DEP0013558DA - Elektronenstrahlgerät, insbesondere Elektronenübermikroskop - Google Patents

Elektronenstrahlgerät, insbesondere Elektronenübermikroskop

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DEP0013558DA
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Süddeutsche Laboratorien GmbH, Mosbach
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Description

Blektronenstrahlgerätf insbesondere Mektronenübermikroskop <
Es sind Blektronenstrahlgeräte^ insbesondere llektronenübermikroskope, bekannts die mit einem zum Betrachten eines ebenen Leuchtschirmes dienenden optischen System ausgerüstet sind° Piese Geräte sind in der Hegel so ausgebildet, daß der Leuchtschirm von der der Blektronenstrahlenquelle zugekehrten Seite her betrachtet wird. Aus konstruktiven Gründen wird daher bei den bekannten Geräten der Leuchtschirm unter einem Winkel von etwa 30-4-5° S©S®a seine Normale t die zur Achsenrichtung des abbildenden Elektronenstrahls parallel gerichtet ist, betrachtet. Durch Verwendung von optischen Geräten besonderer Bauart kann man bei diesen Geräten wenigstens für das zentrale Bildfeld eine befriedigende Schärfe erzielen*.
Mit einem wesentlich einfacheren optischen System kommt man jedoch bei dem Elektronenstrahlgerät gemäß der Erfindung auss bei dem der Leuchtschirm mindestens in seinem den BurchWlS punkt der optischen Aohse enthaltenden Bereich mit dieser Achse einen von 90° weniger verschiedenen ¥inkel aufweist als die Einst ellebene des abbildenden Elektronenstrahl© s mit diesem^ Man wirdt soweit es die Bauart des Gerätes irgend zuläßt, anstreben« daß die optische Achse des Betrachtungssystems möglichst parallel ^u den zu diesem Bereich der Leuchtsehirmober-*· fläche gehörenden formalen gerichtet ist. Man erreicht dadurch größte Abbildungsschärfe des optischen Systems für diesen Bereiche
Für sehr viele Anwendungsswecke genügt die Verwendung eines ebenen Leuchtschirms t der senkrecht zur optischen Achse des Betrachtungssystems angeordnet ist ο Mn solcher Schirm ist, wenn die Brennweite des Betrachtungssystems seiner Größe in der üblichen Weise angepaßt ist, bereits mit verhältnismäßig wohlfeilen Mitteln bis zum Sand scharf abbildbar0
Die Figur zeigt in schematischer Darstellung ein Ausfüirrungsbeispiel des llektronenstrahlgerätes gemäß der Erfindung0
Die Elektronenstrahlen 1 mögen dazu dienen» auf der photographischen Schicht 2, die zu der Strahl achse senkrecht steht s ein Bild zu erzeugen» Zu diesem Zweck wird zur Erzielung größter Bildschärfe die Einstellebene des Elektronenstrahles in die Ebene 2 gelegt. Bei den bekannten Geräten wird zur Betrachtung des in der Einstellebene zu erwartenden Elektronenbildes vor der Aufnahme in die Einstellebene ein Leuchtschirm gebracht, der unter einem meist beträchtlichen Winkel gegen seine Normale mittels eines optischen Systems betrachtet wird«. Bei dem dargestellten Ausführungsbeispiel bildet gemäß der Erfindung der Leuchtschirm 3 mit der Binstellebene/iinen solchen Winkel ψ ^ daß er ait der optischen Achse 5 des durch die Linse M- schematisch dargestellten Betrachtungssystems einen Winkel ob bildet, der von 90° möglichst wenig verschieden sein sollteα

Claims (2)

  1. Patentansprüche»
    β Elektronenstrahlgerät mit einem zum Betrachten des LesuchtSchirmes dienenden optischen Systemjf, insbesondere Elektronenübermikroskop,, dadurch gekennzeichnet, daß der Leuchtschirm mindestens in seinem den Durchtrittspunkt der optischen Achse enthaltenden Bereich mit dieser Achse einen von 9o° weniger verschiedenen Winkel aufweist als die Einstellebene des abbildenden Elektronenstrahls mit diesem«
  2. 2. Gerät nach Anspruch 1 mit einem ebenen leuchtschirm, dadurch gekennzeichnet, daß ein^ ebener Leuchtschirm senkrecht zur optischen Achse dejj Betrachtungssystems angeordnet ist,
    3» Gerät nach Anspruch 1 oder 2„ dadurch gekennzeichnets daß daa optische SMstem derart angeordnet ist9 daß seine Achse den zentralen Strahl des abbildenden Elektronenstrahles in dessen Einstellebene schneidet.
    4» Gerät nach Anspruch, 1 oder folgenden mit einer in der EinstellebeÄtt des Elektronenstrahl^angeordneten photographischea Schicht, dadurch gekennzeichnet, daß Mittel vorgesehen sindf mit deren Hilfe der Leuchtschirm während der Betrachtung in einer gegen die Einstelleben^s des Slektronenstrahles geneigten Stellung an die Stelle der photographischen Schicht gebracht werden kann0

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