DE8220989U1 - Drucksensor - Google Patents

Description

κ. 17305 i.p.

'30.6. 1982 Wt/Hm

ROBERT BOSCH GMBH, 7OOO STUTTGART 1

Drucksensor
Stand der Technik

Die Erfindung geht aus von einem Drucksensor nach der Gattung des Anspruches A.

Es ist bekannt, zur Messung von Absolut- oder Relativdrücken Drucksensoren zu vervenden, bei denen eine druckabhängig auslenkbare Membrandose einen Permanentmagneten trägt, der mit einem feststehenden magnetfeldempfindlichen Element zusammenwirkt. Ein derartiger Sensor v- ist beispielsweise in der DE-OS 28 1+2 1U0 beschrieben.

Diese bekannten Sensoren bedürfen jedoch einer gesonderten Auswerteschaltung, außerdem können sich unerwünschte Temperaturabhängigkeiten ergeben und schließlich sind besondere Vorkehrungen hinsichtlich der Betriebsspannung erforderlich-

Vorteile der Erfindung

Der erfindungsgemäße Sensor mit den kennzeichnenden Merkmalen des Hauptanspruches hat demgegenüber den Vorteils daß durch Integration der Auswerteschaltung in das Sensorgehäuse ein "besonders kompakter und störunanfälliger Aufbau des Sensors möglich wird. Darüber hinaus ergibt das verwendete magnetfeldempfindliche Element einen besonders geringen Temperaturgang, wobei der noch verbleibende geringe Temperaturgang weiterhin durch den (_ Aufbau der integrierten Auswerteschaltung kompensiert

werden kann. Schließlich erfordert das erfindungsgemäß verwendete temperaturempfindliche Element nur geringe Versorgungsspannungen.

Durch die in den Unteransprüchen aufgeführten Maßnahmen sind vorteilhafte Weiterbildungen des im Hauptanspruch angegebenen Drucksensors möglich.

Bei Ausbildung des Sensors als Absolutdrucksensor wird eine geschlossene, vorzugsweise evakuierte Membran dose verwendet. Das Gehäuse wird von einer Substratplatte

, verschlossen und mit dem Meßdruck beaufschlagt. Durch Anordnung des magnetfeldempfindlichen Elementes und der Auswerteschaltung auf der dem Meßdruck abgewandten Seite wird ein Schutz dieser Elemente vor dem oftmals agressiven Druckmedium erzielt.

Bei Realisierung eines Absolutdruck-Sensors wird ferner ein besonders kompakter Aufbau dadurch erzielt, daß als Substratplatte für die integrierte Auswerteschaltung und das magnetfeldempfindliche Element eine Kupferplatte ver-

' · ·..".:.. 17685 i.P,

wendet wird, auf die eine Wellmembran-Halbdose gelötet wird, so daß Dose und Substratplatte eine Baueinheit
bilden. Dies ergibt auch eine einheitliche Technologie und eine einfachere Herstellung eines erfindungsgemäßen ' Sensors.

Weitere Vorteile ergeben sich aus der Beschreibung sowie der beigefügten Zeichnung.

Zeichnung

j w Die Erfindung ist in der Zeichnung dargestellt und wird in der nachfolgenden Beschreibung näher erläutert. Es

zeigen Figuren 1 bis 3 jeweils einen Querschnitt durch eine erste bzw. dritte Ausführungsform eines erfindungs-

' gemäßen Drucksensors.

Beschreibung des Ausführungsbeispiels

In der Figur>1 bezeichnet 10 eine Membrandose, der über
einen Stutzen 11 ein Druck zuführbar ist. Die Membrandose 10 trägt einen Permanentmagneten 12, vorzugsweise eine Kobalt-Seltene-Erden-Legierung, etwa CoSm. Gegenüber ν^; dem Permanentmagneten 12 ist raumfest ein GaAs-HaIl-

Element 13 auf einer Substratplatte 1h angeordnet. Die Substratplatte 1U trägt weiterhin einen Hybridschaltkreis bestehend aus Dickschichtwiderständen 15a, 15b

sowie wenigstens einem Differenzverstärker 16. Die Substratplatte 1h begrenzt ein Ende eines Gehäuses 17, in das eine Scheibe 18 mit einem Gewinde 19 eingeschraubt ist, wobei die Scheibe 18 den Stutzen 11 bzw. die Membrandose 10 mit Permanentmagnet 12 trägt. Die Scheibe stützt sich über eine Feder 20 am Gehäuse 17 ab. Schließlich ist noch ein elektrischer Anschluß 21 für den Hybridschaltkreis auf der Substratplatte 1k vorgesehen.

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Wird der Membrandose 10 über den Stutzen 11 ein Meßdruck zugeführt, wird die Membrandose 10 ausgelenkt

_u und damit der Abstand des Permanentmagnetens 12 vom

f; Element 13 variiert. Dies ergibt ein sich ändern-

!* des Ausgangssignal des Elementes 13, wobei das GaAs

einen besonders niedrigen Temperaturkoeffizienten bei gleichzeitig hoher Signalausbeute aufweist. Durch Integration der Verstärkeranordnung auf der Substratplatte 1k in das Sensorgehäuse 17 ist eine unmittelbare Auswertung des Ausgangssignales des GaAs-Elementes 13 möglich. Durc-h Abgleich der Dickschichtwiderstände 15a,

* J 15b usw. kann dabei die Kennlinie des Drucksensors eingestellt werden, beispielsweise bei verschiedenen

r Temperaturen, so daß eine vollkommene Temperaturgang-

kompensfition möglich ist. Ebenso kann erfindungsgemäß der Nullpunkt durch Eindrehen der Scheibe 18 variiert werden.

Es versteht sich, daß die in der Figur dargestellte Anordnung nur beispielhaft für die Messung eines der ■ Membrandose 10 zuleitbaren Druckes zu verstehen ist.

.'^; Es ist selbstverständlich auch möglich, die Membrandose

\ 10 als Absolutdruckdose verschlossen auszubilden und

; /■■ \ dem Inneren des Gehäuses 17 den Meßdruck zuzuleiten. '■ Weiterhin ist es möglich, mehrere Membrandosen 10 zu

j verwenden, die auf dasselbe GaAs-Element 13 einwirken,

'■ so daß auf diese Weise Differenzdruckmessung möglich

sind. Auch ist es möglich, in der Achse des Sensors

^: einen weiteren Permanentmagneten zu !Compensations zwecken

auf der dem Permanentmagneten 12 abgewandten Seite des GaAs-Elementes 13, vorzugsweise auf einer weiteren einschraubbaren Scheibe anzuordnen.

Ss versteht sich veiter, daß die in Figur 1 vorgesehene Scheibe 18 zur Justierung der Membrandose 10 entfallen kann, wenn die verwendete Membrandose 10 sovie der Permanentmagnet 12 in ihren Eigenschaften reproduzierbar und damit nicht mehr kompensationsbedürftig sind. Dies ist beim Ausführungsbeispiel gemäß Figur 2 vorgesehen, bei dem die Scheibe I8a fest im Gehäuse 17a angeordnet ist. Der Sensor gemäß Figur 2 ist als Absolutdrucksensor ausgebildet. Bie Membrandose 10a ist verschlossen und vorzugsweise evakuiert. Der Meßdruck wird dem Innenraum des Gehäuses 17a über den Stutzen ν 11 sowie einen, an der Membrandose 10a vcrbeiführenden

Kanal 21 zugeführt. Das Gehäuse 17a wird durch die Substratplatte iUa am Boden druckdicht verschlossen. Dabei sind das magnetfeldempfindliche Element 13 sowie die Elemente 15a, 15b, 16 des Hybridschaltkerns auf der Außenseite der Substratplatte ika. angeordnet, so daß sie vom Druckmedium zum Innern des Gehäuses 17a nicht beaufschlagt werden.

Bei dem in Figur 3 dargestellten weiteren Ausführungsbeispiel eines erfindungsgemäßen Drucksen^ors bezeichnet 31 wiederum einen Stutzen, durch den dem Inneren

V eines Gehäuses 32 ein Meßdruck, im vorliegenden Fall ein

Absolutdruck zugeführt werden kann. Die hierzu erforderliche geschlossene Absolu'Cdruckdose wird durch eine Wellmembran-Halbdose 33 gebildet, die den Permanentmagneten 35 trägt. Die Wellmembran-Halbdose 33 ist auf eine Kupfer-Substratplatte 3h aufgelötet, wodurch die geschlossene Absolutdruckdose gebildet wird. Die Kupfer-Substratplatte 3U weist an ihrer Oberfläche eine Email-Isolierung 39 auf, auf der das GaAs-Element 36 sowie Dickschichtwiderstände 38 und ein Verstärker 37 angeordnet sind.

Die durch die Wellmembran-Halbdose 33 und die Substratplatte 3k gebildete Absolutdruckdose ist vorzugsweise evakuiert, so daß der über den Stutzen 31 zugeführte
Absolut-Meßdruck die Auslenkung der Wellmembran-Halbdose 33 und damit des Permanentmagneten 35 relativ
zum GaAs-Element 36 bevirkt. Auf diese Weise wird ein besonders kompakter Aufbau eines Drucksensors für
Absolutdruckmessungen realisiert, wobei weiterhin eine einheitliche Technologie zur Herstellung der Absolutdose verwendet wird.

Claims (3)

R. 17685 i.P. 30.6.1982 Wt/Hm ROBERT BOSCH GMBH, TOGO STUTTGART 1 Ansprüche

1. Drucksensor mit einem Gehäuse ('I7_S 17a, 32), in dessen Achse nahe "beieinander hintereinander angeordnet sind

a) eine einem Meßdruck ausgesetzte Membrandose (10, 10a, 33), deren eine Wand einen Permanentmagneten (12, 35) trägt,

Id) ein magnetfeldempfindliches Element gekennzeichnet durch die Merkmale:

c) das magnetfeldempfindliche Element ist ein GaAs-Hall-Element (13, 36)

d) das Element ist auf einer Substratplatte (Ik, 1Ua, 3^) angeordnet

e) die Substratplatte (1U, iUa. 3*0 trägt ferner einen Hybridschaltkreis mit Dickschichtviderständen (15a, 1 5"b; 38) mit unterschiedlichen Temperaturkoeffizienten sowie mit einem Differenzverstärker (16, 37).

2. Drucksensor nach Anspruch 1, gekennzeichnet durch die weiteren Merkmale:

f) die Memhrandose (10a) ist als geschlossene Ahsolutdruckdose und das Gehäuse (10a) ist als durch die Suhstratplatte {ika.) geschlossenes, mit dem Meßdruck "beaufschlagtes Gehäuses ausgebildet

t ff ■ r ·

g) der Hybridschaltkreis und das magnetfeldempfindliche Element sind auf der vom Meßdruck angewandten Seite der Substratplatte (iUa) angeordnet.

3. Drucksensor nach Anspruch 1 oder 2, gekennzeichnet durch die weiteren Merkmale:

h) die Suhstratplatte (3¹O besteht aus Kupfer mit einer Email-Isolation (39)

i) die Membrandose ist als geschlossene Absolut— druckdose derart ausgebildet, daß eine Wellmembran-Halbdose (33) auf die Substratplatte (3¹O aufgelötet ist.