DE977743C - Interferenzabsorber fuer Funkwellen - Google Patents

Description

AUSGEGEBEN AM 4. JUNI 1969

DEUTSCHES PATENTAMT

PATENTSCHRIFT

KLASSE 21a'⁴ GRUPPE 4863 INTERNAT. KLAS SE H 01 q; G

- E 20655 IXd j 2i al·

Ludwig Wesch, 6900 Heidelberg

• - · ist als Erfinder genannt worden ■_i:t,

Eltro G. m. b. H. & Co. Gesellschaft für Strahlungstechnik, ■ ■ : ' ■ 6900 Heidelberg ",\-._r,.'.,'.

Interferenzabsorber für Funkwellen

Zusatz zum Patent 977

Patentiert im Gebiet der Bundesrepublik Deutschland vom 25. FebruaP 1-961 an Das Hauptpatent hat angefangen am 1-1. Mai 1954 "

Patenterteilung bekanntgemacht am 30. April 1969

Die Erfindung bezieht sich auf Interferenzabsorber für Funkwellen gemäß dem Hauptpatent 977 523 und betrifft die Zusammensetzung der Schichten aus einer Einbettmasse und bestimmten Füllern, so daß eine ausreichende Anpassung des Absorbers an alle Wellenlängen eines breiten Frequenzbandes erreicht wird.

In den Unterlagen des Hauptpatents 977 523 sind die Bedingungen beschrieben, die eine Schicht aufweisen muß, damit Auslöschung durch Interferenz der auf die Schicht auftreffenden Wellen erreicht wird. Diese Auslöschung durch Interferenz erfolgt durch Trennung der einfallenden Wellen in der außenliegenden Grenzschicht in einen direkt reflektierten und einen in die Schicht eindringenden Anteil, wobei der letztere an einer unter der Absorberschicht liegenden reflektierenden Grundschicht reflektiert wird, durch die Schicht zurückläuft und aus der Schicht austritt. Durch Erfüllung der in den Unterlagen des Hauptpatents 977 523 beschriebenen, an sich bekannten Bedingung für die Änderung der Wellenlänge λ' im Material in Abhängigkeit von den Hochfrequenzeigenschaften nach der Formel

^ ■' (I)

]/ε·μ
ergibt sich dabei die Schichtdicke h nach der Formel

4]/ε·μ
Dabei ist X₀ die ursprüngliche Wellenlänge, ε

(II)

die

Dielektrizitätskonstante und μ die Permeabilität. Wenn die Absorberschicht die in dieser Formel (II) angegebene Dicke aufweist weist der an der Grundschicht reflektierte Wellenanteil eine genau gegen-

909 623/1

•■*ί!5ί

läufige Phase zu dem an der außenliegenden Grenzschicht reflektierten Anteil auf, wobei Stoffe mit hohen Hochfrequenzkonstanten angewendet und daher dünne Schichten erreicht werden können.

Werden gemäß der Erfindung des Hauptpatents 977 523 zur Herbeiführung der gleichen Amplituden der interferierenden gegenphasigen Teilwellen der Werkstoff und die Oberfläche des Absorbers so gewählt, daß er die Gleichung

_4_ π

(ΠΙ)

erfüllt (wobei δ_ε = dielektrische Verluste, δ_μ = magnetische Verluste), so wird erreicht,· daß die Absorption innerhalb der Schicht so eingestellt ist, daß der an der außenliegenden Grenzschicht reflektierte Anteil und der an der Grundschicht reflektierte andere Teil der auf den Absorber auftreffenden Strahlung gleiche Amplitude haben. Bei dieser der Erfindung des Hauptpatents 977 523 zugrunde liegenden Formel (III) ist im Hinblick auf die relativ kleinen Verlustwinkel und den dadurch bedingten vernachlässigbar geringen Unterschied zwischen dem Winkel und dem Tangens des gleichen Winkels in der linken Seite der Formel der Winkel selbst angegeben. Unter Berücksichtigung der durch die vorliegende Erfindung möglichen wesentlich exakteren Einhaltung der Formel und der dabei erforderlichen genauen Berechnung wird in der Regel bei der vorliegenden Erfindung die folgende Formel zugrunde gelegt:

= — SIt <£g

(ma)

Da sich die in der Formel (II) enthaltenen Größen Jl₀, ε und μ ebenso wie die veränderlichen Größen in den Formeln (III) und (IHa) mit der Wellenlänge ändern, tritt eine ausreichende Löschung durch Interferenz bei den Absorbern gemäß Patent 977 523 nur in einem relativ begrenzten Frequenzband ein. Nach dem heutigen Stand der Technik kann, z. B. bei Radartarnschichten, eine.nicht ausgelöschte Reststrahlung von 10 bis 20% noch als zulässig gelten.

Um diese ausreichende Auslöschung über ein möglichst breites Frequenzband zu erreichen, muß zur Herstellung der Absorberschicht ein Material verwendet werden, dessen Hochfrequenzkonstanten ε und μ in Abhängigkeit von der Wellenlänge sich so ändern, daß der Wert für die Schichtdicke in der oben beschriebenen Formel

über das ganze Frequenzband im wesentlichen konstant bleibt. Dies bedeutet, daß

· μ = const λ_οα,

(IV)

wobei α ein dimensionsloser Korrekturfaktor ist, der die Änderung der Hochfrequenzkonstanten entsprechend der Wellenlänge so beeinflußt, daß der Wert für h in der Formel (II) konstant bleibt. Dabei sind Abweichungen vom exakten Wert dieser Formel zulässig, so daß α in der Regel zwischen +1 und ±1,2 liegen kann, wenn die restliche Rückstrahlung des Absorbers unter 10 bis 20% der einfallenden Strahlung liegen soll. Gleichzeitig mit der Änderung der Hochfrequenzkonstanten ε und μ, in Abhängigkeit von der Wellenlänge, müssen ebenso die Verlustwinkel sich ändern, so daß über den ganzen auszulöschenden Wellenbereich die Formel

tg δ_μ . Μλ₀) = ^-

(V)

erfüllt ist, wobei f_b- (A₀) die Abhängigkeit der entsprechenden Hochfrequenzkonstanten von der Wellenlänge ausdrücken soll und wobei b ein dimensionsloser Faktor ist, der die zulässige Abweichung zur Erreichung einer Auslöschurfg unter die erforderliche Restreflexion berücksichtigt.

Es ist die der Erfindung zugrunde liegende Aufgabe, ein Material zur Herstellung der dem Hauptpatent 977 523 zugrunde liegenden Interferenzabsorberschichten zu schaffen, bei dem die Anpassung über ein wesentlich breiteres Frequenzband erreicht wird, d. h. die beiden Formeln (IV) und (V) über ein breiteres Frequenzband erfüllt werden, als dies bisher möglich war. Dies wird gemäß der Erfindung dadurch erreicht, daß eine Interferenzabsorberschicht, wie sie dem Hauptpatent 977 523 zugrunde liegt, aus einem Werkstoff hergestellt ist, der aus einer die Hochfrequenzkonstanten der Schicht nicht wesentlich beeinflussenden, die erforderlichen mechanischen Eigenschaften aufweisenden Einbettmasse besteht, die mit die Permeabilität und die Dielektrizitätskonstante beeinflussenden Füllern gefüllt ist, die wenigstens teilweise aus Mischkristallen bestehen, die zusammengesetzt sind aus χA und/oder y (B · Fe₂O₃) und aus m NiO und/oder η CoO und/oder 0 MnO und/oder p FeO und/oder q Fe₂O₃, wobei A ein Oxyd eines Metalls der Gruppe Zn, Cd und Hg, B ein Oxyd eines Metalls der Gruppe Mg, Ca, Sr und Ba ist und wobei m, n, O₁ p, q jede beliebige Zahl zwischen 0,1 und 13 sein kann, jedoch die Summe dieser Zahlen nicht mehr als 26 betragen soll, und wobei ferner χ und/oder y den Wert 1 oder 2 einnehmen kann. Dabei können die Mischkristalle 10 bis 40 %, vorzugsweise 15 bis 20%, des Anteils χA und/oder y (B-Fe₂O₃) ent- u₅ halten. Es kann der Anteil A des Mischkristalls ein Zinkoxyd und der Anteil B des Mischkristalls Bariumoxyd sein. Der Mischkristall kann auch aus (ZnO-Fe₂O₃) und (2 FeO · 3 Fe₂O₃) zusammengesetzt sein. Als Einbettmasse wird vorzugsweise iao ein natürlicher oder synthetischer Kautschuk mit einem Verlustwinkel tg δ_ε + tg δ_μ unter 0,1 oder ein Kunststoff mit einem Verlustwinkel tg δ, + tg δ_μ unter 0,1 verwendet.. Die Dielektrizitätskonstante bei diesen Stoffen liegt in der Regel bei den in Frage ^ia5 kommenden Wellenlängen des Radarbereiches unter

5,0. Da die Dielektrizitätskonstante der fertigen Schicht in der Regel über SO liegt, können auch Materialien mit höherer Dielektrizitätskonstante als 5 verwendet werden, da der Einfluß trotzdem S relativ gering und genau vorbestimmbar ist. Es wird dann entsprechend den Hochfrequenzkonstanten der Einbettmasse der Füller entsprechend ausgewählt.
Es können auch Mischungen der beiden erwähnten

ίο Stoffe verwendet werden. Die Einbettmasse kann auch aus jedem anderen beliebigen Werkstoff, der für technische Zwecke verwendet wird, bestehen, sofern dessen Verlustwinkel unter 0,1 liegt. Die Einbettmasse kann z. B-. ein Mörtel, Beton od. dgl.

oder Bitumen, Teer od. dgl. mit einem Verlustwinkel unter 0,1 sein.

Da durch die Hochfrequenzkonstanten der Schicht nicht nur die Wellenlänge im Material und damit die Dicke der Schicht beeinflußt wird, sondern auch

ao eine Dämpfung der Welle in der Schicht eintritt, kann der Fall eintreten, daß bei einer z. B. für die Erreichung einer bestimmten mechanischen Eigenschaft notwendigen Zusammensetzung des Absorbermaterials, d. h. bei einer entsprechenden Auswahl

as der Einbettmasse und der Menge und Zusammensetzung des Füllers, die Dämpfung des in die Schicht eindringenden Wellenanteils so groß wird, daß die Amplitude des an der Oberfläche reflektierten Wellenanteils nicht mehr mit der des an der reflektierenden Grundschicht reflektierten Wellenanteils übereinstimmt und dadurch keine ausreichende Dämpfung der Gesamteinstrahlung eintritt. Um die Dämpfung in der Schicht zu verringern, d. h. um die Dämpfungseigenschaften der Schicht dem Reflexionsverhältnis an der Oberfläche des Absorbers anzupassen, und die Verluste der Schicht mit der Dielektrizitätskonstante und der Permeabilität gemäß den obenerwähnten Formeln (III) und (IHa) in Übereinstimmung zu bringen, so daß vollkommene Anpassung und damit größtmögliche Dämpfung erreicht wird, kann unter der Absorberschicht eine zusätzliche Schicht eingeschaltet werden, durch die bei geringen Verlusten der Weg der Welle im Absorber verlängert wird. Dabei wird die Phase der hin- und zurücklaufenden Welle so eingestellt, daß die zurücklaufende Welle mit der an der Oberfläche des Absorbers reflektierten Welle interferiert. Die Dicke d der eigentlichen Absorberschicht oder -schichten, d.h. der Summe der Schichten mit hoher Dielektrizitätskonstante, ergibt sich aus der Formel

Dabei bedeuten

d = Dicke der absorbierenden Teilschicht,

A' = Wellenlänge im Material,
tg (S₈₀, tg (S_ft = theoretische Verlustfaktoren,

welche nach der Formel (III) das Material besitzen müßte, damit die Schicht ohne Unterlageschicht die Formel erfüllt, tg δ_ε, tg δμ — die tatsächlichen im Absorbermaterial vorhandenen Verluste,

η — beliebige ganze Zahl.

Diese Formel (VI) stellt eine Hauptformel für alle diejenigen Stoffe dar, welche nicht die theoretischen Hochfrequenzkonstanten erreichen. Sie geht von der Voraussetzung aus, daß die Dicke d der eigentlichen Absorberschicht oder -schichten aus Einbettmasse und Füllern aus den theoretisch nach Formel (III) errechneten Werten durch Vergleich mit den tatsächlichen Hochfrequenzkonstanten, näm-Hch in diesem Falle der Verlustwinkel, errechnet wird. Durch diese Formel (VI) ist es also möglich, ohne Probieren durch Messung der Hochfrequenz- ^: konstanten und den Vergleich dieser mit den theoretischen Werten der Formel (III) sofort die notwendige Dicke der Schicht oder Schichten, mit denen höchste Dämpfungswerte erreicht werden, zu bestimmen und herzustellen. Aus diesem Grunde bringt die obige Formel (VI) eine wesentliche Arbeitsvereinfachung und damit einen erheblichen technischen Fortschritt mit sich. Die Formel (VI) ist immer anwendbar, wenn die tatsächlichen Verluste im Material höher liegen als die theoretisch für einen Absorber ohne Unterlage gemäß der ■ Formel (III) oder (V) gegebenen Verluste. ge

Die Gesamtschichtdicke h des Absorbers setzt sich damit zusammen aus: k = d + g

d = Gesamtschichtdicke der absorbierenden Schicht,

g = Gesamtschichtdicke der nur phasenverschiebenden Unterlageschicht oder -schichten unter der Voraussetzung, daß die Hochfrequenzkonstanten und die Verlustfaktoren vernachlässigbar niedrig liegen.

Vorzugsweise ist ε und μ in diesen phasenverschiebenden Schichten nicht wesentlich größer als 1 und tg δ, + tg δμ kleiner als 0,1.

Die Gesamtschichtdicke ist demnach:

d + g

(2« -I)-^₀

(VII)

Die nur eine Phasenverschiebung bewirkende Unterlageschicht und die absorbierende Schicht des Absorbers gemäß der Erfindung können in mehrere Teilschichten geteilt sein. Dabei können nur phasenverschiebende Schichten mit absorbierenden Schichten sich abwechseln.

Um eine noch bessere Anpassung der Absorberschicht an einzelne Wellenlängen zu erreichen, können in eine oder in mehrere der Schichten oder in einem bestimmten Höhenbereich der Schicht, z. B. an der Oberfläche, Dipole eingebettet sein, deren Länge durch die Formel

(VIII)

bestimmt ist, wobei X₀ die Wellenlängen im freien Raum aller durch die Dipole zu beeinflussenden Wellen des Frequenzbandes sind. Dabei können die Dipole aus einem drahtförmigen beliebigen Material

hergestellt sein, welches entweder selbstleitend oder ,'. mit einer leitenden Schicht an der Oberfläche versehen ist. Wenigstens ein Teil der Dipole kann aus Monokristallen bestehen oder aus Plastikdrähten. deren Oberfläche mit einem leitenden Stoff, wie Metall, Ruß, Graphit od. dgl., beschichtet ist, oder aus Drähten einer elektrisch leitenden Kunststoffmischung.

. Für den Fall, daß auch durch die obenerwähnten ίο Mittel es nicht möglich ist, in extremen. Fällen eine Gleichheit der Amplitude der beiden Wellenanteile, (V die nach der Reflexion an der Außenseite der Schicht bzw. an der reflektierenden Grundschicht miteinander interferieren müssen, zu erreichen, d. h. für den Fall, daß die Dämpfung in der Schicht zu groß ist und damit die Amplitude des an der Oberfläche .· reflektierten Wellenanteils zu groß wird, kann durch entsprechende Ausgestaltung der Oberfläche eine Gleichheit der Amplitude wiederhergestellt werden. ao · Dies ist auf zwei Wegen möglich, und zwar einmal durch Verminderung des an der Oberfläche ,:; reflektierten Anteils und zum anderen durch Erhöhung des in die Schicht eindringenden Anteils der Welle. . ■

»5 ;:.-. Einmal kann die Oberfläche der Schicht, wie in den Unterlagen des Hauptpatents 977 523 beschrie- «)f, ben, eine räumliche Ausbildung -derart aufweisen, daß ein Teil der auf die Oberfläche auftreffenden Strahlung nicht in Richtung auf das Empfangsgerät reflektiert, sondern in anderen Richtungen zerstreut wird. Es kann also zu diesem Zweck z. B. die Ober-4;. fläche gitterartig nebeneinanderliegende Kegel, Pyramiden, Pyramidenstümpfe oder entsprechend geformte Vertiefungen aufweisen.

Der andere Weg besteht -darin, daß ähnlich den in der Optik bekannten Entspiegelungsschichten auf ι«,, die Außenschicht des Absorbers eine Schicht aufgebracht wird, deren Oberflächenwiderstand zwischen dem Wellenwiderstand des freien Raumes und den der darunterliegenden^; Absorberschicht liegt. Durch diese Entspiegelungsschicht wird der ,ν= an der Oberfläche der Schicht reflektierte Wellenanteil wesentlich vermindert, und es tritt ein größerer Anteil der einfallenden Welle in die Absorberschicht ein, so daß die stärkere Dämpfung in der Schicht ausgeglichen und die Gleichheit der <-i Amplitude beider Anteile wieder hergestellt wird. Durch diese Maßnahmen an der Oberfläche der Schicht ist es also möglich, daß auch in extremen Fällen, z. B. bei Beeinflussung eines sehr breiten oder extrem hohen oder extrem niedrigen Bandes, die erfindungsgemäße Absorberschicht mit einer Genauigkeit funktioniert, die sonst nicht ohne weiteres erreicht werden könnte.

Die Erfindung wird im folgenden an Hand der Zeichnungen an Ausführungsbeispielen erläutert.

In den Fig. 1, 2 und 3 sind Diagramme dargestellt, bei denen auf der Abszisse die Wellenlänge von 0 bis 20 cm und auf der Ordinate die veränderliehen Werte der beiden Seiten der oben angeführten Formel (V) aufgetragen sind. Das Diagramm stellt Kurven für erfindungsgemäße Werkstoffe dar, die zeigen, daß die beiden Hälften dieser Formel sich im wesentlichen gleichlaufend entsprechend der Änderung der Wellenlänge ändern.

Beispiel 1

In Fig. 1 ist die Abhängigkeit der Hochfrequenzkonstanten von der Wellenlänge in einer erfindungsgemäßen Absorberschicht dargestellt, die sich wie folgt zusammensetzt:

In 10 Gewichtsteile einer Einbettmasse eines Butadienacrylnitrilkautschuks, der 33 % Acrylnitril enthält, sind 80 Gewichtsteile eines Füllers eingemischt, der aus einem Pulver aus Mischkristallen besteht, wobei jeder Mischkristall aus 59,3 Gewichtsprozent

(2 CoO · 0,7 MnO · 0,3 NiO · 10 FeO · 13 Fe₂O₈),

25 Gewichtsprozent (ZnO · Fe₂O₃) und

15,7 Gewichtsprozent (BaO · Fe₂O₃) besteht.

Ferner werden dieser -Masse folgende Hilfsstoffe beigemischt: .

0,9 Gewichtsteile eines Diisocyanats, 0,5 Gewichtsteile ZnO,
0,6 Gewichtsteile Stearinsäure, ■ ■■·■ 0,4 Gewichtsteile Paraffin,
0,4 Gewichtsteile Schwefel, 2,0 Gewichtsteile Cumaronharz MH, 0,2 Gewichtsteile eines Beschleunigers.

Eine aus diesem Material hergestellte Interferenzabsorberschicht hat folgende Hochfrequenz- .,. konstanten:

bei einer Wellenlänge von

X₀ =. 3,2 cm, ε = 10,0 und μ = 1,25, bei einer Wellenlänge von

X₀ — 10,0 cm, ε = 11,0 und μ = 1,4.

Diese Werte zeigen, daß die Hochfrequenzkonstanten sich mit der Wellenlänge so ändern, daß die Bedingungen der obenerwähnten Formeln über ein breites Wellenband im wesentlichen erfüllt sind.

Beispiel 2 (Fig. 2)

In 19 Gewichtsteile einer Einbettmasse aus Butadienacrylnitrilkautschuk, der 33% Acrylnitril enthält, sind 76 Gewichtsteile eines Füllers eingemischt, der aus einem Pulver aus Mischkristallen besteht, wobei jeder Mischkristall aus 85 Gewichtsprozent (2 FeO-3 Fe₂O₃) und 15 Gewichtsprozent (ZnO · Fe₂O₃) besteht. Ferner werden die gleichen Verteilungszusätze wie bei Beispiel 1 beigemischt.

Eine aus diesem Material hergestellte Interferenzabsorberschicht hat folgende Hochfrequenzkonstanten :

bei einer Wellenlänge von

λ₀ = 3,2 cm, ε = 10,5 und μ = 1,0, ^lao

bei einer Wellenlänge von

A₀ = 10,0 cm, ε = 10,5 und μ = 1,2.

Diese Werte zeigen, daß die Hochfrequenz- 1*5 xmstanten sich mit der Wellenlänge so ändern, daß

d,ie Bedingungen der obenerwähnten Formeln über ein breites Wellenband im wesentlichen erfüllt sind.

Beispiel 3 (Fig. 3) ' In eine Einbettmasse, die besteht aus

9,11 Gewichtsteilen eines bekannten modifizier-'■ ten Alkydharzes,

2,8 Gewichtsteilen' eines weiteren bekannten '-'..' modifizierten Alkydharzes,

2,34 Gewichtsteilen eines chlorierten Diphenyle,

3,47 Gewichtsteilen eines Xylolformaldehydharzes,

5,11 Gewichtsteilen Äthylacetat, ·-. ■ 6,93 Gewichtsterlen Butylacetat, 13,2 Gewichtsteilen,Toluol,

2,18 Gewichtsteilen Collodiumwolle

ist folgender Füller eingemischt: ,In 55 Gewichtsteile einer Einbettmasse eines Buab tadienacrylnitrilkautschuks, der 33% Acrylnitril enthält, sind 55 Gewicjitsfeile eines Füllers eingemischt, der aus einem Pulver aus Mischkristallen besteht, wobei jeder Mischkristall aus 70 Gewichts--Prozent (2 FeO · 3 Fe₂O₃) und 30 Gewichttsprpzent (ZnO · Fe₂O₃) besteht.

Eine aus diesem Material hergestellte Interferenzabsorberschicht hat folgende Hochfrequenzkonstanten :

bei einer Wellenlänge von

A₀ = 3,2 cm, ε = 5,2 und μ = 1,38,

bei einer Wellenlänge von

A₀ = 10,0 cm, ε = 5,22 und μ = 1,33.

Diese Werte zeigen ebenfalls, daß die Hochfrequenzkonstanten sich mit der Wellenlänge so ändern, daß die Bedingungen der obenerwähnten Formeln über ein breites Wellenband im wesentlichen erfüllt sind.

Claims (16)

PATENTANSPRÜCHE:

1. Interferenzabsorber für Funkwellen nach Patent 977 523, dadurch gekennzeichnet, daß die Absorberschicht aus einem Werkstoff hergestellt ist, der aus einer die Hochfrequenzkonstanten der Schicht nicht wesentlich beeinflussenden, die erforderlichen mechanischen Eigenschaften aufweisenden Einbettmasse besteht, die mit die Permeabilität und die Dielektrizitätskonstante beeinflussenden Füllern gefüllt, ist, die wenigstens teilweise aus Mischkristallen bestehen, die zusammengesetzt sind aus xA und/oder y (B · Fe₂O₃) und aus m NiO und/oder η CoO und/oder 0 MnO und/oder p FeO und/oder q Fe₂O₃, wobei A ein Oxyd eines Metalls der Gruppe Zn, Cd und Hg, B ein Oxyd eines Metalls der Gruppe Mg, Ca, Sr und Ba ist und wobei m, n, 0, p, q jede beliebige Zahl zwischen 0,1 und 13 sein kann, jedoch die Summe dieser Zahlen nicht mehr als 26 betragen soll, und wobei ferner χ und/oder y den Wert 1 oder 2 einnehmen kann. ,

2. Interferenzabsorber nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Mischkristalle 10 bis 40%, vorzugsweise 15 bis 20% des Anteils χA und/oder y (B · Fe₂O₃) enthalten.

3. Interferenzabsorber nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß der Anteil A des ,. Mischkristalls ein Zinkoxyd und der Anteil B des Mischkristalls Bariumoxyd ist.

4. Interferenzabsorber nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß der Mischkristall aus (ZnO-Fe₂O₃) und (2 FeO · 3 Fe₂O₃) zusammengesetzt ist.

5. Interferenzabsorber nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß die Einbettmasse ein natürlicher oder synthetischer Kautschuk mit einem Verlustwinkel tg d_t + tg δ_μ unter 0,1 ist.

6. Interferenzabsorber nach einem der An-Sprüche 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, daß die Einbettmasse ein Kunststoff mit einem Verlustwinkel tg δ_Ε + tg δ_μ unter 0,1 ist.

7. Interferenzabsorber nach einem der Ansprüche 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, daß die Einbettmasse ein Mörtel, Beton od. dgl. mit einem Verlustwinkel tg δ_ε + tg δ_μ unter 0,1 ist.

8. Interferenzabsorber nach einem der Ansprüche 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, daß die Einbettmasse Bitumen, Teeir od. dgl. mit einem Verlustwinkel tg δ, + tg δ_μ unter 0,1 ist.

9. Interferenzabsorber nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß die Absorberschicht aus mehreren unterschiedlichen Schichten zusammengesetzt no ist, derart, daß alle Schichten zusammen der Formel

tg».

δ_μ·Μλ₀) = ■MK)

genügen, wobei f_b die Abhängigkeit der Hochfrequenzkonstanten von der Wellenlänge A₀ ausdrückt.

10. Interferenzabsorber nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß an der Unterseite einer oder mehrerer absorbierender Schichten ein Material mit niederen Verlusten und niederen Hochfrequenzkonstanten angeordnet ist, derart, daß die Dicke der Gesamtschicht durch die Formel

= d + g

ε-μ

gegeben ist, wobei

d — Dicke aller absorbierenden Schichten,

g = Dicke aller Schichten mit geringem Verlust,

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η = eine beliebige ganze Zahl und

μ und ε — die Dielektrizitätskonstante und die Permeabilität der Gesamtschicht sind.

11. Interferenzabsorber nach Anspruch 10, dadurch gekennzeichnet, daß die Schicht oder die Schichten mit niederen Hochfrequenzkonstanten aus einem Material mit ε und μ nicht wesentlich über 1 und Verlustfaktoren tg δ_ε + tg δ_μ unter 0,1 besteht.

12. Interferenzabsorber nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß Dipole in die Schicht eingebettet sind, deren Länge durch die Formel

L =

2]/ε-μ

bestimmt ist, wobei A₀ die Wellenlänge im freien Raum aller durch die Dipole zu beeinflussenden Wellen des Frequenzbandes sind.

13. Interferenzabsorber nach Anspruch 12, dadurch gekennzeichnet, daß wenigstens ein Teil der Dipole aus Monokristallen besteht.

14. Interferenzabsorber nach Anspruch 12, §5 dadurch gekennzeichnet, daß wenigstens ein Teil der Dipole aus Plastikdrähten besteht, deren Oberfläche mit einem leitenden Stoff, wie Metall, Ruß, Graphit od. dgl., beschichtet ist.

15. Interferenzabsorber nach Anspruch 12, dadurch gekennzeichnet, daß wenigstens ein Teil der Dipole aus Drähten einer elektrisch leitenden Kunststoffmischung besteht.

16. Interferenzabsorber nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß die Oberfläche eine Entspiegelungs- ^: schicht aufweist, deren Oberflächenwiderstand zwischen dem Widerstand des freien Raumes und dem Oberflächenwiderstand der darunterliegenden Absorberschicht liegt, derart, daß die beiden interferierenden Anteile der Strahlung gleiche Amplitude haben.

Hierzu 1 Blatt Zeichnungen

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