DE834363C - Verfahren und Vorrichtung zur Herstellung duenner Glimmerfolien - Google Patents

Verfahren und Vorrichtung zur Herstellung duenner Glimmerfolien

Info

Publication number
DE834363C
DE834363C DEZ1736A DEZ0001736A DE834363C DE 834363 C DE834363 C DE 834363C DE Z1736 A DEZ1736 A DE Z1736A DE Z0001736 A DEZ0001736 A DE Z0001736A DE 834363 C DE834363 C DE 834363C
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
mica
film
jet
layers
foils
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired
Application number
DEZ1736A
Other languages
English (en)
Inventor
Dipl-Phys Heinz Dresia
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
ZENTRAL WERKSTATT GOETTINGEN
Original Assignee
ZENTRAL WERKSTATT GOETTINGEN
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by ZENTRAL WERKSTATT GOETTINGEN filed Critical ZENTRAL WERKSTATT GOETTINGEN
Priority to DEZ1736A priority Critical patent/DE834363C/de
Application granted granted Critical
Publication of DE834363C publication Critical patent/DE834363C/de
Expired legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B28WORKING CEMENT, CLAY, OR STONE
    • B28DWORKING STONE OR STONE-LIKE MATERIALS
    • B28D1/00Working stone or stone-like materials, e.g. brick, concrete or glass, not provided for elsewhere; Machines, devices, tools therefor
    • B28D1/32Methods and apparatus specially adapted for working materials which can easily be split, e.g. mica, slate, schist
    • B28D1/322Splitting of the working materials

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Mining & Mineral Resources (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Perforating, Stamping-Out Or Severing By Means Other Than Cutting (AREA)

Description

  • Verfahren und Vorrichtung zur Herstellung dünner Glimmerfolien Die Erfindung betrifft ein Verfahren und eine Vorrichtung zur Herstellung dünner Glimmerfolien sowie die nach dem Verfahren hergestellten Folien selbst. Insbesondere sollen die Glimmerfolien für Zählrohre zur Messung radioaktiver Strahlen als vakuumdichte Fenster, als gekrümmte Kristalle in Röntgenspektographen, als Bauelemente bei Interferenzapparaturen oder in der Polarisationsoptik als Austrittsfenster für Röntgenstrahlen od. dgl. zur Anwendung kommen. In allen diesen Fällen ist es notwendig, daß die Folien i bis io ,et dick sind und andererseits in der Lage sind, einer .großen Beanspruchung Widerstand zu leisten. Um Glimmerfolien herzustellen, hat man bereits die Glimmerstücke im Wasser erweicht und versucht, mit mechanischen Mitteln, beispielsweise feinen Messern od. dgl., die Glinmierschichten abzulösen. Abgesehen davon, daB es nach der bekannten Arbeitsweise nicht möglich war, sehr dünne und feste Folien herzustellen, wurden aber auch die einzelnen Folien beschädigt, so daß sie einer mechanischen Beanspruchung nicht mehr standhalten 'konnten, bzw. war es überhaupt nicht möglich, Folien größerer Abmessungen herzustellen.
  • Durch die Erfindung werden die Nachteile der bisher bekannten Verfahren beseitigt, indem erfindungsgemäß zum Ablösen einzelner dünner Glimmerschichten von beliebig geringer Stärke ein Wasserstrahl zur Anwendung gelangt, welcher unter Druck von der Seite her gegen den vorher im Wasser erweichten und zurechtgeformten Glimmerblock gerichtet wird. Es lassen sich auf diese Weise von dem ursprünglichen Glimmerstück Folien von außerordentlich geringer Stärke herstellen (etwa o,oo2 biss o,oi mm). Das Aufspalten der einzelnen Schichten mit Hilfe des Wasserstrahles wird außerdem noch unterstützt mit einem zwischen die einzelnen Schichten einzuführenden Spatel, Span od. dgl., wobei der Druckwasserstrahl auf den Spatelrücken gelenkt wird und das Ablösen der Glimmerschicht wieder unter der Einwirkung des Wassers erfolgt.
  • Gegebenenfalls kann aber auch eine andere Flüssigkeit als Wasser verwendet werden, oder der Flüssigkeit wird ein Benetzungsmittel zugesetzt, welches die Oberflächenspannung im Glimmer herabsetzt. Der Strahl soll vorzugsweise nach dem Austritt aus der Flüssigkeitsleitung scharf schneiden, ci. h. dem Strahl wird durch die Düse ein Drall erteilt, so daß eine Stelle entsteht, an welcher der Strahl sich selbst überschneidet, d. h. seinen kleinsten Querschnitt besitzt. Diese Stelle wird erfindungsgemäß mit der Kante des zu spaltenden Glimmerblockeis in Berührung gebracht, wodurch das Abspalten der Folie erfolgt. Vorzugsweise erfolgt nach der Ablösung der dünnen Glimmerschichten eine Trocknung derselben in einer geeigrieten Vakuumtrockenvorrichtung (Exikator). Zum Schutz der Folien und um eine weitere Verarbeitung zu gestatten, werden die abgelösten Glimmerfolien nach ihrer Trocknung in einem geeigneten Rahmen oder einer Halterung unter Zuhilfenahme eines polymerisierenden Kittes eingekittet. Der Kitt gellt mit denn Material der Folie eine innige Bindung ein, so daß es nunmehr möglich ist, die eingestellten Folien einer außerordentlich großen Druckbeari@spruchung zu unterwerfen. Um die Folie als Spiegel od. dgl. zu verwenden, läßt sich auf diese noch eine Metallschicht, beispielsweise durch Aufdämpfen, Aufschmelzen, durch chemisches Auftragen, durch Kathodenzerstäubung od. dgl., aufbringen.
  • Die Vorrichtung zur Durchführung des Verfährens bzw. zur Erzeugung dünner Glimmerfolien kennzeichnet sich durch eine an eine Flüssigkeitsleitung angeschlossene Düse, die einen in sich schneidenden Druckflüssigkeitsstrahl bildet, wobei geeignete Haltemittel für den Glimmerblock vorgesehen sind, die es gestatten, den Glimmerblock an den Flüssigkeitsstrahl im Bereich seiner Schneidstelle Heranzubringen, und die gleichzeitig ein allmählichesDrehen oder Bewegen des Glimmerblockes gestatten, um den sich schneidenden Flüssigkeitsstrahl über die ganze untere Schnittfläche bzw. über die ganze Ausdehnung der abzuspaltenden Glimmerfolie hinwegzuführen.
  • Der Erfindungsgedanke läßt die verschiedensten Ausführungsmöglichkeiten zu. Einige davon sind in der Zeichnung dargestellt, und zwar zeigt Fig. i einen Glimmerblock von zylindrischer Form, Fig. 2 bis 4 Darstellungen über das Ablösen einer Glimmerfolie, Fig.5 eine in einen Rahmen eingebettete Folie und Fig.6 einen Schnitt durch die in den Rahmen eingespannte Folie. Die zur Verwendung gelangenden Glimmerblöcke werden in üblicher Weise erst in Wasser erweicht und in ihrer Form so bearbeitet, claß sich beim Abspalten der einzelnen Schichten schon die benötigten Folienabmessungen ergeben. Fig. i stellt einen Glimmerblock i dar, der aus vielen übereinanderliegenden dünnen Glimmerschichten besteht. Nachdem dieser Block im Wasser erweicht ist, wird er unter eine Düse 2 gebracht, aus der ein Druckflüssigkeitsstrahl3 austritt. Die Düse ist so gestaltet, daß sich der Strahl 3 in sich schneidet. Die Schneidstelle ist mit 4 bezeichnet. Der Block i wird nunmehr so an den Strahl herangeführt, daß der Strahl 3 mit seiner Schneidstelle I gegen die Schichten trifft. Dabei läßt sich durch genaues Anhalten die vorderste Folie 5 (Fig. 3) leicht abspalten. In den Spalt wird schließlich ein Spatel 6 od. dgl. leicht eingeführt, wobei der Flüssigkeitsstrahl 3 auf den Rücken des Spatels gelenkt wird. Die Flüssigkeit umströmt den Spatel6 und spaltet gleichmäßig von beiden Seiten her allmählich die Folie 5 von dem übrigen block i ab. Es lassen sich auf diese Weise die dünnsten Abspaltungen durchführen. Um die Beanspruchung der 'Folien beim Abtrennen nicht zu groß werden zii lassen, kann man den Block i in dem Wasserstrahl drehen, so daß der Wasserstrahl mit seiner Schneidstelle 4 allmählich über die ganze Fläche der Folie 5 bzw. des Gliininerblockes i hinweggeführt wird.
  • Die abgespaltete dünne Gliininerfolie, die eilte Stärke. von etwa 0,002 mm und noch darunter haben kann, wird in einen Rahmen eingespannt, und zwar besteht dieser Rahmen aus den Halteringen 7 bzw. 8, die zwischen sich die Folie 5 aufnehmen, wobei die Folie mit Hilfe eines polymerisierenden Kittes, wie z. B. Araldit, in den Rahmen 7, 8 eingekittet ist. Die Anordnung ist dabei so getroffen, daß die Folie 5 nicht unmittelbar auf dem -Metallrahmen 8 oder 7 aufliegt, sondern jeweils eine Zwischenschicht 9 des polymerisierenden Kittes zwischengeschaltet ist.
  • Je nachdem, zu welchem Zweck die Folie verwendet wird, läßt sich diese auf einer Seite noch finit einem Metallbelag versehen, -,wobei die :Metallschicht durch Aufdämpfen, Aufschmelzen, durch chemische Auftragung, durch Kathodenzerstäubung u. d'gl. aufzubringen ist.
  • Folien der in Frage stehenden Art lassen sich für die verschiedensten Verwendungszwecke gebrauchen, insbesondere ist es möglich, diese dünnen Folien für Zählrohre zur Messung radioaktiver Strahlungen, als vakuumdichte, Fenster, als Spiegel, Reflektoren für Röntgenspektograpben us,#v. zu verwenden.

Claims (7)

  1. PATL;NTANSPRGCIIF:: i. Verfahren zur Herstellung dünner Glimmerfolien, dadurch gekennzeichnet, daß mit Hilfe eines Flüssigkeitsstrahles das Ablösen einzelner dünner Glimmerschichten von beliebig geringer Stärke erfolgt, indem der Strahl unter Druck von der Seite her gegen den vorher im Wasser od. d'gl. erweichten und zurechtgeformten Glimmerblock gerichtet wird.
  2. 2. Verfahren nach Anspruch i, dadurch gekennzeichnet, daß nachAufspalten der einzelnen Schichten mit Hilfe des Flüssigkeitsstrahles zwischen die Schichten ein Spatel, Span od. dgl. eingeführt und der Strahl zum endgültigen Ablösen der abgeteilten Schicht auf den Rücken des Spatels gerichtet wird.
  3. 3. Verfahren nach Anspruch i und 2, dadurch gekennzeichnet, -daß für das Ablösen der einzelnen Glimmersc'hichten ein Druckwasserstrahl benutzt wird, der sich in sich selbst schneidet.
  4. Verfahren zur Herstellung dünner Glimmerfolieli, dadurch gekennzeichnet, daß der Flüssigkeitsstrahl mit seiner Schneidstelle über die ganze Fläche der abzulösenden Glimmerfolie hinweggeführt wird bzw. daß beim Ablösen der Folie der diese noch haltende Glimmerblock an der Schneidstelle desFlüssigkeitsstrahles vorbeigeführt wird.
  5. 5. Verfahren nach Anspruch i bis .4, dadurch gekennzeichnet, daß die abgelösten dünnen Glimmerschichten in einer Vakuumtrockenvorrichtung getrocknet werden.
  6. 6. Verfahren nach Anspruch i bis 5, dadurch gekennzeichnet, daß die abgelösten Glimmerfolien nach ihrer Trocknung in einem geeigneten Rahmen, einer Halterung od. dgl., vermittels polymerisierenden Kittes eingekittet werden.
  7. 7. Eine nach dem Verfahren gemäß Anspruch i bis 5 hergestellte Glimmerfolie für Zählrohre, vakuumdichte Fenster, Spiegel, Reflektoren od. dgl., gekennzeichnet durch eine relativ geringe Folenstärke, etwa 0,004 bis o,oi mm, und die Einbettung der Folie in einer Halterung unter Zuhilfenahme eines polymerisierenden Kittes. B. Glimmerfolie nach Anspruch 7, dadurch gekennzeichnet, daß auf die Folie eine Metallschicht durch Aufdampfen, Aufschmelzen, durch Kathodenzerstäubung od. dgl. aufgebracht ist. Eine Vorrichtung zur Durchführung des Verfahrens nach Anspruch i bis 6, gekennzeichnet durch eine an eine Flüssigkeitsleitung angeschlossene Düse zur Erzeugung eines sich schneidenden Druckflüssigkeitsstrahles und Haltemittel für den Glimmerblock, die es gestatten, den Glimmerblock so an den Flüssigkeitsstrahl heranzubringen, daß der sich zu einer Fläche schneidende Wasserstrahl die einzelnen Folien von dem Glimmerblock abspaltet.
DEZ1736A 1951-02-27 1951-02-27 Verfahren und Vorrichtung zur Herstellung duenner Glimmerfolien Expired DE834363C (de)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DEZ1736A DE834363C (de) 1951-02-27 1951-02-27 Verfahren und Vorrichtung zur Herstellung duenner Glimmerfolien

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DEZ1736A DE834363C (de) 1951-02-27 1951-02-27 Verfahren und Vorrichtung zur Herstellung duenner Glimmerfolien

Publications (1)

Publication Number Publication Date
DE834363C true DE834363C (de) 1952-03-20

Family

ID=7618243

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DEZ1736A Expired DE834363C (de) 1951-02-27 1951-02-27 Verfahren und Vorrichtung zur Herstellung duenner Glimmerfolien

Country Status (1)

Country Link
DE (1) DE834363C (de)

Cited By (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO1991009715A1 (en) * 1989-12-22 1991-07-11 Skifferbolaget Jacobsson & Oscarsson Ab Method for cleaving laminated mineral blocks, device for carrying out the method and a product produced by means of the method
US6146979A (en) 1997-05-12 2000-11-14 Silicon Genesis Corporation Pressurized microbubble thin film separation process using a reusable substrate
WO2001010644A1 (en) * 1999-08-10 2001-02-15 Silicon Genesis Corporation Method and apparatus for cleaving a substrate
US6263941B1 (en) 1999-08-10 2001-07-24 Silicon Genesis Corporation Nozzle for cleaving substrates
US6284631B1 (en) 1997-05-12 2001-09-04 Silicon Genesis Corporation Method and device for controlled cleaving process
US6291326B1 (en) 1998-06-23 2001-09-18 Silicon Genesis Corporation Pre-semiconductor process implant and post-process film separation
US6291313B1 (en) 1997-05-12 2001-09-18 Silicon Genesis Corporation Method and device for controlled cleaving process
US6500732B1 (en) 1999-08-10 2002-12-31 Silicon Genesis Corporation Cleaving process to fabricate multilayered substrates using low implantation doses
US6548382B1 (en) 1997-07-18 2003-04-15 Silicon Genesis Corporation Gettering technique for wafers made using a controlled cleaving process
US7776717B2 (en) 1997-05-12 2010-08-17 Silicon Genesis Corporation Controlled process and resulting device
US7811900B2 (en) 2006-09-08 2010-10-12 Silicon Genesis Corporation Method and structure for fabricating solar cells using a thick layer transfer process
US8293619B2 (en) 2008-08-28 2012-10-23 Silicon Genesis Corporation Layer transfer of films utilizing controlled propagation
US8329557B2 (en) 2009-05-13 2012-12-11 Silicon Genesis Corporation Techniques for forming thin films by implantation with reduced channeling
US8330126B2 (en) 2008-08-25 2012-12-11 Silicon Genesis Corporation Race track configuration and method for wafering silicon solar substrates
US8993410B2 (en) 2006-09-08 2015-03-31 Silicon Genesis Corporation Substrate cleaving under controlled stress conditions
US9362439B2 (en) 2008-05-07 2016-06-07 Silicon Genesis Corporation Layer transfer of films utilizing controlled shear region

Cited By (36)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO1991009715A1 (en) * 1989-12-22 1991-07-11 Skifferbolaget Jacobsson & Oscarsson Ab Method for cleaving laminated mineral blocks, device for carrying out the method and a product produced by means of the method
US6511899B1 (en) 1997-05-12 2003-01-28 Silicon Genesis Corporation Controlled cleavage process using pressurized fluid
US6290804B1 (en) 1997-05-12 2001-09-18 Silicon Genesis Corporation Controlled cleavage process using patterning
US6159825A (en) 1997-05-12 2000-12-12 Silicon Genesis Corporation Controlled cleavage thin film separation process using a reusable substrate
US6146979A (en) 1997-05-12 2000-11-14 Silicon Genesis Corporation Pressurized microbubble thin film separation process using a reusable substrate
US6187110B1 (en) 1997-05-12 2001-02-13 Silicon Genesis Corporation Device for patterned films
US7846818B2 (en) 1997-05-12 2010-12-07 Silicon Genesis Corporation Controlled process and resulting device
US6245161B1 (en) 1997-05-12 2001-06-12 Silicon Genesis Corporation Economical silicon-on-silicon hybrid wafer assembly
US7776717B2 (en) 1997-05-12 2010-08-17 Silicon Genesis Corporation Controlled process and resulting device
US6284631B1 (en) 1997-05-12 2001-09-04 Silicon Genesis Corporation Method and device for controlled cleaving process
US6155909A (en) 1997-05-12 2000-12-05 Silicon Genesis Corporation Controlled cleavage system using pressurized fluid
US6291313B1 (en) 1997-05-12 2001-09-18 Silicon Genesis Corporation Method and device for controlled cleaving process
US6558802B1 (en) 1997-05-12 2003-05-06 Silicon Genesis Corporation Silicon-on-silicon hybrid wafer assembly
US6294814B1 (en) 1997-05-12 2001-09-25 Silicon Genesis Corporation Cleaved silicon thin film with rough surface
US6391740B1 (en) 1997-05-12 2002-05-21 Silicon Genesis Corporation Generic layer transfer methodology by controlled cleavage process
US6458672B1 (en) 1997-05-12 2002-10-01 Silicon Genesis Corporation Controlled cleavage process and resulting device using beta annealing
US6486041B2 (en) 1997-05-12 2002-11-26 Silicon Genesis Corporation Method and device for controlled cleaving process
US6790747B2 (en) 1997-05-12 2004-09-14 Silicon Genesis Corporation Method and device for controlled cleaving process
US6162705A (en) 1997-05-12 2000-12-19 Silicon Genesis Corporation Controlled cleavage process and resulting device using beta annealing
US6632724B2 (en) 1997-05-12 2003-10-14 Silicon Genesis Corporation Controlled cleaving process
US6528391B1 (en) 1997-05-12 2003-03-04 Silicon Genesis, Corporation Controlled cleavage process and device for patterned films
US6548382B1 (en) 1997-07-18 2003-04-15 Silicon Genesis Corporation Gettering technique for wafers made using a controlled cleaving process
US6291326B1 (en) 1998-06-23 2001-09-18 Silicon Genesis Corporation Pre-semiconductor process implant and post-process film separation
US6513564B2 (en) 1999-08-10 2003-02-04 Silicon Genesis Corporation Nozzle for cleaving substrates
US6500732B1 (en) 1999-08-10 2002-12-31 Silicon Genesis Corporation Cleaving process to fabricate multilayered substrates using low implantation doses
US6263941B1 (en) 1999-08-10 2001-07-24 Silicon Genesis Corporation Nozzle for cleaving substrates
WO2001010644A1 (en) * 1999-08-10 2001-02-15 Silicon Genesis Corporation Method and apparatus for cleaving a substrate
US9356181B2 (en) 2006-09-08 2016-05-31 Silicon Genesis Corporation Substrate cleaving under controlled stress conditions
US8993410B2 (en) 2006-09-08 2015-03-31 Silicon Genesis Corporation Substrate cleaving under controlled stress conditions
US7811900B2 (en) 2006-09-08 2010-10-12 Silicon Genesis Corporation Method and structure for fabricating solar cells using a thick layer transfer process
US9640711B2 (en) 2006-09-08 2017-05-02 Silicon Genesis Corporation Substrate cleaving under controlled stress conditions
US9362439B2 (en) 2008-05-07 2016-06-07 Silicon Genesis Corporation Layer transfer of films utilizing controlled shear region
US11444221B2 (en) 2008-05-07 2022-09-13 Silicon Genesis Corporation Layer transfer of films utilizing controlled shear region
US8330126B2 (en) 2008-08-25 2012-12-11 Silicon Genesis Corporation Race track configuration and method for wafering silicon solar substrates
US8293619B2 (en) 2008-08-28 2012-10-23 Silicon Genesis Corporation Layer transfer of films utilizing controlled propagation
US8329557B2 (en) 2009-05-13 2012-12-11 Silicon Genesis Corporation Techniques for forming thin films by implantation with reduced channeling

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE834363C (de) Verfahren und Vorrichtung zur Herstellung duenner Glimmerfolien
DE1436322B1 (de) Verfahren zum Herstellen feiner Poren in scheibenfoermigen Koerpern mittels energiereicher Strahlung
DE1479706B2 (de) Verfahren und vorrichtung zum verbessern der adhaesion von folien oder platten aus polymeren werkstoffen an metall flaechen
DE2742922C2 (de) Verfahren zum mittelbaren Verbinden zweier Teile
DE2638097A1 (de) Verfahren zur oberflaechenbehandlung von kunststofflinsen und nach diesem hergestellte produkte
DE2613490C3 (de) Verfahren zum Entfernen von Vorsprüngen von der Oberfläche einer Halbleiterschicht
EP0279949A1 (de) Verfahren zur Herstellung von Halbleiterbauelementen
DE2801475B2 (de) Verfahren und Vorrichtung zur Randbeschneidung von Metalldosen
DE2922642B1 (de) Verfahren zum Herstellen von Platten fuer den Aufbau von Trennduesenelementen
DE2202015A1 (de) Verfahren zur Verbesserung der Eigenschaften von Stahlschneidkanten
DE2418101C2 (de) Verfahren zur Herstellung metallbeschichteter Diamantpartikel
DE2217086A1 (de) Metallischer Verbundstreifen
DE1771233C3 (de) Verfahren zum Verfestigen einer Schicht aus einem glasartigen oder vitrokristallinen Material
EP0202416A1 (de) Verfahren zum Herstellen von Spinndüsenplatten
CH663220A5 (de) Verfahren zum herstellen von schichtwerkstoff oder schichtwerkstuecken.
WO2022135779A1 (de) Verfahren zum bearbeiten, insbesondere zum vortrennen, eines flaechigen substrats
DE102004001173A1 (de) Verfahren zur Herstellung von zur Untersuchung mittels Transmissionselektronenmikroskopie geeigneten Proben
EP1637235B1 (de) Verfahren zum Beschichten einer Möbelplatte aus einem Holzwerkstoff mit Pulverlack
DE658852C (de) Verfahren zum Herstellen von mehrschichtigem splittersicherem Glas mit Drahteinlagen, insbesondere fuer elektrische Erwaermung
DE1281899B (de) Verfahren zum Erzeugen von vertieften Verzierungen durch Sandstrahlen
DE4301937C1 (de) Verfahren zum Herstellen dünner Platten aus Natur- oder Kunststein
DE102018131606B4 (de) Verfahren zur Bearbeitung eines Siliziumwafers mit einer den Wafer durchziehenden Hohlraumstruktur
EP0626721A1 (de) Verfahren zur Erzeugung eines Oberflächenprofils in einer Oberfläche eines Substrats
DE3223227A1 (de) Verfahren zur modifizierung der mechanischen eigenschaften eines siliciumcarbidkoerpers
DE3035081A1 (de) Verfahren zum zerteilen eines halbleiterkoerpers