DE866818C - Dry rectifiers controlled by varied lighting - Google Patents

Dry rectifiers controlled by varied lighting

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DE866818C
DE866818C DEL1848A DEL0001848A DE866818C DE 866818 C DE866818 C DE 866818C DE L1848 A DEL1848 A DE L1848A DE L0001848 A DEL0001848 A DE L0001848A DE 866818 C DE866818 C DE 866818C
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DE
Germany
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electrode
layer
dry rectifier
semiconductor layer
parallel
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DEL1848A
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Werner Dr Phil Koch
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Licentia Patent Verwaltungs GmbH
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Licentia Patent Verwaltungs GmbH
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Description

Durch variierte Beleuchtung gesteuerte Trockengleichrichter Es sind aus einem Photowiderstand und einer Lichtduelle bestehende Gleichrichter vorgeschlagen worden, bei denen die Lichtduelle in ihrer Helligkeit im Takte des gleichzurichtenden Wechselstromes derart beeinflußt wird, daß der Photowiderstand in jeder Periode nur während der Durchlaßzeit belichtet wird. Gegenstand der Erfindung ist ein Trockengleichrichter mit einer Halbleiterschicht, deren Leitfähigkeit ebenfalls durch periodisch veränderte, insbesondere periodisch intermittierende Beleuchtung im Takte der gleichzurichtenden Wechselspannung gesteuert wird. Bei der erfindungsgemäßen Anordnung wird jedoch zu diesem Zweck nicht ein Photowiderstand verwendet, sondern -zwischen einer Halbleiterschicht und einer Elektrode eine Sperrschicht mit beleuchtungsabhängigem Widerstand angebracht und diese Elektrode mit möglichst feinverteilten Öffnungen zum Durchlassen der periodisch variierenden Strahlung versehen, während die andere Elektrode von der Hall)-leiterschicht durch eine die Bildung einer Sperrschicht verhindernde Zwischenschicht getrennt ist.Dry rectifiers controlled by varied lighting There are Proposed rectifier consisting of a photoresistor and a light source in which the light duels in their brightness in the cycle of the rectified Alternating current is influenced in such a way that the photoresistor in each period is only exposed during the transmission time. The invention relates to a dry rectifier with a semiconductor layer, the conductivity of which also changed periodically, in particular, periodically intermittent lighting in time with the one to be rectified AC voltage is controlled. In the arrangement according to the invention, however for this purpose a photoresistor is not used, but -between a semiconductor layer and a barrier layer with an illumination-dependent resistance is applied to an electrode and this electrode with as finely divided openings as possible to let through the periodically varying radiation, while the other electrode is from the Hall) conductor layer separated by an intermediate layer preventing the formation of a barrier layer is.

Die Figur zeigt ein bewährtes Ausführungsbeispiel für einen Gleichrichter gemäß der Erfindung.The figure shows a tried and tested embodiment for a rectifier according to the invention.

Auf der Trägerelektrode r, beispielsweise aus Aluminium, ist eine sehr dünne Wismutselenidschicht 2 angebracht, die mit einer beispielsweise 0,02 bis o,o5 mm dicken Selenschicht 3 belegt ist. Auf diese Schicht ist eine außerordentlich dünne, vorzugsweise o, z bis r,u dicke Schicht d. aus Isadmiumselenid angebracht. Der Widerstand dieser Sperrschicht ist beleuchtungsabhängig, es ist deshalb die vorzugsweise aus einer eutektischen Zinn-Kadmium-Wismut-Legierung bestehende Gegenelektrode 5 mit zahlreichen, möglichst feinverteilten Öffnungenversehen, damit dieperiodischvariierende Strahlung hinsichtlich ihres Widerstandes wieder zur beleuchtungsabhängigen Sperrschicht 4 gelangen kann.On the carrier electrode r, for example made of aluminum, is a very thin bismuth selenide layer 2 attached, with a, for example, 0.02 until 0.05 mm thick selenium layer 3 is covered. There is one extraordinary thing on this layer thin, preferably o, z to r, u thick layer d. attached from isadmium selenide. The resistance of this Barrier layer is lighting dependent, it is therefore preferably made of a eutectic tin-cadmium-bismuth alloy Provide the existing counter electrode 5 with numerous openings that are as finely distributed as possible, thus the periodically varying radiation again with regard to its resistance can reach the lighting-dependent barrier layer 4.

Die Öffnungen 7 in der Gegenelektrode 5 sind bei dem Ausführungsbeispiel nach Fig.2 durch Ritzen eines gleichmäßigen dünnen Metallüberzuges hergestellt, so daß sie ein feines Parallelgitter bilden, deren leitende Teile 5, vorzugsweise mehrfach, durch vorzugsweise nach der Herstellung des Gitters aufgebrachte Querverbindung 8 parallel geschaltet sind. Solche Querverbindungen können mit Vorteil aufgespritzt werden. Man kann jedoch auch mit den Querverbindungen versehene Gitter durch gestricheltes Ritzen, wie in Fig. 3 angedeutet ist, herstellen. Bei der Herstellung eins solchen Gitters wird das Ritzwerkzeug jedesmal von dem zu ritzenden Metallüberzug abgehoben und erst nach überqueren der Querverbindung wieder bis in die Ritzstellung dem Überzug genähert. Es entsteht auf diese Weise ein Kreuzgitter, dessen Widerstand bedeutend geringer ist als der eines. Parallelgitters, bei dem die leitenden Gitterstreifen 5 nur an den Enden oder zusätzlich noch an einige wenige zusätzliche Stellen durch Querverbindungen parallel geschaltet sind. In der Figur sind der Deutlichkeit halber die Gitterstreifen und die Ritzenteile zu grob wiedergegeben:, da die Schicht 4 nur o, i bis i dick zu sein braucht.The openings 7 in the counter electrode 5 are in the embodiment produced according to Fig. 2 by scratching a uniform thin metal coating, so that they form a fine parallel grid, the conductive parts 5, preferably several times, preferably by cross-connection applied after the grid has been produced 8 are connected in parallel. Such cross connections can be sprayed on with advantage will. However, one can also use the dashed grid with the cross connections Make scratches as indicated in FIG. 3. When making one In the grid, the scribing tool is lifted off the metal coating to be scribed each time and only after crossing the cross connection again up to the scoring position of the coating approached. In this way a cross grid is created, the resistance of which is significant is less than that of one. Parallel grid in which the conductive grid strips 5 only at the ends or in addition to a few additional places Cross connections are connected in parallel. In the figure are for clarity the lattice strips and the cracks are reproduced too roughly: because the layer 4 just o, i until i need to be fat.

Claims (7)

PATENTANSPRÜCHE: .i. Trockengleichrichter mit einer Halbleiterschicht, deren Leitfähigkeit durch periodisch veränderte, intermittierende Beleuchtung im Takt der gleichzurichtendenSpannung gesteuert wird, dadurch gekennzeichnet, daß zwischen der Halbleiterschicht und einer Elektrode eine Sperr-. Schicht mit beleuchtungsabhängigem Widerstand vorgesehen ist und diese Elektrode möglichst feinverteilte Öffnungen zum Durchlassen der periodisch variierenden Strahlung aufweist, während die andere Elektrode von der Halbleiterschicht durch eine die Bildung einer Sperrschicht verhindernden Zwischenschicht getrennt ist. PATENT CLAIMS: .i. Dry rectifier with a semiconductor layer, the conductivity of which is controlled by periodically changed, intermittent lighting in time with the voltage to be rectified, characterized in that a blocking element between the semiconductor layer and an electrode. Layer is provided with an illumination-dependent resistance and this electrode has as finely distributed openings as possible for the passage of the periodically varying radiation, while the other electrode is separated from the semiconductor layer by an intermediate layer preventing the formation of a barrier layer. 2. Trockengleichrichter nach Anspruch i, dadurch gekennzeichnet, daß als Halbleiterschicht eine Selenschicht mit einer Sperrschicht am beleuchtungsabhängigen Widerstand, vorzugsweise aus Kadmiumselen, vorgesehen ist, während auf der anderen Seite der Halbleiterschicht eine die Bildung einer Sperrschicht verhindernde Zwischenschicht, vorzugsweise aus Wismutselenid, die Verbindung zur Trägerelektrode herstellt. 2. Dry rectifier according to claim i, characterized in that that the semiconductor layer is a selenium layer with a barrier layer on the lighting-dependent Resistance, preferably made from cadmium selenium, is provided while on the other Side of the semiconductor layer an intermediate layer preventing the formation of a barrier layer, preferably made of bismuth selenide, which creates a connection to the carrier electrode. 3. Trockengleichrichter, insbesondere, Selengleichrichter, nach Anspruch i oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß die mit Öffnungen versehene Elektrode aus einer Zinn-Kadmium-Wismut-Legierung, vorzugsweise aus der eutektischen Legierung dieser Metalle, besteht. 3. Dry rectifier, in particular selenium rectifier, according to claim 1 or 2, characterized in that the electrode provided with openings is made of a tin-cadmium-bismuth alloy, preferably from the eutectic alloy of these metals. 4. Trockengleichrichter nach Anspruch i oder folgenden, dadurch gekennzeichnet, daß als Öffnungen aufweisende Elektrode ein vorzugsweise durch Ritzen eineis@ gleichmäßigen dünnen Metallüberzuges hergestelltes Parallelgitter dient, dessen leitende Teile, vorzugsweise mehrfach, parallel geschaltet sind. 4. Dry rectifier according to claim i or following, characterized in that as openings having Electrode an even thin metal coating, preferably by scratching produced parallel grid is used, the conductive parts of which, preferably multiple, are connected in parallel. 5. Trockengleichrichter nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, daß die Parallelschaltung durch nach der Herstellung des Gitters aufgebrachte, vorzugsweise aufgespritzte Querverbindungen bewirkt ist. 5. Dry rectifier according to claim 4, characterized in that that the parallel connection by applied after the production of the grid, preferably sprayed cross connections is effected. 6. Trockengleichrichter nach Anspruch i oder folgenden; dadurch gekennzeichnet, daß als Öffnungen aufweisende Elektrode ein durch gestricheltes Ritzen eines gleichmäßigen dünnen Metallüberzuges hergestelltes Kreuzgitter dient. 6. Dry rectifier according to claim i or following; characterized in that the electrode having openings one produced by scoring an even, thin metal coating with broken lines Cross lattice is used. 7. Trockengleichrichter nach Anspruch 4 oder folgenden, dadurch gekennzeichnet, daß der Querschnitt der zum Parallelschalten der Streifen des Parallelgitters dienenden leitenden Teile wesentlich größer ist als der der Gitterstreifen. B. Trockengleichrichter nach Anspruch 7, dadurch gekennzeichnet, daß die als Querverbindungen dienenden Teile vorzugsweise durch nachträgliches Auftragen, beispielsweise Aufspritzen von Metall, möglichst unter einer Verbreiterung verstärkt sind. Angezogene Druckschriften: Physik. Zeitschrift, 32. Jahrg., 1931, Heft 7, S. 286 bis 288.7. Dry rectifier according to Claim 4 or the following, characterized in that the cross section of the conductive parts used for connecting the strips of the parallel grid in parallel is substantially larger than that of the grid strips. B. dry rectifier according to claim 7, characterized in that the parts serving as cross connections are preferably reinforced by subsequent application, for example spraying on of metal, if possible with a broadening. Referred to: Physics. Journal, 32nd year, 1931, issue 7, pp. 2 8 6 to 288.
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