DE8803297U1 - Druckbetätigter, elektrischer Schalter, insbesondere Bremslichtschalter - Google Patents
Druckbetätigter, elektrischer Schalter, insbesondere BremslichtschalterInfo
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Description
Armaturenfabrik Hermann Voss GmbH & Co. 5272 Wipperfürth
Druckbetätigter, elektrischer Schalter, insbesondere Bremslichtschalter
Die vorliegende Erfindung betrifft einen druckbetätigten, elektrischen Schalter, insbesondere einen pneumatisch/
elektrischen und/oder hydraulisch/elektrischen Bremslichtschal ter für Kraftfahrzeuge, bestehend aus einem Gehäuse
mit einer Druckmittelkammer und einer Schaltkammer sowie einer diese Kammern dicht voneinander trennenden, elastischen Membran, wobei In die Druckmittelkammer ein Druckmitteleinlaß mündet, innerhalb der Schaltkammer eine
Schalteinrichtung mit mindestens einem mit elektrischen Ansohlußelementen verbundenen Halbleiter-Schaltelement
angeordnet 1st, und wobei die Membran ein zum Ansteuern dee Halbleiter-Sohaltelementes mit der Schalteinrichtung
&idigr;&udigr;2)448&Ogr;&THgr;6/48&bgr;472 · Telefax(021»)/<^f^ · ·, .'·..· ,' Dr. A.Soff,Dlpl.-Infl.(München)
&Bgr;691273*&ogr;&iacgr;&bgr; ·,.· ',,' '..' *,.' ,;,. ,.' : Chr.Zapf,Dlpf.-lng.(Wuppertal)
Bekannte Bremslichtschalter weisen an einer durch Druckänderungen beweglichen Membran ein metallisches Kontaktteil
auf, welches mit ortsfesten Gegenkontakten zum Schließen und öffnen eines Stromkreises zusammenwirkt. Bei hohen Strömen
tritt dabei jedoch nachteiligerweise ein hoher Verschleiß der Kontaktteile durch lichtbogenbedingten Kontaktabbrand
auf, wodurch der Schalter nur eine kurze Lebensdauer besitzt. Zudem ist das Auftreten von Schalt-Lichtbögen bzw.
Funken insbesondere in Kraftfahrzeugen auch insofern von
Nachteil, als hierdurch Störungen des Rundfunkempfangs hervorgerufen werden.
Aus der DE-OS*29 32 482 ist der eingangs beschriebene,
gattungsgemäße Schalter bekannt, bei dem der eigentliche Stromkreis kontaktlos durch ein Halbleiter-Schaltelement
geschaltet wird. Allerdings ist hier zum Ansteuern des Halbleiter-Schaltelementes nach wie vor eine mechanische
Kontaktgabe notwendig, wozu an der Membran als Schaltteil ein elektrisches Widerstandselement befestigt ist, welches
bei Druckbeaufschlagung derart zur Anlage an zwei ortsfeste Kontakte gebracht wird, daß es die Kontakte leitend miteinander verbindet. Dadurch, daß der Widerstandswert des
Widerstandselementes bei steigendem Druck abnimmt, soll ein harmonisches Durchschalten des Halbleiter-Schaltelementes
erreicht werden. Die mechanische Kontaktgabe führt jedoch auch hier - wenn auch in etwas geringerem Maße - zu den
oben beschriebenen Nachteilen hinsichtlich der Lebensdauer und der auftretenden Störungen des Funkempfanges.
Der vorliegenden Erfindung liegt daher die Aufgabe zugrunde,
den eingangs beschriebenen Schalter so zu verbessern, daß ein Auftreten von Lichtbögen bzw. Funken ausgeschlossen ist.
Erfindungsgemäß wird dies dadurch erreicht, daß die
Schalteinrichtung ein berührungslos mit dem Schaltteil
zusammenwirkendes Sensorelement aufweist. Dabei ist es besonders vorteilhaft, wenn das Sensorelement ein Hall-Element, und zwar vorzugsweise ein digitalschaltender HaIl-Ser»sor, und das Schaltteil ein Permanentmagnet ist. Durch
die Erfindung kann somit gänzlich auf eine mechanische Kontaktgabe verzichtet werden, so daß eine Funken- oder
Lichtbogenbildung absolut ausgeschlossen ist.
Vorteilhafte Heiterbildungen der Erfindung sind in den
Unteransprüchen sowie der folgenden Beschreibung enthalten.
Anhand dec beiliegenden Zeichnungen soll im folgenden die Erfindung beispielhaft näher erläutert werden. Dabei
zeigen:
Fig. 1 einen Längsschnitt durch einen erfindungsgemäßen Schalter,
Fig. 2 eine Explosivdarstellung des Schalters nach Fig. 1,
Flg. 3 einen Teilschnitt länge der Linie HI-III in Fig. 1 und
Flg. 4 eine Schaltungedarstellung der Schalteinrichtung dee erfindungsgemäßen Schalters.
Der In Flg. 1 und 2 dargestellte, beispielhaft als Bremsllchtschalter
2 auegebildete, erfindungsgemäße Schalter besteht aus einem vorzugsweise metallischen Gehäuse 4 mit
einer Druckmittelkammer 6 und einer Schaltkammer 8. Diese
beiden Kammern 6, 8 sind durch eine in dem Gehäuse 4 angeordnete, elastische Membran 10 druckdicht voneinander
getrennt. In die Druckmittelkammer 6 mündet ein Druckmitteleinlaß 12, der über einen Anschlußstutzen 14 mit einer
nicht dargestellten Leitung eines Drucksystems, /..B. eines
Bremssystems, verbindbar ist. Innerhalb der Schaltkammer 8 ist eine Schalteinrichtung 16 angeordnet, die mindestens
ein Halbleiter-Schaltelement 18 {Fig. 3 und 4) aufweist, welches elektrisch mit stiftförmigen, nach außen führenden
Anschlußelementen 20 verbunden ist. Die Membran 10 trägt in ihrem mittigen Bereich, der durch in der Druckmittelkammer
6 auftretende Druckänderungen in Richtung der Gehäuse-Längsmittelachse 22 elastisch beweglich ist, ein Schaltteil
24, welches zum Ansteuern des Halbleiter-Schaltelementes 18 mit der Schalteinrichtung 16 zusammenwirkt.
Erfindungsgemäß besitzt die Schalteinrichtung 16 ein mit dem
Schaltteil 24 berührungslos zusammenwirkendes Sensorelement 26, welches im dargestellten AusfUhrungebeispiel der
Erfindung ein digitalschaltender Hall-Sensor 28 ist. Das an
der Membran 10 angeordnete Schaltteil 24 ist in diesem Fall ein Permanentmagnet 30. Dabei ist der Hall-Sensor 28 innerhalb der Schaltkammer 8 derart angeordnet, daß der Permanentmagnet 30 bei druckloser Druckmittelkammer 6 von dem
Hall-Sensor 28 beabstandet ist und bei druckbeaufechlagter
Druckmittelkammer 6 durch die sich hierdurch bewegende
Membran 10 mit geringem Abstand dem Hall-Sensor 28 gegenüberliegt, wodurch dieser seine digitale Auegangegröße
ändert» Die weitere Wirkungsweise der Schalteinrichtung 16
wird Im folgenden noch näher erläutert.
C • ••
Erfindungsgemäß ist die Membran 10 einstückig mit einem Innerhalb des Gehäuses 4 gekammert angeordneten Dichtring
verbunden. Dieser Dichtring 32 erstreckt sich vom Außenumfang der Membran 10 aus axial in eine ringförmige Kammer
34, die - wie insbesondere in Fig. 2 zu erkennen ist - von einer Gehäuse-Umfangswandung 36, einer eich an diese
anschließenden Gehäuse-Stirnwandung 38, einem sich von der Stirnwandung 38 etwa parallel xu der Umfangewandung 36
erstreckenden Ringsteg 40 sowie einer Stirnfläche 42 eines in der Schaltkammer 8 angeordneten Einsatzteils 44 gebildet
ist. Dabei sind der Ringsteg 40 und die Stirnfläche 42 des Einsatzteiles 44 in axialer Richtung etwa um die Materialdicke der Membran 10, die sie in ihrem sich an den Dichtring
32 radial nach innen anschließenden Bereich besitzt, voneinander beabstandet (s. hierzu Fig. 1).
Die Membran 10 ist im wesentlichen kreisscheibenförmig sowie topfartig gewölbt ausgebildet und weist in ihrem mittigen
Bereich einen in die Schaltkammer 8 ragenden Ansatz 46 auf, in dessen Endbereich der Permanentmagnet 30 angeordnet ist.
Aufgrund der Wölbung der Membran 10 wird ihr mittiger Bereich mit dem Permanentmagneten 30 bei Druckbeaufschlagung
der Druckmlttelkammer 6 in Pfeilrichtung 48 (Fig. 2) axial elastisch ausgewölbt, so daß der Permanentmagnet 30 in die
unmittelbare Nähe des Hall-Sensors 28 gelangt. Der Permanentmagnet 30 ist erfindungsgemäß entweder an dem
Ansatz 46 lösbar befestigt, z.B. eingeklipst, öder aber in das Material der Membran 10 bzw. des Ansatzes 46 unlösbar
eingeformt, z.B. einvulkanisiert.
Im dargestellten Beispiel ist der Ansatz 46 der Membran 10
im Querschnitt rechteckig ausgebildet, wobei der Permanent-
magnet 30 im Bereich einer Seitenfläche des Ansatzes 46 angeordnet ist« Dabei ist die Membran 10 vorteilhafterweise
derart verdrehfest in dem Gehäuse 4 gehalten, daß der Permanentmagnet 30 stets in einer definierten, radialen
Richtung ausgerichtet ist. Hierzu weist die Membran 10 in ihrem äußeren Umfangsbereich einen axialen, stiftförmigen
Positionierungsansatz 50 auf, der formschlüssig in eine Aufnahmevertiefung 52 des Einsatzteiles 44 eingreift.
Das Einsatzteil 44 besteht erfindungsgemäß aus einem der Membran 10 zugekehrten Ringkörper 54 mit einer zentrischen
Durchgangsöffnung 56 für den Ansatz 46 der Membran 10 sowie aus zwei a*n den Ringkörper 54 auf dessen der Membran 10
abgekehrten Seite angeformten, sich in axialer Richtung parallel zueinander und einander diametral gegenüberliegend
erstreckenden Haltearmen 58. Zwischen diesen Haltearmen 58 ist eine die Schalteinrichtung 16 tragende
Schaltungsplatine 60 befestigt. Zweckmäßigerweise sitzt di« Schaltungsplatine 60 mit ihren Randbereichen in Längsnuten
der Haltearme 58. In ihrem dem Ringkörper 54 zugekehrten Bereich trägt die Schaltungsplatine 60 den Hall-Sensor 28.
Aufgrund der zentrischen Anordnung des Ansatzes 46 der Membran 10 ist die Schaltungsplatine 60 erfindungsgemäß
derart zu der Gehäuse-Längsmittelachse 22 parallel versetzt angeordnet, daß der Permanentmagnet 30 bei druckbeauf-
SGhlagter Membran 10 den Hall-Sensor 28 in axialer Richtung
überdeckt, wobei der Hall-Sensor 28 in einer Ausnehmung 62 der Schaltungsplatine 60 in der Platinenebene liegend
angeordnet ist.
Gemäß Fig. 3 und 4 sind erfindungsgemäß zwei als Leistungstransistoren 64 ausgebildete Halbleiter-Schaltelemente 18
vorgesehen. Diese Leistungstransistoren 64 sind parallel geschaltet (Fig. 4) und an einem in dem Gehäuse 4 gehalterten
Kühlblech 66 befestigt und über Anschlußdrähte 68 mit der Schalteinrichtung 16 verbunden (Fig. 3). Als Leistungstransistoren 64 eignen sich insbesondere sog. TEMP-FET.
Gemäß Fig. 2 und 3 besteht das Kühlblech 66 zweckmäßigerweise aus einem die Schaltungsplatine 60 umschließenden, zu
der Längsmittelachse 22 konzentrischen Ringscheibenteil und einer sich vom Innenumfang des Ringscheibenteils 70
aus im wesentlichen parallel zu der Schaltungsplatine 60 erstreckenden Haltelasche 72. Auf beiden Oberflächen der
Haltelasche 72 ist einer der Leistungstransistoren 64 vollflächig aufliegend, gebenenfalls unter Zwischenlage einer
Glimmerschicht, befestigt. Der Ringscheibenteil 70 des Kühlblechs 66 ist zwischen einer Ringstufe 74 des Gehäuses
und einer ringförmigen Stirnfläche 76 eines kappenförmigen
Gehäuse-Verschlußteils 78 gehalten (Fig. 1 und 2). Das Verschlußteil 78 ist über einen Dichtring 80 gegen das
Gehäuse 4 abgedichtet. Da erfindungsgemäß die elektrischen Anschlußelemente 20 an dem Verschlußteil 78 gehalten und
über Anschlußdrähte 82 mit der Schaltungsplatine 60 verbunden sind, ist es zweckmäßig, wenn das Verschlußteil
aus einem Isoliermaterial, z.B. einem geeigneten Kunststoff, besteht.
Die Leistungstransistoren 64 werden über das Kühlblech 66,
das Gehäuse 4 sowie an diesem vorgesehene Kühlrippen 84 ausgezeichnet gekühlt. Sollte dennoch eine unzulässig hohe
Erwärmung auftreten, so besitzen die verwendeten TEMP-FET
integrierte Temperatursensoren zur automatischen Abschaltung bei Übertemperaturen. Dies wird im folgenden noch
näher erläutert.
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Das Verschlußteil 78 weist In an sich bekannter Welse ein
Außengewinde 86 zum Befestigen eines elektrischen Steckverbinderteils auf.
Im folgenden soll unter Bezug auf die Fig. 4 die erfindungsqemäße
Schalteinrichtung 16 beschrieben werden. Oi«s als
TEMP-FET ausgebildeten Halbleiter-Schaltelemente 18 bzw. Leistungstransistoren 64 weisen jeweils die Anschlüsse Gate
G, Drain D und Source S auf. Drain D jedes Leistungstransietors
64 ist mit dem einen Anschlußelement 20 und Source S mit dem anderen Anschlußelement 20 verbunden, so daß ein
Durchschalten der Leistungstransistoren 64 durch Ansteuern des Gate G eine leitende Verbindung zwischen den Anschlußelementen
20 zur Folge hat, wodurch eine oder mehrere Glühlampen 88 (Bremslichtbirnen) eingeschaltet werden·
Erfindungsgemäß ist der Hall-Sensor 28 ausqangsseitjg mit
der Basis eines Transistors 92 verbunden, über dessen Emitter-Kollektor-Strecke ein Einschaltsignal über eine
Leitung 94 sowie vorzugsweise über Dioden 96, 98, 100 und einen Widerstand 102 auf die Gate-Anschlüsse G der
Leistungstransistoren 64 gegeben wird, wodurch die Leistungstransi«toren 64 durchschalten, d.h. über ihre
Drain-Source-Strecke DS die Lamper 88 einschalten.
Da im Falle von sieben parallel geschalteten Glühlampen
88 mit je 21 W Im Einschaltmoment aber nur ein äußerst
geringer Kaltwiderstand von nur 0,2 &OHgr; im Verbraucher Stromkreis vorhanden ist, tritt ein sehr hoher Einschal*=?+ Mn
und damit verbunden auch eine sehr hohe Einschaltleistung auf. Ist beispielsweise die Stromleitungsfähigkeit der
Leistungstransistoren 64 durch die Gate-Spannung auf ca.
25 A begrenzt, was notwendig ist, um bis zu 30 V eine
Kurzschlußfestigkeit zu erzielen, beträgt der Spannungsabfall an den sieben Glühlampen 88 0,2 &OHgr; &khgr; 25 A = 5 V-Die
restliche Spannung von 30 V - 5 V = 25 V liegt an den Transistoren 64 an, was eine Verlustleistung von 25 V &khgr; 25 A
= 625 W ergibt. Daraus folgt, daß sich die Lampen 88 kaum erwärmen, während die Transistoren 64 schon nach einer sehr
kurzen Zeit im ms-Bereich infolge ihrer integrierten Teaiperatursicherung abschalten. Die Abschaltung erfolgt
um so schneller, je höher die Umgebungstemperatur und damit auch die Gehäusetemperatur der Transistoren ist.
Da die in die .Leistungstransistoren 64 integrierten Temperatursensoren
64a eine gewisse Thyristor-Charakteristik besitzen, lassen sich die Transistoren 64 nach einem
temperaturbedingten bzw. überstrombedingten Abschalten erst
wieder durchschalten, wenn ihr Gate G zuvor zurückgesetzt worden ist. Daher ist erfindungsgemäß vorgesehen, daß über
den von dem Hall-Sensor 28 angesteuerten Transistor 92 und eine Leitung 104 auch ein vorzugsweise aus IC-Gliedern mit
externer R-C-Beschaltung gebildeter Multivibrator 106
aktiviert wird, der den Gate-Anschlüssen G der Leistungstransistoren 64 über die Dioden 98 und 100 sowie den Wider
stand 102 dem Einschaltsignal überlagerte Impulse mit einer
bestimmten Frequenz zuführt, die die Lei&bgr;tungstransistoren
64 einerseits zurücksetzen und nachfolgend wieder durchschalten. Das Durchschalten bewirkt wieder ein Einschalten
der Lampen 88, deren Widerstand sich bisher nur unwesentlich erhöht hat, weshalb wiederum aufgrund des noch unzulässig hohen EinschaltStromes die Integrierten Temperatursensoron 64a die Lttlstungstransletoren 64 abschalten. Dieser
beschriebene Vorgang wiederholt sieh nun so lange, bis
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aufgrund des hierdurch bewirkten, impulsartigen Lampenstromes sich der Lampen-Widerstand soweit erhöht hat, daß
der Strom die Abschaltgrenze der Leistungstransistoren 64 bzw. der Temperatursensoren 64a nicht mehr überschreitet.
In diesem Fall ist der Betriebszustand erreicht, und die Lampen 88 leuchten solange, bis durch Loslassen des
Bremspedals der Druck innerhalb der Druckmittelkammer 6 des erfindungsgemäßen Bremslichtschalters 2 absinkt und
hierdurch der Hall-Sensor 28 sein Ausgangssignal ändert, was auch zum Abschalten des Transistors 92, der Leistungstransistoren 64 sowie der Lampen 88 fuhrt.
In einer vorteilhaften Weiterbildung der Erfindung ist vorgesehen, daß innerhalb einer bestimmten Einschaltzeit
von z.B. 2 ms die Gate-Anschlüsse 6 der Leistungstransistoren 64 mit einer erhöhten Spannung angesteuert werden,
wodurch die Temperatursensoren dahingehend beeinflußt
werden, erst bei einem höheren Strom abzuschalten, d.h. je höher das Gate-Signal desto höher auch der Abschaltstrom
und umgekehrt. Beträgt z.B. das Gate-Signal 6,8 V, so schalten die Leistungstransistoren 64 aufgrund der Temperatursensoren 64a z.B. bei 10 A ab. Wird die Gate-Spannung
aber auf z.B. 4,8 V reduziert, so erfolgt die Abschaltung z.B. schon bei 6 A. Hierzu ist den Gate-Anschlüssen G
erfindungsgemäß eine Zener-Diode 108 mit einer Zener-Spannung von z.B. 6,8 V vorgeschaltet, die somit die Gate-Spannung auf 6,8 V und damit den D-S-Abschaltstrom auf z.B.
10 A festlegt. Über ein aus einem Widerstand 110 und einem Kondensator 112 bestehendes Zeitglied wird nach einer
bestimmten, durch entsprechende Auswahl der R-C-Kombination feetlegbaren Zeltdauer von z.B. 2 ms vorzugsweise über IC-Glieder 114, 116 sowie vorzugsweise über zwei in Reihe
geschaltete Transistoren 118, 120 eine zweite Zener-Diode
122 parallel zu der ersten Zener-Diode 108 geschaltet, wobei die zweite Zener-Diode 122 mit z.B. 4,8 V eine geringere
Zener-Spannung als die erste Zener-Diode 108 aufweist. Die zweite Zener-Diode 122 reduziert somit die Gate-Spannung der
Leistungstransistoren 64 auf z.B. 4,8 V und legt damit den Betriebszustand der erfindungsgemäßen Schalteinrichtung 16
fest, indem der Abschaltstrom der Leistungstransistoren 64 z.B. 6 A beträgt. De,r an sich zu hohe Abschaltstrom im
Einschaltmoment ist deshalb zulässig, weil die Transistoren 64 im Einschaltmoment noch kalt sind. Durch die beschriebenen,, erfindungsgemäßen Maßnahmen wird der Abschaltstrom
reduziert, wen &iacgr; sich die Transistoren 64 erwärmt haben. Diese Maßnahme ist insofern von besonderem Vorteil, als
sich durch den erhöhten Strom im Einschaltmoment auch die Lampen 88 schneller erwärmen, wodurch sie schneller auf
ihre Betriebstemperatur gebracht werden, in der ILr höherer Widerstand den Betriebsstrom definiert.
Die erfindungsgemäße Schalteinrichtung 16 ist vorteilhafterweise auch absolut unempfindlich gegen Kurzschlüsse im
Lampenstromkreis. Hierzu ist erfindungsgemäß mit dem zu den Lampen 88 führenden Anschlußelement 20 über eine Leitung
124 und vorzugsweise über einen Widerstand 126 der Eingang eines invertierenden IC-Gliedes 128 verbunden. Der Ausgang
dieses IC-Gliedes ist über einen Basiswiderstand 130 mit der Basis eines Transistors 132 verbunden, dessen Emitter an
Masse liegt, und dessen Kollektor über eine Leitung 134 unmittelbar mit den Gate-Anschlüssen G der Leistungstransistoren 64 verbunden ist. Da die Lampen 88 an Masse liegen,
wird durch einen im Lampenstromkreis auftretenden Kurzschluß die Masse auch über die Leitung 124 dem IC-Glied 128
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zugeführt, das hierdurch den Transistor 132 durchschaltet.
Der Transistor 132 schaltet hierdurch über seine Emitter-Kollektor-Strecke
unmittelbar Masse über die Leitung 134 auf die Gate-Anschlüsse 6 der Leistungstransistoren 54, wodurch
diese abschalten. Ein unzulässig hoher Kurzschlußstrom über die Leistungstransistoren 64 ist durch die Erfir iung
folglich absolut ausgeschlossen.
Claims (1)
- Ansprüche1. Druckbetätigter, elektrischer Schalter, insbesondere pneumatisch/elektrischer und/oder hydraulisch/ elektrischer Bremslichtschalter für Kraftfahrzeuge, bestehend aus einem Gehäuse mit einer Druckmittelkamtner und einer Schaltkammer sowie einer diese Kammern dicht voneinander trennenden, elastischen Membran, wobei in die Druckmittelkammer ein Druckmitteleinlaß mündet, innerhalb der Schaltkammer eine Schalteinrichtung mit mindestens einem mit elektrischen Anschlußelementen verbundenen Halbleiter-Schaltelement angeordnet ist, und wobei die Membran ein zum Ansteuern des Halbleiter-Scheltelementes mit der Schalteinrichtung zusammenwirkendes Schaltteil trägt,dadurch gekennzeichnet, daß die Schalteinrichtung (16) ein berührungslos mit dem Schaltteil (24) zusammenwirkendes Sensorelement (26) aufweist.ScnkwWcne20 ■ PoMfach 130113 · O-6«06Wuteeitaft " .". .". &iacgr; 2ü2)44609e/46e472-1*leiax(0aöSV4ria2· : '. .''..'. .' i273 eoa '.. *..' '..' *..' .:.. ·.' &igr;PatentanwälteDr. A. SoH, Dfpf.'lng. (München)Chr. Zapf, Dlpl.-Ing. (Wuppertal)Dr. Q. Hartmann. Dlpl.-Chem. (München)* · III Il t|• > III! I · I · **· «I» «I It (I ■ *&lgr; 2. Schalter nach Anspruch 1,^ dadurch gekennzeichnet, daßdas Sensorelement (26) ein Hall-Element, vorzugsweise ein digitalschaltender Hall-Sensor (28), und das Schaltteil (24) ein Permanentmagnet (30) ist.3. Schalter nach Anspruch 1 oder 2,dadurch gekennzeichnet, daß• die Membran (10) einstückig mit einem innerhalb desGehäuses (4) gekammert angeordneten Dichtring (32) verbunden ist.• 4. Schalter -nach Anspruch 3,dadurch gekennzeichnet, daß der Dichtring (32) der Membran (10) in einer ringförmigen Kammer (34) sitzt, die von einer Gehäuse-Umfangswandung (36), einer sich an diese anschließenden Gehäuse-Stirnwandung (38), einem sich von der Stirnwandung (38) etwa parallel zu der Umfangswandung (36) erstreckenden Ringsteg (40) sowie einer Stirnfläche (42) eines in der Schaltkammer (8) angeordneten Einsatzteils (44) gebildet ist.5. Schalter nach einem der mehreren der Ansprache 2 bis 4,dadurch gekennzeichnet, daß die Membran (10) im wesentlichen kreiescheibenförmig sowie topfartig gewölbt ausgebildet ist und in ihrem mittigen Bereich einen in die Scfeeltkammer (8) ragenden Ansatz (46) aufweist/ in dessen Endbeifeich der Permanentmagnet (30) angeordnet ist.• i MIMI «· &ogr; ·· ·· f · I i · · ·• ♦ t &igr; &igr; <· I1• ! · ' ' &igr;&igr;&igr;·&igr;·• · »III ···· *····· Il Il ,( Il6. Schalter nach Anspruch 5, ; dadurch gekennzeichnet, daß | der Permanentmagnet (30) an dem Ansatz (46) lösbar befestigt, z.B. eingeklipst, oder In das Material der Membran (10) bzw. des Ansatzes (46) unlösbar eingeformt 1st.7. Schalter nach Anspruch 5 oder 6, %dadurch gekennzeichnet, daß der [ Permanentmagnet (3C) seitlich an dem vorzugsweise Im Querschnitt rechteckigen Ansatz (46) der Membran (10) angeordnet 1st, wobei die Membran (10) In einer definierten Ausrichtung des Permanentmagneten (30) verdrehfest in dem Gehäuse (4) gehalten ist.8. Schalter nach Anspruch 7,dadurch gekennzeichnet, daß die Membran (10) in ihrem äußeren Umfangsbereich einen axialen, stiftförmigen Positionierungsansatz (50) aufweist, der in eine Aufnahmevertiefung (52) des Einsatzteils (44) eingreift.9. Schalter nach einem oder mehreren der Ansprüche 4 bis 8,dadurch gekennzeichnet, daß das Einsetzten (44) aus einem der Membran (10) zugekehrten Ringkörper (54) mit einer zentrischen Durchgangsöffnung (56) für den Ansatz (46) der Membran (10) sowie aus zwei sich an den Ringkörper (54) auf dessen der Membran (10) abgekehrten Seite anschließenden, sich in axialer Richtung parallel zueinander und diametral gegenüberliegend• · «if» *!«erstreckenden Haltearmen (58) besteht, wobei zwischen den Haltearmen (58) eine Schaltungsplatine (60) befestigt ist, die in ihrem dem Ringkörper (54) zugekehrten Bereich den Hall-Sensor (28) trägt.10. Schalter nach Anspruch 9,dadurch gekennzeichnet, daß die Schaltungsplatine (60) zu der Gehäuse-Längsmittelachse (22) seitlich versetzt angeordnet ist, wobei der Hall-Sensor (28) in einer randlichen Ausnehmung (62) der Platine (60) in der Platinenebene liegend angeordnet ist.11. Schalter nach einem oder mehreren der Ansprüche 1 bis 10,dadurch gekennzeichnet, daß zwei als Leistungstransistoren (64) und insbesondere als TEMP-FET ausgebildete Halbleiter-Schaltelemente (18) vorgesehen sind, die an einem in dem Gehäuse (4) gehalterten Kühlblech (66) befestigt und über Anschlußdrähte (68) mit der Schalteinrichtung (16) verbunden sind.12. Schalter nach Anspruch 11,dadurch gekennzeichnet, daß das Kühlblech (66) aus einem die Schaltungsplatine (60) umschließenden äingsuheibenteil (70) und einer sich vom Innenumfang des Ringscheibenteils (70) aus im wesentlichen parallel zu der Schaltungsplatine (60) erstreckenden Haltelasche- (72) besteht, wobei auf beiden Oberflächen der Haltelasche (72) einer der Leistungstransistoren (64) vollflächig aufliegend befestigt ist.5 -13. Schalter nach Anspruch 12,dadurch gekennzeichnet, daß der Ringscheibenteil (70) des Kühlbleches (66) zwischen einer Ringstufe (74) des Gehäuses (4) und einer ringförmigen Stirnfläche (76) eines kappenförmigen, vorzugsweise über einen Dichtring (80) gegen das Gehäuse (4) abgedichteten Verschlußteils (78) gehalten ist.14. Schalter nach Anspruch 13,dadurch gekennzeichnet, daß die elektrischen Anschlußelemente (20) an dem aus einem Isoliermaterial bestehenden Verschlußteil (78) gehalten und über Anschlußdrähte (82) mit der Schaltungsplatine (60) verbunden sind.15. Schalter nach einem oder mehreren der Ansprüche 11 bis 14,dadurch gekennzeichnet, daß der Hall-Sensor (28) ausgangsseitig mit der Basis eines Transistors (92) verbunden ist, dessen Emitter mit Pluspotential und dessen Kollektor über eine Leitung (94) mit den Gate-Anschlüssen (G) der Leistungstransistoren (64) verbunden sind.16» Schalter nach Anspruch 15,dadurch gekennzeichnet, daß mit dem Kollektor des Transistors (92) über eine Leitung (104) auch der Eingang eines Multivibrators (106) verbunden ist, dessen Ausgang mit den Gate-Anschlüssen (G) der Leistungstransistoren (64) verbunden ist.— 6 —17. Schalter nach Anspruch 15 oder 16, dadurch gekennzeichnet, daß den Gate-Anschlüssen (6) der Leistungstransistoren (64) eine Zener-Diode (108) mit einer bestimmten Zener-Spannung von vorzugsweise 6,8 V vorgeschaltet ist.18. Schalter nach einem oder mehreren der Ansprüche 15 bis 17,dadurch gekennzeichnet, daß mit dem Kollektor des Transistors (92) auch ein aus einem Widerstand (110) und einem Kondensator (112) gebildetes Zeitglied verbunden ist, das vorzugsweise über einen Transistor (118) mit der Basis eines Transistors (120) verbunden ist, über dessen Emitter-Kollektor-Strecke eine zweite Zener-Diode (122) parallel zu der ersten Zener-Diode (108) geschaltet ist, wobei die zweite Zener-Diode (122) mit vorzugsweise 4,8 V eine geringere Zener-Spannung als die erste Zener-Diode (108) besitzt.19. Schalter nach einem oder mehreren der Ansprüche 15 bis 18,dadurch gekennzeichnet, daß das zu den Lampen (88) führende Anschlußelement (20) tiber eine Leitung (124) sowie vorzugsweise Über einen Widerstand (126) mit dem Eingang eines invertierenden IC-Gliedes (128) verbunden ist, welches ausgangssei ti; nit der Basis eines Transistors (132) verbund-», * t, dessen Emitter mit Masse und dessen Kollektor mit den Gate-Anschlüssen (G) der Leistungstransistoren (64) verbunden ist.
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