DEP0011655DA - Verfahren zum Herstellen von Selengleichrichtern - Google Patents

Description

Ohne Zeichnung

SfEMBNS-SCHUGKERTWeRKS © Berlin-Siemensstadt

Aktiengesellschaft Verwaltungsgebäude

BerstelAett von Seleveleluhrlcbtexn«

von

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Böb.aÄä^:löS^? li'U einer«XtS _r

±sa .die..metallisch leüieina« KU»ai£uEatiQ]k «w Üfe,^fiSs3P«E« Di©

Öiese lange thenajteohe"Be^-ääDidluAg: ws« ii; -.cluroh' V«rsriBKSg der S belogenen gebildeten St<ir«t«lleB -eu· erai©le»₉

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im-ICsiaf gesiosatiea wex*dto_g w» dt© gewiiasolit©» ü

in Bp'errlcthttm^ sre ltealiees* feeö Aifceeest erfolgte, das Aaftiruagosi .deaf taetaJll3.s©^:feeÄ auf die ■Sele.ahäl'feleitersöhiolit.» das Xn der '"Regel elaer Zü2is«»Kadniiunlegierung teeste'fet·

Es ist bereits vo.Tge.seha.s.s-«» woBden, .au di* Seekelßktrede jBlt.eiaeffi 2us.a1i^;E von

rlrfatsx mit thalliumhaltiger Deckelektrode haben den Vorzug» eine weit re Sperrspannung als die übliche» Selengleichrichter eu besitzen.

Di© Erfindung betrifft ©la Verfahrea sum Herstellen von. Seleagleieh= riebterttp bei äenea die auf öle Selenhalblelterscaicbve aufgebrachte Beöirelektrode einen Zusatz "von Thallium enthalte Erfiadungsgesiliß erfolgt nach de® Aufbringen der Selenschicht auf die 5rägerelektr©de die thermische BeJaanfiXrag der mit der Selenschicht versehenen Trägerelektfode zusammen mit einer auf die Selenschicht auf gebracht en thalliurahaltigen Deckelektrode,, und zwar bei einer ΙβΟ® übersteigenden Temperature Bie thermisolie Behsßidlung wird aber nicht wie bsi &&n tlblifihea Selengleiolirichterti (Deckel©tetrode otoe Thalliunsausas) sin® längere Seit durchgeführt« Erfiadungsgemäß dauert sie *#^ wax solange an₉ als sie aus? Erzielung einer maximalen Leitfähigkeit der Selenhalbleitersehicirfc erf order lieh, ist ο Biese Sebaadluag ist gegenüber der an den üblichea Selengleichrichter» durchgeführten Behanaltingszeit van 15 bis 60 MIn₀ seiir kurz ο Versuclie haben ergeben.,, daß die maximale Leitfähigkeit bei höfosrea Temperaturen nach wenigen Klauten erreicht wirdo Bei solchen. Tensperaturen liegt die die maximale Leitfähigkeit erzielende thermische Behaadlungaseit in einem Bereich Tem 7 bis § MIa₆ Dauert die thermische Behandlung langer _t so sinlit die Leitfähigkeit der Selenhalbleiterschicht mit größer werdender thermischer Behaadlungszelt ab« In dieser verJaältnismäßlg kurzen thermischen Beiiaadluagsseit wird im Gegensatz zv äen üblicfeen. Selss^lelchriehtern auch aixgMch die gewünschte chemische Sperrschicht erhielt ο Auf Grund seiner hohen Diffusionsgeschwindigkeit driagt das ShallÜtM der Declcelektrode rasch in die oberflächeuaalieri Schichten des Selens ein und bladet chemisch ia diesen Teilen der Selenschicht die Halogene,, wodurch eiae Störstelleaveranaung eintritt _s die die Grundlage für &en Gleiciirichtereffielet bildete

Das Verfahren gesnüS der Erfindung hat den Vorteil,,, daß die Gleichrichter scheiben nicht nur eine hohe Sperrsparnimig_B sondern auch eine ffiajciiuale Leitfähigkeit in DurchlaSrichtung besitaea« Vor allem ist smr Herstellung der Gleichrichter-Scheiben sine sehr feurze thermische Beliaadlungsaeit (ümwaadlungszeit) erforderlich, wodurch, sich die der SelengleieJariciiter wesentlich verlcirzt»

hat sich durch &&s Verfahren gejsilß der Srfladung er da·; mit der Verlcürauag der üa^'andlungszoit eine J^rhühuag der Dauer— festigkeit der tlleichricliterscheibcB. mit thallin^uiltiger Deckelelctrode

wird* 'eäl«Qgltioltrie&t«riKili«ili«B alt hAttM"MLeher die -Jteigmg,' m alt^n₁₁ indes di®

kalt la 'Xanife ier !Seit .»asfclAs^» Sie durtib 4ss Verfahr«** gemili der «nwleilite SÄöJwiög der.J)atier£e~«tläfceit lägt siel! «nf,

lafolga des -Aufll«e«Ba deir SecSeleit^oös aaaf der MrI'.die Biitai^ ®in«r■ ölsw£ii.scSiÄa Sp^rrsshieht verarauag 4«i, obexflS.cbexmaÜ99i Scfeiöfettea. ataf de® ä#ge der

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IESt siclj erfiatesgsgsaüi äie ©leS-ciirichterseheiMn s»sh der «lie -JElileeAea tbe»de^i«tt -Bc!iaaaul-l.*JMe;. .elher:-«eiteren die Öiiu#Jtf fest.Igfceit, l>esö_;|HiiBr.s «rliäiieiidea BehejAdlixxi^ bei niedrig; er «α Ti?2-?g?@raifür

.tiheaittia'cäft leinandl-oag; dsr ffleichrioJitereeiieibea ^;3ΐι»«ϋ de© Vor· fsh*«»· feffiSa der Krflnteßg kaan in «inea Öfen vorgen&es»& ^ard-euo^

VorEiigöf/eäse hat tles#r Of*r @iae größe Wäsn&ökspasltHt, um mit hOh&t Aö*Äei«geicit»i«diskeit auf die eiei«hri<^texsdhez'beft-eiÄwdjrls:ea .ata 3tiSiixi«iia Sie thersiidöhe. 'Bettaadlucg iäiSt .sicäs aacl» döroJa. eiae elefc» 8«!Laötisßg der firieichricfetersoiieiben Ir* "3perrte3atu3ttg mit

siarehitthreas kn Stell© der CrieiehspsJiimng ksaara. eaeli \ΐ»Γάβϋ. 1ä ätese© »Pall^ köaneu w«i oder ae&rere 'GXalu&nchterechuiben oder (51.ei.chrÄe2it.ersoÄ«ibe«grttppe»

weröten* SehlieSXioii läßt »iah di« -die »axima3.e

Claims (1)

1. U Vexfehrwa 'zu? Herstellnrig von Seieagleic3jrie3atera·,.. deresa

   aus einer .mit einer Selesüiaibleitersciticht "and einer metallenen DeckfcXektrodfe fcestefc-en, dadurch ά&Β nac-h äem Aufbringen der Selenschicht die trägerelektröde■-srasaiKsaen salt einer auf 41« e.elesisc&lciit

   g BeckelektToas hei .einer XfeoP :solange tiiert&iscs. "befeai3d£li.,wlrd_E, al.s e» atir. einer aax^ffisl^B Leitfähigkeit der 'SelenscüicÄt in ist«

   2 o. VerJfiaJsrea -RÄC-h .-Ansprach I_;f dsaduapeh gelceimselcimö.t, daß· <ü

   -naofe ö©r die: «asimBle Leitfähigkeit

   tlii.«rajlsc.heÄ "Behaafilusig ■ «irner- wei-teriSÄ, tto-ermisefee»^ ti:©- Äauer

   nach AXi^pruo^ii 1.^ dsdurch gekenaae'iclsissi,, daS -ϊϋϊ-ttf'JiJi-IgJCeJ.* ijrjsiejend« th'ermiä'ch'e'-'^c^enälung In.

   .Bssl-astuag d.er Öleichrlctoter.seh-etbea in «dtit <S3,«i0lifi^«MBttig. besteht _e.

   nach..-.Atosprucii I₁, ,o.adutcli ge^etmaceiphtt^t»- daß die

   Leitfähigkeit ^;eraielende tfeersiisöhe BigBaaSltmis·¹ in etasar hef?, :Belastimg aweier od©r aehrsaier gag®S3.€-inm3^«r geschalt ft ac Oi«fi|cliricIitB.rs&'.heiten oder SIeicbrlciitarsciife^otngruppen asit Wechsel,-t«st äa.t «-

   d:afi· .di# dl« i» «iiter

   mittels höohtt&Qmntem Teo