EP0607680B1 - Verfahren zur Herstellung von Mikrostrukturen unter Verwendung einer vorgefertigten Photolack-Schicht - Google Patents

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EP0607680B1
EP0607680B1 EP19930310107 EP93310107A EP0607680B1 EP 0607680 B1 EP0607680 B1 EP 0607680B1 EP 19930310107 EP19930310107 EP 19930310107 EP 93310107 A EP93310107 A EP 93310107A EP 0607680 B1 EP0607680 B1 EP 0607680B1
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photoresist
sheet
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preformed
substrate
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Henry Guckel
Todd R. Christenson
Kenneth Skrobis
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Definitions

  • Ehrfeld termed the process "LIGA” based on the first letters for the German words for lithography and electroplating.
  • a general review of the LIGA process is given in the article by W. Ehrfeld, et al., "LIGA Process: Sensor Construction Techniques Via X-Ray Lithography,” Technical Digest, IEEE Solid State Sensor and Actuator Workshop, 1988, pp. 1-4.
  • a plating base is applied to a substrate prior to the photoresist.
  • a non-exposed photoresist may then be adhered onto the plating base, and the photoresist then exposed.
  • the exposed portions are then removed using a developer, and metal is then electroplated onto the exposed plating base to fill the area defined by the void(s) in the photoresist.
  • the remaining photoresist may then be removed.
  • the photoresist is formed of non-crosslinked PMMA
  • removal can take place by utilizing a solvent which dissolves the non-crosslinked PMMA.
  • a cross-lined PMMA sheet is utilized, an additional blanket exposure to synchrotron X-rays is required before the photoresist is removed.
  • Fig. 8 is an illustrative view of the substrate of Fig. 7 after electroplating of metal into the areas from which the photoresist has been removed.
  • Fig. 9 is an illustrative view of the substrate with the micromechanical parts formed thereon after the remaining photoresist has been stripped from the substrate.
  • Fig. 10 is a simplified illustrative side view of a substrate with a sacrificial layer formed thereon.
  • Fig. 18 is an illustrative view of the substrate and photoresist of Fig. 17 after the exposed photoresist has been developed.
  • Fig. 23 is an illustrative view of the substrate and photoresist layers of Fig. 22 with the addition of a third layer of photoresist which may be formed in the same manner as illustrated above in Figs. 19-22.
  • the preformed photoresist sheet is then adhered to the 496 k PMMA layer as described above.
  • Preformed photoresist sheets with thicknesses of 1 mm are commercially available and readily handled.
  • the preformed layer may be milled to a desired thickness (to within ⁇ 2.5 ⁇ m) with surface finish of less than ⁇ 0.1 ⁇ m, using a fly cutter with either a diamond or a CBN (cubic boron nitride) tool.
  • An example of a suitable milling machine is a Jung/Reichert polycut E ultramiller.
  • the resist layer obtained has very good adhesion and appears to have very low internal stress. Removal of this thick resist does not require a blanket exposure.
  • the photoresist sheet 131 may then be machined down to a thickness such that the void regions 133 and the alignment openings 132 are fully exposed.
  • the reduction in thickness of the second layer 131 preferably does not reduce it to a thickness such that the pegs 125 are exposed. Rather, a portion of each of the alignment openings 132 remains open, as illustrated in Fig. 38.
  • a second set of alignment pegs 135 is inserted, as illustrated in Fig. 39. Then, as illustrated in Fig.
  • the photoresist sheets may have alignment holes machined therein and then be exposed to X-rays under the X-ray mask which is aligned to the holes which had been machined into the photoresist sheet.

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  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Manufacturing Of Printed Wiring (AREA)
  • Manufacturing Of Printed Circuit Boards (AREA)

Claims (30)

  1. Verfahren zur Herstellung von Mikrostrukturen umfassend die Stufen:
    (a) Bereitstellen einer vorgefertigten Schicht (17) aus Photoresistmaterial, die einer Strahlung ausgesetzt werden kann, um ihre Empfindlichkeit gegenüber einem Entwickler zu beeinflussen;
    (b) Belichten der Photoresist-Schicht (17) in einem Muster mit Strahlung, wodurch ihre Empfindlichkeit gegenüber einem Entwickler verändert wird;
    (c) Verringern der Dicke der Photoresist-Schicht (17) auf eine gewünschte Dicke; und
    (d) Applizieren eines Entwicklers auf dem belichteten Photoresist (17), um Photoresist, der gegenüber dem Entwickler empfindlich ist, zu entfernen, dadurch gekennzeichnet, daß die Dicke verringert wird, indem man das Material der Photoresist-Schicht (17) mechanisch entfernt.
  2. Verfahren nach Anspruch 1, gekennzeichnet durch die Anfangsstufen des Applizieren einer dünnen Schicht (13) aus Metall auf ein Substrat (11) als Metallauflage, Adherieren der vorgefertigten Photoresist-Schicht auf die Metallauflage (13), Durchführen aller Stufen des Anspruchs 1, und danach Durchführen der zusätzlichen Stufen: Elektroplattieren von Metall (30) in den Bereichen, in denen der Photoresist entfernt wurde, und nachfolgendes Entfernen des verbleibenden Photoresists, um auf dem Substrat die elektoplattierten Metallstrukturen (30) zu hinterlassen.
  3. Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß die Photoresist-Schicht (17) aus linearem PMMA mit sehr hohem Molekulargewicht besteht.
  4. Verfahren nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, daß die Stufe des Entfernens des verbleibenden Photoresists durchgeführt wird, indem man den Photoresist (17) einem Bad eines Lösungsmittels, das das PMMA löst, aussetzt.
  5. Verfahren nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, daß das Lösungsmittel, das zum Auflösen des PMMA verwendet wird, Methylenchlorid ist.
  6. Verfahren nach Anspruch 1, 2 oder 3, dadurch gekennzeichnet, daß die Stufe des Belichtens des Photoresists in einem Muster durchgeführt wird, indem man den Photoresist mit Röntgenstrahlen (24) aus einem Synchrotron belichtet.
  7. Verfahren nach Anspruch 1, gekennzeichnet durch die Stufen:
    Auftragen einer dünnen ersten Schicht (15) aus nicht-vernetztem PMMA auf die Oberfäche eines Substrats (11), Verfestigen der Photoresist-Schicht (17) aus PMMA auf der ersten Schicht, und Applizieren eines flüssigen Methylmethacrylat-Monomers auf die Grenzfläche zwischen der vorgefertigten Schicht und der ersten Schicht, um eine Adhäsion zwischen der vorgefertigten Schicht und der ersten Schicht an der Grenzfläche zwischen diesen beiden auszubilden.
  8. Verfahren nach Anspruch 1, gekennzeichnet durch die Anfangsstufen: Applizieren einer Opferschicht (40) auf ein Substrat (41) und Adherieren der vorgefertigten Schicht (42) an die Opferschicht (40), Durchführen aller Stufen des Anspruchs 1 und dann Durchführen der zusätzlichen Stufe des Entfernens der Opferschicht (40) mit einem Entfernungsmittel, das das Photoresistmaterial nicht beeinflußt, um den verbleibenden Photoresist (48) vom Substrat (41) abzulösen.
  9. Verfahren nach Anspruch 8, dadurch gekennzeichnet, daß das Material des Photoresists (42) PMMA ist.
  10. Verfahren nach Anspruch 9, dadurch gekennzeichnet, daß das PMMA des Photoresists (42) lineares PMMA mit sehr hohem Molekulargewicht ist.
  11. Verfahren nach Anspruch 8, 9 oder 10, dadurch gekennzeichnet, daß die Opferschicht (46) Titan oder partiell imidiertes Polyamid ist.
  12. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß die vorgefertigte Schicht (17) des Photoresists eine Dicke von mindestens 1 mm aufweist, und dadurch, daß in der Stufe des mechanischen Entfernens des Materials der Photoresist-Schicht die Dicke der Schicht auf weniger als 1 mm verringert wird.
  13. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei die Photoresist-Schicht nach der Stufe des mechanischen Entfernens des Materials der Photoresist-Schicht zur Verringerung der Dicke der Schicht auf eine gewünschte Dicke eine erste Photoresist-Schicht (51) ist;
    gekennzeichnet durch die Stufen:
    (1) Bereitstellen einer zweiten vorgefertigten Schicht (54) aus Photoresist-Material, die einer Strahlung ausgesetzt werden kann, um ihre Empfindlichkeit gegenüber einem Entwickler zu beeinflussen;
    (2) Adherieren der zweiten Photoresist-Schicht (54) an die erste Schicht des Photoresists unter Ausbildung eines Laminats;
    (3) mechanisches Enfernen des Materials der zweiten Photoresist-Schicht (54), um die Dicke der Schicht, die eine zweite Photoresist-Schicht (54) darstellt, auf eine gewünschte Dicken zu verringern;
    (4) Belichten der ersten und zweiten Schichten (51,54) des Photoresists in einem Muster mit Strahlung, wodurch die Empfindlichkeit des Photoresists der zweiten Schicht (54) gegenüber einem Entwickler verändert wird; und
    (5) Entfernen des Photoresists der ersten und zweiten Schicht (51,54), der gegenüber einem Entwickler empfindlich ist, unter Verwendung eines Entwicklers für den Photoresist.
  14. Verfahren nach Anspruch 13, gekennzeichnet durch die Stufe des Adherierens der ersten vorgefertigten Schicht (51) aus Photoresistmaterial an ein Substrat (50) vor den Stufen des Belichtens der ersten Photoresist-Schicht (51) in einem Muster mit Strahlung und des mechanischen Entfernens des Materials aus der ersten Photoresist-Schicht.
  15. Verfahren nach Anspruch 14, gekennzeichnet dadurch, daß die Stufe des Adherierens der ersten Schicht (51) des Photoresists an das Substrat (50) die Stufe des Applizierens einer dünnen Schicht aus Metall an das Substrat (50) als Metallunterlage und das Adherieren der vorgefertigten Schicht (51) des Photoresists auf die Metallunterlage umfaßt, und nach Durchführen aller Stufen des Anspruchs 14, durch das Durchführen der zusätzlichen Stufen des Elektroplattierens von Metall in den Bereichen, in denen der Photoresist entfernt wurde, und des Entfernens des verbleibenen Photoresists, um auf dem Substrat eine elektroplattierte Metallstruktur zu hinterlassen.
  16. Verfahren nach Anspruch 13, 14 oder 15, gekennzeichnet durch die zusätzlichen Stufen:
    Bereitstellen einer dritten vorgefertigten Schicht (73) aus Photoresist-Material, die mit Strahlung belichtet werden kann, um ihre Empfindlichkeit gegenüber einem Entwickler zu verändern;
    Ankleben der dritten Photoresist-Schicht (73) an die zweite Schicht des Laminats;
    mechanisches Entfernen des Materials der an die zweite Schicht angeklebten dritten Photoresist-Schicht (73), um die Dicke der dritten Schicht des Laminats auf eine gewünschte Dicke zu verringern;
    Belichten der dritten Schicht des Photoresists (73) in einem Muster mit Strahlung, wodurch die Empfindlichkeit des Photoresists gegenüber einem Entwickler verändert wird, und dann Ausführen der Stufen des Entfernens des gegenüber einem Entwickler empfindlichen Photoresists in jeder der ersten, zweiten und dritten Schichten unter Verwendung eines Entwickler für den Photoresist.
  17. Verfahren nach einem der Ansprüche 13 bis 16, dadurch gekennzeichnet, daß die Stufe des Entfernens des gegenüber einem Entwickler empfindlichen Photoresists in der ersten und zweiten Schicht durchgeführt wird, bevor die zweite Photoresist-Schicht, die die zweite Schicht aufbaut, an die erste Photoresist-Schicht adheriert wird.
  18. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die vorgefertigte Schicht aus Photoresist eine erste vorgefertigte Schicht (62) ist, und dadurch, daß die Stufe des Belichtens der ersten Photoresist-Schicht mit Strahlung in einem Muster eine teilweise aber nicht vollständig über die Dicke der Photoresist-Schicht (62) vorhandene Empfindlichkeit des Photoresists gegenüber einem Entwickler ergibt, und dadurch, daß das Verfahren ferner die Stufen umfaßt:
    (1) Adherieren der ersten Photoresist-Schicht (62) and der den gegenüber einem Entwickler empfindlichen Photoresist aufweisenden Seite an eine Schicht (69) des Photoresists, die ein Muster von Bereichen aufweist, die gegenüber dem Entwickler empfindlich sind, um ein Laminat auszubilden, wobei die Stufe des mechanischen Entfernens des Materials der ersten vorgefertigen Photoresist-Schicht zur Verringerung der Dicke der Schicht die Bereiche der ersten vorgefertigten Schicht (62) freilegt, die gegenüber einer Entfernung durch den Entwickler empfindlich sind;
    (2) Applizieren eines Entwicklers auf das Laminat zur Entfernung des Photoresists, der gegenüber dem Entwickler empfindlich ist, um ein Muster von Hohlräumen in der ersten Photoresist-Schicht (62) und der darunter liegenden Photoresist-Schicht (69) zu hinterlassen.
  19. Verfahren nach Anspruch 18, gekennzeichnet durch die Stufe des Adherierens der ersten Photoresist-Schicht (62) an die Photoresist-Schicht (69), die zusätzlichen Stufen des Bereitsstellens der Photoresist-Schicht aus einer vorgefertigten Schicht aus Photoresist-Material, die einer Strahlung ausgesetzt werden kann, um ihre Empfindlichkeit gegenüber einem Entwickler teilweise, aber nicht vollständig über die gesamte Dicke der Photoresist-Schicht zu beeinflussen, mechanisches Entfernen des Materials der Photoresist-Schicht von der der ausgesetzten Seite der Schicht gegenüberliegenden Seite, um die Dicke der Schicht zu verringern, um die Bereiche der Schicht, die gegenüber dem Entwickler empfindlich sind, vollständig freizulegen, um die Photoresist-Schicht auszubilden, und dann Adherieren der ersten vorgefertigten Photoresist-Schicht an die Photoresist-Schicht.
  20. Verfahren nach Anspruch 19, dadurch gekennzeichnet, daß man vor der Stufe des mechanischen Entfernens des Materials der vorgefertigten Photoresist-Schicht, aus der die Photoresist-Schicht ausgebildet ist, die Stufe des Adherierens der ausgesetzten Seite der vorgefertigten Photoresist-Schicht an ein Substrat (71) durchführt, und dann die Stufe des mechanischen Enfernens des Materials der vorgefertigten Photoresist-Schicht durchführt.
  21. Verfahren nach Anspruch 20, dadurch gekennzeichnet, daß die vorgefertigte Schicht eine erste vorgefertigte Schicht ist und aus PMMA besteht, und dadurch, daß es die Anfangsstufen umfaßt: Applizieren einer dünnen Metallschicht auf einem Substrat als Metallauflage, Adherieren der ersten vorgefertigten Schicht des Photoresists an die Metallauflage, und dann Durchführen aller Stufen des Anspruchs 20, und der zusätzlichen Stufen des Elektroplattierens von Metall in den Bereichen, in denen der Photoresist entfernt wurden, und dann Entfernen des verbleibenden Photoresists, um auf dem Substrat die elektroplattierte Metallstruktur zu hinterlassen.
  22. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die vorgefertigte Photoresist-Schicht aus PMMA besteht, und dadurch, daß es die Stufen umfaßt: Auftragen einer dünnen ersten Schicht (15) aus nicht-vernetztem PMMA auf die Oberfläche eines Substrats und Verfestigen der ersten Schicht aus PMMA, Applizieren der vorgefertigten Schicht (17) aus PMMA auf die erste Schicht, und Applizieren eines flüssigen Methylmethacrylat-Monomers auf die Grenzfläche zwischen der vorgefertigten Schicht und der ersten Schicht, um eine Adhäsion zwischen der vorgefertigten Schicht und der ersten Schicht an der Grenzfläche zwischen diesen beiden vorzusehen.
  23. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, gekennzeichnet dadurch, daß die vorgefertigte Schicht (17) aus Photoresist aus PMMA besteht und mindestens 1 mm dick ist, und durch die Stufe des mechanischen Entfernens des Materials der Photoresist-Schicht, wobei die Dicke der Schicht auf weniger als 1 mm verringert wird.
  24. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die vorgefertigte Photoresist-Schicht eine erste vorgefertigte Schicht (51) aus PMMA ist, und dadurch, daß es fernen die Stufen umfaßt:
    (a) Bereitstellen einer zweiten vorgefertigten Schicht (54) aus PMMA-Photoresist-Material;
    (b) Adherieren der zweiten Photoresist-Schicht (54) an die erste Photoresist-Schicht (51) unter Ausbildung eines Laminats;
    (c) mechanisches Entfernen des Materials der zweiten Photoresist-Schicht (54) um die Dicke der Schicht auf eine gewünschte Dicke zu verringern;
    (d) Belichten der zweiten Photoresist-Schicht (54) in einem Muster mit Röntgenstrahlen, wodurch die belichteten Bereiche der zweiten Photoresist-Schicht gegenüber einem Entwickler empfindlich werden; und
    (e) Entfernen des belichteten Photoresists in der zweiten Photoresist-Schicht (54) unter Verwendung eines Entwicklers für den Photoresist.
  25. Verfahren nach Anspruch 24, dadurch gekennzeichnet, daß es die Stufe umfaßt: Adherieren der ersten vorgefertigten Photoresist-Schicht (51) an ein Substrat (50) vor den Stufen des Belichtens der ersten Photoresist-Schicht (51) in einem Muster mit Strahlung und des mechanischen Entfernens des Materials der ersten Photoresist-Schicht.
  26. Verfahren nach Anspruch 25, dadurch gekennzeichnet, daß die Stufe des Adherierens der zweiten Photoresist-Schicht (54) an die erste Photoresist-Schicht (51) durchgeführt wird nach den Stufen des Belichtens der zweiten Photoresist-Schicht in einem Muster mit Röntgenstrahlen (55) und des Entfernens des belichteten Photoresists.
  27. Verfahren nach Anspruch 25, dadurch gekennzeichnet, daß die Stufe des Adherierens der zweiten Photoresist-Schicht (54) an die erste Photoresist-Schicht (51) durchgeführt wird vor der Stufe des Applizierens eines Entwicklers auf der ersten Photoresist-Schicht.
  28. Verfahren nach Anspruch 25, dadurch gekennzeichnet, daß die zweite Photoresist-Schicht (54) an die erste Photoresist-Schicht (51) adheriert wird durch Befeuchten der Grenzfläche zwischen den Schichten mit Methylmethacrylat.
  29. Verfahren nach einem der Ansprüche 25 bis 28, dadurch gekennzeichnet dadurch, daß die Stufe des Adherierens der ersten Photoresist-Schicht (51) an das Substrat (50) die Stufe des Applizierens einer dünnen Schicht aus Metall auf das Substrat (50) als Metallauflage und Adherieren der vorgefertigten Schicht (51) des Photoresists auf die Metallauflage umfaßt und, nach Durchführen aller Stufen des Anspruchs 25, durch das Durchführen der zusätzlichen Stufen des Elektroplattierens von Metall in den Bereichen, in denen der Photoresist entfernt wurde, und des nachfolgenden Entfernens des verbleibenden Photoresists, um auf dem Substrat eine elektroplattierte Metallstruktur zu hinterlassen.
  30. Verfahren nach Anspruch 24 bis 29, dadurch gekennzeichnet, daß man die Stufen des Entfernens des belichteten Photoresists mit einem Entwickler in der ersten und zweiten Photoresist-Schicht (51,54) durchführt, bevor die zweite Photoresist-Schicht (54) an die erste Photoresist-Schicht adheriert wird.
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US994952 1992-12-22
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US66988 1993-05-24

Publications (3)

Publication Number Publication Date
EP0607680A2 EP0607680A2 (de) 1994-07-27
EP0607680A3 EP0607680A3 (de) 1994-12-21
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Families Citing this family (166)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5789045A (en) * 1994-04-15 1998-08-04 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Air Force Microtubes devices based on surface tension and wettability
US5378583A (en) * 1992-12-22 1995-01-03 Wisconsin Alumni Research Foundation Formation of microstructures using a preformed photoresist sheet
DE4304424C2 (de) * 1993-02-13 1995-03-30 Kernforschungsz Karlsruhe Verfahren zum Herstellen von Mikrostrukturelementen auf einem Substrat, welche mit integrierten Schaltkreisen elektromechanisch, optisch oder elektrisch zusammenwirken
US20030206342A1 (en) * 1993-05-12 2003-11-06 Bright View Technologies, Inc. Micro-lens array based light transmission screen
US6788460B2 (en) * 1998-04-15 2004-09-07 Duke University Projection screen apparatus
US20030199179A1 (en) * 1993-11-16 2003-10-23 Formfactor, Inc. Contact tip structure for microelectronic interconnection elements and method of making same
US20020053734A1 (en) 1993-11-16 2002-05-09 Formfactor, Inc. Probe card assembly and kit, and methods of making same
DE4400315C1 (de) * 1994-01-07 1995-01-12 Kernforschungsz Karlsruhe Verfahren zum stufenweisen Aufbau von Mikrostrukturkörpern und damit hergestellter Mikrostrukturkörper
US6059001A (en) * 1994-04-15 2000-05-09 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Air Force Apparatus for manufacturing microtubes with axially variable geometries
US6360424B1 (en) 1994-06-06 2002-03-26 Case Western Reserve University Method of making micromotors with utilitarian features
US6029337A (en) * 1994-06-06 2000-02-29 Case Western Reserve University Methods of fabricating micromotors with utilitarian features
US5705318A (en) * 1994-06-06 1998-01-06 Case Western Reserve University Micromotors and methods of fabrication
US5788468A (en) * 1994-11-03 1998-08-04 Memstek Products, Llc Microfabricated fluidic devices
US5644177A (en) * 1995-02-23 1997-07-01 Wisconsin Alumni Research Foundation Micromechanical magnetically actuated devices
US5679502A (en) * 1995-03-15 1997-10-21 Wisconsin Alumni Research Foundation Method and apparatus for micromachining using hard X-rays
US5836150A (en) * 1995-05-31 1998-11-17 The United States Of America As Represented By The United States Department Of Energy Micro thrust and heat generator
US6030851A (en) * 1995-06-07 2000-02-29 Grandmont; Paul E. Method for overpressure protected pressure sensor
TW374211B (en) * 1995-08-03 1999-11-11 Ibm Machine structures fabricated of multiple microstructure layers
US6129559A (en) * 1996-01-19 2000-10-10 Sumitomo Electric Industries, Ltd. Microconnector and method of manufacturing the same
WO1997029223A1 (en) * 1996-02-09 1997-08-14 Board Of Supervisors Of Louisiana State University And Agricultural And Mechanical College High aspect ratio, microstructure-covered, macroscopic surfaces
US5718618A (en) * 1996-02-09 1998-02-17 Wisconsin Alumni Research Foundation Lapping and polishing method and apparatus for planarizing photoresist and metal microstructure layers
US8033838B2 (en) 1996-02-21 2011-10-11 Formfactor, Inc. Microelectronic contact structure
US5773198A (en) * 1996-06-07 1998-06-30 Motorola, Inc. Method of forming high resolution circuitry by depositing a polyvinyl alcohol layer beneath a photosensitive polymer layer
US6363712B1 (en) 1996-06-27 2002-04-02 The United States Of America As Represented By The United States Department Of Energy Gas-driven microturbine
US5858622A (en) * 1996-07-23 1999-01-12 Wisconsin Alumni Research Foundation Thick metal integrated transmission line fabrication
US6136212A (en) * 1996-08-12 2000-10-24 The Regents Of The University Of Michigan Polymer-based micromachining for microfluidic devices
US5738799A (en) * 1996-09-12 1998-04-14 Xerox Corporation Method and materials for fabricating an ink-jet printhead
US5820771A (en) * 1996-09-12 1998-10-13 Xerox Corporation Method and materials, including polybenzoxazole, for fabricating an ink-jet printhead
SG52858A1 (en) * 1996-11-07 1998-09-28 Univ Singapore Micromachining using high energy light ions
US5866281A (en) * 1996-11-27 1999-02-02 Wisconsin Alumni Research Foundation Alignment method for multi-level deep x-ray lithography utilizing alignment holes and posts
US5871158A (en) * 1997-01-27 1999-02-16 The University Of Utah Research Foundation Methods for preparing devices having metallic hollow microchannels on planar substrate surfaces
US5929542A (en) * 1997-02-03 1999-07-27 Honeywell Inc. Micromechanical stepper motor
DE69842001D1 (de) * 1997-04-04 2010-12-30 Univ Southern California Galvanisches verfahren zur herstellung einer mehrlagenstruktur
US6115634A (en) * 1997-04-30 2000-09-05 Medtronic, Inc. Implantable medical device and method of manufacture
US5808384A (en) * 1997-06-05 1998-09-15 Wisconsin Alumni Research Foundation Single coil bistable, bidirectional micromechanical actuator
US5917260A (en) * 1997-06-13 1999-06-29 Garcia; Ernest J. Electromechanical millimotor
US6379773B1 (en) * 1998-06-16 2002-04-30 Sumitomo Heavy Industries, Ltd. Micro structure and its manufacture method
JP3360282B2 (ja) * 1997-06-19 2002-12-24 住友重機械工業株式会社 微細構造体の製造方法
US6252938B1 (en) * 1997-06-19 2001-06-26 Creatv Microtech, Inc. Two-dimensional, anti-scatter grid and collimator designs, and its motion, fabrication and assembly
US5949850A (en) * 1997-06-19 1999-09-07 Creatv Microtech, Inc. Method and apparatus for making large area two-dimensional grids
US6068684A (en) * 1997-09-11 2000-05-30 Board Of Supervisors Of Louisiana State University And Agricultural & Mechanical College Microstructure chromatograph with rectangular column
US5959375A (en) * 1997-09-30 1999-09-28 Garcia; Ernest J. Device and method for redirecting electromagnetic signals
US5842787A (en) 1997-10-09 1998-12-01 Caliper Technologies Corporation Microfluidic systems incorporating varied channel dimensions
US6816306B2 (en) * 1998-04-15 2004-11-09 Bright View Technologies Inc. Micro-lens array based light transmitting screen with high resolution and low imaging artifacts
US6829087B2 (en) * 1998-04-15 2004-12-07 Bright View Technologies, Inc. Micro-lens array based light transmitting screen with tunable gain
US6967779B2 (en) * 1998-04-15 2005-11-22 Bright View Technologies, Inc. Micro-lens array with precisely aligned aperture mask and methods of producing same
US6277539B1 (en) * 1998-05-22 2001-08-21 The United States Of America As Represented By The United States Department Of Energy Enhanced adhesion for LIGA microfabrication by using a buffer layer
JP3120783B2 (ja) * 1998-06-10 2000-12-25 日本電気株式会社 Ｌｉｇａプロセス用マスクの作製方法
JP2000082666A (ja) * 1998-07-09 2000-03-21 Canon Inc Ｘ線マスク構造体、ｘ線露光装置、該ｘ線露光装置を用いたｘ線露光方法、ｘ線マスク構造体または該ｘ線露光装置を用いて作製された半導体デバイス及び該半導体デバイスの製造方法
US6307815B1 (en) 1998-07-23 2001-10-23 Sandia Corporation Microelectromechanical timer
US6279402B1 (en) 1998-08-10 2001-08-28 Applied Materials, Inc. Device for measuring pressure in a chamber
US5994801A (en) * 1998-08-12 1999-11-30 Sandia Corporation Microelectromechanical gyroscope
SE522114C2 (sv) * 1998-08-18 2004-01-13 Ericsson Telefon Ab L M Metalliska byggelement för optoelektronik
US6242163B1 (en) 1998-08-31 2001-06-05 Board Of Trustees Of The Leland Stanford Junior University Shape deposition manufacturing of microscopic ceramic and metallic parts using silicon molds
WO2000013916A1 (en) * 1998-09-08 2000-03-16 Commonwealth Scientific And Industrial Research Organisation Three-dimensional microstructure
AU749702B2 (en) * 1998-09-08 2002-07-04 Commonwealth Scientific And Industrial Research Organisation Three-dimensional microstructure
US5959376A (en) * 1998-09-10 1999-09-28 Sandia Corporation Microelectromechanical reciprocating-tooth indexing apparatus
US6410360B1 (en) 1999-01-26 2002-06-25 Teledyne Industries, Inc. Laminate-based apparatus and method of fabrication
US6272207B1 (en) 1999-02-18 2001-08-07 Creatv Microtech, Inc. Method and apparatus for obtaining high-resolution digital X-ray and gamma ray images
US6900138B1 (en) * 1999-03-01 2005-05-31 Micron Technology, Inc. Oxygen plasma treatment for nitride surface to reduce photo footing
US6245849B1 (en) 1999-06-02 2001-06-12 Sandia Corporation Fabrication of ceramic microstructures from polymer compositions containing ceramic nanoparticles
EP1072954A3 (de) * 1999-07-28 2002-05-22 Lucent Technologies Inc. Lithographisches Verfahren
US6211599B1 (en) 1999-08-03 2001-04-03 Sandia Corporation Microelectromechanical ratcheting apparatus
US6316282B1 (en) * 1999-08-11 2001-11-13 Adc Telecommunications, Inc. Method of etching a wafer layer using multiple layers of the same photoresistant material
US6229640B1 (en) 1999-08-11 2001-05-08 Adc Telecommunications, Inc. Microelectromechanical optical switch and method of manufacture thereof
US6495104B1 (en) * 1999-08-19 2002-12-17 Caliper Technologies Corp. Indicator components for microfluidic systems
US6169827B1 (en) 1999-09-03 2001-01-02 Honeywell International Inc. Micro-optic switch with lithographically fabricated polymer alignment features for the positioning of switch components and optical fibers
EP1089261B1 (de) 1999-10-01 2006-05-17 STMicroelectronics S.r.l. Verfahren zur Herstellung eines aufgehängten Elements für elektrische Verbindungen zwischen zwei Teilen eines Micromechanismus, welche relativ zueinander beweglich sind
DE19955975A1 (de) * 1999-11-19 2001-05-23 Inst Mikrotechnik Mainz Gmbh Lithographisches Verfahren zur Herstellung von Mikrobauteilen
US6517665B1 (en) * 2000-01-25 2003-02-11 Sandia National Laboratories Liga developer apparatus system
SE515962C2 (sv) * 2000-03-15 2001-11-05 Obducat Ab Anordning för överföring av mönster till objekt
US6387578B1 (en) 2000-05-05 2002-05-14 Board Of Supervisors Of Louisiana State University And Agricultural And Mechanical College Post-exposure heat treatment to reduce surface roughness of PMMA surfaces formed by radiation lithography
US6875247B2 (en) * 2000-06-06 2005-04-05 Battelle Memorial Institute Conditions for fluid separations in microchannels, capillary-driven fluid separations, and laminated devices capable of separating fluids
US6632400B1 (en) * 2000-06-22 2003-10-14 Agilent Technologies, Inc. Integrated microfluidic and electronic components
US6458263B1 (en) * 2000-09-29 2002-10-01 Sandia National Laboratories Cantilevered multilevel LIGA devices and methods
US6422528B1 (en) * 2001-01-17 2002-07-23 Sandia National Laboratories Sacrificial plastic mold with electroplatable base
US7090189B2 (en) * 2001-01-17 2006-08-15 Sandia National Laboratories Compliant cantilevered micromold
US7922923B2 (en) 2001-02-01 2011-04-12 Creatv Microtech, Inc. Anti-scatter grid and collimator designs, and their motion, fabrication and assembly
CA2437454A1 (en) * 2001-02-01 2002-08-22 Creatv Microtech, Inc. Anti-scatter grids and collimator designs, and their motion, fabrication and assembly
US6626417B2 (en) 2001-02-23 2003-09-30 Becton, Dickinson And Company Microfluidic valve and microactuator for a microvalve
US20020180108A1 (en) * 2001-04-16 2002-12-05 Kiyofumi Koshiba Electromagnetic shielding box and method of manufacturing the same
US6801682B2 (en) 2001-05-18 2004-10-05 Adc Telecommunications, Inc. Latching apparatus for a MEMS optical switch
US6594994B2 (en) 2001-06-01 2003-07-22 Wisconsin Alumni Research Foundation Micromechanical actuation apparatus
US6624377B2 (en) 2001-06-01 2003-09-23 Wisconsin Alumni Research Foundation Micro-electro-discharge machining method and apparatus
US6619123B2 (en) 2001-06-04 2003-09-16 Wisconsin Alumni Research Foundation Micromachined shock sensor
US6607305B2 (en) 2001-06-04 2003-08-19 Wisconsin Alumni Research Foundation Bi-directional micromechanical latching linear actuator
WO2002098624A1 (en) * 2001-06-05 2002-12-12 Mikro Systems Inc. Methods for manufacturing three-dimensional devices and devices created thereby
US7785098B1 (en) 2001-06-05 2010-08-31 Mikro Systems, Inc. Systems for large area micro mechanical systems
US7141812B2 (en) * 2002-06-05 2006-11-28 Mikro Systems, Inc. Devices, methods, and systems involving castings
US7462852B2 (en) * 2001-12-17 2008-12-09 Tecomet, Inc. Devices, methods, and systems involving cast collimators
US7518136B2 (en) * 2001-12-17 2009-04-14 Tecomet, Inc. Devices, methods, and systems involving cast computed tomography collimators
JP3754337B2 (ja) 2001-09-28 2006-03-08 株式会社クラレ 樹脂成形品の製造方法、樹脂成形品及び金型の製造方法
US20050121411A1 (en) * 2002-10-29 2005-06-09 Microfabrica Inc. Medical devices and EFAB methods and apparatus for producing them
US9614266B2 (en) 2001-12-03 2017-04-04 Microfabrica Inc. Miniature RF and microwave components and methods for fabricating such components
US20080121343A1 (en) 2003-12-31 2008-05-29 Microfabrica Inc. Electrochemical Fabrication Methods Incorporating Dielectric Materials and/or Using Dielectric Substrates
WO2003049514A2 (en) * 2001-12-03 2003-06-12 Memgen Corporation Miniature rf and microwave components and methods for fabricating such components
US20050023145A1 (en) * 2003-05-07 2005-02-03 Microfabrica Inc. Methods and apparatus for forming multi-layer structures using adhered masks
US20050194348A1 (en) * 2001-12-03 2005-09-08 University Of Southern California Electrochemical fabrication methods incorporating dielectric materials and/or using dielectric substrates
US6586699B1 (en) 2002-02-20 2003-07-01 Wisconsin Alumni Research Foundation Micro-electro-discharge machining utilizing semiconductor electrodes
US6858378B1 (en) * 2002-04-17 2005-02-22 Sandia National Laboratories Photoimageable composition
US7029829B2 (en) * 2002-04-18 2006-04-18 The Regents Of The University Of Michigan Low temperature method for forming a microcavity on a substrate and article having same
WO2003095707A2 (en) * 2002-05-07 2003-11-20 Memgen Corporation Method of and apparatus for forming three-dimensional structures
US20040065554A1 (en) * 2002-05-07 2004-04-08 University Of Southern California Method of and apparatus for forming three-dimensional structures integral with semiconductor based circuitry
US6902827B2 (en) * 2002-08-15 2005-06-07 Sandia National Laboratories Process for the electrodeposition of low stress nickel-manganese alloys
US6875544B1 (en) * 2002-10-03 2005-04-05 Sandia Corporation Method for the fabrication of three-dimensional microstructures by deep X-ray lithography
EP1578552A4 (de) * 2002-12-09 2006-11-22 Tecomet Inc Verdichtete partikel/bindemittel-verbundwerkstoffe
DE10260235B4 (de) * 2002-12-20 2010-10-28 Infineon Technologies Ag Verfahren zum Strukturieren einer Resistschicht und Negativ-Resistschicht
US7655176B2 (en) * 2002-12-20 2010-02-02 The Procter & Gamble Company Method of making a polymeric web exhibiting a soft and silky tactile impression
US9545744B2 (en) 2002-12-20 2017-01-17 The Procter & Gamble Company Apparatus for making polymeric web exhibiting a soft and silky tactile impression
US8287800B2 (en) * 2002-12-20 2012-10-16 The Procter And Gamble Company Method for making a polymeric web exhibiting a soft and silky tactile impression
US20040121120A1 (en) * 2002-12-20 2004-06-24 The Procter & Gamble Company Apparatus for making a polymeric web exhibiting a soft and silky tactile impression
US10416192B2 (en) 2003-02-04 2019-09-17 Microfabrica Inc. Cantilever microprobes for contacting electronic components
US8613846B2 (en) * 2003-02-04 2013-12-24 Microfabrica Inc. Multi-layer, multi-material fabrication methods for producing micro-scale and millimeter-scale devices with enhanced electrical and/or mechanical properties
US9671429B2 (en) 2003-05-07 2017-06-06 University Of Southern California Multi-layer, multi-material micro-scale and millimeter-scale devices with enhanced electrical and/or mechanical properties
US10297421B1 (en) 2003-05-07 2019-05-21 Microfabrica Inc. Plasma etching of dielectric sacrificial material from reentrant multi-layer metal structures
US7176106B2 (en) * 2003-06-13 2007-02-13 Avago Technologies Fiber Ip (Singapore) Pte. Ltd. Wafer bonding using reactive foils for massively parallel micro-electromechanical systems packaging
JP2007038304A (ja) * 2003-12-04 2007-02-15 Univ Nihon 微細製品の製造方法
US7052926B2 (en) * 2003-12-18 2006-05-30 Corporation For National Research Initiatives Fabrication of movable micromechanical components employing low-cost, high-resolution replication technology method
US10641792B2 (en) 2003-12-31 2020-05-05 University Of Southern California Multi-layer, multi-material micro-scale and millimeter-scale devices with enhanced electrical and/or mechanical properties
US7282324B2 (en) 2004-01-05 2007-10-16 Microchem Corp. Photoresist compositions, hardened forms thereof, hardened patterns thereof and metal patterns formed using them
US7066004B1 (en) 2004-09-02 2006-06-27 Sandia Corporation Inertial measurement unit using rotatable MEMS sensors
US8216931B2 (en) * 2005-03-31 2012-07-10 Gang Zhang Methods for forming multi-layer three-dimensional structures
US7608367B1 (en) 2005-04-22 2009-10-27 Sandia Corporation Vitreous carbon mask substrate for X-ray lithography
JP2007000964A (ja) * 2005-06-23 2007-01-11 Tohoku Univ 樹脂製マイクロマシン部品の製造方法
US7244999B2 (en) * 2005-07-01 2007-07-17 Alps Electric Co., Ltd. Capacitor applicable to a device requiring large capacitance
US7736788B2 (en) * 2005-08-12 2010-06-15 Nanyang Technological University Pattern molding of polymeric flow channels for micro fuel cells
JP5301993B2 (ja) 2005-08-12 2013-09-25 モジュメタル エルエルシー 組成変調複合材料及びその形成方法
EP1835050A1 (de) * 2006-03-15 2007-09-19 Doniar S.A. Verfahren zur Herstellung einer LIGA-UV metallischen Mehrschichtstruktur, deren Schichten nebeneinanderliegend und nicht völlig überlagert sind.
KR100813273B1 (ko) * 2007-01-04 2008-03-13 삼성전자주식회사 Ｌｉｇａ 공정에 사용되는 마스크, 상기 마스크의 제조방법및, ｌｉｇａ 공정을 이용한 미세 구조물 제조방법
US8078309B1 (en) 2008-03-31 2011-12-13 The United States Of America As Represented By The Administrator Of The National Aeronautics And Space Administration Method to create arbitrary sidewall geometries in 3-dimensions using liga with a stochastic optimization framework
US9451977B2 (en) 2008-06-23 2016-09-27 Microfabrica Inc. MEMS micro debrider devices and methods of tissue removal
US10939934B2 (en) 2008-06-23 2021-03-09 Microfabrica Inc. Miniature shredding tools for use in medical applications, methods for making, and procedures for using
US8795278B2 (en) 2008-06-23 2014-08-05 Microfabrica Inc. Selective tissue removal tool for use in medical applications and methods for making and using
WO2010151251A1 (en) * 2008-06-23 2010-12-29 Microfabrica Inc. Miniature shredding tool for use in medical applications and methods for making
US9814484B2 (en) 2012-11-29 2017-11-14 Microfabrica Inc. Micro debrider devices and methods of tissue removal
US8414607B1 (en) 2008-06-23 2013-04-09 Microfabrica Inc. Miniature shredding tool for use in medical applications and methods for making
EP2362822A2 (de) * 2008-09-26 2011-09-07 Mikro Systems Inc. Systeme, vorrichtungen und/oder verfahren zur herstellung von gussteilen
WO2010097280A1 (en) * 2009-02-27 2010-09-02 Unilever Plc A spray nozzle
EP3009532A1 (de) 2009-06-08 2016-04-20 Modumetal, Inc. Elektroplattierte nanolaminierte beschichtungen und verkleidungen für korrosionsschutz
EP2263972A1 (de) * 2009-06-12 2010-12-22 Nivarox-FAR S.A. Verfahren zur Herstellung einer metallischen Mikrostruktur und eine mit diesem Verfahren erhaltene Mikrostruktur
CN102472855B (zh) * 2009-07-01 2014-11-05 旭硝子株式会社 表面具有微细凹凸构造的物品的制造方法及线栅型偏振片的制造方法
EP3175803A1 (de) 2009-08-18 2017-06-07 Microfabrica Inc. Konzentrische schneidvorrichtungen zur verwendung in minimalinvasiven medizinischen verfahren
EP2309342A1 (de) * 2009-10-07 2011-04-13 Nivarox-FAR S.A. Freilauf-Triebfeder aus mikro-bearbeitbarem Material und ihr Herstellungsverfahren
EP2405300A1 (de) * 2010-07-09 2012-01-11 Mimotec S.A. Herstellungsverfahren von mehrschichtigen Metallteilen mit Hilfe eines Verfahrens vom Typ LIGA, und mit dieser Methode hergestellte Teile
KR20120083170A (ko) * 2011-01-17 2012-07-25 삼성전자주식회사 도금 용액 내의 포토레지스트 분해물 분석법을 이용한 도금 방법
US8813824B2 (en) 2011-12-06 2014-08-26 Mikro Systems, Inc. Systems, devices, and/or methods for producing holes
EP2672319A1 (de) 2012-06-06 2013-12-11 Mimotec S.A. Herstellungsverfahren von dreidimensionalen Metallmikroteilen durch Wachstum in einem gemischten Hohlraum, und durch dieses Verfahren erhaltene Mikroteile
DE102012023379B4 (de) 2012-08-03 2018-09-27 Krohne Messtechnik Gmbh Verfahren zur Herstellung eines Massenspektrometers und entsprechendes Massenspektrometer
BR112015022078B1 (pt) 2013-03-15 2022-05-17 Modumetal, Inc Aparelho e método para eletrodepositar um revestimento nanolaminado
CN105189828B (zh) 2013-03-15 2018-05-15 莫杜美拓有限公司 具有高硬度的镍铬纳米层压涂层
CN105283587B (zh) 2013-03-15 2019-05-10 莫杜美拓有限公司 纳米叠层涂层
EP2971261A4 (de) 2013-03-15 2017-05-31 Modumetal, Inc. Elektroplattierte zusammensetzungen und nanolaminierte legierungen für durch ein additivherstellungsverfahren hergestellte artikel
CN103207529B (zh) * 2013-03-22 2015-04-29 京东方科技集团股份有限公司 曝光方法及曝光设备
KR20140130913A (ko) * 2013-05-02 2014-11-12 주식회사 티지오테크 마스크 및 마스크 제조 방법
US9290854B2 (en) 2013-07-16 2016-03-22 Microfabrica Inc. Counterfeiting deterrent and security devices, systems and methods
CN106794673B (zh) 2014-09-18 2021-01-22 莫杜美拓有限公司 通过电沉积和添加制造工艺制备制品的方法
CA2961508C (en) 2014-09-18 2024-04-09 Modumetal, Inc. A method and apparatus for continuously applying nanolaminate metal coatings
DE102016209489B3 (de) * 2016-05-31 2017-08-17 Robert Bosch Gmbh Mikroelektromechanische Detektorvorrichtung und entsprechendes Herstellungsverfahren
WO2018049062A1 (en) 2016-09-08 2018-03-15 Modumetal, Inc. Processes for providing laminated coatings on workpieces, and articles made therefrom
CA3057836A1 (en) 2017-03-24 2018-09-27 Modumetal, Inc. Lift plungers with electrodeposited coatings, and systems and methods for producing the same
WO2018195516A1 (en) 2017-04-21 2018-10-25 Modumetal, Inc. Tubular articles with electrodeposited coatings, and systems and methods for producing the same
AT520718B1 (de) * 2018-01-30 2019-07-15 Joanneum Res Forschungsgmbh Verfahren zur herstellung eines formeinsatzes mit (sub-)mikrostrukturen sowie werkstück mit (sub-)mikrostrukturen
EP3784823A1 (de) 2018-04-27 2021-03-03 Modumetal, Inc. Vorrichtungen, systeme und verfahren zur herstellung einer vielzahl von gegenständen mit nanolaminierten beschichtungen mittels rotation
US11262383B1 (en) 2018-09-26 2022-03-01 Microfabrica Inc. Probes having improved mechanical and/or electrical properties for making contact between electronic circuit elements and methods for making
CN110950301B (zh) * 2018-09-27 2023-04-07 哈尔滨工业大学（威海） 一种基于纳米线材料的柔性电极复杂图案的制备方法
EP3748437A1 (de) * 2019-06-07 2020-12-09 Rolex Sa Herstellung einer uhrkomponente

Family Cites Families (31)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3449221A (en) * 1966-12-08 1969-06-10 Dynamics Res Corp Method of making a monometallic mask
US3535137A (en) * 1967-01-13 1970-10-20 Ibm Method of fabricating etch resistant masks
US3886584A (en) * 1970-11-23 1975-05-27 Harris Corp Radiation hardened mis devices
US4035522A (en) * 1974-07-19 1977-07-12 International Business Machines Corporation X-ray lithography mask
US3984582A (en) * 1975-06-30 1976-10-05 Ibm Method for preparing positive resist image
US4018938A (en) * 1975-06-30 1977-04-19 International Business Machines Corporation Fabrication of high aspect ratio masks
US4108938A (en) * 1976-07-19 1978-08-22 Johnson & Johnson Method for shaping a plastic membrane
US4107351A (en) * 1976-10-15 1978-08-15 Rca Corporation Method of depositing or repairing a patterned metal layer on a substrate
DE2922642C2 (de) * 1979-06-02 1981-10-01 Kernforschungszentrum Karlsruhe Gmbh, 7500 Karlsruhe Verfahren zum Herstellen von Platten für den Aufbau von Trenndüsenelementen
DE2933570C3 (de) * 1979-08-18 1982-02-25 Kernforschungszentrum Karlsruhe Gmbh, 7500 Karlsruhe Verfahren zum Herstellen von Trenndüsenelementen
DE3206820C2 (de) * 1982-02-26 1984-02-09 Kernforschungszentrum Karlsruhe Gmbh, 7500 Karlsruhe Verfahren zum Herstellen von Trenndüsenelementen
DE3221981C2 (de) * 1982-06-11 1985-08-29 Kernforschungszentrum Karlsruhe Gmbh, 7500 Karlsruhe Verfahren zum Herstellen von aus Trennkörpern mit Abschlußplatten bestehenden Trenndüsenelementen zur Trennung gas- oder dampfförmiger Gemische
DE3408849A1 (de) * 1984-03-10 1985-09-19 Kernforschungszentrum Karlsruhe Gmbh, 7500 Karlsruhe Verfahren zur herstellung geschichteter vielkanalplatten aus metall fuer bildverstaerker
DE3408848A1 (de) * 1984-03-10 1985-09-19 Kernforschungszentrum Karlsruhe Gmbh, 7500 Karlsruhe Verfahren zur herstellung von vielkanalplatten
US4634645A (en) * 1984-04-13 1987-01-06 Nippon Telegraph And Telephone Corporation Method of forming resist micropattern
BR8505473A (pt) * 1984-11-02 1986-08-05 Kernforschungsz Karlsruhe Processo para produzir uma pluralidade de elementos conectores deformaveis,processo para produzir cada parte de um conector de duas partes mecanicamente separavel possuindo multiplos elementos conectores elementos conectores deformaveis e conector multiplo mecanicamente separavel para ligacoes eletricas de componentes microeletronicas
DE3517729A1 (de) * 1985-05-17 1986-11-20 Kernforschungszentrum Karlsruhe Gmbh, 7500 Karlsruhe Verfahren zum herstellen von spinnduesenplatten
DE3517730A1 (de) * 1985-05-17 1986-11-20 Kernforschungszentrum Karlsruhe Gmbh, 7500 Karlsruhe Verfahren zum herstellen von spinnduesenplatten
DE3524411A1 (de) * 1985-07-09 1987-01-15 Kernforschungsz Karlsruhe Verfahren zum herstellen von spinnduesenplatten
DE3529966C1 (de) * 1985-08-22 1987-01-15 Kernforschungsz Karlsruhe Verfahren zur Herstellung von Masken fuer die Roentgentiefenlithographie
DE3537483C1 (de) * 1985-10-22 1986-12-04 Kernforschungszentrum Karlsruhe Gmbh, 7500 Karlsruhe Verfahren zum Herstellen einer Vielzahl plattenfoermiger Mikrostrukturkoerper aus Metall
ATA331285A (de) * 1985-11-13 1988-11-15 Ims Ionen Mikrofab Syst Verfahren zur herstellung einer transmissionsmaske
DE3546091A1 (de) * 1985-12-24 1987-07-02 Kernforschungsz Karlsruhe Querstrom-mikrofilter
DE3605781A1 (de) * 1986-02-22 1987-09-03 Kernforschungsz Karlsruhe Verwendung eines folien- oder plattenfoermigen gebildes als lagerwerkstoff fuer gleitlager
DE3606225A1 (de) * 1986-02-26 1987-08-27 Siemens Ag Verfahren zum auflaminieren von fotofolien auf leiterplatten
DE3611246A1 (de) * 1986-04-04 1987-10-15 Kernforschungsz Karlsruhe Verfahren zum herstellen eines passiven optischen bauelements mit einem oder mehreren echelette-gittern und nach diesem verfahren hergestelltes bauelement
DE3704546A1 (de) * 1987-02-13 1988-08-25 Kernforschungsz Karlsruhe Verfahren zur herstellung eines filters und danach hergestelltes filter
US5189777A (en) * 1990-12-07 1993-03-02 Wisconsin Alumni Research Foundation Method of producing micromachined differential pressure transducers
US5206983A (en) * 1991-06-24 1993-05-04 Wisconsin Alumni Research Foundation Method of manufacturing micromechanical devices
US5190637A (en) * 1992-04-24 1993-03-02 Wisconsin Alumni Research Foundation Formation of microstructures by multiple level deep X-ray lithography with sacrificial metal layers
US5378583A (en) * 1992-12-22 1995-01-03 Wisconsin Alumni Research Foundation Formation of microstructures using a preformed photoresist sheet

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