DE916072C - Kristalloszillator mit Transistor - Google Patents

Kristalloszillator mit Transistor

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DE916072C
DE916072C DEL11561A DEL0011561A DE916072C DE 916072 C DE916072 C DE 916072C DE L11561 A DEL11561 A DE L11561A DE L0011561 A DEL0011561 A DE L0011561A DE 916072 C DE916072 C DE 916072C
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Germany
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transistor
crystal oscillator
crystal
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Expired
Application number
DEL11561A
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English (en)
Inventor
Dr Werner Herzog
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Licentia Patent Verwaltungs GmbH
Original Assignee
Licentia Patent Verwaltungs GmbH
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Classifications

    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03BGENERATION OF OSCILLATIONS, DIRECTLY OR BY FREQUENCY-CHANGING, BY CIRCUITS EMPLOYING ACTIVE ELEMENTS WHICH OPERATE IN A NON-SWITCHING MANNER; GENERATION OF NOISE BY SUCH CIRCUITS
    • H03B5/00Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input
    • H03B5/30Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element being electromechanical resonator
    • H03B5/32Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element being electromechanical resonator being a piezoelectric resonator
    • H03B5/36Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element being electromechanical resonator being a piezoelectric resonator active element in amplifier being semiconductor device
    • H03B5/362Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element being electromechanical resonator being a piezoelectric resonator active element in amplifier being semiconductor device the amplifier being a single transistor

Landscapes

  • Oscillators With Electromechanical Resonators (AREA)

Description

  • Es ist bekannt, Schwingkristalle in Oszillatorschaltungen zu benutzen. Durch die hohe fiktive Induktivität und die geringen Verluste kann man Schaltungen hoher Frequenzkonstanz aufbauen. In vielen Fällen genügt eine geringere Konstanz, so daß man die Eigenschaft der geringen Verluste durch geeignete Schaltungen dafür um so stärker ausnutzen kann.
  • Erfindungsgemäß werden die kleinen Verluste eines Kristalls, der in einen besonderen Rückkopplungsvierpol eingebaut ist, dazu benutzt, um trotz der geringen Verstärkung des Transistors einen Transistoroszillator mit relativ hoher Amplitude zu schaffen. Dies wird dadurch erreicht, daß ein Transistor in seinen möglichen Schwingschaltungen durch einen eine angezapfte Drossel überbrückenden Kristall rückgekoppelt wird, während von der Drosselanzapfung ein Ableitkondensator ausgeht.
  • Die Erfindung möge an Hand der in den Zeichnungen gezeigten Ausführungsbeispiele näher erläutert werden.
  • Fig. i stellt einen Transistoroszillator dar; dessen Transistor i durch die Parallelschaltung eines Kristalls 2 mit einer symmetrisch angezapften Drossel 3 rückgekoppelt wird, während zwischen der symmetrischen Drosselanzapfung und dem Kathodenpotential als Querwiderstand eine Kapazität 4 liegt. Somit entsteht ein Rückkopplungsvierpol in Gestalt eines symmetrischen, durch den Kristall überbrückten T-Gliedes.
  • Die Wechselleistung des Transistors kann nach einer der bekannten Methoden ausgekoppelt werden, z. B. durch einen Blockkondensator 6 an der Drossel 7, wodurch man einen hochohmigen Ausgang erhält.
  • Fig. 2 unterscheidet sich von Fig. i nur durch die Verwendung eines zweiten Kristalls 5 an Stelle eines Kondensators als Querwiderstand. Man erreicht damit eine größere Phasensteilheit und folglich eine höhere Freqüenzkonstanz der Schaltung. Die Fig. 3 und 4 zeigen weitere Ausführungsbeispiele der Erfindung, die sich aus den verschiedenen grundsätzlichen Schwingschaltungen ergeben, die für einen Transistor möglich sind.
  • Die Schwingfrequenzen der erfindungsgemäßen Schaltungsanordnungen sind durch die frequenzabhängigen Widerstände x1 des Überbrückungskristalls (Pos: 2 in den Fig. i bis 4) und x2 des Querwiderstandes (Pos. 4 in den Fig. i, 3, 4; Pos. 5 in Fig. 2) bestimmt. Die Anordnungen Fig. i, 3 und 4 liefern eine Schwingfrequenz aus der Formel während die Anordnung Fig.2 außerdem zwei weitere Schwingstellen nach, den Formeln x1=0; x2=ro; x2=0; x1= anzuregen gestattet.
  • Dabei ist R'= eine Konstante, die sich aus den ZVechselstromwiderständen des Transistors und etwaigen zur Frequenzeinstellung hinzugeschalteten weiteren Widerständen ergibt.

Claims (3)

  1. PATENTANSPRÜCHE: i. Kristalloszillator, dadurch gekennzeichnet, daß ein Transistor in seinen möglichen Schwingschaltungen durch einen eine angezapfte Drossel überbrückenden Kristall rückgekoppelt wird, während von der Drosselanzapfung ein Ableitkondensator ausgeht.
  2. 2. Kristalloszillator nach Anspruch i, dadurch gekennzeichnet, daß an der Drosselanzapfung an Stelle des Ableitkondensators ein weiterer Kristall liegt.
  3. 3. Kristalloszillator nach Anspruch i, dadurch gekennzeichnet, daß die Anzapfung unsymmetrisch erfolgt.
DEL11561A 1952-02-14 1952-02-14 Kristalloszillator mit Transistor Expired DE916072C (de)

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Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE1016310B (de) * 1956-04-13 1957-09-26 Lehner Fernsprech Signal Elektroakustischer Signalgeber fuer eigensichere Fernmeldeanlagen
US2825813A (en) * 1955-07-12 1958-03-04 Emerson Radio & Phonograph Cor Temperature-compensated transistor oscillator circuit
DE975971C (de) * 1955-04-05 1962-12-27 Angelika Kunckel Tragbarer Fernsprechapparat mit Ortsbatterie
US3100886A (en) * 1959-04-27 1963-08-13 Admiral Corp Compressional wave transmitter
DE1205319B (de) * 1960-12-30 1965-11-18 Exxon Research Engineering Co Schwingschaltung fuer einen Generator fuer Ultraschall

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