DK163470B

DK163470B - Hoejhastigheds-halvledermultiplexer

Info

Publication number: DK163470B
Application number: DK507384A
Authority: DK
Inventors: David Richard Crocker; Desi Duran Stelling; Francis Willard Larson
Original assignee: Sperry Corp
Priority date: 1983-12-22
Filing date: 1984-10-24
Publication date: 1992-03-02
Also published as: IL73289A; IL73289A0; EP0146236A2; JPS60136416A; DK507384A; US4524443A; DE3482229D1; EP0146236A3; DK507384D0; DK163470C; JPH0444847B2; EP0146236B1

Description

DK 163470 B

Opfindelsen angår en multiplexer, der modtager et antal indgangssignaler, som har spændinger inden for et forudbestemt værdiområde, fra et antal indgangskilder, og som overfører til en udgang mindst ét indgangs-5 signal valgt- blandt nævnte indgangssignaler, og omfatter mindst én enhed bestående af en første gruppe af transistorer, hvor basen i hver transistor i denne gruppe af transistorer er indrettet til indkobling af mindst én af indgangskilderne, midler til påtrykkelse 10 af en forudbestemt spænding på kollektoren i hver transistor i nævnte gruppe, et antal dioder, der er forbundet med den første gruppe af transistorer, således at anoden i hver diode er forbundet med emitteren i en tilsvarende transistor i gruppen, en anden gruppe af 15 transistorer, der er forbundet med den første gruppe af transistorer, således at kollektoren i hver transistor i den anden gruppe er forbundet med emitteren i en tilsvarende transistor i den første gruppe, og at kollektoren i hver transistor i den anden gruppe er forbun-20 det med anoden i den samme diode, som en tilsvarende transistor i den første gruppe er koblet til, og midler til påtrykkelse af en forudbestemt spænding på basen i en valgt transistor i den anden gruppe.

Man har tidligere til multiplexering anvendt meka-25 niske relæer for at foretage udvælgelse mellem kilder.

Der er ved mekaniske relæer en relativt stor fejlhyppighed. Hvis der er et stort antal kilder, og dermed et stort antal relæer, udviser multiplexeren tilsvarende en væsentlig ringere pålidelighed.

30 Man har også udformet multiplexere med halvleder- chips med seriekoblere og koblere til stellet for at kunne foretage udvælgelse blandt forskellige kilder. På grund af spredningskapaciteten hos en sådan multiplexer-kobling forvrænges udgangssignalerne fra en valgt kilde 35 af signaler fra de andre ikke-valgte kilder.

2

DK 163470 B

Derfor begrænses det mulige antal kilder, der kan betjenes, af den forekommende krydstale. Dertil kommer, at når antallet af kilder og komponenter vokser hos sådanne multiplexere, forringes frekvensresponsen, medens 5 strømforbruget vokser.

Fra SE-fremlæggelsesskrift nr. 388 987 kender man en analog spændingsomskifter, som er opbygget af halvlederkomponenter og som giver mulighed for til en udgang at koble den ene eller den anden af et antal ka-10 naler, som hver indbefatter et analogt nyttesignal og et styresignal. Ønsket med en sådan omskifter er at sikre, at det analoge udgangssignal så nøjagtigt som muligt gengiver det analoge spændingssignal, som ankommer over den pågældende kanal og fremlæggelsesskriftet be-15 skæftiger sig primært med at udforme omskifteren således at dens funktion i væsentlig grad gøres temperaturuafhængig.

Det ovenfor omtalte problem med spredningskapacitet gør sig også sældende hos omskiftere af denne 20 art, tillige med forringelsen af frekvensresponsen, når antallet af signalkilder vokser.

Der er altså et behov for en multiplexer, der har en hurtig respons, og som pålideligt kan betjene et stort antal kilder uden at blive forstyrret af kryds-25 tale.

Med henblik herpå er en multiplexer af den indledningsvis angivne art ifølge opfindelsen ejendommelig ved midler til påtrykkelse af en forudbestemt strøm på emitteren i den valgte transistor i den anden gruppe, 30 en tredje gruppe af transistorer, der er forbundet med den første gruppe af transistorer, således at emitteren i hver transistor i den tredie gruppe er koblet til emitteren i en tilsvarende transistor i den første gruppe, og at emitteren i hver transistor i den tredie grup-35 pe er forbundet med anoden i den samme diode, som en tilsvarende transistor i den første gruppe af transistorer er koblet til, midler til påtrykkelse af en for- 3

DK 163470 B

udbestemt spænding på kollektoren i hver transistor i den tredie gruppe, midler til påtrykkelse af en forudbestemt spænding på basen i en valgt transistor i den tredie gruppe, en udgangstransistor, hvis base er for-5 bundet med katoden i de enkelte dioder i diodegruppen, midler til påtrykkelse af en forudbestemt spænding på kollektoren i udgangstransistoren, og midler, der er forbundet med katoden i hver diode i gruppen af dioder, til dræning af en forudbestemt del af den forudbestem-10 te strøm, der påtrykkes emitteren i den udvalgte transistor i den anden gruppe gennem en diode i gruppen af dioder koblet til den valgte transistor i den anden gruppe af transistorer.

Under driften spærrer den tredje gruppe af transis-15 torpar for overførsel af de ikke-valgte indgangssignaler til udgangen ved at påtrykke en forudbestemt spænding på anoderne i de tilsvarende dioder. Den anden gruppe af transistorpar overfører valgte indgangssignaler til emitterne i udgangstransistorerne ved at påtrykke en 20 strøm på emitterne i de tilsvarende transistorer i den første gruppe af transistorpar og på anoderne i de tilsvarende dioder.

Hos en sådan multiplexer ifølge opfindelsen reduceres spredningskapaciteten og komponentkapaciteten.

25 Koblingens iboende restkapacitet lades meget hurtigt op, hvorved der fås større båndbredde. Multiplexeren kræver lav effekt og relativt få komponenter og kan anvendes i tilknytning til et stort antal kilder uden forringelse af pålideligheden, uden formindskelse af fre-30 kvensresponsen og uden generende krydstale.

Opfindelsen forklares nærmere i det følgende under henvisning til den skematiske tegning, hvor fig. la-ld viser et diagram - delvis et blokdiagram-over en foretrukken udførelsesform for opfindelsen med 35 kilder, der hver omfatter højspændingskilde og lavspændingskilde, og fig. 2 et blokdiagram over en foretrukken udførel- 4

DK 163470 B

sesform til overførsel af mere end ét valgt par af indgangssignaler til udgangen.

Opfindelsen angår en multiplexer til at foretage et valg blandt forskellige signalkilder og til at frem-5 bringe et udgangssignal svarende til denne udvælgelse.

Fig. 1 viser en kilde 11 med en højspændingskilde 11a og en lavspændingskilde 11b, hvor den spænding, der afgives af højspændingskilden 11a, i det mindste er lig med den spænding, der afgives af lavspændingskilden 11b. Basen 10 i en transistor 20 er forbundet med højspændingskilden 11a, og basen i en transistor 21 er forbundet med lavspændingskilden 11b. På tilsvarende måde omfatter kilderne 12-19 henholdsvis højspændingskilder 12a-19a og lavspændingskilder 12b~19b. Baserne i transistorer-15 ne 22, 24, 26, 28, 30, 34 og 36 er forbundet med højspændingskilderne henholdsvis 12a-19a. Baserne i transistorerne 21, 23, 25, 27, 29, 31, 33, 35 og 37 er forbundet med lavspændingskilderne henholdsvis 12b-19b. Kollektorerne i transistorerne 20-37 er forbundet med 20 en spændingskilde 91. Kollektoren i en transistor 40 er forbundet med emitteren i transistoren 20, og kollektoren i en transistor 41 er forbundet med emitteren i transistoren 21. På denne måde har transistorerne 40 og 41 forbindelse med de transistorer 20 og 21, der 25 er tilknyttet spændingskilden 11. Baserne i transistorerne 40 og 41 er forbundet med hinanden, og basen i transistoren 40 er koblet til en skiftekreds 60.

Emitterne i transistorerne 40 og 41 er også forbundet med skiftekredsen 60. På tilsvarende måde er basen i 30 en transistor 43 forbundet med basen i en transistor 42, og basen i transistoren 42 samt emitterne i transistorerne 42 og 43 er koblet til skiftekredsen 60. Kollektorerne i transistorerne 42 og 43 er forbundet med emitterne i transistorerne henholdsvis 22 og 23, 35 der er knyttet til kilden 12.

5

DK 163470 B

Transistorerne 44-57 opstilles parvis på lignende måde, og hvert par er forbundet med skiftekredsen 60 og med de transistorer, der er knyttet til en tilsvarende kilde. Skiftekredsen 60 er forbundet med en strøm-5 kilde 61 o.g med en spændingskilde 62. Ved hjælp af skiftekredsen 60 kan en bestemt spænding påtrykkes baserne i et udvalgt transistorpar 40-57, og en bestemt strøm påtrykkes emitterne i det udvalgte par.

Basen i en transistor 71 er forbundet med basen 10 i en transistor 70 og med en skiftekreds 90. Kollek-torerne i transistorerne 70 og 71 er forbundet med en spændingskilde 91. Emitterne i transistorerne 70 og 71 er forbundet med emitterne i transistorerne henholdsvis 20 og 21, der er knyttet til spændingskilden 11.

15 Ligeledes er basen i en transistor 73 forbundet med basen i en transistor 72 og med skiftekredsen 90. Kollektorerne i transistorerne 72 og 73 er forbundet med spændingskilden 91. Emitterne i transistorerne 72 og 73 er forbundet med emitterne i transistorerne 20 henholdsvis 22 og 23, der er tilknyttet kilden 12.

Transistorerne 74-87 er ligeledes opstillet parvis, og hvert par er forbundet med spændingskilden 91 og med skiftekredsen 90 samt med de transistorer, der er tilknyttet en tilsvarende kilde. Skiftekredsen 90 er 25 forbundet med en spændingskilde 92. Ved hjælp af skiftekredsen 90 kan en bestemt spænding påtrykkes baserne i et udvalgt transistorpar 70-87.

Anoden i dioden 100, emitteren i transistoren 20, kollektoren i transistoren 40 og emitteren i tran-30 sistoren 70 er alle forbundet med et fælles punkt 130. Katoden i dioden 100 er forbundet med basen i en transistor 120. Anoden i dioden 101, emitteren i transistoren 21, kollektoren i transistoren 41 og emitteren i transistoren 71 er alle forbundet med et punkt 35 131. Katoden i dioden 101 er forbundet med basen i en transistor 121. På denne måde er dioderne 100 og 101 tilknyttet spændingskilden 11. Dioder 102-117 er op- 6

DK 163470 B

stillet på lignende måde. Anoderne i dioderne 102-117, emitterne i transistorerne 22-37, kollektorerne i transistorerne 42-57 og emitterne i transistorerne 72-87 er forbundet med henholdsvis punkterne 132-147. Kato-5 derne i dioderne 102, 104, 106, 108, 110, 112, 114 og 116 er forbundet med basen i transistoren 120. Katoderne i dioderne 103, 105, 107, 109, 111, 113, 115 og 117 er forbundet med basen i transistoren 121. På denne måde er der par af dioderne 102-117, der er tilknyttet 10 hver sin spændingskilde 12-19.

Kollektoren i transistoren 120 er forbundet med en spændingskilde 150, og kollektoren i transistoren 121 er forbundet med en spændingskilde 151. En strøm-styrekreds 152 er indskudt mellem basen i transistoren 15 120 og katoderne i dioderne 100, 102, 104, 106, 108, 110, 112, 114 og 116. Strømstyrekredsen 152 er også indskudt mellem basen i transistoren 121 og katoderne i dioderne 101, 103, 105, 107, 109, 111, 113, 115 og 117. Denne strømstyrekreds 152 fjerner eller bort-20 leder en bestemt del af den strøm, der tilføres det valgte par af transistorer 40-57 gennem de tilsvarende diodepar 100-117. Reststrømmen går til emitterne i det tilsvarende transistorpar 20-37. Den nævnte givne del af strømmen andrager fortrinsvis 50%.

25 En belastning 154 er koblet til emitterne i tran sistorerne 120 og 121. En strømstyrekreds 155, der er i stand til at styre belastningen 154, er koblet mellem belastningen 154 og emitterne i transistorerne 120 og 121.

30 Under driften afgiver hver enkelt af kilderne 11-19 en høj spænding og en lav spænding. Det antages, at disse spændinger ligger i området fra -V^ til V , hvor Vj er en fast, men arbitrær, positiv spænding. Blandt kilderne 11-19 antages det, at det er kilden 13, hvis 35 høj- og lavspændinger skal overføres til udgangen. Med henblik herpå bringes spændingskilden 62 til ved hjælp

DK 163470B

7 af skiftekredsen 60 at påtrykke en spænding, der er mere positiv end Vj på baserne i det par transistorer 40-57, hvis kollektorer er forbundet med emitterne i det par transistorer 20-37, hvis baser har forbindelse med 5 henholdsvis .høj spændingskilden og lavspændingskilden i den valgte indgangskilde. I det foreliggende tilfælde er baserne i transistorerne 24 og 25 forbundet med henholdsvis højspændingskilden 13a og lavspændingskilden 13b i indgangskilden 13. Som følge heraf vil spæn-10 dingskilden 62 gennem skiftekredsen 60 påtrykke en spænding mere positiv end på baserne i transistorerne 44 og 45, hvis kollektorer er forbundet med emitterne i transistorerne henholdsvis 24 og 25.

Ved hjælp af skiftekredsen 60 afgiver strømkilden 1561 en strøm til emitterne i det samme par transistorer 40-57, hvis baser påtrykkes en spænding mere positiv end Vj. I det foreliggende tilfælde føres strømmen til emitterne i transistorerne 44 og 45. Størrelsen af den påtrykte strøm afhænger af kravene med hensyn til 20 stigetid (såkaldt "slew rate" = Δν/At) og af koblingens spredningskapacitet.

Spændingskilden 91 påtrykker en spænding mere negativ end -V.J. på kollektorerne i transistorerne 20-37 og på kollektorerne i transistorerne 70-87.

25 Ved hjælp af skiftekredsen 90 påtrykker spændings kilden 92 en spænding, der er mere positiv end Vj på baserne i det transistorpar 70-87, hvis emittere er forbundet med emitterne i det transistorpar 20-37, hvis baser er forbundet med den valgte indgangskildes hen-30 holdsvis høj- og lavspændingskilde. I det foreliggende tilfælde er transistorerne 24 og 25 koblet til kilden 13. Som følge heraf påtrykker spændingskilden 92 gennem skiftekredsen 90 en spænding, der er mere positiv end ν^ på baserne i transistorerne 74 og 75, hvis emit-35 tere er forbundet med emitterne i transistorerne 24 og 8

DK 163470 B

25. Herved spærres transistorerne 74 og 75, og for at transistoren kan være ledende skal basis forspændes med f.eks. en spænding, der er mindre end -Vj. Som følge heraf ligger emitterne i transistorerne 20-23 og 26-37, 5 der er forbundet med emitterne i transistorerne henholdsvis 70-73 og 76-87, i det væsentlige på en spænding, der er mere negativ end -V^., og som spændingskilden 91 påtrykker kollektorerne i transistorerne 70-87. Anoderne i dioderne 100-103 og 106-117, som er forbun-10 det med emitterne i transistorerne henholdsvis 70-73 og 76-87, befinder sig også i det væsentlige på en spænding, der er mere negativ end -V^, og som af spændingskilden 91 påtrykkes kollektorerne i transistorerne 70-87. En bestemt del af strømmen fra kollektorerne i 15 transistorerne 44 og 45 går til emitterne i transistorerne 24 og 25. Som følge heraf virker transistorerne 24 og 25 som emitterfølgere, således at de spændinger, der forekommer over emitterne, følger den spænding, der påtrykkes baserne i transistorerne 24 og 25 af hen-20 holdsvis højspændingskilden 13a og lavspændingskilden 13b. Emitterspændingerne i transistorerne 24 og 25 optræder over anoderne i dioderne 104 og 105. Spændingerne på baserne i transistorerne 24 og 25 optræder på katoderne i dioderne henholdsvis 104 og 105. Gennem 25 dioderne 104 og 105 går der strømme til strømstyrekredsen 152. Strømstyrekredsen> 152 er således indret tet, at de strømme, der passerer gennem dioderne 104 og 105, fortrinsvis er på i alt væsentligt det halve af de strømme, der passerer gennem kollektorerne i transisto-30 rerne 44 og 45. Spændingen på katoden i dioden 104 - denne spænding ligger mellem -Vr og Vj - optræder på katoderne i dioderne 100, 102, 106, 108, 110, 112, 114 og 116. Da spændingen på anoderne i dioderne 100, 102, 106, 108, 110, 112, 114 og 116 er mere negativ end -V^., er spændingsforskel-35 len mellem anoderne og katoderne i disse dioder negativ, og der går ingen strøm gennem dioderne. På tilsvarende 9

DK 163470 B

måde optræder spændingen på katoden i dioden 105 - den ligger mellem -VI og - på katoderne i dioderne 101, 103, 107, 109, 111, 113, 115 og 117. Da spændingen på anoderne i dioderne 101, 103, 107, 109, 111, 113, 115 5 og 117 er mere negativ end -V^., er spændingsforskellen mellem anoderne og katoderne i disse dioder negativ, og der går ingen strøm gennem disse dioder. På denne måde blokeres indgangssignalerne fra spændingskilderne 11, 12 og 14-19 af dioderne 100-103 og 106-117.

10 Spændingskilden 150 påtrykker kollektoren i tran sistoren 120 en spænding, der er mere positiv end V^., medens spændingskilden 151 påtrykker kollektoren i transistoren 121 en spænding, der er mere positiv end Vj.. Som følge heraf virker transistorerne 120 og 121 15 som emitterfølgere, dvs. at de spændinger, der optræder på emitterne i transistorerne 120 og 121, følger de spændinger, der påtrykkes baserne i transistorerne 120 og 121 gennem dioderne henholdsvis 104 og 105. På denne måde vil spændingen på emitterne i transistorerne 20 120 og 121 følge indgangsspændingerne fra henholdsvis højspændingskilden 13a og lavspændingskilden 13b.

Den belastning 154, der er koblet til emitterne i transistorerne 120 og 121, styres af strømstyrekredsen 155, som er indkoblet mellem belastningen 154 og emit-25 terne i transistorerne 120 og 121, på nær diodespændingsfaldet.

Man kan på lignende måde vælge en hvilken som helst indgangskilde 11, 12 og 14-19 og overføre dens indgangssignaler til udgangen.

Hvis hver indgangskilde kun har en enkelt spæn-30 dingsindgang, kan den i fig. 1 viste kobling tilsvarende ændres ved blot at fjerne de komponenter, der hører til de indgange, man fjerner. Hvis indgangskilderne 11-19, jf. fig. 1, eksempelvis kun omfatter en enkelt spændingsindgang, f.eks. indgangskilderne lla-19a, skal man blot 35 fjerne de transistorer og dioder, der svarer til de kilder llb-19b, man har fjernet. Hvis man for eksempel 10

DK 163470 B

fjerner indgangskilden 13b, fjerner man også transistorerne 25, 45 og 75 og dioden 105. I så fald fjerner man også transistoren 121. Ved på denne måde at fjerne det ene af de to elementer fra hvert par af komponenter, 5 der er tilknyttet hver af indgangskilderne 11-19, kan den i fig. 1 viste kobling nemt omdannes til at overføre signalet fra en valgt indgangskilde, der kun har én enkelt spændingskiide.

Opfindelsen kan anvendes i forbindelse med et vil-10 kårligt antal indgangskilder. Indgangskilderne kan være af vilkårlig art med enkeltindgang eller dobbeltindgang.

Den ovenfor beskrevne kobling kan betjene et mindre antal indgangskilder, hvis man lader nogle af komponenterne være uden forbindelse, eller ved at fjerne de kom-15 ponenter, man ikke anvender. Hvis man under henvisning til fig. 1 eksempelvis har N indgangskilder, hvor W ^ 8, kan disse kilder betjenes ved at koble dem til til tilsvarende transistorpar 20-37, medens man efterlader 9-N transistorpar 20-37 uindkoblede. Alternativt kan ikke-20 anvendte transistorpar 20-37 og tilhørende komponenter fjernes fra koblingen, når der betjenes et lavere antal indgangskilder. Hvis man for eksempel kun har 8 kilder, der skal kobles til transistorerne 20-37, kan man fjerne transistorerne 36 og 37 og de tilhørende transisto-25 rer 56 og 57, 86 og 87 og de tilhørende dioder 116 og 117. Den ovenfor beskrevne kobling kan nemt ændres til at betjene yderligere indgangskilder blot ved at tilføje de tilsvarende transistorer og dioder. Hvis man eksempelvis - jf. fig. 1 - yderligere skal kunne betjene 30 en tiende indgangskilde med to spændingskilder, skal konfigurationen af komponenter i tilknytning til en hvilken som helst af de andre kilder blot duplikeres for denne yderligere indgangskilde. Eksempelvis kan den ovenfor beskrevne konfiguration med transistorerne 24 og 25, 35 transistorerne 44 og 45, transistorerne 74 og 75 og dioderne 104 og 105 i tilknytning til indgangskilden 13 duplikeres for hver yderligere indgangskilde.

Claims

1. Multiplexer, der modtager et antal indgangs-35 signaler, som har spændinger inden for et forudbestemt værdiområde, fra et antal indgangskilder (11-19), og som overfører til en udgang mindst ét indgangssignal 12 DK 163470 B valgt blandt nævnte indgangssignaler, og omfatter mindst én enhed bestående af en første gruppe af transistorer (20-37), hvor basen i hver transistor i denne gruppe af transistorer er indrettet til indkobling af mindst én 5 af indgangsk-ilderne (11-19), midler (91) til påtrykkelse af en forudbestemt spænding på kollektoren i hver transistor (20-37) i nævnte gruppe, et antal dioder (100— 117), der er forbundet med den første gruppe af transistorer, således at anoden i hver diode er forbundet med 10 emitteren i en tilsvarende transistor i gruppen, en anden gruppe af transistorer (40-57), der er forbundet med den første gruppe af transistorer (20-37), således at kollektoren i hver transistor (40-57) i den anden gruppe er forbundet med emitteren i en tilsvarende tran-15 sistor (20-37) i den første gruppe, og at kollektoren i hver transistor (40-57) i den anden gruppe er forbundet med anoden i den samme diode, som en tilsvarende . transistor (20-37) i den første gruppe er koblet til, og midler til påtrykkelse af en forudbestemt spænding 20 på basen i en valgt transistor i den anden gruppe, kendetegnet ved midler (60, 62) til påtrykkelse af en forudbestemt strøm på emitteren i den valgte transistor (40-57) i den anden gruppe, en tredje gruppe af transistorer (70-87), der er forbundet med 25 den første gruppe af transistorer (20-37), således at emitteren i hver transistor (70-87) i den tredie gruppe er koblet til emitteren i en tilsvarende transistor (20-37) i den første gruppe, og at emitteren i hver transistor (70-87) i den tredie gruppe er forbundet med ano-30 den i den samme diode, som en tilsvarende, transistor i den første gruppe af transistorer (20-37) er koblet til, midler (91) til påtrykkelse af en forudbestemt spænding på kollektoren i hver transistor (70-87) i den tredie gruppe, midler (92) til påtrykkelse af en forudbestemt 35 spænding på basen i en valgt transistor (70-87) i den tredie gruppe, en udgangstransistor (120), hvis base er forbundet med katoden i de enkelte dioder· (100-117) i * DK 163470 B 13 diodegruppen, midler (150) til påtrykkelse af en forudbestemt spænding på kollektoren i udgangstransistoren (120), og midler (152), der er forbundet med katoden i hver diode i gruppen af dioder, til dræning af en forud-5 bestemt del .af den forudbestemte strøm, der påtrykkes emitteren i den udvalgte transistor (40-57) i den anden gruppe gennem en diode i gruppen af dioder (100-117) koblet til den valgte transistor i den anden gruppe af transistorer (40-57).

2. Multiplexer ifølge krav 1, kendeteg net ved, at den er indrettet til at modtage et antal indgangssignaler fra et antal indgangskilder (11-19), der hver indbefatter en højspændingskilde (11a-19a) og en lavspændingskilde (11b—19b) til at overføre til en 15 udgang mindst ét par af indgangssignaler, der vælges blandt nævnte indgangssignalpar, at den første gruppe af transistorer omfatter en første gruppe af transistorpar (20-37), hvor baserne i hvert transistorpar i nævnte gruppe er indrettede til at indkoble høj- og lavspæn-20 dingskilder (11a—19a; 11b—19b) af en af indgangskilderne (11-19), at gruppen af dioder indbefatter et antal diodepar (100-117), der er forbundet med henholdsvis den første gruppe af transistorpar, således at anoderne i hvert diodepar er forbundet med sin emitter i et tilsva-25 rende transistorpar i den første transistorgruppe, at den anden gruppe af transistorer indbefatter et antal transistorpar (40-57), der er forbundet med den første gruppe af transistorpar, således at kollektorerne i hvert transistorpar i den anden gruppe af transistorpar 30 er forbundet med sin emitter i et tilsvarende transistorpar i den første gruppe af transistorpar, at kollektoren i hver transistor i den anden gruppe af transistorpar er forbundet med anoden i den samme diode, til hvilken en tilsvarende transistor i den første gruppe 35 af transistorpar ere koblet, at midlerne (60-62) til påtrykkelse af en forudbestemt spænding på basen i en valgt transistor i den anden gruppe påtrykker denne 14 DK 163470 B spænding på et udvalgt transistorpar, at midlerne (60, 61. til påtrykkelse af en forudbestemt strøm på emitter-ne i den valgte transistor i den anden gruppe påtrykker denne strøm på et udvalgt transistorpar, at den tredie 5 af transistorer omfatter en gruppe af transistorpar (70-87), der er forbundet med den første gruppe af transistorpar, således at emitterne i hvert transistorpar i den tredie gruppe er forbundet med sin emitter i et tilsvarende transistorpar i den første gruppe, og at emit-10 teren i hver transistor i den tredie gruppe er forbundet med anoden i den samme diode, som en tilsvarende transistor i den første gruppe af transistorpar er koblet til, at midlerne (90, 92) til påtrykkelse af en forudbestemt spænding på basen i en udvalgt transistor i 15 den tredie gruppe af transistorpar påtrykker denne spænding på et udvalgt transistorpar, at den første udgangstransistor (120) er koblet til katoden i en første diode (101) i hvert par i gruppen af diodepar, at der findes en anden udgangstransistor (121), der er forbundet med 20 katoden i en anden diode (102) i hvert par af gruppen af diodepar, at der findes midler (151) til påtrykkelse af en forudbestemt spænding på kollektoren i den anden udgangstransistor, og at midlerne (152), der er forbundet med katoden i hver diode i gruppen af diodepar, er ind-25 rettede til at dræne en forudbestemt del af den forudbestemte strøm, der påtrykkes emitterne i det udvalgte par transistorer i den anden gruppe af transistorpar gennem et par dioder i gruppen af diodepar, koblet til det udvangte transistorpar i den anden gruppe af tran-30 sistorpar.

3. Multiplexer ifølge krav 1 eller 2, kendetegnet ved, at midlerne til påtrykkelse af en forudbestemt spænding på kollektoren i hver transistor i den første gruppe af transistorpar (20-37) og midlerne 35 til påtrykkelse af en forudbestemt spænding på kollektoren i hver transistor i den tredie gruppe af transistor-p^r (70-87) omfatter en første spændingskilde (91), der DK 163470 Β «Γ 15 er forbundet med kollektoren i hver transistor i den første gruppe og den tredie gruppe af transistorpar.

4. Multiplexer ifølge ethvert af de foregående krav, kendetegnet ved, at midlerne til på-5 trykk'else af. en forudbestemt spænding på basen i et udvalgt transistorpar i den anden gruppe af transistorpar (40-57) omfatter en anden spændingskilde (62) og en skiftekreds (60) til forbindelse af den anden spændingskilde med basen eller baserne i den udvalgte transistor 10 eller det udvalgte transistorpar af den anden gruppe af transistorpar, at midlerne til påtrykkelse af en forudbestemt strøm på emitteren eller emitterne af den valgte transistor eller i det valgte transistorpar af den anden gruppe af transistorpar omfatter en strømkilde (61) og 15 skiftekredsen (60) til yderligere indkobling af strømkilden til emitteren eller emitterne i den valgte transistor eller det valgte transistorpar af den anden gruppe af transistorpar, og at midlerne til påtrykkelse af en forudbestemt spænding på basen eller baserne i den 20 valgte transistor eller i det valgt transistorpar af den tredie gruppe omfatter en tredie spændingskilde (92) og en skiftekreds (90) til indkobling af den tredie spændingskilde til basen eller baserne i den valgte transistor eller det valgte transistorpar af den tredie gruppe.

5. Multiplexer ifølge ethvert af de foregående krav, kendetegnet ved, at strømdrænemidlerne udgøres af en strømdrænekreds (152), der er koblet til katoden i hver diode eller diodepar i gruppen af diodepar (100-117).

6. Multiplexer ifølge ethvert af de foregående krav, kendetegnet ved, at den forudbestemte del af den forudbestemte strøm i hovedsagen andrager halvdelen.

7. Multiplexer ifølge ethvert af de foregående 35 krav, kendetegnet ved, at midlerne til påtrykkelse af en forudbestemt spænding på kollektoren i den første udgangstransistor (120) omfatter en spændings- 16 DK 163470 B kilde (150), der er koblet til kollektoren i den første udgangstransistor, og at midlerne til påtrykkelse af en forudbestemt spænding på kollektoren i den anden udgangstransistor (121) omfatter en spændingskilde (151), der 5 er forbundet med kollektoren i den anden udgangstransistor .

8. Multiplexer ifølge ethvert af de foregående krav, kendetegnet ved, at den yderligere omfatter midler (155), der er forbundet med emitteren i 10 den første udgangstransistor (120) og emitteren i den anden udgangstransistor (121) med henblik på at dræne strømmen ned til styring af en forudvalgt belastning (154).

9. Multiplexer ifølge krav 1, kendeteg-15 net ved, at midlerne til påtrykkelse af en forudbestemt spænding på kollektoren i udgangstransistoren omfatter en spændingskilde (150), der er koblet til kollektoren i udgangstransistoren (120).

10. Multiplexer ifølge ethvert af kravene 1-9, 20 kendetegnet ved, at den yderligere omfatter midler (155), der er forbundet med emitteren i udgangstransistoren (120) med henblik på dræning af strømmen ned til styring af en forudvalgt belastning.