DE823767C - Hochvakuum-Ionenstrahlroehre mit Gluehkathode - Google Patents
Hochvakuum-Ionenstrahlroehre mit GluehkathodeInfo
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- DE823767C DE823767C DEP35731A DEP0035731A DE823767C DE 823767 C DE823767 C DE 823767C DE P35731 A DEP35731 A DE P35731A DE P0035731 A DEP0035731 A DE P0035731A DE 823767 C DE823767 C DE 823767C
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J27/00—Ion beam tubes
- H01J27/02—Ion sources; Ion guns
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Combustion & Propulsion (AREA)
- Electron Sources, Ion Sources (AREA)
Description
- Die Erfindung betrifft eine Tonenstrahlröhre mit Glüh-Hohlkathode im Hochvakuum. Es sind bereits Anordnungen bekannt, bei denen einerseits mit der sogenan.nten Krugschen Hohlkathode im Glimmentladungszustand .gearbeitet wurde und bei denen andererseits aber auch eine Glüh-Hohlkathode im Hochvakuum zur Verwendung kam, um Elektronenstrahlbündel für Elektronenstrahloszillographen mit niedrigen Spannungen zu erzeugen.
- Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde,. eine Ionenstrahlerzeugung mit einem einzigen System vorzunehmen. Erfindungsgemäß wird hierzu eine beiderseits offene Glüh-Hohlkathode verwendet, deren einer Öffnungsseite eine Elektrode als .11,node und deren anderer Öffnungsseite eine negative Spaltelektrode oder Lochelektrode gegenüberstehen. Dabei können zusätzliche elektrische bzw. magnetische Felder angewendet werden, die der Beeinflussung der Richtung und Konzentration des Tonenstrahles dienen.
- An Hand der Zeichnung soll die Erfindung näher erläutert werden. Die Figur zeigt rein schematisch einen Ionenstrahlerzeiuger nach der Erfindung in seinen für die Erfindung wesentlichenTeilen. Mit r ist hierbei eine an beiden Seiten offene Glüh-Hohlkathode bezeichnet. Gegenüber der einen Öffnungsseite der Hohlkathode befindet sich eine
gegenüber der Kathode positive Anode 2 zur Be- schleunigung der emittierten Elektronen und zur Stoßerzeugung mit dem Restgas. Gegenüber der anderen Öffnungsseite ist eine gegenüber der Kathode negative Spaltelektrode 3 vorgesehen, die zum Ansaugen der im Ionisierungsraum gebildeten positiven Ionen dient. Die Wirkung zusätzlicher elektrostatischer oder magnetischer Felder ist durch die gestrichelt gezeichneten Linsen :1 und 5 ver- anschaulicht, die eine Beeinflussung der Richtung und Konzentration des Ionenstrahles auf die Blende herbeiführen.
Claims (1)
-
PATENTANSPRÜCHE: t. Hochvakuum-Ionenstrahlröhre mit Glüh- kathode, gekennzeichnet durch eine beiderseits offene Glüh-Hohlkathode, deren einer Öffnungs- seite eine positive 1lektrode als Anode und deren anderer Öffnungsseite eine negative Spalt- elektrode gegenüberstellen. 2. Hochvakuum-Ionenstrahlröhre nach An- spruch r, dadurch gekennzeichnet, daß zusätz- liche elektrostatische und/oder magnetische Felder zur Beeinflussung der Richtung und Konzentration des Ionenstrahles vorgesehen sind.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DEP35731A DE823767C (de) | 1949-03-04 | 1949-03-04 | Hochvakuum-Ionenstrahlroehre mit Gluehkathode |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DEP35731A DE823767C (de) | 1949-03-04 | 1949-03-04 | Hochvakuum-Ionenstrahlroehre mit Gluehkathode |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE823767C true DE823767C (de) | 1951-12-06 |
Family
ID=7374362
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DEP35731A Expired DE823767C (de) | 1949-03-04 | 1949-03-04 | Hochvakuum-Ionenstrahlroehre mit Gluehkathode |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
DE (1) | DE823767C (de) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0067450A2 (de) * | 1981-06-17 | 1982-12-22 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Spannungsquelle für Lichtbogen-Ionenquelle |
-
1949
- 1949-03-04 DE DEP35731A patent/DE823767C/de not_active Expired
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0067450A2 (de) * | 1981-06-17 | 1982-12-22 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Spannungsquelle für Lichtbogen-Ionenquelle |
EP0067450A3 (en) * | 1981-06-17 | 1983-02-16 | Tokyo Shibaura Denki Kabushiki Kaisha | Power source device for ion sources |
US4454453A (en) * | 1981-06-17 | 1984-06-12 | Tokyo Shibaura Denki Kabushiki Kaisha | Power source device for ion sources |
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