curing precisely under the action of heat. Alternatively, it is possible that the first adhesive layer 3 consists of a water-soluble adhesive, while the second adhesive layer 6 is not water-soluble, or the second adhesive layer 6 is solvent-resistant and the first adhesive layer 3 dissolves with the corresponding solvent. Furthermore, it is possible that the first adhesive layer 3 consists of an adhesive which is placed under an oxygen plasma or in a certain gas environment, e.g. Ozone is decomposed, the second adhesive layer 6 being resistant to these conditions.
Eine andere Möglichkeit besteht darin, ein Verfahren zu verwenden, mit der gemeinsam mit der Kleberschicht 3 oder auch anstelle der Kleberschicht 3 das Trägersubstrat 4 selbst aufgelöst wird. Das Trägersubstrat 4 kann hierzu aus Styropor oder einem .anderen Material bestehen, welches sich in einem Plasma oder unter Ätzgaseinwirkung oder unter erhöhter Temperatur zersetzt. Oder es wird ein Trägersubstrat 4 aus Karton oder einem ähnlichen Material verwendet, welches wasserlöslich ist.Another possibility is to use a method with which the carrier substrate 4 itself is dissolved together with the adhesive layer 3 or instead of the adhesive layer 3. The carrier substrate 4 can do this consist of styrofoam or another material which decomposes in a plasma or under the action of etching gas or at elevated temperature. Or a carrier substrate 4 made of cardboard or a similar material is used, which is water-soluble.
Nach dem Auflösen dieser ersten Kleberschicht 3 bzw. des Trägersubstrats 4, läßt sich dann der gesamte über den Trägerfilm 5 zusammenhängende Verband von Chips 10 gemeinsam abnehmen, wobei die aktive Fläche der Chips 10 nach außen weist. Die einzelnen Chips 10 können dann vom Trägerfilm 5 entnommen werden, indem die zweite Kleberschicht 6 gelöst wird.After dissolving this first adhesive layer 3 or the carrier substrate 4, the entire association of chips 10 connected via the carrier film 5 can then be removed together, the active surface of the chips 10 pointing outwards. The individual chips 10 can then be removed from the carrier film 5 by loosening the second adhesive layer 6.
Die Fig. 4a und 4b zeigen eine dritte Verfahrensmöglichkeit, bei der zuerst ein Trägerfilm 5 aus einem vorzugsweise zähelastischen Material, wie Polycarbonat, Polyamid, Kupfer, Aluminium, Stahl o.a., auf die Rückseite des Wafers 1 mittels einer Kleberschicht 6 aufgeklebt wird. Danach erfolgt erst die Unterteilung des Wafers 1 in die einzelnen Chips 10 durch Einfügen der Sägeschnitte 7. Schließlich werden wieder die einzelnen Chips 10 durch Auflösen der ersten Kleberschicht 3 oder des Trägersubstrats 4 entnommen, wobei auch hierzu ein Verfahren angewendet wird, welches die4a and 4b show a third method possibility in which a carrier film 5 made of a preferably tough-elastic material such as polycarbonate, polyamide, copper, aluminum, steel or the like is first glued onto the back of the wafer 1 by means of an adhesive layer 6. The wafer 1 is then only subdivided into the individual chips 10 by inserting the saw cuts 7. Finally, the individual chips 10 are removed again by dissolving the first adhesive layer 3 or the carrier substrate 4, a method also being used for this purpose
Klebeverbindung zum Trägerfilm 5 nicht angreift. Die hierbei verwendeten Methoden entsprechen den obengenannten Verfahren. In Fig. 4a ist schematisch dargestellt, wie ein einzelner Chip 10 mit einem Saugkopf 30 vom Trägersubstrat 4 entnommen wird, wobei die Auflösung der Kleberschicht 3 durch einen Wärmestrahler 34 erfolgt, wobei gleichzeitig die zweite Kleberschicht 6 aushärtet. Bei diesem Verfahren verbleibt der Trägerfilm 5 auf der Rückseite des einzelnen Dünnchip 10.Adhesive connection to the carrier film 5 does not attack. The methods used here correspond to the methods mentioned above. FIG. 4 a shows schematically how a single chip 10 with a suction head 30 is removed from the carrier substrate 4, the adhesive layer 3 being dissolved by a heat radiator 34, the second adhesive layer 6 curing at the same time. In this method, the carrier film 5 remains on the back of the individual thin chip 10.
Die Figuren 5 bis 10 zeigen verschiedene Varianten, wie die gedünnten Chips 10 in der bzw. auf der Chipkarte 20 untergebracht werden können. Je nach Wahl der Herstellungsmethode nach den Figuren 2, 3 oder 4 ist es sinnvoll, die Chips 10 mit ihrer Vorderseite oder mit ihrer Rückseite auf eine Chipkarte 20 oder eine Chipkartenfolie 21 aufzusetzen. Wird der Chip 10 mit seiner Vorderseite auf die Chipkarte 20 bzw. Chipkartenfolie 21 aufgesetzt, so ist es zweckmäßig, auf die Karte 20 bzw. Folie 21 zuerst die Leiterbahnen 11 zur Kontaktierung des Chips 10 anzubringen und dann den Chip 10 darauf zu positionieren. Hierzu weist der Chip 10 auf seiner Rückseite, wie in Figur 6 dargestellt, Positionsmarkierungen 8 auf, die beispielsweise auf den Chip 10 oder auf die Trägerfolie 5 aufgedruckt oder eingeätzt sind.FIGS. 5 to 10 show different variants of how the thinned chips 10 can be accommodated in or on the chip card 20. Depending on the choice of the production method according to FIGS. 2, 3 or 4, it makes sense to place the chips 10 with their front side or with their rear side on a chip card 20 or a chip card film 21. If the front side of the chip 10 is placed on the chip card 20 or chip card film 21, it is expedient to first attach the conductor tracks 11 for contacting the chip 10 to the card 20 or film 21 and then to position the chip 10 thereon. For this purpose, the chip 10 has, on its rear side, as shown in FIG. 6, position markings 8 which are, for example, printed or etched onto the chip 10 or onto the carrier film 5.
Figur 5 beschreibt ein Einbaubeispiel, welches ähnlich den bekannten Einbauverfahren konventioneller Chipmodule ist. Hierbei wird der Chip 10 zunächst auf eine erste Chipkartenfolie 21 aufgesetzt. Auf der gegenüberliegenden Rückseite der Chipkartenfolie 21 befinden sichFIG. 5 describes an installation example which is similar to the known installation methods of conventional chip modules. Here, the chip 10 is first placed on a first chip card film 21. On the opposite back of the chip card film 21 are located
Kontaktflächen 23, die mit dem Chip 10 über Leiterbahnen 11 durch die Chipkartenfolie 21 hindurch mittels Leitkleber verbunden sind. Zwischen dem Chip 10 und der ersten Chipkartenfolie 21 kann sich eine Unterteilung 15 befinden. Dieses so aufgebaute Chipmodul wird in eine entsprechende Kavität 24 der Chipkarte 20 eingesetzt und ringsum mit einem geeigneten Kleber 25 verklebt.Contact surfaces 23, which are connected to the chip 10 via conductor tracks 11 through the chip card film 21 by means of conductive adhesive. A subdivision 15 can be located between the chip 10 and the first chip card film 21. This chip module constructed in this way is inserted into a corresponding cavity 24 of the chip card 20 and glued all around with a suitable adhesive 25.
Die Figuren 10 und 11 zeigen verschiedene Laminierverfahren, bei denen der Chip 10 zwischen zwei Chipkartenfolien 21 und 22 in der Chipkarte 20 angeordnet wird. Die Chipkartenfolien 21, 22 haben typischerweise eineFIGS. 10 and 11 show different lamination methods in which the chip 10 is arranged between two chip card foils 21 and 22 in the chip card 20. The chip card foils 21, 22 typically have one
Stärke von 100 - 300 μm. Bei dem Verfahren gemäß Figur 10a wird der Chip 10 auf die eine Chipkartenfolie 21 aufgebracht und die Leiterbahnen 11 befinden sich auf der anderen Chipkartenfolie 22. Der Chip 10 ist hierbei mit seiner Rückseite auf die Chipkartenfolie 21 aufgebracht. Anschließend werden die beiden Chipkartenfolien passend übereinander positioniert und zusammenlaminiert, so daß der Chip 10 durch die Leiterbahnen 11 kontaktiert wird (Fig. 10b).Thickness from 100 to 300 μm. In the method according to FIG. 10 a, the chip 10 is applied to one chip card film 21 and the conductor tracks 11 are located on the other chip card film 22. The back of the chip 10 is applied to the chip card film 21. Then the two chip card foils are positioned one above the other and laminated together so that the chip 10 is contacted by the conductor tracks 11 (Fig. 10b).
Bei dem Verfahren gemäß Fig. 11a werden auf die eine Chipkartenfolie 21 zunächst Leiterbahnen 11 aufgebracht. Auf diese Leiterbahnen 11 wird dann der Chip 10 mit seiner Vorderseite nach unten aufgelegt, so daß gleichzeitig die Kontaktierung erfolgt. Anschließend wird die zweite Chipkartenfolie 22 darüber laminiert (Fig. 11b).In the method according to FIG. 11 a, conductor tracks 11 are first applied to the one chip card film 21. The chip 10 is then placed with its front facing downward on these conductor tracks 11, so that contact is made at the same time. The second chip card film 22 is then laminated over it (FIG. 11b).
Die Leiterbahnen führen jeweils zu einer außenliegenden Kontaktfläche oder aber zu einem Interface-Bauelement, mit dem eine kontaktlose Datenübertragung möglich ist, oder sie bilden selbst ein solches Bauelement. Um beim Laminierverfahren den Chip 10 bis zum Abdecken mit der zweiten Chipkartenfolie 22 auf der ersten Chipkartenfolie 21 zu halten, kann die Oberfläche der ersten Chipkartenfolie 21 durch ein Sauerstoff- oderThe conductor tracks each lead to an external contact surface or to an interface component with which contactless data transmission is possible, or they themselves form such a component. In order to hold the chip 10 on the first chip card film 21 until it is covered with the second chip card film 22 in the lamination process, the surface of the first chip card film 21 can be covered with an oxygen or
Chlorplasma vorbehandelt werden, so daß der Chip 10 bis zur Abdeckung und zum Laminieren darauf gebondet haftet. Bei dem Verfahren gemäß den Fig. 11a und 11b kann die Oberfläche auch mit einer Silberleitpaste bedruckt sein, welche gleichzeitig die Leiterbahnen 11 bildet, so daß der Chip 10 bis zur Abdeckung und zum Laminieren auf der Chipkartenfolie 21 haftet und gleichzeitig elektrisch kontaktiert wird.Chlorine plasma are pretreated so that the chip 10 adheres to the cover and laminated thereon. 11a and 11b, the surface can also be printed with a silver conductive paste, which simultaneously forms the conductor tracks 11, so that the chip 10 adheres to the cover and for lamination on the chip card film 21 and is simultaneously contacted electrically.
Selbstverständlich ist es auch möglich auf dem gedünnten Chip 10 einen Kleber aufzubringen oder als Chipkartenfolie 21 eine kleberbeschichtete Folie zu verwenden. Insbesondere bei der Herstellung der Chips 10 nach dem Verfahren, wie es in den Fig. 3a und 3b dargestellt ist, ist es möglich, den Chip 10 direkt vom Trägerfilm 5 durch Anlösen des Klebers abzuheben und mit diesem Kleber auf die Chipkartenfolie 21 aufzukleben, wo der Kleber dann wieder abbinden kann. In den Fig. 7, 8 und 9 ist ein vollständig neues Verfahren dargestellt, bei dem der gedünnte Chip einfach an der Oberfläche einer Chipkarte aufgesetzt und anschließend mit Leiterbahnen 11 bedruckt wird. Der Chip 10 wird außerdem mit einem Schutzlack 12 überzogen. Zum Drucken der Leiterbahnen 11 wird vorzugsweise ein Siebdruckverfahren verwendet. Es ist selbstverständlich auch möglich, die Leiterbahnen 11 in Form einer Metallfolie aufzubringen.Of course, it is also possible to apply an adhesive to the thinned chip 10 or to use an adhesive-coated film as the chip card film 21. In particular in the production of the chips 10 by the method as shown in FIGS. 3a and 3b, it is possible to lift the chip 10 directly from the carrier film 5 by loosening the adhesive and to stick it to the chip card film 21 with this adhesive, where the adhesive can then set again. 7, 8 and 9, a completely new method is shown, in which the thinned chip is simply placed on the surface of a chip card and then printed with conductor tracks 11. The chip 10 is also coated with a protective lacquer 12. A screen printing method is preferably used to print the conductor tracks 11. It is of course also possible to apply the conductor tracks 11 in the form of a metal foil.
In den Fig. 12 a bis 12c sind Ausführungsformen dargestellt, bei denen zunächst die Leiterbahnen auf die Oberfläche aufgebracht und anschließend der Chip mit der Vorderseite nach unten auf die Anschlußflächen 11 gesetzt wird. In Fig. 12b ist eine zusätzliche Lack und/ oder Klebeschicht 13 zwischen integriertem Schaltkreis 10 und der Oberfläche der Chipkarte 20 angeordnet, während in Fig. 12c Die Chip/ Leiterbahnanordnung 10, 11 mit einem Heizstempel 14 in die Kartenoberfläche eingedrückt wird.12 a to 12 c show embodiments in which the conductor tracks are first applied to the surface and then the chip is placed face down on the pads 11. In FIG. 12b an additional lacquer and / or adhesive layer 13 is arranged between the integrated circuit 10 and the surface of the chip card 20, while in FIG. 12c the chip / conductor track arrangement 10, 11 is pressed into the card surface with a heating stamp 14.
In den Fig. 8 und 9 befindet sich der Dünnchip 10 ebenfalls direkt an der Oberfläche der Chipkarte 20, hier jedoch in einer kleinen Kavität 27. Diese Kavität 27 ist entweder in die Chipkarte 20 eingeprägt, gefräst oder beim Herstellen der Chipkarte 20 gleich mit angespritzt worden (Fig. 8).8 and 9, the thin chip 10 is also located directly on the surface of the chip card 20, but here in a small cavity 27. This cavity 27 is either embossed into the chip card 20, milled or molded on when the chip card 20 is manufactured been (Fig. 8).
Alternativ wird die Kavität 27 durch eine entsprechende Bedruckung mit Schutzlack 26 oder durch Aufziehen einer Schutzfolie mit Fenster erzeugt (Fig- 9).Alternatively, the cavity 27 is produced by appropriate printing with protective lacquer 26 or by pulling on a protective film with a window (FIG. 9).
Entsprechende Anordnungen, bei denen zunächst die Kontaktflächen 11 in die Aussparungen der Oberfläche der Chipkarte 20 angeordnet werden, auf die dann der Chip 10 gesetzt wird, sind in den Fig. 13a bis 13c dargestellt.Corresponding arrangements in which the contact surfaces 11 are first arranged in the cutouts in the surface of the chip card 20, on which the chip 10 is then placed, are shown in FIGS. 13a to 13c.
In dem in Fig. 13 c dargestellten Ausführungsbeispiel wird der Chip unter Wärmeeinwirkung bündig in die Oberfläche der Chipkarte 20 eingepreßt. Bei einer Ausführung gemäß Fig. 7 (Anschlußflächen 11 noch nicht vorhanden) kann die Folie mit dem bündig mit der Oberfläche abschließenden Chip beispielsweise mit Silberpaste bedruckt, beschichtet und eventuell gleichzeitig kontaktiert werden.In the exemplary embodiment shown in FIG. 13 c, the chip is pressed flush under the action of heat into the surface of the chip card 20. In an embodiment according to FIG. 7 (connection surfaces 11 not yet available), the film with the chip flush with the surface can be printed, coated with silver paste, for example, and possibly contacted at the same time.
Bei all diesen letztgenannten Einbaubeispielen, mit einem offen an der Oberfläche der Chipkarte befindlichen Chip, handelt es sich um einen neuen und besonders vorteilhaften Aufbau, der mit relativ wenigen Verfahrensschritten, verglichen mit den herkömmlichen Verfahren, herzustellen ist. All of these last-mentioned installation examples, with a chip that is open on the surface of the chip card, are a new and particularly advantageous construction that can be produced with relatively few process steps compared to the conventional processes.

Claims

Patentansprüche claims
1. Verfahren zum Handhaben von gedünnten Chips (10) zum Einbringen in Chipkarten (20) mit folgenden Verfahrensschritten: - Aufkleben eines Wafers (1) mit seiner Vorderseite auf ein1. A method for handling thinned chips (10) for insertion into chip cards (20) with the following method steps: - Gluing a wafer (1) with its front side onto one
Trägersubstrat (4) mittels einer Kleberschicht (3),Carrier substrate (4) by means of an adhesive layer (3),
- Dünnen des Wafers (1) von der Rückseite her,- Thinning the wafer (1) from the back,
- Aufteilen des Wafers (1) in einzelne Chips (10) durch Sägen des Wafers (1) von der Rückseite aus bis zur oder bis in die Kleberschicht (3) oder bis in das Trägersubstrat (4) hinein,- dividing the wafer (1) into individual chips (10) by sawing the wafer (1) from the rear up to or into the adhesive layer (3) or into the carrier substrate (4),
- Auflösen der Kleberschicht (3),- dissolving the adhesive layer (3),
- Abheben der einzelnen Chips (10) vom Trägersubstrat (4) mit einem Saugkopf (30) zur Ablage in einen speziellen Ablagebehälter (40) und/ oder zur weiteren Verarbeitung.- Lifting off the individual chips (10) from the carrier substrate (4) with a suction head (30) for storage in a special storage container (40) and / or for further processing.
2. Verfahren zum Handhaben von gedünnten Chips (10) zum Einbringen in Chipkarten (20) mit folgenden Verfahrensschritten:2. Method for handling thinned chips (10) for insertion into chip cards (20) with the following method steps:
- Aufkleben eines Wafers (1) mit seiner Vorderseite auf ein Trägersubstrat (4) mittels einer Kleberschicht (3), - Dünnen des Wafers (1) von der Rückseite her,- sticking a wafer (1) with its front side onto a carrier substrate (4) by means of an adhesive layer (3), - thinning the wafer (1) from the back,
- Aufteilen des Wafers (1) in einzelne Chips (10) durch Sägen des Wafers (1) von der Rückseite aus bis zur oder bis in die Kleberschicht (3) oder bis in das Trägersubstrat (4) hinein,- dividing the wafer (1) into individual chips (10) by sawing the wafer (1) from the rear up to or into the adhesive layer (3) or into the carrier substrate (4),
- Bekleben der aus dem Wafer (1) gesägten Chips (10) auf ihrer Rückseite mit einem durchgehenden Trägerfilm (5) mittels einer zweiten Kleberschicht (6),- sticking the chips (10) sawn from the wafer (1) on their rear side with a continuous carrier film (5) by means of a second adhesive layer (6),
- Auflösen der ersten Kleberschicht (3) mit einem Verfahren, welches die zweite Kleberschicht (6) nicht angreift,Dissolving the first adhesive layer (3) using a method which does not attack the second adhesive layer (6),
- Abheben der über den Trägerfilm (5) zusammenhängenden Chips (10) vom Trägersubstrat (4) gemeinsam mit dem Trägerfilm (5),Lifting the chips (10) connected via the carrier film (5) from the carrier substrate (4) together with the carrier film (5),
- Auflösen der zweiten Kleberschicht (6) und Abheben der einzelnen Chips (10) vom Trägerfilm (5). - Dissolving the second adhesive layer (6) and lifting the individual chips (10) from the carrier film (5).
3. Verfahren zum Handhaben von gedünnten Chips (10) zum Einbringen in Chipkarten (20) mit folgenden Verfahrensschritten:3. Method for handling thinned chips (10) for insertion into chip cards (20) with the following method steps:
- Aufkleben eines Wafers (1) mit seiner Vorderseite auf ein Trägersubstrat (4) mittels einer Kleberschicht (3),- Gluing a wafer (1) with its front side onto a carrier substrate (4) by means of an adhesive layer (3),
- Dünnen des Wafers (1) von der Rückseite her,- Thinning the wafer (1) from the back,
- Bekleben des Wafers (1) auf der Rückseite mit einem durchgehenden Trägerfilm (5) mittels einer zweiten Kleberschicht (6),- sticking the wafer (1) on the back with a continuous carrier film (5) by means of a second adhesive layer (6),
- Aufteilen des Wafers (1) in einzelne Chips (10) durch Sägen des Wafers (1) mit dem aufgeklebten Trägerfilm (5) von der Rückseite des- Divide the wafer (1) into individual chips (10) by sawing the wafer (1) with the glued carrier film (5) from the back of the
Wafers (1) her bis zur oder bis in die erste Kleberschicht (3) oder bis in das Trägersubstrat (4) hinein,Wafers (1) up to or into the first adhesive layer (3) or up to the carrier substrate (4),
- Auflösen der ersten Kleberschicht (3) mit einem Verfahren, welches die zweite Kleberschicht (6) nicht angreift, - Abheben der einzelnen Chips (10) vom Trägersubstrat (4) gemeinsam mit dem Trägerfilm (5).- Dissolving the first adhesive layer (3) using a method which does not attack the second adhesive layer (6), - Lifting off the individual chips (10) from the carrier substrate (4) together with the carrier film (5).
4. Verfahren nach einem der Ansprüche 2 oder 3, dadurch gekennzeichnet, daß die erste Kleberschicht (3) aus einem Kleber besteht, der unter Einwirkung von Licht eines bestimmten Wellenlängenbereichs zersetzt wird, und die zweite Kleberschicht (6) aus einem Kleber besteht, der unter Einwirkung dieses Lichts aushärtet.4. The method according to any one of claims 2 or 3, characterized in that the first adhesive layer (3) consists of an adhesive which is decomposed under the action of light of a certain wavelength range, and the second adhesive layer (6) consists of an adhesive which cures under the influence of this light.
5. Verfahren nach einem der Ansprüche 2 oder 3, dadurch gekennzeichnet, daß die erste Kleberschicht (3) aus einem Kleber besteht, der unter Wärmeeinwirkung zersetzt wird, und die zweite Kleberschicht (6) aus einem Kleber besteht, der unter Wärmeeinwirkung aushärtet.5. The method according to any one of claims 2 or 3, characterized in that the first adhesive layer (3) consists of an adhesive which is decomposed under the action of heat, and the second adhesive layer (6) consists of an adhesive which cures under the action of heat.
6. Verfahren nach einem der Ansprüche 2 oder 3, dadurch gekennzeichnet, daß die erste Kleberschicht (3) aus einem wasserlöslichen Kleber besteht und/ oder die zweite Kleberschicht (6) aus einem Kleber besteht, der lösemittelresistent ist.6. The method according to any one of claims 2 or 3, characterized in that the first adhesive layer (3) consists of a water-soluble There is adhesive and / or the second adhesive layer (6) consists of an adhesive which is resistant to solvents.
7. Verfahren nach einem der Ansprüche 2 oder 3, dadurch gekennzeichnet, daß die erste Kleberschicht (3) aus einem Kleber besteht, der unter einem Sauerstoffplasma oder in einer bestimmten Gasumgebung zersetzt wird, und die zweite Kleberschicht (6) aus einem Kleber besteht, der gegenüber diesen Bedingungen resistent ist.7. The method according to any one of claims 2 or 3, characterized in that the first adhesive layer (3) consists of an adhesive which is decomposed under an oxygen plasma or in a certain gas environment, and the second adhesive layer (6) consists of an adhesive, who is resistant to these conditions.
8. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 7, dadurch gekennzeichnet, daß gemeinsam mit der Kleberschicht (3) zwischen dem Wafer (1) und dem Trägersubstrat (4) und/ oder anstelle dieser Kleberschicht (3) das Trägersubstrat (4) aufgelöst wird.8. The method according to any one of claims 1 to 7, characterized in that together with the adhesive layer (3) between the wafer (1) and the carrier substrate (4) and / or instead of this adhesive layer (3), the carrier substrate (4) is dissolved .
9. Verfahren nach Anspruch 8, dadurch gekennzeichnet, daß das9. The method according to claim 8, characterized in that the
Trägersubstrat (4) aus einem Material besteht, welches sich in einem Plasma und/ oder unter Gaseinwirkung und/ oder unter erhöhter Temperatur zersetzt und/ oder wasserlöslich ist.Carrier substrate (4) consists of a material which decomposes in a plasma and / or under the action of gas and / or under elevated temperature and / or is water-soluble.
10. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 9, dadurch gekennzeichnet, daß auf der Rückseite der Chips (10) und/ oder des Trägerfilms (5) Positionsmarken (8) aufgebracht werden.10. The method according to any one of claims 1 to 9, characterized in that on the back of the chips (10) and / or the carrier film (5) position marks (8) are applied.
11. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 10, dadurch gekennzeichnet, daß die Chips (10) jeweils mit ihrer Vorderseite auf eine mit Leiterbahnen11. The method according to any one of claims 1 to 10, characterized in that the chips (10) in each case with their front side on one with conductor tracks
(11) versehene erste Chipkartenfolie (21) aufgebracht werden.(11) provided first chip card film (21) are applied.
12. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 10, dadurch gekennzeichnet, daß die Chips (10) jeweils mit ihrer Rückseite auf eine erste Chipkartenfolie (21) aufgebracht und mit Leiterbahnen (11) kontaktiert werden. 12. The method according to any one of claims 1 to 10, characterized in that the chips (10) are each applied with their back to a first chip card film (21) and contacted with conductor tracks (11).
13. Verfahren nach Anspruch 11 oder 12, dadurch gekennzeichnet, daß die erste Chipkartenfolie (21) auf der dem Chip (10) gegenüberliegenden Oberfläche mit Kontaktflächen (23) versehen ist, die mit dem Chip (10) über die Leiterbahnen (11) verbundenen sind, und dieses so aufgebaute13. The method according to claim 11 or 12, characterized in that the first chip card film (21) on the chip (10) opposite surface is provided with contact surfaces (23) which are connected to the chip (10) via the conductor tracks (11) are, and this is so constructed
Chipmodul mit den Kontaktflächen (23) nach außen in eine Kavität (24) einer Chipkarte (20) eingebracht wird.Chip module with the contact surfaces (23) is introduced into a cavity (24) of a chip card (20).
14. Verfahren nach Anspruch 11 oder 12, dadurch gekennzeichnet, daß die erste Chipkartenfolie (21) mit dem Chip (10) mit einer zweiten14. The method according to claim 11 or 12, characterized in that the first chip card film (21) with the chip (10) with a second
Chipkartenfolie (22) bedeckt wird und die beiden Chipkartenfolien (21, 22) zusammenlaminiert werden.Chip card film (22) is covered and the two chip card films (21, 22) are laminated together.
15. Verfahren nach Anspruch 14, dadurch gekennzeichnet, daß die erste Chipkartenfolie (21) vorbehandelt wird, so daß der Chip (10) bis zum15. The method according to claim 14, characterized in that the first chip card film (21) is pretreated so that the chip (10) to
Abdecken mit der zweiten Chipkartenfolie (22) auf der ersten Chipkartenfolien (21) haftet.Cover with the second chip card film (22) adheres to the first chip card film (21).
16. Verfahren nach Anspruch 15, dadurch gekennzeichnet, daß die erste Chipkartenfolie (21) mit einer haftenden Leitpaste bedruckt wird, so daß der16. The method according to claim 15, characterized in that the first chip card film (21) is printed with an adhesive conductive paste, so that the
Chip (10) bis zum Abdecken mit der zweiten Chipkartenfolie (22) auf der ersten Chipkartenfolien (21) haftet und gleichzeitig elektrisch kontaktiert ist.Chip (10) adheres to the first chip card film (21) until it is covered with the second chip card film (22) and is at the same time electrically contacted.
17. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 10, dadurch gekennzeichnet, daß die Chips (10) jeweils mit ihrer Rückseite auf eine erste Chipkartenfolie (21) aufgebracht werden und die erste Chipkartenfolie (21) mit dem Chip (10) mit einer zweiten Chipkartenfolie (22) bedeckt wird, welche an den entsprechenden Positionen mit Leiterbahnen (11) versehen ist, und die beiden Chipkartenfolien (21, 22) zusammenlaminiert werden. 17. The method according to any one of claims 1 to 10, characterized in that the chips (10) are each applied with their back to a first chip card film (21) and the first chip card film (21) with the chip (10) with a second chip card film (22) is covered, which is provided with conductor tracks (11) at the corresponding positions, and the two chip card foils (21, 22) are laminated together.
18. Verfahren zum Einbringen eines gedünnten Chips (10) in eine Chipkarte (20), insbesondere nach einem der Ansprüche 1 bis 10, dadurch gekennzeichnet, daß der Chip (10) außenliegend auf eine Oberfläche der Chipkarte (20) aufgebracht wird.18. A method for introducing a thinned chip (10) into a chip card (20), in particular according to one of claims 1 to 10, characterized in that the chip (10) is applied externally to a surface of the chip card (20).
19. Verfahren nach Anspruch 18, dadurch gekennzeichnet, daß der Chip (10) mit seiner Vorderseite nach außen weisend auf die Oberfläche der Chipkarte (20) aufgebracht und mit Leiterbahnen (11) versehen wird.19. The method according to claim 18, characterized in that the chip (10) is applied with its front facing outward on the surface of the chip card (20) and provided with conductor tracks (11).
20. Verfahren nach Anspruch 18 oder 19, dadurch gekennzeichnet, daß der Chip (10) in eine Kavität (27) in der Oberfläche der Chipkarte (20) eingebracht wird.20. The method according to claim 18 or 19, characterized in that the chip (10) is introduced into a cavity (27) in the surface of the chip card (20).
21. Verfahren nach einem der Ansprüche 18 bis 20, dadurch gekennzeichnet, daß der Chip (10) unter Wärmeeinwirkung bündig in die Oberfläche der Chipkarte (20) eingepreßt wird.21. The method according to any one of claims 18 to 20, characterized in that the chip (10) is pressed flush under the influence of heat into the surface of the chip card (20).
22. Verfahren nach einem der Ansprüche 18 bis 21, dadurch gekennzeichnet, daß der an der Oberfläche der Chipkarte (20) befindliche Chip (10) mit einem Schutzlack (12) überzogen wird.22. The method according to any one of claims 18 to 21, characterized in that the chip (10) located on the surface of the chip card (20) is coated with a protective lacquer (12).
23. Verfahren nach einem der Ansprüche 11 bis 22, dadurch gekennzeichnet, daß die Leiterbahnen (11) mittels eines Druck- oder Prägeverfahrens aufgebracht werden.23. The method according to any one of claims 11 to 22, characterized in that the conductor tracks (11) are applied by means of a printing or embossing process.
24. Verfahren nach Anspruch 2 und einem der Ansprüche 12 bis 23, dadurch gekennzeichnet, daß der Chip (10) vom Trägerfilm (5) abgehoben und auf die Chipkartenfolie (21) oder die Oberfläche der Chipkarte (20) aufgesetzt wird. 24. The method according to claim 2 and one of claims 12 to 23, characterized in that the chip (10) is lifted off the carrier film (5) and placed on the chip card film (21) or the surface of the chip card (20).
25. Verfahren nach Anspruch 24, dadurch gekennzeichnet, daß der Chip (lθ)mittels des Klebers der aufgelösten zweiten Kleberschicht (6) auf die Kartenfolie (20) aufgeklebt wird.25. The method according to claim 24, characterized in that the chip (lθ) is glued to the card film (20) by means of the adhesive of the dissolved second adhesive layer (6).
26. Verfahren nach Anspruch 25, dadurch gekennzeichnet, daß der Chip (10) mit einem Saugkopf (30) von der Trägerfolie (5) abgehoben und auf die Kartenfolie (20) aufgebracht wird, wobei die zweite Kleberschicht (6) unter Wärmeeinwirkung gelöst wird.26. The method according to claim 25, characterized in that the chip (10) with a suction head (30) is lifted from the carrier film (5) and applied to the card film (20), the second adhesive layer (6) being released under the action of heat .
27. Chipkarte (20) mit mindestens einem gedünnten Chip (10), welcher auf einer Oberfläche der Chipkarte (20) angeordnet ist.27. Chip card (20) with at least one thinned chip (10) which is arranged on a surface of the chip card (20).
28. Chipkarte nach Anspruch 27, dadurch gekennzeichnet, daß der Chip (10) mit seiner Vorderseite nach außen auf der Chipkarte (20) angeordnet ist, und außenseitig auf der Chipkarte (20) und dem Chip (10) Leiterbahnen (11) aufgebracht sind.28. Chip card according to claim 27, characterized in that the chip (10) is arranged with its front side facing outwards on the chip card (20), and on the outside on the chip card (20) and the chip (10) conductor tracks (11) are applied .
29. Chipkarte nach Anspruch 27 oder 28, dadurch gekennzeichnet, daß die Leiterbahnen (11) aufgedruckt sind.29. Chip card according to claim 27 or 28, characterized in that the conductor tracks (11) are printed.
30. Chipkarte nach einem der Ansprüche 27 bis 29, dadurch gekennzeichnet, daß der Chip (10) in einer Kavität (27) in der Oberfläche der Chipkarte (20) angeordnet ist.30. Chip card according to one of claims 27 to 29, characterized in that the chip (10) is arranged in a cavity (27) in the surface of the chip card (20).
31. Chipkarte nach einem der Ansprüche 27 bis 30, dadurch gekennzeichnet, daß der Chip (10) bündig in die Oberfläche der Chipkarte (20) eingepreßt ist.31. Chip card according to one of claims 27 to 30, characterized in that the chip (10) is pressed flush into the surface of the chip card (20).
32. Chipkarte nach einem der Ansprüche 27 bis 31, dadurch gekennzeichnet, daß der Chip (10) mit einem Schutzlack (12) überzogen ist. 32. Chip card according to one of claims 27 to 31, characterized in that the chip (10) is coated with a protective lacquer (12).
EP00927133A 1999-05-07 2000-05-04 Method for handling thinned chips for introducing them into chip cards Withdrawn EP1183726A1 (en)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE19921230 1999-05-07
DE19921230A DE19921230B4 (en) 1999-05-07 1999-05-07 Method for handling thinned chips for insertion in chip cards
PCT/EP2000/003988 WO2000068990A1 (en) 1999-05-07 2000-05-04 Method for handling thinned chips for introducing them into chip cards

Publications (1)

Publication Number Publication Date
EP1183726A1 true EP1183726A1 (en) 2002-03-06

Family

ID=7907399

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
EP00927133A Withdrawn EP1183726A1 (en) 1999-05-07 2000-05-04 Method for handling thinned chips for introducing them into chip cards

Country Status (6)

Country Link
EP (1) EP1183726A1 (en)
JP (1) JP2002544669A (en)
CN (1) CN1157779C (en)
AU (1) AU4561200A (en)
DE (1) DE19921230B4 (en)
WO (1) WO2000068990A1 (en)

Families Citing this family (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW522531B (en) 2000-10-20 2003-03-01 Matsushita Electric Ind Co Ltd Semiconductor device, method of manufacturing the device and mehtod of mounting the device
FR2823012B1 (en) * 2001-04-03 2004-05-21 Commissariat Energie Atomique METHOD FOR SELECTIVELY TRANSFERRING AT LEAST ONE ELEMENT OF AN INITIAL MEDIUM ON A FINAL MEDIUM
DE10117880B4 (en) * 2001-04-10 2009-01-29 Mühlbauer Ag Method for separating electronic components from a composite
US6964086B2 (en) * 2002-03-04 2005-11-15 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Method of manufacturing thin film piezoelectric element, and element housing jig
US6943056B2 (en) * 2002-04-16 2005-09-13 Renesas Technology Corp. Semiconductor device manufacturing method and electronic equipment using same
JP2004273895A (en) * 2003-03-11 2004-09-30 Disco Abrasive Syst Ltd Dividing method of semiconductor wafer
DE10339559B4 (en) * 2003-08-26 2006-03-02 W.C. Heraeus Gmbh Method for determining the position of component carriers
DE10341186A1 (en) * 2003-09-06 2005-03-31 Martin Michalk Method and device for contacting semiconductor chips
GB2412786A (en) * 2004-03-24 2005-10-05 E2V Tech Uk Ltd Method and apparatus for manufacturing chip scale components or microcomponents
KR20110122869A (en) * 2004-07-09 2011-11-11 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 Ic chip and its manufacturing method
US8728937B2 (en) 2004-07-30 2014-05-20 Osram Opto Semiconductors Gmbh Method for producing semiconductor chips using thin film technology
DE102004036962A1 (en) * 2004-07-30 2006-03-23 Osram Opto Semiconductors Gmbh Production process for a thin film semiconductor chip forms active and contact layers on a growth substrate structures to stacks applies conductive film and removes substrate
WO2006012838A2 (en) 2004-07-30 2006-02-09 Osram Opto Semiconductors Gmbh Method for producing semiconductor chips using thin-film technology and a semiconductor chip produced using thin-film technology
FR2878076B1 (en) * 2004-11-17 2007-02-23 St Microelectronics Sa SLIMMING A SEMICONDUCTOR WAFER
DE102004059599B3 (en) * 2004-12-09 2006-08-17 Infineon Technologies Ag Method for applying an adhesive layer to thinly ground semiconductor chips of a semiconductor wafer
DE102006032821B4 (en) * 2006-07-14 2008-04-10 Mühlbauer Ag Method and device for producing a plurality of chip cards with an adhesive-free fixation of the chip modules
EP2100327A1 (en) * 2006-11-24 2009-09-16 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der Angewandten Forschung e.V. Electronic, in particular microelectronic, functional group and method for its production
JP4958287B2 (en) * 2007-05-30 2012-06-20 東京応化工業株式会社 Peeling method in peeling device
DE102010025774A1 (en) * 2010-07-01 2012-01-05 Giesecke & Devrient Gmbh Method of making an inlay for a portable data carrier and inlay
JP6417164B2 (en) * 2014-09-18 2018-10-31 芝浦メカトロニクス株式会社 LAMINATE MANUFACTURING DEVICE, LAMINATE, SEPARATING DEVICE, AND LAMINATE MANUFACTURING METHOD

Family Cites Families (26)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3122981A1 (en) * 1981-06-10 1983-01-05 GAO Gesellschaft für Automation und Organisation mbH, 8000 München METHOD FOR INSTALLING IC COMPONENTS IN ID CARD
JPS61112345A (en) * 1984-11-07 1986-05-30 Toshiba Corp Manufacture of semiconductor device
JPS61280660A (en) * 1985-06-06 1986-12-11 Toshiba Corp Manufacture of semiconductor device
GB2221468B (en) * 1985-12-27 1990-09-05 Fsk Kk Adhesive sheet suitable for use in dicing semiconductor wafers into chips
DE3639630A1 (en) * 1986-11-20 1988-06-01 Gao Ges Automation Org DATA CARRIER WITH INTEGRATED CIRCUIT AND METHOD FOR PRODUCING THE SAME
DE3901402A1 (en) * 1989-01-19 1990-07-26 Telefonbau & Normalzeit Gmbh Method for the manufacture of a chip card
JP2829064B2 (en) * 1989-11-27 1998-11-25 株式会社ジャパンエナジー Method for manufacturing semiconductor device
JPH03286553A (en) * 1990-04-03 1991-12-17 Furukawa Electric Co Ltd:The Dicing method
JP2874279B2 (en) * 1990-05-10 1999-03-24 三菱電機株式会社 Method for manufacturing thin semiconductor device
JP2610703B2 (en) * 1990-09-05 1997-05-14 住友電気工業株式会社 Method for manufacturing semiconductor device
US5268065A (en) * 1992-12-21 1993-12-07 Motorola, Inc. Method for thinning a semiconductor wafer
FR2701139B1 (en) * 1993-02-01 1995-04-21 Solaic Sa Method for implanting a micro-circuit on an intelligent card and / or memory card body, and card comprising a micro-circuit thus implanted.
ZA941671B (en) * 1993-03-11 1994-10-12 Csir Attaching an electronic circuit to a substrate.
FR2715501B1 (en) * 1994-01-26 1996-04-05 Commissariat Energie Atomique Method for depositing semiconductor wafers on a support.
US5480842A (en) * 1994-04-11 1996-01-02 At&T Corp. Method for fabricating thin, strong, and flexible die for smart cards
DE19502398A1 (en) * 1995-01-26 1996-08-01 Giesecke & Devrient Gmbh Method for mounting an electronic module in a card body
DE29502080U1 (en) * 1995-02-09 1995-03-23 Interlock Ag Device for producing ID cards and ID card produced thereafter
US6342434B1 (en) * 1995-12-04 2002-01-29 Hitachi, Ltd. Methods of processing semiconductor wafer, and producing IC card, and carrier
DE19602821C1 (en) * 1996-01-26 1997-06-26 Siemens Ag Method for producing a data card
EP0824301A3 (en) * 1996-08-09 1999-08-11 Hitachi, Ltd. Printed circuit board, IC card, and manufacturing method thereof
EP0858050A3 (en) * 1997-02-07 2001-03-28 Keylink Gestao e Investimentos Lda Procedure for the continuous manufacture of microchip carrier cards and cards obtained via the seid procedure
DE19708615C1 (en) * 1997-03-03 1998-07-23 Siemens Ag Chip-card module design and manufacture
DE19732644C1 (en) * 1997-07-29 1998-11-12 Siemens Ag Production of non-contact smart cards with printed information
JPH1191275A (en) * 1997-09-25 1999-04-06 Dainippon Printing Co Ltd Manufacture of non-contact type ic card and non-contact type ic card
AU3144899A (en) * 1998-03-14 1999-10-11 Michael Stromberg Method and device for treating wafers presenting components during thinning of the wafer and separation of the components
JP2000040677A (en) * 1998-07-23 2000-02-08 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> Manufacture of semiconductor element

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
See references of WO0068990A1 *

Also Published As

Publication number Publication date
DE19921230A1 (en) 2000-11-09
CN1157779C (en) 2004-07-14
WO2000068990A1 (en) 2000-11-16
JP2002544669A (en) 2002-12-24
CN1350701A (en) 2002-05-22
AU4561200A (en) 2000-11-21
DE19921230B4 (en) 2009-04-02

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE19921230B4 (en) Method for handling thinned chips for insertion in chip cards
EP2259311B1 (en) Method for embedding at least one component into a circuit board element
EP0756244B1 (en) Electronic unit and method of producing that unit
DE112004001727B4 (en) Method of manufacturing an electronic module
DE102004011702B4 (en) Method for producing a card body for a contactless chip card
DE3122981A1 (en) METHOD FOR INSTALLING IC COMPONENTS IN ID CARD
EP2183705B1 (en) Method of manufacturing a chip module
EP2089838A2 (en) Chip module for an rfid system
WO2005076206A1 (en) Method and device for continuously producing electronic film components, and an electronic film component
DE69824679T2 (en) Non-contact electronic card and method of making such a card
EP0757330A2 (en) Method of producing a data carrier
EP1269410A1 (en) Method for producing a carrier strip comprising a large number of electrical units, each having a chip and contact elements
WO2003028416A1 (en) Method for producing a structured metallic layer on a support body and a support body comprising a structured metallic layer
EP1630730B1 (en) Transponder
DE60005511T2 (en) LAMINATE PRODUCTION METHOD OF A CONTACTLESS CARD
EP0762323B1 (en) Method and apparatus for manufacturing a coil element for a record carrier having an integrated circuit and contactless coupling
DE19710656A1 (en) Contactless smart card has core sheet stamped out
EP1449415B1 (en) Method and device for through-hole plating of substrates and printed circuit boards
DE19610044C2 (en) Card body and method for producing a chip card
EP1925192B1 (en) Laminated substrate for mounting electronic parts
EP0126856B1 (en) Method of making a circuit board having rigid and flexible areas
EP2421339A1 (en) Method for embedding electrical components
DE102014109766B3 (en) Method for producing a substrate adapter, substrate adapter and method for contacting a semiconductor element
DE10236666A1 (en) Method for producing contactless and / or mixed chip cards
WO1999026287A1 (en) Silicon film used as a substrate for semiconductor circuits in cards

Legal Events

Date Code Title Description
PUAI Public reference made under article 153(3) epc to a published international application that has entered the european phase

Free format text: ORIGINAL CODE: 0009012

17P Request for examination filed

Effective date: 20011207

AK Designated contracting states

Kind code of ref document: A1

Designated state(s): AT BE CH CY DE DK ES FI FR GB GR IE IT LI LU MC NL PT SE

AX Request for extension of the european patent

Free format text: AL;LT;LV;MK;RO;SI

17Q First examination report despatched

Effective date: 20071106

STAA Information on the status of an ep patent application or granted ep patent

Free format text: STATUS: THE APPLICATION IS DEEMED TO BE WITHDRAWN

18D Application deemed to be withdrawn

Effective date: 20080318