DE890813C - Einrichtung zur Verstaerkung oder Erzeugung von Ultrakurzwellen unter Verwendung einer phasenfokussierten Elektronenstroemung - Google Patents

Einrichtung zur Verstaerkung oder Erzeugung von Ultrakurzwellen unter Verwendung einer phasenfokussierten Elektronenstroemung

Info

Publication number
DE890813C
DE890813C DET2365D DET0002365D DE890813C DE 890813 C DE890813 C DE 890813C DE T2365 D DET2365 D DE T2365D DE T0002365 D DET0002365 D DE T0002365D DE 890813 C DE890813 C DE 890813C
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
chamber
power chamber
voltage
diode path
cathode
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired
Application number
DET2365D
Other languages
English (en)
Inventor
Max Dipl-Ing Geiger
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Telefunken AG
Original Assignee
Telefunken AG
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Telefunken AG filed Critical Telefunken AG
Priority to DET2365D priority Critical patent/DE890813C/de
Application granted granted Critical
Publication of DE890813C publication Critical patent/DE890813C/de
Expired legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J25/00Transit-time tubes, e.g. klystrons, travelling-wave tubes, magnetrons
    • H01J25/74Tubes specially designed to act as transit-time diode oscillators, e.g. monotrons

Landscapes

  • Amplifiers (AREA)

Description

  • Einrichtung zur Verstärkung oder Erzeugung von Ultrakurzwellen unter Verwendung einer phasenfokussierten Elektronenströmung Gegenstand der Erfindung ist einerseits ein Verfahren zur Verstärkung oder Erzeugung von Ultrakurzwellen, bei -dem eine phasenfokussierte Elektronenströznung verwendet wird, und andererseits die konstruktive Ausgestaltung der hierbei verwendeten Röhren.
  • Es sind zwei Arten von sogen.annten Laufzeitröhren zu unterscheiden, nämlich eine erste Art, bei welcher der von der Kathode austretende El.elctronenstrom dich.temäßig ;gesteuert und ihm .die Ausgangsleistung durch Wechselwirkung mit einem Schwingungsfeld entzogen wird, und eine zweite Art, bei der die Geschwindigkeitsmodulation zur ErzQugung einer phasenfokussierten Elektronenströmung benutzt wird. Bei der "ersten Art findet eine schlechte Ausnutzung des von der Kathode gelieferter Stromes statt, weil die Stromentnahme nur während eines Teiles einer Schwingungsperiode erfolgt. Eine Ausführungsform der zweiten Art, das sogenannte Klystron, enthält drei von- der hochfrequent modulierten Elektronenströmung durchsetzte Räume, nämlich eine von zwei Gitterelektroden begrenzte Modulationskammer, einen zwischen dem zweiten und einem weiteren Gitter liegenden feldfreien od@°-r wenigstens wechselfeldfrei,en Kompressionsraum und eine darauffolgende Leistungskammer, in welcher der Leistungsumsatz mit einem Wechs,elfelid erfolgt. Im Klystron findet im Idealfall eile bessere Kathadenstrom.ausnutzung statt als bei der dichtegesteuerten Röhre, jedoch besitzt es in der bekannten Form folgende Mängel i. Was die statischen Entladungsverhältnisse anlangt, so übernehmen die Gitter, insbesondere das hintere Kompressionsraumgitter, einen Teil des K ,athodenstromes. Weil ein großer Zwischenraum zwischen,dem ersten und dein letztenKompressionsraumgitter liegt, führt die Elektronenablenkung am ersten Laufraumgitter zu einerDispersion,der Elektronenströmung. Die Bemessung .dieser Gitter soll folgenden Forderunbge-n gerecht werden: a) gute Wärmeableitung, b) gutefHochfrequenzle itfähigkeit und c) kleiner Bedeckungsfaktor (große Stromdurchläss:igkeit). Die Punkte a) und b) verlarfgen dicke Gittendrähte, während Punkt c) im Gegenteil dünne Gitterdrähte vorschreibt. Der Mittelweg, der hinsichtlich der Gitterabmessungen beschritten werden muß, führt z. B. zu Verhältnissen, bei denen die Stromübernahme der drei auf die Kathode folgenden Gitter zusammen die Hälfte des Kathodenstromes und mehr ausmacht.
  • a. Ungünstige dynamische Stromübernahme. Die Wechselfelider in Modua,ations- und Leistungskammer haben eine solche Phase, @daß einerseits in der Modizlationskammer gerade diejenigen Elektronen, welche. später in den Schwerpunkt der fokussierten Ladung kommen sollen, ungünstige Eintrittsbedingungen vorfinden, @d. h. in einem Zeitpunkt eintreten, indem die Wechselspannung an der Modulationskammer ihren bremsenden Höchstwert hat. Andererseits wirkt die Wechselspannung in,der Leistungskammer infolge ihr-er Phasenlage dem Eintritt der fokussierten Ladungen-entgegen. Bei einer hinsichtlich der Impedanz günstigen Bemessung der Leistungskammerlänge (Wegwinkel 0 zwischen n/q. und W2) liegt nämlich die Phase der sehr hohen Wechselspannung in der Leistungskammer gegenüber den eintretenden fokussierten Ladungen so, daßdiese Ladungen gebremst werden. Unter :dem Wegwinkel 0 versteht man ein Maß, durch das die Kammerlänge mit einer an sich willkürlich wählbaren Bezugsspannung und der Frequenz des Wechselfeldes in Beziehung gesetzt wird. Im vorliegenden Fall gilt: wobei L :die Kammerlänge, co,die Kreisfrequenz des Wechselfeldes, Ü 1 die Gleichspannung zwischen Kathode und Leistungskammer, k eine Konstante, q,die Ladung und m die Maße eines Ladu.ngaträgers und Vers -,die konstante Geschwindigkeit des Ladungsdurchgangs durch die Kammer bedeuten.
  • 3. Bei großer Stromdichte machen sich im wechselfeldfreicen KompressionsreumRaum.ladungswirkungen stark geltend, die defokussieren.d wirken.
  • q.. Sämtliche genannten Stromverluste wirken auf den Gesämtwirku,ngsgradäußerst ungünstig dadurch, @daß sämtliche Gitter auf. einer einheitlich hohen Anodenspannung liegen. Der üblicherweise angegebene theoretische Wirkungsgrad von 57 °/o enthält die genannten Verluste nicht; er ist ein sogenannter reiner Anodenwirkungsgrad.
  • Die Erfindung bezweckt, eine Laufzeitröhre zu schaffen, bei welcher die vorerwähnten Mängel soweit wie möglich beseitigt werden. Erfindungs,ggemäß erfolgt die Verstärkung oder Erzeugung von Ultrakurzwellen unter Verwendung einer phasenfokussierten Elektronenströmung in der Weise, @daß eine Elektronenströmung vorzugsweise mit einer gegenüber der Elektronenaustrittsgeschwindigkeit aus einer reellen Kathode großen Anfangsgeschwindigkeit in eine Diodenstrecke eintritt, in dieser Diodenstrecke einer Feldfokussierung unterliegt und unmittelbar anschließend in einer besonderen Leistungskammer, deren (von: der Kathode aus gesehen) hintere Begrenzungselektrode eine gegenüber der Austrittselektrode der Diodenstrecke hohe positive Gleichspannung führt, einen Leistungsumsatz mit einem Wechselfeld herbeiführt. Der Ausdruck Feldfokussierung wird .hierbei als Gegensatz zur Laufraumfokuss.ierung gebraucht, bei welcher die Kompression der ElektronenstrÖmu.ng in leiinem wechselfeldfreien Raum im Anschluß an eine geschwindigkeitsmodulierende Schicht erfolgt. Die Erfindung macht von der Tatsache Gebrauch, daß eine solche Kompressionswirkung nicht nur, wie bei .den bekannten Anordnungen, in einem feldfreien Laufraum, sondern auch in einem räumlich beliebig ausgedehnten Wechselfeld zustande kommt. Die letztgenannte Art der Kompressionswirkung wird als Feldfokussierung bezeichnet. Die gesamte innerhalb einer Schwingungsperiode in die Diodenstrecke eintretende Elektronenströmung wird in dem Wechselfeld Üerart komprimiert, daß sie :den Austrittsquerschnitt der Diodenstrecke in einer gegen die Periodendauer kurzen Zeit passiert.
  • Durch dieses Arbeitssahem@a werden folgende Vorteile erzielt: r. Der Elektronenströmung wird @diar Hauptteil der Energie erst in dem Teil des Entladungsraumes zugeführt, in welchem die Leistungsabgabe an das Wechselfeld erfolgt. Dadurch wird vermieden, d'aß die Stromverluste, die am Eintritts- und Austrittsgitter der Diodenstrecke entstehen, mit hohen Wattverlusten verknüpft sind, z. Die zwischen den Begrenzungselektroden der Leistungskammer liegende hohe Gleichspannung ergibt ,günstige Verhältnisse bezüglich der Eintrittsphase der fokussierten Ladungen gegenüber dem Wechselfeld, d.'h. es gelingt, idie gleichen Impedanzverhältnisse wie bei der Leistungskammer eines Klystrons vorausgesetzt, eine überhaupt oder mehr beschleunigende Phasenlage der.Wechselspannung zu erzielen (die innere Impedanz ider Elektronenströmung nimmt in beiden Fällen mit ider Kammerlänge zu). Um diese Verhältnisse übersehen zu können, ist in Abb. r für .dien Fall der vollkommenen Spannungsaussteuerung der Leistungskammer (optimaler Wirkungsgrad) die Abhängigkeit der Eintrittsphase y) einer theoretischen scheibenförmigen Ladung und des Spannungs-aus.steuerungsverhältnisses a von der elektrischen Kammerlänge (Wegwinkel) 0 aufgetragen. Die voll ausgezogenen Kurven gelten für eine sogenannte Äquipotentialkammer, bei. welcher die Eintritts- und die Endfläche wie beim Klystron das gleiche Ruhepotential haben, während sich die gestrichelten Kurven auf eine sogenannte Beschleunigungskammer beziehen; deren Eintrittsflüche auf c:neiu niedrigen .und deren Endfläche auf einem hohen Gleichpotential liegt. Das Spannu.ngsaussteu,erungsverhältnis a ist .definiert als Verhältnis der ,in der Kammer wirkenden Wechselspannung zu der höchsten an -der Kammer liegenden Gleichspannung. a ist proportional l'Ri, wobei die innere Impedanz der Elektronenströmung (L' = Spannung zwischen Eintritts- und Endfläche der Eeistungskammer: 11 = elektronischer Wechselstrom in der Leistungskammer). y wird gegen das beschleunigende Maximum der Wechselspannung gemessen. 1Timmt man erstens in beiden Fällen gleiche Werte von a an (gleiche Impedanz und gleiche Aussteuerung), so zeigt,die Abh. i, daß im Fall,der Beschleunigungskammer der Winkel y wesentlich kleiner ist, d. h. die Wechselspannung die eintretenden Ladungen mehrbeschleunigt, also sie durch,das Eintrittsgitter der Leistungskammer kräftiger hindurchzieht als im Fall der Äquipotential:kam:mer. Nimmt man aber zweitens gleiche Kammerlänge an (gleiche Sc:hwingkreiskapazität und gleiche Wegwinkel 0), so sieht man noch deutlicher die günstigere Eintrittsphase bei der Beschdeunigungskammer.
  • 3. Der Laufraum und damit ein den Strom abfangendes Gitter sowie die Elektronen zerstreuende Verweilzeit der Elektronen im Laufraum fallen w:g.
  • .l. Bei der Feldfokussierung sind große Wech:sel-,;pannungen in dem wegen der niedrigen Gleichspannung kurzen Fok.ussieru.ngsraum vorhanden, so daß der Einfluß defokussierender Raumladungserscheinungen gemildert wird.
  • 5. Durch,diese Anordnung wird,die Gesamtlänge der Entladungsbahn von der Kathode bis zur Anode so kurz.daß sieh statische Fokussierungsmaßnahmen erübrigen.
  • 6. Die Stromverteilung auf das Eintrittsgitter der Leistungskammer ist außerdem rein statisch betrachtet günstiger als beim Klystron, weil die hohe Anodengleichspannung durch dieses Gitter hinclurch.greift und .die Elektronen zur Anode zieht.
  • Zur weiteren Erläuterung des Erfin.dungsgedankens sind in :der Zeichnung verschiedene Ausführungsbeispiele @dargestellt. Die Abb.2 zeigt schematisch einen Längsschnitt .durch eine Elektronenanordnung mit angebauten Resonanzkreisen. K bezeichnet eine scheibenförmige, entweder aus -einem Netz von Glühdrähten oder einer indirekt geheizten Äquipotentialfläche bestehende Kathode. G1 und G2 sind zwei zueinander parallele, vorzugsweis"e ebene Gitterelektroden, und A ist die Anode. Das Gitter G2 trennt die beiden Resonanz!hohlräume I und Il. Grundsätzlich könnten an Stelle der Resonanzhohlräume auch andersgeformte Resonanzkreise verwendet werden, jedoch sind die Resonanzhohlräume die gegebene Form (r. hohe Güteziffer Q, 2. günstige konstruktive Verbindung mit den Elektroden). Das Gitter G2 ist mit dem Gitter G1 durch -den Schwingungskreis I und mit der Anode A durch den Schwingungskreis II verbunden. Die obene Ühnte phasenfokussierende Diodenstrecke fieg rw, t zwischen .den beiden Gittern G1 und G2, die Leistungskammer zwischen G2 und .4. Die Elektronenanfangsgeschwindigkeit für dieDio@dens.trecke wird durch eine positive Vorspannung des Gitters G1 gegenüber der Kathode K erzielt. Der Schwingkreis I dient als Modulations'kreis, während der Schwingkreis II als Leistungskreis zur Entnahme der Schwingleistung verwendet wird. iUm in der Leistungsstrecke G2 - A eine beschleunigende Gleichspannung von z. B. rooo Volt einführen zu können, muß der Schwingungskreis II galvanisch unterteilt sein. Für den Fall einer Selbsterregung von Schwingungen werden -die beiden Schwingungskreise I unid II auf die gleiche Frequenz abgestimmt und eine Rückkopplung vorgesehen. Für den Fall einer Fremndsteuerunig wird,die Steuerspannung dem Kreis I aufgedrückt. Der Schwingungskreis II kann dann auf die gleiche Frequenz oder im Fall einer Frequenzvervielfaeh(ung auf die gewünschteHarmoni.sche der Steu,e,rfrequenz abgestimmt sein. Der Fortfall eines besonderen Laufraumes bringt es mit sich, diaß die Gesamtlänge der Entladungsstrecke von der Kathode bis zur Anode sehr klein sein kann. Im Gebiet von Wellen von iio bis 2o cm kommt man auf Größenordnungen bis zu 12 mm herunter. Dadurch sind besondere statische Bürndelungsm.aßnahmen entbehrlich. Eine besonders zweckmäßigeAu@sfivhrunäsform einer solchenEntladungsstrecke besteht -darin, daß der Wegwinkel zwischen G1 und G2 so gewählt wird, daß eine entdämpfende Wirkung der Diodenstrecke erzielt wird. Wenn G1 und G2 gleichesRuhepotentialhaben (Äquipotentialkammer), müßte der auf die Spannung der Dio.denstrecke gegen die Kathode bezogene Wegwinkel 2,5 n betragen. In idiesem Fall arbeitet der Fokussierungsrau.m als selbstschwingende Diode, und dieser Effekt kann im Fall der Fremdsteuerung zur Entd-ämpfung des Steuerkreises I oder im Fall der Selbsterregung, insbesondere wenn man -die Leistungskammer auf die doppelte Frequenz abstimmt, als belastungsun.abhängigerSteuergenerator verwertet werden; im letzteren Fall kann man auf eine innere oder äußere Rückkopplung zwischen der Leistungskammer und, dem Fokussierungsrau:m überhaupt verzichten.
  • In Abb. 3 ist eine Abänderung der Abb. 2. dargestellt, bei welcher die Leistungskammer II als Äquipotentialkarnmer ausgebildet ist, .d. h. daß die vordere und die hintere Elektrode der Leistungskammer das gleiche Ruhepotential führen. Um den fokussierten Elektronen die für,dieLeistungsabga)be erforderliche hohe Geschwindigkeit zuerteilen, ohne die beim Klystron dabei auftretenden Wattverluste auf den Gittern in Kauf nehmen zu müssen, wird das Eintrittsgitter G2 der Leistungskammer unmittelbar hinter dem Austrittsgitter G2 der Fokussierungskammer I auf Deckung angeordnet. Der Abstand zwischen den Gittern G2 und' G2 ist im wesentlichen nur durch die Spannungssicherheit (Vermeidung eines überschlages zwischen diesen beiden Gittern) bedingt. Die Modulationskammer I und damit,das Gitter G2' erhält beispielsweise eine positive Vorspannung von Zoo Volt, während man an die Leistungskammer (Gitter G= und Anode <4) -beispielsweise -I- 2ooo Volt anlegt. Die aus der unteren Hälfte der Abb. 3 ersichtliche galvanische Aufteilung .der. 1VLodulatiouskammer ermöglicht es, dien Gittern G1 und G2 verschiedene Vorspannungen zu erteilen. Insbesondere ist es nunmehr möglich, die Spannung ides Gitters G2 so zu wählen, :daß das, -durch: den Durchgriff der hohen Anodengleichspannung in .der Ebene von G2 hervorgerufene Potential mehr oder weniger vollständig kompensiert wird. Um bei Fremdsteuerung mit oder ohne Frequenzvervielfachung eine Rückwirkung :der hohen Wechselspannung in,der Leistungskammer dI auf die Fokussierungsstrecke I zu unterdrücken oder zu schwächen, ist eine Neutralisationsschleife !V vorgesehen, welche der durch die Gitteräffnunbgen :gegebenen Kopplung entgegenwirkt. Diese Neutralisation durch eine zusätzliche Kopplung kann auch im Fall einer rückgekoppelten selbstschwingenden Röhre zur Herstellung eindeutiger Betriebsverhältnisse erwünscht- sein.
  • Abb. 4 zeigt eine Anordnung, welche nach :dem gleichen Prinzip arbeitet; jedoch ist .das Eintrittsgitter G2 .der Leistungskammer II galvanisch von der Anode A getrennt und an eine höhere Ruhespannung vori beispielsweise -I- 5ooo Volt gelegt als .die Anode A, .welche etwa- nur -i- ioo;oi Volt erhält. Dias Gitter G2 möge eine positive Vorspannung von zoo Volt erhalten, während das Gitter G1 geerdet ist. Durch die gegenüber der Anode positive Spannung der vorderen Elektrode G2,der Leistungskammer, welche in @diesem Fall eine sogenannte Bremskammer ist, wird erreicht, daß der entdämpfende Leitwert in,derLeistungskammer größer wird als bei einer niedrigeren Spannung des Eintrittsgitters. Man kann nämlich die Tatsache der Leistungsabgabe in Form eines Spannungs-Strom-Verhältnisses mit negativem Vorzeichen als ent-:dämpfen.den Leitwert bezeichnen. DieVergrößerung des entdümpfen:den Leitwertes -erlaubt es, mit schlechteren Schwingungskreisen zu arbeiten.
  • D:ie Abb. 5 zeigt für,die Fokuss.ierungskamm:er I den Grenzfall, daß diese eine reine Diode mit verschwindend kleiner A.n.fangsgeschwindig-keit der Elektronen ist. In gleicher Weise besteht auch im Fall der Abb.4 die Möglichkeit, das Eintrittsgitter G1 des Fokussierungsraumes I auf eine niedrige Spannung zu bringen und die hohe Spannung lediglich ,dem Austrittsgitter der Fokus-. sierungskammer zu geben.
  • In den .Ab#b. 6, bis 21 sind verschiedene Ausführungsmöglichkeiten. des Erfirndungsgedankens ,dargestellt, und zwar sind sowohl früm@dgesteuerte wie auch seelbsterregte Anordnungen dargestellt. Ferner werden Elektrodenanordnungen mit axialsymmetrischem Aufbau sowie lElektrodenanordnungen mit einer langgestreckten, geradlinigen Kathode und dementsprechend ausgebildeten weiteren Elektroden gezeigt. In sämtlichen Abbildungen bezeichnen die in Abb.2 verwendeten Bezugszeichen gleichwertige Teile.
  • In Abb. 6 bezeichnet i ein metallisches VakuumgefäB, - welches - gleichzeitig zur teilweisen Abgrenzung der Resonanzräume I und II dient. Das Vakuumgefäß ist durch eine d'as. Gitter G2 enthaltende und mit ihm leitend verbundene Zwischenwand in zwei Hälften unterteilt. Die weitere: Begrenzung desHohlraumes I i"st durch einen von der Gefäßwand isolierten metallischen Bolzen 2 gegeben, der mittels eines an ihn angesetzten Tellers 3 kapaz.itiv mit der Gefäßwand kurzgeschlossen ist. In die Stirnseite des Bolzens ist gegenüber dem Gitter G2 das Gitter G1 eingesetzt. Hinter dem Gitter befindet sich 'die Kathode K, welche als indirekt geheizte Kathode mit einem Heizkörper H ausgebildet ist. Die Kathode wird zweckmäßig mit einem gegen sie negativ vorgespannten Wehneltzyl-in:der W umgeben, welcher verhindert, daß Elektronen, statt durch das Gitter Gl hindurchzugehen, auf :die Wand des Bolzens 2 auftreffen. Die Zuleitungen für die Kathode, den Heizer und den Wehneltzylinder sind isoliert durch ,den Boden. des Vakuu.mgefäßles hindurchgeführt. Eine weitere isolierte Durchführung ist für die Stromzuführung zum Gitter G1 über den Bolzen z vorgesehen. Gewöhnlich wird das Gitter G1 und,das Gitter G2 auf dasselbe Potential gelegt, so däß die für G1 sich erübrigt und der Teller 3 leitend auf den Gehäuseboden aufgesetzt werden kann. Dies ist zulässig, weil die Elektronen in die Diodenstrecke bereits mit einer durch die Spannung (von z. B. -I- Zoo Volt) des Gitters G1 gegen ,die Kathode K .gegebenen Geschwindigkeit eintreten. Die zur Anregung des Steuerkreises I erforderliche Wechselspannung wird einer Kopplungsschleife 4 zugeführt, welche mit der einen Seite leitend mit :dem Vaku@umgef,äß i verbunden und auf :der anderen Seite isoliert durchdieses hindurchgeführt ist. Auf der anderen Seite -des Gitters G2 ist die Anode A angeordnet, welche in -die restliche Begrenzungsfläche 5 dies Schwingraumes II übergeht. Es ist dabei angenommen, daß eine Frequ:enzvervielfachung stattfindet, und daher ist der Resonanzraum II entsprechend kleiner als der Schwingraum I. Die Leistungsentnahme erfolgt über eine Kopplungsschleife -6, welche wieder einpolig mit dem Gehäuse verbunden und auf der anderen Seite .isoliert durch ,dieses hindurchgeführt ist. Die Anode A ist gegen das Gehäuse isoliert, da sie auf eine gegen das Gitter G2 stark positive Spannung gebracht werden muß. Die Anode ist iib,er mehrere staubförmige Zuleitungen 7 isoliert herausgeführt. Die Verwendung mehrerer Zuleitungen empfiehlt sich zur besseren Wärmeabfuhr. Um,die Albstimmung des Resonanzraumes II verändern zu können, ist die Anode samt den an ihr befestigten Flächen 5 verschiebbar angeordnet. Zu diesem Zweck wird ein Teil des Vakuumgefäßes aus einem Tombakschlauch (nachgiebiges Wehrohr) 8 hergestellt, der eine Verschiehung des Deckels 9 mit :den Herausführungen gegenüber dem an das Gefäß i angeschlossenen G-häuseteil zuläßt. Die Verstellung des Deckels erfolgt durch außienl aufgesetzte . Flansche mit Sch.raubbolzen ro. Der Kreis I kann natürlich auch abstimmbar ausgebildet werden, wie in späteren Ausführungsbeispielen um eine Anpassung des Generators an eine gegebene äußere Steuerfrequenz zu ermöglichen. Im praktischen Betrieb hält man das Metallgehätu.se i auf Erdpotential.
  • In AM. 7 ist eine Abänderung des die Kathode und das Gitter G1 enthaltenden Teiles der Anordnung nach Abb. 6 dargestellt. Zwischen der Kathode K und dem Gitter G1 ist ein weiteres: Gitter T eingefügt, welches als Tastgitter bezeichnet wird und zur Tastung oder zur Modulation der in die Diodenstrecke eintretenden Elektronenströmung dient. Im Fall der tele.graphiemäßigen Tastung der mit der Röhre erzeugten Schwingungen erhält das Tast:gitter eine gegen die Kathode negative Ruhespannung und wird während der Zeichen auf eine positive Spannung, beispielsweise ioo Volt, gebracht.
  • In den Abb. 8 bis i i sind veirsrhiedene Ausführungsformen einer ebenfalls axial symmetrisch aufgebauten, aber mit Rückkopplung arbeitenden Röhre gemäß der Erfindung dargestellt. Soweit es sich um übereinstimmende Teile handelt, werden für sie die gleichen Bezugszeichen verwendet. In der äußeren Formgebung liegt ein Unterschied hinsichtlich der an die Anode A anschließenden Begrenzungsfläche 5 des Schwingraumes II vor. Diese Begrenzungsfläche ist aus Dämpfungsgründen stärker abgerundet (kürzere Strombahnen), und die Verstellung der Anode wird dadurch ermöglicht, daß der Deckel :durch eine ringförmige Membran i i unterteilt ist. Die Rückkopplung von der 'Leistungskammer II in die Fokussierungs@kammer I erfolgt durch eine Kopplungsschleife i i, welche frei durch .die das Gitter G2 enthaltende Trennwand hindurchgeht. Die beiden Enden der Kopplungsschleife i i sind zu beiden Seiten der Trennwände mit dem Gehäuse verbunden. Hierbei ist folgendes zu beachten: Die natürliche Kopplung der beiden auf gleiche Frequenz abgestimmten Kreise durch :das Gitter G2 hindurch bewirkt, daß die Kreise .in G:egenphase und mit gleichen Feldstärkeamp:lituden schwingen. Mittels der Rückkopplungsschleife mu:ß ,die resultierende Kopplung so eingestellt werden, daß die Wechselspannung im Fokussieru.ngsraum die erforderliche Größe besitzt. Um die Rückkopplung einstellen zu können, wird zweckmäßig die in den einen Schwingraum hineinragende Hälfte der Kopplungsschleife schwenkbar ausgebildet. Zu diesem Zweck ist beispielsweise in einem rohrförmigen Ansatz 13 .des Valsuumgefäiß@es eine Spindel i-. aus Isoliermaterial, beispielsweise Keramik, drehbar gelagert. An dem äußeren Ende der Spindel sitzt ein ferromagnetischer Körper 1q., der von außen mittels eines Magneten gedreht werden kann. Dadurch wird auch der an dem oberen Ende der Spindel befestigte Teil der Kopplungsschleife so gedreht, daß ;die Durch.flutung mehr oderweniger groß wird.
  • Um auch den Resonanzraum I abstimmen zu können, kann eine Abstimmvorric'htung nach Abb.9 vorgesehen werden, welche auf der rechten und auf der linken Bildhälfte zwei verschiedene:Ausführungsmöglichkeitendarstellt. An der Innenwand :des im Querschnitt sichtbaren Vakuumgefäßes i ist ein biegsamer Blechstreifen 16 befestigt. Die Durchbiegung dieses Blechstreifens kann dadurch geändert werden, :daß die in einem Gewinde i7 gelagerte biegsame Spindel i8 mittels des Tombakschlauches rg gedreht wird. Die Durchbiegung kann aber auch, wie in der rechten Bildhälfte :dargestellt, .durch Verdrehung einer Schraubenspindel 2io mittels eines Magneten erfolgen.
  • Die Abb. io zeigt eine mit Selbsterregung arbeitende- Elektrodenanordnung, bei welcher Kopplungsschleifen vermieden sind. Die Anode A bildet einen Teil des Vakuumgefäßes i, so d'aß außer der Kathode auch die beiden Gitter G1 und G2 samt den mit ihnen verbundenen Begrenzungsflächen der Schwingungskreise vom Gehäuse isoliert sein müssen. Die mit dem Gitter G1 verbundene Begrenzun:gs.fläche ödes Schwingraumes I ist mit :dem Gehäuse i für dile: Betriebsfrequenz kapazitiv kurzgeschlossen. Hingegen darf das Gitter G2 mit dem Gehäuse i nicht :durch einen Kurzschluß, sondern nur durch einen kapazitiven Widerstand endlicher Größe, welcher den Rückkopplungsfaktor :definiert, verbunden sein. Die kapa.zitive Kopplung des Gitters G2 mit :dem Gehäuse erfolgt durch einen zylindrischen Flansch 21, welcher mit dem Gehäuse i parallel läuft und mit dem Gehäuse zusammen einen Teil einer konzentrischen .Energieleitung bildet. Um sicherzustellen, .daß die Schwingungsamplitude des Resonanzkreises II ein Vielf.aches von der Schwingungsamplitude des Resonanzraumes I ist, muß man dieser Energieleitung eine solche Länge, geben, @daß sie als Spannungstransformator wirkt. Die für die Rückkopplung richtige Phasenlage zwischen den Schwingungen in den Schwingkreisen I und II wird mittels ,des Wegwinkels in der Diodenstrecke und in der Leistungskammer festgelegt, indem man die geometrische Kammerlänge bzw. die Spannungen entsprechend: wählt. Die Entnahme der Schwingleistung erfolgt wieder über eine einseitig vom Gehäuse isolierte Kopplungs@sc'hleife 6. Dem Gitter G2 wird die Gleichspannung über eine Drossel 2:2 zugeführt, welche beispielsweise als dünner Draht ausgebildet ist. Diese Drossel wird möglichst an einen solchen Punkt des Rohrflansches 21 angeschlossen, an welchem eine kleine Wechselspannungsamplitude herrscht. Um,diiü Drossel 22 abstimmen zu können, ist der die isolierte Durchführung tragende Ansatz als ausziehbares Rohr 23 ausgebildet.
  • In Abb. i i ist eine Ausführungsform dargestellt, bei welcher,der Raum I als ein auf eine wesentlich höhere Frequenz fest abgestimmter Resonanzraum ausgebildet ist, so daß im Fall einer Wellenänderung nur :der Schwingkreis II nachgestimmt zu. werden braucht. Der Raum I wirkt als Kapazität. Die ,das Gitter G2 enthaltende Metallplatte ist an Odem Ge- häuse i durch. Isolierstutzen 24. gehaltert.
  • Der Abstand der Gitter G1 und G2 ist @durch die weiter oben angegebenen Bedingungen für die Länge des Fokussierungsraumes gegeben. Die kapazitive Verbindung-mit dem Schwingraum IIgeschieht durch ,die zwischen den Rändern der die Gitter G1, G2 enthaltenden Platten liegende Kapazität. Diese Kapazität muß so bemessen sein, daß die Wechselspannurig an der Fokussierungsstrecke nur einen Bruchteil .der Wechselspannung an der Leistungskammer beträgt.
  • Falls die R.andk.apazität, welche die Rückkopplung für den Schwingraum I vermitteln soll, einen vollkommenen Kurzschluß bilden soll, kann die Rückkopplung durch den Durchgriff der Wechselspannung der Leistungskammer durch das Gitter G2 herbeigeführt werden. Die richtige Pb.asenl:age :der Rückkopplungsspannung wird durch geeignete Wahl der Wegwinkel in der Fokuosierungsstrecke und -der Leistungskammer sichergestellt. Wegen des gleichphasigen Zusammenhanges der Rückkopplungsspannung und der Spannung der Leistungskammer muß die Eintrittsphase in die Leistungskammer dieselbe sein wie die Austrittsphase aus der Fokussierungskammer. Um den Durchgriff ,der Anodengleichspannung durch. das Gitter G2 ganz oder teilweise aufzuheben, kann die galvanische Trennung von G1 und G2 dazu 'benutzt werden, dem Gitter G2 eine niedrigere Spannung zu geben.
  • In den Abb. 12 und 13 ist in zwei Projektionen eine Elektrodenanordnungdargestellt, in welcher die Kathode langgestreckt ausgebildet ist und daher eine große Emissionsfläche besitzt. Der Schwingungskreis I ist als Topfkreis mit langem Flachbolzen 25 ausgebildet. An der Stirnseite des Flachbolzens befindet sich das Gitter G1, und innerhalb desselben ist die Kathode K und gegebenenfalls die Wehneltelektrode W und das Tastgi:tter T angeordnet. Die Kathode und :das Gitter G1 befinden sich in einem. Metalltrog mit U-förmigem Querschnitt, der mit der Seitenwand des Bolzens kapazitiv verbunden ist, vorzugsweise aber ein Bestandteil der Bolzenwand ist; im ersten Fall ist es möglich, dem Gitter G1 ein anderes Potential zu geben als dem Gehäuse. In gleicher Weise wie -der Schwingungskreis I ist auch der Schwingungskreis II als Topfkreis mit langem Flachbolzen 26 ausgebildet. Die Anode, A befindet sich,dort an der Stirnseite des Bolzens und ist ebenfalls wieder kapazitiv mit den Seitenwänden des Bolzens gekoppelt. Der Bolzenhohlraum wird zur.Unterbringung von Wasserkühlung 27 benutzt. Die Lage der frei schwebenden Bolzentoile ist durch Keramikplatten z8 gesichert, wie der Längsschnitt zeigt.
  • In den Abb. 1q. und 15 ist eine ähnliche Elektrodenanordnung in zwei Projektionen :dargestellt, welche sich von .der vorhergehenden dadurch unterscheidet, daß das Gitter G2 von dem Gehäuse isoliert und die Anodei mit :dem Gehäuse leitend verbunden ist. In diesem Fall wird die Anode gut gekühlt, da sie mit dem Gehäuse selbst verbunden ist. Die Gehäusewand kann aber auch als Ganzes wassergekühlt werden.
  • Eine langgestreckte, für Selbsterregungsbetrieb bestimmte Elektrodenanordnung zeigen @die.Abb. 16 und 17. Der Raum II ist in diesem Fall wieder, wie in Abb. i i, so ausgebildet, daß er lediglich als Kondensator wirkt und die Frequenz nur durch die Abstimmung -des Schwingraumes Il bestimmt ist. Die Anode A ist mit der Gehäusewand leitend verbänden. Um die Resonanzfrequenz ändern zu können, ist der die Anode tragende Wandteil biegsam ausgebildet und' kann mittels einer magnetisch drehbaren Spindel 20 verstellt werden.
  • Die Abb. 18 und i9 zeigen Einzelheiten einer anderen Ausführungsform. Dort ist die Anode A von der Gehäusewand i isoliert und mit dieser kapazitiv verbunden durch zur Gehäusewand parallel läufendie4 Kapazitätsflächen 2,9, Die Kühlung der Anode erfolgt durch ein an ihrer Rückwand befestigtes, im Vakuumgefäß U-förmig herumgeführtes .doppelläufiges Rohrsystem 30.
  • Es ist allgemein vorteilhaft, wenn der Durchgriff durch G2 klein ist. Es soll daher die unmittelbare Aufeinanderfolge des Fokussierungsraumes und der Leistungskammer nicht den Fall ausschließen, da.ß,das Gitter G2 aus zwei getrennten Gitterflächen mit einem kleinen Abstand von wenigen DrahtdUrchmessern zusammengesetzt ist.
  • Bei der Frequenzvervielfachung erweist sich die Fokussierung in ,der Form, wie sie -durch eine einzige Fokussie=ngskammer erzeugt wird, häufig als ungenügend. In diesem Fall wird ein brauchbarer Wirkungsgrad in der Leistungskammerdurch folgende Maßnahmen erzielt: i. Vorsteuerung. Die Elektronenströmung wird vor ihrem Eintritt in die Fokussierungsstrecke -einer hochfrequentenD.ichtesteuerung unterworfen, welche nur Elektronen des wichtigen Phasenbereichs durchläßt, in dem sich die Elektronen befinden, welche später in den Schwerpunkt der fokussierten Strömung kommen sollen.
  • 2. Wiederholte Anordnung einer Fokussierun:gskammer.
  • 3. Zusätzliche Fokussierung in der Leistungskammer selbst. In diesem Fall wird die Länge der als Beschleunigungskammer ausgebilideten Leistungskammer gleich ungefähr 1,25 n, gemessen im Wegwinkel, gewählt. Die Leistungskammer stellt ,dann eine selbstsch,#vingende Diode dar, deren Wirkungsgrad durch die Vorstenerung bis auf 12% gesteigert werden kann und bei güristige,r Vo,rfokussierun.g (mehrfache Vorfokussierung oder Vorfokussierurig mit Vorsteuerung) bis auf 200/0 gebracht werden kann.
  • In diesem Zusammenhang sei erwähnt,» daß die zur Selbsterregung notwendige Länge der Diodenstrecke bei einer Beschleunigungskammer 1,25 n, bei einer Äquipotentialkammer 2,5 n und' bei einer Bremskammer (hintere Elektrode auf niedrigerem Potential) mehr als 2,5 ur beträgt.
  • In den Abb. zo und 2-1 sind zwei Möglichkeiten der Vorsteuerung dargestellt. Dabei ist zwischen .dem Eintrittsgitter in die Mddulationskammer und Kathode ein 'Hilfsgitter GH angeordnet, das gleichzeitig als Tast- oder Modulationsgitter benutzt werden kann. Die Spannung dieses Hilfsgitters sowie die Abstände der Gitter GH und G1 von der Kathode K sind so gewählt, daß für die wichtigen Elektronen zwischen Kathode und Gitter G1 'der wahre Laufzeitwinkel z beträgt. Dieser Effekt soll als n-Effekt bezeichnet werden. Die Spannung des Hilfsgitters GH gegen Kathode ist dabei vorzugsweise schwach positiv oder negativ, so daß :die Elektronen zwischen K und GH eine kleine Geschwindigkeit haben und infol:ge@dess@en durch ,die durch G1 und GH durchgreifende Wechselspannung der Fokussierungskamm-er beeinflußt werden. Auf :diese Weise läßt sich erreichen, daß -die wichtigen. Elektronen in ,großer Zahl aus der Kathode herausgeholt und die falschphasigen Elektronen zurückgehalten «-erden.
  • In der Abb. 21 erfolgt die Vorsteuerung durch eine besondere Vorsteuerkammer, welche von außen mit einer vorzugsweise gegenüber der Fokussierungskammer gegenphasigen Wechselspannung betrieben wird. Diese Vorkammer ist in der Abb. 21 in Form einer abstimmbaren konzentrischen Lecherleitung 31, 32 gezeigt, deren Bolzenkopf die Kathode K trägt. Die Elektronen werden vor ihrem Eintritt in die Fokussierungskammer I dichtemäßig gesteuert. Zur Durchführung,der Dichtesteuerung ist es notwendig, das Eintrittsgitter der Modulationskammer I ,auf eine niedrigere Gleichspannung zu bringen. als das Austrittsgitter. Die Vorste:uerspannung wird mittels einer Kopplungsschleife 33 in die `'orkammer eingeführt.
  • Die galvanische Unterteilung eines Hohlraumresonators ist nicht bloß bei Laufzeitröhren ohne besonderen I.aufrau.m von Vorteil, sondern läß.t sich ganz allgemein bei allen Hohl.raumresonatoren anwenden, in denen eine Elektronenströmung abgebremst oder beschleunigt werden soll.

Claims (17)

  1. PATENTANSPRÜCHE: i. Einrichtung zur Verstärkung oder Erzeugung von Ultrakurzwellen unter Verwendung einer phasenfokussierten Elektronenströmung, dadurch gekennzeichnet, daß eine Elektronenströmung, die vorzugsweise eine gegenüber der Elektronenaustritts;gesch-windigkeit aus einer reellen Kathode große Anfangsgeschwindigkeit aufweist, in eine Diodenstrecke eintritt und in dieser einer Feldfokussierung unterliegt und daß unmittelbar anschließend in einer besonderen Leistungskammer, deren, von der Kathode aus gesehen, hintere Begrenzungselektrode eine gegenüber .der Austrittselektrode der Diodenstrecke hochpositive Gleichspannung führt, ein Leistungsumsatz mit einem Wechselfeld stattfindet. .
  2. 2. Einrichtung nach Anspruch i, gekennzeichnet durch eine solche Bemessung der Spannungen und der Länge der Diodenstrecke, daß diese auf .den Eingangskreis entdämpfend wirkt.
  3. 3. Einrichtung nach Anspruch i, ,dadurch gekennzeichnet, daß die Diodenstrecke als Resonanzhohlraum ausgebildet und auf (dieselbe Frequenz oder einen :ganzzahligen Bruchteil der Eigenfrequenz der Leistungskammer abgestimmt ist.
  4. 4. Einrichtung nach Anspruch i, gekge:nnzeichnet durch eine solche Ausbildung gder Diodenstrecke, daß sie für die Eigenfrequenz der Leistungskammer'als Kapazitäht wirkt.
  5. 5. Einrichtung nach Anspruch i, gdaidurch gekennzeichnet, daß die Leistungskammer als Äquipotentialkammer ausgebildet und ihr Eintrittsgitter (G2) in Deckung hinter dem Austrittsgitter (G2) der Diodenstrecke angeordnet ist.
  6. 6. Einrichtung nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, daß dem Austrittsgitter (G2) der Diodenstrecke eine solche Vorspannung erteilt wird, daß das durch den Durchgriff der AnadengleicIlspannung in der Fläche dieses Gitters hervorgerufene Potential ganz oder teilweise kompensiert wird.
  7. 7. Einrichtung nach Anspruch i, !dadurch gekennzeichnet, daß die Diodenstrecke und die Leistungskammer durch eine Neutralisationsschleife (N) miteinander verbunden sind. B.
  8. Einrichtung nach Anspruch i, dadurch gekennzeichnet, daß die Leistun!gs,Icammer als Bremsklammer ausgebildet ist. g.
  9. Einrichtung nach Anspruch i, dadurch gekennzeichnet, daß :das Vakuumgefäß aus Metall besteht und einen Teil der Begrenzung der an die Diodenstrecke und die Leistungskammer angeschlossenen Resonanzhohlräume bildet. i o.
  10. Einrichtung nach Anspruch i, dadurch ge- kennzeichnet, daß zwischen der Kathode und dem Eintrittsgitter der Diodenstrecke ein Hilfs-oder Tastgitter (T bzw. GH) vorgesehen ist. i i.
  11. Einrichtung nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß wenigstens ein Resonanzhohlraum nachstimmbar ausgebildet ist.
  12. 12. Einrichtung nach Anspruch i zur Selbsterregung von Schwingungen durch Rückkopplung, dadurch gekennzeichnet, daß :die Rückkopplungsspannung aus der Leistungskammer in die Diodenstrecke durch eine als Spannungstransformator dienende konzentrische Energie-> leiturig übertragen wird.
  13. 13. Einrichtung nach Anspruch g,dadurch gekennzeichnet, daß das Eintrittsgitter gder Leistungskammer mit dem metallischen Vakuumgefäß leitend verbunden ist.
  14. 14. Einxic'htung nach Anspruch g, gdadurch gekennzeichnet, daß "die Kathode mit dem metallischen Vakuumgefäß leitend verbunden. ist und gegebenenfalls das ganze Vakuumgefäß künstlich gekühlt wirrt. r5.
  15. Einrichtung nach Anspruch i, dadurch ge- kennzeichnet, daß die Elektronenströmung vor ihrem Eintritt in die Diodenstrecke dichtemäßig vorgesteuert wird.
  16. 16. Einrichtung nach Anspruch i, dadurch gekennzeichnet, daß mehr als eine Fokussierungsstrecke vorgesehen ist.
  17. 17. Einrichtung nach Anspruch i, dadurch gekennzeichnet, daß die Leistungskammer als selbstschwingende Diode ausgebildet ist.
DET2365D 1939-11-29 1940-04-17 Einrichtung zur Verstaerkung oder Erzeugung von Ultrakurzwellen unter Verwendung einer phasenfokussierten Elektronenstroemung Expired DE890813C (de)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DET2365D DE890813C (de) 1939-11-29 1940-04-17 Einrichtung zur Verstaerkung oder Erzeugung von Ultrakurzwellen unter Verwendung einer phasenfokussierten Elektronenstroemung

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE216058X 1939-11-29
DE160440X 1940-04-16
DET2365D DE890813C (de) 1939-11-29 1940-04-17 Einrichtung zur Verstaerkung oder Erzeugung von Ultrakurzwellen unter Verwendung einer phasenfokussierten Elektronenstroemung

Publications (1)

Publication Number Publication Date
DE890813C true DE890813C (de) 1953-09-21

Family

ID=27180881

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DET2365D Expired DE890813C (de) 1939-11-29 1940-04-17 Einrichtung zur Verstaerkung oder Erzeugung von Ultrakurzwellen unter Verwendung einer phasenfokussierten Elektronenstroemung

Country Status (1)

Country Link
DE (1) DE890813C (de)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE971141C (de) * 1942-10-01 1958-12-18 Siemens Ag Elektronenroehre zur Erzeugung oder Verstaerkung sehr kurzer elektrischer Wellen

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE971141C (de) * 1942-10-01 1958-12-18 Siemens Ag Elektronenroehre zur Erzeugung oder Verstaerkung sehr kurzer elektrischer Wellen

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE916328C (de) Wanderfeldroehre
DE69016712T2 (de) Mikrowellengenerator mit einer virtuellen kathode.
DE908743C (de) Verfahren zum Betrieb von Laufzeitroehren
DE69021290T2 (de) Mikrowellen-verstärker oder oszillator-anordnung.
DE2237252A1 (de) Ionenquelle mit hochfrequenz-hohlraumresonator
DE102014219016A1 (de) Verfahren zum Steuern eines Stehwellenbeschleunigers und Systeme dafür
DE909706C (de) Roehrenanordnung fuer ultrakurze Wellen
DE2424679A1 (de) Breitband-mehrkammer-klystron
DE890813C (de) Einrichtung zur Verstaerkung oder Erzeugung von Ultrakurzwellen unter Verwendung einer phasenfokussierten Elektronenstroemung
DE889466C (de) Elektronenroehre zur Verstaerkung von ultrakurzwelligen Schwingungen
DE2461616A1 (de) Hf-elektronenroehre mit hohlraumresonatoren und elektronischer frequenzabstimmung
DE68922393T2 (de) Gekoppelte hohlräume-schaltung mit erhöhter iris-resonanz-frequenz.
DE706668C (de) Elektronenroehre mit vier Dreielektrodensystemen, von denen jedes eine Kathode, eine Anode und ein Steuergitter enthaelt
DE1464682A1 (de) Elektronenstrahlerzeugungssystem
DE869515C (de) Einrichtung zur Erzeugung eines Elektronenstrahles fuer Entladungs-roehren von Zylindrischem Aufbau mit einem geradlinigen, in der Zylinderachse angeordneten Leiter
DE735968C (de) Roehrenanordnung zur Anfachung ultrakurzer Wellen
DE933694C (de) UEberlagerungsanordnung
DE906707C (de) Durch Mitnahme stabilisierter, selbstschwingender Ultrakurzwellengenerator, bei welchem eine Elektronenstroemung in einer Generatorstrecke (Leistungsstrecke) Energie an ein Schwingungsfeld abgibt
DE1130935B (de) Elektronenroehre zur Erzeugung oder Verstaerkung sehr kurzer elektromagnetischer Wellen
DE704248C (de) Magnetfeldroehre fuer ultrakurze Wellen mit ungeschlitzter Anode
DE672510C (de) Magnetronroehre mit Kathode, mehreren dazu achsparallelen Anodensegmenten und Hilfselektroden
DE872225C (de) Einrichtung zur Erzeugung von aeusserst kurzen elektromagnetischen Wellen
DE913209C (de) Entladungsroehre
DE712632C (de) Schwingungserzeuger unter Verwendung einer Roehre mit mehr als zwei sekundaeremissionsfaehigen Elektroden
DE874030C (de) Modulationsschaltung