DE69937933T2

DE69937933T2 - System zur Positionsdetektion und Belichtungsapparat unter Verwendung desselben

Info

Publication number: DE69937933T2
Application number: DE69937933T
Authority: DE
Inventors: Hideki Ohta-ku Ina; Minoru Ohta-ku Yoshii; Masanobu Ohta-ku Hasegawa; Takashi Ohta-ku Satoh
Original assignee: Canon Inc
Current assignee: Canon Inc
Priority date: 1998-10-30
Filing date: 1999-10-29
Publication date: 2008-05-21
Anticipated expiration: 2019-10-30
Also published as: DE69937933D1; EP0999475A3; US6972847B2; US6906805B1; EP0999475B1; EP0999475A2; JP3796363B2; US20050195405A1; JP2000138164A

Description

GEBIET DER ERFINDUNG UND VERWANDTER STAND DER TECHNIK
Diese Erfindung bezieht sich auf ein Positionserfassungssystem und eine Belichtungsvorrichtung, die diese verwendet. Die Erfindung ist insbesondere in einer Belichtungsvorrichtung (Projektionsbelichtungsvorrichtung) vom Typ Schritt-und-Wiederholen oder vom Typ Schritt-und-Abtasten geeignet anwendbar, beispielsweise zur Herstellung von verschiedenen Geräten, wie einem Halbleitergerät (z.B. IC oder LSI) und einem Bildaufnahmegerät (z.B. CCD), oder einem Anzeigegerät, wie beispielsweise ein Flüssigkristallfeld. Ist genauer gesagt ein feines elektronisches Schaltungsmuster, das auf der Oberfläche eines ersten Objekts, wie einer Maske, gebildet ist, durch Belichtung zu übertragen oder durch Projektion durch ein optisches Projektionssystem auf ein zweites Objekt, wie ein Wafer, in einer derartigen Belichtungsvorrichtung zu drucken, dann kann ein Ausführungsbeispiel der Erfindung bei einer Erfassung einer relativen Position einer Markierung, die auf dem Wafer bereitgestellt ist, auf der Grundlage von optischer Interferenz verwendet werden.
Projektionsbelichtungsvorrichtungen zur Halbleiterherstellung sollten eine gute Leistungsfähigkeit zum Projizieren und Übertragen eines Schaltungsmusters einer Maske auf die Oberfläche eines Wafers bei einer hohen Auflösungsleistung aufweisen. Die Auflösung zur Schaltungsmusterprojektion kann durch Vergrößern der numerischen Aper tur (NA) eines optischen Projektionssystems verbessert werden, während die Wellenlänge eines Belichtungslichts festgelegt gehalten wird. Alternativ kann sie durch Verwenden einer kürzeren Lichtwellenlänge verbessert werden, beispielsweise unter Verwendung von Hg i-line anstelle von g-line oder unter Verwendung von Licht kurzer Wellenlänge, wie eine Wellenlänge von 248 nm oder 193 nm, wie sie beispielsweise von einem Kaltlichtlaser ("Excimerlaser") emittiert werden kann, oder Licht von synchrotroner Orbitalstrahlung (SOR, "synchrontron orbital radiation").
Es ist andererseits aufgrund einer weitergehenden Miniaturisierung eines Schaltungsmusters erforderlich, eine ein derartiges elektronisches Schaltungsmuster aufweisende Maske und einen Wafer sehr genau anzuordnen.
Die erforderliche Genauigkeit kann ein Drittel oder weniger eines Schaltungsmusters betragen. Basiert beispielsweise für ein DRAM mit 1 Giga-Bit ein Schaltungsmuster auf einer 0,18-Mikronregel, dann kann eine Überlagerungsgenauigkeit (Anordnung durch den gesamten Belichtungsbereich) von 60 nm oder kleiner erforderlich sein.
Des Weiteren sollte ein Überlagerungsinspektionssystem zum Messen der Überlagerungsgenauigkeit eine Genauigkeit von etwa 1/10 der Überlagerungsgenauigkeit aufweisen. Somit kann für einen DRAM mit 1 Giga-Bit eine Genauigkeit von 6 nm oder kleiner erforderlich sein.
Als ein Versuch zur Erreichung einer Hochgenauigkeitsmessung wurde ein TIS-Korrekturverfahren vorgeschlagen, das zum Verringern des Einflusses einer TIS (werkzeuginduzierte Verschiebung, "Tool Induced Shift") wirksam ist. Eine TIS ist ein erfassungssystembasierter Fehlerfaktor unter verschiedenen Messfehlerfaktoren.
1A zeigt die TIS-Korrektur. In diesem Fall ist als ein Beispiel eines Positionserfassungsmusters eine Oberflächenstufe (Niveau-Unterschied) auf einem Siliziumwafer 91 durch einen Ätzprozess definiert, wodurch ein Muster 92 erzeugt wird. Nach Vollendung eines Anordnungsvorgangs wird die relative Positionsbeziehung zwischen diesem Muster 92 und einem Fotolackbildmuster 93 gemessen, nachdem diese gedruckt und entwickelt sind. Die Messung wird bei dem TIS-Korrekturverfahren zweimal durchgeführt. Hierbei wird die zweite Messung durch eine Rotation des Wafers 91 um 180° im Vergleich zu der ersten Messung durchgeführt. Aus diesem Grund wird der beim ersten Mal gemessene Wert ein Messwert Δ_0-deg von 0° genannt, während der beim zweiten Mal gemessene Wert ein Messwert Δ_180-deg von 180° genannt wird.
Gemäß dem TIS-Korrekturverfahren wird ein Wert, der durch Subtrahieren eines Messwerts Δ_180-deg von 180° von einem Messwert Δ_0-deg von 0° und dann durch Teilen der Differenz durch 2 erhältlich ist, als eine ΔTIS-Korrektur des Messwerts verwendet. Hierbei wird ein Wert, der durch Addieren des Messwerts Δ_0-deg von 0° und des Messwerts Δ_180-deg von 180° und dann durch Teilen der Summe durch 2 erhältlich ist, eine TIS genannt.
Die meisten der gegenwärtig verwendeten Registrierungsinspektionssysteme und Anordnungserfassungssysteme basieren auf einem Hellfeldbildverarbeitungsverfahren. 1B zeigt eine schematische Ansicht eines Hauptabschnitts eines Registrierungsinspektionssystems (Positionserfassungssystem) einer bekannten Art. In diesem Beispiel ist eine spezielle Markierung auf einem Wafer bereitgestellt. Die Positionserfassung wird durch Erzeugen eines Bilds jener Markierung durch ein optisches System auf einer Bildaufnahmevorrichtung, wie beispielsweise einer CCD, und durch Ausführen einer unterschiedlichen Signalverarbeitung bei einem aus jenem Bild resultierenden, elektrischen Signal durchgeführt.
Es wird genauer gesagt eine Markierung 2 auf einem Wafer 1 durch beispielsweise einen Ätzprozess erzeugt. Es wird ebenso eine Markierung 3 auf jener Markierung 2 durch einen lithografischen Prozess gebildet. Das Registrierungsinspektionssystem fungiert zum Messen der relativen Positionsbeziehung zwischen diesen Markierungen 2 und 3. Ein von einer Halogenlampe 5 emittierter Lichtstrahl 6 wird durch ein optisches Filter 5a und eine Linse 5b und über einen Spiegel 5c auf eine Faser 7 gerichtet. Das Licht aus der Faser 7 wird durch ein Illuminierungssystem 8 gelenkt, und ein Polarisationsstrahlteiler 9 reflektiert S-polarisiertes Licht. Das Licht passiert ein optisches Weiterleitungssystem 12, einen Spiegel 4, eine Viertelwellenplatte 10 und eine Objektivlinse 11, und es illuminiert die zwei Markierungen 2 und 3 auf dem Wafer 1. Das Illuminierungssystem umfasst die Linse 8a zum Sammeln von Lichtstrahlen aus der Faser 7, eine Blende 8b, eine Linse 8c zum Sammeln von Licht von der Blende 8b und einen Spiegel 8d.
Reflektiertes Licht von den zwei Markierungen 2 und 3 geht entlang des Illuminierungspfads zurück, und es passiert die Objektivlinse 11, die Viertelwellenplatte 10, den Spiegel 4 und das optische Weiterleitungssystem 12. Da die Polarisationsrichtung zu diesem Zeitpunkt P-polarisiert ist, passiert das Licht den Polarisationsstrahlteiler 9. Das Licht wird durch einen Aufrichter 13 auf die Bildaufnahmeoberfläche eines CCD-Kamera 14 gerichtet, wodurch Bilder der zwei Markierungen 2 und 3 darauf gebildet werden. Die Bilder der zwei Markierungen 2 und 3 werden durch die CCD-Kamera 14 in elektrische Signale umgewandelt, die dann einem Computer (einer Computereinrichtung) 15 zugeführt werden. Die Signale werden durch den Computer 15 verarbeitet und analysiert, wodurch die relative Positionsbeziehung zwischen den zwei Markierungen 2 und 3 erfasst wird.
Die in diesem optischen System höchst erforderliche Bilderstellungsleistung ist die Bildsymmetrie (Markierungsbildsymmetrie). Gibt es irgendetwas, das die Bildsymmetrie in dem optischen System herabmindert, dann liegt eine TIS vor.
In dieser Art von Erfassungssystemen wird die Vergrößerung auf einen hohen Betrag gesetzt, wie beispielsweise 100x, und es wird in den meisten Fällen ein Bereich nahe der optischen Achse verwendet. Somit sind die Hauptfaktoren, die eine Herabminderung der Bildsymmetrie verursachen, keine achsfernen Abberationen, sondern sind eher eine exzentrische Komaabberation nahe der optischen Achse eines optischen Systems, sowie eine Nichteinheitlichkeit eines Illuminierungssystems.
Um weiteren Erhöhungen in der Integrationsdichte eines Halbleitergeräts zu genügen, wurde zusätzlich zu einer weitergehenden Miniaturisierung des Schaltungsmusters eine dreidimensionale Anordnung der Vorrichtungsstruktur erprobt. Wird die numerische Apertur eines optischen Projektionssystems zum Erhalten einer höheren Integrationsdichte eines Halbleitergeräts vergrößert, dann wird die Fokustiefe des optischen Projektionssystems verkürzt. Aus diesem Grund ist es sehr wichtig, die Oberfläche einer Halbleitervorrichtung zum Entfernern jedweder Oberflächenniveaudifferenzen oder Oberflächenunregelmäßigkeiten zu polieren, um die Planheit zu verbessern, um wiederum sicherzustellen, dass ein Fotolack auf eine geebnete Oberfläche aufgebracht wird, um dadurch eine höhere Auflösung der Projektionsbelichtung zu erreichen.
Ebenso ist ein Polieren einer auf einem Siliziumsubstrat bereitzustellenden, isolierenden Filmschicht zum Sicherstellen einer einheitlichen Dickfilmschicht darauf ein wichtiger Faktor zum Vereinheitlichen einer Kapazitätsdispersion unter unterschiedlichen Schichten oder zum Regulieren der "Überloch"-Tiefe.
Ein chemisch-mechanisches Polier-(CMP, chemical mechanical polishing)-Verfahren ist ein Beispiel eines Einebnungsverfahrens zum Sicherstellen der Planheit durch Entfernen jedweder Oberflächenniveaudifferenzen oder Oberflächenunregelmäßigkeiten eines Halbleitergeräts. Dieses Einebnungsverfahren enthält jedoch ein ernsthaftes Problem hinsichtlich einer für die Erfassung zu verwendenden Markierung, da die Oberflächenniveaudifferenz jener Markierung ebenso durch den Einebnungsvorgang entfernt wird. Dadurch wird in dem Dunkelfeldverarbeitungsverfahren, das äußerst häufig und mit einer guten Genauigkeit verwendet wird, beispielsweise der Kontrast eines bei der Messung verwendeten Markierungsbilds sehr niedrig, wodurch eine Herabminderung der Erfassungsgenauigkeit verursacht wird.
Es gibt ein Fasendifferenzerfassungsverfahren als ein weiteres Beispiel. Da jedoch eine Fasenplatte bei diesem Verfahren in ein optisches System eingefügt werden sollte, kann sie eine vorstehend beschriebene TIS verursachen. Während sich der Kontrast erhöhen kann, ist die Genauigkeit schwierig zu erreichen. Damit das System insbesondere in Verbindung mit einem üblichen Hellfeldsystem verwendet werden kann, muss eine Fasenplatte entfernbar bei dem optischen System angebracht werden. Dies ist ein großer Faktor zur Erzeugung einer TIS.
Die Druckschrift US-A-5783342 schlägt die Verwendung eines Interferometersystems vor, wie ein Mirau-Interferometer, zum Messen der Position eines Fotolackmusters auf einem Halbleiterwafer. Die Verwendung von Linnik- und Mirau-Interferometern bei der Messung einer Überlagerungsfehlregistrierung ist in den Druckschriften US-A-5438413 und WO-A-97/40422 beschrieben.
Auf dem Gebiet der Oberflächenprofilometrie sind optische Interferenzoberflächenprofilersteller bekannt, die Interferenzmikroskope vom Typ Michelson, Linnik oder Mirau verwenden. Diese werden zur Messung der Oberflächenmikrorauhheitsprofile und Stufenhöhen verwendet. Die Druckschrift US-A-4869593 schlägt die Verwendung von derartigen Oberflächenprofilerstellern mit einer Laserlichtquelle und einer rotierenden Zerstreuplatte zum Verringern einer räumlichen Kohärenz des Lichts vor, während eine temporale Kohärenz beibehalten wird.
KURZE ZUSAMMENFASSUNG DER ERFINDUNG
Gemäß der Erfindung ist ein wie in Patentanspruch 1 dargelegtes Positionserfassungssystem, eine wie in Patentanspruch 8 dargelegte Belichtungsvorrichtung, die das Positionserfassungssystem umfasst, und ein wie in Patentanspruch 9 dargelegtes Vorrichtungsherstellungsverfahren, das das Positionserfassungssystem verwendet, bereitgestellt. Optionale Merkmale sind in den übrigen Patentansprüchen dargelegt.
Ein Ausführungsbeispiel der Erfindung strebt nach einem Bereitstellen eines Positionserfassungssystems, durch das ein höherer Kontrast sichergestellt wird, wie mit einem Fasendifferenzerfassungsverfahren, während ein TIS-verursachender Faktor klein gehalten wird, und durch das eine Positionserfassungsmarkierung stabil und mit guter Genauigkeit selbst bei einem Prozess erfasst werden kann, der eine kleine Oberflächenniveaudifferenz bereitstellt, wie beispielsweise ein CMP-Prozess, so dass ein Maskenmuster mit guter Genauigkeit auf einen Wafer übertragen werden kann.
Ausführungsbeispiele der Erfindung sind nachstehend in Verbindung mit den beiliegenden Zeichnungen beschrieben.
KURZE BESCHREIBUNG DER ZEICHNUNGEN
Es zeigen:
1A eine schematische Ansicht zur Beschreibung eines TIS-Korrekturverfahrens,
1B eine schematische Ansicht einer optischen Anordnung eines Registrierungsinspektionssystems einer bekannten Art,
2 eine schematische Ansicht eines Positionserfassungssystems gemäß einem ersten Ausführungsbeispiel der Erfindung,
3A eine schematische Ansicht zur Beschreibung eines Beispiels einer Fokussierung unter einer Bedingung eines Interferenzbilds, dass das Äußere einer Markierung hell ist,
3B eine schematische Ansicht zur Beschreibung eines Beispiels eines Fokus unter einer Bedingung eines Interferenzbilds, dass das Äußere einer Markierung dunkel ist,
4 eine schematische Ansicht zur Beschreibung von Signalen, die den Bedingungen von Interferenzbildern entsprechen, dass das Äußere der Markierung hell ist und dass das Äußere der Markierung dunkel ist, sowie ein Signal, das der Differenz zwischen diesen Signalen entspricht,
5 eine schematische Ansicht zur Beschreibung des Prinzips eines Linnik-Interferenzmikroskopsystems,
6 eine schematische Ansicht zur Beschreibung des Prinzips eines Mirau-Interferenzmikroskopsystems,
7 eine schematische Ansicht eines Positionserfassungssystems gemäß einem zweiten Ausführungsbeispiel der Erfindung,
8 ein Ablaufdiagramm eines Vorrichtungsherstellungsprozesses in einem Ausführungsbeispiel der Erfindung, und
9 ein Ablaufdiagramm zur Beschreibung von Einzelheiten einer Waferverarbeitung bei der Prozedur gemäß 8.
BESCHREIBUNG DER BEVORZUGTEN AUSFÜHRUNGSBEISPIELE
2 zeigt eine schematische Ansicht eines Hauptabschnitts eines ersten Ausführungsbeispiels der Erfindung. In diesem Ausführungsbeispiel wird die Erfindung bei einem Registrierungsinspektionssystem angewendet, das in einer Projektionsbelichtungsvorrichtung vom Typ Schritt- und-Wiederholen oder vom Typ Schritt-und-Abtasten umfasst ist, zur Verwendung bei der Herstellung von Halbleitergeräten oder anderen Mikrogeräten. Während die nachstehende Beschreibung auf einem Beispiel einer Registrierungsinspektion zwischen zwei Markierungen basiert, kann das System als ein Anordnungserfassungssystem zum Erfassen einer Position einer Anordnungsmarkierung oder als ein Wafer-Anordnungssystem verwendet werden.
Das gezeigte Positionserfassungssystem ist derart angeordnet, dass zwei Anordnungsmarkierungen 2 und 3, wobei jede mit einer dreidimensionalen Form auf einem Wafer 1 gebildet ist, mit einem nicht-synthetisierenden Licht (Nicht-Belichtungslicht) belichtet werden, wie Licht von einem He-Ne-Laser (Lichtquelle) 31 beispielsweise einer Wellenlänge von 633 nm, anhand dessen ein auf den Wafer 1 aufgebrachter Fotolack nicht synthetisiert wird, wobei das Licht von der Lichtquelle durch verschiedene, nachstehend zu beschreibende Komponenten projiziert wird.
Licht von diesen Markierungen 2 und 3 wird durch verschiedene (nachstehend zu beschreibende) Komponenten auf eine CCD-Kamera 14 gerichtet, so dass die Positionsinformationen bezüglich der Anordnungsmarkierungen 2 und 3 durch die CCD-Kamera 14 beobachtet werden, auf deren Grundlage die Positionen der Markierungen erfasst werden.
Demgegenüber wird in diesem Ausführungsbeispiel eine Maske (erstes Objekt: nicht in der Zeichnung gezeigt), die ein auf ihr gebildetes Schaltungsmuster aufweist, mit Licht (Belichtungslicht) von einer Lichtquelle illuminiert, die eine Komponente eines Illuminierungssystems (nicht gezeigt) einer Projektionsbelichtungsvorrichtung ist, wie beispielsweise g-line- oder i-line-Licht von einer Ultrahochdruck-Quecksilberlampe oder Belichtungslicht einer Emissionswellenlänge von einem Kaltlichtlaser. Das optische Projektionssystem (nicht gezeigt) dient zum Projizieren des Schaltungsmusters der Maske auf die Oberfläche eines Wafers (zweites Objekt) 1 mit einer Verkleinerung von beispielsweise 1:5 oder 1:10.
Der Wafer 1 wird auf einem nicht-gezeigten Waferspannfutter platziert. Das Waferspannfutter ist auf einer O-Z-Plattform (Ansteuereinrichtung: nicht gezeigt) angebracht, und es dient zum Anziehen des Wafers 1 an seine Spannfutteroberfläche, so dass die Position des Wafers 1 sich gegenüber jedweden Vibrationen nicht verschiebt. Die θ-Z-Plattform ist auf einer Neigungsplattform (nicht gezeigt) angebracht, und sie dient zum Bewegen des Wafers 1 in einer Fokusrichtung (eine Richtung einer optischen Achse des optischen Systems) nach oben und nach unten.
In dem gemäß 2 gezeigten Positionserfassungssystem wird eine Ätzmustermarkierung (Markierung) 2 auf einem Siliziumätzwafer (Wafer) 1 beispielsweise durch einen lithografischen Prozess, einen Entwicklungsprozess und einen Ätzprozess gebildet. Auf der so bereitgestellten Ätzmustermarkierung 2 wird eine Fotolackmustermarkierung (Markierung) 3 durch einen lithografischen Prozess und einen Entwicklungsprozess gebildet. In dem in dieser Zeichnung gezeigten System wird die relative Positionsbeziehung zwischen diesen zwei Markierungen 2 und 3 gemessen.
In dem Messsystem dieses Ausführungsbeispiels wird eine auf einem Wafer bereitgestellte Markierung auf ein fotoelektrisches Umwandlungselement durch ein optisches System abgebildet, und die Position des Wafers wird auf der Grundlage eines entsprechenden Videosignals gemessen. Hierbei wird kohärentes Licht als eine Lichtquelle ver wendet, und es ist eine rotierende Diffusionsplatte zwischen der Lichtquelle und einer Faser zum Umwandeln des Lichts in inkohärentes Licht angeordnet. In diesem Zusammenhang bedeutet der Ausdruck "inkohärentes Licht" Licht, das eine Speckle-Mittelung durchlaufen hat. Das Licht behält die Kohärenz bei, die zum Bilden eines Interferenzmusters wie nachstehend beschrieben erforderlich ist. Die Markierung auf dem Wafer wird mit dem inkohärenten Licht illuminiert. Ein Teil des Illuminierungslichts wird bei einer Ebene reflektiert, die bezüglich der Markierung auf dem Wafer optisch konjugiert ist, und er wird mit dem reflektierten Licht von der Markierung des Wafers rekombiniert. Dieses rekombinierte Licht wird auf das fotoelektrische Umwandlungselement abgebildet, um ein Bild darauf zu bilden. Ein Bild bei einem Fokus, bei dem die Differenz in einem Reflexionsfaktor zwischen dem Äußeren und dem Inneren der Markierung auf dem Wafer am größten wird, kann von einem Bild bei einem Fokus abgezogen werden, bei dem die Differenz in einem Reflexionsfaktor auf ähnliche Weise, aber mit dem umgekehrten Vorzeichen, am größten wird. Ein auf diese Weise erhältliches Differenzbild wird beim Ausführen der Messung verwendet. Für eine Änderung bei der Oberflächenniveaudifferenz (Stufenhöhe) auf dem Wafer wird in dem Erfassungssystem eine derartige Lichtquelle verwendet, bei der der Kontrast am größten wird.
Als nächstes ist nachstehend das Registrierungsinspektionsverfahren (Markierungspositionserfassungsverfahren) in diesem Ausführungsbeispiel beschrieben. Dieses kann bei einer Erfassung einer Anordnungsmarkierungsposition in einem üblichen Anordnungsprozess angewendet werden.
Bei 31 ist eine Lichtquelle (Lichtquelleneinrichtung) angegeben, die beispielsweise einen He-Ne-Laser umfasst und die kohärentes Licht emittiert. Bei 32 ist eine rotierende Diffusionsplatte angegeben, die zum Umwandeln des Laserlichts von der Lichtquelle 31 in inkohärentes Licht dient. Die rotierende Diffusionsplatte 32 fungiert zum Bewegen des auf dem Wafer 1 gebildeten Specklemusters, um dadurch selbiges in einer Zeitspanne zu mitteln, während jener ein Markierungsbild durch eine CCD-Kamera 14 aufgenommen wird.
Bei 33 ist ein Kondensor zum Sammeln von Licht (inkohärentem Licht) von der rotierenden Diffusionsplatte 32 angegeben. Das Licht wird dann durch einen Spiegel reflektiert, und es tritt in eine Faser 7 ein. Das von der Faser 7 emittierte Licht wird innerhalb eines Illuminierungssystems 8 gesammelt, wobei S-polarisiertes Licht durch einen Polarisationsstrahlteiler 9 reflektiert wird und dann bei einem Punkt P2 abgebildet wird. Danach passiert das Licht ein optisches Weiterleitungssystem 12, einen Spiegel 4, eine Viertelwellenlängenplatte 10 und eine Objektivlinse (optisches Projektionssystem) 11 in dieser Reihenfolge, und es illuminiert zwei Markierungen 2 und 3, die auf der Oberfläche des Wafers 1 gebildet sind. Das Illuminierungssystem 8 umfasst eine Linse 8a, eine Blende 8b, einen Kondensor 8c und einen Spiegel 8d. Die Blende 8b und der Punkt P2 sind optisch konjugiert zueinander platziert.
Das reflektierte Licht von den Markierungen 2 und 3 auf dem Wafer 1 geht entlang seines Ankunftspfads über die Objektivlinse 11, die Viertelwellenlängenplatte 10, den Spiegel 4 und das optische Weiterleitungssystem 12 in dieser Reihenfolge zurück. Es wird dann bei dem Punkt P2 abgebildet und tritt danach in den Polarisationsstrahlteiler 9 ein. Da das Licht, das auf den Polarisationsstrahlteiler 9 fällt, P-polarisiertes Licht ist, passiert es den Strahlteiler 9. Danach passiert es eine Viertelwellenlängenplatte 21 und einen Aufrichter 13, durch den es auf eine Bildaufnahmeoberfläche einer CCD-Kamera 14 gerichtet wird. Dadurch werden Bilder (Markierungsbilder) der zwei Markierungen 2 und 3 auf die Bildaufnahmeoberfläche abgebildet.
Als nächstes ist nachstehend ein Referenzlicht zum Erzeugen eines Interferenzbilds auf der Grundlage des Bilds der Markierungen 2 und 3 auf der Bildaufnahmeoberfläche der CCD-Kamera 14 beschrieben.
Das P-polarisierte Licht, das den Polarisationsstrahlteiler passiert, das ein Teil des Lichts von der Lichtquelle 31 ist, und das das Illuminierungssystem 8 passiert hat, wird durch eine Viertelwellenlängenplatte 22 in zirkular polarisiertes Licht umgewandelt, das dann durch einen Spiegel 23 reflektiert wird. Hierbei ist die Position des Spiegels 23 in einer Ebene platziert, die optisch konjugiert zu dem zu beobachtenden Wafer 1 ist. Das reflektierte Licht passiert wieder die Viertelwellenlängenplatte 22, durch die es in S-polarisiertes Licht ungewandelt wird, und tritt in den Polarisationsstrahlteiler 9 ein. Das Licht, das S-polarisiertes Licht ist, wird durch den Polarisationsstrahlteiler 9 reflektiert. Danach passiert es die Viertelwellenlängenplatte 21 und den Aufrichter 13, durch den es auf die Bildaufnahmeoberfläche der CCD-Kamera 14 als Referenzlicht projiziert wird. Somit wird das Referenzlicht auf der Bildaufnahmeoberfläche der CCD-Kamera 14 dem Reflexionsbild der Markierung 2 oder 3 des Wafers 1 überlagert, wodurch ein Interferenzbild auf der Bildaufnahmeoberfläche erzeugt wird.
Die Bilder der zwei Markierungen 2 und 3 werden durch die CCD-Kamera 14 fotoelektrisch in entsprechende Signale umgewandelt, die einem Computer (einer Computereinrichtung) 15 zugeführt werden. Die Signale werden durch den Computer 15 verarbeitet, wodurch die relative Positionsbeziehung zwischen den Markierungen 2 und 3 erfasst wird.
In dem Ausführungsbeispiel wird ein auf die Markierung 2 und 3 bezogenes Interferenzbild auf die vorstehend beschriebene Weise erzeugt. Somit kann mit diesem Ausführungsbeispiel ein Bild mit einem Kontrast erzeugt werden, der höher als der eines Bilds ist, das mit einer üblichen Hellfeldilluminierung erhältlich ist. Ferner kann in diesem Ausführungsbeispiel die Differenz zwischen zwei Fokussen entsprechenden Interferenzbildern ermittelt werden, wodurch ein Bild von zweifachem Kontrast erzeugt werden kann.
Diese beiden Fokusse können genauer gesagt als jene Fokuspositionen eingestellt werden, in denen wie gemäß 3A, 3B und 4 gezeigt die Differenz zwischen einer Ausgabe der CCD-Kamera 14, die einer Anordnungsmarkierung 41 entspricht (die der obenliegenden Fläche 2a der Markierung 2 gemäß 2 entspricht), und einer Ausgabe der CCD-Kamera, die einer Markierung 42 außerhalb der Markierung 41 entspricht (wobei Markierung 42 der untenliegenden Fläche 2b der Markierung 2 gemäß 2 entspricht), d.h. die Differenz in ihren Bildintensitäten am größten wird, und in denen ebenso ihre Vorzeichen gegenseitig umgekehrt sind. Die Positionen können auf der Grundlage der Intensität des reflektierten Lichts von der Markierung 41 oder 42 in dem Maße bestimmt werden, in dem der Wafer 1 entlang der optischen Achsrichtung des optischen Systems bewegt wird.
Als ein Beispiel sei nun angenommen, dass die Oberflächenniveaudifferenz der Anordnungsmarkierung 41 gleich λ/4 ist, was 1/4 der Illuminierungswellenlänge λ (633 nm, wobei ein He-Ne-Laser verwendet wird) entspricht. Dann wird die Intensität des Interferenzbilds der Markierung 42 außerhalb der Markierung 41 am größten, da der Fokus geändert und in einen Hellinterferenzzustand eingestellt wird, wobei die optische Pfaddifferenz zwischen dem Referenzlicht und dem Licht, das durch die Markierung 42 außerhalb der Markierung 41 reflektiert wird, gleich einem ganzzahligen Vielfachen der Illuminierungswellenlänge λ ist.
Hinsichtlich der Anordnungsmarkierung 41 andererseits wird die Intensität hierbei, da die Oberflächenniveaudifferenz λ/4 beträgt, minimal (d.h., die zwei Strahlen interferieren destruktiv, und gleicht die Intensität des reflektierten Referenzlichts der Intensität des von dem Wafer reflektierten Lichts, dann wird die Intensität Null, und das Licht wird vollständig ausgelöscht). Im Ergebnis wird ein Muster (erstes Bild) wie gemäß 3A gezeigt erzeugt.
Wird als zweites der Fokus um λ/4 bezüglich des anfänglichen Fokus wie gemäß 3B gezeigt geändert, dann wird die optische Pfaddifferenz zwischen dem Referenzlicht und dem von der Markierung 42 außerhalb der Markierung 41 reflektierten Licht gleich einem ganzzahligen Vielfachen der Illuminierungswellenlänge λ + λ/2, was einem Auslöschungsinterferenzzustand entspricht. Im Ergebnis wird die Intensität des Interferenzbilds der Markierung 42 außerhalb der Markierung 41 am kleinsten. Hinsichtlich der Anordnungsmarkierung 41 wird demgegenüber die Intensität hierbei am größten, da die Oberflächenniveaudifferenz λ/4 beträgt. Im Ergebnis wird ein Muster (zweites Bild) wie gemäß 3B gezeigt erzeugt.
Durch Ermitteln einer Differenz zwischen diesen zwei Bildern kann ein Bild 43 (4) erzeugt werden, das einen Kontrast aufweist, der zweimal so groß wie der eines Interferenzbilds ist, das einem einfachen Fokus entspricht. Ist eine Hellfeldilluminierung gewünscht, die kein Referenzlicht erfordert, dann kann ein Shutter 24 (2) eingefügt werden oder können alternativ die Viertelwellenlängenplatte 22 und der Spiegel 23 ausgelassen werden.
Die Struktur und Funktion der Erfindung sind nachstehend im Vergleich zu den gemäß den 5 und 6 gezeigten Interferenzmikroskopsystemen ausführlich beschrieben.
5 zeigt ein Linnik-Interferenzmikroskopsystem, in dem eine Linse, die die gleiche wie das Objektiv ist, für das Referenzlicht verwendet wird, um dadurch beim Entwurf jedwede achsferne Abberationen zu beseitigen. Demgegenüber zeigt 6 ein Mirau-Interferenzmikroskopsystem, in dem ein Halbspiegel zwischen einem Objektiv und einem zu beobachtenden Gegenstand angeordnet ist, so dass von dem Halbspiegel reflektiertes Licht als das Referenzlicht verwendet wird. Hinsichtlich der Einzelheiten dieser Interferenzmikroskopsysteme kann Bezug auf "Wave Optics", Hiroshi Kubota, Iwanami Shuppan Co., Seiten 414 und 415 genommen werden.
In dem gemäß 5 gezeigten Linnik-Interferenzmikroskop wird eine Objektivlinse L2, die die gleiche wie die Objektivlinse L1 ist, für das Referenzlicht verwendet. In dem Ausführungsbeispiel wird im Vergleich dazu keine Linse verwendet, die die gleiche wie das Objektiv ist. Es wird im Gegenteil ein zwischenliegendes Bild bei dem Spiegel 23 erzeugt, und davon reflektiertes Licht wird als das Referenzlicht verwendet. Liegt irgendeine vorstehend beschriebene TIS, wie eine sphärische Abberation oder eine Komaabberation, in einem optischen System zwischen einem Objektiv und einer Weiterleitung vor, was in einem optischen System nicht üblich ist, dann wird das erzeugte Interferenzbild um eine Farbe verschoben, so dass kein scharfes Interferenzbild erhältlich ist.
In dem Ausführungsbeispiel kann demgegenüber, da gewünscht wird, eine TIS wie vorstehend beschrieben in einem Hellfeldsystem zu beseitigen, ein klares oder scharfes Interferenzbild selbst dort erzeugt werden, wo Referenzlicht von einem zwischenliegenden Bild verwendet wird.
Hinsichtlich der Beziehung zwischen der Inkohärenztransformation (Specklemittelung) und dem Interferenzbild wurde durch Experimente bestätigt, dass ein bei der CCD-Kamera 14 erhältlicher Interferenzrand ohne Speckles beobachtet werden kann. Dies ist dadurch begründet, dass der Interferenzrand durch eine Interferenz zwischen Oberflächen (Spiegel 23 und Wafer 1) erzeugt wird, die optisch zueinander konjugiert sind, so dass der Interferenzrand unter einer Interferenzbedingung erzeugt wird, die mit optischen Pfadlängen zwischen Paaren von Punkten auf den optisch konjugierten Oberflächen eingerichtet ist, und dadurch begründet, dass eine Mittelung durch Bewegen des Speckles relativ zu dem Rand mittels der rotierenden Diffusionsplatte 32 erreicht wird.
7 zeigt eine schematische Ansicht des Hauptabschnitts eines zweiten Ausführungsbeispiels der Erfindung. Gemäß 7 sind den entsprechenden Elementen gleiche Bezugszeichen wie jene gemäß 2 zugewiesen.
In diesem Ausführungsbeispiel gibt es drei Laser, die unterschiedliche Emissionswellenlängen aufweisen. Das System umfasst wie gezeigt eine rotierende Diffusionsplatte 32, eine Faser 7, ein Illuminierungssystem 8, einen Polarisationsstrahlteiler 9, eine Viertelwellenlängenplatte 10, ein erstes Objektiv 11, ein zweites Objektiv 13, eine CCD-Kamera 14, eine Viertelwellenlängenplatte 21, eine weitere Viertelwellenlängenplatte 22, einen Spiegel 23 und einen Shutter 24.
In diesem Ausführungsbeispiel kann, selbst wenn die zu erfassende Oberflächenniveaudifferenz einer zu erfassenden Markierung 2 oder 3 geändert wird, ein geeigneter Laser ausgewählt werden, um eine Erzeugung eines Signals von hohem Kontrast sicherzustellen. Gleicht beispielsweise die Oberflächenniveaudifferenz der Markierung 2 oder 3 einem Produkt der Illuminierungswellenlänge mit einer Ganzzahl plus einer halben Wellenlänge, dann unterliegt das Differenzbild derselben Interferenzbedingung zur Reflexion von der Anordnungsmarkierung 3 wie für eine Reflexion von der Markierung 2 außerhalb der Markierung 3. Somit ist der Signalkontrast sehr gering.
Als ein numerisches Beispiel sei angenommen, dass die Wellenlänge des Illuminierungslichts 633 nm beträgt und die Oberflächenniveaudifferenz 950 nm beträgt, was der 1½-fachen Längenwelle entspricht. Dies ist einfach die vorstehend beschriebene Bedingung. Wird beispielsweise ein Laser, der eine Emissionswellenlänge von 785 nm aufweist, als Illuminierungslicht verwendet, dann entspricht die Niveaudifferenz von 950 nm nun 1,21 λ (950 = 785 + 165 = 785 + 0,21·785), so dass ein Interferenzbild von hohem Kontrast erzeugt werden kann.
Die Anzahl auszubildender Laser ist nicht auf drei wie in dem Beispiel gemäß 7 beschränkt. Lediglich zwei Laser können ein hinreichendes Ergebnis bereitstellen. Hin sichtlich der Komplexität bei Halbleiterprozessen jedoch werden vorzugsweise so viele Lichtquellen wie möglich verwendet. Somit werden in diesem Beispiel drei Laser verwendet.
Während die Ausführungsbeispiele vorstehend unter Bezugnahme auf Beispiele beschrieben sind, in denen ein niedriger Bildkontrast für eine kleine Oberflächenniveaudifferenz in einem Hellfelderfassungssystem merklich erhöht wird, ist die Erfindung nicht auf dies beschränkt. Die Erfindung kann beispielsweise bei einer Messung einer Markierung mit einer dreidimensionalen Form mit ähnlichen vorteilhaften Ergebnissen angewendet werden.
Es können wie gemäß 2 gezeigt sowohl ein He-Ne-Laser 31 als auch eine Halogenlampe 5 als Lichtquelleneinrichtung ausgebildet werden, die untereinander austauschbar verwendet werden können. Wird der He-Ne-Laser 31 als eine Lichtquelle verwendet, dann kann eine Messung einer dreidimensionalen Form auf der Grundlage von Bildern bei vier Fokuspositionen (Bilder, die erhältlich sind, während der Fokusbetrag sukzessive jeweils um eine Einheit von λ/4 geändert wird) durchgeführt werden, d.h., es kann eine Messung gemäß einem sogenannten Randabtastverfahren durchgeführt werden.
Wird demgegenüber die Halogenlampe 5 verwendet, tritt eine Weißinterferenz auf, und somit wird die Kohärenzlänge kurz. Deshalb kann eine Messung einer dreidimensionalen Form auf der Grundlage eines sogenannten Kohärenzsondierverfahren durchgeführt werden.
Hinsichtlich Einzelheiten des Randabtastverfahrens zur Messung einer dreidimensionalen Form kann Bezug auf "Needs and Seeds of Optical Measurement", Corona Co., Seite 228 genommen werden. Ebenso kann hinsichtlich Einzelheiten des Kohärenzsondierverfahrens Bezug auf "Theory and Practice of Laser Microscopes", Seite 82, Ausgabe 1 des "New Optical Microscopes", Gakusai-Kikaku Co. genommen werden.
Als nächstes ist nachstehend ein Ausführungsbeispiel eines Halbleitergeräteherstellungsverfahrens beschrieben, das ein Positionserfassungssystem wie das vorstehend beschriebene verwendet.
8 zeigt ein Ablaufdiagramm einer Prozedur zur Herstellung von Mikrogeräten, wie beispielsweise Halbleiterchips (z.B. ICs oder LSIs), Flüssigkristallfelder oder CCDs.
Schritt 1 ist ein Entwurfsprozess zum Entwerfen einer Schaltung eines Halbleitergeräts. Schritt 2 ist ein Prozess zum Herstellen einer Maske auf der Grundlage des Schaltungsmusterentwurfs. Schritt 3 ist ein Prozess zum Vorbereiten eines Wafers unter Verwendung eines Materials wie Silizium. Schritt 4 ist eine Waferverarbeitung (Vorverarbeitung genannt), wobei, durch Verwenden der so vorbereiteten Maske und Wafer, Schaltungen auf dem Wafer in der Praxis durch Lithographie gebildet werden. Der nachfolgende Schritt 5 ist ein Zusammenbauschritt (Nachverarbeitung genannt), wobei der durch Schritt 4 verarbeitete Wafer in Halbleiterchips geformt wird. Dieser Schritt enthält ein Zusammenbau-(Zerteilen und Bonden)-Prozess und einen Verpackungs-(Chipversiegelungs-)-Prozess. Schritt 6 ist ein Inspektionsschritt, in dem eine Betriebsprüfung, eine Haltbarkeitsprüfung usw. für die durch Schritt 5 bereitgestellten Halbleitergeräte ausgeführt werden. Anhand dieser Prozesse werden Halbleitergeräte vollendet, und sie werden versandt (Schritt 7).
9 zeigt ein Ablaufdiagramm von Einzelheiten der Waferverarbeitung.
Schritt 11 ist ein Oxidationsprozess zum Oxidieren der Oberfläche eines Wafers. Schritt 12 ist ein CVD-Prozess zum Bilden eines Isolierfilms auf der Waferoberfläche. Schritt 13 ist eine Elektrodenbildungsprozess zum Bilden von Elektroden auf dem Wafer durch Dampfaufbringung. Schritt 14 ist ein Ionenimplantationsprozess zum Implantieren von Ionen in den Wafer. Schritt 15 ist ein Fotolackprozess zum Aufbringen eines Fotolacks (fotosensitives Material) auf den Wafer. Schritt 16 ist ein Belichtungsprozess zum Drucken des Schaltungsmusters der Maske auf den Wafer durch Belichtung durch eine Belichtungsvorrichtung, die eine vorstehend beschriebene. Der Belichtungsprozess wird nach einem Waferanordungsprozess auf der Grundlage einer Erfassung der Position einer Anordnungsmarkierung oder -markierungen durch ein vorstehend beschriebenes Positionserfassungssystem durchgeführt.
Schritt 17 ist ein Entwicklungsprozess zum Entwickeln des belichteten Wafers. Schritt 18 ist ein Ätzprozess zum Entfernen von Abschnitten, die sich von dem entwickelten Fotolackbild unterscheiden. Schritt 19 ist ein Fotolackabtrennverfahren zum Abtrennen des Fotolackmaterials, das auf dem Wafer verbleibt, nachdem dieser der Ätzverarbeitung unterzogen wurde. Durch Wiederholen dieser Prozesse werden Schaltungsmuster einander überlagert auf dem Wafer gebildet.
Anhand dieser Prozesse können Mikrogeräte hoher Dichte hergestellt werden.
Gemäß den vorstehend beschriebenen Ausführungsbeispielen der Erfindung kann der Kontrast, wie mit einem Phasendifferenzerfassungssystem, verbessert werden, während eine Ursache der TIS unterdrückt wird, und somit eine Markierung zur Positionserfassung stabil und mit guter Genauigkeit selbst in einem Prozess mit einer kleinen Oberflächenniveaudifferenz, wie ein CNP-Prozess, erfasst werden kann. Deshalb kann die Erfindung ein Positionserfassungssystem und/oder eine Belichtungsvorrichtung, die selbiges aufweist, mit denen ein Muster einer Maske auf die Oberfläche eines Wafers sehr akkurat und genau übertragen werden kann, bereitstellen.
Ferner kann in Ausführungsbeispielen der Erfindung ein Interferenzmikroskopsystem mit einer Hellfeldilluminierung verwendet werden, durch das ein hoher Kontrast für eine Markierung von kleiner Oberflächenniveaudifferenz, wie in einem CNP-Prozess, sichergestellt werden kann. Somit kann eine Positionserfassung hoher Genauigkeit erreicht werden.
Während die Erfindung vorstehend unter Bezugnahme auf die dort offenbarten Strukturen beschrieben ist, ist sie nicht auf die dargelegten Einzelheiten festgelegt.
Bei der Beschreibung der Ausführungsbeispiele wurde beschrieben, dass die Reflexionsebene für das Referenzlicht (die Oberfläche des Spiegels 23) optisch konjugiert mit dem Wafer 1 oder den Markierungen 2, 3 darauf ist. Wie für den Fachmann verständlich, stehen diese Abschnitte nicht in einer Objekt/Bild-Beziehung zueinander. Dementsprechend lässt sich verstehen, dass die Beziehung zwischen diesen Abschnitten darin besteht, dass sie dieselbe optische Konjugationseigenschaft verwenden, die relativ zu dem gemeinsamen Abschnitt des Lichtpfads ist, bevor das Licht auf die Referenzebene und das Licht auf den Wafer voneinander getrennt werden. Somit sind sie beide gemäß 2 mit der Blende 8b optisch konjugiert.

Claims

Positionserfassungssystem zum Erfassen der Position eines Ziels auf einem Objekt, mit: einer Lichtquelleneinrichtung (31) zum Bereitstellen von kohärentem Licht, einer Einrichtung (32) zum Bewegen eines Speckle-Musters in dem kohärenten Licht von der Lichtquelleneinrichtung (31), um inkohärentes Licht zu erzeugen, einem optischen System (9) zum Teilen des Lichts von der Lichtquelleneinrichtung (31) in Lichtstrahlen, wobei einer der Lichtstrahlen auf das Beleuchten eines Ziels auf einer Oberfläche eines Objekts (1) gerichtet ist, während ein anderer der Lichtstrahlen darauf gerichtet ist, von einer reflektierenden Oberfläche (23) reflektiert zu werden, und zum Rekombinieren von Licht von dem Ziel und von durch die reflektierende Oberfläche reflektiertem Licht, wobei die Oberfläche des Objekts (1) und die reflektierende Oberfläche (23) beide mit einer gemeinsamen Position in dem Weg des Lichts, bevor dieses in die Strahlen geteilt wird, optisch konjugiert sind, einer Bildaufnahmeeinrichtung (14) zum Wiedergeben eines dem Ziel entsprechenden Bildsignals auf der Grundlage des durch das optische System (9) rekombinierten Lichts, wobei Positionsinformationen, die auf die Position des Ziels hinsichtlich einer Richtung entlang der Oberfläche des Objekts (1) bezogen sind, auf der Grundlage des Bildsignals erhalten werden können, und einer Bildkontrasteinstelleinrichtung zum Einstellen eines Kontrasts eines Bildes, wie es durch die Bildaufnahmeeinrichtung (14) aufgenommen ist, eines Bereichs nahe dem Ziel, wobei das System eine Objektivlinseneinrichtung (11) in dem Weg des Lichtstrahls, nachdem dieser von dem Lichtstrahl zu der reflektierenden Oberfläche geteilt ist, zu dem Ziel umfasst, dadurch gekennzeichnet, dass das System keine Objektivlinsen in dem Weg des Lichtstrahls, nachdem dieser von dem Lichtstrahl zu dem Ziel geteilt ist, zu der reflektierenden Oberfläche umfasst.
Positionserfassungssystem gemäß Anspruch 1, wobei die Einrichtung (32) zum Bewegen eines Speckle-Musters eine bewegbare Lichtstreueinrichtung, die in einem Lichtweg in dem Positionserfassungssystem angeordnet ist, umfasst.
Positionserfassungssystem gemäß Anspruch 1 oder 2, wobei das optische System einen Polarisierungsstrahlteiler (9) zum Teilen des Lichts von der Lichtquelleneinrichtung in die auf das Ziel und die reflektierende Oberfläche gerichteten Lichtstrahlen umfasst.
Positionserfassungssystem gemäß einem der Ansprüche 1 bis 3 zur Verwendung mit einem Ziel, das eine auf dem Objekt bereitgestellte Markierung umfasst, wobei die Markierung eine Oberfläche mit einer Oberflächenebenendifferenz hinsichtlich einer Richtung einer optischen Achse des optischen Systems aufweist, wobei die Bildkontrasteinstelleinrichtung zum Bewegen des Objekts entlang der optischen Achsenrichtung des optischen Systems betreibbar ist, und wobei die Bildaufnahmeeinrichtung zum Erzeugen, so wie das Objekt entlang der optischen Achsenrichtung bewegt wird, eines auf die Markierung bezogenen Bildsignals bei einer Position, die einem Spitzenwert der Differenz in einer Bildintensität zwischen Ober- und Untergrenze der Oberflächenebenendifferenz der Markierung entspricht, eingerichtet ist.
Positionserfassungssystem gemäß Anspruch 4, wobei die Bildaufnahmeeinrichtung zum Erzeugen von zwei auf die Markierung bezogenen Bildsignalen bei zwei Positionen, die jeweiligen Spitzen der Differenz in einer Bildintensität zwischen der Ober- und Untergrenze der Oberflächenebenendifferenz der Markierung entsprechen, wobei die Spitzen gegenseitig invertierte Richtungen der Differenz in der Bildintensität aufweisen, und wobei die auf die Markierung bezogenen Positionsinformationen auf der Grundlage einer Differenz zwischen den zwei Bildsignalen erhalten werden können, eingerichtet ist.
Positionserfassungssystem gemäß einem der vorstehenden Ansprüche zur Verwendung mit einem Ziel, das eine auf dem Objekt bereitgestellte Markierung umfasst, wobei die Markierung eine Oberfläche aufweist, die eine Oberflächenebenendifferenz hinsichtlich einer Richtung einer optischen Achse des optischen Systems aufweist, wobei die Lichtquelleneinrichtung eine Vielzahl von Lichtquellen, die zum Bereitstellen von Licht unterschiedlicher Wellenlängen eingerichtet ist, umfasst.
Positionserfassungssystem gemäß einem der vorstehenden Ansprüche, das eine Blende (8b) in dem Weg des Lichts von der Lichtquelleneinrichtung, bevor dieses in die Strahlen geteilt wird, umfasst, die sowohl mit der Oberfläche des Objekts (1) als auch der reflektierenden Oberfläche (23) optisch konjugiert ist.
Belichtungsvorrichtung, die ein Positionserfassungssystem gemäß einem der vorstehenden Ansprüche zum Erfassen der Position einer Ausrichtungsmarkierung auf einem Werkstück, eine Einrichtung zum Ausrichten des Werkstücks auf der Grundlage der Positionsinformationen und eine Einrichtung zum Belichten des Werkstücks mit einem Muster umfasst.
Geräteherstellungsverfahren mit: einem Positionserfassungsschritt des Erfassens der Position einer Ausrichtungsmarkierung auf einer Oberfläche eines zu belichtenden Werkstücks durch Verwendung eines Positionserfassungssystems gemäß einem der Ansprüche 1 bis 7, einem Musterbelichtungsschritt des Ausrichtens des Werkstücks auf der Grundlage der Positionserfassung und zum Belichten des Werkstücks mit einem Muster, einem Entwicklungsschritt zum Entwickeln des Werkstücks, nachdem dieses in dem Musterbelichtungsschritt belichtet ist, und einem Schritt des Erzeugens eines Geräts aus dem entwickelten Werkstück.