DE7046690U - Halbleitervorrichtung mit einer mehrfachelektrode insbesondere mehrfachemitter-leistungstransistor - Google Patents

Halbleitervorrichtung mit einer mehrfachelektrode insbesondere mehrfachemitter-leistungstransistor

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DE3017750C2 (de) * 1980-05-09 1985-03-07 Philips Patentverwaltung Gmbh, 2000 Hamburg Halbleiterbauelement vom Planar-Epitaxial-Typ mit mindestens einem bipolaren Leistungstransistor
GB2175441B (en) * 1985-05-03 1989-05-10 Texas Instruments Ltd Power bipolar transistor
US5424563A (en) * 1993-12-27 1995-06-13 Harris Corporation Apparatus and method for increasing breakdown voltage ruggedness in semiconductor devices

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