EP0821460A2 - Current source - Google Patents
Current source Download PDFInfo
- Publication number
- EP0821460A2 EP0821460A2 EP97111124A EP97111124A EP0821460A2 EP 0821460 A2 EP0821460 A2 EP 0821460A2 EP 97111124 A EP97111124 A EP 97111124A EP 97111124 A EP97111124 A EP 97111124A EP 0821460 A2 EP0821460 A2 EP 0821460A2
- Authority
- EP
- European Patent Office
- Prior art keywords
- transistor
- current source
- switch
- constant current
- drain
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G05—CONTROLLING; REGULATING
- G05F—SYSTEMS FOR REGULATING ELECTRIC OR MAGNETIC VARIABLES
- G05F3/00—Non-retroactive systems for regulating electric variables by using an uncontrolled element, or an uncontrolled combination of elements, such element or such combination having self-regulating properties
- G05F3/02—Regulating voltage or current
- G05F3/08—Regulating voltage or current wherein the variable is dc
- G05F3/10—Regulating voltage or current wherein the variable is dc using uncontrolled devices with non-linear characteristics
- G05F3/16—Regulating voltage or current wherein the variable is dc using uncontrolled devices with non-linear characteristics being semiconductor devices
- G05F3/20—Regulating voltage or current wherein the variable is dc using uncontrolled devices with non-linear characteristics being semiconductor devices using diode- transistor combinations
- G05F3/24—Regulating voltage or current wherein the variable is dc using uncontrolled devices with non-linear characteristics being semiconductor devices using diode- transistor combinations wherein the transistors are of the field-effect type only
- G05F3/242—Regulating voltage or current wherein the variable is dc using uncontrolled devices with non-linear characteristics being semiconductor devices using diode- transistor combinations wherein the transistors are of the field-effect type only with compensation for device parameters, e.g. channel width modulation, threshold voltage, processing, or external variations, e.g. temperature, loading, supply voltage
Definitions
- the invention relates to a power source of the type mentioned in the preamble of claim 1.
- Such current sources are suitable for example for the generation of highly constant currents by far Output control range. They are advantageous in operational amplifiers, slope amplifiers, Switched current mode techniques are used for sigma-delta modulators, A / D converters, etc.
- a power source of the type mentioned in the preamble of claim 1 is known from the article "A High-Swing, High-Impedance MOS Cascode Circuit", IEEE J. Solid-State Circuits, vol. 25, no. 1, pp. 289-297, Feb. 1990 by the authors E. Sburginger and W. Guggenbühl. It is this power source a regulated MOS cascode constant current source.
- the constant current source feeds a load.
- a Switch either be supplied to the load or switched to ground (U. Tietze and Ch. Schenk, "Semiconductor Circuitry", Springer Verlag, 10th edition, p. 759).
- the constant current source is therefore always in operation. This leads to a continuous consumption of power loss.
- At the Switching naturally also changes the potential at the output of the current source from ground to one of the load-dependent value of the potential. This leads to undesirably large on or off current spikes, since when the potential changes, charge shifts in parasitic capacitances occur.
- the invention has for its object a constant current source with very good switching properties to propose. Another task is to make the power dissipation one for comparatively large ones To keep currents designed constant current source as low as possible.
- the constant current source 1 shows a constant current source 1 which has a current source transistor T1, a cascode transistor T2 operating as a follower, an amplifier transistor T3, an internal current source 2 and three switches S1, S2 and S3.
- the transistors T1, T2 and T3 are PMOS transistors, the connections of which, as usual, are referred to as gate, drain or source and which are represented by the symbols customary in the specialist literature.
- the constant current source 1 is supplied with the operating voltage V dd with respect to the ground m.
- the transistors T1 and T2 and the load L to be switched are connected in series: the source of the transistor T1 is connected to V dd , the drain of the transistor T1 is connected to the source of the transistor T2.
- the load L depends on the drain of the transistor T2 and the ground m.
- the transistor T3 and the current source 2 are also connected in series between the operating voltage V dd and the ground m, the source of the transistor T3 being connected to V dd .
- a constant voltage is applied to the gate of transistor T1.
- the gate of the transistor T2 can be connected on the one hand via the switch S3 to the voltage V dd or on the other hand via the switch S1 to the drain of the transistor T3.
- the drain of transistor T1 can be connected to the gate of transistor T3 via switch S2.
- the switches S1 and S2 are closed and the switch S3 is open.
- the amplifier transistor T3, the cascode transistor T2 and the current source 2 form a negative feedback loop in order to regulate the potential at the drain of the current source transistor T1 to a predetermined value that is as constant as possible.
- a current I p is fed into the load L.
- the switches S1 and S3 are used to switch the constant current source 1 on and off, during the Switch S2 shortens the settling time when switching on and off.
- the two switches S1 and S2 are first opened, which breaks the negative feedback loop. Switch S3 is then slightly delayed closed. When the constant current source 1 is switched on, the Switch S3 opened and then switches S1 and S2 closed.
- the transistor T3 also conducts the constant current source 1 when it is switched off, so that the current I 0 supplied by the internal current source 2 can continue to flow. Without the switch S2, ie with a direct connection between the drain of the transistor T1 and the gate of the transistor T3, the gate of the transistor T3 would be discharged via the transistor T1, so that the transistor T3 blocks and the current I 0 could no longer flow .
- the non-overlapping switching method ensures that the drain of the transistor T3 is not briefly connected to the potential V dd via the switches S1 and S3.
- the negative feedback loop stabilizes the potential at the drain of the current source transistor T1 very quickly when the constant current source 1 is switched on, so that the settling time and the switching spikes when the constant current source 1 is switched on become extremely short or small.
- the gate charge of the transistor T3 is briefly increased by charge injection of its channel feedback capacitances, but this is compensated again due to the reactive effect of the gate-drain channel feedback capacitance of the transistor T3, since the current I 0 always flows through the transistor T3.
- Constant current source 1 can be implemented using standard CMOS bulk technology.
- Fig. 1 shows a constant current source 1 realized with PMOS transistors.
- the Constant current source 1 but without switches S1, S2 and S3, in the version with NMOS Transistors revealed.
- the switches S1, S2 and S3 can be analogously implemented in this version with NMOS transistors.
- Such a constant current source 1 can be designed for a current I p , which can be, for example, 10 microamperes or one milliampere.
- I p a current which can be, for example, 10 microamperes or one milliampere.
- the power loss is noticeably reduced by switching off.
- the switches S1 to S3 are analog components with a finite switching time ⁇ .
- a "H” level is assigned to the "switched on” state of the switches S1 to S3 in FIG. 2, and a “L” level is assigned to the "switched off” state.
- the switches S1 to S3 for non-overlapping switching are activated, for example, with the 3 shown in the circuit.
- the circuit has a control input 3 and an output 4 Control of the switches S1 and S2 and an output 5 to control the switch S3.
- This Circuitry with two NOR gates and one inverter is often used for switched capacitor circuits used and is e.g. from the article "Switched Capacitor Circuit Design", R. Gregorian, K.W. Martin and G.C. Temes, Proc. IEEE, vol. 71, pp. 941-966, Aug. 1983. With additional inverters Between the outputs of the NOR gates and outputs 4 and 5, the duration of the Extend non-overlap between switching.
- FIG. 4 shows a special embodiment of the constant current source 1 shown in FIG. 1, in which MOS transistors are used as switches S1 to S3.
- the constant current source 1 has the input 3, via which the switches S1 to S3 are controlled.
- Switch S1 is an NMOS transistor with a body effect
- switches S2 and S3 are PMOS switches without a body effect.
- the switch S2 therefore has its own n-well or is integrated in the n-well of the transistor T2.
- the gates of switches S1 and S3 are connected directly to input 3, the gate of switch S2 is connected to input 3 via an inverter 6.
- the current source 2 consists of an NMOS transistor T4, which forms a current mirror with another NMOS transistor T5.
- the constant voltage at the gate of transistor T1 is generated by means of a PMOS transistor T6.
- the transistor T5 and the transistor T6 are in turn fed from further current sources 7 and 8 with currents I T5 and I T6 , respectively.
- the current source 7 is, for example, a PMOS transistor, the gate of which is connected to the gate of the transistor T6.
- the current I T6 and to a lesser extent the current I T5 influence the settling time of the constant current source 1. They must therefore be chosen large enough to keep the settling time as short as possible.
- the load L is, for example, a capacitor that is charged as long as there is a pulse at input 3 is present.
- the pulse lengths of a given number of pulses are simple in this way and add exactly and read out later with a correspondingly expanded circuit arrangement.
- the constant current source 9 shows a further constant current source 9 with PMOS transistors, in which the current I p flowing to the load L is not switched off, but is redirected.
- the constant current source 9 in turn has the current source transistor T1 and a negative feedback loop, which is formed by the one of two cascode transistors T2a and T2b arranged in parallel, the amplifier transistor T3 and the current source 2.
- a first switch S4 connects either the gate of the first cascode transistor T2a or the gate of the second cascode transistor T2b to the potential V dd .
- the gate of the other cascode transistor T2b or T2a is connected to the drain of transistor T3 by means of a second switch S5.
- the switches S4 and S5 are switched simultaneously.
- a load L1 is connected between the drain of the first cascode transistor T2a and the ground m, and a second load L2 is connected between the drain of the second cascode transistor T2b and the ground m.
- the drain of the first cascode transistor T2a or the drain of the second cascode transistor T2b can also be connected directly to the ground m.
- the constant current supplied by constant current source 9 thus feeds load L1 as current I pa or load L2 as current I pb .
- the potential at the drain of the current source transistor T1 is thus permanently regulated to a constant value.
- the potential at the drain of the current source transistor T1 can change briefly, since the diversity of the loads L1 and L2 generally causes different voltages at the drains of the cascode transistors T2a and T2b, which in turn causes the drain bulk Capacitance of the current source transistor T1 recharges.
- the currents I pa and I pb therefore have switch-on and switch-off spikes , but these are lower than in the conventional type of switching, where instead of the transistors T2a and T2b only the transistor T2 is present and where a changeover switch either drains the transistor T2 connects to load L1 or to load L2.
- the settling time of the currents I pa and I pb are roughly comparable to the settling time of the current I p of the constant current source 1 (FIG. 1).
- the constant current source 9 can also be implemented in an analog manner with NMOS transistors.
- the switched currents I p or I pa and I pb have current spikes when switching on and off, which are in the order of magnitude of the nominal value of the currents.
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Radar, Positioning & Navigation (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Nonlinear Science (AREA)
- Automation & Control Theory (AREA)
- Amplifiers (AREA)
- Control Of Electrical Variables (AREA)
- Continuous-Control Power Sources That Use Transistors (AREA)
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
- Electrical Discharge Machining, Electrochemical Machining, And Combined Machining (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Solid-Sorbent Or Filter-Aiding Compositions (AREA)
Abstract
Description
Die Erfindung betrifft eine Stromquelle der im Oberbegriff des Anspruchs 1 genannten Art.The invention relates to a power source of the type mentioned in the preamble of
Solche Stromquellen eignen sich beispielsweise zur Erzeugung von hochkonstanten Strömen mit weitem Ausgangsaussteuerbereich. Sie werden vorteilhaft in Operationsverstärkern, Steilheitsverstärkern, Switched Current Mode-Techniken für Sigma-Delta-Modulatoren, A/D- Wandlern, usw. eingesetzt.Such current sources are suitable for example for the generation of highly constant currents by far Output control range. They are advantageous in operational amplifiers, slope amplifiers, Switched current mode techniques are used for sigma-delta modulators, A / D converters, etc.
Eine Stromquelle der im Oberbegriff des Anspruchs 1 genannten Art ist bekannt aus dem Artikel "A
High-Swing, High-Impedance MOS Cascode Circuit", IEEE J. Solid-State Circuits, vol. 25, no. 1, pp.
289-297, Feb. 1990 der Autoren E. Säckinger und W. Guggenbühl. Es handelt sich bei dieser Stromquelle
um eine geregelte MOS-Kaskode-Konstantstromquelle.A power source of the type mentioned in the preamble of
Die Konstantstromquelle speist eine Last. Um ein schnelles Ein- und/oder Ausschalten der Last zu erreichen, kann der von der Konstantstromquelle gelieferte Strom in bekannter Weise mittels eines Umschalters entweder der Last zugeführt oder gegen Masse geschaltet werden (U. Tietze und Ch. Schenk, "Halbleiterschaltungstechnik", Springer Verlag, 10. Auflage, S. 759). Die Konstantstromquelle ist somit immer in Betrieb. Dies führt zu einem kontinuierlichen Verbrauch an Verlustleistung. Beim Schalten wechselt natürlich auch das Potential am Ausgang der Stromquelle von Masse auf einen von der Last abhängigen Wert des Potentials. Dies führt zu unerwünscht grossen Ein- bzw. Auschaltstromspikes, da beim Potentialwechsel Ladungsverschiebungen parasitärer Kapazitäten auftreten.The constant current source feeds a load. To quickly switch the load on and / or off can achieve the current supplied by the constant current source in a known manner by means of a Switch either be supplied to the load or switched to ground (U. Tietze and Ch. Schenk, "Semiconductor Circuitry", Springer Verlag, 10th edition, p. 759). The constant current source is therefore always in operation. This leads to a continuous consumption of power loss. At the Switching naturally also changes the potential at the output of the current source from ground to one of the load-dependent value of the potential. This leads to undesirably large on or off current spikes, since when the potential changes, charge shifts in parasitic capacitances occur.
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, eine Konstantstromquelle mit sehr guten Schalteigenschaften vorzuschlagen. Eine weitere Aufgabe besteht darin, die Verlustleistung einer für vergleichsweise grosse Ströme ausgelegten Konstantstromquelle möglichst tief zu halten.The invention has for its object a constant current source with very good switching properties to propose. Another task is to make the power dissipation one for comparatively large ones To keep currents designed constant current source as low as possible.
Die genannte Aufgabe wird erfindungsgemäss gelöst durch die Merkmale der Ansprüche 1 und 5.According to the invention, the stated object is achieved by the features of
Nachfolgend werden Ausführungsbeispiele der Erfindung anhand der Zeichnung näher erläutert.Exemplary embodiments of the invention are explained in more detail below with reference to the drawing.
Es zeigen:
- Fig. 1
- eine mit PMOS Transistoren realisierte, ein- und ausschaltbare Konstantstromquelle,
- Fig. 2
- ein Zeitdiagramm zur Darstellung des Schaltvorganges,
- Fig. 3
- eine Schaltungsanordnung zum nichtüberlappenden Schalten von zwei Schaltern,
- Fig. 4
- die Konstantstromquelle mit als MOS Transistoren ausgebildeten Schaltern und
- Fig. 5
- eine umschaltbare Konstantstromquelle.
- Fig. 1
- a constant current source realized with PMOS transistors that can be switched on and off,
- Fig. 2
- 1 shows a time diagram to illustrate the switching process,
- Fig. 3
- a circuit arrangement for the non-overlapping switching of two switches,
- Fig. 4
- the constant current source with switches designed as MOS transistors and
- Fig. 5
- a switchable constant current source.
Die Fig. 1 zeigt eine Konstantstromquelle 1, die einen Stromquellentransistor T1, einen als Folger
arbeitenden Kaskodetransistor T2, einen Verstärkertransistor T3, eine interne Stromquelle 2 und drei
Schalter S1, S2 und S3 aufweist. Die Transistoren T1, T2 und T3 sind PMOS-Transistoren, deren
Anschlüsse wie üblich als Gate, Drain bzw. Source bezeichnet sind und die mit den in der Fachliteratur
üblichen Symbolen dargestellt sind. Die Konstantstromquelle 1 ist mit der Betriebsspannung Vdd
gegenüber der Masse m gespeist.1 shows a constant
Die Transistoren T1 und T2 und die zu schaltende Last L sind in Reihe geschaltet: Das Source des
Transistors T1 ist mit Vdd verbunden, das Drain des Transistors T1 ist mit dem Source des Transistors
T2 verbunden. Die Last L hängt zwischen dem Drain des Transistors T2 und der Masse m. Der
Transistor T3 und die Stromquelle 2 sind ebenfalls in Reihe zwischen der Betriebsspannung Vdd und der
Masse m geschaltet, wobei das Source des Transistors T3 mit Vdd verbunden ist. An das Gate des
Transistors T1 ist eine konstante Spannung angelegt. Das Gate des Transistors T2 ist einerseits über den
Schalter S3 an die Spannung Vdd oder andererseits über den Schalter S1 an das Drain des Transistors T3
anschliessbar. Über den Schalter S2 ist das Drain des Transistors T1 mit dem Gate des Transistors T3
verbindbar.The transistors T1 and T2 and the load L to be switched are connected in series: the source of the transistor T1 is connected to V dd , the drain of the transistor T1 is connected to the source of the transistor T2. The load L depends on the drain of the transistor T2 and the ground m. The transistor T3 and the
Im eingeschalteten Zustand der Konstantstromquelle 1 sind die Schalter S1 und S2 geschlossen und der
Schalter S3 geöffnet. In diesem Zustand bilden der Verstärkertransistor T3, der Kaskodetransistor T2
und die Stromquelle 2 eine Gegenkopplungsschleife, um das Potential am Drain des Stromquellentransistors
T1 auf einen möglichst konstanten, vorbestimmten Wert zu regeln. In die Last L wird ein
Strom Ip eingespeist.When the constant
Im ausgeschalteten Zustand der Konstantstromquelle 1 sind die Schalter S1 und S2 geöffnet und der
Schalter S3 geschlossen. Die Gate-Source Kapazität des Transistors T2 wird beim Schliessen des
Schalters S3 sehr schnell entladen, so dass der Transistor T2 sofort sperrt. In die Last L wird kein Strom
eingespeist.When the constant
Die Schalter S1 und S3 dienen zum Ein- und Ausschalten der Konstantstromquelle 1, während der
Schalter S2 die Einschwingzeit beim Ein- und Ausschalten verkürzt.The switches S1 and S3 are used to switch the constant
Um die Konstantstromquelle 1 auszuschalten, werden zuerst die beiden Schalter S1 und S2 geöffnet,
wodurch die Gegenkopplungsschleife unterbrochen wird. Etwas verzögert wird dann der Schalter S3
geschlossen. Beim Einschalten der Konstantstromquelle 1 werden in umgekehrter Reihenfolge zuerst der
Schalter S3 geöffnet und dann verzögert die Schalter S1 und S2 geschlossen.To switch off the constant
Der Transistor T3 leitet auch im ausgeschalteten Zustand der Konstantstromquelle 1, so dass der von der
internen Stromquelle 2 gelieferte Strom I0 weiterhin fliessen kann. Ohne den Schalter S2, d.h. bei einer
direkten Verbindung zwischen dem Drain des Transistors T1 und dem Gate des Transistors T3, würde
das Gate des Transistors T3 über den Transistor T1 entladen, so dass der Transistor T3 sperrt und der
Strom I0 nicht mehr fliessen könnte. Durch die nichtüberlappende Schaltweise ist sichergestellt, dass das
Drain des Transistors T3 nicht kurzzeitig über die Schalter S1 und S3 mit dem Potential Vdd verbunden
ist. Da somit der Arbeitspunkt des Transistors T3 beim Schalten nicht wesentlich ändert und der Strom
I0 immer fliesst, stabilisiert die Gegenkopplungsschleife das Potential am Drain des Stromquellentransistors
T1 beim Einschalten der Konstantstromquelle 1 sehr schnell, so dass die Einschwingzeit und
die Schaltspikes beim Einschalten der Konstantstromquelle 1 äusserst kurz bzw. gering werden.The transistor T3 also conducts the constant
Beim Öffnen des Schalters S2 wird durch Ladungsinjektion seiner Kanalrückwirkungskapazitäten die Gateladung des Transistors T3 kurzzeitig erhöht, die sich aber infolge der reaktiven Wirkung der Gate-Drain-Kanalrückwirkungskapazität des Transistors T3 wieder ausgleicht, da immer der Strom I0 durch den Transistor T3 fliesst.When the switch S2 is opened, the gate charge of the transistor T3 is briefly increased by charge injection of its channel feedback capacitances, but this is compensated again due to the reactive effect of the gate-drain channel feedback capacitance of the transistor T3, since the current I 0 always flows through the transistor T3.
Der Einsatz zusätzlicher kapazitiver Elemente zur Verkleinerung der Ladungsinjektion auf dem Gate des Transistors T3, z.B. in der Form von sogenannten Dummy-Transistoren, brachte keine Verkürzung der Einschwingzeit.The use of additional capacitive elements to reduce the charge injection on the gate of the Transistor T3, e.g. in the form of so-called dummy transistors, did not shorten the Settling time.
Beim Schliessen des Schalters S1 wird durch die Gate-Drain-Kanalrvckwirkungskapazitat innerhalb
einer sehr kurzen Zeit von typisch einer Nanosekunde ein grösserer Stromspike in den gemeinsamen
Knoten des Drains des Transistors T3 und der Stromquelle 2 injiziert, der aber in dieser Zeitspanne
durch die Stromquelle 2 sofort wieder aufgehoben wird. Auch hier lohnt sich der Einsatz von Dummy-Transistoren
zur rein kapazitiven Kompensation der Stromspikes nicht, da diese die Reaktionszeiten
nicht verkürzen und der Einschwingvorgang bereits ohne Dummy-Transistoren wenig verlangsamt ist.When switch S1 is closed, the gate-drain channel feedback capacitance inside
a very short time of typically one nanosecond a larger current spike in the common
Node of the drain of the transistor T3 and the
Die Konstantstromquelle 1 lässt sich in einer Standard CMOS-Bulk Technologie realisieren. In der Fig.
1 ist eine mit PMOS Transistoren realisierte Konstantstromquelle 1 dargestellt. Bevorzugt ist die
Verwendung einer n-Wannen Technologie, bei der der Source-Bulk Kurzschluss des Transistors T2 in
einer separaten n-Wanne möglich ist, wodurch sich der Aussteuerbereich des Transistors T2 in positiver
Richtung vergrössert. Im obengenannten Artikel der Autoren E. Säckinger und W. Guggenbühl ist die
Konstantstromquelle 1, jedoch ohne die Schalter S1, S2 und S3, in der Ausführung mit NMOS
Transistoren offenbart. Die Schalter S1, S2 und S3 lassen sich in analoger Weise in diese Ausführung
mit NMOS Transistoren realisieren.Constant
Eine solche Konstantstromquelle 1 lässt sich auslegen für einen Strom Ip, der z.B. 10 Mikroampère oder
auch ein Milliampère betragen kann. Bei einer für vergleichsweise grosse Ströme ausgelegten Konstantstromquelle
1, bei der der Strom Ip markant grösser als der Strom I0 oder andere interne Ströme ist,
reduziert sich die Verlustleistung durch das Ausschalten merklich.Such a constant
Die Fig. 2 zeigt die Stellung der Schalter S1 - S3 und den idealisierten Strom Ip in Funktion der Zeit t, wobei die Konstantstromquelle 1 zum Zeitpunkt t1 ausgeschaltet und zum Zeitpunkt t2 wieder eingeschaltet wird. Die Schalter S1 bis S3 sind analoge Bauelemente mit einer endlichen Schaltzeit τ. Dem Zustand "eingeschaltet" der Schalter S1 bis S3 ist in der Fig. 2 ein Pegel "H", dem Zustand "ausgeschaltet" ein Pegel "L" zugeordnet.2 shows the position of the switches S1-S3 and the idealized current I p as a function of the time t, the constant current source 1 being switched off at the time t 1 and switched on again at the time t 2 . The switches S1 to S3 are analog components with a finite switching time τ. A "H" level is assigned to the "switched on" state of the switches S1 to S3 in FIG. 2, and a "L" level is assigned to the "switched off" state.
Die Ansteuerung der Schalter S1 bis S3 zum nichtüberlappenden Schalten erfolgt zum Beispiel mit der
in der Fig. 3 gezeigten Schaltung. Die Schaltung weist einen Steuereingang 3, einen Ausgang 4 zur
Steuerung der Schalter S1 und S2 und einen Ausgang 5 zur Steuerung des Schalters S3 auf. Diese
Schaltung mit zwei NOR-Gattern und einem Inverter wird vielfach für Switched Capacitor Schaltungen
eingesetzt und ist z.B. aus dem Artikel "Switched Capacitor Circuit Design", R. Gregorian, K.W. Martin
and G.C. Temes, Proc. IEEE, vol. 71, pp. 941-966, Aug. 1983 bekannt. Durch zusätzliche Inverter
zwischen den Ausgängen der NOR-Gatter und den Ausgängen 4 und 5 lässt sich die Dauer der
Nichtüberlappung zwischen dem Schalten verlängern.The switches S1 to S3 for non-overlapping switching are activated, for example, with the
3 shown in the circuit. The circuit has a
Die Fig. 4 zeigt ein spezielles Ausführungsbeispiel der in der Fig. 1 dargestellten Konstantstromquelle 1,
bei der als Schalter S1 bis S3 MOS Transistoren verwendet werden. Die Konstantstromquelle 1 weist
den Eingang 3 auf, über den die Schalter S1 bis S3 gesteuert werden. Der Schalter S1 ist ein NMOS
Transistor mit Bodyeffekt, die Schalter S2 und S3 sind PMOS Schalter ohne Bodyeffekt. Der Schalter
S2 weist deshalb eine eigene n-Wanne auf oder ist in die n-Wanne des Transistors T2 integriert. Die
Gates der Schalter S1 und S3 sind direkt mit dem Eingang 3 verbunden, das Gate des Schalters S2 ist
über einen Inverter 6 mit dem Eingang 3 verbunden. Führt der Eingang 3 ein logisch hohes Potential,
z.B. das Potential Vdd, dann ist die Konstantstromquelle 1 eingeschaltet, führt der Eingang 3 ein logisch
tiefes Potential, z.B. das Potential der Masse m, dann ist die Konstantstromquelle 1 ausgeschaltet. Am
Eingang 3 eintreffende Pulse der richtigen Polarität schalten somit mit ihrer positiven Flanke die
Konstantstromquelle 1 ein und mit ihrer negativen Flanke wieder aus.FIG. 4 shows a special embodiment of the constant
Beim Einschalten der Konstantstromquelle 1 passiert folgendes: Zu Beginn liegt das Gate des
Transistors T2 an Vdd, so dass der als Schalter S1 dienende NMOS Transistor sperrt. Erreicht die
Spannung am Eingang 3 die Schwellspannung des Schalters S3, dann sperrt der Schalter S3, so dass die
Spannung am Gate des Transistors T2 und an dem Source des Schalten S1 sinkt und schliesslich der
Schalter S1 leitend wird, d.h. schliesst. Der Schalter S1 schaltet somit immer erst ein, wenn der Schalter
S3 bereits geöffnet ist. Der Schalter S2 schliesst um eine sehr geringe Gatterverzögerung vor dem
Schalter S1, da der Schalter S2 ohne Bodyeffekt wirkt. Mit Bodyeffekt des Schalten S2 wäre die
Einschwingzeit des Stromes Ip grösser.When constant
Die Stromquelle 2 besteht aus einem NMOS Transistor T4, der mit einem weiteren NMOS Transistor
T5 einen Stromspiegel bildet. Die konstante Spannung am Gate des Transistors T1 wird mittels eines
PMOS Transistors T6 erzeugt. Der Transistor T5 und der Transistor T6 sind ihrerseits aus weiteren
Stromquellen 7 bzw. 8 mit Strömen IT5 bzw. IT6 gespeist. Die Stromquelle 7 ist beispielsweise ein PMOS
Transistor, dessen Gate mit dem Gate des Transistors T6 verbunden ist. Vor allem der Strom IT6 und in
geringerem Mass der Strom IT5 beeinflussen die Einschwingzeit der Konstantstromquelle 1. Sie sind
deshalb ausreichend gross zu wählen, um die Einschwingzeit möglichst kurz zu halten.The
Die Last L ist beispielsweise ein Kondensator, der geladen wird, solange am Eingang 3 ein Impuls
anliegt. Die Impulslängen einer vorgegebenen Anzahl von Impulsen lassen sich aufdiese Weise einfach
und genau addieren und später mit einer entsprechend erweiterten Schaltungsanordnung auslesen. The load L is, for example, a capacitor that is charged as long as there is a pulse at
Die Fig. 5 zeigt eine weitert Konstantstromquelle 9 mit PMOS Transistoren, bei der der zur Last L
fliessende Strom Ip nicht abgeschaltet, sondern umgeleitet wird. Die Konstantstromquelle 9 weist
wiederum den Stromquellentransistor T1 und eine Gegenkopplungsschleife auf, die durch den einen von
zwei parallel angeordneten Kaskodetransistoren T2a und T2b, den Verstärkertransistor T3 und die
Stromquelle 2 gebildet ist. Mittels eines ersten Umschalters S4 ist entweder das Gate des ersten
Kaskodetransistors T2a oder das Gate des zweiten Kaskodetransistors T2b mit dem Potential Vdd
verbunden. Mittels eines zweiten Umschalters S5 ist das Gate des anderen Kaskodetransistors T2b bzw.
T2a mit dem Drain des Transistors T3 verbunden. Die Umschalter S4 und S5 werden gleichzeitig
geschaltet. Zwischen dem Drain des ersten Kaskodetransistors T2a und der Masse m ist eine Last L1
geschaltet, zwischen dem Drain des zweiten Kaskodetransistors T2b und der Masse m ist eine zweite
Last L2 geschaltet. Das Drain des ersten Kaskodetransistors T2a oder das Drain des zweiten Kaskodetransistors
T2b kann aber auch direkt mit der Masse m verbunden sein. Der von der Konstantstromquelle
9 gelieferte Konstantstrom speist somit entweder als Strom Ipa die Last L1 oder als Strom Ipb die Last L2.
Das Potential am Drain des Stromquellentransistors T1 ist somit permanent auf einen konstanten Wert
geregelt.5 shows a further constant
Während des Umschaltvorganges der beiden Umschalter S4 und S5 kann sich das Potential am Drain
des Stromquellentransistors T1 kurzzeitig ändern, da die Verschiedenartigkeit der Lasten L1 und L2 in
der Regel unterschiedliche Spannungen an den Drains der Kaskodetransistoren T2a und T2b bedingt,
was wiederum die Drain-Bulk Kapazität des Stromquellentransistors T1 umlädt. Die Ströme Ipa und Ipb
weisen deshalb Ein- und Ausschaltspikes auf, diese sind jedoch geringer als bei der konventionellen Art
der Umschaltung, wo anstelle der Transistoren T2a und T2b nur der Transistor T2 vorhanden ist und wo
ein Umschalter das Drain des Transistort T2 entweder mit der Last L1 oder mit der Last L2 verbindet.
Die Einschwingzeit der Ströme Ipa und Ipb sind etwa vergleichbar mit der Einschwingzeit des Stromes Ip
der Konstantstromquelle 1 (Fig. 1). Die Konstantstromquelle 9 lässt sich in analoger Weise auch mit
NMOS Transistoren realisieren.During the switching process of the two switches S4 and S5, the potential at the drain of the current source transistor T1 can change briefly, since the diversity of the loads L1 and L2 generally causes different voltages at the drains of the cascode transistors T2a and T2b, which in turn causes the drain bulk Capacitance of the current source transistor T1 recharges. The currents I pa and I pb therefore have switch-on and switch-off spikes , but these are lower than in the conventional type of switching, where instead of the transistors T2a and T2b only the transistor T2 is present and where a changeover switch either drains the transistor T2 connects to load L1 or to load L2. The settling time of the currents I pa and I pb are roughly comparable to the settling time of the current I p of the constant current source 1 (FIG. 1). The constant
Mit den Konstantstromquellen 1 und 9 sind bei Realisierung in einer 2µm CMOS-Bulk Technologie
Einschwingzeiten von ungefähr 50 Nanosekunden erreichbar. Dabei weisen die geschalteten Ströme Ip
bzw. Ipa und Ipb Stromspikes beim Ein- und Ausschalten auf, die in der Grössenordnung des Nennwertes
der Ströme liegen.With constant
Claims (6)
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CH181196 | 1996-07-19 | ||
CH181196 | 1996-07-19 | ||
CH1811/96 | 1996-07-19 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
EP0821460A2 true EP0821460A2 (en) | 1998-01-28 |
EP0821460A3 EP0821460A3 (en) | 1998-04-08 |
EP0821460B1 EP0821460B1 (en) | 2002-06-19 |
Family
ID=4219161
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
EP97111124A Expired - Lifetime EP0821460B1 (en) | 1996-07-19 | 1997-07-03 | Current source |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
EP (1) | EP0821460B1 (en) |
AT (1) | ATE219610T1 (en) |
CZ (1) | CZ223297A3 (en) |
DE (1) | DE59707548D1 (en) |
PL (1) | PL183356B1 (en) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP1303047A1 (en) * | 2001-10-09 | 2003-04-16 | Philips Corporate Intellectual Property GmbH | Digital switchable current source |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0637874A1 (en) * | 1993-08-02 | 1995-02-08 | Siemens Aktiengesellschaft | MOS switching stage |
EP0722221A2 (en) * | 1995-01-13 | 1996-07-17 | Nec Corporation | Current switching circuit operable at high speed without externally supplied reference bias |
-
1997
- 1997-07-03 PL PL97320932A patent/PL183356B1/en not_active IP Right Cessation
- 1997-07-03 EP EP97111124A patent/EP0821460B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1997-07-03 AT AT97111124T patent/ATE219610T1/en not_active IP Right Cessation
- 1997-07-03 DE DE59707548T patent/DE59707548D1/en not_active Expired - Fee Related
- 1997-07-15 CZ CZ972232A patent/CZ223297A3/en unknown
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0637874A1 (en) * | 1993-08-02 | 1995-02-08 | Siemens Aktiengesellschaft | MOS switching stage |
EP0722221A2 (en) * | 1995-01-13 | 1996-07-17 | Nec Corporation | Current switching circuit operable at high speed without externally supplied reference bias |
Non-Patent Citations (1)
Title |
---|
S[CKINGER ET AL: "a high-swing, high-impedance mos cascode circuit" IEEE JOURNAL OF SOLID STATE CIRCUITS, Bd. 25, Nr. 1, Februar 1990, NEW-YORK, Seiten 289-298, XP000101879 * |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP1303047A1 (en) * | 2001-10-09 | 2003-04-16 | Philips Corporate Intellectual Property GmbH | Digital switchable current source |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
ATE219610T1 (en) | 2002-07-15 |
PL183356B1 (en) | 2002-06-28 |
EP0821460A3 (en) | 1998-04-08 |
PL320932A1 (en) | 1998-02-02 |
DE59707548D1 (en) | 2002-07-25 |
EP0821460B1 (en) | 2002-06-19 |
CZ223297A3 (en) | 1998-02-18 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
DE69020295T2 (en) | Time delay circuits with temperature compensation. | |
DE2555297C2 (en) | Digital circuit with field effect transistors | |
DE69216142T2 (en) | Simplified output buffer circuit with low interference voltage | |
DE3740571C2 (en) | Circuit arrangement for power-on-reset of integrated logic circuits in MOS technology | |
DE69411406T2 (en) | Electricity storage | |
DE3705140C2 (en) | Power-on / reset circuit implemented in MOS technology for logic circuit arrangements, in particular for peripherals of microprocessors | |
EP0591750B1 (en) | Method for adjusting the current in a monolithic integrated output driver | |
DE3887240T2 (en) | Circuit arrangement for storing sampled electrical analog currents. | |
DE10128384A1 (en) | Charge pump circuit | |
DE19637444C2 (en) | Input circuit | |
DE69019665T2 (en) | CMOS driver circuit. | |
DE3880239T2 (en) | Amplifier circuit that contains a load circuit. | |
WO2007118540A1 (en) | Fast cmos current mirror | |
DE102007055419A1 (en) | transistor switch | |
DE69216663T2 (en) | Circuit | |
DE10207802B4 (en) | CMOS differential amplifier | |
DE60203039T2 (en) | Switched level shift circuit in an analog switch | |
DE2802595C2 (en) | Circuit arrangement with field effect transistors for voltage level conversion | |
DE3321553A1 (en) | PULSE GENERATOR AS AN INTEGRATED CIRCUIT | |
EP1733475A1 (en) | Pulse-generator circuit and circuit arrangement | |
DE19949144C1 (en) | Digital driver circuit for IC device has input stages, delay stage, intermediate stage and output stage provided by chain of CMOS-inverters | |
EP0022931B1 (en) | Voltage level conversion circuitry and purporting method | |
DE69430525T2 (en) | Low power dissipation initialization circuit, especially for memory registers | |
DE2835692B2 (en) | Binary logical OR element for programmed logical arrangements | |
DE3854155T2 (en) | GaAs Mesfet logic circuits with push-pull output buffer circuits. |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PUAI | Public reference made under article 153(3) epc to a published international application that has entered the european phase |
Free format text: ORIGINAL CODE: 0009012 |
|
AK | Designated contracting states |
Kind code of ref document: A2 Designated state(s): AT CH DE FR LI SE |
|
PUAL | Search report despatched |
Free format text: ORIGINAL CODE: 0009013 |
|
AK | Designated contracting states |
Kind code of ref document: A3 Designated state(s): AT BE CH DE DK ES FI FR GB GR IE IT LI LU MC NL PT SE |
|
17P | Request for examination filed |
Effective date: 19981008 |
|
AKX | Designation fees paid |
Free format text: AT CH DE FR LI SE |
|
RBV | Designated contracting states (corrected) |
Designated state(s): AT CH DE FR LI SE |
|
RAP1 | Party data changed (applicant data changed or rights of an application transferred) |
Owner name: SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT |
|
GRAG | Despatch of communication of intention to grant |
Free format text: ORIGINAL CODE: EPIDOS AGRA |
|
17Q | First examination report despatched |
Effective date: 20011004 |
|
GRAG | Despatch of communication of intention to grant |
Free format text: ORIGINAL CODE: EPIDOS AGRA |
|
GRAH | Despatch of communication of intention to grant a patent |
Free format text: ORIGINAL CODE: EPIDOS IGRA |
|
GRAH | Despatch of communication of intention to grant a patent |
Free format text: ORIGINAL CODE: EPIDOS IGRA |
|
GRAA | (expected) grant |
Free format text: ORIGINAL CODE: 0009210 |
|
AK | Designated contracting states |
Kind code of ref document: B1 Designated state(s): AT CH DE FR LI SE |
|
PG25 | Lapsed in a contracting state [announced via postgrant information from national office to epo] |
Ref country code: FR Free format text: LAPSE BECAUSE OF FAILURE TO SUBMIT A TRANSLATION OF THE DESCRIPTION OR TO PAY THE FEE WITHIN THE PRESCRIBED TIME-LIMIT Effective date: 20020619 |
|
REF | Corresponds to: |
Ref document number: 219610 Country of ref document: AT Date of ref document: 20020715 Kind code of ref document: T |
|
REG | Reference to a national code |
Ref country code: CH Ref legal event code: NV Representative=s name: SIEMENS SCHWEIZ AG Ref country code: CH Ref legal event code: EP |
|
REF | Corresponds to: |
Ref document number: 59707548 Country of ref document: DE Date of ref document: 20020725 |
|
PG25 | Lapsed in a contracting state [announced via postgrant information from national office to epo] |
Ref country code: SE Free format text: LAPSE BECAUSE OF FAILURE TO SUBMIT A TRANSLATION OF THE DESCRIPTION OR TO PAY THE FEE WITHIN THE PRESCRIBED TIME-LIMIT Effective date: 20020919 |
|
EN | Fr: translation not filed | ||
PLBE | No opposition filed within time limit |
Free format text: ORIGINAL CODE: 0009261 |
|
STAA | Information on the status of an ep patent application or granted ep patent |
Free format text: STATUS: NO OPPOSITION FILED WITHIN TIME LIMIT |
|
26N | No opposition filed |
Effective date: 20030320 |
|
PGFP | Annual fee paid to national office [announced via postgrant information from national office to epo] |
Ref country code: AT Payment date: 20040505 Year of fee payment: 8 |
|
PGFP | Annual fee paid to national office [announced via postgrant information from national office to epo] |
Ref country code: CH Payment date: 20040517 Year of fee payment: 8 |
|
REG | Reference to a national code |
Ref country code: CH Ref legal event code: PUE Owner name: LANDIS+GYR GMBH Free format text: SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT#WITTELSBACHERPLATZ 2#80333 MUENCHEN (DE) -TRANSFER TO- LANDIS+GYR GMBH#HUMBOLDTSTRASSE 64#90459 NUERNBERG (DE) Ref country code: CH Ref legal event code: NV Representative=s name: OK PAT AG PATENTE MARKEN LIZENZEN |
|
REG | Reference to a national code |
Ref country code: CH Ref legal event code: NV Representative=s name: RENTSCH & PARTNER |
|
PG25 | Lapsed in a contracting state [announced via postgrant information from national office to epo] |
Ref country code: AT Free format text: LAPSE BECAUSE OF NON-PAYMENT OF DUE FEES Effective date: 20050703 |
|
PG25 | Lapsed in a contracting state [announced via postgrant information from national office to epo] |
Ref country code: LI Free format text: LAPSE BECAUSE OF NON-PAYMENT OF DUE FEES Effective date: 20050731 Ref country code: CH Free format text: LAPSE BECAUSE OF NON-PAYMENT OF DUE FEES Effective date: 20050731 |
|
REG | Reference to a national code |
Ref country code: CH Ref legal event code: PL |
|
PGFP | Annual fee paid to national office [announced via postgrant information from national office to epo] |
Ref country code: DE Payment date: 20070919 Year of fee payment: 11 |
|
PG25 | Lapsed in a contracting state [announced via postgrant information from national office to epo] |
Ref country code: DE Free format text: LAPSE BECAUSE OF NON-PAYMENT OF DUE FEES Effective date: 20090203 |