EP0707294A1 - Spiegel für einen Infraroteindringdetektor und Infraroteindringdetektor mit einer Spiegelanordnung - Google Patents

Spiegel für einen Infraroteindringdetektor und Infraroteindringdetektor mit einer Spiegelanordnung Download PDF

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EP0707294A1
EP0707294A1 EP94115948A EP94115948A EP0707294A1 EP 0707294 A1 EP0707294 A1 EP 0707294A1 EP 94115948 A EP94115948 A EP 94115948A EP 94115948 A EP94115948 A EP 94115948A EP 0707294 A1 EP0707294 A1 EP 0707294A1
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mirror
layer
radiation
reflection layer
infrared
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EP94115948A
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English (en)
French (fr)
Inventor
Dieter Wieser
Martin Dr. Allemann
René Lange
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Siemens Building Technologies AG
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Cerberus AG
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    • G08B—SIGNALLING SYSTEMS, e.g. PERSONAL CALLING SYSTEMS; ORDER TELEGRAPHS; ALARM SYSTEMS
    • G08B13/00—Burglar, theft or intruder alarms
    • G08B13/18—Actuation by interference with heat, light, or radiation of shorter wavelength; Actuation by intruding sources of heat, light, or radiation of shorter wavelength
    • G08B13/189—Actuation by interference with heat, light, or radiation of shorter wavelength; Actuation by intruding sources of heat, light, or radiation of shorter wavelength using passive radiation detection systems
    • G08B13/19—Actuation by interference with heat, light, or radiation of shorter wavelength; Actuation by intruding sources of heat, light, or radiation of shorter wavelength using passive radiation detection systems using infrared-radiation detection systems
    • G08B13/193—Actuation by interference with heat, light, or radiation of shorter wavelength; Actuation by intruding sources of heat, light, or radiation of shorter wavelength using passive radiation detection systems using infrared-radiation detection systems using focusing means
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S250/00—Radiant energy
    • Y10S250/01—Passive intrusion detectors

Definitions

  • the invention is in the field of passive infrared intrusion detectors, which are known detectors for the detection of movements of people and objects in a specific room based on the infrared radiation they emit.
  • Such infrared penetration detectors contain one or more infrared-sensitive sensors, each with two or more pyroelectric sensor elements, which emit an electrical signal when the incident infrared radiation changes.
  • the infrared radiation enters the detector housing through an infrared-transparent entry window and is focused on the sensor elements by suitable optical elements.
  • these optical elements are concave mirrors or Fresnel lenses consisting of several mirror surfaces, which are simultaneously designed as entrance windows.
  • infrared intrusion detectors are provided with various optical filters, for example with interference filters, which are preferably arranged on the pyro sensors.
  • a similar effect can be achieved by roughening the mirror surface, the roughness of the mirror surfaces causing infrared selectivity. This has the effect that infrared radiation of the desired wavelength focuses on the sensor elements, while the stray light is diffusely scattered.
  • Such a roughened mirror surface is described for example in EP-A-0 617 389.
  • Both types of scatter filters have in common that their effect on the signal of the pyro sensor depends in a relatively complicated manner on the geometry of the detector (e.g. mirror geometry, aperture of the pyro sensor, distance of the sensor from the mirror).
  • the present invention relates to a mirror for an infrared intrusion detector for focusing radiation incident from a specific direction onto at least one pyroelectric sensor element.
  • This mirror should be designed in such a way that undesired stray light does not surely reach the at least one sensor element, so that false alarms triggered by stray light radiation cannot occur.
  • the mirror has a carrier layer made of dark material and a reflection layer applied to it, which is transparent on the one hand for interference radiation below the wavelength range of human thermal radiation and on the other hand strongly reflects radiation from the mentioned wavelength range.
  • dark material means a material that absorbs well above a wavelength of approximately 4 ⁇ m.
  • the reflective layer is transparent in the visible range and allows infrared radiation of small wavelengths, preferably those below 4 - 7 ⁇ m, so that it can get into the dark carrier layer, where it is absorbed.
  • a first preferred exemplary embodiment of the mirror according to the invention is characterized in that the reflection layer is formed by a doped semiconductor layer, preferably a so-called ITO layer.
  • ITO stands for indium tin oxide (indium tin oxide).
  • ITO is an n-type semiconductor with a very wide band gap of 3.3 eV, which can be doped so strongly that the free plasma wavelength comes into the near infrared.
  • Another advantage of the ITO layer is that it is hard, i.e. wear-resistant, and chemically inert. The latter means that the mentioned properties of the mirror according to the invention are practically unchangeable during its lifetime.
  • a second preferred exemplary embodiment is characterized in that the reflection layer is formed by a very thin metal layer or by a multilayer interference filter.
  • Gold or another noble metal is particularly suitable for the metal layer, and zinc sulfide or germanium, for example, can be used as a multilayer interference filter.
  • Another preferred exemplary embodiment of the mirror according to the invention is characterized in that the dark carrier layer consists of black plastic or metal.
  • the invention further relates to an infrared intrusion detector with a mirror arrangement which contains a mirror of the type mentioned and consists of at least one primary mirror and one secondary mirror.
  • the infrared intrusion detector according to the invention is characterized in that the secondary mirror is formed by the mirror having the carrier layer and the reflection layer.
  • the infrared penetration detector has a housing G, in which essentially a pyro sensor 1, an entry window 2 for the radiation falling on the detector from a room to be monitored and a mirror 3 are arranged.
  • the mirror 3 is used to focus the radiation incident on the pyrosensor 1 from the entrance window 2 through a certain active area.
  • the radiation falling through the entrance window 2 onto the mirror 3 is S e and the radiation reflected from the mirror 3 onto the pyrosensor 1 is included S r referred.
  • Such detectors belong to the prior art, so that a more detailed description of the detector structure can be dispensed with.
  • reference is made to the passive infrared detectors sold by Cerberus AG under the type designations DR413 / 414 and DR421 and to EP-A-0 361 224 ( US-A-4,990,783).
  • the feature which essentially distinguishes the infrared penetration detector shown from known detectors is formed by the mirror 3, which is composed of at least two layers, a carrier layer 4 and a reflection layer 5, the reflection layer being applied to the front surface of the carrier layer in the beam path.
  • a coating layer applied to the reflection layer 5 can be provided, which consists, for example, of MgF2.
  • the infrared drift detector does not contain a single mirror but rather a mirror arrangement consisting of at least one primary mirror and one secondary mirror, wherein the at least one primary mirror is acted upon by the incident radiation and reflects it onto the secondary mirror, which in turn focuses the radiation incident on it onto the pyro sensor 1.
  • the secondary mirror which is significantly smaller than the at least one primary mirror, is designed in the manner of the mirror 3.
  • the reflection layer 5 is a so-called heat mirror and, on the one hand, has a high reflectivity for "warm” radiation, that is to say infrared radiation in the range of 4 .mu.m-15 .mu.m typical for human heat radiation, and on the other hand it is transparent for the radiation below about 4 .mu.m. The latter also applies in particular to radiation from the range of the spectrum of visible light.
  • the reflection layer 5 is either a very thin metal layer, preferably a gold layer, or a multilayer interference filter made of zinc sulfide or germanium, or a doped semiconductor layer.
  • ITO indium tin oxide
  • ITO is an n-type semiconductor with a very wide band gap of 3.3 eV, which can be doped so strongly that the free plasma wavelength comes to lie in the near infrared.
  • the wavelength selectivity, or in other words, the filter property, of this layer is an exclusive material property.
  • the ITO layer forming the reflection layer is applied, for example, by reactive magnetron sputtering.
  • the carrier layer 4 consists of a dark plastic, preferably of a black ABS (acrylonitrile-butodiene-styrene polymer), or of a deep-drawn, black metal, the dark color serving to give the carrier layer 4 a good absorption capacity.
  • the effect of the doped semiconductor on the black carrier layer is based solely on the dielectric properties of the reflection layer 5. This means that the separation of those reflected from the reflection layer and the wavelengths it transmits occurs at the contact surface between air and reflection layer 5 and therefore, provided that the reflection layer 5 does not fall below a certain minimum thickness, is only very slightly dependent on this layer thickness.
  • ITO layer Another advantage of the ITO layer is that it is very hard and therefore resistant, and that it is also chemically inert. The latter has the consequence that the reflection properties and the filtering effect of the reflection layer do not change over years, so that properties of the reflection layer 5 which are constant over the life of the reflector can be assumed.
  • An infrared beam S e falling through the entrance window 2 onto the mirror 3 is either reflected by the reflection layer 5 and focused on the pyro sensor 1 (beam S r ) or it is transmitted through the reflection layer 5 and reaches the black carrier layer 4 (rays S a ) where it is completely absorbed.
  • the only criterion as to whether a beam S e falling on the mirror 3 is reflected or absorbed is its wavelength. If this is in the typical range of 4 ⁇ m to 15 ⁇ m for the heat radiation emitted by a person, then reflection occurs; if it is below about 4 ⁇ m, absorption takes place. This filter limit is determined by appropriate doping of the ITO layer forming the reflection layer 5.
  • the filtering effect of the "black" mirror 3 can be further enhanced by using a pigmented entrance window 2 that scatters the incident radiation S e depending on the wavelength.

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Abstract

Der Spiegel (3) dient zur Fokussierung von aus einer bestimmten Richtung einfallender Strahlung (Se) auf mindestens ein pyroelektrisches Sensorelement (1). Um zu verhindern, dass unerwünschte Störstrahlung auf das Sensorelement (1) gelangt, ist der Spiegel (3) als Hitzespiegel ausgebildet und mehrschichtig aufgebaut. Der Spiegel (3) weist eine Trägerschicht (4) aus dunklem Material und eine auf diese applizierte Reflexionsschicht (5) auf. Die letztere ist einerseits für Störstrahlung unterhalb des Wellenlängenbereichs von menschlicher Wärmestrahlung transparent und reflektiert andererseits Strahlung aus dem genannten Wellenlängenbereich stark. Die Reflexionsschicht (5) ist vorzugsweise durch eine sogenannte ITO-Schicht gebildet.

Description

  • Die Erfindung liegt auf dem Gebiet der passiven Infraroteindringdetektoren, das sind bekanntlich Detektoren zur Erkennung von Bewegungen von Personen und Objekten in einem bestimmten Raum anhand der von ihnen ausgesandten Infrarotstrahlung. Derartige Infraroteindringdetektoren enthalten einen oder mehere infrarotempfindliche Sensoren mit je zwei oder mehreren pyroelektrischen Sensorelementen, die bei Veränderung der einfallenden Infrarotstrahlung ein elektrisches Signal abgeben. Die Infrarotstrahlung tritt durch ein infrarotdurchlässiges Eintrittsfenster in das Detektorgehäuse ein und wird durch geeignete optische Elemente auf die Sensorelemente fokussiert. Diese optischen Elemente sind in der Regel aus mehreren Spiegelflächen bestehende Hohlspiegel oder Fresnellinsen, die gleichzeitig als Eintrittsfenster ausgebildet sind.
  • Zur Unterscheidung der von warmen Körpern ausgesandten Infrarotstrahlung, deren Wellenlänge in einem Bereich um 10 µm liegt, von Störlichtstrahlung anderer Wellenlängenbereiche, sind Infraroteindringdetektoren mit verschiedenen optischen Filtern, beispielsweise mit Interferenzfiltern, versehen, die vorzugsweise an den Pyrosensoren angeordnet sind.
  • Beim praktischen Einsatz derartiger Infrarotdetektoren hat sich gezeigt, dass diese auch bei Ausrüstung mit sehr guten Interferenzfiltern auf elektromagnetische Strahlung einer wesentlich keineren Wellenlänge als die erwähnten 10 µm ansprechen und in Alarmzustand gebracht werden können. Um diesem unerwünschten Verhalten der Detektoren beizukommen, versieht man sie mit Streufiltern in Form von pigmentierten Eintrittsfenstern, welche durch wellenlängenabhängige Streuung der auffallenden Strahlung eine Filterwirkung erzielen. Ein derartiges pigmentiertes Eintrittsfenster ist beispielsweise aus der EP-A-0 440 112 bekannt.
  • Eine ähnliche Wirkung lässt sich durch eine Aufrauhung der Spiegeloberfläche erzielen, wobei die Rauhigkeit der Spiegelflächen eine Infrarotselektivität bewirkt. Diese wirkt sich dahingehend aus, dass Infrarotstrahlung der gewünschten Wellenlänge auf die Sensorelemente fokussiert, das Störlicht hingegen diffus gestreut wird. Eine derartige aufgerauhte Spiegeloberfläche ist beispielsweise in der EP-A-0 617 389 beschrieben.
  • Beiden genannten Arten von Streufiltern ist gemeinsam, dass ihre Wirkung auf das Signal des Pyrosensors in relativ komplizierter Weise von der Geometrie des Detektors (z.B. Spiegelgeometrie, Apertur des Pyrosensors, Abstand des Sensors vom Spiegel) abhängig ist.
  • Die vorliegende Erfindung betrifft einen Spiegel für einen Infraroteindringdetektor zur Fokussierung von aus einer bestimmten Richtung einfallender Strahlung auf mindestens ein pyroelektrisches Sensorelement. Dieser Spiegel soll so ausgebildet sein, dass unerwünschtes Störlicht mit Sicherheit nicht auf das mindestens eine Sensorlement gelangt, so dass keine durch Störlichtstrahlung ausgelösten Fehlalarme auftreten können.
  • Diese Aufgabe wird erfindungsgemäss dadurch gelöst, dass der Spiegel eine Trägerschicht aus dunklem Material und eine auf diese applizierte Reflexionschicht aufweist, welche einerseits für Störstrahlung unterhalb des Wellenlängenbereichs von menschlicher Wärmestrahlung transparent ist und andererseits Strahlung aus dem genannten Wellenlängenbereich stark reflektiert.
  • Mit "dunklem Material" ist in diesem Zusammenhang ein Material gemeint, das oberhalb einer Wellenlänge von etwa 4 µm gut absorbiert. Die Reflexionsschicht ist im sichtbaren Bereich transparent und lässt Infrarotstrahlung kleiner Wellenlängen, vorzugsweise solche unterhalb von 4 - 7 µm, durch, so dass diese in die dunkle Trägerschicht gelangen kann, wo sie absorbiert wird.
  • Das ist ein wesentlicher Unterschied gegenüber den bekannten Streufiltern, wo man versucht, die Störstrahlung durch Streuung so im Detektor zu verteilen, dass sie nicht mit einer für einen Alarm ausreichenden Intensität auf den Pyrosensor gelangt. Das ist naturgemäss eine relativ willkürliche und nur schwer kontrollierbare Methode.
  • Ein erstes bevorzugtes Ausführungsbeispiel des erfindungsgemässen Spiegels ist dadurch gekennzeichnet, dass die Reflexionsschicht durch eine dotierte Halbleiterschicht, vorzugsweise eine sogenannte ITO-Schicht, gebildet ist. Dabei steht ITO für Indium-Tin-Oxide (Indium-Zinn-Oxid). ITO ist ein n-Typ Halbleiter mit einem sehr breiten Bandabstand von 3.3 eV, der so stark dotiert werden kann, dass die freie Plasmawellenlänge ins nahe Infrarot zu liegen kommt. Ein weiterer Vorteil der ITO-Schicht liegt darin, dass diese hart, also verschleissfest, und chemisch inert ist. Letzteres bedeutet, dass die genannten Eigenschaften des erfindungsgemässen Spiegels während dessen Lebenszeit praktisch unveränderlich sind.
  • Ein zweites bevorzugtes Ausführungsbeispiel ist dadurch gekennzeichnet, dass die Reflexionsschicht durch eine sehr dünne Metallschicht oder durch ein mehrschichtiges Interferenzfilter gebildet ist. Für die Metallschicht kommt insbesondere Gold oder ein anderes Edelmetall in Frage, und als mehrschichtiges Interferfenzfilter kann beispielsweise Zinksulfid oder Germanium verwendet werden.
  • Ein weiteres bevorzugtes Ausführungsbeispiel des erfindungsgemässen Spiegels ist dadurch gekennzeichnet, dass die dunkle Trägerschicht aus schwarzem Kunststoff oder Metall besteht.
  • Die Erfindung betrifft weiter einen Infraroteindringdetektor mit einer Spiegelanordnung, welche einen Spiegel der genannten Art enthält und aus mindestens einem Primärspiegel und einem Sekundärspiegel besteht.
  • Der erfindungsgemässe Infraroteindringdetektor ist dadurch gekennzeichnet, dass der Sekundärspiegel durch den die Trägerschicht und die Reflexionsschicht aufweisende Spiegel gebildet ist.
  • Im folgenden wird die Erfindung anhand eines in der einzigen Zeichnung dargestellten Ausführungsbeispiels näher erläutert, wobei die Zeichnung einen ausschnittweisen, vergrösserten Schnitt durch einen schematisch dargestellten Infraroteindringdetektor zeigt.
  • Der Infraroteindringdetektor weist darstellungsgemäss ein Gehäuse G auf, in dem im wesentlichen ein Pyrosensor 1, ein Eintrittsfenster 2 für die aus einem zu überwachenden Raum auf den Detektor fallende Strahlung und ein Spiegel 3 angeordnet sind. Der Spiegel 3 dient zur Fokussierung der aus einem bestimmten Raumwirkelbereich durch das Eintrittsfenster 2 einfallenden Strahlung auf den Pyrosensor 1. Die durch das Eintrittsfenster 2 auf den Spiegel 3 fallende Strahlung ist mit Se und die vom Spiegel 3 auf den Pyrosensor 1 reflektierte Strahlung ist mit Sr bezeichnet. Derartige Detektoren gehören zum Stand der Technik, so dass auf eine genauere Beschreibung des Detektoraufbaus verzichtet werden kann. Es wird in diesem Zusammenhang auf die von der Cerberus AG unter der Typenbezeichnung DR413/414 und DR421 vertriebenen Passiv-Infrarotmelder sowie auf die EP-A-0 361 224 (= US-A-4,990,783) verwiesen.
  • Das den dargestellten Infraroteindringdetektor von bekannten Detektoren wesentlich unterscheidende Merkmal ist durch den Spiegel 3 gebildet, der aus mindestens zwei Schichten, einer Trägerschicht 4 und einer Reflexionsschicht 5, aufgebaut ist, wobei die Reflexionsschicht auf die im Strahlengang vordere Fläche der Trägerschicht appliziert ist. Als weitere Schicht kann eine auf die Reflexionsschicht 5 aufgebrachte Vergütungsschicht vorgesehen sein, die beispielsweise aus MgF₂ besteht.
  • In der Regel enthält der Infraroteindrindetektor nicht einen einzigen Spiegel sondern eine aus mindestens einem Primärspiegel und einem Sekundärspiegel bestehende Spiegelanordnung, wobei der mindestens eine Primärspiegel mit der einfallenden Strahlung beaufschlagt ist und diese auf den Sekundärspiegel reflektiert, der seinerseits die auf ihn auffallende Strahlung auf den Pyrosensor 1 fokussiert. Bei einer derartigen Spiegelanordnung ist vorzugsweise nur der Sekundärspiegel, der wesentlich kleiner ist als der mindestens eine Primärspiegel, in der Art des Spiegels 3 ausgebildet.
  • Die Reflexionsschicht 5 ist ein sogenannter Hitzespiegel und weist einerseits für "warme" Strahlung, also Infrarotstrahlung in dem für die menschliche Wärmestrahlung typischen Bereich von 4µm - 15µm eine hohe Reflektivität auf, und sie ist andererseits für die unterhalb von etwa 4µm liegende Strahlung transparent. Letzteres gilt insbesondere auch für Strahlung aus dem Bereich des Spektrums des sichtbaren Lichts. Die Reflexionsschicht 5 ist entweder eine sehr dünne Metallschicht, vorzugsweise eine Goldschicht, oder ein mehrschichtiges Interferenzfilter aus Zinksulfid oder Germanium, oder eine dotierte Halbleiterschicht. Besonders gut geeignet ist eine ITO (Indium-Zinn-Oxid)-Schicht, wie sie industriell auf Glas (Fensterglas für Bürogebäude), transparente Kunststoffteile (Autoschiebedächer, Isolierflaschen für gekühlte Getränke) oder leitfähige Gegenstände (Solarzellen, IC-Verpackungen) aufgebracht wird. ITO ist ein n-Typ-Halbleiter mit einem sehr breiten Bandabstand von 3.3 eV, der so stark dotiert werden kann, dass die freie Plasmawellenlänge ins nahe Infrarot zu liegen kommt. Dadurch ist die Wellenlängenselektivität oder mit anderen Worten, die Filtereigenschaft, dieser Schicht eine ausschliessliche Materialeigenschaft. Beim vorliegenden Detektor wird die die Reflexionsschicht bildende ITO-Schicht beispielsweise durch reaktives Magnetron Sputtering aufgebracht.
  • Die Trägerschicht 4 besteht aus einem dunklen Kunststoff, vorzugsweise aus einem schwarzen ABS (Acrylnitril-Butodien-Styrol-Polymerisat), oder aus einem tiefgezogenen, schwarzen Metall, wobei die dunkle Farbe dazu dient, der Trägerschicht 4 ein gutes Absorptionsvermögen zu verleihen. Die Wirkung des dotierten Halbleiters auf der schwarzen Trägerschicht beruht alleine auf den dielektrischen Eigenschaften der Reflexionsschicht 5. Das bedeutet, dass die Trennung der von der Reflexionsschicht reflektierten und der von ihr durchgelassenen Wellenlängen an der Kontaktfläche zwischen Luft und Reflexionsschicht 5 erfolgt und daher, vorausgesetzt, dass die Reflexionsschicht 5 eine bestimmte minimale Dicke nicht unterschreitet, von dieser Schichtdicke nur sehr wenig abhängig ist.
  • Ein weiterer Vorteil der ITO-Schicht liegt darin, dass diese sehr hart und somit widerstandsfähig, und dass sie ausserdem chemisch inert ist. Letzteres hat zur Folge, dass sich die Reflexionseigenschaften und die Filterwirkung der Reflexionsschicht über Jahre nicht ändern, so dass von über die Lebensdauer des Reflektors gleichbleibenden Eigenschaften der Reflexionsschicht 5 ausgegangen werden kann.
  • Ein durch das Eintrittsfenster 2 auf den Spiegel 3 fallender Infrarotstrahl Se wird entweder von der Reflexionsschicht 5 reflektiert und auf den Pyrosensor 1 fokussiert (Strahl Sr) oder er wird durch die Reflexionsschicht 5 hindurchgelassen und gelangt in die schwarze Trägerschicht 4 (Strahlen Sa), wo er vollständig absorbiert wird.
  • Das Kriterium, ob ein auf den Spiegel 3 fallender Strahl Se reflektiert oder absorbiert wird, bildet einzig seine Wellenlänge. Wenn diese in dem für die von einem Menschen abgegebene Wärmestrahlung typischen Bereich von 4 µm bis 15 µm liegt, dann erfolgt Reflexion, wenn sie unterhalb von etwa 4 µm liegt, dann erfolgt Absorption. Die Festlegung dieser Filtergrenze erfolgt durch entsprechende Dotierung der die Reflexionsschicht 5 bildenden ITO-Schicht.
  • Bei Bedarf kann die Filterwirkung des "schwarzen" Spiegels 3 noch dadurch verstärkt werden, dass ein die einfallende Strahlung Se wellenlängenabhängig streuendes, pigmentiertes Eintrittsfenster 2 verwendet wird.

Claims (7)

  1. Spiegel für einen Infraroteindringdetektor zur Fokussierung von aus einer bestimmten Richtung einfallender Strahlung auf mindestens ein pyroelektrisches Sensorelement, dadurch gekennzeichnet, dass der Spiegel (3) eine Trägerschicht (4) aus dunklem Material und eine auf diese applizierte Reflexionsschicht (5) aufweist, welche einerseits für Störstrahlung unterhalb des Wellenlängenbereichs von menschlicher Wärmestrahlung transparent ist und andererseits Strahlung aus dem genannten Wellenlängenbereich stark reflektiert.
  2. Spiegel nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die Reflexionsschicht (5) durch eine dotierte Halbleiterschicht, vorzugsweise eine sogenannte ITO-Schicht, gebildet ist.
  3. Spiegel nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die Reflexionsschicht (5) durch eine sehr dünne Metallschicht oder durch ein mehrschichtiges Interferenzfilter gebildet ist.
  4. Spiegel nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, dass die dunkle Trägerschicht (4) aus schwarzem Kunststoff oder Metall besteht.
  5. Spiegel nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, dass der Kunststoff durch ein Acrynitril-Butodien-Styrol-Polymerisat gebildet ist.
  6. Spiegel nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, dass die Reflexionsschicht (5) eine Vergütung aufweist.
  7. Infraroteindringdetektor mit einer Spiegelanordnung, welche einen Spiegel nach einem der Ansprüche 1 bis 3 aufweist und aus mindestens einem Primärspiegel und einem Sekundärspiegel besteht, dadurch gekennzeichnet, dass der Sekundärspiegel durch den die Trägerschicht (4) und die Reflexionsschicht (5) aufweisenden Spiegel (3) gebildet ist.
EP94115948A 1994-10-10 1994-10-10 Spiegel für einen Infraroteindringdetektor und Infraroteindringdetektor mit einer Spiegelanordnung Ceased EP0707294A1 (de)

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US08/538,578 US5608220A (en) 1994-10-10 1995-10-03 Infrared intrusion detector with a multi-layer mirror

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0826987A1 (de) * 1996-08-30 1998-03-04 Cerberus Ag Filterscheibe für Infraroteindringdetektor
WO2018163068A1 (en) * 2017-03-06 2018-09-13 Tyco Fire & Security Gmbh Passive infra-red intrusion detector

Families Citing this family (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6064525A (en) * 1997-03-25 2000-05-16 Glaverbel Optical device including a dichromatic mirror
US6346705B1 (en) 1999-03-02 2002-02-12 Cordelia Lighting, Inc. Hidden PIR motion detector with mirrored optics
US6348691B1 (en) 1999-12-30 2002-02-19 Cordelia Lighting, Inc. Motion detector with extra-wide angle mirrored optics
US20020051286A1 (en) * 2000-10-27 2002-05-02 Honeywell, Inc. Wavlength specific coating for mirrored optics and method for reducing reflection of white light
EP1386298A1 (de) * 2001-05-04 2004-02-04 Honeywell, Inc. Optischer bewegungssensor mit ausgedehntem erkennungsbereich und verfahren zum ausdehnen des erkennungsbereichs eines optischen bewegungssensors
FR2845777B1 (fr) * 2002-10-11 2005-01-07 Commissariat Energie Atomique Dispositif optique produisant deux faisceaux capables d'atteindre un detecteur commun
JP4699285B2 (ja) 2006-05-29 2011-06-08 株式会社 長谷川電気工業所 空調設備における冷温水ポンプの運転制御方法
GB2453484B (en) 2006-07-27 2009-12-02 Visonic Ltd Passive infrared detectors
NL2000616C2 (nl) * 2007-04-26 2008-10-28 Gen Electric Bewakingsinrichting.
EP2104340A1 (de) 2008-03-19 2009-09-23 Barco N.V. Kombinierte Wärme- und Sicht-Abbildung

Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4199218A (en) * 1977-07-28 1980-04-22 Heimann Gmbh Warm light reflector
US4245217A (en) * 1958-02-22 1981-01-13 Heimann Gmbh Passive infrared alarm device
US4321594A (en) * 1979-11-01 1982-03-23 American District Telegraph Company Passive infrared detector
JPS595683A (ja) * 1982-07-02 1984-01-12 Tohoku Richo Kk レ−ザ装置
EP0361224A1 (de) 1988-09-22 1990-04-04 Cerberus Ag Infraroteindringdetektor
US4939359A (en) * 1988-06-17 1990-07-03 Pittway Corporation Intrusion detection system with zone location
EP0440112A2 (de) 1990-01-26 1991-08-07 Cerberus Ag Strahlungsdetektor und dessen Verwendung
EP0617389A1 (de) 1993-03-26 1994-09-28 Cerberus Ag Intrusionsmelder

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3949259A (en) * 1973-08-17 1976-04-06 U.S. Philips Corporation Light-transmitting, thermal-radiation reflecting filter
US4229066A (en) * 1978-09-20 1980-10-21 Optical Coating Laboratory, Inc. Visible transmitting and infrared reflecting filter
US4792685A (en) * 1987-04-29 1988-12-20 Masami Yamakawa Photoelectric sensor

Patent Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4245217A (en) * 1958-02-22 1981-01-13 Heimann Gmbh Passive infrared alarm device
US4199218A (en) * 1977-07-28 1980-04-22 Heimann Gmbh Warm light reflector
US4321594A (en) * 1979-11-01 1982-03-23 American District Telegraph Company Passive infrared detector
JPS595683A (ja) * 1982-07-02 1984-01-12 Tohoku Richo Kk レ−ザ装置
US4939359A (en) * 1988-06-17 1990-07-03 Pittway Corporation Intrusion detection system with zone location
EP0361224A1 (de) 1988-09-22 1990-04-04 Cerberus Ag Infraroteindringdetektor
US4990783A (en) 1988-09-22 1991-02-05 Cerberus A.G. Range insensitive infrared intrusion detector
EP0440112A2 (de) 1990-01-26 1991-08-07 Cerberus Ag Strahlungsdetektor und dessen Verwendung
EP0617389A1 (de) 1993-03-26 1994-09-28 Cerberus Ag Intrusionsmelder

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
PATENT ABSTRACTS OF JAPAN vol. 8, no. 84 (E - 239) 18 April 1984 (1984-04-18) *

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0826987A1 (de) * 1996-08-30 1998-03-04 Cerberus Ag Filterscheibe für Infraroteindringdetektor
WO2018163068A1 (en) * 2017-03-06 2018-09-13 Tyco Fire & Security Gmbh Passive infra-red intrusion detector
GB2574527A (en) * 2017-03-06 2019-12-11 Tyco Fire & Security Gmbh Passive infra-red intrusion detector
US10902706B2 (en) 2017-03-06 2021-01-26 Tyco Fire & Security Gmbh Passive infra-red intrusion detector
GB2574527B (en) * 2017-03-06 2023-02-08 Tyco Fire & Security Gmbh Passive infra-red intrusion detector

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US5608220A (en) 1997-03-04

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