DEG0010025MA - - Google Patents

Info

Publication number
DEG0010025MA
DEG0010025MA DEG0010025MA DE G0010025M A DEG0010025M A DE G0010025MA DE G0010025M A DEG0010025M A DE G0010025MA
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
layer
disk
germanium
photocell
thickness
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
Other languages
German (de)
English (en)

Links

Family

ID=

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE1794113C3 (de) Verfahren zum Eindiffundieren von Fremdalomen in Siliciumcarbid
DE60027642T2 (de) Photoleitfähiger Schalter mit verbesserter Halbleiterstruktur
DE2714682C2 (de) Lumineszenzvorrichtung
DE891580C (de) Lichtelektrische Halbleitereinrichtungen
DE2160427C3 (enrdf_load_stackoverflow)
DE1032404B (de) Verfahren zur Herstellung von Flaechenhalbleiterelementen mit p-n-Schichten
DE2609051A1 (de) Solarzelle
DE1024640B (de) Verfahren zur Herstellung von Kristalloden
DE2511281C2 (de) Fotothyristor
DE4126955A1 (de) Verfahren zum herstellen von elektrolumineszenten siliziumstrukturen
DE2829548A1 (de) Traeger fuer eine lichtemittierende vorrichtung
DE3153186C2 (de) Verfahren zur Herstellung eines Schottky-Sperrschicht-Photodetektors
DE1764565A1 (de) Photoempfindliches Halbleiterbauelement
WO2015074950A1 (de) Lichtemittierendes halbleiterbauelement mit absorptionsschicht
DE2951916A1 (de) Lichtsteuerbarer thyristor
DE2930584C2 (de) Halbleiterbauelement, das den Effekt der gespeicherten Photoleitung ausnutzt
DE69503856T2 (de) Stapel mit in Serie verbundenen fotoempfindlichen Thyristoren
DE1217000B (de) Photodiode
WO2004032248A2 (de) Strahlungsemittierendes halbleiterbauelement und verfahren zu dessen herstellung
DE1933734A1 (de) Hochselektives elektromagnetisches Strahlungsmessgeraet
DE102004034435B4 (de) Halbleiterbauelement mit einem auf mindestens einer Oberfläche angeordneten elektrischen Kontakt
DE2430379B2 (de) Photoelektronenemissionshalbleitervorrichtung
DEG0010025MA (enrdf_load_stackoverflow)
EP0057958A2 (de) Photoempfindlicher Halbleiterwiderstand
DE102011108070A1 (de) Solarzelle und Verfahren zur Herstellung derselben