DE737339C - Verfahren zur Waermebehandlung duenner leicht verdampfbarer Metall- oder Metallverbindungsschichten im Vakuum - Google Patents

Verfahren zur Waermebehandlung duenner leicht verdampfbarer Metall- oder Metallverbindungsschichten im Vakuum

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DE737339C
DE737339C DEL102402D DEL0102402D DE737339C DE 737339 C DE737339 C DE 737339C DE L102402 D DEL102402 D DE L102402D DE L0102402 D DEL0102402 D DE L0102402D DE 737339 C DE737339 C DE 737339C
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DE
Germany
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heat treatment
metal
vacuum
layer
compound layers
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Expired
Application number
DEL102402D
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English (en)
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Siegfried Poganski
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AEG AG
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AEG AG
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Publication date
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    • B44DECORATIVE ARTS
    • B44BMACHINES, APPARATUS OR TOOLS FOR ARTISTIC WORK, e.g. FOR SCULPTURING, GUILLOCHING, CARVING, BRANDING, INLAYING
    • B44B1/00Artist's machines or apparatus equipped with tools or work holders moving or able to be controlled three-dimensionally for making single sculptures or models
    • B44B1/02Artist's machines or apparatus equipped with tools or work holders moving or able to be controlled three-dimensionally for making single sculptures or models wherein three-dimensional copies are made
    • B44B1/04Artist's machines or apparatus equipped with tools or work holders moving or able to be controlled three-dimensionally for making single sculptures or models wherein three-dimensional copies are made having devices for changing, e.g. proportionally enlarging or reducing, the shape from an original pattern
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B01PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
    • B01DSEPARATION
    • B01D1/00Evaporating
    • B01D1/22Evaporating by bringing a thin layer of the liquid into contact with a heated surface
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23QDETAILS, COMPONENTS, OR ACCESSORIES FOR MACHINE TOOLS, e.g. ARRANGEMENTS FOR COPYING OR CONTROLLING; MACHINE TOOLS IN GENERAL CHARACTERISED BY THE CONSTRUCTION OF PARTICULAR DETAILS OR COMPONENTS; COMBINATIONS OR ASSOCIATIONS OF METAL-WORKING MACHINES, NOT DIRECTED TO A PARTICULAR RESULT
    • B23Q35/00Control systems or devices for copying directly from a pattern or a master model; Devices for use in copying manually
    • B23Q35/04Control systems or devices for copying directly from a pattern or a master model; Devices for use in copying manually using a feeler or the like travelling along the outline of the pattern, model or drawing; Feelers, patterns, or models therefor
    • B23Q35/08Means for transforming movement of the feeler or the like into feed movement of tool or work
    • B23Q35/20Means for transforming movement of the feeler or the like into feed movement of tool or work with special means for varying the ratio of reproduction
    • FMECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F26DRYING
    • F26BDRYING SOLID MATERIALS OR OBJECTS BY REMOVING LIQUID THEREFROM
    • F26B13/00Machines and apparatus for drying fabrics, fibres, yarns, or other materials in long lengths, with progressive movement
    • F26B13/10Arrangements for feeding, heating or supporting materials; Controlling movement, tension or position of materials
    • F26B13/14Rollers, drums, cylinders; Arrangement of drives, supports, bearings, cleaning
    • F26B13/18Rollers, drums, cylinders; Arrangement of drives, supports, bearings, cleaning heated or cooled, e.g. from inside, the material being dried on the outside surface by conduction
    • F26B13/183Arrangements for heating, cooling, condensate removal
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
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    • H01L21/06Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising selenium or tellurium in uncombined form other than as impurities in semiconductor bodies of other materials
    • H01L21/10Preliminary treatment of the selenium or tellurium, its application to the foundation plate, or the subsequent treatment of the combination
    • H01L21/103Conversion of the selenium or tellurium to the conductive state

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Description

  • Verfahren zur Wärmebehandlung dünner .leicht verdampfbarer Metall-oder Metallverbindungsschichten im Vakuum Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Wärmebehandlung dünner leicht verdampfbarer Metall- :oder Metallverbindungsschichten, wie sie beispielsweise zur Formierung der Halbleiterschichten von Trockengleichrichtern oder Sperrschichtphotozellen erforderlich ist. Eine Wärmehehandlung an der Atmosphäre ist häufig nicht möglich, da diese Schichten leicht oxydab.el oder empfindlich gegen geringe Spuren von Wasserdampf sind. Eine Wärmebehandlung im Vakuum hat den Nachteil, daß schon bei verhältnismäßig niedrigen Temperaturen -das gesamte Schichtmaterial von seinem Träger wegverdampft und sich an irgendeiner kälteren Stelle des Vakuumgefäßes niederschlägt. Man hat daher vorgeschlagen, die Wärmebehandlung unter Luftabschluß, aber in Gegenwart neutraler Gase durchzuführen, deren Partialdruck die Wiederverdampfung des Schichtmaterials hemmt. Dieses Verfahren ist jedoch äußerst umständlich:, zumal es auf die Einhaltung eines bestimmten Druckes und eine sorgfältige Vorreinigung der zur Anwendung kommenden Gase ankommt.
  • Das Verfahren zur Wärmebehandlung dünner leicht verdampfbarer Metall- oder Metallverbindungsschichten nach der Erfindung gestattet es, die Wärmebehandlung im Vakuum vorzunehmen, ohne daß eine Wiederverdampfung des Schichtmaterials -eintritt, und ist dadurch gekennzeichnet, daß die mittels einer Heizvorrichtung auf der Behandlungstemperatur gehaltene Schicht der Einwirkung einer- der Schicht in geringm Abstand gegenüber angeordneten zw°iten flächenförmigen Heizvorrichtung, deren Temperatur mindestens gleich oder besser noch etwas: oberhalb der Temperatur der Schicht gehalten wird, ausgesetzt wird. Auf diese Weisse wird erreicht, daß sich -dieser ge,^agneter Ausbildung und Temperatur dieser zusÜtzlichen Heizvorrichtung in dem zwischen ihr und der Schicht befindlichen Raum ein stationäres Gleichgewicht einstellt, welches entweder eine Entfernung des Schichtmaterials von seinem Träger überhaupt verhindert oder aber eine Reflexion etwa wegdampfender Teilchen auf den Träger erzwingt.
  • Zur Durchführung des Verfahrens nach der Erfindung hat sich besonders eine Einrichtung bewährt, bei der mindestens eine der flächenförmigen Heizvorrichtungen, also die dem Schichtträger anliegende oder die der Schicht gegenüber angeordnete Heizvorrichtung einen ringförmigen Kragen aufweist, der mit breiter Flanschfläche der anderen Heizvorrichtung derart genähert ist, daß die Höhe des zwischen beiden verbleibenden Ringspaltes gegenüber der Flanschbreite- klein ist. Zweckmäßig ist die Höhe des Ringspaltes kleiner als 5 mm.
  • Eine vorteilhafte Anordnung dieser Einrichtung ist schematisch in der Abbildung dargestellt. Der mit der beispielsweise aus Selen bestehenden Schicht i versehene Träger 2 ist in enger Berührung an der flächenförmigen Heizquelle 3 befestigt. Die Heizquelle weist einen ringförmigen Kragen q. auf, der mit breiter Flanschfläche 5 der zweiten der Schicht gegenüber angeordneten Heizquelle 6 mit engem Abstand gegenüberliegt. Der nvischen den beiden Heizquellen bestehende Ringspalt 7 hat eine Höhe von weniger als 5 mm. Sie kann zweckmäßig bis auf 1/1o mm herabgesetzt werden. Ist die Temperatur der Heizquelle 6 etwas höher als die der Heizquelle 3, so wird eine merkliche Verdampfung der Schicht i überhaupt nicht eintreten. In jedem Falle ist es unmöglich, daß etwa verdampfende Teilchen durch den, Ringspalt 7 den zwischen den Heizquellen hefindlichen Raum verlassen können. Es zeigt sich, daß bei einem Vakuum von weniger als i o-1 mm Hg und einem Abstand von einigen zehntel Millimetern zwischen den Heizvorrichtungen auf der Heizvorrichtung 6 auch nicht eine Spur des Schichtmaterials i festzustellen ist. Die Wärmequellen 3 und 6 sind in einem evakuierbaren Gefäß angeordnet, und zwar zweckmäßig derart, daß die eine derselben gegen die andere schwenkbar ist. Die Heizung kann z. B. durch Heizspiralen 8, 9 erfolgen.

Claims (2)

  1. PATENTANSPRÜCHE: .i. Verfahren zur Wärmebehandlung dünner leicht verdampfbarer Metall- oder Metallverbindungsschichten im Vakuum, beispielsweise zur Formierung der Halbleiterschichten von Trockengleichrichtern oder Sperrschichtphotozellen, dadurch gekennzeichnet, daß die mittels einer Heizvorrichtung auf der Behandlungstemperatur gehaltene Schicht der Einwirkung einer dieser Schicht in geringem Abstand gegenüber angeordneten zweiten flächenförmigen Heizvorrichtung, deren Temperatur mindestens gleich, zweckmäßig etwas oberhalb der Temperatur der Schicht gehalten wird; ausgesetzt wird.
  2. 2. Einrichtung zur Ausübung des Verfahrens nach Anspruch i, dadurch gekennzeichnet, daß mindestens eine der t7:ächenförmigen Heizvorrichtungen einen ringförmigen Kragen aufweist, der mit breiter Stirnfläche der anderen Heizvorrichtung derart genähert ist, daß die Höhe des zwischen beiden verbleibenden Ringspaltes gegenüber der Kragenbreite klein ist (--- 5 mm).
DEL102402D 1940-11-17 1940-11-17 Verfahren zur Waermebehandlung duenner leicht verdampfbarer Metall- oder Metallverbindungsschichten im Vakuum Expired DE737339C (de)

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