DE8025354U1 - Hochenergielaser des tea-typs mit laser-achsparallel angeordneten vorionisierungsstaeben - Google Patents

Description

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KRAPTWSRK UNION Unser Zeichen

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Hochenergieläser des TEA-Typs mit laser-ächsparallel angeordneten Voriönisierungsstäben

Die Erfindung bezieht sich auf einen Hochenergieiaser des TEA-Typs gemäß Oberbegriff des Anspruchs 1.

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In der älteren Anmeldung P 29 32 781.9 vom 13.08.1979 (1)

ist bereits ein Anregungssystem für schnelle gepulste Ent-( ladung, insbesondere ein Hochenergielaser des TEA-Typs, vorgeschlagen worden, der sich durch eine sehr geringe Eigeninduktivität bei hoher Schaltkapazität auszeichnet. Die Form der Laserelektroden ist jedoch allenfalls als angenähert pilzförmig zu bezeichnen. Im Querschnitt pilzförmige Laserelektroden sind bekannt durch dio Zeitschrift •'Electronics Letters", 25. März 1971, Band 7, Seiten 141, 142 (2), ferner durch die Zeitschrift "Applied Physics Letters", Band 29 vom 01.12.1976, Seiten 707 bis 709 (3). Es ist auch aus (2) bekannt, den Laserelektroden ein sogenanntes Rogowski-Profil zu geben, um eine verbesserte Feldverteilung und Entladungshomogenität zu erzielen. Dem gleichen Zweck dient das sogenannte Chang-Profil, vgl. ν Zeitschrift ''The Review of Scientific Instruments", Band 44, vom April 1973, Seiten 405 bis 407 (4).

Die vorliegende Erfindung befaßt sich auch mit dem Problem, bei TEA-Lasern einen möglichst großen und homogenen Entladungsquerschnitt senkrecht zur optischen Achse und zu der Längsrichtung der Elektroden zu erzielen. Dies soll durch eine geeignete Formgebung der Elektroden und durch den Einsatz einer effektiven Vorionisierungseinheit geschehen. Wie festgestellt wurde, tendiert bei den bekannten TEA-Excimer-Lasern die Entladung immer noch dazu, in mehrere Einzelbereiche aufgespalten zu werden, wenn auch

Bu 2 Shi / 17.09.1980

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die Laserelektroden mit pilzfcrmigem Querschnitt schon eiile Verbesserung gebracht haben. Der Erfindung liegt dies Aufgabe zugrunde, die bekannten TEA-Laser, insbesondere TEA-Excimer-Laser, im bezug auf einen möglichst großen und homogenen Entladungsquerschnitt noch weiter zu verbessern, Dem kommt deshalb besondere Bedeutung zu, Weil sich der Einsatzschwerpünkt der TEA-Laser mehr und mehr in den industriellen Bereich verlagert und so Fra·* gen der Wirtschaftlichkeit und damit des Wirkungsgrades Und der optischen Energie eines Einzelimpulses immer stärker in den Vordergrund treten.

Erfindungsgemäß wird die gestellte Aufgabe bei einem Hochenergielaser der eingangs genannten Art durch die im Kennzeichen des Anspruchs 1 angegebenen Merkmale gelöst. Vorteilhafte Weiterbildungen sind in den Unteransprüchen beschrieben. Die mit der Erfindung erzielbaren Vorteile sind vor allem darin zu sehen, daß durch die laserachsparallele Ausrichtung von Pilzhut, Pilzstiel und der stabförmigen Hilfselektrode sich eine sehr gleichmäßige Vorionisierung und damit auch Hauptentladung erreichen läßt, ohne daß Einzelbereichaufspaltung der Entladung auftritt.

Im folgenden wird anhand der mehrere Ausführungsbeispiele darstellenden Zeichnung die Erfindung noch näher erläutert- Es zeigt in vereinfachter, schematischer Darstellung:

Fig. 1 ein Laserrohr im Querschnitt mit zwei, je ein Vorionisierungs-Hilfselektrodenpaar aufweisenden, einander spiegelsymmetrisch gegenüberliegenden pilzförmigen Laserelektroden;
Fig. 2 eine Variante für die Laserelektrodenausführung mit aus Lochblech bestehendem Netzelektroden-Pilzhut; Fig. 3 eine stabförmige Hilfselektrode im Querschnitt;

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Fig. 4 eine Impulsschaltung zur Erzeugung der Vorioni-

sierungs- und Hauptentladungs-Impulse in Form einer Blümlein-Schaltung, und

Fig. 5 eine Impulsschaltung in Form einer Charge-Trans·»- fer-Schaltung zur Erzeugung der Zündimpulse.

Der in Fig. 1 dargestellte Hochenergielaser des TEA-Typs (TEA-Laser bedeutet "transversely excited atmospheric pressure laser") ist so aufgebaut, daß im Gasraum 1 zwisehen den beiden parallel zur optischen Achse 2 des Lasers sich erstreckenden und mit Abstand al einander gegenüberliegenden Elektroden des Laser- bzw. Entladungsrohres 3 eine möglichst homogene, lichtbogenfreie Kondensatorentladung stattfindet. Das etwa rechteckige Gehäuse 3a des als Ganzes mit L bezeichneten Lasers ist aus Keramikwänden 3a1, 3a2, 3a3 und 3a4, die vorzugsweise aus einer hochreinen Al₂O,-Keramik bestehen, gasdicht zusammengesetzt. Das Lasergas hat eine Zusammensetzung, wie sie z. B. in der älteren Anmeldung P 29 32 781.9 beschrieben ist. Die Elektroden E1, E2 ragen jeweils mit einem der Stromzuführung dienenden Pilzstiel 4 und einem der Stromverteilung dienenden Pilzhut ( ) in den Entladungsraum 1 und mit durch die Wände 3a1, 3a2 hindurchgeführten Anschlußfahnen 6 nach außen. Zur Vorionisierung des Entladungsraumes 1 sind zwischen den Elektroden E1, E2 stabförmige Hilfselektroden H11, H12 unmittelbar benachbart zum Pilzhut 5 der Elektrode E1 und H21, H22 unmittelbar benachbart zum Pilzhut 5 der Elektrode E2 angeordnet. Sie weisen jeweils zu den Elektroden einen Überschlagabstand a2 auf. Unmittelbar vor dem Zünden des Lasers findet ein Überschlag zwischen dem umhüllenden Dielektrium der Hilfselektroden H11, H12, H21, Η22 und dem zugeordneten Elektroden El bzw. E2 statt. Das von den Funken emittierte UV-Licht ionisiert das von den Elektroden E1 und E2 eingeschlossene Gas. Wie ersichtlich,

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stehen sich die Elektroden E1 , E2 mit ihren Pilzhüten S spiegeisymmetfisch gegenüber, und mit den Pilzhüten 5 stehen sich auch die beiden Hilfselektrodenpaare H11, H12 Und H21 , H22 spiegelsymmetrisch gegenüber» Diese Anordnung ist zur Erzielung eines möglichst großen und homogenen Entladungsquerschnittes besonders vorteilhaft.

Die generell mit H bezeichneten Hilfselektroden weisen gemäß Fig. 3 einen stabförmigen Innenleiter 7, z. B. aus Kupfer, auf und ein diesen Innenleiter 7 umhüllendes im Querschnitt kreisringförmiges Dielektrikum 8, vorzugsweise auch eine hochreine BaTiO₃-J SrTiOj-, Al₂O₃- oder BeO-Keramik. Diese Hilfselektroden H sind an ihren Enden auf geeignete Weise an nicht dargestellten Stirnwänden der Laserkammer 3 CFig. 1) befestigt. Die Laserelektroden E1, E2, d. h. die Pilzhüte 5 und die Pilzstiele 4, sind von vorzugsweise parallel zur optischen Achse 2 des Lasers sich erstreckenden Kühlkanälen 9 durchzogen, durch die eine geeignete Kühlflüssigkeit, z. B. Wasser, gepumpt wird.

Beim Innenleiter 7 der Hilfselektroden H kann es sich auch um einen flüssigen Leiter handeln, der durch ein Umwälzsystem zur gleichzeitigen Kühlung durch das Keramikrohr gepumpt wird.

Fig. 2 zeigt die Ausbildung durchbrochener Pilzhüte 5' als Netzelektroden, die hierzu aus Lochblech bestehen. Die Hilfselektroden H sind dabei innerhalb der von Pilzhut 5' und Pilzstiel 4 gebildeten Nischen 10 angeordnet. Beim Zündvorgang kann dabei die durch den Funkenüberschlag zwisehen Hilfselektroden H und Pilzhut 5' erzeugte UV-Strahlung durch die Netzöffnungen 11 in den Entladungsraum zwischen den Hauptelektroden E1, E2 eindringen und diesen ionisieren.

Bei der gezündeten Gasentladung (Pumpen des Lasers) muß der Stromimpuls durch den Stiel 4 des Pilzes zur Mitte

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des Pilzhutes fließen und kann sich dann erst im Hut 5 i''

verteilen. Bevorzugt wird der Hut 5 der Elektroden E1, E2 f., als Chang- oder Rogowski-Profil ausgebildet, wie es aus ;'?

der Literatur für Elektroden konstanter homogener Ober- \,

flächenfeldstärke bekannt ist. Die dargestellte Pilz- \_a

und Hilfselektroden-Doppelanordnung ist besonders vorteilhaft, wenn es auch grundsätzlich möglich ist, nur eine der Elektroden El, E2 als Pilz-Elektrode auszubilden. Die Impulsschaltung nach Fig. 4 zur Erzeugung der Zünd- und Entladungsimpulse ist eine sogenannte Blümlein-Schaltung. Der Impulsgenerator P weist eine Hochspannungsversorgung HV auf, deren Spannung über einen niederinduktiven Schalter S an die erste Ladekapazität Cl gelegt werden kann. Parallel zu dieser Kapazität C1 liegt die Reihenschaltung der zweiten Ladekapazität C2 und der

Laserelektrodenstrecken E1-E2, wobei zu letzterer ein '

hochohmiger Widerstand R parallelgeschaltet und an Erd- \

potential gelegt ist, der hochohmig im Vergleich zum Wi- j derstandswert des gezündeten Plasmas ist. Wie man sieht, liegen am Erdpotential auch die zweiten Pole des Schalters S und der SchaltkaOazität C1, ferner die Laserelektrode E2 und die der eeuenüberliedenden Laserelektrode zugeordneten Hilfselektroden H11, H12. Die Hilfselektroden H21, H22 sind dagegen mit der gegenüberliegenden Laserelektrode E1 leitend verbunden.

Die Charge-Transfer-Schaltung nach Fig. 5, gleiche Schaltelemente tragen gleiche Bezugszeichen, unterscheidet sich von der Schaltung nach Fig. 4 insbesondere dadurch, daß die zweite Schaltkapazität parallel zur Laserentladungsstrecke E1-E2 liegt und daß die erste Schaltkapazität C1 in Reihe zum niederinduktiven Schalter S und damit der Hochspannungsversorgung geschaltet ist.

3S Bei beiden Schaltungen wird durch Schließen des Hoch-

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Spannungsschalters S, der eine Funkenstrecke oder ein Thyratron sein kann, eine schlagartige Hochspannungsentladung zunächst über die Hilfselektroden und dann über die Laserelektroden ausgelöst, dessen Impulsdauer, -Höhe und Phasenlage sich aus den induktiven, kapazitiven und ohmschen Werten der Schaltelemente sowie Zuleitungen ergeben.

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Zusammenfassung

Hochenergielaser des TEA-Typs mit laser-achsparallel angeordneten Vc .ionisierungsstäben

Bei einem Hochenergielasei des TEA-Typs, insbesondere TEA-Excimerlaser, mit Anregung durch möglichst homogene, lichtbogenfreie Kondenstorentladung im Gasraum Cl) zwischen mindestens zwei parallel zur optischen Achse des Lasers sich erstreckenden und mit Abstand einander gegenüberliegenden Elektroden (E1, E2) eines Entladungsrohres (L) ragt mindestens eine der Elektroden CEI, E2) mit einem der Stromzuführung dienenden Pilzstiel C4) und dem der Stromverteilung dienenden Pilzhut C5) in den Entladungsraum CD· Zur Vorionisierung des Entladungsrauraes CD ist zwischen oder benachbart zu den Elektroden CEI, E2) mindestens eine stabförmige Hilfselektrode CH), bestehend aus einem Innenleiter C7) und einem diesen umhüllenden Dielektrikum C8), achsparallel und mit Überschlagsabstand Ca2) zu einer der Elektroden CEI, E2) angeordnet.

Fig. 1, Fig. 3

Claims (7)

• ■ - 7 - VPA 80 P 9 3 5 7 DE - Ansprüche

1. Hochenergiela^er des TEA-Typs, insbesondere TEA-Excimerlaser, mit Anregung durch möglichst homogene, lichtbogenfreie Kondensatorentladung im Gasraum zwischen mindestens zwei parallel zur optischen Achse des Lasers sich erstreckenden und mit Abstand einander gegenüberliegenden Elektroden eines Entladungsrohres, von denen mindestens eine con pilzförmigem Querschnitt ist, dadurch gekennzeichnet, daß mindestens eine der Elektroden CEI, E2) mit einem der Stromzuführung dienenden Pilzstiel (4) und dem der Stromverteilung dienenden Pilzhut C5) in den Entladungsraum CO ragt -und daß zur Vorionisierung des Entladungsraumes CD zwischen oder benachbart zu den Elektroden CEI, E2) mindestens eine stabförmige Hilfselektrode CH), bestehend aus einem Innenleiter C7) und einen diesen umhüllenden Dielektrikum C8), achsparallel und mit Uberschlagsabstand Ca2) zu einer der Elektroden CE1, E2) angeordnet ist.

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2. Laser nach Anspruch 1, wobei sich zwei pilzförmigs Elektroden mit ihren Pilzhüten einander zugewandt, spiegelsymmetrisch gegenüberstehen, dadurch gekennzeichnet, daß jedem oder nur einem PiIzhut (5) je zwei Hilfselektroden CH) zugeordnet sind.

3. Laser nach einem der Ansprüche 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß die Elektroden CE1, E2) von laser-achsparallel verlaufenden Kühlkanälen C9) durchdrungen sind.

4. Laser nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet» daß die Pilzhüte als Netzelektroden CS') ausgeführt sind und hierzu aus Lochblech bestehen»

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VPA 80 P 9357 DE

Aktenzeichen G 80 25 354.9

5. Laser nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet , daß die Hilfselektroden (H) innerhalb der von Pilzhut (5¹) und Pilzstiel (4) g^ildeten Nischen (10) aageordnet sind.

6. Laser nach einem der Ansprüche 1 bis 5, dadurch gekennzeichnet, daß die Innenleiter (7) der Hilfselektroden (H) zylindrisch und von einem hohlzylindrischen Dielektrikum (8) umgeben sind.

7. Laser nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet , daß die pilzförmigen Elektroden (E1, E2) ein Chang- oder Rogowski-Profil aufweisen.

b. Laser nach Anspruch 1 oder 6» dadurch gekennzeichnet , daß das hochspannungsfeste Dielektrikum der Hilfselektroden (H) aus hochreinem BaTiO₃, SrTiOj, Al₂O₃ oder BeO besteht.

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