DE69937090T2 - Halbleiterträger, seine Herstellung, Aufbau und dessen Herstellung - Google Patents

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Description

  • Die vorliegende Erfindung betrifft Halbleitertragevorrichtungen und Verfahren zur Herstellung derselbigen.
  • In Suszeptoren und dergleichen, die aus Keramikmaterialien, wie z.B. Aluminiumnitriden, Aluminiumoxid, SiC oder SN bestehen, werden Materialien für Elektrodenanschlüsse hinsichtlich Hitzebeständigkeit, Korrosionsbeständigkeit und Beständigkeit ausgewählt, aber es gibt nur wenige Materialien, die die obigen Erfordernisse erfüllen. In einem Verfahren zum Hartlöten eines Metallanschlusses an ein Keramiksubstrat kommt es beispielsweise häufig zu Problemen, wie z.B. einer Rissbildung im Keramikmaterial aufgrund von Restspannungen während des Verbindens oder von Wärmespannungen beim Ein- und Ausschalten des elektrischen Stroms in Stromdurchgangsperioden.
  • Aus diesem Grund wird angenommen, dass auf den Anschluss eine plastisch verformende Kraft ausgeübt wird, weil ein Metall mit niedrigem Schmelzpunkt oder ein hochreines Metall als Material für den Anschluss verwendet wird. Da der Anschluss selbst jedoch eine geringe Formbeibehaltungseigenschaft hat, kommt es zu einem Problem, wie z.B. der Formveränderung des Anschlusses, oder die Verbindungsgrenzfläche wird aufgrund einer erhöhten Beanspruchung zwischen dem Anschluss und dem Hartlötmaterial brüchig, sodass die Verbindungsfestigkeit manchmal abnimmt.
  • Andererseits ist es bekannt, dass ein Verbundmaterial auf Metallbasis mittels eines Lanxide-Verfahrens (siehe beispielsweise S. Hori, Ceramics „CMC and MMC Net Shape Producing Technique by using Lanxide System" 32 2, 93-97 (1997)) hergestellt wird. Beispielsweise ist es bekannt, dass die Benetzbarkeit zwischen geschmolzenem Aluminium und Keramiken durch das Lanxide-Verfahren in jedem Verbundmaterial auf Siliciumnitrid-Aluminium-Basis und Aluminium-Aluminium-Basis verbessert wird. Dieses Verfahren wird im Allgemeinen als „druckloses Metallimmersions-Verfahren" bezeichnet.
  • In diesem Verfahren wird eine Vorform, die eine ähnliche Form wie die gewünschte Endform aufweist, unter Einsatz von Siliciumcarbid oder Aluminiumoxid als Verstärkungsmateriali geformt und ein Wachstums-unterbrechender Sperrfilm wird an einer Oberfläche der Vorform ausgebildet, die eine andere als die Vorform ist, an der eine Aluminiumlegierung kontaktiert ist. Wenn die resultierende Vorform mit der Aluminiumlegierung üblicherweise bei etwa 800 °C unter Stickstoff kontaktiert wird, gelangt das Aluminium in Hohlräume der Vorform während das Keramikmaterial benetzt wird, wodurch ein Verbundmaterial geformt wird. In diesem Verbundmaterial ist eine Schicht aus Aluminiumnitrid an einer Grenzfläche zwischen dem Keramikmaterial und dem Aluminium vorhanden.
  • Ein Verfahren, bei dem ein solcher Metallmatrix-Keramik-Verbundkörper mit einem Keramikmaterial oder Metall, insbesondere einem isolierenden Keramikmaterial verbunden wird, ist bisher jedoch noch nicht untersucht worden.
  • In der US-A-5.633.073 ist ein Keramiksuszeptor zur Verwendung bei der Siliciumwaferbehandlung offenbart, wobei dieser eine eingebettete Mo-Netzelektrode und ein Metallverbindungselement aufweist, die in einer Vertiefung im Suszeptor gehalten werden und mittels Hartlötmaterial an die Elektrode hartgelötet sind.
  • In der WO 91/13462 ist ein Makroverbundkörper zur Verwendung in einem elektronischen Gehäuse beim Montieren eines elektronischen Chips offenbart, der durch spontane Infiltration einer durchlässigen Masse aus Füllstoffmaterial mit geschmolzenem Matrixmetall und gleichzeitigem Verbinden des infiltrierten Materialien mit einem zweiten Material geformt wird.
  • Zusammenfassung der Erfindung
  • Die vorliegende Erfindung betrifft eine Halbleitertragevorrichtung, die ein aus einem isolierenden Keramikmaterial bestehendes Substrat, ein im Substrat eingebettetes leitfähiges Element und einen mit dem leitfähigen Element verbundenen Anschluss umfasst und sich zum Ziel setzt, die Beständigkeit an einem Verbindungsabschnitt zwischen dem isolierenden Material und dem Anschluss gegenüber Stromdurchgangsperioden zu verbessern.
  • Die vorliegende Erfindung stellt eine wie in Anspruch 1 dargelegte Halbleitertragevorrichtung bereit.
  • Die Erfinder der vorliegenden Erfindung haben vorgesehen, dass der aus dem Metallmatrix-Keramik-Verbundkörper ausgebildete Anschluss Leitfähigkeit in der Struktur aufweist, in welcher der Anschluss mit dem aus dem isolierenden Keramikmaterial hergestellten Substrat verbunden worden ist. Es wurde herausgefunden, dass wenn der Anschluss direkt mit dem Substrat kontaktiert wurde oder wenn ein Zwischenmaterial, das aus einer Legierung mit 70 Mol-% oder mehr von einer Hauptkomponente der Metallmatrix, die den Metallmatrix-Keramik-Verbundkörper bildet, besteht, zwischen dem Anschluss und dem Substrat angeordnet ist, der Anschluss durch Wärmebehandlung des isolierenden Materials und des Anschlusses oder durch Wärmebehandlung des isolierenden Materials, des Anschlusses und des Zwischenelements bei einer Temperatur, bei welcher eine Metallmatrix, die den Metallmatrix-Keramik-Verbundkörper oder die Metallmatrix und die Legierung bildet, schmelzen kann, unter einer Atmosphäre bei einem Druck von 0,013 Pa (0,0001 Torr) oder weniger mit dem isolierenden Material verbunden werden konnte.
  • Da dieser Anschluss fest mit dem Substrat verbunden war, kam es sogar bei wiederholten Stromdurchgangsperioden zu keinem Bruch des Verbindungsabschnitts.
  • Die vorliegende Erfindung betrifft ferner eine in Anspruch 7 dargelegte Halbeiterhaltevorrichtung.
  • In einer solchen Halbleitertragevorrichtung kommt es sogar bei wiederholten Stromdurchgangsperioden zu keinem Bruch der Halbleitertragevorrichtung, da der Anschluss fest mit dem Substrat verbunden ist.
  • Bei der Umsetzung der obigen Erfindung hatten die Erfinder der vorliegenden Erfindung die technische Idee, ein aus einem Metallmatrix-Keramik-Verbundkörper, der kein Anschluss ist, hergestelltes Element mit einem anderen aus einem Keramikmaterial, einem Metallmaterial oder einem Keramikmaterial, in welches ein Metallelement eingebettet war, hergestellten Element zu verbinden. In der Folge fand man heraus, dass der Verbundkörper mit dem weiteren Element durch thermisches Erhitzen sowohl des Metallmatrix-Keramik-Verbundkörpers als auch des weiteren Elements bei einer Temperatur, bei welcher eine Metallmatrix, die den Metallmatrix-Keramik-Verbundkörper bildet, schmelzen kann, unter einer Atmosphäre bei einem Druck von 0,013 Pa (0,0001 Torr) oder weniger verbunden werden konnte.
  • In einem solchen Fall kann die Wärmebehandlung durchgeführt werden, während der Metallmatrix-Keramik-Verbundkörper in direktem Kontakt mit einem weiteren Element ist. Alternativ dazu kann ein Zwischenmaterial, das aus einer Legierung mit 70 Mol-% oder mehr einer Hauptkomponente der Metallmatrix, die den Metallmatrix-Keramik-Verbundkörper bildet, besteht, bei der Wärmebehandlung zwischen diesen angeordnet sein.
  • Diese und andere Ziele, Merkmale und Vorteile der Erfindung ergeben sich durch das Lesen der nachstehenden Beschreibung der Erfindung zusammen mit den beigefügten Zeichnungen, wobei es sich versteht, dass Fachleute auf dem Gebiet der Erfindung ohne weiteres Modifizierungen, Variationen und Veränderungen vornehmen könnten.
  • Kurzbeschreibung der Zeichnungen
  • Für ein besseres Verständnis der Erfindung wird auf die beigefügten Zeichnungen Bezug genommen, worin:
  • 1 eine schematische Ansicht eines aus einem Metall, einem elektrisch leitfähigen Keramikmaterial oder einem Metallmatrix-Keramik-Verbundmaterial bestehenden Anschlusses 1 und eines aus einem isolierenden Material bestehenden Substrats 2 ist, bevor diese miteinander verbunden werden;
  • 2 eine schematische Schnittansicht des Anschlusses 1 und des Substrats 2 ist, nachdem diese miteinander verbunden wurden;
  • 3 eine schematische Schnittansicht eines aus einem Metallmatrix-Keramik-Verbundkörper bestehenden Anschlusses 11 und eines aus einem isolierenden Material bestehenden Substrats 2 ist, bevor diese miteinander verbunden werden;
  • 4 eine schematische Schnittansicht des Anschlusses 11 und des Substrats 2 ist, nachdem diese miteinander verbunden wurden;
  • 5 eine Schnittansicht ist, die einen Zustand darstellt, bei dem zwei aus Metallmatrix-Keramik-Verbundkörpern bestehende Befestigungsanschlüsse 17 (erste Elemente) mit einer so genannten Deckplatte (ein zweites Element) verbunden sind;
  • 6 eine Schnittansicht ist, die einen Zustand darstellt, bei dem ein scheibenförmiger Suszeptor 18 (ein erstes Element) mit einem aus Aluminiumoxid bestehenden Substrat 20 (ein zweites Element) über eine aus einem Verbundkörper bestehende flache Platte 19 (ein Verbindungselement) verbunden ist;
  • 7 eine Aufnahme ist, die ein Sekundärelektronenbild einer verbundenen Grenzfläche in Verbindungsversuch 1 darstellt;
  • 8 eine Aufnahme ist, die ein Sekundärelektronenbild einer verbundenen Grenzfläche in Verbindungsversuch 1 darstellt; und
  • 9 ein Grundriss einer Stromdurchgangsperioden-Testvorrichtung ist.
  • Detaillierte Beschreibung der Erfindung
  • Es folgt eine detailliertere Beschreibung der vorliegenden Erfindung.
  • Wenn die Wärmebehandlung bei einer solchen Temperatur durchgeführt wird, bei welcher die Metallmatrix des Metallmatrix-Keramik-Verbundkörpers schmelzen kann, kann ein Verbindungsgegenstand mit einer geringeren oder nicht nachweisbaren Menge an Fremdstoffen an seiner Verbindungsgrenzfläche erhalten werden. Da dieser Verbindungsabschnitt hohe Hitzebeständigkeit, keine Brüchigkeit und hohe Verbindungsfestigkeit aufweist, verfügt es sogar bei wiederholten Stromdurchgangs- oder Erwärmungsperioden über lange Haltbarkeit.
  • Es wird angenommen, dass der Grund für die Durchführbarkeit einer solchen Verbindung ist, dass die Restspannung beim Verbinden und die durch die Stromdurchgangsperioden bewirkte Spannung durch die Umordnung der Keramikteilchen und des Matrixmetalls durch Gleiten an den Korngrenzen oder plastische lokale Deformation der Metallmatrix verteilt und verringert werden.
  • Die erfindungsgemäße Halbleitertragevorrichtung umfasst nicht nur eine Verarbeitungsvorrichtung zur Feinverarbeitung von Si-Wafern, sondern auch Vorrichtungen zur Herstellung von Flüssigkristallanzeigen, Mikromaschinen, Solarzellen etc. Als Halbleitertragevorrichtung umfasst eine solche Vorrichtung einen Suszeptor, bei dem ein wärmeerzeugendes Element, eine elektrostatische Haltevorrichtungselektrode und eine Hochfrequenzspannung erzeugende Elektrode sowie ein mit dem Suszeptor verbundener Schaft und eine hintere Platte als Beispiel angeführt werden können.
  • Der Suszeptor oder dergleichen mit besonders herausragender Stromdurchgangsperiodenbeständigkeit kann bereitgestellt werden, indem die vorliegende Erfindung so angewandt wird, dass der Anschluss in der Halbleitertragevorrichtung verbunden wird. Das isolierende Material ist vorzugsweise ein Keramikmaterial mit einer Wärmeleitfähigkeit von nicht mehr als 20 W/m·K. Dass der Anschluss elektrisch leitfähig ist, bedeutet, dass der Anschluss eine solche Leitfähigkeit aufweist, dass er in der Lage ist, als Hochfrequenz-Elektrodenanschluss, Heizelementanschluss oder elektrostatischer Aufspannvorrichtungsanschluss zu fungieren. Genauer gesagt weist der Anschluss vorzugsweise einen Volumenwiderstand von nicht mehr als 0,001 Ω·cm auf.
  • Es wurde auch herausgefunden, dass wenn ein Sackloch oder eine Vertiefung in einem Substrat ausgebildet und in dieser Vertiefung ein Anschluss angeordnet und mit dem Substrat verbunden ist, der Verbundkörper eine ausreichende Pufferwirkung aufwies, um ein geschmolzenes Hartlötmaterial passend zu absorbieren oder eine unzureichende Menge des Hartlötmaterials beim Verbinden mit dem Hartlötmaterial zusätzlich bereitzustellen. Da die Form der Ausrundung um den Anschluss passend angeordnet werden kann, wird dadurch eine Abweichung im verbundenen Zustand, die durch eine überschüssige oder nicht ausreichende Menge des Hartlötmaterials bei der Herstellung bewirkt werden würde, unterdrückt.
  • Der aus dem Metallmatrix-Keramik-Verbundkörper bestehende Anschluss wird besonders bevorzugt als Hochfrequenz-Elektrodenanschluss eingesetzt. Der Grund dafür wird später erläutert. Bei Verwendung eines aus einem Metall bestehenden Hochfrequenz-Elektrodenanschlusses strömt ein Hochfrequenzstrom entlang einer beschränkten Stelle nahe der Oberfläche des Anschlusses, sodass der elektrische Hauptwiderstand erhöht wird oder es zu lokaler Wärmebildung kommt. Da der Metallmatrix-Keramik-Verbundkörper wie ein Bündel an feinen Drähten ist, die elektrisch gesehen aus einem elektrisch leitfähigen Material bestehen, verteilt sich der Hochfrequenzstrom und strömt durch diese feinen Drähte. Daher wird angenommen, dass die obige ausgezeichnete Stromfließeigenschaft erzielt werden kann, weil die wirksame Schnittfläche einer Zone des Metallmatrix-Keramik-Verbundkörpers, durch welche der Hochfrequenzstrom fließt, verglichen mit dem Metallanschluss größer ist.
  • Da der Metallmatrix-Keramik-Verbundkörper aufgrund seiner Abriebfestigkeit eine geringe teilchenfreisetzende Eigenschaft aufweist, wird der Verbundkörper vorzugsweise nicht nur für den Elektrodenanschluss, sondern auch für den Befestigungsanschluss verwendet.
  • Die Metallmatrix, welche den obigen Verbundkörper bildet, umfasst besonders bevorzugt Aluminium als Hauptkomponente. Der Grund dafür ist, dass die Verbindungstemperatur dadurch relativ gering gehalten werden kann und Aluminium an sich ein weiches Metall ist. Dabei werden Al, Mg, In, Sn, Pb und Bi bevorzugt.
  • Das Mischverhältnis der Keramikteilchen im Verbundkörper kann passend gewählt werden, wobei es im Allgemeinen 20 bis 80 Mol-% beträgt. Wenn zu wenig oder zu viel Keramikteilchen vorliegen, verringert sich deren Pufferwirkung. Die Teilchengrößenverteilung der Keramikteilchen ist vorzugsweise breiter. Die bimodale Teilchengrößenverteilung wird bevorzugt. Der Grund dafür ist, dass nicht nur die Ladungswirkung der Teilchen in der Metallmatrix erhöht, sondern auch die Pufferwirkung in einer Feinstruktur mit gewisser Uneinheitlichkeit verbessert werden kann.
  • Der Wärmeausdehnungskoeffizient des Keramikmaterials, welches den Verbundkörper bildet, entspricht vorzugsweise im Wesentlichen jenem eines damit zu verbindenden Keramikelements oder liegt darunter. Wenn das Keramikelement beispielsweise aus AlN oder Aluminiumoxid besteht, können AlN, Aluminiumoxid, SiC oder SiO2 als die Mischteilchen gewählt werden.
  • Als Keramikmaterial, welches den Verbundkörper bildet, wird eine Keramik auf Aluminiumbasis besonders bevorzugt, wobei Aluminiumoxid und Aluminiumnitrid besonders bevorzugt werden.
  • Das Verfahren zur Herstellung des Verbundkörpers unterliegt keinen besonderen Einschränkungen, wobei nachstehendes Verfahren bevorzugt wird. Vorbestimmte Keramikteilchen werden beispielsweise in einem Lösungsmittel, wie z.B. Isopropanol dispergiert, die Dispersion mit einem organischen Bindemittel, wie z.B. flüssigem Acryl-Copolymer-Bindemittel vermischt und eine Aufschlämmung durch 2- bis 20-stündiges Vermischen des Gemischs unter Rühren in einer Kugelmühle im Industriemaßstab gebildet. Danach wird die Aufschlämmung mit einem Sprühtrockner vom explosionsverhindernden Typ auf einen Teilchendurchmesser von 30 bis 100 μm granuliert. Anschließend wird das granulierte Pulver in eine vorbestimmte Form ge füllt und bei einem Druck von 20 bis 700 MPa (200 bis 7.000 kp/cm2) mittels hydraulischer Presse pressgeformt und der geformte Körper entwachst, wodurch eine Vorform erhalten wird.
  • Anstatt die Aufschlämmung mit dem organischen Bindemittel herzustellen, kann auch ein durch Sprühen erhaltenes Pulver, in welches Ethanol eingemischt ist, erhalten werden, und das resultierende Pulver wird auch gleiche wie oben angeführte Weise pressgeformt, wodurch eine Vorform hergestellt wird.
  • Es wird eine vorbestimmte Metallmatrix in die Vorform eingebracht. Zu diesem Zeitpunkt können ein Selbsteinbringungsverfahren, ein Druckeinbringungsverfahren oder ein Vakuumeinbringungsverfahren angewandt werden. Besonders bevorzugt wird, dass eine oder mehrere Arten von aktiven aus der aus Magnesium, Titanium, Zirconium und Hafnium bestehenden Gruppe ausgewählten Metallen in eine Aluminiumlegierung aufgenommen werden, wobei die Matrix der Aluminiumlegierung in Hohlräume in der Vorform gemäß dem drucklosen Metalleinbringungsverfahren eingebracht wird, Aluminiumnitrid an der Grenzfläche zwischen der Matrix und dem Keramikmaterial, die die Vorform bilden, hergestellt wird, wodurch die Benetzbarkeit zwischen dem Keramikmaterial und der Matrix verbessert wird.
  • In jedem Aspekt der vorliegenden Erfindung wird es bei Verwendung des Zwischenelements bevorzugt, ein aus einem Metall bestehendes Zwischenmaterial zu verwenden, das eine Schmelztemperatur aufweist, die unter jener der Metallkomponente im Verbundkörper liegt. Eine solche Differenz bezüglich der Schmelztemperatur ist annehmbar, sofern das Zwischenelement vor dem Schmelzen der Metallmatrix schmilzt, und eine solche Temperaturdifferenz zwischen diesen beträgt besonders bevorzugt nicht weniger als 15 °C. Zu diesem Zeitpunkt wird die Formbeibehaltungseigenschaft des gesamten Verbundgegenstands verbessert.
  • Das Zwischenelement liegt gegebenenfalls in Form einer Lage, eines Pulvers oder einer Paste vor.
  • Vorzugsweise wird das Zwischenelement dazwischen angeordnet, da der Verbindungsgrenzflächenabschnitt leicht dazu neigt, eine geneigte Struktur anzunehmen. Die Dicke des Zwischenelements beträgt vorzugsweise 0,05 mm bis 0,5 mm. Wenn das Zwischenelement zu dünn ist, nimmt die Verarbeitbarkeit ab, was zu Problemen führt, wie beispielsweise, dass sich das Zwischenmaterial leicht an einer Stelle verfestigt. Wenn das Zwischenmaterial zu dick ist, ähnelt es einem Verbundgegenstand, der ausschließlich aus einem Metall- und einem Keramikmaterial besteht, sodass die Wirkungen in Bezug auf den Verbundkörper schwierig zu erzielen sind. Der Verbundkörper kann als Pufferelement zwischen dem Metall- und dem Keramikmaterial verwendet werden oder das Verbundmaterial selbst kann als Anschluss verwendet werden. In beiden Fällen beträgt die Dicke des Verbundkörpers vorzugsweise nicht weniger als 0,4 mm, da ein zu dünner Verbundkörper dessen Pufferwirkung verringert.
  • Das Zwischenelement enthält nicht weniger als 70 Mol-% der Hauptkomponente der Metallmatrix, welche den Metallmatrix-Keramik-Verbundkörper bildet. Daher besteht das Zwischenelement in einer besonders bevorzugten Ausführungsform aus einer Aluminiumlegierung, die nicht weniger als 70 Mol-% enthält. In einem solchen Fall beträgt der Aluminiumgehalt im Zwischenelement weniger als 70 Mol-%, wird ein Metallelement im Rest mit Aluminium oder der Aluminiumlegierung in der Matrix legiert, oder bildet eine Zwischenverbindung damit, die zu Brüchigkeit führen kann.
  • Besonders bevorzugt wird, dass nicht weniger als 1 Mol-% und nicht mehr als 10 Mol-% einer oder mehrerer Arten an aktiven aus der aus Magnesium, Titanium, Zirconium und Hafnium (besonders bevorzugt Magnesium) bestehenden Gruppe ausgewählten Metalle im Zwischenelement aufgenommen sind.
  • Wenn die Menge des aktiven Metalls im Zwischenelement nicht weniger als 1 Mol-% beträgt, verbessert sich die Affinität mit der Metallkomponente oder die Verstärkung im Substrat, was die Einbringung erleichtert. Wenn die Menge des aktiven Metalls nicht mehr als 10 Mol-% beträgt, kann die lokale Bildung der Zwischenmetallverbindung oder dergleichen, die zu Brüchigkeit führt, unterdrückt werden.
  • Unter der Annahme, dass der Gesamtgehalt des Zwischenelements 100 Mol-% beträgt, stellt der Gehalt des Metalls als Hauptkomponente des Zwischenelements einen Rest dar, der durch Subtrahieren der Summe des Gehalts der aktiven Metallkomponente und jener einer dritten Komponente von 100 Mol-% erhalten wird.
  • Neben dem Metall (vorzugsweise Aluminium) als obige Hauptkomponente und dem/den obigen aktiven Metall(en) kann eine dritte Komponente im Zwischenelement aufgenommen werden. Als dritte Komponente wird vorzugsweise Silicium oder Bor eingesetzt, da sie sich nicht auf die Hauptkomponente auswirken. Eine solche dritte Komponente dient zur Verringerung des Schmelzpunkts. Wenn die dritte Komponente aufgenommen wird, verbessert sich das Fließvermögen des Zwischenelements, und sogar die Temperatur ist gleich. Der Gehalt der dritten Komponente beträgt vorzugsweise 1,5 bis 10 Gew.-%.
  • In einer stärker bevorzugten Ausführungsform ist die Legierung, welche das Zwischenelement bildet, eine Aluminiumlegierung mit 1 bis 6 Gew.-% Magnesium und 1,5 bis 10 Gew.-% Silicium.
  • Ein Film aus einer oder mehreren Arten von Metallen, die aus der aus Magnesium, Titanium, Nickel, Zirconium und Hafnium bestehenden Gruppe ausgewählt sind, kann zwischen der Verbindungsfläche des Keramikelements oder dem Substrat und dem Verbundkörper durch Sputtern, Dampfabscheidung, Friktionspressenkontaktierung, Plattieren oder dergleichen bereitgestellt werden. Eine Folie aus einer oder mehreren Arten von Metallen, die aus der aus Magnesium, Titanium, Nickel, Zirconium und Hafnium bestehenden Gruppe ausgewählt sind, kann zwischen der Verbindungsfläche des Keramikelements oder dem Substrat und dem Verbundkörper angeordnet sein.
  • Wenn der Anschluss aus einem elektrisch leitfähigen Material besteht, wird TiB2, B4C, TiC oder Kohlenstoff bevorzugt.
  • Vorzugsweise wird zumindest eines aus einem oxidierten Film oder einem nitridierten Film auf jeder der Verbindungsflächen des Keramikelements und des Substrats durch Waschen dieser Verbindungsflächen mit einer Säurelösung oder einer Basenlösung entfernt. Wenn ein solcher oxidierter Film oder Stickstofffilm an der Verbindungsfläche zurückbleibt, wird befürchtet, dass das Zwischenelement oder die Matrix daran gehindert werden, über der Verbindungsgrenzfläche in das Substrat eingebracht zu werden.
  • Die Atmosphäre während der Wärmebehandlung muss in einem so hohen Vakuum erfolgen, dass dadurch die Oxidation und Nitridierung des Substrats wirksam verhindert wird. Zu diesem Zweck beträgt die Atmosphäre nicht mehr als 0,013 Pa (1 × 10–4 Torr). In Hinblick auf die Verhinderung der Verdampfung der Metallkomponente während der Wärmebehandlung beträgt sie nicht weniger als 1,3 × 10–5 Pa (1 × 10–7 Torr).
  • Die Temperatur der Wärmebehandlung zum Schmelzen der Metallmatrix liegt nicht unter dem Schmelzpunkt des Metalls und ist vorzugsweise um 20 °C höher als dieser Schmelzpunkt. Zur Unterdrückung des Schadens gegenüber dem Keramikmaterial beträgt die Differenz zwischen dem Schmelzpunkt des Metalls und der Wärmebehandlungstemperatur vorzugsweise nicht mehr als 50 °C.
  • 1 zeigt eine Ausführungsform eines Suszeptors gemäß der vorliegenden Erfindung bevor ein Anschluss 1 mit einem Substrat 2 verbunden wird. Das Substrat 2 des Suszeptors ist mit einer Rückseite „2e" und einer Anbringungsfläche „2f" bereitgestellt, und ein Aufnahmeloch „2a" ist an einer Seite der Rückseite „2e" ausgebildet. Der Anschluss 1 wird im Aufnahmeloch „2a" aufgenommen. Der Anschluss 1 besteht aus einem Metall, einem elektrisch leitfähigen Keramikmaterial oder einem Metallmatrix-Keramik-Verbundkörper. Eine vorbestimmte Elektrode 5 wird im Substrat 2 aufgenommen, während ein Teil 5a der Elektrode 5 im Inneren des Aufnahmelochs freiliegt. Der Anschluss ist mit einer Vertiefung 1a und einem wie angeführten Schraubloch 1b bereitgestellt. Ein lagenförmiges Verbindungselement 3, das aus einem Metallmatrix-Keramik-Verbundkörper und einem Zwischenelement 4 besteht, ist zwischen der unteren Fläche 1c des Anschlusses 1 und der unteren Fläche 2b des Aufnahmelochs 2a angeordnet.
  • Ein in 2 gezeigter Verbundgegenstand wird durch Wärmebehandlung der so erhaltenen Anordnung erhalten. Die untere Fläche 1c des Anschlusses 1 wird mit der unteren Fläche 2b des Aufnahmelochs 2a mittels eines Verbundmaterials 32 und der Verbindungsschicht 13 verbunden. In 2 behält das Verbindungsmaterial 32 die Feinstruktur des Verbindungselements 3 vor der Wärmebehandlung fast bei. Die Verbindungsschicht 13 wird durch Schmelzen des Zwischenelements vor der Wärmebehandlung hergestellt. Zu diesem Zeitpunkt fließt ein Teil der Metallmatrix 15, welche das Verbindungsmaterial 32 bildet, nach unten zur Verbindungsschicht 13, sodass keine Naht zwischen dem Verbindungsmaterial 32 und der Verbindungsschicht 13 besteht. Die Metallmatrix der Verbindungsschicht 13 wird mit dem Keramikelement 2 durch Hartlöten verbunden, und es besteht die Tendenz, dass sie mit dem freigelegten Abschnitt 5a der Elektrode 5 fester verbunden wird.
  • 3 ist eine weitere Ausführungsform der vorliegenden Erfindung bevor ein Anschluss mit einem Substrat verbunden wird. Der Anschluss 11 wird in einem Aufnahmeloch 2a des Substrats 2 aufgenommen. Der Anschluss 1 ist mit einer Vertiefung 11a und einem Schraubloch 11b bereitgestellt. Der Anschluss 11 dieser Ausführungsform besteht aus einem Metallmatrix-Keramik-Verbundkörper. Ein Zwischenelement 4 ist zwischen der unteren Fläche 11c des Anschlusses 1 und der unteren Fläche 2b des Aufnahmelochs 2a angeordnet. Die Anordnung wird in diesem Zustand wärmebehandelt.
  • 4 zeigt die Struktur eines Verbindungsabschnitts zwischen dem Anschluss 11 und dem Substrat 2 nach der Wärmebehandlung. Ein oberer Abschnitt 11e des Anschlusses 11 weicht vor der Wärmebehandlung kaum davon ab. Ein unterer Abschnitt 11d des Anschlusses 11 entspricht fast einer Zone 12 nach der Wärmebehandlung. Die Naht zwischen der Zone 12 und der Verbindungsschicht 12 verschwindet jedoch. Die aus dem Verbundmaterial bestehende Zone 12 weist relativ dicht vorliegende Keramikteilchen 14 auf und behält die Feinstruktur des Verbund materials vor dem Verbinden bei. Da andererseits die Metallmatrix, welche das Verbundmaterial bildet ausschmilzt, und wenn bei Bedarf ein Zwischenelement bereitgestellt ist, weil das Zwischenelement schmilzt, besteht die Verbindungsschicht 13 hauptsächlich aus der Metallmatrix 15, während die Keramikteilchen 14 relativ dünn sind. Die Metallmatrix 15 neigt dazu, die freigelegten Abschnitte 5a der Elektrode 5 fest zu verbinden.
  • In einer Ausführungsform von 5 werden zwei Befestigungsanschlüsse 17 (erste Elemente), die aus Metallmatrix-Keramik-Verbundkörpern bestehen, mit einer so genannten Deckplatte (ein zweites Element) verbunden. Die Bezugszeichen 16a und 17a stehen jeweils für Durchgangslöcher.
  • In einer Ausführungsform von 6 wird ein scheibenförmiger Suszeptor 18, der an sich aus Aluminiumnitrid besteht (ein erstes Element) mit einem aus Aluminiumoxid bestehenden Substrat 20 (ein zweites Element) über eine aus einem Verbundkörper bestehende flache Platte 19 (Verbindungselement) verbunden.
  • (Beispiele)
  • (Verbindungsversuch 1)
  • Körniges Aluminiumnitrid mit einer mittleren Teilchengröße von 25 μm wurde in einem Lösungsmittel aus Isopropanol dispergiert, zur Dispersion ein flüssiger Acryl-Copolymer-Bindestoff zugesetzt und das resultierende Gemisch in einer Kugelmühle im Industriemaßstab unter Rühren 4 Stunden lang vermischt, wodurch eine Aufschlämmung erhalten wurde. Diese Aufschlämmung wurde mit einem Sprühtrockner vom explosionsverhindernden Typ granuliert, wodurch ein kugelförmiges granuliertes Pulver mit dem mittleren Teilchendurchmesser von etwa 150 μm erhalten wird. Das so granulierte Pulver wurde in eine vorbestimmte Form gefüllt und bei einem Druck von 20 MPa (200 kp/cm2) mittels hydraulischer Ölpresse axial pressgeformt, wodurch eine große Vorform mit einem Durchmesser von 380 mm und einer Dicke von 30 mm erhalten wurde.
  • Nachdem diese Vorform vollständig trocken und entwachst war, wurde es mit einer Schmelze einer Aluminiumlegierung (Al: 92,6 Mol-%, Mg: 5,5 Mol-%, Silicium: 1,9 Mol-%) bei 900 °C unter einer N2-1 % H2-Atmosphäre bei einem Druck von 1,5 atm 24 Stunden lang kontaktiert, wodurch Aluminium gemäß einem drucklosen Metallimmersionsverfahren in eine Vorform eingetaucht wurde. Anschließend wurde die Vorform aus der Schmelze herausgezogen, womit ein Verbundkörper erhalten wurde. Die Menge der im Verbundkörper aufgenommenen AlN-Körner betrug 70 Mol-%. Daraus ergab sich, dass der Verbundkörper eine Abmessung von 20 × 20 × 20 mm aufwies. Eine gesinterte Probe von Aluminiumnitrid mit einer Reinheit von 99,9 % wurde in Abmessungen von 20 × 20 × 20 mm erhalten.
  • Jede der Verbindungsendflächen der Verbundprobe und der gesinterten AlN-Probe wurde mit einem Mahlstein Nr. 800 geschliffen. Als Nächstes wurden die jeweils mit Aceton und Isopropylalkohol gewaschenen geschliffenen Flächen mit 30%igem Ammoniakwasser 10 min bei 70 °C gewaschen. Eine einzelne Legierungslage aus einer Al-10-Si-1,5-Mg-Legierung wird gegebenenfalls (oder kann) auf Abmessungen von 20 × 20 × 0,1 mm gewalzt und zwischen das Verbundmaterial und die gesinterte AlN-Probe eingebracht. Danach wurde eine Rußplatte mit einer Dicke von 20 × 20 × 10 mm auf ein Laminat gestapelt. Das resultierende Laminat wurde bei einem Vakuum von weniger als 4 × 10–3 Pa (3 × 10–5 Torr) auf bis zu 640 °C erhitzt und 10 min so gehalten und in einem Ofen abgekühlt. Gemäß der JIS R 1601, betrug die Vierpunkt-Biegefestigkeit 170 MPa.
  • Die 7 und 8 sind Aufnahmen, die Sekundär-Elektronenbilder des Verbundkörpers und der gesinterten AlN-Probe zeigen.
  • (Verbindungsversuch 2)
  • Nachdem die geschliffenen Flächen gewaschen waren, wurde die geschliffene Fläche der gesinterten AlN-Probe mit Ni plattiert. Der restliche Ablauf war gleich wie in Verbindungsversuch 1. Die Biegefestigkeit betrug 80 MPa.
  • Als Metallmatrix-Keramik-Verbundkörper wurde eine blockförmige Probe verwendet, die erhalten wurde, indem SiC-Verbundpulver mit einem mittleren Teilchendurchmesser von 70 μm und einer Aluminiumlegierung gemäß einem drucklosen Immersionsverfahren hergestellt wurde. Die aufgenommene Menge von SiC betrug 70 Mol-%. Davon abgesehen war der restliche Ablauf gleich wie in Verbindungsversuch 1. Die Biegefestigkeit betrug 80 MPa.
  • (Verbindungsversuch 4)
  • Nachdem die geschliffenen Flächen gewaschen waren, wurde die geschliffene Fläche der gesinterten AlN-Probe mit Ni plattiert. Der restliche Ablauf war gleich wie in Verbindungsversuch 3. Die Biegefestigkeit betrug 100 MPa.
  • (Verbindungsversuch 5)
  • Ein Verbundkörper wurde direkt mit einem gesinterten AlN-Körper kontaktiert, ohne dass dabei eine Lage der Al-9-Si-1,0-Mg-Legierung dazwischen angeordnet war. Davon abgesehen war der restliche Ablauf gleich wie in Versuch 3. Die Biegefestigkeit betrug 50 MPa.
  • (Verbindungsversuch 6)
  • Ein Verbundkörper wurde direkt mit einem gesinterten AlN-Körper kontaktiert, ohne dass dabei eine Lage der Al-10-Si-1,5-Mg-Legierung dazwischen angeordnet war. Davon abgesehen war der restliche Ablauf gleich wie in Versuch 4. Die Biegefestigkeit betrug 70 MPa.
  • (Verbindungsversuch 7)
  • Anstelle der gesinterten AlN-Probe wurden 99,5 Gew.-% Aluminiumoxid verwendet. Davon abgesehen war der restliche Ablauf gleich wie in Versuch 2. Die Biegefestigkeit betrug 110 MPa.
  • (Verbindungsversuch 8)
  • Anstelle der gesinterten AlN-Probe wurden 99,6 Gew.-% Aluminiumoxid verwendet. Davon abgesehen war der restliche Ablauf gleich wie in Versuch 4. Die Biegefestigkeit betrug 130 MPa.
  • (Verbindungsversuch 9)
  • Anstelle der gesinterten AlN-Probe wurde eine Fe-50,5-Ni-Legierung verwendet. Davon abgesehen war der restliche Ablauf gleich wie in Versuch 1. Die Biegefestigkeit betrug 35 MPa.
  • Die Dichte, der Wärmeausdehnungskoeffizient und der Elastizitäts-Modul werden in Bezug auf jede der Verbundproben und Fe-50,5-Ni-Legierungsproben angeführt.
  • (Verbindungsversuch 10)
  • Im Verbindungsversuch 2 wies die Metallmatrix-Keramik-Verbundmaterialprobe eine Form von 20 mm × 20 mm × 4 mm auf, und die gesinterte AlN-Probe wies eine Form von 20 mm × 20 mm × 18 mm auf. Eine Molybdänprobe mit einer Form von 20 mm × 20 mm × 18 mm wurde mit der Verbundmaterialprobe über eine Legierungslage in Form von Al-10-Si-1,5-Mg an einer Oberfläche verbunden, die jener gegenüberliegt, mit welcher die gesinterte AlN-Probe verbunden wurde. Abgesehen von Obigem wurde die Verbindung auf gleiche Weise wie in Verbindungsversuch 2 durchgeführt. Die Biegefestigkeit des so erhaltenen Verbindungsgegenstands betrug 90 MPa. Tabelle 1
    Metallmatrix-Keramik-Komplexkörper Fe-50,5-Ni
    Al-AlN Al-SiC
    Dichte g/cm3 3,1 3,1 8,3
    Wärmeausdehnungskoeffizient ppm/K (40-500 °C) 10,3 8,3 9,9
    Elastizitäts-Modul bei Raumtemperatur GPa 200 250 160
  • (Anschlussverbindungsversuch A)
  • Wie mittels 1 erläutert, wurde ein Anschluss 1 mit einem Substrat 2 verbunden. Genauer gesagt wurde, wie in 9 schematisch dargestellt, ein Suszeptor hergestellt und gemäß 8 überprüft. Ein Mo-Netz 5, das als Hochfrequenzelektrode und als elektrostatische Haltevorrichtungselektrode fungiert sowie eine Mo-Spule 25, die als hitzeerzeugendes Element dient, wurden in einem aus AlN mit einer Reinheit von 99,9 % bestehenden Formkörper eingebettet und das Ergebnis gesintert, wodurch ein elektrostatisches Aufspannvorrichtungsheizelement erhalten wurde. Ein Hochfrequenz-Elektrodenanschluss 1 wurde an das Mo-Netz 5 angebracht und zwei Elektrodenanschlüsse 22 an die Mo-Spule angebracht. Das Bezugszeichen 25a bezeichnet einen freigestellten Abschnitt der Spule.
  • Die Elektrodenanschlüsse 1, 22 bestanden jeweils aus einem wie im Verbindungsversuch 1 verwendeten Metallmatrix-Keramik-Verbundkörper. Wie in 1 gezeigt, wurden ein Legierungsblech (Al-10-Si-1,5-Mg) 4 mit einem Durchmesser von 5 mm und einer Dicke von 0,2 mm, eine Verbundmaterialplatte 3, die auf einen Durchmesser von 5 mm und eine Dicke von 1,3 mm bearbeitet wurde (hergestellt aus einem in Verbindungsversuch 1 verwendeten Metallmatrix-Keramik-Verbundkörper), und ein Elektrodenanschluss mit einem Durchmesser von 7 mm und einer Dicke von 7 mm in dieser Reihenfolge auf dem untersten Teil 2b eines runden Lochs 2a angeordnet, an welchem das Mo-Netz an 5a freilag. Der Elektrodenanschluss und das Legierungsblech wurden mit Aceton und Isopropylalkohol gewaschen. Die Verbundmaterialplatte 3 und der unterste Abschnitt des Aufnahmelochs wurden mit Aceton und Isopropy lalkohol und dann mit 30%igem Ammoniakwasser bei 70 °C gewaschen. Ein Mo-Block mit einer Form von 20 mm × 20 mm × 50 mm (Dicke) wurde auf den Elektrodenanschluss 1 gestapelt. Für die Spule wurden Elektrodenanschlüsse ähnlich angeordnet. Die Anordnung wurde im Vakuum in einem Ofen bei einem Druck von nicht mehr als 4 × 10–3 Pa (3 × 10–5 Torr) auf 640 °C erhitzt, 10 min so gehalten und im Ofen abgekühlt. Die Bezugszeichen 23, 24 stehen für hitzebeständige Ziegel und das Bezugszeichen 26 für einen Siliciumwafer.
  • Das so erhaltene elektrostatische Aufspannvorrichtungsheizelement wurde in eine Vakuumkammer 28 eingebracht, eine HF-Stromquelle 29 an den Hochfrequenz-Elektrodenanschluss 1 angeschlossen und eine Wechselstromquelle 30, die mit einem Thyristor geregelt wurde, mit dem Heizelementanschluss 22 verbunden. Das Bezugszeichen 27 steht für eine Hochfrequenzelektrode. Die Vorrichtung wurde bei einer Erwärmungsgeschwindigkeit von 20 °C/min unter Argonatmosphäre bei einem Druck von 13 Pa (0,1 Torr) erhitzt, 10 min bei 400 °C gehalten und anschließend abkühlen gelassen nachdem die Stromquelle abgedreht war. Nachdem die Vorrichtung auf 100 °C abgekühlt war, wurde sie erneut erwärmt und bei obiger Temperatur gehalten. Der obige Zyklus wurde 50 mal wiederholt. Die HF-Spannung wurde nur zu dem Zeitpunkt angelegt, bei dem die Vorrichtung bei 400 °C gehalten wurde.
  • (Anschlussverbindungsversuch B)
  • Bezugnehmend auf Anschlussverbindungsversuch A werden drei Elektroden 14 aus Molybdän hergestellt. Eine Verbundmaterialplatte mit runder Tafelform mit einem Durchmesser von 5 mm und einer Dicke von 2 mm (aus einem wie in Verbindungsversuch 1 verwendeten Metallmatrix-Keramik-Verbundkörper erhalten) wurde zwischen die jeweiligen Molybdänanschlüsse und eine untere Fläche eines Aufnahmelochs angeordnet. Ein Legierungsblech (Al-10-Si-1,5-Mg) mit einem Durchmesser von 5 mm und einer Dicke von 0,2 mm wurde zwischen dem jeweiligen Anschluss und der Verbundmaterialplatte und zwischen der Verbundmaterialplatte und der unteren Fläche des Aufnahmelochs angeordnet. Abgesehen von Obigem wurde ein elektrostatisches Aufspannvorrichtungsheizelement auf gleiche Weise wie im An schlussverbindungsversuch A hergestellt und dem obigen 50-Zyklen-Wärmezyklierungstest unterzogen. Anschließend wurde ein Abschnitt nahe jedes der Anschlüsse des Heizelements überprüft, wobei sich keine Probleme, wie z.B. Rissbildung, ergaben.
  • (Anschlussverbindungsversuch C)
  • Als Nächstes bestanden drei Elektrodenanschlüsse aus der in Verbindungsversuch 9 verwendeten Fe-50,5-Ni-Legierung, nicht aus einem Metallmatrix-Keramik-Verbundmaterial. Abgesehen von Obigem wurde ein elektrostatisches Aufspannvorrichtungsheizelement auf gleiche Weise wie im Anschlussverbindungsversuch A hergestellt und einem ähnlichen Test unterzogen. Daraus ergab sich, dass sich der HF-Elektrodenanschluss bei 29 Zyklen ablöste, was die Spannungsanlegung unmöglich machte. Dann wurden die Stromdurchgangsperioden ausschließlich für das Heizelement wiederholt. Nach 50 Zyklen wurde ein Abschnitt nahe des Anschlusses 22 überprüft, was Rissbildungen nahe der Verbindung ergab.
  • Wie aus Obigem hervorgeht, kann die Beständigkeit am Verbindungsabschnitt zwischen dem Isoliermaterial und dem Anschluss in den Stromdurchgangsperioden in der Halbleitertragevorrichtung, die das aus dem Isoliermaterial bestehende Substrat, das im Substrat eingebettete elektrisch leitfähige Element und den an das elektrisch leitfähige Element verbundenen Anschluss umfasst, gemäß der vorliegenden Erfindung verbessert werden.
  • Die vorliegende Erfindung kann ferner das Verfahren zur Verbindung des Metallmatrix-Keramik-Verbundkörpers mit dem Keramikmaterial, dem Metall oder dem Keramikmaterial, worin das Metall eingebettet ist, bereitstellen.
  • Darüber hinaus kann die vorliegende Erfindung ein neues Verbindungsverfahren zum Verbinden eines aus einem Keramikmaterial oder einem Metall bestehenden Elements mit einem anderen aus Keramik oder einem Metall bestehenden Element bereitstellen.

Claims (11)

  1. Halbleitertragevorrichtung, umfassend ein aus einem isolierenden Keramikmaterial bestehendes Substrat (2), ein im Substrat eingebettetes leitfähiges Element (5, 25), und ein mit dem leitfähigen Element verbundener Anschluss (1, 11, 22), dadurch gekennzeichnet, dass der Anschluss (1, 11, 22) aus einem elektrisch leitfähigen Metallmatrix-Keramik-Verbundkörper besteht.
  2. Halbleitertragevorrichtung nach Anspruch 1, worin der Anschluss (11) ein Anschluss zum Anlegen einer Hochfrequenzspannung an das leitfähige Element ist.
  3. Halbleitertragevorrichtung nach Anspruch 1 oder 2, worin das isolierende Keramikmaterial ein Keramikmaterial mit einer Wärmeleitfähigkeit von nicht weniger als 20 W/m·K ist.
  4. Halbleitertragevorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 3, worin das Metall, das den Metallmatrix-Keramik-Verbundkörper bildet, Aluminium als Hauptkomponente enthält.
  5. Verfahren zur Herstellung einer Halbleitertragevorrichtung, umfassend die folgenden Schritte: Herstellen eines aus einem isolierenden Keramikmaterial bestehenden Substrats (2), das ein darin eingebettetes elektrisch leitfähiges Element (5, 25) aufweist, während ein Teil des elektrisch leitfähigen Elements außerhalb des Substrats frei liegt, Herstellen eines aus einem Metallmatrix-Keramik-Verbundkörper bestehenden Anschlusses (1, 11, 22), Kontaktieren des Anschlusses mit einem freiliegenden Abschnitt des leitfähigen Elements sowie Verbinden des Anschlusses mit dem Substrat und Verbinden des Anschlusses mit dem elektrisch leitfähigen Element, indem das Substrat und der Anschluss bei einer Temperatur wärmebehandelt werden, bei der die Metallmatrix, die den metallischen Metallmatrix-Keramik-Verbundkörper bildet, in einer Atmosphäre unter einem Druck von 0,013 Pa (0,0001 Torr) oder weniger schmelzen kann.
  6. Verfahren zur Herstellung einer Halbleitertragevorrichtung nach Anspruch 5, das durch die Herstellung eines Zwischenelements (4), welches aus einer Legierung besteht, die nicht weniger als 70 Mol-% einer Hauptkomponente der Metallmatrix, welche den Metallmatrix-Keramik-Verbundkörper bildet, enthält, durch das Kontaktieren des Anschlusses (1) mit dem Substrat über das Zwischenelement (4) in einem Zustand, bei dem das Zwischenelement zwischen dem Substrat und dem Anschluss liegt, und durch das anschließende Verbinden des Anschlusses mit dem Substrat und das Verbinden des Anschlusses mit dem elektrisch leitfähigen Element über das Zwischenelement durch Wärmebehandeln des Substrats, des Anschlusses und des Zwischenelements bei einer Temperatur, bei der die Metallmatrix und die Legierung in einer Atmosphäre unter einem Druck von 0,013 Pa (0,0001 Torr) oder weniger schmelzen können, modifiziert ist.
  7. Halbleitertragevorrichtung, umfassend ein aus einem isolierenden Keramikmaterial bestehendes Substrat (2), ein im Substrat eingebettetes leitfähiges Element (5), einen mit dem leitfähigen Element (5) verbundenen Anschluss (1), der aus einem Metall oder einem leitfähigen Keramikmaterial besteht, und ein zwischen dem Anschluss und dem Substrat liegendes Verbindungselement (32), das mit dem Anschluss und dem Substrat verbunden ist und aus einem Metallmatrix-Keramik-Verbundkörper besteht.
  8. Halbleitertragevorrichtung nach Anspruch 7, worin das isolierende Keramikmaterial ein Keramikmaterial mit einer Wärmeleitfähigkeit von nicht weniger als 20 W/m·K ist.
  9. Halbleitertragevorrichtung nach Anspruch 7 oder 8, worin das Metall, das den Metallmatrix-Keramik-Verbundkörper bildet, Aluminium als Hauptkomponente enthält.
  10. Verfahren zur Herstellung einer Halbleitertragevorrichtung, umfassend die folgenden Schritte: Herstellen eines aus einem isolierenden Keramikmaterial bestehenden Substrats (2), das ein darin eingebettetes elektrisch leitfähiges Element (5) auf weist, während ein Teil des elektrisch leitfähigen Elements außerhalb des Substrats frei liegt, Herstellen eines aus einem Metall oder einem elektrisch leitfähigen Keramikmaterial bestehenden Anschlusses (1), Kontaktieren des Anschlusses mit dem Substrat über ein aus einem Metallmatrix-Keramik-Verbundkörper bestehendes Verbindungselement (3), während das Verbindungselement zwischen dem Anschluss und dem Substrat liegt, sowie Verbinden des Verbindungselements (3) mit dem Anschluss (1) und dem Substrat (2) und Verbinden des Anschlusses (1) mit dem elektrisch leitfähigen Element (5), indem das Substrat, das Verbindungselement und der Anschluss bei einer Temperatur wärmebehandelt werden, bei der die Metallmatrix, die den Metallmatrix-Keramik-Verbundkörper bildet, in einer Atmosphäre unter einem Druck von 0,013 Pa (0,0001 Torr) oder weniger schmelzen kann.
  11. Verfahren zur Herstellung einer Halbleitertragevorrichtung nach Anspruch 10, das durch die Herstellung eines Zwischenelements (4), welches aus einer Legierung besteht, die nicht weniger als 70 Mol-% einer Hauptkomponente der Metallmatrix, welche den Metallmatrix-Keramik-Verbundkörper bildet, enthält, durch das Kontaktieren des Anschlusses (1) mit dem Substrat Ober das Verbindungselement (3) und das Zwischenelement (4) in einem Zustand, bei dem das Zwischenelement zwischen dem Substrat und dem Verbindungselement liegt, und durch Wärmebehandeln des Substrats, des Anschlusses, des Verbindungselements und des Zwischenelements bei einer Temperatur, bei der die Metallmatrix und die Legierung in einer Atmosphäre unter einem Druck von 0,013 Pa (0,0001 Torr) oder weniger schmelzen können, modifiziert ist.
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