EP0575003A2 - Elektrische Widerstandsschicht - Google Patents

Elektrische Widerstandsschicht Download PDF

Info

Publication number
EP0575003A2
EP0575003A2 EP93201714A EP93201714A EP0575003A2 EP 0575003 A2 EP0575003 A2 EP 0575003A2 EP 93201714 A EP93201714 A EP 93201714A EP 93201714 A EP93201714 A EP 93201714A EP 0575003 A2 EP0575003 A2 EP 0575003A2
Authority
EP
European Patent Office
Prior art keywords
electrical resistance
resistance layer
layer according
atomic
electrical
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
EP93201714A
Other languages
English (en)
French (fr)
Other versions
EP0575003B1 (de
EP0575003A3 (de
Inventor
Eckart Boettger
Heinz Prof. Dr. Dimigen
Claus-Peter Dr. Klages
Klaus Dr. Taube
Rudolf Thyen
Hubertus Hübsch
Rainer Veyhl
Andreas Dr. Weber
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Philips Intellectual Property and Standards GmbH
Fraunhofer Gesellschaft zur Foerderung der Angewandten Forschung eV
Koninklijke Philips NV
Original Assignee
Philips Patentverwaltung GmbH
Fraunhofer Gesellschaft zur Foerderung der Angewandten Forschung eV
Koninklijke Philips Electronics NV
Philips Electronics NV
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Family has litigation
First worldwide family litigation filed litigation Critical https://patents.darts-ip.com/?family=6461103&utm_source=google_patent&utm_medium=platform_link&utm_campaign=public_patent_search&patent=EP0575003(A2) "Global patent litigation dataset” by Darts-ip is licensed under a Creative Commons Attribution 4.0 International License.
Application filed by Philips Patentverwaltung GmbH, Fraunhofer Gesellschaft zur Foerderung der Angewandten Forschung eV, Koninklijke Philips Electronics NV, Philips Electronics NV filed Critical Philips Patentverwaltung GmbH
Publication of EP0575003A2 publication Critical patent/EP0575003A2/de
Publication of EP0575003A3 publication Critical patent/EP0575003A3/xx
Application granted granted Critical
Publication of EP0575003B1 publication Critical patent/EP0575003B1/de
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01C—RESISTORS
    • H01C7/00—Non-adjustable resistors formed as one or more layers or coatings; Non-adjustable resistors made from powdered conducting material or powdered semi-conducting material with or without insulating material
    • H01C7/006—Thin film resistors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01C—RESISTORS
    • H01C17/00—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing resistors
    • H01C17/06—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing resistors adapted for coating resistive material on a base
    • H01C17/075—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing resistors adapted for coating resistive material on a base by thin-film techniques
    • H01C17/12—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing resistors adapted for coating resistive material on a base by thin-film techniques by sputtering

Definitions

  • the invention relates to a Me-C: H layer as a high-resistance electrical resistance layer and to a discrete electrical resistance and the use of the electrical resistance layer.
  • DE-OS 2509623 describes a method for producing electrical resistance layers made of Ta-C x with 0.35>X> 0.8 by sputtering.
  • This step shows that in the Ta-C system the low TC of -25 ppm / K goes hand in hand with a specific resistance of 200-300 ⁇ cm (e.g. see Figure 3). These layers are therefore for high-resistance precision resistors, i.e. not suitable for precision resistors with a specific resistance greater than 1,000 ⁇ cm.
  • EP 0247413 A1 also describes resistance layers which are produced by sputtering zircon / palladium, titanium / gold, zircon / gold, hafnium / gold or titanium / palladium in a reactive gas atmosphere. According to the teaching of this step, layers in the form of nitrides (claim 3) or carbides or carbonitrides are expressly to be produced (description column 3, lines 16-19).
  • the layers produced according to this document therefore consist of metallic conductive inclusions (gold, palladium or platinum) in a metallic conductive matrix (carbide or nitride). Such metal composite layers are therefore likewise not suitable as layers with a high specific resistance. The temperature dependence of the resistance is not specified.
  • TK temperature coefficient of resistance
  • the resistance value of a discrete electrical resistance can be increased by a microstructuring process (coils in cylindrical, meandering in flat resistance bodies).
  • the final value / basic value ratio to be achieved in this process is, however, set an upper limit by the limited total area of the resistance, since the conductor track must not be narrow as desired.
  • the trend in the development of discrete electrical resistors is towards miniaturization.
  • the area of the smallest designs is currently only around 1 x 2 mm2. The requirement for high impedance can therefore only be met by increasing the specific resistance of the layer material used.
  • an electrical resistance layer which consists of 40-95 atom% carbon, 4-60 atom% of one or more metals and 1-30 atom% hydrogen, with no carbide formation taking place here.
  • This layer advantageously has a specific resistance of greater than 1,000 ⁇ cm and a TK between -100 and + 100 ppm / K.
  • certain Me-C: H layers have a specific resistance of greater than 1,000 ⁇ cm and a TK between -50 and +50 ppm / K if no carbide formation took place between metal and carbon.
  • a preferred embodiment provides that metals from the 1st and / or 8th subgroup of the Periodic Table of the Elements (according to the new IUPAC nomenclature from the 8th and / or 9th and / or 10th and / or 11th group) of the Periodic Table of the Elements), in particular those from the copper group and / or platinum group.
  • Ag, Pt, Au and / or Cu has proven to be particularly suitable here.
  • a further preferred embodiment provides that the layer preferably contains 60-75 atom% of carbon, 25-30 atom% of a metal and 5-8% hydrogen.
  • Another advantageous variant provides that part of the carbon is replaced by silicon and / or boron and / or nitrogen. It has proven advantageous to substitute between 1 and 95%, advantageously between 1 and 40%, of the carbon content by silicon and / or boron and / or nitrogen.
  • the layers according to the invention consist of a highly cross-linked hydrocarbon matrix with preferably embedded nanocrystalline, metallically conductive particles. With regard to their electrical properties, they behave like metal (positive TC) with high metal contents and semiconductors (negative TC) with sufficiently low metal content.
  • Pt-C H, Au-C: H and Cu -C: H around 10,000 ⁇ cm.
  • Me-C layers are produced using the methods of the prior art, i.e. with CVD or with PVD.
  • a subsequent tempering process preferably in air, subsequently stabilizes the layer properties (pre-aging).
  • the changes in the layer structure caused in this way increase in particle size, healing of lattice defects, increase in matrix crosslinking
  • changes in chemical composition incorporation of oxygen, expulsion of hydrogen and carbon
  • a TK close to 0 ppm / K can be achieved through suitable tempering conditions (temperature, time, surrounding medium).
  • a passivation layer e.g. an approx. 100 nm thick amorphous, silicon-containing hydrocarbon layer (a-CSi: H) can be applied.
  • the new thin-film material according to the invention accordingly enables higher specific resistances than CrSi (approx. 1,000 ⁇ cm) with the same TC. Due to the special microstructure of the material (dense amorphous network), there is also significantly improved long-term stability.
  • the invention further relates to an electrical resistor as a discrete component.
  • the electrical resistance layer described is then applied to a substrate in a layer thickness of 10 nanometers to 10 ⁇ m, preferably 50 nanometers to 5 ⁇ m, using the known method.
  • AlN, BN, Al 2 O 3, SiC or silicate is used as the substrate.
  • the invention also relates to the use of the electrical resistance layer for producing electrical resistors as discrete and / or integrated components in a preferred embodiment and their use in microelectronics.
  • Pt-C H layers were produced by reactive HF sputtering.
  • the Traget-substrate distance was 5.5 cm, the total pressure 0.020 mbar.
  • the ethyne portion of the gas phase was 2% (remainder: argon), the target bias voltage 1.5 kV.
  • the target bias voltage 1.5 kV.
  • Elemental analysis revealed an atomic platinum fraction ( Pt / (Pt + C) ) of 0.09, the total hydrogen content is less than 30 at%.
  • the electrical characterization of the layer after an annealing process (1 h, air, 300 ° C) showed a specific resistance of 19,000 ⁇ cm and a TK of 40 ppm / K at room temperature.
  • Pt-CSi H layers have been produced by reactive HF sputtering with tetramethylsilane (TMS).
  • TMS tetramethylsilane
  • the target-substrate distance was 5.5 cm, the target bias voltage 2.0 kV.
  • the TMS partial pressure was 0.001 mbar (rest: argon).
  • Elemental analysis revealed an atomic platinum fraction ( Pt / Pt + Si + C ) of 0.33, an atomic silicon fraction ( Si / (Pt + Si + C) ) of 0.12 and an atomic carbon fraction ( C / (Pt + Si + C) ) from 0.55.
  • the total hydrogen content is less than 30 at%.
  • the electrical characterization of the layer after an annealing process (8h, air, 300 ° C) showed a specific resistance of 63,000 ⁇ cm and a TK of -46 ppm / K at room temperature.

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Non-Adjustable Resistors (AREA)
  • Apparatuses And Processes For Manufacturing Resistors (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)
  • Electrodes Of Semiconductors (AREA)

Abstract

Die Erfindung betrifft eine hochohmige elektrische Widerstandsschicht mit niedrigen Temperaturkoeffizienten, die Kohlenstoff, Wasserstoff und Metall enthält, wobei der Kohlenstoff teilweise durch Silicium, Bor und/oder Stickstoff substituiert sein kann.

Description

  • Die Erfindung betrifft eine Me-C:H-Schicht als hochohmige elektrische Widerstandsschicht sowie einen diskreten elektrischen Widerstand und die Verwendung der elektrischen Widerstandsschicht.
  • Elektrische Widerstandsschichten sind bereits bekannt. Die DE-OS 2509623 beschreibt ein Verfahren zur Herstellung von elektrischen Widerstandsschichten aus Ta-Cx mit 0,35 > X > 0,8 durch Kathodenzerstäubung.
  • Aus dieser Schritt geht hervor, daß im System Ta-C der geringe TK von -25 ppm/K mit einem spezifischen Widerstand von 200 - 300 µΩcm einhergeht (z.B. siehe Figur 3). Diese Schichten sind demnach für hochohmige Präzisionswiderstände, d.h. für Präzisionswiderstände mit einem spezifischen Widerstand von größer 1.000 µΩcm, nicht geeignet.
  • In der EP 0247413 A1 werden ebenfalls Widerstandsschichten beschrieben, die durch Zerstäubung von Zirkon/Palladium, Titan/Gold, Zirkon/Gold, Hafnium/Gold oder Titan/Palladium in reaktiver Gasatmosphäre hergestellt werden. Es sollen gemäß der Lehre dieser Schritt ausdrücklich Schichten in Form von Nitriden (Anspruch 3) oder Karbiden oder Karbonitriden hergestellt werden (Beschreibung Spalte 3, Zeilen 16 - 19).
  • Die nach dieser Druckschrift hergestellten Schichten bestehen demnach aus metallisch leitenden Einschlüssen (Gold, Palladium oder Platin) in einer metallisch leitenden Matrix (Carbid oder Nitrid). Derartige Metallkompositschichten sind demnach ebenfalls als Schichten mit einem hohen spezifischen Widerstand nicht geeignet. Die Temperaturabhängigkeit des Widerstandes wird nicht näher spezifiziert.
  • Moderne mikroelektronische Anwendungen erfordern aber gerade Widerstandswerte von mehr als 1 MΩ bei möglichst geringen Temperaturkoeffizienten des Widerstandes (im folgenden mit TK abgekürzt). Voraussetzung für die Realisierung solcher Komponenten sind Schichtmaterialien mit einem hohen spezifischen Widerstand von mindestens 1.000 µΩcm bei sehr geringem TK. Wie aus der Diskussion des Standes der Technik hervorgeht, sind diese Metall-Metallcarbid-Schichten nicht in der Lage, diese Anforderungen zu erfüllen. Deshalb werden z.Z. auch Systeme CrSi realisiert und für hochohmige Schichtwiderstände eingesetzt. Obwohl diese Schichten eine Verbesserung gegenüber den zuvor verwendeten Kohleschichtwiderständen darstellen, entsprechen ihre Eigenschaften im Hinblick auf Hochohmigkeit, TK und Langzeitstabilität nicht den Anforderungen welche an Schichtsysteme für Präzisonswiderstände der Mikroelektronik gestellt werden.
  • Der Widerstandswert eines diskreten elektrischen Widerstandes kann zwar durch einen Mikrostrukturierungsprozeß (Wendeln bei zylindrischen, Mäandrieren bei flachen Widerstandskörpern) erhöht werden. Dem bei diesem Prozeß zu erzielenden Endwert/Grundwertverhältnis ist aber durch die begrenzte Gesamtfläche des Widerstandes eine obere Grenze gesetzt, da die Leiterbahn nicht beliebig schmal werden darf. Der Trend bei der Entwicklung diskreter elektrischer Widerstände geht aber in Richtung Miniaturisierung. Die Fläche der kleinsten Bauformen beträgt z.Z. nur noch rund 1 x 2 qmm. Die Forderung nach Hochohmigkeit ist deshalb nur durch eine Vergrößerung des spezifischen Widerstandes des verwendeten Schichtmaterials zu erfüllen.
  • Es ist deshalb die Aufgabe der vorliegenden Erfindung, ein Schichtwiderstandsmaterial zu realisieren, welches einen hohen spezifischen Widerstand, vorzugsweise von mehr als 1.000 µΩcm, mit einem niedrigen TK, vorzugsweise zwischen -100 und + 100 ppm/K verbindet. Eine weitere Aufgabe der Erfindung ist es, einen entsprechenden elektrischen Widerstand, der als diskretes Bauelement verwendet werden kann, anzugeben.
  • Die Aufgabe wird erfindungsgemäß dadurch gelöst, daß eine elektrische Widerstandsschicht vorgeschlagen wird, die aus 40 - 95 Atom% Kohlenstoff, 4 - 60 Atom% eines oder mehrerer Metalle und 1 - 30 Atom% Wasserstoff besteht, wobei hier keine Carbidbildung erfolgt ist. Vorteilhafterweise hat diese Schicht einen spezifischen Widerstand von größer 1.000 µΩcm und einen TK zwischen -100 und + 100 ppm/K. Überraschenderweise wurde gefunden, daß bestimmte Me-C:H-Schichten einen spezifischen Widerstand von größer 1.000 µΩcm und einen TK zwischen -50 und +50 ppm/K aufweisen, wenn zwischen Metall und Kohlenstoff keine Carbidbildung stattgefunden hat. Eine bevorzugte Ausführungsform sieht vor, daß als Metalle Metalle aus der 1. und/oder 8. Nebengruppe des Periodensystems der Elemente (nach neuer IUPAC-Nomenklatur aus der 8. und/oder 9. und/oder 10. und/oder 11. Gruppe des Periodensystems der Elemente), insbesondere die aus der Kupfer-Gruppe und/oder Platin-Gruppe, ausgewählt werden. Als besonders geeignet hat sich hier Ag, Pt, Au und/oder Cu erwiesen.
  • Eine weitere bevorzugte Ausführungsform sieht vor, daß die Schicht bevorzugt 60 - 75 Atom% Kohlenstoff, 25 - 30 Atom% eines Metalles und 5-8% Wasserstoff enthält.
  • Eine weitere vorteilhafte Variante sieht vor, daß ein Teil des Kohlenstoffes durch Silicium und/oder Bor und/oder Stickstoff ersetzt ist. Als günstig hat es sich erwiesen, zwischen 1 und 95%, vorteilhafterweise zwischen 1 und 40%, des Kohlenstoffanteiles durch Silicium und/oder Bor und/oder Stickstoff zu substituieren.
  • Die erfindungsgemäßen Schichten bestehen aus einer hochvernetzten Kohlenwasserstoff-Matrix mit bevorzugt eingebetteten nanocristallinen, metallisch leitenden Partikeln. Sie verhalten sich bezüglich ihrer elektrischen Eigenschaften bei hohen Metallgehalten metallisch (positiver TK) bei genügend niedrigem Metallgehalt wie Halbleiter (negativer TK). Für jedes Me-C:H-System gibt es demnach eine Zusammensetzung, bei der der TK = 0 ppm/K
    Figure imgb0001
     ist. Der zu einer Schicht mit einem TK = 0 ppm/K
    Figure imgb0002
     gehörende , durch Interpolation abgeschätzte spezifische Widerstand beträgt für die Schichtsysteme Ti-C:H, Ta-C:H und Nb-C:H ca. 200 - 300 µΩcm für die Schichtsysteme Pt-C:H, Au-C:H und Cu-C:H rund 10.000 µΩcm. Demnach weisen Schichten mit Metallen, die keine metallischen Carbide bilden, wie z.B. Platin, Gold und Kupfer erhebliche Abweichungen von der als "Mooijschen Regel" bekannten empirischen Gesetzmäßigkeiten auf, wonach für die ganz überwiegende Zahl elektrischer Leiter ein TK zwischen -100 und + 100 ppm/K mit einem spezifischen Widerstand zwischen etwa 100 und 200 µΩcm einhergeht.
  • Die Herstellung dieser Me-C:H-Schichten erfolgt mit den Methoden des Standes der Technik, d.h. mit CVD oder mit PVD. Durch einen anschließenden Temperprozeß, vorzugsweise an Luft, werden die Schichteigenschaften nachträglich stabilisiert (Voralterung). Die so hervorgerufenen Änderungen der Schichtstruktur (Erhöhung der Partikelgröße, Ausheilung von Gitterfehlern, Erhöhung der Matrixvernetzung) sowie Änderungen der chemischen Zusammensetzung (Einbau von Sauerstoff, Austreibung von Wasserstoff und Kohlenstoff) haben auch eine Änderung der elektrischen Eigenschaften zur Folge. Je nach Schichtsystem und Metallgehalt kann durch geeignete Temperbedingungen (Temperatur, Zeit, umgebendes Medium) ein TK nahe 0 ppm/K erreicht werden. Um die Schicht beim Tempern vor einer thermischen Zersetzung mit dem Luftsauerstoff zu schützen, kann zusätzlich auf die eigentliche Funktionsschicht eine Passivierungsschicht, z.B. eine ca. 100 nm dicke amorphe, siliciumhaltige Kohlenwasser-stoffschicht (a-CSi:H), aufgebracht werden.
  • Durch das neue erfindungsgemäße Dünnschichtmaterial werden demnach höhere spezifische Widerstände als bei CrSi (ca. 1.000 µΩcm) bei gleichem TK ermöglicht. Aufgrund der besonderen Mikrostruktur des Materials (dichtes amorphes Netzwerk) ergibt sich zudem eine wesentlich verbesserte Langzeitstabilität.
  • Die Erfindung betrifft weiterhin noch einen elektrischen Widerstand als diskretes Bauelement. Erfindungsgemäß wird danach die beschriebene elektrische Widerstandsschicht auf ein Substrat in einer Schichtdicke von 10 Nanometer bis 10 µm, vorzugsweise 50 Nanometer bis 5 µm, mit dem bekannten Verfahren aufgebracht. In einer bevorzugten Ausführungsform wird als Substrat AlN, BN, Al²O₃, SiC oder Silicat verwendet.
  • Letztlich betrifft die Erfindung auch die Verwendung der elektrischen Widerstandsschicht zum Herstellen von elektrischen Widerständen als diskrete und/oder integrierte Bauelemente in einer bevorzugten Ausführungsform und deren Anwendung in der Mikroelektronik.
  • Die Erfindung wird anhand von drei Ausführungsbeispielen näher erläutert.
    • Ausführungsbeispiele 1.Au-C:H
  • In einer mit einem Goldtarget (15 cm) ausgestatteten Parallelplatten-HF-Sputteranlage (13.56 MHz, 800 W, 1,5 kV Target-Biasspannung) (siehe Skizze 1) wird bei einem Druck von 0.03 mbar in einer Gasatmosphäre aus Argon (46 sccm, wobei sccm Standardkubikzentimeter pro Minute bedeutet und mit cm³/min. unter Standardbedingungen gleichzusetzen ist) und Ethylen (3 sccm) ein Plasma gezündet. Auf einem in 6 cm Abstand vom Target angebrachten Quarzsubstrat scheidet sich in 17 Minuten eine Au-C:H-Schicht von 1.5 µm Dicke ab. Die Elementaranalyse (Elektronenstrahl-Mikrosonde) ergibt einen atomaren Goldanteil ( Au/(Au+C)
    Figure imgb0003
     ) von 0,55, der Wasserstoffgehalt ist insgesamt kleiner als 30 at-%. Die elektrische Charakterisierung der Schicht ergibt einen spezifischen Widerstand von 2.500 µΩcm und einen TK von 45 ppm/K bei Raumtemperatur.
    • 2.Pt-C:H
  • Pt-C:H-Schichten wurden durch reaktives HF-Sputtern hergestellt. Der Traget-Substratabstand betrug 5.5 cm, der Gesamtdruck 0.020 mbar. Der Ethin-Anteil der Gasphase betrug 2% (Rest: Argon), die Target-Biasspannung 1.5 kV. Auf diese Weise wurden auf Keramiksubstraten in 30 min. 0.5 µm dicke Schichten erhalten. Die Elementaranalyse ergab einen atomaren Platinanteil ( Pt/(Pt+C)
    Figure imgb0004
     ) von 0,09, der Wasserstoffgehalt ist insgesamt kleiner als 30 at-%. Die elektrische Charakterisierung der Schicht nach einem Temperprozeß (1h, Luft, 300°C) ergab einen spezifischen Widerstand von 19.000 µΩcm und einen TK von 40 ppm/K bei Raumtemperatur.
    • 3.Pt-CSi:H
  • Pt-CSi:H-Schichten sind durch reaktives HF-Sputtern mit Tetramethylsilan (TMS) hergestellt worden. Der Target-Substratabstand betrug 5.5 cm, die Target-Biasspannung 2.0 kV. Bei einem Prozeßdruck von 0.01 mbar betrug der TMS-Partialdruck 0.001 mbar (Rest: Argon). Bei einer Beschichtungszeit von 1 Stunde wurden 2 µm dicke Schichten hergestellt. Die Elementaranalyse ergab einen atomaren Platinanteil ( Pt/Pt+Si+C
    Figure imgb0005
     ) von 0.33, einen atomaren Silicium-anteil ( Si/(Pt+Si+C)
    Figure imgb0006
     ) von 0.12 und einen atomaren Kohlenstoffanteil ( C/(Pt+Si+C)
    Figure imgb0007
     ) von 0.55. Der Wasserstoffgehalt ist insgesamt kleiner als 30 at%. Die elektrische Charakterisierung der Schicht nach einem Temperprozeß (8h, Luft, 300°C) ergab einen spezifischen Widerstand von 63.000 µΩcm und einen TK von -46 ppm/K bei Raumtemperatur.

Claims (14)

  1. Elektrische Widerstandsschicht mit hohem spezifischen Widerstand bei geringem Temperaturkoeffizienten, die Kohlenstoff und Metall enthält,
    dadurch gekennzeichnet, daß sie 40 - 95 Atom-% Kohlenstoff, 4 - 60 Atom-% eines oder mehrerer Metalle und 1 - 30 Atom-% Wasserstoff enthält.
  2. Elektrische Widerstandsschicht nach Anspruch 1,
    dadurch gekennzeichnet, daß sie 60 - 75 Atom-% Kohlenstoff, 25 - 30 Atom-% Metall und 5 - 8 Atom-% Wasserstoff enthält.
  3. Elektrische Widerstandsschicht nach einem der Ansprüche 1 bis 2,
    dadurch gekennzeichnet, daß zwischen 1 - 95 % des Kohlenstoffanteiles durch Silicium und/oder Bor und/oder Stickstoff ersetzt ist.
  4. Elektrische Widerstandsschicht nach Anspruch 3,
    dadurch gekennzeichnet, daß zwischen 1 - 40 % des Kohlenstoffanteiles durch Silicium und/oder Bor und/oder Stickstoff ersetzt ist.
  5. Elektrische Widerstandsschicht nach einem oder mehreren der Ansprüche 1 bis 4,
    dadurch gekennzeichnet, daß das oder die Metalle Metalle aus der 1. und/oder 8. Nebengruppe des Periodensystems der Elemente sind.
  6. Elektrische Widerstandsschicht nach einem oder mehreren der Ansprüche 1 bis 5,
    dadurch gekennzeichnet, daß die Metalle Ag, Au, Cu, Pt und/oder Pd sind.
  7. Elektrische Widerstandsschicht nach einem oder mehreren der Ansprüche 1 bis 6,
    dadurch gekennzeichnet, daß das oder die Metalle in Form von kristallinen Partikeln mit einer Partikelgröße im Nanometerbereich vorliegen.
  8. Elektrische Widerstandsschicht nach Anspruch 7
    dadurch gekennzeichnet, daß diese Partikel eine Größe zwischen 1 und 500 nm aufweisen.
  9. Elektrischer Widerstand als diskretes Bauelement,
    dadurch gekennzeichnet, daß auf ein Substrat eine elektrische Widerstandsschicht nach einem oder mehreren der Ansprüche 1 bis 8 mit einer Dicke von 10 nm - 10 µm aufgebracht ist.
  10. Elektrischer Widerstand als diskretes Bauelement nach Anspruch 9,
    dadurch gekennzeichnet, daß die elektrische Widerstandsschicht eine Dicke von 50 nm - 5 µm hat.
  11. Elektrischer Widerstand als diskretes Bauelement nach einem der Ansprüche 9 und 10,
    dadurch gekennzeichnet, daß das Substrat aus Keramik besteht.
  12. Elektrischer Widerstand als diskretes Bauelement nach Anspruch 11,
    dadurch gekennzeichnet, daß das Substrat aus AlN-, BN-, Al₂O₃₋, SiC- und/oder Silicat-Keramik besteht.
  13. Verwendung der elektrischen Widerstandsschicht nach einem oder mehreren der Ansprüche 1 bis 8 zum Herstellen von elektrischen Widerständen als diskrete und/oder integrierte Bauelemente.
  14. Verwendung der elektrischen Widerstände als diskrete und/oder integrierte Bauelemente nach einem oder mehreren der Ansprüche 9 bis 12 in der Mikroelektronik.
EP93201714A 1992-06-16 1993-06-15 Elektrische Widerstandsschicht Expired - Lifetime EP0575003B1 (de)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE4219649 1992-06-16
DE4219649 1992-06-16

Publications (3)

Publication Number Publication Date
EP0575003A2 true EP0575003A2 (de) 1993-12-22
EP0575003A3 EP0575003A3 (de) 1994-08-03
EP0575003B1 EP0575003B1 (de) 1999-02-17

Family

ID=6461103

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
EP93201714A Expired - Lifetime EP0575003B1 (de) 1992-06-16 1993-06-15 Elektrische Widerstandsschicht

Country Status (6)

Country Link
US (2) US5677070A (de)
EP (1) EP0575003B1 (de)
JP (1) JPH06163201A (de)
DE (1) DE59309376D1 (de)
ES (1) ES2130212T3 (de)
TW (1) TW240321B (de)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2009129930A1 (de) * 2008-04-24 2009-10-29 Hochschule Für Technik Und Wirtschaft Des Saarlandes Schichtwiderstand mit konstantem temperaturkoeffizienten sowie herstellung eines solchen schichtwiderstands

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE59605278D1 (de) * 1995-03-09 2000-06-29 Philips Corp Intellectual Pty Elektrisches Widerstandsbauelement mit CrSi-Widerstandsschicht
TW430827B (en) * 1998-05-22 2001-04-21 Advanced Refractory Tech Resistors with low temperature coefficient of resistance and methods of making
DE19834968A1 (de) * 1998-08-03 2000-02-17 Fraunhofer Ges Forschung Beschichtung für Werkzeuge zur Bearbeitung von wärmebehandeltem Glas
US6462467B1 (en) * 1999-08-11 2002-10-08 Sony Corporation Method for depositing a resistive material in a field emission cathode
WO2014200011A1 (ja) * 2013-06-12 2014-12-18 アルプス電気株式会社 抵抗体及び温度検出装置

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE2509623A1 (de) * 1975-03-05 1976-09-16 Siemens Ag Verfahren zum herstellen von elektrischen widerstandsschichten
US4118788A (en) * 1977-03-07 1978-10-03 Bell Telephone Laboratories, Incorporated Associative information retrieval
US4159459A (en) * 1977-06-23 1979-06-26 Angstrohm Precision, Inc. Non-inductive cylindrical thin film resistor
DE2812497C3 (de) * 1978-03-22 1982-03-11 Preh, Elektrofeinmechanische Werke, Jakob Preh, Nachf. Gmbh & Co, 8740 Bad Neustadt Gedruckte Schaltung
US4495524A (en) * 1983-06-21 1985-01-22 Nitto Electric Industrial Co., Ltd. Part for a slide variable resistor
US4599193A (en) * 1983-06-30 1986-07-08 Director-General Of The Agency Of Industrial Science And Technology, An Organ Of The Ministry Of International Trade And Industry Of Japan Highly electroconductive pyrolyzed product retaining its original shape and composition formed therefrom
GB2176443B (en) * 1985-06-10 1990-11-14 Canon Kk Liquid jet recording head and recording system incorporating the same
US4774151A (en) * 1986-05-23 1988-09-27 International Business Machines Corporation Low contact electrical resistant composition, substrates coated therewith, and process for preparing such
US5106538A (en) * 1987-07-21 1992-04-21 Raychem Corporation Conductive polymer composition
US5111178A (en) * 1990-06-15 1992-05-05 Bourns, Inc. Electrically conductive polymer thick film of improved wear characteristics and extended life
US5510823A (en) * 1991-03-07 1996-04-23 Fuji Xerox Co., Ltd. Paste for resistive element film

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
THIN SOLID FILMS Bd. 201, Nr. 1 , 5. Juni 1991 , LAUSANNE CH Seiten 109 - 122 GERHARD SOBE ET AL. 'Process characterization with D.C. magnetron sputtering of Cr-Si-C thin films in Ar-CH4 mixtures' *

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2009129930A1 (de) * 2008-04-24 2009-10-29 Hochschule Für Technik Und Wirtschaft Des Saarlandes Schichtwiderstand mit konstantem temperaturkoeffizienten sowie herstellung eines solchen schichtwiderstands
US8198978B2 (en) 2008-04-24 2012-06-12 Hochschule fur Technik und Wirtschaft des Sarlandes Film resistor with a constant temperature coefficient and production of a film resistor of this type

Also Published As

Publication number Publication date
US5677070A (en) 1997-10-14
TW240321B (de) 1995-02-11
EP0575003B1 (de) 1999-02-17
ES2130212T3 (es) 1999-07-01
US5748069A (en) 1998-05-05
EP0575003A3 (de) 1994-08-03
DE59309376D1 (de) 1999-03-25
JPH06163201A (ja) 1994-06-10

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE2507731C3 (de) Meßwiderstand für Widerstandsthermometer und Verfahren zu seiner Herstellung
DE69635745T2 (de) Elektrostatische Haltevorrichtung und Herstellungsverfahren derselben
EP0736881B1 (de) Elektrisches Widerstandsbauelement mit CrSi-Widerstandsschicht
DE19954164B4 (de) Sensor zur Zustandsbestimmung von Kenngrößen an mechanischen Komponenten unter Verwendung von amorphen Kohlenstoffschichten mit piezoresistiven Eigenschaften
CH626468A5 (de)
DD243514B1 (de) Hartstoffschichten fuer mechanisch und korrosiv beanspruchte teile
DE19721989A1 (de) Dielektrikum-Sputtertarget mit hoher Festigkeit und ein Verfahren zu dessen Herstellung
DE102008054982A1 (de) Wafer-Chuck für die EUV-Lithographie
EP0337007B1 (de) Hartstoff-Schutzschicht mit homogener Elementverteilung
EP0575003B1 (de) Elektrische Widerstandsschicht
DE102012211746B4 (de) Friktionsarme beschichtungsschicht für ein fahrzeugteil und verfahren zum erzeugen derselben
DE102007011878A1 (de) Isolatorschichtsystem für einen Sensor und Sensor mit einem solchen Isolatorschichtsystem
WO2022117220A1 (de) Al-Si KORROSIONSSCHUTZSCHICHTEN
DE4319144A1 (de) Elektrische Widerstandsschicht
EP3779526A1 (de) Verfahren zur herstellung einer aluminiumschicht und optisches element
DE4441132A1 (de) Dichtungselement, insbesondere für Absperr- und Regelorgane und Verfahren zu seiner Herstellung
DE102009024608A1 (de) Keramikheizer und Verfahren zu dessen Herstellung
DE4210508C1 (en) Mixed diamond - silicon carbide coating with good adhesion - consists of intimate mixt. of diamond phase and cubic beta silicon carbide phase, which can vary across coating thickness
EP1413647B1 (de) Verschleissschutzschicht
DE2262022C2 (de) Verfahren zur Herstellung von aufgestäubten Widerstandsschichten aus Tantal-Aluminium-Legierungen
DE10114306B4 (de) Kompositschicht, Verfahren zur Herstellung einer Kompositschicht und deren Verwendung
DE69112739T2 (de) Zerstäubungstarget, damit hergestellter filmwiderstand und thermischer druckkopf nebst zugehöriger herstellungsverfahren.
DE102023129550A1 (de) Schicht mit eingebauten abrasiven Partikeln
DD223002A1 (de) Verfahren zur herstellung von duennschichtwiderstaenden hoher praezision
DE102020120107A1 (de) Elektrisch isolierender, korrosionsbeständiger Stoffverbund und Verfahren zu dessen Herstellung

Legal Events

Date Code Title Description
PUAI Public reference made under article 153(3) epc to a published international application that has entered the european phase

Free format text: ORIGINAL CODE: 0009012

AK Designated contracting states

Kind code of ref document: A2

Designated state(s): DE ES FR GB

PUAL Search report despatched

Free format text: ORIGINAL CODE: 0009013

AK Designated contracting states

Kind code of ref document: A3

Designated state(s): DE ES FR GB

RAP1 Party data changed (applicant data changed or rights of an application transferred)

Owner name: N.V. PHILIPS' GLOEILAMPENFABRIEKEN

Owner name: FRAUNHOFER-GESELLSCHAFT ZUR FOERDERUNG DER ANGEWA

Owner name: PHILIPS PATENTVERWALTUNG GMBH

17P Request for examination filed

Effective date: 19950203

17Q First examination report despatched

Effective date: 19970130

GRAG Despatch of communication of intention to grant

Free format text: ORIGINAL CODE: EPIDOS AGRA

RAP3 Party data changed (applicant data changed or rights of an application transferred)

Owner name: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS N.V.

Owner name: FRAUNHOFER-GESELLSCHAFT ZUR FOERDERUNG DER ANGEWA

Owner name: PHILIPS PATENTVERWALTUNG GMBH

GRAG Despatch of communication of intention to grant

Free format text: ORIGINAL CODE: EPIDOS AGRA

GRAH Despatch of communication of intention to grant a patent

Free format text: ORIGINAL CODE: EPIDOS IGRA

GRAH Despatch of communication of intention to grant a patent

Free format text: ORIGINAL CODE: EPIDOS IGRA

GRAA (expected) grant

Free format text: ORIGINAL CODE: 0009210

AK Designated contracting states

Kind code of ref document: B1

Designated state(s): DE ES FR GB

REF Corresponds to:

Ref document number: 59309376

Country of ref document: DE

Date of ref document: 19990325

GBT Gb: translation of ep patent filed (gb section 77(6)(a)/1977)

Effective date: 19990315

ET Fr: translation filed
REG Reference to a national code

Ref country code: ES

Ref legal event code: FG2A

Ref document number: 2130212

Country of ref document: ES

Kind code of ref document: T3

PLBE No opposition filed within time limit

Free format text: ORIGINAL CODE: 0009261

RAP4 Party data changed (patent owner data changed or rights of a patent transferred)

Owner name: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS N.V.

Owner name: FRAUNHOFER-GESELLSCHAFT ZUR FOERDERUNG DER ANGEWA

Owner name: PHILIPS CORPORATE INTELLECTUAL PROPERTY GMBH

26N No opposition filed
REG Reference to a national code

Ref country code: GB

Ref legal event code: IF02

PGFP Annual fee paid to national office [announced via postgrant information from national office to epo]

Ref country code: FR

Payment date: 20020625

Year of fee payment: 10

PGFP Annual fee paid to national office [announced via postgrant information from national office to epo]

Ref country code: GB

Payment date: 20020628

Year of fee payment: 10

PGFP Annual fee paid to national office [announced via postgrant information from national office to epo]

Ref country code: DE

Payment date: 20020821

Year of fee payment: 10

PGFP Annual fee paid to national office [announced via postgrant information from national office to epo]

Ref country code: ES

Payment date: 20030606

Year of fee payment: 11

PG25 Lapsed in a contracting state [announced via postgrant information from national office to epo]

Ref country code: GB

Free format text: LAPSE BECAUSE OF NON-PAYMENT OF DUE FEES

Effective date: 20030615

PG25 Lapsed in a contracting state [announced via postgrant information from national office to epo]

Ref country code: DE

Free format text: LAPSE BECAUSE OF NON-PAYMENT OF DUE FEES

Effective date: 20040101

GBPC Gb: european patent ceased through non-payment of renewal fee

Effective date: 20030615

PG25 Lapsed in a contracting state [announced via postgrant information from national office to epo]

Ref country code: FR

Free format text: LAPSE BECAUSE OF NON-PAYMENT OF DUE FEES

Effective date: 20040227

REG Reference to a national code

Ref country code: FR

Ref legal event code: ST

PG25 Lapsed in a contracting state [announced via postgrant information from national office to epo]

Ref country code: ES

Free format text: LAPSE BECAUSE OF NON-PAYMENT OF DUE FEES

Effective date: 20040616

REG Reference to a national code

Ref country code: ES

Ref legal event code: FD2A

Effective date: 20040616