EP0186540A1 - Circuit électronique formé de transistors en couches minces pour commander un dispositif matriciel - Google Patents

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EP0186540A1
EP0186540A1 EP85402238A EP85402238A EP0186540A1 EP 0186540 A1 EP0186540 A1 EP 0186540A1 EP 85402238 A EP85402238 A EP 85402238A EP 85402238 A EP85402238 A EP 85402238A EP 0186540 A1 EP0186540 A1 EP 0186540A1
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EP
European Patent Office
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film transistors
register
transistors
matrix
group
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EP85402238A
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German (de)
English (en)
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Francois Morin
Jacques Sergent
Stéphan Delaplace
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Ministere des PTT
Original Assignee
Etat Francais
Centre National dEtudes des Telecommunications CNET
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    • G09G2310/02—Addressing, scanning or driving the display screen or processing steps related thereto
    • G09G2310/0264—Details of driving circuits
    • G09G2310/0297—Special arrangements with multiplexing or demultiplexing of display data in the drivers for data electrodes, in a pre-processing circuitry delivering display data to said drivers or in the matrix panel, e.g. multiplexing plural data signals to one D/A converter or demultiplexing the D/A converter output to multiple columns

Definitions

  • the present invention relates to an electronic circuit formed of thin film transistors used to control a matrix device.
  • the invention relates to an electronic circuit of the shift register type used to sequentially control the rows or columns of a matrix device and in particular the rows or columns of a crystal display device liquids (flat screen with active matrix, screen for dashboard, ...), photosensitive video retinas with thin film transistors, optical sensors or rendering heads for fax systems with photodiodes lines, sensors, etc ...
  • an electronic memory formed by memory points distributed over the entire surface of the screen stores the video signal throughout the duration of the image.
  • An electro-optical transducer in particular a liquid crystal transducer, is in contact with each memory point and is excited throughout the duration of the image.
  • Each memory point is located at the intersection of a line and a connection column and it consists of a thin-film transistor produced on an insulating support and a capacitor of which the armatures are made, in the case where the transducer is a liquid crystal, by the electrodes of the liquid crystal cell itself, the insulating support constituting one of the two walls of said cell.
  • Each stage of the shift register generally comprises two elementary inverters and a capacitor used to store the video information.
  • each inverter is formed of at least two thin film transistors, arranged in cascade.
  • the thin film transistors of the active matrix are generally produced with amorphous silicon, these have a low transconductance and a high input capacity, which leads to obtaining a limit frequency of relatively low inverter operation and most of the time lower than the scanning frequency of the lines of a high complexity flat screen (300 to 500 lines).
  • shift registers of the charge transfer type such as the Bucket-Brigade-Device (BBD) or the Coupled-Charge-Device (CCD) in Anglo-Saxon terminology, less greedy in number of TCM, but the density of defects in amorphous silicon has led to ineffective charge transfer.
  • BBD Bucket-Brigade-Device
  • CCD Coupled-Charge-Device
  • the cost price of these screens is high due to the cost of the control circuits and the number of connections to be made between the flat screens and the corresponding circuits, or the number of welds to be made on the glass holder. It is generally accepted that the set of peripheral integrated circuits, that is to say the set of control circuits for the lines and the control circuits for the columns of the flat screen, represents half and even more than the price of total returns from said screen.
  • the subject of the present invention is precisely an electronic circuit formed of thin film transistors used to control matrix devices and in particular flat screens with active matrix making it possible to remedy the various drawbacks mentioned above.
  • peripheral integrated circuits With the active matrix while minimizing the cost of these circuits and therefore the overall price of flat screens by reducing the number of these peripheral circuits.
  • the invention relates to an electronic circuit, used to control the rows or columns of a matrix device, using pa ⁇ t standard integrated circuits external to the device to provide the shift register function and d on the other hand, thin film transistors to provide the multiplexing function.
  • the invention relates to an electronic control circuit with Nxn outputs used to control Nxn rows or columns of a matrix device, and in particular of a matrix display device, characterized in that it comprises a multiplexing circuit, formed by N groups of n successive thin-film transistors, a first shift register with N outputs and a second shift register with n outputs, the gates of the n transistors of the same group being connected to the same output of the first register, each group corresponding to a different output of said first register, the source of each transistor being connected to a different row or column, the drain of the i-th transistor of each group being connected to the i-th output of the second register, i being an integer such as 1 5 i n.
  • matrix device can be understood a device comprising only one row or one column of components.
  • These electronic control circuits only comprise two external integrated circuits, which are the two shift registers, making it possible to supply, via the multiplexing circuit, Nxn lines or columns of a matrix device and in particular of a screen. active matrix dish. This therefore makes it possible to reduce the number of connections to be made between the external circuits and the flat screen as well as to reduce the cost price of these flat screens.
  • the transistors in thin layers of the multiplexing circuit of the control circuit of the invention can advantageously be produced on said support and simultaneously with the transistors of the matrix device.
  • an electronic control circuit has been shown in accordance with the invention making it possible to control Nxn lines of a flat screen with active matrix, bearing the general reference 2.
  • This active matrix 2 is formed, in a conventional manner, of several conductive columns 4 and Nxn conductive lines denoted L j , j being an integer ranging from 1 to Nxn.
  • L j Nxn conductive lines
  • This active matrix 2 further comprises Nxn capacitors 14, one of the plates of each capacitor being connected to ground, the other to one of the conductive lines L j of the matrix 2.
  • control circuit of NxN conductive lines L j of the matrix 2 is formed, on the one hand to a multiplexing circuit, of general reference 1 6, consisting of N groups G ,, ..., G N thin-film transistors, each group G i comprising n successive transistors T 1 , ... T n , and on the other hand a first shift register 18, comprising N outputs, and a second shift register 20 with n outputs.
  • Such a control circuit makes it possible to considerably reduce the number of connections to be made between the control circuit and the active matrix, these connections being reduced to N + n connections instead of Nxn connections for the matrix devices of the prior art.
  • each conductive line L j of the active matrix 2 is supplied by the source of a single thin film transistor; for example the source of the first transistor T, of group G, is connected to line L 1 , the source of the second transistor T 2 of group G, is connected to line L, and so on and the source of the last transistor T n of group G N at line L N. n .
  • the gates of the N consecutive transistors T 1 , ... T n of the same group G; are connected to the same output P; from the first shift register 18, to each group corresponding to a different output P i from said first register.
  • the gates of the transistors T 1 , ... T n of the group G, of transistors are all connected to the output P, of the first register 18, and the gates of the transistors T 1 , ... T n of the group G N of transistors are all connected to the output P N of said first register 18.
  • the drains of the Nxn thin film transistors they are supplied so that the drain of the i th transistor T i of each group Ci is connected to the i th output Si of the second register 20, i being an integer such that 1 ⁇ i ⁇ not.
  • the first transistors denoted T, of each group of transistors G 1 , ... G N are all connected to the first output S, of the second shift register 20, the second transistors T, of groups of transistors G 1 , ... G N are all connected to the output S2 of the second register 20, ... and the last transistors T of the groups G 1 , ... G N of transistors are all connected to the last output S n of the second register 20 .
  • the signal R (n) corresponds to the output signal of the shift register 20
  • the signal R (N) corresponds to the output signal of the shift register 18
  • the signal L corresponds to the input signal of the first conductive line of the matrix 2.
  • Each pulse of duration r, delivered by the register 20, corresponds to the access time to a conductive line of the matrix, r being close to 64 ⁇ s and the pulse r ', delivered by the register 18, is equal to nx ⁇ .
  • a voltage pulse r, delivered by the shift register 18 which operates at the scanning frequency of the lines of the flat screen, will only be transmitted to a line of said screen in the group G i made passing by the pulse ⁇ ' , provided by the shift register 18.
  • the corresponding lines of the flat screen are kept low thanks to the line capacitor 14 which remains charged throughout the duration of an image on the 'screen.
  • the transistors 10 of the active matrix 2 are thin film transistors produced on an insulating support such as glass, constituting in particular one of the two walls of the flat screen between which is disposed the liquid crystal
  • the thin film transistors of the multiplexing circuit 16 may advantageously be produced on said support and simultaneously with the manufacture of the transistors 10 of the active matrix 2 of the screen.
  • the two shift registers 18 and 20 will be standard integrated circuits, produced independently of the active matrix 2.
  • this manufacturing process consists in depositing, on an insulating support such as glass, constituting one of the walls of the flat screen, a transparent conductive layer in particular of tin and indium oxide and then a layer of n + doped amorphous silicon. These layers are then photo-etched using a first mask, so as to produce: the sources and drains of the thin-film transistors of the multiplexing circuit and of the matrix, one of the armatures of the capacitors 12 and 14, the conductive columns 4 of the matrix as well as the drain bus of the multiplexing circuit 16.
  • a layer of hydrogenated amorphous silicon is then successively deposited, an insulating layer, in particular of silicon oxide, and a conductive layer, for example of aluminum, then a photogravure of this stack of layers is carried out, using a second mask, so as to define the gate of the thin film transistors of the multiplexing circuit 16 and of the matrix 2 as well as the conductive lines L j of said matrix.
  • the assembly is then passive using a deposition of a layer of silicon oxide for example, then openings are made in this passivation layer (by photoengraving using a third mask) , at the ends of the conductive lines of the matrix, on the grids of the thin film transistors of the multiplexing circuit 16 and on the drain bus of said multiplexing circuit.
  • a metallic deposit for example made of aluminum, is then produced, then the photo-engraving is carried out using a fourth mask, in order to make the connections between the multiplexing circuit 16 and the active matrix 2, between the drain bus and the drains of the thin film transistors of the multiplexing circuit and between the gates of the transistors T 1 , ... T n of the same group G i of transistors of the multiplexing circuit 16.
  • the circuit of the invention can advantageously be used to control the lines of a photosensitive video retina with thin film transistors; such a retina has in particular been described in French patent application No. 82 04003 filed on March 10, 1 982 in the name of the applicant and entitled "Photoconductive element in hydrogenated amorphous silicon carbide and video retina cell using such an element".
  • the circuit of the invention can be used to control a photod i odes array used in facsimile, these photodiodes and the thin film transistors of the multiplexing circuit being produced simultaneously on the same support.
  • circuit of the invention can be used to control any line of electronic components of the integrated transistor or diode type.

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Abstract

Circuit électronique formé de transistors en couches minces pour commander un dispositif matriciel.
Ce circuit comportant Nxn sorties pour commander Nxn lignes d'un dispositif matriciel se caractérise en ce qu'il comprend un circuit de multiplexage (16), formé de N groupes (G1,...GN) de n transistors (T1,...T n) successifs en couches minces, un premier registre à décalage (18) à N sorties (P1,...PN) et un second registre à décalage (20) à n sorties (S1,...Sn), les grilles des n transistors (T1,...Tn) d'un même groupe (Gi) étant connectées à une même sortie (P;) du premier registre, à chaque groupe (Gi) correspondant une sortie différente (Pi) dudit premier registre (18), la source de chaque transistor étant connectée à une ligne (Lj) ou à une colonne (4) différente, le drain du ième transistor (Ti) de , chaque groupe (Gi) étant connecté à la ième sortie du deuxième registre (20), i étant un nombre entier tel que 1 ≦ i ≦ n.

Description

  • La présente invention a pour objet un circuit électronique formé de transistors en couches minces servant à commander un dispositif matriciel.
  • De façon plus précise, l'invention se rapporte à un circuit électronique du type registre à décalage servant à commander séquentiellement les lignes ou les colonnes d'un dispositif matriciel et en particulier les lignes ou les colonnes d'un dispositif d'affichage à cristaux liquides (écran plat à matrice active, écran pour tableau de bord,...), des rétines vidéo photosensibles à transistors en couches minces, des senseurs optiques ou des têtes de restitution pour système de télécopies comportant des lignes de photodiodes, des capteurs, etc...
  • Dans le type d'écran à matrice active, une mémoire électronique formée de points mémoire répartis sur toute la surface de l'écran, stocke le signal vidéo pendant toute la durée de l'image. Un transducteur électrooptique, notamment à cristal liquide, est en contact avec chaque point mémoire et est excité pendant toute la durée de l'image. Chaque point mémoire est situé au croisement d'une ligne et d'une colonne de connexion et il est constitué d'un transistor en couches minces réalisé sur un support isolant et d'un condensateur dont les armatures sont constituées, dans le cas où le transducteur est un cristal liquide, par les électrodes de la cellule à cristal liquide elle-même, le support isolant constituant l'une des deux parois de ladite cellule.
  • Les circuits électroniques du type registre à décalage envisagés pour commander une telle matrice active ont été étudiés selon la. technologie TCM, mais leurs. complexités. rendaient la réalisation pratiquement irréalisable à grande échelle.
  • En effet, réaliser un registre à décalage avec des transistors en couches minces est très difficile surtout lorsqu'il doit comporter un très grand nombre d'étages (300 à 500 et même plus, selon le nombre de lignes ou de colonnes de l'écran plat) ; aucun défaut n'est toléré, sous peine de non fonctionnement de l'écran.
  • Chaque étage du registre à décalage comporte généralement deux inverseurs élémentaires et un condensateur servant à mémoriser l'information vidéo. De plus, chaque inverseur est formé d'au moins deux transistors en couches minces, disposés en cascade.
  • Etant donné que les transistors en couches minces de la matrice active sont généralement réalisés avec du silicium amorphe, ceux-ci présentent une faible transconduc- tance et une forte capacité d'entrée, ce qui conduit à l'obtention d'une fréquence limite de fonctionnement des inverseurs relativement basse et la plupart du temps inférieure à la fréquence de balayage des lignes d'un écran plat de forte complexité (300 à 500 lignes).
  • Par ailleurs, le fonctionnement d'un tel registre à décalage est très dépendant de l'homogénéité des caractéristiques des transistors en couches minces d'où un rendement estimé relativement faible.
  • Il a été aussi envisagé de réaliser des registres à décalage du type à transfert de charge, tels que les Bucket-Brigade-Device (BBD) ou les Coupled-Charge-Device (CCD) en terminologie anglo-saxonne, moins gourmands en nombre de TCM, mais la densité de défauts dans le silicium amorphe a conduit à une inefficacité du transfert des charges.
  • C'est pourquoi, dans les écrans plats à matrice active actuels, les circuits de commande périphériques de ces écrans ne sont pas intégrés auxdits écrans, la commande de ces écrans étant totalement assurée par des circuits intégrés standards extemes à l'écran. Malheureusement, dans un tel système, il faut disposer un grand nombre de boîtiers sur un circuit imprimé connecté à l'écran plat, ce qui pose des problèmes de connexions complexes et délicats, ou bien reporter les circuits intégrés correspondants ou puces sur le support en verre lui-même, ce qui conduit à réaliser de multiples soudures.
  • Dans ces écrans plats à commande externe, le prix de revient de ces écrans est important en raison du coût des circuits de commande et du nombre de connexions à réaliser entre les écrans plats et les circuits correspondants, ou du nombre de soudures à réaliser sur le support de verre. On admet en général que l'ensemble des circuits intégrés périphériques, c'est-à-dire l'ensemble des circuits de commande des lignes et des circuits de commande des colonnes de l'écran plat représente la moitié et même plus du prix de revient total dudit écran.
  • La présente invention a justement pour objet un circuit électronique formé de transistors en couches minces servant à commander des dispositifs matriciels et notamment des écrans plats à matrice active permettant de remédier aux différents inconvénients cités ci-dessus.
  • Elle permet en particulier de simplifier la connexion des circuits intégrés périphériques avec la matrice active tout en minimisant le coût de ces circuits et donc le prix global des écrans plats par diminution du nombre de ces circuits périphériques.
  • En effet, l'invention a pour objet un circuit électronique, servant à commander les lignes ou les colonnes d'un dispositif matriciel, utilisant d'une pa<t des circuits intégrés standards externes au dispositif pour assurer la fonction registre à décalage et d'autre part, des transistors en couches minces pour assurer la fonction de multiplexage.
  • De façon plus précise, J'invention a pour objet un circuit électronique de commande à Nxn sorties servant à commander Nxn lignes ou colonnes d'un dispositif matriciel, et notamment d'un dispositif d'affichage matriciel, caractérisé en ce qu'il comprend un circuit de multiplexage, formé de N groupes de n transistors successifs en couches minces, un premier registre à décalage à N sorties et un second registre à décalage à n sorties, les grilles des n transistors d'un même groupe étant connectées à une même sortie du premier registre, à chaque groupe correspondant une sortie différente dudit premier registre, la source de chaque transistor étant connectée à une ligne ou à une colonne différente, le drain du ième transistor de chaque groupe étant connecté à la ième sortie du deuxième registre, i étant un nombre entier tel que 1 5 i n.
  • Par dispositif matriciel on peut comprendre un dispositif ne comportant qu'une ligne ou qu'une colonne de composants.
  • Ces circuits électroniques de commande ne comprennent que deux circuits intégrés extemes, qui sont les deux registres à décalage, permettant d'alimenter, par l'intermédiaire du circuit de multiplexage, Nxn lignes ou colonnes d'un dispositif matriciel et notamment d'un écran plat à matrice active. Ceci permet donc de diminuer le nombre de connexions à réaliser entre les circuits externes et l'écran plat ainsi que de diminuer le prix de revient de ces écrans plats.
  • Lorsque le circuit électronique de l'invention sert à commander les Nxn lignes ou les Nxn colonnes d'un dispositif matriciel comportant des transistors en couches minces réalisés sur un même support isolant, les transistors en couches minces du circuit de multiplexage du circuit de commande de l'invention peuvent avantageusement être réalisés sur ledit support et simultanément aux transistors du dispositif matriciel.
  • D'autres caractéristiques et avantages de l'invention ressortiront mieux de la description qui va suivre, donnée à titre illustratif et nullement limitatif. Pour plus de clarté, cette description se réfère à la commande des lignes d'un écran plat à matrice active, mais bien entendu, l'invention est d'application beaucoup plus générale, comme indiqué plus haut.
  • La description se réfère aux figures annexées, dans lesquelles :
    • - la figure 1 représente schématiquement un circuit électronique, conformément à l'invention, servant à commander les lignes d'un écran plat à matrice active, et
    • - la figure 2 représente les différents signaux d'entrée et de sortie du circuit de commande de la figure 1.
  • Sur la figure 1, on a représenté un circuit électronique de commande conformément à l'invention permettant de commander Nxn lignes d'un écran plat à matrice active, portant la référence générale 2. Cette matrice active 2 est formée, de façon classique, de plusieurs colonnes conductrices 4 et de Nxn lignes conductrices notées Lj, j étant un nombre entier allant de 1 à Nxn. A chaque croisement d'une colonne 4 et d'une ligne Lj est situé un point mémoire 8 de la matrice active 2, formé d'un transistor en couches minces 10 et d'un condensateur 12, connectés en série.
  • Cette matrice active 2 comprend de plus Nxn condensateurs 14, l'une des armatures de chaque condensateur étant reliée à la masse, l'autre à l'une des lignes conductrices Lj de la matrice 2.
  • Selon l'invention, le circuit de commande des Nxn lignes conductrices Lj de la matrice 2 est constitué, d'une part d'un circuit de multiplexage, de référence générale 16, constitué de N groupes G,,..., GNtransistors en couches minces, chaque groupe G i comportant n transistors successifs T1,...Tn, et d'autre part d'un premier registre à décalage 18, comportant N sorties, et d'un second registre à décalage 20 comportant n sorties.
  • Le circuit de multiplexage 16 comporte un transistor en couches minces par ligne conductrice Lj, soit au total Nxn TCM ; par exemple pour un écran plat de 320 lignes, on pourra prendre N =40 et n = 8.
  • Un tel circuit de commande permet de diminuer considérablement le nombre de connexions à réaliser entre le circuit de commande et la matrice active, ces connexions étant ramenées à N+n connexions au lieu de Nxn connexions pour les dispositifs matriciels de l'art antérieur.
  • Selon l'invention, chaque ligne conductrice Lj de la matrice active 2 est alimentée par la source d'un unique transistor en couches minces ; par exemple la source du premier transistor T, du groupe G, est connectée à la ligne L1, la source du second transistor T2 du groupe G, est connectée à la ligne L, et ainsi de suite et la source du dernier transistor Tn du groupe GN à la ligne LN.n.
  • Les grilles des N transistors consécutifs T1,...Tn d'un même groupe G; sont connectées à une même sortie P; du premier registre à décalage 18, à chaque groupe correspondant une sortie différente Pi dudit premier registre. Autrement dit, les grilles des transistors T1,...Tn du groupe G, de transistors sont toutes reliées à la sortie P, du premier registre 18, et les grilles des transistors T1,...Tn du groupe GN de transistors sont toutes reliées à la sortie PN dudit premier registre 18.
  • Pour les drains des Nxn transistors en couches minces, ils sont alimentés de façon que le drain du ième transistor T i de chaque groupe Ci soit connecté à la ième sortie Si du second registre 20, i étant un nombre entier tel que 1 ≦ i ≦ n. Autrement dit, les premiers transistors notés T, de chaque groupe de transistors G1,...GN sont tous connectés à la première sortie S, du second registre à décalage 20, les seconds transistors T, des groupes de transistors G1,...GN sont tous connectés à la sortie S2 du second registre 20, ... et les derniers transistors T des groupes G1,...GN de transistors sont tous connectés à la dernière sortie Sn du second registre 20.
  • Sur la figure 2, on a représenté les différents signaux d'entrée et de sortie du circuit de commande de la figure 1. Le signal R(n) correspond au signal de sortie du registre à décalage 20, le signal R(N) correspond au signal de sortie du registre à décalage 18 et le signal L, correspond au signal d'entrée de la première ligne conductrice de la matrice 2. Chaque impulsion de durée r , délivrée par le registre 20, correspond au temps d'accès à une ligne conductrice de la matrice, r étant voisin de 64 µs et l'impulsion r', délivrée par le registre 18, est égale à nx τ.
  • Une impulsion de tension r, délivrée par le registre à décalage 18 qui fonctionne à la fréquence de balayage des lignes de l'écran plat, ne sera transmise à une ligne dudit écran que dans le groupe G i rendu passant par l'impulsion τ', fournie par le registre à décalage 18. Lorsque les transistors en couches minces sont bloqués, les lignes correspondantes de l'écran plat se maintiennent au niveau bas grâce au condensateur de ligne 14 qui reste chargé pendant toute la durée d'une image sur l'écran.
  • Selon l'invention, lorsque les transistors 10 de la ma- tice active 2 sont des transistors en couches minces réalisés sur un-support isolant te1 que du verre, constituant notamment l'une des deux parois de l'écran plat entre lesquelles est disposé le cristal liquide, les transistors en couches minces du circuit de multiplexage 16 pourront être avantageusement réalisés sur ledit support et simultanément à la fabrication des transistors 10 de la matrice active 2 de l'écran. En revanche, les deux registres à décalage 18 et 20 seront des circuits intégrés standards, réalisés indépendamment de la matrice active 2.
  • L'un des procédés utilisable pour fabriquer les transistors en couches minces du circuit de multiplexage 16 en même temps que ceux de la matrice active 2 a notamment été décrit dans une demande de brevet français n° 8215499 déposée le 14 septembre 1982 au nom du demandeur et intitulée "Procédé de fabrication de circuits électroniques à base de transistors en couches minces et de condensateurs". Comme l'indique le titre de cette demande, ce procédé permet aussi la réalisation simultanée des condensateurs tels que 12 et 14 de la matrice.
  • De façon simplifiée, ce procédé de fabrication consiste à déposer, sur un support isolant tel que du verre, constituant l'une des parois de l'écran plat, une couche conductrice transparente notamment en oxyde d'étain et d'indium puis une couche de silicium amorphe dopé n+. Ces couches sont ensuite photogravées à l'aide d'un premier masque, de façon à réaliser : les sources et les drains des transistors en couches minces du circuit de multiplexage et de la matrice, l'une des armatures des condensateurs 12 et 14, les colonnes conductrices 4 de la matrice ainsi que le bus de drains du circuit de multiplexage 16.
  • On dépose ensuite successivement une couche de silicium amorphe hydrogéné, une couche d'isolant notamment en oxyde de silicium et une couche conductrice par exemple en aluminium puis on réalise une photogravure de cet empilement de couches, à l'aide d'un second masque, de façon à définir la grille des transistors en couches minces du circuit de multiplexage 16 et de la matrice 2 ainsi que les lignes conductrices Ljde ladite matrice.
  • L'ensemble est ensuite passive à l'aide d'un dépôt d'une couche d'oxyde de silicium par exemple, puis on réalise dans cette couche de passivation des ouvertures, (par photogravure à l'aide d'un troisième masque), aux extrémités des lignes conductrices de la matrice, sur les grilles des transistors en couches minces du circuit de multiplexage 16 et sur le bus de drains dudit circuit de multiplexage.
  • On réalise ensuite un dépôt métallique, par exemple en aluminium, puis on photograve celui-ci à l'aide d'un quatrième masque, afin de réaliser les connexions entre le circuit de multiplexage 16 et la matrice active 2, entre le bus de drains et les drains des transistors en couches minces du circuit de multiplexage et entre les grilles des transistors T1,...Tnd'un même groupe Gi de transistors du circuit de multiplexage 16.
  • Pour de plus amples détails concernant la fabrication de tels circuits électroniques à base de transistors en couches minces et de condensateurs, on pourra se référer à la demande de brevet citée ci-dessus.
  • L'application du circuit électronique selon l'invention à la commande des lignes d'un écran plat à matrice active n'est bien entendu donnée qu'à titre d'exemple. En particulier, le circuit de l'invention peut avantageusement être- utilisé pour commander les lignes d'un rétine vidéo photosensible à transistors en couches minces ; un tel rétine a notamment été décrit dans la demande de brevet français n° 82 04003 déposée le 10 mars 1982 au nom du demandeur et intitulée "Elément photoconducteur en carbure de silicium amorphe hydrogéné et cellule de rétine vidéo utilisant un tel élément". Par ailleurs, le circuit de l'invention peut être utilisé pour commander une barrette de photodiodes employée en télécopie, ces photodiodes et les transistors en couches minces du circuit de multiplexage étant réalisés simultanément sur un même support.
  • De façon générale, le circuit de l'invention peut être utilisé pour commander toute ligne de composants électroniques du type transistors ou diodes intégrés.

Claims (2)

1. Circuit électronique de commande à Nxn sorties servant à commander Nxn lignes (Lj) ou colonnes (4) d'un dispositif matriciel, et notamment celles d'un dispositif d'affichage matriciel (2), caractérisé en ce qu'il comprend un circuit de multiplexage (16), formé de N groupes (G1,...GN) de n transistors (T1,...Tn) successifs en couches minces, un premier registre à décalage (18) à N sorties (P1,...PN) et un second registre à décalage (20) à n sorties (S1,...Sn), les grilles des n transistors (T1,...Tn) d'un même groupe (GI) étant connectées à une même sortie (Pi) du premier registre, à chaque groupe (G;) correspondant une sortie différente (Pi) dudit premier registre (18), la source de chaque transistor étant connectée à une ligne (Lj) ou à une colonne (4) différente, le drain du ième transistor (TI) de chaque groupe (G;) étant connecté à la ième sortie du deuxième registre (20), i étant un nombre entier tel que 1 ≦ i ≦ n.
2. Circuit électronique selon la revendication 1, servant à commander les Nxn lignes ou colonnes d'un dispositif matriciel (2) comportant des transistors en couches minces réalisés sur un même support isolant, caractérisé en ce que les transistors en couches minces (T1,...Tn) du circuit de multiplexage (16) sont réalisés simultanément auxdits transistors (10) du dispositif matriciel sur ledit support.
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