DE874936C - Transister fuer Stromverstaerkung - Google Patents

Transister fuer Stromverstaerkung

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DE874936C
DE874936C DEI3967A DEI0003967A DE874936C DE 874936 C DE874936 C DE 874936C DE I3967 A DEI3967 A DE I3967A DE I0003967 A DEI0003967 A DE I0003967A DE 874936 C DE874936 C DE 874936C
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collector electrode
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Expired
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DEI3967A
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German (de)
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Inventor
Kenneth Albert Matthews
Charles De Boismaison White
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International Standard Electric Corp
Original Assignee
International Standard Electric Corp
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Publication date
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    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03K—PULSE TECHNIQUE
    • H03K3/00—Circuits for generating electric pulses; Monostable, bistable or multistable circuits
    • H03K3/02—Generators characterised by the type of circuit or by the means used for producing pulses
    • H03K3/313—Generators characterised by the type of circuit or by the means used for producing pulses by the use, as active elements, of semiconductor devices with two electrodes, one or two potential barriers, and exhibiting a negative resistance characteristic

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US2653374A (en) 1953-09-29
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GB681809A (en) 1952-10-29

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