EA017011B1 - Способ повышения эффективности преобразования солнечной энергии в электрическую и устройство для его реализации - Google Patents
Способ повышения эффективности преобразования солнечной энергии в электрическую и устройство для его реализации Download PDFInfo
- Publication number
- EA017011B1 EA017011B1 EA201000446A EA201000446A EA017011B1 EA 017011 B1 EA017011 B1 EA 017011B1 EA 201000446 A EA201000446 A EA 201000446A EA 201000446 A EA201000446 A EA 201000446A EA 017011 B1 EA017011 B1 EA 017011B1
- Authority
- EA
- Eurasian Patent Office
- Prior art keywords
- film
- polymer
- solar energy
- energy
- conversion efficiency
- Prior art date
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 13
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 title abstract description 6
- 229920006254 polymer film Polymers 0.000 claims abstract description 12
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium(II) oxide Chemical compound [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 11
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims abstract description 10
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims abstract description 10
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 10
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 claims description 16
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 11
- 229910021419 crystalline silicon Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 abstract description 14
- 239000010703 silicon Substances 0.000 abstract description 14
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 13
- 239000000463 material Substances 0.000 abstract description 8
- 239000002861 polymer material Substances 0.000 abstract description 6
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 abstract description 6
- 239000013078 crystal Substances 0.000 abstract description 3
- 239000002210 silicon-based material Substances 0.000 abstract 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 4
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 3
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 3
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 3
- WNZQDUSMALZDQF-UHFFFAOYSA-N 2-benzofuran-1(3H)-one Chemical compound C1=CC=C2C(=O)OCC2=C1 WNZQDUSMALZDQF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PAYRUJLWNCNPSJ-UHFFFAOYSA-N Aniline Chemical compound NC1=CC=CC=C1 PAYRUJLWNCNPSJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005119 centrifugation Methods 0.000 description 2
- 239000002800 charge carrier Substances 0.000 description 2
- 230000001351 cycling effect Effects 0.000 description 2
- JHIVVAPYMSGYDF-UHFFFAOYSA-N cyclohexanone Chemical compound O=C1CCCCC1 JHIVVAPYMSGYDF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 2
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 2
- 230000005865 ionizing radiation Effects 0.000 description 2
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 229920000767 polyaniline Polymers 0.000 description 2
- 238000013087 polymer photovoltaic Methods 0.000 description 2
- 238000012552 review Methods 0.000 description 2
- HJELPJZFDFLHEY-UHFFFAOYSA-N silicide(1-) Chemical compound [Si-] HJELPJZFDFLHEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 description 2
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 2
- XMWRBQBLMFGWIX-UHFFFAOYSA-N C60 fullerene Chemical class C12=C3C(C4=C56)=C7C8=C5C5=C9C%10=C6C6=C4C1=C1C4=C6C6=C%10C%10=C9C9=C%11C5=C8C5=C8C7=C3C3=C7C2=C1C1=C2C4=C6C4=C%10C6=C9C9=C%11C5=C5C8=C3C3=C7C1=C1C2=C4C6=C2C9=C5C3=C12 XMWRBQBLMFGWIX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 230000003203 everyday effect Effects 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 239000000178 monomer Substances 0.000 description 1
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 1
- 229920002959 polymer blend Polymers 0.000 description 1
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/0248—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies
- H01L31/0256—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by the material
- H01L31/0264—Inorganic materials
- H01L31/032—Inorganic materials including, apart from doping materials or other impurities, only compounds not provided for in groups H01L31/0272 - H01L31/0312
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/02—Details
- H01L31/0216—Coatings
- H01L31/02161—Coatings for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
- H01L31/02167—Coatings for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for solar cells
- H01L31/02168—Coatings for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for solar cells the coatings being antireflective or having enhancing optical properties for the solar cells
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/02—Details
- H01L31/0236—Special surface textures
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K30/00—Organic devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation
- H10K30/10—Organic devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation comprising heterojunctions between organic semiconductors and inorganic semiconductors
- H10K30/15—Sensitised wide-bandgap semiconductor devices, e.g. dye-sensitised TiO2
- H10K30/151—Sensitised wide-bandgap semiconductor devices, e.g. dye-sensitised TiO2 the wide bandgap semiconductor comprising titanium oxide, e.g. TiO2
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K30/00—Organic devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation
- H10K30/80—Constructional details
- H10K30/87—Light-trapping means
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K30/00—Organic devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation
- H10K30/50—Photovoltaic [PV] devices
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/549—Organic PV cells
Landscapes
- Electromagnetism (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Sustainable Development (AREA)
- Sustainable Energy (AREA)
- Photovoltaic Devices (AREA)
Abstract
Способ повышения эффективности преобразования солнечной энергии в электрическую и устройство его реализации, заключающийся в том, что преобразование солнечного света в электрический ток происходит в более широком диапазоне спектра: в видимом и инфракрасном за счет гибридного использования узкозонного материала кристаллического кремния (ширина запрещенной зоны E=1,1 эВ) и полупроводникового широкозонного полимерного материала (oligohydroguinone, oligo-α-naphthol, oligo-β-naphthol или oligoaminophenylen) с шириной запрещенной зоны E>2 эВ; за счет использования текстуры с антиотражающим покрытием, нанесенной поверх полимерной пленки, отраженный от поверхности материалов свет вновь возвращается в рабочий объем гибридного фотовольтаического преобразователя. Этим способом достигается более высокая эффективность преобразования солнечной энергии в электрическую (КПД), а также снижение стоимости единицы выходной мощности электрической энергии. Гибридный фотоэлектрический преобразователь, содержащий пленку из полупроводникового полимерного широкозонного фотоэлектрического преобразователя и прозрачную пленку окиси титана (TiO), размещен на низкоомном кристаллическом кремнии, а поверх полимерной пленки нанесена текстура с антиотражающим покрытием.
Description
Изобретение относиться к гелиотехнике, фотоэлектрическим преобразователям на основе полупроводниковых материалов для производства электрического тока, и может быть использовано для преобразования солнечной лучистой энергии в электрическую. Это устройство можно применять как источник электрической энергии в промышленности, народном хозяйстве и в быту для питания радиоэлектронной аппаратуры и подзарядки различных аккумуляторных батарей.
Предшествующий уровень техники
Известен фотоэлектрический преобразователь солнечной энергии в электрическую на основе кристаллического кремния (см. обзоры [1,2]). Этот преобразователь состоит из низкоомного 1-2 Ом-см кремния п- или р-проводимости. Рабочая поверхность преобразователя текстурирована антиотражающим покрытием. Ориентация пластин кремния <100>. Тыльная поверхность - в зависимости от модификации может быть как гладкой, так и текстурированной. Контакты на рабочей и тыльной поверхности - сетчатые, полученные осаждением металлических паст методом трафаретной печати. Все элементы, как п-, так и р-типа, прозрачны для инфракрасной области спектра, что приводит к меньшей нагреваемости элементов на солнце и соответственно увеличению их эффективности. В среднем, эффективность преобразования (КПД) фотоэлектрического преобразователя на основе кристаллического кремния составляет < 16%.
Основными недостатками фотоэлектрических преобразователей солнечной энергии в электрическую на основе кристаллического кремния является низкий КПД и высокая стоимость единицы получаемой энергии: (2+3) долларов США за 1 Вт.
Известен фотоэлектрический преобразователь солнечной энергии в электрическую на основе различных кристаллических двойных соединений полупроводниковых материалов, а также термофотовольтаические преобразователи (см. обзор [3]). Структура этих преобразователей также имеет вид, описанный выше. Для этих фотоэлектрических преобразователей КПД достигает до 35%.
Существенным недостатком этих фотоэлектрических преобразователей является очень высокая стоимость единицы получаемой энергии: более 10 долларов США за 1 Вт.
Известны фотоэлектрические преобразователи солнечной энергии в электрическую на основе полимерных и аморфных материалов [4]. Эти преобразователи отличаются низкой стоимостью вырабатываемой энергии менее 1 доллара США за 1 Вт.
Недостатком этих фотоэлектрических преобразователей является малая долговечность и низкий уровень КПД менее 10%.
Известно устройство, представляющее собой полимер-кремниевую гетероструктуру и предназначенную для детектирования ионизирующего излучения и газов [5]. Это устройство состоит из кристаллического кремния, на поверхность которого с одной стороны нанесен электропроводящий слой пленки полианилина.
Недостатком этого соединения является то, что данный полимер является узкозонным. Это устройство является хорошим детектором ионизирующего излучения и газов, однако не пригодно в качестве фотоэлектрического преобразователя, поскольку имеет низкий КПД.
Известно соединение, состоящее из следующих слоев: А1-Б1-§1О2-полимер-метал [6]. В качестве полимерной пленки использовался широкозонный материал полидефиниленфталид. В качестве металла использовали медь. Однако это соединение использовали только для изучения проводимости полимерного материала.
Прототипом способа предлагаемого изобретения является способ изготовления кремниевополимерного фотоэлектрического модуля, выполненного на основе монокристаллического кремния, которого в качестве рабочего элемента опускают в гальваническую ванну с раствором, состоящим из 1,8 моль/л раствора соляной кислоты и смеси мономеров анилина, силаноанилина и стануманилина, создают режим потенциостатического циклирования при потенциале 7,5-10 В и от -3 до -5,5 В и синтезируют полимерную смесь до образования на рабочем элементе пленки из смеси трех проводящих полимеров - полистануманилина, полисиланоанилина и полианилина в массовом соотношении 10:8:4 [7].
Недостатком этого способа является:
режим потенциостатического циклирования нанесения полимерной пленки, что усложняет технологию и повышает стоимость единицы получаемой энергии;
использование смеси полимеров.
Прототипом предлагаемого изобретения является устройство, представляющее собой фотоэлектрический преобразователь на основе полимер-Т1Ох-полимер гетероструктуру [8]. Авторы данного фотоэлектрического преобразователя соединили в одно целое два фотоэлектрических преобразователя на основе полупроводниковых полимерных материалов с различными ширинами запрещенной зоны, т. е. различными поглотительными характеристиками. Это было сделано с целью использовать более широкий диапазон солнечного спектра (один слой воспринимает более короткие, другой - более длинные волны). Батарея была изготовлена путём последовательного осаждения слоев из раствора, содержащего полупроводники-полимеры и производные фуллеренов, сформировавшие гетероструктуры. Слой из прозрачной
- 1 017011 окиси титана (ΤίΘχ) разделяет (и скрепляет) переднюю и заднюю стороны фотоэлектрического преобразователя. Этот слой служит для транспорта электронов с первого слоя и также является прочной основой для второго фотоэлектрического слоя.
Данный фотоэлектрический преобразователь имеет КПД 6,5% (при освещённости в 0,2 Вт на квадратный сантиметр), что выше, чем у имеющихся солнечных панелей, сделанных из органических материалов. Преимуществом этой тандемной солнечной батареи в том, что полимерные/органические фотоэлектрические преобразователи представляют интерес в силу своей дешевизны и простоты изготовления. Тандемные полимерные солнечные батареи стоят всего 0,1 доллара США за ватт выходной мощности, что в 20 раз дешевле, чем обычные батареи на базе кремния.
Недостатком этой солнечной батареи является очень низкий, на сегодняшний день, уровень КПД по сравнению с твердотельными фотоэлектрическими преобразователями. Поэтому это устройство не может быть широко использовано.
Раскрытие изобретения
Изобретение решает задачу разработки простого и дешевого способа улучшения эффективности солнечных фотопреобразователей на основе кристаллического кремния в широком, от рентгеновского до инфракрасного диапазона спектра и создание простого, надежного, прочного устройства гибридного фотоэлектрического преобразователя с высокой долговечностью, высоким КПД и низкой стоимостью единицы выходной электрической мощности. При этом одновременно обеспечивается снижение стоимости изготовления.
Поставленная задача достигается тем, что предлагается:
1. Способ повышения эффективности кремниевополимерного фотоэлектрического модуля солнечных фотоэлектрических преобразователей на основе монокристаллического кремния в широком, от рентгеновского до инфракрасного диапазона спектра, согласно изобретению, за счет:
гибридного использования узкозонного материала кристаллического кремния (ширина запрещенной зоны Е„=1,1 эВ) и полупроводникового широкозонного полимерного материала (оНдойубгодшпопе, о1що-(/.-пар1111ю1. οΙίβο-β-ηαρΗΐΗοΙ. о11до-ашшо-рйепу1еп) с шириной запрещенной зоны Ед>2 эВ;
использования текстуры с антиотражающим покрытием, нанесенной поверх полимерной пленки, за счет чего отраженный от поверхности материалов свет вновь возвращается в рабочий объем гибридного фотовольтаического преобразователя.
Этим способом достигается более высокая эффективность преобразования солнечной энергии в электрическую (КПД), а также снижение стоимости единицы выходной мощности электрической энергии.
2. Гибридный фотоэлектрический преобразователь, содержащий пленку из полупроводникового полимерного широкозонного фотоэлектрического преобразователя и прозрачную пленку окиси титана (ΤίΟχ), согласно изобретению, эти пленки размещены на низкоомном кристаллическом кремнии, а поверх полимерной пленки нанесена текстура с антиотражающим покрытием.
Этим способом достигается более высокая эффективность преобразования солнечной энергии в электрическую (КПД), а также снижение стоимости единицы выходной мощности электрической энергии.
Гибридный фотоэлектрический преобразователь, содержащий пленку из полупроводникового полимерного широкозонного фотоэлектрического преобразователя и прозрачную пленку окиси титана (ΤίΘχ), размещен на низкоомном кристаллическом кремнии, а поверх полимерной пленки нанесена текстура с антиотражающим покрытием.
Гибридный фотоэлектрический преобразователь (рис.1) состоит из низкоомного кристаллического кремния (1) с омическим сопротивлением Я = (1-2) Ом, толщиной 300 мкм, ориентацией кристаллической решетки <100>, р-типа или п-типа проводимости. Поверхность кремния имеет структуру:
• п+- р - р+ - при использовании базового кремния р-типа;
• р+ - п - п+ - при использовании базового кремния п-типа.
На поверхность кремния методом вакуумного напыления нанесен тонкий прозрачный слой окиси титана (ΤίΟχ) толщиной 0,1 мкм (2). Поверх пленки окиси титана нанесена пленка полимерного материала (3). Нанесение полимерной пленки проводилось методом центрофугирования: кремнивая пластина укреплялась на центрифуге, затем на нее наносился раствор полимера в циклогексаноне. После центрифугирования и сушки, на кремнии образовывался слой полимера толщиной 1,2 мкм. Поверх полимерной пленки нанесена текстура с антиотражающим покрытием (4), на которую падает солнечный свет (5).
Работает гибридный фотоэлектрический преобразователь следующим образом. Солнечный свет через текстуру с антиотражающим покрытием (4) падает на пленку полимерного материала (3), проникает через тонкий прозрачный слой окиси титана (2) и достигает поверхности кремния (1). Отраженный свет от поверхности полимерной пленки, слоя окиси титана и поверхности кремния посредством антиотражающего покрытия частично возвращается в рабочую область фотоэлектрического преобразователя. Носители зарядов электроны, образовавшиеся в полимерной пленке (3) за счет поглощения в инфракрасной области спектра, транспортируются посредством пленки окиси титана (2) в рабочую область кремния (1).
- 2 017011
Эти электроны суммируются с носителями зарядов, образовавшимися в слое кремния за счет поглощения в видимой области спектра. Таким образом, происходит увеличение эффективности преобразования солнечного света в электрический ток. При этом КПД гибридного фотоэлектрического преобразователя достигает >20%, а стоимость единицы выходной мощности < 1 доллара США.
Источники информации
1. 1Шр://\у\у\у.зо1аг1юте.ги/ги/р\7се11з.1ит
2. А.М. Разйауеу, А.А. Ваугатоу, Н.О. О)адоу Регзресйуе поп-ро11и!тд епегду зоигсез ίη ЛхсгЬащт. Ргосеебшд ТРЕ-2002, Ваки, рр.659-663.
3. А. Ваугатоу, А. НазЫтоу, N. ЗаГагоу. С. Лкктебоу ТНегторНо1оуо11а1с зо1аг епегду сопусПсгз оп 111е Ьаз1з АУВУ1. Ргос. 1ЕЕЕ 4'1' \Уог1б сопГегепсе оп РНо1оуо11а1с Епегду Сопусгзюп, 2006, ^а1ко1оа, На\уаш ИЗА. ν.1, рр.651-654.
4. Е.Л. Александрова Светочувствительные полимерные полупроводники. Обзор. ФТП, 2004, т.38,в.1О, с.1153-1194; В. ^апд, М.К. ХУазПетзкг Ро1утег рЬо!ое1ес1пса1 зе11з 1. Атег. С’Нет. Зос, 119, 12 (1997); А.А. Еагасй, 1.С. Уешок Ро1утег р1ю1осе11з. Риге Арр1. С’Нет. А, 37 (11), 1507(2000).
5. 1. М. С. Ьагап)е1га, Н. 1. Кйоигу, ^. М. бе Аζеνебο, Е. А. бе Уазсопсе1оз, апб Е. Е. ба ЗПуа 1г. А ЗШсоп-Ро1утег Не1егоз1гис1иге Гог Зепзог АррНсаДопз. Вгах. ТРНуз. νο1. 32 по.2а Зао Раи1о, 2002.
6. Р.Б.Салихов, А.Н.Лачинов, Р.Г.Рахмеев О механизмах проводимости в гетероструктурах кремний-полимер-металл.ФТП, 2007, т.41, в.10, с.1182-1186.
7. Чугунов Л.С., Терехов А.К., Радин С.А. Кремниевый фотоэлектрический модуль и способ его изготовления. Патент ВИ 2292097 С1 Н01Б 31/18.
8. Лп Уоипд К1т, К^апдйее Бее, №1зоп Е. Соа1ез, Эаше1 Мозез, ТНис-Оиуеп Nдиуеп, Магк ИаШе, А1ап 1. Неедег ЕГПс1еп1 Тапбет Ро1утег Зо1аг Се11з ЕаЬпса1еб Ьу А11-Зо1иДоп Ргосеззтд. Заепсе 13 1и1у 2007: то1. 317. по. 5835, рр. 222-225.
Claims (2)
- ФОРМУЛА ИЗОБРЕТЕНИЯ1. Гибридный фотоэлектрический преобразователь, содержащий пленку из полупроводникового полимерного широкозонного фотоэлектрического преобразователя, поверх прозрачной пленки окиси титана (Т1Ох), отличающийся тем, что эти пленки размещены на низкоомном кристаллическом кремнии, при этом поверх полимерной пленки нанесена текстура с антиотражающим покрытием.
- 2. Способ преобразования солнечной энергии в электрическую с использованием фотоэлектрического преобразователя по п.1.
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| PCT/AZ2008/000002 WO2009105840A1 (ru) | 2008-02-27 | 2008-02-27 | Способ повышения эффективности преобразования солнечной энергии в электрическую и устройство для его реализаций |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| EA201000446A1 EA201000446A1 (ru) | 2011-08-30 |
| EA017011B1 true EA017011B1 (ru) | 2012-09-28 |
Family
ID=41015456
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| EA201000446A EA017011B1 (ru) | 2008-02-27 | 2008-02-27 | Способ повышения эффективности преобразования солнечной энергии в электрическую и устройство для его реализации |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| EA (1) | EA017011B1 (ru) |
| WO (1) | WO2009105840A1 (ru) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU2586263C1 (ru) * | 2014-12-08 | 2016-06-10 | Общество с ограниченной ответственностью "Аналитические приборы и специальные технологии защиты" | Гибридный многослойный фотоэлектрический преобразователь |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4769682A (en) * | 1984-11-05 | 1988-09-06 | Energy Conversion Devices, Inc. | Boron doped semiconductor materials and method for producing same |
| KR940003430B1 (ko) * | 1991-08-29 | 1994-04-22 | 주식회사 금성사 | 반사 방지막을 형성한 태양전지의 제조방법 |
| JPH0722634A (ja) * | 1993-06-22 | 1995-01-24 | Sharp Corp | 太陽電池の製造方法 |
| JP2006073950A (ja) * | 2004-09-06 | 2006-03-16 | Kansai Electric Power Co Inc:The | 高耐熱半導体装置 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU1801232C (ru) * | 1991-06-04 | 1993-03-07 | Институт Физической Химии Им.Л.В.Писаржевского | Твердотельный фотогальванический элемент дл преобразовани энергии света в электрическую энергию |
-
2008
- 2008-02-27 WO PCT/AZ2008/000002 patent/WO2009105840A1/ru active Application Filing
- 2008-02-27 EA EA201000446A patent/EA017011B1/ru not_active IP Right Cessation
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4769682A (en) * | 1984-11-05 | 1988-09-06 | Energy Conversion Devices, Inc. | Boron doped semiconductor materials and method for producing same |
| KR940003430B1 (ko) * | 1991-08-29 | 1994-04-22 | 주식회사 금성사 | 반사 방지막을 형성한 태양전지의 제조방법 |
| JPH0722634A (ja) * | 1993-06-22 | 1995-01-24 | Sharp Corp | 太陽電池の製造方法 |
| JP2006073950A (ja) * | 2004-09-06 | 2006-03-16 | Kansai Electric Power Co Inc:The | 高耐熱半導体装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EA201000446A1 (ru) | 2011-08-30 |
| WO2009105840A1 (ru) | 2009-09-03 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| TWI693722B (zh) | 使用磊晶剝離之整合太陽能收集器及冷焊接合之半導體太陽能電池 | |
| JP6689456B2 (ja) | 透明トンネル接合を有する光起電力デバイス | |
| KR101622090B1 (ko) | 태양 전지 | |
| CN1207793C (zh) | 具有激子阻挡层的有机光敏光电器件 | |
| JP5714588B2 (ja) | 結晶系太陽電池、前記タイプの太陽電池の製造方法および太陽電池モジュールの製造方法 | |
| CN107408632B (zh) | 光电转换装置和光电转换模块 | |
| US20120176077A1 (en) | Solar cell module having white back sheet | |
| US20110023960A1 (en) | Solar cell and method for manufacturing the same | |
| US20080236661A1 (en) | Solar cell | |
| JP2002111031A (ja) | 固体ヘテロ接合および固体増感（感光性）光起電力セル | |
| Liu et al. | An 11%-power-conversion-efficiency organic–inorganic hybrid solar cell achieved by facile organic passivation | |
| JP2024038964A (ja) | 太陽電池および光起電力モジュール | |
| US20180033905A1 (en) | Flexible silicon infrared emitter | |
| WO2012160764A1 (ja) | 光電変換素子 | |
| US9412960B2 (en) | Light trapping architecture for photovoltaic and photodector applications | |
| EA017011B1 (ru) | Способ повышения эффективности преобразования солнечной энергии в электрическую и устройство для его реализации | |
| JP2013537366A (ja) | 無機太陽電池のための窓層としての有機半導体 | |
| CN113178497B (zh) | 一种基于量子点的紫外探测器及制作方法 | |
| CN116722060A (zh) | 太阳能电池及光伏组件 | |
| RU77505U1 (ru) | Фотоэлектрический элемент | |
| KR100581840B1 (ko) | 광감응형 및 ｐ-ｎ접합 복합구조를 갖는 태양전지 및 그제조방법 | |
| US4352868A (en) | Double photoelectrochemical cell for conversion of solar energy to electricity | |
| CN220934090U (zh) | 太阳能电池及光伏组件 | |
| RU2569164C2 (ru) | Тонкопленочный солнечный элемент | |
| CN117410361B (zh) | 一种太阳能电池组件及其双面制绒的TOPCon结构电池 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| MM4A | Lapse of a eurasian patent due to non-payment of renewal fees within the time limit in the following designated state(s) |
Designated state(s): AM AZ BY KZ KG MD TJ TM RU |